TWI634826B

TWI634826B - Manufacturing method of built-in component wiring board, built-in component insulating substrate, built-in component two-layer wiring substrate, and semiconductor device

Info

Publication number: TWI634826B
Application number: TW103120549A
Authority: TW
Inventors: 奈良橋弘久; 中村茂雄; 真子玄迅
Original assignee: 味之素股份有限公司
Priority date: 2013-06-17
Filing date: 2014-06-13
Publication date: 2018-09-01
Also published as: CN104244603B; CN104244603A; KR20140146542A; KR102179621B1; TW201511634A

Abstract

本發明的課題在於提供可以抑制基板翹曲，同時可以抑制空孔內之零件的配置變化(偏移)之實現優異的零件配置精度之內藏零件配線基板之製造方法。

本發明之解決手段係提供一種內藏零件配線基板之製造方法，依序包含下列步驟(A)、(B)、(C)及(D)：(A)於具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的內層基板，使包含第1支撐體以及與該第1支撐體接合的第1熱硬化性樹脂組成物層之第1接著膜，以該第1熱硬化性樹脂組成物層與內層基板的第1主面接合的方式進行真空層積的步驟；(B)於空孔內的第1熱硬化性樹脂組成物層暫時固定零件的步驟；(C)於內層基板的第2主面，使包含第2支撐體以及與該第2支撐體接合的第2熱硬化性樹脂組成物層之第2接著膜，以該第2熱硬化性樹脂組成物層與內層基板的第2主面接合的方式，進行真空層積的步驟，且係以第1接著膜表面的加熱溫度比第2接著膜表面的加熱溫度更低的條件進行真空層積的步驟；(D)熱硬化第1及第2熱硬化性樹脂組成物層形成絕緣層的步驟。

Description

內藏零件配線基板之製造方法、內藏零件絕緣基板、內藏零件2層配線基板及半導體裝置

本發明係關於內藏零件的配線基板之製造方法及半導體裝置。

近年來，智慧型手機、平板電腦等小型的高機能電子機器的需求逐漸增大。伴此，市面上需求著使用於這樣的小型的高機能電子機器的印刷配線板之進一步高機能化、小型化。

於印刷配線板，被安裝著裸晶、晶片狀電容、晶片狀電感等零件。從前，這樣的零件僅被安裝於印刷配線板的表面電路，其安裝量受到限制，要對應於近年來的印刷配線板的進一步高機能化、小型化的要求是困難的。

為了對應這樣的問題，做為可以增大零件的搭載量同時可謀求小型化的印刷配線板，被提出了內藏零件的配線基板(專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-216636號公報

內藏零件配線基板，例如可以使用被形成供收容零件之用的空孔的內層基板，依照下列的(i)至(v)的步驟來製造。又，製造內藏零件配線基板時，一般使用電路基板作為內層基板。(i)於被形成空孔的內層基板的單方主面，層積供暫時固定零件之用的暫固定材料。(ii)於透過空孔露出的暫固定材料的黏著面暫時固定零件。(iii)在空孔內被暫時固定零件的內層基板的另一方主面，設熱硬化性樹脂組成物層使其熱硬化而形成絕緣層。(iv)在剝離暫固定材料之後，於露出的內層基板的單方的主面，設熱硬化性樹脂組成物層使其熱硬化而形成絕緣層。其後，(v)設導體層(電路配線)。

要實現電子機器得更為小型化、輕量化，被期待著內藏零件配線基板自身的小型化、薄型化。然而，在要達成內藏零件配線基板自身的小型化、薄型化而使用空孔密度很高的內層基板或者厚度很薄的內層基板的場合，本案發明人發現了在內層基板的單方主面形成絕緣層的階段(前述(iii)之後)，把被設置絕緣層之面作為內周側會有內層基板捲曲(curl)的現象(以下亦稱為「基板翹曲」)的場合。產生基板翹曲的話，會妨礙基板搬送，招致製造效率(生產率)的降低。

此外，內藏的零件的小型化、電路的精細配線化也正在發展，對內層基板的空孔內之零件的配置精度的要求也越來越高。

本案發明人等，針對前述課題進行銳意檢討的結果，發現藉由下述特定的方法製造內藏零件配線基板可以解決前述課題，從而完成本發明。

亦即，本發明包含以下的內容。

[1]一種內藏零件配線基板之製造方法，依序包含下列步驟(A)、(B)、(C)及(D)：(A)於具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的內層基板，使包含第1支撐體以及與該第1支撐體接合的第1熱硬化性樹脂組成物層之第1接著膜，以該第1熱硬化性樹脂組成物層與內層基板的第1主面接合的方式進行真空層積的步驟；(B)於空孔內的第1熱硬化性樹脂組成物層暫時固定零件的步驟；(C)於內層基板的第2主面，使包含第2支撐體以及與該第2支撐體接合的第2熱硬化性樹脂組成物層之第 2接著膜，以該第2熱硬化性樹脂組成物層與內層基板的第2主面接合的方式，進行真空層積的步驟，且係以第1接著膜表面的加熱溫度比第2接著膜表面的加熱溫度更低的條件進行真空層積的步驟；(D)熱硬化第1及第2熱硬化性樹脂組成物層形成絕緣層的步驟。

[2]內層基板為電路基板之[1]所記載的方法(以下亦稱為「第1實施型態之方法」)。

[3]內層基板為絕緣基板之[1]所記載的方法(以下亦稱為「第2實施型態之方法」)。

[4]絕緣基板，為硬化玻璃纖維膠片、玻璃基板或陶瓷基板之[3]所記載的方法。

[5]於步驟(C)，當第1接著膜表面的加熱溫度為T₁(℃)，第2接著膜表面的加熱溫度為T₂(℃)時，T₁與T₂滿足T₂-40≦T₁≦T₂-10之關係之[1]~[4]之任一所記載的方法。

[6]第2熱硬化性樹脂組成物層，比第1熱硬化性樹脂組成物層還要厚之[1]~[5]之任一所記載的方法。

[7]於步驟(A)，真空層積第1接著膜之前的內層基板的空孔高度h_A，與真空層積第1接著膜之後的內層基板的空孔之非樹脂填充區域的高度h_B，滿足0.8h_A≦h_B≦h_A之關係之[1]~[6]之任一所記載的方法。

[8]於步驟(C)，第1熱硬化性樹脂組成物層的熔融黏度為2000泊(poise)以上之[1]~[7]之任一所記載的方法。

[9]於步驟(C)及步驟(D)之間，包含藉由加熱壓製而平滑化第1接著膜側及第2接著膜側之雙面的步驟之[1]~[8]之任一所記載的方法。

[10]步驟(D)，在第1及第2支撐體黏附的狀態進行熱硬化之[1]~[9]之任一所記載的方法。

[11]電路基板的厚度為50~350μm之[2]、[5]~[10]之任一所記載的方法。

[12]絕緣基板的厚度為30~350μm之[3]~[10]之任一所記載的方法。

[13]空孔間的間距為1~10mm之[1]~[12]之任一所記載的方法。

[14]第1熱硬化性樹脂組成物層中的無機填充材含量為50質量%以上之[1]~[13]之任一所記載的方法。

[15]在步驟(B)得到的基板的翹曲為25mm以下之[1]~[14]之任一所記載的方法。

[16]進而包含(E)開孔的步驟之[1]~[15]之任一所記載的方法。

[17]進而包含(F)在絕緣層上形成導體層的步驟之[1]~[16]之任一所記載的方法。

[18]步驟(F)，包含粗化處理絕緣層，及在被粗化的絕緣層上藉由鍍層形成導體層之[17]所記載的方法。

[19]一種內藏零件絕緣基板，係包含：具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的絕緣基板、與絕緣基板的第1主面接合的第1絕緣層、與絕緣基板的第2主面接合的第2絕緣層、以收容於絕緣基板的空孔內部的方式，設於第1絕緣層上的零件；第2絕緣層，以埋入零件的方式填充絕緣基板的空孔。

[20]一種內藏零件2層配線基板，其係包含：第1及第2導體層、與第1及第2導體層接合而設於該第1及第2導體層間的[19]記載之內藏零件絕緣基板、以及導電連接第1及第2導電層的層間連接體。

[21]第1及第2導體層係藉由鍍層形成的[20]所記載之內藏零件2層配線基板。

[22]包含以記載於[1]~[18]之任一的方法所製造的內藏零件配線基板之半導體裝置。

根據本發明的話，可以提供可抑制基板翹曲，同時可以抑制空孔內之零件的配置變化(偏移)之實現優異的零件配置精度之內藏零件配線基板之製造方法。

11‧‧‧電路基板

11’‧‧‧被形成空孔的電路基板

12‧‧‧基板

12a‧‧‧空孔

13‧‧‧電路配線

15‧‧‧零件

21‧‧‧絕緣基板

21’‧‧‧被形成空孔的絕緣基板

21a‧‧‧空孔

23‧‧‧電路配線

25‧‧‧零件

30‧‧‧垂直面

31‧‧‧固定具

50‧‧‧基板c1、c2

100‧‧‧第1接著膜

101‧‧‧第1支撐體

102‧‧‧第1熱硬化性樹脂組成物層

102’‧‧‧第1絕緣層

200‧‧‧第2接著膜

201‧‧‧第2支撐體

202‧‧‧第2熱硬化性樹脂組成物層

202’‧‧‧第2絕緣層

1000‧‧‧內藏零件電路板

2000‧‧‧內藏零件基板

圖1A係顯示準備在本發明的第1實施型態的方法所使用的被形成空孔的電路基板之一步驟之模式圖(1)。

圖1B係顯示準備在本發明的第1實施型態的方法所使用的被形成空孔的電路基板之一步驟之模式圖(2)。

圖2A係顯示準備在本發明的第2實施型態的方法所使用的被形成空孔的絕緣基板之一步驟之模式圖(1)。

圖2B係顯示準備在本發明的第2實施型態的方法所使用的被形成空孔的絕緣基板之一步驟之模式圖(2)。

圖3係顯示在本發明的內藏零件配線基板的製造方法所使用的第1接著膜之一態樣之模式圖。

圖4A係供說明本發明的第1實施型態的方法之模式圖(1)。

圖4B係供說明本發明的第1實施型態的方法之模式圖(2)。

圖4C係供說明本發明的第1實施型態的方法之模式圖(3)。

圖4D係供說明本發明的第1實施型態的方法之模式圖(4)。

圖4E係供說明本發明的第1實施型態的方法之模式圖(5)。

圖4F係供說明本發明的第1實施型態的方法之模式圖(6)。

圖4G係供說明本發明的第1實施型態的方法之模式圖(7)。

圖5A係供說明本發明的第2實施型態的方法之模式圖(1)。

圖5B係供說明本發明的第2實施型態的方法之模式圖(2)。

圖5C係供說明本發明的第2實施型態的方法之模式圖(3)。

圖5D係供說明本發明的第2實施型態的方法之模式圖(4)。

圖5E係供說明本發明的第2實施型態的方法之模式圖(5)。

圖5F係供說明本發明的第2實施型態的方法之模式圖(6)。

圖5G係供說明本發明的第2實施型態的方法之模式圖(7)。

圖6係供說明基板翹曲的評估方法之用的模式圖。

[內藏零件配線基板之製造方法]

本發明之內藏零件配線基板之製造方法，依序包含下列步驟(A)、(B)、(C)及(D)。

(A)於具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的內層基板，使包含第1支撐體以及與該第1支撐體接合的第1熱硬化性樹脂組成物層之第1接著膜，以該第1熱硬化性樹脂組成物層與內層基板的第1主面接合的方式進行真空層積的步驟；(B)於空孔內的第1熱硬化性樹脂組成物層暫時固定零件的步驟；(C)於內層基板的第2主面，使包含第2支撐體以及與該第2支撐體接合的第2熱硬化性樹脂組成物層之第2接著膜，以該第2熱硬化性樹脂組成物層與內層基板的第2主面接合的方式，進行真空層積的步驟，且係以第1接著膜表面的加熱溫度比第2接著膜表面的加熱溫度更低的條件進行真空層積的步驟；(D)熱硬化第1及第2熱硬化性樹脂組成物層形成絕緣層的步驟。

又，於本發明，針對步驟(A)至(D)之所謂的「依序包含」，是指包含步驟(A)至(D)之各步驟，而且步驟(A)至(D)之各步驟依此順序實施即可，並不限制是否包含其他的步驟。

以下，關於針對步驟或者處理之「依序包含」也是相同的。

製造內藏零件配線基板時，作為內層基板，一般使用電路基板。亦即，於本發明的第1實施型態之方法，內層基板為電路基板(針對「電路基板」將於稍後詳述)。以下，亦把以第1實施型態的方法得到的內藏零件配線基板稱為「內藏零件電路板」。

本發明另外亦可適用於使用絕緣基板作為內層基板的實施型態。亦即，於本發明的第2實施型態之方法，內層基板為絕緣基板(針對「絕緣基板」將於稍後詳述)。以下，亦把以第2實施型態的方法得到的內藏零件配線基板稱為「內藏零件基板」。

在針對本發明的第1實施型態及第2實施型態之方法進行詳細說明之前，先說明在本發明的方法使用的「被形成空孔的電路基板」、「被形成空孔的絕緣基板」以及「接著膜」。

<被形成空孔的電路基板>

在本發明的第1實施型態的方法使用的被形成空孔的電路基板，係具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的電路基板。

被形成空孔的電路基板，在製造內藏零件配線基板時只要依照從前公知的任意的步驟來準備即可。以下，參照圖1A及圖1B，說明準備被形成空孔的電路基板的步驟之一例。

首先，準備電路基板(圖1A)。於本發明，所謂「電路基板」是指具有對向的第1及第2主面，於該第1及第2主面之單方或雙方具有被圖案加工的電路配線之板狀的基板。於圖1A，模式顯示電路基板11的端面，電路基板11，包含基板12、通孔配線、表面配線等電路配線13。於以下的說明，為了方便，所謂的電路基板的第1主面表示圖示的電路基板的下側主面，所謂的電路基板的第2主面表示圖示的電路基板的上側主面。

作為使用於電路基板11的基板12，例如可以舉出玻璃聚酯基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯醚基板等，以玻璃聚酯基板為較佳。此外，製造印刷配線板時，進而連應該被形成絕緣層及/或導體層的中間製造物的內層電路基板也包含於本發明所稱之「電路基板」。

電路基板11的基板12的厚度，由內藏零件電路板的薄型化的觀點來看，以越薄越好，較佳為未滿400μm，更佳為350μm以下，進而更佳為300μm以下，進而又更佳者為250μm以下，特佳者為200μm以下、180μm以下、170μm以下、160μm以下或者150μm以下。根據本發明的方法，即使是使用具備如此薄的基板的電路基板的場合，也可以抑制基板翹曲的發生。基板12的厚度的下限雖沒有特別限制，但是從提高搬送時的處理性的觀點來看，較佳為20μm以上、更佳為40μm以上、50μm以上、60μm以上、70μm以上、或者80μm以上。

