TWI423745B - 具內嵌元件之配線板及其製造方法 - Google Patents

具內嵌元件之配線板及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI423745B
TWI423745B TW097116416A TW97116416A TWI423745B TW I423745 B TWI423745 B TW I423745B TW 097116416 A TW097116416 A TW 097116416A TW 97116416 A TW97116416 A TW 97116416A TW I423745 B TWI423745 B TW I423745B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
rear side
core
layer
component
resin
Prior art date
Application number
TW097116416A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200908827A (en
Inventor
Tsuneaki Takashima
Jun Otsuka
Makoto Origuchi
Yukinobu Nagao
Narith Chy
Kozo Yamasaki
Original Assignee
Ngk Spark Plug Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ngk Spark Plug Co filed Critical Ngk Spark Plug Co
Publication of TW200908827A publication Critical patent/TW200908827A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI423745B publication Critical patent/TWI423745B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/023—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
    • H05K1/0231—Capacitors or dielectric substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4857—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09481—Via in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/096—Vertically aligned vias, holes or stacked vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10712—Via grid array, e.g. via grid array capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

具內嵌元件之配線板及其製造方法
本發明關於一種具內嵌元件之配線板，其中像是電容器的元件容納於其中，以及其製造方法。
隨著近來用電腦及類似者之微處理器中使用的半導體積體電路裝置(IC晶片)之速度及效能之改進，終端的數目持續增加，且終端之間的距離或間距因此日益降低。概言之，複數個終端密集以陣列方式配置在一IC晶片的底面上，且該終端群組以一覆晶的方式連接至一主機板的終端群組。但是，因為IC晶片的終端群組及主機板的終端群組實質上對於終端之間的間距而彼此有所不同，即使用一種製造封裝的方法，其中IC晶片安裝在IC晶片安裝電路板上，且該封裝安裝在該主機板上。在構成這種封裝的配線板上，提出使用一內嵌電容器，藉以降低該IC晶片或類似者之切換雜訊。一配線板中一電容器容納在由聚合物材料製成的一核心板的容納孔中，且一建構層形成在該核心板的上表面及後側表面上，這種配線板的範例揭示在日本專利申請案早期公開(kokai)編號2006－351782(請參見第1圖等)。
製造上述習用的配線板之方法的範例將在以下說明。首先，預備由聚合物材料製成的核心板204。核心板204具有一容納孔203，其同時開放於核心主表面201與核心後側表面202(請參見第23圖)。同時，預備具有複數個表面 電極207之一電容器208(請參見第23圖)，該表面電極207係分別形成在一電容器主表面205及一電容器後側表面206上。接著，實施一膠黏步驟，用於將黏著膠帶209黏貼在核心後側表面202上，藉以密封在核心後側表面202側處容納孔203的開口。然後，實施一容納步驟，用於容納電容器208在容納孔203中。因此，電容器208暫時固定在容納孔203中，其將電容器後側表面206黏貼在黏著膠帶209的黏著面上(請參見第23圖)。
接著，由聚合物材料製成的一樹脂絕緣層210形成在核心主表面201及電容器主表面205上(請參見第24圖)。同時，樹脂絕緣層210的一部分用於填充容納孔203的內壁面及電容器208之側面之間的一間隙，藉此固定電容器208(請參見第24圖)。此時，黏著膠帶209自電容器後側表面206剝除。接著，由聚合物材料製成的樹脂絕緣層211形成在核心後側表面202及電容器後側表面206上(請參見第25圖)。再者，實施一雷射鑽孔步驟，以形成複數個介層孔，其在預定的位置上穿透樹脂絕緣層210、211，藉此暴露表面電極207。在施加無電鍍銅到樹脂絕緣層210、211且到介層孔的內部之後，在其上形成蝕刻阻劑，然後實施電解銅電鍍。再者，蝕刻阻劑被移除，並實施軟蝕刻。因此，一導體層213圖案形成在樹脂絕緣層210、211上，而一介層導體212形成在每個介層孔內部(請參見第25圖)。
然後，一建構層由交替積層一樹脂絕緣層及一導體層在樹脂絕緣層210、211上所形成。因此，即製造一所想要 的配線板。
本發明所要解決的問題
一核心板204及/或一電容器208由於在製造核心板204與電容器208時所產生的一弧形或類似者而會產生一不均勻厚度。再者，因為電容器208概略形成比核心板204要薄，一高度差異有可能發生在一核心主表面201與一電容器主表面205之間。因此，當一樹脂絕緣層210、211形成在核心板204與電容器208上時，有可能發生樹脂絕緣層210、211之厚度變化，以及形成在樹脂絕緣層210、211中介層孔之深度變化。因此，當執行上述的雷射鑽孔步驟來藉此在樹脂絕緣層210、211之複數個位置中形成介層孔，其很難調整一雷射輸出。也就是說，當該介層孔形成在樹脂絕緣層210、211之一薄部分中，包含高輸出之雷射穿透樹脂絕緣層210、211，並照射到一表面電極207上。此可造成表面電極207產生熱量，並根據狀況而溶化。另一方面，當介層孔形成在樹脂絕緣層210、211之厚部分中(如電容器主表面205之上的樹脂絕緣層210之一部分)時，該雷射穿透樹脂絕緣層210、211，而不會到達表面電極207。此即由於殘留在表面電極207之上表面上的樹脂而造成表面電極207無法成功地暴露。再者，當該介層孔形成在樹脂絕緣層210、211的厚部分中時，介層孔有可能較深，且形成在介層孔中的介層導體212之高寬比(介層導體212的厚度/直徑)變得較大，藉此介層導體212假設為一加長形。因此，很難利用介層導體212完全填滿介層孔。同時， 即使介層孔利用介層導體21完全填滿，配線板的製造性將會降低。
即使當介層導體212形成在該介層孔中，介層導體212的末端不能成功地連接至表面電極207，因此不可能在其間提供電氣連接。在此例中，一配線板容易具有一缺陷，且其可靠度可能會降低。
本發明係根據上述的問題而完成，且本發明的目的係要提供具內嵌元件之配線板的製造方法，該方法實現了一元件與層間絕緣層之間的安全連接，致使具內嵌元件的配線板具有良好的可靠度。再者，本發明另一目的係要提供由上述製造方法所產生的具內嵌元件的適當配線板。
根據解決上述問題的第一態樣，提供一種具內嵌元件之製造配線板的方法，包括以下步驟：一核心板預備步驟，用於預備一核心板，其包括一核心主表面、一核心後側表面及一容納孔，其至少在該核心後側表面處為開放；元件預備步驟，用於預備一元件，其包含一元件主體，其具有一元件主表面、一元件後側表面及一元件側面，及複數突出導體，其以突出方式在該元件後側表面上形成；一容納步驟，在該核心板預備步驟及該元件預備步驟之後，將該核心後側表面面對與該元件後側表面的同一側，用以容納該元件在該容納孔中；及一高度對準步驟，其於該容納步驟之後，用於對準該複數個突出導體之一上方部分的表面與形成在該核心後側表面上一導體層的表面在相同高度。 根據該第一態樣之具內嵌元件的配線板之製造方法，因為該複數個突出導體之上方部分的表面與形成在該核心後側表面上該導體層的表面在高度對準步驟中對準在相同高度，一後側表面側層間絕緣層可具有較小的厚度變化。因此，當用於形成介層導體之穿透該後側表面側層間絕緣層的複數個介層孔被形成時，該介層導體可確定形成在每個介層孔中，因為該等介層孔在深度上變化很小。因此，因為該等突出導體與該等介層導體之間的電氣連接可以可靠地提供，有可能防止發生缺陷產品，藉此有助於具有內嵌元件的配線板具有良好的可靠性。
然後，將說明根據該第一態樣的具內嵌元件之配線板的製造方法。
在該核心板預備步驟中，構成上述具內嵌元件之配線板的核心板事先由習用已知的方法所生產。構成具內嵌元件的配線板之核心板假設為一板形，其具有例如核心主表面、位在相反側上之核心後側表面，及用於容納該元件之容納孔。該容納孔可為一非通孔，其開放在核心後側表面處，或可為通孔，其同時開放在核心主表面及核心後側表面處。
用於形成該核心板之材料不限於一特定材料。但是，一較佳的核心板係由聚合物材料做為一主要成份來製成。做為用於形成該核心板之聚合物材料的特定範例，有可能採用例如EP樹脂(環氧樹脂)、PI樹脂(聚醯亞胺樹脂)、BT樹脂(雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(bismaleimide triazine))、PPE 樹脂(聚苯醚樹脂)或類似者。此外，有可能使用這些樹脂及玻璃纖維(例如玻璃編織纖維及非編織玻璃纖維)或有機纖維所製成的複合材料，例如聚醯胺纖維。
在該元件預備步驟中，構成上述具內嵌元件之配線板的元件事先由習用已知的方法所生產。該元件係由元件主體所構成，其具有元件主表面、元件後側表面及元件側面，以及複數個突出導體，其以突出方式在元件後側表面上形成。但是該元件的形狀可任意定義，例如一板形，其比所選擇的元件主表面之面積要大。該元件較佳地是假設為由平面上來看為一般多邊形，其具有複數個側面。平面角度上多邊形的範例包括一般長方形、一般三角形及一般六邊形，但是該元件較佳地是假設為平面角度上的一般長方形，其為普通形狀。在以下的說明中，“一般長方形”並不代表平面角度上完美的長方形，而是其中具有斜角角絡或曲面之長方形。
做為一適當的元件，其有可能採用一電容器、一積體電路元件(IC晶片)、一MEMS(微機電系統，“Micro Electro Mechanical Systems”)元件，其可由半導體製程或類似者所製造。“積體電路元件”代表一種元件，其主要做為一電腦或類似者之微處理器。
做為該電容器之較佳範例，有可能採用一晶片電容器，或一電容器，包含：一電容器主體，其中複數個內電極層藉由在其間夾入一介電層來予以積層；複數個電容器介層導體(capacitor via conductors)，其連接至複數個內電極層 ；複數個表面電極，每一個在該元件後側表面處連接至電容器介層導體的至少末端部分；及複數個突出導體，其以突出方式在複數個表面電極上形成。應注意到上述的電容器較佳地是為一介層陣列式電容器，其具有複數個電容器介層導體，其整體以一陣列型式配置。利用此結構，可達到降低該電容器之電感元件，因此，可達到用於節制功率變動之雜訊吸收及高速電流供應。再者，變得容易來達到整體電容器的小尺寸，藉此達到整體電容器內嵌配線板的尺寸降低。再者，高靜電容量較容易達成，雖然有可能達到小尺寸及更為穩定的電源供應。
