TWI392352B - 固態影像擷取裝置,固態影像擷取裝置的類比/數位轉換方法,及影像擷取裝置 - Google Patents
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Description
本發明係相關於固態影像擷取裝置,固態影像擷取裝置的類比/數位轉換方法,及影像擷取裝置。
作為固態影像擷取裝置的規劃,知道有被稱作行AD轉換規劃之技術。根據行AD轉換規劃之技術,在如、MOS(包括CMOS)型固態影像擷取裝置之一種X-Y位址型固態影像擷取裝置之放大型固態影像擷取裝置中,例如關於具有各個包括以矩陣形狀二維式配置光電轉換元件之像素的像素陣列單元,每一像素行配置一類比/數位(AD)轉換器,即、行平行,以及將從像素陣列單元的各個像素讀取之類比像素信號轉換成數位資料並且輸出。
在行平行配置的AD轉換器中,比較器比較透過行信號線以列單元為基礎從像素陣列單元的各個像素所讀取之各個類比像素信號與斜坡波形的參考信號,以產生對應於參考成分和信號成分的各個強度並且具有時間軸方向的強度(脈衝寬度)之脈衝信號。一計數器單元在該脈衝信號寬度的期間,計數一預定的時脈,且該計數單元的計數值被轉換成對應該像素信號強度的數位資料,藉此執行AD轉換操作。
為了實現行AD轉換規劃的固態影像擷取裝置中之高速AD轉換,設置有產生比主時脈快的時脈之時脈轉換單
元,及時脈轉換單元所產生的高速時脈被使用當作計數器單元的計數時脈,藉以AD轉換處理的處理速度並不受主時脈的速度(頻率)所限制(如、參考日本未審查專利申請案出版號碼2005-303648,專利文件1)。
尤其是,計數器單元在高速時脈中計數脈衝信號的脈衝寬度直到比較器之比較結束為止,及在比較完成時間中保持計數值。然而,於在第一計數處理中,為從像素讀取之參考成分(重設成分)執行向下計數,在第二計數處理中,為從像素讀取的信號成分執行向上計數。
藉由執行計數處理兩次,第二計數處理之後所保持的計數值變成第一計數處理的計數值之間的差。換言之,當依據高速時脈來執行計數處理時,執行計數模式改變於其中之兩計數處理,藉以可獲得對應於參考成分和信號成分之間的差的數位值當作第二計數處理的計數值。
如上述,根據藉由執行計數處理兩次而將參考成分和信號成分之間的差信號成分轉換成數位資料的習知技術,需要較高速時脈才能夠高速操作總AD轉換處理並且縮短AD轉換時間(AD轉換所需的時間)。因此,AD轉換時間受到計數器單元的操作速度所限。
因此,希望設置一能夠在不受到計數器單元的操作速度限制之下而能夠實現較快的AD轉換之固態影像擷取裝置、固態影像擷取裝置的AD轉換方法,及影像擷取裝置
。
根據本發明的實施例,設置有一固態影像擷取裝置,具有:一像素陣列單元,具有包括各個以矩陣形狀配置的光電轉換元件之單元像素。當將從單元像素所讀取的類比像素信號轉換成數位資料時,藉由比較用於轉換成數位資料的參考信號與類比像素信號,而將像素信號的強度轉換成時間軸方向中的資訊,與比較處理平行地,依據預定時脈,在比較處理的開始時間到結束時間之時間週期期間,在計數器單元中執行計數處理。另一方面,根據預定時脈產生具有固定相位差之多相時脈,及當完成比較處理時鎖存多相時脈的邏輯狀態。將鎖存資料解碼和配置成低於計數處理的計數值之值。
在將從單元像素所讀取的類比相位信號轉換成數位資料之AD轉換處理中,因為係為參考信號和像素信號之間的比較輸出之時間軸方向中的資訊對應於像素信號的強度,所以藉由在比較處理的開始時間到結束時間之時間週期期間,使計數器單元執行計數處理(時間軸方向的資訊),則可獲得像素信號的強度當作計數值(數位值)。藉由當比較處理結束時鎖存多相時脈的邏輯狀態,可獲得具有小於計數器單元中的計數值之最低位元的時間資訊之位元字串。此位元字串經過解碼處理,及解碼資料被添加到計數處理的計數值,當作低於計數值的值。
根據本發明的實施例,當參考信號和像素信號之間的比較處理結束時,鎖存並且解碼多相時脈的邏輯狀態,以
添加當作低於計數器單元的計數值之值。因此,當為同一位元寬度執行AD轉換時,可使計數器單元的位元寬度變窄,如此藉由使計數器單元的位元寬度變窄而獲得快於對應物之AD轉換變成可能,卻不必受到計數器單元的操作速度限制。若在相同AD轉換時間中執行AD轉換,則可增加AD轉換的位元寬度。
下面將參考圖式詳細說明本發明的實施例。
[CMOS影像感測器的結構]
圖1為固態影像擷取設備的外形結構之系統組態圖,如、根據本發明的實施例之行(行平行)AD轉換型CMOS影像感測器。
如圖1所示,根據本實施例之CMOS影像感測器10具有有著像素陣列單元12的系統組態,在像素陣列單元12中,單元像素11具有以矩陣形狀二維式配置的光電轉換元件;及其周邊電路。周邊電路包括列掃描電路13、行處理單元14、參考信號產生單元15、行掃描電路16、水平輸出線17、時脈轉換單元18、時序控制單元19、多相時脈產生單元20、信號處理單元21等。
在此系統組態中,藉由使用類似於半導體積體電路製造技術的技術,在諸如單晶矽等半導體區中,將諸如列掃描電路13、行處理單元14、參考信號產生單元15、行掃
描電路16、水平輸出線17、時脈轉換單元18、時序控制單元19、多相時脈產生單元20、信號處理單元21等用以驅動和控制像素陣列單元12的各個單元像素11之周邊驅動系統和信號處理系統(即、周邊電路)呈一整體地與像素陣列單元12形成在一起。
