JP4449565B2 - 物理量分布検知の半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、AD(アナログ−デジタル)変換方法および複数の単位構成要素が配列されてなる物理量分布検知の半導体装置に関する。より詳細には、たとえば光や放射線などの外部から入力される電磁波に対して感応性をする複数の単位構成要素が配列されてなり、単位構成要素により電気信号に変換された物理量分布を、アドレス制御により任意選択して電気信号として読出可能な、たとえば固体撮像装置などの、物理量分布検知の半導体装置に用いて好適な、アナログで出力される電気信号をデジタルデータに変換する技術に関する。特に、カラー画像などの色情報を取り扱う際のデジタルデータ変換技術に関する。
光や放射線などの外部から入力される電磁波に対して感応性をする単位構成要素(たとえば画素)をライン状もしくはマトリクス状に複数個配列してなる物理量分布検知半導体装置が様々な分野で使われている。
たとえば、映像機器の分野では、物理量のうちの光(電磁波の一例)を検知するCCD(Charge Coupled Device )型あるいはMOS(Metal Oxide Semiconductor )やCMOS(Complementary Metal-oxide Semiconductor )型の固体撮像装置が使われている。これらは、単位構成要素(固体撮像装置にあっては画素)によって電気信号に変換された物理量分布を電気信号として読み出す。
また、固体撮像装置の中には、電荷生成部で生成された信号電荷に応じた画素信号を生成する画素信号生成部に増幅用の駆動トランジスタを有する増幅型固体撮像素子(APS;Active Pixel Sensor /ゲインセルともいわれる)構成の画素を備えた増幅型固体撮像装置がある。たとえば、CMOS型固体撮像装置の多くはそのような構成をなしている。
このような増幅型固体撮像装置において画素信号を外部に読み出すには、複数の単位画素が配列されている画素部に対してアドレス制御をし、個々の単位画素からの信号を任意に選択して読み出すようにしている。つまり、増幅型固体撮像装置は、アドレス制御型の固体撮像装置の一例である。
たとえば、単位画素がマトリクス状に配されたX−Yアドレス型固体撮像素子の一種である増幅型固体撮像素子は、画素そのものに増幅機能を持たせるために、MOS構造などの能動素子(MOSトランジスタ)を用いて画素を構成している。すなわち、光電変換素子であるフォトダイオードに蓄積された信号電荷(光電子)を前記能動素子で増幅し、画像情報として読み出す。
この種のX−Yアドレス型固体撮像素子では、たとえば、画素トランジスタが2次元行列状に多数配列されて画素部が構成され、ライン(行)ごとあるいは画素ごとに入射光に対応する信号電荷の蓄積が開始され、その蓄積された信号電荷に基づく電流または電圧の信号がアドレス指定によって各画素から順に読み出される。ここで、MOS(CMOSを含む)型においては、アドレス制御の一例として、1行分を同時にアクセスして行単位で画素信号を画素部から読み出す列並列読出方式が多く用いられている(たとえば特許文献1参照)。
特開2000−261602号公報
また、固体撮像素子では、画素部から読み出されたアナログの画素信号を、必要に応じて、アナログ−デジタル変換装置(AD変換装置;Analog Digital Converter)にてデジタルデータに変換する。このため、種々のAD変換の仕組みが提案されているが、一例として、鋸歯状の電圧波形と画素信号を反映した電気信号(パルス幅信号を含む)とを比較する比較器とカウンタとを備えた仕組みが考えられている(たとえば非特許文献1〜5、特許文献2,3参照)。
W. Yang et. al., "An Integrated 800x600 CMOS ImageSystem," ISSCC Digest of Technical Papers, pp. 304-305, Feb., 1999 米本和也著、"CCD/CMOSイメージセンサの基礎と応用"、CQ出版社、2003年8月10日、初版p201〜203 今村俊文、山本美子、"3.高速・機能CMOSイメージセンサの研究"、[online]、[平成16年3月15日検索]、インターネット<URL:http://www.sankaken.gr.jp/project/iwataPJ/report/h12/h12index.html> 今村俊文、山本美子、長谷川尚哉、"3.高速・機能CMOSイメージセンサの研究"、[online]、[平成16年3月15日検索]、インターネット<URL:http://www.sankaken.gr.jp/project/iwataPJ/report/h14/h14index.html> Oh-Bong Kwon et. al.,"A Novel Double Slope Analog-to-Digital Converter for a High-Quality 640x480 CMOS Imaging System"、VL3-03 1999 IEEE p335〜338 特開平11−331883号公報 特開2002−232787号公報
また、カラー画像を取り扱う場合において、鋸歯状の電圧波形と画素信号を反映した電気信号とを比較してAD変換を行なう場合に、カラー画像を撮像するための複数色の色フィルタが配された各画素の色特性を考慮してAD変換を行なう仕組みが考えられている。
たとえば、上記特許文献1に記載の技術では、アナログイメージデータのデジタルイメージデータへの変換の際、特定カラーのアナログイメージデータ特性に応じて互いに異なる基準電圧を生成し比較動作を遂行することによって、単位画素から出力されるアナログイメージデータをデジタルイメージデータに変換する際、各々のカラーに応じて調節してさらに緻密なカラー制御を可能とするようにしている。
<従来の固体撮像装置の構成>
図14は、特許文献1の図4に示されるAD変換装置を画素部と同一の半導体基板に搭載した固体撮像装置(CMOSイメージセンサ)の概略構成図である。
この固体撮像装置は、各カラー画素によって互いに異なる初期電圧レベルから異なる減少率で減少するアナログ基準電圧を生成するアナログ基準電圧発生手段と、選択信号に応答して各カラー画素に対応してアナログ基準電圧を選択的に出力する選択手段と、この選択手段から出力されるアナログ基準電圧と画素アレイから出力されるアナログイメージデータを比較してデジタルイメージデータを出力する比較手段とを備え、各カラーのアナログイメージデータ特性に応じて画素アレイの各カラー画素から感知したアナログイメージデータをデジタルイメージデータに変換するようにしている。
具体的事例として、図14に示すように、固体撮像装置は、ベイヤーパターンに配列されたM(行線)×N(列線)画素アレイ50と、該画素アレイ50からのアナログ信号をデジタル信号に変換するためのアナログ−デジタル変換部60により構成されている。
アナログ−デジタル変換部60は、ベイヤーパターンを構成する色成分R,G,Bごとに用意されるアナログ参照電圧発生装置601A(B色用),601B(G色用),601C(R色用)と、垂直列ごとに配される比較器603A,603Bと、アナログ参照電圧発生装置601A,601B,601Cからの参照信号の何れか1つを選択して比較器603A,603Bに入力するマルチプレクサ602A,602Bとにより構成されている。
ここで、アナログ参照電圧発生器は、青色画素に対する参照電圧を発生する第1参照電圧発生器601A、緑色画素に対する基準電圧を発生する第2参照電圧発生器601B、および赤色画素に対する参照電圧を発生する第3基準電圧発生器601Cにより構成され、各参照電圧発生器は、それぞれが担当するカラー特性に応じて、互いに異なる初期電圧レベルから互いに異なる減少率を有する参照電圧を発生する。
比較器603A,603Bは、合計で、垂直列分(N個)だけ設けられ、たとえば、比較器603Aは奇数列に、比較器603Bは偶数列に配される。これに対応して、マルチプレクサ602Aは、奇数列の比較器603Aの入力側に配され、マルチプレクサ602Bは、偶数列の比較器603Bの入力側に配される。
つまり、カラー画素によって互いに異なる初期電圧レベルから異なる減少率で減少する参照信号を生成する各アナログ参照電圧発生装置と、各列の比較器ごとに各アナログ参照電圧発生装置からの参照信号の何れか1つを選択的に出力する選択手段(マルチプレクサ)とを設けている。
マルチプレクサ602A,602Bは、選択信号SELに応答して、参照電圧発生器601A,601B,601Cからの出力信号を選択的に出力する。比較器603A,603Bはマルチプレクサ602A,602Bからの出力信号と画素アレイ50からのアナログ信号を比較する。
ベイヤーパターンの場合、たとえば画素アレイ50中の第1列線、第3列線、第5列線など奇数列線には赤色画素または緑色画素が配列されているため、カラー画素によって奇数列線に配列されたマルチプレクサ602Aは第2または第3参照電圧発生器601B,601Cの出力信号中の1つを出力する。これに対し、第2列線、第4列線、第6列線など偶数列線には緑色画素または青色画素が配列されているため、カラー画素によって偶数列線に配列されたマルチプレクサ602Bは第1または第2参照電圧発生器601A,601Bの出力信号中の1つを出力する。
しかしながら、特許文献1に記載の仕組みでは、カラー画素によって互いに異なる初期電圧レベルから異なる減少率で減少する参照信号を各アナログ参照電圧発生装置において生成するとのことであるが、単に「カラー画素によって互いに異なる」と記載しているだけで、その詳細については明確でない。
本願発明者の検討によれば、参照信号の減少率は、カラー画素を構成するフォトダイオードなどの電荷生成部の色感度や、電荷生成部で生成された信号電荷を電気信号に変換する増幅用トランジスタなどの単位信号生成部の増幅率などを含む色特性に関係した感度特性に応じて調整する必要があるものの、初期電圧レベルに関しては、カラー画素の色特性(色フィルタに基づくもの)に関係して調整する必要は必ずしもないということが分かった。むしろ、たとえば黒基準や回路のオフセット成分など、色特性とは異なる観点から初期電圧レベルを調整するのが好ましいという点を発見した。
また特許文献1に記載の仕組みでは、ベイヤ配列の場合、第1参照電圧発生器601A、第2参照電圧発生器601B、および第3基準電圧発生器601Cの3台というように、カラー画像を撮像するための色フィルタの色成分ごとにアナログ参照電圧発生装置を用意し、各アナログ参照電圧発生装置から出力される参照信号を垂直列ごとに設けられる比較器の入力側まで伝達し、それぞれの比較器の入力側に各アナログ参照電圧発生装置からの参照信号の何れか1つを選択的に出力する選択手段(マルチプレクサ)を設けている。
このため、各アナログ参照電圧発生装置から発せられる参照信号を比較器の入力側に伝達する信号線の数が、カラー画像を撮像するための色フィルタの色成分だけ必要になり、それぞれの比較器の入力側において切り替える必要のある各アナログ参照電圧発生装置からの参照信号の数よりも多くなってしまうという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、カラー画像の撮像により適した参照信号を生成して、この好適な参照信号を用いてAD変換処理を行なうことのできる仕組みを提案することを目的とする。
また本発明は、カラー画素に応じた参照信号を比較器の入力側に伝達する信号線の数を、カラー画像を撮像するための色フィルタの色成分の数よりも少なくすることのできる仕組みを提案することを目的とする。
本発明に係る物理量分布検知の半導体装置は、入射された電磁波に対応する電荷を生成する電荷生成部および前記電荷生成部により生成された電荷に応じたアナログの単位信号を生成する単位信号生成部を単位構成要素内に含む有効領域を備え、かつ前記単位信号をデジタルデータに変換する機能要素として、前記単位信号をデジタルデータに変換するための参照信号を生成する参照信号生成部と、前記単位信号と前記参照信号生成部により生成された参照信号とを比較する比較部と、この比較部における比較処理と並行して、所定のカウントクロックでカウント処理を行ない、前記比較部における比較処理が完了した時点のカウント値を保持するカウンタ部とを備えた、物理量分布検知のための半導体装置であって、前記有効領域におけるそれぞれの前記電荷生成部の前記電磁波が入射される側の面には、色情報を取得するための複数色の色フィルタの組合せからなる色分解フィルタの何れかの色フィルタが設けられており、前記参照信号を生成して出力する個別の参照信号生成出力部を、前記読出単位に応じた所定方向および当該読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向のそれぞれにおける前記色フィルタの配列の繰返単位内に存在する前記色フィルタの色成分の数よりも少なく、かつ、前記単位信号の読出単位に応じた所定方向における前記色フィルタの配列の繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ有するとともに、前記参照信号生成出力部から独立に出力されるそれぞれの前記参照信号を、前記所定方向における共通の色特性を持つ前記色フィルタに対応する前記比較部に、共通の信号線を介して実質的に直接に伝達するように構成され、前記カウンタ部は、ダウンカウントモードおよびアップカウントモードの何れか一方のモードを選択してカウント処理を行なうことが可能に構成されていることを特徴とする
本発明の物理量分布検知の半導体装置は、カラー画像を撮像するための色フィルタの色成分の数よりも少ない数だけ設ける前記個別の参照信号生成出力部を構成するに際しては、一例として、読出単位に応じた所定方向および読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向のそれぞれにおける色フィルタの配列の繰返単位内に存在する色フィルタのそれぞれに応じた色対応参照信号生成部と色対応参照信号生成部を読出単位(たとえば処理対象行)の変更に応じて切り替える選択部を設けるのではなく、処理対象の単位構成要素に設けられている色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化する参照信号を生成するとともに、単位信号の読出単位の切り替えに応じて切り替る、色フィルタの配列の繰返単位を構成する色の組合せの変更に応じて、変化特性を変更するものとすることができる。
たとえば、行単位で単位信号の読出しを行なう構成の場合、少なくとも行方向には、色フィルタの配列の繰返単位を構成する色の組合せ分だけ参照信号生成出力部を設けておき、処理対象の行が切り替えられたときに、色の組合せの色要素の変更に応じて、それぞれの参照信号生成出力部から発せられる参照信号の変化特性を変更するようにすればよい。
あるいは、他の一例としては、対応する色フィルタの色特性に応じた参照信号を生成して出力する個別の色対応参照信号生成部を、読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向についても、色フィルタの配列の繰返単位分だけ有するものとするとともに、色対応参照信号生成部から独立に出力されるそれぞれの参照信号の何れか一方を、処理対象の読出単位の切替えに応じて選択して、対応する信号線に出力する選択部を有するものとすることもできる。
たとえば、行単位で単位信号の読出しを行なう構成の場合、行方向だけでなく列方向にも、色フィルタの配列の繰返単位を構成する色の組合せ分だけ参照信号生成出力部を設けておく。より具体的には、個別の色対応参照信号生成部には、繰返単位を構成する1つの分離フィルタの2次元マトリクス内に存在するそれぞれの色に応じた変化特性を持つ参照信号を生成する参照信号生成出力部を設けておく。そして、処理対象の行が切り替えられたときには、それぞれの参照信号生成出力部から出力される参照信号を、選択部を用いて、色の組合せの色要素の変更に応じて選択するようにすればよい。
ここで、たとえばベイヤ配列のように、繰返単位を構成する1つの分離フィルタの2次元マトリクス内に、同一色の色フィルタが複数存在する場合は、この同一色の色フィルタに関しては、個別の色対応参照信号生成部が、参照信号生成出力部を共通に利用する構成とするのがよい。
なお、個別の参照信号生成出力部は、複数の定電流源が並列に配され、対応する色フィルタの色特性に応じた参照信号を生成して出力する色対応参照信号生成部と、所定の制御信号に基づき、色対応参照信号生成部から出力される参照信号が、対応する色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するように、並列に配された複数の定電流源を選択する定電流源選択部とを備える構成とすることができる。
この場合、定電流源選択部は、個別の参照信号生成出力部ごとに設けることもできるし、個別の参照信号生成出力部に対して共通に1つだけ設けることもできる
本発明によれば、色特性に応じた変化特性を持つとともに、この色特性とは異なる観点から規定される初期値から変化する参照信号を用いてAD変換処理を行なうようにしたので、色特性の観点と色特性とは異なる観点の双方について好適な参照信号を用いてAD変換処理を行なうことができるようになった。この結果、従来よりも適切な信号処理を行なうことができるようになる。
