JP4311482B2 - 撮像回路、cmosセンサ、および撮像装置 - Google Patents
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Description
フォトディテクタの受光量に応じた電荷を増幅し、画素信号を出力する増幅手段(例えば、図5のトランジスタ42)と、
所定の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下するランプ信号を生成するランプ信号生成手段(例えば、図5の参照電圧回路26)と、
前記増幅手段が出力する画素信号と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号とを比較する比較手段(例えば、図5のコンパレータ311乃至31N)と
を備え、
前記増幅手段が出力する画素信号の基準電位と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号の基準電位とが同一のレベルである。
前記ランプ信号生成手段は、
前記ランプ信号の傾きを変更し、前記撮像回路により撮像される画像のゲインを変更するゲイン変更手段(例えば、図6のゲイン変更回路54)と、
前記ゲイン変更手段とカレントミラー回路を形成するトランジスタ(例えば、図6のトランジスタ53)と
を有することができ、
前記ゲインが最小であるときに、前記ゲイン変更手段のコンダクタンスと前記トランジスタのコンダクタンスの比が同等、例えば1である。
前記ランプ信号は、第1の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下する第1の区間と、第2の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下する第2の区間と有する形状をしており、
前記ランプ信号生成手段は、
前記第1の初期電圧と前記第2の初期電圧とが同一であるランプ信号を生成する通常ランプ信号生成手段(例えば、図6のランプ生成回路56)と、
前記第1の初期電圧と前記第2の初期電圧とがオフセットするオフセット時に、前記第1の初期電圧を前記第2の初期電圧よりも高くするオフセット成分を、前記ランプ信号に重畳させるオフセット手段(例えば、図6のオフセット回路57)と
をさらに有することができる。
前記撮像回路は、
フォトディテクタの受光量に応じた電荷を増幅し、画素信号を出力する増幅手段(例えば、図5のトランジスタ42)と、
所定の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下するランプ信号を生成するランプ信号生成手段(例えば、図5の参照電圧回路26)と、
前記増幅手段が出力する画素信号と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号とを比較する比較手段(例えば、図5のコンパレータ311乃至31N)と
を備え、
前記増幅手段が出力する画素信号の基準電位と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号の基準電位とが同一のレベルである。
前記撮像回路は、
フォトディテクタの受光量に応じた電荷を増幅し、画素信号を出力する増幅手段(例えば、図5のトランジスタ42)と、
所定の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下するランプ信号を生成するランプ信号生成手段(例えば、図5の参照電圧回路26)と、
前記増幅手段が出力する画素信号と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号とを比較する比較手段(例えば、図5のコンパレータ311乃至31N)と
を備え、
前記増幅手段が出力する画素信号の基準電位と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号の基準電位とが同一のレベルである。
・・・(1)
・・・(2)
・・・(3)
・・・(4)
・・・(5)
・・・(6)
Claims (7)
- フォトディテクタの受光量に応じた電荷を増幅し、画素信号を出力する増幅手段と、
所定の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下するランプ信号を生成するランプ信号生成手段と、
前記増幅手段が出力する画素信号と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号とを比較する比較手段と
を備え、
前記増幅手段が出力する画素信号の基準電位と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号の基準電位とが同一のレベルである
撮像回路。 - 前記ランプ信号生成手段は、
前記ランプ信号の傾きを変更し、前記撮像回路により撮像される画像のゲインを変更するゲイン変更手段と、
前記ゲイン変更手段とカレントミラー回路を形成するトランジスタと
を有し、
前記ゲインが最小であるときに、前記ゲイン変更手段のコンダクタンスと前記トランジスタのコンダクタンスの比が同程度である
請求項1に記載の撮像回路。 - 前記ゲイン変更手段は、前記トランジスタとのカレントミラー回路によって作られる電流を減少させることにより、前記ゲインを増加させる
請求項2に記載の撮像回路。 - 前記ランプ信号は、第1の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下する第1の区間と、第2の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下する第2の区間と有する形状をしており、
前記ランプ信号生成手段は、
前記第1の初期電圧と前記第2の初期電圧とが同一であるランプ信号を生成する通常ランプ信号生成手段と、
前記第1の初期電圧と前記第2の初期電圧とがオフセットするオフセット時に、前記第1の初期電圧を前記第2の初期電圧よりも高くするオフセット成分を、前記ランプ信号に重畳させるオフセット手段と
をさらに有する
請求項1に記載の撮像回路。 - 前記ゲイン変更手段と前記オフセット手段とが、共通の定電流回路を使用している
請求項4に記載の撮像回路。 - 撮像回路が半導体チップ上に配置されて構成されるCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサであって、
前記撮像回路は、
フォトディテクタの受光量に応じた電荷を増幅し、画素信号を出力する増幅手段と、
所定の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下するランプ信号を生成するランプ信号生成手段と、
前記増幅手段が出力する画素信号と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号とを比較する比較手段と
を備え、
前記増幅手段が出力する画素信号の基準電位と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号の基準電位とが同一のレベルである
CMOSセンサ。 - 撮像回路が半導体チップ上に配置されて構成されるCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサを有する撮像装置であって、
前記撮像回路は、
フォトディテクタの受光量に応じた電荷を増幅し、画素信号を出力する増幅手段と、
所定の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下するランプ信号を生成するランプ信号生成手段と、
前記増幅手段が出力する画素信号と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号とを比較する比較手段と
を備え、
前記増幅手段が出力する画素信号の基準電位と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号の基準電位とが同一のレベルである
撮像装置。
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