基板12的熱膨脹係數，由抑制電路形變或龜裂發生的觀點來看，較佳為15ppm/℃以下、更佳為13ppm/℃以下、進而更佳為11ppm/℃以下。基板12的熱膨脹係數的下限，隨著使用於絕緣層的形成之樹脂組成物的組成而有所不同，較佳為-2ppm/℃以上、更佳為0ppm/ ℃以上、進而更佳為4ppm/℃以上。於本發明，基板12的熱膨脹係數，係藉由以拉伸加重法進行熱機械分析(TMA)而得到的平面方向之25~150℃的線熱膨脹係數。使用於基板12的線熱膨脹係數的測定的熱機械分析裝置，例如可以舉出(股)Rigaku製造的「Thermo Plus TMA8310」、Seiko Instruments(股)製造的「TMA-SS6100」。

基板12的玻璃轉移溫度(Tg)，由內藏零件電路板的機械強度的觀點來看，較佳為170℃以上，更佳為180℃以上。基板12的Tg的上限沒有特別限定，通常在300℃以下。基板12的Tg，可以藉由以拉伸加重法進行熱機械分析而測定出。作為熱機械分析裝置，可以使用與前述相同的裝置。

電路基板11所具備的電路配線13的尺寸，亦可因應於所要的特性而決定。例如，表面配線的厚度，由內藏零件電路板的薄型化的觀點來看，較佳為40μm以下，更佳為35μm以下，進而更佳為30μm以下，進而又更佳者為25μm以下，特佳者為20μm以下、19μm以下或者18μm以下。表面配線的厚度的下限雖沒有特別限制，通常為1μm以上、3μm以上、5μm以上等。

其次，把供收容零件之用的空孔設於電路基板(圖1B)。如圖1B所模式顯示的，在基板12的特定位置，可以設置貫通電路基板的第1及第2主面間的空孔12a。藉此，得到被形成空孔的電路基板11’。空孔12a，考慮基板12的特性，例如可以藉由鑽孔、雷射、電漿、蝕刻媒體等習知的方法來形成。

圖1B僅顯示1個空孔12a，但空孔12a，可以相互隔著特定的間隔而設置複數個。空孔12a間的間距，由內藏零件電路板的小型化的觀點來看，以越短為越好。空孔12a間的間距，隨著空孔12a自身的開口尺寸而定，較佳為10mm以下、更佳為9mm以下、進而更佳為8mm以下、進而又更佳為7mm以下、特佳為6mm以下。根據本發明的方法，即使是使空孔以如此短的間距來設置的場合，也可以抑制基板翹曲的發生。空孔12a間的間距的下限，雖著空孔12a自身的開口尺寸而不同，通常為1mm以上、2mm以上等。空孔12a間的各間距，沒有必要跨整個電路基板都是相同的，亦可為不同。

空孔12a的開口形狀沒有特別限制，可以為矩形、圓形、約略矩形、約略圓形等任意的形狀。此外，空孔12a的開口尺寸，隨著電路配線的設計而有所不同，但例如在空孔12a的開口形狀為矩形的場合，以5mm×5mm以下為佳，3mm×3mm以下為更佳。該開口尺寸的下限，隨著收容的零件的尺寸而不同，通常為0.5mm×0.5mm以上。空孔12a間的開口形狀及開口尺寸，沒有必要跨整個電路基板都是相同的，亦可為不同。

以上，參照圖1A及圖1B，說明了準備被形成空孔的電路基板的步驟之一例，但只要可以得到被形成空孔的電路基板即可，不限定於前述的步驟。例如，亦可在基板上形成空孔之後，再設電路配線。使用這樣的變形例來準備的被形成空孔的電路基板來製造內藏零件電路板的態樣也包含於本發明的範圍內。

<被形成空孔的絕緣基板>

在本發明的第2實施型態的方法使用的被形成空孔的絕緣基板，係具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的絕緣基板。

被形成空孔的絕緣基板，可依任意的步驟來準備。以下，參照圖2A及圖2B，說明準備被形成空孔的絕緣基板的步驟之一例。

首先，準備絕緣基板(圖2A)。於本發明，所謂的「絕緣基板」是指具有對向的第1及第2主面，呈現電氣絕緣性的板狀的基板。於以下的說明，為了方便，所謂的絕緣基板的第1主面表示圖示的絕緣基板的下側主面，所謂的絕緣基板的第2主面表示圖示的絕緣基板的上側主面。

絕緣基板21，沒有特別限定，亦可以是把金屬基板那樣的導電性基板以絕緣材料塗覆而賦予絕緣性之基板，由抑制基板翹曲的觀點來看，由內藏零件基板的絕緣可信賴性的觀點來看，以硬化玻璃纖維膠片、玻璃基板或陶瓷基板為佳，以硬化玻璃纖維膠片更佳。

所謂硬化玻璃纖維膠片，是指玻璃纖維膠片之硬化物。玻璃纖維膠片，是包含熱硬化性樹脂組成物與薄片狀纖維基材之薄片狀材料，例如，可以把熱硬化性樹脂組成物含浸於薄片狀纖維基材而形成。用於玻璃纖維膠片的熱硬化性樹脂組成物，其硬化物只要具有充分的硬度與絕緣性者即可，沒有特別限定，亦可使用用在印刷配線板的絕緣層形成之從前公知的熱硬化性樹脂組成物。或者另外，使用於玻璃纖維膠片的熱硬化性樹脂組成物，亦可為與使用於後述的接著膜的熱硬化性樹脂組成物相同的組成物。使用於玻璃纖維膠片的薄片狀纖維基材沒有特別限定，使用作為玻璃纖維膠片用基材而常用者即可。由可以使硬化玻璃纖維膠片的熱膨脹係數降低的觀點來看，作為薄片狀纖維基材，以使用玻璃纖維基材、有機纖維基材(例如，醯胺纖維基材)為佳，玻璃纖維基材更佳，玻璃織布(玻璃布)進而更佳。作為使用於玻璃纖維基材的玻璃纖維，由可以使熱膨脹係數降低的觀點來看，以選自E玻璃纖維、S玻璃纖維、T玻璃纖維及Q玻璃纖維構成的群之1種以上的玻璃纖維為佳，S玻璃纖維、Q玻璃纖維更佳，Q玻璃纖維進而更佳。所謂Q玻璃纖維，是指二氧化矽的含有率佔90質量%以上的玻璃纖維。薄片狀纖維基材的厚度，由硬化玻璃纖維膠片的薄型化的觀點來看，較佳為200μm以下，更佳為100μm以下，進而更佳為80μm以下，進而又更佳者為50μm以下，特佳者為40μm以下。薄片狀纖維基材的厚度下限，由可得到具有充分鋼性的硬化玻璃纖維膠片的觀點來看，較佳為1μm以上，更佳為10μm以上，進而更佳為15μm以上。

絕緣基板21的厚度，由內藏零件基板的薄型化的觀點來看，以越薄越好，較佳為未滿400μm，更佳為350μm以下，進而更佳為300μm以下，進而又更佳者為250μm以下，特佳者為200μm以下、180μm以下、170μm以下、160μm以下或者150μm以下。根據本發明的方法，即使是使用如此薄的絕緣基板的場合，也可以抑制基板翹曲的發生。絕緣基板21的厚度的下限雖沒有特別限制，但是從提高搬送時的處理性的觀點來看，較佳為30μm以上、更佳為40μm以上、進而更佳為50μm以上、進而又更佳為60μm以上、70μm以上、或者80μm以上。

絕緣基板21的熱膨脹係數及玻璃轉移溫度(Tg)，可以與前述基板11的相同。

其次，把供收容零件之用的空孔設於絕緣基板(圖2B)。如圖2B所模式顯示的，在絕緣基板21的特定位置，可以設置貫通絕緣基板的第1及第2主面間的空孔21a。空孔21a，考慮絕緣基板21的特性，例如可以藉由鑽孔、雷射、電漿、蝕刻媒體等習知的方法來形成。

圖2B僅顯示1個空孔21a，但空孔21a，可以相互隔著特定的間隔而設置複數個。空孔21a間的間距，由內藏零件基板的小型化的觀點來看，以越短為越好。空孔21a間的間距，可以與前述空孔12a間的間距相同。空孔21a間的各間距，沒有必要跨整個絕緣基板都是相同的，亦可為不同。

空孔21a的開口形狀及開口尺寸，可以與前述空孔12a之形狀與尺寸相同。空孔21a間的開口形狀及開口尺寸，沒有必要跨整個絕緣基板都是相同的，亦可為不同。

藉由以上程序，可以準備被形成空孔的絕緣基板1’。

<接著膜>

在本發明的方法，使用第1接著膜與第2接著膜。

(第1接著膜)

於圖3，模式顯示第1接著膜的端面。第1接著膜100，包含第1支撐體101，及與該第1支撐體接合的第1熱硬化性樹脂組成物層102。

作為第1支撐體，例如可以舉出由塑膠材料所構成的膜、金屬箔、脫膜紙，以塑膠材料所構成的膜、金屬箔為佳。

作為第1支撐體使用由塑膠材料所構成的膜的場合，作為塑膠材料，例如，可以舉出聚對苯二甲酸乙二酯(以下亦簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二醇酯(以下亦簡稱為「PEN」)等聚酯、聚碳酸酯(以下亦簡稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(以下亦簡稱為「PMMA」)等丙烯酸、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚碸(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，以聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯為佳，廉價的聚對苯二甲酸乙二酯特佳。

作為第1支撐體使用金屬箔的場合，作為金屬箔，例如可以舉出銅箔、鋁箔等，以銅箔為佳。作為銅箔，亦可使用銅之單金屬所構成的箔，亦可使用銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)之合金所構成的箔。

第1支撐體，亦可對後述之與第1熱硬化性樹脂組成物層接合之面施以毛面處理、電暈處理。

此外，作為第1支撐體，亦可使用在後述之與第1熱硬化性樹脂組成物層接合的面具有脫模層的附有脫模層的支撐體。作為使用於附有脫模層的支撐體的脫模層之脫模劑，例如可以舉出選自醇酸樹脂樹脂、聚烯烴樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、及聚矽氧樹脂構成的群之1種以上的脫模劑。附有脫模層的支撐體，亦可使用市售品，例如，具有以乙醇酸樹脂樹脂系脫模劑為主成分的脫模層的PET膜之Lintec(股)製造之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」等。

第1支撐體的厚度沒有特別限定，以5μm~ 75μm之範圍為佳，10μm~60μm之範圍更佳。又，使用附有脫模層的支撐體的場合，附有脫模層的支撐體全體的厚度以在前述範圍為佳。

第1支撐體，如後述般，亦可含有雷射吸收材料。作為雷射吸收材料，例如，可以舉出金屬化合物粉，碳粉，金屬粉，黑色染料等。含有雷射吸收材料的場合，第1支撐體中的雷射吸收材料的含量，較佳為0.05~40質量%，更佳為0.1~20質量%。

使用於第1熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物，由防止所得到的絕緣層的熱膨脹率降低而因絕緣層與導體層之熱膨脹的差異導致發生龜裂或電路扭曲的觀點，以及由防止熔融黏度的過度降低而抑制零件的位置偏移的觀點來看，以包含無機填充材為佳。

樹脂組成物中的無機填充材的含量，由降低所得到的絕緣層的熱膨脹率的觀點以及防止熔融黏度的過度降低抑制零件的位置偏移的觀點來看，較佳為30質量%以上，更佳為40質量%以上，進而更佳為50質量%以上，進而又更佳為60質量%以上，特佳為62質量%以上、64質量%以上、或者66質量%以上。特別是由抑制零件的位置偏移的觀點來看，樹脂組成物中的無機填充材的含量，以50質量%以上為佳。樹脂組成物中的無機填充材的含量上限，由所得到的絕緣層的機械強度的觀點來看，較佳為90質量%以下，更佳為85質量%以下。

又，於本發明，樹脂組成物中的各成分的含量，係使樹脂組成物中的不揮發成分的合計為100質量%時之值。

作為無機填充材，例如可以舉出二氧化矽、氧化鋁、玻璃、菫青石(cordierite)、矽氧化物、硫酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯、及磷酸鎢酸鋯等。這些之中以無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等二氧化矽特別合適。此外，作為二氧化矽以球狀二氧化矽為佳。無機填充材，可以單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。作為市售的球狀熔融二氧化矽，可以舉出(股)Admatechs製造之「SOC2」、「SOC1」。

無機填充材的平均粒徑在0.01μm~4μm之範圍為佳，0.05μm~2μm之範圍更佳，0.1μm~1μm之範圍進而更佳，0.3μm~0.8μm進而又更佳。無機填充材的平均粒徑可以藉由根據Mie散射理論之雷射繞射/散射法來測定。具體而言，可以藉由雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，以體積基準製作無機填充材的粒度分布，將其真直徑(median diameter)作為平均粒徑進行測定。測定樣本，較佳者可以使用把無機填充材藉由超音波分散於水中者。作為雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，可以使用(股)堀場製作所製造的「LA-500」等。

無機填充材，由提高耐濕性及分散性的觀點來看，以胺基矽烷系耦合劑、環氧矽烷系耦合劑、巰基矽烷系耦合劑、矽烷系耦合劑、有機矽氧烷化合物、鈦酸鹽系耦合劑等之1種以上的表面處理劑所處理為佳。作為表面處理劑之市售品，例如可以舉出信越化學工業(股)製造之「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製造之「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製造之「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製造之「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製造之「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)等。

根據表面處理劑之表面處理的程度，可以根據無機填充材之單位表面積的碳量來進行評估。無機填充材之單位表面積的碳量，由提高無機填充材的分散性的觀點來看，以0.02mg/m²以上為佳，0.1mg/m²以上更佳，0.2mg/m²以上又更佳。另一方面，由防止樹脂清漆(varnish)的熔融黏度或在膜形態之熔融黏度的上升的觀點來看，1mg/m²以下為佳，0.8mg/m²以下更佳，0.5mg/m²以下進而更佳。

無機填充材的每單位表面積的碳量，可以在藉由溶劑(例如甲乙酮(MEK))洗淨處理表面處理後的無機填充材之後進行測定。具體而言，作為溶劑把充分量的MEK加入以表面處理劑表面處理之無機填充材，在25℃進行5分鐘的超音波洗淨。可以在除去上部澄清液，使固形成分乾燥之後，使用碳分析計測定無機填充材的每單位表面積之碳量。作為碳分析計，可以使用堀場製作所製造的「EMIA-320V」等。

作為使用於第1熱硬化性樹脂組成物層的熱硬化性樹脂，可以使用在形成印刷配線板的絕緣層時使用的從前公知的熱硬化性樹脂，其中以環氧樹脂為佳。於一實施型態，使用於第1熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物，包含無機填充材及環氧樹脂。樹脂組成物，另外因應必要而包含硬化劑亦可。於一實施型態，使用於第1熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物，包含無機填充材、環氧樹脂、及硬化劑。使用於第1熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物，進而包含熱塑性樹脂、硬化促進劑、難燃劑及橡膠粒子等添加劑亦可。

