TWI312235B - Digital dll apparatus for correcting duty cycle and method thereof - Google Patents

Digital dll apparatus for correcting duty cycle and method thereof Download PDF

Info

Publication number
TWI312235B
TWI312235B TW091138010A TW91138010A TWI312235B TW I312235 B TWI312235 B TW I312235B TW 091138010 A TW091138010 A TW 091138010A TW 91138010 A TW91138010 A TW 91138010A TW I312235 B TWI312235 B TW I312235B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
signal
clock signal
delay
internal clock
control
Prior art date
Application number
TW091138010A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200307395A (en
Inventor
Jong-Tae Kwak
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hynix Semiconductor Inc filed Critical Hynix Semiconductor Inc
Publication of TW200307395A publication Critical patent/TW200307395A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI312235B publication Critical patent/TWI312235B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/156Arrangements in which a continuous pulse train is transformed into a train having a desired pattern
    • H03K5/1565Arrangements in which a continuous pulse train is transformed into a train having a desired pattern the output pulses having a constant duty cycle
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/081Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
    • H03L7/0812Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
    • H03L7/0814Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the phase shifting device being digitally controlled
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/081Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
    • H03L7/0812Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
    • H03L7/0816Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the controlled phase shifter and the frequency- or phase-detection arrangement being connected to a common input
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/087Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal using at least two phase detectors or a frequency and phase detector in the loop

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Description

1)正替換頁 1312235 玖、發明說明 (發明說明應敘明:發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明) (一)發明所屬之技術領域 本發明揭示一種數位式延遲閉鎖迴路(DLL)及用於校正 責務循環週期之方法,更明確地,一種數位式DLL裝置 及一種校正在半導體及電腦系統中所使用責務循環之方法 ’其需要時脈產生器來補償外部時脈及內部時脈間之相位 差(s k e w )。 (二)先前技術 延遲閉鎖迴路廣泛地使用於使得半導體記憶系統中同步擊 5己丨思體之內部時脈及外部時脈來同步化。在同步r A Μ中 ’假設全部作業諸如寫入或讀取都在上升邊緣,然而,經 由半導體裝置之元件,有時間延遲發生。爲使得在同步 RAM之上升邊緣的作業時間同步,時間延遲必需消除。dll * 電路接收外部時脈信號,而且產生內部時脈信號來使得兩 、 時脈信號同步,以便消除時脈延遲。 各種技術已經使用於控制DLL電路之時脈信號。 首先’在I998年9月15日頒予Donnelly氏等之美國專 籲 利所發表"使用於9 0相位差時脈產生器之頻率相位移電路 "(下文稱爲Donnelly)。Donnelly教示一種相位移電路,包 括第一差動放大器,具有一對場效電晶體,架構形成具有 共用節點之源極耦合對;及包括一對輸入,用於接收輸入 參考信號及其互補信號,及一對輸出節點;第一及第二電 流源分別地耦合在輸出節點及第一供給軌之間,第—及第 二電流嫄供給I安培之電流値;及第三電流源耦接在共用 1312235 節點及第二供給軌之間,第三電流源吸收(s i n k i n g ) 2 I安培 之電流値;濾波電路,耦接跨在輸出節點,濾波電路使得 差動放大器之輸出節點響應輸出參考信號及其互補信號而 產生一對互補三角波信號;及比較器,具有一對輸入耦接 來接收一對互補三角波信號,比較器響應一對互補三角波 信號間之比較,產生具有和輸入參考信號預定相位關係之 輸出信號。 其次,日本專利公報第2001-6399號發表一種半導體裝 置,包括:相位控制器,控制外部時脈之相位及產生內部 時脈;檢測器,檢測偏離相頻之相位控制範圍的外部時脈 頻率;第一作業模態及第二作業模態,其以外側所輸入之 控制信號來交換;及輸出電路,在第一模態中輸出不考慮 檢測器之結果的信號,及在第二模態中根據檢測器之結果 而變成輸出狀態。 最後,日本專利公報第1 1 - 3 5 3 8 7 8號教示一種具有時脈 相位控制電路之半導體裝置,用於產生第二時脈,其以控 制所接收之第一時脈相位及輸出和第一及第二時脈中之其 一同步的資料,來延遲和某一相位相同,包括:時脈頻率 分析器,用於以響應表示第一時脈延遲量之信號,來分析 第一時脈頻率,及輸出控制信號;及時脈選擇器,用於以 響應控制信號,來選擇第一時脈及第二時脈間之時脈。 上述D D R記憶體中所使用習用之D L L s,根據標準信號 及補償信號來控制全部相位之延遲,然而,習用D L L s在 外部時脈資料正在處理時不能校正由於責務誤差所造成的 1312235 相位延遲,其中責務誤差是在實際責務循環週期及5 Ο %責 務循環週期間之差異,而且會在處.理外部時脈期間發生。 (三)發明內容 因此,本發明之目的在提供一種D L L裝置,及使用混合 電路(blend circuit)來校正責務誤差及產生具有50 %責務 循環週期內部時脈之方法。 根據本發明之架構,提供一種數位式DLL裝置,用於校 正責務循環週期,包括:緩衝器,用於次序地輸出以接收 _ 外部時脈信號而在時脈之緣時所觸發的第一內部時脈信號 ;延遲線路單元,用於接收來自緩衝器第一檢測信號及第 二檢測信號之第一內部時脈信號,而根據第一及第二檢測 信號來延遲第一內部時脈信號和預定延遲量相同之量,而 輸出第一延遲內部時脈信號及第二延遲內部時脈信號;混 合電路,在第二延遲內部時脈信號沒有觸發期間,使得第 一延遲內部時脈信號旁通,而且混合第一延遲內部時脈信 號及第二延遲內部時脈信號,使得當第二延遲內部時脈信 · 號觸發時來產生混合時脈信號,其中混合時脈信號具有下 降緣之相位在第一及第二延遲內部時脈信號的下降緣兩者 中間;延遲模式單元,用於預估在混合時脈信號行進到資 料/輸出接腳(DQ接腳)期間所產生之延遲量;及輸出根據 預估延遲量所補償混合時脈信號之補償時脈信號;直接相 位檢測器,用於接收外部時脈信號,以比較外部時脈信號 及第一補償時脈信號來產生第一檢測信號,及輸出第一檢測 信號到延遲線路單元;及相位檢測器,用於接收第一延遲內 1312235 部時脈信號及第二延遲內部時脈信號,及以檢測第一及第 二延遲內部時脈信號之相位差產生第二檢測信號。 根據本發明之另一架構,也提供一種數位式DLL裝置來 校正責務循環週期之方法,包括下列步驟:a)判定外部 時脈信號及補償時脈信號之上升緣是否完全地匹配;b)當 上升緣完全地匹配時觸發第二延遲內部時脈信號;c )判定 第一延遲內部時脈信號和第二延遲內部時脈信號之上升緣 是否完全地匹配;及d)在第一時脈信號及第二時脈信號之 $ 上升緣完全地匹配的情形中,混合第一延遲內部時脈信號 及第二延遲內部時脈信號之相位,來產生具有5 0 %責務循 環週期之混合時脈信號。 (四)實施方式 本發明之其他目的及架構自下文所發表參照附圖之實施 例詳細說明,將變得顯而易見。 第1圖是根據本發明較佳實施例用於校正責務循環週期 之數位式DLL裝置方塊圖。數位式DLL裝置包括:緩衝器 φ 1 1 0、延遲線路單元1 2 0、混合電路1 3 0、延遲模式單元1 4 0 、直接相位檢測器1 5 0、及相位檢測器1 6 0。 緩衝器1 10接收外部時脈信號(ext_clk)及產生在信號緣 時變成觸發之第一內部時脈信號。第一內部時脈信號輸入 到延遲線路單元1 2 0。 延遲線路單元1 2 0接收第一內部時脈信號,而且也接收 來自直接相位檢測器1 5 0及相位檢測器1 6 0之第一檢測信 號及第二檢測信號。延遲線路單元1 2 0根據第一及第二檢 1312235 測信號來延遲第一內部時脈信號,而產生內部時脈信號做 爲第一延遲內部時脈信號,其比較外部時脈信號而具有完 全相同上升緣相位。延遲線路單元1 2 0輸出第一延遲內部 時脈信號(intclk 1)及第二延遲內部時脈信號(intclk 2)到 混合電路1 3 0。 延遲線路單元1 2 0包括第一控制器1 2 1、第一延遲線路 1 2 2、第二控制器1 2 3及第二延遲線路1 2 4。 第一控制器1 2 1根據第一檢測信號來產生控制延遲量之 _ 第一控制信號,而且輸出第一控制信號到第一延遲線路 122 〇 第一延遲線路1 2 2接收第一控制信號及第一內部時脈信 號。第一內部時脈信號根據在延遲線路1 2 2之第一控制信 號來延遲。即,延遲線路1 2 2根據第一控制信號來延遲第 一內部時脈信號,而產生第一延遲內部時脈信號。第一延 遲內部時脈信號intclk輸出到混合電路130。 第二控制器1 2 3以根據第二檢測信號來產生第二控制信 鲁 號而控制延遲量,而且輸出第二控制信號到第二延遲線路 124 ° 第二延遲線路1 2 4接收第二控制信號及第一內部時脈信 號。第二延遲線路1 2 4根據第二控制信號來延遲第一內部 時脈信號。第二延遲線路1 2 4以延遲第一內部時脈信號來 產生第二延遲內部時脈信號。第二延遲時脈信號反向,而 且所反向第二延遲內部時脈信號(intclk 2)輸出到混合電 路 1 3 0。 1312235
