CN116918059A - 电子元件安装用基板、电子部件、电子设备 - Google Patents

Abstract

电子元件安装用基板具备：具有安装面的底部；包围该底部的安装面而设置的侧部；和形成侧部的一部分的导体。侧部具有：位于安装面的一侧的第1面；和从该第1面凹陷的凹部面。导体具有位于凹部面的外表面。此外，电子元件安装用基板还具备覆盖外表面的被膜。该被膜的光反射率比导体的光反射率低。

Description

电子元件安装用基板、电子部件、电子设备

技术领域

本公开涉及电子元件安装用基板、具备该电子元件安装用基板的电子部件以及具备该电子部件的电子设备。

背景技术

专利文献1公开了一种封装体，安装有具备用于将表面侧的电极和底面侧的电极连接的过孔导体的电子元件。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2009-170499号公报

发明内容

本公开的一方式所涉及的电子元件安装用基板具备：底部，具有安装电子元件的安装面；侧部，包围该底部的所述安装面而设置，具有位于所述安装面的一侧的第1面和从该第1面凹陷的凹部面；和导体，形成所述侧部的一部分，位于所述凹部面。

此外，本公开的另一方式所涉及的电子元件安装用基板具备：底部，具有安装电子元件的安装面；侧部，包围该底部的安装面而设置，具有位于所述安装面的一侧的第1面；导体，在所述侧部的一部分具有设置至所述第1面的外表面；和被膜，覆盖所述外表面，该被膜的光反射率比所述导体的光反射率低。

附图说明

图1是对本公开的实施方式1所涉及的电元件安装用基板的凹部面的近旁进行放大的示意俯视图。

图2是本公开的实施方式1所涉及的电子部件的示意俯视图。

图3是本公开的实施方式1所涉及的电子部件的示意截面图。

图4是分别表示本公开的实施方式1所涉及的电元件安装用基板的凹部面的示例的关于凹部的示意放大图。

图5是本公开的实施方式1的变形例所涉及的电子部件的示意截面图。

图6是对本公开的实施方式2所涉及的电元件安装用基板的凹部面的近旁进行放大的示意俯视图。

图7是对本公开的实施方式3所涉及的电元件安装用基板的凹部面的近旁进行放大的示意俯视图。

图8是对本公开的实施方式4所涉及的电元件安装用基板的凹部面的近旁进行放大的示意俯视图。

图9是分别表示本公开的实施方式4所涉及的电元件安装用基板的导体的形状的示例的关于该导体的一部分的示意放大图。

图10是本公开的实施方式5所涉及的电子部件的示意俯视图。

图11是本公开的实施方式5所涉及的电子部件的示意截面图。

图12是对本公开的实施方式5所涉及的电元件安装用基板的导体的近旁进行放大的示意俯视图。

具体实施方式

〔实施方式1〕

<电子部件以及基板的概要>

图2是表示本实施方式所涉及的电子部件2的示意俯视图。图3是本实施方式所涉及的电子部件2的示意截面图，是图2的III-III线箭头方向观察截面图。本公开中的包括图3在内的示意截面图仅表示位于截面的构件，省略了位于比该截面更里侧的构件的图示。

本实施方式所涉及的电子部件2具备基板4和安装于该基板4的电子元件E。基板4具备底部6和侧部8。特别是，底部6具备安装电子元件E的安装面6M。侧部8包围安装面6M而设置，具有从底部6立起的侧壁10，作为位于所述安装面侧的第1面。换言之，基板4具备位于电子元件E的周围的至少一部分且包围该电子元件E的侧部8。换言之，本实施方式所涉及的基板4是电子元件安装用基板。包括图2在内的本公开中的电子部件的示意俯视图均是相对于底部6的安装面6M的俯视图。

例如如图3所示那样，底部6包含2层层叠的底部层6A以及6B。此外，侧部8包含3层层叠的侧部层8A、8B以及8C。因此，基板4具有底部6所含的多个底部层和侧部8所含的多个侧部层合起来的合计5层的构造。但并不限于此，底部6所含的底部层以及侧部8所含的侧部层各自的层数与图3所示的结构相比可以更多也可以更少，例如底部6和侧部8也可以具有相互单层的构造。进而，基板4将底部6和侧部8作为一体的构件来具备。

进而，基板4具备：位于底部6的下侧电极12；和位于侧部8的顶部8T的上侧电极14。特别是，下侧电极12在安装面6M的俯视观察下位于与上侧电极14重叠的位置。下侧电极12以及上侧电极14由金属材料等具有电传导性的材料形成。例如，下侧电极12形成于底部6的安装面6M上，但并不限于此，也可以形成于底部6的与安装面6M相反一侧的面上、或底部6的内部。