以下，說明作為樹脂組成物的材料可以使用的環氧樹脂、硬化劑及添加劑。

-環氧樹脂-

作為環氧樹脂，例如可以舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-鄰苯二酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蔥(anthracene)型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、縮水甘油基酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造的環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環的環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、苯甲醚型環氧樹脂及三羥甲基型環氧樹脂等。這些環氧樹脂可以單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。

環氧樹脂，以包含在1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂為佳。環氧樹脂的不揮發成分為100質量%的場合，至少50質量%以上為1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂為佳。其中，包含1分子中具有2個以上環氧基，在溫度20℃為液狀的環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)，以及1分子中具有3個以上環氧基，在溫度20℃為固體狀的環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)為佳。作為環氧樹脂，藉由併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂，可得到具有優異的可撓性的樹脂組成物。此外，也提高硬化樹脂組成物而形成的絕緣層的破壞強度。

作為液狀環氧樹脂，以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、線性酚醛型環氧樹脂、或者萘型環氧樹脂為佳，又以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、或萘型環氧樹脂為更佳。作為液狀環氧樹脂之具體例，可以舉出DIC(股)製造之「HP4032」、「HP4032H」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學(股)製造之「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製造之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合產品)、Nagase ChemteX(股)製造之「EX-721」(縮水甘油基酯型環氧樹脂)等。這些可以單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。

作為固體狀環氧樹脂，以萘型4官能基環氧樹脂、鄰甲基酚醛型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、或者苯甲醚型環氧樹脂為佳，萘型4官能基環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、或者苯甲醚型環氧樹脂更佳，聯苯型環氧樹脂進而更佳。作為固體狀環氧樹脂的具體例，可以舉出DIC(股)製造之「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能基環氧樹脂)、「N-690」(鄰甲基酚醛型環氧樹脂)、「N-695」(鄰甲基酚醛型環氧樹脂)、「HP-7200」(雙環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「HP6000」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」(苯甲醚型環氧樹脂)、日本化藥(股)製造之「EPPN-502H」(三苯酚環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛清漆環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製造之「ESN475V」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學(股)製造之「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000H」、「YX4000HK」(雙二甲酚型環氧樹脂)、大阪Gas chemical(股)製造之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學(股)製造之「YL7800」(芴型環氧樹脂)等。

作為環氧樹脂，併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的場合，這些的含量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)依質量比在1：0.1~1：4之範圍為佳。藉由使液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之含量比在這個範圍，可以得到i)在接著膜的形態使用的場合具有適度的黏著性，ii)在接著膜的形態使用的場合可得充分的可撓性，提高處理性，以及iii)可以得到具有充分的破壞強度的絕緣層等效果。由前述i)~iii)的效果的觀點來看，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之含量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)，依質量比在1：0.3~1：3.5之範圍為佳，1：0.6~1：3之範圍為更佳，1：0.8~1：2.5的範圍為特佳。

樹脂組成物中的環氧樹脂的含量，以3質量%~50質量%為佳，5質量%~45質量%更佳，5質量%~40質量%進而更佳，7質量%~35質量%特佳。

環氧樹脂之環氧當量，較佳為50~3000，更佳為80~2000，進而更佳為110~1000。藉由成為此範圍，硬化物的架橋密度變得充分，可得表面粗糙度低的絕緣層。又，環氧當量可以依照日本工業規格JIS K7236進行測定，為包含1當量的環氧基的樹脂的質量。

-硬化劑-

作為硬化劑，只要具有使環氧樹脂硬化的機能即可，沒有特別限定，例如可以舉出苯酚系硬化劑、萘酚係硬化劑、活性酯系硬化劑、苯並惡嗪系硬化劑、及氰酸酯系硬化劑。硬化劑可以單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。

作為苯酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，由耐熱性及耐水性的觀點來看，以具有酚醛清漆構造的苯酚系硬化劑，或者具有酚醛清漆構造的萘酚系硬化劑為佳。此外，由與導體層(電路配線)之密接性的觀點來看，以含氮苯酚系硬化劑或含氮萘酚系硬化劑為佳，含有三氮雜苯骨架的苯酚系硬化劑或者含有三氮雜苯骨架的萘酚系硬化劑更佳。其中，由高度滿足耐熱性、耐水性以及與導體層之密接性(剝離強度)的觀點來看，把含有三氮雜苯骨架的線性酚醛樹脂作為硬化劑使用為佳。

作為苯酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例，例如可以舉出明和化成(股)製造之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥(股)製造之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金化學(股)製造之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN375」、「SN395」、DIC(股)製造之「LA7052」、「LA7054」、「LA3018」等。

作為活性酯系硬化劑，沒有特別限制，但一般較佳為使用苯酚酯類、硫代苯酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等，在1分子中具有2個以上反應活性高的酯基的化合物。該活性酯系硬化劑，以藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或氫硫基化合物之縮合反應而得者為佳。特別是由提高耐熱性的觀點來看，以由羧酸化合物與羥基化合物所得到的活性酯系硬化劑為佳，由羧酸化合物與苯酚化合物及/或萘酚化合物所得到的活性酯系硬化劑為更佳。作為羧酸化合物，例如可以舉出安息香酸、醋酸、琥珀酸、順丁烯二酸、亞甲基丁二酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四甲酸等。作為苯酚化合物或萘酚化合物，例如可以舉出對苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、苯酚萘、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、鄰苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、二環戊二烯型二酚、苯酚酚醛清漆等。

具體而言，包含二環戊二烯型二酚構造的活性酯化合物、包含萘構造的活性酯化合物、包含苯酚酚醛清漆的乙醯化物之活性酯化合物、包含苯酚酚醛清漆的苯醯化物之活性酯化合物為佳，其中以包含萘構造的活性酯化合物、雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物為更佳。於本發明，所謂「雙環戊二烯型二酚構造」，表示由伸苯基-并環戊二烯-伸苯基所構成的2價的構造單位。

作為活性酯系硬化劑之市售品，包含雙環戊二烯型二酚構造的活性酯化合物可以舉出「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」(DIC(股)製造)，包含萘構造的活性酯化合物可以舉出「EXB9416-70BK」(DIC(股)製造)、包含苯酚酚醛清漆的乙醯化物的活性酯化合物可以舉出「DC808」(三菱化學(股)製造)，包含苯酚酚醛清漆的苯醯化物的活性酯化合物可以舉出「YLH1026」(三菱化學(股)製造)等。

氧氮苯并環己烷(benzoxazine)系硬化劑的具體例，可以舉出昭和高分子(股)製造之「HFB2006M」、四國化成工業(股)製造之「P-d」、「F-a」。

作為氰酸酯系硬化劑，例如可以舉出雙酚A 二氰酸酯、聚苯酚氰酸酯、寡糖(3-次甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-次甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-bis(4-氰酸酯苯基甲烷)、bis(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-bis(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、bis(4-氰酸酯苯基)硫代醚、及bis(4-氰酸酯苯基)醚等2官能基氰酸酯樹脂，由苯酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等所誘導的多官能基氰酸酯樹脂，這些氰酸酯樹脂一部分被三氮雜苯(triazine)化之預聚物等。作為氰酸酯系硬化劑之具體例，可以舉出Lonza Japan(股)製造之「PT30」及「PT60」(均為苯酚酚醛清漆型多官能基氰酸酯樹脂)、「BA230」(雙酚A二氰酸酯的一部分或全部被三氮雜苯化之成為三量體之預聚物)等。

環氧樹脂與硬化劑之含量比，依[環氧樹脂的環氧基之合計數]：[硬化劑之反應基的合計數]之比率，以1：0.2~1：2之範圍為佳，1：0.3~1：1.5更佳， 1：0.4~1：1進而更佳。在此，所謂硬化劑的反應基，是指活性羥基、活性酯基等，隨著硬化劑的種類而有所不同。此外，環氧樹脂之環氧基的合計數，是指把各環氧樹脂的固形成分質量除以環氧當量之值針對全部的環氧樹脂合計之值，所謂硬化劑的反應基的合計數，是指把各硬化劑的固形成分質量除以反應基當量之值針對全部的硬化劑合計之值。藉由使環氧樹脂與硬化劑之含量比在這樣的範圍，可以更為提高樹脂組成物的硬化物的耐熱性。

於一實施型態，使用於第1熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物，包含前述之無機填充材、環氧樹脂、及硬化劑。樹脂組成物，以分別含有作為無機填充材之二氧化矽，作為環氧樹脂之液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之混合物(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂之質量比在1：0.1~1：4之範圍為佳，1：0.3~1：3.5之範圍更佳，1：0.6~1：3之範圍進而更佳，1：0.8~1：2.5之範圍特佳)，作為硬化劑之選自苯酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑構成的群之1種以上(較佳為選自苯酚系硬化劑、萘酚系硬化劑構成的群之1種以上，更佳為選自含有三氮雜苯骨架的苯酚酚醛清漆樹脂、萘酚系硬化劑構成的群之1種以上，進而更佳者為含有三氮雜苯骨架之苯酚酚醛清漆樹脂的硬化劑)。關於組合這樣的特定成分而含有的樹脂組成物，無機填充材、環氧樹脂及硬化劑之適切的含量如前所述，其中，無機填充材的含量為30質量%~90質量%、環氧樹脂的含量為3 質量%~50質量%為佳，無機填充材的含量為50質量%~90質量%、環氧樹脂的含量為5質量%~45質量%為更佳。關於硬化劑的含量，環氧樹脂的環氧基的合計數，與硬化劑的反應基的合計數之比，較佳為成為1：0.2~1：2之範圍，更佳為成為1：0.3~1：1.5之範圍，進而更佳者為成為1：0.4~1：1之範圍。

樹脂組成物，因應必要，進而包含熱塑性樹脂、硬化促進劑、難燃劑及橡膠粒子等添加劑亦可。

-熱塑性樹脂-

作為熱塑性樹脂，例如可以舉出苯氧基樹脂、聚乙烯基乙縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯醚樹脂、及聚碸(polysulfone)樹脂等。熱塑性樹脂可以單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。

熱塑性樹脂的聚苯乙烯換算之重量平均分子量在8,000~70,000之範圍為佳，10,000~60,000之範圍更佳，20,000~60,000之範圍進而更佳。熱塑性樹脂的聚苯乙烯換算之重量平均分子量，以凝膠浸透色層分析法(GPC)法來測定。具體而言，熱塑性樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量，作為測定裝置可以使用(股)島津製作所製造的LC-9A/RID-6A，管柱使用昭和電工(股)製造的Shodex K-800P/K-804L/K-804L，移動相使用氯仿等，管柱溫度40℃的條件下進行測定，使用標準聚苯乙烯的檢量線來算出。

作為苯氧基樹脂，例如可以舉出具有選自雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀(fluorenone)骨架、雙環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蔥(anthracene)骨架、金剛烷(adamantane)骨架、萜烯骨架及三甲基環己烷骨架構成的群之1種以上的骨架之苯氧基樹脂。苯氧基樹脂的末端，亦可為苯酚性羥基、環氧基等之任一官能基。苯氧基樹脂可以單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。作為苯氧基樹脂的具體例，可以舉出三菱化學(股)製造之「1256」及「4250」(均為含有雙酚A骨架的苯氧基樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架之苯氧基樹脂)、及「YX6954」(含有雙酚苯乙酮骨架之苯氧基樹脂)，其他還可舉出新日鐵住金化學(股)製造之「FX280」及「FX293」、三菱化學(股)製造之「YL7553」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。

作為聚乙烯醇縮乙醛樹脂之具體例，可以舉出電氣化學工業(股)製造之電化丁縮醛(butyral)4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、積水化學工業(股)製造之S Lec BH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。

作為聚醯亞胺樹脂之具體例，可以舉出新日本理化(股)製造之「RICA COAT SN20」及「RICA COAT PN20」。作為聚醯亞胺樹脂之具體例，另外可以舉出2官能基羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四質子酸無水物反應而得的線狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報所記載者)、含有聚矽氧烷骨架的聚醯亞胺(日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等所記載者)等變性聚醯亞胺。

作為聚醯胺亞醯胺樹脂的具體例，可以舉出東洋紡績(股)製造之「Vilomax HR11NN」及「Vilomax HR16NN」。作為聚醯胺亞醯胺樹脂的具體例，另外可以舉出日立化成工業(股)製造之含有聚矽氧烷骨架之聚醯胺亞醯胺「KS9100」、「KS9300」等之變性聚醯胺亞醯胺。

作為聚醚碸樹脂的具體例，可以舉出住友化學(股)製造之「PES5003P」等。

作為聚碸(polysulfone)樹脂的具體例，可以舉出Solvay Advanced Polymers(股)製造之聚碸「P1700」、「P3500」等。

樹脂組成物中的熱塑性樹脂的含量以0.1質量%~20質量%為較佳。藉著使熱塑性樹脂的含量在該範圍內，可以使樹脂組成物的黏度成為適度，形成厚度及塊狀性狀均勻的樹脂組成物。樹脂組成物中的熱塑性樹脂的含量以0.5質量%~10質量%為更佳。

-硬化促進劑-

作為硬化促進劑，例如可以舉出磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍(guanidine)系硬化促進劑等，以磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑為佳，胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑為更佳。

作為磷系硬化促進劑，例如可以舉出三苯基膦、硼酸磷化合物、四苯基磷四苯基硼酸鹽、n-丁基磷四苯基硼酸鹽、四丁基磷癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基磷硫氰酸鹽、四苯基磷硫氰酸鹽、丁基三苯基磷硫氰酸鹽等，以三苯基膦、四丁基磷癸酸鹽為佳。

作為胺系硬化促進劑，例如可以舉出三乙胺、三丁胺等三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲胺、2,4,6-三(二甲基胺基甲基)苯酚、1,8-二氮雙環(5,4,0)-十一碳烯等，以4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雙環(5,4,0)-十一碳烯為佳。

作為咪唑系硬化促進劑，例如可以舉出2-甲基咪唑、2-十一基咪唑、2-十七基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基偏苯咪唑、1-氰基乙基-2-苯基偏苯咪唑、2,4-二胺-6-[2’-甲基咪唑-(1’)]-乙基-s-三氮雜苯、2,4-二胺-6-[2’-十一基咪唑-(1’)]- 乙基-s-三氮雜苯、2,4-二胺-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑-(1’)]-乙基-s-三氮雜苯、2,4-二胺-6-[2’-甲基咪唑-(1’)]-乙基-s-三氮雜苯異三聚氰酸附加物、2-苯基咪唑異三聚氰酸附加物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5羥基甲基咪唑、2,3-二羥基-1H-吡咯并[1,2-a]苯咪唑、1-十二基-2-甲基-3-苄基氯化咪唑翁、2-甲基咪唑咻、2-苯基咪唑咻等咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加合物，而以2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑為佳。

