JP2019087581A - サーミスタ素子 - Google Patents

Abstract

【課題】ワイヤボンディングにより実装基板に良好に実装することができ接続信頼性を向上できるサーミスタ素子を提供する。【解決手段】サーミスタ素子は、第１端面と、第１端面の反対側に位置する第２端面と、第１端面と第２端面に交差する天面と、天面の反対側に位置する底面とを含む素体と、第１端面と天面の一部と底面の一部とを覆う第１外部電極と、第２端面と天面の一部と底面の一部とを覆う第２外部電極と、素体内に設けられ、第１外部電極に接続される第１内部電極と、素体内に設けられ、第２外部電極に接続される第２内部電極とを備え、第１外部電極および第２外部電極は、最外層の金属めっき層を含み、金属めっき層の少なくとも一部の面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。【選択図】図２

Description

本発明は、サーミスタ素子に関する。

従来、サーミスタ素子としては、特開２００６−２６９６６１号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このサーミスタ素子は、セラミックスから構成される素体と、素体の両端面を覆う外部電極と、素体内に設けられ外部電極に接続される内部電極とを有する。

特開２００６−２６９６６１号公報

ところで、前記従来のサーミスタ素子では、外部電極は、導電ペーストを印刷して形成されているので、サーミスタ素子をワイヤボンディングにより実装基板に実装しようとすると、導電ペーストとワイヤボンディングは相性が悪く、外部電極にワイヤボンディングを施しても十分な接続を得ることは困難であった。

そこで、本発明の課題は、ワイヤボンディングにより実装基板に良好に実装することができ接続信頼性を向上できるサーミスタ素子を提供することにある。

前記課題を解決するため、本発明のサーミスタ素子は、
第１端面と、前記第１端面の反対側に位置する第２端面と、前記第１端面と前記第２端面に交差する天面と、前記天面の反対側に位置する底面とを含む素体と、
前記第１端面と前記天面の一部と前記底面の一部とを覆う第１外部電極と、
前記第２端面と前記天面の一部と前記底面の一部とを覆う第２外部電極と、
前記素体内に設けられ、前記第１外部電極に接続される第１内部電極と、
前記素体内に設けられ、前記第２外部電極に接続される第２内部電極と
を備え、
前記第１外部電極および前記第２外部電極は、最外層の金属めっき層を有し、
前記金属めっき層の少なくとも一部の面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。

本発明のサーミスタ素子によれば、第１、第２外部電極は、最外層に金属めっき層を有するので、サーミスタ素子を実装基板に実装する際、サーミスタ素子の第１、第２外部電極の金属めっき層にワイヤボンディングを施すことができ、第１、第２外部電極とワイヤの接続信頼性を向上できる。

更に、本発明のサーミスタ素子によれば、金属めっき層の少なくとも一部の面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ以上０．２μｍ以下であるので、ワイヤボンディングを施す際のアライメント精度を高くできる。その上、ワイヤボンディングにより、第１、第２外部電極とワイヤとの間で良好な接合強度を示すことができる。

また、サーミスタ素子の一実施形態では、前記第１外部電極および前記第２外部電極は、前記素体を覆う最内層の下地層と、前記下地層と前記金属めっき層との間に位置する中間層とを有し、
前記金属めっき層が、金、銀、銅およびこれらの合金から選択される少なくとも１種の金属材料を含む。

前記実施形態によれば、第１、第２外部電極とワイヤの接続信頼性をより向上できる。
また、第１、第２外部電極にワイヤボンディングを施す際のアライメント精度を高くできる。その上、ワイヤボンディングにより、第１、第２外部電極とワイヤとの間で良好な接合強度を示すことができる。

サーミスタ素子の一実施形態では、前記中間層は、ニッケル層を有する。

前記実施形態によれば、中間層のニッケル層は、前記下地層と前記金属めっき層との間に位置するので、前記下地層と前記中間層との接合性、および前記中間層と前記金属めっき層との接合性は良好となる。その結果、外部電極に含まれる各層間での接合性をより高めることができる。

サーミスタ素子の一実施形態では、前記中間層は、パラジウム層を有する。また、一実施形態では、前記中間層は、ニッケル層とパラジウム層とを有する。

前記中間層は、パラジウムの単層を有してもよく、ニッケル層とパラジウム層とを有してもよい。例えば、中間層はパラジウムの単層を有する場合、中間層は前記下地層と前記金属めっき層との間に位置するので、前記下地層と前記中間層との接合性、および前記中間層と前記金属めっき層との接合性は良好となる。その結果、外部電極に含まれる各層間での接合性を更に高めることができる。