进而，电子部件2可以具备多个连接构件W。连接构件W可以是键合引线。键合引线由金属材料等具有电传导性的材料形成。上侧电极14分别经由键合引线与电子元件E电连接。因此，电子部件2经由键合引线实现从电子元件E向上侧电极14的电导通。连接构件W除此以外也可以是接合件。例如，在下侧电极12延伸至电子元件E的下方的情况下，电子元件E也可以相对于基板4倒装芯片安装。在该情况下，通过倒装芯片安装进一步安装其他电子元件以使得分别跨越上侧电极14或多个上侧电极14。

<凹部面>

侧部8还具有从与电子元件E对置的侧壁10向侧部8的内部侧凹陷的凹部面10R。特别是，侧部8具备多个从侧壁10局部地凹陷的凹部面10R。因此，在侧部8，在侧壁10侧形成有局部地凹陷的多个凹部R。特别是，凹部R形成在被凹部面10R、和位于侧壁10的延长平面上的延长面MS包围的区域。此外，基板4在与各凹部面10R连接的位置具备下侧电极12和上侧电极14。因此，各下侧电极12和各上侧电极14经由各凹部面10R分别连接。

如上述那样，例如，侧壁10从安装面6M的包围电子元件E的周围的位置立起。具体地，如图2所示那样，侧壁10和延长面MS在沿着安装面6M的截面形成大致矩形状。但并不限于此，侧部8可以形成在安装面6M的覆盖电子元件E的周围的一部分的位置，例如可以形成在覆盖电子元件E的周围的四方当中的仅三方的位置。此外，侧壁10和延长面MS可以在沿着安装面6M的截面具有大致圆形状。

<导体>

为了更详细说明凹部面10R的近旁处的基板4的构造而参考图1。图1是将本实施方式所涉及的基板4的示意俯视图在凹部面10R的近旁进行放大的示意图，是对图2所示的区域A进行放大的示意图。

如图1所示那样，侧部8包含分别形成该侧部8的一部分的侧部基体16和导体18。侧部基体16形成侧壁10的一部分，进而具有凹陷到比延长面MS更靠侧部8的内部侧的侧部基体凹部面16S。导体18由金属材料等具有电传导性的材料形成，位于侧部基体凹部面16S的至少一部分的面上。因此，导体18具有位于凹部面10R的外表面18S。此外，在本实施方式中，导体18位于侧部基体凹部面16S的整面。因此，本实施方式所涉及的外表面18S与凹部面10R相同。

<导体与各电极的关系>

在此，侧部基体凹部面16S在从底部6去往侧部8的顶部8T的方向上延伸。因此，关于凹部面10R，也是在从底部6去往侧部8的顶部8T的方向上延伸。在此，导体18位于侧部基体凹部面16S的整面，各下侧电极12和各上侧电极14经由各凹部面10R分别连接。据此，各导体18将各下侧电极12和各上侧电极14相互电连接。换言之，下侧电极12经由导体18与上侧电极14电连接。特别是，在安装面6M的俯视观察下，上侧电极14可以形成在与导体18一部分重叠的位置，下侧电极12可以形成在凹部R的内部。

由此，基板4通过简单的结构来实现各下侧电极12与各上侧电极14的电导通。因此，电子部件2通过更加简单以及小型的结构来实现将来自通过引线键合等而对基板4安装的电子元件E的电导通经由下侧电极12而取出到基板4的外部的构造。

如图2、图3等所示那样，本实施方式所涉及的下侧电极12可以在安装面6M的俯视观察下，在底部6的比凹部面10R更靠安装面6M一侧露出。特别是，下侧电极12可以形成在安装面6M上。在该情况下，下侧电极12向底部6的形成变得容易，并且，不再需要用于确保下侧电极12与导体18的电导通的向底部6的通孔的形成。因此，根据上述结构，基板4能通过更简单的结构来实现下侧电极12与上侧电极14的电导通。

此外，作为沿着侧壁10的方向上的最大宽度，下侧电极12具有宽度12D，上侧电极14具有宽度14D。在本实施方式中，宽度12D和宽度14D也可以相同。在该情况下，下侧电极12和上侧电极14的电特性更加均质化，作为电子部件2整体的电特性得以改善。

在本说明书中，所谓“宽度12D和宽度14D相同”，也可以并不是仅指宽度12D和宽度14D严格相同的情况。例如，在本说明书中，在“宽度12D和宽度14D相同”的情况下，将下侧电极12和上侧电极14的沿着侧壁10的方向上的最大宽度设计成相同，容许进行制造的情况下产生的制造误差程度的差异。例如，若宽度12D与宽度14D之差为50μm以内，则宽度12D和宽度14D相同。