在行處理單元14的前一或後一階段中,視需要,可將具有信號放大功能等之自動增益控制(AGC)電路設置在與行處理單元14的半導體區完全相同之同一半導體區中。若在行處理單元14的前一階段中執行AGC,則執行類比放大,反之,若在行處理單元14的後一階段中執行AGC,則執行數位放大。然而,若以簡易方式放大N位元數位資料,則可能使音調退化。因此,在類比放大資料之後執行數位轉換被認為較佳。
雖然未圖示,但是單元像素11典型上係由光電轉換元件(如、光電二極體)和具有放大半導體元件(如、電晶體)之內像素放大器所構成。例如,浮動擴散放大器結構被使用當作內像素放大器。
當作一例子,有關光電轉換元件可使用以下四電晶體所構成的結構:當作電荷讀取單元(移轉閘極單元)的例子之移轉電晶體;當作重設閘極單元的例子之重設電晶體;選擇電晶體;及如、源極輸出結構的放大器電晶體。
在內像素放大器中,讀取電晶體讀取在光電轉換元件中以光電轉換成浮動擴散之電荷。重設電晶體重設浮動擴散的電位到預定電位。選擇電晶體與列掃描電路13的掃
描同步化地選擇單元像素11。放大器電晶體偵測浮動擴散的電位變化。
單元像素11並不侷限於上述4電晶體結構,而是也可使用其他像素結構,諸如藉由使放大電晶體具有選擇電晶體的像素選擇功能而減少一電晶體之3電晶體結構等。
在像素陣列單元12中,以m列和n行二維式配置單元像素11。關於m列和n行的像素陣列,為各別列佈線列控制線121(121-1至121-m),及為各自行佈線行信號線122(122-1至122-n)。
列控制線121-1至121-m的一端連接到對應於列掃描電路13的各自列之各自輸出端子。
列掃描電路13係由移位暫存器、解碼器等所構成,及當驅動像素陣列單元12的各個單元像素11時,透過列控制線122-1至121-m來控制像素陣列單元12的列位址和列掃描。
行處理單元14具有設置給像素陣列單元12的各自像素行之類比/數位轉換單元(下面稱作行ADC單元)22-1至22-n,即、設置給各自行信號線122-1至122-n,及將透過每一各自像素行的行信號線122-1至122-n,從像素陣列單元12的各自單元像素11所讀取之類比像素信號轉換成欲輸出的數位資料。
在此例中,採用以與像素陣列單元12的像素行之一對一對應關係配置行ADC單元22(22-1至22-n)之結構。然而,此結構只是一例子,並不侷限於此規劃。例如,
可以採用將一行ADC單元22配置給複數像素行,而在複數像素行間劃時地使用另一行ADC單元22之結構。
行處理單元14連同參考信號產生單元15、多相時脈產生單元20、及信號處理單元21的解碼單元210(稍後說明)一起構成用以將從像素陣列單元11的選定像素列之各自單元像素12所讀取的類比像素信號轉換成數位像素資料之類比/數位轉換機構。稍後將說明行處理單元14的細節,尤其是行ADC單元22(22-1至22-n)。
參考信號產生單元15係由例如、積分器151所構成,及在時序控制單元19的控制下,產生位準隨著時間消逝而以斜坡形狀變化(在此例中,是下降斜坡)之所謂的斜坡波形之參考電壓RAMP,用以透過參考信號線23供應參考電壓RAMP到行處理單元14的行ADC單元22-1至22-n。
用以產生斜坡波形的參考電壓RAMP之機構並不侷限於使用積分器151的結構,而是可藉由使用數位/類比轉換器(DAC)取代積分器151來產生斜坡波形的參考電壓RAMP。
然而,若採用藉由使用積分器151以類比方式產生斜坡波形的參考電壓RAMP之結構,則可獲得平滑的參考電壓RAMP。另一方面,若採用藉由使用DAC以數位方式產生斜坡波形的參考電壓RAMP之結構,則參考電壓RAMP具有階梯式斜坡波形。若獲得參考電壓RAMP,尤其是具有高解析度者,則需要使階梯式斜坡波形的各個階梯都精
細,因此,產生電路規模變大的不利點。
行掃描電路16係由移位暫存器、解碼器等所構成,及控制行處理單元14的行ADC單元22-1至22-n的行位址和行掃描。在行掃描電路16的控制之下,各自在行ADC單元22-1至22-n中被A/D轉換之數位資料被連續讀取到水平輸出線17。
時脈轉換單元18係由如、乘法器電路181所構成,接收外部輸入的主時脈MCK,將主時脈轉換成具有高於主時脈MCK的頻率兩倍或更多之頻率的高速時脈CLK,及供應高速時脈CLK到時序控制單元19。
根據從時脈轉換單元18所供應的高速時脈CLK,時序控制單元19產生被使用當作列掃描電路13、行處理單元14、參考信號產生單元15、行掃描電路16、多相時脈產生單元20等的操作標準之內部時脈、控制信號等,及供應內部時脈、控制信號等到列掃描電路13、行處理單元14、參考信號產生單元15、行掃描電路16、多相時脈產生單元20、信號處理單元21等。
以此方式,依據時脈轉換單元18所產生的高速時脈CLK來產生內部時脈、控制信號等,及藉由使用內部時脈來執行電路操作,能夠以比依據主時脈MCK時還快的速度執行諸如將類比像素信號轉換成數位資料之AD轉換處理與向外輸出視頻資料之輸出處理等各種信號處理。
多相時脈產生單元20係由例如延遲鎖定廻路(DLL)201所構成,及藉由給予固定相位差(延遲)給時脈轉
換單元(乘法器電路)18所產生之高速時脈而輸出多相時脈,如、四相時脈CK0、CK1、CK2、及CK3,並且透過時序控制電路19來供應。稍後將說明延遲鎖定廻路201的特定結構。
在行掃描電路16的控制之下,信號處理單元21透過水平輸出線17接收從行處理單元14的行ADC單元22-1至22-n所讀取之數位資料,並且對數位資料執行諸如解碼(稍後說明)等信號處理和輸出作為視頻資料。