また、中間層は、ニッケル層とパラジウム層とを有する場合、パラジウム層により金属めっき層へのニッケルの熱拡散を低減できる。この結果、金属めっき層の表面にニッケルが拡散することを低減でき、金属めっき層へのワイヤボンディングの悪影響を低減できる。

サーミスタ素子の一実施形態では、前記第１外部電極および前記第２外部電極における前記天面の一部を覆う部分の前記金属めっき層の表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。

前記実施形態によれば、第１、第２外部電極と、ワイヤとの接続信頼性をより向上できる。
更に、本発明のサーミスタ素子によれば、前記第１外部電極および前記第２外部電極における天面の一部を覆う部分の前記金属めっき層の表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．２μｍ以下であることにより、前記天面部にワイヤボンディングを施す際のアライメント精度をより高くできる。その上、ワイヤボンディングにおいて、第１、第２外部電極とワイヤとの間で良好な接合強度を示すことができる。

サーミスタ素子の一実施形態では、前記表面粗さ（Ｒａ）は０．１４μｍ以上０．１８μｍ以下である。

前記実施形態によれば、ワイヤボンディングを施す際のアライメント精度をより高くできる。その上、ワイヤボンディングにより、第１、第２外部電極とワイヤとの間で更に良好な接合強度を示すことができる。

サーミスタ素子の一実施形態では、前記素体は、前記第１外部電極および前記第２外部電極から露出する領域に、溝を有する。

前記実施形態によれば、素体は、第１、第２外部電極から露出する領域に、溝を有するので、サーミスタ素子の底面側を実装基板に実装する際、サーミスタ素子の溝にダイボンド材を埋め込んで、サーミスタ素子をダイボンド材により実装基板に接着することができる。このように、溝にダイボンド材を塗布できるため、ダイボンド材の塗布量を確保できて、外部電極に塗布されるダイボンド材を低減できる。この結果、外部電極を直接に実装基板に接触させることができて、サーミスタ素子の実装姿勢を安定化できる。また、溝にダイボンド材を埋め込むので、サーミスタ素子とダイボンド材の接着力を強くできて、サーミスタ素子の実装基板への実装不良を低減できる。

本発明のサーミスタ素子によれば、ワイヤボンディングにより実装基板に良好に実装することができ、サーミスタ素子とワイヤの接続信頼性を向上できる。また、ワイヤボンディングを施す際のアライメント精度を高くできる。更に、ワイヤボンディングを施した際、第１、第２外部電極とワイヤとの間で良好な接合強度を示すことができる。

本発明のサーミスタ素子の一実施形態を示す斜視図である。 サーミスタ素子のＬＴ断面図である。 サーミスタ素子を実装基板に実装した状態を示す説明図である。

以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態のサーミスタ素子１を示す斜視図である。図２は、サーミスタ素子１の断面図である。図１と図２に示すように、サーミスタ素子１は、素体１０と、素体１０内に設けられた第１、第２、第３内部電極２１，２２，２３と、素体１０の表面の一部を覆うと共に第１、第２内部電極２１，２２に電気的に接続される第１、第２外部電極４１，４２とを有する。

素体１０は、積層された複数のセラミックス層１０ａから構成される。セラミックス層１０ａは、例えば、負の抵抗温度特性を有するセラミックスからなる。セラミックスは、例えば、酸化マンガンを主成分とするセラミックスであり、酸化ニッケル、酸化コバルト、アルミナ、酸化鉄、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化銅、酸化亜鉛などを含む。つまり、サーミスタ素子１は、ＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタであり、温度の上昇に伴って抵抗値が減少する。

素体１０は、略直方体状に形成されている。素体１０の表面は、第１端面１５と、第１端面１５の反対側に位置する第２端面１６と、第１端面１５と第２端面１６に交差する周面１７とから構成される。第１端面１５と第２端面１６とは、平行である。周面１７は、天面１１と底面１２と第１側面１３と第２側面１４とから構成される。天面１１と底面１２とは、セラミックス層１０ａの積層方向に位置し、互いに反対側に位置する。第１側面１３と第２側面１４とは、互いに反対側に位置する。天面１１と底面１２とは、平行である。第１側面１３と第２側面１４とは、平行である。第１端面１５と天面１１と第１側面１３とは、互いに直交する。底面１２とは、サーミスタ素子１を実装基板に実装する側の面である。

