TWI286642B - Thin film transistor for liquid crystal device and method of manufacturing the same - Google Patents

Thin film transistor for liquid crystal device and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
TWI286642B
TWI286642B TW090113814A TW90113814A TWI286642B TW I286642 B TWI286642 B TW I286642B TW 090113814 A TW090113814 A TW 090113814A TW 90113814 A TW90113814 A TW 90113814A TW I286642 B TWI286642 B TW I286642B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pattern
wiring
passive film
gate
hole
Prior art date
Application number
TW090113814A
Other languages
English (en)
Inventor
Dong-Gyu Kim
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TWI286642B publication Critical patent/TWI286642B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
    • H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y10S438/945—Special, e.g. metal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y10S438/948—Radiation resist
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y10S438/948—Radiation resist
    • Y10S438/949—Energy beam treating radiation resist on semiconductor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

1286642 A7 B7 五、發明説明（丨） 發明背景 發明範, 本發明係有關一種液晶顯示器之薄膜電晶體及其製 法’特別係有關可減少光罩使用數目之液晶顯示器及薄膜 電晶體及其製法。 相關技藝說明 於今日資訊導向的社會，電子顯示器扮演角色愈來愈 重要。各種電子顯示器皆廣用於多項產業領域。 通常電子顯示器為可以視覺傳遞多項資訊給人的裝 置。換言之’由多種電子裝置輸出的電氣資訊信號於電子 顯不器被轉成視覺可辨識的光學資訊信號。因此，電子顯 示器係作為人與電子裝置間的連接橋樑。 電子顯示器可分類成發射型顯示器，其中光學資訊信 號係以光發射方式顯示，以及非發射型顯示器，其中光學 貪訊信號係以光學調變方式例如光反射、散射及干涉現象 等顯示。至於發射型顯示器稱作主動顯示器例如有CRT(陰 極射線管）、PDP(電漿顯示面板）、LED(發光二極體）及 ELD(電致發光顯示器）等，。至於作為被動顯示器的非發射 型顯示器有LCD(液晶顯示器）、ECD(電化學顯示器）以及 EPID(電泳影像顯示器）等。 用於影像顯示器，例如電視接收器及監視器等的cRT 就顯示品質與經濟效率而言具有最高市場佔有率，但也有 笨重、體積龐大及耗電量高等多項缺點。 同時由於半導體技術的快速發展，多種電子裝置係藉
1286642 A7 _— ___B7_ 五、發明説明（2 ) 較低電壓及較低功率驅動，故電子裝置變成輕薄短小。因 此，新環境需要具有輕薄短小特徵以及較低驅動電壓及較 低耗電量等特性的平板型顯示器。 多種發展出的平板型顯示器中以液晶顯示器比較任 何其它顯示器更輕薄短小，此等電壓較低以及耗電量較 少’同時顯示品質類，似陰極射線管的顯示品質。因此液晶 顯示器廣用於各種電子裝置。 液晶顯示器包含兩片基板有個電極，以及液晶層插置 於兩片基板間。於液晶顯示器，電壓外加至電極而再度對 準液晶分子以及控制透射通過分子的光線量。此種液晶顯 示器可分類成透射型LCD用以使用外部光源顯示影像，以 及反射型LCD用以使用自然光顯示影像。 今曰主要使用的液晶顯示器之一設置有電極形成於 二基板，以及薄膜電晶體用以開關供給各電極的電力。通 常薄膜電晶體（後文稱作TFT)係形成於兩片基板的一邊。 一般而言，其上形成TFTs的基板稱作「TFT基板」。此 種TFT基板通常係使用光罩例如目前的7片光罩藉光微影 術方法製造、 第1圖為習知反射型TFT LCD之剖面圖。 參照第1圖，沉積例如鉻（Cr)、銘（A1)、翻（Mo)或鉬與 鎢（W)合金之單層金屬膜或雙層金屬膜作為閘膜與玻璃、 石英或藍寶石製成的透明基板10後，閘膜使用光微影術方 法圖樣化而形成閘佈線（使用第一光罩），閘佈線包括閘極 12、連接至閘極12之閘線、以及接收來自外側的信號且傳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 五、發明説明（3 ) 遞接收得的信號給閘線至閘襯墊13。 氮化矽製成的閘絕緣膜14於形成閘佈線的基板上方 形成至約4,50()埃厚度。非晶形”成的半導體膜沉積於閑 絕緣膜14上，然後經圖樣化而形成薄膜電晶體主動圖16(使 用第二光罩）。 金屬膜沉積於主動圖樣16及閘絕緣膜14上，然後使用 光微影術方法圖樣化而形成資料佈線（使用第三光罩）。資 料佈線包括源極18、汲極以及用以傳輸影像信號的資料襯 整（圖中未顯示）。 沉積氮化矽製成的無機被動膜20於資料佈線及閘絕 緣膜14至約4,000埃厚度後，無機被動膜2〇以及源極之閘絕 緣膜14、閘佈線及資料襯墊藉光微影術方法乾蝕刻（使用第 四光罩）。 感光有機被動膜22沉積於無機被動膜2〇至約2-4微米 厚度，然後使用光罩曝光（使用第五光罩）。此時，位於源 極18上的有機被動膜22、閘線及資料襯墊完全曝光。 此外’為了製造光散射結構的像素區反射板，有機被 動膜22再度曝光（使用第六光罩）。此時，顯示區有機被動 膜22以不規則圖樣不完全曝光，圖樣之線寬度係對應曝光 機器解析度。 隨後，曝光後的有機被動膜22經顯像而形成不規則表 面’不規則表面有多個凹部及凸部於有機被動膜，以及曝 光源極18之第一通孔以及曝光閘襯墊13之第二通孔。此 外’雖然圖中未顯示，形成一起曝光資料襯墊的第三通孔。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） 1286642 A7 B7 五、發明説明（4 ) 於形成前述通孔之有機被動膜22上，沉積反射金屬膜 如鋁（A1)，然後經圖樣化而形成像素電極26其係經由第一 通孔連接至源極18，以及閘襯墊電極27其係經由第二通孔 連接至閘襯墊13(使用第七光罩）。此外，形成資料襯墊電 極（圖中未顯示）其係經由第三通孔連接至資料襯墊。像素 電極26係形成於閘佈線及資料佈線包圍的像素區内部，且 設置一片反射板。 為了製造根據前述習知方法之薄膜電晶體，光微影蝕 刻術方法用於閘佈線、主動圖樣、資料佈線、無機被動膜、 有機被動膜及像素電極等六層，如此需要六片光罩。 隨著光微影術處理數目的增加，製造成本以及製程錯 誤機率也隨之升高。由於如此導致製造成本增高，因此提 議一種經由刪除無機被動膜形成無機被動膜成為單層之方 法俾簡化處理。 第2A至4B圖為剖面圖，說明根據另一習知方法其中刪 除無機被動膜，形成通孔於薄膜電晶體之方法。此處第 2A、3A及4A圖顯示部分顯示區以及第2B、3B及4B顯示部 分襯墊區。 參照第2A及2B圖，沉積感光材料製成的有機被動膜45 於基板40上後，於基板上循序形成第一金屬膜製成的閘佈 線42、無機絕緣膜製成的閘絕緣膜43、以及第二金屬膜製 成的資料佈線，有機被動膜45之通孔部45a及45b係使用光 罩30曝光。 參照第3A及3B圖，有機被動膜45經曝光後的通孔部 8 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1286642 A7 B7 五、發明説明（5 ) 45a及45b經顯像以及去除而形成有機被動膜圖樣45c。隨後 位於被去除的通孔部45a及45b下方的閘絕緣膜42使用有機 被動膜圖樣45c作為蝕刻罩乾蝕刻，俾形成暴露資料佈線44 的第一通孔46以及暴露閘佈線42的第二通孔47。此時，無 機絕緣膜經由旁側蝕刻，因此於有機被動膜圖樣45c下方形 成凹割「A」。 同理，於資料佈線44係由具有高消耗率的材料例如鉬 (Mo)或MoW製成時，資料佈線44於第一通孔46邊緣經旁側 蝕刻，如此於有機被動膜圖樣45c下方產生凹割「A」。同 時，資料佈線44於第一通孔46底部「B」被耗用預定厚度。 參照第4A及4B圖，於沉積反射金屬膜如鋁（A1)於有機 被動膜圖樣45c後，圖樣45c形成第一及第二通孔46及47。 沉積的反射金屬膜藉光微影術方法圖樣化而形成像素電極 48，其係經由第一通孔46連接至資料佈線44 ;以及襯墊電 極49其係經由第二通孔47連接至閘佈線42。 此時，由於凹割係於有機被動膜圖樣45c下方形成，故 反射金屬膜的遮蓋失敗，因此於第一及第二通孔46及47底 部出現反射金屬膜開放式故障。 如此無可避免地需要解決凹割問題。若凹割問題未解 決，則難以使用被動膜作為有機絕緣膜單層，如此變成無 法減少光罩數目。 發明概要 如此，本發明之第一目的係提供一種經由形成被動膜 成為單層而可減少光罩數目之LCD薄膜電晶體。 9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1286642 A7 ___—__B7_ 五、發明説明（ό ) 如此本毛明之第二目的係提供經由形成被動膜成為 單層而可減少光罩數目之LCD薄膜電晶體之製法。 本發明之第二目的係提供一種經由形成被動膜成為 單層以及使用IZO(銦-鋅_氧化物）成為透明電極而可提升 反射電極與透明電極間之邊界特性的反射及透射性1^(：13薄 膜電晶體之製法。 為了達成本發明之第一目的，提供LCD之薄膜電晶體 (TFT)。TFT包括閘佈線形成於基板上，包括顯示區及位在 顯不區外側且於第一方向伸展的襯墊區。閘絕緣膜形成於 閘佈線及基板上俾部分暴露閘佈線。主動圖樣形成於閘絕 緣膜上。資料佈線部分疊置主動圖樣，形成於閘絕緣膜上， 以及於垂直第一方向的第二方向伸展。有機被動膜圖樣係 形成於貧料佈線及閘絕緣膜上。有機被動膜圖樣包括第一 通孔用以部分暴露資料佈線，以及第二通孔用以部分暴露 閘佈線。像素電極形成於有機被動膜圖樣上，且係經由資 料佈線上的第一通孔連接至資料佈線。襯塾電極形成於有 機被動膜圖樣上，且係經由第二通孔連接至閘佈線。閘絕 緣膜於第二通孔底緣，相對於有機被動膜圖樣向内凸起。 ”為了達成本發明之第二目的，提供一種製造LCD薄膜 電晶體之方法。前述方法中，閘佈線形成為於基板上於第 方向伸展，包括一個顯示區以及一個於顯示區外部的襯 墊區。資料佈線係形成為於閘佈線上於垂直第一方向的第 一方向伸展，而有閘絕緣膜插置於閘佈線與資料佈線間。 有機被動膜係形成於資料佈線與閘絕緣膜上。有機被動膜 1286642 A7
