JP2005215279A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなるソース・ドレイン配線を採用し、ドレイン電極上の開口部内のアルミニウム層を除去して生じたパシベーション絶縁層のアンダカットを、前記開口部を拡大する製造工程の追加で解消する。
【選択図】 図2
Description
第1の透明性絶縁基板の一主面上に走査線と、絶縁ゲート型トランジスタと、耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなる信号線が形成され、
少なくともドレイン配線上に開口部を有する無機パシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成され、
前記開口部の底部の周囲にアルミニウム層がわずかに露出すると共に大部分は耐熱金属層が露出しており、
前記ドレイン配線上の開口部を含み絵素電極形成領域の無機パシベーション絶縁層上に絵素電極が形成されていることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に走査線と、絶縁ゲート型トランジスタと、耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなる信号線が形成され、
少なくともドレイン配線上に開口部を有し、その上層部が感光性有機絶縁層であるパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成され、
前記開口部の底部の周囲にアルミニウム層がわずかに露出すると共に大部分は耐熱金属層が露出しており、
前記ドレイン配線上の開口部を含み絵素電極形成領域のパシベーション絶縁層上に絵素電極が形成されていることを特徴とする。
透明性絶縁基板の一主面上に走査線と、絶縁ゲート型トランジスタと、耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなる信号線を形成する工程と、
少なくともドレイン配線上に開口部を有する無機パシベーション絶縁層を前記透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記開口部内に露出しているアルミニウム層を除去する工程と、
前記開口部を拡大する工程と、
導電層を被着後、前記拡大された開口部を含んで絵素電極を形成する工程を有することを特徴とする。
透明性絶縁基板の一主面上に走査線と、絶縁ゲート型トランジスタと、耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなる信号線を形成する工程と、
少なくともドレイン配線上に開口部を有し、その上層部が感光性有機絶縁層であるパシベーション絶縁層を前記透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記開口部内に露出しているアルミニウム層を除去する工程と、
前記パシベーション絶縁層の膜厚を減少せしめて前記開口部を拡大する工程と、
導電層を被着後、前記拡大された開口部を含んで絵素電極を形成する工程を有することを特徴とする。
2:アクティブ基板(ガラス基板)
3:半導体集積回路チップ
4:TCPフィルム
5:走査線の一部または電極端子
5A:透明導電性の走査線の電極端子
6:信号線の一部または電極端子
6A:透明導電性の信号線の電極端子
9:カラーフィルタ(対向するガラス基板)
10:絶縁ゲート型トランジスタ
11:走査線
11A:ゲート配線、ゲート電極
12:信号線(ソース配線、ソース電極)
16:蓄積容量線
17:液晶
19:偏光板
20:配向膜
21:ドレイン電極(ドレイン配線、ドレイン電極)
22:透明導電性の絵素電極
30:ゲート絶縁層
31:不純物を含まない(第1の)非晶質シリコン層
32D:保護絶縁層(エッチストップ層、チャネル保護絶縁層)
33:不純物を含む(第2の)非晶質シリコン層
34:耐熱金属層
35:低抵抗金属層(AL層)
36:中間導電層
40:アンダカット
37:(無機)パシベーション絶縁層
39:平坦化層(アクリル樹脂層)
50,52:蓄積容量形成領域
62:(ドレイン電極上の)開口部
62A:(蓄積電極上の)開口部
63:(走査線の一部上または走査線の電極端子上の)開口部
64:(信号線の一部上または信号線の電極端子上の)開口部
65:(対向電極上の)開口部
72: 蓄積電極
80A ,80B:ハーフトーン露光で形成された(通常の)感光性樹脂パターン
81:開口部62,63,64,65の形成に用いられる感光性樹脂パターン
Claims (4)
- 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に走査線と、絶縁ゲート型トランジスタと、耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなる信号線が形成され、
少なくともドレイン配線上に開口部を有する無機パシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成され、
前記開口部の底部の周囲にアルミニウム層がわずかに露出すると共に大部分は耐熱金属層が露出しており、
前記ドレイン配線上の開口部を含み絵素電極形成領域の無機パシベーション絶縁層上に絵素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に走査線と、絶縁ゲート型トランジスタと、耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなる信号線が形成され、
少なくともドレイン配線上に開口部を有し、その上層部が感光性有機絶縁層であるパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成され、
前記開口部の底部の周囲にアルミニウム層がわずかに露出すると共に大部分は耐熱金属層が露出しており、
前記ドレイン配線上の開口部を含み絵素電極形成領域のパシベーション絶縁層上に絵素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に走査線と、絶縁ゲート型トランジスタと、耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなる信号線を形成する工程と、
少なくともドレイン配線上に開口部を有する無機パシベーション絶縁層を前記第1の透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記開口部内に露出しているアルミニウム層を除去する工程と、
前記開口部を拡大する工程と、
導電層を被着後、前記拡大された開口部を含んで絵素電極を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に走査線と、絶縁ゲート型トランジスタと、耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなる信号線を形成する工程と、
少なくともドレイン配線上に開口部を有し、その上層部が感光性有機絶縁層であるパシベーション絶縁層を前記第1の透明性絶縁基板上に形成する工程と、
前記開口部内に露出しているアルミニウム層を除去する工程と、
前記パシベーション絶縁層の膜厚を減少せしめて前記開口部を拡大する工程と、
導電層を被着後、前記拡大された開口部を含んで絵素電極を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
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JP2000077669A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Furontekku:Kk | 薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置 |
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Patent Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPH10135465A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2000077669A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Furontekku:Kk | 薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置 |
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