構成一電容器之介電層的範例包括一陶瓷介電層、一樹脂介電層及由陶瓷樹脂化合物材料或類似者所製成的一介電層。高溫燒結陶瓷的燒結體，例如礬土，氮化鋁、氮化硼、碳化矽及氮化矽皆適合做為陶瓷介電層。此外，低溫燒結陶瓷的燒結體，例如玻璃陶瓷，其中無機陶瓷填料，例如礬土，即加入到一硼矽酸鹽玻璃或硼矽酸鉛玻璃，即可適用。在此例中，其亦較佳地是根據應用而使用一介電陶瓷的燒結體，例如鈦酸鋇、鈦酸鉛及鈦酸鍶。如果使用該介電陶瓷的燒結體時，具有一大靜電容量之電容器即容易實現。做為一樹脂介電層，適合使用一環氧樹脂及含有黏著劑之四氟乙烯樹脂(PTFE)。再者，如果一介電層，包含陶瓷樹脂化合物材料、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶及類似者皆適合做為陶瓷材料，及一熱固型樹脂，例如環氧樹脂、酚樹脂或胺基甲酸乙酯樹脂、矽氧樹脂、聚醯亞胺樹 脂或不飽和聚酯；及熱塑性樹脂，例如聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚縮醛樹脂或聚丙烯樹脂；及乳膠，例如丁腈橡膠、苯乙烯－丁二烯橡膠或氟化物橡膠，其皆適合做為一樹脂材料。
雖然內電極層的型式、在該電容器中的介層導體及該表面電極並無特定限制，當該介電層例如為一陶瓷介電層時較佳地是一金屬化導體。該金屬化導體的形成方式為藉由一習用已知方法施加含有金屬粉末的導電糊，例如金屬化印刷，然後點火藉此印刷的糊。當利用一同時點火方法形成該金屬化導體及陶瓷介電層時，在該金屬化導體中的金屬化粉末即需要具有比陶瓷介電層之點火溫度要高的溶點。例如，當該陶瓷介電層包含所謂的高溫燒結陶瓷(如礬土或類似者)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉬(Mo)、錳(Mn)或包含這些材料任一種之合金可以選擇為包含在該金屬化導體中的金屬化粉末。當該陶瓷介電層包含所謂的低溫燒結陶瓷(如玻璃陶瓷或類似者)、銅(Cu)、銀(Ag)或類似者，或包含這些材料之一的合金可選擇做為包含在該金屬化導體中的金屬化粉末。
構成該元件的複數突出導體係形成在該元件後側表面上。該複數個突出導體除了該元件後側表面之外可形成在該元件主表面上。再者，該複數個突出導體可直接形成在該元件後側表面上，或可形成在該複數個表面電極上，其放置在該元件後側表面上。可注意到該等突出導體可由一金屬材料或具有導電性之類似者所製成。用於形成突出導 體之金屬材料的範例，有可能採用銅、銀、鐵、鈷、鎳或類似者。
當該複數個突出導體由例如一金屬材料製成時，其較佳地是由電鍍形成。依此方式，該突出導體可簡單及低成本地形成。但是，該複數個突出導體可由印刷一金屬糊形成，並在附著比該突出導體要大尺寸的金屬箔之後附著一金屬箔或蝕刻一金屬箔。用於形成複數個突出導體之範例性方法包括同時點火方法或類似者，其中該等突出導體係與構成該介電層及該元件的其它導體同時點火(即該內電極層、該電容器介層導體及該表面電極)。再者，另一種範例性方法可為一後點火方法，其中該等突出導體在點火該介電層及構成該元件的導體之後點火。當該突出導體由同時點火方法形成時，製造該元件所需要的人力可以降低，藉此有助於該元件之簡易及低成本的製造。
當該複數個突出導體以一突出方式在該複數個表面電極上形成時，該複數個突出導體較佳地是其厚度大於該複數個表面電極。更特定而言，該複數個突出導體較佳地在高度對準步驟之前其厚度為100微米以上到300微米以下，更佳地是180微米以上到200微米以下。當該複數個突出導體之厚度小於100微米時，每個突出導體不可能在將該元件容納於容納孔中時自該核心後側表面突出。再者，很難進行該高度對準步驟，其移除該突出導體之上方部分，藉以對準於該導體層之表面。另一方面，當該複數個突出導體之厚度大於300微米時，其需要較長的時間來移除( 如研磨或類似者)該突出導體的上方部分，因此劣化了該元件的生產性。
再者，當以一突出方式將該複數個突出導體形成在設於該元件後側表面之該複數個表面電極上時，該複數個突出導體之直徑較佳地是等於該複數個表面電極之直徑。依此方式，因為該突出導體的橫截面積相較於該突出導體之直徑小於該表面電極之直徑時為較大，該突出導體的電阻即可減少，以及改善該突出導體的導電性。再者，因為該突出導體的直徑等於該表面電極的直徑，該等突出導體之間的間隙在以突出方式形成每個突出導體時可以可靠地形成在其間放置有一間隙之表面電極上。因此，可以防止由於突出導體之間相互接觸造成的短路失效。
較佳地是在該元件預備步驟當中包括一樹脂覆蓋層形成步驟。該樹脂覆蓋層形成步驟，係用於形成一樹脂覆蓋層，其在該元件主表面、該元件後側表面與該元件側表面當中至少覆蓋該元件後側表面。在此例中，於該高度對準步驟中，該上方部分的表面與覆蓋該元件後側表面的樹脂覆蓋層係較佳地同時研磨。依此方式，藉由進行該樹脂覆蓋層形成步驟，覆蓋該元件後側表面的樹脂覆蓋層之至少一部分係置於該複數個突出導體之間。因此，因為該複數個突出導體由覆蓋該元件後側表面之樹脂覆蓋層之該部分所固定，每個突出導體可以防止損傷，即使當在高度對準步驟中對每個突出導體施加一很大的力量時。在該高度對準步驟中，該上方部分及該樹脂覆蓋層皆同時研磨。因此 ，該高度對準步驟被簡化，藉此有助於簡易及低成本地製造具內嵌元件之配線板。
在考慮層間絕緣層之絕緣性、耐熱性及耐濕氣性時，形成該樹脂覆蓋層之較佳的聚合物材料可使用例如熱固性樹脂，例如環氧樹脂、酚樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂；及一熱塑性樹脂，例如聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚縮醛樹脂或聚丙烯樹脂。再者，一材料或類似者中可使用玻璃填料加入在這些樹脂中。
覆蓋該元件後側表面之樹脂覆蓋層的厚度較佳地是大於該複數個突出導體之厚度。也就是說，該突出導體之上方部分的表面可覆蓋該樹脂覆蓋層，或可暴露於該樹脂覆蓋層的外側表面。當覆蓋該元件後側表面之樹脂覆蓋層比該複數突出導體要薄時，每個突出導體之上方部分自該樹脂覆蓋層的表面伸出，並有可能在該高度對準步驟中對每個突出導體上施加一很大的力量時會受損。當覆蓋該元件後側表面之樹脂覆蓋層比該複數突出導體要厚時，其需要時間來移除(研磨或類似者)該樹脂覆蓋層，因此造成該元件之生產性的劣化。
該樹脂覆蓋層可僅覆蓋該元件後側表面，或除了該元件後側表面之外還可至少覆蓋該元件主表面，或元件側面。當該樹脂覆蓋層覆蓋該元件側面時，該容納孔與該元件之間的間隙即會變小。因此，即使當在高度對準步驟中對該元件施加大的力量時亦可防止該元件損害。
在後續容納步驟中，該元件係容納在該容納孔中，其 核心後側表面與該元件後側表面面向同一側。該元件可完整地容納在該容納孔中，或可容納在該容納孔中，其狀態為該元件的一部分自該容納孔的開口伸出。再者，當該容納孔為一通孔，其同時於該核心主表面與該核心後側表面處開放，該容納步驟之進行方式為在該核心主表面處容納孔的開口由具有一黏著面之黏著膠帶所密封，然後該黏著膠帶可在該高度對準步驟之後移除。
在該容納步驟之後與該高度對準步驟之前，一樹脂層形成步驟用於在該核心後側表面與該元件後側表面上形成一樹脂層，並利用該樹脂層的一部分填入該容納孔之內壁表面與該元件側表面之間的一縫隙。然後，進行一固定步驟，其用於藉由硬化該樹脂層來固定該元件。在該高度對準步驟中，該樹脂層與該上方部分的表面較佳地是同時研磨。依此方式，因為該元件可在該高度對準步驟之前由該樹脂層固定，即使在該高度對準步驟中對該元件施加一大的力量也可防止該元件受損。再者，上述的間隙可利用該樹脂層填入該容納孔的底部，藉此防止發生空洞或類似者。因此，可生產具有良好可靠性之具內嵌元件之配線板。再者，該高度對準步驟由同時研磨該上方部分及該樹脂層之表面來進行。因此，該高度對準步驟被簡化，藉此有助於簡易及低成本地製造具有內嵌元件之配線板。
在考慮該樹脂層之絕緣性、耐熱性及耐濕氣性時，形成該樹脂覆蓋層之較佳的聚合物材料可使用例如熱固性樹脂、例如環氧樹脂、酚樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、矽氧樹 脂、聚醯亞胺樹脂；及一熱塑性樹脂，例如聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚縮酸樹脂或聚丙烯樹脂。再者，該聚合物材料的範例可包括一種材料或類似者，其中加入玻璃填料到上述的熱固性樹脂或該熱塑性樹脂。
用於形成該樹脂層之方法的範例，其可能採用：一種方法，其中施加(或噴灑)一樹脂材料到該核心後側表面及該元件後側表面；一種方法，其中一樹脂片黏貼在該核心後側表面及該元件後側表面上；及一種方法，其中具有對應於形成一樹脂層位置的開放部分之遮罩係配置在該核心後側表面及該元件後側表面上，然後，一樹脂材料經由該遮罩印刷於其上。
當該元件側面覆蓋有該樹脂覆蓋層時，覆蓋該元件側面之樹脂覆蓋層的表面較佳地是平行於該元件側面來放置。當該樹脂覆蓋層並未平行於該元件側面來放置時，其相對於該容納孔的內壁面傾斜。因此，該樹脂層的一部分不可能成功地填入在覆蓋該元件側面之樹脂覆蓋層之表面與該容納孔之內壁面之間的間隙。
在該固定步驟中，該間隙填有該樹脂層之該部分，且該樹脂層被硬化而藉此固定該元件。當該樹脂層為一熱固性樹脂時，有可能利用加熱一未硬化的樹脂層之一程序，藉此來硬化。同時，當該樹脂層為一熱塑性樹脂時，有可能利用將該樹脂層形成步驟中加熱的一樹脂層冷卻之程序，藉以被硬化。
在後續的高度對準步驟中，該複數突出導體之上方部 分的表面與形成在該核心後側表面上導體層的表面係對準於相同高度。然後，積層配線部分之主表面側即形成在該核心主表面上，而積層配線部分之後側表面側形成在該核心後側表面上，藉此完成具內嵌元件之配線板。
作為用於在高度對準步驟中將上方部分之表面與導體層之表面對準到相同高度的方法之範例，其有可能採用一種方法來降低該複數個突出導體，藉以對準上方部分之表面與該導體層之表面到相同高度，一種方法來使得該導體層較薄，藉以對準上方部分之表面與該導體層之表面到相同高度，一種方法使得該複數突出導體較高，藉以對準上方部分的表面與該導體層之表面到相同高度，及一種方法使得該導體層較厚，藉此對準上方部分的表面與該導體層之表面到相同高度。在上述方法中，該較佳方法為該複數個突出導體被降低，藉以對準上方部分的表面與該導體層之表面到相同高度。當採用使得導體層的表面較薄的方法時，因為該導體層原來非常薄，並很難使其變薄時，不可能對準上方部分的表面與該導體層之表面到相同高度。再者，當不論採用使得該複數突出導體較高的方法或是使得該導體層較厚的方法，其需要一額外的處理來印刷一導電糊到該突出導體之上方部分的表面及導體層的表面。因此，製造具內嵌元件之配線板有可能變複雜且變貴。當採用降低該複數個突出導體低點來對準上方部分的表面與導體層的表面到相同高度的方法時，該元件形成為比該核心板要薄，且該複數個突中導體較佳地是形成為其厚度在當該 元件容納在該容納孔中時可使其突出於該核心後側表面的程度。依此方式，即可穩固地進行用於降低每個突出導體(如研磨或類似者)的程序。
對於藉由降低該複數個突出導體或薄化該導體層來對準該上方部分之表面於導體層的表面之方法，有可能引用一種方法，其機械式移除至少上方部分之表面或該導體層之表面，或一種方法，其化學式移除至少上方部分之表面或該導體層之表面。但是，在該高度對準步驟中，較佳地是機械式移除至少該上方部分或該導體層。依此方式，該高度對準步驟相較於利用化學式移除至少該上方部分或該導體層的狀況可以較簡單且便宜地進行。
對於機械式移除至少該上方部分或該導體層的方法，其有可能採用一種方法，其中切除至少上方部分之一部分或導體層之一部分，或是一種方法，其研磨至少上方部分之表面或導體層之表面。研磨至少上方部分之表面或導體層之表面的方法可採用一研磨程序，其使用一裝有砂紙的皮帶砂磨裝置，或是一種拋光程序，其進行方式為在外周面上包含有研磨劑之一碟狀不織布或類似者進行旋轉，並壓在上方部分之表面或導體層之表面上。該砂紙的研磨表面及該研磨劑之顆粒直徑之算術平均粗度較佳地是等於研磨之後上方部分之表面或導體層之表面的算術平均粗度。
另一方面，因為該方法係化學式移除至少上方部分或導體層，所以有可能採用一種方法來利用一蝕刻溶液來移除至少該上方部分的一部分或該導體層的一部分。
在該高度對準步驟中，該上方部分的表面較佳地是在一種狀態下研磨，其中一硬化樹脂材料放置在該複數個突出導體之間。依此方式，因為該複數個突出導體由該硬化的樹脂材料固定，即使當在高度對準步驟中對每個突出導體施加一大的力量時亦可防止該突出導體受損。樹脂材料的範例包括覆蓋該元件後側表面之一樹脂覆蓋層、上述的樹脂層或類似者。
在該高度對準步驟之後，進行以下步驟：一後側表面側層間絕緣層形成步驟，其中一後側表面側層間絕緣層形成在該核心後側表面與該元件後側表面上；一介層孔形成步驟，其中穿過該後側表面側層間絕緣層之介層孔由一雷射鑽孔程序形成，藉以暴露該上方部分的表面；及一介層導體形成步驟，其中一介層導體形成在該介層孔內部。依此方式，因為該後側表面側層間絕緣層形成在該核心後側表面與該元件後側表面上，其皆在該高度對準步驟中平坦化，該後側表面側層間絕緣層之厚度的變化可以減少。因此，當複數個介層孔在該介層孔形成步驟中形成時，該介層導體可以確保在該介層導體形成步驟中形成在每個介層孔中，因為在該介層孔之深度僅有少許變化。因此，可以可靠地提供該等突出導體與該等介層導體之間的電氣連接，藉此防止發生缺陷產品，並有助於具內嵌元件的配線板具有良好的可靠性。
該樹脂覆蓋層與該樹脂層可由與在該後側表面側層間絕緣層形成步驟中所形成的該後側表面側層間絕緣層用相 同材料製成，或可利用與該後側表面側層間絕緣層不同材料製成。但是，它們較佳地是利用與該後側表面側層間絕緣層相同的材料製成。依此方式，當形成該樹脂覆蓋層與該樹脂層時，除了該後側表面側層間絕緣層的材料之外，不需要預備任何額外的材料。因此，製造具內嵌元件之配線板所需要的材料數目可以減少，並可生產較便宜的具內嵌元件之配線板。
“與該後側表面側層間絕緣層之相同材料”代表與該後側表面側層間絕緣層為相同的聚合物材料，並與該後側表面側層間絕緣層具有相同的熱膨脹係數。因此，因為該樹脂覆蓋層、該樹脂層與該後側表面側層間絕緣層之間的熱膨脹係數不可能造成差異，有可能防止在這些層之間發生分層。因此，可進一步改善具內嵌元件之配線板的可靠度。
在此說明書中，一“熱膨脹係數”代表在與一厚度方向(Z方向)之垂直方向(XY方向)上的熱膨脹係數，及在溫度範圍0℃到100℃之間由TMA(熱機械分析儀)所測量的數值。“TMA”代表例如在JPCA－BU01中所指定的熱機械分析儀。
根據解決上述問題的第二態樣，提供一種具內嵌元件之配線板，包括：一核心板，包括一核心主表面、一核心後側表面、及一容納孔，其至少在該核心後側表面處開放，其中一核心主表面側導體層係形成在該核心主表面上，而一核心後側表面側導體層係形成在該核心後側表面上；一 元件，包含：一元件主體，其具有一元件主表面、一元件後側表面及一元件側面；及複數個突出導體，其以一突出方式在該元件後側表面上形成，其中係將該核心後側表面與該元件後側表面面向同一側而將該元件容納在該容納孔中；一積層配線部分之主表面側，其具有一積層結構，其中一主表面側層間絕緣層與一主表面側導體層係積層在該核心主表面上，並提供一積體電路元件安裝區域，用於安裝一積體電路元件在其表面上；及一積層配線部分之後側表面側，其具有一積層結構，其中一後側表面側層間絕緣層與一後側表面側導體層係積層在該核心後側表面上，並在其表面上提供一連接終端部，其可連接至一主機板，其中該核心後側表面側導體層之一表面與該複數個突出導體的一上方部分之表面係對準在相同平面上，其中該核心後側表面側導體層之表面與該上方部分之表面的算術平均粗度要比該核心主表面側導體層之表面的算術平均粗度要粗糙，且其中該核心後側表面側導體層要比該核心主表面側導體層要薄。
因此，根據該第二態樣，因為該核心後側表面側導體層之表面與該複數突出導體之上方部分的表面係位在相同平面上，形成在該核心後側表面上的後側表面側層間絕緣層在厚度上具有降低的變化。因此，當該複數個介電導體形成在該後側表面側層間絕緣層上時，形成有該介層導體之介層孔之深度變化即可降低，藉以可靠地形成該介層導體。因此，可以穩固地提供該等突出導體與該等介層導體 之間的電氣連接，藉此防止發生缺陷產品，並有助於具有內嵌元件的配線板具有良好的可靠性。
位在最靠近該核心後側表面之後側表面側層間絕緣層之厚度變化較佳地是為5微米或更低，更佳地是為2微米或更低。在上述的案例中，該介層導體較佳地是形成在位在最靠近該核心後側表面之後側表面側層間絕緣層。當位在最靠近該核心後側表面之後側表面側層間絕緣層之厚度變化大於5微米，且在其中形成該複數個介層孔時，即不能降低該介層孔之深度變化。因此，該介層導體不能可靠地形成在該介層孔中，且不能夠可靠地提供該突出導體與該介層導體之間的電氣連接。因此，即會劣化具內嵌元件之配線板的可靠性。
在考慮構成積層配線部分之該主表面側之主表面側層間絕緣層，與構成積層配線部分之該後側表面側之後側表面側層間絕緣層之絕緣性、耐熱性及耐濕氣性時，用於形成該主表面側層間絕緣層與該後側表面側層間絕緣層之較佳的聚合物材料可採用例如熱固性樹脂、例如環氧樹脂、酚樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂；及一熱塑性樹脂，例如聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚縮醛樹脂或聚丙烯樹脂。此外，這些樹脂及玻璃纖維(玻璃織布或未編織玻璃織布)之複合材料，或有機纖維、例如聚醯胺纖維，或另外一種樹脂－樹脂複合材料，其形成方式為熱固性樹脂，像是環氧樹脂，其浸漬三維網狀氟碳樹脂基底材料，例如可利用連續多孔性PTFE。
在此說明書中所述的“算術平均粗度”為JJS B0601所定義的算術平均粗度Ra。可注意到該算術平均粗度Ra的測量方法必須根據JIS B0651。
現在將參照圖式詳細說明根據本發明一具體實施例之具內嵌元件的配線板。
請參照第1圖，所示為具內嵌元件10之配線板(以下稱之為“配線板”)。根據所示的具體實施例，配線板10為用於安裝一IC晶片的配線板。配線板10包含一長方形板狀核心板11、一主表面側建構層31(積層配線部分之主表面側)，其形成在核心板11之核心主表面12上(第1圖的上表面)，及一後側表面側建構層32(積層配線部分之後側表面側)，其形成在核心板11之後側表面13上(第1圖之下表面)。
形成在核心板11之核心主表面12上的主表面側建構層31具有一結構，其中由熱固性樹脂(環氧樹脂)製成的兩個主表面側樹脂絕緣層33及35，及由銅製成的一主表面側導體41交互地積層。終端墊44以陣列的型式在第二主表面側樹脂絕緣層35之表面上複數個位置中形成。再者，主表面側樹脂絕緣層35之表面整體覆蓋有一焊料阻劑37。將終端墊44予以暴露的開放部46係在焊料阻劑37的預定位置處形成。複數個焊料凸塊45分別置於終端墊44的表面上。每個焊料凸塊45係電氣連接至長方形板狀IC晶片21(積體電路元件)之表面連接終端22。此外，由每個終端墊 44與每個焊料凸塊45構成的一區域做為一IC晶片安裝區域23(積體電路元件安裝區域)，用於安裝IC晶片21。IC晶片安裝區域23形成在主表面側建構層31之表面39上。介層導體43係形成在第二主表面側樹脂絕緣層35之複數個位置中。做為每個介層導體43之下端的一部分係連接至形成在主表面側樹脂絕緣層33之表面上的一主表面側導體層41。再者，做為每個介層導體43的上端之一部分係連接至主表面側導體層41或形成在主表面側樹脂絕緣層35之表面上的終端墊44。介層導體43提供主表面側導體層41與終端墊44之間的一電氣連接。
如第1圖所示，形成在核心板11之核心後側表面13上的後側表面側建構層32實質上相同於主表面側建構層31。也就是說，後側表面側建構層32之結構係由熱固性樹脂(環氧樹脂)製成的兩個後側表面側樹脂絕緣層34及36與一後側表面側導體層42交互積層。介層導體47形成在第一後側表面側樹脂絕緣層34中複數個位置處。做為每個介層導體47之下端的一部分係連接至形成在後側表面側樹脂絕緣層34之表面上的後側表面側導體層42。再者，介層導體43形成在第二後側表面側樹脂絕緣層36中複數個位置處。經由介層導體43電氣連接至後側表面側導體42之BGA墊48係以陣列形式在後側表面側樹脂絕緣層36的下表面上形成。再者，後側表面側樹脂絕緣層36的下表面幾乎整體覆蓋有焊料阻劑38。將BGA墊48予以暴露的開放部分40係形成在焊料阻劑38的預定位置上。提供電氣 連接至一主機板(未示出)的複數個焊料凸塊49係置於BGA墊48的表面上。也就是說，BGA墊48及焊料凸塊49構成形成在後側表面側建構層32之表面上的連接終端部50。第1圖所示之配線板10係經由每個焊料凸塊49安裝在主機板(未示出)上。
如第1圖所示，根據所例示的具體實施例之核心板11假設為由平面觀視的大致長方形板狀。範例性尺寸為25.0mm長×25.0mm寬×1.0mm厚。核心板11包含玻璃環氧樹脂製成的基板161、次基板164(其由環氧樹脂製成，其中加入無機填料，例如矽石填料，並形成在基板161的上表面及下表面之上)及導體層163(其由銅製成，並形成在基板161的上表面及下表面上)。再者，核心板11包括複數個通孔導體16，其穿透核心主表面12、核心後側表面13及導體層163。通孔導體16提供核心板11之核心主表面12與核心後側表面13之間的電氣連接，以及提供一電氣連接至導體層163。其應注意到通孔導體16之內側填入栓塞體17，例如環氧樹脂。通孔導體16之上端係電氣連接至形成在主表面側樹脂絕緣層33之表面上的主表面側導體層41的一部分。通孔導體16的下端係電氣連接至形成在後側表面側樹脂絕緣層34之下表面上的後側表面側導體層42的一部分。
如第1圖所示，由銅製成的一核心主表面側導體層61係圖案形成在核心板11的核心主表面12上，並提供一電氣連接至通孔導體16。類似地，一核心後側表面側導體層 62(導體層)係圖案形成在核心板11之核心後側表面13上，並提供一電氣連接至通孔導體16。核心後側表面側導體層62比核心主表面側導體層61(厚度為75微米)要薄，且在此具體實施例中設定為65微米。再者，核心後側表面側導體層62之表面與一上方部52(如下述)之表面的算術平均粗度Ra要比核心主表面側導體層61之表面的算術平均粗度Ra(在此具體實施例為0.5微米)要粗糙，更特定而言，其設定為0.8微米。
如第1圖所示，核心板11具有一長方形容納孔90，由平面角度觀視，其同時於核心主表面12與核心後側表面13之中央部分處開放。也就是說，容納孔90為一通孔。一陶瓷電容器101(元件)係將電容器後側表面103與核心板11之核心後側表面13面向同一側而嵌入在容納孔90中。在此具體實施例中陶瓷電容器101假設為一長方形的板狀。範例性尺寸為10.0mm長×10.0mm寬×0.8mm厚。陶瓷電容器101係形成為比核心板11要薄。在核心板11中，陶瓷電容器101係置於IC晶片安裝區域23正下方的區域中。IC晶片安裝區域23之尺寸(即IC晶片的表面連接終端22所形成之區域的面積)係製成小於陶瓷電容器101之電容器主表面102之尺寸。因此，IC晶片安裝區域23，由陶瓷電容器101之厚度方向觀之，即置於陶瓷電容器101之電容器表面102內。
如第1圖到第4圖所示，根據此具體實施例之陶瓷電容器101稱之為“介層陣列式電容器”。包含陶瓷電容器 101之陶瓷燒結體104(元件主體)假設為一平板狀，並具有電容器主表面102(第1圖之上表面)做為一元件主表面，一電容器後側表面103(第1圖之下表面)做為一元件後側表面，及四個電容器側面106(第1圖之右側及左側面)做為一元件側面。
如第2圖所示，陶瓷燒結體104之結構中一電源供應內電極141及一接地內電極142係由夾入一陶瓷介電層105而交互積層。陶瓷介電層105包含一鈦酸鋇的燒結體，即一種高介電常數陶瓷，並做為電源供應內電極層141與接地內電極層142之間的一介電質(絕緣體)。電源供應內電極層141與接地內電極層142包含鎳做為主要成分。
如第1圖到第4圖所示，複數個介層孔130形成在陶瓷燒結體104中。這些介層孔130在其厚度方向上穿透陶瓷燒結體104，並以晶格圖案(陣列型式)置於陶瓷燒結體104的整個表面上。在每個介層孔130中，形成主要由鎳構成的複數個電容器介層導體131、132，藉以在電容器主表面102與陶瓷燒結體104之電容器後側表面103之間通聯。在此具體實施例中，因為介層孔130的直徑設定為約100微米，電容器介層導體131、132之直徑亦設定為約100微米。每個電源供應電容器介層導體131穿透每個電源供應內電極141，藉以在其間提供一電氣連接。每個接地電容器介層導體132穿透每個接地內電極142，藉以在其間提供一電氣連接。每個電源供應電容器介層導體131及每個接地電容器介層導體132係整體配置成一陣列型式。在此具體 實施例中，為了解釋的目的，電容器介層導體131、132係例示成形成一陣列的5 x 5列。但是，實際陣列具有更多的列。
如第2圖所示或類似者，複數個主表面側電源供應電極111與複數個主表面側接地電極112係形成在陶瓷燒結體104的電容器主表面102上，藉以自電容器主表面102伸出。雖然每個主表面側接地電極112係個別形成在電容器主表面102上，其可以一體成形。主表面側電源供應電極111係直接連接至電容器主表面102處複數個電源供應電容器介層導體131之一端面。主表面側接地電極112係直接連接至位在電容器主表面102處複數個接地電容器介層導體132之一端面。
同時，複數個後側表面側電源供應電極終端121(終端電極)及複數個後側表面側接地電極122(終端電極)係形成在陶瓷燒結體104之電容器後側表面103上，藉以自電容器後側表面103伸出。雖然每個後側表面側接地電極122係個別形成在電容器後側表面103上，其可以一體成形。後側表面側電源供應電極121係直接連接至位在電容器後側表面103處複數個電源供應介層導體131的一端面。後側表面側接地電極122係直接連接至位在電容器後側表面103處複數個接地介層導體132的一端面。因此，電源供應電極111、121係電氣連接至電源供應介層導體131及電源供應內電極層141。類似地，接地電極112、122係電氣連接至接地介層導體132及接地內電極層142。
如第2圖所示或類似者，主要由鎳構成之電極111、112、121、122其表面整體覆蓋一鍍銅層(未示出)。在此具體實施例中，電極111、112、121、122係假設由平面觀察為一大致長方形，且其直徑約為500微米，厚度約為50微米，且其間的最小間距約為580微米。
如第1圖及第2圖所示，突出導體51形成在每個後側表面側電源供應電極121及每個後側表面側接地電極122。根據此具體實施例的突出導體51為由銅電鍍製成的導體(銅柱)。每個突出導體51假設具有一均勻圓形橫截面之圓柱形。每個突出導體51的中心軸對準於電極121、122的中心。每個突出導體51的上方部分52之表面假設為圓形，並平行於電容器主表面102。另外，每個突出導體51的直徑等於電極121、122之直徑，並大於電容器介層導體131、132之直徑(約100微米)。每個突出導體51的直徑在此具體實施例中設定為約500微米。在完成的配線板10中每個突出導體51的厚度在此具體實施例中設定為100微米。也就是說，每個突出導體51要比電極121、122厚。每個突出導體51之上方部分52的表面係位在與核心後側表面側導體層62之表面的相同平面上。每個突出導體51連接至形成在置於最靠近核心後側表面13之後側表面側樹脂絕緣層34之複數個位置中的介層導體47。根據此具體實施例，後側表面側樹脂絕緣層34之厚度約為50微米，且厚度變化為5微米。
如第1圖到第4圖所示，陶瓷燒結體104覆蓋有樹脂 覆蓋層151。樹脂覆蓋層151覆蓋一電容器主表面102、一電容器後側表面103及整個四個電容器側面106。當陶瓷電容器101建構在配線板10中時，覆蓋電容器主表面102之樹脂覆蓋層151暴露電極111、112，因此其無法完全覆蓋電容器主表面102。類似地，覆蓋電容器後側表面103之樹脂覆蓋層151暴露形成在電極121、122上突出導體51之上方部分52的表面，因此樹脂覆蓋層151無法完全覆蓋電容器後側表面103。覆蓋電容器主表面102之樹脂覆蓋層151之厚度為50微米。覆蓋電容器後側表面103之樹脂覆蓋層151之厚度為150微米。覆蓋電容器側面106之樹脂覆蓋層151之厚度為1000微米。也就是說，覆蓋電容器後側表面103之樹脂覆蓋層151要比突出導體51厚，且每個突出導體51之上方部分52的表面由樹脂覆蓋層151所覆蓋。樹脂覆蓋層151由與樹脂絕緣層33－36相同的材料(即熱固性樹脂的環氧樹脂)所製成。樹脂覆蓋層151之熱膨脹係數係相同於樹脂絕緣層33－36，尤指其係設定為約10－60 ppm/℃(更特定而言為20 ppm/℃左右)。樹脂覆蓋層151之熱膨脹係數大於陶瓷燒結體104。
如第1圖或類似者所示，容納孔90之內壁面91與覆蓋陶瓷電容器101之電容器側面106之樹脂覆蓋層151的表面之間的間隙填有形成在核心後側表面13與電容器後側表面103上樹脂層92的一部分。樹脂層92固定陶瓷電容器101於核心板11。樹脂層92由與樹脂絕緣層33－36及樹脂覆蓋層151之相同材料(即熱固性樹脂的環氧樹脂)製 成。因此，樹脂層92與樹脂絕緣層33－36及樹脂覆蓋層151具有相同的熱膨脹係數數值，尤指其約為10－60 ppm/℃(更特定而言為20 ppm/℃左右)。陶瓷電容器101從平面角度大致為正方形，且其四個角的每一角有半徑0.55mm以上的圓角(在此具體實施例中為具有0.6mm之斜角)。因此，當樹脂層92由於溫度改變造成變形時，有可能減輕在陶瓷電容器101之角落部分的應力集中，藉此有可能防止發生樹脂層92的破裂。
如第1圖所示，在電容器主表面102上提供的電極111、112係經由介層導體47、主表面側導體層41、介層導體43、終端墊44、焊料凸塊45及IC晶片21的表面連接終端22而電氣連接至IC晶片21。另一方面，在電容器後側表面103上提供的電極121、122經由突出導體51、介層導體47、後側表面側導體層42、介層導體43、PGA墊48及焊料凸塊49而電氣連接至設於一主機板(未示出)中的一電極。
例如，當導電由主機板側經由電極終端121、122進行，以施加一電壓橫跨電源供應內電極層141到接地內電極層142時，例如正電荷會累積在電源供應內電極層141，而例如負電荷會累積在接地內電極層142。因此，陶瓷電容器101即做為電容器。此外，在陶瓷電容器101中，電源供應電容器介層導體131及接地電容器介層導體132係彼此相鄰配置，致使流過電源供應介層導體131及接地介層導體132之電流方向彼此相反。因此，即可達成電感元件之減少 。
接著，將說明根據此具體實施例之配線板10的製造方法。
在核心板預備步驟中，核心板11之半成品由習用已知方法生產，並事先預備。
核心板11的半成品依下述製造。首先，預備一銅被覆板，其中銅箔162結合到基板161的兩個表面，其大小為350mm(縱向)x 375mm(橫向)x 0.6mm(厚度)(請參見第5圖)。導體層163為圖案印刷，其使用例如蝕刻在銅被覆板的兩面上的銅箔162的減去方法(請參見第6圖)。更特定而言，在一無電鍍銅程序之後，使用無電鍍銅層做為一共用電極來進行一電解鍍銅程序。一乾膜積層於其上，且該乾膜藉由曝光及顯影該乾膜而形成為一預定圖案。在此狀態中，由蝕刻移除不必要的電解鍍銅層、不必要的無電鍍銅層及不必要的銅箔162。然後，該乾膜即被剝除。接下來，在粗糙化基板161與導體層163的上表面及下表面之後，加入無機填料的一環氧樹脂膜(厚度80 μm)即由熱壓在基板161的上表面及下表面上而積層，藉此產生次基板164(請參見第7圖)。
接著，分別將核心後側表面側導體層62(厚度75微米)圖案印刷在上方次基板164之上表面上，且將核心主表面側導體層61(厚度50微米)圖案印刷在下方次基板164的下表面上。更特定而言，於執行無電鍍銅到上方次基板164的上表面及下方次基板164的下表面之後，在其上形成蝕 刻阻劑，然後實施電解鍍銅。再者，蝕刻阻劑被移除，並實施軟蝕刻。然後，由基板161及次基板164構成的積層體即進行鑽孔步驟，其使用一路由器來形成一通孔，做為在一預定位置處的容納孔90。藉此即完成核心板11的半成品(請參見第8圖)。可注意到核心板11的半成品代表用於生產複數個核心板11的核心板，其中在稍後做為核心板11之複數個區域係沿著平面方向垂直及水平地配置。
在元件預備步驟(電容器預備步驟)中，具有突出導體51的陶瓷電容器101由習用已知方法生產，並事先預備。
陶瓷電容器101係依下述製造。產生陶瓷綠片(green sheet)，然後將內電極層用之鎳糊網版印刷在綠片上，並將其乾燥。然後，在稍後分別做為電源供應內電極層141與接地內電極層142之電源供應內電極部及接地內電極部即形成。接下來，將每個具有電源供應內電極部形成於其上的綠片及具有接地內電極部形成於其上的綠片交替積層，且當在該等片材的積層方向上施加一壓制力，藉此整合該等綠片，並形成一綠片積層體。
再者，複數個介層孔130使用一雷射處理機形成在綠片積層體中，且介層導體用之鎳糊使用一壓合及填充機(未示出)填入到每個介層孔130中。接著，將用於形成電極之糊印刷在綠片積層體的上表面上，以形成後側表面側電源供應電極121及後側表面側接地電極122，藉此覆蓋位在該綠片積層體之上方側處的每個導體部分之上端面。同時，將該糊印刷在用於形成主表面側電源供應電極111與主表 面側接地電極112之綠片積層體的下表面上，藉此覆蓋位在該綠片積層體之下方側處的每個導體部分之下端面。
然後，將該綠片積層體被乾燥，致使每個電極111、112、121、122凝固到某種程度。接著，該綠片積層體即去油，並在一預定溫度下點火一段預定時間。因此，在該糊中含有的鈦酸鋇及鎳即同時燒結，藉此形成陶瓷燒結體104。
接著，施加無電鍍銅(厚度約為10 μm)到陶瓷燒結體104的每個電極111、112、121、122上。因此，將該鍍銅層形成在每個電極111、112、121、122上。
接著，一乾膜153積層在陶瓷燒結體104之電容器後側表面103上，並接受一曝光及顯影，致使暴露了電極121、122整個表面之複數個開口152形成在乾膜153中(請參見第9圖)。這些開口152形成在要形成突出導體51之位置上。該電解鍍銅經由乾膜153施加於開口152的內側(請參見第10圖)。另外，移除乾膜153。因此，分別在後側表面側電源供應電極121及後側表面側接地電極122上形成突出導體51，藉此完成陶瓷電容器101(請參見第11圖)。每個突出導體51之厚度此時為190微米左右，其使得當陶瓷電容器101容納在容納孔90中時，突出導體51自核心後側表面13突出(請參見第15圖到第17圖)。可注意到在此具體實施例中所定義的“190微米左右”為用於補償核心板11與陶瓷電容器101之厚度變化的最小厚度。藉由定義厚度在這種程度，表面研磨的量可在稍後敘述的高度對 準步驟中最小化。因此，可事先防止生產性劣化。
在粗糙化完成的陶瓷電容器101之電容器後側表面103之後，複數陶瓷電容器101使用一安裝裝置(由Yamaha電機公司製造)來設置成在一治具(未示出)中，而將電容器後側表面103面朝上。更特定而言，一可片狀剝落(exfoliable)的黏著膠帶172置於該治具上，且將陶瓷電容器101黏結並暫時固定於黏著膠帶172的黏著面(請參見第12圖)。另外，一長方形框架175附著到黏著膠帶172，且每個陶瓷電容器101配置在該框架175中。此時，每個陶瓷電容器101配置成平行於黏著膠帶172的黏著面，並彼此相隔配置。
在後續的樹脂覆蓋層形成步驟中，將做為一未硬化樹脂覆蓋層151之環氧樹脂膜173(厚度為400微米)積層在位於治具中的每個陶瓷電容器101上(請參見第13圖及第14圖)。此時，環氧樹脂膜173的一部分填入相鄰配置的陶瓷電容器101之電容器側面106之間的一間隙，及電容器側面106與框架175之內壁面之間的一間隙。然後，環氧樹脂膜173即受到熱處理(固化程序)，並允許其硬化。此時，硬化的樹脂覆蓋層151(樹脂材料)的一部分置於突出導體51之間。藉此形成的物品為配線板174用之內嵌電容器集合體，其中在稍後做為包括樹脂覆蓋層151之陶瓷電容器101之複數個區域，在平面方向上垂直與水平配置。接著，由一習用已知的刀片裝置沿著配線板174用之內嵌電容器集合體的上表面及後側表面上之一產品範圍的輪廓(請參 見第14圖之虛線)形成刻痕線(score line)。另外，配線板174用的內嵌電容器集合體係沿著該刻痕線區分成一個別的單一片段。此時，陶瓷電容器101被切割，致使每個電容器側面106具有500微米厚的樹脂覆蓋層151。因此，同時生產出具有所有皆覆蓋樹脂覆蓋層151的電容器主表面102、電容器後側表面103及電容器側面106的複數個陶瓷電容器101。然後，將黏著膠帶172被剝除。
在後續容納步驟中，使用一安裝裝置(由Yamaha電機公司製造)，以將電容器後側表面103與核心後側表面13面向同一側的方式而將陶瓷電容器101容納於容納孔90中(請參見第15圖)。在此狀態下，將每個突出導體51之上方部分52之表面相對於核心後側表面側導體層62之表面為向上配置。容納孔90之核心主表面12側開口由一可片狀剝落的黏著膠帶171所密封。黏著膠帶171由一支撐台(未示出)所支撐。將陶瓷電容器101黏結並暫時固定於黏著膠帶171的黏著面。因為陶瓷電容器101比核心板11要薄，在核心後側表面13與電容器後側表面103之間存在有高度差異。
在後續樹脂層形成步驟中，將做為一未硬化樹脂層92之樹脂片176(厚度為200微米)積層在核心後側表面13與電容器後側表面103上(請參見第16圖及第17圖)。此外，樹脂層92(樹脂片176)的一部分填入在容納孔90之內壁面91與覆蓋電容器側面106之樹脂覆蓋層151的表面之間的一間隙。在後續的固定步驟中，樹脂層92(樹脂片176)接收 熱處理(固化程序或類似者)，並允許被硬化，致使陶瓷電容器101固定於核心板11。
在後續高度對準步驟中，每個突出導體51之上方部分52的表面與核心後側表面側導體層62之表面被對準於相同高度(請參見第18圖)。更特定而言，使用一皮帶砂磨裝置，由研磨相對於核心後側表面側導體層62之表面為朝上放置的上方部分52之表面來將每個突出導體51變得較低，樹脂層92與覆蓋電容器後側表面103之樹脂覆蓋層151亦予以研磨。另外，核心後側表面側導體層62之表面，由研磨樹脂層92所暴露，其亦予以研磨。因此，上方部分52的一部分與核心後側表面側導體層62之一部分被機械式移除，而每個突出導體51之厚度設定為100微米，而核心後側表面側導體層62之厚度設定為65微米。附著於該皮帶砂輪裝置之砂紙的研磨表面之算術平均粗度Ra等於核心後側表面側導體層62之研磨表面與上方部分52的研磨表面之算術平均粗度Ra，更特定而言，其設定為0.8微米。另外，利用皮帶砂輪裝置的研磨時間設定為30秒。此時，黏著膠帶171成為片狀剝落。因為電極111、112之表面與核心主表面側導體層61之表面接觸到黏著膠帶171，它們具有相同的高度而不需要研磨。
接著，當形成主表面側建構層31在核心主表面12上時，由一習用已知方法將後側表面側建構層32形成在核心後側表面13上。更特定而言，一感光性環氧樹脂被覆在核心主表面12與電容器主表面102上，並實施曝光及顯影， 藉以形成最下方主表面側樹脂絕緣層33(請參見第19圖)。或者，可使用一絕緣樹脂或液晶聚合物(LCP,“Liquid crystal polymer”)取代感光性環氧樹脂。
接著，進行後側表面側層間絕緣層形成步驟。一感光性環氧樹脂被覆在核心後側表面13及電容器後側表面103上，並執行曝光及顯影，藉此形成樹脂絕緣層34(請參照第19圖)。或者，可使用一絕緣樹脂或液晶聚合物取代感光性環氧樹脂。再者，介層孔181、182形成在預定的位置，其中介層導體47藉由使用YAG雷射或二氧化碳雷射的雷射鑽孔所形成(請參照第20圖)。更特定而言，可形成穿透核心主表面側樹脂絕緣層33之介層孔181，藉以暴露主表面側電源供應電極111及主表面側接地電極112。同時，形成穿透後側表面側樹脂絕緣層34之介層孔182，藉以暴露形成在後側表面側電源供應電極121上突出導體51之上方部分52的表面，及形成在後側表面側接地電極122上突出導體51之上方部分52的表面(介層孔形成步驟)。
再者，使用一鑽孔機執行一鑽孔步驟，以事先形成穿透核心板11與樹脂絕緣層33、34之通孔191(請參見第20圖)。在施加無電鍍銅於樹脂絕緣層33、34的表面，介層孔181、182之內側表面，及通孔191之內側表面之後，形成蝕刻阻劑，然後執行電解鍍銅。蝕刻阻劑被移除，並實施軟蝕刻。因此，當主表面側導體層41形成在主表面側樹脂絕緣層33時，後側表面側導體層42形成在後側表面側樹脂絕緣層34(請參見第21圖)。同時，通孔導體16形成 在通孔191中，介層導體47形成在每個介層孔181、182之內部(介層導體形成步驟)。接著，一絕緣樹脂材料(環氧樹脂)填入到通孔導體16中，以形成一栓塞體17(請參見第22圖)。
接著，該感光性環氧樹脂積層在樹脂絕緣層33、34上，並執行曝光及顯影，以在要形成介層導體43的預定位置處形成具有介層孔183、184之樹脂絕緣層35、36(請參見第22圖)。或者，可使用一絕緣樹脂或液晶聚合物取代感光性環氧樹脂。在此例中，介層孔183、184係由一雷射處理機形成在要形成介層導體43之預定位置處。然後，根據一習用已知方法施加該電解鍍銅來在介層孔183、184之內部形成介層導體43，以及形成終端墊44在核心主表面側樹脂絕緣層35，且BGA墊48形成在後側表面側樹脂絕緣層36上。
然後，感光性環氧樹脂被覆在樹脂絕緣層35、36上，並允許硬化，藉此形成焊料阻劑37、38。接著，當配置一預定遮罩在焊料阻劑37、38上時進行曝光及顯影，藉此在其上圖案印刷開口部分40、46。再者，焊料凸塊45分別形成在終端墊44上，且焊料凸塊49形成在BGA墊48上。應注意到在此狀態下的物件為用於生產複數個配線板10之配線板，且其中稍後做為配線板10之複數個產品區域係沿著平面方向垂直及水平配置。另外，用於生產複數配線板10之配線板係區分成單一片段，藉此同時生產複數個配線板10。
因此，根據此具體實施例，有可能達到以下的優點。
(1)根據此具體實施例之配線板10的製造方法，因為複數個突出導體51之上方部分52的表面及形成在核心後側表面13上之核心後側表面側導體層62之表面在高度對準步驟中對準到相同高度，其可減少後側表面側樹脂絕緣層34之厚度變化。因此，即使在介層孔形成步驟中形成穿透後側表面側樹脂絕緣層34之複數個介層孔182，以及即使在介層導體形成步驟中於每個介層孔182中形成介層導體47，介層孔182之深度變化很小。因此，當執行雷射鑽孔步驟到後側表面側樹脂絕緣層34時，雷射輸出量可均勻地調整，藉此簡易及可靠地形成每個介層孔182。另外，介層導體47可以可靠地形成在每個介層孔182中。因此，因為突出導體51與介層導體47之間的電氣連接可以可靠地提供，其有可能防止發生缺陷產品，藉此有助於具有良好可靠性之配線板10。
(2)在根據該具體實施例的高度對準步驟中。上方部分52的表面被研磨，其狀態為覆蓋電容器後側表面103之樹脂覆蓋層151置於每個突出導體51之間。因此，因為每個突出導體51由樹脂覆蓋層151所固定，即使當在高度對準步驟中在突出導體51上施加一大的應力，亦可防止突出導體51的損傷。另外，藉由放置樹脂覆蓋層151在突出導體51之間，突出導體51之間的凹陷部分被填滿而達到平坦。因此，當研磨上方部分52之表面或樹脂覆蓋層151時，突出導體51之間不可能殘留任何研磨粉末。
(3)在此具體實施例中，藉由形成樹脂層92，核心板11之核心後側表面13可成為平坦，且當後側表面側建構層32形成在核心後側表面13上時形成在後側表面側建構層32之表面上的連接終端部分50(即BGA墊48)之高度可成為均勻。因此，配線板10可以可靠地安裝在一主機板上，藉此改善配線板10之可靠性。
(4)在根據本具體實施例之高度對準步驟中，突出導體51之上方部分52與核心後側表面側導體層62都被移除。因此，不僅平坦化上方部分52之表面，亦可平坦化自樹脂層92暴露的核心後側表面側導體層62之表面。因此，形成在突出導體51上的後側表面側樹脂絕緣層34或核心後側表面側導體層62的厚度變化很小。因此，當複數個介層孔182形成在後側表面側樹脂絕緣層34當中時，介層孔182之深度變化小，藉此介層導體47可以更可靠地形成在每個介層孔182中，且可以更可靠地提供突出導體51與介層導體47之間的電氣連接。因此，可以生產具有進一步良好可靠性的配線板10。
(5)在此具體實施例中，陶瓷電容器101係配置在安裝於IC晶片安裝區域23上的IC晶片21之正下方，連接陶瓷電容器101到IC晶片21之配線距離變短，藉此達到電感元件之減少。因此，由陶瓷電容器101所造成的IC晶片21之切換雜訊可降低，並可穩定化該電源供應電壓。再者，侵入IC晶片21與陶瓷電容器101之間的雜訊可以實質地降低。因此，不可能發生任何缺陷，例如故障，並可達 到配線板10之高可靠性。
(6)另外在此具體實施例中，IC晶片安裝區域23配置在陶瓷電容器101正上方的區域。安裝在IC晶片安裝區域23上的IC晶片21由具有高剛性及小的熱膨脹係數之陶瓷電容器101所支撐。因為第一建構層31於IC晶片安裝區域23中不可能變形，陶瓷電容器101可穩固地支撐安裝在IC晶片安裝區域23上的IC晶片21。因此，可以防止由於施加於其上之大的熱應力而造成IC晶片21之任何破裂或連接失效。因此，尺寸超過10mm x 10mm之大型IC晶片，及具有低k(低介電常數)的易碎IC晶片可以被用做為IC晶片21。大型IC晶片有可能由於與配線板之熱膨脹差異而變形，並可能施予熱應力到配線板上。另外，大型IC晶片在使用時會產生大的卡路里功率，藉此造成配線板上的熱衝擊。
該具體實施例可修正如下。
根據上述具體實施例的突出導體51為由銅電鍍製成的導體(銅柱)。但是，其可為例如由印刷一銅糊形成的導體。
根據上述具體實施例，突出導體51係配置於形成在陶瓷燒結體104之電容器後側表面103上的電極121、122之上。但是，突出導體51可置於形成在電容器主表面102上的電極111、112之上。依此方式，突出導體51不僅可穩固地連接電極121、122到形成在後側表面側樹脂絕緣層34中的介層導體47，亦可連接電極111、112到形成在主表面 側樹脂絕緣層33中的介層導體47。因此，可生產具有進一步良好可靠度之配線板10。但是，由於配線板10的製造成本可以降低，突出導體51較佳地是僅形成在電極121、122上，而非形成在電極111、112上，其與核心主表面側導體層61具有相同高度。
在上述的具體實施例中，當進行用於在陶瓷電容器101上形成樹脂覆蓋層151的樹脂覆蓋層形成步驟時，即可進行用於在核心後側表面13與電容器後側表面103上形成樹脂層92的樹脂層形成步驟。但是，該樹脂覆蓋層形成步驟或該樹脂層形成步驟可以省略。當省略該樹脂覆蓋層形成步驟時，上方部分52的表面於高度對準步驟中被研磨，其狀態為硬化的樹脂層92被配置於突出導體51之間。另一方面，當省略該樹脂層形成步驟時，覆蓋電容器側面106之樹脂覆蓋層151較佳地是形成比前述案例厚(如900微米左右)。
在上述具體實施例中，個別自主表面側建構層31形成之樹脂層92的一部分填入容納孔90之內壁面91與覆蓋電容器側面106之樹脂覆蓋層151之表面之間的間隙。但是，構成後側表面側建構層32之後側表面側樹脂絕緣層34之一部分可填入容納孔90之內壁面91與覆蓋電容器側面106之樹脂覆蓋層151之表面之間的間隙。依此方式，因為不需要樹脂層形成步驟，可以減少製造配線板10之人力，藉此有助於配線板10之製造的簡易化及低成本。
在上述具體實施例中，當IC晶片21被安裝在形成於 主表面側建構層31之表面39中的IC晶片安裝區域23時，可連接到一主機板及焊料凸塊49之BGA墊48被形成在後側表面側建構層32之表面上。但是，例如當IC晶片21可被安裝在形成於後側表面側建構層32之表面中的IC晶片安裝區域23上時，可連接到一主機板與焊料凸塊49之BGA墊48可被形成於主表面側建構層31之表面39上。在此例中，當比較位在IC晶片安裝側的電極121、122與位在主機板連接側之電極111、112時，前者的厚度實質上要比後者多出突出電極51之厚度。因此，要電氣連接至IC晶片21之陶瓷電容器101之導體部分可具有低電阻。IC晶片21亦可同時安裝在主表面側建構層31之表面39與後側表面側建構層32之表面上。
在閱讀及瞭解本說明書之後可以進行其他的修正與變化。所有這些修正與變化皆應包含於此，因為其皆落在本發明申請專利範圍或其同等者之範疇內。
10‧‧‧具有內嵌元件之配線板(配線板)
11‧‧‧核心板
12‧‧‧核心主表面
13‧‧‧核心後側表面
21‧‧‧做為積體電路元件之IC晶片
23‧‧‧IC晶片安裝區域，做為積體電路元件安裝區域
31‧‧‧主表面側建構層，做為積層配線部之主表面側
32‧‧‧後側表面側建構層，做為積層配線部之後側表面側
33‧‧‧主表面側樹脂絕緣層，做為主表面側層間絕緣層
34‧‧‧後側表面側樹脂絕緣層，做為後側表面側層間絕緣層
35‧‧‧主表面側樹脂絕緣層，做為主表面側層間絕緣層
36‧‧‧後側表面側樹脂絕緣層，做為後側表面側層間絕緣層
39‧‧‧積層配線部之主表面側之表面
41‧‧‧主表面側導體層
42‧‧‧後側表面側導體層
47‧‧‧介層導體
50‧‧‧連接終端部
51‧‧‧突出導體
52‧‧‧上方部分
61‧‧‧核心主表面側導體層
62‧‧‧核心後側表面側導體層，做為形成在一核心後側表面上的導體層
90‧‧‧容納孔
91‧‧‧內壁面
92‧‧‧樹脂層
101‧‧‧陶瓷電容器，做為一元件
102‧‧‧電容器主表面，做為一元件主表面
103‧‧‧電容器後側表面，做為一元件後側表面
104‧‧‧陶瓷燒結體，做為一元件主體
106‧‧‧電容器側面，做為一元件側面
121‧‧‧後側表面側電源供應電極，做為一表面電極
122‧‧‧後側表面側接地電極，做為一表面電極
151‧‧‧樹脂覆蓋層，做為一樹脂材料
182‧‧‧介層孔
第1圖為根據本發明一具體實施例的一配線板之示意截面圖。
第2圖為一陶瓷電容器之示意截面圖。
第3圖為解釋陶瓷電容器之內層中一連接的示意圖。
第4圖為解釋陶瓷電容器之內層中一連接的示意圖。
第5圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第6圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第7圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第8圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第9圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第10圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第11圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第12圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第13圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第14圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第15圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第16圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第17圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第18圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第19圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第20圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第21圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第22圖為一配線板之製造方法的示意圖。
第23圖為根據一先前技術方法之一配線板之製造方法的示意圖。
第24圖為根據一先前技術方法之一配線板之製造方法的示意圖。
第25圖為根據一先前技術方法之一配線板之製造方法的示意圖。
11‧‧‧核心板
12‧‧‧核心主表面
13‧‧‧核心後側表面
51‧‧‧突出導體
61‧‧‧核心主表面側導體層
62‧‧‧核心後側表面側導體層，做為形成在一核心後側表面上的導體層
90‧‧‧容納孔
91‧‧‧內壁面
92‧‧‧樹脂層
101‧‧‧陶瓷電容器，做為一元件
102‧‧‧電容器主表面，做為一元件主表面
103‧‧‧電容器後側表面，做為一元件後側表面
106‧‧‧電容器側面，做為一元件側面
111‧‧‧主表面側電源供應電極
112‧‧‧主表面側研磨電極
121‧‧‧後側表面側電源供應電極，做為一表面電極
122‧‧‧後側表面側接地電極，做為一表面電極
151‧‧‧樹脂覆蓋層，做為一樹脂材料
161‧‧‧基板
163‧‧‧導體層
164‧‧‧次基板
171‧‧‧片狀膠帶

Claims (15)

  1. 一種具內嵌元件之配線板的製造方法，包括以下步驟：一核心板預備步驟，用於預備一核心板，其中包括一核心主表面、一核心後側表面及一容納孔，其至少在該核心後側表面處為開放；一元件預備步驟，用於預備一元件，其包含具有一元件主表面、一元件後側表面及一元件側表面之一元件主體，以及以一突出方式形成在該元件後側表面上的複數個突出導體；一容納步驟，用於在該核心板預備步驟與該元件預備步驟之後，將該核心後側表面與該元件後側表面面向同一側，容納該元件在該容納孔中；及一高度對準步驟，用於在該容納步驟之後，將該複數個突出導體之上方部分的表面與形成在該核心後側表面上之導體層的表面對準到相同高度；其中在該高度對準步驟中，至少將該上方部分的表面或該導體層的表面予以研磨。
  2. 如申請專利範圍第1項之具內嵌元件之配線板的製造方法，其中在該高度對準步驟中，在將硬化樹脂材料放置在該複數個突出導體之間的狀態，將該上方部分的表面予以研磨。
  3. 如申請專利範圍第2項之具內嵌元件之配線板的製造方法， 其中在該容納步驟之後與該高度對準步驟之前，一樹脂層形成步驟用於在該核心後側表面與該元件後側表面上形成一樹脂層，並利用該樹脂層的一部分填入該容納孔之內壁表面與該元件側表面之間的一縫隙，其中在該樹脂層形成步驟之後進行藉由硬化該樹脂層而固定該元件之固定步驟，其中在該高度對準步驟中，將該樹脂層與該上方部分的表面同時予以研磨。
  4. 如申請專利範圍第2項之具內嵌元件之配線板的製造方法，其中樹脂覆蓋層形成步驟，用於形成一樹脂覆蓋層，其至少覆蓋在該元件主表面、該元件後側表面與該元件側表面當中的元件後側表面，該樹脂覆蓋層形成步驟係包括在該元件預備步驟中，其中在該高度對準步驟中，將該上方部分的表面與覆蓋該元件後側表面的樹脂覆蓋層同時予以研磨。
  5. 如申請專利範圍第1項之具內嵌元件之配線板的製造方法，其中將該元件形成為比該核心板薄，且該複數個突出導體之形成厚度的程度使得其在當該元件容納在該容納孔中時即由該核心後側表面突出，其中在該高度對準步驟中，將該複數個突出導體予以降低，藉以將上方部分的表面與該導體層之表面對準到相同高度。
  6. 如申請專利範圍第1項之具內嵌元件之配線板的製造方法，其中在該高度對準步驟之後，進行：一後側表面側層間絕緣層形成步驟，其中一後側表面側層間絕緣層係形成在該核心後側表面與該元件後側表面上；一介層孔形成步驟，其中穿過該後側表面側層間絕緣層之一介層孔由一雷射鑽孔程序形成，藉以暴露該上方部分之表面；及一介層導體形成步驟，其中一介層導體形成在該介層孔內側。
  7. 如申請專利範圍第1項之具內嵌元件之配線板的製造方法，其中該複數個突出導體以一突出方式形成在複數個表面電極上，其中該複數個突出導體之厚度大於該複數個表面電極之厚度。
  8. 如申請專利範圍第1項之具內嵌元件之配線板的製造方法，其中該複數個突出導體以一突出方式在設於該元件後側表面之該複數個表面電極上形成，其中該複數個突出導體之直徑等於該複數個表面電極之直徑。
  9. 如申請專利範圍第1項之具內嵌元件之配線板的製造方 法，其中該複數個突出導體由電鍍(plating)形成。
  10. 如申請專利範圍第1項之具內嵌元件之配線板的製造方法，其中該元件預備步驟係用於預備一元件，其包含：一元件主體，其包括一元件主表面、一元件後側表面及一元件側表面；複數個表面電極，其配置在該元件後側表面上；及複數個突出導體，其每一個以一突出方式形成在該複數個表面電極上。
  11. 如申請專利範圍第1項之具內嵌元件之配線板的製造方法，其中一元件預備步驟係用於預備一介層陣列式電容器，其包含：一電容器主體，其包括一電容器主表面、一電容器後側表面及一電容器側表面，及具有一積層結構，其中藉由在其間夾有一介電層而將複數個內電極層予以積層；複數個電容器介層導體，其連接至該複數個內電極層；複數個表面電極，每一個在該電容器後側表面側處連接至該複數個電容器介層導體的至少一末端部分；及複數個突出導體，其每一個以一突出方式形成在該複數個表面電極上，其中該複數個電容器介層導體係整體以一陣列形 狀形成。
  12. 一種具內嵌元件之配線板，包含：一核心板，其中包括一核心主表面、一核心後側表面、及一容納孔，其至少在該核心後側表面處開放，其中一核心主表面側導體層係形成在該核心主表面上，且一核心後側表面側導體層係形成在該核心後側表面上；一元件，其包含：一元件主體，包括一元件主表面、一元件後側表面及一元件側表面；及複數個突出導體，其以一突出方式在該元件後側表面上形成，其中該元件係將該核心後側表面與該元件後側表面面向同一側而容納在該容納孔中；一主表面側積層配線部，其具有一積層結構，其中一主表面側層間絕緣層與一主表面側導體層係積層在該核心主表面上，並提供一積體電路元件安裝區域，用於安裝一積體電路元件在其一表面上；及一後側表面側積層配線部，其具有一積層結構，其中一後側表面側層間絕緣層與一後側表面側導體層係積層在該核心後側表面上，並提供可連接至主機板之連接終端部在其一表面上，其中該核心後側表面側導體層的一表面與該複數個突出導體之一上方部分的一表面係對準在相同平面上，其中該核心後側表面側導體層之表面與該上方部分之表面的一算術平均粗度係比該核心主表面側導體層之一表面的算術平均粗度要粗，及 其中該核心後側表面側導體層比該核心主表面側導體層要薄。
  13. 如申請專利範圍第12項之具內嵌元件之配線板，其中位在最靠近該核心後側表面之後側表面側層間絕緣層之厚度變化為5微米或更低，並在其中包括一介層導體。
  14. 一種具內嵌元件之配線板，包含：一核心板，包括一核心主表面、一核心後側表面、及一容納孔，其至少在該核心後側表面處開放，其中一核心主表面側導體層係形成在該核心主表面上，而一核心後側表面側導體層係形成在該核心後側表面上；一元件，其包含：一元件主體，包括一元件主表面、一元件後側表面及一元件側表面；及複數個突出導體，其以一突出方式形成在該元件後側表面上，其中該元件係將該核心後側表面與該元件後側表面面向同一側以容納在該容納孔中；一後側表面側積層配線部，具有一積層結構，其中一後側表面側層間絕緣層及一後側表面側導體層係積層在該核心後側表面上，並提供一積體電路元件安裝區域，用於安裝一積體電路元件在其一表面上；及一主表面側積層配線部，其具有一積層結構，其中一主表面側層間絕緣層與一主表面側導體層係積層在該核心主表面上，並提供可連接至主機板之連接終端部在其一表面上， 其中該核心後側表面側導體層的一表面與該複數個突出導體之一上方部分的一表面係對準在相同平面上，其中該核心後側表面側導體層之表面與該上方部分之表面的一算術平均粗度係比該核心主表面側導體層之一表面的算術平均粗度要粗，及其中該核心後側表面側導體層比該核心主表面側導體層要薄。
  15. 如申請專利範圍第14項之具內嵌元件之配線板，其中位在最靠近該核心後側表面之後側表面側層間絕緣層之厚度變化為5微米或更低，並在其中包括一介層導體。
TW097116416A 2007-05-07 2008-05-05 具內嵌元件之配線板及其製造方法 TWI423745B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007122034 2007-05-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200908827A TW200908827A (en) 2009-02-16
TWI423745B true TWI423745B (zh) 2014-01-11

Family

ID=39968499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097116416A TWI423745B (zh) 2007-05-07 2008-05-05 具內嵌元件之配線板及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7936567B2 (zh)
JP (1) JP5129645B2 (zh)
KR (1) KR101463995B1 (zh)
CN (1) CN101303981B (zh)
TW (1) TWI423745B (zh)

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI316381B (en) * 2007-01-24 2009-10-21 Phoenix Prec Technology Corp Circuit board and fabrication method thereof
KR100969412B1 (ko) * 2008-03-18 2010-07-14 삼성전기주식회사 다층 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US20090296310A1 (en) * 2008-06-03 2009-12-03 Azuma Chikara Chip capacitor precursors, packaged semiconductors, and assembly method for converting the precursors to capacitors
TWI443789B (zh) * 2008-07-04 2014-07-01 Unimicron Technology Corp 嵌埋有半導體晶片之電路板及其製法
US8114708B2 (en) * 2008-09-30 2012-02-14 General Electric Company System and method for pre-patterned embedded chip build-up
JP2010114434A (ja) * 2008-10-08 2010-05-20 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板及びその製造方法
KR20100065689A (ko) * 2008-12-08 2010-06-17 삼성전기주식회사 금속범프를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2010171413A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板の製造方法
JP5306797B2 (ja) * 2008-12-26 2013-10-02 日本特殊陶業株式会社 部品内蔵配線基板の製造方法
JP2010171414A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板の製造方法
US8261435B2 (en) * 2008-12-29 2012-09-11 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing the same
US8395054B2 (en) * 2009-03-12 2013-03-12 Ibiden Co., Ltd. Substrate for mounting semiconductor element and method for manufacturing substrate for mounting semiconductor element
WO2010106839A1 (ja) * 2009-03-19 2010-09-23 株式会社村田製作所 回路基板及びマザー積層体
US8829355B2 (en) * 2009-03-27 2014-09-09 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board
US8299366B2 (en) * 2009-05-29 2012-10-30 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
KR101038482B1 (ko) * 2009-07-08 2011-06-02 삼성전기주식회사 전자소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
TWI418272B (zh) * 2009-08-25 2013-12-01 Samsung Electro Mech 處理核心基板之空腔的方法
JP2011077075A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Oki Electric Industry Co Ltd 発熱性電子素子内蔵のモジュール基板及びその製造方法
KR101384082B1 (ko) * 2009-12-15 2014-04-09 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 캐패시터 내장 배선기판 및 부품 내장 배선기판
JPWO2011089936A1 (ja) * 2010-01-22 2013-05-23 日本電気株式会社 機能素子内蔵基板及び配線基板
KR101136395B1 (ko) * 2010-05-28 2012-04-18 엘지이노텍 주식회사 매립형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
DE102010039417A1 (de) * 2010-08-17 2012-02-23 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Umverdrahtungselement für ein Energiespeichermodul und Energiespeichermodul
TWI451549B (zh) * 2010-11-12 2014-09-01 Unimicron Technology Corp 嵌埋半導體元件之封裝結構及其製法
US20120126399A1 (en) 2010-11-22 2012-05-24 Bridge Semiconductor Corporation Thermally enhanced semiconductor assembly with bump/base/flange heat spreader and build-up circuitry
US8343808B2 (en) 2010-11-22 2013-01-01 Bridge Semiconductor Corporation Method of making stackable semiconductor assembly with bump/base/flange heat spreader and build-up circuitry
US8841171B2 (en) 2010-11-22 2014-09-23 Bridge Semiconductor Corporation Method of making stackable semiconductor assembly with bump/flange heat spreader and dual build-up circuitry
JP2012119601A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Nec Corp インターポーザ及び半導体装置
US8844125B2 (en) 2011-01-14 2014-09-30 Harris Corporation Method of making an electronic device having a liquid crystal polymer solder mask and related devices
JP2012164952A (ja) * 2011-01-20 2012-08-30 Ibiden Co Ltd 電子部品内蔵配線板及びその製造方法
KR20130072608A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
CN103219306A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 欣兴电子股份有限公司 嵌埋有电子组件的封装结构及其制法
US9204552B2 (en) * 2012-01-26 2015-12-01 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board
US8556159B2 (en) 2012-02-24 2013-10-15 Freescale Semiconductor, Inc. Embedded electronic component
KR20140016081A (ko) * 2012-07-30 2014-02-07 삼성전기주식회사 전자소자 내장기판 제조방법
TWI483365B (zh) * 2012-09-26 2015-05-01 Ind Tech Res Inst 封裝基板及其製法
JP2015038912A (ja) * 2012-10-25 2015-02-26 イビデン株式会社 電子部品内蔵配線板およびその製造方法
US9113574B2 (en) * 2012-10-25 2015-08-18 Ibiden Co., Ltd. Wiring board with built-in electronic component and method for manufacturing the same
US9653370B2 (en) * 2012-11-30 2017-05-16 Infineon Technologies Austria Ag Systems and methods for embedding devices in printed circuit board structures
KR20140083514A (ko) * 2012-12-26 2014-07-04 삼성전기주식회사 코어기판 및 그 제조방법, 그리고 전자부품 내장기판 및 그 제조방법
KR101497192B1 (ko) * 2012-12-27 2015-02-27 삼성전기주식회사 전자부품 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US8877558B2 (en) 2013-02-07 2014-11-04 Harris Corporation Method for making electronic device with liquid crystal polymer and related devices
JP2014179430A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Ibiden Co Ltd 半導体素子搭載用多層プリント配線板
KR101514518B1 (ko) * 2013-05-24 2015-04-22 삼성전기주식회사 전자부품 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
TWI634826B (zh) * 2013-06-17 2018-09-01 味之素股份有限公司 Manufacturing method of built-in component wiring board, built-in component insulating substrate, built-in component two-layer wiring substrate, and semiconductor device
US9293438B2 (en) 2013-07-03 2016-03-22 Harris Corporation Method for making electronic device with cover layer with openings and related devices
KR20150009826A (ko) * 2013-07-17 2015-01-27 삼성전자주식회사 소자 내장형 패키지 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지
KR101514539B1 (ko) * 2013-08-29 2015-04-22 삼성전기주식회사 전자부품 내장기판
JP2015065400A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 素子内蔵型印刷回路基板及びその製造方法
JP2015095587A (ja) * 2013-11-13 2015-05-18 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板
KR20190058695A (ko) * 2014-02-21 2019-05-29 미쓰이금속광업주식회사 내장 캐패시터층 형성용 동장 적층판, 다층 프린트 배선판 및 다층 프린트 배선판의 제조 방법
JP2015211194A (ja) 2014-04-30 2015-11-24 イビデン株式会社 プリント配線板および半導体パッケージ、ならびにプリント配線板の製造方法
US9699921B2 (en) * 2014-08-01 2017-07-04 Fujikura Ltd. Multi-layer wiring board
JP2016076658A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 イビデン株式会社 電子部品内蔵配線板及びその製造方法
TWI554174B (zh) * 2014-11-04 2016-10-11 上海兆芯集成電路有限公司 線路基板和半導體封裝結構
JP6695066B2 (ja) * 2014-11-27 2020-05-20 ツーハイ アクセス セミコンダクター カンパニー リミテッド フレームがコンデンサと直列に少なくとも１個のビアを備えるようなチップ用のポリマーフレーム
KR102139755B1 (ko) * 2015-01-22 2020-07-31 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US9627311B2 (en) * 2015-01-22 2017-04-18 Mediatek Inc. Chip package, package substrate and manufacturing method thereof
US20170170109A1 (en) * 2015-06-25 2017-06-15 Intel Corporation Integrated circuit structures with interposers having recesses
WO2017119248A1 (ja) * 2016-01-07 2017-07-13 株式会社村田製作所 多層基板、電子機器及び多層基板の製造方法
JP2017123459A (ja) * 2016-01-08 2017-07-13 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． プリント回路基板
JP2017157792A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 イビデン株式会社 電子部品内蔵基板及びその製造方法
KR102565119B1 (ko) * 2016-08-25 2023-08-08 삼성전기주식회사 전자 소자 내장 기판과 그 제조 방법 및 전자 소자 모듈
JP2018146511A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 トヨタ自動車株式会社 膜厚測定方法及び自動車の製造方法
JP2019067858A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 イビデン株式会社 プリント配線板及びその製造方法
KR102683289B1 (ko) * 2018-12-17 2024-07-10 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US10624213B1 (en) * 2018-12-20 2020-04-14 Intel Corporation Asymmetric electronic substrate and method of manufacture
JP7279538B2 (ja) * 2019-06-19 2023-05-23 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 発光装置
CN110213907A (zh) * 2019-07-03 2019-09-06 安捷利电子科技（苏州）有限公司 一种在印刷电路板上进行埋容的工艺以及埋容电路板
US10984957B1 (en) 2019-12-03 2021-04-20 International Business Machines Corporation Printed circuit board embedded capacitor
CN111952201B (zh) * 2020-07-14 2022-02-18 珠海越亚半导体股份有限公司 一种嵌入式封装基板的制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339482A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板及びその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3672169B2 (ja) * 1999-03-05 2005-07-13 日本特殊陶業株式会社 コンデンサ、コア基板本体の製造方法、及び、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法
JP2001077483A (ja) * 1999-07-06 2001-03-23 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板およびその製造方法
US6876554B1 (en) * 1999-09-02 2005-04-05 Ibiden Co., Ltd. Printing wiring board and method of producing the same and capacitor to be contained in printed wiring board
KR101084525B1 (ko) * 1999-09-02 2011-11-18 이비덴 가부시키가이샤 프린트배선판 및 그 제조방법
JP2002043718A (ja) * 2000-05-17 2002-02-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
JP4108270B2 (ja) * 2000-12-15 2008-06-25 イビデン株式会社 多層プリント配線板およびその製造方法
JP2005039243A (ja) * 2003-06-24 2005-02-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 中間基板
TWI414218B (zh) * 2005-02-09 2013-11-01 Ngk Spark Plug Co 配線基板及配線基板內建用之電容器
CN1819174A (zh) * 2005-02-09 2006-08-16 日本特殊陶业株式会社 布线基板及布线基板内置用电容器
JP4585923B2 (ja) 2005-06-15 2010-11-24 日本特殊陶業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP4838068B2 (ja) * 2005-09-01 2011-12-14 日本特殊陶業株式会社 配線基板
JP4546415B2 (ja) * 2005-09-01 2010-09-15 日本特殊陶業株式会社 配線基板、セラミックキャパシタ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339482A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008306173A (ja) 2008-12-18
JP5129645B2 (ja) 2013-01-30
US20080277150A1 (en) 2008-11-13
US7936567B2 (en) 2011-05-03
KR20080099192A (ko) 2008-11-12
TW200908827A (en) 2009-02-16
CN101303981B (zh) 2012-02-01
CN101303981A (zh) 2008-11-12
KR101463995B1 (ko) 2014-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI423745B (zh) 具內嵌元件之配線板及其製造方法
US8546700B2 (en) Capacitor for incorporation in wiring board, wiring board, method of manufacturing wiring board, and ceramic chip for embedment
US7532453B2 (en) Built-in capacitor type wiring board and method for manufacturing the same
TWI429350B (zh) 製造具有內建組件之佈線板的方法
KR101258713B1 (ko) 배선기판의 제조방법
TWI404471B (zh) 製造具有內建組件之佈線板的方法
EP1761117A1 (en) Wiring board with embedded ceramic capacitors
US20080239685A1 (en) Capacitor built-in wiring board
KR20080056016A (ko) 프린트 배선 기판 및 프린트 배선 기판의 제조 방법
JP4954765B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP5179856B2 (ja) 配線基板内蔵用部品及びその製造方法、配線基板
JP5020671B2 (ja) コンデンサ内蔵配線基板
JP5192865B2 (ja) 部品内蔵配線基板の製造方法
JP2010021368A (ja) 部品内蔵配線基板及びその製造方法
JP5306797B2 (ja) 部品内蔵配線基板の製造方法
JP5192864B2 (ja) 部品内蔵配線基板の製造方法
JP2008244029A (ja) 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用部品
JP4814129B2 (ja) 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用部品
JP2010021369A (ja) 部品内蔵配線基板及びその製造方法
JP2009147177A (ja) 配線基板内蔵用コンデンサ及び配線基板
JP4668822B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP2009004458A (ja) コンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法
JP2008244031A (ja) コンデンサ内蔵配線基板
JP2008270776A (ja) 部品内蔵配線基板及びその製造方法、配線基板内蔵用コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees