JP2000031276A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板上にトランジスタ構造、第１層間絶
縁膜、第１配線層、第２層間絶縁膜、第２配線層を有す
る半導体装置において、第１及び第２層間絶縁膜にコン
タクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界
面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を
提供する。 【解決手段】第２層間絶縁膜１０７をウエットエッチン
グレートの早い第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａと通常の第２
層間絶縁膜Ｂ１０７Ｂに分けることにより、第１層間絶
縁膜１０６との界面での横方向のエッチングを積極的に
利用し、層間絶縁膜界面でのくさび状の段差ができない
ようにし電極の断線を防ぐ。また、第２層間絶縁膜１０
７Ａと１０７Ｂの製造方法は、同一製造装置内で作成条
件のみを変更し、連続的に作成する。
縁膜、第１配線層、第２層間絶縁膜、第２配線層を有す
る半導体装置において、第１及び第２層間絶縁膜にコン
タクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界
面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を
提供する。 【解決手段】第２層間絶縁膜１０７をウエットエッチン
グレートの早い第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａと通常の第２
層間絶縁膜Ｂ１０７Ｂに分けることにより、第１層間絶
縁膜１０６との界面での横方向のエッチングを積極的に
利用し、層間絶縁膜界面でのくさび状の段差ができない
ようにし電極の断線を防ぐ。また、第２層間絶縁膜１０
７Ａと１０７Ｂの製造方法は、同一製造装置内で作成条
件のみを変更し、連続的に作成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層の層間絶縁膜
に形成したコンタクト孔における配線層の断線を防止す
る構造を備えた半導体装置及びその製造方法に関する。
に形成したコンタクト孔における配線層の断線を防止す
る構造を備えた半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法を図６〜図
９を用いて説明する。始めにｐ型Ｓｉ基板上にｎ+ コン
タクト領域をもつｎＭＯＳ型トランジスタ構造２１１を
形成する（図６）。次にトランジスタ構造２１１を覆う
ように第１層間絶縁膜２０６を形成する。この第１層間
絶縁膜２０６は層間絶縁膜の緻密性をあげるため６００
度以上の熱ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2 層ででき
ている。その後、フォトレジストマスクを用いてトラン
ジスタ構造のゲート部の上にコンタクト孔２１２をドラ
イエッチング及びウエットエッチングにより形成する
（図７）。次いで、コンタクト孔２１２を覆うようにＡ
ｌやＷなどの金属をスパッタ法などで形成し、フォトリ
ソグラフィ、エッチング法を用いて所望のゲート電極２
０３をコンタクト孔２１２上に形成する。その後、ゲー
ト電極２０３などを覆うように、表面に第２層間絶縁膜
２０７を形成する（図８）。その際、ゲート電極２０３
をすでに形成しているため、第１層間絶縁膜２０６形成
に使用した高温の熱ＣＶＤ法は使用できず、従って６０
０度よりも低い温度で絶縁膜が形成できるＣＶＤ法やＳ
ＯＧ膜など使用する。なかでも、低温で比較的平坦な膜
が形成できるＢ（ボロン）とＰ（リン）を含んだＢＰＳ
Ｇ膜を使用する場合が多い。次に、第２層間絶縁膜２０
７上にフォトレジストマスクを形成し、トランジスタ構
造のソース部２０４やドレイン部２０５の上にコンタク
ト孔２１３を形成するために、ドライエッチングおよび
ウエットエッチングを用いて、第２層間絶縁膜２０７、
第１層間絶縁膜２０６をエッチングする。次いで、Ａ
ｌ、Ｗなどの金属をコンタクト孔２１３上に形成し、ソ
ース電極２０８やドレイン電極２０９を作成し、トラン
ジスタ構造を完成させている（図９）。
９を用いて説明する。始めにｐ型Ｓｉ基板上にｎ+ コン
タクト領域をもつｎＭＯＳ型トランジスタ構造２１１を
形成する（図６）。次にトランジスタ構造２１１を覆う
ように第１層間絶縁膜２０６を形成する。この第１層間
絶縁膜２０６は層間絶縁膜の緻密性をあげるため６００
度以上の熱ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2 層ででき
ている。その後、フォトレジストマスクを用いてトラン
ジスタ構造のゲート部の上にコンタクト孔２１２をドラ
イエッチング及びウエットエッチングにより形成する
（図７）。次いで、コンタクト孔２１２を覆うようにＡ
ｌやＷなどの金属をスパッタ法などで形成し、フォトリ
ソグラフィ、エッチング法を用いて所望のゲート電極２
０３をコンタクト孔２１２上に形成する。その後、ゲー
ト電極２０３などを覆うように、表面に第２層間絶縁膜
２０７を形成する（図８）。その際、ゲート電極２０３
をすでに形成しているため、第１層間絶縁膜２０６形成
に使用した高温の熱ＣＶＤ法は使用できず、従って６０
０度よりも低い温度で絶縁膜が形成できるＣＶＤ法やＳ
ＯＧ膜など使用する。なかでも、低温で比較的平坦な膜
が形成できるＢ（ボロン）とＰ（リン）を含んだＢＰＳ
Ｇ膜を使用する場合が多い。次に、第２層間絶縁膜２０
７上にフォトレジストマスクを形成し、トランジスタ構
造のソース部２０４やドレイン部２０５の上にコンタク
ト孔２１３を形成するために、ドライエッチングおよび
ウエットエッチングを用いて、第２層間絶縁膜２０７、
第１層間絶縁膜２０６をエッチングする。次いで、Ａ
ｌ、Ｗなどの金属をコンタクト孔２１３上に形成し、ソ
ース電極２０８やドレイン電極２０９を作成し、トラン
ジスタ構造を完成させている（図９）。
【０００３】しかしながら、従来の半導体装置の製造方
法ではソース電極部やドレイン電極部を形成する際、以
下のような問題が発生している。
法ではソース電極部やドレイン電極部を形成する際、以
下のような問題が発生している。
【０００４】ソース部、ドレイン部のコンタクト孔を形
成する際エッチングを用いるが、トランジスタ構造の微
細化が進む近年ではドライエッチングを一般的に用いて
いる。しかしながら、ドライエッチングはソース部やド
レイン部表面上にわずかに残る残留物までは取りきれな
いため、ドライエッチング後、ウエットエッチングを若
干行い、残留物を取り除いて、ソース部やドレイン部表
面上をきれいにしている。このウエットエッチングの
際、図９に示すように第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜
の界面に横方向のエッチングが生じ、くさび上の段差が
発生してしまう。これは、第１層間絶縁膜と第２層間絶
縁膜の種類や製造方法が異なること、第１層間絶縁膜上
に汚染やダメージがあるうちに第２層間絶縁膜を形成し
てしまうことなどにより、界面側の第２層間絶縁膜の品
質の低下によるエッチング速度の上昇によるものであ
る。
成する際エッチングを用いるが、トランジスタ構造の微
細化が進む近年ではドライエッチングを一般的に用いて
いる。しかしながら、ドライエッチングはソース部やド
レイン部表面上にわずかに残る残留物までは取りきれな
いため、ドライエッチング後、ウエットエッチングを若
干行い、残留物を取り除いて、ソース部やドレイン部表
面上をきれいにしている。このウエットエッチングの
際、図９に示すように第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜
の界面に横方向のエッチングが生じ、くさび上の段差が
発生してしまう。これは、第１層間絶縁膜と第２層間絶
縁膜の種類や製造方法が異なること、第１層間絶縁膜上
に汚染やダメージがあるうちに第２層間絶縁膜を形成し
てしまうことなどにより、界面側の第２層間絶縁膜の品
質の低下によるエッチング速度の上昇によるものであ
る。
【０００５】このくさび上の段差が層間膜界面で発生す