混合電路1 3 0在第二延遲線路1 2 4沒有觸發期間,使得 第一時脈信號(intclk 1)旁通。如果第二延遲內部時脈信 號觸發,則混合電路1 3 0以混合第一延遲內部時脈信號及 第二延遲時脈信號來產生相位混合時脈信號(int_clk)。即 ’混合電路1 3 0位移第一及第二延遲時脈信號之下降緣到 一點,其表示在第一延遲時脈信號之下降緣及第二延遲時 脈信號之下降緣兩者間差異的一半。混合時脈信號輸出到 延遲模式單元1 4 0及本發明之外側。混合時脈信號經由包 括本發明之記憶體系統中所配備各種電路來行進到資料輸 入/輸出接腳(DQ pin)。 延遲模式單元140接收混合時脈信號(int_clk),而且預 估在混合時脈信號行進到資料輸入/輸出接腳期間產生延遲 量。延遲模式單元140根據預估延遲量來產生補償時脈信 號(iclk),而且輸出補償時脈信號到直接相位檢測器150。 直接相位檢測器1 50接收外部時脈信號(ext_clk)及補償 時脈信號,而且以比較外部時脈信號(ext_clk)和補償時脈 信號(iclk)來產生第一檢測信號。直接相位檢測器150輸 出第一檢測信號到延遲線路單元〗2 0。 相位檢測器160接收來自延遲線路單元120之第一延遲 內部時脈信號(intclk 1)及第二延遲內部時脈信號(intclk2) ,而且以檢測延遲線路單元120之第一延遲內部時脈信號 (intclk 1)及第二延遲內部時脈信號(intclk 2)的相位來產 生第二檢測信號。 第2圖是根據本發明較佳實施例之數位式DLL裝置校正 -10- 1312235 責務循環週期的作業間圖示。 參照第1及2圖在下文中來詳細說明數位式DLL裝置校 正責務循環週期之作業。 首先,外部時脈信號(ext_ elk)儲存及緩衝在緩衝器內。 緩衝器1 1 〇次序地輸出緩衝外部時脈信號做爲第一內部時 脈信號。第一內部時脈信號輸入到延遲線路單元1 2 0,而 且施加到第一延遲線路1 2 2及第二延遲線路1 2 4。在初始 狀態時,第二延遲線路1 2 4沒有觸發。第一延遲內部時脈 $ 信號(intclk 1)是第一延遲線路122之輸出信號,旁通過混 合電路1 3 0而且以延遲模式單元1 4 0來轉換成補償時脈信號 。補償時脈信號輸入到直接相位檢測器1 5 0,而且在直接 相位檢測器150比較外部時脈信號(ext_Clk)及補償時脈信 號(i c 1 k)。結果,直接相位檢測器1 5 0產生控制延遲量之第 一檢測信號,使得在延遲線路單元1 2 0之外部時脈信號 (ext_c Ik)及第一內部時脈信號之上升緣匹配。如果預估外 部時脈信號(ext_clk)及補償時脈信號匹配,則第二延遲線 鲁 路1 2 4觸發。在第二延遲線路1 2 4觸發之後,第二延遲線 路124產生第二延遲時脈信號(intclk 2)。第二延遲時脈信 號(intclk 2)在相位檢測器160來比較第一延遲時脈信號 (intclk 1)。相位檢測器160產生第二檢測信號,來控制第 二延遲線路1 2 4使得第一延遲內部時脈信號及第二延遲內 部時脈信號之上升緣匹配。如第2圖所示,在使得第一及 第二延遲內部時脈信號(intclk 1)及(intclk 2)匹配之後,混 合電路1 3 0觸發。即,在初始狀態時,混合電路1 3 0使得 -11- 1312235 第一延遲時脈信號(intclk 1)旁通,而在完成上升緣匹配之 後,混合電路1 3 0混合第一及第二延遲內部時脈信號之相 位。 第3圖是根據本發明另一實施例之用於校正責務循環週 期的數位式DLL裝置圖示。數位式DLL裝置包括緩衝器 3 1 0、延遲線路單元3 2 0、混合電路3 3 0、延遲模式單元3 4 0 、直接相位檢測器3 5 0及相位檢測器3 6 0。 緩衝器3 1 0接收外部時脈信號(ex t_clk),而且產生第一 內部時脈信號,其在時脈之緣處觸發。第一內部時脈信號 輸出到延遲線路單元3 2 0。 延遲線路單元3 2 0接收第一內部時脈信號,也接收來自 直接相位檢測器3 5 0及相位檢測器3 6 0之第一檢測信號及 第二檢測信號。延遲線路單元3 2 0根據第一及第二檢測信 號來延遲第一內部時脈信號,用於產生內部時脈信號做爲 第一延遲內部時脈信號,其比較外部時脈信號而具有完全 相同之上升緣相位。延遲線路單元3 2 0輸出具有完全相同 上升緣之第一延遲內部時脈信號(intclk 1)及第二延遲內 部時脈信號(intclk 2)到混合電路3 3 0。 延遲線路單元3 2 0包括第三控制器3 2 1、第一相移暫存 器3 2 2、第三延遲線路3 2 3、第四控制器3 2 4、第二相移暫 存器3 2 5及第四延遲線路3 2 6。 第三控制器3 2 1產生第一位移信號,用於根據直接相位 檢測器3 5 0之第一檢測信號來控制第一內部時脈信號之延 遲量。第一位移信號輸出到第一相移暫存器3 2 2。 -12- 1312235 第一相移暫存器322接收第一位移信號,而且產生第三 控制信號,其以控制第三延遲線路單元3 2 3來控制延遲量。 第三延遲線路3 2 3接收來自第一相移暫存器3 2 2之第三 控制信號及來自緩衝器3 1 0之第一內部時脈信號。第三延 遲線路3 2 3根據第三控制信號以延遲第一內部時脈信號來 產生第一延遲內部時脈信號(intclk 1),而且輸出第一延遲 時脈信號(i n t c 1 k 1 )到責務誤差控制單元3 3 0。換言之,第 三延遲線路3 2 3包括具有次序地耦接之多數單元延遲格的 | 裝置。延遲量是以使得第一內部時脈信號通過預定數量之 單元延遲格來控制,其中預定數量之單元延遲格是根據第 一相移暫存器3 2 2所輸出第三控制信號來決定及控制。 第四控制器3 2 4根據相位檢測器3 6 0之第二檢測信號來 產生用於控制延遲量之第二位移信號。第二位移信號輸出 到第二相移暫存器3 2 5。 第二相移暫存器3 2 5接收第二位移信號,而且根據第二 位移信號以移動輸出信號到左或右,來產生控制延遲量之 · 第四控制信號。第四控制信號輸出到第四延遲線路3 2 6。 第四延遲線路3 2 6接收第四控制信號及來自緩衝器3 1 0 之第一內部時脈信號。第四延遲線路3 2 6根據第四控制信 號來延遲第一內部時脈信號,而產生第二延遲內部時脈信 號。在產生之後,使得第二延遲內部時脈信號反向。第二 反向延遲內部時脈信號(intclk 2)輸出到混合電路330。即 ,第四延遲線路3 2 6具有由次序地耦接之多數單元延遲格 所組成的裝置。第一內部時脈信號以使得第一內部時脈信 -13- 1312235 號通過預定數量單元延遲格來延遲,其中預定數量單元延 遲格根據第二相移暫存器3 2 5所輸出第三控制信號來決定 及控制。 混合電路3 3 0在第四延遲線路3 2 6沒有觸發期間,使得 第一時脈信號(intclk 1)旁通。如果第四延遲線路3 2 6觸發 ,混合電路3 3 0以混合第一延遲內部時脈信號及第二延遲 內部時脈信號來產生相位混合時脈信號(int _c lk)。即,混 合電路3 3 0使得第一及第二延遲內部時脈信號之下降緣位 $ 移到一點,其表示在第一延遲時脈信號之下降緣及第二延 遲時脈信號之下降緣兩者間差異的一半。混合時脈信號輸 出到延遲模式單元3 4 0及本發明之外側。混合時脈信號經 由包括本發明之記憶體系統中所配備各種電路來行進到資 料輸入/輸出接腳(DQ pin)。 延遲模式單元3 4 0接收混合時脈信號(int _ elk)及預估混 合時脈信號行進到資料輸入/輸出接腳(DQ pin)期間所產 生延遲量。延遲模式單元3 4 0根據預估延遲量來補償時脈 · 信號(i elk),而輸出該補償信號到直接相位檢測器3 5 0。 直接相位檢測器3 5 0接收外部時脈信號(ext_clk)及補償 時脈信號,而且以比較外部時脈信號(ext_clk)和補償時脈 信號(i c 1 k 1 )來產生第一檢測信號。直接相位檢測器3 5 0輸 出第一檢測信號到延遲線路單元3 2 0。 相位檢測器3 6 0接收來自延遲線路單元3 2 0之第一延遲 內部時脈信號(intelk 1)及第二延遲內部時脈信號(intelk 2) ,以檢測第一延遲內部時脈信號(int elk 1)及第二延遲內部 -14- 1312235 時脈信號(intclk 2)對延遲線路單元3 2 0之相位,來產生第 二檢測信號。 第4圖是根據本發明第3圖所示第三及第四延遲線路 323及326的方塊圖。第三及第四延遲線路323及326包 括粗延遲線路4 01及第一相位混合器4 0 2。 粗延遲線路4 01包括多數單元延遲格之二條線路,其次 序地耦接。粗延遲線路4 0 1接收第一內部時脈信號,而且 第一內部時脈信號以分別輸入到各多數單元延遲格而變成 第一混合器輸入信號及第二混合器輸入信號。第一及第二 混合器輸入信號各自以第一相移暫存器3 2 2之控制信號來 通過預定數量的觸發單元延遲格。結果,第一及第二混合 器輸入信號根據所觸發單元延遲格之數量而不同地延遲。 第一及第二混合器輸入信號輸出到第一相位混合器4 0 2。 第一相位混合器4 0 2接收來自粗延遲線路4 0 1之第一及 第二混合器輸入信號,而且根據第三及第四控制器3 2 1及 3 2 4之控制信號細微地調諧兩混合器輸入信號之延遲量。 第5圖是根據本發明再另一較佳實施例之用於校正責務 循環週期的數位式DLL裝置方塊圖示。數位式DLL裝置包 括:緩衝器5 1 0、延遲線路單元5 2 0、混合電路5 3 0、延遲 模式單元5 4 0、直接相位檢測器5 5 0及相位檢測器5 6 0。 緩衝器510接收外部時脈信號(ex t_c lk),而且產生在時 脈緣處變成觸發之第一內部時脈信號。第一內部時脈信號 輸入到延遲線路單元5 2 0。 延遲線路單元5 2 0接收來自緩衝器5 1 0之內部時脈信號、 1312235 來自直接相位檢測器5 5 0之第一檢測信號、及來自相位檢 測器5 6 0之第二檢測信號。延遲線路單元5 2 0根據檢測信 號來延遲第一內部時脈信號,而且輸出第一延遲內部時脈 信號(intclk 1)及第二延遲內部時脈信號(intclk 2)到混合 電路5 3 0。 延遲線路單元5 2 0包括多數延遲格5 2 :1、第五控制器5 2 2 、第一信號產生器5 2 3、第六控制器5 2 4及第二信號產生 器 5 2 5。 多數延遲格5 2 1接收第一內部時脈信號。第一內部時脈 信號以通過各多數延遲單元格521而轉換成多數相位延遲 信號。各多數相位延遲信號比較鄰接相位延遲時脈信號, 具有和其一單元延遲格之延遲量相同延遲遞延。多數相位 延遲信號輸出到第一及第二信號產生器523及525。 第五控制器5 2 2根據第一直接相位檢測器5 5 0之檢測信 號來產生控制延遲量的第五控制信號。 第一信號產生器5 2 3接收第五控制信號及多數延遲格 5 2 1之多數相位延遲信號。根據第五控制信號,第一信號 產生器5 2 3選擇兩個鄰接相位延遲信號,其根據第五控制 信號而具有其一延遲單元格之延遲量。第一信號產生器 5 2 3以使得兩個鄰接相位延遲信號調諧而產生延遲內部時 脈信號(intclk 1),而且輸出第一延遲內部時脈信號(intclk 1 )到混合電路5 3 0。 第六控制器5 2 4根據第二直接相位檢測器5 7 0之第二檢 測信號,來產生控制延遲量之第六控制信號。第六控制信 -16- 1312235 號輸出到第二信號產生器5 2 5。 第二信號產生器5 2 5接收第六控制信號、多數延遲格單 元5 2 1之相位延遲信號。根據第六控制信號,第二信號產 生器525選擇兩個鄰接相位延遲信號,其具有和其一延遲 單元格相同之延遲量。兩個鄰接相位延遲信號調諧及反向 來產生第二延遲內部時脈信號(intclk 2)。第二延遲內部時 脈信號(intclk 2)輸出到混合電路5 3 0。 混合電路5 3 0在第二信號產生器5 2 4沒有觸發期間旁通 第一時脈信號(intclk 1 )。如果第二信號產生器5 2 4觸發, 混合電路1 3 0以混合第一延遲內部時脈信號及第二延遲內 部時脈信號來產生混合時脈信號(int _clk)。即,混合電路 5 3 0使得第一及第二延遲內部時脈信號之下降緣位移到一 點,其表示在第一延遲時脈信號之下降緣及第二延遲時脈 信號之下降緣兩者間差異的一半。混合時脈信號輸出到延 遲模式單元5 4 0及本發明之外側。 延遲模式單元5 4 0接收混合時脈信號(int _clk),而且預 估在混合時脈信號行進到資料輸入/輸出接腳(DQ pin)期 間所產生的延遲量。延遲模式單元5 4 0根據所預估延遲量 來產生補償時脈信號(i elk),而且輸出補償時脈信號到直接 相位檢測器5 5 0。 直接相位檢測器5 5 0接收外部時脈信號(ext_clk)及補償 時脈信號,而且以比較外部時脈信號(ext_clk)和補償時脈 信號(i c 1 k )來產生第一檢測信號。直接相位檢測器5 5 0輸出 第一檢測信號到延遲線路單元5 2 0。 -17- 1312235 相位檢測器5 6 0接收來自延遲線路單元5 2 0之第一延遲 內部時脈信號(intclk 1 )及第二延遲內部時脈信號(intclk 2) ,而且檢測第一延遲內部時脈信號(int elk 1)及第二延遲內 部時脈信號(intclk 2)對延遲線路單元5 2 0之相位而產生第 二檢測信號。 第6圖是根據本發明第5圖所示第一及第二信號產生器 523及525之方塊圖示。第一及第二信號產生器523及525 包括多工器6 0 1及第二相位混合器6 0 2。 多工器6 0 1接收多數相位延遲信號,而且根據第一及第 二控制器5 2 2及5 2 4之控制信號,來選擇具有和其一單元 延遲格相同延遲量之兩個鄰接相位延遲信號。兩個鄰接信 號輸出到第二相位混合器6 0 2做爲第一混合器輸入信號及 第二混合器輸入信號。 第二相位混合器6 0 2接收多工器6 0 1之第一及第二混合 器輸入信號,而且根據第五及第六控制器5 2 2及5 2 4之控 制信號來細微地調諧兩個混合器輸入信號之延遲量。 第7 A及7 B圖是相位混合器之方塊圖,而第7 C圖是說 明相位混合器作業之電路圖示。第7 A圖之相位混合器使 用如同第4及6圖之第二及第三相位混合器5 0 2及6 0 2。 相位混合器詳細說如下文。 第二及第一相位混合器接收來自第6圖所示多工器6 0 1 及第4圖所示粗延遲線路4 0 1之兩個延遲時脈信號,做爲 第一混合器輸入信號及第二混合器輸入信號。參照第4圖 ,第一內部時脈信號輸入到粗延遲線路4 0 1,而且通過兩 -18- 1312235 個劃分線路之單元延遲格。單元延遲格之兩劃分線路產生 兩個延遲時脈信號。兩個延遲時脈信號具有延遲差異,而 且輸入到第一相位混合器4 0 2。在第二相位混合器6 0 2之 情形中,相位延遲時脈信號輸入到多工器6 0 1。多工器選 擇具有和其一延遲單元格相同延遲量之延遲差異的兩個鄰 接時脈信號。兩個鄰接信號輸入到第二相位混合器6 0 2做 爲第一混合器輸入信號及第二混合器輸入信號。 參照第7 A圖,相位混合器包括多數第一混合格7 0 1及 多數第二混合格7 〇 2。 多數第一混合格7 〇1接收來自控制器3 2 1、3 2 4、5 2 2、 5 2 4到第一輸入端S之控制信號,及接收第一混合器輸入 信號X1到第二輸入端IN。當控制信號低時,多數第一混 合格7 〇 1輸出信號高-Z ( h i g h - Z ),而且當控制信號高時, 多數第一混合格7 〇 1使得第一混合器輸入信號反相,而輸 出反相第一混合器輸入信號X 1。 多數第二混合格7 0 2接收來自控制器3 2 1、3 2 4、5 2 2、 5 2 4到第一輸入端S之控制信號,及接收第二混合器輸入 信號X2到第二輸入端IN。當控制信號高時,多數第二混 合格7 02輸出信號高-Z(high-Z),而當控制信號低時,多 數第二混合格7 0 2使得第二混合器輸入信號X2反相,而 輸出反相第二混合器輸入信號X2。 兩個多數混合格7 0 1及7 0 2接收具有不同延遲之兩個信 號X 1及X2,而且輸出所選混合器輸入信號,其根據混合 電路3 3 0或5 3 0具有兩個信號X 1及X2之中間相位。所選 -19- 1312235 混合器_入信號之相位可以控制信號來控制在兩個信號 X 1及X 2間的任何相位。 第7 B圖是根據本發明第7 A圖所示混合格之詳細圖示。 參照第7B圖,多數第一及第二混合格701及702包括 第一 PMOS電晶體P1、第二PMOS電晶體P2、第一 NMOS 電晶體N1及第二NMOS電晶體N2。 第一 Ρ Μ Ο S電晶體P 1包括源極埠及閘極埠。源極埠耦接 到電壓、及所接收第一及第二混合器輸入信號之一到閘極 $ 璋。 第二Ρ Μ Ο S電晶體Ρ 2包括源極埠、汲極埠及閘極埠。第 二Ρ Μ 0 S電晶體Ρ 2之源極埠耦接到第一 Ρ Μ Ο S電晶體Ρ 1 之汲極埠,汲極埠耦接到輸出埠〇 U Τ。閘極埠接收使得控 制信號反相之反相控制信號(Sb)。 第一 Ν Μ Ο S電晶體N 1包括源極埠及閘極埠。源極埠耦 接到接地,而第一及第二混合器輸入信號之一輸入到閘極 璋。 # 第二NMO S電晶體Ν2包括源極埠、汲極埠及閘極埠。 源極埠耦接到第一 Ν Μ Ο S電晶體Ν 1之汲極埠,控制信號 (S )接收到閘極埠,而汲極埠耦接到輸出埠0 U Τ。 第7 C圖是根據本發明之第4及6圖所示相位檢測器4 0 2 及6 0 2作業圖示。相位混合器接收第一混合器輸入信號X 1 及第二混合器輸入信號Χ2,而輸出具第一及第二混合器輸 入信號之中間相位的時脈信號。換言之,相位混合器細微 劃分在X 1及X 2兩者間之相位,而且根據控制信號來輸出 -20- 1312235 具有在X 1及X 2兩相位間細微劃分相位中之其一相位的信 號。 第8圖是根據本發明較佳實施例用於校正責務循環週期 之數位式D L L裝置所配備混合電路1 3 0、3 3 0及5 3 0的圖 示。 參照第8圖,混合電路包括第一時脈信號處理單元8 2 0 、第二時脈信號處理單元8 3 0、第二反相器8 1 0及第三反 相器8 4 0。 第二反相器8 1 0接收混合致能信號(Blend_enb),而且輸 出以使得混合致能信號(Blend_enb)反相之反相混合致能 信號。 第一時脈信號處理單元820當混合致能信號(Blend_enb) 在第二邏輯狀態時,接收及旁通第一延遲內部時脈信號。 然而,在所接收混合致能信號(Blend_enb)是第一邏輯狀態 之情形中,第一時脈信號處理單元8 2 0以使用第一延遲內 部時脈信號來產生第一混合信號,而且輸出第一混合信號 到第三反相器8 4 0。第一時脈信號處理單元8 2 0包括k個 第一可控制反相器及η - k個第二可控制反相器。第一可控 制反相器總是作業做爲反相器。第二可控制反相器當混合 致能信號(Blend_enb)在第二邏輯狀態時作業爲反相器,而 且在混合致能信號(Blend_enb)在第一邏輯狀態時變成不 導通(turn off)。 第二時脈信號處理單元8 3 0在混合致能信號(Blend_enb) 在第二邏輯狀態時沒有觸發。當混合致能信號(Blend_enb) -2 1- 1312235 在第一邏輯狀態時,第二時脈信號處理單元8 3 0以使用第 二延遲內部時脈信號來產生第二混合信號,而且輸出第二 混合信號到第三反相器8 4 0。第二時脈信號處理單元8 3 0 包括k個第三控制反相器,其總是導通(turn on);及n-k 個第四控制反相器,其當混合致能信號(Blend_enb)在第一 邏輯狀態之情形中作業爲反相器,當混合致能信號 (Blend_enb)在第二邏輯狀態之情形中不導通。 第三反相器8 4 0以結合及反相第一混合信號及第二混合 _ 信號來產生混合時脈信號(int_clk)。 第9圖是根據本發明較佳實施例之數位式D L L裝置用於 校正責務循環週期方法的流程圖示。 參照第9圖,直接相位檢測器1 5 0判定外部時脈信號及 補償時脈信號(iclk)之上升緣在步驟S901是否完全相同地 匹配。 如果上升緣完全地相同,在步驟S 9 0 2第二延遲內部時脈 信號(intclk 2)以觸發第二延遲線路1 24來產生。 φ 在步驟S 9 0 2之後,第一延遲內部時脈信號(i n t c 1 k 1 )及 第二延遲內部時脈信號(intclk 2)在步驟S 9 0 3來判定上升 緣是否完全地相同。 如果第一延遲內部時脈信號(intclk 1)及第二延遲內部 時脈信號(intclk 2)完全地匹配,混合電路130以混合第一 及第二延遲內部時脈信號來產生具有5 0 %責務循環週期之 混合時脈信號,在步驟S 9 0 4使得第一及第二延遲內部時脈 信號之下降緣匹配。 -22- 1312235 如果外部時脈信號及補償時脈信號之上升緣沒有完全地 匹配,則在步驟S 9 0 5外部時脈信號及補償時脈信號延遲來 使得上升緣匹配。在延遲之後,在步驟S 9 0 1判定外部時脈 信號及補償時脈信號之上升緣是否完全地匹配。 在步驟S 9 0 3,如果第一時脈信號(i n t c 1 k 1 )及第二時脈信 號(i n t c 1 k 2 )沒有匹配,則在步驟S 9 Ο 6第二延遲內部時脈 信號(intclk 2)延遲來使得上升緣匹配。在延遲第二延遲內 部時脈信號(intclk 2)之後,在步驟S 9 0 3判定第一及第二 延遲內部時脈信號(intclk 1及intclk 2)之上升緣是否完全 地匹配。 如果第一延遲內部時脈信號(intclk 1)及第二延遲內部 時脈信號(intclk 2)之上升緣完全地匹配,在步驟S 9 0 4混 合電路1 3 0以混合第一及第二延遲內部時脈信號來產生具 有5 0 %責務循環週期之混合時脈信號。 如上所述,本發明可使用混合電路來校正責務誤差及產 生具有5 0 %責務循環週期之內部時脈信號。 雖然本發明已對某些較佳實施例詳細說明,但是對於擅 於本技術者顯然地可實施各種改變例及修正例,而沒有脫 離申請專利範圍所定義之本發明的範圍及精神。 (五)圖式簡單說明 本發明之上述及其他目的及特徵,在下文中以較佳實例 連同附圖之詳細說明,將變得顯而易見,其成: 第1圖是根據本發明較佳實施例用於校正責務循環週期 之數位式D L L裝置的方塊圖示; 1312235 第2圖是根據本發明較佳實施例之數位式D L L裝置校正 責務循環週期的作業圖示; 第3圖是根據本發明另一實施例用於校正責務循環週期 之數位式DLL裝置的圖示; 第4圖是根據本發明第3圖所示延遲線路之方塊圖; 第5圖是根據本發明另一實施例用於校正責務循環週期 之數位式DLL裝置的圖示; 第6圖是根據本發明再另一實施例第5圖所示信號產生 器圖示; 第7 A及7 B圖是根據本發明第4及5圖所示相位混合器 之方塊圖示; 第7 C圖是根據本發明第4及5圖所示相位混合器之作 業槪念圖示; 第8圖是根據本發明較佳實施例用於校正責務循環週期 之混合電路詳細圖示;及 第9圖是根據本發明較佳實施例用於校正責務循環週期 φ 之數位式DLL裝置作業流程圖示。 主要部分之代表符號說明 110、 310、 510 120' 320、 520 12 1 12 2 12 3 124 緩衝器 延遲線路單元 第一控制器 第一延遲線路 第二控制器 第二延遲線路 -24- 1312235 130、 330' 530 140、 340、 540 150、 350、 550 160、 360、 560 混合電路 延遲模式單元 直接相位檢測器 相位檢測器

Claims (1)

  1. 1312235 拾、申請專利範圍 第91138010號「用於校正責務循環週期之數位式延遲閉鎖 迴路(DLL)裝置及其校正方法(二)」專利案 (2009年2月修正) 1. 一種用於校正責務循環週期之數位式延遲閉鎖迴路 (DLL)裝置,包含: 一緩衝器,用於次序地輸出以接收外部時脈信號而在 時脈邊緣觸發之第一內部時脈信號; 一延遲線路單元,用於接收來自該緩衝器之該第一內 部時脈信號,一第一檢測信號及一第二檢測信號,以,及 根據該第一及第二檢測信號,以相同於預定延遲量延遲 該第一內部時脈信號,而輸出第一延遲內部時脈信號及 第二延遲內部時脈信號; 一混合電路,用於在該第二延遲內部時脈信號沒有觸 發期間,旁通該第一延遲內部時脈信號,以及混合該第 一延遲內部時脈信號及該第二延遲內部時脈信號,使得 當該第二延遲內部時脈信號被觸發時產生一混合時脈信 號,其中該混合時脈信號具有在該第一及第二延遲內部 時脈信號之下降邊緣間的下降邊緣相位; 一延遲模式單元,用於預估在該混合時脈信號行進到 資料輸入/輸出接腳(DQ pin)時所產生之延遲量,及根據 該預估延遲量補償該混合時脈信號而輸出已補償時脈信 號, 一直接相位檢測器,用於接收該外部時脈信號,以比 1312235 較該外部時脈信號及該補償時脈信號來產生該第一檢測 信號,以及輸出該第一檢測信號到該延遲線路單元;及 一相位檢測器,用於接收該第一延遲內部時脈信號及 該第二延遲內部時脈信號,以及以檢測該第一及第二延 遲內部時脈信號之相位來產生該第二檢測信號。 2 .如申請專利範圍第1項之裝置,其中該延遲線路單元包 括: 一第一控制手段,用於根據該第一檢測信號來產生第 一控制信號以控制延遲量; 一第一延遲線路,用於接收來自該緩衝器之該第一控 制信號及該第一內部時脈信號,以及根據該第一控制信 號以預定延遲量延遲該第一內部時脈信號來產生該第一 延遲內部時脈信號; 一第二控制手段,用於根據該第二檢測信號來產生用 於控制延遲量之第二控制信號;及 一第二延遲線路,用於接收來自該緩衝器之該第二控 制信號及該第一內部時脈信號,根據該第二控制信號來 延遲該第一內部時脈信號而產生該第二延遲內部時脈信 號,及藉由反向該延遲時脈輸入信號來輸出該第二延遲 內部時脈信號。 3 .如申請專利範圍第1項之裝置,其中該延遲線路單元包 括: 一第三控制手段,用於產生根據該第一檢測信號來控 制延遲量之第一控制信號,及輸出所產生之第一控制信 號; -2- 1312235 一第一相移暫存器,用於接收該第一控制信號,藉以 根據該第一控制信號來產生控制延遲量的第三控制信號 一第三延遲線路,用於接收該第三控制信號及來自該 緩衝器之該外部時脈信號,根據該第三控制信號以所預 定延遲量來延遲該第一內部時脈信號而產生該第一延遲 內部時脈信號,以及輸出該第一延遲內部時脈信號到該 混合電路; 一第四控制手段,用於根據該第二檢測信號來產生控 φ 制延遲量之第二控制信號,以及輸出該第二控制信號; 一第二相移暫存器、用於接收該第二控制信號,以及 根據該第二控制信號產生控制位移量之第四控制信號; 及 _ 一第四延遲線路,用於接收該第四控制信號與該外部 時脈信號,藉以產生該第二延遲內部時脈信號。 4 .如申請專利範圍第3項之裝置,其中該第三延遲線路包 括: _ 一粗延遲線路,具有多數單元延遲格,其耦接以產生 第一混合器輸入信號及第二混合器輸入信號,其中該第 一混合器輸入信號及該第二混合器輸入信號具有和在該 粗延遲線路之其一單元延遲格相同之延遲差異;及 一第一相位混合器,用於接收來自該粗延遲線路之第 一及第二混合器輸入信號,以及細微地調諧該延遲量。 5 .如申請專利範圍第3項之裝置,其中該第四延遲線路包 括: 1312235 一粗延遲線路,具有多數單元延遲格,其耦接來產生 及輸出第一混合器輸入信號及第二混合器輸入信號,其 中該第一混合器輸入信號及該第二混合器輸入信號具有 和該粗延遲線路之其一單元延遲格相同的延遲差異;及 一第一相位混合器,用於接收來自該粗延遲線路之該 第一及第二混合器輸入信號,而且細微地調諧該延遲量 〇 6 .如申請專利範圍第1項之裝置,其中該延遲線路單元包 括: 籲 一第五控制手段,用於根據該第一檢測信號來產生控 制延遲量之第五控制信號; 一多數延遲格,用於接收來自該緩衝器之該第一內部 時脈信號,以及藉由該第一內部時脈信號通過該等多數 延遲格而產生複數相位延遲; 一第一時脈產生手段,用於根據該第五控制信號藉由 選擇及調諧在該等多數相位延遲信號中之兩個相鄰相位 延遲信號,而產生該第一延遲內部時脈信號,以及輸出 · 該第一延遲內部時脈信號到該混合電路; 一第六控制手段,用於根據該第二檢測信號而產生控 制延遲量之第六控制信號,以及輸出該第六控制信號;及 一第二信號產生手段,用於根據該第六控制信號藉由 選擇及調諧在該等多數相位延遲信號中之兩個相鄰相位 延遲信號,而產生該第二延遲內部時脈信號,以及輸出 該第二延遲內部時脈信號到該混合電路。 7.如申請專利範圍第6項之裝置,其中該第一信號產生裝 -4- 1312235 置包括: 一多工器(MUX),用於接收該等多數相位延遲信號, 及根據該第五控制信號,來選擇在該等多數相位延遲信 號中具有和其一單元延遲格相同延遲量差異的兩個相鄰 相位延遲信號;及 一第二相位混合器,用於混合來自該多工器之兩個相 鄰相位延遲信號,以藉由該兩個相鄰相位延遲信號之相 位匹配,來產生該第一延遲內部時脈信號。 8 .如申請專利範圍第6項之裝置,其中該第二信號產生手 段包括: 多工器,用於接收該等多數相位延遲信號,以及根據 該第五控制信號,來選擇在該等多數相位延遲信號中具 有和其一單元延遲格相同延遲量差異的兩個相鄰相位延 遲信號;及 一第二相位混合器,用於混合來自該多工器之兩個相 鄰相位延遲信號,以藉由該兩個相鄰相位延遲信號之相 位匹配,而產生該第一延遲內部時脈信號,以及輸出該 第一延遲內部時脈信號。 9 .如申請專利範圍第4項之裝置,其中該第一相位混合器 包括: 多數第一混合格,用於接收來自該第三控制手段或第 四控制手段之控制信號到一埠,以及來自該粗延遲線路 到另一埠之第一混合器輸入信號,以及在該控制信號爲 低態之情形中,輸出高-z(high-Z)信號,而在該控制信號 爲高態之情形中,輸出該第一混合器輸入信號; 1312235 多數第二混合格,用於接收來自該粗延遲線路到一埠 之第二混合器輸入信號,以及來自該第三控制手段或第 四控制手段到另一埠之控制信號,以及在該控制信號爲 低態之情形中輸出高-Z信號並輸出該第二混合器輸入信 號;及 一反相器,用於根據該控制信號,使得該等多數第一 混合格及該等多數第二混合格之輸出信號反相,以及輸 出反相輸出信號到該混合電路。 1 0 .如申請專利範圍第7項之裝置,其中該第二相位混合器 包括: 多數第一混合格,用於接收來自該第三控制手段或第 四控制手段到一埠之控制信號,以及來自該粗延遲線路 到另一埠之該第一混合器輸入信號,以及在該控制信號 爲低態之情形中輸出高-z信號,以及在該控制信號爲高 態之情形中輸出該第一混合器輸入信號; 多數第二混合格,用於接收來自該粗延遲線路到一埠 之該第二混合器輸入信號,以及來自該第三控制手段或 該第四控制手段到另一埠之控制信號,以及在該控制信 號爲低態之情形中輸出高-Z信號,而且輸出該第二混合 器輸入信號;及 一反相器,用於根據該控制信號,使得來自該等多數 第一混合格及該等多數第二混合格之輸出信號反向,以 及輸出反向輸出信號到該混合電路。 1 1 .如申請專利範圍第9項之裝置,其中該第一混合格包括: 一第一 PMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到電壓; 1312235 及閘極埠用於接收來自該粗延遲線路之該第一混合器輸 入信號及該第二混合器輸入信號之一者做爲混合器輸入 信號; —第二PMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到該第一 Ρ Μ O S電晶體之汲極埠;閘極埠,用於接收該控制信號 之反向信號;及汲極埠,耦接到該輸出埠; 一第一 NMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到地;閘 極埠,接收該混合器輸入信號;及 一第二NMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到該第一 φ NMOS電晶體之汲極埠;閘極埠,用於接收該控制信號 :及汲極埠,耦接到該輸出埠。 ,, 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之裝置,其中該第一混合格包 括: . 一第一 PMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到電壓; . 及閘極璋,用於接收來自該粗延遲線路之該第一混合器 輸入信號及該第二混合器輸入信號之一者做爲混合器輸 入信號; # 一第二PMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到該第一 Ρ Μ 0 S電晶體之汲極埠;閘極埠,用於接收該控制信號 之反向信號;及汲極埠,耦接到該輸出埠; 一第一 NMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到地;及 閘極埠,用於接收該混合器輸入信號;及 一第二NMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到該第一 NMOS電晶體之汲極埠;閘極埠,用於接收該控制信號 :及汲極埠,耦接到該輸出埠。 1312235 1 3 .如申請專利範圍第9項之裝置,其中該第二混合格包括: 一第一 P Μ 0 S電晶體,具有:源極埠,耦接到電壓; 及閘極埠,用於接收來自該多工器之該第一混合器輸入 信號及該第二混合器輸入信號之一者做爲混合器輸入信 號; 一第二Ρ Μ 0 S電晶體,具有:源極埠,耦接到該第一 Ρ Μ 0 S電晶體之汲極埠;閘極埠,用於接收該控制信號 之反向信號;及汲極埠,耦接到該輸出埠; 一第一 NMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到地;及 閘極埠,用於接收來自該多工器之該混合器輸入信號; 及 一第二NMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到該第一 NMOS電晶體之汲極埠;閘極埠,用於接收該控制信號 :及汲極埠,耦接到該輸出埠。 1 4 .如申請專利範圍第1 〇項之裝置,其中該第二混合格包 括: 一第一 Ρ Μ 0 S電晶體,具有:源極埠,耦接到電壓; 及閘極埠,用於接收來自該多工器之該第一混合器輸入 信號及該第二混合器輸入信號之一者做爲混合器輸入信 號; 一第二PMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到該第一 PMOS電晶體之汲極埠;閘極埠,用於接收該控制信號 之反向信號;及汲極埠,耦接到該輸出埠; 一第一 NMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到地;及 閘極埠,用於接收來自該多工器之混合器輸入信號;及 1312235 一第二NMOS電晶體,具有:源極埠,耦接到該第一 N Μ 0 S電晶體之汲極埠;閘極埠,用於接收該控制信號 :及汲極埠,耦接到該輸出埠。 1 5 .如申請專利範圍第1項之裝置,其中該混合電路包括: 一第二反相器,用於接收該混合致能信號及輸出被該 所接收之混合致能信號所反相之該反相混合致能信號; 一第一時脈信號處理單元,用於接收該混合致能信 號,當該混合致能信號是第二邏輯狀態時,輸出該所接 收混合致能信號,及當該混合致能信號是第一邏輯狀態 φ 時,藉由使用該第一延遲內部時脈信號來產生第一混合 信號; ,, 一第二時脈信號處理單元,當該混合致能信號是第二 邏輯狀態時,沒有觸發;當該混合致能信號是第一邏輯 狀態時,藉由使用第二延遲內部時脈信號來產生第二混 合信號;及 一第三反相器,用於使得該第一混合信號及第二混合 信號中之一反相,其爲根據該混合致能信號來輸出該第 · 一及第二時脈信號中之一。 1 6 .如申請專利範圍第1 3項之裝置,其中該第一時脈信號 處理單元進一步包括: k個第一可控制反相器,其總是操作做爲反相器;及 n-k個第二可控制反相器,當該混合致能信號是第二 邏輯狀態時,操作做爲反相器;及當該混合致能信號是 第一邏輯狀態時,其不導通。 17.如申請專利範圍第16項之裝置,其中該第一可控制反 -9- 1312235 相器及該第二可控制反相器相同。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之裝置,其中該等第一可控制 反相器及該等第二可控制反相器之數量相同。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項之裝置,其中該第二時脈信號 處理單元包括: k個第三控制反相器,其總是不導通;及 n-k個第四可控制反相器,當該混合致能信號是第一 邏輯狀態時,操作做爲反相器;而該混合致能信號是第 二邏輯狀態之情形中,其不導通。 φ 2 0 .如申請專利範圍第1 9項之裝置,其中該第三控制反相 器及第四控制反相器大小相同。 21.如申請專利範圍第19項之裝置,其中該多數第三控制 反相器及第四控制反相器數量相同。 2 2 . —種利用如申請專利範圍第1項之數位D L L裝置校正 責務循環週期之方法,該方法包含下列步驟= a) 判定該外部時脈信號及該補償時脈信號之上升緣是 否完全地匹配; · b) 當該外部時脈信號及該補償時脈信號之上升緣完全 地匹配時,觸發該第二延遲內部時脈信號; 〇判定該第一延遲內部時脈信號及第二延遲內部時脈 信號是否完全地匹配;及 d)在該第一延遲內部時脈信號及第二延遲內部時脈信 號之上升緣完全地匹配的情形中,以混合該第一延遲內 部時脈信號及第二延遲內部時脈信號之相位,來產生具 有5 0 %責務循環週期之混合時脈信號。 -10- 1312235 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之方法,其包括下列步驟: e) 當該外部時脈信號及該補償時脈信號之上升緣沒有 匹配時,以延遲該補償時脈信號使得該外部時脈信號及 該補償時脈信號之上升緣匹配,以及回到步驟a)。 2 4 .如申請專利範圍第2 2項之方法,其包括下列步驟: f) 在該第一延遲內部時脈信號及第二延遲內部時脈信 號之上升緣沒有匹配之情形中,以延遲該第一及第二延 遲內部時脈信號來使得該第一延遲內部時脈信號及第二 延遲內部時脈信號之該等緣匹配,以及回到步驟c )。
TW091138010A 2002-05-21 2002-12-31 Digital dll apparatus for correcting duty cycle and method thereof TWI312235B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0028119A KR100477809B1 (ko) 2002-05-21 2002-05-21 듀티 사이클 교정이 가능한 디지털 디엘엘 장치 및 듀티사이클 교정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200307395A TW200307395A (en) 2003-12-01
TWI312235B true TWI312235B (en) 2009-07-11

Family

ID=29546321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091138010A TWI312235B (en) 2002-05-21 2002-12-31 Digital dll apparatus for correcting duty cycle and method thereof

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6677792B2 (zh)
JP (1) JP4276857B2 (zh)
KR (1) KR100477809B1 (zh)
DE (1) DE10300690B4 (zh)
TW (1) TWI312235B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI826606B (zh) * 2019-06-21 2023-12-21 韓商愛思開海力士有限公司 相位檢測電路、時脈產生電路和半導體裝置

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002366112A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Hitachi Ltd 液晶駆動装置及び液晶表示装置
KR100424180B1 (ko) * 2001-12-21 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 보상 기능을 갖는 지연 고정 루프 회로
DE10214304B4 (de) * 2002-03-28 2004-10-21 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung zweier Signale mit einem vorbestimmten Abstand sich entsprechender Signalflanken zueinander
KR100477808B1 (ko) * 2002-05-21 2005-03-21 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 교정이 가능한 디지털 디엘엘 장치 및 듀티사이클 교정 방법
US7110446B1 (en) * 2002-07-26 2006-09-19 Xilinx, Inc. Method and apparatus for reducing effect of jitter
KR100486256B1 (ko) * 2002-09-04 2005-05-03 삼성전자주식회사 듀티사이클 보정회로를 구비하는 반도체 메모리 장치 및상기 반도체 메모리 장치에서 클럭신호를 보간하는 회로
KR100490655B1 (ko) * 2002-10-30 2005-05-24 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 보정 회로 및 그를 구비한 지연고정루프
JP4277979B2 (ja) * 2003-01-31 2009-06-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
JP2004287691A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Renesas Technology Corp 半導体集積回路
KR100515071B1 (ko) * 2003-04-29 2005-09-16 주식회사 하이닉스반도체 디엘엘 장치
US6992515B1 (en) * 2003-08-18 2006-01-31 Cray, Inc. Clock signal duty cycle adjust circuit
KR100578232B1 (ko) * 2003-10-30 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프
US20050093594A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-05 Infineon Technologies North America Corp. Delay locked loop phase blender circuit
KR100554981B1 (ko) * 2003-11-20 2006-03-03 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프
JP2005174212A (ja) 2003-12-15 2005-06-30 Sony Corp 情報処理装置、および情報処理方法、並びにコンピュータ・プログラム
KR100532498B1 (ko) * 2004-01-28 2005-11-30 삼성전자주식회사 오실레이터와 카운터를 이용하는 지연 동기 회로 및 클럭동기 방법
KR100529390B1 (ko) * 2004-02-19 2005-11-17 주식회사 하이닉스반도체 개회로 디지털 듀티 보정 회로
KR100673885B1 (ko) * 2004-04-27 2007-01-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 기억 소자의 듀티 싸이클 교정 장치 및 그 방법
US7005904B2 (en) * 2004-04-30 2006-02-28 Infineon Technologies Ag Duty cycle correction
US7230464B2 (en) * 2004-06-29 2007-06-12 Intel Corporation Closed-loop delay compensation for driver
US7126874B2 (en) * 2004-08-31 2006-10-24 Micron Technology, Inc. Memory system and method for strobing data, command and address signals
KR100604914B1 (ko) 2004-10-28 2006-07-28 삼성전자주식회사 반전 록킹 스킴에 따른 지연 동기 루프의 듀티 싸이클보정 회로 및 방법
US7667513B2 (en) * 2004-11-12 2010-02-23 International Business Machines Corporation Digital duty cycle corrector
US7084689B2 (en) * 2004-11-12 2006-08-01 International Business Machines Corporation Method and apparatus for generating non-skewed complementary signals through interpolation
US7116143B2 (en) * 2004-12-30 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Synchronous clock generator including duty cycle correction
US7680232B2 (en) * 2005-01-21 2010-03-16 Altera Corporation Method and apparatus for multi-mode clock data recovery
KR100594318B1 (ko) * 2005-01-31 2006-06-30 삼성전자주식회사 위상점프없는 소프트 스위칭을 위한 멀티플렉서 및멀티플렉싱 방법
KR100713082B1 (ko) * 2005-03-02 2007-05-02 주식회사 하이닉스반도체 클럭의 듀티 비율을 조정할 수 있는 지연 고정 루프
US7423466B2 (en) * 2005-04-29 2008-09-09 Stmicroelectronics Pvt. Ltd. Apparatus for enabling duty cycle locking at the rising/falling edge of the clock
US7276951B2 (en) * 2005-05-25 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Delay line circuit
KR100668852B1 (ko) * 2005-06-30 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 듀티비 보정 장치
US7304516B2 (en) * 2005-09-01 2007-12-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for digital phase generation for high frequency clock applications
US20070080731A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-12 Kim Jung P Duty cycle corrector
US7227809B2 (en) * 2005-10-14 2007-06-05 Micron Technology, Inc. Clock generator having a delay locked loop and duty cycle correction circuit in a parallel configuration
US7420399B2 (en) * 2005-11-10 2008-09-02 Jonghee Han Duty cycle corrector
US7593496B2 (en) * 2005-12-27 2009-09-22 Intel Corporation Phase interpolator
KR100701704B1 (ko) * 2006-01-12 2007-03-29 주식회사 하이닉스반도체 듀티 교정 회로
US7423465B2 (en) * 2006-01-27 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Duty cycle error calculation circuit for a clock generator having a delay locked loop and duty cycle correction circuit
GB2434930B (en) * 2006-02-01 2009-08-26 Wolfson Microelectronics Plc Delay-locked loop circuits
KR100954117B1 (ko) 2006-02-22 2010-04-23 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프 장치
US8073890B2 (en) * 2006-02-22 2011-12-06 Micron Technology, Inc. Continuous high-frequency event filter
US7310010B2 (en) * 2006-04-13 2007-12-18 Infineon Technologies Ag Duty cycle corrector
US7489176B2 (en) * 2006-04-28 2009-02-10 Rambus Inc. Clock distribution circuit
JP4106383B2 (ja) * 2006-06-08 2008-06-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 遅延比率調整回路、遅延パルス生成回路及びパルス幅変調パルス信号発生装置。
KR100800150B1 (ko) * 2006-06-30 2008-02-01 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프 장치
US8122275B2 (en) 2006-08-24 2012-02-21 Altera Corporation Write-leveling implementation in programmable logic devices
KR100838376B1 (ko) * 2006-08-24 2008-06-13 주식회사 하이닉스반도체 전원전압 변동에 대비한 디엘엘장치.
KR100853462B1 (ko) * 2006-08-31 2008-08-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
KR100808055B1 (ko) 2006-10-31 2008-02-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 지연 고정 루프와 그의 구동 방법
KR100861297B1 (ko) * 2006-12-28 2008-10-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치 및 그에 포함되는 지연 고정 루프
KR100854457B1 (ko) * 2006-12-29 2008-08-27 주식회사 하이닉스반도체 지연고정루프
KR100857855B1 (ko) * 2007-02-28 2008-09-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법
US8339295B2 (en) * 2007-07-31 2012-12-25 Motorola Solutions, Inc. Method and system for managing digital to time conversion
KR100930404B1 (ko) * 2007-12-10 2009-12-08 주식회사 하이닉스반도체 Dll 회로 및 그 제어 방법
JP5537568B2 (ja) * 2009-12-25 2014-07-02 富士通株式会社 信号受信回路、メモリコントローラ、プロセッサ、コンピュータ及び位相制御方法
KR101128961B1 (ko) 2010-01-29 2012-03-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치
CN102081965B (zh) * 2011-02-21 2013-04-10 西安华芯半导体有限公司 一种产生dram内部写时钟的电路
TWI448081B (zh) * 2012-01-20 2014-08-01 Nat Univ Chung Cheng All-digital clock correction circuit and method thereof
JP5949267B2 (ja) * 2012-07-24 2016-07-06 富士通株式会社 デューティ補正回路、及び、情報処理装置
US9954517B2 (en) 2012-11-06 2018-04-24 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for duty cycle adjustment
US8917132B2 (en) * 2013-03-11 2014-12-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses, methods, and circuits including a delay circuit
US8947144B2 (en) 2013-06-18 2015-02-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for duty cycle adjustment
US9503066B2 (en) 2013-07-08 2016-11-22 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for phase interpolating clock signals and for providing duty cycle corrected clock signals
JP6183225B2 (ja) * 2014-01-16 2017-08-23 富士通株式会社 タイミング調整回路、クロック生成回路、及びタイミング調整方法
US9413338B2 (en) 2014-05-22 2016-08-09 Micron Technology, Inc. Apparatuses, methods, and circuits including a duty cycle adjustment circuit
TWI552528B (zh) * 2014-12-31 2016-10-01 致茂電子股份有限公司 時脈產生裝置
KR102387233B1 (ko) 2015-10-20 2022-04-19 에스케이하이닉스 주식회사 버퍼 회로
KR20180046429A (ko) * 2016-10-27 2018-05-09 삼성전자주식회사 오프셋을 제거하는 지연 고정 루프 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20210140875A (ko) * 2020-05-14 2021-11-23 삼성전자주식회사 멀티 위상 클록 생성기, 그것을 포함하는 메모리 장치, 및 그것의 멀티 위상클록 생성 방법
JPWO2022118440A1 (zh) * 2020-12-03 2022-06-09

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0216399A (ja) * 1987-07-09 1990-01-19 Hitachi Ltd 多段ポンプ
JPH07106926A (ja) * 1993-10-06 1995-04-21 Hitachi Ltd クロック発生回路、及びデータ処理装置
JPH0888545A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Fujitsu Ltd デューティ比補正方法および装置
JP3592386B2 (ja) 1994-11-22 2004-11-24 株式会社ルネサステクノロジ 同期型半導体記憶装置
DE69635626T2 (de) 1995-05-26 2006-10-26 Rambus Inc., Los Altos Phasenschieber zur Verwendung in einem Quadratur-Taktgenerator
JP3479389B2 (ja) 1995-06-21 2003-12-15 株式会社日立製作所 データ処理システム及び半導体集積回路
JP3688392B2 (ja) * 1996-05-31 2005-08-24 三菱電機株式会社 波形整形装置およびクロック供給装置
KR980006918A (ko) * 1996-06-26 1998-03-30 김광호 50% 듀티 사이클 데이타 발생기(50% Duty Cycle Data Generator)
JP3729582B2 (ja) * 1996-08-13 2005-12-21 富士通株式会社 半導体装置、半導体装置システム及びディジタル遅延回路
TW353176B (en) 1996-09-20 1999-02-21 Hitachi Ltd A semiconductor device capable of holding signals independent of the pulse width of an external clock and a computer system including the semiconductor
JP3437046B2 (ja) * 1996-11-25 2003-08-18 沖電気工業株式会社 デューティ比補正回路
JP4033962B2 (ja) * 1997-05-23 2008-01-16 株式会社ルネサステクノロジ クロック生成回路
JP3901297B2 (ja) * 1997-09-09 2007-04-04 富士通株式会社 Dll回路及びそれを利用した半導体記憶装置
KR100252043B1 (ko) 1997-11-07 2000-05-01 윤종용 반도체 메모리 장치의 칼럼 선택 신호 제어기 및 칼럼 선택제어 방법
JP3497710B2 (ja) 1997-11-07 2004-02-16 富士通株式会社 半導体装置
US6085345A (en) 1997-12-24 2000-07-04 Intel Corporation Timing control for input/output testability
JP3789628B2 (ja) * 1998-01-16 2006-06-28 富士通株式会社 半導体装置
JP4031859B2 (ja) * 1998-02-03 2008-01-09 富士通株式会社 半導体装置
JPH11353878A (ja) 1998-04-07 1999-12-24 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH11306757A (ja) 1998-04-27 1999-11-05 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
KR100305646B1 (ko) * 1998-05-29 2001-11-30 박종섭 클럭보정회로
US6100733A (en) 1998-06-09 2000-08-08 Siemens Aktiengesellschaft Clock latency compensation circuit for DDR timing
KR100281898B1 (ko) * 1998-07-21 2001-02-15 윤종용 데이터의 듀티 사이클을 보정하는 듀티 사이클 보정회로 및 그방법
JP3745123B2 (ja) * 1998-08-24 2006-02-15 三菱電機株式会社 デューティ比補正回路及びクロック生成回路
DE19845121C1 (de) * 1998-09-30 2000-03-30 Siemens Ag Integrierte Schaltung mit einstellbaren Verzögerungseinheiten für Taktsignale
KR100284741B1 (ko) 1998-12-18 2001-03-15 윤종용 로컬클럭 신호 발생회로 및 방법, 내부클럭신호 발생회로 및방법,이를 이용한 반도체 메모리 장치
JP2001006399A (ja) 1999-06-17 2001-01-12 Fujitsu Ltd 半導体装置
DE19930167C2 (de) * 1999-06-30 2003-03-06 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung mit einem Phasenregelkreis
JP2001035234A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Sony Corp 反射型ディスプレイの照明装置および液晶表示装置
JP2001084763A (ja) * 1999-09-08 2001-03-30 Mitsubishi Electric Corp クロック発生回路およびそれを具備した半導体記憶装置
KR100321755B1 (ko) * 1999-12-24 2002-02-02 박종섭 록킹 시간이 빠른 지연고정루프
KR100575864B1 (ko) 1999-12-30 2006-05-03 주식회사 하이닉스반도체 램버스 디램
JP3865191B2 (ja) 2000-02-21 2007-01-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
KR100366618B1 (ko) * 2000-03-31 2003-01-09 삼성전자 주식회사 클럭 신호의 듀티 사이클을 보정하는 지연 동기 루프 회로및 지연 동기 방법
JP4392678B2 (ja) * 2000-04-18 2010-01-06 エルピーダメモリ株式会社 Dll回路
JP3888603B2 (ja) * 2000-07-24 2007-03-07 株式会社ルネサステクノロジ クロック生成回路および制御方法並びに半導体記憶装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI826606B (zh) * 2019-06-21 2023-12-21 韓商愛思開海力士有限公司 相位檢測電路、時脈產生電路和半導體裝置
US11907009B2 (en) 2019-06-21 2024-02-20 SK Hynix Inc. Phase detection circuit, clock generation circuit and semiconductor apparatus using the phase detection circuit

Also Published As

Publication number Publication date
US6677792B2 (en) 2004-01-13
DE10300690A1 (de) 2003-12-11
DE10300690B4 (de) 2005-06-09
JP2003347908A (ja) 2003-12-05
JP4276857B2 (ja) 2009-06-10
KR100477809B1 (ko) 2005-03-21
TW200307395A (en) 2003-12-01
US20030218486A1 (en) 2003-11-27
KR20030090122A (ko) 2003-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI312235B (en) Digital dll apparatus for correcting duty cycle and method thereof
US7057431B2 (en) Digital DLL apparatus for correcting duty cycle and method thereof
US7142026B2 (en) Delay locked loop and its control method for correcting a duty ratio of a clock signal
US7046059B2 (en) Delay locked loop and its control method
TWI293519B (en) Register controlled delay locked loop and its control method
EP1634375B1 (en) Delayed locked loop phase blender circuit
KR100696957B1 (ko) 클럭 듀티 조정 회로, 이를 이용한 지연 고정 루프 회로 및그 방법
KR100645461B1 (ko) 듀티 싸이클 교정이 가능한 디지털 지연 고정 루프 및그의 제어 방법
US8314644B2 (en) Clock generator, pulse generator utilizing the clock generator, and methods thereof
US7268601B2 (en) Delay locked loop and clock generation method thereof
KR100838376B1 (ko) 전원전압 변동에 대비한 디엘엘장치.
US7391245B2 (en) Delay locked loop and method for setting a delay chain
KR100800139B1 (ko) 디엘엘 장치
US20080157838A1 (en) Delay locked loop and method for operating thereof
KR100915808B1 (ko) 지연고정루프 회로의 지연 회로 및 지연 방법
KR100794999B1 (ko) Dll 장치
KR100321756B1 (ko) 고주파에서 동작하는 레지스터 지연고정루프

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees