TWI308348B

TWI308348B -

Info

Publication number: TWI308348B
Application number: TW095104259A
Authority: TW
Inventors: Tadamasa Miura; Shinichiro Nawai
Original assignee: Murata Manufacturing Co
Priority date: 2005-02-08
Filing date: 2006-02-08
Publication date: 2009-04-01
Also published as: JP2008177611A; EP2546840A3; EP2549491A1; EP1848010A1; CN102290175A; EP1848010A4; US20080048821A1; JPWO2006085507A1; JP5064286B2; US7548149B2; EP2546840B1; CN102290174A; CN102290175B; US7948354B2; JP4726890B2; CN101116154A; WO2006085507A1; US20090167482A1; EP2549491B1; KR20070095397A

Description

1308348 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】 “本發明係關於適合於安裝於基板而在外部電極表面形成電鍍層所構成之表面安裝型負特性熱阻器。【先前技術】 ° 近年來’電子零件紛紛被要求採行表面安㈣策，負的電阻溫度特性之負特性熱阻器也已邁向晶片化二 2為此種^化之負特性熱阻器，例如在專利文獻！中，曰揭不具有含有Mn、^及Μ 〜呷瓦|體，且經時變化小而具有可靠性優異效果之4層型之負特性熱阻器。以下’利用圖3說明專利文獻1所㈤ J又馱1所不之疊層型負特性熱阻裔。圖3係專利文獻1所示疊 ^ π 且層型負特性熱阻器之概略剖面圖。疊層型負特性熱阻示田具有負的電阻溫度特性之夕數陶瓷層12、與具有分別著陶是層之界面形成之多數内部電極13之陶瓷素體14所構叮稱成在别述陶瓷素體14之而面’以與内部電極13導通方式形成有外部電極15〇在此，陶瓷層12係以Μη及妬為丄七t 取n利用添加A1作為添加劑之陶瓷材料所形成，僅為外部電極。 ❹。d作為内部電極，使用“作此種疊層型負特性熱阻器u以往係利用如以下之 ^首先’在陶究粉末中加入有機黏合劑混合成裝泥狀： :後广刀法等施以成形加工，製作陶究生薄[接者使用以Pd為主成分之内部電極用膏，在陶究生薄片上施以絲網印刷而形成電極圖 ^ 具-人，於將該等已施與絲 108481.doc 1308348 網印刷電極圖案極圖案之陶究生舊/ 積層後以未施以絲網印刷電體。接著二下夾持而_合，以製作疊層而形成交互4層二電=行脫黏合劑處理後，燒 ^ ^ / 内°卩電極13與陶瓷層12之陶瓷素體〗4。在如此所得之陶資音辦丨4 + 素體14之兩端部塗敷燒結Ag等組成之外部電極用月而形成外部電極15。在將具備有如以上方寸邮^ 方式所侍之外部電極丨5之陶究素體J4 ^ 土反之際’通常需要施行焊接。在施行此際’有可能發生外邱雷κς 之而熔出於焊料中之所謂被知m虫現象。為防止此被洋料侵姓現象或福保焊料之濕 /閏性，一般會在施行焊接之針 A ''、也仃坪接之别，預先在外部電極

Ni及Sn等之電鍍膜。办或 [專利文獻1]日本特開20〇4_1〇4〇93號公報 (發明所欲解決之問題）但’在形成於陶瓷辛辦丨4夕A山；ί·Ι Λ· 充京體14之為面之外部電極15形成電鍍膜之際，電鎮液也會接觸到陶曼素體14,而有陶究素體受到侵钱之問題。且陶究素體14受到電錢液侵钱時，:發生陶究素體14之素體強度也會降低之問題。尤盆，如專利文獻i所示以_Ni為主成分而利用含有ai之熱阻器材料所形成之陶竞素體14具有經時變化小而可靠性優異之效果’另-方面’卻不能充分防止電錢液之侵姓。因此，為了防止電鑛液之侵餘，也有人考慮採用在陶究素體“之表面設置玻璃層等絕緣保護層之方法(例如曰本特開平： 23 1906 號等）。 # ' 10848 丨.doc 1308348 仁即使在陶瓷素體14之表面哼署* & °又置玻璃層，電鍍液仍有可此由存在於玻璃層微小】衮痕及針孔等侵入陶瓷素體 14 ,不月b充分防止陶瓷素體14 ^ + 1又蚀另外，形成玻璃層之情形，品要在陶瓷素體14 ΒΒ 衣面形成玻璃層之新的步私，而有製造步驟更為繁雜之問題。因此，本發明之目的在於提供不必形成玻璃層，即可防

止電鑛液之❹’且具有優異之可靠性之表面安裝型負特性熱阻器。、付【發明内容】為達成上述目的，本發明人等經一再銳意探討之結果，發現··在利用以Μη為必須成分而在如及〜中至少含有其中-種之半導體陶刪所形成之陶曼素體中，對_:、

Ni及C。之各組合，以特定之範圍含有叫，即使在陶究素

體上不特意形成玻璃層等絕緣保護層，也可獲得充分防I 電鑛液之侵敍’並具有高可靠性之表面安裝型負特：器。 …、即’本案第1發明之表面安裝型負特性熱阻器係包含由含Mn、Ni及Ti之半導體m才料構成之㈤:是素體、形成於前述陶瓷素體表面之外部電極、及形成於前述外部電極表面之電鍍膜之表面安裝型負特性熱阻器，其特徵在於.俨設前述半導體陶瓷材料所含2Mn之莫耳量為a、沁之莫耳量為b時’ Μη與Ni之莫耳比為55/45 Sa/bS9〇/i〇 ’日a、、且則述半導體陶瓷材料中Μη及Ni之總莫耳量為100莫耳份時，以〇·5莫耳份以上25莫耳份以下之範圍含有Ti者。 108481.doc 1308348 ，又’本案第2發明之表面安裝型負特性熱阻器較好係在假。X别述半導體陶瓷材料所含之Mn之莫耳量為a、妬之莫耳量為1^時，]^與奶之莫耳比為55/45 $3/1^78.5/21.5; 則述半導體陶究材料中⑽及犯之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，以5莫耳份以上25莫耳份以下之範圍含有耵者。、刀又’本案第3發明之表面安裝$負特性熱阻器更好係在本案第2發明中，_與川之莫耳比為55/45各_客7_ • ^ 〇又，本案第4發明之表面安裝型負特性熱阻器係包含由含=n、Co及Ti之半導體陶竟材料構成之陶究素體、形成於前述陶曼素體表面之外部電極、及形成於前述外部電極表面之電鍍膜之表面安裝型負特性熱阻器，其特徵在於：假6又别述半導體陶瓷材料所含之Mn之莫耳量為&、之莫耳量為c時，Μη與Co之莫耳比為10/9〇ga/cS7〇/3〇 ;前述半導體陶瓷材料中Μη及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，j以 φ 1莫耳份以上30莫耳份以下之範圍含有Ti者。又，本案第5發明之表面安裝型負特性熱阻器較好係在假設前述半導體陶瓷材料所含之Μη之莫耳量為a、〇〇之* 耳量為c時，Μη與Co之莫耳比為30/7〇ga/cg4〇/6〇 ;前述半導體陶瓷材料中Μη及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，以1 3莫耳份以上3 0莫耳份以下之範圍含有丁}者。又，本案第6發明之表面安裝型負特性熱阻器係包含由含Mn、Ni、Co及丁丨之半導體陶兗材料構成之陶究素體、形成於前述陶曼素體表面之外部電極、及形成於前述外部 I08481.doc 1308348 電極表面之電鑛膜之表面安襄型負特性熱阻器，其特徵在於：前述半導體陶竟材料係包含Mn ' Ni'。及刊，包含 Μη 〇.1莫耳％以上9G莫耳％以下、Ni G」莫耳％以上45莫耳 %以下、c。㈠莫耳％以上90莫耳％以下（但，Mn、Ni及之和為100莫耳;且前述半導體陶究材料中Mn、N)及之總莫耳量為100莫耳份時，以〇5莫耳份以上3〇莫耳份以下之範圍含有Ti者。又’本案第7發明之表面安裝型負特性熱阻器之特徵係在前述半導體陶£材料中跑及犯之總莫耳量為100莫耳份時進步以5莫耳份以上20莫耳份以下之範圍含有者。 ::本案第8發明之表面安裝型負特性熱阻器之特徵係在前述半導體陶究材料中胞及犯之總莫耳量為1〇〇莫耳份時’進-步以3莫耳份以上7莫耳份以下之範圍含有^者。又’本案第9發明之表面安裝型負特性熱阻器之特徵係在前述半導體«材料㈣似。之總莫耳量為】⑽莫耳份時’進-步以7莫耳份以上31莫耳份以下之範圍含杨者。 :、:本案第1〇發明之表面安裝型負特性熱阻器之特徵係在則述半導體陶究材料中_及c〇之總莫耳量為_莫耳份 H步以2莫耳份以上7莫耳份以下之範圍含有㈣。 :，本案第11發明之表面安裝型負特性熱阻器之特徵係在=述半導體陶㈣料中Mn、NiAC。之總莫耳量為⑽莫耳份時’進—步以5莫耳份以上30莫耳份以下之範圍含有 108481.doc -10- 1308348