(行ADC單元)
接著,將說明行ADC單元(類比/數位轉換單元)22-1至22-n的結構。
各個行ADC單元22-1至22-n比較透過行信號線122-1至122-n從像素陣列單元12的各個單元像素11所讀取之類比像素信號與從參考信號產生單元15所供應的參考信號以轉換成數位資料,以及產生具有對應於參考成分和信號成分的各個強度之時間軸方向中的強度(脈衝強度)之脈衝信號。在脈衝信號的脈衝寬度(時間軸方向上的資訊)之時間週期期間計數預定時脈,及藉由假設計數值作為對應於像素信號的強度之數位資料來執行A/D轉換。
將參考圖1特別說明行ADC單元22-1至22-n的結構細節。所有行ADC單元22-1至22-n的具有相同結構,藉由引用行ADC 22-n當作例子來進行以下說明。
行ADC 22-n被組配成包括電壓比較單元(比較器)221;第一鎖存器單元222;當作計數機構的例子之計數器,例如向上/向下計數器(在圖1中以U/D計數器來表示)223;及第二鎖存器單元224。
當作比較單元的例子之電壓比較單元221比較對應於透過行信號線122-n從像素陣列單元12的第n行中之單元像素11所輸出的類比像素信號之信號電壓Vx與從參考信號產生單元15供應的斜坡波形之參考電壓RAMP,以將像素信號的強度轉換成時間軸方向中的資訊(脈衝信號的脈衝寬度)。例如,當參考電壓RAMP大於信號電壓Vx時,電壓比較單元221的比較輸出Vco變成高位準,及當參考電壓RAMP不大於信號電壓Vx時,變成低位準。
第一鎖存器單元222接收電壓比較單元221的比較輸出Vco,及在比較輸出Vco反相時,鎖存(保持/儲存)多相時脈產生器單元20所產生之四相時脈(CK0、CK1、CK2、及CK3)的邏輯狀態,即、無論邏輯是"1"(高位準)或"0"(低位準)。
作為計數器單元之一例的向上/向下計數器223,藉由採用透過第一鎖存器單元222所供應之例如,時脈CK0(高速時脈CLK)),其得自四相時脈CK0、CK1、CK2、及CK3,而執行向上/向下計數操作,藉以量測電壓比較單元221中之比較處理的開始時間到比較處理的結束時間之比較時間週期(=計數值×計數時脈時間週期)。
尤其是,在從一單元像素11讀取信號的操作中,在從時序控制單元19所供應之控制信號的控制之下,向上/向下計數器223藉由在第一讀取操作中執行向下計數來量測第一讀取操作的比較時間,及藉由在第二讀取操作中執行向上計數來量測第二讀取操作的比較時間。
雖然向上/向下計數器223在第一讀取操作期間執行向下計數和在第二讀取操作期間執行向上計數,但是亦可採用在第一讀取操作中執行向上計數而在第二讀取操作中執行向下計數之結構。該第一及第二讀取操作將稍後詳述。
在時序控制單元19的控制之下,第二鎖存器單元224鎖存向上/向下計數器223的最後計數值。具有鎖存功能的計數器可被使用當作向上/向下計數器223。在此例中,不需要第二鎖存單元224。
在行掃描電路16之行掃描的控制之下,第一和第二鎖存器單元222及224的各個鎖存資料被連續讀取到水平輸出線17,當作對應於單元像素11的類比像素信號之數位像素資料,及由水平輸出線17移轉到信號處理單元21。
第一鎖存器單元222的鎖存資料是對應於四相時脈CK0至CK3的4位元資料。第二鎖存器單元224的鎖存資料是例如10位元資料。10位元資料只是例子,及亦允許具有小於10位元的位元之資料(如、8位元)或具有大於10位元的位元之資料(如、14位元)。
(多相時脈產生單元)
接著,參考圖2,將說明構成多相時脈產生單元20的延遲鎖定廻路201之特定結構。圖2為延遲鎖定廻路201的結構之例子的方塊圖。
此例的延遲鎖定廻路(DLL)201係由分頻器電路31、反相器32、(主要)延遲電路33、相位比較器34、電荷泵35、迴路濾波器36、(從屬)延遲電路37、及時脈賦能電路38-0至38-3所構成。
(主要)延遲電路33係由n階段串級連接延遲電路331-1至331-n和(n-1)連接至延遲電路331-1至331-n-1的各個輸出端子之緩衝器332-1至332-n-1所構成。
延遲電路331-1至331-n的級數,n,係由分頻電路31的分頻比所決定的。尤其是,被決定如下:當分頻電路31的分頻比是2時,級數是4;當分頻比是4時,級數是8;當分頻比是6時,級數是16;當分頻比是16時,級數是32等。
然而,延遲電路331-1至331-n的級數,n,係由多相時脈的相位數量所決定。尤其是,延遲電路331-1至331-n的級數係由下面公式所決定的。
n=(多相時脈的相位數量)×(分頻比)/2
(從屬)延遲電路37係由五個串級連接的延遲電路
371-1至371-5和連接至延遲電路371-1至371-4的各個輸出端子之四個緩衝器372-1至372-4所構成。
在如上述所構成的延遲鎖定廻路201中,分頻電路31將輸入的時脈分頻,在相位比較器34中比較(主要)延遲電路33中所延遲之延遲時脈與藉由在反相器32中將分頻電路31的輸出反相所獲得之反相時脈,及透過電荷泵35及迴路濾波器36執行驅動能力控制,使得相位一致。以此方式控制(主要)延遲電路33的延遲量。
利用驅動能力控制,亦可控制(從屬)延遲電路37的延遲量。因為(從屬)延遲電路37的延遲電路371(371-1至371-5)之一階段是(主要)延遲電路33的延遲電路331(331-1至331-5)之一個級的拷貝,所以(從屬)延遲電路37的一個級之延遲與(主要)延遲電路33的一個級之延遲一致。
根據從時序控制單元19(參考圖1)輸入到延遲鎖定廻路201的時脈控制信號,在時脈賦能電路38-0至38-3中輸出/停止由(從屬)延遲電路37給予固定相位差(延遲)之時脈,並且輸出當作四相時脈CK0、CK1、CK2及CK3。
(信號處理單元)
接著,將說明在信號處理單元21的功能之一下(即、在行掃描電路16的控制之下)的用以解碼連續從行ADC單元22-1至22-n所讀取的數位資料之解碼單元。
圖3為信號處理單元21的解碼單元之組態的例子之方塊圖。如圖3所示,此例的解碼單元210係由解碼器211及212、差分電路213、及借位計算電路214所構成。
依據高速時脈CLK,解碼單元210將用以鎖存四相時脈CK0、CK1、CK2及CK3的邏輯狀態之第一鎖存器單元222的鎖存資料,和用以鎖存向上/向下計數器223的計數值之第二鎖存器單元224的鎖存資料解碼成低於向上/向下計數器223的計數值之最低位元的二元化輸出延伸位元。
稍後將說明用以鎖存四相時脈CK0、CK1、CK2及CK3的邏輯狀態之第一鎖存器單元222的鎖存資料之細節,但是鎖存資料係由向上/向下計數器223的向下計數週期期間所鎖存之鎖存輸出(DOWN)和向上計數週期期間所鎖存之鎖存輸出(UP)所構成的。
解碼器211及212根據圖4所示之解碼表的內容來解碼鎖存輸出(DOWN)和鎖存輸出(UP)。尤其是,四位元的輸入是MSB中的Latch 3,然後Latch 1及Latch 2,及LSB中的Latch 0(稍後將說明Latch 0到Latch 3的內容)。將0001的輸入解碼成2位元的00之輸出,0011成01,0111成10,1111成11,1110成00,1100成01,1000成10,及0000成11。
差分電路213計算解碼器211及212的各個解碼輸出之間的差,即、來自鎖存輸出(UP)的解碼值和來自鎖存輸出(DOWN)的解碼值之間的差。
借位計算電路214為向上向下計數器223的計數值之鎖存輸出之計數輸出(10位元)執行借位計算處理,藉以當來自鎖存輸出(DOWN)的解碼值大於來自鎖存輸出(UP)的解碼值時,執行以借位添加之來自鎖存輸出(UP)的解碼值和來自鎖存輸出(DOWN)的解碼值之間的差計算。
從信號處理單元21輸出如此獲得的差計算結果當作視頻資料:10位元+2位元(此2位元係從向上/向下計數器223的輸出(10位元)之後2位元所延伸的)。
(CMOS影像感測器的操作)
接著,關於圖5的時序圖,將說明具有上述之結構的CMOS影像感測器之整個操作,尤其是行ADC單元22-1至22-n的操作。
雖然省略單元像素11的特定操作之說明但是,如同眾所皆知一般,重設電晶體的重設操作和移轉電晶體的移轉操作是在單元像素11中執行的。
在重設操作中,當重設成預定電位時的浮動擴散之電位係從單位像素11讀取至行信號線122-1至122-n,當作參考成分(重設成分)。在移轉操作中,當從光電轉換元件移轉光電轉換的電荷時的浮動擴散之電位係從單位像素11讀取至行信號線122-1至122-n,當作信號成分。
行ADC單元22-1至22-n中的AD轉換之規劃,即、將從像素陣列12的各個單位像素11輸出之類比像素信號
轉換成數位信號的規劃,採用下面方案。
也就是說,例如,搜尋在預定斜率以下的斜坡波形之參考電壓RAMP與從單位像素供應的像素信號之參考成分和信號成分的各個電壓一致之點。從當產生比較處理所用的參考電壓RAMP時到當參考電壓RAMP與對應於像素信號的參考成分和信號成分之信號一致時的時間週期係藉由使用高速時脈CLK的計數和具有固定相位差之多相時脈的邏輯狀態(在此例中為四相時脈CK0至CK3)來量測。以此方式,獲得對應於參考成分和信號成分的各個強度之數位資料。
在第一讀取操作期間,從像素陣列單元12的選定列之各個單位像素11讀取包含像素信號的雜訊之重設成分(參考成分)△V當作類比像素信號。之後,在第二讀取操作期間,讀取信號成分Vsig。以時間序列,透過行信號線122-1至122-n,將重設成分△V和信號成分Vsig輸入到行ADC單元22-1至22-n。
第一次所讀取之重設成分△V包含每一單位像素11而改變之固定圖型雜訊當作偏移量。在第二讀取操作期間,除了重設成分△V之外,還讀取對應於每一單位像素11的入射光量之信號成分Vsig。然後,為重設成分△V執行第一AD轉換處理,為添加信號成分Vsig到重設成分△V的信號執行第二AD轉換處理。
<第一讀取操作>
就第一讀取操作而言,時序控制單元19首先將向上/向下計數器223的計數值重設成最初值"0",及將向上/向下計數器223設定成向下計數模式。
在穩定化從任一像素列的單位像素11到行信號線122-1至122-n之第一讀取操作之後,時序控制單元19供應用以產生參考信號RAMP之控制資料到參考信號產生單元15的積分器151。
當從時序控制單元19供應用以產生參考信號RAMP之控制資料時,參考信號產生單元15輸入整體而言以斜坡形狀在時間範圍中變化之參考電壓RAMP,當作欲供應到電壓比較單元221的一輸入端子之比較電壓。電壓比較單元221比較斜坡波形的參考電壓RAMP與從像素陣列單元12的選定列之各個單位像素11供應的類比信號電壓Vx。
此時,在參考電壓RAMP被輸入到電壓比較單元221(時間t1)的同時,與參考信號產生單元15所產生的參考電壓RAMP同步化地,透過第一鎖存器單元222,將計數時脈CK0從延遲控制電路(DLL)201輸入到向上/向下計數器223的時脈端子,以使每一行所配置的向上/向下計數器223量測電壓比較單元221的比較時間。