<被膜>

基板4还具备覆盖包括外表面18S的从侧部基体16露出的导体18的表面的被膜20。在本实施方式中，被膜20的光反射率比导体18的光反射率低。例如，被膜20可以包含相对于导体18而可见光域、红外光域以及紫外光域的任何波段中所含的光的反射率低的材料。具体地，被膜20例如可以是氧化铝的薄膜。此外，被膜20可以具有减少包括导体18的氧化或损伤在内的导体18的不良产生的保护膜的功能。

导体18以及被膜20的光反射率可以通过以下的方法来测定。例如，对于导体18以及被膜20各自的外表面从相对于该外表面的法线方向形成45度的方向照射光。接着，测定在该外表面反射的光的强度。接着，算出反射光的强度相对于照射光的强度的比例，将该比例作为光反射率。

<凹部面的具体例>

参考图4来说明凹部R和凹部面10R的具体的形状的示例。图4均是将安装面6M的俯视观察下的基板4的凹部面10R的近旁放大来表示的示意图，是关于图1所示的区域B的放大图。图4所示的各凹部R的具体例R1、R2以及R3仅各构件的形状不同，关于各构件的功能以及材料等则相同。

如图4的凹部R的具体例R1所示那样，例如本实施方式所涉及的凹部R具有大致半圆筒形状。在该情况下，侧部基体凹部面16S在沿着安装面6M的截面中具有大致半圆形状的曲线部。因此，由于凹部面10R成为曲面，因此，在沿着安装面6M的截面中，凹部面10R具有曲线形状。换言之，外表面18S具有曲面，此外，在沿着安装面6M的截面，外表面18S具有曲线形状。如上述那样，通过外表面18S在沿着安装面6M的截面具有曲线形状，基板4能减少在形成为凹部R的构件产生裂纹等不良的情况。

在该情况下，如图1所示那样，下侧电极12在安装面6M的俯视观察下，在电子元件E侧具有具备曲线形状的外形12R。根据上述结构，下侧电极12和导体18的电特性更加均质化，作为电子部件2整体的电特性得以改善。

除此以外，如图4的凹部R的具体例R2所示那样，例如本实施方式所涉及的凹部R也可以具有大致长方体形状。在该情况下，侧部基体凹部面16S在沿着安装面6M的截面具有大致矩形状的一部分。因此，凹部面10R具有第1凹部侧面10A、第2凹部侧面10B、以及将第1凹部侧面10A和第2凹部侧面10B连接的凹部连接面10C。第1凹部侧面10A以及第2凹部侧面10B分别设置到侧壁10。在该情况下，由于第1凹部侧面10A、第2凹部侧面10B以及凹部连接面10C均是平面，因此，在沿着安装面6M的截面，凹部面10R具有直线形状。换言之，在沿着安装面6M的截面，外表面18S具有直线形状。

进而，如图4的凹部R的具体例R3所示那样，例如在具体例R2中的凹部连接面10C，可以设置有与第1凹部侧面10A连接的第1曲面区域、以及与第2凹部侧面10B连接的第2曲面区域。具体地，也可以如图4的具体例R3所示那样，凹部连接面10C在第1曲面区域以及第2曲面区域分别具有凹部曲面10D。在该情况下，凹部面10R由于具有曲面和平面双方，因此，在沿着安装面6M的截面，凹部面10R具有直线形状和曲线形状双方。换言之，在沿着安装面6M的截面，外表面18S具有直线形状和曲线形状双方。

<材料的具体例>

底部6以及侧部基体16例如可以包含电绝缘性陶瓷、或包括塑料在内的树脂。作为该电绝缘性陶瓷的一例，能举出氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化铝质烧结体、窒化珪素质烧结体以及玻璃陶瓷烧结体。作为该树脂的一例，能举出环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂以及氟系树脂。作为该氟系树脂的一例，能举出聚酯树脂以及四氟乙烯树脂。

下侧电极12以及上侧电极1例如可以包含钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)以及铜(Cu)的任一者、或含有这些的至少1者的合金。导体18可以包含与下侧电极12或上侧电极14相同的材料。

<基板所起到的效果>

例如，在安装有电子元件的基板中，在导体在其表面当中的包围该电子元件的内表面露出的情况下，认为通过光入射到该导体的表面而产生散射光。由此，有时不需要的散射光会入射到安装于基板的电子元件，或者会从电子元件出射不需要的散射光。

本实施方式所涉及的基板4具备在比侧壁10的延长面MS更靠侧部8的内部侧具有外表面18S的导体18。因此，在从基板4的外部对导体18的外表面18S入射光、在外表面18S进行漫反射的情况下，基板4减少了该漫反射的光向电子元件E行进的盖然性。

特别是，在侧部基体16包含电绝缘性陶瓷且导体18包含金属材料的情况下，一般，与侧部基体16的表面比较，导体18的表面中的光反射率变高。因此，通过与侧部基体16比较而光反射率更高的外表面18S设置在位于比侧壁10的延长面MS更靠侧部8的内部侧的凹部面10R，更加效率良好地减少在侧部8漫反射的光向电子元件E行进的盖然性。

通过上述结构，本实施方式所涉及的基板4能减少预想外的光入射到位于安装面6M的电子元件E。因此，基板4改善了安装的电子元件E的元件特性。

电子部件2具备从电子元件E将电导通经由键合引线等连接构件W以及导体18向基板4的外部取出的构造。进而，基板4减少了在侧部8漫反射的光向电子元件E行进的盖然性。因此，电子部件2能实现小型化，且改善电子元件E的特性。

在此，电子元件E可以是接受可见光、红外光或紫外光等的光学元件。在作为光学元件而具备电子元件E的情况下，电子部件2由于效率良好地减少了向电子元件E的预想外的光的入射，因此，更有效果地实现了电子元件E的特性的提升。

此外，电子元件E也可以是出射光的元件。在该情况下，基板4减少从所安装的电子元件E出射的光在侧部8进行漫反射。因此，基板4减少了将除了从所安装的电子元件E出射的光以外的预想外的光从电子部件2取出，改善了电子元件E的元件特性。

此外，本实施方式所涉及的基板4具有覆盖外表面18S的被膜20。被膜20与导体18比较而光反射率更低。因此，与外表面18S中的光的漫反射相比更难以产生被膜20中的光的漫反射。因此，通过将外表面18S用被膜20覆盖，基板4能更有效率地减少侧部8中的光的漫反射。因而，本实施方式所涉及的基板4能进一步减少在侧部8漫反射的光入射到位于安装面6M的电子元件E，进一步改善了所安装的电子元件E的元件特性。

被膜20覆盖侧部8的表面当中的包含外表面18S的位置即可，例如也可以进一步覆盖侧部8的表面当中的包含侧部基体16的部分。在该情况下，被膜20可以包含与侧部基体16比较而光反射率更低的材料。根据上述结构，被膜20在侧部基体16的电子元件E的一侧的内表面也能减少光的漫反射。因此，根据上述结构，基板4能进一步减少在侧部8漫反射的光入射到位于安装面6M的电子元件E，进一步改善了所安装的电子元件E的元件特性。

此外，被膜20可以还形成在覆盖下侧电极12以及上侧电极14的表面的位置。在该情况下，基板4由于能减少在下侧电极12以及上侧电极14的表面漫反射的光入射到电子元件E的盖然性，因此，进一步改善了所安装的电子元件E的元件特性。

在本实施方式中，凹部面10R在从底部6去往侧部8的顶部8T的方向上延伸。根据上述结构，与凹部面10R相对于该方向斜向形成的情况相比，下侧电极12与上侧电极14的距离变短。因此，根据上述结构，凹部面10R的形成面积、进而外表面18S的面积减少。因而，根据上述结构，由于侧部8中的光的漫反射减少，因此，电子元件E的特性得以改善。

<基板以及电子部件的制造方法>

说明本实施方式所涉及的基板4以及电子部件2的制造方法的一例。本实施方式中所示的制造方法的一例是利用了多连片布线基板的基板4的制造方法。

(a)首先，形成构成基板4的底部6以及侧部基体16的陶瓷生片。例如，在底部6以及侧部基体16包含电绝缘性陶瓷的情况下，将电绝缘性陶瓷的材料混匀，来形成浆状的混合物。接着，通过刮刀法或压延辊法等成形方法对该混合物进行整形，得到多连片用的陶瓷生片。在底部6以及侧部基体16例如包含树脂的情况下，可以利用传递模塑法、注射模塑法等，通过使用了模具的按压形成，来对树脂进行整形，由此制造底部6以及侧部基体16。

(b)接下来，通过丝网印刷法等，在上述(a)的工序中得到的陶瓷生片涂布或填充金属膏。金属膏例如可以涂布在成为下侧电极12以及上侧电极14的部分。也可以通过在包含前述的金属材料的金属粉末中加进适当的溶剂以及粘合剂并混匀，来调整成适度粘度，从而制作金属膏。此外，金属膏也可以为了提高与底部6以及侧部基体16的接合强度而包含玻璃或陶瓷。此外，在底部6以及侧部基体16包含树脂的情况下，下侧电极12以及上侧电极14例如可以通过溅射法、蒸镀法等来形成。

(c)接下来，通过模具等对前述的生片进行加工。特别是，对于成为侧部基体16的生片，在形成侧部基体凹部面16S的位置形成第1开口部。

(d)接下来，对形成于生片的第1开口部的内表面涂布成为导体18的金属膏。成为导体18的金属膏也可以包含与成为下侧电极12以及上侧电极14的金属膏相同的材料。例如，对第1开口部涂布或填充金属膏，之后将该金属膏的一部分吸引，由此仅在第1开口部的内表面成膜金属膏的薄膜。

