JP2022540338A - センサーデバイス及びセンサーデバイスの製造方法 - Google Patents
センサーデバイス及びセンサーデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022540338A JP2022540338A JP2021576832A JP2021576832A JP2022540338A JP 2022540338 A JP2022540338 A JP 2022540338A JP 2021576832 A JP2021576832 A JP 2021576832A JP 2021576832 A JP2021576832 A JP 2021576832A JP 2022540338 A JP2022540338 A JP 2022540338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sensor device
- sensor chip
- sensor
- termination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- -1 polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
- H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/041—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
Abstract
Description
センサーチップ16は、2つの終端層15a、15bを有する。第1の終端層15aは、上面20上に配置され、上面20まで達する第1の内部電極19aと接続されている。第2の終端層15bは、下面21上に配置され、下面21まで達する第2の内部電極19bと接続されている。
2 センサーチップ
3 終端層
4 焼結銀
5 基板
6 ボンディングワイヤ
10 センサーデバイス
11 印刷されていないセラミック層
12 印刷されたセラミック層
13 導電性材料
14 減衰層
15 終端層
15a 第1の終端層
15b 第2の終端層
15c 内側終端層
16 センサーチップ
16a 外面
17 オーバーラップ領域
17a 第1のオーバーラップ領域
17b 第2のオーバーラップ領域
18 ボンディングワイヤ
19 内部電極
19a 第1の内部電極
19b 第2の内部電極
19c 浮遊電極
20 センサーチップの上面
21 センサーチップの下面
22 センサーチップの側面
Claims (16)
- センサーチップ(16)を有するセンサーデバイス(10)であって、前記センサーチップ(16)は、多数の印刷されたセラミック層(12)及び印刷されていないセラミック層(11)を有し、
前記センサーデバイス(10)は、導電性材料(13)の電気的な接触のために、少なくとも1つの終端層(15、15a、15b)を有し、前記終端層(15、15a、15b)は、少なくとも前記センサーチップ(16)の上面(20)及び/又は下面(21)に形成されており、
前記印刷されたセラミック層(12)には、少なくとも部分的に前記導電性材料(13)が印刷されており、前記センサーチップ(16)の電気抵抗は、前記導電性材料(13)のオーバーラップ領域(17)によって、又は、前記導電性材料(13)の前記終端層(15、15a、15b)までの距離によって、決定されており、
前記センサーデバイス(10)は、少なくとも1つの減衰層(14)を有し、前記減衰層(14)は、前記センサーチップ(16)の外面(16a)の少なくとも1つの部分領域上に直接的に塗布されており、前記減衰層(14)は、前記終端層(15)の材料より大きな弾性を有する材料を含む、センサーデバイス(10)。 - 前記少なくとも1つの終端層(15)は貴金属を含む、請求項1に記載のセンサーデバイス(10)。
- 前記少なくとも1つの終端層(15)は印刷されているか又はスパッタされている、請求項1又は2に記載のセンサーデバイス(10)。
- 前記少なくとも1つの減衰層(14)は、前記センサーチップ(16)と前記終端層(15)との間に形成されている、請求項1~3のいずれか1項に記載のセンサーデバイス(10)。
- 前記センサーデバイス(10)は、前記少なくとも1つの減衰層(14)と前記センサーチップ(16)との間に配置された内側終端層(15c)を有する、請求項1~4のいずれか1項に記載のセンサーデバイス(10)。
- 前記減衰層(14)は、導電性ポリマー又は銀粒子が充填されたエポキシ樹脂を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載のセンサーデバイス(10)。
- 前記減衰層(14)は、スクリーン印刷によって、前記センサーチップ(16)の前記外面(16a)の少なくとも1つの部分領域上に塗布されている、請求項1~6のいずれか1項に記載のセンサーデバイス(10)。
- 前記センサーデバイス(10)は、温度測定のために形成されている、請求項1~7のいずれか1項に記載のセンサーデバイス(10)。
- 前記センサーチップ(16)は、NTC多層チップである、請求項1~8のいずれか1項に記載のセンサーデバイス(10)。
- 以下のステップを含む、センサーデバイス(10)の製造方法。
A)セラミックフィルムを準備するステップ
B)印刷されたセラミック層(12)及び印刷されていないセラミック層(11)を形成するために、前記セラミックフィルムの一部に導電性材料(13)を印刷するステップ
C)スタックを形成するために、前記印刷されたセラミック層及び前記印刷されていないセラミック層を重ね合わせて配置するステップ
D)センサーチップ(16)を形成するために、前記スタックから所望の幾何学的形状を切り出すステップ
E)前記センサーチップ(16)を焼結するステップ
F)前記センサーチップ(16)の外面(16a)の少なくとも1つの部分領域上に、少なくとも1つの減衰層(14)を形成するステップ
G)少なくとも1つの終端層(15)を形成するために、前記センサーチップ(16)の前記外面(16a)の1つの部分領域上、及び/又は、前記減衰層(14)上に、更なる導電性材料を塗布するステップ - 前記減衰層(14)は、導電性ポリマー又は銀粒子が充填されたエポキシ樹脂を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記減衰層(14)は、スクリーン印刷によって、前記センサーチップ(16)の前記外面(16a)の少なくとも1つの部分領域上に塗布される、請求項10又は11に記載の方法。
- 前記セラミックフィルムは、NTC特性曲線を有する材料を含む、請求項10~12のいずれか1項に記載の方法。
- ステップE)の後かつステップF)の前に、内側終端層(15c)が前記センサーチップ(16)上に生成され、ステップF)において、前記減衰層(14)が、前記内側終端層(15c)上に直接的に生成される、請求項10~13のいずれか1項に記載の方法。
- 更に以下のステップを含む、請求項10~14のいずれか1項に記載の方法。
H)前記センサーデバイス(10)を、前記終端層(15)の表面上へのボンディングワイヤ(18)の塗布によって、又は、焼結接合によって、又は、半田付け接合によって、電気的に接触させるステップ - 前記減衰層(14)は、前記終端層(15)の材料よりも大きな弾性を有する材料を含む、請求項10~15のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019125340 | 2019-09-20 | ||
DE102019125340.3 | 2019-09-20 | ||
PCT/EP2020/072850 WO2021052690A1 (de) | 2019-09-20 | 2020-08-14 | Sensorvorrichtung und verfahren zur herstellung einer sensorvorrichtung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022540338A true JP2022540338A (ja) | 2022-09-15 |
Family
ID=72088123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021576832A Pending JP2022540338A (ja) | 2019-09-20 | 2020-08-14 | センサーデバイス及びセンサーデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11756712B2 (ja) |
EP (1) | EP4032107A1 (ja) |
JP (1) | JP2022540338A (ja) |
CN (1) | CN114303045A (ja) |
WO (1) | WO2021052690A1 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10116708A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
JP2000243662A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tdk Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2003092306A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003318059A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JP2017126715A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、実装電子部品および電子部品の実装方法 |
JP2019087581A (ja) * | 2017-11-02 | 2019-06-06 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ素子 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3393524B2 (ja) | 1997-03-04 | 2003-04-07 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ素子 |
US7075405B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-07-11 | Tdk Corporation | Multilayer chip varistor and method of manufacturing the same |
US7812705B1 (en) * | 2003-12-17 | 2010-10-12 | Adsem, Inc. | High temperature thermistor probe |
DE102004005664B4 (de) | 2004-02-05 | 2018-12-06 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN102290174A (zh) | 2005-02-08 | 2011-12-21 | 株式会社村田制作所 | 表面安装型负特性热敏电阻 |
JP4744609B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2011-08-10 | ジョインセット カンパニー リミテッド | セラミック部品要素、セラミック部品及びその製造方法 |
KR100821274B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2008-04-10 | 조인셋 주식회사 | 칩 세라믹 전자부품 |
TWI615367B (zh) | 2012-10-12 | 2018-02-21 | 康寧公司 | 具有保留強度之物品 |
DE102012110556B4 (de) | 2012-11-05 | 2014-07-03 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP6119854B2 (ja) | 2013-06-13 | 2017-04-26 | 株式会社村田製作所 | サーミスタおよびその製造方法 |
JP6241973B1 (ja) | 2017-02-28 | 2017-12-06 | 株式会社奥本研究所 | 発光デバイスおよびその製造方法 |
-
2020
- 2020-08-14 EP EP20757313.0A patent/EP4032107A1/de active Pending
- 2020-08-14 JP JP2021576832A patent/JP2022540338A/ja active Pending
- 2020-08-14 CN CN202080061215.8A patent/CN114303045A/zh active Pending
- 2020-08-14 WO PCT/EP2020/072850 patent/WO2021052690A1/de unknown
- 2020-08-14 US US17/597,059 patent/US11756712B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10116708A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
JP2000243662A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tdk Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2003092306A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003318059A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JP2017126715A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、実装電子部品および電子部品の実装方法 |
JP2019087581A (ja) * | 2017-11-02 | 2019-06-06 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114303045A (zh) | 2022-04-08 |
EP4032107A1 (de) | 2022-07-27 |
US20220246335A1 (en) | 2022-08-04 |
US11756712B2 (en) | 2023-09-12 |
WO2021052690A1 (de) | 2021-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101752084B (zh) | 电子部件以及电子部件内置基板 | |
US6753218B2 (en) | Ceramic chip capacitor of conventional volume and external form having increased capacitance from use of closely spaced interior conductive planes reliably connecting to positionally tolerant exterior pads through multiple redundant vias | |
EP2187411B1 (en) | Ceramic electronic component terminals | |
JP4905498B2 (ja) | 積層型セラミック電子部品 | |
JP3531573B2 (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびに電子装置 | |
US6703683B2 (en) | Chip resistor and method for manufacturing the same | |
KR101831593B1 (ko) | 세라믹 전자부품의 제조 방법 및 세라믹 전자부품 | |
JP5225598B2 (ja) | 電子部品およびその製造法 | |
JP2010021386A (ja) | セラミック部品の製造方法 | |
JP2000340448A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2022540338A (ja) | センサーデバイス及びセンサーデバイスの製造方法 | |
KR101709285B1 (ko) | 전자부품의 제조방법 | |
EP3680211A1 (en) | Sensor unit and method of interconnecting a substrate and a carrier | |
JP5347350B2 (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
JP2000106320A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2946261B2 (ja) | 積層電子部品の製造方法 | |
JP7011563B2 (ja) | 回路基板および電子部品 | |
JP4623987B2 (ja) | コンデンサ及びその実装構造 | |
JP4576900B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2001044068A (ja) | 小型な表面実装用部品及びその製造方法 | |
US20080311360A1 (en) | Thick film circuit component and method for manufacturing the same | |
JP2023126865A (ja) | 電子素子実装用基板、電子装置、および電子モジュール | |
JP4032745B2 (ja) | セラミック電子部品の実装構造 | |
JPH03151655A (ja) | 集積回路用パッケージの絶縁基板の製造方法 | |
JP2002164240A (ja) | 積層チップ部品及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230509 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20231003 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20231023 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20231110 |