向上/向下計數器223從最初值"0"開始向下計數當作第一計數操作。也就是說,向上/向下計數器223在負方向開始計數處理。
依據來自時脈轉換單元18的高速時脈CLK,延遲鎖
定廻路201產生計數時脈CK0,因此,計數時脈的速度快於從外部輸入之主時脈MCK的速度。另外,由於延遲鎖定廻路201的影響,相對於其他時脈(CK1至CK3),計數時脈CK0維持固定相位差。
電壓比較單元221比較從參考信號產生單元15供應的斜坡形狀之參考電壓RAMP與透過行信號線122-1至122-n從選定列的單位像素11輸入之信號電壓Vx,及當兩電壓一致時,比較輸出Vco從高位準倒轉成低位準。
也就是說,在第一讀取操作期間,電壓比較單元221比較對應於單位像素11的重設成分(參考成分)△V之信號電壓與參考電壓RAMP,在對應於重設成分△V的強度之時間消逝之後輸出活動的低脈衝信號(比較輸出Vco),及供應輸出信號到第一鎖存器單元222。
圖6為倒轉比較輸出Vco之前和之後的時序關係之放大圖。約在活動低比較輸出Vco倒轉的相同時間,第一鎖存器單元222鎖存從延遲鎖定廻路201供應之四相時脈CK0到CK3的邏輯狀態(Latch 0到Latch 3)。此鎖存資料被保持在第一鎖存器單元222中,直到由行掃描電路16的行掃描讀取鎖存資料為止。
當接收第一鎖存器單元222的鎖存器結果時,向上/向下計數器223停止向下計數操作。尤其是,在第一鎖存器單元222中,Latch 0變成固定到邏輯"1"的狀態(高位準),及因為停止從第一鎖存器單元222到向上/向下計數器223之計數時脈CK0的供應,所以向上/向下計數器
223約在倒轉比較輸出Vco時(時間t2)停止計數操作。
換言之,在當接收活動低比較輸出Vco的倒轉時之第一鎖存器單元222鎖存四相時脈CK0到CK3的邏輯狀態同時,向上/向下計數器223停止計數操作。第一鎖存器單元222獲得比向上/向下計數器223的計數值之最低位元更詳細的時間資訊當作鎖存器行資訊。
在上述例子中,Latch 0變成固定到邏輯"1"的狀態(高位準),及停止計數時脈CK0的操作,但是在實際操作中,即使當Latch 0變成固定到邏輯"0"的狀態(低),亦停止計數時脈CK0的供應。也就是說,不僅當Latch 0採用邏輯"1"時而且當Latch 0採用邏輯"0"時亦停止計數時脈CK0的供應。
在此例中,透過第一鎖存器單元222供應當作計數時脈的時脈CK0到向上/向下計數器223以量測時間,及在第一鎖存器單元222的鎖存時序中停止到向上/向下計數器223之時脈CK0的供應。然而,亦可採用例如直接從多相時脈產生單元20供應時脈CK0到向上/向下計數器223,並且在倒轉電壓比較單元221的比較輸出Vco時序中停止到向上/向下計數器223之時脈CK0的供應之組態。
在上述結構中,透過保持具有固定相位差之四相時脈CK0至CK3的邏輯狀態之第一鎖存器單元222執行到向上/向下計數器223之高速時脈CLK(在此例中是時脈CK0)的供應。從上述操作可明白,因為在第一鎖存器單元222鎖存四相時脈CK0至CK3的邏輯狀態時自動停止時脈
CK0的供應,所以不需要設置用以停止到計數器223的計數時脈之供應的特定機構,及有利於簡化電路組態。
以此方式,在當參考信號產生單元15於時間t1產生斜坡波形之參考電壓RAMP的同時,向上/向下計數器223開始向下計數。直到由電壓比較單元221的比較處理獲得活動的低脈衝信號為止,即、直到倒轉電壓比較單元221的比較輸出Vco為止,在時脈CK0中執行計數,以及在倒轉比較輸出Vco的時序中鎖存由延遲鎖定廻路201所獲得並且具有固定相位差之四相時脈CK0至CK3的邏輯狀態。因此,能夠獲得具有對應於重設成分△V的強度之計數值的位元列,和比計數值的最低位元更詳細之時間資訊。
在預定向下計數時間週期消逝之後(時間t3),時序控制單元19停止供應控制資料到參考信號產生單元15和從多相時脈產生單元20供應四相時脈CK0至CK3到第一鎖存器單元222。因此,參考信號產生單元15停止產生斜坡形狀的參考電壓RAMP。
<第二讀取操作>
在下一第二讀取操作中,除了重設成分△V之外,讀取出對應於各個單位像素11的入射光量之信號成分Vsig,及執行類似於第一讀取操作中的那些操作之操作。也就是說,首先時序控制單元19將向上/向下計數器223設定成向上計數模式。
在穩定化從任一像素列的單位像素11到行信號線122-1至122-n之第二讀取操作之後,時序控制單元19供應用以產生參考信號RAMP之控制資料到參考信號產生單元15的積分器151。
當從時序控制單元19供應用以產生參考信號RAMP之控制資料時,參考信號產生單元15輸入整體而言以斜坡形狀在時間範圍中變化之參考電壓RAMP,當作欲供應到電壓比較單元221的一輸入端子之比較電壓。電壓比較單元221比較斜坡波形的參考電壓RAMP與從像素陣列單元12的選定列之各個單位像素11供應的類比信號電壓Vx。
在參考電壓RAMP被輸入到電壓比較單元221(時間t4)的同時,與參考信號產生單元15所產生的參考電壓RAMP同步化地,透過第一鎖存器單元222,將計數時脈CK0從延遲鎖定廻路201輸入到向上/向下計數器223的時脈端子,以使每一行所配置的向上/向下計數器223量測電壓比較單元221的比較時間。
向上/向下計數器223從對應於第一讀取操作期間所獲得的單元像素11之重設成分△V的計數值開始向上計數,當作與第一讀取操作相反之第二計數操作。也就是說,向上/向下計數器223在正方向開始計數處理。
電壓比較單元221比較從參考信號產生單元15供應的斜坡形狀之參考電壓RAMP與透過行信號線122-1至122-n從選定列的單位像素11輸入之信號電壓Vx,及當
兩電壓一致時,比較輸出Vco從高位準倒轉成低位準。
也就是說,將對應於信號成分Vsig的信號電壓與參考電壓RAMP比較,以及在對應於信號成分Vsig的強度之時間消逝之後,將活動的低脈衝信號(比較輸出Vco)輸出和供應到第一鎖存器單元222。
當接收活動的低比較輸出Vco時,第一鎖存器單元222鎖存(Latch 0至Latch 3)從延遲鎖定廻路201供應的四相時脈CK0至CK3之邏輯狀態。與第一讀取操作期間的鎖存資料分開,此鎖存資料被保持在第一鎖存器單元222,直到經由行掃描電路16的行掃描讀取為止。
當接收第一鎖存器單元222的鎖存器結果時,向上/向下計數器223停止向上計數操作。尤其是,在第一鎖存器單元222中,Latch 0變成固定到邏輯"1"的狀態(高位準),及停止從第一鎖存器單元222到向上/向下計數器223之計數時脈CK0的供應。因此,向上/向下計數器223約在倒轉比較輸出Vco的同時(時間t5)停止計數操作。
換言之,當接收活動的低比較輸出Vco之倒轉時,第一鎖存器單元222鎖存四相時脈CK0至CK3的邏輯狀態,同時,向上/向下計數器223停止計數操作。
類似於上述的向下計數操作,同樣地在向上計數操作中,不僅當Latch 0採用邏輯"1"時而且當Latch 0採用邏輯"0"時亦停止計數時脈CK0的供應。
如上述,在時間t4於參考信號產生單元15中產生斜坡波形的參考電壓RAMP之同時,向上/向下計數器223
從對應於重設成分△V的計數值開始向上計數。直到由電壓比較單元221之比較處理獲得活動的低脈衝信號為止,即、直到倒轉電壓比較單元221的比較輸出Vco為止,在時脈CK0中執行計數,以及在倒轉比較輸出Vco的時序中鎖存由延遲鎖定廻路201所獲得並且具有固定相位差之四相時脈CK0至CK3的邏輯狀態。因此,能夠獲得具有對應於信號成分Vsig的強度之計數值的位元列,和比計數值的最低位元更詳細之時間資訊。
在預定向上計數時間週期消逝之後(時間t6),時序控制單元19停止供應控制資料到參考信號產生單元15和從多相時脈產生單元20供應四相時脈CK0至CK3到第一鎖存器單元222。因此,參考信號產生單元15停止產生斜坡形狀的參考電壓RAMP。
如上述,在CMOS影像感測器10中,以時間序列,透過行信號線122-1至122-n,從像素陣列單元12的選定列之各個單元像素11輸入重設成分△V和信號成分Vsig到行ADC單元22-1至22-n。在CMOS影像感應器中,向上/向下計數器223執行向下計數操作當作第一計數操作和向上計數操作當作第二計數操作,藉以在向上/向下計數器223中自動執行(第二比較週期)-(第一比較週期)的減法處理,及在向上/向下計數器223中保持對應於減法結果的計數值。
(第二比較週期)-(第一比較週期)=(信號成分Vsig+重設成分△V+行ADC單元22的偏移成分)-(重設
成分△V+行ADC單元22的偏移成分)=信號成分Vsig。因此,除了包含每一單元像素11的變化之重設成分△V之外,向上/向下計數器223中的兩讀取操作和減法處理去除各個行ADC單元22(22-1至22-n)的偏移成分。因此,能夠只析取對應於每一單元像素11的入射光量之信號成分Vsig。
去除包含每一單元像素11之變化的重設成分△V之處理是所謂的相關雙取樣(CDS)處理。雖然在此實施例中於行ADC單元22(22-1至22-n)中執行此CDS處理,但是可組配成在下一階段中於信號處理單元21中執行CDS處理。在此例中,因為行ADC單元22(22-1至22-n)不需要執行減法處理,所以使用一般計數器取代向上/向下計數器223。
在時序控制單元19的控制之下,以第二鎖存器單元224鎖存根據第二讀取操作之保持在向上/向下計數器223中當作減法結果的計數值。以行掃描電路16的行掃描將第二鎖存器單元224鎖存之一列的計數值連續讀取到水平輸出線17,且供應至該信號處理單元21作為對應該等信號成分Vsig強度之位元列的像素資料。
在對應於信號成分Vsig的強度之像素資料的讀取操作期間,由行掃描電路16的行掃描鎖存在第一鎖存器單元222之第一讀取操作期間的鎖存資料(DOWN)和第二讀取操作期間的鎖存資料(UP)被連續讀取到水平輸出線17和供應到信號處理單元21。
在信號處理單元21中,由解碼器211及212解碼具有比第一鎖存器單元222所獲得之計數值的最低位元更詳細之時間資訊的位元列,及在差分電路213中獲得兩資料之間的差。
[實施例的操作效果]
如至目前的說明一般,當倒轉類比像素信號的信號電壓Vx和斜坡波形的參考電壓RAMP之間的比較輸出Vco時,藉由產生具有固定相位差之多相時脈,和藉由鎖存多相時脈的邏輯狀態,能夠由高速時脈CLK獲得具有比向上/向下計數器223的計數值之最低位元還詳細的時間資訊之位元列。
在此例中,例如,四相時脈CK0至CK3被使用當作多相時脈,及可將高速時脈CLK的一時脈之時間持續期間(在此例中是時脈CK0)分成四週期。因此,能夠獲得具有高速時脈CLK的一時脈週期之四分之一單位的詳細時間資訊之位元列。藉由增加多相時脈的相位數量,可獲得具有更詳細時間資訊之位元列。