るためその後、金属によりソース電極、ドレイン電極を
形成すると段差部で電極の断線が生じてしまうという問
題を発生していた。
るためその後、金属によりソース電極、ドレイン電極を
形成すると段差部で電極の断線が生じてしまうという問
題を発生していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この問題を解決するた
め、特開平５−６３０９６ではコンタクト孔をテーパ形
状にしているが、テーパ形状にするためコンタクト孔を
小さくすることが難しく、微細化に限界がある。
め、特開平５−６３０９６ではコンタクト孔をテーパ形
状にしているが、テーパ形状にするためコンタクト孔を
小さくすることが難しく、微細化に限界がある。
【０００７】また特開平５―３３５４２６では、エッチ
ングされやすいＢＰＳＧ膜をコンタクト孔内からあらか
じめ取り除いておくことを、特開平７−３２６６６８で
はコンタクト孔形成後、側壁をウエットエッチングされ
にくいもので被覆することで、段差を生じない構造を開
示しているが、どちらも従来の半導体装置の製造方法よ
りも複雑になり、製造工程の増加、歩留まりの低下が生
じやすい。
ングされやすいＢＰＳＧ膜をコンタクト孔内からあらか
じめ取り除いておくことを、特開平７−３２６６６８で
はコンタクト孔形成後、側壁をウエットエッチングされ
にくいもので被覆することで、段差を生じない構造を開
示しているが、どちらも従来の半導体装置の製造方法よ
りも複雑になり、製造工程の増加、歩留まりの低下が生
じやすい。
【０００８】そこで、本発明の目的は、歩留まりよく、
簡便な製造法で上記の課題を解決できる半導体装置およ
びその製造方法を提供することにある。
簡便な製造法で上記の課題を解決できる半導体装置およ
びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板と、前記半導体基板内に形成された半導体素
子領域と、前記半導体素子領域上を覆う第１層間絶縁膜
と、前記第１層間絶縁膜上に形成された中間配線層と、
前記中間配線層上を覆う第２層間絶縁膜と、前記第２層
間絶縁膜上に形成され、かつ第１および第２層間絶縁膜
を貫通するコンタクト孔を介して前記半導体素子領域と
接続された配線層と、を具備する半導体装置において、
前記第2層間絶縁膜は、前記第１層間絶縁膜上に前記第1
層間絶縁膜よりもエッチングレートがはやい第２層間絶
縁膜Ａと、前記第２層間絶縁膜Ａよりもエッチングレー
トが遅い第２層間絶縁膜Ｂを積層することにより形成さ
れることを特徴とする。
半導体基板と、前記半導体基板内に形成された半導体素
子領域と、前記半導体素子領域上を覆う第１層間絶縁膜
と、前記第１層間絶縁膜上に形成された中間配線層と、
前記中間配線層上を覆う第２層間絶縁膜と、前記第２層
間絶縁膜上に形成され、かつ第１および第２層間絶縁膜
を貫通するコンタクト孔を介して前記半導体素子領域と
接続された配線層と、を具備する半導体装置において、
前記第2層間絶縁膜は、前記第１層間絶縁膜上に前記第1
層間絶縁膜よりもエッチングレートがはやい第２層間絶
縁膜Ａと、前記第２層間絶縁膜Ａよりもエッチングレー
トが遅い第２層間絶縁膜Ｂを積層することにより形成さ
れることを特徴とする。
【００１０】また、前記半導体素子領域はシリコン又は
ポリシリコン又はアモルファスシリコンにより形成され
ていることを特徴とする。
ポリシリコン又はアモルファスシリコンにより形成され
ていることを特徴とする。
【００１１】また、前記第１層間絶縁膜は酸化シリコン
膜からなり、また前記第２層間絶縁膜はボロンとリンを
含んだＢＰＳＧ膜からなることを特徴とする。
膜からなり、また前記第２層間絶縁膜はボロンとリンを
含んだＢＰＳＧ膜からなることを特徴とする。
【００１２】また、前記第２層間絶縁膜Ａと第２層間絶
縁膜Ｂは含有するボロンとリンの濃度が異なることを特
徴とする。
縁膜Ｂは含有するボロンとリンの濃度が異なることを特
徴とする。
【００１３】本発明の半導体装置を作成する製造方法
は、半導体基板の素子領域に半導体素子を形成する工程
と、前記半導体素子領域上を覆う第１層間絶縁膜を形成
する工程と、前記第１層間絶縁膜上に中間配線層を形成
する工程と、前記中間配線層上を覆う第２層間絶縁膜を
形成する工程と、前記第１および第２層間絶縁膜を貫通
するコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔
を介して前記半導体素子領域と接続するよう前記第２層
間絶縁膜上に配線層を形成する工程とを備えていること
を特徴とする。
は、半導体基板の素子領域に半導体素子を形成する工程
と、前記半導体素子領域上を覆う第１層間絶縁膜を形成
する工程と、前記第１層間絶縁膜上に中間配線層を形成
する工程と、前記中間配線層上を覆う第２層間絶縁膜を
形成する工程と、前記第１および第２層間絶縁膜を貫通
するコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔
を介して前記半導体素子領域と接続するよう前記第２層
間絶縁膜上に配線層を形成する工程とを備えていること
を特徴とする。
【００１４】また、前記第１層間絶縁膜を形成する工程
には成膜温度６００度以上の熱ＣＶＤ法を用い、また前
記第２層間絶縁膜を形成する工程には６００度より低温
の常圧ＣＶＤ法を用いることを特徴とする。
には成膜温度６００度以上の熱ＣＶＤ法を用い、また前
記第２層間絶縁膜を形成する工程には６００度より低温
の常圧ＣＶＤ法を用いることを特徴とする。
【００１５】また、前記第２層間絶縁膜を形成する工程
は、同一成膜装置において、成膜条件を変えることによ
り連続して第２層間絶縁膜Ａと第２層間絶縁膜Ｂを形成
することを特徴とする。
は、同一成膜装置において、成膜条件を変えることによ
り連続して第２層間絶縁膜Ａと第２層間絶縁膜Ｂを形成
することを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明の半導体装置およびその製造方法では、
第２層間絶縁膜をウエットエッチングレートの早い第２
層間絶縁膜Ａと通常の第２層間絶縁膜Ｂに分けることに
より、第１層間絶縁膜との界面での横方向のエッチング
を積極的に利用し、界面でくさび状の段差ができないよ
うにしているため、電極の断線を防ぐことができる。
第２層間絶縁膜をウエットエッチングレートの早い第２
層間絶縁膜Ａと通常の第２層間絶縁膜Ｂに分けることに
より、第１層間絶縁膜との界面での横方向のエッチング
を積極的に利用し、界面でくさび状の段差ができないよ
うにしているため、電極の断線を防ぐことができる。
【００１７】また、第２層間絶縁膜ＡとＢの製造方法
は、同一製造装置内で作成条件のみを変更し、連続的に
作成するため、製造工程の増加にはならず、従来方法と
同等の簡便な製造方法で課題を解決できる。
は、同一製造装置内で作成条件のみを変更し、連続的に
作成するため、製造工程の増加にはならず、従来方法と
同等の簡便な製造方法で課題を解決できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１９】（実施例）図１は本発明の一実施例におけ
る半導体装置の断面を模式的に示す断面図であり、図２
から図５までにその製造方法を示す。
る半導体装置の断面を模式的に示す断面図であり、図２
から図５までにその製造方法を示す。
【００２０】まず、図２に示す半導体基板１０１上にト
ランジスタ構造１１１の形成、第１層間絶縁膜１０６の
形成、ゲート上コンタクト孔１１２の形成、ゲート電極
１０３形成までは従来技術と同様な方法で作成する。
ランジスタ構造１１１の形成、第１層間絶縁膜１０６の
形成、ゲート上コンタクト孔１１２の形成、ゲート電極
１０３形成までは従来技術と同様な方法で作成する。
【００２１】次にゲート電極１０３も含め第１層間絶縁
膜１０６上に第２層間絶縁膜１０７を形成する。形成方
法には原料に有機ボロン、有機リン、有機シリコン、活
性酸素を用いた常圧ＣＶＤ法を用い、５００度付近で形
成を行った。
膜１０６上に第２層間絶縁膜１０７を形成する。形成方
法には原料に有機ボロン、有機リン、有機シリコン、活
性酸素を用いた常圧ＣＶＤ法を用い、５００度付近で形
成を行った。
【００２２】始めに、第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａを形成
する際には、原料を供給するキャリアガスである窒素の
流量を多くすることにより、成膜速度を上昇させ、絶縁
膜の品質を窒素の流量を多くしないときよりも若干悪く
させ、ウエットエッチングレートが早くなるような絶縁
膜とした。
する際には、原料を供給するキャリアガスである窒素の
流量を多くすることにより、成膜速度を上昇させ、絶縁
膜の品質を窒素の流量を多くしないときよりも若干悪く
させ、ウエットエッチングレートが早くなるような絶縁
膜とした。
【００２３】第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａを所望の厚さに
したところで、成膜はやめずにキャリアガスのみ流量を
下げ、絶縁膜品質の良い第２層間絶縁膜Ｂ１０７Ｂを連
続して形成した（図３）。
したところで、成膜はやめずにキャリアガスのみ流量を
下げ、絶縁膜品質の良い第２層間絶縁膜Ｂ１０７Ｂを連
続して形成した（図３）。
【００２４】上記のように第２層間絶縁膜１０７は連続
して形成し、原料の供給量も変えずに形成している。ま
た、第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａの厚さは、第２層間絶縁
膜１０７全体の厚さの１／２より薄くすることにより第
２層間絶縁膜１０７全体による特性は、単層のものと同
等のものとなるようにしている。
して形成し、原料の供給量も変えずに形成している。ま
た、第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａの厚さは、第２層間絶縁
膜１０７全体の厚さの１／２より薄くすることにより第
２層間絶縁膜１０７全体による特性は、単層のものと同
等のものとなるようにしている。
【００２５】また、本実施例ではキャリアガスの流量を
変えることで第２層間絶縁膜Ａ，Ｂを作り分けている
が、方法はこれに限らず、原料の比率を変えないで、原
料の供給量を変えたり、成膜温度を変えたり、減圧ＣＶ
Ｄにおいては圧力を変えても同様な膜形成は可能であ
る。
変えることで第２層間絶縁膜Ａ，Ｂを作り分けている
が、方法はこれに限らず、原料の比率を変えないで、原
料の供給量を変えたり、成膜温度を変えたり、減圧ＣＶ
Ｄにおいては圧力を変えても同様な膜形成は可能であ
る。
【００２６】一般的には、ＢＰＳＧ膜を層間絶縁膜に使
用する場合、空気に露出する表面はボロンとリンが入っ
ていない絶縁膜（パッシベーション膜）を形成する必要
があり、本実施例においても、第２層間絶縁膜Ｂ１０７
Ｂ上にパッシベーション膜を形成しているが、本実施例
の目的とは関係なく、また膜厚も２００オングストロー
ムと薄いため、第２層間絶縁膜Ｂ１０７Ｂと一体化して
おり、特別な記載は省略してある。
用する場合、空気に露出する表面はボロンとリンが入っ
ていない絶縁膜（パッシベーション膜）を形成する必要
があり、本実施例においても、第２層間絶縁膜Ｂ１０７
Ｂ上にパッシベーション膜を形成しているが、本実施例
の目的とは関係なく、また膜厚も２００オングストロー
ムと薄いため、第２層間絶縁膜Ｂ１０７Ｂと一体化して
おり、特別な記載は省略してある。
【００２７】次に、第２層間絶縁膜１０７上にフォトレ
ジストマスクを形成し、ドライエッチング法を用いて、
トランジスタ構造１１１内のソース部１０４上、及びド
レイン部１０５上にコンタクト孔１１３を形成する。ド
ライエッチングには、ＣＦ4とＨ2やＣＨＦ3といったガ
スを用いた異方性ドライエッチングを使用した。
ジストマスクを形成し、ドライエッチング法を用いて、
トランジスタ構造１１１内のソース部１０４上、及びド
レイン部１０５上にコンタクト孔１１３を形成する。ド
ライエッチングには、ＣＦ4とＨ2やＣＨＦ3といったガ
スを用いた異方性ドライエッチングを使用した。
【００２８】コンタクト孔１１３形成後、ソース部１０
４上、及びドレイン部１０５上にある残留物、ＳｉＯ2
の粉や有機物のポリマー粉をウエットエッチングで除去
する。ウエットエッチングには、フッ酸を含んだ溶液を
用いている。
４上、及びドレイン部１０５上にある残留物、ＳｉＯ2