ここで、第１端面１５から第２端面１６に向かって延在するサーミスタ素子１の長さ方向を、Ｌ方向とし、第１側面１３から第２側面１４に向かって延在するサーミスタ素子１の幅方向をＷ方向とし、底面１２から天面１１に向かって延在するサーミスタ素子１の厚み方向をＴ方向とする。Ｔ方向は、セラミックス層１０ａの積層方向に一致する。Ｌ方向とＷ方向とＴ方向とは、互いに直交する。具体的に述べると、Ｌ方向は、第１端面１５に直交する方向であり、Ｗ方向は、第１側面１３に直交する方向であり、Ｔ方向は、天面１１に直交する方向である。

第１、第２、第３内部電極２１，２２，２３は、セラミックス層１０ａと交互に積層される。第１、第２、第３内部電極２１，２２，２３は、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇＰｄのうちの少なくとも一つの元素（化合物）を含んでいる。

第１内部電極２１は、２つあり、２つの第１内部電極２１は、Ｔ方向に平行に配列されている。第１内部電極２１の端部２１ａは、素体１０の第１端面１５から露出している。第２内部電極２２は、２つあり、２つの第２内部電極２２は、Ｔ方向に平行に配列されている。第２内部電極２２の端部２２ａは、素体１０の第２端面１６から露出している。第１内部電極２１と第２内部電極２２は、Ｌ方向に離隔して配置されている。つまり、第１内部電極２１と第２内部電極２２は、Ｔ方向に重なっていない。

第３内部電極２３は、２つの第１内部電極２１の間と２つの第２内部電極２２の間に位置する。つまり、第３内部電極２３と第１内部電極２１は、Ｔ方向に重なり、第３内部電極２３と第２内部電極２２は、Ｔ方向に重なっている。

第１外部電極４１は、第１端面１５の全面と周面１７の第１端面１５側とを覆う。つまり、第１外部電極４１は、第１端面１５と天面１１の一部と底面１２の一部と第１側面１３の一部と第２側面１４の一部とを覆う。第１外部電極４１は、いわゆる、５面電極である。第１外部電極４１は、第１内部電極２１の端部２１ａに接触して電気的に接続される。

第２外部電極４２は、第２端面１６の全面と周面１７の第２端面１６側とを覆う。つまり、第２外部電極４２は、第２端面１６と天面１１の一部と底面１２の一部と第１側面１３の一部と第２側面１４の一部とを覆う。第２外部電極４２は、いわゆる、５面電極である。第２外部電極４２は、第２内部電極２２の端部２２ａに接触して電気的に接続される。

第１外部電極４１は、前記素体１０を覆う最内層の下地層４１ａと、下地層４１ａと金属めっき層４１ｃとの間に位置する中間層４１ｂとを有する。
同様に、第２外部電極４２は、下地層４２ａと、下地層４２ａと金属めっき層４２ｃとの間に位置する中間層４２ｂとを有する。
以下、第１外部電極４１を中心に説明するが、同様のことが第２外部電極４２にも適用できる。

例えば、第１外部電極４１は、素体１０を覆う最内層の下地層４１ａと、下地層４１ａに積層される中間層４１ｂと、中間層４１ｂに積層される最外層の金属めっき層４１ｃとを有する。なお、下地層４１ａと、中間層４１ｂと、金属めっき層４１ｃとを積層する場合、例えば、下地層４１ａと中間層４１ｂとを接触させて積層してもよく、下地層４１ａと中間層４１ｂとの間に他の層を介在させて積層してもよい。同様のことが中間層４１ｂと金属めっき層４１ｃとの関係にも当てはまる。

下地層４１ａは、例えば、銀などの金属材料からなる。下地層４１ａは、例えば、ペースト状の金属材料を素体１０に印刷し焼結して形成される。

中間層４１ｂは、例えば、ニッケルを含むニッケル層を有する。中間層４１ｂは下地層４１ａと金属めっき層４１ｃとの間に位置するので、中間層４１ｂがニッケル層を有することにより、下地層４１ａと中間層４１ｂとの接合性、および中間層４１ｂと金属めっき層４１ｃとの接合性は良好となる。その結果、第１外部電極４１に含まれる各層４１ａ，４１ｂ，４１ｃの層間における接合性をより高めることができる。

例えば、下地層４１ａは銀からなり、中間層４１ｂはニッケルを含むニッケル層を有し、金属めっき層４１ｃは金、銀、銅およびこれらの合金から選択される少なくとも１種の金属材料を含む形態において、下地層４１ａと中間層４１ｂとの接合性、中間層４１ｂと金属めっき層４１ｃとの接合性はより良好となる。その結果、第１外部電極４１に含まれる各層４１ａ，４１ｂ，４１ｃの層間における接合性を更に高めることができる。

中間層４１ｂは、パラジウム層を単独で有してもよい。パラジウム層を単独で有することにより、金属めっき層におけるワイヤボンディングの悪影響を低減できる。
また、中間層４１ｂは、ニッケル層とパラジウム層とを有してもよい。中間層４１ｂは、ニッケル層とパラジウム層とを有する場合、前記中間層４１ｂのパラジウム層は、金属めっき層４１ｃ側に位置することが好ましい。
パラジウム層により、金属めっき層４１ｃへのニッケルの熱拡散を低減できる。この結果、金属めっき層４１ｃの表面にニッケルが拡散することを低減でき、金属めっき層４１ｃへのワイヤボンディングの悪影響を低減できる。

金属めっき層４１ｃは、例えば、金、銀または銅などの金属材料からなる。金属めっき層４１ｃは、中間層４１ｂ上に金属材料を電解めっきして形成される。
好ましくは、金属めっき層４１ｃは、金を含む。
金属めっき層４１ｃが上記金属材料を含むことにより、第１、第２外部電極とワイヤとの接続信頼性がより向上し、アライメント精度をより高めることができ、接合強度をより向上できる。その上、はんだ（Ｓｎ等）と比べて、上記金属材料は融点が高いので、より高温での使用が可能となる。

金属めっき層４１ｃの少なくとも一部の面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。好ましくは、表面粗さ（Ｒａ）は０．１２μｍ以上０．１８μｍ以下であり、例えば、表面粗さ（Ｒａ）は０．１４μｍ以上０．１８μｍ以下である。
金属めっき層の少なくとも一部の面の表面粗さ（Ｒａ）がこのような範囲内であることにより、ワイヤボンディングを施す際のアライメント精度を高くできる。また、ワイヤボンディングを施す場合、第１、第２外部電極とワイヤとの間で良好な接合強度を示すことができる。

金属めっき層４１ｃの表面粗さ（Ｒａ）が本開示の範囲内であることにより、金属めっき層４１ｃとワイヤ１０１との間で、良好な接合強度を得ることができる。また、金属めっき層４１ｃとワイヤ１０１との接触面積を適度に保持できるので、例えば、パーツフィーダの内面にサーミスタ素子１が貼り付くといった不具合が生じることを抑制できる。
ここで、特定の理論に限定して解釈されるべきではないが、金属めっき層４１ｃの表面粗さ（Ｒａ）が本開示の範囲内であると、例えば、サーミスタ素子１の底面側にダイボンド材１０２を配置した場合、ダイボンド材１０２がワイヤボンドエリアまで這い上がることを抑制できる。その結果、第１、第２外部電極４１，４２とワイヤ１０１との間で接合強度が低下するという不具合を抑制できると推測される。

また、表面粗さ（Ｒａ）がこのような範囲内であることにより、所定の表面粗さ（Ｒａ）を有する金属めっき層４１ｃの表面における光沢度を安定させることができる。この結果、例えば、画像認識装置を用いてワイヤボンディングを行う際に、金属めっき層４１ｃ表面の安定した画像認識が可能となり、ワイヤボンディングを施す際のアライメント精度を高くできる。さらに、アライメント精度を高くすることができると、サーミスタ素子の外観良品率を向上でき、不良内在率を低減できる。

ここで、金属めっき層４１ｃの表面粗さ（Ｒａ）は、金属めっき層４１ｃにおける前記素体１０側とは反対側に位置する表面の表面粗さ（Ｒａ）を意味する。また、金属めっき層４１ｃにおける少なくとも一部の面が所定の表面粗さ（Ｒａ）を有している。例えば、天面１１における素体１０側とは反対側に位置する少なくとも一部の部分が、所定の表面粗さ（Ｒａ）を有していてもよく、天面１１における全ての部分で所定の表面粗さ（Ｒａ）を有していてもよい。好ましくは、金属めっき層４１ｃにおける前記素体１０側とは反対側に位置する表面であって、ワイヤボンディングが施される表面における表面粗さ（Ｒａ）が上記所定の範囲内である。
また、例えば、金属めっき層４１ｃの第１端面１５と平行な面にワイヤボンディングを施す場合、金属めっき層４１ｃの第１端面１５と平行な表面の少なくとも一部における表面粗さ（Ｒａ）は、上記範囲内であればよい。

第１外部電極４１における天面１１の一部を覆う部分（図示せず）の前記金属めっき層４１ｃの表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。好ましくは、第１外部電極４１における天面１１の一部を覆う部分の金属めっき層４１ｃの表面粗さ（Ｒａ）は、０．１２μｍ以上０．１８μｍ以下であり、例えば、表面粗さ（Ｒａ）は０．１４μｍ以上０．１８μｍ以下である。

これにより、第１外部電極４１における金属めっき層４１ｃとワイヤ１０１との接続信頼性を向上できる。
更に、前記天面部にワイヤボンディングを施す際のアライメント精度をより高くできる。その上、ワイヤボンディングにより、第１、第２外部電極４１，４２とワイヤ１０１との間で良好な接合強度を示すことができる。

表面粗さ（Ｒａ）の測定は、既知の方法により行える。例えば、レーザー顕微鏡を用い、表面粗さの評価方法に関する国際規格「ISO 25178表面性状(面粗さ測定)」に従い測定する。

金属めっき層４１ｃの表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以上０．２μｍ以下に制御する方法は、例えば、下地層４１ａにおいて、最適な粒子径・粒子形状の金属粉を用いることにより、所定の範囲の、金属めっき層４１ｃの表面粗さ（Ｒａ）を得ることができる。

素体１０は、第１外部電極４１および第２外部電極４２から露出する領域（以下、露出領域Ｚ１という。）と、第１外部電極４１および第２外部電極４２に覆われている領域（以下、被覆領域Ｚ２という。）とを含む。素体１０は、露出領域Ｚ１に、溝１８を有してもよい。つまり、溝１８は、素体１０の天面１１、底面１２、第１側面１３および第２側面１４のそれぞれに、設けられてもよい。

第１端面１５、第２端面１６、天面１１および底面１２に交差する断面（ＬＴ断面）において、天面１１および底面１２に設けられた溝１８の断面形状は、台形である。溝１８の断面形状は、溝１８の底ほど幅が狭くなるような台形である。したがって、溝１８の断面形状は、台形であるので、溝１８をエッチングにより形成し易くなる。なお、台形の角は、丸みを帯びていてもよい。溝１８の底は、平坦であるが、凹凸を有していてもよい。溝１８は、第１外部電極４１および第２外部電極４２の端部に重なっていてもよい。

同様に、第１端面１５、第２端面１６、第１側面１３および第２側面１４に交差する断面（ＬＷ断面）において、第１側面１３および第２側面１４に設けられた溝１８の断面形状は、台形である。

前記サーミスタ素子１によれば、第１、第２外部電極４１，４２は、最外層に金属めっき層４１ｃ，４２ｃを含むので、図３に示すように、サーミスタ素子１を実装基板１００に実装する際、サーミスタ素子１の第１、第２外部電極４１，４２の金属めっき層４１ｃ，４２ｃにワイヤ１０１をボンディングすることができ、第１、第２外部電極４１，４２とワイヤ１０１の接続信頼性を向上できる。

素体１０は、第１、第２外部電極４１，４２から露出する領域（露出領域Ｚ１）に、溝１８を有することにより、サーミスタ素子１の底面１２側を実装基板１００に実装する際、サーミスタ素子１の溝１８にダイボンド材１０２を埋め込んで、サーミスタ素子１をダイボンド材１０２により実装基板１００に接着することができる。このように、溝１８にダイボンド材１０２を塗布できるため、ダイボンド材１０２の塗布量を確保できて、第１、第２外部電極４１，４２に塗布されるダイボンド材１０２を低減できる。この結果、第１、第２外部電極４１，４２を直接に実装基板１００に接触させることができて、サーミスタ素子１の実装姿勢を安定化できる。また、溝１８にダイボンド材１０２を埋め込むので、サーミスタ素子１とダイボンド材１０２の接着力を強くできて、サーミスタ素子１の実装基板１００への実装不良を低減できる。したがって、サーミスタ素子１をワイヤボンディングにより実装基板１００に良好に実装することができる。

また、素体１０は実装基板１００にダイボンド材１０２を介して接着されるので、実装基板１００の熱がダイボンド材１０２を介して素体１０に伝わり易くなって、サーミスタ素子１への熱伝導性が良好となる。また、溝１８の深さを調整することで、素体１０の抵抗値を調整できる。

なお、素体に溝を設けない場合、ダイボンド材の塗布量を確保するため、素体の底面に加えて、外部電極にもダイボンド材を塗布する必要がある。このように、ダイボンド材が外部電極にも塗布されると、外部電極がダイボンド材を介して実装基板に載置される。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。

前記実施形態では、サーミスタ素子は、ＮＴＣサーミスタとしたが、ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタとしてもよい。

前記実施形態では、第１外部電極は、第１端面と天面の一部と底面の一部と第１側面の一部と第２側面の一部とを覆う５面電極であるが、第１外部電極は、少なくとも、第１端面と天面の一部と底面の一部とを覆っていればよい。第２外部電極も、第１外部電極と同様であってもよい。

前記実施形態では、第１外部電極および第２外部電極は、下地層、中間層および金属めっき層から構成されるが、少なくとも最外層の金属めっき層を含んでいればよい。溝は、素体の第１側面、第２側面、天面および底面のそれぞれに、設けられているが、少なくとも天面および底面のそれぞれに、設けられることが好ましい。

前記実施形態では、第１、第２、第３内部電極を設けているが、第３内部電極を設けないで、第１内部電極と第２内部電極をＴ方向に重なるように配置してもよい。

（実施例）
（製造例）
次に、第１実施形態の実施例について説明する。図１および図２に示すように、
第１端面１５と、前記第１端面１５の反対側に位置する第２端面１６と、前記第１端面１５と前記第２端面１６に交差する天面１１と、前記天面１１の反対側に位置する底面１２とを含む素体１０と、
前記第１端面１５と前記天面１１の一部と前記底面１２の一部とを覆う第１外部電極４１と、
前記第２端面１６と前記天面１１の一部と前記底面１２の一部とを覆う第２外部電極４２と、
前記素体１０内に設けられ、前記第１外部電極４１に接続される第１内部電極２１と、
前記素体１０内に設けられ、前記第２外部電極４２に接続される第２内部電極２２と
を備え、
前記第１外部電極４１および前記第２外部電極４２は、前記素体１０を覆う最内層の下地層４１ａ，４２ａと、前記下地層４１ａ，４２ａと前記金属めっき層４１ｃ，４２ｃとの間に位置する中間層４１ｂ，４２ｂとを有する、サーミスタ素子１を作製した。

前記素体１０は、前記第１外部電極４１および前記第２外部電極４２から露出する領域に、溝を有する。
また、金属めっき層４１ｃ，４２ｃについて、実施例１〜４、比較例１、２に基づき、金属めっき層４１ｃ，４２ｃの少なくとも一部の面に所定の表面粗さ（Ｒａ）が存在するように調整した。
ここで、前記金属めっき層４１ｃ，４２ｃは金を含む。前記中間層４１ｂ，４２ｂは、ニッケル層とパラジウム層とを有し、中間層４１ｂ，４２ｂにおいて、金属めっき層４１ｃ，４２ｃ側にパラジウム層を配置し、銀からなる下地層４１ａ，４２ａ側にニッケル層を配置した。

（実施例１〜５）
上記製造例に記載の構造を有し、金属めっき層４１ｃ，４２ｃの表面粗さ（Ｒａ）を変化させたサーミスタ素子１を製造した。表面粗さ（Ｒａ）の測定は、レーザー顕微鏡を用い、表面粗さの評価方法に関する国際規格「ISO 25178表面性状(面粗さ測定)」に従い測定した。
得られた実施例１〜４に係るサーミスタ素子における金属めっき層４１ｃ，４２ｃのアライメント精度(画像認識における視認性)について評価した。アライメント精度の評価は、チップ部品の外観検査装置を用い、サーミスタ素子の対象面に対して、異なる角度の光源から照射し、カメラ画像により複数面の検査を行いおこなった。
評価結果の詳細は、以下のとおりである。結果を表１に示す。
◎：高いアライメント精度(画像認識における視認性)を得ることができ、第１、第２外部電極とワイヤの接続信頼性は極めて高かった
○：やや高いアライメント精度(画像認識における視認性)を得ることができ、第１、第２外部電極とワイヤの接続信頼性は高かった
△：良好なアライメント精度(画像認識における視認性)を得ることができ、第１、第２外部電極とワイヤの接続信頼性は良好であった。
×：アライメント精度は低く、第１、第２外部電極とワイヤの接続信頼性は低かった。