請 先 閲 面 之 注 意 事
訂 # 1286642 A7 ___________B7_ 五、發明説明（8 ) 為了達成本發明之第三目的，提供一種製造反射及透 射型LCD薄膜電晶體之方法。前述方法中，於基板上於第 方向开> 成閘佈線’包括一個顯示區以及一個位在該顯示 區外侧的一個襯塾區。資料佈線係於閘絕緣膜上於垂直第 方向之第二方向伸展，而閘絕緣膜係插置於閘佈線與資 料佈線間。被動膜係形成於資料佈線以及閘絕緣膜上。·被 動膜有第一通孔暴露資料佈線，以及第二通孔暴露閘佈 線。IZO製成的透明電極層以及反射電極層循序沉積於第 一及第二通孔及被動膜上。光阻圖樣形成於反射電極層 上，讓光阻圖樣於反射區比透射區更厚。反射電極層及透 明電極層係使用光阻圖樣作為光罩同時濕㈣。光阻圖樣 被去除預定厚度，讓透射區的反射電極層暴露出。透射區 反射電極層藉乾蝕刻去除。光阻圖樣經去除而形成透明電 極以及包封透明電極的反射電極。 根據本發明之第一具體實施例，有機絕緣膜製成被動 膜使用具有部分曝光圖樣形成為開縫結構之光罩或於通孔 邊緣半透明材料製成的光罩曝光俾形成有機被動膜圖樣， 讓有機被動膜行進至通孔形成邊緣時愈來愈不傾斜。隨後 經由使用有機被動膜圖樣作為蝕刻光罩進行乾蝕刻處理而 形成通孔。然後為了去除有機被動膜圖樣，進行灰化或電 漿乾蝕刻俾去除有機被動膜圖樣下方的凹割。如此當凹割 被去除時，有機被動膜圖樣下方薄膜由通孔底緣凸起。因 此不會發生沉積失敗，隨後製程期間沉積的金屬膜於步進 部開放。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） —---~
•訂丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（9 ) 較佳若部分曝光圖樣進一步形成於光罩的對應像素 區反射板位置，則通孔可藉一次曝光處理使用單一光罩形 成，同時可形成有多個凹部及凸部的不規則表面。因此， 於反射及透射複合型LCD或反射型LCD，可將使用光罩數 目由7片減至5片。 根據本發明之第二具體實施例，經由使用兩個光罩循 序進行曝光處理兩次，有機被動膜圖樣留在通孔區邊緣。 隨後使用有機被動膜圖樣形成通孔，進行灰化或電漿乾蝕 刻處理俾去除形成於有機被動膜圖樣下方的凹割。因此， 由於防止高度差異而避免因高度差異造成步進部開放之像 素電極金屬膜故障。 此處由於二光罩之任一者皆可用作為曝光光罩，用以 於反射及透射複合型LCD或反射型LCD形成有機被動膜的 不規則圖樣，故可將光罩使用數目由7片減至6片。 根據第三具體實施例，由於於反射及透射複合型 之透明電極係由IZO而非由ITO製成，故可提升透明電極與 反射電極間的邊界特性以及簡化製造過程。又因被動膜係 由有機絕緣膜單層製成，，透明電極一端疊置於閘佈線及資 料佈線，讓反射電極留在疊置區周圍，故獲得具有足夠光 透射的高孔徑比。 圖式之簡單說明 前述及其它本發明之目的及優點經由參照附圖說明 較佳具體實施例之細節將更形彰顯，附圖中： 第1圖為習知反射型LCD之薄膜電晶體之剖面圖； 1286642 A7 B7 五、發明説明（l〇 ) 第2A至4B圖為剖面圖，顯示根據另一習知技藝形成反 射型LCD薄膜電晶體之通孔之方法； 第5A至9B圖為剖面圖，說明根據本發明之第一具體實 施例形成通孔之方法； 第10圖為可應用於本發明之第一具體實施例之反射型 LCD薄膜電晶體之平面圖； 第11A至11C圖為沿第10圖線C-C’，D-D’及E_E’分別所 取之LCD薄膜電晶體之剖面圖； 第12A至17B圖為平面圖及剖面圖，用以說明可應用至 本發明之第一具體實施例製造反射型LCD薄膜電晶體之方 法； 第18A至22B圖為剖面圖說明根據本發明之第二具體 實施例形成通孔之方法； 第23圖為根據本發明之第三具體實施例之反射及透射 型LCD薄膜電晶體之平面圖；以及 第24A至27C圖為剖面圖，用以說明根據第三具體實施 例製造LCD薄膜電晶體之方法。 較佳具體實施例之詳細說明 現在參照附圖說明本發明之較佳具體實施例之細節。 具體實施例1 第5A至9B圖為剖面圖，說明根據本發明之第一具體實 施例形成通孔之方法，其中第5A、6A、7A、8A及9A圖顯 示基板襯墊區部分，於該部分形成薄膜電晶體；以及第 5B、6B、7B、8B及9B圖顯示基板顯示區部分。 14 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1286642 A7 ________B7___ 五、發明説明（11 ) 參照第5A及5B圖，於基板50上循序形成第一金屬膜製 成的閘佈線52，無機絕緣膜製成的閘絕緣膜54以及第二金 屬膜製成的資料佈線56 ;於基板上沉積感光有機被動膜58 至約2微米或2微米以上厚度。 感光有機被動膜5 8係使用具有部分曝光圖樣製作於 開缝結構或半透明膜製造的位於有機被動膜58開放區，換 吕之於通孔區邊緣的光罩80曝光。然後有機被動膜58於通 孔區中部完全曝光，同時藉開縫而於通孔區邊緣繞射曝 光。較佳部分曝光圖樣形成為開放圖樣形狀，其線寬度係 相當於曝光機器解析度之半。此外，以反射及及透射複合 型LCD或反射型LCD為例，使用分開光罩之曝光程序並未 進行，形成部分曝光圖樣俾對應像素部分反射板，故可形 成有多個凹部及凸部之不規則表面供光線於有機被動膜散 射。 其次，曝光後之有機被動膜58經顯像而形成有機被動 膜圖樣58a。有機被動膜圖樣58及於通孔區一緣具有低斜 率。然後有機被動膜圖樣58a具有第一通孔59用以部分曝光 資料佈線56，以及第二通孔61用以部分曝光閘佈線52。 換言之，參照第6A及6B圖，使用有機被動膜圖樣58a 作為蝕刻罩，設置於有機被動膜圖樣58A下方的閘絕緣膜 54經乾蝕刻而形成第一通孔59用以曝光資料佈線兄，以及 第二通孔61用以曝光閘佈線52。此時，無機絕緣材料製成 的閘絕緣膜54經旁側蝕刻，藉此於有機被動膜圖樣58&下方 產生凹割。同理，以資料佈線係由具有高消耗性質例如銷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 15 1286642 . 弗901138M號專利申請案說明書修正頁93 〇7 £?| A 7
(Mo)或MoW材料製$的資料佈線為_，資料佈線％經旁側 蝕刻，如此於有機被動膜圖樣58c下方產生凹割（u)。同時， 貝料佈線56於第一通孔59 (M)底面被消耗預定厚度。 蒼照第7A及7B圖，進行有機被動膜圖樣58a的灰化俾 方、未平以及垂直方向深度去除有機被動膜圖樣達距表 面之選定厚度58b之選定深度。結果凹割⑼被去除。此處 可使用電漿乾蝕刻法替代灰化。 此％，由於藉繞射曝光而形成於通孔邊緣的有機被動 胰圖樣58c具有低斜率，故雖然灰化數量小，但有機被動膜 圖樣58a的水平退縮變大。換言之，假設有機被動膜圖樣* t通孔邊緣之傾斜角為Θ,以及有機被動膜圖樣之垂直退 备百距離為）’，則有機被動膜圖樣5 8c之水平退縮距離X變成Y Sl】1 Θ。.如此由於無需過度灰化俾去除凹割，故不會招致 像素區内部有機被動膜表面的凸部塌陷問題。 右則述灰化處理完成，如第8 A圖所示，相對於有機被 動膜圖樣58〇閘絕緣膜54由第二通孔61底緣S1凸起。同理， 相對於有機被動膜圖樣58c，資料佈線56由第二通孔59另一 底緣S2凸起，如第犯圖所示。 麥知、第9A及9B圖，當有機被動膜圖樣58c下方薄膜係 由逍孔底緣凸起時，反射金屬膜如链沉積於結果所得 、。構上，然後籍光微影術方法圖樣化。結果形成像素電極 62其係經由第一通孔59連接至資料佈線％，以及襯墊電極 64其ίτ'矬由弟二逋孔6 I連接至閘佈線52。此處由於反射金 及k冰於凹割位於有機被動膜圖樣5 8c下方的情況下沉 1286642 A7 ____B7_ 五、發明説明（13 ) 積，故於步進部有良好階級遮蓋率。 第10圖為可應用於本發明之第一具體實施例之反射 型LCD薄膜電晶體之剖面圖。第ha至11C圖為第10圖線 C-C’，D-D’及E-E’分別所取的LCD薄膜電晶體之剖面圖。 參照第10圖及第11A至11C圖，閘佈線係形成於透明基 板100上。閘佈線係以.選自鉻（Cr)、鋁（A1)、鉬及鎢合金（MoW) 組成的組群之單層金屬膜或雙層金屬膜形式製成。閘佈線 包括閘線101於第一方向（或水平方向）伸展，閘襯塾1〇3連 接至閘線101—端’用以接收來自外側的信號以及傳遞接收 來自外侧的掃描信號以及傳遞接收的掃描信號給閘線 101，以及閘極102其為閘線101的一部分。 於閘佈線及基板1 〇〇上’形成無機絕緣材料製成的閘 絕緣膜106。半導體薄膜如非晶形矽製成的主動圖樣1〇8係 形成於閘絕緣膜106上。 於主動圖樣108及閘絕緣膜ι〇6上，形成資料佈線11() 伸展於垂直於第一方向的第二方向（或為垂直方向）。資料 佈線11〇包括第一電極（後文稱作「源極」）112疊置主動圖 樣108第一區，第二電極(，後文稱作「汲極」）111疊置主動 圖樣108之面對第一區的第二區。前述習知1^〇中，傳輸影 像信號之資料襯墊係形成於資料佈線之同一層上，但於本 具體實施例，資料襯墊係連同閘佈線製成。換言之，資料 襯墊104及閘佈線係由同一層製成。 於資料佈線110、主動圖樣108及閘絕緣膜1〇6上，形成 有機被動膜®H4a其具有第—通孔116用於曝光源極112 1286642