の粉や有機物のポリマー粉をウエットエッチングで除去
する。ウエットエッチングには、フッ酸を含んだ溶液を
用いている。
【００２９】この時、従来の第２層間絶縁膜が単層の構
造では、第１層間絶縁膜との界面のみが膜品質が悪く、
その他大部分の膜品質が良いため、膜品質の悪いところ
だけが横方向にウエットエッチングされ、くさび上の段
差が発生していた。第２層間絶縁膜の膜品質を良くすれ
ば良くするほどくさびの形状はするどくなり、次工程の
電極配線が断線しやすくなってしまう。
造では、第１層間絶縁膜との界面のみが膜品質が悪く、
その他大部分の膜品質が良いため、膜品質の悪いところ
だけが横方向にウエットエッチングされ、くさび上の段
差が発生していた。第２層間絶縁膜の膜品質を良くすれ
ば良くするほどくさびの形状はするどくなり、次工程の
電極配線が断線しやすくなってしまう。
【００３０】本実施例では第２層間絶縁膜を２層にし
て、第１層間絶縁膜１０６と接する側の絶縁膜１０７Ａ
の膜品質を意図的に若干低下させ、横方向にウエットエ
ッチングされやすい膜とした。従って、第２層間絶縁膜
Ａ１０７Ａは横方向にウエットエッチングされるが、第
２層間絶縁膜Ａ１０７Ａの膜全体が横方向にウエットエ
ッチングされるため、第１層間絶縁膜１０６との界面に
くさび状の段差は発生しない。
て、第１層間絶縁膜１０６と接する側の絶縁膜１０７Ａ
の膜品質を意図的に若干低下させ、横方向にウエットエ
ッチングされやすい膜とした。従って、第２層間絶縁膜
Ａ１０７Ａは横方向にウエットエッチングされるが、第
２層間絶縁膜Ａ１０７Ａの膜全体が横方向にウエットエ
ッチングされるため、第１層間絶縁膜１０６との界面に
くさび状の段差は発生しない。
【００３１】また、第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａと第２層
間絶縁膜Ｂ１０７Ｂの界面は、同一製造装置内で、同一
種類の膜を、連続して形成しているため、界面のみの膜
品質の低下はなく、従って、くさび状の段差は発生しな
い。これらのことから、図４に示すようなコンタクト孔
１１３内にくさび状の段差が発生しない構造となる。
間絶縁膜Ｂ１０７Ｂの界面は、同一製造装置内で、同一
種類の膜を、連続して形成しているため、界面のみの膜
品質の低下はなく、従って、くさび状の段差は発生しな
い。これらのことから、図４に示すようなコンタクト孔
１１３内にくさび状の段差が発生しない構造となる。
【００３２】最後に、コンタクト孔１１３内にＡｌや
Ｗ、Ｔｉなどの金属を用いたソース電極１０８やドレイ
ン電極１０９を形成し、トランジスタ構造が完成する
（図５）。
Ｗ、Ｔｉなどの金属を用いたソース電極１０８やドレイ
ン電極１０９を形成し、トランジスタ構造が完成する
（図５）。
【００３３】また、本発明の構造を用いると電極部の断
線を防ぐことが可能となるため、従来電極断線を防止す
るため、電極厚さを厚くしたり、コンタクト孔を金属で
埋めてしまうような構造をとっていたものが、薄い電極
で実施できるようになり、工程の削減、材料の低減、構
造段差の低減などの効果も発生した。
線を防ぐことが可能となるため、従来電極断線を防止す
るため、電極厚さを厚くしたり、コンタクト孔を金属で
埋めてしまうような構造をとっていたものが、薄い電極
で実施できるようになり、工程の削減、材料の低減、構
造段差の低減などの効果も発生した。
【００３４】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。
【００３５】例えば、液晶駆動素子のような半導体基板
はガラスなどの基体の上に半導体層を持つものでも良
く、また層間絶縁膜もＢＰＳＧ膜だけでなく、ＳＯＧ膜
などでも良い。また、トランジスタ構造は必須ではな
く、配線どうしの接続など層間絶縁膜にコンタクト孔を
形成する部分があれば実施可能である。
はガラスなどの基体の上に半導体層を持つものでも良
く、また層間絶縁膜もＢＰＳＧ膜だけでなく、ＳＯＧ膜
などでも良い。また、トランジスタ構造は必須ではな
く、配線どうしの接続など層間絶縁膜にコンタクト孔を
形成する部分があれば実施可能である。
