JP5293052B2 - 固体撮像素子 - Google Patents

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Description

本願開示は、一般に電子回路に関し、詳しくは固体撮像素子に関する。
コラムADC(Analog to Digital Converter)回路を用いる固体撮像素子では、受光強度に応じた電圧信号をピクセルアレイの各列から読み出し、各列毎に電圧信号をアナログ・デジタル変換する。このアナログ・デジタル変換においては、コンデンサに定電流源により電荷を蓄積することにより線形に電圧が増加するランプ電圧信号を生成し、このランプ電圧信号と読出しピクセル電圧信号とを比較する。ランプ電圧が読出しピクセル電圧以上となるまでの時間をカウンタにより計測することにより、読出しピクセル電圧に応じたデジタル値がカウンタのカウント値として得られる。
図1は、コラムADC回路の構成の一例を示す図である。図1のコラムADC回路は、ADC判定回路10、AND回路11、1ビットカウンタ12−1乃至12−4、ラッチ13−1乃至13−4、及びシフトレジスタ14を含む。このコラムADC回路と同一の構成を有する複数のコラムADC回路が、ピクセルアレイの各列に対して一対一に設けられる。図1に示す例では、4ビットのデジタル値を出力するADC回路となっている。
ADC判定回路10には、読出したピクセル電圧が印加される。ADC判定回路10は、ランプ電圧信号と読出しピクセル電圧信号とを比較し、ランプ電圧が読出しピクセル電圧を越えると出力信号をHIGHからLOWに変化させる。AND回路11は、ADC判定回路10の出力がHIGHの間はADCクロックを1ビットカウンタ12−1に供給し、ADC判定回路10の出力がLOWになるとADCクロックの1ビットカウンタ12−1への供給を停止する。なおADC動作の開始時に、AND回路11がADCクロックの出力を開始するタイミングは、ランプ電圧信号の開始タイミング(電圧上昇が開始するタイミング)に一致するように設定される。
1ビットカウンタ12−1は、ADCクロックを入力とするトグル動作をする。1ビットカウンタ12−2は、1ビットカウンタ12−1の出力を入力とするトグル動作をする。1ビットカウンタ12−3は、1ビットカウンタ12−2の出力を入力とするトグル動作をする。1ビットカウンタ12−4は、1ビットカウンタ12−3の出力を入力とするトグル動作をする。これにより、1ビットカウンタ12−1乃至12−4は4ビットカウンタとして動作する。AND回路11によりADCクロックの供給が停止されるまでの時間は、読出しピクセル電圧に比例するので、4ビットカウンタのカウント値は、読出しピクセル電圧をAD変換したデジタル値となる。この4ビットのデジタル値は、適切なタイミングでラッチ13−1乃至13−4に格納される。シフトレジスタ14は、ラッチ13−1乃至13−4をバスBus0乃至Bus3に選択的に接続する。
図2は、図1のコラムADC回路の動作を示す各信号のタイミングチャートである。図2において、(a)はADCのカウント用クロック信号、即ちADCクロックを示す。また(b)は1ビットカウンタ12−1の出力であるbit0、(c)は1ビットカウンタ12−2の出力であるbit1、(d)は1ビットカウンタ12−3の出力であるbit2、(e)は1ビットカウンタ12−4の出力であるbit3である。(f)は4ビットカウンタのカウント値を示し、(g)はラッチ13−1乃至13−4の状態を示す。
図2に示すタイミングチャートでは、入力アナログ電圧(読出しピクセル電圧)が最大値であり、AD変換した4ビットデジタル値が15の場合を示してある。bit0を最下位ビット、bit3を最上位ビットとして、bit0乃至bit3で表すデジタル値が順次カウントアップされていく。この例の場合、bit0乃至bit3の4ビットで表されるカウント値は、ADCクロックに同期して0から15まで増加する。ラッチ13−1乃至13−4は、図2に示すHOLD状態の間は前の値を保持しており、最大カウント値のタイミング(図2に示す「転送」のタイミング)で、その時のbit0乃至bit3の値をラッチする。即ち、このときのbit0乃至bit3の値がラッチ出力としてバスに転送される。
上記のようなコラムADC回路では、出力デジタル値のビット数を固定して考えると、ADCクロックの周波数を増加すれば、一枚の画像を取込むのに必要な時間(フレーム周期)をそれだけ短くすることができる。逆に言えば、所望のAD変換の分解能(即ち所望のビット数)で所望のフレーム周期を達成しようとすると、ある程度以上のADCクロックの周波数が要求されることになる。高分解能で高速な画像取り込みが要求される場合には、要求に見合った高い周波数のADCクロックを用いる必要がある。しかし上記のようなADC回路では、最下位の1ビットカウンタ12−1が、ADCクロックの1パルスに同期してカウント動作を行なう。1ビットカウンタ12−1の動作速度が余りにも早くなると、ノイズの影響が大きくなり、ADCの精度が低下してしまうという問題がある。また場合によってはシステムクロック周波数以上のADCクロックの周波数が必要になり、PLL(Phase-Locked Loop)回路等が必要になってしまう。
特開2007−281987号公報 特開2006−303752号公報
以上を鑑みると、固体撮像素子においてADCのカウント用クロック信号の周波数を低下させたADC回路が望まれる。
固体撮像素子は、ピクセルアレイと、前記ピクセルアレイから読み出された電圧信号をAD変換するADC回路とを含み、前記ADC回路は、前記電圧信号の電圧値に応じた長さの期間だけクロック信号をカウントするカウンタ回路を含み、該カウンタ回路の出力カウント値の最下位ビットは、前記クロック信号の周波数で動作する2つの1ビットカウンタの出力の排他的論理和により求められることを特徴とする。
本願開示の少なくとも1つの実施例によれば、ADCのカウント用クロック信号の周波数は、カウンタ回路の最下位ビットの周波数と同一となる。従って、従来技術の場合と比較して、同一のAD変換の分解能で同一のフレーム周期を達成しながらも、ADCのカウント用クロック信号の周波数を1/2にすることができる。
以下に、本発明の実施例を添付の図面を用いて詳細に説明する。
図3は、固体撮像素子の構成の一例を示す図である。図3の固体撮像素子は、シグナルプロセッサ20、ピクセルアレイ21、内部電圧発生回路22、ドライバ23、ピクセル制御回路24、シフトレジスタ25、ピクセル読出し回路26、ADC回路27、バス回路28、及びシフトレジスタ29を含む。ピクセルアレイ21は、行方向及び列方向にマトリクス上に配列されたMOSトランジスタやフォトダイオードからなるピクセルを含む。各ピクセルは、受光した光の強度に応じた電荷を蓄積する。
シフトレジスタ25は、ピクセルアレイ21の各行に対応して行番号が増減する方向に並ぶレジスタの列を含み、各ピクセルの電荷を読み出す行を指定するとともに、その指定行を順次シフトさせる。ピクセル制御回路24は、シフトレジスタ25が指定するピクセル行に対して信号を読み出すための制御信号を生成するとともに、ピクセルに対する初期化やリセット動作を実行するための制御信号を生成する。ドライバ23は、ピクセル制御回路24からの制御信号に基づいて、ピクセルアレイ21の各ピクセル行を駆動する。
ピクセル読出し回路26は、ピクセルアレイ21の各列に対応して列番号が増減する方向に並ぶ読出し回路を含み、ピクセルアレイ21の指定行から読み出された信号電荷を各列毎(即ち指定行の各ピクセル毎)に電圧信号に変換する。ADC回路27は、ピクセルアレイ21の各列に対応して列番号が増減する方向に並ぶ複数のADC回路を含み、ピクセル読出し回路26が出力する各列毎(即ち指定行の各ピクセル毎)の電圧信号をAD変換する。ADC回路27は、各ピクセル読出し電圧のAD変換結果である値を示すデジタルデータをバス回路28に送出する。バス回路28は、ADC回路27から供給される一行分のピクセルデータをラッチする。シフトレジスタ29は、ピクセルアレイ21の各列に対応して列番号が増減する方向に並ぶレジスタの列を含み、バス回路28から読み出す各ピクセルデータの列位置を指定するとともに、その指定列位置を順次シフトさせる。これにより、バス回路28に格納される一行分のピクセルデータをシグナルプロセッサ20に順次供給する。
内部電圧発生回路22は、外部から供給される電源電圧に基づいて種々の内部電圧を発生し、ピクセルアレイ21、ドライバ23、ピクセル読出し回路26、ADC回路27等に発生した内部電圧を供給する。内部電圧には、ピクセルアレイ21に供給する読み出し電圧やリセット電圧、ADC回路27に供給するランプ電圧等が含まれる。
シグナルプロセッサ20は、固体撮像素子の各部の動作を制御すると共に、読み出されたピクセルデータに対する各種信号処理を実行する。信号処理には、CDS(Correlated Double Sampling)処理、AGC(Automatic Gain Control)、ホワイトバランス調整、RGB信号又はYUV信号への信号変換等が含まれる。
図4は、ピクセルアレイ21の一列分に対応するADC回路27の1つのコラムADC回路の構成の一例を示す図である。コラムADC回路は、ADC判定回路30、AND回路31A及び31B、最下位ビット用の1ビットカウンタ32−1A及び32−1B、第2乃至第4ビット用の1ビットカウンタ32−2乃至32−4、ラッチ33−1乃至33−4、シフトレジスタ34、EXOR回路35、及びインバータ36を含む。このコラムADC回路と同一の構成を有する複数のコラムADC回路が、ピクセルアレイの各列に対して一対一に設けられ、全体で図3のADC回路27を構成する。図4に示す例では、4ビットのデジタル値を出力するコラムADC回路を一例として示すが、ビット数は4に限られるものではない。必要なAD変換分解能に応じて、必要な数のビット数のデジタル値を出力する回路構成としてよい。
ADC判定回路30には、図3のピクセル読出し回路26が読出したピクセル電圧が印加される。ADC判定回路30は、ランプ電圧信号と読出しピクセル電圧信号とを比較し、ランプ電圧が読出しピクセル電圧を越えると出力信号をHIGHからLOWに変化させる。AND回路31Aは、ADC判定回路30の出力がHIGHの間はADCクロックを1ビットカウンタ32−1Aに供給し、ADC判定回路30の出力がLOWになるとADCクロックの1ビットカウンタ32−1Aへの供給を停止する。同様にAND回路31Bは、ADC判定回路30の出力がHIGHの間はADCクロックの反転クロックを1ビットカウンタ32−1Bに供給し、ADC判定回路30の出力がLOWになると反転クロックの1ビットカウンタ32−1Bへの供給を停止する。なおADC動作の開始時に、AND回路31A及び31Bがクロック信号の出力を開始するタイミングは、ランプ電圧信号の開始タイミング(電圧上昇が開始するタイミング)に一致するように設定される。
図5は、ADC判定回路30の構成の一例を示す図である。図5に示すADC判定回路30は、比較回路30Aを含む。比較回路30Aは、ピクセル読出し回路26からのピクセル電圧を受け取ると共に、比較信号としてランプ電圧信号を受け取る。このランプ電圧信号は、内部電圧発生回路22において、コンデンサに定電流源で電荷を蓄積することにより直線的に増加するコンデンサの端子電圧として生成してよい。比較回路30Aは、ランプ電圧信号と読出しピクセル電圧信号とを比較し、ランプ電圧が読出しピクセル電圧を越えると出力信号をHIGHからLOWに変化させる。
図4において、1ビットカウンタ32−1A及び32−1B、1ビットカウンタ32−2乃至32−4、ラッチ33−1乃至33−4、及びEXOR回路35は、ピクセル電圧値に応じた長さの期間だけクロック信号をカウントするカウンタ回路を構成する。このカウンタ回路の出力カウント値の最下位ビットは、ADCクロックの周波数で動作する2つの1ビットカウンタ32−1A及び32−1Bの出力の排他的論理和により求められる。
詳しくは、1ビットカウンタ32−1Aは、ADCクロックを入力とするトグル動作をする。1ビットカウンタ32−1Bは、ADCクロックの反転クロックを入力とするトグル動作をする。ここでトグル動作とは、入力信号の所定の状態遷移(例えば立ち上がり遷移又は立ち下り遷移)に応じて、出力信号のHIGH/LOWが反転する動作である。1ビットカウンタ32−1A及び32−1Bの出力の排他的論理和をEXOR回路35により求め、EXOR回路35の出力を、カウンタ回路の出力カウント値の最下位ビットとする。
1ビットカウンタ32−2は、EXOR回路35の出力を入力とするトグル動作をする。1ビットカウンタ32−3は、1ビットカウンタ32−2の出力を入力とするトグル動作をする。1ビットカウンタ32−4は、1ビットカウンタ32−3の出力を入力とするトグル動作をする。AND回路31A及び31Bによりクロック供給が停止されるまでの時間は、読出しピクセル電圧に比例するので、4ビットカウンタのカウント値は、読出しピクセル電圧をAD変換したデジタル値となる。この4ビットのデジタル値は、適切なタイミングでアサートされるラッチ信号に応答して、ラッチ33−1乃至33−4に格納される。シフトレジスタ34は、ラッチ33−1乃至33−4をバスBus0乃至Bus3に選択的に接続する。
図6は、図4のコラムADC回路の動作を示す各信号のタイミングチャートである。図6において、(a)はピクセル電圧、(b)は比較信号(ランプ電圧信号)、(c)はADC判定回路30の出力である判定結果信号を示す。図6に示すように、ADC判定回路30の出力は、ランプ電圧信号がピクセル電圧以上になると、HIGHからLOWに変化する。
図6の(d)はADCのカウント用クロック信号、即ちADCクロックを示す。ADC判定回路30の出力である判定結果信号がHIGHである間、(e)に示す1ビットカウンタ32−1Aの出力は、ADCクロックの立ち下りエッジに同期したトグル動作をする。またADC判定回路30の出力である判定結果信号がHIGHである間、(f)に示す1ビットカウンタ32−1Bの出力は、ADCクロックの立ち上がりエッジに同期したトグル動作をする。
図6の(g)に示す信号no0は、カウンタ回路の最下位ビットを示す信号であり、EXOR回路35の出力である。この信号no0は、(e)の信号と(f)の信号との排他的論理和となる。(h)の信号no1は1ビットカウンタ32−2の出力である。(i)の信号no2は1ビットカウンタ32−3の出力である。また(j)の信号no3は1ビットカウンタ32−4の出力である。(k)は4ビットカウンタのカウント値を示し、図6に示す例の場合には、ピクセル電圧に応じた最終カウント値は13となっている。即ち、ランプ電圧信号がピクセル電圧以上になると、ADC判定回路30の出力である判定結果信号がLOWになるので、カウンタ回路のカウント動作はその時点でのカウント値13で停止する。
図6の(l)には、図4で各ラッチ33−1乃至33−4に入力されるラッチ信号を示す。また(g)はラッチ33−1乃至33−4の状態を示す。ラッチ33−1乃至33−4は、図6に示すHOLD状態の間は前の値を保持しており、最大カウント値15に対応するタイミング(図6に示す「転送」のタイミング)で、その時のno0乃至no3の値をラッチする。即ち、このときのno0乃至no3の値がラッチ出力としてバスに転送される。
図6から分かるように、ADCクロックの周波数は、カウンタ回路の最下位ビットno0の周波数と同一となっている。これに対して、図2に示す従来技術の場合、ADCクロックの周波数は、カウンタ回路の最下位ビットbit0の周波数の2倍となっている。従って、所定のAD変換の分解能で所定のフレーム周期を達成する場合に、図1の構成に比較して図4の構成では、ADCのカウント用クロック信号の周波数を1/2にすることができる。このように、1ビットカウンタ32−1A及び32−1Bの動作周波数を、1ビットカウンタ12−1の動作周波数の1/2にすることができるので、ノイズの影響が小さくなり、ADCの精度が低下するという問題を避けることができる。
図7は、ADC回路27の一列分の回路の構成の変形例を示す図である。図7において、図4と同一の構成要素は同一の番号で参照し、その説明は省略する。図4のコラムADC回路においては、インバータ36によりADCクロックの反転クロックを生成してAND回路31Bに供給している。即ち、ピクセルアレイ21の選択行から読み出された複数ピクセルの電圧信号をそれぞれAD変換するために、ピクセルアレイの複数の列にそれぞれ対応して設けられた複数のコラムADC回路の各々において、ADCクロックを反転するインバータが設けられている。それに対して図7のコラムADC回路においては、ADCクロックAとその反転クロックであるADCクロックBとが、ADC回路27に沿って配置された2本のクロック信号線を介して、それぞれ別に供給されている。互いに位相が180度異なるADCクロックAとADCクロックBとは、固体撮像素子の外部からそれぞれ別信号として供給されてもよいし、或いは外部から供給されるクロック信号に基づいて固体撮像素子内の何れかの箇所で生成するようにしてもよい。
図8は、図7の構成における2つのクロック信号に基づいた最下位出力ビットの生成を示す図である。(a)のADCクロックAを入力としてAND回路31Aが(b)に示す出力を生成し、(c)のADCクロックBを入力としてAND回路31Bが(d)に示す出力を生成する。(e)は、(b)の出力信号と(d)の出力信号との排他的論理和である。
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能である。例えば、上記実施例の説明においてADC回路はコラムADC回路であるとしたが、クロック信号のパルス数をカウントしてAD変換値を求めるADC回路であれば、コラムADC回路に限られることなく、上記の開示の構成を適用して同様の効果を得ることができる。
また、本発明の固体撮像素子は、携帯電話端末や、携帯情報機器、ディジタルカメラだけでなく、アナログカメラのAF(Auto Focus)部やPC等、画像を取り込む電子回路で幅広く適用されることは言うまでもない。
コラムADC回路の構成の一例を示す図である。 図1のコラムADC回路の動作を示す各信号のタイミングチャートである。 固体撮像素子の構成の一例を示す図である。 ピクセルアレイの一列分に対応するADC回路の1つのコラムADC回路の構成の一例を示す図である。 ADC判定回路の構成の一例を示す図である。 図4のコラムADC回路の動作を示す各信号のタイミングチャートである。 ADC回路の一列分の回路の構成の変形例を示す図である。 図7の構成における2つのクロック信号に基づいた最下位出力ビットの生成を示す図である。
符号の説明
30 ADC判定回路
31A、31B AND回路
32−1A、32−1B 最下位ビット用の1ビットカウンタ
32−2、32−3、32−4 第2乃至第4ビット用の1ビットカウンタ
33−1乃至33−4 ラッチ
34 シフトレジスタ
35 EXOR回路
36 インバータ

Claims (6)

  1. ピクセルアレイと、
    前記ピクセルアレイから読み出された電圧信号をAD変換するADC回路と
    を含み、前記ADC回路は、前記電圧信号の電圧値に応じた長さの期間だけクロック信号をカウントするカウンタ回路を含み、該カウンタ回路の出力カウント値の最下位ビットは、前記クロック信号の周波数で動作する2つの1ビットカウンタの出力の排他的論理和により求められることを特徴とする固体撮像素子。
  2. 前記クロック信号を第1のクロック信号として、前記2つの1ビットカウンタは、前記第1のクロック信号を入力とする第1の1ビットカウンタと、前記第1のクロック信号と位相が180度異なる第2のクロック信号を入力とする第2の1ビットカウンタとであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
  3. 前記ADC回路は、前記ピクセルアレイの複数の列にそれぞれ対応して設けられ、前記ピクセルアレイの選択行から読み出された複数ピクセルの電圧信号をそれぞれAD変換する複数のコラムADC回路を含むことを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。
  4. 前記複数のコラムADC回路の各々は、前記第1のクロック信号を反転することにより前記第2のクロック信号を生成するインバータを含むことを特徴とする請求項3記載の固体撮像素子。
  5. 前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号とが、前記複数のコラムADC回路を含む前記ADC回路に沿って配置された2本のクロック信号線を介して、前記複数のコラムADC回路の各々に供給されることを特徴とする請求項3記載の固体撮像素子。
  6. ピクセルアレイと、
    前記ピクセルアレイから読み出された電圧信号をAD変換するADC回路と
    を含み、前記ADC回路は、前記電圧信号の電圧値に応じた長さの期間だけクロック信号をカウントするカウンタ回路を含み、該カウンタ回路の出力カウント値の最下位ビットは、前記クロック信号の周波数で動作する2つの1ビットカウンタの出力の排他的論理和により求められる固体撮像素子を有することを特徴とする電子回路。
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