1286642 A7 B7 五、發明説明 石製成的透明基板100上之後，閘膜使用光微影術方法圖樣 化形成閘佈線（使用第一光罩）。閘佈線包括於第一方向（或 水平方向）伸展的閘線101，構成閘線101—部分的閘極 102，以及連接至閘線1 〇 1 —端且形成於襯塾區的閘襯塾 103。此外，根據本具體實施例，當形成閘佈線時，形成資 料襯墊104用以傳輸影像信號給薄膜電晶體。 較佳閘膜為鉻（Cr)或含30重量％或以上之鎢的鉬 鎢合金製成俾形成剛硬襯墊。 弟13A圖為其上形成主動圖樣1〇8之平面圖，第up及 13C圖分別為沿第13A圖線13b-13b’及13c-13c’所取之剖面 圖。 無機絕緣膜如氮化矽製成的閘絕緣膜1〇6形成於形成 閘佈線的基板上至約4,500埃厚度。非晶形矽製成的半導體 膜沉積於閘絕緣膜106上，然後使用光微影術處理圖樣化而 形成薄膜電晶體主動圖樣1〇8(使用第二光罩）。 弟14 A圖為其上形成資料佈線之基板之平面圖，第 146及14<：圖分別為沿第14八圖線1413-141)，及14〇14(：，所取 的剖面圖。沉積例如鉬（Mo)、以鉬為主的鉬鎢合金或鉻（Cr) 等金屬膜於主動圖樣108及閘絕緣膜106後，沉積金屬膜使 用光微影術處理圖樣化而形成資料佈線丨1〇(使用第三光 罩）。資料佈線110係於垂直閘佈線之第二方向（或垂直方向） 伸展’其包括源極112疊置主動圖樣1〇8第一區，没極lu 疊置與第一區對侧的第二區。 雖然本具體實施例顯示及說明藉兩次光微影術處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公贊） 五、發明説明（l6 ) 形成的主動圖樣108及資料佈線110,但主動圖樣1〇8及資料 佈線可藉一次光微影術處理製成。換言之，於接續沉積主 動圖樣之半導體膜以及資料佈線之金屬膜於閘絕緣膜後， 光阻膜塗層於金屬膜上。隨後，光阻膜經曝光及顯像而形 成光阻圖樣，其具有位於薄膜電晶體通道區且有第一厚度 第一部分，位於資料佈線上且厚度比第一厚度更厚的第二 部分，以及光阻膜完全被去除的第三部分。隨後，第三部 分下方的金屬膜及半導體膜、第一部分下方的金屬膜以及 第二部分被蝕刻達預定厚度，俾形成金屬膜製成的資料佈 線以及半導體膜製成的主動圖樣。然後去除其餘光阻圖 樣。如此，可使用光微影術處理僅使用一個光罩而同時製 成主動圖樣108及資料佈線11〇。 第15A及15B分別為沿第14A圖線14b_14b，及14c-14c， 所取的剖面圖，顯示曝光有機被動膜丨14之程序。沉積感光 有機被動膜114於資料佈線110及主動圖樣1〇8上至約2_4微 米厚度後，感光有機被動膜Ϊ丨4係使用光罩i 5 〇曝光（使用第 四光罩）。此時，光罩150包括部分曝光圖樣（F)形成於對應 通孔區部分（例如源極、閘·襯墊、資料襯墊以及資料佈線一 端），以及部分曝光圖樣（P)形成於對應通孔區緣部部分。 又，為了製造呈散射結構的像素區反射板，光罩15〇甚至於 對應像素區部也有部分曝光圖樣。較佳完全曝光圖樣為開 放圖樣，其具有曝光機器之解析度大小或以上；部分曝光 圖樣為開放圖樣，其具有線寬為曝光機解析度之半。部分 曝光圖樣具有開縫結構或半透明膜圖樣。 1286642 A7
五、發明説明（Π ) 當有機被動膜114係使用光罩150曝光然後顯像時，有 機被動膜係於通孔區中部完全去除，同時於通孔區邊緣部 藉部分曝光圖樣（P)繞射曝光，故有機被動膜斜率減低。 又’於像素區有機被動膜114表面形成多個凹部及凸部。 本具體實施例中，當開啟閘襯墊1〇3及晶片凸塊接合 的資料襯塾104時，全部襯墊並非個別反而整體開放，以防 止於凸塊打線（bonding)期間產生接觸故障。此時，若資料 襯墊如同習知方法係由資料佈線製成，則於接續處理期間 乾餘刻閘絕緣膜時，資料襯墊下方的閘絕緣膜被旁側蝕刻 因而產生凹割，故於凸塊打線期間資料襯墊可被舉升。如 此為了完全開啟全部襯墊，資料襯墊可由閘佈線的同一層 製成。 第16A圖為其中形成通孔之基板之平面圖，第16B及 16C圖分別為沿第16A圖線16b_16b，以及16c-16c，所取的剖 面圖。 位於有機被動膜114a下方的閘絕緣膜106經由使用有 機被動膜圖樣114a作為#刻罩而被乾餘刻，因此形成一個 曝光源極112的第一通孔116以及曝光閘襯墊103的第二通 孔117。同時也形成第三通孔丨18用以曝光資料佈線110之一 端以及第四通孔119用以曝光資料襯墊104。 前述乾蝕刻處理過程中，無機絕緣膜製成的閘絕緣膜 106或資料佈線11〇經旁側蝕刻，故於有機被動膜圖樣114& 下方產生凹割。 有機被動膜圖樣114a連續經灰化或電漿乾蝕刻俾於水 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1286642 A7 ____B7 五、發明説明（18 ) 平及垂直方向去除有機被動膜圖樣114a達某個厚度，故去 除凹割。當前述灰化處理完成時，有機被動膜圖樣丨丨“之 下方薄膜由通孔底緣凸起（S3，S4)。 第17A及17B圖為沿第16A圖線16b-16b，以及16c-16c， 所取之剖面圖’顯示一種沉積具有高反射率的金屬膜125 例如鋁（A1)或銀（Ag)膜於通孔116，in，118及119以及有 機被動膜圖樣114a上。 金屬膜12 5係藉光微影術處理圖樣化，故形成像素電 極120,其係經由第一通孔116連接至源極112，以及襯墊電 極121其係經由第二通孔ι17連接至閘襯墊1〇3(使用第五光 罩）。同時，也形成橋電極122其經由第三及第四通孔118 及119連接資料佈線no一端與資料襯墊1〇4。像素電極12〇 係形成為由閘佈線及資料佈線丨1〇界限的像素區内部；其像 素電極邊緣形成為疊置於閘佈線及資料佈線11〇俾獲得高 孔徑比。 根據本具體實施例，被動膜係由單層有機絕緣膜製 成’同時解決由於凹割造成步進部的上金屬膜階級遮蓋失 敗問題，因而可減少光微影術處理次數一次。此外，於有 機被動膜形成通孔的曝光步驟、以及於反射板表面形成凹 部及凸部的曝光步驟可同時進行因而減少曝光步驟一次。 如此，曝光步驟次數由七次減成五次，故可簡化製程。進 一步’若主動圖樣及資料佈線係藉光微影術處理形成，則 可將曝光步驟次數由7次減至4次。 雖然前述第一具體實施例係以反射型LCDs為例顯示 1286642 A7 B7 五、發明説明（19 ) 及說明，但可應用至反射與透射複合型LCDs。 具體實施例2 第18A至22B圖為剖面圖，說明根據本發明之第二具體 實施例形成通孔之方法，其中第18八，19八，20八，21八及 22A圖顯示無機絕緣膜存在於金屬膜上之例，而第18B， 19B，20B，21B及22B圖顯示無機絕緣膜未存在於金屬膜 上案例。 參照第18A及18B圖，資料佈線之金屬膜204沉積於基 板上，隨後於基板上堆疊閘佈線（圖中未顯示）以及閘絕緣 膜202。隨後，於基板某部分形成氮化矽製成的無機絕緣 膜，如第18B圖所示；或於若干其它部分未形成無機絕緣 膜，如第18A圖所示。隨後於結果形成於基板上，塗層感 光有機被動膜208至約2微米厚度。 隨後，有機被動膜208首先使用第一光罩250曝光有機 被動膜208第一區。此時，有機被動膜208第一區係不完全 曝光，故有機被動膜208第一區之曝光低於某個厚度。 較佳有機被動膜之不完全曝光厚度儘可能薄，但需藉 曝光偏差控制曝光量。此處參考編號209表示第一曝光區。 參照第19A及19B圖，其次有機被動膜208使用第二光 罩270用以曝光第一區及第二區，第二區的大小小於第一區 且係位於第一區内部。此時，第一區與第二區間重疊部分 的有機被動膜被完全曝光。於透射型液晶顯示器，進行第 二曝光步驟，讓有機被動膜208之曝光部分經充分曝光。 以反射與透射複合型LCD或反射型LCD為例，形成不 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -23 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、可I 1286642 A7 B7 五、發明説明（20 ) 規則表面結構之曝光步驟以及形成通孔之曝光步驟可同時 進行，曝光時使用第二曝光步驟使用的第二光罩作為曝光 罩，用以形成有機被動膜208之不規則表面結構，藉此簡化 製造程序。 如前述，參照第20A及20B圖，兩次曝光後的有機被動 膜208經顯像去除曝光部分，故形成有機被動膜圖樣208a。 此時，有機被動膜圖樣208a當其行進至通孔區邊緣時膜圖 樣208a之傾斜減少，故有機被動膜圖樣208a之高度減低。 於此部分，有機被動膜圖樣208a占總厚度之1/3或以下。 其次如第21A圖所示，於無機絕緣膜206存在於金屬膜 上案例，下方無機絕緣膜206經由使用有機被動膜圖樣208a 作為蝕刻罩乾蝕刻而形成通孔211，用以曝光下方無機金屬 膜204。此時，無機絕緣膜206經旁側蝕刻，故於有機被動 膜圖樣208a下方產生凹割。 又如第21B圖所示，於無機絕緣膜未存在於金屬膜204 之例，於有機被動膜顯像後，形成、通孔212用以曝光金屬膜 204 〇 為了防止金屬膜204與下方另一沉積金屬膜間的邊界 受污染或氧化，金屬膜204被濕蝕刻達預定厚度，因而讓表 面狀態變佳。此時，金屬膜204經旁側蝕刻，故於有機被動 膜圖樣208c下方產生凹割。同聘，金屬膜於通孔212底部被 耗用達預定厚度。 參照第22A及22B圖，有機被動膜圖樣208a被灰化而於 水平及垂直方向，由其表面去除有機被動膜圖樣208a達預 24 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1286642 A7 ___B7_ 五、發明説明（21 ) 定厚度，讓凹割被去除。此處灰化處理可藉電漿乾蝕刻處 理替代。 如第22A圖所示，若於無機絕緣膜206存在於金屬膜 204上案例完成前述灰化處理，則無機絕緣膜206比較有機 被動膜圖樣208b由通孔211底緣凸起（S5)。同理，如第22B 圖所示，於無機絕緣臈不存在於金屬膜204上案例，金屬膜 204比較有機被動膜圖樣208b係由通孔212底緣S6凸起。 