【００３６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明を用いれば、
コンタクト電極を形成するにあたり、第２層間絶縁膜を
ウエットエッチングレートの早い第２層間絶縁膜Ａと通
常の第２層間絶縁膜Ｂに分けることにより、第１層間絶
縁膜界面での横方向のエッチングを積極的に利用し、界
面でくさび状の段差ができないようにしているため、従
来のように層間絶縁膜界面での電極の断線を防ぐことが
できる。
コンタクト電極を形成するにあたり、第２層間絶縁膜を
ウエットエッチングレートの早い第２層間絶縁膜Ａと通
常の第２層間絶縁膜Ｂに分けることにより、第１層間絶
縁膜界面での横方向のエッチングを積極的に利用し、界
面でくさび状の段差ができないようにしているため、従
来のように層間絶縁膜界面での電極の断線を防ぐことが
できる。
【００３７】また、第２層間絶縁膜ＡとＢの製造方法
は、同一製造装置内で作成条件のみを変更し、連続的に
作成するため、製造工程の増加にはならず、従来方法と
同等の簡便な製造方法で課題を解決可能となる。
は、同一製造装置内で作成条件のみを変更し、連続的に
作成するため、製造工程の増加にはならず、従来方法と
同等の簡便な製造方法で課題を解決可能となる。
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の断面を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を模式的に示す第１の断面図である。
法を模式的に示す第１の断面図である。
【図３】本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を模式的に示す第２の断面図である。
法を模式的に示す第２の断面図である。
【図４】本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を模式的に示す第３の断面図である。
法を模式的に示す第３の断面図である。
【図５】本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を模式的に示す第４の断面図である。
法を模式的に示す第４の断面図である。
【図６】従来例における半導体装置の製造方法を模式的
に示す第１の断面図である。
に示す第１の断面図である。
【図７】従来例における半導体装置の製造方法を模式的
に示す第２の断面図である。
に示す第２の断面図である。
【図８】従来例における半導体装置の製造方法を模式的
に示す第３の断面図である。
に示す第３の断面図である。
【図９】従来例における半導体装置の製造方法を模式的
に示す第４の断面図である。
に示す第４の断面図である。
１０１，２０１ Ｓｉ基板 １０２，２０２ ゲート部 １０３，２０３ ゲート電極 １０４，２０４ ソース部 １０５，２０５ ドレイン部 １０６，２０６ 第１層間絶縁膜 １０７,２０７ 第２層間絶縁膜 １０７Ａ 第２層間絶縁膜Ａ １０７Ｂ 第２層間絶縁膜Ｂ １０８，２０８ ソース電極 １０９，２０９ ドレイン電極 １１１，２１１ トランジスタ構造 １１２，２１２ ソース部コンタクト孔 １１３，２１３ コンタクト孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA01 BB02 BB14 BB18 DD08 DD16 DD19 DD21 EE12 EE15 FF09 FF21 GG09 HH13 HH20 5F033 AA12 AA13 AA17 AA23 AA25 AA28 AA29 BA04 BA12 BA15 BA41 CA04 CA09 DA07 DA35 DA36 EA02 EA05 EA25 EA27 EA33
Claims (7)
- 【請求項１】半導体基板と、前記半導体基板内に形成さ
れた半導体素子領域と、前記半導体素子領域上を覆う第
１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上に形成された中
間配線層と、前記中間配線層上を覆う第２層間絶縁膜
と、前記第２層間絶縁膜上に形成され、かつ第１および