（比較例１、２）
比較例１においては、金属めっき層４１ｃ，４２ｃの表面粗さ（Ｒａ）が０．１未満となるように調整し、比較例２においては、金属めっき層４１ｃ，４２ｃの表面粗さ（Ｒａ）が０．３となるように調整し、サーミスタ素子１を作製した。

本発明のサーミスタ素子によれば、第１、第２外部電極は、最外層の金属めっき層を含むので、サーミスタ素子を実装基板に実装する際、サーミスタ素子の第１、第２外部電極の金属めっき層にワイヤボンディングを施すことができ、第１、第２外部電極とワイヤの接続信頼性を向上できた。
更に、本発明のサーミスタ素子によれば、金属めっき層の少なくとも一部の面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ以上０．２μｍ以下であるので、ワイヤボンディングを施す際のアライメント精度を高くできる。その上、ワイヤボンディングにおいて、金属めっき層とワイヤとの間で高い接合強度を示すことができた。

一方、比較例１および２においては、金属めっき層の表面粗さ（Ｒａ）が本発明の範囲外であるため、金属めっき層４１ｃ，４２ｃの表面におけるアライメント精度が低く、第１、第２外部電極とワイヤとの接続信頼性は低かった。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。

１ サーミスタ素子
１０ 素体
１０ａ セラミックス層
１１ 天面
１２ 底面
１３ 第１側面
１４ 第２側面
１５ 第１端面
１６ 第２端面
１７ 周面
１８ 溝
２１ 第１内部電極
２２ 第２内部電極
２３ 第３内部電極
４１ 第１外部電極
４１ａ 下地層
４１ｂ 中間層
４１ｃ 金属めっき層
４２ 第２外部電極
４２ａ 下地層
４２ｂ 中間層
４２ｃ 金属めっき層
１００ 実装基板
１０１ ワイヤ
１０２ ダイボンド材
Ｚ１ 素体の露出領域
Ｚ２ 素体の被覆領域

Claims (8)

1. 第１端面と、前記第１端面の反対側に位置する第２端面と、前記第１端面と前記第２端面に交差する天面と、前記天面の反対側に位置する底面とを含む素体と、
   前記第１端面と前記天面の一部と前記底面の一部とを覆う第１外部電極と、
   前記第２端面と前記天面の一部と前記底面の一部とを覆う第２外部電極と、
   前記素体内に設けられ、前記第１外部電極に接続される第１内部電極と、
   前記素体内に設けられ、前記第２外部電極に接続される第２内部電極と
   を備え、
   前記第１外部電極および前記第２外部電極は、最外層の金属めっき層を有し、
   前記金属めっき層の少なくとも一部の面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ以上０．２μｍ以下である、
   サーミスタ素子。
2. 前記第１外部電極および前記第２外部電極は、前記素体を覆う最内層の下地層と、前記下地層と前記金属めっき層との間に位置する中間層とを有し、
   前記金属めっき層が、金、銀、銅およびこれらの合金から選択される少なくとも１種の金属材料を含む、請求項１に記載のサーミスタ素子。
3. 前記中間層は、ニッケル層を有する、請求項２に記載のサーミスタ素子。
4. 前記中間層は、パラジウム層を有する、請求項２に記載のサーミスタ素子。
5. 前記中間層は、ニッケル層とパラジウム層とを有する、請求項２に記載のサーミスタ素子。
6. 前記第１外部電極および前記第２外部電極における前記天面の一部を覆う部分の前記金属めっき層の表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．２μｍ以下である、請求項１から５のいずれか一つに記載のサーミスタ素子。
7. 前記表面粗さ（Ｒａ）が０．１４μｍ以上０．１８μｍ以下である、請求項１から６のいずれか一つに記載のサーミスタ素子。
8. 前記素体は、前記第１外部電極および前記第２外部電極から露出する領域に、溝を有する、請求項１から７のいずれか一つに記載のサーミスタ素子。

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