また、本発明の構成によれば、参照信号を生成する参照信号生成部の構成を、参照信号を生成して出力する個別の参照信号生成出力部で構成するとともに、この参照信号生成出力部を、読出単位に応じた所定方向および読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向のそれぞれにおける色フィルタの配列の繰返単位内に存在する色フィルタの色成分の数よりも少なく、かつ、単位信号の読出単位に応じた所定方向における色フィルタの配列の繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ設け、さらに、各参照信号生成出力部から独立に出力されるそれぞれの参照信号を、共通の色特性を持つ色フィルタに対応する比較部に、共通の信号線を介して実質的に直接に伝達するように構成する。
要するに、読出単位に応じた所定方向とこの所定方向とは異なる方向とで形成される色分離フィルタの繰返単位内に存在する色フィルタの色種に拘らず、読出単位に応じた所定方向ごとに、色分離フィルタの繰返単位内に存在する色フィルタの数分の参照信号生成部を用意しておき、それぞれから、生成した参照信号を、対応する色フィルタ用の各比較部に共通の信号線を介して直接に伝達する。
このため、本発明の構成によれば、カラー画像を撮像するための色分離フィルタの単位が2次元で規定される場合に、カラー画素に応じた参照信号を比較器の入力側に伝達する信号線の数を、全色成分の数よりも少なくすることができるようになった。
また、各参照信号生成出力部から独立に出力されるそれぞれの参照信号を、共通の色特性を持つ色フィルタに対応する比較部に、共通の信号線を介して実質的に直接に伝達するので、特許文献1で必要としていた、垂直列ごとの選択手段(マルチプレクサ)が不必要となり、大幅に回路規模を縮小することができる。
加えて、色フィルタのそれぞれに応じた色対応参照信号生成部と色対応参照信号生成部を処理対象行に応じて切り替える選択部を設けるのではなく、読出単位の切り替えがなされたときに、その切り替えに伴う、色フィルタの配列の繰返単位を構成する色の組合せの変更に応じて、個別の参照信号生成出力部から出力される参照信号の変化特性を変更するようにすれば、参照信号生成部の全体構成の規模をさらに縮小することができる。
また、本発明は、AD変換装置を同一チップ上に搭載したカラー撮像対応の半導体装置を構成するに当たり、回路規模や伝送信号線の数をコンパクトにしつつ、カラー撮像に適した参照信号をAD変換用の比較部に供給することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下においては、X−Yアドレス型の固体撮像装置の一例である、CMOS撮像素子をデバイスとして使用した場合を例に説明する。また、CMOS撮像素子は、全ての画素がNMOSあるいはPMOSよりなるものであるとして説明する。
ただしこれは一例であって、対象となるデバイスはMOS型の撮像デバイスに限らない。光や放射線などの外部から入力される電磁波に対して感応性をする単位構成要素をライン状もしくはマトリクス状に複数個配列してなる物理量分布検知用の半導体装置の全てに、後述する全ての実施形態が同様に適用できる。
<第1実施形態;固体撮像装置の構成;ベイヤ配列>
図1は、本発明に係る半導体装置の第1実施形態であるCMOS固体撮像装置(CMOSイメージセンサ)の概略構成図である。また、図2は、画素部(撮像部)における有効画像領域(有効部)と、光学的黒を与える基準画素領域との関係の一例を示す図である。なお、このCMOS固体撮像装置は、本発明に係る電子機器の一態様でもある。
固体撮像装置1は、入射光量に応じた信号を出力する受光素子(電荷生成部の一例)を含む複数個の画素が行および列に配列された(すなわち2次元マトリクス状の)画素部を有し、各画素からの信号出力が電圧信号であって、CDS(Correlated Double Sampling ;相関2重サンプリング)処理機能部やデジタル変換部(ADC;Analog Digital Converter)などが列並列に設けられているものである。
“列並列にCDS処理機能部やデジタル変換部が設けられている”とは、垂直列の垂直信号線19に対して実質的に並列に複数のCDS処理機能部やデジタル変換部が設けられていることを意味する。複数の各機能部は、デバイスを平面視したときに、ともに画素部10に対して列方向の一方の端縁側(図の下側に配されている出力側)にのみ配されている形態のものであってもよいし、画素部10に対して列方向の一方の端縁側(図の下側に配されている出力側)とその反対側である他方の端縁側(図の上側)に分けて配されている形態のものであってもよい。後者の場合、行方向の読出走査(水平走査)を行なう水平走査部も、各端縁側に分けて配して、それぞれが独立に動作可能に構成するのがよい。
たとえば、列並列にCDS処理機能部やデジタル変換部が設けられている典型例としては、撮像部の出力側に設けたカラム領域と呼ばれる部分に、CDS処理機能部やデジタル変換部を垂直列ごとに設け、順次出力側に読み出すカラム型のものである。また、カラム型に限らず、隣接する複数(たとえば2つ分)の垂直信号線19(垂直列)に対して1つのCDS処理機能部やデジタル変換部を割り当てる形態や、N本おき(Nは正の整数;間にN−1本を配する)のN本分の垂直信号線19(垂直列)に対して1つのCDS処理機能部やデジタル変換部を割り当てる形態などを採ることもできる。
カラム型を除くものは、何れの形態も、複数の垂直信号線19(垂直列)が1つのCDS処理機能部やデジタル変換部を共通に使用する構成となるので、画素部10側から供給される複数列分の画素信号を1つのCDS処理機能部やデジタル変換部に供給する切替回路(スイッチ)を設ける。なお、後段の処理によっては、出力信号を保持するメモリを設けるなどの対処が必要になる。
何れにしても、複数の垂直信号線19(垂直列)に対して1つのCDS処理機能部やデジタル変換部を割り当てる形態などを採ることで、各画素信号の信号処理を画素列単位で読み出した後に行なうことで、同様の信号処理を各単位画素内で行なうものに比べて、各単位画素内の構成を簡素化し、イメージセンサの多画素化、小型化、低コスト化などに対応できる。
また、列並列に配された複数の信号処理部にて1行分の画素信号を同時並行処理することができるので、出力回路側やデバイスの外部で1つのCDS処理機能部やデジタル変換部にて処理を行なう場合に比べて、信号処理部を低速で動作させることができ、消費電力や帯域性能やノイズなどの面で有利である。逆に言えば、消費電力や帯域性能などを同じにする場合、センサ全体の高速動作が可能となる。
なお、カラム型の構成の場合、低速で動作させることができ消費電力や帯域性能やノイズなどの面で有利であるとともに切替回路(スイッチ)が不要である利点もある。以下の実施形態では、特に断りのない限り、このカラム型で説明する。
図1に示すように、第1実施形態の固体撮像装置1は、画素形状が概ね正方状の複数の単位画素3が行および列(つまり正方格子状)に配列された画素部(撮像部)10と、画素部10の外側に設けられた駆動制御部7と、カラム処理部26と、カラム処理部26にAD変換用の参照電圧を供給する参照信号生成部27と、出力回路28とを備えている。
なお、カラム処理部26の前段または後段には、必要に応じて信号増幅機能を持つAGC(Auto Gain Control) 回路などをカラム処理部26と同一の半導体領域に設けることも可能である。カラム処理部26の前段でAGCを行なう場合にはアナログ増幅、カラム処理部26の後段でAGCを行なう場合にはデジタル増幅となる。nビットのデジタルデータを単純に増幅してしまうと、階調が損なわれてしまう可能性があるため、どちらかというとアナログにて増幅した後にデジタル変換するのが好ましいと考えられる。
駆動制御部7は、画素部10の信号を順次読み出すための制御回路機能を備えている。たとえば、駆動制御部7としては、列アドレスや列走査を制御する水平走査回路(列走査回路)12と、行アドレスや行走査を制御する垂直走査回路(行走査回路)14と、内部クロックを生成するなどの機能を持つ通信・タイミング制御部20とを備えている。
なお、図中、通信・タイミング制御部20の近傍に点線で示すように、高速クロック生成部の一例であって、入力されたクロック周波数よりも高速のクロック周波数のパルスを生成するクロック変換部23を設けるようにしてもよい。通信・タイミング制御部20は、端子5aを介して入力される入力ロック(マスタークロック)CLK0やクロック変換部23で生成された高速クロックに基づいて内部クロックを生成する。
クロック変換部23で生成された高速クロックを源とする信号を用いることで、AD変換処理などを高速に動作させることができるようになる。また、高速クロックを用いて、高速の計算を必要とする動き抽出や圧縮処理を行なうことができる。また、カラム処理部26から出力されるパラレルデータをシリアルデータ化してデバイス外部に映像データD1を出力することもできる。こうすることで、AD変換されたデジタルデータのビット分よりも少ない端子で高速動作出力する構成を採ることができる。
クロック変換部23は、入力されたクロック周波数よりも高速のクロック周波数のパルスを生成する逓倍回路を内蔵している。このクロック変換部23は、通信・タイミング制御部20から低速クロックCLK2を受け取り、それを元にして2倍以上高い周波数のクロックを生成する。クロック変換部23の逓倍回路としては、k1を低速クロックCLK2の周波数の倍数としたときk1逓倍回路を設ければよく、周知の様々な回路を利用することができる。
図1では、簡単のため行および列の一部を省略して示しているが、現実には、各行や各列には、数十から数千の単位画素3が配置されて画素部10が構成される。この単位画素3は、典型的には、受光素子(電荷生成部)としてのフォトダイオードと、増幅用の半導体素子(たとえばトランジスタ)を有する画素内アンプとから構成される。
画素内アンプとしては、たとえばフローティングディフュージョンアンプ構成のものが用いられる。一例としては、電荷生成部に対して、電荷読出部(転送ゲート部/読出ゲート部)の一例である読出選択用トランジスタ、リセットゲート部の一例であるリセットトランジスタ、垂直選択用トランジスタ、およびフローティングディフュージョンの電位変化を検知する検知素子の一例であるソースフォロア構成の増幅用トランジスタを有する、CMOSセンサとして汎用的な4つのトランジスタからなる構成のものを使用することができる。
あるいは、特許第2708455号公報に記載のように、電荷生成部により生成された信号電荷に対応する信号電圧を増幅するための、ドレイン線(DRN)に接続された増幅用トランジスタと、電荷生成部をリセットするためのリセットトランジスタと、垂直シフトレジスタより転送配線(TRF)を介して走査される読出選択用トランジスタ(転送ゲート部)を有する、3つのトランジスタからなる構成のものを使用することもできる。
画素部10は、画像を取り込む有効領域である有効画像領域(有効部)10aの他に、図2に示すように、光学的黒を与える基準画素領域10bが、有効画像領域(有効部)10aの周囲に配されて構成される。一例としては、垂直列方向の上下に数行(たとえば1〜10行)分の光学的黒を与える基準画素が配列され、また、有効画像領域(有効部)10aを含む水平行における左右に数画素〜数10画素(たとえば3〜40画素)分の光学的黒を与える基準画素が配列される。
光学的黒を与える基準画素は、その受光面側が、フォトダイオードなどからなる電荷生成部に光が入らないように、遮光される。この基準画素からの画素信号は、映像信号の黒基準に使われる。
また、この第1実施形態の固体撮像装置1は、画素部10をカラー撮像対応にしている。すなわち、画素部10における各電荷生成部(フォトダイオードなど)の電磁波(本例では光)が入射される受光面には、カラー画像を撮像するための複数色の色フィルタの組合せからなる色分解フィルタの何れかの色フィルタが設けられている。
図示した例は、いわゆるベイヤ(Bayer)配列の基本形のカラーフィルタを用いており、正方格子状に配された単位画素3が赤(R),緑(G),青(B)の3色カラーフィルタに対応するように、色分離フィルタの繰返単位が2画素×2画素で配されて画素部10を構成している。
たとえば、奇数行奇数列には第1のカラー(赤;R)を感知するための第1のカラー画素を配し、奇数行偶数列および偶数行奇数列には第2のカラー(緑;G)を感知するための第2のカラー画素を配し、偶数行偶数列には第3のカラー(青;B)を感知するための第3のカラー画素を配しており、行ごとに異なったR/G、またはG/Bの2色のカラー画素が市松模様状に配置されている。
このようなベイヤ配列の基本形のカラーフィルタの色配列は、行方向および列方向の何れについても、R/GまたはG/Bの2色が2つごとに繰り返される。
また、駆動制御部7の他の構成要素として、水平走査回路12、垂直走査回路14、および通信・タイミング制御部20が設けられている。水平走査回路12は、カラム処理部26からカウント値を読み出す読出走査部の機能を持つ。これらの駆動制御部7の各要素は、画素部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成され、半導体システムの一例である固体撮像素子(撮像デバイス)として構成される。
単位画素3は、行選択のための行制御線15を介して垂直走査回路14と、また垂直信号線19を介してカラムAD回路25が垂直列ごとに設けられているカラム処理部26と、それぞれ接続されている。ここで、行制御線15は垂直走査回路14から画素に入る配線全般を示す。
水平走査回路12や垂直走査回路14は、後述のようにデコーダを含んで構成され、通信・タイミング制御部20から与えられる制御信号CN1,CN2に応答してシフト動作(走査)を開始するようになっている。このため、行制御線15には、単位画素3を駆動するための種々のパルス信号(たとえば、リセットパルスRST、転送パルスTRF、DRN制御パルスDRNなど)が含まれる。
通信・タイミング制御部20は、図示しないが、各部の動作に必要なクロックや所定タイミングのパルス信号を供給するタイミングジェネレータTG(読出アドレス制御装置の一例)の機能ブロックと、端子5aを介してマスタークロックCLK0を受け取り、また端子5bを介して動作モードなどを指令するデータDATAを受け取り、さらに固体撮像装置1の情報を含むデータを出力する通信インタフェースの機能ブロックとを備える。
たとえば、水平アドレス信号を水平デコーダ12aへ、また垂直アドレス信号を垂直デコーダ14aへ出力し、各デコーダ12a,14aは、それを受けて対応する行もしくは列を選択する。
この際、単位画素3を2次元マトリックス状に配置してあるので、画素信号生成部5により生成され垂直信号線19を介して列方向に出力されるアナログの画素信号を行単位で(列並列で)アクセスし取り込む(垂直)スキャン読みを行ない、この後に、垂直列の並び方向である行方向にアクセスし画素信号(本例ではデジタル化された画素データ)を出力側へ読み出す(水平)スキャン読みを行なうようにすることで、画素信号や画素データの読出しの高速化を図るのがよい。勿論、スキャン読みに限らず、読み出したい単位画素3を直接にアドレス指定することで、必要な単位画素3の情報のみを読み出すランダムアクセスも可能である。
また、第1実施形態の通信・タイミング制御部20では、端子5aを介して入力されるマスタークロック(マスタークロック)CLK0と同じ周波数のクロックCLK1や、それを2分周したクロックやより分周した低速のクロックをデバイス内の各部、たとえば水平走査回路12、垂直走査回路14、カラム処理部26などに供給する。以下、2分周したクロックやそれ以下の周波数のクロック全般を纏めて、低速クロックCLK2という。
垂直走査回路14は、画素部10の行を選択し、その行に必要なパルスを供給するものである。たとえば、垂直方向の読出行を規定する(画素部10の行を選択する)垂直デコーダ14aと、垂直デコーダ14aにて規定された読出アドレス上(行方向)の単位画素3に対する行制御線15にパルスを供給して駆動する垂直駆動回路14bとを有する。なお、垂直デコーダ14aは、信号を読み出す行の他に、電子シャッタ用の行なども選択する。
水平走査回路12は、低速クロックCLK2に同期してカラム処理部26のカラムAD回路25を順番に選択し、その信号を水平信号線(水平出力線)18に導くものである。たとえば、水平方向の読出列を規定する(カラム処理部26内の個々のカラムAD回路25を選択する)水平デコーダ12aと、水平デコーダ12aにて規定された読出アドレスに従って、カラム処理部26の各信号を水平信号線18に導く水平駆動回路12bとを有する。なお、水平信号線18は、たとえばカラムAD回路25が取り扱うビット数n(nは正の整数)分、たとえば10(=n)ビットならば、そのビット数分に対応して10本配置される。
このような構成の固体撮像装置1において、単位画素3から出力された画素信号は、垂直列ごとに、垂直信号線19を介して、カラム処理部26のカラムAD回路25に供給される。
カラム処理部26の各カラムAD回路25は、1列分の画素の信号を受けて、その信号を処理する。たとえば、各カラムAD回路25は、アナログ信号を、たとえば低速クロックCLK2を用いて、たとえば10ビットのデジタルデータに変換するADC(Analog Digital Converter)回路を持つ。
ADC回路の構成については、詳細は後述するが、コンパレータ(電圧比較器)にランプ状の参照信号(参照電圧)RAMPを供給すると同時にクロック信号でのカウント(計数)を開始し、垂直信号線19を介して入力されたアナログの画素信号を参照信号RAMPと比較することによってパルス信号が得られるまでカウントすることでAD変換を行なう。
また、この際、回路構成を工夫することで、AD変換とともに、垂直信号線19を介して入力された電圧モードの画素信号に対して、画素リセット直後の信号レベル(ノイズレベル)と真の(受光光量に応じた)信号レベルVsig との差分をとる処理を行なうことができる。これにより、固定パターンノイズ(FPN;Fixed Pattern Noise )やリセットノイズといわれるノイズ信号成分を取り除くことができる。
このカラムAD回路25でデジタル化された画素データは、水平走査回路12からの水平選択信号により駆動される図示しない水平選択スイッチを介して水平信号線18に伝達され、さらに出力回路28に入力される。なお、10ビットは一例であって、10ビット未満(たとえば8ビット)や10ビットを超えるビット数(たとえば14ビット)など、その他のビット数としてもよい。
このような構成によって、電荷生成部としての受光素子が行列状に配された画素部10からは、行ごとに各垂直列について画素信号が順次出力される。そして、受光素子が行列状に配された画素部10に対応する1枚分の画像すなわちフレーム画像が、画素部10全体の画素信号の集合で示されることとなる。
<カラムAD回路と参照信号生成部の詳細>
参照信号生成部27は、画素部10における色分解フィルタを構成する色フィルタの色の種類や配列に応じて、AD変換用の参照信号を発生する機能要素であるDA変換回路(DAC;Digital Analog Converter)を個別に備える。
使用する画素部10(デバイス)を決めると、色分解フィルタにおける色フィルタの色の種類や配列は決まり、2次元格子位置における任意位置の色フィルタが何色であるのかを一義的に特定することができる。色フィルタの行方向および列方向の各繰返しサイクルも、その配列によって一義的に決まり、列並列に設けた各カラムAD回路25が処理対象とする1つの処理対象行には、色分解フィルタで使用される全色分ではなく、繰返しサイクルで決まるより少ない所定色の組合せの画素信号のみが存在することなる。
本実施形態では、この性質に着目し、比較回路とカウンタとでAD変換回路を構成するに当たり、比較回路に供給するAD変換用の参照信号を発生する機能要素である、個別の参照信号生成出力部の一例であるDA変換回路を、色分解フィルタで使用される全色分設けるのではなく、先ず画素信号の読出単位である行方向に関して、色フィルタの繰返しサイクル内に存在する所定色の色フィルタの組合せに応じた数分だけとすることで、2次元における色フィルタの繰返しサイクル内に存在する色フィルタの全色分より少なくする。
さらに、各DA変換回路27a,27bから独立に出力されるそれぞれの参照信号RAMPa ,RAMPb を、それぞれ独立した信号線252a,252bを介して、共通の色特性を持つ色フィルタに対応する電圧比較部252に、それぞれ共通の信号線252a,252bを介して実質的に直接に伝達するように構成する。
なお、読出単位に応じた行方向とは異なる方向である異方向、すなわち垂直列方向に関しては、カラー画素の色特性に対応した変化特性(具体的には傾き)や、黒基準や回路オフセット成分などの色特性とは異なる非色特性の観点で規定された初期値を持って変化する色対応参照信号生成部を、垂直列方向における色フィルタの繰返しサイクル内に存在する所定色の色フィルタの組合せに応じた数分だけ、個別のDA変換回路(参照信号生成出力部)のそれぞれに設け、その各出力の何れか一方を、処理対象行の切り替えに応じて選択する構成とすることができる。
この場合、たとえばベイヤ配列のように、2次元における色フィルタの繰返しサイクル内に、同色の色フィルタが存在する場合、この同色の色フィルタに関しては、個別のDA変換回路(参照信号生成出力部)のそれぞれが、1つの色対応参照信号生成部を兼用(共用)する構成とすることもできる。
あるいは、個別のDA変換回路(参照信号生成出力部)のそれぞれに対して、処理対象行が切り替わるごとに、その切り替えに伴う色フィルタの配列の繰返単位を構成する色の組合せの変更に応じて、対応するカラー画素の色特性に対応した変化特性(具体的には傾き)や、黒基準や回路オフセット成分などの色特性とは異なる観点に基づく初期値を、通信・タイミング制御部20から設定するようにしてもよい。こうすることで、個別のDA変換回路(参照信号生成出力部)のそれぞれに色対応参照信号生成部や色対応参照信号生成部の何れかを選択する選択部を設ける必要がなくなる。
何れの構成でも、各DA変換回路(参照信号生成出力部)のそれぞれは、処理対象行が切り替わることで、その処理対象行に存在する所定色の組合せが切り替わることに応じて、DA変換回路が発する参照信号(アナログ基準電圧)の変化特性(具体的には傾き)を、色フィルタすなわちアナログの画素信号の特性に応じて切り替えて出力する。また、初期値に関しては、たとえば黒基準や回路のオフセット成分など、色特性とは異なる観点に基づいて設定することとなる。
こうすることで、参照電圧発生器(本例ではDA変換回路に相当)やこの参照電圧発生器からの配線を色分解フィルタを構成する色フィルタの数よりも少なくすることができる。また、色フィルタごとに参照電圧発生器を用意した場合に必要とされていた(特許文献1参照)、各参照電圧発生器からのアナログ基準電圧(本例の参照信号に相当)を選択的に出力する垂直列ごとの選択手段(マルチプレクサ)も不要となるので、回路規模を縮小できる。カラー画素に応じた参照信号を比較器の入力側に伝達する信号線の数を、カラー画像を撮像するための色フィルタの色成分の数よりも少なくすることができる。
また、変化特性(具体的には傾き)や初期値を、処理対象行が切り替わるごとに、その切り替えに伴う色フィルタの配列の繰返単位を構成する色の組合せの変更に応じて、DA変換回路に設定するようにすれば、色フィルタのそれぞれに応じた色対応参照信号生成部と色対応参照信号生成部を処理対象行に応じて切り替える選択部(後述する具体例1〜5を参照)を設ける必要がなく、参照信号生成部27の全体構成の規模をさらに縮小することができる(後述する具体例6を参照)。
本例では、固体撮像装置1としては、ベイヤ方式の基本配列のものを使用しており、先にも述べたように、色フィルタの繰返しは2行および2列ごととなる。行単位で画素信号を読み出して、垂直信号線19ごとに、列並列に設けた各カラムAD回路25に画素信号を入力するので、1つの処理対象行には、R/GまたはG/Bの何れか2色のみの画素信号が存在する。よって、本例では、奇数列に対応したDA変換回路27aと偶数列に対応したDA変換回路27bとを設けることとする。
各DA変換回路27a,27bは、通信・タイミング制御部20からの制御データCN4(CN4a,CN4b)で示される初期値から、通信・タイミング制御部20からのカウントクロックCKdaca, CKdacb(カウントクロックCK0と同じでもよい)に同期して、階段状の鋸歯状波(ランプ電圧)を生成して、カラム処理部26の対応する個々のカラムAD回路25に、この生成した鋸歯状波をAD変換用の参照信号(ADC基準信号)RAMPa ,RAMPb として供給するようになっている。なお、図示を割愛しているが、ノイズ防止用のフィルタを設けるとよい。
DA変換回路27a,27bは、本実施形態特有の機能として、所定位置の画素信号Vxにおける信号成分Vsig について電圧比較部252とカウンタ部254とを用いてAD変換処理を行なう際には、それぞれが発する参照信号RAMPa ,RAMPb の初期電圧を、画素の特性や回路ばら付きを反映させて、リセット成分ΔVについてのAD変換処理時とは異なる値に設定するとともに、色フィルタの配列を考慮して画素特性に適合するようにそれぞれの傾きβa,βbを設定する点に特徴を有する。
具体的には、先ず信号成分Vsig についての参照信号RAMPa ,RAMPb の初期電圧Vas、Vbsに関しては、任意の複数の黒基準を生成する画素から得られる信号を元に算出されたものとする。なお、黒基準を生成する画素は、カラー画素外に配置された電荷生成部32をなす光電変換素子としてのフォトダイオードなど上に遮光層を有する画素とする。その配置場所や配置数などの配置形態および遮光手段は、特に限定されず、公知の仕組みを採ることができる。
また、この初期電圧は、各DA変換回路27a,27bの特性によりそれぞれ生じる固有のばらつき成分を含むものとする。通常は、各初期電圧Vas、Vbsは、リセット成分ΔVについての参照信号RAMPa ,RAMPb の初期電圧Var、Vbrに対して、それぞれオフセットOFFa,OFFb分だけ低くする。
リセット成分ΔVについての参照信号RAMPa ,RAMPb の初期電圧Var、Vbrを同じにしていても、通常は、オフセットOFFa,OFFb分は異なる値となるので、信号成分Vsig についての参照信号RAMPa ,RAMPb の初期電圧Vas、Vbsは異なるものとなる。
なお信号成分Vsig についての参照信号RAMPa ,RAMPb の初期電圧Vas、Vbsは、黒基準を生成する画素から得られる信号以外にも任意のオフセットを含むものとしてもよい。
参照信号生成部27の各DA変換回路27a,27bが行なうオフセットOFFa,OFFb分の制御は、たとえば任意の複数の黒基準を生成する基準画素から得られる信号を元に初期電圧を算出する機能を通信・タイミング制御部20に持たせ、この通信・タイミング制御部20からの制御データCN4で示される初期値に基づいて行なうようにしてもよい。もちろん、DA変換回路27a,27bが、初期電圧を算出する機能を持ち、自身で初期電圧を算出するようにしてもよい。
あるいは、チップ内の通信・タイミング制御部20やDA変換回路27a,27bに、参照電圧の初期電圧を算出する機能を持つのではなく、チップ外の外部システムで黒基準を生成する基準画素から得られる信号を元に初期電圧を算出し、端子5bを介して動作モードの一部として初期電圧を示す情報を通信・タイミング制御部20に通知し、この通信・タイミング制御部20からの制御データCN4で参照信号生成部27に通知するようにしてもよい。
なお、参照信号生成部27が発する階段状の参照信号、詳しくはDA変換回路27aが発する参照信号RAMPa およびDA変換回路27bが発する参照信号RAMPb は、クロック変換部23からの高速クロック、たとえば逓倍回路で生成される逓倍クロックを元に生成することで、端子5aを介して入力されるマスタークロックCLK0に基づき生成するよりも高速に変化させることができる。
通信・タイミング制御部20から参照信号生成部27のDA変換回路27aに供給する制御データCN4a,CN4bは、比較処理ごとのランプ電圧の傾き(変化の度合い;時間変化量)を指示する情報も含んでいる。
カラムAD回路25は、参照信号生成部27のDA変換回路27aで生成される参照信号RAMPと、行制御線15(H0,H1,…)ごとに単位画素3から垂直信号線19(V0,V1,…)を経由し得られるアナログの画素信号とを比較する電圧比較部(コンパレータ)252と、電圧比較部252が比較処理を完了するまでの時間をカウントし、その結果を保持するカウンタ部254とを備えて構成されnビットAD変換機能を有している。
通信・タイミング制御部20は、電圧比較部252が画素信号のリセット成分ΔVと信号成分Vsig の何れについて比較処理を行なっているのかに応じてカウンタ部254におけるカウント処理のモードを切り替える制御部の機能を持つ。この通信・タイミング制御部20から各カラムAD回路25のカウンタ部254には、カウンタ部254がダウンカウントモードで動作するのかアップカウントモードで動作するのかを指示するための制御信号CN5が入力されている。
電圧比較部252の一方の入力端子RAMPは、他の電圧比較部252の入力端子RAMPと共通に、参照信号生成部27で生成される階段状の参照信号RAMPが入力され、他方の入力端子には、それぞれ対応する垂直列の垂直信号線19が接続され、画素部10からの画素信号電圧が個々に入力される。電圧比較部252の出力信号はカウンタ部254に供給される。
カウンタ部254のクロック端子CKには、他のカウンタ部254のクロック端子CKと共通に、通信・タイミング制御部20からカウントクロックCK0が入力されている。
このカウンタ部254は、その構成については図示を割愛するが、図6に示したラッチで構成されたデータ記憶部255の配線形態を同期カウンタ形式に変更することで実現でき、1本のカウントクロックCK0の入力で、内部カウントを行なうようになっている。カウントクロックCK0も、階段状の電圧波形と同様に、クロック変換部23からの高速クロック(たとえば逓倍クロック)を元に生成することで、端子5aを介して入力されるマスタークロックCLK0より高速にすることができる。
n個のラッチの組合せでnビットのカウンタ部254を実現でき、図6に示した2系統のn個のラッチで構成されたデータ記憶部255の回路規模に対して半分になる。加えて、カウンタ部24が不要になるから、全体としては、図6に示した構成よりも大幅にコンパクトになる。
ここで、第1実施形態のカウンタ部254は、詳細は後述するが、カウントモードに拘わらず共通のアップダウンカウンタ(U/D CNT)を用いて、ダウンカウント動作とアップカウント動作とを切り替えて(具体的には交互に)カウント処理を行なうことが可能に構成されている点に特徴を有する。また、第1実施形態のカウンタ部254は、カウント出力値がカウントクロックCK0に同期して出力される同期カウンタを使用する。
なお、同期カウンタの場合、すべてのフリップフロップ(カウンタ基本要素)の動作がカウントクロックCK0で制限される。よって、より高周波数動作が要求される場合には、カウンタ部254としては、その動作制限周波数が最初のフリップフロップ(カウンタ基本要素)の制限周波数でのみ決められるため高速動作に適する非同期カウンタの使用がより好ましい。
カウンタ部254には、水平走査回路12から制御線12cを介して制御パルスが入力される。カウンタ部254は、カウント結果を保持するラッチ機能を有しており、制御線12cを介しての制御パルスによる指示があるまでは、カウンタ出力値を保持する。
このような構成のカラムAD回路25は、先にも述べたように、垂直信号線19(V0,V1,…)ごとに配置され、列並列構成のADCブロックであるカラム処理部26が構成される。
個々のカラムAD回路25の出力側は、水平信号線18に接続されている。先にも述べたように、水平信号線18は、カラムAD回路25のビット幅であるnビット幅分の信号線を有し、図示しないそれぞれの出力線に対応したn個のセンス回路を経由して出力回路28に接続される。
このような構成において、カラムAD回路25は、水平ブランキング期間に相当する画素信号読出期間において、カウント動作を行ない、所定のタイミングでカウント結果を出力する。すなわち、先ず、電圧比較部252では、参照信号生成部27からのランプ波形電圧と、垂直信号線19を介して入力される画素信号電圧とを比較し、双方の電圧が同じになると、電圧比較部252のコンパレータ出力が反転(本例ではHレベルからLレベルへ遷移)する。
カウンタ部254は、参照信号生成部27から発せられるランプ波形電圧に同期してダウンカウントモードもしくはアップカウントモードでカウント動作を開始しており、コンパレータ出力の反転した情報がカウンタ部254に通知されると、カウント動作を停止し、その時点のカウント値を画素データとしてラッチ(保持・記憶)することでAD変換を完了する。
この後、カウンタ部254は、所定のタイミングで水平走査回路12から制御線12cを介して入力される水平選択信号CH(i)によるシフト動作に基づいて、記憶・保持した画素データを、順次、カラム処理部26外や画素部10を有するチップ外へ出力端子5cから出力する。
なお、本実施形態の説明としては直接関連しないため特に図示しないが、その他の各種信号処理回路なども、固体撮像装置1の構成要素に含まれる場合がある。
<参照信号生成部の機能説明>
図3は、第1実施形態の固体撮像装置1において使用される参照信号生成部27のDA変換回路(DAC)の機能を説明する図である。
DA変換回路27a,27bは、通信・タイミング制御部20からDAC用のカウントクロックCKdac の供給を受け、カウントクロックCKdaca,CKdacbに同期して、たとえば線形的に減少する階段状の鋸歯状波(ランプ波形)を生成し、カラムAD回路25の電圧比較部252に、この生成した鋸歯状波をAD変換用の参照電圧(ADC基準信号)として供給する。
ここで、DA変換回路27a,27bは、先ず、制御データCN4に含まれている比較処理ごとのランプ電圧の初期値を指示する情報に基づき初期電圧を設定するとともに、制御データCN4に含まれている比較処理ごとのランプ電圧の傾き(変化率)を指示する情報に基づき、1クロック当たりの電圧変化分ΔRAMPを設定し、単位時間(カウントクロックCKdac )ごとに1ずつカウント値を変化させるようにする。実際には、カウントクロックCKdac の最大カウント数(たとえば10ビットで2.0など)に対しての最大電圧幅を設定するだけでよい。初期電圧を設定するための回路構成はどのようなものであってもよい。
こうすることで、DA変換回路27a,27bは、制御データCN4に含まれている初期値を示す電圧(たとえば3.0V)から、1つのカウントクロックCKdaca,CKdacbごとにΔRAMPずつ電圧を低下させる。
