JPWO2011086850A1 - Ntcサーミスタ用半導体磁器組成物およびntcサーミスタ - Google Patents
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Abstract
焼成温度依存性が低く、かつ抵抗調整操作後の抵抗値のばらつきを小さくすることができ、また、高温環境下での抵抗変動を小さくすることができる、NTCサーミスタ用半導体磁器組成物を提供する。NTCサーミスタ1の部品本体2を構成するために用いられる半導体磁器組成物であって、Mn、NiおよびFeを含み、MnとNiとを合わせて100モル%としたときのそれぞれの元素のモル比率は、Mnが70〜80モル%、Niが20〜30モル%であり、かつ、MnとNiとの総モル量を100モル部としたとき、Feの含有量が15モル部以上かつ25モル部以下である。好ましくは、MnとNiとの総モル量を100モル部としたとき、Coを2モル部以上かつ40モル部以下の範囲でさらに含有する。
Description
この発明は、NTCサーミスタ用半導体磁器組成物およびNTCサーミスタに関するもので、特に、Mn、NiおよびFeを含むNTCサーミスタ用半導体磁器組成物およびこれを用いて構成されるNTCサーミスタに関するものである。
NTCサーミスタは、たとえば温度補償用あるいは温度検知用といった用途に向けられることが知られている。また、近年、電子機器の小型化および回路の複雑化に伴って、NTCサーミスタ自体の特性の狭偏差化が求められている。すなわち、たとえば抵抗値の偏差が、以前では±5%以内であれば許容されていたものが、最近では±1〜0.5%以内にまで要求されるようになってきている。
上述の狭偏差化に関して、より具体的には、NTCサーミスタを125℃といった高温、さらには車載対応のために175℃といったより高温で放置したとしても、その特性が経時変化しにくいとともに、製造工程上、不可避的に遭遇し得る条件のばらつきによる特性への影響が小さいこと、すなわち製造の歩留まりが良好であることが求められている。
特に、後者の製造工程上の条件のばらつきによる特性への影響について、より詳細に説明すると、NTCサーミスタの特性は、製造工程上の条件のばらつき、特に焼成工程での焼成温度のばらつきの影響を受けやすい。たとえば、焼成炉の条件、NTCサーミスタとなるべき未焼成チップの、炉への投入量(チャージ量)および炉内での配置、焼成炉の稼動日の気象条件等により、未焼成チップに及ぼされる焼成温度が未焼成チップ間で不所望にもばらついてしまい、その結果、個々のNTCサーミスタについての焼成履歴が互いに異なるという事態を招く。そのため、得られたNTCサーミスタの抵抗値等の特性にばらつきが生じ得る。
このように、NTCサーミスタの特性は、いわゆる焼成温度依存性が比較的大きいという傾向を有している。
他方、NTCサーミスタの特性ばらつきに、焼成後において対処し得る方法として、たとえば外部電極の形成後に250〜500℃の温度で熱処理を施し、目標とする抵抗値を得ようとする、抵抗調整方法が知られている。しかしながら、この熱処理によってもたらされる抵抗値の変化率は、NTCサーミスタにおいて用いられる半導体磁器組成物の組成や形状によって異なるため、狙い値どおりの抵抗値を熱処理によって得ることが困難な場合もある。
この発明にとって興味あるNTCサーミスタ用半導体磁器組成物として、たとえば特開平6−263518号公報(特許文献1)には、一般式FezNixMn3−x−zO4(x=0.84〜1ならびに0<z<1.6)で表わされるNTCサーミスタ用磁器組成物が開示されている。特許文献1によれば、この磁器組成物は、高温下での抵抗変化率が小さいとされている。
しかしながら、特許文献1に記載の磁器組成物の場合、焼成温度依存性が大きいことがわかった。
他方、特開2005−150289号公報(特許文献2)には、マンガン酸化物とニッケル酸化物と鉄酸化物とジルコニウム酸化物とを含むサーミスタ用組成物であって、主成分として、マンガン酸化物をMn換算でaモル%(ただし、aは45〜95であって、45と95を除く)、かつニッケル酸化物をNi換算で(100−a)モル%含み、この主成分を100重量%としたとき、鉄酸化物をFe2O3換算で0〜55重量%(ただし、0重量%と55重量%を除く)、かつジルコニウム酸化物をZrO2換算で0〜15重量%(ただし、0重量%と15重量%を除く)含むものが開示されている。特許文献2によれば、この組成物は、高温高湿使用下での抵抗変化率が小さく、しかも、低温側(25〜−40℃)でのB定数を広範囲に調整できることにより、幅広い要求の回路設計に対応可能となるとされている。
しかしながら、特許文献2に記載のサーミスタ用組成物は、製造条件の影響を受けやすく、よって歩留まりが悪く、特に高温放置における信頼性が不十分であることがわかった。
より具体的に説明すると、特許文献2には、その実施例において、発明の範囲内の試料21として、Mn:80.0モル%およびNi:20.0モル%からなる主成分と、主成分100重量%に対して、Fe2O3を10.0重量%含む組成(言い換えると、主成分100モル部に対して、Feを9.51モル部含む組成)が開示され、また、同じく発明の範囲内の試料22として、Mn:80.0モル%およびNi:20.0モル%からなる主成分と、主成分100重量%に対して、Fe2O3を30.0重量%含む組成(言い換えると、主成分100モル部に対して、Feを28.54モル部含む組成)が開示されている。
しかしながら、上記試料21の組成によれば、周囲温度175℃の環境下では、抵抗値が不所望にも大きく変化してしまい、高温環境下での信頼性に欠けるということがわかった。
他方、前述したように、NTCサーミスタの抵抗値を、焼成後において250〜500℃の温度で熱処理することにより調整することが行なわれた場合、上記試料22の組成によれば、この抵抗調整のために比較的高い温度が必要になり、そのため、抵抗調整操作後の特性ばらつきが大きくなりやすく、よって安定した特性を得ることが困難であり、この点で歩留まりを低下させ得ることがわかった。
そこで、この発明の目的は、焼成温度依存性が低く、かつ抵抗調整操作後の抵抗値のばらつきを小さくすることができ、よって製造の歩留まりを向上させることができ、また、高温環境下での抵抗変動を小さくすることができる、NTCサーミスタ用半導体磁器組成物を提供しようとすることである。
この発明の他の目的は、上述した半導体磁器組成物を用いて構成されるNTCサーミスタを提供しようとすることである。
この発明に係るNTCサーミスタ用半導体磁器組成物は、Mn、NiおよびFeを含むが、上述した技術的課題を解決するため、MnとNiとを合わせて100モル%としたときのそれぞれの元素のモル比率は、Mnが70〜80モル%、Niが20〜30モル%であり、かつ、MnとNiとの総モル量を100モル部としたとき、Feの含有量が15モル部以上かつ25モル部以下であることを特徴としている。
上記NTCサーミスタ用半導体磁器組成物は、MnとNiとの総モル量を100モル部としたとき、Coを2モル部以上かつ40モル部以下の範囲でさらに含有することが好ましい。
この発明は、また、上記半導体磁器組成物を用いて構成されるNTCサーミスタにも向けられる。この発明に係るNTCサーミスタは、上記半導体磁器組成物からなる部品本体と、部品本体の少なくとも一部を挟んで対向する第1および第2の電極とを備えることを特徴としている。
この発明によれば、まず、焼成温度依存性の低いNTCサーミスタ用半導体磁器組成物を得ることができる。したがって、焼成時の温度条件の厳密な管理が不要であり、よって、製造のための工程管理を簡略化することができるとともに、歩留まりを向上させることができるので、NTCサーミスタ製造のコストダウンを図ることができる。
また、この発明によれば、125℃や175℃といった高温環境下での抵抗変動の小さい、すなわち高い特性安定性を有するNTCサーミスタ用半導体磁器組成物を得ることができる。