作為胍(guanidine)系硬化促進劑，例如可以舉出二氰二胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙縮胍、1-乙基雙縮胍、1-n-丁基雙縮胍、1-n-十八基雙縮胍、1,1-二甲基雙縮胍、1,1-二乙基雙縮胍、1-環己基雙縮胍、1-烯丙基雙縮胍、1-苯基雙縮胍、1-(o-甲苯基)雙縮胍等，以二氰二胺、1,5,7-三氮雙環[4.4.0]癸-5-烯為佳。

硬化促進劑，可以單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。在環氧樹脂與硬化劑之不揮發成分合計量為100質量%時，樹脂組成物中硬化促進劑的含量，以在0.05質量%~3質量%之範圍使用為佳。

-難燃劑-

作為難燃劑，例如可以舉出有機磷系難燃劑、有機系含氮之磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。難燃劑可以單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。樹脂組成物層中的難燃劑的含量沒有特別限定，以0.5質量%~10質量%為佳，1質量%~9質量%更佳，1.5質量%~8質量%進而更佳。

-橡膠粒子-

作為橡膠粒子，例如，使用不溶解於後述的有機溶劑，與前述之環氧樹脂、硬化劑及熱塑性樹脂也不相溶者。這樣的橡膠粒子，一般而言，使橡膠成分的分子量增大到不溶解於有機溶劑或樹脂的程度，被調製作為粒子狀。

作為橡膠粒子，例如，可以舉出核殼型橡膠粒子、架橋丙烯腈丁二烯橡膠粒子、架橋苯乙烯丁二烯橡膠粒子、丙烯酸橡膠粒子等。核殼型橡膠粒子，係具有核層與殼層的橡膠粒子，例如，可以舉出外層的殼層以玻璃狀高分子構成，內層之核層以橡膠狀高分子構成的2層構造，或者是外層之殼層以玻璃狀高分子構成，中間層以橡膠狀高分子構成，核層以玻璃狀高分子構成之3層構造等。玻璃狀高分子層，例如以甲基丙烯酸甲酯聚合物等構成，橡膠狀高分子層，例如以丁基丙烯酸酯聚合物(丁基橡膠)等構成。橡膠粒子可以單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。

橡膠粒子的平均粒徑，較佳是在0.005μm~ 1μm之範圍，更佳是在0.2μm~0.6μm之範圍。橡膠粒子的平均粒徑，可以使用動態光散射法來測定。例如，藉由超音波等使橡膠粒子均勻地分散於適當的有機溶劑，使用濃厚系粒徑分析儀(FPAR-1000；大塚電子(股)製造)，以質量基準製作橡膠粒子的粒度分布，能夠以其真直徑(median diameter)作為平均粒徑進行測定。樹脂組成物中的橡膠粒子的含量，較佳為1質量%~10質量%，更佳為2質量%~5質量%。

使用於第1熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物，因應必要而包含其他添加劑亦可，作為這樣的其他添加劑，例如可以舉出有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等有機金屬化合物，以及有機填充物、增黏劑、消泡劑、流平劑(leveling agent)、密接性賦予劑、以及著色劑等樹脂添加劑等。

第1熱硬化性樹脂組成物層的厚度，由內藏零件配線基板的薄型化的觀點來看，較佳為80μm以下，更佳為60μm以下，進而更佳為40μm以下，進而又更佳者為30μm以下。第1熱硬化性樹脂組成物層的厚度的下限沒有特別限制，通常為10μm以上。

第1熱硬化性樹脂組成物層的最低熔融黏度，由內藏零件配線基板之製造時的保持層形性(防止滲出)的觀點來看，較佳為100泊(poise)以上，更佳為300泊以上，進而更佳為500泊以上。第1熱硬化性樹脂組成物層的最低熔融黏度的上限，沒有特別限制，較佳為10000泊以下，更佳為8000泊以下，進而更佳為6000泊以下，進而又更佳為4000泊以下，特佳為3000泊以下。

在此，所謂熱硬化性樹脂組成物層的「最低熔融黏度」，是指熱硬化性樹脂組成物層的樹脂熔融時，熱硬化性樹脂組成物層所呈現的最低黏度。詳細地說，以一定的升溫速度加熱熱硬化性樹脂組成物層使樹脂熔融的話，初期階段熔融黏度會伴隨著溫度上升而降低，其後，超過某個溫度時熔融黏度會伴隨著溫度上升而上升。所謂「最低熔融黏度」，是指這樣的極小點的熔融黏度。熱硬化性樹脂組成物層之最低熔融黏度，可以藉由動態黏彈性法進行測定。具體而言，熱硬化性樹脂組成物層之最低熔融黏度，可以藉由以測定開始溫度60℃、升溫速度5℃/分，振動數1Hz，應變為1deg的條件進行動態黏彈性測定而得到。動態黏彈性測定裝置例如可以舉出(股)UBM公司製造的「Rheosol-G3000」。

(第2接著膜)

第2接著膜，包含第2支撐體，及與該第2支撐體接合的第2熱硬化性樹脂組成物層。

第2支撐體的材料及厚度，亦可相同於針對前述第1支撐體所說明的。

第2熱硬化性樹脂組成物層的材料，亦可相同於針對前述第1熱硬化性樹脂組成物層所說明的。

由降低所得到的絕緣層的熱膨脹率的觀點以及防止熱硬化時熔融黏度的過度降低抑制零件的位置偏移的觀點來看，構成第2熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物中的無機填充材的含量，較佳為30質量%以上，更佳為40質量%以上，進而更佳為50質量%以上，進而又更佳為60質量%以上，特佳為62質量%以上、64質量%以上、或者66質量%以上。特別是由抑制零件的位置偏移的觀點來看，以50質量%以上為佳。樹脂組成物中的無機填充材的含量上限，由所得到的絕緣層的機械強度的觀點及埋入性的觀點來看，較佳為90質量%以下，更佳為85質量%以下。

第2熱硬化性樹脂組成物層的厚度，由內藏零件配線基板的薄型化的觀點來看，較佳為100μm以下，更佳為80μm以下，進而更佳為60μm以下，進而又更佳者為50μm以下。第2熱硬化性樹脂組成物層的厚度下限，隨著內層基板的厚度等而不同，由零件的埋入性及空孔填充性的觀點來看，通常為15μm以上。

於適切之一實施型態，第2熱硬化性樹脂組成物層，比第1熱硬化性樹脂組成物層更厚。

製造內藏零件配線基板時，由實現充分的零件埋入性以及空孔填充性的觀點來看，第2熱硬化性樹脂組成物層的最低熔融黏度，較佳為10000泊(poise)以下，更佳為8000泊以下，進而更佳為6000泊以下，進而又更佳為4000泊以下，特佳為3000泊以下。第2熱硬化性樹脂組成物層的最低熔融黏度的下限，由內藏零件配線基板之製造時的保持層形性(防止滲出)的觀點來看，較佳為100泊(poise)以上，更佳為300泊以上，進而更佳為500泊以上。

以下，顯示製作第1及第2接著膜的程序之一例。

接著膜，不管第1及第2接著膜的區別，例如可以藉由調製在有機溶劑溶解樹脂組成物的樹脂清漆(varnish)，將此樹脂清漆使用模具塗布機等塗布於支撐體上，使樹脂清漆乾燥而製作。

作為有機溶劑，例如可以舉出丙酮、甲乙酮及環己酮等酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇乙醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯及二乙二醇單乙基醚醋酸酯等醋酸酯類、乙二醇乙醚及二乙二醇丁醚等二乙二醇乙醚類、甲苯及二甲苯等芳香族碳化氫類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺及N-甲基咯烷酮等醯胺系溶媒等。有機溶劑可以單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。

樹脂清漆的乾燥，亦可藉由加熱、吹噴熱風等公知的乾燥方法來實施。雖會隨著樹脂清漆中的有機溶劑的沸點而有所不同，例如在使用包含30質量%~60質量%的有機溶劑的樹脂清漆的場合，藉由在50℃~150℃溫度下乾燥3分鐘~10分鐘，可以在支撐體上形成熱硬化性樹脂組成物層。

接著膜，不管第1及第2接著膜的分別，在不與熱硬化性樹脂組成物層的支撐體接合的面(亦即與支撐體相反側的面)，進而包含保護膜亦可。保護膜，貢獻於防止塵芥等附著或損傷熱硬化性樹脂組成物層的表面。作為保護膜的材料，亦可使用相同於針對支撐體所說明的材料。保護膜的厚度沒有特別限定，例如為1μm~40μm。接著膜，在製造內藏零件配線基板時，藉由剝除保護膜而成為可以使用。

以上，顯示製作第1及第2接著膜的程序之一例，但只要能夠得到第1及第2接著膜即可，不限定於前述程序。例如，在保護膜上形成熱硬化性樹脂組成物層之後，於該熱硬化性樹脂組成物層上層積支撐體而製作接著膜亦可。於本發明，所謂「支撐體」，是指製造內藏零件配線基板時，與熱硬化性樹脂組成物層一起被層積於內層基板的主面的構件，並非限定地表示製造接著膜時之樹脂清漆的支撐構件。

以下，依照適切的實施型態詳細說明本發明之內藏零件配線基板之製造方法。

<第1實施型態之方法>

於本發明之第1實施型態之方法，作為內層基板使用電路基板。亦即，本發明之第1實施型態之方法，依序包含下列步驟(A1)、(B1)、(C1)及(D1)。

(A1)於具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的電路基板，使包含第1支撐體以及與該第1支撐體接合的第1熱硬化性樹脂組成物層之第1接著膜，以該第1熱硬化性樹脂組成物層與電路基板的第1主面接合的方式進行真空層積的步驟；(B1)於空孔內的第1熱硬化性樹脂組成物層暫時固定零件的步驟；(C1)於電路基板的第2主面，使包含第2支撐體以及與該第2支撐體接合的第2熱硬化性樹脂組成物層之第2接著膜，以該第2熱硬化性樹脂組成物層與電路基板的第2主面接合的方式，進行真空層積的步驟，且係以第1接著膜表面的加熱溫度比第2接著膜表面的加熱溫度更低的條件進行真空層積的步驟；(D1)熱硬化第1及第2熱硬化性樹脂組成物層形成絕緣層的步驟。

以下，參照圖4A至圖4G，說明本發明之第1實施型態的方法之各步驟。

-步驟(A1)-

於步驟(A1)，在被形成空孔的電路基板11’，把第1接著膜100，以第1熱硬化性樹脂組成物層102與電路基板的第1主面接合的方式進行真空層積(圖4A)。

被形成空孔的電路基板11’及第1接著膜100的構成如先前所述。

往被形成空孔的電路基板11’之第1接著膜100的真空層積，例如，可以藉由在減壓條件下，由第1 支撐體101側，把第1接著膜100加熱壓接於被形成空孔的電路基板11’而進行。作為把第1接著膜100加熱壓接於被形成空孔的電路基板11’的構件(未圖示；以下也稱為「加熱壓接構件」)，例如，可以舉出被加熱的金屬板(SUS鏡板等)或者金屬輥(SUS輥)等。又，並非把加熱壓接構件直接擠壓於第1接著膜100，而是以第1接著膜100充分地追隨於被形成空孔的電路基板11’的電路配線13或起因於空孔12a的凹凸的方式，透過耐熱橡膠等彈性材來擠壓為佳。

加熱壓接溫度，較佳為60℃~160℃，更佳為 70℃~140℃，進而更佳為80℃~130℃之範圍，加熱壓接壓力較佳為0.098MPa~1.77MPa，更佳為0.29MPa~1.47MPa，進而更佳為0.40MPa~1.10MPa之範圍，加熱壓接時間較佳為10秒~400秒，更佳為20秒~300秒，進而更佳為20秒~200秒之範圍。真空層積，較佳為在壓力26.7hPa以下的減壓條件下來實施。又，所謂加熱壓接溫度，是指加熱壓接構件的表面溫度，透過耐熱橡膠等彈性材料擠壓的場合，是指與第1接著膜接合的該彈性材料的表面的溫度。

真空層積，可以藉由市售的真空層疊機來進行。市售的真空層疊機，例如可以舉出(股)名機製作所製造的真空加壓式層疊機，Nichigo Morton(股)製造的真空敷貼機(Vacuum Applicator)等。

於這樣的步驟(A1)，第1熱硬化性樹脂組成物層102，被接合於被形成空孔的電路基板1’的第1主面(圖4B)。此時，第1熱硬化性樹脂組成物層102，埋入被形成於電路基板的第1主面的表面配線等電路13，同時於空孔12a內的一部份區域也被填充(圖4B)。以下，把藉由第1熱硬化性樹脂組成物層102填充的空孔12a內的區域稱為「樹脂填充區域」，該樹脂填充區域以外的空孔12a內的區域(亦即未藉由第1熱硬化性樹脂組成物層102填充的空孔12a內的區域)稱為「非樹脂填充區域」。

於步驟(A1)，真空層積第1接著膜之前的電路基板的空孔的高度h_A(圖4A)，與真空層積第1接著膜之後的電路基板的空孔的非樹脂填充區域的高度h_B(圖4B)，以滿足0.8h_A≦h_B≦h_A之關係為佳，滿足0.85h_A≦h_B≦h_A之關係更佳，滿足0.90h_A≦h_B≦h_A之關係進而更佳，滿足0.95h_A≦h_B≦h_A之關係特佳。在h_B<0.8h_A的場合，於後述的步驟(B1)設置零件時會有要把樹脂填充區域的樹脂容易動到的零件暫時安裝於所要的位置一事變得困難的傾向。進而，零件容易成為突出至空孔外的狀態，於後述之步驟(C1)壓力會集中於零件而變成容易發生零件的位置偏移。藉由使h_A與h_B滿足前述關係，即使使用薄的電路基板時，也可以確保供內藏零件之用的充分的空間，同時可以有效果地抑制零件的位置偏移。

於步驟(A1)真空層積第1接著膜與被形成空孔的電路基板時，在被形成空孔的電路基板的第2主面，設置保護膜亦可。作為保護膜，使用在從前技術使用於零件的暫時固定的膜狀的暫固定材料即可，例如可以舉出古河電氣工業(股)製造的UC系列(晶圓切割用UV膠帶)。被形成空孔的電路基板的第2主面上設置保護膜的場合，該基板在步驟(A1)之後，只要剝離保護膜而使用於步驟(B1)即可。

又，第1支撐體，在使第1熱硬化性樹脂組成物層硬化而得的絕緣層上設導體層(電路配線)的步驟之前剝離即可，例如，在後述的步驟(C1)與步驟(D1)之間剝離亦可，在後述的步驟(D1)之後剝離亦可。於適切的實施型態，第1支撐體，在後述的步驟(D1)之後剝離。又，作為第1支撐體使用銅箔等金屬箔的場合，如稍後所述，使用這樣的金屬箔設置導體層(電路配線)是可能的，所以不剝離第1支撐體亦可。

-步驟(B1)-

於步驟(B1)，於空孔12a內的第1熱硬化性樹脂組成物層102暫時固定零件15(圖4C)。亦即，於空孔12a內在露出的第1熱硬化性樹脂組成物層102暫時固定零件15。

