JP4449565B2 - 物理量分布検知の半導体装置 - Google Patents
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Description
図14は、特許文献1の図4に示されるAD変換装置を画素部と同一の半導体基板に搭載した固体撮像装置(CMOSイメージセンサ)の概略構成図である。
図1は、本発明に係る半導体装置の第1実施形態であるCMOS固体撮像装置(CMOSイメージセンサ)の概略構成図である。また、図2は、画素部(撮像部)における有効画像領域(有効部)と、光学的黒を与える基準画素領域との関係の一例を示す図である。なお、このCMOS固体撮像装置は、本発明に係る電子機器の一態様でもある。
参照信号生成部27は、画素部10における色分解フィルタを構成する色フィルタの色の種類や配列に応じて、AD変換用の参照信号を発生する機能要素であるDA変換回路(DAC;Digital Analog Converter)を個別に備える。
図3は、第1実施形態の固体撮像装置1において使用される参照信号生成部27のDA変換回路(DAC)の機能を説明する図である。
図4は、図1に示した第1実施形態の固体撮像装置1のカラムAD回路25における基本動作である信号取得差分処理を説明するためのタイミングチャートである。
図5は、本発明の第2実施形態に係るCMOS固体撮像装置の概略構成図である。第2実施形態の固体撮像装置1は、第1実施形態の固体撮像装置1に対して、カラムAD回路25の構成を変形している。
図6は、図5に示した第2実施形態の固体撮像装置1のカラムAD回路25における基本動作を説明するためのタイミングチャートである。カラムAD回路25におけるAD変換処理は、第1実施形態と同様である。ここではその詳細な説明を割愛する。
図7は、本発明の第3実施形態に係るCMOS固体撮像装置の概略構成図である。第3実施形態の固体撮像装置1は、色分離フィルタの色フィルタの配列を変形している点に特徴を有する。具体的には、第1および第2実施形態では、正方格子状に配された単位画素3に対して、赤(R),緑(G),青(B)の3色カラーフィルタをベイヤ(Bayer)配列の基本形に従って配列していたが、フィルタ色やその配列順はベイヤ配列の基本形に限定されない。たとえば、ベイヤ配列の改良形にすることもできるし、補色フィルタあるいはその他のフィルタ色を用いることができる。
図8は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第1例を示すブロック図である。この第1例の参照信号生成部27は、読出単位である水平行方向に関して色分離フィルタの繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ設けた各参照信号生成出力部(本例ではDA変換回路27a,27b)のそれぞれについて、対応する色フィルタの色特性の観点から決定される傾きを持つとともに、黒レベルや回路オフセットなど色特性とは異なる観点から決定される初期値を持つ参照信号を生成して出力する色対応参照信号生成部を、水平行方向とは異なる方向である異方向としての垂直列方向に関して、色フィルタ配列の繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ設けるとともに、この色対応参照信号生成部から独立に出力される各参照信号の何れか一方を、処理対象行の切替え(読出単位の切替え)に応じて選択して、対応する信号線に出力する選択部を設けるようにした点に、第1の特徴を有する。
図9は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第2例を示すブロック図である。この第2例の参照信号生成部27は、第1例の構成を採るとともに、第4のカラー画素としてエメラルド画素を追加した第3実施形態の固体撮像装置1に対応するものである。定電流源アレイ272Gを定電流源アレイ272Eに変更しただけであり、基本的な動作や効果は、第1例のものと同様である。ここでは、定電流源アレイ272Eについての詳細な説明を割愛する。
図10は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第3例を示すブロック図である。この第3例の参照信号生成部27は、所定の制御信号に基づき並列に配された複数の定電流源の中から1つもしくは複数を選択する定電流源選択部を、個別の参照信号生成出力部に対して共通に設けるようにした点に特徴を有する。
図11は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第4例を示すブロック図である。この第4例の参照信号生成部27は、第3例の構成を採るとともに、第4のカラー画素としてエメラルド画素を追加した第3実施形態の固体撮像装置1に対応するものである。定電流源アレイ272Gを定電流源アレイ272Eに変更しただけであり、基本的な動作は、第3例のものと同様である。ここでは、定電流源アレイ272Eや定電流源選択部284についての詳細な説明を割愛する。
図12は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第5例を示すブロック図である。この第5例の参照信号生成部27は、色分離フィルタの2次元の繰返単位内に同一色の色フィルタが複数存在する場合に、その同一色フィルタに対応する第1の色対応参照信号生成部を設け、単独に存在する色成分についての個別の参照信号生成出力部には、単独に存在する色成分についての第2の色対応参照信号生成部を設けるとともに、前記第1の色対応参照信号生成部を共通に使用する(兼用する)ように構成した点に特徴を有する。
図13は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第6例を示すブロック図である。この第6例の参照信号生成部27は、各DA変換回路27a,27bに、垂直列方向の色フィルタ配列に応じた個別の色対応参照信号生成部を設けるのではなく、1つの色対応参照信号生成部を設けておき、処理対象行が切り替わるごとに、その切り替えに伴う色フィルタの配列の繰返単位を構成する色の組合せの変更に応じて、通信・タイミング制御部20が、変化特性(具体的には傾き)や初期値をDA変換回路に設定するようにした点に特徴を有する。
Claims (14)
- 入射された電磁波に対応する電荷を生成する電荷生成部および前記電荷生成部により生成された電荷に応じたアナログの単位信号を生成する単位信号生成部を単位構成要素内に含む有効領域を備え、かつ前記単位信号をデジタルデータに変換する機能要素として、前記単位信号をデジタルデータに変換するための参照信号を生成する参照信号生成部と、前記単位信号と前記参照信号生成部により生成された参照信号とを比較する比較部と、この比較部における比較処理と並行して、所定のカウントクロックでカウント処理を行ない、前記比較部における比較処理が完了した時点のカウント値を保持するカウンタ部とを備えた、物理量分布検知のための半導体装置であって、
前記有効領域におけるそれぞれの前記電荷生成部の前記電磁波が入射される側の面には、色情報を取得するための複数色の色フィルタの組合せからなる色分解フィルタの何れかの色フィルタが設けられており、
前記参照信号を生成して出力する個別の参照信号生成出力部を、前記読出単位に応じた所定方向および当該読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向のそれぞれにおける前記色フィルタの配列の繰返単位内に存在する前記色フィルタの色成分の数よりも少なく、かつ、前記単位信号の読出単位に応じた所定方向における前記色フィルタの配列の繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ有するとともに、前記参照信号生成出力部から独立に出力されるそれぞれの前記参照信号を、前記所定方向における共通の色特性を持つ前記色フィルタに対応する前記比較部に、共通の信号線を介して実質的に直接に伝達するように構成され、
前記カウンタ部は、ダウンカウントモードおよびアップカウントモードの何れか一方のモードを選択してカウント処理を行なうことが可能に構成されている
ことを特徴とする物理量分布検知の半導体装置。 - 前記個別の参照信号生成出力部のそれぞれは、
対応する前記色フィルタの色特性に応じた前記参照信号を生成して出力する個別の色対応参照信号生成部を、前記読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向における前記色フィルタの配列の繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ有するとともに、
前記色対応参照信号生成部から独立に出力されるそれぞれの前記参照信号の何れか一方を、処理対象の前記読出単位の切替えに応じて選択して、対応する前記信号線に出力する選択部と、
前記色対応参照信号生成部は、当該色対応参照信号生成部から出力される前記参照信号が、対応する前記色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するように制御する変化特性制御部を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記個別の参照信号生成出力部は共通に、前記読出単位に応じた所定方向および当該読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向のそれぞれにおける前記色フィルタの配列の繰返単位内で、複数存在する色成分について、当該色成分ごとに前記複数に対して共通に使用される、対応する前記色フィルタの色特性に応じた前記参照信号を生成して出力する第1の色対応参照信号生成部を有し、
前記個別の参照信号生成出力部のそれぞれは個別に、
前記配列の繰返単位内で、単独に存在する色成分について、当該色成分ごとに、対応する前記色フィルタの色特性に応じた前記参照信号を生成して出力する第2の色対応参照信号生成部を有するとともに、
前記第1の色対応参照信号生成部および前記第2の色対応参照信号生成部から独立に出力されるそれぞれの前記参照信号の何れか一方を、処理対象の前記読出単位の切り替えに応じて選択して、対応する前記信号線に出力する選択部を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記第1および第2の各色対応参照信号生成部は、当該色対応参照信号生成部から出力される前記参照信号が、対応する前記色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するように制御する変化特性制御部を有する
ことを特徴とする請求項3に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記個別の参照信号生成出力部は、
並列に配された複数の定電流源を含み、前記参照信号を生成して出力する色対応参照信号生成部と、
所定の制御信号に基づき、前記複数の定電流源を選択する定電流源選択部と、
前記複数の定電流源に流れる電流を制御することで、前記色対応参照信号生成部から出力される前記参照信号が、対応する前記色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するように制御する変化特性制御部と
を備え、
前記定電流源選択部は、前記個別の参照信号生成出力部に対して共通に設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記個別の参照信号生成出力部は、
処理対象の前記単位構成要素に設けられている前記色フィルタの色特性とは異なる観点
に基づいて前記初期値を設定する初期値設定部を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記有効領域を除く部分である基準領域におけるそれぞれの前記電荷生成部の前記電磁波が入射される側は、前記基準領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号が前記有効領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号に対して基準レベルを与えるように構成されており、
前記初期値設定部は、前記色特性とは異なる観点から規定される初期値を、前記基準レベルに基づいて設定する
ことを特徴とする請求項6に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記初期値設定部は、前記色特性とは異なる観点から規定される初期値を、前記単位構成要素や前記機能要素を構成する回路に起因した、前記有効領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号に含まれるオフセット成分に基づいて設定する
ことを特徴とする請求項6に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記有効領域を除く部分である基準領域におけるそれぞれの前記電荷生成部の前記電磁波が入射される側は、前記基準領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号が前記有効領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号に対して基準レベルを与えるように構成されており、
前記初期値設定部は、前記色特性とは異なる観点から規定される初期値を、前記基準レベルと、前記単位構成要素や前記機能要素を構成する回路に起因した、前記有効領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号に含まれるオフセット成分とに基づいて設定する
ことを特徴とする請求項6に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記個別の参照信号生成出力部は、並列に配された複数の定電流源を含み、前記参照信号を生成して出力する色対応参照信号生成部を有し、
前記初期値設定部は、前記複数の定電流源と並列に配され、前記色対応参照信号生成部から出力される前記参照信号が、処理対象の前記単位構成要素に設けられている前記色フィルタの色特性とは異なる観点に基づく初期値から変化するように制御する
を有することを特徴とする請求項6に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記初期値設定部は、前記並列に配された複数の定電流源に流れる電流に、前記初期値を与える電流を重畳する初期値設定電流源を有し、当該初期値設定電流源に流れる電流が調整可能に構成されている
ことを特徴とする請求項10に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記単位信号は、基準成分と信号成分とを含んで表されるものであり、
前記カウンタ部は、前記比較部が前記基準成分と前記信号成分の何れについて前記比較処理を行なっているのかに応じて前記カウント処理のモードを切り替える
ことを特徴とする請求項1に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記カウンタ部は、ダウンカウントモード時において前記単位信号に含まれるオフセット電圧をカウントし、前記アップカウントモードの時に前記単位信号のレベルをカウントする
ことを特徴とする請求項1に記載の物理量分布検知の半導体装置。 - 前記ダウンカウントモードのカウントビット長を前記アップカウントモードのカウントビット長より短い
ことを特徴とする請求項13に記載の物理量分布検知の半導体装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202014011038U1 (de) | 2013-02-27 | 2017-07-03 | Sony Corporation | Halbleiterbildgebungsvorrichtung und elektronische Vorrichtung |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4107269B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2008-06-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
KR100955637B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2010-05-06 | 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 암전류 성분 제거 방법 |
JP4588787B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2010-12-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 固体撮像素子及び撮像方法 |
JP4744343B2 (ja) | 2006-04-10 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
KR100801057B1 (ko) * | 2006-07-18 | 2008-02-04 | 삼성전자주식회사 | 컬러 보정 블럭을 구비하는 cmos 이미지 센서 및 그이미지 센싱 방법 |
JP4311419B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2009-08-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4952301B2 (ja) | 2007-03-01 | 2012-06-13 | ソニー株式会社 | 撮像装置およびカメラ |
JP4311482B2 (ja) | 2007-05-17 | 2009-08-12 | ソニー株式会社 | 撮像回路、cmosセンサ、および撮像装置 |
JP4929090B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-05-09 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP4386113B2 (ja) | 2007-08-03 | 2009-12-16 | ソニー株式会社 | 参照電圧回路および撮像回路 |
JP4946761B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-06-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
US7920190B2 (en) * | 2007-10-11 | 2011-04-05 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing column parallel architecture for imagers |
JP5173493B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP5347341B2 (ja) | 2008-06-06 | 2013-11-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、撮像装置、電子機器、ad変換装置、ad変換方法 |
JP5198156B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-05-15 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
US7995125B2 (en) * | 2008-06-10 | 2011-08-09 | Sensors Unlimited, Inc. | Apparatus and method for extending the dynamic range of a read out integrated circuit of an image sensor |
JP2009303088A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ |
JP4618349B2 (ja) | 2008-08-11 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、撮像方法及び撮像装置 |
US8253809B2 (en) * | 2008-08-27 | 2012-08-28 | Sony Corporation | Analog-digital converter, analog-digital conversion method, image pickup device, method of driving the same, and camera |
US9000353B2 (en) | 2010-06-22 | 2015-04-07 | President And Fellows Of Harvard College | Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires |
US8735797B2 (en) | 2009-12-08 | 2014-05-27 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor |
US9406709B2 (en) | 2010-06-22 | 2016-08-02 | President And Fellows Of Harvard College | Methods for fabricating and using nanowires |
US8274039B2 (en) | 2008-11-13 | 2012-09-25 | Zena Technologies, Inc. | Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits |
US8866065B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-21 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires |
US9515218B2 (en) | 2008-09-04 | 2016-12-06 | Zena Technologies, Inc. | Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings |
US8748799B2 (en) * | 2010-12-14 | 2014-06-10 | Zena Technologies, Inc. | Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors |
US9343490B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-05-17 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same |
US9299866B2 (en) | 2010-12-30 | 2016-03-29 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire array based solar energy harvesting device |
US8299472B2 (en) | 2009-12-08 | 2012-10-30 | Young-June Yu | Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors |
US9478685B2 (en) | 2014-06-23 | 2016-10-25 | Zena Technologies, Inc. | Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same |
US8229255B2 (en) | 2008-09-04 | 2012-07-24 | Zena Technologies, Inc. | Optical waveguides in image sensors |
JP5178458B2 (ja) | 2008-10-31 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、および、固体撮像装置の駆動方法 |
JP5202395B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2013-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | タッチパネル、電子機器 |
JP5245984B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2013-07-24 | ソニー株式会社 | 撮像素子、読み出し信号の変換方法およびカメラ |
JP5375277B2 (ja) | 2009-04-02 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、撮像装置、電子機器、ad変換装置、ad変換方法 |
JP2010268080A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2012010008A (ja) | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Sony Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
JP5808162B2 (ja) * | 2011-06-23 | 2015-11-10 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の駆動方法 |
JP5956856B2 (ja) * | 2012-07-05 | 2016-07-27 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像システム |
JP6478467B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2019-03-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の駆動方法、撮像システム |
KR102007386B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2019-08-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 디지털 아날로그 변환기, 그를 포함하는 이미지 센싱 장치 및 이미지 센싱 장치의 구동방법 |
EP3588940B1 (en) * | 2013-07-04 | 2023-03-22 | Nikon Corporation | Electronic apparatus, method for controlling electronic apparatus, and control program |
KR102086777B1 (ko) | 2013-08-08 | 2020-03-09 | 삼성전자 주식회사 | 2-스텝 구조 및 차동 멀티 램핑 업/다운 신호를 적용하여 싱글 슬로프 기법으로 구현한 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치들 |
JP6386722B2 (ja) | 2013-11-26 | 2018-09-05 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、撮像装置及び携帯電話機 |
JP6413235B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-10-31 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
US10009557B2 (en) | 2014-04-16 | 2018-06-26 | Sony Corporation | Imaging element, control method, program, and electronic device |
JP6635027B2 (ja) * | 2014-04-16 | 2020-01-22 | ソニー株式会社 | 撮像素子、ゲイン制御方法、プログラム、および電子機器 |
JP6338432B2 (ja) * | 2014-04-21 | 2018-06-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその制御方法 |
US10015429B2 (en) * | 2015-12-30 | 2018-07-03 | Omnivision Technologies, Inc. | Method and system for reducing noise in an image sensor using a parallel multi-ramps merged comparator analog-to-digital converter |
TWI603587B (zh) | 2017-01-20 | 2017-10-21 | 華邦電子股份有限公司 | 數位類比轉換器 |
US10090030B1 (en) * | 2017-04-28 | 2018-10-02 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Signal conversion using an analog-to-digital converter and reference voltage comparison |
KR102324713B1 (ko) | 2017-06-08 | 2021-11-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 램프 신호 생성기 및 이미지 센서 |
TWI649864B (zh) * | 2017-06-30 | 2019-02-01 | 香港商京鷹科技股份有限公司 | 影像感測裝置及影像感測方法 |
CN107358900B (zh) * | 2017-09-15 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 测试用显示面板及其驱动方法和制作方法 |
CN111066240B (zh) | 2017-10-23 | 2024-03-19 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体器件和电位测量装置 |
JP7094852B2 (ja) * | 2018-10-04 | 2022-07-04 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
KR102656526B1 (ko) * | 2019-02-08 | 2024-04-12 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP7156353B2 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-10-19 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2023002407A (ja) * | 2021-06-22 | 2023-01-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5982318A (en) * | 1997-10-10 | 1999-11-09 | Lucent Technologies Inc. | Linearizing offset cancelling white balancing and gamma correcting analog to digital converter for active pixel sensor imagers with self calibrating and self adjusting properties |
JPH11178005A (ja) | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Rohm Co Ltd | デジタルビデオエンコーダ |
NL1011406C2 (nl) | 1998-02-28 | 2000-01-07 | Hyundai Electronics Ind | CMOS beeldsensor met testschakeling voor het verifiëren van de werking daarvan. |
US6271785B1 (en) * | 1998-04-29 | 2001-08-07 | Texas Instruments Incorporated | CMOS imager with an A/D per pixel convertor |
KR100308884B1 (ko) | 1998-12-22 | 2001-11-22 | 박종섭 | 씨모스 이미지 센서를 위한 아날로그-디지털 변환 장치 |
JP2000236475A (ja) | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Canon Inc | 撮像装置 |
US6545624B2 (en) * | 2000-02-11 | 2003-04-08 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Image sensor with analog-to-digital converter that generates a variable slope ramp signal |
JP3792995B2 (ja) | 2000-06-02 | 2006-07-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
KR100498594B1 (ko) | 2000-12-30 | 2005-07-01 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지 센서 |
JP2002261602A (ja) | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Asahi Kasei Microsystems Kk | Pll回路 |
US7148831B2 (en) * | 2003-10-27 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Variable quantization ADC for image sensors |
JP2006020172A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Fujitsu Ltd | ランプ波形発生回路、アナログ・デジタル変換回路、撮像装置、撮像装置の制御方法 |
KR100716736B1 (ko) * | 2005-05-18 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 서브 샘플링 모드에서 고 프레임 레이트를 지원하는 칼럼아날로그-디지털 변환 장치 및 그 방법 |
-
2004
- 2004-05-12 JP JP2004142142A patent/JP4449565B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-29 TW TW094114001A patent/TWI268698B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-04-30 US US11/119,289 patent/US7804535B2/en active Active
- 2005-05-11 KR KR1020050039305A patent/KR101143113B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202014011038U1 (de) | 2013-02-27 | 2017-07-03 | Sony Corporation | Halbleiterbildgebungsvorrichtung und elektronische Vorrichtung |
EP3389258A1 (en) | 2013-02-27 | 2018-10-17 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, driving method, and electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200607327A (en) | 2006-02-16 |
US20050253942A1 (en) | 2005-11-17 |
TWI268698B (en) | 2006-12-11 |
US7804535B2 (en) | 2010-09-28 |
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JP2005328135A (ja) | 2005-11-24 |
KR101143113B1 (ko) | 2012-05-08 |
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