(e)接下来，在陶瓷生片的给定的位置使用模具、冲裁机或激光器等来进一步设置第2开口部。特别是，在本实施方式中，将陶瓷生片切断，以使得成为导体18的金属膏对于成膜于第1开口部的内表面的陶瓷生片在该陶瓷生片的俯视观察下横穿第1开口部。由此，在该陶瓷生片，通过第1开口部和第2开口部形成开口。该开口的内表面的一部分成为本实施方式所涉及的基板4的侧壁10。

(f)接下来，将成为底部6以及侧部基体16的陶瓷生片层叠，并进行加压。例如，也可以通过将陶瓷生片5层层叠，来形成分别成为底部层6A以及6B、侧部层8A、8B以及8C的陶瓷生片的层叠体。在此，也可以对该陶瓷生片的层叠体进行开口的形成等。

(g)接下来，将该陶瓷生片层叠体在约1500℃～1800℃的温度下进行烧成，得到排列多个基板4的多连片布线基板。通过该工序，前述的金属膏和成为基板4的陶瓷生片同时进行烧成，成为下侧电极12、上侧电极14以及导体18。

(h)接下来，通过将进行烧成而得到的多连片布线基板分断，来制造多个基板4。在该分断中，能采用沿着成为基板4的外缘的部位在多连片布线基板形成分割槽并沿着分割槽使之断裂来进行分割的方法、或划片法等。也可以在将上述的多连片布线基板分割成多个基板4前或进行分割后，在下侧电极12、上侧电极14以及导体18的表面粘覆被膜20。被膜20例如通过涂布法、溅射法或蒸镀法等来形成。

(i)接下来，在基板4的安装面6M安装电子元件E。安装面6M和电子元件E可以通过粘接剂等相互接合。此外，电子元件E通过键合引线等连接构件W与上侧电极14分别电连接。

通过如以上(a)～(i)的工序那样制作基板4，安装电子元件E，能制造电子部件2。上述(a)～(i)的工序顺序只要是能加工的顺序即不并不指定。例如，在基板4的制造方法中，也可以在层叠陶瓷生片后依次执行第1开口部的形成、向该第1开口部的内表面的金属膏的涂布以及吸引、和第2开口部的形成。

电子部件2对电子设备的搭载能通过过去公知的手法来执行。具备本实施方式所涉及的电子部件2的电子设备由于具备特性提升的电子元件E，因此成为更高品质。

〔变形例〕

<侧部的变形例>

图5是本实施方式的变形例所涉及的电子部件2A的示意截面图，是表示与图2的III-III线箭头方向观察截面对应的截面的截面图。在本说明书中，对具有相同的功能的各构件标注相同的名称以及参考符号，只要没有结构的差异，就不重复相同的说明。

本变形例所涉及的电子部件2A仅在取代基板4而具备基板4A这点上与本实施方式所涉及的电子部件2结构不同。基板4A与本实施方式所涉及的基板4比较，侧部层8A、8B以及8C的至少一者和其他侧部层8A、8B以及8C的任一者相比，与安装面6M平行的方向上的位置不同。例如，如图5所示那样，在本实施方式中，安装面6M的俯视观察下的侧部层8A、8B以及8C各自的形成位置相互不同。

与此相伴，在与安装面6M平行的至少2个截面中，导体18的外表面18S起的厚度不同。具体地，如图5所示，在侧部层8A、8B以及8C各自的侧部基体凹部面16SA、16SB、以及16SC分别形成导体18A、18B以及18C。在此，由导体18A、18B以及18C形成的导体18的外表面18S位于大致相同面上。因此，在与安装面6M平行的方向上，导体18A、18B以及18C各自的厚度不同。

除了上述点以外，本变形例所涉及的基板4A具备与本实施方式所涉及的基板4相同的结构。因此，本变形例所涉及的基板4A出于与本实施方式所涉及的基板4相同的理由而改善了所安装的电子元件E的特性。

此外，基板4A能具备关于与安装面6M平行的方向上的导体18的厚度而底部6侧较厚、此外侧部8的顶部8T侧较薄的构造。在该情况下，基板4A能使下侧电极12和上侧电极14各自的形成面积原样不变地将下侧电极12与导体18的接触面积扩展。因此，根据上述结构，基板4A实现小型化，且改善了下侧电极12的电特性。

基板4A可以通过将上述的基板4的制造方法变更一部分来制造。例如，在上述的基板4的制造方法中，可以使成为侧部层8A、8B以及8C的陶瓷生片的层叠位置相互偏离。在此，也可以在形成使层叠位置相互偏离的成为侧部层8A、8B以及8C的陶瓷生片的层叠体后，进行对第1开口部的内表面的金属膏的涂布。由此，在侧部层8A、8B以及8C的各自中，也可以形成与安装面6M平行的方向上的宽度相互不同的导体18。

〔实施方式2〕

<金属层>

图6是将本实施方式所涉及的基板4B的示意俯视图在凹部面10R的近旁进行放大的示意图，是对与图2所示的区域A对应的区域进行放大的示意图。

本实施方式所涉及的基板4B与实施方式1所涉及的基板4比较，仅在取代被膜20而具备金属层22这点上结构不同。将单体的金属或多种金属的合金在外表面18S上通过镀覆法等进行成膜，由此能形成金属层22。换言之，可以用在上述的基板4的制造方法中将被膜20的形成工序置换成金属层22的形成工序的制造方法来制造基板4B。

关于本实施方式所涉及的基板4B，也具备导体18，其具有位于比侧壁10的延长面MS更靠侧部8的内部侧的外表面18S。因此，本实施方式所涉及的基板4B出于与本实施方式所涉及的基板4相同的理由，改善了所安装的电子元件E的特性。此外，金属层22例如可以是包括金的电传导性高的金属。在该情况下，基板4B能通过金属层22使导体18中的电传导更加改善。因此，基板4B能改善导体18中的电特性。

〔实施方式3〕

<导体的变形例>

图7是将本实施方式所涉及的基板4C的示意俯视图在凹部面10R的近旁进行放大的示意图，是对与图2所示的区域A对应的区域进行放大的示意图。

本实施方式所涉及的基板4C与实施方式1所涉及的基板4比较，在导体18的外表面18S是凹部面10R的一部分这点上结构不同。特别是，导体18仅形成在侧部基体凹部面16S的一部分。与此相伴，在侧部基体凹部面16S形成从导体18露出的露出面16E。因此，本实施方式中的凹部面10R由外表面18S和露出面16E构成。被膜20形成在包含外表面18S的覆盖导体18的位置即可，可以如图7所示那样，仅形成在凹部面10R的一部分。

进而，在沿着安装面6M的截面中，本实施方式所涉及的外表面18S与侧壁10远离。换言之，导体18并不延伸至侧壁10，并不与延长面MS重叠。特别是，导体18在安装面6M的俯视观察下，形成在侧部基体凹部面16S的比延长面MS更靠侧部8的内部侧的一部分。因此，露出面16E形成在比外表面18S更靠近侧壁10的一侧。

除了上述点以外，本实施方式所涉及的基板4C具备与本实施方式所涉及的基板4相同的结构。

本实施方式所涉及的基板4C在凹部面10R的一部分具备包含外表面18S的导体18。根据上述结构，基板4C更加效率良好地减少了在侧部8漫反射的光向电子元件E行进的盖然性。因此，本实施方式所涉及的基板4C更加效率良好地改善了安装的电子元件E的特性。此外，由于通过所形成的导体18的体积减少，本实施方式所涉及的基板4C能削减在导体18的形成中使用的材料，因此，能减少制造成本。

此外，本实施方式所涉及的基板4C在沿着安装面6M的截面具备包含与侧壁10远离的外表面18S的导体18。根据上述结构，基板4C能进一步拉远凹部面10R的外表面18S与所安装的电子元件E的距离。因此，基板4C进一步效率良好地减少了在侧部8漫反射的光向电子元件E行进的盖然性。

基板4C可以通过将上述的基板4的制造方法一部分变更来制造。例如，在上述的基板4的制造方法中，在对陶瓷生片的第1开口部涂布金属膏的工序中，也可以通过在通过第1开口部的内表面的一部分进行遮蔽，来在第1开口部的内表面的一部分涂布金属膏。

〔实施方式4〕

<导体的其他变形例>

图8是将本实施方式所涉及的基板4D的示意俯视图在凹部面10R的近旁进行放大的示意图，是对与图2所示的区域A对应的区域进行放大的示意图。

本实施方式所涉及的基板4D与前实施方式所涉及的基板4C比较，在进一步在沿着安装面6M的截面中具备位于侧部8当中的与侧壁10远离的区域的导体18这点上结构不同。特别是，导体18填充在由侧部基体凹部面16S形成的凹部空间当中的比延长面MS更靠侧部8的内部侧的一部分。换言之，在安装面6M的俯视观察下，导体18占据了由侧部基体凹部面16S形成的凹部空间当中的比延长面MS更靠侧部8的内部侧的一部分区域。除了上述结构以外，本实施方式所涉及的基板4D具备与前实施方式所涉及的基板4C相同的结构。在该情况下，侧部基体凹部面16S是不含被导体18填充的通孔的外形这样的、一部分虚拟的连续面，是指与被填充导体18而在表面露出的外表面18S一致的面。换言之，导体18在从侧壁10远离的方向上具有厚度。

本实施方式所涉及的基板4D具备填充由侧部基体凹部面16S形成的凹部的一部分的导体18。根据上述结构，基板4D在侧部基体16与导体18接触的位置减少了侧部8的变形，进而减少了凹部面10R的变形。因此，基板4D减少了安装电子元件E的由侧壁10形成的空间的变形。

基板4D也可以通过将上述的基板4的制造方法一部分变更来制造。例如，在上述的基板4的制造方法中，可以在陶瓷生片的第1开口部中填充金属膏后，在包含该金属膏的位置执行该陶瓷生片的切断，来形成第3开口部。由此，能制造在开口部的一部分填充金属膏的陶瓷生片。

<导体的端部近旁的具体例>

参考图9来说明本实施方式所涉及的侧部基体16以及导体18的形状的示例。图9是对导体18的一部分进行放大的示意图，是对图8所示的区域C进行放大的示意图。在图9中，除了本实施方式所涉及的基板4D以外，还一并示出关于本实施方式的第1的变形例所涉及的基板4E以及第2的变形例所涉及的基板4F的放大示意图。本实施方式的变形例所涉及的基板4E以及其他变形例所涉及的基板4F除了侧部基体16、导体18、以及被膜20的形状以外，具备相互相同的结构。

图9对导体18当中的靠近延长面MS的端部18P的近旁来放大表示。导体18例如面向图8的纸面在上侧和下侧分别具有端部18P。在此，图9仅示出导体18所具有的2个端部18P当中的一个端部18P的近旁。其中，在本实施方式中，后述的侧部基体16与导体18的位置关系在靠近延长面MS的两端部是相同的。

例如，如图4的基板4D以及基板4E的示意放大图所示那样，在沿着安装面6M的截面中，本实施方式以及第1的变形例所涉及的导体18的端部18P位于凹部面10R。换言之，本实施方式以及第1的变形例所涉及的导体18的侧壁10一侧的两端部位于凹部面10R。特别是，本实施方式所涉及的导体18的端部18P与露出面16E的侧部8的内部侧的端部16P相接。因此，在本实施方式所涉及的基板4D中，凹部面10R在露出面16E与外表面18S之间平滑地连接。与此相对，在第1的变形例所涉及的基板4E中，导体18的端部18P比露出面16E的端部16P更向侧壁10的一侧突出。

此外，例如如图4的基板4F的示意放大图所示那样，在沿着安装面6M的截面，在第2的变形例所涉及的基板4F中，导体18的端部18P位于比凹部面10R更靠侧部8的内部侧。换言之，第2的变形例所涉及的导体18的侧壁10的一侧的两端部位于比凹部面10R更靠侧部8的内部侧。因此，第2的变形例所涉及的露出面16E的端部16P到达凹部面10R，但导体18的端部18P并未到达凹部面10R。根据该结构，第2的变形例所涉及的基板4F能更加减少从侧部基体16露出的外表面18S的面积。

〔实施方式5〕

<没有凹部面的侧部>

图10是表示本实施方式所涉及的电子部件2G的示意俯视图。图11是本实施方式所涉及的电子部件2G的示意截面图，是图10的XI-XI线箭头方向观察截面图。图12是将本实施方式所涉及的基板4G的示意俯视图在导体18的近旁进行放大的示意图，是对图10所示的区域D进行放大的示意图。

本实施方式所涉及的电子部件2G仅在取代基板4而具备基板4G这点上与本实施方式所涉及的电子部件2G结构不同。基板4G与本实施方式所涉及的基板4比较，导体18的形状不同。

特别是，本实施方式所涉及的导体18的外表面18S到达与侧部基体16的侧壁10一侧的表面大致相同的平面。例如，特别是如图12详细地示出那样，导体18将由侧部基体16的侧部基体凹部面16S形成的凹部空间填充。因此，在基板4G的侧部8未形成凹部R，侧部8没有凹部面10R。换言之，侧壁10和外表面18S成为大致齐平。此外，本实施方式所涉及的基板4在包含覆盖外表面18S的位置的、覆盖侧壁10的至少一部分的位置具备被膜20。

除了上述点以外，本实施方式所涉及的基板4G具备与实施方式1所涉及的基板4相同的结构。

本实施方式所涉及的基板4G具有覆盖外表面18S的被膜20。因此，出于与实施方式1中说明的理由相同的理由，基板4G能更有效率地减少侧部8中的光的漫反射。因而，本实施方式所涉及的基板4G能减少在侧部8漫反射的光入射到位于安装面6M的电子元件E，改善了所安装的电子元件E的元件特性。

基板4G可以通过将上述的基板4的制造方法一部分变更来制造。例如，在上述的基板4的制造方法中，也可以在将金属膏填充的陶瓷生片的第1开口部后，不实施该金属膏的吸引地在该陶瓷生片形成第2开口部。

本公开并不限定于上述的各实施方式，能在权利要求所示的范围进行种种变更，关于将不同的实施方式中分别公开的技术手段种种组合而得到的实施方式，也含在本公开的技术范围中。

符号说明

2电子部件

4基板(电子元件安装用基板)

6底部

6M安装面

8侧部

10侧壁(第1面)

10R凹部面

12下侧电极

14上侧电极

18导体

18S外表面

20被膜。

Claims (21)

1.一种电子元件安装用基板，具有：

底部，具有安装电子元件的安装面；

侧部，包围该底部的所述安装面而设置，具有位于所述安装面的一侧的第1面和从该第1面凹陷的凹部面；和

导体，形成所述侧部的一部分，具有位于所述凹部面的外表面。

2.根据权利要求1所述的电子元件安装用基板，其中，

所述电子元件安装用基板还具备：被膜，覆盖所述外表面，

该被膜的光反射率比所述导体的光反射率低。

3.根据权利要求1或2所述的电子元件安装用基板，其中，

所述凹部面在从所述底部去往所述侧部的顶部的方向上延伸。

4.根据权利要求3所述的电子元件安装用基板，其中，

在沿着所述安装面的截面，所述外表面是所述凹部面的一部分。

5.根据权利要求4所述的电子元件安装用基板，其中，

在沿着所述安装面的截面，所述外表面与所述第1面远离设置。

6.根据权利要求5所述的电子元件安装用基板，其中，

在沿着所述安装面的截面，所述导体位于所述侧部当中的与所述第1面远离的区域。

7.根据权利要求6所述的电子元件安装用基板，其中，

在沿着所述安装面的截面，所述导体的位于所述第1面的一侧的两端部位于所述凹部面。

8.根据权利要求6所述的电子元件安装用基板，其中，

在沿着所述安装面的截面，所述导体的位于所述第1面的一侧的两端部位于比所述凹部面更靠所述侧部的内部侧。

9.根据权利要求3～8中任一项所述的电子元件安装用基板，其中，

在沿着所述安装面的截面，所述外表面具有曲线形状。

10.根据权利要求3～9中任一项所述的电子元件安装用基板，其中，

在沿着所述安装面的截面，所述外表面具有直线形状。

11.根据权利要求3～10中任一项所述的电子元件安装用基板，其中，

在与所述安装面平行的2个截面，所述导体的所述外表面起的厚度不同。

12.根据权利要求11所述的电子元件安装用基板，其中，

所述侧部包含多个层叠的侧部层，

所述多个侧部层的至少一个的与所述安装面平行的方向上的位置和其他侧部层的至少一个不同。

13.根据权利要求3～12中任一项所述的电子元件安装用基板，其中，

所述凹部面具有：分别设置至所述第1面的第1凹部侧面以及第2凹部侧面；和将该第1凹部侧面和所述第2凹部侧面连接的凹部连接面，

所述凹部连接面具有：与所述第1凹部侧面连接的第1曲面区域；以及与所述第2凹部侧面连接的第2曲面区域。

14.一种电子元件安装用基板，具备：

底部，具有安装电子元件的安装面；

侧部，包围该底部的安装面而设置，具有位于所述安装面的一侧的第1面；

导体，在所述侧部的一部分具有设置至所述第1面的外表面；和

被膜，覆盖所述外表面，

该被膜的光反射率比所述导体的光反射率低。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的电子元件安装用基板，其中，

所述电子元件安装用基板还具备：

上侧电极，位于所述侧部的顶部；和

下侧电极，在所述底部在所述安装面的俯视观察下与所述上侧电极重叠设置，且经由所述导体与所述上侧电极电连接。

16.根据权利要求15所述的电子元件安装用基板，其中，

所述上侧电极和所述下侧电极的沿着所述第1面的最大宽度相同。

17.根据权利要求15或16所述的电子元件安装用基板，其中，

在所述安装面的俯视观察下，所述下侧电极在所述底部的比所述侧部更靠所述安装面的一侧露出。

18.根据权利要求15～17中任一项所述的电子元件安装用基板，其中，

在沿着所述安装面的截面，所述外表面具有曲线形状，在所述安装面的俯视观察下，所述下侧电极的外形具有曲线形状。

19.一种电子部件，具备：

权利要求15～18中任一项所述的电子元件安装用基板；

位于所述安装面的所述电子元件；和

多个连接构件，

所述上侧电极分别经由所述连接构件与所述电子元件电连接。

20.根据权利要求19所述的电子部件，其中，

所述电子元件是光学元件。

21.一种电子设备，具备权利要求19或20所述的电子部件。