如前文說明（但未顯示於附圖），透明導電膜如ITO或 IZO、或反射膜如鋁或銀連續沉積於結果所得結構全體表 面上，此處有機被動膜圖樣208b係由通孔底緣凸起，然後 藉光微影術處理圖樣化，俾形成電極經由通孔211或212連 接至金屬膜204。由於電極係於有機被動膜圖樣208b下方的 凹割已經被去除狀態下沉積，故於步進部有良好階級遮蓋 率。 具體實施例3 第23圖為根據本發明之第三具體實施例之反射與透 射型LCD之薄膜電晶體之平面圖。參照第23圖，反射電極 部件350形成為包封透射電極部件340。 第24A至27C圖為剖面圖，說明根據本發明之第三具體 實施例之製造LCD薄膜電晶體之方法，係為沿第23圖線 G_G’，H-H’及L-L’所取之剖面圖。 參照第24A至24C圖，於形成第一金屬膜製成的閘佈線 320於基板300後，無機絕緣膜於氮化矽製成的閘絕緣膜306 形成於其上。閘佈線包括於第一方向伸展的閘線301，閘極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -25 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、可I 1286642 A7 ____B7_ 五、發明説明（22 ) 構成閘線301的一部分，以及閘襯些303連接至閘線3〇1 — 端，用以接收來自外側的掃描信號以及傳輸接收的掃描信 號給閘線301。以具體實施例1之相同方式，傳輸影像信號 至薄膜電晶體汲區的資料襯墊（圖中未顯示)可由閘佈線的 相同層製成。 其次，於形成半導體膜製成的主動圖樣3〇8於閘絕緣 膜306後，第二金屬膜製成的資料佈線31〇形成於主動圖樣 上。資料佈線310包括於垂直第一方向的第二方向伸展的汲 極312。汲極312係連接至源極311及資料佈線3 1〇。 於資料佈線310、主動圖樣308及閘絕緣膜3〇6上，厚 厚地形成被動膜且較佳為感光有機絕緣膜至2微米厚度。如 此右被動膜係經由厚厚地沉積有機絕緣膜製成，則於資料 佈線3 10與欲形成於其上的像素電極間未產生寄生電容。為 達此項目的俾確保獲得高孔徑比，像素電極可形成為疊置 資料佈線310及閘佈線。 然後以具體實施例1及2之相同方式，有機絕緣膜係藉 光微影術處理圖樣化，讓有機被動膜斜率於欲形成通孔區 邊緣降低，因而形成有機被動膜圖樣3 14。換言之，有機被 動膜圖樣314可經由使用具有部分曝光圖樣及完整曝光圖 樣二者的光罩，藉第一曝光方法製成。 此外，有機被動膜圖樣314可藉一種方法製成，該方 法包括使用第一光罩界定第一曝光區的第一曝光步驟、以 及使用第二光罩界定第二曝光區的第二曝光步驟。 其-人，使用有機被動膜圖樣3 14作為餘刻罩，下方薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公變）~ "----- 1286642 A7 B7 五、發明説明（23 ) 膜經乾蝕刻而形成通孔316用以曝光資料佈線換言之源極 311、以及第二通孔3 17用以曝光閘襯墊303。此時以資料襯 塾係由閘佈線的同一層形成為例，形成第三通孔用以曝光 資料佈線3 10—端、以及第四通孔用以曝光資料襯墊俾連接 資料佈線310與資料襯墊。較佳當開放閘襯墊303及資料襯 墊104而打線晶片凸塊時，全部襯墊並非個別開放反而是全 部開放，因而防止由於凸塊未對準而產生接觸故障。 其次，有機被動膜圖樣314經灰化或電漿乾蝕刻俾去 除有機被動膜圖樣3 14下方的凹割。然後IZO層藉濺鍍法沉 積至結果所得結構上至500-1200埃厚度範圍，俾形成透明 電極層320。於透明電極層320上，沉積鋁（A1)層或含鋁金 屬合金如AINd至約1500-4000埃之厚度範圍俾形成反射電 極層322。 隨後，光阻膜324塗層於反射電極層322上至約2微米 厚度。 參照第25A至25C圖，使用光罩350將光阻膜324曝光， 光罩350具有對應透射區（T)的部分曝光圖樣以及對應反射 區（R)的完全曝光圖樣。較佳，部分曝光圖樣具有開縫結構 或半透明膜圖樣，且係製造成開放圖樣形式，其線寬係對 應於曝光機解析度之半。 其次顯像光阻膜324，讓其維持反射區（R)之厚度至約 1.9微米厚，以及藉繞射曝光而於透射區（T)維持厚度約 4000埃或以下至薄型程度，且於其餘區（N)完全被去除，因 而形成光阻圖樣324a。此時，為了提升閘襯墊及資料襯墊 27 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1286642 A7 B7 五、發明説明（24 ) 的可信度，部分曝光圖樣對準而對應於襯墊區，讓襯墊區 的光阻膜維持薄型，厚度約為4000埃或以下。 參照第26A至26C圖，使用光阻圖樣324a作為蝕刻光 罩，反射電極層322及透射電極層320同時被濕蝕刻。此處 使用鋁蝕刻劑亦即磷酸、硝酸及乙酸混合液作為濕蝕刻液。 其次，光阻圖樣324a經灰化或電漿乾蝕刻俾完全去除 透射區（T)的光阻圖樣324a，讓下方反射電極層322曝光。 光阻圖樣324a留在反射區（R)未被去除。 參照第27A至27C圖，曝光後的反射電極層322經由使 用剩餘光阻圖樣324b作為蝕刻光罩以及氯化硼及氯氣作為 餘刻氣體接受乾餘刻。如此，透射區的反射電極層被去除， 而僅留下透明電極層。此時，若反射電極層322經濕蝕刻， 由於反射電極層322與下方透明電極層間並無蝕刻選擇性 比，故甚至下方透明電極層320也被蝕刻。 其次，藉灰化或去除方法去除光阻圖樣324b，故完成 反射與透射複合型LCD之薄膜電晶體，其中反射電極322a 保持包圍透射電極320a周圍。像素電極330透過第一通孔 3 16連接至源極312，且係形成為雙層結構，其中反射電極 322a係堆疊於透射電極320a之上。本具體實施例中，由於 像素電極330係形成為疊置於閘佈線及資料佈線310，而反 射電極322a留在帶有佈線的疊置區周圍，故可獲得足夠孔 徑比。 此時，經由第二通孔317連接至閘襯墊303之襯墊電極 332係僅由透射電極製成。換言之，因光罩之部分曝光圖樣 28 .請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（25 ) 係位於襯墊區上，故於透射區反射電極層曝光步驟期間， 部分曝光圖樣之光阻膜完全被去除。如此於反射電極層乾 姓刻期間，襯墊區上的反射電極層完全被去除，而僅留下 透射電極。 根據本具體實施例，透射電極層為IZ0製成。同時， 於習知反射與透射複合型LCD其中帶有ΓΓΟ製成的透明電 極層、以及銘或含有紹金屬合金製成的疊置反射電極層， 當電位差連續外加於兩層導電層間時，IT〇氧化物與於透 明電極層與反射電極層間邊界反應俾形成極薄的氧化鋁絕 緣膜。為了達成此項目的，可能發生ΙΤΟ透明電極層電位 未傳遞給反射電極層的問題。 此外’ ΙΤΟ透明電極層係與反射電極層進行電化學反 應，藉習用於光阻膜顯像過程的ΤΜΑΗ(氫氧化四甲基錢） 有機溶劑進行電化學反應，故可能發生ΙΤ0透明電極層腐 餘。進一步，當經由使用光阻圖樣作為蝕刻罩而蝕刻反射 電極層及透明電極層時，鋁反射電極層應使用鋁蝕刻劑濕 餘刻，然後ΙΤΟ透明電極層應使用ΙΤΟ蝕刻劑濕蝕刻。 至於濕敍刻ΙΤΟ透明電極層之餘刻劑，可使用強酸如 鹽酸、麟酸或氯化鐵。若使用強酸之一作為姓刻劑，雖然 光阻膜存在於ΙΤΟ透明電極層上，但強酸可能嚴重蝕刻紹 反射電極。 同時’若於本具體實施例設置ΙΖΟ作為透明電極層， 則未形成氧化物或絕緣體。進一步，ΙΖΟ透明電極層與|呂 反射電極層間未發生電化學反應。進一步，當經由使用光 本紙張尺度適用中國國家標準（⑽）Α4規格（21〇><297公釐） 29 五、發明説明（26 ) 阻圖樣作為蝕刻罩而蝕刻反射電極層及透明電極層時，因 IZO透明電極層谷易藉紹餘刻劑亦即碟酸、硝酸及乙酸混 合液蝕刻，故鋁反射電極層及IZO透明電極層可同時被濕 蝕刻。如此可升高透明電極與反射電極間的邊界特性而可 簡化製程。 根據本發明之第一具體實施例，有機絕緣膜製成的·被 動膜使用光罩，該光罩具有部分曝光圖樣形成於通孔緣部 曝光俾形成有機被動膜圖樣，讓有機被動膜於行進至欲形 成通孔邊緣時變成愈來愈不傾斜。隨後，經由使用有機被 動膜圖樣作為餘刻罩，進行乾餘刻處理俾形成通孔。然後 有機被動膜圖樣經灰化或電漿乾蝕刻，藉此去除有機被動 膜圖樣下方的凹割。如此當凹割被去除時，有機被動膜圖 樣的下方薄膜由通孔底緣凸起。因此不會發生隨後處理過 程中沉積的金屬膜於步進部開放的故障。 此處，若進一步於對應光罩像素區反射板位置形成部 分曝光圖樣，則通孔可使用單一光罩藉一次曝光處理製 成；同時形成具有多個凹部及凸部的不規則表面。因此於 反射與透射複合型LCD或反射型LCD，可將光罩使用數目 由7片減至5片。 根據本發明之第二具體實施例，經由連續使用二光罩 進行曝光處理兩次，讓有機被動膜圖樣留在通孔區邊緣。 隨後’使用有機被動膜圖樣形成通孔；以及進行灰化或電 漿乾颠刻處理俾去除有機被動膜圖樣下方的凹割。因此可 避免故障，其中像素電極之金屬膜由於高度差異而於步進 30 本紙張尺度適用中國國家標準（Οβ) A4規格（21〇><297公愛） 五、發明説明（27 ) 部開放。 此處因二光罩之任一者可用作為曝光光罩，用以於反 射與透射複合型LCD或反射型LCD於有機被動膜形成不規 則表面，故可將光罩使用數目由7片減至6片。 根據第三具體實施例，由於於反射與透射複合型^^^ 之透明電極係由IZO而非由ITO製成，故可提升透明電極與 反射電極間的邊界特性以及減化製程。又因被動膜係由有 機絶緣膜單層製成’且透明電極一端係疊置於閘佈線及資 料佈線，故反射電極留在疊置區周圍，獲得具有足夠光線 透射高孔徑比。 雖然已經詳細說明本發明，但須瞭解可未悖離如隨附 之申請專利範圍界定之本發明之範圍做出多種變化、取代 以及替代。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1286642 A7 B7 五、發明説明（28 ) 元件標號對照 10...透明基板 52...閘佈線 12…閘極 54…閘絕緣膜 13...閘襯墊 56...資料佈線 14...閘絕緣膜 58，58a，58c...感光有機被動膜 16…主動圖樣 58b...選定厚度 18...源極 59...通孔 20...無機被動膜 61…通孔 22...感光有機被動膜 62...像素電極 26...像素電極 64...襯塾電極 27...閘襯墊電極 80…光罩 30...光罩 100…透明電極 40...基板 101...閘線 42…閘佈線 102...閘極 43...閘絕緣膜 103...閘襯墊 44...資料佈線 104…資料襯墊 45，45c...有機被動膜 106…閘絕緣膜 45a，45b...通孔部 108…主動圖樣 46...通孔 110...資料佈線 47…通孔 111…汲極 48…像素電極 112...源極 49...襯墊電極 114，114a...有機被動膜圖樣 50...基板 116-9...通孔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） _ 32 1286642 A7 B7 五、發明説明（29 ) 120.. .像素電極 121.. .襯墊電極 122.. .橋電極 125.. .金屬膜 150.. .光罩 202.. .閘絕緣膜 204.. .金屬膜 206.. .無機絕緣膜 208，208a-c…感光有機被動膜 209.. .曝光區 211.. .通孔 212.. .通孔 250…光罩 270.. .光罩 300.. .基板 301…閘線 303.. .閘襯墊 306…閘絕緣膜 308…主動圖樣 310.. .資料佈線 311.. .源極 312…汲極 314.. .有機被動膜圖樣 316.. .通孔 317.. .通孔 320.. .閘佈線，透明電極層 320a...透射電極 322.. .反射電極層 322a...反射電極 324.. .光阻膜 330.. .像素電極 332.. .襯墊電極 324、a，324b...光阻圖樣 350.. .光罩 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ· 33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1286642
六、申請專利範圍 第9〇113814號專利申請帛巾請專利範圍修正本93.07.〇| 】.一種液晶顯示器之薄膜電晶體，其包含·· -個形成於基板上的閘佈線’其包括一個顯 一個位在顯示區外部㈣㈣，該㈣線係 伸展； 木万向 張形成於閘佈線及基板上的閘絕緣膜，用以 曝光閘佈線； 。刀 一個形成於閘絕緣膜上的主動圖樣； 一個部分疊置於主動圖樣的資料佈線，其係形成於 閘絕緣膜上，且係於第-方向正交的第二方向伸展；、 一個有機被動膜圖樣形成於資料佈線之間絕緣膜 上:該有機被動膜圖樣包括一個用以部分曝光資料佈線 的第通孔、以及一個用以曝光部分曝光後的閘佈線的 ，苐二通孔； 一個形成於有機被動膜圖樣上的像素電極，且係經 由資料佈線上的第一通孔連接至資料佈線；以及 一個形成於有機被動膜圖樣上的襯墊電極，且係經 由第二通孔連接至閘佈線， 其中該閘絕緣膜係相對於有機被動膜圖樣於第二 通孔底緣向内巴起。 2·如申巧專利範圍第丨項之薄膜電晶體，其中該資料佈線 有一個步進部，用於於第一通孔於資料佈線表面形成切 才曰以及δ玄步進部係相對於有機被動膜圖樣於第一通孔 側壁凸起。 1286642 AS E3 C8 D8 六、申請專利範圍 〇·如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體，.其中·該問佈 含閘線，閘線包括-個形成於顯示區的問極 形成於襯塾區且連接至問線_端的問襯塾，以及第：:: 孔係形成於閘襯墊上。4.如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體，其中該資 包含-個疊置主動圖樣第一區的第—電 罟士說図技仿—< 。 ^ ίθ ® 置主動圖樣第二區的第二電極，該第二區係與第 對，以及該第一通孔係形成於第一電極上。 ).如申請專利範圍第丨項之薄膜電晶體，其進—步包八— 個資料襯墊其係位於基板的。 同層製成。 [且，、由閉知線的相 6·如申凊專利範圍第5項之薄膜電晶體，其進―步包人— 二由像素電極的同一層形成於有機被動膜圖樣上:橋 極係經由形成於有機被動膜圖樣位在資料佈 Γ端的第三通孔、以及形成於閘絕緣膜以及資料觀塾 該端與資料概塾者的弟四通孔而連接資料.佈線 範圍第1項之薄膜電晶體，其中該有機被動 8如;=機被動膜圖樣之顯示區具有不規則上表面。 具有^第1項之薄膜電晶體，其中該像素電極 9 Q透明電極及反射電極的雙層結構。ϋ申凊專利範圍第8項每1由透明電極單層^:吴电晶體，其中該概塾電極 ㈧.—㈣造液晶顯示器之薄膜電晶體之方法，該方法包含 區相 (#先Μ-ίΑτί·®之；V」急事項再填骂本頁} 裝 訂---r —J1 看 jj 1286642
申請專到範圍 A8 53 C3 D8 下列步驟： 蛵否邹智慧対產局員工消費合作 形成一個伸展於第—方 .,°的閘佈線於基板上，閘佈 線包祜一個顯示區以及一個 ^_示區外部的襯墊區； 形成於垂直第一方向的— y, ,, ,, * ~方向伸展的資料佈線 於閘佈琛上，有一張閘絕緣膜 . 、播A於閘佈線與資料佈線 間， 形成有機被動膜於資料佑 ^ . 了佈線與閘絕緣膜上； 圖樣化該有機被動膜，莩右 、、、_，： #有機破動膜於行進至欲形 欣逋孔之邊緣時愈來愈不傾 ^ 坪形成有滅被勳膜圖 樣； 到trg為光.罩，蝕刻閘 膜，俾形成—個曝光資料佈線的第_通孔以及 問佈線的第二通孔； *光 ' .去除有機被動膜圖樣下方的凹割；以及 形成個像素電極以及一個#見塾電極喜 係經由第一诵？丨 > 垃P次』， V,，、甲一極 k接至貝料佈線，以及該襯墊電極係你 n有__圖樣上的t通孔而連接至·線。α 請專利範圍第_之方法，其中該形成有機被動膜 2之步料經由❹光罩進行，於該光罩上形成—個 D刀曝光圖樣以及一個完全曝光圖樣。 申請專利範圍第Η項之方法，其中該部分曝光圖樣呈 有開縫結構或半透明薄膜圖樣。 一 鐵雜1奴綠w分^圖樣為 咮，兵琛見係約略對應於曝光設備解折斥夕/‘。 1 卜—--1» u n - H I 似 - n i ^先閱^背-之-意事項再-骂本頁) IT· ! 1286642 AS 53 C8 D8 六、宇請專利範圍 14. 如申請專利㈣第11奴方法，其巾該有機被動膜圖樣 上表面係使用光罩的部分曝光圖樣而被形成為一種具 有多個凹部及凸部的不規則結構表面。 15. 如中請專利龍第1㈣之方法，其巾㈣成有機被動膜 圖樣之步驟包含下列步驟： '使用.第-光罩首次曝光有機被動膜第一區，讓第一 區被不完全曝光； …使用第二光罩第二次曝光有機被動圖樣第二區，該 第二區係位於第一區；以及 顯像有機被動膜之第-及第二區之曝光部分俾形 成有機被動膜圖樣而部分去除有機被動膜。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該第：及第二曝光 步势包含於有機被動膜上表面形成有多個凹部及凸部 •之不規則結構之步驟。 17. 如申請專利範圍第15項之方法，其 區 動膜圖樣係占有機被動膜圖樣總厚度之^ 丨8如申請專利範圍第10項之方法，其中 通孔之步驟進一步包含於裳一、s， 及弟一 ^^ ^ ' I孔底部部分蝕刻資料 佈，亀低資料佈線之界面電阻之步驟。 、 ί9.=!利範圍第10項之方法，其中該去除凹割步驟係 〇〇 一鮮紙被賴圖樣之灰化或電⑽Μ刻進行。 液晶顯示器之薄膜電晶體 下列步，驟： 4万π包含 (^先^^背^之^念事項再填萬本頁) 裝
形成於基板上於第一方向伸展 一^^部^^対產=^貝工消§合.;7-:1(--..^ 個”肩示區以及一個位於顯示區外側的襯墊區，閘佈線包 < —條閘線其具有一個閘極形成於顯示區，以及一個閘 觀墊形成於襯墊區且係連接至閘線一端； 形成一張閘絕緣膜於閘佈線及基板上； 形成一個主動圖樣於閘絕緣膜上； Φ成貧料佈線其係於閘絕緣膜上於垂直第一方向 勺第一方向伸展，該資料佈線包括一個第一電極疊置主 動圖樣第一區、以及一個第二電極疊置於與第一區相對 的第二區； 形成一張有機被動膜於資料佈線及閘絕緣膜上； 圖樣化有機被動膜，讓有機被動膜行進至欲形成通 孔部=邊緣時愈來愈不傾斜，俾形成有機被動膜圖樣； 乂赵由使用有機被動膜圓樣作為光罩，钱刻閉絕緣膜形成第-通孔用以曝光第一電極以及第孔' 曝光閘襯墊； 用以 去除有機被動膜圖樣下方的凹割；以及 …於有機被動膜圖樣上形成一個像素電極經由該 一通孔連接至第一電極、以及一個襯墊電極姑^ 通孔連接至該$ 9」.如申請專利範圍第綱之方法，其中該形成驟包含同時形成資料襯塾於基板襯塾區之步驟。碌 22.如申請專利範圍第21項之方*，其中該問“： u上/ j〇里量％鎢之鉬鎢合金組成。 第第」 之步 (^先^::^背云之^一意事項再填冩本頁)· !裝---------訂---- ] 1286642
經泠部智¾財產局員工消費合：v.:rv.i:;-::;·; >〇·如申請导利範圍第 乐〜1 ¥之方法，苴中兮 逋孔步驟包含同時 Μ形成第一及第二 _ /战一個用以暖古二' 第三通孔以及一個 々 貧料佈線端部之 、3恭光資料襯墊 骑。 < 本四通孔之步 24·如申請專利範圍 〜0 J貝之方法，苴φ / 步驟包含同時形成祛+ /、 ％形成像素電極之 电極用以經由令令一 通孔連接資料佈線 ^木二通孔及第四 0, , , 4至貧料襯墊之步_ 如申請專利範圍第2〇項 。 、〈方法’其中兮# 步驟以及形成資料佑 ^ ^成主動圖樣之 、Ρ碌之步驟係經由使用A1 術處理進行。 文用—次光微影 26·如f請專利範圍第2〇項之方法其中 圖樣之步驟係經由使用具有部分曝^成有機被動膜 光圖樣之光罩進行。 —' 以及完全曝 27.如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該 jrq Λ I成男機被書力腺®樣之ν驟包含使用第一光罩界定第—曝光區之第：、曝光步驟，以及使用第二光罩界定第二曝光區之第二暖 光步驟，該第二曝光區係位於第—曝光區内。 " %如申請專利範圍第綱之方法，其中該形成有機被動膜 圖樣之步驟包含完全開放襯墊區之步驟。 、 29.如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該去除凹割 係經由灰化或電漿乾蝕刻有機被動膜圖樣之方法進y_ 3 0. —種製造反射與透射型液晶顯示器之薄膜電晶體令方 法，該方法包含下列步驟： 形成閘佈線其係於基板上於第一方向伸展，其向4 元 十 / 二 項, 填 | αχI ^ 頁i 1 訂 t ·；0 1286642