藉由在下一階段的信號處理單元21中解碼具有比向上/向下計數器223的計數值之最低位元更詳細的時間資訊之位元列,可藉由高速時脈CLK將解碼資料添加到向上/向下計數器223的計數值,當作較低的位元輸出值。因此,當為相同位元寬度執行AD轉換時,可減少向上/向下計數器223的位元寬度。
因此,快於向上/向下計數器223的位元寬度之減少的對應物之AD轉換變成可能,而不受到向上/向下計數器223的操作速度限制。若在相同AD轉換時間中執行AD轉換,則可加寬AD轉換的位元寬度。
[修改]
在實施例中,藉由引用將本發明應用到具有以矩陣形狀所配置的單元像素並且偵測對應於可見光量的電荷量之信號電荷當作物理量之CMOS影像感測器的例子加以說明。然而,本發明並不侷限於到CMOS影像感測器的應用,而是可應用到具有對應於像素陣列單元的像素行所配置之ADC單元之行(行平行)AD轉換規劃的一般固態影像擷取裝置。
另外,本發明的應用並不侷限於以偵測可見光入射量的分佈來擷取影像之固態影像擷取裝置,而是可應用到用以擷取紅外光、X射線、粒子等的入射量當作影像之固態影像擷取裝置,及廣義而言,亦可應用到用以偵測和擷取諸如壓力和靜電電容等其他物理量的分佈來當作影像之諸如指印偵測感測器等一般固態影像擷取裝置(物理量分佈偵測裝置)。
而且,本發明的應用並不侷限於以列單元為基礎來連續掃描像素陣列單元的各個單元像素以從各個單元像素讀取像素信號之固態影像擷取裝置,而是也可以是以像素單元為基礎來選擇任一像素和以像素單元為基礎而從選定的
像素讀取信號之X-Y位址型的固態影像擷取裝置。
固態影像擷取裝置可以是一晶片形式,或具有影像擷取功能並且共同封裝成像單元和信號處理單元或光學系統之模組形式。
另外,本發明的應用並不侷限於固態影像擷取裝置,而是亦可以是影像擷取設備。此處所說明的影像擷取設備欲意指相機系統,諸如數位靜態相機和視頻相機等;及電子設備,具有成像功能,諸如行動電話等。安裝在電子設備上的模組形式(即、相機模組)可被使用當作影像擷取設備。
[影像擷取設備]
圖7為根據本發明的影像擷取設備之結構的例子之方塊圖。如圖7所示,根據本發明的影像擷取設備50包括具有透鏡組51的光學系統,固態影像擷取裝置52,當作相機信號處理單元之DSP電路53,圖框記憶體54,顯示裝置55,記錄裝置56,操作系統57,電源系統58等,並且被組配成透過匯流排線59互連DSP電路53圖框記憶體54,顯示裝置55,記錄裝置56,操作系統57,電源系統58。
透鏡組51接收來自物體的入射光(影像光),及在固態影像擷取裝置52的成像面上形成影像。固態影像擷取裝置52以像素單元為基礎,將由透鏡組51在成像面上形成當作影像之入射光的光量轉換成電信號。使用上述實
施例之行AD轉換規劃的CMOS影像感測器10當作固態影像擷取裝置52。
顯示裝置55係由諸如液晶顯示單元等面板型顯示單元和有機場致發光(EL)顯示單元所構成,其顯示固態影像擷取裝置52所擷取的移動影像或靜止影像。記錄裝置56將固態影像擷取裝置52所擷取的移動影像或靜態影像記錄到記錄媒體,諸如錄影帶或數位多用途碟(DVD)等。
操作系統57依據使用者操作而為影像擷取設備的各種功能發出操作命令。電源系統58供應充作操作電力等的各種電源到包括DSP電路53、圖框記憶體54、顯示裝置55、記錄裝置56、及操作系統57之目標裝置。
如上述,根據上述實施例之行AD轉換規劃的CMOS影像感測器10被使用當作諸如視頻相機、數位靜態相機、用於諸如行動電話等行動設備的相機模組等影像擷取設備中之固態影像擷取裝置52。因此,藉由該CMOS感測器10,可實現更快的AD轉換處理,作為影像擷取設備的處理速度可更快。
精於本技藝之人士應明白,只要在附錄於後的申請專利範圍和其同等物的範疇內,可依據設計要求而有各種修正、組合、子組合、及變更。
本文件包含有關日本專利局於2007年8月6日所發表之日本專利申請案號碼2007-203786的主題,此處併入其全文做為參考。
10‧‧‧互補金氧半導體影像感測器
11‧‧‧單元像素
12‧‧‧像素陣列單元
13‧‧‧列掃描電路
14‧‧‧行處理單元
15‧‧‧參考信號產生單元
16‧‧‧行掃描電路
17‧‧‧水平輸出線
18‧‧‧時脈轉換單元
19‧‧‧時序控制單元
20‧‧‧多相時脈產生單元
21‧‧‧信號處理單元
22‧‧‧類比/數位轉換單元(行ADC單元)
22-1‧‧‧類比/數位轉換單元
22-2‧‧‧類比/數位轉換單元
22-n‧‧‧類比/數位轉換單元
23‧‧‧參考信號線
31‧‧‧分頻器電路
32‧‧‧反相器
33‧‧‧(主要)延遲電路
34‧‧‧相位比較器
35‧‧‧電荷泵
36‧‧‧迴路濾波器
37‧‧‧(從屬)延遲電路
38-0‧‧‧時脈賦能電路
38-1‧‧‧時脈賦能電路
38-2‧‧‧時脈賦能電路
38-3‧‧‧時脈賦能電路
50‧‧‧影像擷取設備
51‧‧‧透鏡組
52‧‧‧固態影像擷取裝置
53‧‧‧數位信號處理器電路
54‧‧‧圖框記憶體
55‧‧‧顯示裝置
56‧‧‧記錄裝置
57‧‧‧操作系統
58‧‧‧電源系統
59‧‧‧匯流排線
121-1‧‧‧列控制線
121-2‧‧‧列控制線
121-m‧‧‧列控制線
122-1‧‧‧行信號線
122-2‧‧‧行信號線
122-n‧‧‧行信號線
151‧‧‧積分器
181‧‧‧乘法器電路
201‧‧‧延遲鎖定廻路
210‧‧‧解碼單元
211‧‧‧解碼器
212‧‧‧解碼器
213‧‧‧差分電路
214‧‧‧借位計算電路
221‧‧‧電壓比較單元
222‧‧‧第一鎖存器單元
223‧‧‧向上/向下計數器
224‧‧‧第二鎖存器單元
331-1‧‧‧延遲電路
331-2‧‧‧延遲電路
331-n-1‧‧‧延遲電路
331-n‧‧‧延遲電路
332-1‧‧‧緩衝器
332-2‧‧‧緩衝器
332-n-1‧‧‧緩衝器
371-1‧‧‧延遲電路
371-2‧‧‧延遲電路
371-3‧‧‧延遲電路
371-4‧‧‧延遲電路
371-5‧‧‧延遲電路
372-1‧‧‧緩衝器
372-2‧‧‧緩衝器
372-3‧‧‧緩衝器
372-4‧‧‧緩衝器
MCK‧‧‧主時脈
CLK‧‧‧高速時脈
圖1為根據本發明的實施例之行AD轉換型CMOS影像感測器的外形結構之系統組態圖;圖2為構成多相時脈產生器單元之延遲控制電路的結構之例子的方塊圖;圖3為信號處理單元的解碼單元之結構的例子之方塊圖;圖4為解碼單元的解碼器的解碼表圖;圖5為行ADC單元的操作之時序表;圖6為倒轉比較輸出Vco之前和之後的時序關係放大圖之時間表;及圖7為本發明的影像結構設備之結構的例子之方塊圖。
31‧‧‧分頻器電路
32‧‧‧反相器
33‧‧‧(主要)延遲電路
34‧‧‧相位比較器
35‧‧‧電荷泵
36‧‧‧迴路濾波器
37‧‧‧(從屬)延遲電路
38-0‧‧‧時脈賦能電路
38-1‧‧‧時脈賦能電路
38-2‧‧‧時脈賦能電路
38-3‧‧‧時脈賦能電路
331-1‧‧‧延遲電路
331-2‧‧‧延遲電路
331-n-1‧‧‧延遲電路
331-n‧‧‧延遲電路
332-1‧‧‧緩衝器
332-2‧‧‧緩衝器
332-n-1‧‧‧緩衝器
371-1‧‧‧延遲電路
371-2‧‧‧延遲電路
371-3‧‧‧延遲電路
371-4‧‧‧延遲電路
371-5‧‧‧延遲電路
372-1‧‧‧緩衝器
372-2‧‧‧緩衝器
372-3‧‧‧緩衝器
372-4‧‧‧緩衝器
Claims (7)
- 一種固態影像擷取裝置,包含:一像素陣列單元,具有包括以矩陣形狀配置的光電轉換元件之單元像素;及類比/數位轉換機構,用以將從該像素陣列單元的單元像素所讀取之類比像素信號轉換成數位資料,其中該類比/數位轉換機構包括一比較器單元,用以藉由比較轉換成該數位資料的參考信號與該類比像素信號,而將該類比像素信號的強度轉換成時間軸方向中的資訊;一計數器單元,用以依據一預定時脈,從該比較器單元中之比較處理的開始時間到該比較處理的結束時間之時間週期期間執行計數處理;一多相時脈產生單元,用以依據該預定時脈來產生具有一固定相差之多相時脈;一鎖存器單元,用以當完成該比較器單元中的該比較處理時鎖存該等多相時脈的邏輯狀態;及一解碼單元,用以解碼該鎖存器單元的鎖存資料,以獲得一低於該計數處理的計數值之值。
- 根據申請專利範圍第1項之固態影像擷取裝置,其中該類比像素信號包括參考成分和信號成分; 該比較器單元執行比較對應於該等參考成分之信號與該參考信號之第一比較處理,和比較對應於該等信號成分之信號與該參考信號之第二比較處理;及該計數器單元在該第一比較處理的開始時間到結束時間之時間週期期間執行一向下計數或向上計數處理,和在該第二比較處理的開始時間到結束時間之時間週期期間執行一向上計數或向下計數處理。
- 根據申請專利範圍第2項之固態影像擷取裝置,其中該鎖存器單元在該比較器單元中完成該第一比較處理時保持該等多相時脈的第一邏輯狀態,及在該比較器單元中完成該第二比較處理時保持該等多相時脈的第二邏輯狀態。
- 根據申請專利範圍第3項之固態影像擷取裝置,另外包含:一計算單元,用以計算該鎖存器單元之該等第一邏輯狀態的鎖存資料和該鎖存器單元之該等第二邏輯狀態的鎖存資料之間的差。
- 根據申請專利範圍第1項之固態影像擷取裝置,其中該鎖存器單元供應從該多相時脈產生單元所供應之該等多相時脈的其中之一到該計數器單元當作計數時脈。
- 一種固態影像擷取裝置之類比/數位轉換方法,其中在將從具有各包括以矩陣形狀配置的一光電轉換元件 之單元像素的像素矩陣單元之單元像素所讀取之類比像素信號轉換成數位資料時,該類比/數位轉換方法包含以下步驟:藉由比較用於轉換成該數位資料的參考信號與該類比像素信號,而將該類比像素信號的強度轉換成時間軸方向中的資訊;根據一預定時脈,而從該比較處理的開始時間到結束時間之時間週期期間執行計數處理;及當完成該比較處理時,鎖存根據該預定時脈所產生並且具有固定相差之多相時脈的邏輯狀態,及解碼該鎖存資料,以獲得低於該計數處理的計數值之值。
- 一種影像擷取裝置,包含:一固態影像擷取裝置,包括:一像素陣列單元,具有各包括以矩陣形狀配置的一光電轉換元件之單元像素;及類比/數位轉換機構,用以將從該像素陣列單元的單元像素所讀取之類比像素信號轉換成數位資料;及一光學系統,用以從在該固態影像擷取裝置的成像面上之入射光形成一影像,其中該類比/數位轉換機構包括一比較器單元,用以藉由比較用於轉換成該數位資料的參考信號與該類比像素信號,而將該類比像素信號的強度轉換成時間軸方向中的資訊;一計數器單元,用以依據一預定時脈,從該比較器單元中之比較處理的開始時間到該比較處理的結束時間 之時間週期期間執行計數處理;一多相時脈產生單元,用以依據該預定時脈來產生具有一固定相差之多相時脈;一鎖存器單元,用以當完成該比較器單元中的該比較處理時鎖存該等多相時脈的邏輯狀態;及一解碼單元,用以解碼該鎖存器單元的鎖存資料,以獲得一低於該計數處理的計數值之值。
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