さらに、この発明に係るNTCサーミスタ用半導体磁器組成物によれば、上述したように、125℃や175℃といった温度では抵抗変動が小さいにも関わらず、焼成後の抵抗調整において適用される250〜500℃といった温度範囲での熱処理では、比較的低い温度かつ比較的短時間で抵抗値を容易に変化させることができる。
なお、抵抗調整のため、比較的高い温度や比較的長い時間が必要な場合には、焼成後の抵抗調整のための熱処理操作後の抵抗ばらつきが大きくなる傾向にあるが、この発明に係る半導体磁器組成物によれば、上述のように、比較的低い温度かつ比較的短時間で抵抗値を容易に変化させることができるので、焼成後の抵抗調整のための熱処理操作後の抵抗ばらつきを抑制することができる。このことも歩留まりの向上に寄与し、その結果、NTCサーミスタのコストダウンを図ることを可能にする。
この発明に係るNTCサーミスタ用半導体磁器組成物において、MnとNiとの総モル量を100モル部としたとき、Coを2モル部以上かつ40モル部以下の範囲でさらに含有していると、NTCサーミスタの破壊強度を向上させることができる。
この発明に係る半導体磁器組成物は、たとえば、図1に示す積層型NTCサーミスタ1や図2に示す単板型NTCサーミスタ21において用いられる。まず、図1および図2を参照して、積層型NTCサーミスタ1および単板型NTCサーミスタ21の構造について説明する。
図1を参照して、積層型NTCサーミスタ1は、実質的に直方体状の部品本体2を備えている。部品本体2は、複数の層3からなる積層構造を有していて、特定の層3の間には内部電極4および5が形成される。内部電極4および5は、第1の内部電極4と第2の内部電極5とに分類され、第1の内部電極4と第2の内部電極5とは積層方向に関して交互に配置される。ここに、第1および第2の内部電極4および5が部品本体2の一部を挟んで対向する構造が与えられる。
部品本体2の一方の端面6上には第1の外部電極8が形成され、部品本体2の他方の端面7上には、第2の外部電極9が形成される。これら外部電極8および9は、たとえばAgを導電成分とする導電性ペーストの焼き付けによって形成される。前述の第1の内部電極4は、部品本体2の一方の端面6にまで引き出され、そこで第1の外部電極8と電気的に接続され、第2の内部電極5は、部品本体2の他方の端面7にまで引き出され、そこで第2の外部電極9と電気的に接続される。
第1および第2の外部電極8および9上には、それぞれ、必要に応じて、たとえばNiからなる第1のめっき膜10および11が形成され、さらにその上に、たとえばSnからなる第2のめっき膜12および13が形成される。
次に、図2を参照して、単板型のNTCサーミスタ21は、実質的に矩形の板状の部品本体22を備え、この部品本体22を挟んで対向するように第1および第2の電極23および24が形成されている。
このようなNTCサーミスタ1および21において、部品本体2および22が、この発明に係る半導体磁器組成物から構成される。
この発明に係るNTCサーミスタ用半導体磁器組成物は、前述したように、Mn、NiおよびFeを含み、MnとNiとを合わせて100モル%としたときのそれぞれの元素のモル比率は、Mnが70〜80モル%、Niが20〜30モル%であり、かつ、MnとNiとの総モル量を100モル部としたとき、Feの含有量が15モル部以上かつ25モル部以下である。
このような組成の半導体磁器組成物は、前述したように、焼成温度依存性が低く、かつ抵抗調整操作後の抵抗値のばらつきを小さくすることができ、よってNTCサーミスタ1および21の製造の歩留まりを向上させることができる。また、NTCサーミスタ1および21の高温環境下での抵抗変動を小さくすることができる。
また、部品本体2および22を構成する半導体磁器組成物が、MnとNiとの総モル量を100モル部としたとき、Coを2モル部以上かつ40モル部以下の範囲でさらに含有していると、NTCサーミスタ1および21の破壊強度を向上させることができる。
次に、図1に示した積層型のNTCサーミスタ1の製造方法の一例について説明する。
まず、セラミック素原料として、Mn3O4、Fe2O3およびNiOの各粉末、ならびに、必要に応じて、Co3O4粉末を用意し、これらの粉末を所定量秤量し、次いで、この秤量物をボールミルに投入して、ジルコニア等からなる粉砕媒体とともに十分に湿式粉砕し、その後、所定の温度で仮焼し、セラミック粉末を作製する。
次に、上記セラミック粉末に所定量の有機バインダおよび水を加え、湿式で混合処理を行なってスラリー状とし、その後、ドクターブレード法等を使用して成形加工を施し、部品本体2の各層3となるべきセラミックグリーンシートを作製する。
次いで、たとえばAg−Pdを主成分とする導電性ペーストを使用し、上記セラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施して、内部電極4または5となるべき導電性ペースト膜を形成する。
次に、導電性ペースト膜が形成された複数のセラミックグリーンシートを積層するとともに、それを外側から挟むように、導電性ペースト膜が形成されていないセラミックグリーンシートを積層し、これらセラミックグリーンシートを圧着することによって、積層構造の部品本体2となるべき生の積層体を作製する。
次いで、この生の積層体を、必要に応じて、所定の寸法に切断した後、たとえばジルコニア製の匣に収容し、たとえば300〜500℃の温度で脱バインダ処理を行なった後、たとえば1100〜1200℃の範囲の所定温度で焼成処理を施し、部品本体2を得る。
その後、部品本体2の両端面6および7に、たとえばAgを主成分とする導電性ペーストを塗布して焼付けし、外部電極8および9を形成する。その後、外部電極8および9が形成された部品本体2を、必要に応じて、たとえば250〜500℃の温度で熱処理して、抵抗調整を行なう。ここで、熱処理温度および時間については、所望する抵抗変化量に応じて変更される。
次に、外部電極8および9の表面に、電解めっきにより、たとえばNiからなる第1のめっき膜10および11を形成し、次いで、たとえばSnからなる第2のめっき膜12および13を形成する。
このようにして、図1に示した積層型のNTCサーミスタ1が完成される。
なお、外部電極8および9は、部品本体2に対する密着性が良好であればよく、たとえばスパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成方法で形成されてもよい。
また、セラミック素原料として、Mn3O4、Fe2O3、Co3O4およびNiOといった酸化物を使用したが、Mn、Fe、CoおよびNiの各々について、炭酸塩、水酸化物等を使用することもできる。
次に、図2に示した単板型のNTCサーミスタ21の製造方法の一例について説明する。
まず、積層型のNTCサーミスタ1の場合と同様にして、セラミック粉末を作製し、次いで、これをスラリー状とする。その後、ドクターブレード法等を使用して成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製し、次いで、所定の厚みが得られるように、これらセラミックグリーンシートを積み重ね、圧着することによって、部品本体22となるべきセラミックグリーン成形体を得る。
次いで、たとえばAg−Pdを主成分とした導電性ペーストを使用し、上記セラミックグリーン成形体の両面にスクリーン印刷を施して、電極23または24となるべき導電性ペースト膜を形成する。
次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーン成形体を、必要に応じて、所定の寸法に切断した後、たとえばジルコニア製の匣に収容し、脱バインダ処理を行なった後、たとえば1100〜1200℃の範囲の所定温度で焼成処理を施す。その後、必要に応じて、たとえば250〜500℃の温度で所定時間熱処理して、抵抗調整を行なう。
このようにして、図2に示した単板型のNTCサーミスタ21が完成される。
なお、上述した抵抗調整操作に関して、単板型のNTCサーミスタ21の場合には、その一部を削るといったトリミングによる抵抗調整も可能である。これに対して、積層型のNTCサーミスタ1の場合には、その一部を削るといったトリミングによる抵抗調整は実質的に不可能である。よって、焼成後の熱処理による抵抗調整が容易であるということは、特に積層型のNTCサーミスタ1について顕著な利点となる。
次に、この発明の範囲を求めるために実施した実験例について説明する。なお、実験例では、図2に示すような単板型のNTCサーミスタを試料として作製した。
[実験例1]
まず、セラミック素原料として、Mn3O4、Fe2O3およびNiOの各粉末を用意し、これらの粉末を、表1に示すような組成となるように秤量した。表1において、「Mn」および「Ni」の各欄には、Mn3O4とNiOとについて、それぞれ、MnおよびNiに換算したときの総モル量に対するモル量の百分率が示され、「Fe/(Mn+Ni)」の欄には、Mn3O4とNiOとの、それぞれ、MnおよびNiに換算したときの総モル量を100モル部としたときのFe2O3の含有量をFeに換算したモル部をもって示している。
まず、セラミック素原料として、Mn3O4、Fe2O3およびNiOの各粉末を用意し、これらの粉末を、表1に示すような組成となるように秤量した。表1において、「Mn」および「Ni」の各欄には、Mn3O4とNiOとについて、それぞれ、MnおよびNiに換算したときの総モル量に対するモル量の百分率が示され、「Fe/(Mn+Ni)」の欄には、Mn3O4とNiOとの、それぞれ、MnおよびNiに換算したときの総モル量を100モル部としたときのFe2O3の含有量をFeに換算したモル部をもって示している。
次いで、上記秤量物をボールミルに投入して、ジルコニアからなる粉砕媒体とともに十分に湿式粉砕し、その後、730℃の温度で2時間仮焼し、セラミック粉末を作製した。
次に、上記セラミック粉末に所定量の有機バインダおよび水を加え、湿式で混合処理を行なってスラリー状とし、その後、ドクターブレード法を使用して成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製した。
次いで、約0.70mmの厚みが得られるように、複数の上記セラミックグリーンシートを積み重ね、圧着することによって、セラミックグリーン成形体を得た。
次いで、Ag−Pdを主成分とする導電性ペーストを使用し、上記セラミックグリーン成形体の両面にスクリーン印刷を施して、導電性ペースト膜を形成した。
次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーン成形体を、2.0mm×2.0mmの平面寸法となるように切断した後、ジルコニア製の匣に収容し、350℃の温度で8時間保持する脱バインダ処理を行なった後、所定温度で焼成処理を施し、単板型のNTCサーミスタの試料を得た。
ここで、焼成温度依存性を評価するため、上記焼成処理の温度として、1100℃と1150℃とを採用し、それぞれの温度で焼成して得られた各NTCサーミスタの室温(25℃)での抵抗値、すなわち、1100℃焼成での抵抗値R25(1100℃)および1150℃焼成での抵抗値R25(1150℃)を4端子法で測定した。そして、焼成温度T[℃]の変動に対する抵抗値Rの変化率ΔR/ΔT[%/℃]を、
ΔR/ΔT=[{R25(1150℃)−R25(1100℃)}/R25(1100℃)/(1150−1100)]×100
の式に基づいて算出した。その結果が表1の「ΔR/ΔT(1100−1150℃間)」の欄に示されている。
ΔR/ΔT=[{R25(1150℃)−R25(1100℃)}/R25(1100℃)/(1150−1100)]×100
の式に基づいて算出した。その結果が表1の「ΔR/ΔT(1100−1150℃間)」の欄に示されている。
また、焼成温度1125℃で得られたNTCサーミスタについて、125℃および175℃の各温度下で100時間放置した前後での抵抗変化率を求めた。すなわち、4端子法により、高温放置試験前のNTCサーミスタの室温(25℃)での抵抗値R25(0時間)を求めるとともに、125℃および175℃の各温度下で100時間放置した後の室温(25℃)での抵抗値R25(100時間)を求め、抵抗変化率ΔR/R[%]を、
ΔR/R={R25(100時間)−抵抗値R25(0時間)}/抵抗値R25(0時間)
の式に基づいて算出した。その結果が、125℃放置については、表1の「ΔR/R(125℃)」、および175℃放置については、「ΔR/R(175℃)」の各欄に示されている。
ΔR/R={R25(100時間)−抵抗値R25(0時間)}/抵抗値R25(0時間)
の式に基づいて算出した。その結果が、125℃放置については、表1の「ΔR/R(125℃)」、および175℃放置については、「ΔR/R(175℃)」の各欄に示されている。
また、焼成温度1125℃で得られたNTCサーミスタについて、抵抗調整操作を実施した後の抵抗ばらつきを評価した。すなわち、250〜500℃の範囲であって、4端子法によって求めた抵抗値が5%変化(増加)する熱処理温度を試料ごとに変えて採用し、当該温度で2時間保持する熱処理を実施した後での抵抗ばらつきR3CV[%]を、
R3CV=標準偏差/平均値×300
の式に基づいて算出した。その結果が表1の「抵抗調整後R3CV」の欄に示されている。
R3CV=標準偏差/平均値×300
の式に基づいて算出した。その結果が表1の「抵抗調整後R3CV」の欄に示されている。
表1において、試料番号に*を付したものは、この発明の範囲外の試料である。なお、この発明の範囲内の試料は、
「ΔR/ΔT(1100−1150℃間)」については、1.0%/℃以下であることを満足するものとし、
「ΔR/R(125℃)」については、1.0%以下であることを満足するものとし、
「ΔR/R(175℃)」については、3.0%以下であることを満足するものとし、
「抵抗調整後R3CV」については、15.0%以下であることを満足するものとした。
「ΔR/ΔT(1100−1150℃間)」については、1.0%/℃以下であることを満足するものとし、
「ΔR/R(125℃)」については、1.0%以下であることを満足するものとし、
「ΔR/R(175℃)」については、3.0%以下であることを満足するものとし、
「抵抗調整後R3CV」については、15.0%以下であることを満足するものとした。
この発明の範囲外の試料1では、「Mn」が80モル%を超えている(「Ni」が20モル%未満である)。この場合、「ΔR/R(125℃)」が1.0%を超え、かつ「ΔR/R(175℃)」が3.0%を超え、高温環境下での抵抗変動が大きく、信頼性に劣ることがわかった。これは、半導体磁器組成物の焼結体において、立方晶の一部が正方晶に変化したためであると推測される。
この発明の範囲外の試料2では、「Fe/(Mn+Ni)」が15モル部未満である。この場合、「ΔR/R(175℃)」が3.0%を超え、高温環境下での抵抗変動が大きく、信頼性に劣ることがわかった。
この発明の範囲外の試料8および9では、「Fe/(Mn+Ni)」が25モル部を超えている。これらの場合、「抵抗調整後R3CV」が15.0%を超え、抵抗調整操作後の抵抗ばらつきが大きいことがわかった。これは、抵抗を調整するのに必要な温度が高くなったためである。
この発明の範囲外の試料16では、「Ni」が30モル%を超えている(「Mn」が70モル%未満である)。この場合、「ΔR/ΔT(1100−1150℃)」が1.0%を超え、焼成温度依存性が高いことがわかった。これは、半導体磁器組成物の焼結体中にNiO岩塩相が生成されたためであると推測される。
これらに対して、この発明の範囲内にある試料3〜7および10〜15によれば、「ΔR/ΔT(1100−1150℃間)」が1.0%/℃以下であって、焼成温度依存性が低く、また、「ΔR/R(125℃)」が1.0%以下であり、かつ「ΔR/R(175℃)」が3.0%以下であって、高温環境下での抵抗変動が小さく、信頼性が高く、また、「抵抗調整後R3CV」が15.0%以下であって、抵抗調整操作後の抵抗ばらつきが小さいことがわかった。
[実験例2]
実験例2では、Coの含有による破壊強度の向上の効果を確認した。
実験例2では、Coの含有による破壊強度の向上の効果を確認した。
まず、セラミック素原料として、Mn3O4、Fe2O3およびNiOの各粉末に加えて、Co3O4粉末を用意し、これらの粉末を、表2に示すような組成となるように秤量した。表2において、「Mn」、「Ni」および「Fe/(Mn+Ni)」の各欄については、表1の場合と同様の表示方法で示され、「Co/(Mn+Ni)」の欄には、Mn3O4とNiOとの、それぞれ、MnおよびNiに換算したときの総モル量を100モル部としたときのCo3O4の含有量がCoに換算したモル部をもって示されている。
その後、実験例1の場合と同様の操作を経て、セラミックグリーンシートを作製した。次いで、得られた複数のセラミックグリーンシートを約1.00mmの厚みが得られるように積み重ね、圧着することによって、セラミックグリーン成形体を得た。次いで、セラミックグリーン成形体を幅3.0mm、長さ50mmとなるように切断した後、ジルコニア匣に収容し、350℃の温度で8時間保持する脱バインダ処理を行なった後、1125℃の温度で焼成処理を施し、短冊状のNTCサーミスタの試料を得た。
得られた各試料に係るNTCサーミスタについて、破壊強度を評価した。評価には、島津製作所製「AUTOGRAPH(AG-I)」を用い、以下の試験条件で3点曲げ試験を実施し、試験片が破壊する最大荷重(P)を計測した。得られた最大荷重(P)と測長した試料片の寸法(幅:w、厚さ:t)から以下の式(1)の計算式にて破壊強度を算出した。
[試験条件]
支点間距離(L):30mm
クロスヘッド速度:0.5mm/分
[式(1)]
(破壊強度)=3×P×L/(2×w×t2)
その結果が表2に示されている。
支点間距離(L):30mm
クロスヘッド速度:0.5mm/分
[式(1)]
(破壊強度)=3×P×L/(2×w×t2)
その結果が表2に示されている。
表2において、試料番号に*を付したものは、Co含有量について、好ましい範囲を外れた試料である。なお、Co含有量の好ましい範囲は、Coを添加しない試料21の場合よりも破壊強度が向上したものをもって規定した。
試料22および23では、「Co/(Mn+Ni)」が2.0モル部未満である。これらの場合、「Co/(Mn+Ni)」が0モル部である試料21を上回る破壊強度が得られず、Co添加の効果が現れなかった。
他方、試料28および29では、「Co/(Mn+Ni)」が40.0モル部を超えている。この場合にも、「Co/(Mn+Ni)」が0モル部である試料21を上回る破壊強度が得られず、むしろ、Co添加によって破壊強度がかえって低下した。これは、半導体磁器組成物の焼結体中にCoO岩塩相が生成したためであると推測される。
1,21 NTCサーミスタ
2,22 部品本体
4,5 内部電極
23,24 電極
2,22 部品本体
4,5 内部電極
23,24 電極
Claims (3)
- Mn、NiおよびFeを含み、
MnとNiとを合わせて100モル%としたときのそれぞれの元素のモル比率は、Mnが70〜80モル%、Niが20〜30モル%であり、かつ、
MnとNiとの総モル量を100モル部としたとき、Feの含有量が15モル部以上かつ25モル部以下である、
NTCサーミスタ用半導体磁器組成物。 - MnとNiとの総モル量を100モル部としたとき、Coを2モル部以上かつ40モル部以下の範囲でさらに含有する、請求項1に記載のNTCサーミスタ用半導体磁器組成物。
- 請求項1または2に記載の半導体磁器組成物からなる部品本体と、前記部品本体の少なくとも一部を挟んで対向する第1および第2の電極とを備える、NTCサーミスタ。
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