1固f:n員示區以及位在顯示區外側视塾區； 於閘絕緣膜上形成於垂直第一方向的第二方向伸 展的言料佈線，有一張閘絕緣膜插置於閘佈線與資料令 線間； 於資料佈線及閘絕緣膜上形成被動膜，該被動膜^ 有個％、光寅料佈線之弟一通孔以及一個曝光閘佈線 之第二通孔； ’儿損由IZ〇製成的透明電極層以及反射電極層於 第 及弟一通孔以及被動膜上； 於反射電極層上形成光阻圖樣，讓光阻圖樣於反剩 區維持比於透射區之光阻圖樣更厚； 使用光阻圖樣作為光罩，同時濕钱刻反射電極層及 透明電極層； .去除光阻圖樣達預定厚度，讓透射區的反射電極層 曝光； 藉乾蝕刻去除透射區的反射電極層；.以及 去除光阻圖樣俾形成一個透明電極以及一個包封 該透明電極，的反射電極。 3 1.如申請專利範圍筮9 〇 , 粑圍弟』項之方法，其中該形成光阻圖樣之 步驟係使用光罩進行，於 、。/光罩上形成一個對應於透射 區之部分曝光圖樣以及_ _ ^ 们對應於反射區的完全曝光 圖樣。 丨2.如申請專利範圍第31頂 t 、足方法，其中該部分曝光圖樣係 對準於對應襯勢區，鞟卟— 一 怕此元全去除襯墊區的反射電極 1286642
曱請專 層。 . 33. 如申請專利範圍第3〇 約9 、之方法，其中球破動膜係沉積至 -饿未驭以上厚度。 34. 如申請專利苑01 弟3〇項之方法，其中該透明電極有一护 部疊置閘佈砷L7 β次，， rTQ #置部分/ W佈線，其中該反射電極維持接近 !_申’專利乾圍第33項之方法，其中該形成具有第—及 乐-通孔的被動膜之步驟包含下列各步驟：· 形成一張有機被動膜於基板上； 、圖樣化有缝_，讓該有賴_行進至欲 =部分邊緣時變成愈來愈不傾斜，俾形成有機物 經由使用該有機被動 無俾形成曝光資料佈線的 第二通孔；以及 膜圖樣作為光罩，蝕刻閘絕緣 第^通孔以及曝光閘佈線的. 汗日火化或笔製餘刻方法乾姓刻有機被動膜圖樣，传 ，去除位於有機被動膜圖樣下方的凹割。 「 36.如申請專利範圍第乃項之方法，苴 ® ^ ^ ^ 。/形成有機被動膜 口孟之步驟係經由使用一個光罩 分曝光圖樣以及完全曝光圖樣。7^罩上形成部 该形成有機被動膜 一曝光區之第— 一曝光步.驟，該第 37.如申請專利範圍第35項之方法，其中 圖樣之步驟包含使用第一光罩界定苐 曝光步騾，以及界定第二曝光區之第 7L區係位於第一曝光區内部。 1286642 AS B3 C3 DS 六、申請專利範圍 . 3 8.如申請專利範圍苐3 0項之方法，其中該濕#刻反射電極 層以及透射電極層之步驟係經由使用磷酸、硝酸及乙酸 之混合液進行。 39. 如申請專利範圍第30項之方法，其中該去除光阻圖樣達 預定厚度之步驟係藉灰化或乾蝕刻光阻圖樣之方法進 行。 40. 如申請專利範圍第30項之方法，其中該藉乾蝕刻去除透 射區的反射電極層之步驟係經由使用氯化侧及氯氣之 混合氣體進行。 (^.先^^背面之^念事項再填骂本頁 丨裝---------訂. 經^部智慧財屋局員工消費合·:-;;.;:.;-^: 1286642 93.07,01 第90113814號專利申請案圖式修正頁 煩請 58α
U 59 铖6Ba '56 '54- 5〇
c^8j$64i愤丨正替換μ
00 UJ
TW090113814A 2001-05-14 2001-06-07 Thin film transistor for liquid crystal device and method of manufacturing the same TWI286642B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010026147A KR100803177B1 (ko) 2001-05-14 2001-05-14 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI286642B true TWI286642B (en) 2007-09-11

Family

ID=36923537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090113814A TWI286642B (en) 2001-05-14 2001-06-07 Thin film transistor for liquid crystal device and method of manufacturing the same

Country Status (5)

Country Link
US (3) US6624446B2 (zh)
JP (2) JP3971909B2 (zh)
KR (1) KR100803177B1 (zh)
CN (3) CN1822350B (zh)
TW (1) TWI286642B (zh)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100803177B1 (ko) * 2001-05-14 2008-02-14 삼성전자주식회사 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP3823961B2 (ja) * 2002-10-11 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 反射基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法
JP2004212933A (ja) 2002-12-31 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置及びアレイ基板の製造方法
US8125601B2 (en) * 2003-01-08 2012-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Upper substrate and liquid crystal display device having the same
KR100929670B1 (ko) * 2003-01-08 2009-12-03 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100770472B1 (ko) * 2003-03-27 2007-10-26 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법
JP2004356616A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Samsung Electronics Co Ltd 配線用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法
TW200531284A (en) 2003-07-29 2005-09-16 Samsung Electronics Co Ltd Thin film array panel and manufacturing method thereof
KR100973809B1 (ko) * 2003-07-29 2010-08-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
CN1605916B (zh) 2003-10-10 2010-05-05 乐金显示有限公司 具有薄膜晶体管阵列基板的液晶显示板及它们的制造方法
KR100500779B1 (ko) * 2003-10-10 2005-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
KR100558714B1 (ko) * 2003-10-14 2006-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그 제조 방법
JP4338511B2 (ja) * 2003-12-24 2009-10-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2005215279A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Quanta Display Japan Inc 液晶表示装置とその製造方法
KR20050079530A (ko) * 2004-02-06 2005-08-10 삼성전자주식회사 스페이서 패턴이 형성된 마스크
JP4221314B2 (ja) * 2004-02-10 2009-02-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜トランジスタとそれを用いた液晶表示装置およびその薄膜トランジスタの製造方法
KR101057779B1 (ko) * 2004-06-05 2011-08-19 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2006053405A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Sharp Corp アレイ基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法
CN100338522C (zh) * 2004-08-26 2007-09-19 友达光电股份有限公司 液晶显示装置的像素电极的制造方法
KR101139522B1 (ko) 2004-12-04 2012-05-07 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101085132B1 (ko) * 2004-12-24 2011-11-18 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101167304B1 (ko) * 2004-12-31 2012-07-19 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법
