CN114303045A - 传感器设备和用于制造传感器设备的方法 - Google Patents

Abstract

描述一种传感器设备(10)，具有传感器芯片(16)，其中传感器芯片(16)具有多个被印刷的陶瓷层(12)和未被印刷的陶瓷层(11)，其中被印刷的陶瓷层(12)至少部分地用导电材料(13)印刷，并且其中传感器芯片(16)的电阻通过导电材料(13)的重叠区域(17)确定。此外，传感器设备(10)具有衰减层(14)。此外，描述一种用于制造传感器设备(10)的方法。

Description

传感器设备和用于制造传感器设备的方法

技术领域

本发明涉及一种传感器设备，尤其是用于测量温度的传感器设备。本发明还涉及一种用于制造传感器设备的方法。

背景技术

在不同的应用中尤其对高功率模块、如PIM(Power Integrated Modules，功率集成模块)使用芯片，尤其是陶瓷芯片。所述芯片此外用于温度测量。

通常，相应的系统由陶瓷芯片构成，所述陶瓷芯片以终止层借助于烧结工艺施加到基板上。所述陶瓷芯片随后借助于键合线在表面上接触，其中终止层必须匹配于键合材料和键合技术。

陶瓷芯片通常从烧结的和抛光的基板中切出，其中器件的电阻通过几何形状来控制。尤其对于小的电阻公差，所述工艺是相对耗费的，因为几何形状具有非常大的影响。由此，所述工艺是具有次品的，相对复杂的且昂贵的。此外，器件的几何形状不是统一的，因为出自每个陶瓷基板的芯片可以具有略微不同的几何形状。由于锯割工艺也会出现器件的损坏。

与键合技术和对整个模块选择的工艺参数(键合线材料、键合线厚度)相关地，此外非常大的力可以作用到陶瓷芯片上。由此，可能会出现损坏，例如折断，这可能会造成芯片的完全断裂。

为了减小机械损坏，至今为止仅可行的是，调整键合参数(例如更细的键合线)，将陶瓷芯片更厚地构成或使用更鲁棒的陶瓷材料。

发明内容

目的是提出一种改进的传感器设备和一种用于制造改进的传感器设备的方法。

所述目的通过根据独立权利要求的传感器设备和方法来实现。

根据一个方面提出一种传感器设备。优选地，传感器设备构成用于测量温度。传感器设备例如应用在高功率模块、如PIM中。

传感器设备具有至少一个传感器芯片。传感器芯片具有多个陶瓷层。陶瓷层优选具有带有NTC(Negative Temperature Coefficient，负温度系数)特性的材料。优选地，传感器芯片是NTC多层芯片。

传感器芯片具有多个未被印刷的陶瓷层。换言之，没有在相应的陶瓷层上施加其他材料。

此外，传感器芯片具有多个被印刷的陶瓷层。被印刷的和未被印刷的陶瓷层上下相叠地组合成堆叠。在此，每个未被印刷的层可以跟随有被印刷的层。优选地，在两个被印刷的层之间设置有多个未被印刷的陶瓷层。

被印刷的陶瓷层至少部分地用导电材料，例如钯、铂、铜、银或金印刷。印刷在此可以在一个或多个步骤中进行。导电材料优选地借助于丝网印刷来印刷到陶瓷层的至少一个子区域上。通过所述方法可以精确地印刷相应的层的准确预定的区域。

传感器设备具有至少一个终止层，所述终止层用于电接触导电材料或内电极。至少一个终止层可以具有贵金属，例如Au或Ag。

在被印刷的陶瓷层上的导电材料作用为传感器芯片的内电极。传感器芯片的电阻通过导电材料的重叠区域从而通过内电极的重叠或通过导电材料距终止层的间距来确定。在此，用重叠区域表示如下区域，在该区域中不同的被印刷的陶瓷层的导电材料沿堆叠方向上下相叠地设置。重叠区域(所述区域垂直于堆叠方向的扩展)越大，电阻越小。重叠区域越小，电阻越大。在导电材料和终止层之间的间距越大，电阻越大。

通过多层设计的芯片构造在预设的芯片几何形状的情况下，电阻决定性地经由传感器芯片的内部构造来设定。借助于多层技术的构造在此保证，不同芯片的外部几何形状始终保持相同。

此外，通过准确地印刷，可以非常好地设定电阻从而在工艺技术方面更简单地实现高的准确性。不存在在从基板中切出芯片时的高的次品率。由于连接技术(例如键合)引起的外部影响最小化。由此提供低成本的且稳定的传感器设备。

在一个实施方式中，传感器设备具有至少一个终止层，其用于电接触导电材料或内电极。至少一个终止层具有贵金属，例如Au或Ag。

传感器设备可以具有多于一个终止层。例如，传感器设备具有两个终止层。所述终止层可以相对置地设置在传感器设备的不同的外侧上。终止层是可键合的。换言之，所述终止层设计用于与键合线连接。

终止层至少在传感器设备或传感器芯片的上侧处构成。传感器设备的上侧在此是如下侧，从所述侧起电接触传感器设备，优选借助于键合线电接触。附加地，也还可以在传感器设备或传感器芯片的下侧上构成终止层。至少一个终止层在此优选印刷或溅镀到传感器设备的上侧和/或下侧上。

终止层形成对传感器设备相对于外部影响的保护。此外，所述终止层用于可靠地向外接触完整的传感器设备。此外，通过终止层保证内电极的电接触。

在一个实施方式中，传感器设备具有至少一个衰减层。衰减层优选直接施加在传感器芯片的外面的至少一个子区域上。外面在此理解为传感器芯片的上侧、下侧以及侧面。

优选地，衰减层例如借助于丝网印刷直接施加在传感器芯片的上侧上。特别优选地，传感器芯片的上侧完全地用衰减层覆盖。

替选地，传感器设备可以具有内部终止层，所述内部终止层设置在衰减层和传感器芯片之间。在此，衰减层可以夹层式地设置在内部终止层和上述终止层之间。内部终止层可以用于接触形成传感器芯片的内电极的电材料。

替选地或附加地，衰减层也可以直接施加到传感器芯片的下侧上。替选地或附加地，衰减层也可以直接施加到传感器芯片的侧面上。在该上下文中，将“直接”理解为，在传感器芯片和衰减层之间不设置有其他材料或其他层。尤其，衰减层构成为，使得所述衰减层设置在传感器芯片和终止层之间。

衰减层相对于标准芯片造成传感器芯片的更高的机械稳定性。由此可以将在键合工艺中出现的机械力接收并且更好地分配并且在传感器芯片中出现较小的损伤。由此提供鲁棒的且低成本的器件。

在一个实施方式中，衰减层具有如下材料，所述材料具有比终止层的材料更大的弹性。由此，可以可靠地补偿在键合工艺中出现的机械力。例如，衰减层具有导电聚合物或具有填充有银颗粒的环氧树脂。

根据另一方面描述一种用于制造传感器设备的方法。优选地，通过所述方法制造上述传感器设备。关于传感器设备或方法所公开的所有特性也相应地关于相应的其他方面公开并且反之亦然，即使相应的特性没有详尽地在相应的方面的上下文中提到也如此。所述方法具有如下步骤：

A)提供陶瓷膜。多个陶瓷膜可供使用，其中膜具有带有NTC特性的材料。

B)用导电材料印刷陶瓷膜的一部分，以构成被印刷的陶瓷层和未被印刷的陶瓷层。导电材料在制成的设备中用作为传感器芯片的内电极。导电材料优选地借助于丝网印刷来印刷到膜的子区域上，以便制造被印刷的陶瓷层。例如，导电材料具有钯、铂、铜、金或银。

将陶瓷膜极其精确地用导电材料以预设的几何形状印刷。通过精确地印刷，可以确定传感器芯片的电阻。尤其，通过导电材料沿堆叠方向的重叠区域来确定芯片的从而传感器设备的电阻。

C)将被印刷的和未被印刷的陶瓷膜上下相叠地设置，以构成堆叠。在此，被印刷的和未被印刷的陶瓷膜可以交替地上下相叠地设置。优选地，在两个被印刷的膜之间设置多个未被印刷的膜。沿堆叠方向观察，被印刷的膜的导电材料在此形成重叠区域。

D)从堆叠中切出(Cutten，切割)期望的几何形状以构成传感器芯片。在此，多个传感器芯片能够以预定的几何形状精确地从堆叠中切出。

E)将传感器芯片烧结。尤其，在施加终止层和衰减层之前进行该步骤。

F)在传感器芯片的外面的至少一个子区域上构成至少一个衰减层。优选地，将衰减层例如借助于丝网印刷直接印刷到上侧(传感器芯片的大面积)上。衰减层可以替选地或附加地也直接印刷到传感器芯片的下侧和/或侧面上。衰减层可以具有导电聚合物或填充有银颗粒的环氧树脂。衰减层提高传感器芯片的机械稳定性并且使其较少受在键合时出现的力影响。

G)在传感器芯片的外面的子区域上和/或在衰减层上施加另外的导电材料，以构成至少一个终止层。所述另外的导电材料优选具有贵金属，例如银或金。另外的导电材料被印刷或溅镀。材料可以直接施加到传感器芯片的表面上，或者在相关的表面处存在衰减层的情况下，直接施加到衰减层的表面上。

终止层形成传感器设备的最外层。终止层构成用于与键合线连接，用于电接触传感器设备。

在步骤E)之后和在步骤F)之前可以在传感器芯片(16)上产生内部终止层(15)，其中在步骤F)中直接在内部终止层上产生衰减层(14)。

H)电接触传感器设备。在此步骤中可以将键合线施加到终止层的表面上。替选地，传感器设备可以通过烧结连接或焊接连接接触。

通过该方法制造的传感器设备的特征尤其在于特别的鲁棒性。通过衰减层可以将在键合时出现的机械力接收和最优地分配。此外，在所述设备中通过传感器芯片的内部构造可以精确地设定电阻。

附图说明

下面所描述的附图不理解为符合比例的。更确切地说，为了更好的视图将个别尺寸放大地、缩小地或也变形地示出。

彼此相同的或具有相同功能的元件用相同的附图标记表示。

附图示出：

图1示出根据现有技术的传感器设备；

图2示出根据一个实施方式的传感器设备的部分方面；

图3a示出根据另一实施方式的传感器设备的部分方面；

图3b示出根据另一实施方式的传感器设备的部分方面；

图3c示出根据另一实施方式的传感器设备的部分方面；

图4示出根据一个实施方式的传感器设备；

图5示出根据另一实施方式的传感器设备。

具体实施方式

图1示出根据现有技术的传感器设备1。传感器设备1具有芯片2，尤其是陶瓷芯片2。例如，芯片2是NTC芯片并且传感器设备1用于温度测量。所述传感器设备1例如应用在高功率模块、如PIM中。

芯片2借助于由贵金属(例如Ag或Au)构成的终止层3借助于烧结工艺(例如烧结银4)施加到基板5上。

芯片2随后借助于键合线6在表面上接触，其中终止层3必须匹配于键合材料和键合技术(金属线厚度等)。终止层3通常通过溅镀或丝网印刷来施加。

芯片2通常从烧结的并且抛光的基板中切出。芯片2或传感器设备1的电阻通过芯片2的几何形状来控制。尤其对于小的电阻公差而言，所述工艺是相对耗费的，因为几何形状具有非常大的影响。由此，所述工艺是具有次品的且耗费的。

各个芯片2的几何形状也不是统一的，因为出自每个陶瓷基板的芯片2可以具有略微不同的几何形状。此外，在切出时会出现芯片2的损坏。

此外——根据键合技术和对传感器设备1选择的工艺参数——非常高的力会作用到芯片2上，由此会出现芯片2的损坏直至完全折断。

在下面所描述的传感器设备或传感器设备的部分方面中，芯片借助多层工艺和内电极构造，以便可以决定性地经由芯片的内部构造来设定电阻。由此，通过连接技术造成的外部影响最小化。

此外，下面提出传感器芯片的表面终止部，所述表面终止部对传感器芯片从而整个传感器设备可实现，在键合时在没有损坏的情况下承受住较高的力。

图2示出根据一个实施方式的传感器设备10的部分方面。尤其地，图2示出传感器设备10的传感器芯片16。传感器芯片16具有多个陶瓷层11、12。

传感器芯片16是多层芯片。尤其，传感器芯片16是多层NTC芯片。换言之，陶瓷层11、12具有带有NTC特性的材料。传感器芯片16或传感器设备10由此构成用于测量温度。传感器设备10构成用于，应用在高功率模块、如PIM中。

传感器芯片16具有多个未被印刷的陶瓷层11。传感器芯片16还具有多个被印刷的陶瓷层12。相应的被印刷的陶瓷层12借助导电材料13，例如Ag或Au或Cu印刷。

相应的被印刷的陶瓷层12仅部分地用导电材料13印刷。导电材料13在此分别伸展直至相应的被印刷的陶瓷层12的边缘区域。导电材料13形成传感器芯片16的内电极19(对此也参见图3a至3c)。

被印刷的和未被印刷的层11、12例如可以交替地设置。优选地，被印刷的陶瓷层12跟随有多个未被印刷的陶瓷层11。

陶瓷层12借助导电材料13印刷并且接着堆叠为，使得被印刷的陶瓷层12的内电极19或导电材料13至少部分地重叠。换言之，材料13沿堆叠方向形成重叠区域17。通过重叠区域17，尤其是通过重叠区域17的大小(重叠区域17垂直于堆叠方向的扩展)，确定传感器芯片16的电阻。重叠区域17越大，即重叠区域17垂直于堆叠方向的扩展越大，电阻越小。重叠区域17越小，电阻越大。

传感器芯片16具有外面16a。外面16a由两个相对置的大面积的侧部形成，所述侧部在传感器设备10中形成传感器芯片16的上侧20或下侧21。此外，外面16a由传感器芯片16的侧面22形成。

为了电接触内电极19提供终止层15(未详尽地示出，参见图4)。相应的终止层15具有贵金属，例如Au或Ag。

尤其，优选在上侧20处构成有终止层15并且在下侧21处构成有终止层15。对此替选地，例如也可以仅在上侧20处构成有终止层15。与已知的多层芯片不同，内电极19(导电材料13)由此经由“大面积”(传感器芯片16的上侧20和/或下侧21)接触。

在此，终止层15不必与传感器芯片16的外面16a直接接触。优选地，在传感器芯片16和终止层15之间构成有另外的层，尤其是衰减层15，所述另外的层结合图4详细描述。

通过以多层技术构造传感器芯片16可以保证，不同的传感器芯片16的外部几何形状始终是相同的，因为不从陶瓷基板中切出。此外，通过准确地印刷陶瓷层12可以非常好地设定电阻。由此，可以在工艺技术方面更简单地实现高的准确性。

用于多层技术的所有已知的设计变型形式可以转用于对传感器芯片16的所述设计，如可以从图3a至3c中得出的那样。

在此，图3a示出具有以所谓的间隙设计的内电极19的传感器芯片16。在传感器芯片16的上侧20上设置有第一终止层15a。在传感器芯片16的下侧21上设置有第二终止层15b。

在此，相应的被印刷的陶瓷层12的预定的子区域(在此例如是邻接于传感器芯片16的下侧21的子区域)完全不具有内电极。在陶瓷层12的所述子区域上连接有第二终止层15b。在被印刷的层12的另外的预定的子区域上(在本实施例中是邻接于上侧20的子区域)构成有内电极19。内电极19经由第一终止层15a电接触。所有内电极19具有相同的极性。传感器芯片的有源体积在内电极19的指向下侧21的端部和第二终止层15b之间构成。内电极19/导电材料13垂直于堆叠方向的扩展在此确定有源体积的大小。在本实施例中不设有不同极性的内电极19的重叠区域17。

图3b示出具有在重叠设计中的内电极19(导电材料13)的传感器芯片16，如已经结合图2所示出那样。在此，用导电材料13印刷陶瓷层12的不同的子区域并且设置成堆叠。这样第一陶瓷层12具有被印刷的子区域，所述被印刷的子区域从相应的陶瓷层12的中间区域伸至传感器芯片16的上侧20。第二陶瓷层12具有被印刷的子区域，所述被印刷的子区域从相关的陶瓷层12的中间区域伸至传感器芯片16的下侧21。被印刷的区域或内电极19沿堆叠方向重叠(重叠区域17)。

在本实施例中，传感器设备10优选具有至少两个终止层15。所述终止层15在传感器设备10或传感器芯片16的上侧处和下侧处构成。

图3c示出具有内电极19的串联连接的传感器芯片16。在此，第一陶瓷层12具有两个被印刷的子区域。所述子区域中的一个子区域从相应的陶瓷层12的中间区域伸至传感器芯片16的上侧20。另外的子区域从相关的陶瓷层12的中间区域伸至传感器芯片16的下侧21。在此，从中间区域伸展至上侧20的子区域形成第一内电极19a。从中间区域伸展至下侧的子区域形成第二内电极19b。各一个第一和第二内电极19a、19b在一个平面中设置并且不彼此触碰。

相反地，第二陶瓷层具有仅一个被印刷的子区域(在此是中间区域)。在第二陶瓷层上通过仅在中间区域中设置的印刷部构成悬浮电极19c(英文“floating electrode”)，所述悬浮电极不与终止层电连接。传感器芯片16具有两个终止层15a、15b。第一终止层15a设置在上侧20上并且与第一内电极19a连接，所述第一内电极伸展至上侧20。第二终止层15b设置在下侧21上并且与第二内电极19b连接，所述第二内电极伸展至下侧21。

由此得出内电极19的两个重叠区域17。尤其，在此存在第一重叠区域17a，所述第一重叠区域在传感器芯片16的更靠近上侧20的区域中构成。第一重叠区域通过第一内电极19a和悬浮电极19c的重叠形成。第二重叠区域17b更靠近传感器芯片的下侧21。第二重叠区域通过第二内电极19b和悬浮电极19c的重叠形成。重叠区域17a、17b相加为整个重叠区域17。

图4描述根据一个实施方式的传感器设备10。

传感器设备10具有结合图2和3a至3c所描述的传感器芯片16。传感器芯片16是多层技术的NTC芯片。传感器芯片16的电阻如上文所描述的那样通过内电极19的重叠区域17的大小描述。

传感器芯片16具有外面16a，所述外面由上侧20、下侧21和侧面22形成(对此也参照图2)。

传感器芯片16还具有衰减层14。衰减层14与传感器芯片16直接机械接触。衰减层14优选地借助于丝网印刷施加到传感器芯片16上。

衰减层14构成和设置为用于，相对于标准芯片保证传感器芯片16的更高的机械稳定性。由此可以将在键合工艺中出现的机械力接收并且更好地分配。因此，在传感器芯片16中出现与标准芯片相比更小的损坏。

衰减层14优选具有导电聚合物。例如，衰减层14可以具有聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT或PEDT)。衰减层14还可以具有聚苯乙烯磺酸盐(PSS)。对此替选地，衰减层14例如也可以具有聚对苯撑(PPP)作为导电聚合物。

在一个替选的实施例中，衰减层14也可以具有填充有Ag颗粒的环氧树脂。

在该实施例中，衰减层14直接在传感器芯片16的上侧20上构成。替选地或附加地，衰减层14也可以直接在传感器芯片16的下侧21处构成。

传感器设备10还具有至少一个终止层15。优选地，传感器设备10具有两个终止层15。所述终止层优选在传感器设备10的相对置的外面处构成(未详尽地示出)。

衰减层14设置在传感器芯片16和终止层15之间。换言之，终止层15例如借助于溅镀或丝网印刷施加在衰减层14上。终止层15具有导电材料，优选贵金属。终止层15例如具有Au或Ag。终止层15用于电接触内电极19。

优选地，衰减层14具有比终止层15更大的厚度(在此情况下是垂直于堆叠方向的扩展)。此外，衰减层14的材料具有比终止层15的材料更大的弹性。以这种方式，与这在标准芯片的情况下相比，传感器芯片16可以补偿在键合工艺中的更大的机械负荷。

为了电接触，传感器设备还具有键合线18。键合线18直接与终止层15的表面连接。

图5示出传感器设备10的另一实施例的示意图。传感器设备10具有两个衰减层14，在这两个衰减层之间设置有传感器芯片16。在此，传感器芯片16可以根据结合图3a至3c所描述的实施方式构成。

每个衰减层14由内部的终止层15c和外部的终止层15夹层式地设置，其中所述内部的终止层朝向传感器芯片16并且直接连接于所述传感器芯片并且所述外部的终止层形成传感器设备10的上侧或下侧。内部的终止层15c用于电接触内电极19。外部的终止层15用于例如借助于键合线，借助于烧结层或借助于焊接层来电接触传感器设备10。衰减层14提高传感器设备10的机械稳定性。

下面，描述一种用于制造传感器设备10的方法。优选地，通过所述方法制造根据上文所描述的实施例之一的传感器设备10。因此，所有结合传感器设备10所描述的特征也应用于方法并且反之亦然。

在第一步骤A)中提供多个陶瓷膜。陶瓷膜具有带有NTC特性的材料。陶瓷膜用作为用于制造被印刷的陶瓷层12和未被印刷的陶瓷层11的基础。

在另一步骤B)中用导电材料13印刷陶瓷膜的一部分以构成被印刷的陶瓷层12。被印刷的陶瓷层12的用导电材料13印刷的子区域在制成的传感器设备10中形成传感器芯片16的内电极19。在内电极19之间的重叠区域17确定制成的传感器芯片16的电阻。

在另一步骤C)中将被印刷的和未被印刷的陶瓷膜上下相叠地设置成堆叠。在此，被印刷的陶瓷膜跟随有至少一个，优选多个未被印刷的陶瓷膜(对此也参照图2)。

在另一步骤D)中从堆叠中切出(切割)期望的或预设的几何形状以构成传感器芯片16。在此，可以切出具有相同的预定的几何形状的多个传感器芯片16。不存在由于从承载材料中切出芯片引起的几何形状方面的偏差。

在另一步骤E)中将切出的堆叠/传感器芯片16烧结。

接着，在步骤F)中，在传感器芯片16的外面16a的至少一个子区域上优选借助于丝网印刷施加至少一个衰减层。例如，将衰减层14直接印刷到传感器芯片16的上侧20上。优选地，衰减层14具有导电聚合物或由银颗粒填充的环氧树脂。

在下一步骤G)中提供另外的导电材料，优选贵金属，以便构成至少一个终止层15。终止层15用于电接触内电极19。

终止层15的材料例如借助于溅镀或借助于丝网印刷例如施加到衰减层14和/或外面16a的子区域上(优选施加到形成传感器芯片16的上侧20和下侧21的大面积的侧部上)。

优选地，将终止层15直接施加在衰减层14上从而形成传感器设备10的上部封闭部。附加地，优选地将终止层15直接在传感器芯片16的下侧21上构成(只要在那里没有另外的衰减层14构成，在此情况下另外的终止层15设置在衰减层14上)。

在最后的步骤H)中电接触传感器设备10。这通过将键合线18施加到终止层15的表面上进行。由于在终止层15和传感器芯片16之间构成的衰减层14，在此产生的机械负荷可以尽可能补偿从而避免在传感器芯片16处的损坏。

对在此给出的主题的描述不局限于各个特定的实施方式。更确切地说，各个实施方式的特征——只要是技术上有意义地的——可以任意地彼此组合。

附图标记列表

1 传感器设备

2 传感器芯片

3 终止层

4 烧结银

5 基板

6 键合线

10 传感器设备

11 未被印刷的陶瓷层

12 被印刷的陶瓷层

13 导电材料

14 衰减层

15 终止层

15a 第一终止层

15b 第二终止层

15c 内部终止层

16 传感器芯片

16a 外面

17 重叠区域

17a 第一重叠区域

17b 第二重叠区域

18 键合线

19 内电极

19a 第一内电极

19b 第二内电极

19c 悬浮电极

20 传感器芯片的上侧

21 传感器芯片的下侧

22 传感器芯片的侧面

Claims (16)

1.一种传感器设备(10)，所述传感器设备具有传感器芯片(16)，其中所述传感器芯片(16)具有多个被印刷的陶瓷层(12)和未被印刷的陶瓷层(11)，

其中所述传感器设备(10)具有至少一个用于电接触所述导电材料(13)的终止层(15、15a、15b)，其中所述终止层(15、15a、15b)至少在所述传感器芯片(16)的上侧(20)和/或下侧(21)处构成，

其中所述被印刷的陶瓷层(12)至少部分地用导电材料(13)印刷，并且其中所述传感器芯片(16)的电阻通过所述导电材料(13)的重叠区域(17)或通过所述导电材料(13)距所述终止层(15、15a、15b)的间距确定，

其中所述传感器设备(10)具有至少一个衰减层(14)，其中所述衰减层(14)直接施加在所述传感器芯片(16)的外面的至少一个子区域上，并且其中所述衰减层(14)的材料具有比所述终止层(15)的材料更大的弹性。

2.根据权利要求1所述的传感器设备(10)，

其中所述至少一个终止层(15)具有贵金属。

3.根据权利要求1或2所述的传感器设备(10)，

其中所述至少一个终止层(15)是印刷或溅镀的。

4.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，

其中所述至少一个衰减层(14)在所述传感器芯片(16)和所述终止层(15)之间构成。

5.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，

其中所述传感器设备(10)具有内部终止层(15c)，所述内部终止层设置在所述至少一个衰减层(14)和所述传感器芯片(16)之间。

6.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，

其中所述衰减层(14)具有导电聚合物或具有填充有银颗粒的环氧树脂。

7.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，

其中所述衰减层(14)借助于丝网印刷来施加到所述传感器芯片(16)的外面(16a)的至少一个子区域上。

8.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，

其中所述传感器设备(10)构成用于测量温度。

9.根据上述权利要求中任一项所述的传感器设备(10)，

其中所述传感器芯片(16)是NTC多层芯片。

10.一种用于制造传感器设备(10)的方法，所述方法具有如下步骤：

A)提供陶瓷膜；

B)用导电材料(13)印刷所述陶瓷膜的一部分，以构成被印刷的陶瓷层(12)和未被印刷的陶瓷层(11)；

C)将被印刷的陶瓷膜和未被印刷的陶瓷膜上下相叠地设置，以构成堆叠；

D)从所述堆叠中切出期望的几何形状，以构成传感器芯片(16)；

E)将所述传感器芯片(16)烧结；

F)在所述传感器芯片(16)的外面(16a)的至少一个子区域上构成至少一个衰减层(14)；

G)在所述传感器芯片(16)的外面(16a)的子区域上和/或在所述衰减层(14)上施加另外的导电材料，以构成至少一个终止层(15)。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中所述衰减层(14)具有导电聚合物或具有填充有银颗粒的环氧树脂。

12.根据权利要求10或11所述的方法，

其中将所述衰减层(14)借助于丝网印刷施加到所述传感器芯片(16)的外面(16a)的至少一个子区域上。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，

其中所述陶瓷膜具有带有NTC特性的材料。

14.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，

其中在步骤E)之后和在步骤F)之前，在所述传感器芯片(16)上产生内部终止层(15)，并且其中在步骤F)中，直接在所述内部终止层(15c)上产生所述衰减层(14)。

15.根据权利要求10至14中任一项所述的方法，

所述方法还具有如下步骤：

H)电接触所述传感器设备(10)，其中通过将键合线(18)施加到所述终止层(15)的表面上或通过烧结连接或通过焊接连接电接触所述传感器设备(10)。

16.根据权利要求10至15中任一项所述的方法，

其中所述衰减层(14)的材料具有比所述终止层(15)的材料更大的弹性。

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