作為零件15，只要因應於所要的特性選擇適切的電氣零件即可，例如可以舉出電容器、電感器、電阻等被動零件，半導體裸晶等主動零件。於所有的空孔使用相同的零件15亦可，隨著空孔不同而使用不同的零件15 亦可。

如先前所述，於從前的技術，使用在之後的步驟剝離除去的暫時固定材料進行零件的暫時固定。於這樣的技術，為了防止在剝離除去暫時固定材料時發生零件脫落或是空孔內之零件的位置偏移，在與被設置暫時固定材料的主面相反側的主面設置熱硬化性樹脂組成物層，以熱硬化性樹脂組成物填充空孔內之後，使該熱硬化性樹脂組成物熱硬化而形成硬化體(絕緣層)。然而，於這樣的技術，使用為了達成內藏零件電路板的小型化、薄型化之空孔密度高的電路基板或者厚度薄的電路基板的場合等，在電路基板的單方主面形成絕緣層的階段，會有產生基板翹曲的情形。對此，於本發明，在之後成為絕緣層的熱硬化性樹脂組成物層暫時安裝零件。亦即，於本發明，沒有必要剝離除去暫時安裝材料，可以有利地解決伴隨著先前技術之基板翹曲的問題。

於步驟(B1)，零件，起因於空孔內的第1 熱硬化性樹脂組成物層的表面黏著性，藉由該第1熱硬化性樹脂組成物層來保持。由第1熱硬化性樹脂組成物層的表面黏著性的觀點來看，步驟(B1)，以在加熱條件下實施為佳。作為加熱的方法，例如可以舉出使加熱構件接合於第1支撐體而進行加熱的方法。加熱構件，直接接合於第1支撐體亦可，透過先前敘述的耐熱橡膠等彈性材料接合於第1支撐體亦可。

步驟(B1)之加熱條件，只要可以使空孔內的第1熱硬化性樹脂組成物層的表面呈現充分的黏著性即可，沒有特別限制。於適切之一實施型態，步驟(B1)之加熱溫度，由第1熱硬化性樹脂組成物層的黏著性的觀點來看，較佳為60℃以上，更佳為70℃以上，進而更佳為80℃以上，進而又更佳為90℃以上。加熱溫度的上限，由防止、抑制起因於第1熱硬化性樹脂組成物層的硬化之基板翹曲的觀點來看，較佳為140℃以下，更佳為135℃以下，進而更佳為130℃以下。步驟(B1)之加熱溫度，在由第1支撐體側使用加熱構件進行加熱的場合，是指該加熱構件的表面溫度。

步驟(B1)之加熱時間，只要是供暫時固定零件之充分的時間即可，較佳為2秒以上，更佳為3秒以上，進而更佳為4秒以上。加熱時間的上限，通常可為60秒以下。

步驟(B1)之加熱處理，以在大氣壓下(常壓下)進行為佳。

於適切的實施型態，在步驟(B1)得到的基板的翹曲，較佳為25mm以下，更佳為20mm以下，進而更佳為15mm以下，進而又更佳為10mm以下，特佳為5mm以下。又，基板的翹曲，意味著在步驟(B1)得到的基板的一邊以固定具固定而對地面(水平面)垂直地吊掛時之由假想的垂直面起到基板的對邊的兩端部的垂直高度的算術平均值。基板的翹曲，具體而言，可以藉由實施例記載的測定方法來測定。

步驟(B1)之後，進而加熱第1熱硬化性樹脂組成物層亦可。藉此，可以更進一步抑制後述的步驟(C1)之零件的位置偏移。亦即，於適切的實施型態，本發明的方法，在步驟(B1)與步驟(C1)之間，包含(B1’)加熱第1熱硬化性樹脂組成物層的步驟。

步驟(B1’)之加熱溫度，由抑制步驟(C1) 之零件的位置偏移的觀點來看，較佳為80℃以上，更佳為90℃以上，進而更佳為100℃以上。加熱溫度的上限，由防止、抑制起因於第1熱硬化性樹脂組成物層的硬化之基板翹曲的觀點來看，以未滿150℃為佳，較佳為140℃以下，進而更佳為130℃以下，進而又更佳為120℃以下。

步驟(B1’)之加熱時間，由抑制步驟(C1) 之零件的位置偏移的觀點來看，較佳為30秒以上，更佳為1分鐘以上，更佳為3分鐘以上，進而更佳為5分鐘以上、10分鐘以上或者20分鐘以上。加熱時間的上限，由防止、抑制起因於第1熱硬化性樹脂組成物層的硬化之基板翹曲的觀點來看，通常可為60分鐘以下。

步驟(B1’)之加熱處理，以在大氣壓下(常壓下)進行為佳。

使步驟(B1)在加熱條件下實施的場合，在步驟(B1)之後，直接移至步驟(B1’)亦可，使電路基板冷卻到常溫(室溫)之後移至步驟(B1’)亦可。

-步驟(C1)-

於步驟(C1)，在電路基板的第2主面，把第2接著膜200，以第2熱硬化性樹脂組成物層202與電路基板的第2主面接合的方式進行真空層積(圖4D)。

於這樣的步驟(C1)，第2熱硬化性樹脂組成物層202，被填充於空孔12a內，被暫時安裝於空孔12a內的零件15被埋入第2熱硬化性樹脂組成物層202(圖4E)。

由抑制零件的位置偏移的觀點來看，步驟(C1)，以第1接著膜表面的加熱溫度比第2接著膜表面的加熱溫度更低的條件來實施是重要的。

第1接著膜表面的加熱溫度為T₁(℃)，第2接著膜表面的加熱溫度為T₂(℃)時，T₁與T₂由抑制零件的位置偏移的觀點來看，以滿足T₂-40≦T₁≦T₂-10之關係為佳，更佳為滿足T₂-40≦T₁≦T₂-15之關係，進而更佳為滿足T₂-35≦T₁≦T₂-15之關係，進而又更佳為滿足T₂-35≦T₁≦T₂-20之關係。

第2接著膜表面的加熱溫度T₂，由實現充分的零件埋入性及空孔填充性的觀點來看，較佳為120℃以上，更佳為125℃以上，進而更佳為130℃以上、135℃以上、140℃以上或者145℃以上。T₂之上限，由抑制零件的位置偏移的觀點來看，較佳為200℃以下，更佳為180℃以下。

第1接著膜表面的加熱溫度T₁，只要T₁與T₂ 滿足前述關係即可，沒有特別限定，但由抑制零件的位置偏移的觀點來看，較佳為未滿140℃，更佳為135℃以下，進而更佳為130℃以下，特佳為125℃以下、120℃以下或者115℃以下。T₁的下限，只要T₁與T₂滿足前述關係即可，沒有特別限定，通常可以為60℃以上。

於本發明，第1接著膜表面的加熱溫度T₁(℃)，是指接合於第1接著膜表面的加熱壓接構件的表面溫度，透過耐熱橡膠等彈性材料來擠壓的場合，是指與第1接著膜接合的該彈性材料的表面的溫度。此外，第2接著膜表面的加熱溫度T₂(℃)，是指接合於第2接著膜表面的加熱壓接構件的表面溫度，透過耐熱橡膠等彈性材料來擠壓的場合，是指與第2接著膜接合的該彈性材料的表面的溫度。

步驟(C1)之第2接著膜200的真空層積，除了前述溫度條件以外，亦可採用與步驟(A1)之第1接著膜的真空層積相同的方法、條件。又，由抑制空洞(void)發生的觀點來看，步驟(C1)之抽真空時間，較佳為20秒以上，更佳為30秒以上、40秒以上、50秒以上或60秒以上。特別是在實施步驟(A1)之後到實施步驟(C1)為止的期間之經過時間很長的場合，藉由設定增長步驟(C1)之抽真空時間(例如30秒以上、40秒以上、50秒以上或60秒以上)，可以有效果地抑制在絕緣層中產生空洞。

於步驟(C1)，第1熱硬化性樹脂組成物層的熔融黏度，由抑制零件的位置偏移的觀點來看，較佳為維持在2000泊(poise)以上，更佳為3000泊以上，進而更佳為4000泊以上，進而又更佳為5000泊以上，特佳為6000泊以上、7000泊以上、8000泊以上、9000泊以上或者10000泊以上。藉由採用前述的溫度條件，可以實現根據第2熱硬化性樹脂組成物層之充分的零件埋入性及空孔填充性，同時可以把第1熱硬化性樹脂組成物層的熔融黏度維持於這樣的範圍。步驟(C1)之第1熱硬化性樹脂組成物層的熔融黏度的上限沒有特別限定，通常為1000000泊以下。

步驟(C1)之第1熱硬化性樹脂組成物層的熔融黏度，可以藉由以溫度T₁(℃)進行動態黏彈性測定而得到。可以使用於測定的測定裝置如前所述。

第2接著膜200的構成如先前所述。又，在步驟(C1)使用的第2接著膜200的第2支撐體201，亦可與步驟(A1)使用的第1接著膜100之第1支撐體101相同，亦可為不同。

此外，使用於第2熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物，亦可與用於第1熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物相同，亦可為不同。

作為零件的暫時固定材料，根據使用稍後成為絕緣層的熱硬化性樹脂組成物層(亦即，第1熱硬化性樹脂組成物層)之本發明的方法的話，即使在供達成內藏零件電路板的小型化、薄型化之空孔密度很高的電路基板或厚度很薄的電路基板的場合等，也可以抑制基板翹曲的發生。因此，對於步驟(B1)至步驟(C1)為止的基板搬送不會造成障礙，可以圓滑地實施步驟(C1)。進而，於以前述特定的溫度條件實施步驟(C1)之本發明，伴隨著步驟(C1)的真空層積，也可以抑制零件的位置偏移，可以生產率佳地實現零件的配置精度優異的內藏零件電路板。

在步驟(C1)之後，藉由在常壓下(大氣壓下)，例如由第2支撐體202側或者由第1支撐體102側及第2支撐體202側之兩側來擠壓加熱壓接構件，進行平滑化被層積的第1接著膜側及第2接著膜側之雙面的步驟(以下亦稱為「步驟(C1’)」)為佳。亦即，於適切的實施型態，本發明之第1實施型態的方法，在步驟(C1)與步驟(D1)之間，包含藉由加熱擠壓而平滑化第1接著膜側及第2接著膜側之雙面的步驟。步驟(C1’)之擠壓條件，可以與前述步驟(C1)之加熱壓接條件相同的條件。

步驟(C1’)，可以藉由市售的真空層疊機來進行。又，步驟(C1)與步驟(C1’)，亦可使用前述市售的真空層疊機連續地進行。

於適切之一實施型態，步驟(C1)(以及步驟(C1’))零件的位置偏移未滿40μm。此處，所謂零件的位置偏移，是指在步驟(B1)暫時固定於第1熱硬化性樹脂組成物層的時間點的零件的中心，與在步驟(C1)真空層積第2熱硬化性樹脂組成物層之後(實施步驟(C1’)的場合，為進行平滑化處理之後)的零件的中心之位置變化。零件的位置偏移，具體而言，可以藉由實施例記載的測定方法來測定。

又，第2支撐體201，在使第2熱硬化性樹脂組成物層硬化而得的絕緣層上設導體層(電路配線)的步驟之前剝離即可，例如，在步驟(C1)與後述的步驟(D1)之間剝離亦可，在後述的步驟(D1)之後剝離亦可。於適切的一實施型態，第2支撐體，在後述的步驟(D1)之後剝離。又，作為第2支撐體使用銅箔等金屬箔的場合，如稍後所述，使用這樣的金屬箔設置導體層(電路配線)是可能的，所以不剝離第2支撐體亦可。

-步驟(D1)-

於步驟(D1)，熱硬化第1及第2熱硬化性樹脂組成物層而形成絕緣層。藉此，第1熱硬化性樹脂組成物層102形成絕緣層102’，第2熱硬化性樹脂組成物層202形成絕緣層202’(圖4F)。

熱硬化的條件沒有特別限定，可以使用在形成印刷配線板的絕緣層時通常採用的條件。

例如，第1及第2熱硬化性樹脂組成物層的熱硬化條件，會隨著使用於各熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物的組成等而不同，但硬化溫度可以在120℃~240℃之範圍(較佳為150℃~210℃之範圍，更佳為170 ℃~190℃之範圍)，硬化時間可以為5~90分鐘之範圍(較佳為10~75分鐘、更佳為15~60分鐘)。

在使其熱硬化之前，以比硬化溫度更低的溫度預備加熱第1及第2熱硬化性樹脂組成物層亦可。例如，先於熱硬化，以50℃以上未滿120℃(較佳為60℃以上110℃以下、更佳為70℃以上100℃以下)的溫度，把第1及第2熱硬化性樹脂組成物層預備加熱5分鐘以上(較佳為5~150分鐘、更佳為15~120分鐘)亦可。進行預備加熱的場合，這樣的預備加熱也被包含於步驟(D1)。

步驟(D1)之第1及第2熱硬化性樹脂組成物層的熱硬化，以在大氣壓下(常壓下)進行為佳。

步驟(D1)，以把基板維持於幾乎水平的狀態下來實施為較佳。例如，在基板的厚度方向之軸對水平面成為80°~100°的範圍的狀態下來實施步驟(D1)為較佳。

如先前所述，第1及第2支撐體，在步驟 (D1)之後剝離為佳。亦即，以步驟(D1)，在附有第1及第2支撐體的狀態下使第1及第2熱硬化性樹脂組成物層熱硬化為較佳。藉此，可以得到具有低粗糙度的表面之絕緣層。

於適切之一實施型態，在步驟(C1)與步驟 (D1)之間，亦可實施使電路基板冷卻至常溫(室溫)的處理。

又，於以下的說明，亦有把使第1熱硬化性樹脂組成物層102熱硬化而得的絕緣層102’稱為「第1絕緣層」的場合。此外，亦有把使第2熱硬化性樹脂組成物層202熱硬化而得的絕緣層202’稱為「第2絕緣層」的場合。

-其他的步驟-

本發明之第1實施型態的方法，亦可進而包含(E1)開孔的步驟、(F1)於絕緣層上形成導體層的步驟。這些步驟(E1)及(F1)，亦可依照用於印刷配線板的製造之熟悉該項技藝者所習知的各種方法來實施。又，在步驟(D1)之後剝離第1及第2支撐體的場合，該第1及第2支撐體的剝離，亦可在步驟(D1)與步驟(E1)之間，或者是在步驟(E1)與步驟(F1)之間實施。

步驟(E1)為開孔的步驟。藉此，可以形成貫孔以及通孔等孔。於適切之一實施型態，步驟(E1)，包含於第1及第2絕緣層形成貫孔(via hole)。例如，可以使用鑽頭、雷射、電漿等，在第1及第2絕緣層形成貫孔。

形成孔時，由可以保護絕緣層表面的觀點來看，步驟(E1)，以在剝離第1及第2支撐體之前實施為佳。在這樣的場合，例如，可以由支撐體上照射雷射光，形成貫孔及通孔等孔。此外，以優化雷射加工性的目的，使用含有適合於所使用的雷射的波長之雷射吸收材料的支撐體亦可。貫孔及通孔等孔的開口徑與開口形狀，只要因應於電路配線的設計而適當決定即可。

藉由雷射形成孔的場合，作為雷射光源，例如可以舉出二氧化碳氣體雷射、YAG雷射、準分子雷射等。其中，由加工速度、成本的觀點來看，以二氧化碳氣體雷射為佳。

步驟(F1)，是在絕緣層上形成導體層的步驟。

使用於導體層的導體材料沒有特別限定。在適切的實施型態，導體層包含選自金、白金、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦構成的群之1種以上的金屬。導體層，可以為單金屬層亦可為合金層，作為合金層，例如，可以舉出選自前述群的2種以上的金屬的合金(例如，鎳/鉻合金、銅/鎳合金以及銅/鈦合金)所形成之層。其中，由導體層形成的泛用性、成本、圖案化的容易性等觀點來看，以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或者鎳/鉻合金、銅/鎳合金、銅/鈦合金之合金層為佳，又以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或者鎳/鉻合金之合金層為更佳。

導體層，可以為單層構造，也可以是不同種類的金屬或合金所構成的單金屬層或合金層層積2層以上之複層構造。導體層為複層構造的場合，與絕緣層相接之層，以鉻、鋅或者鈦之單金屬層，或者鎳/鉻合金之合金層為佳。

導體層的厚度，隨著所要的內藏零件電路板的設計而不同，一般而言為3μm~35μm，較佳為5μm~30μm。

於一實施型態，步驟(F1)，包含粗化處理絕緣層，及在被粗化的絕緣層上藉由鍍層形成導體層。

粗化處理的程序、條件沒有特別限定，可以採用印刷配線板之製造時通常使用的習知的程序、條件。例如，可以依序實施根據膨潤液之膨潤處理、根據氧化劑之粗化處理、根據中和液之中和處理而粗化處理第1及第2絕緣層。作為膨潤液沒有特別限定，可以舉出鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，作為該鹼溶液，以氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液為更佳。作為市售的膨潤液，例如可以舉出Atotech Japan(股)製造之Swelling Dip Securiganth P、Swelling Dip Securiganth SBU等。根據膨潤液之膨潤處理，沒有特別限定，例如，可以藉由在30~90℃之膨潤液把第1及第2絕緣層浸漬1分鐘~20分鐘來進行。從把第1及第2絕緣層的樹脂的膨潤抑制於適度的程度之觀點來看，以在40~80℃之膨潤液把第1及第2絕緣層浸漬5秒~15分鐘為佳。作為氧化劑，沒有特別限定，例如可以舉出氫氧化鈉之水溶液內溶解過錳酸鉀或過錳酸鈉之鹼性過錳酸溶液。根據鹼性過錳酸溶液等氧化劑之粗化處理，以在加熱至60℃~80℃之氧化劑溶液把第1及第2絕緣層浸漬10分鐘~30分鐘來進行為佳。此外，鹼性過錳酸溶液之過錳酸鹽的濃度以5質量%~10質量%為佳。作為市售的氧化劑，例如可以舉出Atotech Japan(股)製造之Concentrate Compact CP、Dosing Solution Securiganth P等鹼性過錳酸溶液。此外，作為中和液，以酸性的水溶液為佳，作為市售品，例如可以舉出Atotech Japan(股)製造之Reduction Solution Securiganth P。根據中和液之處理，可以藉由把進行了根據氧化劑溶液之粗化處理的處理面在30~80℃之中和液浸漬5分鐘~30分鐘而進行。由作業性等觀點來看，以把進行了根據氧化劑溶液之粗化處理的對象物，在40~70℃之中和液浸漬5分鐘~20分鐘的方法為佳。

導體層之形成方法，只要可以形成具有所要的圖案之導體層(電路配線)即可，沒有特別限定。例如，可以藉由半主動法、權主動法等從前習知之技術在第1及第2絕緣層之表面進行鍍層，形成具有所要的圖案之導體層(電路配線)。以下，顯示藉由半主動法形成導體層之例。

首先，於第1及第2絕緣層的表面，藉由無電解鍍層形成鍍層種子層。接著，在形成的鍍層種子層上，對應於所要的配線圖案形成使鍍層種子層的一部份露出之遮罩圖案。於露出之鍍層種子層上，藉由電解鍍層形成金屬層之後，除去遮罩圖案。其後，可以藉由蝕刻等除去不要的鍍層種子層，形成具有所要的圖案之導體層。

作為第1及第2支撐體，使用銅箔等金屬箔的場合，藉由利用此金屬箔之相減(subtractive)法等來形成導體層亦可。此外，把金屬箔作為鍍層種子層，藉由電解鍍層形成導體層亦可。

藉由這些步驟於貫孔等孔內也被形成導體(配線)，被設於第1及第2絕緣層102’及202’的表面的電路配線13、電路基板的電路配線及零件被導電連接，得到內藏零件電路板1000(圖4G)。又，只要可以得到導電連接即可，貫孔等孔的內部沒有必要以導體填充，以塗布孔的壁面的方式被形成導體的薄層亦可。

本發明之第1實施型態之方法，另外亦可包含(G1)使內藏零件電路板個片化之步驟。

步驟(G1)，例如藉由具備旋轉刃的從前習知的切割裝置進行研削，可以使得到的構造體個片化為個個內藏零件電路板單元。

以上，依照適切的實施型態說明了本發明之第1實施型態之方法，但只要包含前述步驟(A1)至(D1)之各步驟而且依序實施步驟(A1)乃至(D1)之各步驟即可，本發明之第1實施型態之方法並不限定於前述具體顯示的實施型態。例如，步驟(G1)，亦可在步驟(C1)與步驟(D1)之間，或是步驟(D1)與步驟(E1)之間，或者步驟(E1)與步驟(F1)之間進行。此外，反覆進行步驟(A1)至(F1)，謀求進一步多層配線化亦可。於本發明之第1實施型態的方法可以考慮很多變形例。

<第2實施型態之方法>

於本發明之第2實施型態之方法，作為內層基板使用絕緣基板。

如先前所述，製造內藏零件配線基板時，一般使用電路基板作為內層基板。於作為內層基板使用電路基板的實施型態，一般而言，於電路基板的內部配置零件，接著藉由依序層積絕緣層、導體層，可得具備多層配線的內藏零件配線基板。這一點，隨著電子機器不同，亦有採用僅在絕緣基板的兩面被形成電路的配線基板(2層配線基板)的場合。本案發明人於這樣的場合，想到藉由在絕緣基板的內部配置零件，接著形成絕緣層及導體層，而得到更為高機能且可以小型化的2層配線基板。

亦即，本發明之第2實施型態之方法，依序包含下列步驟(A2)、(B2)、(C2)及(D2)。

(A2)於具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的絕緣基板，使包含第1支撐體以及與該第1支撐體接合的第1熱硬化性樹脂組成物層之第1接著膜，以該第1熱硬化性樹脂組成物層與絕緣基板的第1主面接合的方式進行真空層積的步驟；(B2)於空孔內的第1熱硬化性樹脂組成物層暫時固定零件的步驟；(C2)於絕緣基板的第2主面，使包含第2支撐體以及與該第2支撐體接合的第2熱硬化性樹脂組成物層之第2接著膜，以該第2熱硬化性樹脂組成物層與絕緣基板的第2主面接合的方式，進行真空層積的步驟，且係以第1接著膜表面的加熱溫度比第2接著膜表面的加熱溫度更低的條件進行真空層積的步驟；(D2)熱硬化第1及第2熱硬化性樹脂組成物層形成絕緣層的步驟。

本發明的第2實施型態之步驟(A2)、(B2)、(C2)及(D2)，除了作為內藏零件的內層基板使用絕緣基板這一點以外，基本上分別對應於本發明的第1實施型態之步驟(A1)、(B1)、(C1)及(D1)。針對本發明的第1實施型態的方法之步驟(A1)、(B1)、(C1)及(D1)所說明的本發明之有利效果，對於本發明的第2實施型態的方法之步驟(A2)、(B2)、(C2)及(D2)也同樣地達成。此外，針對本發明的第2實施型態的方法之步驟(A2)、(B2)、(C2)及(D2)所說明的本發明之有利效果，對於本發明的第1實施型態的方法之步驟(A1)、(B1)、(C1)及(D1)也同樣地達成。

以下，參照圖5A至圖5G，說明本發明之第2實施型態的方法之各步驟。

-步驟(A2)-

於步驟(A2)，在被形成空孔的絕緣基板21’，把第 1接著膜100，以第1熱硬化性樹脂組成物層102與絕緣基板的第1主面接合的方式進行真空層積(圖5A)。

被形成空孔的絕緣基板21’及第1接著膜100的構成如先前所述。

往被形成空孔的絕緣基板21’之第1接著膜100的真空層積，可以採用與本發明的第1實施型態的方法之步驟(A1)同樣的程序、條件來實施。

於這樣的步驟(A2)，第1熱硬化性樹脂組成物層102，被接合於被形成空孔的絕緣基板21’的第1主面(圖5B)。此時，第1熱硬化性樹脂組成物層102，於絕緣基板之空孔21a內的一部分區域也被填充(圖5B)。

於步驟(A2)，真空層積第1接著膜之前的絕緣基板的空孔的高度h_A(圖5A)，與真空層積第1接著膜之後的絕緣基板的空孔的非樹脂填充區域的高度h_B(圖5B)，以滿足相同於針對本發明的第1實施型態的方法之步驟(A1)所說明的h_A與h_B的關係為佳。藉此，即使使用薄的絕緣基板時，也可以確保供內藏零件之用的充分的空間，同時可以有效果地抑制零件的位置偏移。

又，第1支撐體，在使第1熱硬化性樹脂組成物層硬化而得的絕緣層上設導體層(電路配線)的步驟之前剝離即可，例如，在後述的步驟(C2)與步驟(D2)之間剝離亦可，在後述的步驟(D2)之後剝離亦可。於適切的實施型態，第1支撐體，在後述的步驟 (D2)之後剝離。又，作為第1支撐體使用銅箔等金屬箔的場合，如稍後所述，使用這樣的金屬箔設置導體層(電路配線)是可能的，所以不剝離第1支撐體亦可。

-步驟(B2)-

於步驟(B2)，於空孔21a內的第1熱硬化性樹脂組成物層102暫時固定零件25(圖5C)。亦即，於空孔21a內在露出的第1熱硬化性樹脂組成物層102暫時固定零件25。零件25，可以與針對本發明的第1實施型態的方法所說明的零件15相同。

步驟(B2)以在加熱條件下實施為佳，在這樣的場合，加熱條件(加熱溫度、加熱時間、加熱時的壓力等)，可以與本發明之第1實施型態的方法之步驟(B1)相同。此外，在步驟(B2)得到的基板的翹曲之適切的值以及其測定方法，如同本發明的第1實施型態的方法之步驟(B1)所說明的。

在步驟(B2)之後，進行加熱第1熱硬化性樹脂組成物層的步驟(步驟(B2’))為佳。步驟(B2’)的條件，可與本發明之第1實施型態的方法之步驟(B1’)相同。

使步驟(B2)在加熱條件下實施的場合，在步驟(B2)之後，直接移至步驟(B2’)亦可，使基板冷卻到常溫(室溫)之後移至步驟(B2’)亦可。

-步驟(C2)-

於步驟(C2)，在絕緣基板的第2主面，把第2接著膜200，以第2熱硬化性樹脂組成物層202與絕緣基板的第2主面接合的方式進行真空層積(圖5D)。

於這樣的步驟(C2)，第2熱硬化性樹脂組成物層202，被填充於空孔21a內，被暫時安裝於空孔21a內的零件25被埋入第2熱硬化性樹脂組成物層202(圖5E)。

由抑制零件的位置偏移的觀點來看，步驟(C2)，以第1接著膜表面的加熱溫度比第2接著膜表面的加熱溫度更低的條件來實施是重要的。

關於步驟(C2)的條件(第1接著膜表面的加熱溫度T₁(℃)與第2接著膜表面的加熱溫度T₂(℃)之適切的關係，T₁之適切的範圍，T₂之適切的範圍，抽真空時間，第1熱硬化性樹脂組成物層之熔融黏度等)，可以與本發明的第1實施型態的方法之步驟(C1)相同。

第2接著膜200的構成如先前所述。又，在步驟(C2)使用的第2接著膜200的第2支撐體201，亦可與步驟(A2)使用的第1接著膜100之第1支撐體101相同，亦可為不同。此外，在步驟(C2)使用於第2熱硬化性樹脂組成物層202的樹脂組成物，亦可與在步驟(A2)用於第1熱硬化性樹脂組成物層的樹脂組成物相同，亦可為不同。

作為零件的暫時固定材料，根據使用稍後成為絕緣層的熱硬化性樹脂組成物層(亦即，第1熱硬化性樹脂組成物層)之本發明的第2實施型態之方法的話，即使在供達成內藏零件基板的小型化、薄型化之空孔密度很高的絕緣基板或厚度很薄的絕緣基板的場合等，也可以抑制基板翹曲的發生。因此，對於步驟(B2)至步驟(C2)為止的基板搬送不會造成障礙，可以圓滑地實施步驟(C2)。進而，於以前述特定的溫度條件實施步驟(C2)之本發明的第2實施型態之方法，伴隨著步驟(C2)的真空層積，也可以抑制零件的位置偏移，可以生產率佳地實現零件的配置精度優異的內藏零件基板。

於適切的實施型態，本發明之第2實施型態的方法，在步驟(C2)與步驟(D2)之間，包含藉由加熱擠壓而平滑化第1接著膜側及第2接著膜側之雙面的步驟(步驟(C2’))。步驟(C2’)的條件，可與本發明之第1實施型態的方法之步驟(C1’)相同。

於適切之一實施型態，步驟(C2)(以及步驟(C2’))零件的位置偏移未滿40μm。零件之位置偏移的定義及測定方法，與針對本發明的第1實施型態的方法之步驟(C1)(以及步驟(C1’))說明的相同。

又，第2支撐體201，在使第2熱硬化性樹脂組成物層硬化而得的絕緣層上設導體層(電路配線)的步驟之前剝離即可，例如，在步驟(C2)與後述的步驟(D2)之間剝離亦可，在後述的步驟(D2)之後剝離亦可。於適切的一實施型態，第2支撐體，在後述的步驟(D2)之後剝離。又，作為第2支撐體使用銅箔等金屬箔的場合，如稍後所述，使用這樣的金屬箔設置導體層(電路配線)是可能的，所以不剝離第2支撐體亦可。

-步驟(D2)-

於步驟(D2)，熱硬化第1及第2熱硬化性樹脂組成物層而形成絕緣層。藉此，第1熱硬化性樹脂組成物層102形成絕緣層102’，第2熱硬化性樹脂組成物層202形成絕緣層202’(圖5F)。