第２層間絶縁膜を貫通するコンタクト孔を介して前記半
導体素子領域と接続された配線層と、を具備する半導体
装置において、前記第2層間絶縁膜は、前記第１層間絶
縁膜上に前記第1層間絶縁膜よりもエッチングレートが
はやい第２層間絶縁膜Ａと、前記第２層間絶縁膜Ａより
もエッチングレートが遅い第２層間絶縁膜Ｂを積層する
ことにより形成されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記半導体素子領域はシリコン又はポリシ
リコン又はアモルファスシリコンにより形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記第１層間絶縁膜は酸化シリコン膜から
なり、また前記第２層間絶縁膜はボロンとリンを含んだ
ＢＰＳＧ膜からなることを特徴とする請求項１、２のい
ずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項４】前記第２層間絶縁膜Ａと第２層間絶縁膜Ｂ
は含有するボロンとリンの濃度が異なることを特徴とす
る請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】半導体基板の素子領域に半導体素子を形成
する工程と、前記半導体素子領域上を覆う第１層間絶縁
膜を形成する工程と、前記第１層間絶縁膜上に中間配線
層を形成する工程と、前記中間配線層上を覆う第２層間
絶縁膜を形成する工程と、前記第１および第２層間絶縁
膜を貫通するコンタクト孔を形成する工程と、前記コン
タクト孔を介して前記半導体素子領域と接続するよう前
記第２層間絶縁膜上に配線層を形成する工程とを備えて
いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】前記第１層間絶縁膜を形成する工程には成
膜温度６００度以上の熱ＣＶＤ法を用い、また前記第２
層間絶縁膜を形成する工程には６００度より低温の常圧
ＣＶＤ法を用いることを特徴とする請求項５記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項７】前記第２層間絶縁膜を形成する工程は、同
一成膜装置において、成膜条件を変えることにより連続
して第２層間絶縁膜Ａと第２層間絶縁膜Ｂを形成するこ
とを特徴とする請求項５、６のいずれかに記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10199136A JP2000031276A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10199136A JP2000031276A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031276A true JP2000031276A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16402751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10199136A Withdrawn JP2000031276A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031276A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100803177B1 (ko) * | 2001-05-14 | 2008-02-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
-
1998
- 1998-07-14 JP JP10199136A patent/JP2000031276A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100803177B1 (ko) * | 2001-05-14 | 2008-02-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051004 |