KR20060111267A (ko) * 2005-04-22 2006-10-26 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR101137865B1 (ko) * 2005-06-21 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 기판
KR101158903B1 (ko) * 2005-08-05 2012-06-25 삼성전자주식회사 표시장치용 기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
KR20070036286A (ko) * 2005-09-29 2007-04-03 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4968429B2 (ja) * 2005-10-26 2012-07-04 大日本印刷株式会社 液晶表示装置用のカラーフィルタ形成基板の製造方法
KR101219046B1 (ko) 2005-11-17 2013-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치와 이의 제조방법
KR101159388B1 (ko) * 2005-12-27 2012-06-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자와 그 제조 방법
US7821613B2 (en) * 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR101303816B1 (ko) * 2006-06-30 2013-09-04 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치용 모기판, 이를 이용한 액정 표시 장치 및액정 표시 장치의 제조 방법
KR101209045B1 (ko) * 2006-09-15 2012-12-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
WO2008100042A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Color magnetic display pixel panel
US8707559B1 (en) 2007-02-20 2014-04-29 Dl Technology, Llc Material dispense tips and methods for manufacturing the same
EP2741168B1 (en) * 2007-11-29 2019-09-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic apparatus comprising collapsible display with non-deformable active areas
KR20100023151A (ko) * 2008-08-21 2010-03-04 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP2010199518A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法
KR101593538B1 (ko) * 2009-04-09 2016-02-29 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판의 제조 방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판
US8864055B2 (en) 2009-05-01 2014-10-21 Dl Technology, Llc Material dispense tips and methods for forming the same
WO2011105210A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20110114089A (ko) * 2010-04-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN102650780B (zh) * 2011-05-30 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、液晶显示面板及制作方法
US9725225B1 (en) 2012-02-24 2017-08-08 Dl Technology, Llc Micro-volume dispense pump systems and methods
TWI484271B (zh) * 2012-08-09 2015-05-11 Au Optronics Corp 畫素結構及畫素結構的製作方法
EP2899588A4 (en) * 2012-09-21 2015-09-30 Sharp Kk LIQUID CRYSTAL DISPLAY
KR101385244B1 (ko) * 2012-12-28 2014-04-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
CN103151359B (zh) * 2013-03-14 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置、阵列基板及其制作方法
KR20150000215A (ko) * 2013-06-24 2015-01-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6001013B2 (ja) * 2013-08-13 2016-10-05 富士フイルム株式会社 酸性ガス分離用スパイラル型モジュール
US20150120197A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Chevron U.S.A. Inc. Method of Transforming Reservoir Properties to a Seismic Attribute for Hydrocarbon and Lithology Identification
KR102227564B1 (ko) * 2014-01-20 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물
KR102401724B1 (ko) * 2015-04-30 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 미세 전극 형성 방법
CN105185810A (zh) * 2015-08-07 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN105093729B (zh) * 2015-09-17 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102624624B1 (ko) * 2016-06-15 2024-01-12 삼성디스플레이 주식회사 집적 회로 및 그 제조 방법
CN106206615B (zh) * 2016-08-26 2020-01-03 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的制作方法
KR102302592B1 (ko) * 2017-07-18 2021-09-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
CN109683401A (zh) * 2019-02-21 2019-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN109659372B (zh) * 2019-03-13 2019-07-09 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种薄膜晶体管及其制造方法
US11746656B1 (en) 2019-05-13 2023-09-05 DL Technology, LLC. Micro-volume dispense pump systems and methods
GB2586039A (en) * 2019-07-31 2021-02-03 Flexenable Ltd Stack Patterning
CN114975475A (zh) * 2021-02-24 2022-08-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 驱动背板及其制备方法、显示装置
CN113156734B (zh) * 2021-03-11 2022-07-01 昆山龙腾光电股份有限公司 辅助散射面板及其制作方法和显示装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
JP3210437B2 (ja) * 1991-09-24 2001-09-17 株式会社東芝 液晶表示装置
JPH06132303A (ja) * 1991-11-29 1994-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその作製方法
US5459595A (en) * 1992-02-07 1995-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display
JP3172841B2 (ja) * 1992-02-19 2001-06-04 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタとその製造方法及び液晶表示装置
JP2822795B2 (ja) * 1992-08-04 1998-11-11 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH08292449A (ja) 1995-04-25 1996-11-05 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型表示装置
US6001539A (en) * 1996-04-08 1999-12-14 Lg Electronics, Inc. Method for manufacturing liquid crystal display
CN1148600C (zh) * 1996-11-26 2004-05-05 三星电子株式会社 薄膜晶体管基片及其制造方法
TW400556B (en) * 1997-02-26 2000-08-01 Samsung Electronics Co Ltd Composition for a wiring, a wiring using the composition, a manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof
JP4054102B2 (ja) * 1997-03-27 2008-02-27 東芝電子エンジニアリング株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US6208399B1 (en) * 1997-04-11 2001-03-27 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
KR100262953B1 (ko) * 1997-06-11 2000-08-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JP3283221B2 (ja) * 1997-07-29 2002-05-20 株式会社東芝 液晶表示素子
JPH1184425A (ja) 1997-09-05 1999-03-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置
KR100271043B1 (ko) * 1997-11-28 2000-11-01 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 기판 및 그 제조방법(liquid crystal display and method of manufacturing the same)
KR100276442B1 (ko) * 1998-02-20 2000-12-15 구본준 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치
JP3410656B2 (ja) * 1998-03-31 2003-05-26 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4458563B2 (ja) * 1998-03-31 2010-04-28 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法
JP2000031276A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100443840B1 (ko) * 1998-09-01 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의제조방법
JP3463006B2 (ja) * 1998-10-26 2003-11-05 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
KR20000031459A (ko) * 1998-11-06 2000-06-05 윤종용 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP3975014B2 (ja) * 1998-11-20 2007-09-12 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置の製造方法
JP3139549B2 (ja) * 1999-01-29 2001-03-05 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP4260334B2 (ja) * 1999-03-29 2009-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3544489B2 (ja) * 1999-04-20 2004-07-21 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6218221B1 (en) * 1999-05-27 2001-04-17 Chi Mei Optoelectronics Corp. Thin film transistor with a multi-metal structure and a method of manufacturing the same
US6380559B1 (en) * 1999-06-03 2002-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display
KR100338011B1 (ko) * 1999-06-30 2002-05-24 윤종용 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법
JP2002280567A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Display Technologies Inc 表示装置用アレイ基板の製造方法
KR100803177B1 (ko) * 2001-05-14 2008-02-14 삼성전자주식회사 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1258117C (zh) 2006-05-31
CN1822350A (zh) 2006-08-23
KR20020087162A (ko) 2002-11-22
CN1822350B (zh) 2010-05-12
CN101819971A (zh) 2010-09-01
KR100803177B1 (ko) 2008-02-14
CN1385743A (zh) 2002-12-18
US6828167B2 (en) 2004-12-07
JP4707692B2 (ja) 2011-06-22
US7176494B2 (en) 2007-02-13
JP2002341384A (ja) 2002-11-27
JP3971909B2 (ja) 2007-09-05
US6624446B2 (en) 2003-09-23
CN101819971B (zh) 2013-01-23
JP2007293350A (ja) 2007-11-08
US20040227864A1 (en) 2004-11-18
US20020167009A1 (en) 2002-11-14
US20030132443A1 (en) 2003-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI286642B (en) Thin film transistor for liquid crystal device and method of manufacturing the same
USRE41927E1 (en) TFT LCD device having multi-layered pixel electrodes
US7626206B2 (en) Liquid crystal display device and fabricating method thereof
US8368856B2 (en) Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7488983B2 (en) Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same
TWI316621B (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP2000206571A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
TW201213963A (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7413922B2 (en) Fabricating method of a pixel structure
US7335538B2 (en) Method for manufacturing bottom substrate of liquid crystal display device
US8293564B2 (en) Method of manufacturing thin film transistor substrate
JP2010032765A (ja) Ｔｆｔアレイ基板およびそれを用いた液晶表示装置
TWI299096B (zh)
JP2008032855A (ja) 液晶表示装置
TW200539308A (en) Method of fabricating a transflective TFTLCD
TWI413840B (zh) 半穿透反射式液晶顯示陣列基板之畫素結構及製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent