JP2004101207A - 圧力検出装置用パッケージ - Google Patents

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Abstract

【課題】小型でかつ感度が高く、外部の圧力を正確に検出することができるとともに、大きな外力や内部応力によって外部電気回路基板との接合部が破壊されることもなく、電気的な接続信頼性の高い実装が可能となる圧力検出装置を提供すること。
【解決手段】外部接続用導体9およびダミー導体9aは、一方の主面の中心に対してそれぞれ略点対称となるように配列されているとともにそれぞれの面積および形状が外部接続用導体9同士およびダミー導体9a同士で略同一となるように形成されており、ダミー導体9aは、その面積が外部接続用導体9の面積よりも広く、かつ隣接する外部接続用導体9のいずれか一方と両者間に形成された帯状の連結用導体9bを介して電気的に接続されている。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力を検出するための圧力検出装置に使用される圧力検出装置用パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、圧力を検出するための圧力検出装置として静電容量型の圧力検出装置が知られている(特許文献1参照)。この静電容量型の圧力検出装置は、例えば図3に断面図で示すように、セラミックス材料や樹脂材料から成る配線基板21上に、静電容量型の感圧素子22と、パッケージ28に収容された演算用の半導体素子29とを備えている。感圧素子22は、例えばセラミックス材料等の電気絶縁材料から成り、上面中央部に静電容量形成用の一方の電極23が被着された凹部を有するセラミック基体24と、このセラミック基体24の上面にセラミック基体24との間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合され、下面に静電容量形成用の他方の電極25が被着されたセラミック板26と、各静電容量形成用の電極23・25をそれぞれ外部に電気的に接続するための外部リード端子27とから構成されており、外部の圧力に応じてセラミック板26が撓むことにより各静電容量形成用の電極23・25間に形成される静電容量が変化する。そして、この静電容量の変化を演算用の半導体素子29により演算処理することにより外部の圧力を検出することができる。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−356064号公報(第2頁、図4)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の圧力検出装置によると、感圧素子22と半導体素子29とを配線基板21上に個別に実装していることから、圧力検出装置が大型化してしまうとともに圧力検出用の電極23・25と半導体素子29との間の配線が長いものとなり、この長い配線間に不要な静電容量が形成されるため感度が低いという問題点を有していた。
【0005】
そこで、本願出願人は、特開2001−356064号において、一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有するセラミック基体と、このセラミック基体の表面および内部に配設され、半導体素子の各電極が電気的に接続される複数のメタライズ配線導体と、このセラミック基体の他方の主面との間に密閉空間を形成するように可撓な状態でセラミック基体に焼結一体化されたセラミック板と、密閉空間内のセラミック基体表面に被着され、メタライズ配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一メタライズ電極と、セラミック板の内側面に第一メタライズ電極と対向するように被着され、メタライズ配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二メタライズ電極とを具備して成る圧力検出装置用パッケージを提案した。
【0006】
この圧力検出装置用パッケージによると、一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有するセラミック基体の他方の主面に静電容量形成用の第一メタライズ電極を設けるとともに、この第一メタライズ電極に対向する静電容量形成用の第二メタライズ電極を内側面に有するセラミック板を、セラミック基体の他方の主面との間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合させたことから、半導体素子を収容するパッケージに感圧素子が一体に形成され、その結果、圧力検出装置を小型とすることができるとともに圧力検出用の電極と半導体素子とを接続する配線を短いものとして、これらの配線間に発生する不要な静電容量を小さなものとすることができる。
【0007】
そして、この特開2001−356064号で提案した圧力検出装置用パッケージによると、セラミック基体の外周部には、セラミック基体の一方の主面から側面にかけて下面視で略四角形状に形成された複数の切欠き部が配列されており、この複数の切欠き部の配列に対応するように複数の外部接続用導体がセラミック基体の一方の主面に被着され、さらに外部接続用導体とメタライズ配線導体とを接続する側面導体が切欠き部の側面に被着されている。そして、この複数の外部接続用導体は半導体素子の各電極に電気的に接続されており、外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合材を介して接合されることによりパッケージ内部に収容される半導体素子が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。また、切欠き部の側面の側面導体と外部回路基板の配線導体との間には導電性接合材から成るメニスカスが形成されることにより、外部電気回路基板の配線導体との接合がより強固なものとされている。
【0008】
しかしながら、セラミックはその硬度は高いが脆いという性質を有することから、セラミック基体側面の各コーナー部に切欠き部を形成した場合、この各コーナー部に形成した切欠き部からクラックが発生しやすいために、信頼性の観点から各コーナー部に切欠き部を形成することができず、セラミック基体の各コーナー部と外部電気回路基板との接合強度が充分でないという課題を有していた。
【0009】
また、セラミック基体の一方の主面の各コーナー部に、外部接続用のダミー導体を形成することも考えられる。しかしながら、通常、外部接続用の導体は導電性接合材との接合を良好、かつ強固とするためにその表面に電解めっきにより金やニッケル・半田等の良導電性の金属めっき層を被着させる必要があるが、電解めっきを行なうには、金属めっき層を被着させる箇所に通電用の端子を当接させる必要があり、セラミック基体のコーナー部では、このような通電用の端子の当接によっても欠けやクラックが発生する危険性があり、セラミック基体の一方の主面の各コーナー部に外部接続用のダミー導体を形成したとしても、セラミック基体に欠けやクラックを発生させずにダミー導体の表面に電解めっき層を被着させることが困難であるという問題点を有していた。
【0010】
さらに、この圧力検出装置用パッケージの複数の外部接続用導体は、近時のパッケージの多端子化および小型化に伴って、複数の外部接続用導体の幅およびその隣り合う隙間が小さなものとなってきており、そのため、この複数の外部接続用導体が外部電気回路基板の配線導体へ半田等の導電性接合材を介して接合される場合において、セラミック基体の一方の主面に被着された複数の外部接続用導体と外部電気回路基板の配線導体との接合面積が小さくなるとともに、側面導体と外部回路基板の配線導体との間の導電性接合材から成るメニスカスの形成も非常に小さなものとなり、外部電気回路基板への接合強度が非常に低下してしまうという問題点を有していた。
【0011】
また、セラミック基体の一方の主面に被着された複数の外部接続用導体は、セラミック基体の各側面の配列ごとに形状および面積が不均一であると、外部接続用導体が外部電気回路基板へ半田等の導電性接合材を介して接合される場合に、外部接続用導体毎に半田等の導電性接合材によって形成されるバンプの高さが不均一となって、セラミック基体と外部電気回路基板の配線導体間で接合不良が発生してしまうという問題点を、さらにはもっとも大きな応力が作用するセラミック基体のコーナー近傍の接合部において接合部が破壊してしまい、その接合部の切欠き部からセラミック基体のコーナー部にかけて欠けやクラックが発生してしまうという問題点を有していた。
【0012】
またさらには、この接合強度の低下により、例えば、車のタイヤ内の内圧を検出する圧力検出装置の場合、外部接続用のダミー導体と外部電気回路基板の配線導体との接合部には、タイヤ内の内圧が印加され続けているとともに、走行中の振動などによるタイヤ外の外圧が繰り返し印加されるため、これらの外力により接合部が破壊してしまったり、また停車時や走行中のタイヤ内の温度変化により、例えば、パッケージがセラミックで外部電気回路基板がガラスエポキシ樹脂の場合など、その熱膨張係数が互いに異なるため、この温度変化により、特にセラミック基体のコーナー部の接合部には大きな応力が発生し、その応力により接合部が破壊してしまうこととなり、パッケージの内部に収容する半導体素子の各電極が外部電気回路に電気的に接続できなくなるという問題点を有していた。
【0013】
本発明は、かかる上述の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、小型でかつ感度が高く、外部の圧力を正確に検出することができるとともに、大きな外力や内部応力によって外部電気回路基板との接合部が破壊されることがなく、電気的な接続信頼性の高い実装が可能となる圧力検出装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧力検出装置用パッケージは、一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有するセラミック基体と、このセラミック基体の表面および内部に、その一端が前記搭載部またはその周辺に導出するように配設されており、前記半導体素子の各電極が電気的に接続される複数のメタライズ配線導体と、前記セラミック基体の他方の主面との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で前記セラミック基体に接合されたセラミック板と、前記密閉空間内の前記セラミック基体の他方の主面に被着されており、前記メタライズ配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一メタライズ電極と、前記セラミック板の内側主面に前記第一メタライズ電極と対向するように被着されており、前記メタライズ配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二メタライズ電極とを具備して成る圧力検出装置用パッケージであって、前記セラミック基体の前記一方の主面に複数のダミー導体が各コーナー近傍に配設されて被着され、前記ダミー導体間にそれぞれ前記セラミック基体の側面に沿った配列で複数の外部接続用導体が被着されるとともに、この外部接続用導体は各外部接続用導体から前記側面にかけて被着された側面導体を介して前記メタライズ配線導体に電気的に接続されており、前記外部接続用導体および前記ダミー導体は、前記一方の主面の中心に対してそれぞれ略点対称となるように配列されているとともにそれぞれの面積および形状が前記外部接続用導体同士および前記ダミー導体同士で略同一となるように形成されており、前記ダミー導体は、その面積が前記外部接続用導体の面積よりも広く、かつ隣接する前記外部接続用導体のいずれか一方と両者間に形成された帯状の連結用導体を介して電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【0015】
本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、外部接続用導体およびダミー導体が一方の主面の中心に対してそれぞれ略点対称となるように配列されているとともにそれぞれの面積および形状が外部接続用導体同士およびダミー導体同士で略同一となるように形成されていることから、外部接続用導体およびダミー導体が外部電気回路基板の配線導体へ半田等の導電性接合材を介して接合される場合において、その接合部への外力や内部応力が均一に分散され応力が一箇所に集中することがなくなり、もっとも大きな応力が作用するセラミック基体のコーナー近傍の接合部においても、その接合部が破壊して接合部の切欠き部からセラミック基体のコーナー部にかけて欠けやクラックが発生することを防止することができる。
【0016】
また、一方の主面の各コーナー近傍に配設されて被着された複数のダミー導体が、隣接する外部接続用導体のいずれか一方と両者間に形成された帯状の連結用導体を介して電気的に接続されていることから、コーナー近傍に配設されたダミー導体に電解めっきにより金属めっき層を被着させるための通電用の端子を当接させずに、すなわちセラミック基体のコーナー部に欠けやクラックを発生させることなく、ダミー導体の表面に電解めっき層を良好に被着させることが可能となり、その結果、このコーナー部に配設された外部接続用のダミー導体が外部電気回路基板の配線導体に接合されることで、その他の外部接続用導体と外部電気回路基板の配線導体との接合を補強することができる。
【0017】
さらに、ダミー導体は、その面積が外部接続用導体の面積より広いことから、ダミー導体に半田等の導電性接合材によって形成されるバンプの高さが外部接続用導体に形成されるバンプの高さより高いものとなろうとしても、半田等の導電性接合材はその自重により帯状の連結用導体を介して外部接続用導体へ流動し、さらにはセラミック基体側面に被着された側面導体へ流動することによって、ダミー導体に形成されるバンプの高さが他の複数の外部接続用導体に形成されるバンプの高さと略同じ高さとなり、その結果、セラミック基体と外部電気回路基板間で接合不良が発生してしまうこともない。
【0018】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の圧力検出装置用パッケージを添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図、図2は、図1に示す圧力検出装置用パッケージの下面図であり、図中、1はセラミック基体、2はセラミック板、3は半導体素子である。
【0019】
セラミック基体1は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラス−セラミックス等の電気絶縁材料から成る略四角平板状の積層体であり、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法を採用してシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工・積層加工・切断加工を施すことによりセラミック基体1用の生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約1600℃の温度で焼成することにより製作される。
【0020】
セラミック基体1は、その一方の主面中央部、本実施例では下面中央部に半導体素子3を収容するための凹部1aが形成されており、これにより半導体素子3を収容する容器として機能する。そして、この凹部1aの底面中央部が半導体素子3が搭載される搭載部1bとなっており、この搭載部1bに半導体素子3を搭載するとともに凹部1a内に例えばエポキシ樹脂等の樹脂製封止材4を充填することにより半導体素子3が封止される。
【0021】
また、搭載部1bには半導体素子3の各電極と接続される複数のメタライズ配線導体5が導出しており、このメタライズ配線導体5と半導体素子3の各電極を半田バンプ6等の導電性材料から成る導電性接合材を介して接合することにより半導体素子3の各電極と各メタライズ配線導体5とが電気的に接続されるとともに半導体素子3が搭載部1bに固定される。なお、この例では、半導体素子3の電極とメタライズ配線導体5とは半田バンプ6を介して接続されるが、半導体素子3の電極とメタライズ配線導体5とはボンディングワイヤ等の他の種類の電気的接続手段により接続されてもよい。
【0022】
メタライズ配線導体5は、半導体素子3の各電極を外部電気回路および後述する第一メタライズ電極7・第二メタライズ電極8に電気的に接続するための導電路として機能し、その一部はセラミック基体1の外周部に導出して、後述する複数の外部接続用導体9に側面導体9cを介して、別の一部は第一メタライズ電極7・第二メタライズ電極8に電気的に接続されている。そして、半導体素子3の各電極をこれらのメタライズ配線導体5に半田バンプ6を介して電気的に接続するとともに半導体素子3を樹脂製封止材4で封止した後、複数の外部接続用導体9を外部電気回路基板10の配線導体11に半田等の導電性接合材12を介して接合することにより、内部に収容する半導体素子3が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【0023】
このようなメタライズ配線導体5は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミック基体1用のセラミックグリーンシートに所定のパターンに印刷塗布し、これをセラミック基体1用の生セラミック成形体とともに焼成することによってセラミック基体1の内部および表面に所定のパターンに形成される。なお、メタライズ配線導体5の露出表面には、メタライズ配線導体5が酸化腐食するのを防止するとともにメタライズ配線導体5と半田等の導電性接合材12との接合を良好なものとするために、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層と厚みが0.1〜3μm程度の金めっき層とが順次被着されている。
【0024】
また、セラミック基体1の他の主面中央部、すなわち本実施例では上面中央部に形成された凹部1c底面には静電容量形成用の第一メタライズ電極7が被着されている。この第一メタライズ電極7は、後述するセラミック板2の第二メタライズ電極8とともに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであり、例えば、略円形のパターンに形成されている。そして、この第一メタライズ電極7にはメタライズ配線導体5の一つ5aが接続されており、それによりこのメタライズ配線導体5aに半導体素子3の電極を半田バンプ6等の導電性接合材を介して接続すると半導体素子3の電極と第一メタライズ電極7とが電気的に接続されるようになっている。
【0025】
このような第一メタライズ電極7は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミック基体1用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これをセラミック基体1用の生セラミック成形体とともに焼成することによってセラミック基体1の上面中央部に所定のパターンに形成される。なお、第一メタライズ電極7の露出表面には、第一メタライズ電極7が酸化腐食するのを防止するために、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層が被着されている。
【0026】
また、セラミック基体1の上面には凹部1cを覆う略平板状のセラミック板2がセラミック基体1の上面との間に略円板状の密閉空間Sを形成するようにして可鍛な状態でセラミック基体1に焼結一体化されて接合されている。セラミック板2は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・ガラス−セラミック等のセラミック材料から成る厚みが0.01〜5mmの略四角または八角あるいは円形等の平板であり、外部の圧力に応じてセラミック基体1側に撓むいわゆる圧力検出用のダイアフラムとして機能する。
【0027】
このようなセラミック板2は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法を採用してシート状に成形することによりセラミック板2用のセラミックグリーンシートを得、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工や切断加工を施すとともにセラミック基体1用の生セラミック成形体上に積層し、これをセラミック基体1用の生セラミック成形体とともに約1600℃の温度で焼成し、セラミック基体1と焼結一体化することにより製作される。
【0028】
なお、セラミック板2は、その厚みが0.01mm未満では、その機械的強度が小さいものとなってしまうため、これに大きな外部圧力が印加された場合に破壊されてしまう危険性が大きなものとなり、他方、5mmを超えると、小さな圧力では撓みにくくなり、圧力検出用のダイアフラムとしては不適となってしまう。したがって、セラミック板2の厚みは、0.01〜5mmの範囲が好ましい。
【0029】
また、セラミック板2の下面には静電容量形成用の略円形の第二メタライズ電極8が第一メタライズ電極7と対向するようにして被着されている。この第二メタライズ電極8は、前述の第一メタライズ電極7とともに感圧素子用の静電容量を形成するための電極として機能する。そして、第二メタライズ電極8にはメタライズ配線導体5の他の一つ5bが接続されており、それによりメタライズ配線導体5bに半導体素子3の電極を半田バンプ6等の電気的接続手段を介して接続すると半導体素子3の電極と第二メタライズ電極8とが電気的に接続されるようになっている。
【0030】
このとき、第一メタライズ電極7と第二メタライズ電極8とは、セラミック基体1とセラミック板2との間に形成された密閉空間Sを挟んで対向しており、これらの間には、第一メタライズ電極7や第二メタライズ電極8の面積および第一メタライズ電極7と第二メタライズ電極8との間隔に応じて所定の静電容量が形成される。そして、セラミック板2の上面に外部の圧力が印加されると、その圧力に応じてセラミック板2がセラミック基体1側に撓んで第一メタライズ電極7と第二メタライズ電極8との間隔が変わり、それにより第一メタライズ電極7と第二メタライズ電極8との間の静電容量が変化するので、外部の圧力の変化を静電容量の変化として感知する感圧素子として機能する。そして、この静電容量の変化を凹部1a内に収容した半導体素子3にメタライズ配線導体5a・5bを介して伝達し、これを半導体素子3で演算処理することによって外部の圧力の大きさを知ることができる。
【0031】
なお、第二メタライズ電極8は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミック板2用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これをセラミック板2用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによってセラミック板2の下面に第一メタライズ電極7と対向する所定の形状に形成される。なお、第二メタライズ電極8の露出表面には、第二メタライズ電極8が酸化腐食するのを防止するために、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層が被着されている。
【0032】
さらに、図2に示すように、セラミック基体1の下面には複数のダミー導体9aが各コーナー近傍に配設されて被着され、ダミー導体9a間にそれぞれセラミック基体1の側面に沿った配列で複数の外部接続用導体9が被着されるとともに、この外部接続用導体9は各外部接続用導体9から側面にかけて被着された側面導体9cを介してメタライズ配線導体5に電気的に接続されている。さらに、外部接続用導体9およびダミー導体9aは、下面の主面の中心に対してそれぞれ略点対称となるように配列されているとともにそれぞれの面積および形状が外部接続用導体9同士およびダミー導体9a同士で略同一となるように形成されており、ダミー導体9aは、その面積が外部接続用導体9の面積よりも広く、かつ隣接する外部接続用導体9のいずれか一方と両者間に形成された帯状の連結用導体9bを介して電気的に接続されている。
【0033】
そして、半導体素子3の各電極をメタライズ配線導体5に半田バンプ6等の電気的接続手段を介して電気的に接続するとともに半導体素子3を樹脂製封止材4で封止した後、複数の外部接続用導体9が外部電気回路基板10の配線導体11に半田等の導電性接合材12を介して接合される。また、この接合において、切欠き部1d表面の側面導体9cと外部電気回路基板10の配線導体11のとの間に導電性接合材12から成るメニスカス12aが形成され、このメニスカス12aにより、パッケージが外部電気回路基板10へ強固に接合されるとともに内部に収容する半導体素子3の電極が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【0034】
このとき、本発明の圧力検出装置用パッケージにおいては、外部接続用導体9およびダミー導体9aは、下面の中心に対してそれぞれ略点対称となるように配列されているとともにそれぞれの面積および形状が外部接続用導体9同士およびダミー導体9a同士で略同一となるように形成されていることが重要である。
【0035】
本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、外部接続用導体9およびダミー導体9aが一方の主面の中心に対してそれぞれ略点対称となるように配列されているとともにそれぞれの面積および形状が外部接続用導体9同士およびダミー導体9a同士で略同一となるように形成されていることから、外部接続用導体9およびダミー導体9aが外部電気回路基板10の配線導体11へ半田等の導電性接合材12を介して接合される場合において、その接合部への外力や内部応力が均一に分散され応力が一箇所に集中することがなくなり、もっとも大きな応力が作用するセラミック基体1のコーナー近傍の接合部においても、その接合部が破壊して接合部の切欠き部1dからセラミック基体1のコーナー部にかけて欠けやクラックが発生することを防止することができる。
【0036】
また、本発明の圧力検出装置用パッケージにおいては、一方の主面の各コーナー近傍に配設されて被着された複数のダミー導体9aが、隣接する外部接続用導体9のいずれか一方と両者間に形成された帯状の連結用導体9bを介して電気的に接続されており、このことが重要である。
【0037】
また、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、一方の主面の各コーナー近傍に配設されて被着された複数のダミー導体9aが、隣接する外部接続用導体9のいずれか一方と両者間に形成された帯状の連結用導体9bを介して電気的に接続されていることから、コーナー近傍に配設されたダミー導体9aに電解めっき層を被着させるための通電用の端子を当接させずに、すなわちセラミック基体1のコーナー部に欠けやクラックを発生させることなく、ダミー導体9aの表面に電解めっき層を良好に被着させることが可能となり、その結果、このコーナー部に配設された外部接続用のダミー導体9aが外部電気回路基板10の配線導体11に接合されることで、その他の外部接続用導体9と外部電気回路基板10の配線導体11との接合を補強することができる。
【0038】
さらに、本発明の圧力検出装置用パッケージにおいては、ダミー導体9aの面積を外部接続用導体9面積より広くすることが重要である。
本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、ダミー導体9aに半田等の導電性接合材によって形成されるバンプの高さが外部接続用導体9に形成されるバンプの高さより高いものとなろうとしても、半田等の導電性接合材12はその自重により帯状の連結用導体9cを介して隣接する外部接続用導体9へ流動し、さらにはセラミック基体1側面に被着された側面導体9cへ流動することによって、ダミー導体9aに形成されるバンプの高さが他の複数の外部接続用導体9に形成されるバンプの高さと略同じ高さとなり、その結果、セラミック基体1と外部電気回路基板10の配線導体11間で接合不良が発生してしまうこともない。
【0039】
なお、外部接続用導体9およびダミー導体9aは、その縦・横の長さが1〜5mm程度で、連結用導体9bの幅は連結用導体9bが連結する外部接続用導体9およびダミー導体9aの辺の辺方向の長さの3/100〜1/2が好ましく、3/100未満であると、半田等の導電性接合材12がダミー導体9aから外部接続用導体9へ良好に流動することが困難となる傾向があり、また、1/2を超えると半田等の導電性接合材12がダミー導体9aから外部接続用導体9へ流動し過ぎる傾向があり、その結果、ダミー導体9aおよび外部接続用導体9に形成される半田等の導電性接合材12のバンプの高さが不均一となり、セラミック基体1と外部電気回路基板間で接合不良が発生してしまう危険性がある。
【0040】
また、ダミー導体9aの面積は、外部接続用導体9の面積の1.2〜1.5倍とすることが好ましく、面積が1.2倍未満であると導電性接合材12がダミー導体9aから外部接続用導体9を介して側面導体9cへ流動し過ぎる傾向があり、また、1.5倍を超えると導電性接合材12の量が多くなり過ぎる傾向があり、ダミー導体9aおよび外部接続用導体9に形成される半田等の導電性接合材12のバンプの高さが不均一となり、セラミック基体1と外部電気回路基板間で接合不良が発生してしまう危険性がある。
【0041】
なお、図2の下面図には、外部接続用導体9の形状が凹状で、ダミー導体9aの形状が長方形状である例を示しているが、このように外部接続用導体9とダミー導体9aの形状が異なっている場合においても、ダミー導体9aの面積を外部接続用導体9の面積の1.2〜1.5倍とすることが好ましい。
【0042】
また、このダミー導体9aが形成されるセラミック基体1のコーナー部には、セラミック基体1の側面に導電性接合材12でメニスカスを形成してより強固に接合させるための切欠き部1dは形成されておらず、そのためセラミック基体1のコーナー部における機械的強度が強くなる。
【0043】
また、このような外部接続用導体9、ダミー導体9a、連結用導体9bおよび側面導体9cは、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミック基体1用のセラミックグリーンシートに所定のパターンに印刷塗布し、これをセラミック基体1用の生セラミック成形体とともに焼成することによってセラミック基体1の下面から側面、すなわち本実施例では切欠き部1dの表面にかけて所定のパターンに形成される。なお、外部接続用導体9、ダミー導体9a、連結用導体9bおよび側面導体9cの露出表面には、これらが酸化腐食するのを防止するとともにこれらと半田等の導電性接合材12との接合を良好なものとするために、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層と厚みが0.1〜3μm程度の金めっき層とが順次被着されている。
【0044】
以上説明したように、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子3が搭載されるセラミック基体1の他方の主面に静電容量形成用の第一メタライズ電極7を設けるとともに、この第一メタライズ電極7に対向する静電容量形成用の第二メタライズ電極8を内側面に有するセラミック板2をセラミック基体1の他方の主面との間に密閉空間Sを形成するように可撓な状態でセラミック基体1と焼結一体化することにより接合させたことから、半導体素子3を収容する容器と感圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出装置を小型化することができる。
【0045】
また、静電容量形成用の第一メタライズ電極7および第二メタライズ電極8を短い距離で半導体素子3に接続することができ、その結果、これらのメタライズ配線導体5a・5b間に発生する不要な静電容量を小さなものとして感度が高く、外部の圧力を正確に検出することができる圧力検出装置を提供することができる。
【0046】
かくして、上述の圧力検出装置用パッケージによれば、搭載部1bに半導体素子3を搭載するとともに半導体素子3の各電極とメタライズ配線導体5とを電気的に接続し、しかる後、半導体素子3を封止することによって小型でかつ感度が高く、しかも外部の圧力を正確に検出することが可能な圧力検出装置となる。
【0047】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施の形態の一例では、セラミック基体1とセラミック板2とを焼結一体化させることにより接合したが、セラミック基体1とセラミック板2とはろう付けにより接合してもよい。また、セラミック基体1の側面に切欠き部1dを形成してその表面に外部接続用導体9を被着させたが、切欠き部1dを形成せずに側面導体9cをセラミック基体1の側面に被着させただけでもよい。さらに、切欠き部1dの形状を略四角形状としたが、その他形状であっても構わない。
【0048】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、外部接続用導体およびダミー導体が一方の主面の中心に対してそれぞれ略点対称となるように配列されているとともにそれぞれの面積および形状が外部接続用導体同士およびダミー導体同士で略同一となるように形成されていることから、外部接続用導体およびダミー導体が外部電気回路基板の配線導体へ半田等の導電性接合材を介して接合される場合において、その接合部への外力や内部応力が均一に分散され応力が一箇所に集中することがなくなり、もっとも大きな応力が作用するセラミック基体のコーナー近傍の接合部においても、その接合部が破壊して接合部の切欠き部からセラミック基体のコーナー部にかけて欠けやクラックが発生することを防止することができる。
【0049】
また、一方の主面の各コーナー近傍に配設されて被着された複数のダミー導体が、隣接する外部接続用導体のいずれか一方と両者間に形成された帯状の連結用導体を介して電気的に接続されていることから、コーナー近傍に配設されたダミー導体に電解めっき層を被着させるための通電用の端子を当接させずに、すなわちセラミック基体のコーナー部に欠けやクラックを発生させることなく、ダミー導体の表面に電解めっき層を良好に被着させることが可能となり、その結果、このコーナー部に配設された外部接続用のダミー導体が外部電気回路基板の配線導体に接合されることで、その他の外部接続用導体と外部電気回路基板の配線導体との接合を補強することができる。
【0050】
さらに、ダミー導体は、その面積が外部接続用導体の面積より広いことから、ダミー導体に半田等の導電性接合材によって形成されるバンプの高さが外部接続用導体に形成されるバンプの高さより高いものとなろうとしても、半田等の導電性接合材はその自重により帯状の連結用導体を介して外部接続用導体へ流動し、さらにはセラミック基体側面に被着された側面導体へ流動することによって、ダミー導体に形成されるバンプの高さが他の複数の外部接続用導体に形成されるバンプの高さと略同じ高さとなり、その結果、セラミック基体と外部電気回路基板間で接合不良が発生してしまうこともない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】図1に示す圧力検出装置用パッケージの下面図である。
【図3】従来の圧力検出装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・セラミック基体
2・・・・・セラミック板
3・・・・・半導体素子
5・・・・・メタライズ配線導体
7・・・・・第一メタライズ電極
8・・・・・第二メタライズ電極
9・・・・・外部接続用導体
9a・・・・ダミー導体
9b・・・・連結用導体
9c・・・・側面導体

Claims (1)

  1. 一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有するセラミック基体と、該セラミック基体の表面および内部に、その一端が前記搭載部またはその周辺に導出するように配設されており、前記半導体素子の各電極が電気的に接続される複数のメタライズ配線導体と、前記セラミック基体の他方の主面との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で前記セラミック基体に接合されたセラミック板と、前記密閉空間内の前記セラミック基体の他方の主面に被着されており、前記メタライズ配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一メタライズ電極と、前記セラミック板の内側主面に前記第一メタライズ電極と対向するように被着されており、前記メタライズ配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二メタライズ電極とを具備して成る圧力検出装置用パッケージであって、前記セラミック基体の前記一方の主面に複数のダミー導体が各コーナー近傍に配設されて被着され、前記ダミー導体間にそれぞれ前記セラミック基体の側面に沿った配列で複数の外部接続用導体が被着されるとともに、該外部接続用導体は各外部接続用導体から前記側面にかけて被着された側面導体を介して前記メタライズ配線導体に電気的に接続されており、前記外部接続用導体および前記ダミー導体は、前記一方の主面の中心に対してそれぞれ略点対称となるように配列されているとともにそれぞれの面積および形状が前記外部接続用導体同士および前記ダミー導体同士で略同一となるように形成されており、前記ダミー導体は、その面積が前記外部接続用導体の面積よりも広く、かつ隣接する前記外部接続用導体のいずれか一方と両者間に形成された帯状の連結用導体を介して電気的に接続されていることを特徴とする圧力検出装置用パッケージ。
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JP2016514254A (ja) * 2013-02-21 2016-05-19 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 圧力センサシステム

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