JP2009303088A - 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ - Google Patents

固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ Download PDF

Info

Publication number
JP2009303088A
JP2009303088A JP2008157386A JP2008157386A JP2009303088A JP 2009303088 A JP2009303088 A JP 2009303088A JP 2008157386 A JP2008157386 A JP 2008157386A JP 2008157386 A JP2008157386 A JP 2008157386A JP 2009303088 A JP2009303088 A JP 2009303088A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
column
solid
imaging device
state imaging
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008157386A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Masuyama
雅之 桝山
Masanori Kyogoku
正法 京極
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2008157386A priority Critical patent/JP2009303088A/ja
Priority to US12/475,758 priority patent/US20090310001A1/en
Priority to CNA2009101458976A priority patent/CN101610419A/zh
Publication of JP2009303088A publication Critical patent/JP2009303088A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/80Camera processing pipelines; Components thereof
    • H04N23/84Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
    • H04N23/88Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals for colour balance, e.g. white-balance circuits or colour temperature control
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

【課題】読み出す画素に応じて可変抵抗の抵抗値を変えたりスイッチを切り替えたりするという複雑な制御を必要とすることなく、かつ、AD変換におけるS/Nを劣化させることなく、色毎のゲインを最適化することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】行列状に配置された複数の画素10と、行列の列ごとに少なくとも1つ設けられ、対応する列を構成する画素10から出力される信号を増幅する、複数のカラムアンプ20及び50と、対応するカラムアンプ20及び50から出力される信号をAD変換する、複数のカラムAD変換器30及び60とを備え、複数のカラムアンプ20及び50のそれぞれは、複数の色のいずれかに対応して設けられ、対応する列を構成する画素10のうち、複数の色のいずれかに対応する全ての画素10からの出力信号を増幅する。
【選択図】図1

Description

本発明は、光を電気信号に変換する固体撮像装置に関し、特に、行列状に配置された複数の画素の列ごとにアンプとAD変換器とが設けられた固体撮像装置に関する。
カラー対応の固体撮像装置(カラーイメージセンサ)では、被写体の色温度等の変化に対してホワイトバランスをとる必要がある。たとえば、光の種類(太陽光や蛍光灯など)により、被写体の色が変化するので、その場の色温度に対応して、被写体の白色が画像信号においても白色となるように、固体撮像装置内での処理が必要となる。
従来、ホワイトバランスをとるために、AD変換器のビット数(分解能)を増やして、1〜2ビット分をホワイトバランス調整用のデジタルゲインとして使用したり、色毎に異なるアナログゲインを用いて画素信号を増幅したり(例えば、特許文献1参照)、カラムAD変換器における参照電圧となるランプ波形の傾きを変えることで、色毎にカラムAD変換器でのゲインを調整したりしている(例えば、特許文献2参照)。
図14は、上記特許文献1に開示された従来の固体撮像装置の回路ブロック図である。この固体撮像装置は、光電変換素子へ入射された光を各画素に応じて各色ごとに検出し、各色に対応した光電流をセンサ信号として出力する複数の画素D11〜D44と、画素の出力側に設けられ、かつ、バイアス電源に接続された可変抵抗VR1〜VR4と、複数の画素のうちセンサ信号を読み出す画素を選択するスイッチSW1〜SW4と、読み出される画素の担う色に対応して可変抵抗の抵抗値を変え、読出し負荷を変化させる制御部とを備え、このような構成によって、各画素の色別のゲインを個別に調整している。
特開2005−318292号公報 特開2005−328135号公報
しかしながら、ホワイトバランスのためにAD変換器のビット数を増やす従来のやり方では、上記特許文献2に記載のような、ランプ波形を参照信号に用い、参照信号の変化を開始させてから対応する列のコンパレータが画素信号と参照信号との一致を示すまで、クロックをカウントすることでAD変換を行うような方式においては、カウントにかかる時間が増大するという問題がある。たとえば、1ビット増やすためにはAD変換時間が2倍必要となり、フレームレートの高速化が妨げられる。また多ビット化に対し上記コンパレータ回路等を複数備え並列処理を行うことが考えられるが、その場合は回路規模の増大によって、チップ面積が増大したり、消費電力が増大したりする等の問題が生じる。なお、AD変換器のビット数を増やすために、変換用クロックの周波数を増大させることが考えられるが、既にクロック速度の限界に達していたり、高速駆動によって消費電力が増大したりする等の問題が生じる。
また、上記特許文献1の技術では、読み出す画素が担う色に対応して適切に可変抵抗VR1〜VR4の抵抗値を変えたり、スイッチSW1〜SW4を切り替えたりするという複雑な制御が必要となる。
また、上記特許文献2の技術では、ランプ波形の傾きを変えることで色毎のゲインを調整しているが、大きなゲインが必要とされる場合には、ランプ波形の傾きが極めて小さくなり、これによって画素信号と参照信号の比較を行うための1ビットの比較電圧となる重み付け電圧が小さくなり、AD変換時の誤差が増大し、S/Nが劣化するという問題がある。
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、読み出す画素に応じて可変抵抗の抵抗値を変えたりスイッチを切り替えたりするという複雑な制御を必要とすることなく、かつ、AD変換におけるS/Nを劣化させることなく、色毎のゲインを最適化することができる固体撮像装置等を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素と、前記行列の列ごとに少なくとも1つ設けられ、対応する列を構成する画素から出力される信号を増幅する、複数のカラムアンプと、前記カラムアンプごとに設けられ、対応するカラムアンプから出力される信号をAD変換する、複数のカラムAD変換器とを備え、前記複数の画素のそれぞれは、複数の色のうち、いずれかの色の光の強度に対応する信号を出力し、前記複数のカラムアンプのそれぞれは、前記複数の色のいずれかに対応して設けられ、対応する列を構成する画素のうち、前記複数の色のいずれかに対応する全ての画素からの出力信号を増幅することを特徴とする。これにより、色ごとに独立したカラムアンプが設けられているので、AD変換器だけでホワイトバランスの調整を行うことによる速度低下やS/N劣化が回避されるとともに、読み出す画素に応じて可変抵抗の抵抗値を変えたりスイッチを切り替えたりするという複雑な制御が不必要となる。
ここで、前記複数の画素は、少なくとも1つの列について少なくとも2つ以上の複数の色に対応する画素が含まれるように配置され、前記カラムアンプは、前記行列の列ごとに少なくとも2つ以上複数設けられ、前記行列の列ごとに設けられた複数のカラムアンプの一方は、対応する列に含まれる複数の色に対応する画素のうち、一方の色に対応する画素からの出力信号を増幅し、前記行列の列ごとに設けられた複数のカラムアンプの他方は、対応する列に含まれる複数の色に対応する画素のうち、前記一方の色と異なる他方の色に対応する画素からの出力信号を増幅する構成とするのが好ましい。これにより、ベイヤー配列のカラーフィルタ等においては、1列の画素について、2種類の色が含まれるので、撮像面の上下2箇所にカラムアンプを設けることで、ベイヤー配列のカラーフィルタ等に好適な構成となる。
なお、列信号線の配置については、前記行列の列を構成する画素からの出力信号は、少なくとも1つの列について少なくとも2つ以上の複数の列信号線のいずれかを介して、当該列に対応して設けられた少なくとも2つ以上の複数のカラムアンプの入力端子に接続され、前記行列の列を構成する少なくとも2つ以上の複数の色に対応する画素のうち、一方の色に対応する画素は、前記複数の列信号線の一方の列信号線を介して、対応するカラムアンプに信号を出力し、前記行列の列を構成する複数の色に対応する画素のうち、他方の色に対応する画素は、前記複数の列信号線の他方の列信号線を介して、対応するカラムアンプに信号を出力する構成としてもよいし、前記行列の列を構成する画素からの出力信号は、共通の列信号線を介して、少なくとも1つの列について当該列に対応して設けられた少なくとも2つ以上の複数カラムアンプの入力端子に接続され、前記行列の列を構成する複数の色に対応する画素のうち、一方の色に対応する画素と他方の色に対応する画素とは、時分割で、前記列信号線を介して、対応するカラムアンプに信号を出力する構成としてもよい。
また、平面的な配置としては、前記固体撮像装置は、1つの半導体基板上に形成され、前記行列の列ごとに設けられた複数のカラムアンプは、それぞれ、前記半導体基板上の回路が形成された面において、前記複数の画素が形成された領域を挟むように設けられた異なる領域に配置されているのが好ましい。
また、前記複数のカラムアンプのそれぞれは、外部からの指示に基づいて複数のゲインから1つを選択し、選択したゲインで、前記信号を増幅する構成とするのが望ましい。たとえば、前記固体撮像装置はさらに、前記複数のカラムアンプのうち、同一の前記色に対応するカラムアンプに対して共通してゲインを指示するための複数の制御線を有する構成とするのが望ましい。これにより、各色に対応するカラムアンプごとに独立したゲインを設定し、ホワイトバランスの調整を行うことができる。
さらに、前記固体撮像装置は、時間的に単調に変化するランプ波形を生成する参照信号生成部を備え、前記複数のカラムAD変換器のそれぞれは、前記画素アレイの各列に対応して配設され、対応する列の画素から出力された画素信号と前記参照信号生成部により生成された参照信号とを比較するコンパレータと、前記参照信号生成部が参照信号の変化を開始させてから対応する列のコンパレータが画素信号と参照信号との一致を示すまで入力されたクロックをカウントするカウンタ部とを備え、前記参照信号生成部は、外部からの指示に基づいて、発生させる参照信号のランプ波形における傾斜を変化させる構成としてもよい。このとき、前記固体撮像装置は、前記複数の色のそれぞれに対応する複数のランプ波形を生成する複数の参照信号生成部を備え、前記コンパレータは、前記複数の参照信号生成部により生成された前記複数の色のそれぞれに対応する複数の参照信号の一つと前記複数の色に対応する画素信号とを比較し、前記固体撮像装置はさらに、前記複数の参照信号生成部のそれぞれに対して前記ランプ波形の傾斜を指示するための制御部を備える構成とするのが好ましい。これにより、カラムアンプのゲインだけでなく、AD変換のゲインについても調整することで、より精度の高いホワイトバランス調整が可能となる。
ここで、前記制御部は、前記複数のカラムアンプに対してゲインを指示することで、前記画素からの出力信号に対する粗調の増幅度の制御をするとともに、前記複数の参照信号生成部に対してランプ波形の傾斜を指示することで、前記画素からの出力信号に対する微調の増幅度の制御をするのが好ましい。これにより、粗調と微調との連携によって、よりきめ細かいホワイトバランス調整を行うとともに、2つの調整の補完によって、ゲインの変更に伴う画像の乱れを回避することができる。
なお、本発明は、固体撮像装置として実現できるだけでなく、固体撮像装置を内蔵したカメラとして実現したり、固体撮像装置の駆動方法として実現したりすることもできる。
本発明に係る固体撮像装置によれば、読み出す画素に応じて可変抵抗の抵抗値を変えたりスイッチを切り替えたりするという複雑な制御を必要とすることなく、かつ、AD変換におけるS/Nを劣化させることなく、色毎のゲインを最適化することができる。
よって、処理速度を低下させることなく、かつ、S/Nを劣化させることなく、被写体の色温度に応じた適切なホワイトバランスの調整が行われ、高画素、高S/N、低消費電力、かつ高速撮像が要求されるデジタルカメラやカメラ付き携帯電話機が普及してきた今日における実用的価値は極めて高い。
以下、本発明に係る固体撮像装置の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
(実施の形態1)
まず、本発明の実施の形態1について説明する。
図1は、本発明の実施の形態1における固体撮像装置1の回路ブロック図である。この固体撮像装置1は、1つの半導体基板上に形成された、光を電気信号に変換する複数の画素10を備えたカラーイメージセンサであり、例えばRGB(Red、Blue、Green)等の色ごとに独立した複数のカラムアンプ20(20a〜20e)及び50(50a〜50e)と、信号の比較を行うコンパレータ部31(31a〜31e)及び61(61a〜61e)とコンパレータ31及び61での画素信号とランプ波との比較によって定まる時間までのクロックをカウントするカウンタ部32(32a〜32e)及び62(62a〜62e)からなる色ごとに独立した複数のカラムAD変換器30(32a〜32e)及び60(61a〜61e、62a〜62e)を有する点に特徴を有し、ランプ波発生部90a及び90bと、水平走査回路40及び70と、垂直走査回路80と、ランプ波発生部90a及び90bとを備える。
画素10は、RGBのいずれかの光を電気信号に変換するMOS型イメージセンサ等であり、行列状に配置されて撮像面(撮像部)を構成している。個々の画素10は、図2に示されるように、入射した光を光電変換し電荷を発生するフォトダイオード(PD)10aと、PD10aで発生した電荷を蓄積し、蓄積した電荷を電圧信号として出力するための信号変換部(フローティングディフュージョン;FD)10dと、FD10dの示す電圧が初期電圧(ここでは、VDD)となるようにリセットするリセットTr10cと、PD10aで発生した電荷をFD10dに転送する転送Tr10bと、FD10dの示す電圧に追従して変化する電圧を出力する増幅Tr10eと、行選択線10gから行選択信号を受けたときに増幅Tr10eの出力を列信号線11及び12に出力する選択Tr10fと、カラーフィルタ等から構成され、カラーフィルタを通過した光の強さに対応する電気信号を列信号線11及び12に出力する。カラーフィルタは、図1に示されるように、例えばベイヤー配列で配置されており、1つの赤色フィルタ(R)と、2つ(第1及び第2)の緑色フィルタ(Gr、Gb)と、1つの青色フィルタ(B)とが1セットとなり、そのセットが2次元状に配置されている。
ここで、各画素10と列信号線11との接続は、次のようになっている。つまり、図1に示されるように、行列状に配置された画素10において、列ごとに、RGBの色毎に対応した2本の列信号線11及び12が設けられている。つまり、この2本の列信号線11及び12は、それぞれ、その列を構成する2色を担う画素10のうち、同一色の全ての画素10に接続されている。たとえば、図1に示されるように、最左列である第1列では、第1列を構成する全ての第1緑色(図中の「Gr」)の画素10は、列信号線11に接続され、第1列を構成する全ての青色(図中の「B」)の画素10は、列信号線12に接続されている。これは、色ごとに異なるカラムアンプとカラムAD変換器を用いて独立したカラムアンプゲイン及びカラムAD変換器ゲインで信号を増幅・処理するためである。
カラムアンプ20及び50は、外部からの指示に基づいて複数のゲインから1つを選択し、選択したゲインで、画素10からの出力信号を増幅する可変ゲインアンプであり、RGBの色毎に対応して画素10の列ごとに、2個ずつ設けられている。
このカラムアンプ20及び50は、それぞれ、半導体基板上の回路が形成された面において、画素10が形成された領域を挟むように設けられた異なる領域(画素の上部領域及び下部領域)に配置されている。つまり、画素10の上部領域に位置するカラムアンプ20は、対応する列に含まれる2つの色に対応する画素10のうち、一方の色(Gr及びR)に対応する画素10から列信号線11を介して出力される信号を増幅し、一方、画素10の下部領域に位置するカラムアンプ50は、対応する列に含まれる2つの色に対応する画素10のうち、他方の色(B及びGb)に対応する画素10から列信号線12を介して出力される信号を増幅する。
なお、この固体撮像装置1には、複数のカラムアンプ20及び50のうち、同一の色に対応するカラムアンプ20及び50に対して共通のカラムアンプゲインを指示するための複数の制御線(ゲイン制御線1〜4)が設けられている。つまり、ゲイン制御線1は、全ての第1緑色(Gr)に対応する画素10からの出力信号を増幅するカラムアンプ20a、20c及び20eに対して共通のカラムアンプゲインを指示する制御線であり、ゲイン制御線2は、全ての赤色(R)に対応する画素10からの出力信号を増幅するカラムアンプ20b及び20dに対して共通のカラムアンプゲインを指示する制御線であり、ゲイン制御線3は、全ての青色(B)に対応する画素10からの出力信号を増幅するカラムアンプ50a、50c及び50eに対して共通のカラムアンプゲインを指示する制御線であり、ゲイン制御線4は、全ての第2緑色(Gb)に対応する画素10からの出力信号を増幅するカラムアンプ50b及び50eに対して共通のカラムアンプゲインを指示する制御線である。
ランプ波発生部90a及び90bは、AD変換のための、時間的に単調に変化するランプ波形の参照信号を発生する参照信号生成部であり、外部(後述する制御部100)からの指示に基づいて、それぞれ、カラムAD変換器30及び60でのカラムAD変換器ゲインを変更するために、ランプ波形の傾斜を変化させることができる。たとえば、このランプ波発生部90a及び90bは、一定の周波数でインクリメントするデジタル値を発生させ、その各デジタル値をDA変換してローパスフィルタに通過させて得られるアナログ電圧を出力することでランプ波を発生するものであり、外部からの指示によって上記周波数を変更することで、ランプ波の傾斜を変更する。
なお、本実施の形態では、2つのランプ波発生部90a及び90bが設けられているが、本発明に係る固体撮像装置は、1つのランプ波発生部で構成されていてもよい。つまり、1つの共通のランプ波発生部からのランプ波が全てのカラムAD変換器30及び60に共通に入力されてもよい。これらの構成上の選択は、カラムAD変換器ゲイン制御の柔軟性と回路規模というトレードオフの関係にある観点から決定すればよい。
カラムAD変換器30及び60は、それぞれ、RGBの色毎に対応して配置されたカラムアンプ20及び50ごとに設けられ、対応するカラムアンプ20及び50から出力された信号をAD変換する回路である。カラムAD変換器30及び60のそれぞれは、ランプ波発生部90a及び90bからの参照信号と対応するカラムアンプ20及び50からの出力信号とを比較するコンパレータ31(31a〜31e)及び61(61a〜61e)と、コンパレータ31及び61での画素信号とランプ波との比較によって定まる時間までのクロックをカウントするカウンタ32(32a〜32e)及び62(62a〜62e)とを有する。なおクロックをカウントする期間とは、例えばランプ波の変化を開始させてから対応する列のコンパレータが画素信号と参照信号との一致を示すまでの時間をいう。
水平走査回路40及び70は、それぞれ、カウンタ32及び62にラッチされたデジタル値を向かって水平方向に、順次スキャンして出力させるための制御信号をカウンタ32及び62に出力する読み出し制御回路である。これにより、カウンタ32にラッチされたデジタル値は、水平走査回路40から出力される制御信号に同期して、デジタル出力_Aとして、順次出力され、一方、カウンタ62にラッチされたデジタル値は、水平走査回路70から出力される制御信号に同期して、デジタル出力_Bとして、順次出力される。
垂直走査回路80は、行列状に配置された画素10に対して、行ごとに、垂直方向に、順次、画素10で得られた信号をカラムアンプ20及び50に出力させるための制御信号(行選択信号)を各画素10に出力する読み出し制御回路である。なお、本実施の形態では、画素10は、1行おきに、異なる列信号線11及び12に接続されているので、2行単位(奇数行及び偶数行を同時に選択する方式)で、垂直走査をしてもよい。
図3は、図1における1対のカラムアンプ20(50)とカラムAD変換器(ここでは、入力段のコンパレータ31(61)のみ)を抜き出して示した回路図である。この固体撮像装置1では、1列分の画素10ごと、かつ、色(R、Gr、Gb、B)ごとに、本図に示されるような、1個のカラムアンプ20(50)と1個のカラムAD変換器(ここでは、入力段のコンパレータ31(61)のみが示されている)が設けられている。カラムアンプ20(50)は、アンプ21と、ゲイン切り替え部22とからなる。ゲイン切り替え部22は、ゲイン制御線1(2〜4)からの指示に基づいて、カラムアンプ20のゲインを、例えば、電圧増幅度で、0〜12dBの範囲(1.5dBステップ)で、ゲインを切り替える。なお、12dBは、AD変換における2ビット(分解能)に相当し、ホワイトバランスのため、及び、カラムアンプ20(50)の出力信号をカラムAD変換器30(60)の入力レンジのフルスケールに近い電圧に最適化するのに必要なゲインである。
図4(a)は、カラムアンプ20(50)の詳細な回路ブロック図である。ここでは、図3に示されるゲイン切り替え部22の詳細な回路図が示されている。ゲイン切り替え部22は、ゲイン制御線1(2〜4)からの指示に従ってONとなる4個のトランジスタ22a〜22dと、ゲインを決定する4個のキャパシタ22e〜22hとから構成される。3個のトランジスタ22a〜22cは、それぞれ、対応するキャパシタ22e〜22gをアンプ21のフィードバックキャパシタとして接続するスイッチトランジスタである。3個のトランジスタ22a〜22cのうちONとなったトランジスタの組み合わせ(8通り)に応じて、アンプ21の総フィードバック容量Cfbが決定され、その結果、カラムアンプ20(50)のゲインGainは、以下の式のように、入力用のキャパシタ22hの容量Cinと、総フィードバック容量Cfbとの比となる。
Gain=Cin/Cfb
このようにして、例えば、0〜12dBの範囲(1.5dBステップで8段階)のゲインが決定される。なお、トランジスタ22dは、カラムアンプ20(50)の増幅動作を開始させる前等においてアンプ21の入出力端子を短絡させることでカラムアンプ20(50)をリセットするためのスイッチトランジスタである。
図4(b)は、図4(a)に示されるアンプ21をトランジスタで構成した場合のカラムアンプ20及び50の詳細な回路例を示す図である。ここでは、図4(a)に示されたアンプ21が、1対のCMOSトランジスタ(PMOSトランジスタ21aとNMOSトランジスタ21b)で構成された例が示されている。NMOSトランジスタ21bは、増幅用トランジスタであり、PMOSトランジスタ21aは、その負荷(定電流源)である。
図5(a)は、本実施の形態における固体撮像装置1が備える制御部100の構成を示す回路ブロック図である。この制御部100は、ホワイトバランスのためのゲイン調整をするために、カラムアンプ20及び50に対してゲインを指示することで、画素10からの出力信号に対する粗調の増幅度(カラムアンプゲイン)の制御をするとともに、ランプ波発生部90a及び90bに対してランプ波形の傾斜を指示することで、画素10からの出力信号に対する微調の増幅度(カラムAD変換器ゲイン)の制御をする内部制御ブロック、またはDSP等であり、機能的に、ブロック平均値算出部101と、データ処理部102とから構成される。
ブロック平均値算出部101は、カウンタ32及び62から出力されたデジタル値を監視することで、撮像面を複数の領域(ブロック)に分割した場合の各ブロック(図5(b)参照)について、色(R、Gr、Gb、B)ごとのデジタル値の平均(Bmn_R、Bmn_Gr、Bmn_Gb、Bmn_B)を算出する。
データ処理部102は、ブロック平均値算出部101で得られた色ごとの平均値を用いて、R/G比及びB/G比を算出し、算出したR/G比及びB/G比から、最も白に近いブロックを抽出し、抽出したブロックでのホワイトバランス係数Wbを算出し、前フレームにおけるホワイトバランス係数Wbと比較することで、ホワイトバランスの制御を行うか否かを判断し、ホワイトバランスの制御を行う場合には、上述した粗調と微調のゲイン制御をする(つまり、ゲイン制御線1〜4等を介して、カラムアンプ20及び50及びランプ波発生部90a及び90bに対して、ゲインの指示wb_R、wb_Gr、wb_Gb、wb_Bを出力する)。詳細な動作は、フローチャートを用いて後述する。
次に、以上のように構成された本実施の形態における固体撮像装置1の動作について説明する。
まず、画素10から信号が読み出される前に、制御部100からの指示によって、カラムアンプ20及び50のゲインと、ランプ波発生部90a及び90bから発生されるランプ波の傾斜が決定される。
つまり、ゲイン制御線1からの指示によって、全ての第1緑色(Gr)に対応する画素10からの出力信号を増幅するカラムアンプ20a、20c及び20eのゲインが決定され、ゲイン制御線2からの指示によって、全ての赤色(R)に対応する画素10からの出力信号を増幅するカラムアンプ20b及び20dのゲインが決定され、ゲイン制御線3からの指示によって、全ての青色(B)に対応する画素10からの出力信号を増幅するカラムアンプ50a、50c及び50eのゲインが決定され、ゲイン制御線4からの指示によって、全ての第2緑色(Gb)に対応する画素10からの出力信号を増幅するカラムアンプ50b及び50eのゲインが決定される。
また、制御部100からランプ波発生部90a及び90bへの制御線(図示されていない制御線)を介した指示によって、ランプ波発生部90a及び90bが発生するランプ波の傾斜が決定される。
そして、各画素10で光が電気信号に変換されると、各画素10で得られた電気信号は、列信号線11及び12を介して読み出され、カラムアンプ20及び50に入力される。この読み出しにおいては、垂直走査回路80からの制御信号によって、行列状に配置された画素10において、行(あるいは、2行)ごとに、例えば上の行から下の行に向けて(垂直方向に)、順次、画素10で得られた信号がカラムアンプ20及び50に出力される。このとき、1行の画素10の読み出しにおいては、全ての第1緑色(Gr)に対応する画素10からの信号は、カラムアンプ20a、20c及び20eに入力され、全ての赤色(R)に対応する画素10からの信号は、カラムアンプ20b及び20dに入力され、全ての青色(B)に対応する画素10からの信号は、カラムアンプ50a、50c及び50eに入力され、全ての第2緑色(Gb)に対応する画素10からの信号は、カラムアンプ50b及び50eに入力される。このようにして、各画素10から読み出された信号は、その画素が位置する列に対応する専用のカラムアンプ20及び50に、入力される。
続いて、カラムアンプ20及び50から出力された信号は、カラムアンプ20及び50ごとに設けられカラムAD変換器30及び60に入力され、図6に示されるように、AD変換される。なお、図6では、カラムアンプ20及び50から出力された画素信号(ここでは、4種類の電圧値G1〜G4の例が示されている)とランプ波(RAMP)とが比較され、その間(ランプ波の立ち上がりから、ランプ波と画素信号とが一致するまでの間)のクロック数が計数される様子が示されている。
具体的には、カラムアンプ20及び50から出力された信号がコンパレータ31及び61に入力されると、ランプ波発生部90a及び90bがランプ波を発生させ、コンパレータ31及び61がそれら2つの信号(カラムアンプからの出力信号とランプ波)を比較する。それと並行して、カウンタ32及び62は、一定周波数のクロックの計数(時間計測)を、ランプ波の発生と同期して開始し、コンパレータ31及び61で両入力信号の一致が検出されると停止し、そのときのカウント値を保持する。これによって、カラムアンプからの出力信号に電圧に対応するデジタル値がカウンタ32及び62に保持される。
そして、各カウンタ32及び62に保持されたデジタル値は、水平走査回路40及び70からの制御信号によって、デジタル出力_A及びデジタル出力_Bとして、順次スキャンして出力される。
図7は、制御部100によるホワイトバランスのためのゲイン調整の制御手順を示すフローチャートである。ここでは、フレームごとに行われる制御部100の処理が示されている。
まず、ブロック平均値算出部101は、カウンタ32及び62から出力されたデジタル値を監視することで、撮像面の各ブロックについて、色(R、Gr、Gb、B)ごとのデジタル値の平均(Bmn_R、Bmn_Gr、Bmn_Gb、Bmn_B)を算出する(S10)。
次に、データ処理部102は、ブロック平均値算出部101で得られた色ごとの平均値を用いて、図示された式に従ってR/G比及びB/G比を算出し(S11)、算出したR/G比及びB/G比から、最も白に近いブロックを抽出する(S12)。たとえば、R/G比及びB/G比がいずれも1に近いブロックを最も白に近いブロックとして抽出する。
続いて、データ処理部102は、抽出したブロックについて、色(R、Gr、Gb、B)ごとのデジタル値の平均(Bave_R、Bave_Gr、Bave_Gb、Bave_B)を用いて、図示される式に従って、各色のホワイトバランス係数(wb_R、wb_Gr、wb_Gb、wb_B)を算出する(S13)。そして、データ処理部102は、前フレームにおけるホワイトバランス係数と比較することで、ホワイトバランスの制御を行うか否かを判断する(S14)。たとえば、現フレームと前フレームにおけるホワイトバランス係数の比が1.5dBを超える色が1つでもあった場合にだけ、ホワイトバランスの制御を行うと判断する。
その結果、ホワイトバランスの制御を行うと判断した場合にだけ(S14でYes)、データ処理部102は、制御が必要な色に対応するカラムアンプ20及び50に対してゲインを指示することで、画素10からの出力信号に対する粗調の増幅度の制御をするとともに、制御が必要な色に対応するカラムAD変換器30及び60のランプ波発生部90a及び90bに対してランプ波形の傾斜を指示することで、画素10からの出力信号に対する微調の増幅度の制御をする(S15)。このとき、カラムアンプ20及び50の出力信号がカラムAD変換器30及び60の入力レンジのフルスケールに近い電圧となるように、粗調及び微調を行う。ここで、急激なゲインの変化は、画像の乱れとなるため、例えば、粗調でゲインアップ(例えば、+3dB)した場合には、まず、そのゲインアップ分に相当するマイナスゲインだけ、微調のゲイン制御において、設定し、徐々にそのマイナスゲインを+側に戻す形で、ゲインを変化させる。このような粗調及び微調の繰り返しによって、制御が必要な色に対応するカラムアンプ20及び50とカラムAD変換器30及び60に対するゲイン制御を行う。
なお、本実施の形態においては、ランプ波発生部90a及び90bは、2つの色ごとに、1個の割合で設けられているので、カラムAD変換器30及び60のゲインは色ごとに完全に独立しているわけではない。よって、微調については、カラムAD変換器に対応する2つの色に対するゲインの平均を設定する等の調整が行われる。
ここで、色温度に対するホワイトバランスの具体的なゲイン設定例は、図8に示される通りである。本図では、横軸は、色温度を示し、縦軸は、緑色の信号を0dBとしたときの赤色(Wh_Red)及び青色(Wh_Blue)の信号の強度(ゲイン)を示す。本図における2つの色のカーブにおけるゲイン差から分かるように、低い色温度から高い色温度まで、ホワイトバランスのために、12dB程度のゲイン設定範囲があればよいことが分かる。
以上のように、本実施の形態における固体撮像装置1によれば、色ごとに、独立したカラムアンプとカラムAD変換器が設けられ、それらのカラムアンプとカラムAD変換器のゲイン設定によって、色ごとに独立したホワイトバランスの調整が行われる。よって、従来のように、読み出す画素に応じて可変抵抗の抵抗値を変えたりスイッチを切り替えたりするという複雑な制御を必要とすることなく、かつ、AD変換におけるS/Nを劣化させることなく、色毎のゲインが最適化される。
なお、本実施の形態では、画素10の1列ごとに2つの列信号線11及び12が設けられていたが、本発明は、このような列信号線の配置に限定されるものではない。たとえば、図9に示されるように、画素10の1列ごとに1つの列信号線13だけが設けられていてもよい。このような固体撮像装置1aでは、行列の列を構成する画素10からの出力信号は、共通の列信号線13を介して、当該列に対応して設けられた2つのカラムアンプ20及び50の入力端子に接続され、カラムアンプ20及び50の出力には行の信号を選択するための行選択SW25(25a〜25e)及び55(55a〜55e)と、それら行選択SWとコンパレータ31及び61に接続された信号保持容量27(27a〜27e)及び57(57a〜57e)と、行選択SW25及び55を制御する行選択制御線A(26)及びB(56)とを備え、行列の列を構成する2つの色に対応する画素10のうち、一方の色に対応する画素10と他方の色に対応する画素10とは、時分割で、列信号線13を介して、それぞれ、対応するカラムアンプ20及び50に信号が出力され、それぞれ、信号保持容量27及び57に保持される。
具体的には、最左列である第1列では、第1緑色(図中の「Gr」)の画素10からの出力信号は、カラムアンプ20及びカラムAD変換器30で処理され、一方、青色(図中の「B」)の画素10からの出力信号は、カラムアンプ50及びカラムAD変換器60で処理される。
このような図9に示される列信号線の配線では、ある行の画素10からの出力信号をカラムアンプ20に送り、次の行の画素10からの出力信号をカラムアンプ50に送りという動作が交互に繰り返され、それぞれ信号保持容量27及び57に保持された信号に対し、カラムAD変換器30及び60で時系列に処理される。
(実施の形態2)
次に、本発明の実施の形態2について説明する。
図10は、本発明の実施の形態2における固体撮像装置2の回路ブロック図である。この固体撮像装置2は、RGBの色ごとに異なるカラムAD変換器ゲインを設定できる点に特徴を有し、複数の画素10と、複数のカラムアンプ20及び50と、複数のカラムAD変換器30及び60と、水平走査回路40及び70と、垂直走査回路80と、ランプ波発生部91〜94とを備える。
この固体撮像装置1は、実施の形態1における2個のランプ波発生部90a及び90bに代えて、4個のランプ波発生部91〜94を備える点で、実施の形態1と異なり、他の点において、実施の形態1と共通する。以下、実施の形態1と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
ランプ波発生部91〜94は、AD変換のための4つのランプ波形の参照信号RAMP_1〜RAMP_4を発生する信号発生部であり、制御部100からの指示に基づいて、それぞれ、カラムAD変換器30及び60でのカラムAD変換器ゲインを変更するために、ランプ波形の傾斜を変化させることができる。
ここで、特徴的なことは、4個のランプ波発生部91〜94は、それぞれ、4つの色(Gr、R、B、Gb)の個々に対応して設けられている点である。つまり、ランプ波発生部91は、第1緑色(図中の「Gr」)の画素10に対応するカラムAD変換器30a、30c及び30eのコンパレータ31a、31c及び31eへのランプ波RAMP_1を発生する回路であり、ランプ波発生部92は、赤色(図中の「R」)の画素10に対応するカラムAD変換器30b及び30dのコンパレータ31b及び31dへのランプ波RAMP_2を発生する回路であり、ランプ波発生部93は、青色(図中の「B」)の画素10に対応するカラムAD変換器60a、60c及び60eのコンパレータ61a、61c及び61eへのランプ波RAMP_3を発生する回路であり、ランプ波発生部94は、第2緑色(図中の「Gr」)の画素10に対応するカラムAD変換器60b及び60dのコンパレータ61b及び61dへのランプ波RAMP_4を発生する回路である。
以上のように構成された本実施の形態における固体撮像装置2の動作は、基本的には、実施の形態1と同じである。ただし、実施の形態1では、カラムアンプのゲインは色ごとに独立して設定され、カラムAD変換器のゲインは2つの色に対して共通に設定されたのに対し、本実施の形態では、カラムアンプ及びカラムAD変換器ともに、4つの色(Gr、R、B、Gb)ごとに独立して、ゲインが設定される。
つまり、制御部100は、ホワイトバランスの調整において(図7のステップS15)、直前のステップS14で得られた色ごとのホワイトバランス係数を実現するように、4つの色(Gr、R、B、Gb)ごとに独立して、カラムアンプ及びカラムAD変換器のゲイン(粗調及び微調のゲイン)を設定する。
以上のように、本実施の形態における固体撮像装置2によれば、色ごとに、独立したカラムアンプとAD変換器が設けられ、それらのカラムアンプとAD変換器のゲインは色ごとに独立して設定され、これによって、色ごとに独立したホワイトバランスの調整が行われる。よって、従来のように、読み出す画素に応じて可変抵抗の抵抗値を変えたりスイッチを切り替えたりするという複雑な制御を必要とすることなく、かつ、AD変換におけるS/Nを劣化させることなく、色毎のゲインが最適化される。
なお、本実施の形態においても、実施の形態1で説明したように、画素10の1列ごとに設ける列信号線は1本であってもよいし、2本であってもよい。つまり、本実施の形態では、画素10の1列ごとに2つの列信号線11及び12が設けられていたが、図11に示されるように、画素10の1列ごとに1つの列信号線13だけが設けられていてもよい。このような固体撮像装置2aでは、行列の列を構成する画素10からの出力信号は、共通の列信号線13を介して、当該列に対応して設けられた2つのカラムアンプ20及び50の入力端子に接続され、カラムアンプ20及び50の出力には行の信号を選択するための行選択SW25(25a〜25e)及び55(55a〜55e)と、それら行選択SWとコンパレータ31及び61に接続された信号保持容量27(27a〜27e)及び57(57a〜57e)と、行選択SW25及び55を制御する行選択制御線A(26)及びB(56)とを備え、行列の列を構成する2つの色に対応する画素10のうち、一方の色に対応する画素10と他方の色に対応する画素10とは、時分割で、列信号線13を介して、それぞれ、対応するカラムアンプ20及び50に信号が出力される。
以上、本発明に係る固体撮像装置について、実施の形態1及び2、並びに、それらの変形例1a及び2aに基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態及び変形例に限定されるものではない。これらの実施の形態及び変形例に対して当業者が思いつく変形を施して得られる別の形態や、これらの実施の形態及び変形例における構成要素を任意に組み合わせて実現される別の形態も本発明に含まれる。
例えば、実施の形態1及び2、並びに、それらの変形例1a及び2aでは、RGBのベイヤー配列を例にとって説明を行っているが、カラーフィルタ配列には、ベイヤー配列以外にも、補色フィルタ、Greenストライプフィルタ、クリアビッドフィルタ等さまざまな配列が一般に知られており、それぞれのカラーフィルタ配列についてもそれぞれの色毎に対応して本実施例と同様の構成をとることで実現できることはいうまでもない。
また実施の形態1及び2、並びに、それらの変形例1a及び2aでは、個別の色毎に対応して(R、B、Gr、Gb)個別のカラムアンプ、カラムAD変換器を設け、個別のゲイン調整を行う方法について説明を行っているが、例えばGr,Gb等類似の色の画素に対しては、共通のカラムアンプ、カラムAD変換器を設け、共通のゲイン調整を行っても良く、これらの構成上の選択は、ゲイン制御等の柔軟性と回路規模というトレードオフの関係にある観点から決定すればよい。
また実施の形態1及び2、並びに、それらの変形例1a及び2aでは、カラムアンプ、カラムAD変換器は、画素10が形成された領域を挟むように設けられた画素の上部領域及び下部領域に配置されたことを例にとって説明しているが、この配置を画素領域の片側に、例えば各列の倍密度で配列したり、2段重ね等多段で配置したりしても実現できることはいうまででもない。
また、本発明に係る固体撮像装置が内蔵された各種電子機器も本発明に含まれるのは言うまでもない。たとえば、図12に示される機能ブロック図のように、本発明に係る固体撮像装置201(上記実施の形態及び変形例に係る固体撮像装置における撮像面、カラムアンプ、カラムAD変換器等)が内蔵されたカメラも本発明に含まれる。このカメラは、図12に示されるように、レンズ200と、固体撮像装置201と、駆動回路202(上記実施の形態における水平走査回路、垂直走査回路等)と、信号処理部203(上記実施の形態における制御部等)と、外部インターフェイス部204とを備える。
このように構成されたカメラにおいて、レンズ200を通過した光は、固体撮像装置201に入射する。信号処理部203は、駆動回路202を介して固体撮像装置201を駆動し、固体撮像装置201からの出力信号を取り込む。その出力信号は、信号処理部203で各種信号処理が施され、外部インターフェイス部204を介して外部に出力される。このようなカメラは、読み出す画素に応じて可変抵抗の抵抗値を変えたりスイッチを切り替えたりするという複雑な制御を必要とすることなく、かつ、AD変換におけるS/Nを劣化させることなく、色毎のゲインを最適化することができる固体撮像装置を備えるので、処理速度を低下させることなく、かつ、S/Nを劣化させることなく、被写体の色温度に応じた適切なホワイトバランスの調整が行われる。このようなカメラは、例えば、図13(a)に示されるデジタルスチルカメラや図13(b)に示されるビデオカメラ等として実現される。
本発明は、カラーイメージセンサ等の固体撮像装置として、例えば、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラ、デジタルカメラ付き携帯電話機等の撮像素子として利用することができる。
本発明の実施の形態1における固体撮像装置の回路ブロック図 画素の詳細な回路図 図1における1対のカラムアンプとカラムAD変換器の詳細な回路図 (a)は、カラムアンプの詳細な回路ブロック図。(b)は、(a)に示されるアンプをトランジスタで構成した場合のカラムアンプの詳細な回路図 (a)は、本実施の形態における固体撮像装置の制御部の構成を示す回路ブロック図。(b)は、撮像面のブロック分割を示す図 本発明の実施の形態1における固体撮像装置の動作を説明する図 制御部によるホワイトバランスのためのゲイン調整の制御手順を示すフローチャート 色温度に対するホワイトバランスのゲイン設定例を示す図 実施の形態1の変形例に係る固体撮像装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態2における固体撮像装置の回路ブロック図 実施の形態2の変形例に係る固体撮像装置の回路ブロック図 本発明に係る固体撮像装置が内蔵されたカメラの機能ブロック図 同カメラの例を示す外観図 従来の固体撮像装置の回路ブロック図
符号の説明
1、1a、2、2a 固体撮像装置
10 画素
11〜13 列信号線
20、20a〜20e、50、50a〜50e カラムアンプ
21 アンプ
22 ゲイン切り替え部
30、30a〜30e、60、60a〜60e カラムAD変換器
31、31a〜31e、61、61a〜61e コンパレータ
32、32a〜32e、62、62a〜62e カウンタ
40 水平走査回路
80 垂直走査回路
90a、90b、91〜94 ランプ波発生部
100 制御部
101 ブロック平均値算出部
102 データ処理部

Claims (12)

  1. 行列状に配置された複数の画素と、
    前記行列の列ごとに少なくとも1つ設けられ、対応する列を構成する画素から出力される信号を増幅する、複数のカラムアンプと、
    前記カラムアンプごとに設けられ、対応するカラムアンプから出力される信号をAD変換する、複数のカラムAD変換器とを備え、
    前記複数の画素のそれぞれは、複数の色のうち、いずれかの色の光の強度に対応する信号を出力し、
    前記複数のカラムアンプのそれぞれは、前記複数の色のいずれかに対応して設けられ、対応する列を構成する画素のうち、前記複数の色のいずれかに対応する全ての画素からの出力信号を増幅する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記複数の画素は、少なくとも1つの列について少なくとも2つ以上の複数の色に対応する画素が含まれるように配置され、
    前記カラムアンプは、前記行列の列ごとに少なくとも2つ以上複数設けられ、
    前記行列の列ごとに設けられた複数のカラムアンプの一方は、対応する列に含まれる複数の色に対応する画素のうち、一方の色に対応する画素からの出力信号を増幅し、
    前記行列の列ごとに設けられた複数のカラムアンプの他方は、対応する列に含まれる複数の色に対応する画素のうち、前記一方の色と異なる他方の色に対応する画素からの出力信号を増幅する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記行列の列を構成する画素からの出力信号は、少なくとも1つの列について少なくとも2つ以上の複数の列信号線のいずれかを介して、当該列に対応して設けられた少なくとも2つ以上の複数のカラムアンプの入力端子に接続され、
    前記行列の列を構成する少なくとも2つ以上の複数の色に対応する画素のうち、一方の色に対応する画素は、前記複数の列信号線の一方の列信号線を介して、対応するカラムアンプに信号を出力し、
    前記行列の列を構成する複数の色に対応する画素のうち、他方の色に対応する画素は、前記複数の列信号線の他方の列信号線を介して、対応するカラムアンプに信号を出力する
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  4. 前記行列の列を構成する画素からの出力信号は、共通の列信号線を介して、少なくとも1つの列について当該列に対応して設けられた少なくとも2つ以上の複数カラムアンプの入力端子に接続され、
    前記行列の列を構成する複数の色に対応する画素のうち、一方の色に対応する画素と他方の色に対応する画素とは、時分割で、前記列信号線を介して、対応するカラムアンプに信号を出力する
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  5. 前記固体撮像装置は、1つの半導体基板上に形成され、
    前記行列の列ごとに設けられた複数のカラムアンプは、それぞれ、前記半導体基板上の回路が形成された面において、前記複数の画素が形成された領域を挟むように設けられた異なる領域に配置されている
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  6. 前記複数のカラムアンプのそれぞれは、外部からの指示に基づいて複数のゲインから1つを選択し、選択したゲインで、前記信号を増幅する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  7. 前記固体撮像装置はさらに、
    前記複数のカラムアンプのうち、同一の前記色に対応するカラムアンプに対して共通してゲインを指示するための複数の制御線を有する
    ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。
  8. 前記固体撮像装置はさらに、時間的に単調に変化するランプ波形を生成する参照信号生成部を備え、
    前記複数のカラムAD変換器のそれぞれは、
    前記画素アレイの各列に対応して配設され、対応する列の画素から出力された画素信号と前記参照信号生成部により生成された参照信号とを比較するコンパレータと、
    前記参照信号生成部が参照信号の変化を開始させてから対応する列のコンパレータが画素信号と参照信号との一致を示すまで入力されたクロックをカウントするカウンタ部とを備え、
    前記参照信号生成部は、外部からの指示に基づいて、発生させる参照信号のランプ波形における傾斜を変化させる
    ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。
  9. 前記固体撮像装置は、前記複数の色のそれぞれに対応する複数のランプ波形を生成する複数の参照信号生成部を備え、
    前記コンパレータは、前記複数の参照信号生成部により生成された前記複数の色のそれぞれに対応する複数の参照信号の一つと前記複数の色に対応する画素信号とを比較し、
    前記固体撮像装置はさらに、前記複数の参照信号生成部のそれぞれに対して前記ランプ波形の傾斜を指示するための制御部を備える
    ことを特徴とする請求項8記載の固体撮像装置。
  10. 前記制御部は、前記複数のカラムアンプに対してゲインを指示することで、前記画素からの出力信号に対する粗調の増幅度の制御をするとともに、前記複数の参照信号生成部に対してランプ波形の傾斜を指示することで、前記画素からの出力信号に対する微調の増幅度の制御をする
    ことを特徴とする請求項9記載の固体撮像装置。
  11. 請求項1記載の固体撮像装置を備えるカメラ。
  12. 固体撮像装置の駆動方法であって、
    請求項8記載の固体撮像装置において、
    前記複数のカラムアンプに対してゲインを指示することで、前記画素からの出力信号に対する粗調の増幅度の制御をするとともに、前記参照信号生成部に対してランプ波形の傾斜を指示することで、前記画素からの出力信号に対する微調の増幅度の制御をする
    ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
JP2008157386A 2008-06-17 2008-06-17 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ Withdrawn JP2009303088A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008157386A JP2009303088A (ja) 2008-06-17 2008-06-17 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ
US12/475,758 US20090310001A1 (en) 2008-06-17 2009-06-01 Solid-state imaging device, driving method thereof, and camera
CNA2009101458976A CN101610419A (zh) 2008-06-17 2009-06-17 固体摄像装置、及其驱动方法以及摄像机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008157386A JP2009303088A (ja) 2008-06-17 2008-06-17 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009303088A true JP2009303088A (ja) 2009-12-24

Family

ID=41414389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008157386A Withdrawn JP2009303088A (ja) 2008-06-17 2008-06-17 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20090310001A1 (ja)
JP (1) JP2009303088A (ja)
CN (1) CN101610419A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011259485A (ja) * 2011-08-08 2011-12-22 Sony Corp 固体撮像装置、撮像装置、ad変換ゲイン調整方法
JP2013026734A (ja) * 2011-07-19 2013-02-04 Canon Inc 撮像装置
US8427551B2 (en) 2008-10-01 2013-04-23 Sony Corporation Solid-state imaging device, imaging apparatus, and ad conversion gain adjusting method
JP2017011346A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP2020031347A (ja) * 2018-08-23 2020-02-27 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009038505A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Panasonic Corp 固体撮像素子、固体撮像装置、カメラおよび駆動方法
JP5235814B2 (ja) * 2009-08-04 2013-07-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP4881987B2 (ja) * 2009-10-06 2012-02-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP5290923B2 (ja) * 2009-10-06 2013-09-18 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP2011259305A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Toshiba Corp 固体撮像装置
CN101888484B (zh) * 2010-06-28 2013-02-13 浙江大华技术股份有限公司 一种双通道ccd图像拼接偏差自动校正的方法
JP5808162B2 (ja) 2011-06-23 2015-11-10 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の駆動方法
JP5801665B2 (ja) 2011-09-15 2015-10-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置、a/d変換器およびその制御方法
JP5806566B2 (ja) 2011-09-15 2015-11-10 キヤノン株式会社 A/d変換器および固体撮像装置
TWI530183B (zh) * 2011-12-08 2016-04-11 Sony Corp An imaging element, a control method, and an imaging device
JP6041531B2 (ja) * 2012-05-24 2016-12-07 キヤノン株式会社 光電変換装置
CN103091886B (zh) * 2013-02-01 2015-08-05 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示装置及其液晶面板
JP6190184B2 (ja) 2013-06-28 2017-08-30 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置、その制御方法、および制御プログラム
JP5886806B2 (ja) * 2013-09-17 2016-03-16 キヤノン株式会社 固体撮像装置
CN103533260B (zh) * 2013-10-30 2019-06-07 上海集成电路研发中心有限公司 Cmos图像传感器像素值的无损压缩方法
KR20150051422A (ko) * 2013-11-04 2015-05-13 에스케이하이닉스 주식회사 전류 보상 및 노이즈 제거 기능을 가지는 비교기 및 그를 이용한 아날로그-디지털 변환 장치
JP6399749B2 (ja) * 2013-12-19 2018-10-03 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP6519997B2 (ja) * 2014-07-04 2019-05-29 株式会社リコー 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置
JP6492991B2 (ja) * 2015-06-08 2019-04-03 株式会社リコー 固体撮像装置
JP6587123B2 (ja) * 2015-06-08 2019-10-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
US9516249B1 (en) * 2015-09-03 2016-12-06 Omnivision Technologies, Inc. Pixel control signal driver
US11706538B2 (en) 2017-02-16 2023-07-18 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging system and imaging device
CN110378185A (zh) 2018-04-12 2019-10-25 北京图森未来科技有限公司 一种应用于自动驾驶车辆的图像处理方法、装置
JP6766095B2 (ja) 2018-06-08 2020-10-07 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、移動体、および積層用の半導体基板
JP2020088676A (ja) * 2018-11-28 2020-06-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ及び制御方法
CN112492161B (zh) * 2020-11-30 2021-10-26 维沃移动通信有限公司 图像传感器、摄像模组和电子设备

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100308884B1 (ko) * 1998-12-22 2001-11-22 박종섭 씨모스 이미지 센서를 위한 아날로그-디지털 변환 장치
US7133073B1 (en) * 1999-08-19 2006-11-07 Dialog Imaging Systems Gmbh Method and apparatus for color interpolation
CN1272961C (zh) * 2001-09-07 2006-08-30 三洋电机株式会社 摄像装置
CN1203665C (zh) * 2002-03-25 2005-05-25 精工爱普生株式会社 固体摄像元件以及使用其的固体摄像装置
JP4392492B2 (ja) * 2003-06-02 2010-01-06 国立大学法人静岡大学 広ダイナミックレンジイメージセンサ
JP2005318292A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Honda Motor Co Ltd 単板カラーイメージセンサ
JP4449565B2 (ja) * 2004-05-12 2010-04-14 ソニー株式会社 物理量分布検知の半導体装置
JP4290066B2 (ja) * 2004-05-20 2009-07-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP2005348041A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Canon Inc 固体撮像装置および撮像システム
US7443435B2 (en) * 2004-07-07 2008-10-28 Altasens, Inc. Column amplifier with automatic gain selection for CMOS image sensors
JP2006148350A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Olympus Corp 撮像装置
JP4615472B2 (ja) * 2006-04-03 2011-01-19 ソニー株式会社 物理量分布検出装置および撮像装置
JP4843461B2 (ja) * 2006-11-13 2011-12-21 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2008141610A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及び撮像システム
JP2008244021A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびそれを用いたカメラ
JP2008271159A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
JP2009038531A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその駆動方法
JP5205155B2 (ja) * 2007-08-31 2013-06-05 パナソニック株式会社 固体撮像素子

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8427551B2 (en) 2008-10-01 2013-04-23 Sony Corporation Solid-state imaging device, imaging apparatus, and ad conversion gain adjusting method
JP2013026734A (ja) * 2011-07-19 2013-02-04 Canon Inc 撮像装置
JP2011259485A (ja) * 2011-08-08 2011-12-22 Sony Corp 固体撮像装置、撮像装置、ad変換ゲイン調整方法
JP2017011346A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP2020031347A (ja) * 2018-08-23 2020-02-27 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP7299680B2 (ja) 2018-08-23 2023-06-28 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP7439325B2 (ja) 2018-08-23 2024-02-27 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム

Also Published As

Publication number Publication date
CN101610419A (zh) 2009-12-23
US20090310001A1 (en) 2009-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009303088A (ja) 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ
US10924698B2 (en) Solid-state imaging element, method of driving the same, and camera system
CN108337455B (zh) 图像传感器
US20200014874A1 (en) Image pickup element, control method, and image pickup device
US20180324381A1 (en) Solid-state imaging device and camera system
JP5165520B2 (ja) 固体撮像装置、撮像装置、および固体撮像装置のad変換方法
RU2479145C2 (ru) Полупроводниковое устройство формирования изображения, устройство формирования изображения и способ управления полупроводниковым устройством формирования изображения
US8792033B2 (en) Image pickup apparatus capable of changing operation condition of image sensing device and control method therefor
US20120026371A1 (en) Image capturing device, image capturing system, and method of driving image capturing device
US9036052B2 (en) Image pickup apparatus that uses pixels different in sensitivity, method of controlling the same, and storage medium
US7489357B2 (en) Solid-state image pickup element having improved resolution and signal to noise ratio and solid-state image pickup apparatus using the same
JP2009118311A (ja) 固体撮像素子、撮像システム、及び固体撮像素子の駆動方法
US8717472B2 (en) Solid-state image pickup apparatus and image pickup system
US20180191981A1 (en) Image sensor and image capturing apparatus
US20130193310A1 (en) Photoelectric conversion apparatus and image pickup system
JP2016082453A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法、並びに、撮像システム
JP3956875B2 (ja) 固体撮像装置
JP5316611B2 (ja) 固体撮像装置、撮像装置、ad変換ゲイン調整方法
CN108432239B (zh) 固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备
JP2008263072A (ja) 固体撮像装置
JP4581573B2 (ja) 固体撮像装置
JP2009260982A (ja) 電源制御方法および電源制御装置並びに電子機器および撮像装置
JP2006054527A (ja) 撮像信号処理方法、撮像信号処理回路、撮像装置
JP5104975B2 (ja) 撮像装置
JP2006140576A (ja) 撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101207

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20110909