步驟(D2)之熱硬化的條件(硬化溫度、硬化時間、硬化時的壓力、有無預備加熱及其條件、硬化時之基板的配置條件等)，可以與本發明的第1實施型態的方法之步驟(D1)相同。

如先前所述，第1及第2支撐體，在步驟 (D2)之後剝離為佳。亦即，以步驟(D2)，在附有第1及第2支撐體的狀態下使第1及第2熱硬化性樹脂組成物層熱硬化為較佳。藉此，可以得到具有低粗糙度的表面之絕緣層。

於適切之一實施型態，在步驟(C2)與步驟 (D2)之間，亦可實施使絕緣基板冷卻至常溫(室溫)的處理。

又，於以下的說明，亦有把在步驟(D2)得到的基板稱為「內藏零件絕緣基板」的場合。

-其他的步驟-

本發明之第2實施型態的方法，亦可包含(E2)開孔的步驟、及(F2)於絕緣層上形成導體層的步驟。這些步驟(E2)及(F2)，只要依照使用於印刷配線板的製造之熟悉該項技藝者所習知的各種方法來實施即可，例如可以實施與針對第1實施型態的方法說明的步驟(E1)及(F1)相同的方法。於適切之一實施型態，步驟(E2)，包含形成通孔。

藉由這些步驟於通孔等孔內也被形成導體(配線)，被設於第1絕緣層102’的表面的電路配線23、設於第2絕緣層202’的表面的電路配線23、及零件25被導電連接，得到內藏零件基板2000(圖5G)。只要可以得到導電連接即可，通孔等孔的內部沒有必要以導體填充，以塗布孔的壁面的方式被形成導體的薄層亦可。

於本發明之第2實施型態的方法，在表面粗糙度低的絕緣層上藉由鍍層形成細微的導體(配線)可以製造2層配線基板(關於表面粗糙度之值將於稍後敘述)。結合在絕緣基板內藏零件，本發明之第2實施型態的方法，可以增大零件的搭載量同時細微配線化，與從前的2層配線基板相比，可以實現顯著高機能且小型之2層配線基板(以下，亦稱為「內藏零件之2層配線基板」)。

本發明之第2實施型態之方法，另外亦可包含(G2)使內藏零件基板個片化之步驟。步驟(G2)，亦可與本發明之第1實施型態的方法之步驟(G1)同樣地實施。

以上，依照製造內藏零件之2層配線基板的適切的實施型態說明了本發明之第2實施型態之方法，但只要包含前述步驟(A2)至(D2)之各步驟而且依序實施步驟(A2)乃至(D2)之各步驟即可，本發明之第2實施型態之方法並不限定於前述具體顯示的實施型態。例如，亦可在實施步驟(A2)至(D2)之後，反覆進行形成導體層的步驟(亦即，前述步驟(F2))與形成絕緣層的步驟，製造具有多層配線的內藏零件配線基板。形成絕緣層的步驟，可以依照製造印刷配線板時之從前習知的任意方法來實施，例如以與前述步驟(C2)及(D2)相同的方法來實施亦可。此外，步驟(G2)，亦可在步驟(C2)與步驟(D2)之間，或是步驟(D2)與步驟(E2)之間，或者步驟(E2)與步驟(F2)之間進行。於本發明之第2實施型態的方法可以考慮很多變形例。

[內藏零件絕緣基板]

從前，製造內藏零件配線基板時，一般使用電路基板作為內層基板。對此，於本發明的第2實施型態的方法，使零件內藏於絕緣基板而製造內藏零件配線基板。以下，說明於本發明的第2實施型態的方法，於步驟(D2)得到的內藏零件絕緣基板。

內藏零件絕緣基板，特徵為包含：一種內藏零件絕緣基板，其特徵為包含：具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的絕緣基板、與絕緣基板的第1主面接合的第1絕緣層、與絕緣基板的第2主面接合的第2絕緣層、以收容於絕緣基板的空孔內部的方式，設於第1絕緣層上的零件；第2絕緣層，以埋入零件的方式填充絕緣基板的空孔。

關於被形成空孔的絕緣基板、形成第1及第2絕緣層之用的熱硬化性樹脂組成物，及零件，如先前所述。

第1絕緣層與第2絕緣層，可為互異的組成，亦可為相同的組成。於第1絕緣層與第2絕緣層具有相同組成的場合等，第1絕緣層與第2絕緣層亦可為未呈現明確的界面而被連續一體化。

內藏零件絕緣基板的厚度，由內藏零件配線基板的薄型化的觀點來看，以越薄越好，較佳為400μm以下，更佳為300μm以下，進而更佳為200μm以下，進而又更佳者為150μm以下，特佳者為100μm以下。內藏零件絕緣基板的厚度的下限雖沒有特別限制，一般可以為30μm以上、50μm以上、或者80μm以上。

於內藏零件絕緣基板，零件間的間距，對應於先前所述的空孔21a間的間距。詳細地說，內藏零件絕緣基板之零件間的間距，較佳為10mm以下、更佳為9mm以下、進而更佳為8mm以下、進而又更佳為7mm以下、特佳為6mm以下。零件間的間距的下限，通常為1mm以上、2mm以上等。零件間的間距，沒有必要跨整個內藏零件絕緣基板都是相同的，亦可為不同。

藉由在內藏零件絕緣基板形成通孔等孔、導體層，可以製造內藏零件的2層配線基板等內藏零件配線基板。

由配線細微化的觀點來看，內藏零件絕緣基板，粗化處理後的表面的算術平均粗糙度Ra以350nm以下為佳，300nm以下更佳，250nm以下進而更佳，200nm以下的話又更佳，180nm以下、160nm以下、140nm以下、120nm以下、100nm以下、或者80nm以下特佳。算術平均粗糙度Ra的下限值沒有特別限定，可為20nm、40nm等。

又，算術平均粗糙度Ra，可以使用非接觸型表面粗糙度計進行測定。非接觸型表面粗糙度計之具體例，可以舉出Veeco Instruments公司製造的「WYKO NT3300」。

[內藏零件之2層配線基板]

於本發明的第2實施型態的方法，可以適切地製造內藏零件的2層配線基板。

於一實施型態，內藏零件的2層配線基板，包含：第1及第2導體層、與第1及第2導體層接合而設於該第1及第2導體層間的內藏零件絕緣基板、以及導電連接第1及第2導體層的層間連接體。

導體層以及內藏零件絕緣基板如先前所述。

層間連接體，只要可以導電連接第1及第2導體層即可，沒有特別限定，例如可以舉出在通孔填充導體形成的連接體，在通孔的壁面塗布導體的薄層而形成的連接體。

於本發明的第2實施型態的方法，因為在表面粗糙度低的絕緣層上藉由鍍層形成導體層，所以可得具有細微的配線之內藏零件的2層配線基板。例如，可以生產性佳地形成線寬間距比(L/S比)，較佳為50/50μm以下，更佳為40/40μm以下，進而更佳為30/30μm以下的具有細微配線的內藏零件之2層配線基板，進而即使是L/S比為20/20μm以下、10/10μm以下、7/7μm以下的具有細微配線的內藏零件之2層配線基板也可以生產率佳地形成。

[半導體裝置]

使用以本發明的方法製造的內藏零件配線基板，可以製造半導體裝置。

作為相關的半導體裝置，可以舉出供電氣製品(例如電腦、行動電話、數位相機及電視等)以及交通工具(例如摩托車、汽車、電車、船舶及飛機等)等所使用的各種半導體裝置。

[實施例]

以下，根據實施例進而更具體地說明本發明，但本發明並不以這些實施例為限。又，於以下的記載，「部」及「%」在沒有另外特別明示的場合，分別意味著「質量部」以及「質量%」。

首先說明各種測定方法/評估方法。

〔測定/評估用樣本的調製1〕 (1-1)被形成空孔的電路基板的準備

於340mm×510mm尺寸的內層電路基板(殘銅率70%)，以5mm的間距製作貫通該內層電路基板的第1及第2主面間的0.8mm×1.2mm尺寸的空孔。作為內層電路基板，使用了形成內層電路的玻璃布基材環氧樹脂雙面貼銅層積板(單面的銅箔的厚度12μm，基板的厚度(=空孔的高度h_A)100μm，全體厚度124μm，基板的熱膨脹係數7ppm，基板的玻璃轉移溫度230℃，三菱氣體化學(股)製造的「832NSR-LC」)。接著，將被形成空孔的內層電路基板的雙面以Mec(股)製造的「CZ8100」蝕刻1μm進行銅表面的粗化處理。所得到的基板為「基板a1」。

(1-2)第1接著膜的真空層積

於下列製作例由製作的第1接著膜剝離保護膜。其後，將第1接著膜，使用批次式真空加壓層疊機((股)名機製作所製造的「MVLP-500」)，以第1熱硬化性樹脂組成物層與電路基板的第1主面相接的方式，真空層積於基板a1。第1接著膜的真空層積，在進行30秒減壓(亦即，抽真空時間為30秒)使氣壓為13hPa以下之後，以下列表2-1所示的溫度(「步驟(A)」)、壓力0.5MPa藉由從第1支撐體上透過耐熱橡膠加熱壓接30秒鐘進行了層疊處理。所得到的基板為「基板b1」。本步驟相當於步驟(A)(詳細地說是步驟(A1))。

(1-3)零件的暫時固定

其後，於表2-1所示的條件(「步驟(B)」)，於基板b1的空孔內之第1熱硬化性樹脂組成物層上暫時固定了零件((股)村田製作所製造的層積薄膜電晶體1005，尺寸1.0mm×0.5mm，厚度180μm)。本步驟相當於步驟(B)(詳細地說是步驟(B1))。

又，關於實施例1-3、1-4及比較例1-2，暫時固定零件之後，於表2-1所示的條件(「步驟(B’)」)，進而加熱處理了第1熱硬化性樹脂組成物層。本步驟相當於步驟(B1’)。

所得到的基板為「基板c1」。

(1-4)第2接著膜的真空層積

於下列製作例由製作的第2接著膜剝離保護膜。其後，將第2接著膜，使用批次式真空加壓層疊機((股)名機製作所製造的「MVLP-500」)，以第2熱硬化性樹脂組成物層與電路基板的第2主面相接的方式，真空層積於基板c1。第2接著膜的真空層積，在進行30秒減壓(亦即，抽真空時間為30秒)使氣壓為13hPa以下之後，把第1接著膜表面的加熱溫度(T₁)及第2接著膜表面的加熱溫度(T₂)設定為下列表2-1所示之值(「步驟(C)」)、以壓力0.74MPa藉由透過耐熱橡膠加熱壓接30秒鐘進行了層疊處理。本步驟相當於步驟(C)(詳細地說是步驟(C1))。

進而，在常壓下以壓力0.5MPa藉由SUS鏡板加熱擠壓60秒鐘，進行了基板的兩面的平滑化處理。平滑化處理的溫度條件與層疊處理條件相同。所得到的基板為「基板d1」。本步驟相當於步驟(C1’)。

(1-5)第1及第2熱硬化性樹脂組成物層的熱硬化

由基板d1剝離來自第1及第2接著膜的支撐體。其後，把基板d1，在常壓下加熱至100℃ 30分鐘，接著在180℃加熱30分鐘，使第1及第2熱硬化性樹脂組成物層熱硬化。熱硬化，是使基板成為水平狀態而實施的。藉此，於內層電路基板的兩面形成絕緣層。本步驟相當於步驟(D)(詳細地說是步驟(D1))。

〔測定/評估用樣本的調製2〕 (2-1)被形成空孔的絕緣基板的準備

於340mm×510mm尺寸的絕緣基板，以5mm的間距製作貫通該絕緣基板的第1及第2主面間的0.8mm×1.2mm尺寸的空孔。作為絕緣基板，使用了把玻璃纖維基材環氧樹脂雙面貼銅層積板(單面的銅箔的厚度12μm，基板(玻璃纖維基材-環氧樹脂系硬化玻璃纖維膠片)的厚度(=空孔的高度h_A)100μm，全體厚度124μm，基板的熱膨脹係數7ppm，基板的玻璃轉移溫度230℃，三菱氣體化學(股)製造的「832NSR-LC」)之雙面銅箔全部除去者。所得到的基板為「基板a2」。

(2-2)第1接著膜的真空層積

於下列製作例由製作的第1接著膜剝離保護膜。其後，將第1接著膜，使用批次式真空加壓層疊機((股)名機製作所製造的「MVLP-500」)，以第1熱硬化性樹脂組成物層與絕緣基板的第1主面相接的方式，真空層積於基板a2。第1接著膜的真空層積，在進行30秒減壓(亦即，抽真空時間為30秒)使氣壓為13hPa以下之後，以下列表2-2所示的溫度(「步驟(A)」)、壓力0.5MPa藉由從第1支撐體上透過耐熱橡膠加熱壓接30秒鐘進行了層疊處理。所得到的基板為「基板b2」。本步驟相當於步驟(A)(詳細地說是步驟(A2))。

(2-3)零件的暫時固定

其後，於表2-2所示的條件(「步驟(B)」)，於空孔內之第1熱硬化性樹脂組成物層上暫時固定了零件((股)村田製作所製造的層積薄膜電晶體1005，尺寸1.0mm×0.5mm，厚度180μm)。本步驟相當於步驟(B)(詳細地說是步驟(B2))。

又，關於實施例2-3及2-4，暫時固定零件之後，於表2-2所示的條件(「步驟(B’)」)，進而加熱處理了第1熱硬化性樹脂組成物層。

所得到的基板為「基板c2」。本步驟相當於步驟(B2’)。

(2-4)第2接著膜的真空層積

於下列製作例由製作的第2接著膜剝離保護膜。其後，將第2接著膜，使用批次式真空加壓層疊機((股)名機製作所製造的「MVLP-500」)，以第2熱硬化性樹脂組成物層與絕緣基板的第2主面相接的方式，真空層積於基板c2。第2接著膜的真空層積，在進行30秒減壓(亦即，抽真空時間為30秒)使氣壓為13hPa以下之後，把第1接著膜表面的加熱溫度(T₁)及第2接著膜表面的加熱溫度(T₂)設定為下列表2-2所示之值(「步驟(C)」)、以壓力0.74MPa藉由透過耐熱橡膠加熱壓接30秒鐘進行了層疊處理。本步驟相當於步驟(C)(詳細地說是步驟(C2))。

進而，在常壓下以壓力0.5MPa藉由SUS鏡板加熱擠壓60秒鐘，進行了基板的兩面的平滑化處理。平滑化處理的溫度條件與層疊處理條件相同。所得到的基板為「基板d2」。本步驟相當於步驟(C2’)。

(2-5)第1及第2熱硬化性樹脂組成物層的熱硬化

由基板d2剝離來自第1及第2接著膜的支撐體。其後，把基板d2，在常壓下加熱至100℃ 30分鐘，接著在180℃加熱30分鐘，使第1及第2熱硬化性樹脂組成物層熱硬化。熱硬化，是使基板成為水平狀態而實施的。藉此，於絕緣基板的兩面形成絕緣層。本步驟相當於步驟(D)(詳細地說是步驟(D2))。

<空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)的測定>

空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)，針對基板b1及b2，使用顯微鏡(Keyence製造之「VH-5500」)進行了測定。

<第2接著膜的真空層積步驟之第1熱硬化性樹脂組成物層的熔融黏度之測定>

針對於下列製作例製作的第1接著膜之第1熱硬化性樹脂組成物層，使用動態黏彈性測定裝置((股)UBM公司製造的「Rheosol-G3000」)測定了熔融黏度。針對試料樹脂組成物1g，使用直徑18mm的平行板，在表2-1或表2-2所示的T₁(℃)保持1分鐘後，以振動1Hz，應變1deg的測定條件測定了動態黏彈性率，算出熔融黏度(泊，poise)。又，試料樹脂組成物，先於熔融黏度的測定，賦予了與表2-1或表2-2所示的步驟(A)、步驟(B)(因應必要時步驟(B’)同樣的熱履歷。

<基板翹曲的評估>

基板翹曲的評估，使用基板c1及c2，如圖6所示地實施。詳細地說，在室溫(23℃)下，將基板c1或c2(圖60中的50)之一邊(CD邊)以固定具31固定而對地面(水平面)垂直地吊掛。此處，假設垂直於包含基板c1或c2之CD邊的地面之面，將此做為垂直面(圖6中的30)。接著，測定由垂直面30起算的的對邊(AB邊)的兩端部，亦即A端及B端的垂直高度(H_A及H_B)，求出其平均值((H_A+H_B)/2)。接著，根據下列基準，評估了基板翹曲。又，本評估之平均值比25mm更大的話，在第2接著膜的真空層積的步驟容易在基板搬送產生不便。

評估基準：

○：平均值為25mm以下

×：平均值比25mm更大

<零件的位置偏移的評估>

以光學顯微鏡(Keyence製造之「VH-5500」)測定了第2接著膜的層積前後之零件位置的變化。測定，係測定基板c1與基板d1之間、或者基板c2與基板d2之間之該對象零件的位置的變化。又，於本評估，以零件的中心為基準點，測定該基準點的位置變化(μm)。接著，根據下列評估基準，評估了零件的位置偏移。

評估基準：

○：位置變化未滿40μm

×：位置變化達40μm以上

〔製作例1〕 (1)樹脂清漆1的調製

把雙酚A型環氧樹脂(環氧當量180、三菱化學(股)製造之「jER828EL」)28部、萘型4官能基環氧樹脂(環氧當量163、大日本油墨化學工業(股)製造之「HP4700」)28部、以及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製造之「YX6954BH30」、固形成分30%之MEK溶液)20部，攪拌於MEK15部與環己酮15部之混合溶媒同時使其加熱溶解。在此，混合含有三氮雜苯骨架的線性酚醛樹脂(羥基當量125，DIC(股)製造之「LA7054」、固形成分60%之MEK溶液、含氮量約12重量%)27部、萘酚系硬化劑(羥基當量215、新日鐵住金化學(股)製造之「SN-485」、固形成分50重量%之MEK溶液)27部、咪唑系硬化促進劑(四國化成工業(股)製造之「2E4MZ」)0.1部、難燃劑(三光(股)製造之「HCA-HQ」、10-(2,5-dihydroxy phenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide、平均粒徑2μm)5部、以胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業(股)製造之「KBM573」)進行表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm、(股)Admatechs製造之「SOC2」)140部、以及聚乙烯丁縮醛樹脂(積水化學工業(股)製造之「KS-1」、固形成分15重量%之乙醇與甲苯之1：1溶液)30部，以高速旋轉混合器均勻地分散，製作了樹脂清漆1。

樹脂清漆1中的不揮發成分之合計為100質量%時，無機填充材(球形二氧化矽)的含量約為58質量%。

(2)第1接著膜1的製作

作為支撐體，準備附有醇酸樹脂系脫模層的PET膜(Lintec(股)製造之「AL5」、厚度38μm)。把在前述調製的樹脂清漆1，以模具塗布機均勻地塗布於該支撐體之脫模層側表面，在80℃~120℃(平均100℃)乾燥5分鐘而形成第1熱硬化性樹脂組成物層。第1熱硬化性樹脂組成物層的厚度為25μm。接著，於熱硬化性樹脂組成物層的表面，作為保護膜貼合聚丙烯膜(王子特殊紙(股)製造之「Alphan MA-411」、厚度15μm)之平滑面側，調製第1接著膜1。

(3)第2接著膜1的製作

作為支撐體，準備附有醇酸樹脂系脫模層的PET膜(Lintec(股)製造之「AL5」、厚度38μm)。把在前述調製的樹脂清漆1，以模具塗布機均勻地塗布於該支撐體之脫模層側表面，在80℃~120℃(平均100℃)乾燥4分鐘而形成第2熱硬化性樹脂組成物層。第2熱硬化性樹脂組成物層的厚度為30μm。接著，於熱硬化性樹脂組成物層的表面，作為保護膜貼合聚丙烯膜(王子特殊紙(股)製造之「Alphan MA-411」、厚度15μm)之平滑面側，調製第2接著膜1。

〔製作例2〕 (1)樹脂清漆2的調製

把雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製造之「ZX1059」、雙酚A型與雙酚F型1：1之混合品，環氧當量約169)5部、萘型環氧樹脂(DIC(股)製造之「HP4032SS」，環氧當量約144)5部、雙二甲酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製造之「YX4000HK」，環氧當量約185)5部，聯苯型環氧樹脂(日本化學(股)製造之「NC3000H」，環氧當量約288)15部，以及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製造之「YL7553BH30」、重量平均分子量約35000，固形成分30重量%之MEK溶液)10部，攪拌於溶劑石腦油(solvent naphtha)25部，同時使其加熱溶解。冷卻至室溫之後，對其加入含有三氮雜苯骨架的線性酚醛系硬化劑(DIC(股)製造之「LA-7054」、羥基當量125、固形成分60%之MEK溶液)10部、萘酚系硬化劑(新日鐵住金化學(股)製造之「SN-485」、羥基當量215、固形成分60重量%之MEK溶液)10部、硬化促進劑(4-二甲基胺基吡啶(DMAP)、固形成分5質量%之MEK溶液)1部、難燃劑(三光(股)製造之「HCA-HQ」、10-(2,5-dihydroxy phenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide、平均粒徑2μm)3部、以胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業(股)製造之「KBM573」)進行表面處理之球形二氧化矽((股)Admatechs製造之「SOC2」、平均粒徑0.5μm、每單位表面積之碳量0.39mg/m²)130部、以高速旋轉混合器均勻地分散，調製了樹脂清漆2。

樹脂清漆2中的不揮發成分之合計為100質量%時，無機填充材(球形二氧化矽)的含量約為73質量%。

(2)第1接著膜2的製作

作為支撐體，準備附有醇酸樹脂系脫模層的PET膜(Lintec(股)製造之「AL5」、厚度38μm)。把在前述調製的樹脂清漆2，以模具塗布機均勻地塗布於該支撐體之脫模層側表面，在80℃~120℃(平均100℃)乾燥5分鐘而形成第1熱硬化性樹脂組成物層。第1熱硬化性樹脂組成物層的厚度為30μm。接著，於熱硬化性樹脂組成物層的表面，作為保護膜貼合聚丙烯膜(王子特殊紙(股)製造之「Alphan MA-411」、厚度15μm)之平滑面側，調製第1接著膜2。

(3)第2接著膜2的製作

作為支撐體，準備附有醇酸樹脂系脫模層的PET膜(Lintec(股)製造之「AL5」、厚度38μm)。把在前述調製的樹脂清漆2，以模具塗布機均勻地塗布於該支撐體之脫模層側表面，在80℃~120℃(平均100℃)乾燥4分鐘而形成第2熱硬化性樹脂組成物層。第2熱硬化性樹脂組成物層的厚度為50μm。接著，於熱硬化性樹脂組成物層的表面，作為保護膜貼合聚丙烯膜(王子特殊紙(股)製造之「Alphan MA-411」、厚度15μm)之平滑面側，調製第2接著膜2。

<實施例1-1>

使用第1接著膜1及第2接著膜1，依照前述〔測定/評估用樣本的調製1〕的程序，製造基板a1至d1。各評估結果顯示於表2-1。又，針對所得到的基板b1，空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)為97μm。

<實施例1-2>

使用第1接著膜2及第2接著膜2，依照前述〔測定/評估用樣本的調製1〕的程序，製造基板a1至d1。各評估結果顯示於表2-1。又，針對所得到的基板b1，空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)為95μm。

<實施例1-3>

<實施例1-4>

<實施例1-5>

除了把第2接著膜之真空層積時的抽真空時間由30秒變更為60秒以外，與實施例1-1同樣進行，製造了基板a1至d1。各評估結果顯示於表2-1。又，針對所得到的基板b1，空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)為 97μm。

<比較例1-1>

使用第1接著膜1及第2接著膜1，依照前述〔測定/評估用樣本的調製1〕的程序，製造了評估基板a1至d1。各評估結果顯示於表2-1。又，針對所得到的基板b1，空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)為97μm。

<實施例2-1>

使用第1接著膜1及第2接著膜1，依照前述〔測定/評估用樣本的調製2〕的程序，製造基板a2至d2。各評估結果顯示於表2-2。又，針對所得到的基板b2，空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)為97μm。

<實施例2-2>

使用第1接著膜2及第2接著膜2，依照前述〔測定/評估用樣本的調製2〕的程序，製造基板a2至d2。各評估結果顯示於表2-2。又，針對所得到的基板b2，空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)為95μm。

<實施例2-3>

<實施例2-4>

使用第1接著膜1及第2接著膜1，依照前述〔測定/評估用樣本的調製2〕的程序，製造基板a2至d2。各評估結果顯示於表2-2。又，針對所得到的基板b2，空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)為98μm。

<實施例2-5>

除了把第2接著膜之真空層積時的抽真空時間由30秒變更為60秒以外，與實施例2-1同樣進行，製造了基板a2至d2。各評估結果顯示於表2-2。又，針對所得到的基板b2，空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)為97μm。

<比較例2-1>

使用第1接著膜1及第2接著膜1，依照前述〔測定/評估用樣本的調製〕的程序，製造了評估基板a2至d2。各評估結果顯示於表2-2。又，針對所得到的基板b2，空孔的非樹脂填充區域的高度(h_B)為97μm。

Claims

一種內藏零件配線基板之製造方法，其特徵為依序包含下列步驟(A)、(B)、(C)及(D)：(A)於具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的內層基板，使包含第1支撐體以及與該第1支撐體接合的第1熱硬化性樹脂組成物層之第1接著膜，以該第1熱硬化性樹脂組成物層與內層基板的第1主面接合的方式進行真空層積的步驟；(B)於空孔內的第1熱硬化性樹脂組成物層暫時固定零件的步驟；(C)於內層基板的第2主面，使包含第2支撐體以及與該第2支撐體接合的第2熱硬化性樹脂組成物層之第2接著膜，以該第2熱硬化性樹脂組成物層與內層基板的第2主面接合的方式，進行真空層積的步驟，且係以第1接著膜表面的加熱溫度比第2接著膜表面的加熱溫度更低的條件進行真空層積的步驟；(D)熱硬化第1及第2熱硬化性樹脂組成物層形成絕緣層的步驟。
如申請專利範圍第1項之方法，其中內層基板為電路基板。
如申請專利範圍第1項之方法，其中內層基板為絕緣基板。
如申請專利範圍第3項之方法，其中絕緣基板，為硬化玻璃纖維膠片、玻璃基板或陶瓷基板。
如申請專利範圍第1項之方法，其中於步驟(C)，當第1接著膜表面的加熱溫度為T₁(℃)，第2接著膜表面的加熱溫度為T₂(℃)時，T₁與T₂滿足T₂-40≦T₁≦T₂-10之關係。
如申請專利範圍第1項之方法，其中第2熱硬化性樹脂組成物層，比第1熱硬化性樹脂組成物層還要厚。
如申請專利範圍第1項之方法，其中於步驟(A)，真空層積第1接著膜之前的內層基板的空孔高度h_A，與真空層積第1接著膜之後的內層基板的空孔之非樹脂填充區域的高度h_B，滿足0.8h_A≦h_B≦h_A之關係。
如申請專利範圍第1項之方法，其中於步驟(C)，第1熱硬化性樹脂組成物層的熔融黏度為2000泊(poise)以上。
如申請專利範圍第1項之方法，其中於步驟(C)及步驟(D)之間，包含藉由加熱壓製而平滑化第1接著膜側及第2接著膜側之雙面的步驟。
如申請專利範圍第1項之方法，其中於步驟(D)，在第1及第2支撐體黏附的狀態進行熱硬化。
如申請專利範圍第2項之方法，其中電路基板的厚度為50~350μm。
如申請專利範圍第3項之方法，其中絕緣基板的厚度為30~350μm。
如申請專利範圍第1項之方法，其中空孔間的間距為1~10mm。
如申請專利範圍第1項之方法，其中第1熱硬化性樹脂組成物層中的無機填充材含量為50質量%以上。
如申請專利範圍第1項之方法，其中在步驟(B)得到的基板的翹曲為25mm以下。
如申請專利範圍第1項之方法，其中進而包含(E)開孔的步驟。
如申請專利範圍第1項之方法，其中進而包含(F)在絕緣層上形成導體層的步驟。
如申請專利範圍第17項之方法，其中步驟(F)，包含粗化處理絕緣層，及在被粗化的絕緣層上藉由鍍層形成導體層。
一種內藏零件絕緣基板，其特徵為依序包含下列步驟(A)、(B)、(C)及(D)：(A)於具有第1及第2主面，被形成貫通該第1及第2主面間的空孔的絕緣基板，使包含第1支撐體以及與該第1支撐體接合的第1熱硬化性樹脂組成物層之第1接著膜，以該第1熱硬化性樹脂組成物層與絕緣基板的第1主面接合的方式進行真空層積的步驟； (B)於空孔內的第1熱硬化性樹脂組成物層暫時固定零件的步驟；(C)於絕緣基板的第2主面，使包含第2支撐體以及與該第2支撐體接合的第2熱硬化性樹脂組成物層之第2接著膜，以該第2熱硬化性樹脂組成物層與絕緣基板的第2主面接合的方式，進行真空層積的步驟，且係以第1接著膜表面的加熱溫度比第2接著膜表面的加熱溫度更低的條件進行真空層積的步驟；(D)熱硬化第1及第2熱硬化性樹脂組成物層形成絕緣層的步驟。
一種內藏零件2層配線基板，其特徵為包含：第1及第2導體層、與第1及第2導體層接合而設於該第1及第2導體層間的申請專利範圍第19項之內藏零件絕緣基板、以及導電連接第1及第2導體層的層間連接體。
如申請專利範圍第20項之內藏零件2層配線基板，其中第1及第2導體層係藉由鍍層形成的。
一種半導體裝置，其特徵為包含以記載於申請專利範圍第1~18項之任一項的方法所製造的內藏零件配線基板。