また、単位画素3からの画素信号(詳しくは真の信号成分)に対する係数を設定する際は、通信・タイミング制御部20は、係数1を設定するカウントクロックCKdac1の基準周期に対して1/m分周したカウントクロックCKdacmをDA変換回路27aに供給する。DA変換回路27aは、制御データCN4に含まれている初期値を示す電圧(たとえば3.0V)から、1つのカウントクロックCKdacmごとにΔRAMPずつ電圧を低下させる。
こうすることで、電圧比較部252に供給される参照信号RAMPa ,RAMPb の傾きが、カウントクロックCKdac1(=CK0)で参照信号RAMPa ,RAMPb を生成する場合に対して、1/m倍となり、カウンタ部254にては、同じ画素電圧に対して、カウント値がm倍となる、すなわち係数としてmを設定できる。
つまり、カウントクロックCKdaca,CKdacbの周期を調整することで参照信号RAMPa ,RAMPb の傾きを変えることができる。たとえば、基準に対して1/m分周したクロックを使うと傾きが1/mとなる。カウンタ部254でのカウントクロックCK0を同一とすれば、カウンタ部254にては、同じ画素電圧に対して、カウント値がm倍となる、すなわち係数としてmを設定できる。つまり、参照信号RAMPa ,RAMPb の傾きを変えることで、後述する差分処理時の係数を調整することができる。
図3から分かるように、参照信号RAMPa ,RAMPb の傾きが大きい程、単位画素3に蓄積された情報量に掛かる係数は小さく、傾きが小さい程係数が大きいことになる。たとえば、カウントクロックCKdac1の基準周期に対して1/2分周したカウントクロックCKdac2を与えることで、係数を“2”に設定でき、1/4分周したカウントクロックCKdac4を与えることで、係数を“4”に設定できる。なお、n/m分周したカウントクロックCKdacnm を与えることで、係数をm/nに設定することもできる。
このように、カウントクロックCKdacmごとにΔRAMPずつ電圧を変化(本例では低下)させるようにしつつ、参照信号生成部27に与えるカウントクロックCKdacnm の周期を調整することで、簡単かつ精度よく係数を設定することができる。なお、画素信号の信号成分Vsig についてのカウント処理のモードを調整することで係数の符号(+/−)を指定することができる。
なお、ここで示した参照信号RAMPa ,RAMPb の傾きを利用した係数の設定手法は一例であって、このような手法に限定されない。たとえば、参照信号生成部27に与えるカウントクロックCKdaca,CKdacbの周期を一定にしつつ、カウンタ出力値をx、制御データCN4に含まれているランプ電圧の傾き(変化率)βとするとy=α(初期値)−β*xによって算出される電位を出力するなど、制御データCN4に含まれているランプ電圧の傾き(変化率)を指示する情報により、1つのカウントクロックCKdac ごとの電圧変化分ΔRAMPを調整するなど、任意の回路を用いることができる。ランプ電圧の傾きすなわちRAMPスロープの傾きβの調整は、たとえばクロック数を変える以外に、単位電流源の電流量を変えることによって、クロック当たりのΔRAMPを調整することで実現できる。
オフセットを与え得るα(初期値)や傾きを与え得るβ(係数)の設定手法は、カウントクロックCKdaca,CKdacbごとに少しずつ電圧変化するランプ波形を発生させる回路構成に応じたものとすればよい。一例としては、ランプ波形を発生させる回路を、定電流源の組合せと、その定電流源の何れか(1つもしくは任意数の複数)を選択する選択回路とで構成する場合、オフセットを与えるα(初期値)や傾きを与えるβ(係数)は何れも、定電流源を用いて、その定電流源に流れる電流を調整することで実現できる(詳しくは後述する)。
参照信号の生成手法に拘わらず、参照信号を、カラー画素の色特性に応じた傾きを持つとともに、たとえば黒基準や回路のオフセット成分など、色特性とは異なる観点に基づく初期値を持つようにすることで、色特性の観点と色特性とは異なる観点の双方について好適な参照信号を用いてAD変換処理を行なうことができるようになる。
<第1実施形態;固体撮像装置の動作>
図4は、図1に示した第1実施形態の固体撮像装置1のカラムAD回路25における基本動作である信号取得差分処理を説明するためのタイミングチャートである。
画素部10の各単位画素3で感知されたアナログの画素信号をデジタル信号に変換する仕組みとしては、たとえば、所定の傾きで下降するランプ波形状の参照信号RAMPと単位画素3からの画素信号における基準成分や信号成分の各電圧とが一致する点を探し、この比較処理で用いる参照信号RAMPの生成時点から、画素信号における基準成分や信号成分に応じた電気信号と参照信号とが一致した時点までをカウントクロックでカウント(計数)することで、基準成分や信号成分の各大きさに対応したカウント値を得る手法を採る。
ここで、垂直信号線19から出力される画素信号は、時間系列として、基準成分としての画素信号の雑音を含むリセット成分ΔVの後に信号成分Vsig が現れるものである。1回目の処理を基準成分(リセット成分ΔV)について行なう場合、2回目の処理は基準成分(リセット成分ΔV)に信号成分Vsig を加えた信号についての処理となる。以下具体的に説明する。
1回目の読出しのため、先ず通信・タイミング制御部20は、モード制御信号CN5をローレベルにしてカウンタ部254をダウンカウントモードに設定するとともに、リセット制御信号CN6を所定期間アクティブ(本例ではハイレベル)にしてカウンタ部254のカウント値を初期値“0”にリセットさせる(t9)。そして、任意の行Hxの単位画素3から垂直信号線19(V0,V1,…)への1回目の読出しが安定した後、通信・タイミング制御部20は、参照信号生成部27に向けて、参照信号RAMPa ,RAMPb 生成用の制御データCN4a,CN4bを供給する。
これを受けて、参照信号生成部27においては、先ず、Hx行上に存在する一方の色(奇数列のRまたはG)のカラー画素特性に合わせた傾きβaを持ち全体として鋸歯状(RAMP状)に時間変化させた階段状の波形(RAMP波形)を持った参照信号RAMPa をDA変換回路27aにて生成し、奇数列に対応するカラムAD回路25の電圧比較部252の一方の入力端子RAMPに、比較電圧として供給する。
同様に、Hx行上に存在する他方の色(偶数列のGまたはB)のカラー画素特性に合わせた傾きβbを持ち全体として鋸歯状(RAMP状)に時間変化させた階段状の波形(RAMP波形)を持った参照信号RAMPb をDA変換回路27bにて生成し、偶数列に対応するカラムAD回路25の電圧比較部252の一方の入力端子RAMPに、比較電圧として供給する。
電圧比較部252は、このRAMP波形の比較電圧と画素部10から供給される任意の垂直信号線19(Vx)の画素信号電圧とを比較する。
また、電圧比較部252の入力端子RAMPへの参照信号RAMPa ,RAMPb の入力と同時に、電圧比較部252における比較時間を、行ごとに配置されたカウンタ部254で計測するために、参照信号生成部27から発せられるランプ波形電圧に同期して(t10)、カウンタ部254のクロック端子に通信・タイミング制御部20からカウントクロックCK0を入力し、1回目のカウント動作として、初期値“0”からダウンカウントを開始する。すなわち、負の方向にカウント処理を開始する。
電圧比較部252は、参照信号生成部27からのランプ状の参照信号RAMPと垂直信号線19を介して入力される画素信号電圧Vxとを比較し、双方の電圧が同じになったときに、コンパレータ出力をHレベルからLレベルへ反転させる(t12)。つまり、リセット成分Vrst に応じた電圧信号と参照信号RAMPとを比較して、リセット成分Vrst の大きさに対応した時間経過後にアクティブロー(L)のパルス信号を生成して、カウンタ部254に供給する。
この結果を受けて、カウンタ部254は、コンパレータ出力の反転とほぼ同時にカウント動作を停止し、その時点のカウント値を画素データとしてラッチ(保持・記憶)することでAD変換を完了する(t12)。つまり、電圧比較部252に供給するランプ状の参照信号RAMPの生成とともにダウンカウントを開始し、比較処理によってアクティブロー(L)のパルス信号が得られるまでクロックCK0でカウント(計数)することで、リセット成分Vrst の大きさに対応したカウント値を得る。
通信・タイミング制御部20は、所定のダウンカウント期間を経過すると(t14)、電圧比較部252への制御データの供給と、カウンタ部254へのカウントクロックCK0の供給とを停止する。これにより、電圧比較部252は、ランプ状の参照信号RAMPの生成を停止する。
この1回目の読出し時は、画素信号電圧VxにおけるリセットレベルVrst を電圧比較部252で検知してカウント動作を行なっているので、単位画素3のリセット成分ΔVを読み出していることになる。
このリセット成分ΔV内には、単位画素3ごとにばらつく雑音がオフセットとして含まれている。しかし、このリセット成分ΔVのばらつきは一般に小さく、またリセットレベルVrst は概ね全画素共通であるので、任意の垂直信号線19の画素信号電圧Vxにおけるリセット成分ΔVの出力値はおおよそ既知である。
したがって、1回目のリセット成分ΔVの読出し時には、RAMP電圧を調整することにより、ダウンカウント期間(t10〜t14;比較期間)を短くすることが可能である。本実施形態では、リセット成分ΔVについての比較処理の最長期間を、7ビット分のカウント期間(128クロック)にして、リセット成分ΔVの比較を行なっている。
続いての2回目の読出し時には、リセット成分ΔVに加えて、単位画素3ごとの入射光量に応じた電気信号成分Vsig を読み出し、1回目の読出しと同様の動作を行なう。すなわち、先ず通信・タイミング制御部20は、モード制御信号CN5をハイレベルにしてカウンタ部254をアップカウントモードに設定する(t18)。そして、任意の行Hxの単位画素3から垂直信号線19(V0,V1,…)への2回目の読出しが安定した後、通信・タイミング制御部20は、信号成分Vsig についてのAD変換処理のため、参照信号RAMPa生成用の制御データCN4a(ここではオフセットOFFaと傾きβaを含む)をDA変換回路27aに供給するとともに、参照信号RAMPb生成用の制御データCN4b(ここではオフセットOFFbと傾きβbを含む)をDA変換回路27bに供給する。
これを受けて、参照信号生成部27においては、先ず、Hx行上に存在する一方の色(奇数列のRまたはG)のカラー画素特性に合わせた傾きβaを持ち全体として鋸歯状(RAMP状)に時間変化させた階段状の波形(RAMP波形)を持つとともに、リセット成分ΔV用の初期値Varに対してオフセットOFFaだけ下がった参照信号RAMPa をDA変換回路27aにて生成し、奇数列に対応するカラムAD回路25の電圧比較部252の一方の入力端子RAMPに、比較電圧として供給する。
同様に、Hx行上に存在する他方の色(偶数列のGまたはB)のカラー画素特性に合わせた傾きβbを持ち全体として鋸歯状(RAMP状)に時間変化させた階段状の波形(RAMP波形)を持つとともに、リセット成分ΔV用の初期値Vbrに対してオフセットOFFbだけ下がった参照信号RAMPb をDA変換回路27bにて生成し、偶数列に対応するカラムAD回路25の電圧比較部252の一方の入力端子RAMPに、比較電圧として供給する。
電圧比較部252は、このRAMP波形の比較電圧と画素部10から供給される任意の垂直信号線19(Vx)の画素信号電圧とを比較する。
先にも述べたように、このときの各参照電圧の初期電圧は、任意の複数の黒基準を生成する画素から得られる信号を元に算出されたものであり、DA変換回路27aから発せられる参照信号RAMPa とDA変換回路27bから発せられる参照信号RAMPb とでそれぞれ生ずる固有のばらつき成分を含む異なった値(オフセットOFFaおよびオフセットOFFb)となる。また、参照電圧の初期電圧は、黒基準を生成する画素から得られる信号以外にも任意のオフセットを含む場合もある。
電圧比較部252の入力端子RAMPへの参照信号RAMPa ,RAMPb の入力と同時に、電圧比較部252における比較時間を、行ごとに配置されたカウンタ部254で計測するために、参照信号生成部27から発せられるランプ波形電圧に同期して(t20)、カウンタ部254のクロック端子に通信・タイミング制御部20からカウントクロックCK0を入力し、2回目のカウント動作として、1回目の読出し時に取得された単位画素3のリセット成分ΔVに対応するカウント値から、1回目とは逆にアップカウントを開始する。すなわち、正の方向にカウント処理を開始する。
電圧比較部252は、参照信号生成部27からのランプ状の参照信号RAMPと垂直信号線19を介して入力される画素信号電圧Vxとを比較し、双方の電圧が同じになったときに、コンパレータ出力をHレベルからLレベルへ反転させる(t22)。つまり、信号成分Vsig に応じた電圧信号と参照信号RAMPとを比較して、信号成分Vsig の大きさに対応した時間経過後にアクティブロー(L)のパルス信号を生成して、カウンタ部254に供給する。
この結果を受けて、カウンタ部254は、コンパレータ出力の反転とほぼ同時にカウント動作を停止し、その時点のカウント値を画素データとしてラッチ(保持・記憶)することでAD変換を完了する(t22)。つまり、電圧比較部252に供給するランプ状の参照信号RAMPの生成とともにダウンカウントを開始し、比較処理によってアクティブロー(L)のパルス信号が得られるまでクロックCK0でカウント(計数)することで、信号成分Vsig の大きさに対応したカウント値を得る。
通信・タイミング制御部20は、所定のダウンカウント期間を経過すると(t24)、電圧比較部252への制御データの供給と、カウンタ部254へのカウントクロックCK0の供給とを停止する。これにより、電圧比較部252は、ランプ状の参照信号RAMPの生成を停止する。
この2回目の読出し時は、画素信号電圧Vxにおける信号成分Vsig を電圧比較部252で検知してカウント動作を行なっているので、単位画素3の信号成分Vsig を読み出していることになる。
ここで、本実施形態においては、カウンタ部254におけるカウント動作を、1回目の読出し時にはダウンカウント、2回目の読出し時にはアップカウントとしているので、カウンタ部254内で自動的に、式(1)で示す減算が行なわれ、この減算結果に応じたカウント値がカウンタ部254に保持される。
Figure 0004449565
ここで、式(1)は、式(2)のように変形でき、結果としては、カウンタ部254に保持されるカウント値は信号成分Vsig に応じたものとなる。
Figure 0004449565
つまり、上述のようにして、1回目の読出し時におけるダウンカウントと2回目の読出し時におけるアップカウントといった、2回の読出しとカウント処理によるカウンタ部254内での減算処理によって、単位画素3ごとのばらつきを含んだリセット成分ΔVとカラムAD回路25ごとのオフセット成分とを除去することができ、単位画素3ごとの入射光量に応じた信号成分Vsig に黒基準成分の補正を加えた信号についてのデジタルデータのみを簡易な構成で取り出すことができる。この際、回路ばらつきやリセット雑音も除去できる利点がある。
よって、本実施形態のカラムAD回路25は、アナログの画素信号をデジタルの画素データに変換するデジタル変換部としてだけでなく、CDS(Correlated Double Sampling ;相関2重サンプリング)処理機能部としても動作することとなる。
また、式(2)で得られるカウント値が示す画素データは正の信号電圧を示すので、補数演算などが不要となり、既存のシステムとの親和性が高い。
ここで、2回目の読出し時は、入射光量に応じた信号成分Vsig を読み出すので、光量の大小を広い範囲で判定するために、アップカウント期間(t20〜t24;比較期間)を広く取り、電圧比較部252に供給するランプ電圧を大きく変化させる必要がある。
そこで本実施形態では、信号成分Vsig についての比較処理の最長期間を、10ビット分のカウント期間(1024クロック)にして、信号成分Vsig の比較を行なっている。つまり、リセット成分ΔV(基準成分)についての比較処理の最長期間を、信号成分Vsig についての比較処理の最長期間よりも短くする。リセット成分ΔV(基準成分)と信号成分Vsig の双方の比較処理の最長期間すなわちAD変換期間の最大値を同じにするのではなく、リセット成分ΔV(基準成分)についての比較処理の最長期間を信号成分Vsig についての比較処理の最長期間よりも短くすることで、2回に亘るトータルのAD変換期間が短くなるように工夫する。
この場合、1回目と2回目との比較ビット数が異なるが、通信・タイミング制御部20から制御データを参照信号生成部27に供給して、この制御データに基づいて参照信号生成部27にてランプ電圧を生成するようにすることで、ランプ電圧の傾きすなわち参照信号RAMPの変化率を1回目と2回目とで同じにする。デジタル制御でランプ電圧を生成するので、ランプ電圧の傾きを1回目と2回目とで同じにすることが容易である。これにより、AD変換の精度を等しくできるため、アップダウンカウンタによる式(1)で示した減算結果が正しく得られる。
2回目のカウント処理が完了した後の所定のタイミングで(t28)、通信・タイミング制御部20は水平走査回路12に対して画素データの読出しを指示する。これを受けて、水平走査回路12は、制御線12cを介してカウンタ部254に供給する水平選択信号CH(i)を順次シフトさせる。
こうすることで、カウンタ部254に記憶・保持した式(2)で示されるカウント値、すなわちnビットのデジタルデータで表された画素データが、n本の水平信号線18を介して、順次、カラム処理部26外や画素部10を有するチップ外へ出力端子5cから出力され、その後、順次行ごとに同様の動作が繰り返されることで、2次元画像を表す映像データD1が得られる。
以上説明したように、第1実施形態の固体撮像装置によれば、アップダウンカウンタを用いつつ、その処理モードを切り替えて2回に亘ってカウント処理を行なうようにした。また、行列状に単位画素3が配列された構成において、カラムAD回路25を垂直列ごとに設けた列並列カラムAD回路で構成した。
ここで、比較回路とカウンタとでAD変換回路を構成するに当たり、比較回路に供給するAD変換用の参照信号を発生する機能要素であるDA変換回路を、カラー画像撮像に使用する色分解フィルタにおける色フィルタの全色分を用意するのではなく、色の種類や配列で決まる色の繰返しサイクルに応じた所定色の組合せに応じた分だけ設けるようにした。また、処理対象行が切り替わることで、その処理対象行に存在する所定色の組合せが切り替わることに応じて、DA変換回路が発する参照信号(アナログ基準電圧)の変化特性(具体的には傾き)や初期値を、色フィルタすなわちアナログの画素信号の特性に応じて切り替えるようにした。
これにより、参照電圧発生器として機能するDA変換回路や参照電圧発生器からの配線を色分解フィルタを構成する色フィルタの数よりも少なくすることができ、また、色フィルタごとに参照電圧発生器を用意した場合に必要となるアナログ基準電圧(参照信号)を選択的に出力するマルチプレクサも不要となるので、大幅に回路規模が縮小できる。
また、処理対象行に存在する所定色の組合せが切り替わることに応じて、DA変換回路が発する参照信号の変化特性(具体的には傾き)を切替設定するようにしたので、画素部10を構成する各カラー画素の特性に応じて互いに異なる基準電圧を各々生成して比較処理を行なうことによって、単位画素から出力されるアナログの画素信号をデジタルデータに変換する際、各々のカラーに応じて参照信号の傾きを調節することで、各カラーの特性を緻密に制御することができる。
加えて、DA変換回路が発する参照信号の初期値をDA変換回路で生ずる固有のばらつき成分や黒基準成分に応じて切替設定するようにしたので、回路ばらつきを補正できるとともに、黒基準成分の補正を加えた信号のみについて簡易な構成でAD変換することができる。
さらに、基準成分(リセット成分)と信号成分との減算処理が2回目のカウント結果として垂直列ごとに直接に取得することができ、基準成分と信号成分のそれぞれのカウント結果を保持するメモリ装置をカウンタ部が備えるラッチ機能で実現でき、AD変換されたデータを保持する専用のメモリ装置をカウンタとは別に用意する必要がない。
加えて、基準成分と信号成分との差を取るための特別な減算器が不要になる。よって、従来構成よりも、回路規模や回路面積を少なくすることができ、加えて、雑音の増加や電流あるいは消費電力の増大を解消することができる。
また、比較部とカウンタ部でカラムAD回路(AD変換部)を構成したので、ビット数によらずカウンタ部を動作させるカウントクロック1本とカウントモードを切り替える制御線とでカウント処理を制御でき、従来構成で必要としていたカウンタ部のカウント値をメモリ装置まで導く信号線が不要になり、雑音の増加や消費電力の増大を解消することができる。
つまり、AD変換装置を同一チップ上に搭載した固体撮像装置1において、電圧比較部252とカウンタ部254とを対にしてAD変換部としてのカラムAD回路25を構成するとともに、カウンタ部254の動作としてダウンカウントとアップカウントとを組み合わせて使用しつつ、処理対象信号の基本成分(本実施形態ではリセット成分)と信号成分との差をデジタルデータにすることで、回路規模や回路面積や消費電力、あるいは他の機能部と間のインタフェース用配線の数や、この配線によるノイズや消費電流などの問題を解消することができる。
<第2実施形態;固体撮像装置の構成>
図5は、本発明の第2実施形態に係るCMOS固体撮像装置の概略構成図である。第2実施形態の固体撮像装置1は、第1実施形態の固体撮像装置1に対して、カラムAD回路25の構成を変形している。
すなわち、第2実施形態におけるカラムAD回路25は、カウンタ部254の後段に、このカウンタ部254の保持したカウント結果を保持するnビットのメモリ装置としてのデータ記憶部256と、カウンタ部254とデータ記憶部256との間に配されたスイッチ258とを備えている。
スイッチ258には、他の垂直列のスイッチ258と共通に、通信・タイミング制御部20から、所定のタイミングで、制御パルスとしてのメモリ転送指示パルスCN8が供給される。スイッチ258は、メモリ転送指示パルスCN8が供給されると、対応するカウンタ部254のカウント値をデータ記憶部256に転送する。データ記憶部256は、転送されたカウント値を保持・記憶する。
なお、カウンタ部254のカウント値を所定のタイミングでデータ記憶部256に保持させる仕組みは、両者間にスイッチ258を配する構成に限らず、たとえば、カウンタ部254とデータ記憶部256とを直接に接続しつつ、カウンタ部254の出力イネーブルをメモリ転送指示パルスCN8で制御することで実現することもできるし、データ記憶部256のデータ取込タイミングを決めるラッチクロックとしてメモリ転送指示パルスCN8を用いることでも実現できる。
データ記憶部256には、水平走査回路12から制御線12cを介して制御パルスが入力される。データ記憶部256は、制御線12cを介しての制御パルスによる指示があるまでは、カウンタ部254から取り込んだカウント値を保持する。
水平走査回路12は、カラム処理部26の各電圧比較部252とカウンタ部254とが、それぞれが担当する処理を行なうのと並行して、各データ記憶部256が保持していたカウント値を読み出す読出走査部の機能を持つ。
<第2実施形態;パイプライン処理の動作>
図6は、図5に示した第2実施形態の固体撮像装置1のカラムAD回路25における基本動作を説明するためのタイミングチャートである。カラムAD回路25におけるAD変換処理は、第1実施形態と同様である。ここではその詳細な説明を割愛する。
第2実施形態においては、第1実施形態の構成に、データ記憶部256を追加したものであり、AD変換処理を始めとする基本的な動作は第1実施形態と同様であるが、カウンタ部254の動作前(t6)に、通信・タイミング制御部20からのメモリ転送指示パルスCN8に基づき、前行Hx−1の処理時におけるカウント結果をデータ記憶部256に転送する。
第1実施形態では、処理対象の画素信号における2回目の読出処理、すなわちAD変換処理が完了した後でなければ画素データをカラム処理部26の外部に出力することができないので、読出処理には制限があるのに対して、第2実施形態の構成では、処理対象の画素信号における1回目の読出処理(AD変換処理)に先立って前回の減算処理結果を示すカウント値をデータ記憶部256に転送しているので、読出処理には制限がない。
よって、このような第2実施形態の構成によれば、カウンタ部254が保持したカウント結果をデータ記憶部256に転送することができるため、カウンタ部254のカウント動作すなわちAD変換処理と、カウント結果の水平信号線18への読出動作とを独立して制御可能であり、AD変換処理と外部(先ずは水平信号線18)への信号の読出動作とを独立・並行して行なうパイプライン動作が実現できる。
<第3実施形態;固体撮像装置の構成;エメラルド画素を追加>
図7は、本発明の第3実施形態に係るCMOS固体撮像装置の概略構成図である。第3実施形態の固体撮像装置1は、色分離フィルタの色フィルタの配列を変形している点に特徴を有する。具体的には、第1および第2実施形態では、正方格子状に配された単位画素3に対して、赤(R),緑(G),青(B)の3色カラーフィルタをベイヤ(Bayer)配列の基本形に従って配列していたが、フィルタ色やその配列順はベイヤ配列の基本形に限定されない。たとえば、ベイヤ配列の改良形にすることもできるし、補色フィルタあるいはその他のフィルタ色を用いることができる。
たとえば、図7に示すように、奇数行偶数列に配した第2のカラー(緑;G)を感知するための第2のカラー画素に代えて、第4のカラー(エメラルド;E)を感知するための第4のカラー画素を配してもよい。
この場合でも、行ごとに異なったR/E、またはG/Bの2色のカラー画素が市松模様状に配置されている。このような色配列は、行方向および列方向の何れについても、R/EまたはG/Bの2色が2つごとに繰り返される点においては、ベイヤ配列の基本形と同じである。
つまり、カラー画素に色再現性を高めるために第4のカラー画素Eが加わったものであり、全体の動作は、第1実施形態と全く同様にすることができ、処理対象行に存在する所定色の組合せが切り替わることに応じて、DA変換回路が発する参照信号の変化特性(傾き)や初期値を、色フィルタすなわちアナログの画素信号の特性に応じて切り替えるなどに関しては第1実施形態と同様にすればよく、参照電圧発生器として機能するDA変換回路を削減できる点やマルチプレクサが不要である、各々のカラーに応じて参照信号の傾きを調節することで各カラーの特性を緻密に制御することができる、あるいは黒基準成分や回路オフセット成分の補正を加えた信号のみについて簡易な構成でAD変換することができるなど、第1実施形態で述べたと同様の効果を享受することができる。
色信号処理についての詳細な説明は割愛するが、4色カラーフィルタに対応して、4色で撮影された各色の映像信号から、人間の目に近いRGBの3色を作り出すためのマトリックス演算を行なう画像処理プロセッサを出力回路28の後段に設ける。赤(R),緑(G),青(B)のフィルタに加えてエメラルド(E)のフィルタを搭載すれば、3色カラーフィルタよりも色再現の差を低減させることができ、たとえば青緑色や赤色の再現性を向上させることができる。
<参照信号生成部の構成例;第1例>
図8は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第1例を示すブロック図である。この第1例の参照信号生成部27は、読出単位である水平行方向に関して色分離フィルタの繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ設けた各参照信号生成出力部(本例ではDA変換回路27a,27b)のそれぞれについて、対応する色フィルタの色特性の観点から決定される傾きを持つとともに、黒レベルや回路オフセットなど色特性とは異なる観点から決定される初期値を持つ参照信号を生成して出力する色対応参照信号生成部を、水平行方向とは異なる方向である異方向としての垂直列方向に関して、色フィルタ配列の繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ設けるとともに、この色対応参照信号生成部から独立に出力される各参照信号の何れか一方を、処理対象行の切替え(読出単位の切替え)に応じて選択して、対応する信号線に出力する選択部を設けるようにした点に、第1の特徴を有する。
また、それぞれの色対応参照信号生成部を、並列に配された複数の定電流源を含んで構成されるものとするとともに、所定の制御信号に基づき並列に配された複数の定電流源の中から1つもしくは複数を選択する定電流源選択部と、並列に配された複数の定電流源に流れる電流を制御することで、色対応参照信号生成部から出力される参照信号が、対応する色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するように制御する変化特性制御部とを設けるようにした点に、第2の特徴を有する。特に、定電流源選択部を、個別の参照信号生成出力部ごとに設けている点に特徴を有する。
さらに、変化特性制御部を、並列に配された複数の定電流源に対してカレントミラー構造を有する基準定電流源を有するもので構成し、この基準定電流源に流れる電流を調整可能に構成することで、色対応参照信号生成部から出力される参照信号が、対応する色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するようにした点に第3の特徴を有する。
さらに、それぞれの色対応参照信号生成部に設けられる並列に配された複数の定電流源によって生成される参照信号の初期値を設定する初期値設定部を各色対応参照信号生成部に設けるとともに、色対応参照信号生成部から出力される参照信号の初期値が、黒基準や回路オフセット成分など、対応する色フィルタの色特性とは異なる非色特性に基づくものに設定可能にした点に第4の特徴を有する。特に、この初期値設定部を、並列に配された複数の定電流源に流れる電流に初期値を与える電流を重畳する初期値設定電流源を有するもので構成し、この初期値設定電流源に流れる電流を調整可能に構成している点に特徴を有する。
具体的には、図8に示す第1例の参照信号生成部27は、ベイヤ配列の画素部10を有する第1および第2実施形態の固体撮像装置1に対応するものであり、先ず、Hx行上に存在する一方の色(奇数列のRまたはG)用の参照信号RAMPa を発するDA変換回路27aは、この奇数列のR色に対応した内部に並列に配された複数の定電流源270R-1〜-nを含む定電流源アレイ270RおよびG色に対応した内部に並列に配された複数の定電流源270G-1〜-nを含む定電流源アレイ270Gと、各定電流源アレイ270R,270Gの各定電流源を所定の規則に従って選択する定電流源選択部280とを含んで構成されている。
また、DA変換回路27aは、順次切り替わる処理対象行に応じて定電流源アレイ270R,270Gのうち一方に切り替える定電流源アレイ選択部290と、基準電圧Vref を定電流源アレイ270,270Gの組合せで分圧する分圧抵抗298aとを含んで構成されている。
分圧抵抗298aと定電流源アレイ選択部290との接続点は、DA変換回路27aの出力端299aに接続され、この出力端299aからランプ波形を呈する参照信号RAMPa が出力される。
また同様に、Hx行上に存在する他方の色(偶数列のGまたはB)用の参照信号RAMPb を発するDA変換回路27bは、この偶数列のGに対応した内部に並列に配された複数の定電流源272G-1〜-nを含む定電流源アレイ272Gおよび内部に並列に配された複数の定電流源272B-1〜-nを含む定電流源アレイ272Bと、各定電流源アレイ272G,272Bの各定電流源を所定の規則に従って選択する定電流源選択部282とを含んで構成されている。
また、DA変換回路27bは、順次切り替わる処理対象行に応じて定電流源アレイ272G,272Bのうち一方に切り替える定電流源アレイ選択部290と、基準電圧Vref を定電流源アレイ272G,272Bの組合せで分圧する分圧抵抗298bとを含んで構成されている。
分圧抵抗298bと定電流源アレイ選択部292との接続点は、DA変換回路27aの出力端299bに接続され、この出力端299bからランプ波形を呈する参照信号RAMPb が出力される。
定電流源アレイ270R,270G、272G、272Bは、何れも、対応する色フィルタの色特性に応じた参照信号を生成して出力する個別の色対応参照信号生成部の一例である。
定電流源選択部280にはカウントクロックCKdacaが、また、定電流源選択部282にはカウントクロックCKdacbが、それぞれ通信・タイミング制御部20から入力される。定電流源選択部280,282は、各定電流源アレイ270R,270G,272G,272Bに内蔵されている所定数の定電流源に中から、カウントクロックCKdaca,CKdacbごとに、1つもしくは複数個選択することで、階段状の鋸歯状波(ランプ電圧)が参照信号RAMPa ,RAMPb としてDA変換回路27a,27bの各出力端299a,299bから出力されるようにする。
定電流源アレイ270Rに設けられる定電流源270R-1〜-nとしては、第1例としては、電流値の重付けが全て等しいものを、たとえば8ビット対応の場合にはn=256、10ビット対応の場合にはn=1024というように、ビット数に応じた段数分だけ用意するとよい。定電流源選択部280は、カウントクロックCKdacaのアクティブエッジ(たとえば立下りエッジ)が入力される度に、オンする定電流源を順次増やして行く。このような構成にすると、オンする定電流源が順次増えて行くので、ランプ波形に段差が生じることがない。なお、たとえば、n=128あるいは256程度ごとに別に設けたカウンタでカウントし、重み付けした別の定電流源を順次オンするようにしてもよい。
あるいは、第2例としては、定電流源アレイ270Rに設けられる定電流源270R-1〜-nとしては、ビット数分だけ用意する。各定電流源に対しては、ビットに応じた電流値の重付けをする。定電流源選択部280にはカウンタ回路を設け、そのカウンタ回路のビット出力で、ビット数分の各定電流源をオン/オフする。このような構成にすると、第1例の構成に比べて定電流源の数が飛躍的に少なくなるが、ビットに応じた重付けのばらつきや温度などの環境変化によりビットの桁上がり部分でランプ波形に段差が生じる虞れがある。
また、この第1例特有の構成として、定電流源アレイ270Rは、リセット成分ΔV用の初期値Varに対してオフセットoffaR を制御信号J1−Rに従って設定する定電流源270R-offを有するとともに、奇数列のR色のカラー画素特性に合わせた傾きβaRを制御信号J2−Rに従って設定する定電流源270R-βaを有する。
定電流源270R-offは、処理対象の単位画素3(単位構成要素)に設けられている色フィルタの色特性とは異なる観点に基づいて初期値を設定する初期値設定部の一例である。この定電流源270R-offに流れる電流を制御信号J1−Rにより調整することで信号成分Vsig 用の初期値Vasを設定でき、DA変換回路27aの出力端299aから出力される階段状を呈する参照信号RAMPa におけるリセット成分ΔV用の初期値Varに対してのオフセットoffaR を設定することができる。
また、定電流源270R-βaは、定電流源アレイ270R内に存在する複数の定電流源270R-1〜-nおよび定電流源270R-offに流れる電流を制御することで、色対応参照信号生成部としてのR色用の定電流源アレイ270Rから出力される参照信号RAMPaRが、対応するR色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するように制御する変化特性制御部の一例である。
この定電流源270R-βaは、定電流源270R-1〜-nおよび定電流源270R-offとの間でカレントミラー(CM;Current Mirror)を構成しており、定電流源270R-βaに流れる電流と定電流源270R-1〜-nおよび定電流源270R-offに流れる電流との間には比の関係がある。よって、定電流源270R-βaに流れる電流を制御信号J2−Rにより調整することで、定電流源270R-1〜-nおよび定電流源270R-offに流れる電流、つまり定電流源アレイ270Rの出力端に現われる参照信号RAMPaRの傾きβaR、結果的には、DA変換回路27aの出力端に現われる参照信号RAMPa の傾きβaRを調整できる。
同様に、定電流源アレイ270Gは、リセット成分ΔV用の初期値Vagに対してオフセットoffaG を制御信号J1−Gに従って設定する定電流源270G-offを有するとともに、奇数列のG色のカラー画素特性に合わせた傾きβaGを制御信号J2−Gに従って設定する定電流源270G-βaを有する。また、定電流源アレイ272Gは、リセット成分ΔV用の初期値Vbgに対してオフセットoffbG を制御信号J3−Gに従って設定する定電流源272G-offを有するとともに、偶数列のG色のカラー画素特性に合わせた傾きβbGを制御信号J4−Gに従って設定する定電流源272G-βbを有する。また、定電流源アレイ272Bは、リセット成分ΔV用の初期値Vbbに対してオフセットoffbB を制御信号J3−Bに従って設定する定電流源272B-offを有するとともに、偶数列のB色のカラー画素特性に合わせた傾きβbBを制御信号J4−Bに従って設定する定電流源272B-βbを有する。
定電流源270G-off、定電流源270G-βa、定電流源272G-off、定電流源272G-βb、定電流源272B-off、定電流源272B-βbの何れも、各機能部の基本的な動作は、DA変換回路27aにおける定電流源アレイ270Rのものと同様である。ここでは、それらについての詳細な説明を割愛する。
このような第1例のDA変換回路27a,27bによれば、定電流源の組合せとその定電流源をオン/オフすることでランプ電圧を呈する参照信号を生成する定電流源アレイの構成に加えて、定電流源27#@-off(#は0,2の何れか、@はR,G,Bの何れか)を用いてをリセット成分ΔV用の初期値Va,Vbに対してのオフセットoff を設定するとともに、同様に、定電流源27#@-β*(#は0,2の何れか、@はR,G,Bの何れか、*はa,bの何れか)を用いてランプ電圧を呈する参照信号の傾きβ*@を調整するようにした。基本となる参照信号を生成する定電流源27#@-1〜-nのアレイ(並列配置)の構成とのマッチングもよく、簡易な構成で、任意の行の2色のカラー画素特性に合わせた傾きβaもしくはβbを持った参照電圧を生成することができ、しかも、オフセットも調整できるので、黒基準成分や回路オフセットの補正を加えることもできる利点がある。
なお、この第1例では、参照信号のオフセットおよび傾き変更用に、オフセット変更用の定電流源27#@-offと傾き変更用の定電流源27#@-β*を設けているが、その他の手段として、たとえば、オフセットは基準電圧Vref を直接変更することによっても調整可能である。また、傾きは、定電流源27#@-1〜nの単位電流源の電流量を直接に制御することによっても調整可能である。
<参照信号生成部の構成例;第2例>
図9は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第2例を示すブロック図である。この第2例の参照信号生成部27は、第1例の構成を採るとともに、第4のカラー画素としてエメラルド画素を追加した第3実施形態の固体撮像装置1に対応するものである。定電流源アレイ272Gを定電流源アレイ272Eに変更しただけであり、基本的な動作や効果は、第1例のものと同様である。ここでは、定電流源アレイ272Eについての詳細な説明を割愛する。
<参照信号生成部の構成例;第3例>
図10は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第3例を示すブロック図である。この第3例の参照信号生成部27は、所定の制御信号に基づき並列に配された複数の定電流源の中から1つもしくは複数を選択する定電流源選択部を、個別の参照信号生成出力部に対して共通に設けるようにした点に特徴を有する。
具体的には、図10に示す第3例の参照信号生成部27は、ベイヤ配列の画素部10を有する第1および第2実施形態の固体撮像装置1に対応するものであり、第1例の構成におけるDA変換回路27aおよびDA変換回路27bごとに設けていた定電流源選択部280,282を、共通の定電流源選択部284に変更している点に特徴を有する。
定電流源選択部284にはカウントクロックCKdac が通信・タイミング制御部20から入力される。定電流源選択部284は、各定電流源アレイ270R,270G,272G,272Bに内蔵されている所定数の定電流源に中から、カウントクロックCKdac ごとに、1つもしくは複数個選択することで、階段状の鋸歯状波(ランプ電圧)が参照信号RAMPa ,RAMPb としてDA変換回路27a,27bの各出力端299a,299bから出力されるようにする。
ここで、第1例の構成における定電流源選択部280、282の選択動作は、定電流源アレイ270R,270G,272G,272Bを同様の構成とすれば、基本的に同じでよく、1つの回路によるオン/オフ動作で、階段状の鋸歯状波を参照信号RAMPa ,RAMPb としてDA変換回路27a,27bの各出力端299a,299bから出力させることができる。
第3例の構成はこの点に着目してなされたものである。このように構成することにより、定電流源アレイ内の定電流源を選択切替えする回路を第1例の構成に比べて減らすことが可能となる。
<参照信号生成部の構成例;第4例>
図11は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第4例を示すブロック図である。この第4例の参照信号生成部27は、第3例の構成を採るとともに、第4のカラー画素としてエメラルド画素を追加した第3実施形態の固体撮像装置1に対応するものである。定電流源アレイ272Gを定電流源アレイ272Eに変更しただけであり、基本的な動作は、第3例のものと同様である。ここでは、定電流源アレイ272Eや定電流源選択部284についての詳細な説明を割愛する。
<参照信号生成部の構成例;第5例>
図12は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第5例を示すブロック図である。この第5例の参照信号生成部27は、色分離フィルタの2次元の繰返単位内に同一色の色フィルタが複数存在する場合に、その同一色フィルタに対応する第1の色対応参照信号生成部を設け、単独に存在する色成分についての個別の参照信号生成出力部には、単独に存在する色成分についての第2の色対応参照信号生成部を設けるとともに、前記第1の色対応参照信号生成部を共通に使用する(兼用する)ように構成した点に特徴を有する。
また、第1の色対応参照信号生成部および第2の色対応参照信号生成部から独立に出力されるそれぞれの参照信号の何れか一方を、処理対象の読出単位(たとえば処理対象行)の切り替えに応じて選択して、対応する信号線に出力する選択部を設けるようにした点に特徴を有する。
具体的には、図12に示す第5例の参照信号生成部27は、ベイヤ配列の画素部10を有する第1および第2実施形態の固体撮像装置1に対応するものであり、第3例の構成におけるDA変換回路27aおよびDA変換回路27bごとに設けていた定電流源アレイ270Gと定電流源アレイ272Gとを、共通の定電流源アレイ274Gに変更している点に特徴を有する。つまり、ベイヤ配列における2箇所に現われる第2のカラー画素Gに対応した定電流源アレイを共有するようにしている点に特徴を有する。
処理対象行に応じて、定電流源アレイ選択部290および定電流源アレイ選択部292の何れか一方が、定電流源アレイ270Gを選択する。具体的には、処理対象行が奇数行のときには、定電流源アレイ選択部290が定電流源アレイ270Rを選択し、定電流源アレイ選択部290が定電流源アレイ270Gを選択する。一方、処理対象行が偶数行のときには、定電流源アレイ選択部290が定電流源アレイ270Gを選択し、定電流源アレイ選択部290が定電流源アレイ270Bを選択する。
このような構成にすることにより、定電流源アレイ内の定電流源を選択切替えする回路と、ベイヤ配列に応じた対となる2つの定電流源アレイの何れか一方を選択する回路とを第1例や第3例の構成に比べて減らすことが可能となる。
なお、この第5例では、第3例の構成に対してG色用の定電流源アレイを共有するように変更を加えていたが、第1例の構成に対してG色用の定電流源アレイを共有するように変更を加えることもできる。
<参照信号生成部の構成例;第6例>
図13は、参照信号生成部27の具体的な構成例の第6例を示すブロック図である。この第6例の参照信号生成部27は、各DA変換回路27a,27bに、垂直列方向の色フィルタ配列に応じた個別の色対応参照信号生成部を設けるのではなく、1つの色対応参照信号生成部を設けておき、処理対象行が切り替わるごとに、その切り替えに伴う色フィルタの配列の繰返単位を構成する色の組合せの変更に応じて、通信・タイミング制御部20が、変化特性(具体的には傾き)や初期値をDA変換回路に設定するようにした点に特徴を有する。
フィルタ配列としては、色分離フィルタの繰返しサイクルが2画素×2画素の2次元マトリクスである限り、何れものにも対応でき、たとえば第1あるいは第2実施形態のようなベイヤ配列に対応することもできるし、第4色をエメラルドとした第3実施形態のような配列にも対応できる。
回路構成としては、先ず、DA変換回路27aは、先ず定電流源アレイ選択部290を取り外し、色対応参照信号生成部の一例である1つの定電流源アレイ270aを設ける。定電流源アレイ270aの出力側を出力端299aに直接に接続する。
定電流源アレイ270aは、リセット成分ΔV用の初期値Varに対してオフセットoffaを制御信号J1−aに従って設定する定電流源270a-offを有するとともに、奇数列のR色やG色のカラー画素特性に合わせた傾きβaを制御信号J2−aに従って設定する定電流源270a-βaを有する。
定電流源270a-offに流れる電流を制御信号J1−aにより調整することで信号成分Vsig 用の初期値Vasを設定でき、DA変換回路27aの出力端299aから出力される階段状を呈する参照信号RAMPa におけるリセット成分ΔV用の初期値Varに対してのオフセットoffa を設定することができる。
また、定電流源270a-βaは、定電流源270a-1〜-nおよび定電流源270a-offとの間でカレントミラー(CM;Current Mirror)を構成しており、定電流源270a-βaに流れる電流と定電流源270a-1〜-nおよび定電流源270a-offに流れる電流との間には比の関係がある。よって、定電流源270a-βaに流れる電流を制御信号J2−aにより調整することで、定電流源270a-1〜-nおよび定電流源270a-offに流れる電流、つまりDA変換回路27aの出力端に現われる傾きβaを調整できる。
同様に、DA変換回路27bは、先ず定電流源アレイ選択部292を取り外し、色対応参照信号生成部の一例である1つの定電流源アレイ270bを設ける。定電流源アレイ270bの出力側を出力端299bに直接に接続する。
定電流源アレイ270bは、リセット成分ΔV用の初期値Vbrに対してオフセットoffbを制御信号J1−bに従って設定する定電流源270b-offを有するとともに、偶数列のG色(もしくはE色)やB色のカラー画素特性に合わせた傾きβbを制御信号J2−bに従って設定する定電流源270b-βbを有する。
定電流源270b-offに流れる電流を制御信号J1−bにより調整することで信号成分Vsig 用の初期値Vbsを設定でき、DA変換回路27bの出力端299bから出力される階段状を呈する参照信号RAMPb におけるリセット成分ΔV用の初期値Vbrに対してのオフセットoffb を設定することができる。
また、定電流源270b-βbは、定電流源270b-1〜-nおよび定電流源270b-offとの間でカレントミラー(CM;Current Mirror)を構成しており、定電流源270b-βbに流れる電流と定電流源270b-1〜-nおよび定電流源270b-offに流れる電流との間には比の関係がある。よって、定電流源270b-βbに流れる電流を制御信号J2−bにより調整することで、定電流源270b-1〜-nおよび定電流源270b-offに流れる電流、つまりDA変換回路27bの出力端に現われる傾きβbを調整できる。
このように、読出単位である水平行方向に関して、色フィルタの繰返しサイクル(配列単位)内に存在する色フィルタ数分だけの色対応参照信号生成部(本例では定電流源アレイ270a,270b)を設けておき、変化特性(具体的には傾き)や初期値を、処理対象行が切り替わるごとに、その切り替えに伴う色フィルタの配列の繰返単位を構成する色の組合せの変更に応じて、各DA変換回路(本例では色対応参照信号生成部の一例である定電流源アレイ)に設定するようにすれば、第1例〜第5例のような、垂直列方向に関しての色フィルタのそれぞれに応じた色対応参照信号生成部と、その色対応参照信号生成部を処理対象行に応じて切り替える選択部とを設ける必要がなく、参照信号生成部27の全体構成の規模をさらに縮小することができる。
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施形態に多様な変更または改良を加えることができ、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
また、上記の実施形態は、クレーム(請求項)にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組合せの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組合せにより種々の発明を抽出できる。実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
たとえば、上記実施形態では、正方形状の単位画素3が正方格子状に配列され、かつ2画素(行方向)×2画素(列方向)を繰返単位とする色分離フィルタを備えたものを対象に、行方向における繰返単位である2画素分のDA変換回路27a,27bを用意した構成について説明したが、色分離フィルタの繰返単位は、2画素(行方向)×2画素(列方向)のものに限らない。たとえば、3画素(行方向)×2画素(列方向)のものの場合、行方向における繰返単位である3画素分のDA変換回路を用意すればよい。
また、上記実施形態では、正方形状の単位画素3が正方格子状に配列されたものを対象に説明したが、単位画素の配列は、正方格子状に限らず、たとえば、図1に示した画素部10を斜め45度に傾けた配列状態の斜行格子状のものであってもよい。
また、単位画素の平面視上の形状が正方であるものとしていたが、正方に限らず、たとえば、6角形(ハニカム状)であってもよい。この場合、単位画素の配列は、たとえば以下のようにする。1つの単位画素列および1つの単位画素行は、それぞれ複数個の単位画素を含むようにする。
偶数列を構成している複数個の単位画素の各々は、奇数列を構成している複数個の単位画素に対し、各単位画素列内での単位画素同士のピッチの約1/2、列方向にずらす。同様に、偶数行を構成する複数個の単位画素の各々は、奇数行を構成する複数個の単位画素に対し、各単位画素行内での単位画素同士のピッチの約1/2、行方向にずらす。単位画素列の各々は、奇数行または偶数行の単位画素のみを含むようにする。
これら単位画素の電荷生成部に蓄積された信号電荷に基づく画素信号をカラム処理部26側へ読み出すために、行制御線を設けるが、その配置は、ハニカム状の単位画素3の周りに蛇行して配される。逆に言えば、行制御線をハニカム状に配設することによって生じる6角形の隙間それぞれに、単位画素の各々が平面視上に位置するようにする。こうすることで、全体としては、約1/2ピッチの画素ずらしを交互にしながら、垂直方向に画素信号を読み出すようになる。
この単位画素や行制御線をハニカム配列にすれば、個々の単位画素における電荷生成部の受光面の面積低下を抑制しつつ、画素密度を向上させることができる。
単位画素の形状や配列に拘らず、何れの場合も、画素部10をカラー撮像対応にする場合、同時アクセスする読出単位に応じた所定方向において、色分離フィルタの繰返単位の内に存在する色フィルタのそれぞれに対応させて個別の参照信号生成出力部を用意すればよい。要するに、色分離フィルタの繰返単位の内に存在する色フィルタの数分の独立した参照信号生成出力部を用意すればよい。
また、上記実施形態では、モード切替え後のカウント処理時に、切替え前の最終カウント値からカウント処理を開始するようにしていたが、カウント出力値がカウントクロックCK0に同期して出力される同期式のアップダウンカウンタを用いる場合には、モード切替時に特段の対処を要することなく、このことを実現できる。
しかしながら、動作制限周波数が最初のフリップフロップ(カウンタ基本要素)の制限周波数でのみ決められ高速動作に適する利点がある非同期式のアップダウンカウンタを用いる場合には、カウントモードを切り替えた際、カウント値が破壊されてしまい、切替え前後で値を保ったまま連続しての正常なカウント動作が行なえない問題を有する。よって、モード切替え前のカウント値からモード切替え後のカウント処理を開始可能にする調整処理部を設けることが好ましい。なお、ここでは調整処理部の詳細については説明を割愛する。なお、複数の信号間で加算処理を行なう場合、前段と後段の各カウントモードを同じにすればよく、このような対処は不要である。
また、上記実施形態では、画素信号が、時間系列として、同一画素について、リセット成分ΔV(基準成分)の後に信号成分Vsig が現れ、後段の処理部が正極性(信号レベルが大きいほど正の値が大きい)の信号について処理するものに対応して、真の信号成分を求めるに際して、1回目の処理として、リセット成分ΔV(基準成分)について比較処理とダウンカウント処理を行ない、2回目の処理として、信号成分Vsig について比較処理とアップカウント処理を行なうようにしていたが、基準成分と信号成分が現れる時間系列に拘わらず、対象信号成分とカウントモードとの組合せや処理順は任意である。処理手順によっては、2回目の処理で得られるデジタルデータが負の値になることもあるが、その場合には、符号反転や補正演算をするなどの対処をすればよい。
もちろん、画素部10のデバイスアーキテクチャとして、信号成分Vsig の後にリセット成分ΔV(基準成分)を読み込まなければならず、後段の処理部が正極性の信号について処理するものである場合には、1回目の処理として、信号成分Vsig について比較処理とダウンカウント処理を行ない、2回目の処理として、リセット成分ΔV(基準成分)について比較処理とアップカウント処理を行なうのが効率的である。
また、上記実施形態では、画素信号が、時間系列として、同一画素について、リセット成分ΔV(基準成分)の後に信号成分Vsig が現れるものとして、画素信号ごとに、真の信号成分を求める差分処理を行なうようにしていたが、リセット成分ΔV(基準成分)を無視できるなど、信号成分Vsig のみを対象としてもよい場合には、真の信号成分を求める差分処理を割愛することができる。
また、上記実施形態では、アップダウンカウンタを動作モードに拘わらず共通に使用しつつ、その処理モードを切り替えてカウント処理を行なうようにしていたが、ダウンカウントモードとアップカウントモードを組み合わせてカウント処理を行なうものであればよく、モード切替可能なアップダウンカウンタを用いた構成に限定されない。
たとえば、ダウンカウント処理を行なうダウンカウンタ回路と、アップカウント処理を行なうアップカウンタ回路との組合せでカウンタ部を構成することもできる。この場合、カウンタ回路は、公知の技術を利用して任意の初期値をロードすることのできる構成のものとするのがよい。
こうすることで、後段のカウンタ回路の出力としては、基準成分と信号成分との間で減算処理が直接にでき、各信号の差を取るための特別な加算回路(もしくは減算回路)が不要になる。また、非特許文献1では必要としていた減算器へのデータ転送が不要になり、そのための雑音の増加や電流あるいは消費電力の増大を解消することができる。
なお、ダウンカウンタ回路とアップカウンタ回路との組合せでカウンタ部を構成する場合、2回目のカウント処理に際して、1回目のカウント処理で取得したカウント値を初期値として設定せず、ゼロからカウントする構成を排除するものではない。
この場合、アップカウンタ回路の出力Qup(正方向の値)とダウンカウンタ回路の出力Qdown(負方向の値)の和を取る加算回路が必要となるが、この場合でも、比較部とカウンタ部とで構成されるAD変換部ごとに加算回路を設けるので、配線長を短くでき、データ転送のための雑音の増加や電流あるいは消費電力の増大を解消することができる。
カウンタ回路の変形例としての何れの構成も、ダウンカウンタ回路とアップカウンタ回路の動作の指示は、上記実施形態と同様に通信・タイミング制御部20が行なうことができる。また、ダウンカウンタ回路とアップカウンタ回路は、ともにカウントクロックCK0で動作させればよい。
また、上記実施形態では、アドレス制御により個々の単位画素からの信号を任意選択して読出可能な固体撮像装置の一例として、センサ光を受光することで信号電荷を生成するNMOSあるいはPMOSより構成されている単位画素が行列状に配された画素部を備えたCMOSセンサを例に示したが、信号電荷の生成は、光に限らず、たとえば赤外線、紫外線、あるいはX線などの電磁波一般に適用可能であり、この電磁波を受けてその量に応じたアナログ信号を出力する素子が多数配列された単位構成要素を備えた半導体装置に、上記実施形態で示した事項を適用可能である。
本発明に係る半導体装置の第1実施形態であるCMOS固体撮像装置の概略構成図である。 画素部における有効画像領域と、光学的黒を与える基準画素領域との関係の一例を示す図である。 第1実施形態の固体撮像装置において使用される参照信号生成部のDA変換回路(DAC)の機能を説明する図である。 図1に示した第1実施形態の固体撮像装置のカラムAD回路における基本動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第2実施形態に係るCMOS固体撮像装置の概略構成図である。 図5に示した第2実施形態の固体撮像装置のカラムAD回路における基本動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第3実施形態に係るCMOS固体撮像装置の概略構成図である。 参照信号生成部の具体的な構成例の第1例を示すブロック図である。 参照信号生成部の具体的な構成例の第2例を示すブロック図である。 参照信号生成部の具体的な構成例の第3例を示すブロック図である。 参照信号生成部の具体的な構成例の第4例を示すブロック図である。 参照信号生成部の具体的な構成例の第5例を示すブロック図である。 参照信号生成部の具体的な構成例の第6例を示すブロック図である。 特許文献1の図4に示される固体撮像装置の概略構成図である。
符号の説明
1…固体撮像装置、3…単位画素、7…駆動制御部、10…画素部、12…水平走査回路、14…垂直走査回路、15…行制御線、18…水平信号線、19…垂直信号線、20…通信・タイミング制御部、24…カウンタ部、25…カラムAD回路、26…カラム処理部、27…参照信号生成部、27a,27b…DA変換回路、28…出力回路、270a,270b,270R,270G,272G,272B,272E,274G…定電流源アレイ、280,282,284…定電流源選択部、290,292…定電流源アレイ選択部、298a,298b…分圧抵抗

Claims (14)

  1. 入射された電磁波に対応する電荷を生成する電荷生成部および前記電荷生成部により生成された電荷に応じたアナログの単位信号を生成する単位信号生成部を単位構成要素内に含む有効領域を備え、かつ前記単位信号をデジタルデータに変換する機能要素として、前記単位信号をデジタルデータに変換するための参照信号を生成する参照信号生成部と、前記単位信号と前記参照信号生成部により生成された参照信号とを比較する比較部と、この比較部における比較処理と並行して、所定のカウントクロックでカウント処理を行ない、前記比較部における比較処理が完了した時点のカウント値を保持するカウンタ部とを備えた、物理量分布検知のための半導体装置であって、
    前記有効領域におけるそれぞれの前記電荷生成部の前記電磁波が入射される側の面には、色情報を取得するための複数色の色フィルタの組合せからなる色分解フィルタの何れかの色フィルタが設けられており、
    前記参照信号を生成して出力する個別の参照信号生成出力部を、前記読出単位に応じた所定方向および当該読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向のそれぞれにおける前記色フィルタの配列の繰返単位内に存在する前記色フィルタの色成分の数よりも少なく、かつ、前記単位信号の読出単位に応じた所定方向における前記色フィルタの配列の繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ有するとともに、前記参照信号生成出力部から独立に出力されるそれぞれの前記参照信号を、前記所定方向における共通の色特性を持つ前記色フィルタに対応する前記比較部に、共通の信号線を介して実質的に直接に伝達するように構成され
    前記カウンタ部は、ダウンカウントモードおよびアップカウントモードの何れか一方のモードを選択してカウント処理を行なうことが可能に構成されている
    ことを特徴とする物理量分布検知の半導体装置。
  2. 前記個別の参照信号生成出力部のそれぞれは、
    対応する前記色フィルタの色特性に応じた前記参照信号を生成して出力する個別の色対応参照信号生成部を、前記読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向における前記色フィルタの配列の繰返単位内に存在する色フィルタの数分だけ有するとともに、
    前記色対応参照信号生成部から独立に出力されるそれぞれの前記参照信号の何れか一方を、処理対象の前記読出単位の切替えに応じて選択して、対応する前記信号線に出力する選択部と
    前記色対応参照信号生成部は、当該色対応参照信号生成部から出力される前記参照信号が、対応する前記色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するように制御する変化特性制御部を有する
    ことを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  3. 前記個別の参照信号生成出力部は共通に、前記読出単位に応じた所定方向および当該読出単位に応じた所定方向とは異なる方向である異方向のそれぞれにおける前記色フィルタの配列の繰返単位内で、複数存在する色成分について、当該色成分ごとに前記複数に対して共通に使用される、対応する前記色フィルタの色特性に応じた前記参照信号を生成して出力する第1の色対応参照信号生成部を有し、
    前記個別の参照信号生成出力部のそれぞれは個別に、
    前記配列の繰返単位内で、単独に存在する色成分について、当該色成分ごとに、対応する前記色フィルタの色特性に応じた前記参照信号を生成して出力する第2の色対応参照信号生成部を有するとともに、
    前記第1の色対応参照信号生成部および前記第2の色対応参照信号生成部から独立に出力されるそれぞれの前記参照信号の何れか一方を、処理対象の前記読出単位の切り替えに応じて選択して、対応する前記信号線に出力する選択部を有する
    ことを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  4. 前記第1および第2の各色対応参照信号生成部は、当該色対応参照信号生成部から出力される前記参照信号が、対応する前記色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するように制御する変化特性制御部を有する
    ことを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  5. 前記個別の参照信号生成出力部は、
    並列に配された複数の定電流源を含み、前記参照信号を生成して出力する色対応参照信号生成部と、
    所定の制御信号に基づき、前記複数の定電流源を選択する定電流源選択部と、
    前記複数の定電流源に流れる電流を制御することで、前記色対応参照信号生成部から出力される前記参照信号が、対応する前記色フィルタの色特性に応じた変化特性を持って変化するように制御する変化特性制御部と
    を備え
    前記定電流源選択部は、前記個別の参照信号生成出力部に対して共通に設けられている
    ことを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  6. 前記個別の参照信号生成出力部は、
    処理対象の前記単位構成要素に設けられている前記色フィルタの色特性とは異なる観点
    に基づいて前記初期値を設定する初期値設定部を有する
    ことを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  7. 前記有効領域を除く部分である基準領域におけるそれぞれの前記電荷生成部の前記電磁波が入射される側は、前記基準領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号が前記有効領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号に対して基準レベルを与えるように構成されており、
    前記初期値設定部は、前記色特性とは異なる観点から規定される初期値を、前記基準レベルに基づいて設定する
    ことを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  8. 前記初期値設定部は、前記色特性とは異なる観点から規定される初期値を、前記単位構成要素や前記機能要素を構成する回路に起因した、前記有効領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号に含まれるオフセット成分に基づいて設定する
    ことを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  9. 前記有効領域を除く部分である基準領域におけるそれぞれの前記電荷生成部の前記電磁波が入射される側は、前記基準領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号が前記有効領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号に対して基準レベルを与えるように構成されており、
    前記初期値設定部は、前記色特性とは異なる観点から規定される初期値を、前記基準レベルと、前記単位構成要素や前記機能要素を構成する回路に起因した、前記有効領域の前記単位信号生成部から出力される前記単位信号に含まれるオフセット成分とに基づいて設定する
    ことを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  10. 前記個別の参照信号生成出力部は、並列に配された複数の定電流源を含み、前記参照信号を生成して出力する色対応参照信号生成部を有し、
    前記初期値設定部は、前記複数の定電流源と並列に配され、前記色対応参照信号生成部から出力される前記参照信号が、処理対象の前記単位構成要素に設けられている前記色フィルタの色特性とは異なる観点に基づく初期値から変化するように制御する
    を有することを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  11. 前記初期値設定部は、前記並列に配された複数の定電流源に流れる電流に、前記初期値を与える電流を重畳する初期値設定電流源を有し、当該初期値設定電流源に流れる電流が調整可能に構成されている
    ことを特徴とする請求項10に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  12. 前記単位信号は、基準成分と信号成分とを含んで表されるものであり、
    前記カウンタ部は、前記比較部が前記基準成分と前記信号成分の何れについて前記比較処理を行なっているのかに応じて前記カウント処理のモードを切り替える
    ことを特徴とする請求項に記載の物理量分布検知の半導体装置。
  13. 前記カウンタ部は、ダウンカウントモード時において前記単位信号に含まれるオフセット電圧をカウントし、前記アップカウントモードの時に前記単位信号のレベルをカウントする
    ことを特徴とする請求項1に記載の物理量分布検知の半導体装置
  14. 前記ダウンカウントモードのカウントビット長を前記アップカウントモードのカウントビット長より短い
    ことを特徴とする請求項13に記載の物理量分布検知の半導体装置
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202014011038U1 (de) 2013-02-27 2017-07-03 Sony Corporation Halbleiterbildgebungsvorrichtung und elektronische Vorrichtung

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4107269B2 (ja) * 2004-02-23 2008-06-25 ソニー株式会社 固体撮像装置
KR100955637B1 (ko) * 2005-12-27 2010-05-06 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 고체 촬상 소자 및 암전류 성분 제거 방법
JP4588787B2 (ja) * 2006-03-23 2010-12-01 富士通セミコンダクター株式会社 固体撮像素子及び撮像方法
JP4744343B2 (ja) 2006-04-10 2011-08-10 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
KR100801057B1 (ko) * 2006-07-18 2008-02-04 삼성전자주식회사 컬러 보정 블럭을 구비하는 cmos 이미지 센서 및 그이미지 센싱 방법
JP4311419B2 (ja) * 2006-08-02 2009-08-12 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4952301B2 (ja) 2007-03-01 2012-06-13 ソニー株式会社 撮像装置およびカメラ
JP4311482B2 (ja) 2007-05-17 2009-08-12 ソニー株式会社 撮像回路、cmosセンサ、および撮像装置
JP4929090B2 (ja) * 2007-07-26 2012-05-09 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
JP4386113B2 (ja) 2007-08-03 2009-12-16 ソニー株式会社 参照電圧回路および撮像回路
JP4946761B2 (ja) * 2007-09-28 2012-06-06 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
US7920190B2 (en) * 2007-10-11 2011-04-05 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing column parallel architecture for imagers
JP5173493B2 (ja) * 2008-02-29 2013-04-03 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5347341B2 (ja) 2008-06-06 2013-11-20 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置、電子機器、ad変換装置、ad変換方法
JP5198156B2 (ja) * 2008-06-09 2013-05-15 オリンパス株式会社 撮像装置
US7995125B2 (en) * 2008-06-10 2011-08-09 Sensors Unlimited, Inc. Apparatus and method for extending the dynamic range of a read out integrated circuit of an image sensor
JP2009303088A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Panasonic Corp 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ
JP4618349B2 (ja) 2008-08-11 2011-01-26 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像方法及び撮像装置
US8253809B2 (en) * 2008-08-27 2012-08-28 Sony Corporation Analog-digital converter, analog-digital conversion method, image pickup device, method of driving the same, and camera
US9000353B2 (en) 2010-06-22 2015-04-07 President And Fellows Of Harvard College Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires
US8735797B2 (en) 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US9406709B2 (en) 2010-06-22 2016-08-02 President And Fellows Of Harvard College Methods for fabricating and using nanowires
US8274039B2 (en) 2008-11-13 2012-09-25 Zena Technologies, Inc. Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
US8866065B2 (en) 2010-12-13 2014-10-21 Zena Technologies, Inc. Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires
US9515218B2 (en) 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
US8748799B2 (en) * 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US9343490B2 (en) 2013-08-09 2016-05-17 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same
US9299866B2 (en) 2010-12-30 2016-03-29 Zena Technologies, Inc. Nanowire array based solar energy harvesting device
US8299472B2 (en) 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US8229255B2 (en) 2008-09-04 2012-07-24 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
JP5178458B2 (ja) 2008-10-31 2013-04-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム、および、固体撮像装置の駆動方法
JP5202395B2 (ja) * 2009-03-09 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル、電子機器
JP5245984B2 (ja) * 2009-03-30 2013-07-24 ソニー株式会社 撮像素子、読み出し信号の変換方法およびカメラ
JP5375277B2 (ja) 2009-04-02 2013-12-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置、電子機器、ad変換装置、ad変換方法
JP2010268080A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Canon Inc 固体撮像装置
JP2012010008A (ja) 2010-06-23 2012-01-12 Sony Corp 撮像素子及び撮像装置
JP5808162B2 (ja) * 2011-06-23 2015-11-10 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の駆動方法
JP5956856B2 (ja) * 2012-07-05 2016-07-27 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像システム
JP6478467B2 (ja) * 2013-03-28 2019-03-06 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の駆動方法、撮像システム
KR102007386B1 (ko) * 2013-05-30 2019-08-05 에스케이하이닉스 주식회사 디지털 아날로그 변환기, 그를 포함하는 이미지 센싱 장치 및 이미지 센싱 장치의 구동방법
EP3588940B1 (en) * 2013-07-04 2023-03-22 Nikon Corporation Electronic apparatus, method for controlling electronic apparatus, and control program
KR102086777B1 (ko) 2013-08-08 2020-03-09 삼성전자 주식회사 2-스텝 구조 및 차동 멀티 램핑 업/다운 신호를 적용하여 싱글 슬로프 기법으로 구현한 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치들
JP6386722B2 (ja) 2013-11-26 2018-09-05 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置及び携帯電話機
JP6413235B2 (ja) 2013-12-06 2018-10-31 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
US10009557B2 (en) 2014-04-16 2018-06-26 Sony Corporation Imaging element, control method, program, and electronic device
JP6635027B2 (ja) * 2014-04-16 2020-01-22 ソニー株式会社 撮像素子、ゲイン制御方法、プログラム、および電子機器
JP6338432B2 (ja) * 2014-04-21 2018-06-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその制御方法
US10015429B2 (en) * 2015-12-30 2018-07-03 Omnivision Technologies, Inc. Method and system for reducing noise in an image sensor using a parallel multi-ramps merged comparator analog-to-digital converter
TWI603587B (zh) 2017-01-20 2017-10-21 華邦電子股份有限公司 數位類比轉換器
US10090030B1 (en) * 2017-04-28 2018-10-02 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Signal conversion using an analog-to-digital converter and reference voltage comparison
KR102324713B1 (ko) 2017-06-08 2021-11-10 삼성전자주식회사 이미지 센서의 램프 신호 생성기 및 이미지 센서
TWI649864B (zh) * 2017-06-30 2019-02-01 香港商京鷹科技股份有限公司 影像感測裝置及影像感測方法
CN107358900B (zh) * 2017-09-15 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 测试用显示面板及其驱动方法和制作方法
CN111066240B (zh) 2017-10-23 2024-03-19 索尼半导体解决方案公司 半导体器件和电位测量装置
JP7094852B2 (ja) * 2018-10-04 2022-07-04 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
KR102656526B1 (ko) * 2019-02-08 2024-04-12 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP7156353B2 (ja) * 2020-12-01 2022-10-19 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
JP2023002407A (ja) * 2021-06-22 2023-01-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5982318A (en) * 1997-10-10 1999-11-09 Lucent Technologies Inc. Linearizing offset cancelling white balancing and gamma correcting analog to digital converter for active pixel sensor imagers with self calibrating and self adjusting properties
JPH11178005A (ja) 1997-12-08 1999-07-02 Rohm Co Ltd デジタルビデオエンコーダ
NL1011406C2 (nl) 1998-02-28 2000-01-07 Hyundai Electronics Ind CMOS beeldsensor met testschakeling voor het verifiëren van de werking daarvan.
US6271785B1 (en) * 1998-04-29 2001-08-07 Texas Instruments Incorporated CMOS imager with an A/D per pixel convertor
KR100308884B1 (ko) 1998-12-22 2001-11-22 박종섭 씨모스 이미지 센서를 위한 아날로그-디지털 변환 장치
JP2000236475A (ja) 1999-02-16 2000-08-29 Canon Inc 撮像装置
US6545624B2 (en) * 2000-02-11 2003-04-08 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Image sensor with analog-to-digital converter that generates a variable slope ramp signal
JP3792995B2 (ja) 2000-06-02 2006-07-05 キヤノン株式会社 撮像装置
KR100498594B1 (ko) 2000-12-30 2005-07-01 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지 센서
JP2002261602A (ja) 2001-03-05 2002-09-13 Asahi Kasei Microsystems Kk Pll回路
US7148831B2 (en) * 2003-10-27 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Variable quantization ADC for image sensors
JP2006020172A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Fujitsu Ltd ランプ波形発生回路、アナログ・デジタル変換回路、撮像装置、撮像装置の制御方法
KR100716736B1 (ko) * 2005-05-18 2007-05-14 삼성전자주식회사 서브 샘플링 모드에서 고 프레임 레이트를 지원하는 칼럼아날로그-디지털 변환 장치 및 그 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202014011038U1 (de) 2013-02-27 2017-07-03 Sony Corporation Halbleiterbildgebungsvorrichtung und elektronische Vorrichtung
EP3389258A1 (en) 2013-02-27 2018-10-17 Sony Corporation Solid-state imaging device, driving method, and electronic device

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Publication number Publication date
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