Fe者。 2本案第12發明之表面安裝型負特性熱阻器之特徵係 :述半導體陶瓷材料中Mn、犯及c〇之總莫耳量為⑽莫知時，進一步以丨莫耳份以上$莫耳份以下之範圍含者。 ▲又，本案第13發明之表面安裝型負特性熱阻器較好係在 =陶£素體内部埋設内部電極，且前述内部電極係與前 ’·外部電極導通所構成者。本案第14發明之表面安裝型負特性熱阻器較好係前内。P電極係包含Ag_Pd，前述Ag係以6〇%以上卯％以之範圍含有者。 (發明之效果）即’以Μη及犯為主成分，使其含有Ti之情形，發現：依據如本案第i發明之構成，即使在陶究素體之表面不形成玻璃層等絕緣保護層，也可獲得可充分防止電鑛液之侵蝕，並具有高可靠性之表面安裝型負特性熱阻器。又，依據如本案第2發明之構成，可更進一步防止電鑛液之侵敍。又，依據如本案第3發明之構成，可更進一步提高可靠性。又’以Μη及Co為主成分，使其含有卩之情形，也可獲悉：依據如本案第4發明之構成，即使在陶究素體之表面不形成玻璃層等絕緣保護層，也可獲得可充分防止電鑛液對陶兗素體之侵姓，並具有高可靠性之表面安裝型負特性熱阻器。又’依據如本案第5發明之構成，可更進一步防 ]〇S4S}.d〇c 1308348 止電鍍液之侵蝕，提高可靠性。又’以Μη、Νι及Co為主成分，使其含有Ti之情形，也可獲悉：依據如本案第6發明之構成，即使在陶究素體之表面不形成玻璃層等絕緣保護層，也可獲得可充分防止電鑛液之侵I虫’並具有高可靠性之表面安裝型負特性孰阻器。 ”’、又’作為新的創見，發現：依據如本㈣i〜第12發明之構成，可提高陶竞素體之燒結性，例如即使9001!戰程度之低锻燒溫度，也可獲得展現充分之熱阻器特性之表面女4型負特性熱阻器。因此’如本案第叫明所示，即使在陶:是素體之内部具有内部電極之所謂疊層型之陶变電子零件，也無需選擇高成本之貴金屬材料作為内部電極材料，且可獲得充分之熱阻器特性。甚至於如本案第14發明所示，即使形成有之混合比率為60%以上90% 以下之Ag之混合比率較高之内部電極層之表面安襄型負特性熱阻器，也可縮小雷卩且信夕％ ¥ Α 』电丨且值之块差。具體地加以說明時，由於物點低至960t，欲與具有負的電阻溫度特性之半導體陶究材料一體锻燒’在半導體陶兗材料燒結前，Ag 就已經飛散’而降低内部電極之有效區域。其結果，容易發生負特性熱阻器之電阻值誤差之問題，但使用可利用如本案U之例如9GG c〜11 GG°C之低锻燒溫度與陶究層一體燒結之半導體陶究材料’則可獲得電阻值之誤差小之負特性熱阻器。 ' 【實施方式】 I08481.doc 1308348 以下，依據圖式詳細說明本案熱阻器之第-實施型態。宰“之表面安裝型負特性圖1係表示本案發明之表 -At 文展坦負特性熱阻器之—音也i恶之概略剖面圖。本案發貫器1係在燒处顯干倉的φ… 文裝型負特性熱阻儿、，口 .，、，員不負的電阻溫度特性之構成之陶瓷素體4之内部埋設内部電桎：；' 所 4具有以互相交互之…2 。陶究素體椹# 、，方式金層陶竞層2與内部電極3而成之構成’珂述内部電極3 # φ 取之係乂互地破引出至陶瓷素體4之端面。而且，在陶究辛# 4 ^ 雷m £素體4之私面’以與被引出之内部電極3 電丨生連接之方式形成外 P電極5。而且’在外部電極5之表面形成電鍍膜6。衣作為使用作為本荦發明勹尽茱發月之陶竞素體4之半導體陶瓷材 …致勿類可使用以下之半導體陶究材料⑴〜(3): 旦⑴半導體陶瓷材料係由含有Mn、犯及丁1，設_之莫耳量為^Νί之莫耳量為b時，Μ續犯之莫耳比為55/似_ $9_，且設_及妬之總莫耳量為]〇〇莫耳份時，以" 莫耳份以上25莫耳份以下含有丁〗之半導體陶侧所構成0 曰⑺半‘體陶瓷材料係由含有Mn、c〇及丁丨，設_之莫耳量為。之莫耳量為e時，Μη與C。之莫耳比為贈ea/c $ 7〇/30 ;設前述半導體陶究材料中Μη及Co之總量為1〇〇莫耳伤守以1莫耳份以上30莫耳份以下含有Ti之半導體陶瓷材料所構成。 ()半‘體p旬竞材料係由含有Mn、Ni、c〇及η，由跑 108481.doc 1308348 〇.1莫耳％以上9〇莫耳％以下、州01莫耳％以上45莫耳％以下、Co (^❻耳％以上9〇莫耳％以下（其中'奶及之和為^⑽莫耳％);且前述半導體陶究材料中設Μη、Ni及Co之總莫耳量為100莫耳份時，以〇5莫耳份以上3〇莫耳份以下含有Ti之半導體陶瓷材料所構成。如半導體陶究材料⑴〜(3)所示，卩以發現：對於含有 Mn ’且含有Ni及Co之至少任一種者，藉由特定量含有可防止陶究素體受到電鍍液侵钱，且可提高陶究素體之強度。 “ 又，在使用以Μη及Ni為主成分，含有A1之半導體陶竟材料之專利文獻i之情形’因A1為難燒結性，要燒結陶究 « m要125Gt之炮燒溫度。但是，本案發明發現错由在特定範圍含有Ti以取代A1，即使在例如_。〇〜觸 c程度之更低煅燒溫度下，也可予以燒結，且具有與含有二之情形同程度之可靠性，可獲得優異之熱阻器特性。其杲’顯不在陶瓷素體具有内部電極之構造，即在疊層構造負特性熱阻器中，即使將例如^之比率為6〇%以上9〇% 以下之低熔點之内部電極與㈣層—體燒結，也可獲得優良之負的電阻溫度特性。另外’依據本案發明’顯示由於可抑制尖晶石相以外之異ί如岩鹽相之產纟’故可抑制尖晶石相之組成值在燒結後偏離結構组成始再成故可防止因異相之產生而發生之強度降低。具體地加以說明時，例如在半導體陶究材料⑴之十月形’燒結含有_錢作為主成分之熱阻器材料時，一 108481.doc -14- 1308348 般會形成Μη及N丨之尖晶石相。但是，已知例如以i25〇t 之高溫煅燒之情形’有別於尖晶石相，會過度地析出且偏析石鹽相之ΝιΟ相等之異相。由於此Ni〇相之產生，比電阻及B常數有可能因般燒溫度之變化而急遽增加而發生偏離組成，或燒結體中之尖晶石相之組成大幅偏離結構組成。又，因此種Ni◦相與尖晶石相之間熱膨脹率不同，故可能成為燒結時及加工時之龜裂等原因，而會發生陶瓷素體之素體強度降低之問題。’採用本案發明之構成時，除了可低溫燒結以彳’例如’即使以高溫燒結，也可抑制 ΝιΟ相之產生’其結果，可防止陶瓷素體之素體強度之降低。又，在含有Μη及Co作為主成分之半導體陶瓷材料、及含有Mn、Co及Ni作為主成分之半導體陶瓷材料中，除了尖晶石相以外，也會產生岩鹽相等之異相。因此，若滿足半導體陶瓷材料（2)及半導體陶瓷材料（3)之關係，即可抑制異相之產生。以下，就上述（1)〜（3)所示之半導體陶瓷材料，說明有關限定組成範圍之理由。關於半導體陶瓷材料（丨），假設Mn之莫耳量為a'犯之莫耳置為b時，設定Μη與Ni之莫耳比為55/45 ga/b‘9〇/1〇之理由係由於a/b多於90/10之情形，陶瓷素體會絕緣化，作為負特性熱阻益之用途，無法獲得希望之效果之故。另一方面，a/b少於5 5/45之情形，陶瓷素體中，會產生多量之 AO相等之異相而降低素體強度，在陶瓷素體之加工中有發生龜裂之虞。 10848l.doc -15- 1308348 又，在半導體陶究材料⑴中，ΜηΛΝί之總莫耳量為ι〇〇莫耳份時，含有Ti在0.5莫耳份以上25莫耳份以下。Τ〗少於 0.5莫耳份之情形，不能充分防正電鍍液對陶竞素體之侵姓’會產生多量之NiO相而降低陶究素體之素體強度。另士方面Ti s里夕於2 5莫耳份之情形，比電阻值變得過而’並不理想。 .又’ M^Ni之莫耳比為55/45 “^78·5/2ι·5，且驗及 Μ總莫耳量為⑽莫耳份時’ Ti含有5〇莫耳份以上_ 耳伤以下之情形’可進一步防止電鍍液對陶瓷素體之侵姓，故相當理想。尤其，他與州之莫耳比為55/化a/^ 7〇/3〇,且Μη及Ni之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，丁丨含有$莫耳份以上25莫耳份以下之情形’可獲得更優之可靠性，故相當理想。人㈣牛導體陶究材料⑺，假設半導體陶㈣料中所含之Μη之莫耳量為a、c〇之莫耳量為c時，設定―與c〇 2耳比為10/90$ a/c$ 7〇/3〇之理由係由於★多於70/30 m體會絕緣化，作為負特性熱阻器之用途，無法獲得希望之效果之故。又’ a/c少於10/90之情形，陶 =素體亦會絕緣化，作為負特性熱阻器之用途，無法獲得希望之效果之故。又’半導體陶兗材料（2)係在Μη及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳：時’以i莫耳份以上3〇莫耳份以下含有们。们少於!莫 ^形不此充分防止電鍍液對陶瓷素體之侵蝕，會夕里之異相而降低陶瓷素體之素體強度。另一方面， 108481 .doc •16- 1308348 Τι 3里夕於30莫耳份之情形，比電阻值變得過高，並不理想。又Μη與Co之莫耳比為30/70$ a/c$ 4〇/6〇，且及 ^總莫耳量為⑽莫耳料，们莫耳份以上3G莫耳份以下含有丁1之情形，可進一步防止電鑛液對陶曼素體之侵敍，並可獲得優異之可靠性，故更為理想。又’關於半導體陶究材料（3) ’ Mn多於90莫耳％時，比電阻過高而失去作為熱阻器之有用性。又，施少於〇工莫耳％時，不能顯現添加之效果。又，Ni多於45莫耳％時，、會產生過大量之異相，可能發生陶究素體之素體強度之降低及初期特性之誤差增加，並不理想。犯少於〇ι莫耳％時，不能顯現添加之效果。又，c〇多於9〇莫耳％時，比電阻過高而失去作為熱阻器之有用性。又，c。少於q i莫耳％時，不能顯現添加之效果。又’半導體陶究材料（3)係在_、犯及〜之總莫耳量為莫耳份時，錢5莫耳份以上3G莫耳❹下含有m 少於〇.5莫耳份之情形’不能充分防止電鍍液對陶究素體之侵敍，會產生多量之異相而降低陶究素體之素體強度。另一方面’Ti含量多於3〇莫耳份之情形，比電阻值變得過高’並不理想。又’包含Μη 25莫耳％以上65莫耳％以下、川$莫耳％以上3〇4耳％以下、c〇 5莫耳％以上7〇莫耳％以下(但，論、咖之和為糊莫耳%)’且前述半導體陶究材料中Μη、歸C。之總莫耳量為⑽莫耳份時，Ti為…耳份以上％ 10848J.doc 1308348 其耳份以下之情形，更有效果。又，滿足本案發明之半導體陶莞材料⑴〜(3)之關係時， :如二也可含有Fe、M之過渡金屬元素作為添加物。例 :，含有Fe時’可減少初期電阻值誤差，含有a時，可獲 I更低溫燒結性’提高陶£素體之細緻性。但，作為添加 ’ Zn因容易受到電鑛液之侵#，有降低電鑛耐性故不宜添加。 > ^ ’在制本案發明之半導體陶歸料⑴〜(3)所獲得之 =導體陶莞層2中，作為素原料，或製造步驟時混入之雜負’而有可能含有Si、Na、κ、 .Κ La、Zr# ,但獲悉其混入里通吊在1000 pm以下’頂客_^口士頂夕也只有5000 pm以下之程度，對本案發明之特性並無影響。又’作為本案發明之内部電电J可使用Ag、Pd、Ag- 4之單體或其合金，但不限〜Α π 兀具，在本案發明令，即使由Ag-Pd所構成，銀旦及耽· 口里在60 wt%以上9〇 wt/。以下者也可充分使用 4--, . , , 4糸A明之丰導體陶瓷材科例如可在9〇〇。(：〜丨10(rc 見柯抱杜低皿下燒結，即使内部電極3 係使用由Ag-Pd所構成，里中 ” wt%以上90 wt〇/〇以下之摩巳圍含有Ag之低熔點之電極鉍 ^柽材枓，也可與前述半導體陶瓷材料一體燒結，獲得電阻值 £ 左j之員特性熱阻器。又，本木發明並不限於低温_燒结，办丨上杜m 料，γ — 11ΛΛ> 例如使用Pd作為内部電極材枓，％仃1100 C以上之高溫何几、.'〇 Η寸’當然也可防對陶瓷素體之侵蝕。電鍵/夜又，作為本案發明之外部φ 1電極5 ’最好由Ag、Ag-Pd、 I08481.doc 1308348 廿之單體及合金等所構成。使用此種外部電極時，可進一步改善與Ag-Pd電極構成之内部電極之連接及導通。又，作為電鍍膜6 ,可依照與使用於外部電極5之金屬之相丨生而適宜地加以改變，使用Ag構成之外部電極5之情 ::最好使用鍍錄該及鍍錫膜讣。尤其，電鍍液為酸性 ’合液之情形’陶究素體4容易受到侵餘，但因本案發明之表面安裝型負特性熱阻器之電鍍耐性優異，故在酸性溶液之電鍍液中’仍可充分防止電鍍液對陶究素體4之侵蝕。本^明雖可不形成玻璃層’而防止陶瓷素體4受到之侵#，但不妨礙玻璃層之形成。即，即使是本發之表面安裝型負特性熱阻器’例如，為防止溫度·渴度生之劣化使其難以受到外部環境之影響，也可在陶文素體4之表面形成玻璃層。袓其^ ’說明具有利用含Mn、犯及7^構成之半導體陶究材料所形成之陶兗辛體 ^ 特性W造方法貫施型態之表面安裝型負碎媒體之二部具有氧化錯球等之粉 ”之来磨機以充分施行濕式粉般燒，製作陶曼粉末。1文，在…麦以特-溫度黏合劑，以濕式施行二二，粉末中加人有機刀·，…，、處成為漿泥狀，然後，使用剎 β以成形加工，製作陶瓷生薄片。 4 4使用以Ag-Pd為主成分之内部電極用膏，/ _ …施以絲網印刷而形成電極圖案。其次，叠合= I0848I.doc 19 1308348 印刷此等電極圖案之涛片後从未施以絲網印刷之

陶瓷生薄片上下类牲&總M 又持而觸壓貼合’以製作疊層體。接著，將此疊層體切斷成' # t + 成特疋尺寸而收容於氧化銼製之匣中，施行脫黏合劑處理後，以特定溫度（例如9〇〇〜謂。c)施行炮燒處理’形成交互疊層陶究層2與内部電極

體4。％〃瓦I 而’此後’在陶究素體4之兩端部塗敷含Ag等之外部電極用賞而加以燒烤，以形成外部電極5。再於外部電極5之表面利用電解電鑛形成Νϋ等電鑛膜“。藉此，獲什本發明之第1實施型能丰只也1心之表面安裝型負特性熱阻器。又’外部電極5只要來目j；祕&B _ ' 良好即可，例如，也可利用濺射法或真空蒸鍍法等薄膜形成方法形成。又’在本實施型態中，使用Mn3〇4等之氧化物作為陶竟素原料’但也可使用Mn之碳酸鹽、氫氧化物等。又，在半導體陶究材料⑺及半導體陶刪⑺中，也可利用與上述方法同一之方法製作。又，作為本發明之表面安裝型負特性熱阻器，雖可有饮使用於溫度補償用、溫度檢知用，但不限定於此。又二要屬於表面安裝型，即在片狀型之陶究素體之表面形成;; 邓電極，亚在外部電極表面形成電鍍膜以供表面安裝於基板之型態，並不限定於疊層型。以下，就本發明之疊層型負特性熱阻器，更具體地予以說明之。 [實施例1 ] 108481.doc 20· 1308348 百先，準備MhO4、见0及乃〇: 其混合成如表I之試樣】〜試樣\ ，·‘·起始原料，將休1戎僳54所不之混合比。又，丁1含量係Μη及Ni之她箪耳旦i 1ΛΛ 2 (莫耳份)。之“耳里為_莫耳份時之Ti之添加量劑接:氧2等起始原料中加入純水與多元缓酸系之分散二:氧化錯球為媒體將其混合粉碎而乾躁後，以嗔

所^㈣球錢再度粉碎而得料粉。其次，在 ^之=粉中加入水40wt%、多元幾酸系之分㈣U ;::24小時後，加入丙婦酸系之有機黏合劑25 ::為可塑劑之聚氧化乙稀一，混一得將所得之嶋泥，利用刮刀法成形為薄片狀而仔子4〇 _之陶究生薄片，將其裁切成薄長方形。接著，

Pd合金(混合比：Ag 8。糾％ pd 2。㈣)組成之金屬黏合劑分散於有機溶劑，以準備作為一 ^電桎用導電性膏。將所得之“蝴部電極用導電性貧’利用絲網印刷印刷在陶究生薄片之主面上。其後，將陶兗生薄片重疊成介著陶:是生薄片而與Ag_pd内部電極用導電性膏相對向’再將未塗敷Ag_pd内部電極用導電性膏之m陶μ薄片配置於上下而炎持觸壓貼合’將其裁刀成L尺寸1.2 mmxW尺寸〇 6罐丁尺寸〇_之大小而得生疊層體。將此生疊層體在大氣中以35『c脫脂ι〇小時後’在大氣環境下以1〇〇代锻燒2小時，而得交互疊層陶瓷層2與内部電極3之陶瓷素體4。 108481.doc -21 - 1308348 ’、使Agl；3末與有機黏合劑分散於有機溶劑，以製作 g、· p電極用V電性貧。將Ag外部電極用導電性膏以與

上述内部電極導通方式冷齡陡R 式塗敷燒附於陶瓷素體之兩端面，以形成外部電極5。最後在开7成外冑電極5之陶兗素體4之外部電極表面，利用電解電鑛逐次電鑛形成㈣膜&及鑛㈣⑼，藉以獲得試樣1〜試樣54之疊層心㈣且⑸。

八曰人示了將Tl〇2置換成Al2〇3，在内部電極使用Ag_Pd合 (匕。口比’ Ag 30 wt% Pd 70 wt%)，且將煅燒溫度設定為 c以外’以與試樣J 5同一方法所製作之疊層型負特性熱阻器作為參考例。又，就所得之試#1〜試樣54之疊層型負特性熱阻器*參考例’利用ICP-AES(介電搞合離子電聚 2光刀光y刀析）施行陶瓷素體之組成分析之結果，獲悉所知之陶瓷素體之構成元素與調合組成相同。就以如上述方式所得之試樣1〜試樣54之疊層型負特性熱阻器及參考例，分別各準備1GG個，施行如以下之特” 估’其結果如表丨所示。首先Μ用以下方法測定表示電鍵液對陶兗素體之侵餘比率之電鍍侵蝕度。如圖2所示’假設陶瓷素體之長度方向之中央邛之璺層方向之厚度為tl，㈤瓷素體中被外部電極覆蓋而未接觸到電鍍液之部分之疊層方向之厚度為t2 夺以以下之式1所不之侵蝕比率作為電鍍侵蝕度。電鐘侵钮度（％Ht2_tl)/t2xl〇〇· · ·⑴ 又’在表示陶究素體之素體強度之抗折強度方面， 1084S1 .d〇c -22- 1308348 樣1 4樣54之疊層型負特性熱阻器，依照JIS c 257〇施行抗折強度試驗。又，在可罪性方面，施行高溫放置試驗，利用以下之式2 計算經時變化。即，將負特性熱阻器在125t之恆溫槽中放置1〇〇〇小時，利用自然冷卻使其冷卻，求出在25它之電阻值利用ΔΚ25之比率計算對上述在125°C放置前之25°C之電阻值尺25之放置前後之25。(：之電阻值之變化ΔΙΐ25/Κ25。 △R25/R25(%)=(r25( 1 25% 1〇〇〇小時放置試驗後）· I， (放置試驗前）)/R25(放置試驗前）· · ·（2) 又’測定氣孔面積率作為燒結性之指標。氣孔面積率係將所得之各試樣之陶瓷素體浸潰於樹脂後，在平行於陶瓷素體之端面之方向施行鏡面研磨，以SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察1用圖像分析求出氣孔面積之合計嘗氣孔面積率D ^ 又’施行2代之電阻值測定作為室溫電阻值（Μ，並測定聊之電阻值（R5〇)，以求出β常數（R咖）。又，β常數係由之電阻值（R25)與贼之電阻值㈣，利用下述之式⑺求得…卜，負特性熱阻器之β常數& 3CV(〇/0)係利用式（4)求得。 °、差 B常數3CV(%) =標準偏差X300/B常數之平均值· · · 4 又’在比電阻方面，準備利用與試樣1〜54之疊層型負(：性熱阻器相同之製造條件製作未具有内部電極之單板型夕陶竞素體、與在陶竞素體之兩主面形成有~外部電極所構 I08481.doc 23 1308348 成之負特性熱阻器作為試樣。對此試樣測定電阻值，以作為陶瓷材料本身具有之比電阻。 [表1]

試樣No Μη Ni Ti 電鏟侵蝕度抗折強度氣孔面積率 AR/R 比電阻 B常數 3CV mo! mo) moH分 % N % % kQcm K % *1 92.0 8.0 5.0 2.1 60.1 1.1 - - - 2 90.0 10,0 5.0 1.6 64.2 1.1 0.10 526.3 5031 0.14 3 86.5 13.5 5.0 1.3 68.5 1.3 0.12 119,9 4561 0.14 4 82.5 17.5 5.0 1.2 66.1 1.2 0.32 10.5 4238 0.13 5 78.5 21.5 5.0 0.9 62.7 0.9 0.52 5.7 4148 0.14 6 74.5 25.5 5.0 0.9 59.4 0.7 0.89 6.3 4061 0.16 7 70.5 29.5 5.0 0.9 55.4 0.6 1.32 6.6 4023 0.15 8 66.5 33.5 5.0 0.9 51.6 0.5 0.25 7.0 4027 0.17 9 62.5 37.5 5.0 0.8 47.9 0.2 0.09 8.4 4040 0.21 10 57.5 42.5 5,0 0.7 44.2 0.2 0.11 8.9 4044 0.26 11 55.0 45.0 5.0 0.7 32.1 0.2 0.16 9.1 4051 0.49 *12 53.0 47.0 5.0 0.7 8.2 0.2 0.16 9.6 4063 0.87 *13 78.5 21.5 0.1 6.8 19.5 6.7 2.10 2.0 3971 0.48 14 78.5 21.5 0.5 3.6 31.6 4.8 1.33 2.6 3992 0.32 15 78.5 21.5 2.0 2.8 45.5 3.4 0.71 3.5 4066 0.15 16 78.5 21.5 5.0 0,9 62_7 0.9 0.52 5.7 4148 0.14 17 78.5 21.5 10.0 0.2 68.5 0.2 0.50 35.0 4354 0.13 )8 78.5 21.5 16.0 0.1 70.1 <0.1 0.49 117.2 4661 0.17 19 78.5 21.5 20.0 0.1 72.9 <0.1 0.47 393.4 5022 0.23 20 78.5 21.5 25.0 <0.1 69.3 <0.1 0.49 912,1 5692 0.31 *21 78.5 21,5 30.0 <0.1 68.3 <0.1 - - - - *22 70.5 29.5 0.1 6.7 16,4 6.6 1.89 1.1 3789 0.39 23 70.5 29.5 1.0 2.9 34.3 2.9 1.11 2.4 3901 0.35 24 70.5 29.5 3.0 2.1 46.6 1.5 0.62 4.2 3966 0.23 25 70.5 29.5 5.0 0.9 55.4 0.6 1.32 6.6 4023 0.16 26 70.5 29.5 10.0 0.2 59.3 0.4 0.74 22.0 4257 0.11 1Ί 70.5 29.5 20.0 0.1 63.2 0.2 0.51 100.1 4543 0.17 28 70.5 29.5 25.0 <0.1 62.1 <0.1 0.52 567.1 5153 0.22 *29 70.5 29.5 30.0 <0.1 60.2 <0.1 - - - - *30 66.5 33.5 0.1 6.2 15.9 5.9 Ι.0Ι 1.1 3794 0.84 31 66.5 33.5 1.0 2.4 38.4 1.4 0.46 2.7 3910 0.46 32 66.5 33.5 3.0 1.6 48.5 0.9 0.34 4.6 3967 0.24 33 66.5 33.5 5.0 0.9 51.6 0.5 0.25 7.0 4027 0.18 108481.doc 1308348

由表1可知：在假設前述半導體陶瓷材料所含之Mn之莫耳量為a、Ni之莫耳量為b時，河11與见之莫耳比為55/45 $ a/b$90/10，Μη及Ni之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，以〇5莫耳份以上25莫耳份以下含有Ti之試樣2〜11、14〜20、 23 〜28、3 1〜36、39 〜45 及 48 〜53 中，具有 ar25/R25 為 15〇/〇以下之優異之可靠性’電鑛侵蚀度為5 %以下、抗折強度為 3 〇N以上’顯示可獲得電鑛侵银度小而抗折強度優異之叠層型負特性熱阻器。又’獲悉氣孔面積率小至5 %以下，即使在1 000。(：之低煅燒溫度下也可充分燒結，可獲得充分常數及比電阻。另外，Μη與Ni之莫耳比為55/45 sa/b 10848 丨.doc -25- 1308348

^ 78.5/21.5，Μη及Ni之總莫耳量為loo莫耳份時，含有 Ti5.0莫耳份以上25莫耳份以下之試樣5〜11、16〜2〇、 25〜28、33〜36、41〜45及50〜53之情形，電鍍侵蝕度為1% 以下，可知更為優異。而且，Μη及Ni之莫耳比為55/45 $ a/b$ 70/30，Μη及Ni之總莫耳量為1〇〇莫耳份，以〇5莫耳份以上25莫耳份以下含有Ti之試樣8〜11、33〜36、41〜45、及50〜53之情形，顯示可靠性之ARu/R25為〇4%以下，可獲得更優異之疊層型負特性熱阻器。另一方面，使用A1取代Ti之參考例之情形，可知：可靠性雖優至0.52%，但電鍍侵蝕度大至4·4%，抗折強度小至 2 7.3 Ν。另外，Μη及Νι之莫耳比大於〇之試樣J之陶瓷素體已呈現絕緣化，不能利用作為負特性熱阻器，故並不理想。又，Μη及Ni之莫耳比小於55/45之試樣12不能固溶於尖晶石相之Ni會變成Ni0相而多發生於尖晶石相以外之 P刀導致陶瓷素體之抗折強度降低。又，Μη及Ni之總莫耳量為⑽莫耳份時U少於G5莫耳份之試樣ΐ3、Μ、 3〇、38及47因未充分含有Ti，故知㈣素體受到電鑛液之侵钱較大’抗折強度也較小。另—方自，在_錢之總莫耳量為刚莫耳份時之Ti多於25莫耳份之試樣Η、M、及4方面，獲悉陶瓷素體之比電阻值已超過負特性熱阻器之商品上有意義之值。 [實施例2] :著’在具有使用含Mn、犯及耵之半導體陶究材料之陶 '、體之情形之表面安裝型負特性熱阻器[藉改變半導 Ϊ 08481 .doc -26- 13〇8348 之原體陶-是㈣之組a 1：匕，卩比較與異相之Ni0相之產生率關係。首先，準備Mn3〇4、川〇及Ti〇2，以作為起始料，將其混合成如表2之試樣55〜試樣74所示之混合比又，表2之Ti含量係Mn&Ni之總莫耳量為1〇〇莫耳份時之丁 i

之添加里（莫耳份）。除了就各起始原料之混合比，調整成如上述所示以外，以利用與實施例1同一方法製作所得之負特性熱阻器作為試樣55〜試樣74。又，就所得之試樣〜式樣74之疊層型負特性熱阻器，制ICp_AEs(介電輕合離子電漿發光分光分析）施行陶瓷素體之組成分析之結果，獲悉所得之陶究素體之構成元素與調合組成相同。就所得之試樣5 5〜試樣7 4，利用與實施例丨同一方法測定電鍍侵蝕度（％)、抗折強度（N)、氣孔面積率 △RWRM%)。又，施行Ni之測繪分析，測定Ni〇相之面積率。具體上，利用WDX(波長分散型χ線分光器），測定见兀素之特性X線強度。又，以測定區域為4〇 pm、晝素數250x250、晝素大小〇16 μηι、加速電壓l5kv、照射電流1 00 mA之條件測定。而，利用（Ni偏析部之面積^則定區域）X100(%)，計算Ni偏析部，即’ Ni〇相之面積率。利用如以上方式所測定之結果如表2所示。 I08481.doc -27- 1308348 [表2]

氺表示屬於本發明之範圍外可知在Mn之含量80莫耳％以上、Ni之含量20莫耳％以下之4樣55〜57中，即使不添加丁丨，也可抑制Ni〇相之產生，但在N!超過20莫耳％之試樣58、59中，即會產生㈣相。又’在Nl含有25莫耳％以上’施與丁丨之莫耳比不同之試樣 59〜65中’比較添加Ti與不添加之情形時，獲悉與不添加们之試樣59、61、63相比’添加2或5莫耳份之丁丨之試樣 60、62、64及65較能抑制Ni〇相之產生。 ’ 又’由於也可藉丁!之添加，將 #度抑制於約1/3以 I08481.doc *28·

Ni〇、Fe2〇3、CuO、Ti02 1308348 下程度’可知抗折強度優異，可達4〇 N以上。又，獲悉即使施行10001程度之低溫燒結，也可獲得氣孔面積率小而充分細緻之陶瓷素體。又，觀察Μη與Ti之莫耳比相同之試樣66〜試樣74，也知悉Ti之添加量愈增加時，愈能抑制Ni〇相之產生，且丁1之添加量在本發明之範圍之情形，可保持優異之抗折強度，且可縮小電鍍侵蝕度，獲得可靠性優異之負特性熱阻器。 [實施例3] 接著，比較有關在本案第丨發明之半導體陶瓷材料中添加其他過渡金屬元素之情形。其次，除了準備— A、以作為起始原料，將其混合成如表3之混合比以外，利用與實施例丨同一方法製作試樣 75〜115。又’表3中之Ti含量係半導體陶瓷材料所含—及 Ni之總莫耳量為1〇〇莫耳份時之丁丨之添加量（莫耳份又，利用與實施例！同-方法騎同—之特性評估，其結果如表3所示。 108481.doc -29· 1308348 [表3]

試樣No Μη mol Ni mol Fe mol Cu mol Ti mo! 電鍍侵Ί虫度 % 抗折強度 N 氣孔面積率 % △R/R % 比電阻 kQcm B常數 K 3CV % 75 76.2 19.0 4.8 - 4.0 1.0 69.8 0.6 0.65 10.2 4171 0.07 76 76.2 19.0 4.8 - 8.0 0.2 77.5 <0.1 0.62 41.1 4449 0,03 77 71.4 23.8 4.8 - 4.0 0.9 63.9 0.5 0.79 6.7 4015 0.05 78 71.4 23.8 4.8 - 8.0 0.2 69.9 <0.1 0.72 18.4 4241 0.02 79 66,7 28.5 4.8 - 4.0 0.8 63.1 0.4 1.24 5.8 3945 0.02 80 66.7 28,5 4.8 - 8.0 0.1 68.4 <0.1 1.04 18.2 4149 0.05 81 61.9 33.3 4.8 - 4.0 0.6 59.2 0.4 0,21 6.6 3941 0.04 82 61.9 33.3 4.8 - 8.0 0.2 62.1 <0.1 0,23 16.9 4099 0.03 83 57.1 38.1 4.8 4.0 0.5 56.3 0.3 0.16 8.3 3951 0.02 84 57.1 38.1 4.8 8.0 0.1 59.3 <0.1 0.15 21.8 4128 0.04 85 72.7 18.2 9.1 4.0 0.9 70.2 0.5 0.67 16.6 4186 0.05 86 72.7 18.2 9.1 8.0 0.1 81.7 <0.1 0.66 85.8 4555 0.05 87 72.7 18,2 9.1 12.0 <0.1 81.2 <0.1 0.33 371.8 4913 0.06 88 72.7 18.2 9.1 16.0 <0.1 83.2 <0.1 0.34 2482.5 5465 0.07 89 68.2 22.7 9.1 - 4.0 0.7 70.1 0.4 0.81 8.7 3985 0.07 90 68.2 22.7 9.1 - 8.0 0.1 75.9 <0.1 0.75 30.4 4247 0.09 91 68.2 22.7 9.1 - 12.0 <0.1 77.4 <0.1 0.08 98.6 4522 0.08 92 68.2 22.7 9.1 - 16.0 <0.1 79.2 <0.1 0.22 487.5 4886 0.07 93 63.6 27.3 9.1 - 4.0 0.6 66.8 0.3 1.33 ΊΛ 3884 0.04 94 63.6 27.3 9.1 - 8.0 0.1 72.9 <0.1 1.08 20.2 4104 0.04 95 63.6 27.3 9.1 - 12.0 <0.1 74.6 <0.1 0.01 51.8 4313 0.04 96 63.6 27.3 9.1 - 16.0 <0.1 77.6 <0.1 0.20 190.6 4586 0.05 97 59.1 31.8 9.1 - 4.0 0.6 66.2 0.3 0.41 6.5 3825 0.04 98 59.1 31.8 9.1 - 8.0 0.1 69.3 <0.1 0.33 26.1 4027 0.03 99 59.1 31.8 9.1 - 12.0 <0.1 71.2 <0.1 0.48 57.5 4122 0.05 100 59.1 31.8 9.1 - 】6.0 <0.1 73.5 <0.1 0.55 127.2 4427 0,04 101 54.5 36.4 9.1 - 4.0 0.4 61.2 0.3 0.25 7.4 3804 0.05 102 54.5 36,4 9.1 - 8.0 <0.1 62.3 <0.1 0.36 15.2 4020 0.06 103 54.5 36.4 9.1 - 12.0 <0.1 69.8 <0.1 0.55 60.3 4135 0.05 104 54.5 36.4 9.1 - 16.0 <0.1 73.5 <0.1 0.72 110.3 4347 0.06 105 76.2 20.9 2.9 5.0 1.1 59.8 0.2 0.43 0.77 3728 0.16 106 74.8 20.4 4.8 5.0 ].0 6J.2 0.2 0.53 0.22 3456 0.15 W7 73.4 20.1 - 6.5 5.0 1,1 57.8 <0.1 0.66 0.07 3175 0.23 108 76.2 20.9 - 2.9 6.0 0.8 62.2 0.2 0.39 0.9 3746 0.19 109 74.8 20.4 - 4.8 6.0 0.8 62.3 <0.1 0.55 0.25 3458 0.15 110 73.4 20.1 - 6.5 6.0 0.7 64.3 <0.1 0.61 0.1 3253 0.15 Π1 76.2 20.9 - 2.9 7.0 0.4 65.3 <0.1 0.29 1.07 3763 0.24 112 74.8 20.4 - 4.8 7.0 0.4 66.2 <0.1 0.34 0.29 3453 0.16 113 73.4 20.1 - 6.5 7.0 0.4 61.3 <0.1 0.38 0.1 3239 0.20 283 66.7 16.7 16.7 - 4.0 0.7 70.7 0.4 0.62 101.5 4701 0.05 284 66.7 16.7 16.7 - 8.0 <0.1 82.2 <0.1 0.61 562.4 5100 0.05 285 66.7 16.7 16.7 - 12.0 <0.1 82.3 <0.1 0.33 2432.5 5492 0.06 286 66.7 16.7 16.7 - 16.0 <0.1 83.4 <0.1 0.31 10844.5 5850 0.07 287 62.5 20.8 16.7 - 4.0 0.5 71.2 0.3 0.8 25.6 4005 0.07 288 62.5 20.8 ]6.7 - 8.0 <0.1 76.2 <0.1 0.7] 123.5 4401 0.09 289 62.5 20,8 16.7 - 12.0 <0.1 77.9 <0.1 0.08 546.9 4816 0.08 290 62.5 20.8 16.7 - 16.0 <0.1 80.1 <0.1 0.21 3967.4 5404 0.07 29Ϊ 58.3 25.0 16.7 - 4.0 0.5 68.3 0,3 1.21 7.2 3S56 0.04 292 58.3 25.0 16.7 - 8.0 <0.1 73.6 <0.1 1.05 33.6 4052 0.04 293 58.3 25.0 16.7 . 12.0 <0.1 80.2 <0.1 0.01 131.3 4373 0.04 294 58.3 25.0 16.7 - 16.0 <0.1 82 <0.1 0.18 855.2 4846 0.05 295 54.2 29.2 16.7 - 4.0 0.4 67.1 0.2 0.41 3.9 3652 0.04 296 54.2 29.2 16.7 - 8.0 <0.1 70 <0.1 0.31 11.2 3830 0.03 297 54.2 29.2 16.7 - 12.0 <0.1 73.3 <0.1 0.42 42.3 3960 0.05 298 54.2 29.2 ]6.7 - 16.0 <0.1 75.8 <0.1 0.49 236.1 4418 0.04 108481.doc -30- 1308348 在S式樣75〜113中，獲悉：由於假設Μη之莫耳量為a、Ni 之莫耳量為b時，Mn與Ni之莫耳比為55/45 ^a/b$9〇/i〇， Μη及Νι之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，以〇5莫耳份以上莫耳份以下含有Ti，故儘管△尺25/1125在1.5%以下，仍可獲得電鍍侵蝕度2.0%以下、抗折強度5〇 N以上之電鍍侵蝕度小且抗折強度優異之疊層型負特性熱阻器。又，獲悉氣孔面積率小至1 ·0%以下，也可在低溫予以燒結，獲得充分之 B常數及比電阻。在s式樣75〜104、283〜298中，Μη及Ni之總莫耳量為100 莫耳份時’以5莫耳份以上20莫耳份以下之範圍含有Fe , 故特性值之誤差（B常數3 CV)變小。又’在試樣1 05〜11 3中’ Μη及Ni之總莫耳量為1 〇〇莫耳份時’以3莫耳份以上7莫耳份以下之範圍含有Cll，故氣孔面積率小，可獲得在低溫燒結下也相當細緻之陶瓷素體。又’在表3中’作為Mn、Ni、Fe之合計為1 〇〇莫耳％時所佔之比率，表示Fe之含量，但也可將其換算成Μη及犯之總莫耳量為1 〇〇莫耳份時之Fe之添加量（莫耳份）而加以表示。 [實施例4] 接著’藉改變半導體陶瓷材料之Mn ' Co及Ti之組成比，以比較有關具有使用含Μη、Co及Ti之半導體陶究材料之陶瓷素體之情形之表面安裝型負特性熱阻器。首先’準備Mr»3〇4、C〇3〇4、Ti〇2 ’將其混合成如表4之試樣1 1 4〜1 40所示之混合比以外，利用與實施例1同一方法 108481.doc 1308348 製作試樣1H〜14〇。又，表4中之Ti含量係]^11及c〇之總量為100莫耳份時之Ti之添加量（莫耳份）。又，就如上迷方式所得之疊層型負特性熱阻器試樣丨14〜試樣14〇，利用與: 施例1同一方法施行特性評估，其結果如表4所示。貫 [表4]

108481.doc -32- 1308348 由表4可以明悉：由於假設Μη之莫耳量為a、Co之莫耳量為b時’ Μη與Co之莫耳比為10/90$ a/b$ 70/30，Mn& C 0之總莫耳1為1 〇〇莫耳份時’在以1 _ 〇莫耳份以上3 〇莫耳份以下含有Ti之試樣115〜121、124〜130、及133〜139中，儘管ARn/R25在1.0%以下，仍可獲得電鍍侵蝕度5〇%以下、抗折強度3 5 N以上之電錢侵钮度小且抗折強度優異之疊層型負特性熱阻器。又，獲悉氣孔面積率小至3 .〇0/。以下，也可在lOOOt：之低煅燒溫度下充分燒結，獲得充分之 B常數及比電阻。另外，在1^與(：〇之莫耳比為3〇/7〇$a/b =4 0/60，Μη及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳份時之丁丨以3莫耳伤以上30莫耳份以下含有之試樣117、118、125〜、 134〜139之情形，可獲得電鍍侵蝕度4〇%以下、表示可靠性之△Rh/R25在〇.5%以下之更優之疊層型負特性熱阻器。另一方面，Μη及Co之莫耳比大於7〇/3〇之試樣122之陶免素體已呈現絕緣化，不能利用作為負特性熱阻器，故並不理想。又，Μη及Co之莫耳比小於1〇/9〇之試樣114之陶曼素體亦呈現絕緣化’不能利用作為負特性熱阻器，故並不理想。又’ Μη及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，丁丨少於】〇莫耳份之試樣123及132因未充分含有Ti，故知受到電鑛液之侵钮較大’抗折強度也較小。另一方面，在峨。之總莫耳量為_莫耳份時，Ti多於3〇莫耳份之試樣i3i及 140中’後悉陶究素體之比電阻值已超過負特性熱阻器之商品上有意義之值。 [實施例5] I0848I.doc -33- 1308348 接著，比較有關在本案第4發明之半導體陶究材料中添加其他過渡金屬元素之情形。作為起始原料，除了準備

Mn3〇4、C〇3〇4、Fe2〇3、Cu〇、Ti〇2，將其混合成如表认表6之混合比以外，利用與實施例〗同一方法製作試樣 14卜197。又’表5及表6中之Ti含量係半導體陶瓷材料所含Μη及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳份時之Ti之添加量（莫耳份）。又’利與實施#]1同—方法施行同一之特性評估，其結果如表5及表6所示。

10848I.doc -34 - 1308348 [表5]

試樣No Μη mol Co mol Fe mol Cu mol Ti mol份電鍍侵蝕度 % 抗折強度 % 氣孔面積率 % △R/R % 比電阻 kQcm B常數 K 3CV % 141 36.7 46.7 16.6 4.0 1.9 42.2 0.8 0.38 1.2 3697 0.04 142 36.7 46.7 16.6 - 8.0 0.4 57.8 0.2 0.21 2.8 3883 0.05 143 36.7 46.7 16.6 12.0 <0.1 65.4 <0.1 0.29 8.1 4075 0.07 144 36.7 43.3 20.0 4.0 1.8 43.4 0.8 0.32 1.2 3552 0.09 145 36.7 43.3 20.0 - 8.0 0.4 59.2 0.2 0.25 4.8 3827 0.16 146 36,7 43.3 20.0 12.0 <0.1 68.3 <0.1 0.21 17.8 4133 0.1 147 36.7 40.0 23.3 - 4.0 1.7 43.4 0.9 0.28 2.8 3645 0.13 148 36.7 40.0 23.3 8.0 0.3 59.8 0.3 0.26 10.1 3901 0.08 149 36.7 40.0 23.3 - 12.0 <0.1 59.4 <0.1 0.22 51.2 4231 0.13 150 36.7 56.7 6.6 3.6 1.9 41.4 0.3 0.01 0.7 3882 0.09 151 36.7 56.7 6.6 7.1 0.3 56.5 <0.1 0.04 1.33 3936 0.09 152 36.7 56.7 6.6 10.7 <0.1 62.3 <0.1 0.05 2.79 4013 0.08 153 36.7 53.3 10.0 3.7 1.7 42.0 0.4 0.29 0.85 3842 0.02 154 36.7 53.3 10.0 7.4 <0.1 57.1 0.1 0.21 1.79 3932 0.04 155 36.7 53.3 10.0 11.1 <0.1 61.2 <0.1 0.22 4.12 4041 0.11 156 36.7 50.0 13.3 - 3.8 0.9 49.3 0.4 0.40 1.21 3800 0.17 157 36.7 50.0 13.3 7.7 <0.1 59.9 0.1 0.33 2.78 3928 0.31 158 36.7 50.0 13.3 - 11.5 <0.1 69.9 <0.1 0.30 6.87 4071 0.10 159 34.4 50.0 15.7 - 4.0 2.1 39.9 0.6 0.00 1.38 3707 0.12 160 34.4 46.9 18.7 . 4.2 1.9 42.4 0.5 0.04 2.22 3593 0.18 161 34.4 43.8 21.8 - 4.3 1.8 43.3 0.3 0.01 2.88 3614 0.19 162 33.3 50.0 16.7 - 4.0 2.1 38.8 0.5 0,07 1.35 3700 0.06 163 33.3 46.7 20.0 - 4.2 1.8 42.9 0.3 0.09 1.20 3429 0.14 164 33.3 43.3 23.4 - 4.3 1.7 44.4 0.3 0.09 3.42 3660 0.15 165 40,0 43.3 16.7 - 4.0 1.9 44.9 0.6 0.81 2.31 3793 0.25 166 40.0 40.0 20.0 - 4.2 1.9 46.1 0.6 0.78 3.68 3699 0.14 167 40.0 36.7 23.3 - 4.3 1.7 47.8 0.7 0.97 7.01 3811 0.05 168 43.3 40.0 16.7 - 4 1.6 48.2 0.6 0.40 2.76 3847 0.04 169 43.3 36.7 20.0 - 4.2 1.5 48.3 0.7 0.51 5.63 3777 0.30 170 43.3 33.3 23.4 • 4.3 1.4 49.0 0.7 1.11 15.82 3952 0.10 η] 36.7 56.7 6.6 - 14.3 <0.1 69.3 <0.1 0.07 6.03 4130 0.07 172 36.7 56.7 6.6 - 17.9 <0.1 71.2 <0.1 0.04 14.80 4263 0.04 173 36,7 56.7 6.6 . 21.4 <0.1 72.1 <0.1 0.03 40.77 4429 0.04 174 36.7 56.7 6.6 . 25 <0.1 72.3 <0.1 0.05 140.4 4642 0.05 175 36.7 56.7 6.6 - 28.6 <0.1 78.6 <0.】 0.07 576.4 4928 0.15 176 36.7 53.3 10.0 - 14.8 <0.1 70.3 <0.1 0.33 10.17 4183 0.04 177 36.7 53.3 10.0 - 18.5 <0.1 73.6 <0.1 0.40 30.37 4352 0.03 178 36.7 53.3 10.0 22.2 <0.1 75.5 <0.1 0.23 102.1 4564 0.08 179 36.7 53.3 10.0 • 25.9 <0.1 75.1 <0.1 0.29 482.2 4866 0.17 180 36.7 53.3 10.0 - 29.6 <0.1 75.9 <0.1 0.25 1880.0 5187 0.27 108481 .doc -35 - 1308348 [表6] 試樣No Μη mol Co mol Fe mol Cu m〇] Ti mol份電鍍侵蚀度 % 抗折強度 Ν 氣孔面積率 % △R/R % 比電阻 kQcm Β常數 Κ 3CV % 181 29.4 68.6 2.0 5.0 3.2 43.4 0.2 0.33 η 171〇 η (\α 182 39,2 58.8 - 2.0 5.0 2.9 45.2 0.2 0.29 Π η 183 49.0 49.0 * 2.0 5.0 2.3 49.7 <0.1 0.35 Ο 3602 η η 184 28.8 67.3 3.8 5.0 3.4 40.1 0.2 0.53 0 ?4 3473 η πο 185 38.5 57.7 • 3.8 5.0 3.2 42.2 <0.1 0.45 〇 21 Π ΓΚ 186 48.1 48.1 • 3.8 5.0 2.7 44.0 <0.1 0.59 〇 77 3381 η ης 187 28.3 66.0 * 5.1 5,0 3.8 37.8 <0,1 0.66 0 14 3313 η 14 188 37.7 56.6 5.7 5.0 3.5 40.1 <0.1 0.52 0丨4 3335 Π ΠΑ 189 47.2 47.2 參 5.7 5.0 2.9 42.2 <0.1 0 71 190 191 192 193 194 195 196 197 36.1 35.6 34.9 34.4 36.1 35.5 34.9 34.4 55.7 54.8 54 53.1 55.7 Γ 54.8 ^54 53.1 6.6 6.5 6.4 6.3 6.6 6.5 6.4 6.3 1.6 3.1 4.7 6.2 1.6 3.2 4.7 6.2 8.9 8.9 8.9 8.9 17.9 17.9 17.9 17.9 0.4 0.4 0.4 0.4 <0.1 <0.1 <0.1 Γ"<οΓι 59.9 60.1 57.9 59.3 73.4 73.4 79.1 77.4 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 0.22 Γ 0.4 0.48 「0_53 ' 0.4 0.74 0.96 1.11 1.03 0.73 0.48 0.33 7.72 4.45 2,89 1.77 3817 3700 3608 3532 4070 3932 3811 3703 υ.ι 0.06 0.03 0.07 0.07 0.05 0.06 0.03 0.08 在試樣141〜試樣197中，假sMn之莫耳量為a、c〇之莫耳量為c時，Μη與Co之莫耳比為10/9〇sa/cg7〇/3〇，Mn& Co之總莫耳量為loo莫耳份時，由於以丄莫耳份以上3〇莫耳知以下含有Τι，故儘管△尺25/1125在！ 5%以下，仍可獲得電鍍侵蝕度4.0%以下、抗折強度35 上之電鍍侵蝕度小且抗折強度優異之疊層型負特性熱阻器。又，獲悉氣孔面積率亦小至2.0%以下，也可低溫下充分燒結，獲得充分之Β 常數及比電阻。 λ在試樣141〜丨8〇、190〜197中，Μη及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳知時，由於以7莫耳份以上3丨莫耳份以下之範圍含有 Fe ’故特性值之誤差（B常數3c v)變小。 4又，在試樣181〜197中，獲悉Mn& c〇之總莫耳量為1〇〇莫耳知時，以2莫耳份以上7莫耳份以下之範圍含有Cu，故孔孔面積率小，可獲得在低溫燒結下也相當細緻之陶瓷素 10848i.doc -36- 1308348 體。又，在表5、6中，係將Μη、Co，Fe之合計表示為loo莫耳％ ’將Mn、Co、Cu之合計表示為1〇〇莫耳％，或將Mn、 Co、Fe、Cu之合計表示為1〇〇莫耳％，但如上所述，也可以Mn、Co之合計為10〇莫耳％而換算以、以之含量。 [實施例6 ] 接著，分配組成而比較有關本案第6發明之以Mn、Ni、鲁 C。為主成分而含有Ti之半導體陶究材料。χ，同時比較有關添加其他過渡金屬元素之情形。百先’除了準備Mn3〇4、Ni〇、c〇3〇4、^处、⑽、

Ti〇2 ’以作為起始原料，將其混合成如表7及表8之混合比以外，利用與實施例丨同一方法製作試樣198〜272。又，表 7及表8中之Ti含量係半導體陶£材料所含施、犯及&之總量為100莫耳份時之Ti之添加量(莫耳份)。又，利用盥實施例!同-方法施行同一之特性評估，其結果如表7及表8 所示。 108481.doc •37- 1308348 [表7]

試樣No Μη mol Ni mol Co mol Fe mol Cu mol Ti mol 電鍍侵钱度 % 抗折強度 N 氣孔面積率 % △R/R % 比電阻 kQcm B常數 K 3CV % 198 55.2 10.8 34.0 - - 1.1 2.7 41,4 1.7 1.15 0.36 3539 0.06 199 53.】 14.] 32.8 - - 1.2 2.6 42.3 ]·Ί 0.61 0.29 3490 0.22 200 51.3 17.1 31.6 - 1,2 2.5 42.9 1.7 0.71 0.26 3397 0.08 201 30.8 21.3 48.0 - - 3.0 2.9 40.0 0.3 0.05 0-68 3585 0.16 202 29.2 21.3 49.5 - - 3.0 3.1 39.6 0.1 0.22 0.77 3592 0.15 203 27.7 21.3 51.1 - - 3.0 3.2 38.2 0.1 0.13 0.85 3588 0.15 204 26.1 21.3 52.7 - - 3.0 2.2 37.7 0.1 0.01 0.97 3589 0.16 205 64.0 21.2 14,8 - - 3.5 0.8 35.5 0,4 0.56 0.95 3645 0.15 206 59.0 27.4 13,6 - - 3.5 0.6 37.5 0.5 0.13 0.87 3586 0.21 207 31.3 20.7 48.0 - - 3,5 2.9 40.2 <0.1 0.05 0.57 3526 0.16 208 30.8 21.3 48.0 - - 4,0 2.4 42.3 0.1 0.06 0.81 3606 0.13 209 29.2 21.3 49,5 - - 4.0 2.5 41.3 <0.1 0.18 0.93 3616 0.14 210 27.7 21.3 51.1 - - 4.0 2.7 39.5 <0.1 0.22 0.97 3614 0.14 211 26.1 21.3 52·7 - - 4.0 2.9 38.8 <0.1 0.19 1.01 3611 0.14 212 55.2 10.8 34,0 - - 4.7 1.4 42.7 <0.1 0.42 0.71 3704 0.24 213 53.1 14.1 32.8 - - 4.7 1.3 58.8 1.8 1.03 0.66 3647 0.15 214 51.2 17.2 31.6 - 4.7 1.6 47.3 0.1 0.62 0.45 3551 0.16 215 44.8 21.3 33.9 - 5.9 0.9 40.3 0.2 0.03 0.50 3472 0.18 216 47.8 22.7 29.5 - - 5.9 0.8 44.1 0.2 0.36 0.50 3380 0.23 217 51.1 21.3 27.6 - - 5.9 0.8 52.1 0.3 0.04 0.63 3519 0.23 218 45.7 6.7 47,6 - - 6.2 1.8 44.5 0.2 1.06 0.87 3870 0.12 219 44.1 10.0 45.9 - 6.2 1.7 48.5 0.1 0.88 0.66 3753 0.15 220 42.6 13.1 44.3 - - 6.2 1.5 48.9 0.1 0.52 0.57 3649 0.16 221 41.2 16.0 42.8 - 6.2 1.4 49.9 0.1 0.21 0.54 3604 0.18 222 42.2 20.0 37.8 - - 7.0 1.4 55.3 <0.1 0.06 0.54 3491 0.21 223 59.1 28.0 12.9 - - 7.0 0.3 48.9 <0.1 0.32 2.01 3705 0.21 224 38.6 21.2 40.2 • - 7.0 1.1 45.6 <0.1 0.25 0.61 3495 0.17 225 55.2 10.8 34.0 - - 7.8 0.1 63.4 0.9 0.72 1.39 3859 0.18 226 53.1 14.1 32.8 - - 8.1 0.1 66.4 0.9 0.97 1.12 3789 0.08 227 51,3 17.1 31.6 - - 8.4 0.1 64.3 0,9 1.4 0.98 3695 0.08 228 55.2 10.8 34.0 - 11.2 <0.1 69.1 0.5 1.30 2.68 4005 0,09 229 53.1 14.1 32.8 - - 11.6 <0.1 67.8 0.4 0.89 2.42 3925 0.03 230 51.3 17.1 31.6 - 12.1 <0.1 78.4 0.3 1.33 1.86 3840 0.12 231 59.1 28.0 12.9 - 14.1 <0.1 69.2 <0.1 0.29 5.87 3993 0.19 232 55.2 10.8 34.0 - - 14.6 <0.1 77.7 0.1 1.31 5.90 4152 0.04 233 53.1 Ι4.Ϊ 32.8 • - 15.Ϊ <0.1 79.4 0.1 0.83 4.59 4062 0.14 234 51.3 17.1 31.6 - - 15.7 <0.1 82.4 <0.1 1.38 3.66 3978 0.09 108481.doc -38- 1308348 [表8] 試樣 No Μη mol Ni mol Co mol Fe mol Cu mol Ti mol 電鍍侵蝕度 % 抗折強度 N 氣孔面積率 % △R/R % 比電阻 kQcm B常數 K 3CV % 235 44.0 8.9 26.1 21.0 - 9.5 0.1 80.1 <0.1 0.11 236 44.0 10.9 26.1 19.0 - 9,2 0.1 82.3 <0.1 0.06 ~ 37 ^ 4162 0.08 237 44.0 12.9 26.1 17.0 - 8.9 0.1 72.3 <0.1 0.04 "Xf\ ο 41U4 238 44.0 17.0 26.1 12.9 - 6.6 0.2 69.5 0.3 0.04 14 Ί 4052 0.08 Λ f\Q 239 44.0 19.0 26.1 10.9 - 6.4 0.2 55.4 0.2 0.12 —i'‘ 13 Π HQ 240 44.0 23.0 26.1 8.9 - 6.2 0.2 53.6 0.3 0.11 1Τ2^ λ f\n 241 40.0 8.0 42.0 10.0 - 11.5 0.1 , 49.6 <0.1 0.05 2.54 \j.\j / η πλ 242 40.0 8.0 37.0 15.0 - 11.5 0.1 50.7 <0.1 0.06 " 2 9*? Λ ΛΟ 243 28,1 6.3 52.3 13.3 - 3.4 0.4 52.3 <0.1 0.09 2 46 Λ ΛΟ 244 27.3 9.1 51.5 12.1 - 3.4 0.6 46.5 <0.1 0.08 2.33 Λ ΠΛ 245 26.4 11.8 50.0 11.8 - 3.4 0.5 41.2 <0.1 0.08 2.18 0 08 246 35.5 3.2 54.8 6.5 3.6 59.5 <0.1 0.02 0 94 Λ (\Ί 247 34.4 6.3 53 6,3 - 3.6 59.6 <0.1 0.05 0.53 ^ΑΊΟ \J ,\J / η 248 33.3 9.1 51.5 6.1 - 3.6 61.1 <0.1 0.09 0.58 Ί/ίΟΟ η λα 249 35.5 3.2 54.8 6.5 - 7.1 0.3 64.7 <0.1 0.08 ]π Ί^λ Λ \J. W Λ Λ1 250 34,4 6.3 53 6.3 - 7.1 0.3 66.6 <0.1 -0.03 0.99 •577Π \J.\J I η m 251 33.3 9.1 51.5 6.1 7.1 0.3 66.9 <0.1 -0.02 0 87 ο i i \) Ken Π 1 τ 252 32.4 11.8 49.9 5.9 - 7.1 0.2 68.4 <0.1 -0.04 1.】 Δ \β. 1 J λ ns 253 31.4 14.3 48.6 5.7 - 7.1 0.2 69.1 -0.1 -0.07 1.12 η Π7 254 30.6 16.7 47.1 5.6 麵 7.1 0.2 69.2 <0·】 0.00 广 1.24 t w η 255 29.7 18.9 46.0 5.4 - 7.1 0.1 69.4 <0.1 0.01 1.36 A <\f. 256 28.9 21.1 44.7 5.3 - 7.1 0.1 70.1 <0.1 0.03 1 53 η Λ7 257 28.2 23.1 43.6 5.1 - 7.1 0.1 71.1 <0.1 -0.03 1.65 ^ \J\I t η ί*; 258 27.5 25 42.5 5.0 - 7.1 0.1 72.2 <0.] -0.05 1.83 *3<Q4 η 259 34.4 6.3 49.9 9.4 - 5.6 0.3 60.1 <0.1 0.51 0.85 yj Π Π8 260 34.4 6.3 49.9 9.4 - 11.1 <0.1 76.4 <0.1 0.42 2,28 η λα 261 34.4 6.3 49.9 9.4 - 16.7 <0.1 77.3 <0.1 0.37 7.89 40^2 \J »\J\J 0 01 262 34.4 6.3 49.9 9.4 - 22.2 <0.1 δϊ.Ι <0.1 0.25 " 35.71 4301 〇 (η 263 34.4 6.3 46.8 12.5 - 5.8 0.3 61.2 <0.1 0.63 1.15 η 〇4 264 34.4 6.3 46.8 12.5 - 11.5 <0.1 75.4 <0,1 0.54 3.54 η η«; 264 34.4 6.3 46.8 12.5 - 17.3 <0.1 78.3 <0.1 0.49 12.81 0 2 266 34.4 6.3 46.8 )2.5 - 23.1 <0.] 79.7 «0.1 0.38 78.99 4.4Π1 η 17 267 58.4 12.8 27.8 - 1.0 5.7 0.5 55.9 <0.1 0,26 0.7] η ? 1 268 58.4 12.8 27.8 - 1.0 10.9 0.1 60.1 <0.1 0.36 1.64 3662 0 19 269 45.4 20.0 30.0 - 4.6 4.2 0.6 52.3 <0.1 0.51 0.08 Ή P η 7*^ 270 45.4 20.0 30.0 - 4.6 8.4 0.4 55.3 <0.1 0.64 0.12 5丨56 0 ?ι 271 45.4 20.0 30.0 - 4.6 12.6 0.1 64.2 <0.1 0.72 0.36 3389 0 16 272 45.4 20.0 30.0 - 4.6 16.2 0.1 66.5 <0.1 0.98 0.78 3441 0.18

在試樣198〜272中，含有Μη 0.1 mol%以上90.0 m〇i〇/0以下、Ni 0，1 mol% 以上 45·0 mol% 以下、Co 0.1 m〇i〇/。以上 9〇.〇 1Ώ〇1%以下，Μη、Ni及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，由於丁丨含有〇.5莫耳份以上30莫耳份以下，故ΔΙΐ25/Ιΐ25 較優’在1.5%以下’而且’電鍍侵蝕度在3·5%以下、抗折強度35 Ν以上，獲悉可獲得電鍍侵蝕度小，且抗折強度優 I08481.doc -39- Ϊ308348 異之疊層型負特性熱阻器。又，獲悉氣孔面積率亦小至 2.0°/。以下，即使在低溫下也可充分燒結，可獲得充分之3 常數及比電阻。在試樣235〜266中，Mn、Ni及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，由於以5莫耳份以上30莫耳份以下之範圍含有Fe，故特性值之誤差（B常數3 CV)變小。又’在§式樣267~272中，獲悉Mn、Ni及Co之總莫耳量為 # 1 〇〇莫耳份時，以1莫耳份以上5莫耳份以下之範圍含有

Cu，故氣孔面積率小，可獲得在低溫燒結下也相當細緻之陶瓷素體。又，在表8中，係將Mn、Ni、c〇、Fe之合計表示為ι〇〇莫耳％，或將Μη、Ni、Co、Cu之合計表示為1〇〇莫耳％， =如上所述，也可以Mn、Ni、c〇之合計為1〇〇莫耳％而換算Fe ' Cu之含量。 [實施例7] _ 〃 a除了在Ag-Pd内部電極中，將Ag之混合量混入成如表7所示之混合比以外’將利用與試樣5同樣之方法二作之試樣設定為試樣273〜277。又，將Ag之混合量混合成如表9所示之混合比以外，將利用與試樣m同樣之方法製作之試樣設定為試樣278〜282 β而，利用與施行特性評估，其結果如表9所示。 t〇848I,doc -40- 1308348 [表9]

由表9可以知悉.使用本案發明之半導體陶瓷材料時即使使用Ag含量為60%以上9〇%以下之Ag_pd構成之内部電：材料’也可與本案發明之半導體陶瓷材料一體燒結，㈣優異之負特性熱阻器。χ，可抑制電鑛液對陶曼素體 2飯，且獲悉除了具有高抗折強度以外，可獲得可靠性儍呉之負特性熱阻器。【圖式簡單說明】態==之表面安裝型負特性熱阻器之-㈣ 4明之表面安裝型負特性熱阻器之電鍍圖2係表示本案侵度之測定基準之模型圖之概略剖面彳±之#層型負❹陶£電子零件【主要 1 2 3 元件符號說明】表面女&型負特性熱阻器陶瓷層内部電極 10848I.doc •41 - 1308348 4 陶瓷素體 5 外部電極 6a, 6b 電鍍膜

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Claims

13 0 ^3^58)4259號專利申請案年/7月3曰修、尤)正本中文申％專利範圍替換本(97年10月）十、申請專利範圍： 1· 一種表面安裝型負特性熱阻器，其係包含：含有#Μη、 Νι及Τι之半導體陶瓷材料之陶瓷素體、形成於前述陶瓷素體表面之外部電極及形成於前述外部電極表面之電鍍膜者’其特徵在於： °又岫述半導體陶瓷材料所含之Μη之莫耳量為a及Ni之莫耳$為b時，Μη與Ni之莫耳比為55/45 g a/bg 90/10， _ 且°又觔述半導體陶瓷材料中Μη及Ni之總莫耳量為1 〇〇莫耳伤時Tl含量在0.5莫耳份以上25莫耳份以下之範圍者。 2. 如請求項丨之表面安裝型負特性熱阻器，其中設前述半導體陶瓷材料所含之Mn之莫耳量為3及见之莫耳量為b時，胸與沁之莫耳比為55/45 s a/b g 78.5/21.5 ；鈾述半導體陶瓷材料中Μη及Ni之總莫耳量為1 〇〇莫耳 • 份時，Ti為5,〇莫耳份以上25莫耳份以下者。 3. 如請求項1之表面安裝型負特性熱阻器，其中設前述半導體陶瓷材料所含之Μη之莫耳量為a&Ni之莫耳量為b時，Μη與Ni之莫耳比為55/45 sa/bg7〇/3(); 前述半導體陶瓷材料中Mn& Ni之總莫耳量為1〇〇莫耳份時’ Ti為5.0莫耳份以上乃莫耳份以下者。 4. 一種表面安裝型負特性熱阻器，其係包含：含有含_、 Co及Ti之半導體陶瓷材料之陶瓷素體、形成於前述陶瓷素體表面之外部電極及形成於前述外部電極表面之電鍍 108481-971031.doc 1308348 ”年//肜日修(更)土替换頁膜者，其特徵在於： ax别述半導體陶瓷材料所含之Μη之莫耳量為&及c〇之莫耳量為c時，Μη與Co之莫耳比為10/90 g a/c€ 70/30 ; 设Θ述半導體陶瓷材料中Mn及c〇之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，Ti之含量在i莫耳份以上3〇莫耳份以下之範圍者0 5·如請求項4之表面安裝型負特性熱阻器，其中 6又則述半導體陶瓷材料所含iMn之莫耳量為a&c〇之莫耳量為以寺，]^11與(：〇之莫耳比為30/7〇^&/(^4〇/6(); °又 < 述半導體陶瓷材料中Μη及Co之總莫耳量為1 〇〇莫耳伤寺丁1之含5在3莫耳份以上30莫耳份以下之範圍者0

一種表面安裝型負特性熱阻器，其係包含：含有含如、 n!、c。及Ti之半導體陶究材料之陶究素體、形成前述陶瓷素體表面之外部電極及形成於前述外部電極表面之電鑛膜者，其特徵在於：前述半導體冑究材料係4含Mn、Ni、C4Ti，包含。〇.1莫耳％以上9〇莫耳％以下之嫩、〇1莫耳％以上“莫耳 %以下之N!、〇.1莫耳％以上9〇莫耳％以下之c。（其中廳、 Nl及Co之和為100莫耳％); 且"j述半導體陶瓷材料中Mn、Ni及Co之總莫耳量為100莫耳份時，Ti之含量在0 5莫耳份以上π莫耳份以下之範圍者。 7.如睛求項1至3中任一工苜夕主二—, 甲任項之表面文裝型負特性熱阻器，立 108481-971031.doc 1308348 卜年"月替換頁j 中°又^述半導體陶瓷材料中Μη及Ni之總莫耳量為】莫耳份時，進一步含有在5莫耳份以上2〇莫耳份以下之範圍之Fe者。 U項1至3中任—項之表面安裝型負特性熱阻器，其 A述半導體陶瓷材料中Μη及Ni之總莫耳量為〗〇〇莫耳份時，進一步含有在3莫耳份以上7莫耳份以下之範圍之Cu者。

如明求項7之表面安裝型負特性熱阻器，其中設前述半導體陶究材料中_及犯之總莫耳量為1〇〇莫耳份時，進 :3有在3莫耳份以上7莫耳份以下之範圍之Cu者。 u項4或5之表面安裝型負特性熱阻器，其中、』述半導體陶瓷材料中Mn及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳份時’進一步含有在7莫耳份以上”莫耳份以下之範圍之Fe#。 11. 如：：項4或5之表面安裝型負特性熱阻器，其中鲁、2述半導體陶瓷材料中Μη及Co之總莫耳量為1〇〇莫耳如時進—步含有在2莫耳份以上7莫耳份以下之範圍之Cu者。 12. 如：：項1〇之表面安裝型負特性熱阻器，其中、、述半導體陶瓷材料中Μη及Co之總莫耳量為100莫耳寺進—步含有在2莫耳份以上7莫耳份以下之範圍之Cu者。 13. 如：：項6之表面安裝型負特性熱阻器，其中述半導體陶瓷材料中Mn、Ni及Co之總莫耳量為 108481-971031.doc 1308348 日修(更)正替輯〇〇莫耳份時，谁一 1 ______) 之範圍之卜者。3有在5莫耳份以上3G莫耳份以下如請求項6或13 ^ ^ 女裝型負特性熱阻器，其中 °。之總莫耳量為 ^ r ^ , 3有在〗莫耳份以上5莫耳份以下之靶圍之Cu者。 1 5 ·如請求項1至6中任一 6 員之表面女裝型負特性熱阻器，其中在财述H素體内部埋設内部電極，且前述内部電極係與前述外部電極導通所構成者。 16.如請求項15之表面安裝型負特性熱阻器，其中前述内部電極係包含Ag_Pd，前述Ag之含量係在6〇%以上9〇%以下之範圍者。

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