JP2005215276A

JP2005215276A - 液晶表示装置とその製造方法

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Publication number: JP2005215276A
Application number: JP2004021289A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Kawasaki; 清弘川崎
Original assignee: Quanta Display Japan Inc; Quanta Display Inc
Current assignee: Quanta Display Japan Inc; Quanta Display Inc
Priority date: 2004-01-29
Filing date: 2004-01-29
Publication date: 2005-08-11

Abstract

【課題】従来の製造工程数を削減した製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。
【解決手段】公知技術である絵素電極と走査線を同時に形成する合理化技術にハーフトーン露光技術を導入し走査線の断面形状をテーパ化して歩留を上げる新規技術と、ゲート絶縁層への開口部形成工程と半導体層の島化工程または保護絶縁層の形成工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術と、公知技術であるソース・ドレイン配線の陽極酸化工程にハーフトーン露光技術を導入することで電極端子の保護層形成工程を合理化する新規技術との組合せによりＴＮ型液晶表示装置の４枚マスク・プロセス案と３枚マスク・プロセス案を構築する。
【選択図】図２

Description

本発明はカラー画像表示機能を有する液晶表示装置、とりわけアクティブ型の液晶表示装置に関するものである。

近年の微細加工技術、液晶材料技術および高密度実装技術等の進歩により、５〜５０ｃｍ対角の液晶表示装置でテレビジョン画像や各種の画像表示機器が商用ベースで大量に提供されている。また、液晶パネルを構成する２枚のガラス基板の一方にＲＧＢの着色層を形成しておくことによりカラー表示も容易に実現している。特にスイッチング素子を絵素毎に内蔵させた、いわゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも少なく、応答速度も早く高いコントラスト比を有する画像が保証されている。

これらの液晶表示装置（液晶パネル）は走査線としては２００〜１２００本、信号線としては３００〜１６００本程度のマトリクス編成が一般的であるが、最近は表示容量の増大に対応すべく大画面化と高精細化とが同時に進行している。

図１３は液晶パネルへの実装状態を示し、液晶パネル１を構成する一方の透明性絶縁基板、例えばガラス基板２上に形成された走査線の電極端子５に駆動信号を供給する半導体集積回路チップ３を導電性の接着剤を用いて接続するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）方式や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、金または半田メッキされた銅箔の端子を有するＴＣＰフィルム４を信号線の電極端子６に導電性媒体を含む適当な接着剤で圧接して固定するＴＣＰ（Ｔａｐｅ−Ｃａｒｒｉｅｒ−Ｐａｃｋａｇｅ）方式などの実装手段によって電気信号が画像表示部に供給される。ここでは便宜上二つの実装方式を同時に図示しているが実際には何れかの方式が適宜選択される。

液晶パネル１のほぼ中央部に位置する画像表示部内の画素と走査線及び信号線の電極端子５，６との間を接続する配線路が７、８で、必ずしも電極端子５，６と同一の導電材で構成される必要はない。９は全ての液晶セルに共通する透明導電性の対向電極を対向面上に有するもう１枚の透明性絶縁基板である対向ガラス基板またはカラーフィルタである。

図１４はスイッチング素子として絶縁ゲート型トランジスタ１０を絵素毎に配置したアクティブ型液晶表示装置の等価回路図を示し、１１（図１３では７）は走査線、１２（図１３では８）は信号線、１３は液晶セルであって、液晶セル１３は電気的には容量素子として扱われる。実線で描かれた素子類は液晶パネルを構成する一方のガラス基板２上に形成され、点線で描かれた全ての液晶セル１３に共通な対向電極１４はもう一方のガラス基板９の対向する主面上に形成されている。絶縁ゲート型トランジスタ１０のＯＦＦ抵抗あるいは液晶セル１３の抵抗が低い場合や表示画像の階調性を重視する場合には、負荷としての液晶セル１３の時定数を大きくするための補助の蓄積容量１５を液晶セル１３に並列に加える等の回路的工夫が加味される。なお１６は蓄積容量１５の共通母線となる蓄積容量線である。

図１５は液晶表示装置の画像表示部の要部断面図を示し、液晶パネル１を構成する２枚のガラス基板２，９は樹脂性のファイバ、ビーズあるいはカラーフィルタ９上に形成された柱状スペーサ等のスペーサ材（図示せず）によって数μｍ程度の所定の距離を隔てて形成され、その間隙（ギャップ）はガラス基板９の周縁部において有機性樹脂よりなるシール材と封口材（何れも図示せず）とで封止された閉空間になっており、この閉空間に液晶１７が充填されている。

カラー表示を実現する場合には、ガラス基板９の閉空間側に着色層１８と称する染料または顔料のいずれか一方もしくは両方を含む厚さ１〜２μｍ程度の有機薄膜が被着されて色表示機能が与えられるので、その場合にはガラス基板９は別名カラーフィルタ（ＣｏｌｏｒＦｉｌｔｅｒ略語はＣＦ）と呼称される。そして液晶材料１７の性質によってはガラス基板９の上面またはガラス基板２の下面の何れかもしくは両面上に偏光板１９が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子として機能する。現在、市販されている大部分の液晶パネルでは液晶材料にＴＮ（ツイスト・ネマチック）系の物を用いており、偏光板１９は通常２枚必要である。図示はしないが、透過型液晶パネルでは光源として裏面光源が配置され、下方より白色光が照射される。

液晶１７に接して２枚のガラス基板２，９上に形成された例えば厚さ０．１μｍ程度のポリイミド系樹脂薄膜２０は液晶分子を決められた方向に配向させるための配向膜である。２１は絶縁ゲート型トランジスタ１０のドレインと透明導電性の絵素電極２２を接続するドレイン電極（配線）であり、信号線（ソース線）１２と同時に形成されることが多い。信号線１２とドレイン電極２１との間に位置するのは半導体層２３であり詳細は後述する。カラーフィルタ９上で隣り合った着色層１８の境界に形成された厚さ０．１μｍ程度のＣｒ薄膜層２４は半導体層２３と走査線１１及び信号線１２に外部光が入射するのを防止するための光遮蔽部材で、いわゆるブラックマトリクス（ＢｌａｃｋＭａｔｒｉｘ略語はＢＭ）として定着化した技術である。

ここでスイッチング素子として絶縁ゲート型トランジスタの構造と製造方法に関して説明する。現在絶縁ゲート型トランジスタには２種類のものが多用されており、そのうちの一つのエッチストップ型と呼称されるものを従来例として紹介する。図１６は従来の液晶パネルを構成するアクティブ基板（表示装置用半導体装置）の単位絵素の平面図であり、図１６（ｅ）のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線上の断面図を図１７に示し、その製造工程を以下に簡単に説明する。

先ず図１６（ａ）と図１７（ａ）に示したように耐熱性と耐薬品性と透明性が高い絶縁性基板として厚さ０．５〜１．１ｍｍ程度のガラス基板２、例えばコーニング社製の商品名１７３７の一主面上にＳＰＴ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層を被着し、微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６を選択的に形成する。走査線の材質は耐熱性と耐薬品性と耐弗酸性と導電性とを総合的に勘案して選択するが一般的にはＣｒ，Ｔａ，ＭｏＷ合金等の耐熱性の高い金属または合金が使用される。

液晶パネルの大画面化や高精細化に対応して走査線の抵抗値を下げるためには走査線の材料としてＡＬ（アルミニウム）を用いるのが合理的であるが、ＡＬは単体では耐熱性が低いので上記した耐熱金属であるＣｒ，Ｔａ，Ｍｏまたはそれらのシリサイドと積層化する、あるいはＡＬの表面に陽極酸化で酸化層（Ａｌ２Ｏ３）を付加することも現在では一般的な技術である。すなわち走査線１１は１層以上の金属層で構成される。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイディ）装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ（シリコン窒化）層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、図１６（ｂ）と図１７（ｂ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上の第２のＳｉＮｘ層をゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に残して保護絶縁層（エッチストップ層あるいはチャネル保護層）３２Ｄとし、第１の非晶質シリコン層３１を露出する。

続いて同じくＰＣＶＤ装置を用いて全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、図１６（ｃ）と図１７（ｃ）に示したようにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４と、低抵抗配線層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５と、さらに膜厚０．１μｍ程度の中間導電層として例えばＴｉ薄膜層３６を順次被着し、微細加工技術によりソース・ドレイン配線材であるこれら３種の薄膜層３４Ａ，３５Ａ及び３６Ａの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース電極も兼ねる信号線１２を選択的に形成する。この選択的パターン形成はソース・ドレイン配線の形成に用いられる感光性樹脂パターンをマスクとしてＴｉ薄膜層３６、ＡＬ薄膜層３５、Ｔｉ薄膜層３４を順次食刻した後、ソース・ドレイン電極１２，２１間の第２の非晶質シリコン層３３を除去して第２のＳｉＮｘ層３２Ｄを露出するとともに、その他の領域では第１の非晶質シリコン層３１をも除去してゲート絶縁層３０を露出することによってなされる。このようにチャネルの保護層である第２のＳｉＮｘ層３２Ｄが存在して第２の非晶質シリコン層３３の食刻が自動的に終了することからこの製法はエッチストップと呼称される。

絶縁ゲート型トランジスタがオフセット構造とならぬようソース・ドレイン電極１２，２１は保護絶縁層３２Ｄと一部（数μｍ）平面的に重なって形成される。この重なりは寄生容量として電気的に作用するので小さいほど良いが、露光機の合わせ精度とフォトマスクの精度とガラス基板の膨張係数及び露光時のガラス基板温度で決定され、実用的な数値は精々２μｍ程度である。

さらに上記感光性樹脂パターンを除去した後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてゲート絶縁層と同様にＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図１６（ｄ）と図１７（ｄ）に示したようにドレイン電極２１上と走査線１１と信号線１２の電極端子が形成される領域にそれぞれ開口部６２，６３，６４を形成し、開口部６３内のパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０を除去して開口部６３内に走査線の一部を露出するとともに、開口部６２，６４内のパシベーション絶縁層３７を除去してドレイン電極２１の一部と信号線の一部を露出する。蓄積容量線１６（を平行に束ねた電極パターン）上には開口部６５を形成して蓄積容量線１６の一部を露出する。

最後にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）あるいはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、図１６（ｅ）と図１７（ｅ）に示したように微細加工技術により開口部６２を含んでパシベーション絶縁層３７上に絵素電極２２を選択的に形成してアクティブ基板２として完成する。開口部６３内の露出している走査線１１の一部を電極端子５とし、開口部６４内の露出している信号線１２の一部を電極端子６としても良く、図示したように開口部６３，６４を含んでパシベーション絶縁層３７上にＩＴＯよりなる電極端子５Ａ，６Ａを選択的に形成しても良いが、通常は電極端子５Ａ，６Ａ間を接続する透明導電性の短絡線４０も同時に形成される。その理由は、図示はしないが電極端子５Ａ，６Ａと短絡線４０との間を細長いストライプ状に形成することにより高抵抗化して静電気対策用の高抵抗とすることが出来るからである。同様に番号は付与しないが開口部６５を含んで蓄積容量線１６への電極端子が形成される。

信号線１２の配線抵抗が問題とならない場合にはＡＬよりなる低抵抗配線層３５は必ずしも必要ではなく、その場合にはＣｒ，Ｔａ，ＭｏＷ等の耐熱金属材料を選択すればソース・ドレイン配線１２，２１を単層化して簡素化することが可能である。このようにソース・ドレイン配線は耐熱金属層を用いて第２の非晶質シリコン層と電気的な接続を確保することが重要であり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性については先行例である特開平７−７４３６８号公報に詳細が記載されている。なお、図１６（ｃ）において蓄積容量線１６とドレイン電極２１とがゲート絶縁層３０を介して平面的に重なっている領域５０（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を形成しているがここではその詳細な説明は省略する。
特開平７−７４３６８号公報

以上述べた５枚マスク・プロセスは詳細な経緯は省略するが、半導体層の島化工程の合理化とコンタクト形成工程が削減された結果得られたもので、当初は７〜８枚程度必要であったフォトマスクもドライエッチ技術の導入により、現時点では５枚に減少してプロセスコストの削減に大きく寄与している。液晶表示装置の生産コストを下げるためにはアクティブ基板の作製工程ではプロセスコストを、またパネル組立工程とモジュール実装工程では部材コストを下げることが有効であることは周知の開発目標である。プロセスコストを下げるためにはプロセスを短くする工程削減と、安価なプロセス開発またはプロセスへの置き換えとがあるが、ここでは４枚のフォトマスクでアクティブ基板が得られる４枚マスク・プロセスを工程削減の一例として説明する。４枚マスク・プロセスはハーフトーン露光技術の導入により写真食刻工程を削減するもので、図１８は４枚マスク・プロセスに対応したアクティブ基板の単位絵素の平面図で、図１８（ｅ）のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線上の断面図を図１９に示す。既に述べたように絶縁ゲート型トランジスタには２種類のものが多用されているが、ここではチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタを採用している。

先ず５枚マスク・プロセスと同様にガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層を被着し、図１８（ａ）と図１９（ａ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６を選択的に形成する。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となるＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を、例えば０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着する。引き続き、ＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ薄膜層３４と、膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５と、さらに膜厚０．１μｍ程度の中間導電層として例えばＴｉ薄膜層３６を、すなわちソース・ドレイン配線材を順次被着し、微細加工技術により絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース電極も兼ねる信号線１２を選択的に形成するのであるが、この選択的パターン形成に当たりハーフトーン露光技術により図１８（ｂ）と図１９（ｂ）に示したようにソース・ドレイン間のチャネル形成領域８０Ｂ（斜線部）の膜厚が例えば１．５μｍで、ソース・ドレイン配線形成領域８０Ａ（１２），８０Ａ（２１）の膜厚の３μｍよりも薄い感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂを形成する点が合理化された４枚マスク・プロセスの大きな特徴である。

このような感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂは、アクティブ基板２の作製には通常ポジ型の感光性樹脂を用いるので、ソース・ドレイン配線形成領域８０Ａが黒、すなわちＣｒ薄膜が形成されており、チャネル領域８０Ｂは灰色、たとえば幅０．５〜１μｍ程度のラインアンドスペースのＣｒパターンが形成されており、その他の領域は白、すなわちＣｒ薄膜が除去されているようなフォトマスクを用いれば良い。灰色領域は露光機の解像力が不足しているためにラインアンドスペースが解像されることはなく、ランプ光源からのフオトマスク照射光を半分程度透過させることが可能であるので、ポジ型感光性樹脂の残膜特性に応じて図１９（ｂ）に示したような断面形状を有する感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂを得ることができる。

上記感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂをマスクとして図１９（ｂ）に示したようにＴｉ薄膜層３６、ＡＬ薄膜層３５、Ｔｉ薄膜層３４、第２の非晶質シリコン層３３及び第１の非晶質シリコン層３１を順次食刻してゲート絶縁層３０を露出した後、図１８（ｃ）と図１９（ｃ）に示したように酸素プラズマ等の灰化手段により感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８０Ｂが消失してチャネル領域が露出するとともに、ソース・ドレイン配線形成領域上にのみ８０Ｃ（１２），８０Ｃ（２１）をそのまま残すことができる。そこで膜減りした感光性樹脂パターン８０Ｃ（１２），８０Ｃ（２１）をマスクとして、再びソース・ドレイン配線間（チャネル形成領域）のＴｉ薄膜層，ＡＬ薄膜層，Ｔｉ薄膜層，第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａを順次食刻し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻する。ソース・ドレイン配線が金属層をエッチングした後に第１の非晶質シリコン層３１Ａを０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻することによりなされるので、このような製法で得られる絶縁ゲート型トランジスタはチャネルエッチと呼称されている。なお上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましいがその理由は後述する。

さらに上記感光性樹脂パターン８０Ｃ（１２），８０Ｃ（２１）を除去した後は、５枚マスク・プロセスと同じく図１８（ｄ）と図１９（ｄ）に示したようにガラス基板２の全面に透明性の絶縁層として０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、ドレイン電極２１上と走査線１１と信号線１２の電極端子が形成される領域にそれぞれ開口部６２，６３，６４を形成し、開口部６３内のパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０を除去して開口部６３内に走査線の一部を露出するとともに、開口部６２，６４内のパシベーション絶縁層３７を除去してドレイン電極２１の一部と信号線の一部を露出する。走査線１１と同様に蓄積容量線１６上には開口部６５を形成して蓄積容量線１６の一部を露出する。

最後にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層として例えばＩＴＯあるいはＩＺＯを被着し、図１８（ｅ）と図１９（ｅ）に示したように微細加工技術によりパシベーション絶縁層３７上に開口部６２を含んで透明導電性の絵素電極２２を選択的に形成してアクティブ基板２として完成する。電極端子に関してはここでは開口部６３，６４を含んでパシベーション絶縁層３７上にＩＴＯよりなる透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａを選択的に形成している。

このように５枚マスク・プロセスと４枚マスク・プロセスにおいてはドレイン電極２１と走査線１１へのコンタクト形成工程が同時になされるため、それらに対応した開口部６２，６３内の絶縁層の厚さと種類が異なっている。パシベーション絶縁層３７はゲート絶縁層３０に比べると製膜温度が低く膜質が劣悪で、弗酸系のエッチング液による食刻では食刻速度が夫々数１０００Å／分、数１００Å／分と１桁も異なり、ドレイン電極２１上の開口部６２の断面形状は上部に余りにも過食刻が生じて穴径が制御できない理由から弗素系のガスを用いた乾式食刻（ドライエッチ）を採用している。

ドライエッチを採用してもドレイン電極２１上の開口部６２はパシベーション絶縁層３７のみであるので、走査線１１上の開口部６３と比較して過食刻になるのは避けられず、材質によってはドレイン電極２１（中間導電層３６Ａ）が食刻ガスによって膜減りすることがある。また、食刻終了後の感光性樹脂パターンの除去に当たり、まずは弗素化された表面のポリマー除去のために酸素プラズマ灰化で感光性樹脂パターンの表面を０．１〜０．３μｍ程度削り、その後に有機剥離液、例えば東京応化製の剥離液１０６等を用いた薬液処理がなされるのが一般的であるが、中間導電層３６Ａが膜減りして下地のアルミニウム層３５Ａが露出した状態になっていると、酸素プラズマ灰化処理でアルミニウム層３５Ａの表面に絶縁体であるＡＬ２Ｏ３が形成されて、絵素電極２２との間でオーミック接触が得られなくなる。そこで中間導電層３６Ａが膜減りしてもいいように、その膜厚を例えば０．２μｍと厚く設定することでこの問題から逃れようとしている。あるいは開口部６２〜６５の形成時、アルミニウム層３５Ａを除去して下地の耐熱金属層であるＴｉ薄膜層３４Ａを露出してから絵素電極２２を形成する回避策も可能であり、この場合には当初から中間導電層３６Ａは不要となるメリットもある。

しかしながら、前者の対策ではこれら薄膜の膜厚の面内均一性が良好でないとこの取組みも必ずしも有効に作用するわけではなく、また食刻速度の面内均一性が良好でない場合にも全く同様である。後者の対策では中間導電層３６Ａは不要となるが、アルミニウム層３５Ａの除去工程が増加し、また開口部６２の断面制御が不十分であると絵素電極２２が段切れを起こす恐れがあった。

また４枚マスク・プロセスにおいて適用されているチャネル形成工程はソース・ドレイン配線１２，２１間のソース・ドレイン配線材と不純物を含む半導体層を選択的に除去するので、絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ特性を大きく左右するチャネルの長さ（現在の量産品で４〜６μｍ）を決定する工程である。このチャネル長の変動は絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ電流値を大きく変化させるので、通常は厳しい製造管理を要求されるが、チャネル長、すなわちハーフトーン露光領域のパターン寸法は露光量（光源強度とフォマスクのパターン精度、特にライン＆スペース寸法）、感光性樹脂の塗布厚、感光性樹脂の現象処理、および当該のエッチング工程における感光性樹脂の膜減り量等多くのパラメータに左右され、加えてこれら諸量の面内均一性もあいまって必ずしも歩留高く安定して生産できるわけではなく、従来の製造管理よりも一段と厳しい製造管理が必要となり、決して高度に完成したレベルにあるとは言えないのが現状である。特にチャネル長が６μｍ以下ではレジストパターンの膜厚減少に伴って発生するパターン寸法の影響が大きくその傾向が顕著となる。

本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、従来の５枚マスク・プロセスや４枚マスク・プロセスに共通するコンタクト形成時の不具合を回避するだけでなく、製造マージンの大きいハーフトーン露光技術を採用して製造工程の削減を実現するものである。また液晶パネルの低価格化を実現し、需要の増大に対応していくためにも製造工程数の更なる削減を鋭意追求していく必要性があることは明白であり、他の主要な製造工程を簡略化あるいは低コスト化する技術を付与することによりさらに本発明の価値を高めんとするものである。

本発明においては、まず先行技術である特願平５−２６８７２６号公報に開示されている絵素電極の形成工程を合理化したものを本発明に適合させ、ハーフトーン露光技術をパターン精度管理が容易な走査線の形成工程と絵素電極の形成工程に適用することで製造工程の削減を実現している。次にハーフトーン露光技術をパターン精度管理が容易な半導体層の島化工程または保護絶縁層の形成工程と、走査線へのコンタクト形成工程に適用することで更なる製造工程の削減を実現している。そしてエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン配線にパシベーション機能を付与するために先行技術である特開平２−２７５９２５号公報に開示されている感光性有機絶縁層をソース・ドレイン配線形成のための感光性樹脂として用いている。あるいはチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタにチャネル保護層を付与するために先行技術である特開平４−３０２４３８号公報に開示されている不純物を含む半導体層を陽極酸化により酸化シリコン層に変換する技術と、ソース・ドレイン配線のみを有効にパシベーションするために先行技術である特開平２−２１６１２９号公報に開示されているアルミニウムよりなるソース・ドレイン配線の表面に絶縁層を形成する陽極酸化技術とを融合させてプロセスの合理化と低温化を実現せんとするものである。加えて更なる工程削減のためにソース・ドレイン配線の陽極酸化層形成にもハーフトーン露光技術を適用して電極端子の保護層形成工程を合理化している。
特開平５−２６８７２６号公報特開平２−２７５９２５号公報特開平４−３０２４３８号公報特開平２−２１６１２９号公報

請求項１に記載の液晶表示装置は、一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極が形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層がゲート電極よりも幅太く島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極と一部重なり合って絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる１対の不純物を含む第２の半導体層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成されて絵素電極が露出し、
前記第２の半導体層上とゲート絶縁層上に耐熱金属層を含む１層以上の金属層よりなるソース配線（信号線）と、前記第２の半導体層上とゲート絶縁層上と前記開口部内の絵素電極の一部上に同じくドレイン配線が形成され、
前記絵素電極上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は走査線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてアクティブ基板上には従来通りのパシベーション絶縁層が形成されてチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとソース・ドレイン配線を保護しており、電極端子は透明導電性または金属性の何れでも選択可能なＴＮ型の液晶表示装置が得られる。

請求項２に記載の液晶表示装置は、同じく少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極が形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層がゲート電極よりも幅太く島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極と一部重なり合って絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる１対の不純物を含む第２の半導体層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成されて絵素電極が露出し、
前記第２の半導体層上とゲート絶縁層上に耐熱金属層を含む１層以上の陽極酸化可能な金属層よりなるソース配線（信号線）と、前記第２の半導体層上とゲート絶縁層上と前記開口部内の絵素電極の一部上に同じくドレイン配線が形成され、
前記ソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成され、
前記ソース・ドレイン配線間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成されていることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は走査線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には不純物を含む酸化シリコン層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタにパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。加えてチャネルを保護する絶縁層は不純物を含む非晶質シリコン層を陽極酸化で酸化シリコン層に変換することで得られるので、チャネル層となる不純物を含まない非晶質シリコン層を厚く製膜する必要が無いＴＮ型の液晶表示装置が実現する。電極端子は透明導電性または金属性の何れでも選択可能であるが、金属性の方がプロセスへの制約は少ない。

請求項３に記載の液晶表示装置は、同じく少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極と信号線の電極端子が形成され、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層を介してゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上と信号線の電極端子上のプラズマ保護層とゲート絶縁層と第１の半導体層に夫々開口部が形成され、各開口部内に透明導電層よりなる絵素電極と走査線の電極端子と信号線の電極端子が露出し、
前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を含む１層以上の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上に同じくドレイン配線が形成され、
耐熱金属層を含む１層以上の金属層よりなる前記信号線の一部は信号線の電極端子の一部上と、同じく前記ドレイン配線の一部は前記開口部内の絵素電極の一部上に形成され、
前記ソース・ドレイン配線領域を除いて第１の半導体層が除去されて前記第１の透明性絶縁基板上にゲート絶縁層が露出し、
前記ソース・ドレイン配線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は走査線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には感光性有機絶縁層が形成されてエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタにパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。電極端子は透明導電性に限定されたＴＮ型の液晶表示装置が得られる。

請求項４に記載の液晶表示装置は、同じく少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と透明導電性の絵素電極と同じく信号線の電極端子が形成され、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層を介してゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上と信号線の電極端子上のプラズマ保護層とゲート絶縁層と第１の半導体層に夫々開口部が形成され、各開口部内に透明導電層よりなる走査線の電極端子と信号線の電極端子と絵素電極が露出し、
前記保護絶縁層の一部と重なり信号線の電極端子の一部上と前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を含む１層以上の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部と重なり前記開口部内の絵素電極の一部上と前記第１の半導体層上に同じくドレイン配線が形成され、
前記ソース・ドレイン配線領域を除いて第１の半導体層が除去されて前記第１の透明性絶縁基板上にゲート絶縁層が露出し、
前記ソース・ドレイン配線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は走査線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には感光性有機絶縁層が形成されてエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタにパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。電極端子は透明導電性に限定されるＴＮ型の液晶表示装置が得られる。請求項３に記載の液晶表示装置との差異はドレイン配線と絵素電極及び信号線の電極端子との間に第２の非晶質シリコン層が介在することである。

請求項５に記載の液晶画像表示装置は、同じく少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極（と画像表示部外の領域に同じく透明導電性の信号線の電極端子）が形成され、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層を介してゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上（または走査線の電極端子上と信号線の電極端子上）のプラズマ保護層とゲート絶縁層と第１の半導体層に夫々開口部が形成され、各開口部内に透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）が露出し、
前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上（と信号線の電極端子の一部上）に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を含む１層以上の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上と前記開口部内の絵素電極の一部上に同じくドレイン配線と、走査線の一部を含んで走査線の電極端子（または透明導電性の走査線の電極端子）と、信号線の一部よりなる信号線の電極端子（または透明導電性の信号線の電極端子）が形成され、
前記ソース・ドレイン配線領域を除いて第１の半導体層が除去されて前記第１の透明性絶縁基板上にゲート絶縁層が露出し、
前記信号線の電極端子上を除いて信号線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は走査線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には感光性有機絶縁層が形成されてエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタに最低限のパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。電極端子には透明導電性または金属性の何れでも選択可能なＴＮ型の液晶表示装置が得られる。

請求項６に記載の液晶画像表示装置は、同じく少なくとも
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極（と画像表示部外の領域に同じく透明導電性の信号線の電極端子）が形成され、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層を介してゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上（または走査線の電極端子上と信号線の電極端子上）のプラズマ保護層とゲート絶縁層と第１の半導体層に夫々開口部が形成され、各開口部内に透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）が露出し、
前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上（と信号線の電極端子の一部上）に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を含む１層以上の陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上と前記開口部内の絵素電極の一部上に同じくドレイン配線と、走査線の一部を含んで走査線の電極端子（または透明導電性の走査線の電極端子）と、信号線の一部よりなる信号線の電極端子（または透明導電性の信号線の電極端子）が形成され、
前記ソース・ドレイン配線領域を除いて第１の半導体層が除去されて前記第１の透明性絶縁基板上にゲート絶縁層が露出し、
前記電極端子上を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成されていることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は走査線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタにパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。電極端子には透明導電性または金属性の何れでも選択可能であるＴＮ型の液晶表示装置が得られるが、金属性の方がプロセスへの制約は少ない。

請求項７は請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と絵素電極を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりコンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ソース・ドレイン配線を形成する工程と、パシベーション絶縁層を形成後、絵素電極上に開口部を形成して開口部内のパシベーション絶縁層を除去する工程を有することを特徴とする。

この構成により走査線の形成工程と絵素電極の形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減が実現する。さらに半導体層の島化工程とゲート絶縁層への開口部形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減もあいまって４枚のフォトマスクでＴＮ型の液晶表示装置の作製が可能となる。

請求項８は請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と絵素電極を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりコンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術を用いてソース・ドレイン配線を形成するとともにチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン配線とチャネルを陽極酸化する工程を有することを特徴とする。

この構成により走査線の形成工程と絵素電極の形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減が実現する。さらにハーフトーン露光技術を採用してソース・ドレイン配線の形成と、チャネルとソース・ドレイン配線の陽極酸化にあたり信号線の電極端子を保護する工程を１枚のフォトマスクを用いて処理しているので写真食刻工程数の増加を阻止できて４枚のフォトマスクでＴＮ型の液晶表示装置の作製が可能となる。

請求項９は請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と絵素電極を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、保護絶縁層を形成する工程と、走査線と絵素電極へのコンタクトを形成する工程と、感光性有機絶縁層を用いてソース・ドレイン配線を形成する工程を有することを特徴とする。

この構成により走査線の形成工程と絵素電極の形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減が実現する。さらにソース・ドレイン配線の形成に用いた感光性有機絶縁層をソース・ドレイン配線上にそのまま残すことでエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタにパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減もなされる結果、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。

請求項１０は請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と絵素電極を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により走査線と絵素電極へのコンタクトと保護絶縁層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、感光性有機絶縁層を用いてソース・ドレイン配線を形成する工程を有することを特徴とする。

この構成により走査線の形成工程と絵素電極の形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減が実現する。さらに保護絶縁層の形成工程とコンタクトの形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減と、ソース・ドレイン配線の形成に用いた感光性有機絶縁層をソース・ドレイン配線上にそのまま残すことでエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタにパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減もあいまって３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。

請求項１１は請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と絵素電極を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により走査線と絵素電極へのコンタクトと保護絶縁層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により感光性有機絶縁層を用いてソース・ドレイン配線を形成するともに信号線上にのみに感光性有機絶縁層を残す工程を有することを特徴とする。

この構成により走査線の形成工程と絵素電極の形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減が実現する。さらに保護絶縁層の形成工程とコンタクトの形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減と、ソース・ドレイン配線の形成時にハーフトーン露光技術を用いて信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタにパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減もあいまって３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。

請求項１２は請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と絵素電極を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により走査線と絵素電極へのコンタクトと保護絶縁層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術を用いてソース・ドレイン配線を形成するとともにソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程を有することを特徴とする。

この構成により走査線の形成工程と絵素電極の形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減が実現する。さらに保護絶縁層の形成工程とコンタクトの形成工程を１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減と、ソース・ドレイン配線の形成時にハーフトーン露光技術を用いてソース・ドレイン配線上に選択的に陽極酸化層を形成することでエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタにパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減もあいまって３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。

以上述べたように本発明はハーフトーン露光技術の導入により走査線と絵素電極を１枚のフォトマスクで処理する合理化技術を核とし、この構成に基づいて様々なアクティブ基板を提案している。本発明に記載の液晶表示装置の一部は陽極酸化可能なソース・ドレイン配線材よりなるソース・ドレイン配線とチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを同時に陽極酸化してソース・ドレイン配線上とチャネル上に絶縁層を形成するので格別の加熱工程を伴わず、非晶質シリコン層を半導体層とする絶縁ゲート型トランジスタに過度の耐熱性を必要としない。換言すればパシベーション形成で電気的な性能の劣化を生じない効果が付加されている。また、ソース・ドレイン配線の陽極酸化にあたりハーフトーン露光技術の導入により走査線や信号線の電極端子を選択的に保護することが可能となり、写真食刻工程数の増加を阻止できる効果が得られる。

そして絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる１対の不純物を含む非晶質シリコン層の絶縁分離が不純物を含む非晶質シリコン層を陽極酸化で変質させる電気化学的な手法でなされるため、従来のようにチャネル半導体層の食刻時の損傷によって絶縁ゲート型トランジスタの電気的な特性が劣化する恐れも無く、またチャネルとなる不純物を含まない非晶質シリコン層を最適の膜厚まで減じて製膜することができるので、ＰＣＶＤ装置の稼働率とパーティクル発生状況に関しても著しい改善が実現する。

さらに本発明に記載の液晶表示装置の他の一部では絶縁ゲート型トランジスタはエッチストップ型でチャネル上に保護絶縁層を有しているので、画像表示部内のソース・ドレイン配線上にのみ、または信号線上にのみ感光性有機絶縁層を選択的に形成するか、あるいは上述したように陽極酸化可能なソース・ドレイン配線材よりなるソース・ドレイン配線を陽極酸化して絶縁層を形成することでエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタにパシベーション機能が与えられる。このため格別な加熱工程を伴わず、非晶質シリコン層を半導体層とする絶縁ゲート型トランジスタに過度の耐熱性を必要としない。換言すればパシベーション形成で電気的な性能の劣化を生じない効果も付加されている。

加えて半導体層の島化工程または保護絶縁層の形成工程とゲート絶縁層への開口部形成工程をハーフトーン露光技術の導入により同一のフォトマスクで処理することを可能ならしめる工程削減もあいまって写真食刻工程数が減少し、４枚あるいは３枚のフォトマスクを用いて液晶表示装置を作製することが可能となり、液晶表示装置のコスト削減の観点からも特筆される特徴である。しかもこれらの工程のパターン精度はさほど高くないので歩留や品質に大きな影響を与えない事も生産管理を容易なものとしてくれる。

なお本発明の要件は上記の説明からも明らかなように走査線と絵素電極の形成に当たり、透明導電層と走査線用金属薄膜とからなる積層上にハーフトーン露光技術により絵素電極形成領域上の膜厚が走査線形成領域上の膜厚よりも薄い感光性樹脂パターンを形成し、前記感光性樹脂パターンをマスクとして走査線用金属薄膜と透明導電層を食刻し、前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少せしめて走査線用金属薄膜を露出し、膜厚を現ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして再び走査線用金属薄膜を食刻することで走査線と絵素電極を１枚のフォトマスクで処理することを可能ならしめた点にあり、それ以外の構成に関しては走査線、信号線、絵素電極、ゲート絶縁層等の材質や膜厚等が異なった液晶表示装置あるいはその製造方法の差異も本発明の範疇に属することは自明であり、垂直配向の液晶表示装置においても本発明の有用性は変らず、また絶縁ゲート型トランジスタの半導体層も非晶質シリコンに限定されるものでないことも明らかである。

本発明の実施例を図１〜図１２に基づいて説明する。図１に本発明の実施例１に係る表示装置用半導体装置（アクティブ基板）の平面図を示し、図２に図１（ｆ）のＡ−Ａ’線上とＢ−Ｂ’線上及びＣ−Ｃ’線上の製造工程の断面図を示す。同様に実施例２は図３と図４、実施例３は図５と図６、実施例４は図７と図８、実施例５は図９と図１０，実施例６は図１１と図１２とで夫々アクティブ基板の平面図と製造工程の断面図を示す。なお従来例と同一の部位については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

第１の実施例では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＴＯと、膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層９２として例えばＣｒ，Ｔａ，ＭｏＷ合金等の耐熱性の高い金属薄膜層や合金薄膜層を被着する。走査線の低抵抗化のためにはＩＴＯとアルカリ性の現像液やレジスト剥離液で電池反応を起こさないように耐熱金属層でサンドイッチされたアルミニウム層あるいはＮｄを含むアルミニウム合金層の採用も可能である。その後図１（ａ）と図２（ａ）に示したように走査線に対応した感光性樹脂パターン８１Ａの膜厚が例えば２μｍで、絵素電極と走査線の電極端子と信号線の電極端子に対応した感光性樹脂パターン８１Ｂ（９３〜９５）の膜厚が例えば１μｍであるような感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂをハーフトーン露光技術により形成する。走査線１１の線幅は最小でも通常１０μｍ以上の大きさを有するので感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂの仕上がり寸法の精度管理は容易である。

そして感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂをマスクとして第１の金属層９２と透明導電層９１を順次食刻してガラス基板２を露出し、透明導電層９１Ａと第１の金属層９２Ａとの積層よりなりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１及び走査線の擬似電極端子９４と、透明導電層９１Ｂと第１の金属層９２Ｂとの積層よりなる擬似絵素電極９３と、透明導電層９１Ｃと第１の金属層９２Ｃとの積層よりなる信号線の擬似電極端子９５を選択的に形成する。ゲート絶縁層を介して走査線と信号線との絶縁耐圧を向上させて歩留を高めるためにはこれらの電極は乾式食刻（ドライエッチ）による断面形状のテーパ制御を行うことが望ましいが、本発明では先願例とは異なり以下に記載する理由で必ずしもこの段階で走査線１１の断面がテーパ形状を確保する必要は無い。

次に酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂを１μｍ以上膜減りさせると、図１（ｂ）と図２（ｂ）に示したように感光性樹脂パターン８１Ｂが消失して擬似絵素電極９３、擬似電極端子９４及び擬似電極端子９５が露出するとともに走査線１１上には膜減りした感光性樹脂パターン８１Ｃをそのまま残すことができる。そこで感光性樹脂パターン８１Ｃをマスクとして図１（ｃ）と図２（ｃ）に示したように露出している第１の金属層９２Ａ〜９２Ｃを除去すると透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々走査線の電極端子５Ａ、絵素電極２２、信号線の電極端子６Ａが得られる。感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂの膜厚を減少させる工程で感光性樹脂パターン８１Ｃは感光性樹脂パターン８１Ａよりも膜厚が減少した分パターン幅が細くなって走査線１１を構成する第１の金属層９２Ａが部分的に露出するので、第１の金属層９２Ａ〜９２Ｃの除去時に部分的に露出している第１の金属層９２Ａも除去されて第１の金属層９２Ａもパターン幅が細くなる。すなわち走査線１１を構成する積層の上部の第１の金属層９２Ａが下部の透明導電層９１Ａよりもパターン幅が細いので走査線１１の断面形状が確実にテーパ化される。これによって後続のプラズマ保護層とゲート絶縁層の段差被覆性が高まり、走査線と信号線との間の絶縁耐圧を高めることができる。

感光性樹脂パターン８１Ｃを除去した後、ガラス基板２の全面にプラズマ保護層となる例えばＴａＯｘやＳｉＯ２等の透明絶縁層を０．１μｍ程度の膜厚で被着して７１とする。このプラズマ保護層７１は後続のＰＣＶＤ装置によるゲート絶縁層であるＳｉＮｘの形成時に走査線１１のエッジ部に露出している透明導電層９１Ａと、露出している走査線の電極端子５Ａ、絵素電極２２及び信号線の電極端子６Ａが還元されてＳｉＮｘの膜質が変動して絶縁耐圧が低下する、あるいは透明度が低下するのを防止するために必要で、詳細は先行例特開昭５９−９９６２号公報を参照されたい。
特開昭５９−９９６２号公報

プラズマ保護層７１の被着後は従来例と同様にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物を殆ど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を、例えば０．２−０．１−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着する。ここではゲート絶縁層がプラズマ保護層と第１のＳｉＮｘ層との積層になるため第１のＳｉＮｘ層３０は従来例よりも薄く形成して良い副次的な効果もある。

その後、番号は付与しないが画像表示部外の領域に形成された擬似短絡線上に開口部６３Ｂと、走査線１１の電極端子５Ａ上に開口部６３Ａと、信号線の電極端子６Ａ上に開口部６４Ａと、絵素電極９３上に開口部７４を有するとともに絶縁ゲート型トランジスタの半導体層領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８２Ａの膜厚が例えば２μｍと他の領域８２Ｂの膜厚の１μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをハーフトーン露光技術により形成する。そして図１（ｄ）と図２（ｄ）に示したように感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをマスクとして上記開口部内の第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１とゲート絶縁層３０とプラズマ保護層７１を順次食刻し、走査線１１の電極端子５Ａと信号線の電極端子６Ａの大部分を露出し、絵素電極２２を露出する。同様に擬似短絡線も透明導電層を露出して４０とする。電極端子５Ａ，６Ａは最大で駆動用ＬＳＩの電極ピッチの半分程度まで、通常２０μｍ以上の大きさを有するので開口部６３Ａ，６４Ａ（白領域）を形成するためのフォトマスクの作製もその仕上がり寸法の精度管理も極めて容易である。

続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂを１μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８２Ｂが消失して第２の非晶質シリコン層３３Ｂが露出すると共にゲート電極１１Ａ上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃを選択的に形成することができる。感光性樹脂パターン８２Ｃすなわち島状半導体層のパターン幅はソース・ドレイン配線間の寸法にマスク合わせ精度を加算したものであるから、ソース・ドレイン配線間を４〜６μｍ、合わせ精度を±３μｍとすると１０〜１２μｍとなり寸法精度としては厳しいものではない。しかしながらレジストパターン８２Ａから８２Ｃへの変換時にレジストパターンが等方的に１μｍ膜減りすると、寸法が２μｍ小さくなるだけでなく、後続のソース・ドレイン配線形成時のマスク合わせ精度が１μｍ小さくなって±２μｍとなり、前者よりも後者の影響がプロセス的には厳しいものとなる。したがって上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。具体的にはＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓａｍａ）方式やＴＣＰ（ＴｒａｎｓｆｅｒＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓａｍａ）方式の酸素プラズマ処理がより望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８２Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計することでプロセス的な対応を図る等の処置が望ましい。

そして図１（ｅ）と図２（ｅ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃをマスクとして第２の非晶質シリコン層３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ｂをゲート１１電極Ａよりも幅広く選択的に残して島状３３Ａ，３１Ａとし、ゲート絶縁層３０Ａを露出する。島状半導体層３３Ａ，３１Ａ、すなわち感光性樹脂パターン８２Ｃ（黒領域）の大きさは最小寸法でも１０μｍの大きさを有し、白領域と黒領域以外の領域をハーフトーン露光領域とするフォトマスクの作製が容易なだけでなく、島状半導体層３１Ａ，３３Ａの寸法精度が変動しても絶縁ゲート型トランジスタの電気特性の変動はほとんど無いのでソース・ドレイン配線形成時のマスク合わせ精度を除いてプロセス管理が容易となることを理解されたい。

この時ガラス基板２上に露出している透明導電層よりなる電極端子５Ａと６Ａ、短絡線４０及び絵素電極２２は食刻ガスに晒されるが、非晶質シリコン層３３Ｂ，３１Ｂの食刻ガスである弗素系のガスではこれらの透明導電層の膜厚が減少するとか、抵抗値が変化するとか、透明度が変化すると言った不具合は生じないのは極めて好都合である。

膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃを除去した後、ソース・ドレイン配線の形成工程ではＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そして図１（ｆ）と図２（ｆ）に示したように微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いてこれらの薄膜層を順次食刻し、開口部７４内の絵素電極２２の一部を含んで３４Ａと３５Ａとの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２を選択的に形成するが、ここでは従来例と同様に第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａを順次食刻し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻する。ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に走査線１１の一部５Ａを含んで走査線の電極端子５と、信号線１２の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。なおソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化してＴａ，Ｃｒ，ＭｏＷ等の単層とすることも可能である。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後は、従来の５枚マスク・プロセスと同様にガラス基板２の全面に透明性の絶縁層として０．３μｍ程度の膜厚のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図１（ｇ）と図２（ｇ）に示したように絵素電極２２上と走査線１１と信号線１２の電極端子５，６上にそれぞれ開口部３８，６３，６４を選択的に形成し、絵素電極２２と電極端子５，６の大部分を露出する。

このようにソース・ドレイン配線材と同一の金属性の電極端子５，６を形成するのであれば信号線の電極端子６Ａは不要であるが、信号線１２を静電気対策線４０に接続するために機能する部位は必要である。同様に走査線１１の電極端子５Ａも不要であるが、走査線１１と電極端子５を接続するために機能する部位として透明導電層よりなる走査線の一部は必要であることは言うまでも無い。

なお図１（ｈ）と図２（ｈ）に示したように透明導電性の走査線の電極端子５Ａ上に金属性の電極端子５を形成せず、かつ信号線１２の電極端子６Ａの一部を含んでソース・ドレイン配線１２，２１を形成するパターン設計の変更により、ソース・ドレイン配線材よりなる電極端子５，６に変えて透明導電層よりなる電極端子５Ａ，６Ａを得る事も可能であり、画像表示部内のデバイス構成は不変である。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては、図１（ｇ）に示したように絵素電極２２を含んでドレイン配線２１と同時に形成された蓄積電極７２と前段の走査線１１がプラズマ保護層７１Ａとゲート絶縁層３０Ａを介して平面的に重なることで構成している例（右下がり斜線部５２）を例示しているが、蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではなく、走査線と同時に形成される蓄積容量線とドレイン電極との間にゲート絶縁層を含む絶縁層を介して構成しても良い。またその他の構成も可能であるが詳細な説明は省略する。静電気対策はアクティブ基板２の外周に静電気対策用の透明導電層パターン４０を配置し、透明導電層パターン４０をソース・ドレイン配線材よりなる電極端子５，６または透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａに接続して構成する従来例の静電気対策でも良いが、ゲート絶縁層３０への開口部形成工程が付与されているのでその他の静電気対策も容易である。

実施例１では上記のように透明導電層と走査線用の金属薄膜層を積層し、ハーフトーン露光技術により１枚のフォトマスクを用いて走査線と絵素電極を形成し、さらにハーフトーン露光技術により１枚のフォトマスクを用いて島状の半導体層とコンタクトを形成し、ソース・ドレイン配線の形成を経てパシベーション絶縁層の付与を行い４枚のフォトマスクでアクティブ基板を得ているが、ソース・ドレイン配線の形成とチャネルの絶縁化をハーフトーン露光技術と陽極酸化技術を用いることにより１枚のフォトマスクで同時に処理する事が可能であるのでそれを実施例２として説明する。

実施例２では図３（ｅ）と図４（ｅ）に示したように半導体層の島化工程とコンタクト形成工程までは実施例１と同一のプロセスで進行する。ただし誌面の関係で図３（ｂ）と図４（ｂ）は記載を省略する。膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターン８２Ｃを除去した後、ソース・ドレイン配線の形成工程ではＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の陽極酸化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の同じく陽極酸化可能な低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。なお、信号線１２の配線抵抗が問題とならない場合にはＡＬよりなる低抵抗配線層３５は必ずしも必要ではなく、その場合には陽極酸化により得られる陽極酸化層が絶縁性を有する耐熱金属材料としてＴａを選択すればソース・ドレイン配線１２，２１を単層化して簡素化することが可能である。

続いて図３（ｆ）と図４（ｆ）に示したようにこれらの薄膜よりなるソース・ドレイン配線材を微細加工技術により感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いて順次食刻し、開口部７４内の絵素電極２２の一部を含んで３４Ａと３５Ａとの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１と、同じくソース電極も兼ねる信号線１２を選択的に形成する。ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に透明導電層よりなる走査線の一部５Ａを含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成するが、この時電極端子５，６に対応した８７Ａ（５），８７Ａ（６）（黒領域）の膜厚が例えば３μｍとソース・ドレイン配線１２，２１に対応した８７Ｂ（１２），８７Ｂ（２１）（中間調領域）の膜厚の１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが実施例２の重要な特徴である。電極端子５，６に対応した領域８７Ａ，８７Ａの最小寸法は数１０μｍと大きく、フォトマスク製作もまたその仕上がり寸法管理も極めて容易であるが、ソース・ドレイン配線１２，２１に対応した領域８７Ｂ（１２），８７Ｂ（２１）の最小寸法は４〜８μｍと比較的寸法精度が高いのでハーフトーン領域としては細いスリットパターンを必要とする。しかしながら実施例２においてソース・ドレイン配線１２，２１は１回の露光処理と１回の食刻処理で形成されるため、従来のハーフトーン露光技術のように１回の露光処理と２回の食刻処理で形成される場合とを比較すると、パターン幅が変動する要因が少ないのでソース・ドレイン配線１２，２１の寸法管理も、ソース・ドレイン配線１２，２１間、すなわちチャネル長の寸法管理も従来のハーフトーン露光技術よりはパターン精度の管理が容易である。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失してソース・ドレイン配線１２，２１が露出すると共に電極端子５，６上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃ（５），８７Ｃ（６）をそのまま残すことができる。電極端子５，６の大きさからも容易に理解できるようにここでは酸素プラズマ処理によるパターン寸法の影響は殆ど無いのも本発明の特徴である。そこで図３（ｇ）と図４（ｇ）に示したように感光性樹脂パターン８７Ｃ（５），８７Ｃ（６）をマスクとして光を照射しながらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化してその表面に酸化層を形成するとともにソース・ドレイン配線１２，２１間に露出している不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａと不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１Ａの一部を陽極酸化して絶縁層である不純物を含む酸化シリコン層（ＳｉＯ２）６６と不純物を含まない酸化シリコン層６７（図示せず）を形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の上面にはＡＬが、また側面にはＡＬ，Ｔｉの積層が露出しており、陽極酸化によってＴｉは半導体である酸化チタン（ＴｉＯ２）６８に、そしてＡＬは絶縁層であるアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）６９に夫々変質する。酸化チタン層６８は絶縁層ではないが膜厚が極めて薄く露出面積も小さいのでパシベーション上はまず問題とならないが、耐熱金属薄膜層３４ＡもＴａを選択しておくことが望ましい。しかしながらＴａはＴｉと異なり下地の表面酸化層を吸収してオーミック接触を容易にする機能に欠ける特性に注意する必要がある。

チャネル間の不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａは厚み方向に全て完全に絶縁層化しないと絶縁ゲート型トランジスタのリーク電流の増大をもたらす。そこで光を照射しながら陽極酸化を実施することが陽極酸化工程の重要なポイントとなることは先行例にも開示されている。具体的には１万ルックス程度の十分強力な光を照射して絶縁ゲート型トランジスタのリーク電流がμＡを越えれば、ソース・ドレイン配線１２，２１間のチャネル部とドレイン電極２１の面積から計算して１０ｍＡ／ｃｍ２程度の陽極酸化で良好な膜質を得るための電流密度が得られる。

また不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａを陽極酸化して絶縁層である酸化シリコン層６６に変質させるに足る化成電圧１００Ｖ超より１０Ｖ程度、化成電圧を高く設定することで形成された不純物を含む酸化シリコン層６６に接する不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１Ａの一部（１００Å程度）まで不純物を含まない酸化シリコン層（図示せず）に変質させることで、チャネルの電気的な純度が高まりソース・ドレイン配線１２，２１間の電気的な分離は完全なものとすることができる。すなわち、絶縁ゲート型トランジスタのＯＦＦ電流が十分に減少して高いＯＮ／ＯＦＦ比が得られる。

陽極酸化で形成されるアルミナ６９、酸化チタン６８の各酸化層の膜厚は配線のパシベーションとしては０．１〜０．２μｍ程度で十分であり、エチレングリコール等の化成液を用いて印可電圧は同じく１００Ｖ超で実現する。ソース・ドレイン配線１２，２１の陽極酸化に当たって留意すべき事項は、図示はしないが全ての信号線１２は電気的に並列または直列に形成されている必要があり、後に続く製造工程の何処かでこの直並列を解除しないとアクティブ基板２の電気検査のみならず、液晶表示装置としての実動作に支障があることは言うまでもないだろう。解除手段としてはレーザ光の照射による蒸散、またはスクライブによる機械的切除が簡易的であるが詳細な説明は省略する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃ（５），８７Ｃ（６）を除去すると図３（ｈ）と図４（ｈ）に示したようにその側面に陽極酸化層を形成された低抵抗金属薄膜層よりなる電極端子５，６が露出する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例２が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例１と同一である。

実施例２ではこのようにソース・ドレイン配線１２，２１と第２の非晶質シリコン層３３Ａの陽極酸化時にドレイン電極２１と電気的に繋がっている絵素電極２２も同時に陽極酸化される。このため絵素電極２２を構成する透明導電層の膜質によっては陽極酸化によって抵抗値の増大することもあり、その場合には透明導電層の製膜条件を適宜変更して酸素不足の膜質としておく必要があるが陽極酸化で透明導電層の透明度が低下することはない。またドレイン電極２１と絵素電極２２を陽極酸化するための電流も絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを通って供給されるが、絵素電極２２の面積が大きいために大きな化成電流または長時間の化成が必要となり、いくら強い外光を照射してもチャネル部の抵抗が障害となり、ドレイン電極２１上と蓄積電極７２上に信号線１２上と同等の膜質と膜厚の陽極酸化層６９（２１），６９（７２）を形成することは化成時間の延長だけでは対応困難である。しかしながらドレイン電極２１上と蓄積電極７２上に形成される陽極酸化層６９（２１），６９（７２）が多少不完全であっても実用上は支障の無い信頼性が得られることが多い。なぜならば液晶セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、カラーフィルタ９上の対向電極１４と絵素電極２２（ドレイン電極２１）との間には直流電圧成分が少なくなるように対向電極１４の電圧は画像検査時に調整されるからで（フリッカ低減調整）、従って信号線１２上にのみ直流成分が流れないように絶縁層を形成しておけば良いと言う基本原理に基づいているからである。

なお図３（ｉ）と図４（ｉ）に示したように透明導電性の走査線の電極端子５Ａ上に金属性の電極端子５を形成せず、かつ透明導電性の信号線１２の電極端子６Ａの一部を含んでソース・ドレイン配線１２，２１を形成するパターン設計の変更により、ソース・ドレイン配線材よりなる電極端子５，６に変えて透明導電層よりなる電極端子５Ａ，６Ａを得る事も可能である。この場合にはソース・ドレイン配線１２，２１の形成にあたりハーフトーン露光技術も不要となるが、透明導電層よりなる電極端子５Ａ，６Ａの抵抗値の増大には注意が必要である。電極端子の構成が変わっても画像表示部内のデバイス構成は不変である。

実施例１と実施例２において採用された絶縁ゲート型トランジスタはチャネルエッチ型であったが、エッチストップ型のものを用いても同様にアクティブ基板製造工程の削減が可能であるのでそれを以降の実施例で説明する。

実施例３でも図５（ｃ）と図６（ｃ）に示したように走査線１１と、走査線の電極端子５Ａ、絵素電極２２及び信号線の電極端子６Ａを得るまでは実施例１と同一の製造工程で進行する。そして膜減りした感光性樹脂パターン８１Ｃを除去した後、０．１μｍ程度の膜厚のＴａＯｘやＳｉＯ２等のプラズマ保護層７１を被着し、さらにＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を、例えば０．２−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着する。ここでもゲート絶縁層がプラズマ保護層７１と第１のＳｉＮｘ層３０との積層になるため第１のＳｉＮｘ層は従来よりも薄く形成して良い。

続いて図５（ｄ）と図６（ｄ）に示したように示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上の第２のＳｉＮｘ層をゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に残して保護絶縁層３２Ｄとして第１の非晶質シリコン層３１を露出する。そしてＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着する。

引き続き微細加工技術により図５（ｅ）と図６（ｅ）に示したように絵素電極２２上と走査線１１の電極端子５Ａ上及び信号線の電極端子６Ａ上に夫々開口部７４，６３Ａ及び６４Ａを形成し、各開口部内の第２の非晶質シリコン層３３、第１の非晶質シリコン層３１、ゲート絶縁層３０及びプラズマ保護層７１を選択的に除去し、絵素電極２２と走査線の電極端子５Ａ及び信号線の電極端子６Ａの大部分を露出する。

さらにソース・ドレイン配線の形成工程ではガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜層よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ｂを微細加工技術により感光性有機絶縁層パターン８５（１２），８５（１２）を用いて順次食刻してゲート絶縁層３０Ａと保護絶縁層３２Ｄを露出し、図５（ｆ）と図６（ｆ）に示したように３４Ａと３５Ａとの積層よりなり保護絶縁層３２Ｄと一部重なるように信号線の電極端子６Ａの一部を含んで絶縁ゲート型トランジスタのソース配線も兼ねる信号線１２と、同じく開口部７４内の絵素電極２２の一部を含んで絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成する。透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａは絵素電極２２と同様にソース・ドレイン配線１２，２１の食刻が終るとガラス基板２上に露出することが理解されよう。なおソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化してＴａ，Ｃｒ，ＭｏＷ等の単層とすることも可能である。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例３が完了する。実施例３では感光性有機絶縁層パターン８５は液晶に接しているので、感光性有機絶縁層はノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切であり、材質によっては加熱することで流動化してソース・ドレイン配線１２，２１の側面を覆うように構成することも可能で、この場合には液晶パネルとして信頼性が一段と向上する。蓄積容量１５の構成に関しては図５（ｆ）に示したように、ソース・ドレイン配線１２，２１と同時に絵素電極２２の一部を含んで形成された蓄積電極７２と前段の走査線１１に設けられた突起部とがプラズマ保護層７１Ａ、ゲート絶縁層３０Ａ、第１の非晶質シリコン層３１Ｅ（図示せず）及び第２の非晶質シリコン層３３Ｅ（図示せず）を介して平面的に重なることで構成している例（右下がり斜線部５２）を例示しているが、蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではなく、走査線１１と同時に形成される蓄積容量線１６とドレイン電極２１との間にゲート絶縁層３０Ａを含む絶縁層を介して構成しても良い。またその他の構成も可能であるが詳細な説明は省略する。

実施例３では上記のように透明導電層と走査線用の金属薄膜層を積層し、ハーフトーン露光技術により１枚のフォトマスクを用いて走査線と絵素電極を形成し、引き続き保護絶縁層とコンタクトを形成し、感光性有機絶縁層を用いてソース・ドレイン配線を形成することにより４枚のフォトマスクでアクティブ基板を得ているが、ハーフトーン露光技術により１枚のフォトマスクを用いて保護絶縁層とコンタクトを形成して更なる工程削減を行う事も可能であるのでそれを実施例４〜実施例６として説明する。

実施例４でも図７（ｃ）と図８（ｃ）に示したように走査線１１と、走査線の電極端子５Ａ、絵素電極２２及び信号線の電極端子６Ａを得るまでは実施例１と同一の製造工程で進行する。そして膜減りした感光性樹脂パターン８１Ｃを除去した後、０．１μｍ程度の膜厚のＴａＯｘやＳｉＯ２等のプラズマ保護層７１を被着し、さらにＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を、例えば０．２−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着する。そして絵素電極２２上に開口部７４と、画像表示部外の領域で走査線の電極端子５Ａ上に開口部６３Ａと、信号線の電極端子６Ａ上に開口部６４Ａを有するとともに保護絶縁層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８３Ａの膜厚が例えば２μｍと他の領域８３Ｂの膜厚の１μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８３Ａ，８３Ｂをハーフトーン露光技術により形成する。そして感光性樹脂パターン８３Ａ，８３Ｂをマスクとして図７（ｄ）と図８（ｄ）に示したように上記開口部内の第２のＳｉＮｘ層３２、第１の非晶質シリコン層３１、ゲート絶縁層３０及びプラズマ保護層７１を順次食刻し、絵素電極２２と走査線の電極端子５Ａ及び信号線の電極端子６Ａの大部分を露出する。

続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８３Ａ，８３Ｂを１μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８３Ｂが消失し、第２のＳｉＮｘ層３２Ａが露出すると共に保護絶縁層形成領域上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８３Ｃをそのまま残すことができる。上記酸素プラズマ処理では後続のソース・ドレイン配線形成工程におけるマスク合わせ精度が厳しくならないよう異方性を強めてパターン寸法の変化を抑制することが望ましい。そして図７（ｅ）と図８（ｅ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８３Ｃをマスクとして第２のＳｉＮｘ層３２Ａを選択的に食刻してゲート電極１１Ａよりもパターン幅の細い保護絶縁層３２Ｄとするとともに第１の非晶質シリコン層３１Ｂを露出する。この時に上記開口部６３Ａ，６４Ａ及び７４内に露出している透明導電性の走査線の電極端子５Ａ、信号線の電極端子６Ａ及び絵素電極２２は第２のＳｉＮｘ層３２Ａの食刻ガスに晒されるが、弗素系の食刻ガスでこれらの透明導電層の膜厚が減少するとか、抵抗値が変化するとか、透明度が変化すると言った不具合は生じないのは極めて好都合である。

引き続き前記感光性樹脂パターン８３Ｃを除去し、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、ＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の薄膜層３４と、膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そして実施例３と同様にこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１Ｂを微細加工技術により感光性有機絶縁層パターン８５（１２），８５（２１）を用いて順次食刻してゲート絶縁層３０Ａと保護絶縁層３２Ｄを露出し、図７（ｆ）と図８（ｆ）に示したように開口部７４内の絵素電極２２の一部を含んで３４Ａと３５Ａとの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１と、信号線の電極端子６Ａの一部を含んでソース電極も兼ねる信号線１２を選択的に形成する。なおソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化してＴａ，Ｃｒ，ＭｏＷ等の単層とすることも可能である。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例４が完了する。実施例４でも感光性有機絶縁層パターン８５は液晶に接しているので、感光性有機絶縁層はノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切である。蓄積容量１５の構成に関しては実施例３と同一である。

実施例４ではこのように走査線の電極端子と信号線の電極端子がともに透明導電層であるデバイス構成上の制約が生ずるが、その制約を解除するデバイス・プロセスも可能であり、それを実施例５、実施例６として説明する。

実施例５では図９（ｅ）と図１０（ｅ）に示したように感光性樹脂パターン８３Ｃをマスクとして第２のＳｉＮｘ層３２Ａを選択的に食刻してゲート電極１１Ａよりもパターン幅の細い保護絶縁層３２Ｄとするとともに第１の非晶質シリコン層３１Ｂを露出するまでは実施例４と同一の製造工程で進行する。ただし後述する理由で透明導電性の信号線の電極端子６Ａは必ずしも必要ではない。

前記感光性樹脂パターン８３Ｃを除去し、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、ＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の薄膜層３４と、膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１Ｂを微細加工技術により感光性有機絶縁層パターン８６Ａ，８６Ｂを用いて順次食刻してゲート絶縁層３０Ａと保護絶縁層３２Ｄを露出し、図９（ｆ）と図１０（ｆ）に示したように開口部７４内の絵素電極２２の一部を含んで３４Ａと３５Ａとの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部５Ａを含んで走査線の電極端子５と、信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。すなわち実施例４のように透明導電性の信号線の電極端子６Ａは必ずしも必要ではない。この時に信号線１２上の８６Ａ（１２）の膜厚が例えば３μｍと、ドレイン電極２１上の８６Ｂ（２１）と電極端子５，６上の８６Ｂ（５），８６Ｂ（６）と蓄積電極７２上の８６Ｂ（７２）の膜厚の１．５μｍよりも厚い感光性有機絶縁層パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが実施例５の重要な特徴である。電極端子５，６に対応した８６Ｂ（５），８６Ｂ（６）の最小寸法は数１０μｍと大きく、フォトマスク製作もまたその仕上がり寸法管理も極めて容易であるが、信号線１２に対応した領域８６Ａ（１２）の最小寸法は４〜８μｍと比較的寸法精度が高いので黒領域としては細いスリットパターンを必要とする。しかしながら従来例で説明したように１回の露光処理と２回の食刻処理で形成するソース・ドレイン配線１２，２１と比較すると本発明のソース・ドレイン配線１２，２１は１回の露光処理と１回の食刻処理で形成されるためにパターン幅の変動する要因が少なく、ソース・ドレイン配線１２，２１の寸法管理も、ソース・ドレイン配線１２，２１間すなわちチャネル長の寸法管理も従来のハーフトーン露光技術よりはパターン精度の管理が容易である。またチャネルエッチ型の絶縁ゲートトランジスタと比較するとエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ電流を決定するのはチャネルを保護する保護絶縁層３２Ｄの寸法であってソース・ドレイン配線１２，２１間の寸法ではないことからもプロセス管理がさらに容易となることを理解されたい。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性有機絶縁層パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性有機絶縁層パターン８６Ｂが消失し、図９（ｇ）と図１０（ｇ）に示したようにドレイン電極２１と電極端子５，６と蓄積電極７２が露出すると共に信号線１２上にのみ膜減りした感光性有機絶縁層パターン８６Ｃ（１２）をそのまま残すことができるが、上記酸素プラズマ処理で感光性有機絶縁層パターン８６Ｃ（１２）のパターン幅が細くなると信号線１２の上面が露出して信頼性が低下するので異方性を強めてパターン寸法の変化を抑制することが望ましい。なおソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化してＴａ，Ｃｒ，ＭｏＷ等の単層とすることも可能である。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例５が完了する。実施例５でも感光性有機絶縁層パターン８６Ｃは液晶に接しているので感光性有機絶縁層はノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切である。蓄積容量１５の構成に関しては実施例３、実施例４と同一である。なお、走査線の一部５Ａ及び信号線１２下に形成された透明導電性のパターン６Ａとアクティブ基板２の外周部に配置された短絡線４０を接続する透明導電層パターンはその形状を細長い線状とすることで静電気対策における高抵抗配線とすることが可能であるが、その他の導電性部材を用いた静電気対策も勿論可能である。

実施例５ではこのように信号線１２上のみに有機絶縁層８６Ｃを形成してドレイン電極２１は絵素電極２２と同様に導電性を保ったまま露出しているが、これでも十分な信頼性が得られる理由は液晶セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、カラーフィルタ９上の対向電極１４と絵素電極２２（ドレイン電極２１）との間には直流電圧成分が少なくなるように対向電極１４の電圧は画像検査時に調整されるので（フリッカ低減調整）、従って信号線１２上にのみ直流成分が流れないように絶縁層を形成しておけば良いという基本原理に基づいているからである。

なお図９（ｈ）と図１０（ｈ）に示したように透明導電性の走査線の電極端子５Ａ上に金属性の電極端子５を形成せず、かつ透明導電性の信号線１２の電極端子６Ａの一部を含んでソース・ドレイン配線１２，２１を形成するパターン設計の変更により、ソース・ドレイン配線材よりなる電極端子５，６に変えて実施例４と同様に透明導電層よりなる電極端子５Ａ，６Ａを得る事も可能であり、画像表示部内のデバイス構成は不変である。

本発明の実施例３，実施例４と実施例５では有機絶縁層を夫々ソース・ドレイン配線上と信号線上にのみ形成することで製造工程の削減を推進しているが、有機絶縁層の厚みが通常は１μｍ以上あるのでラビング布を用いた配向膜の配向処理でその段差が非配向状態をもたらす、あるいは液晶セルのギャップ精度の確保に支障が出る恐れもある。そこで実施例６では最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に変わるパシベーション技術を具備させるものである。

実施例６では図１１（ｅ）と図１２（ｅ）に示したようにコンタクト形成工程と保護絶縁層層３２Ｄの形成工程までは実施例４、実施例５とほぼ同一の製造工程を進行する。ただし誌面の関係で図１１（ｂ）と図１２（ｂ）は記載を省略する。感光性樹脂パターン８３Ｃを除去し、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、ソース・ドレイン配線の形成工程ではＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の陽極酸化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の薄膜層３４と、膜厚０．３μｍ程度の同じく陽極酸化可能な低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１Ｂを微細加工技術により感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いて順次食刻してゲート絶縁層３０Ａと保護絶縁層３２Ｄを露出し、図１１（ｆ）と図１２（ｆ）に示したように開口部７４内の絵素電極２２の一部を含んで３４Ａと３５Ａの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部５Ａを含んで走査線の電極端子５と、信号線の一部よりなる電極端子６も形成する。この時に実施例２と同様に電極端子５，６に対応した８７Ａ（５），８７Ａ（６）の膜厚が例えば３μｍと、ソース・ドレイン配線１２，２１と蓄積電極７２に対応した８７Ｂ（１２），８７Ｂ（２１）及び８７Ｂ（７２）の膜厚の１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが実施例６の重要な特徴である。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失してソース・ドレイン配線１２，２１と蓄積電極７２が露出すると共に電極端子５，６上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃ（５），８７Ｃ（６）をそのまま残すことができる。上記酸素プラズマ処理で感光性樹脂パターン８７Ｃのパターン幅が細くなっても大きなパターン寸法を有する電極端子５，６の周囲に陽極酸化層が形成されるだけで、電気特性と歩留及び品質に与える影響は殆ど無いのは特筆すべき特徴である。そして感光性樹脂パターン８７Ｃ（５），８７Ｃ（６）をマスクとして光を照射しながら図１１（ｇ）と図１２（ｇ）に示したようにソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化して酸化層６８，６９を形成するとともにソース・ドレイン配線１２，２１の下側面に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを陽極酸化して絶縁層である酸化シリコン層（ＳｉＯ２）６６，６７を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃ（５），８７Ｃ（６）を除去すると図１１（ｈ）と図１２（ｈ）に示したようにその側面に陽極酸化層を形成された低抵抗金属薄膜層よりなる電極端子５，６が露出する。走査線の電極端子５の側面は静電気対策用の高抵抗短絡線４０を経由して陽極酸化電流が流れるので信号線の電極端子５と比べると側面に形成された絶縁層の厚みは薄くなることを理解されたい。なおソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化して陽極酸化可能なＴａ単層とすることも可能である。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例６が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例３〜実施例５と同一である。

実施例６では実施例２と同様にソース・ドレイン配線１２，２１と第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａの陽極酸化時にドレイン電極２１と電気的に繋がっている絵素電極２２も同時に陽極酸化されるので、透明導電層の抵抗値の増大には注意が必要である。同じくドレイン電極２１と絵素電極２２を陽極酸化するための電流も絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを通って供給されるが、絵素電極２２の面積が大きいために大きな化成電流または長時間の化成が必要となり、いくら強い外光を照射してもチャネル部の抵抗が障害となり、ドレイン電極２１と蓄積電極７２上に信号線１２上と同等の膜質と膜厚の陽極酸化層６９（２１），６９（７２）を形成することは化成時間の延長だけでは対応困難である。しかしながらドレイン配線２１上と蓄積電極７２上に形成される陽極酸化層６９（２１），６９（７２）が多少不完全であっても実用上は支障の無い信頼性が得られることが多い。なぜならば実施例６ではエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタを採用しているのでチャネル上には保護絶縁層が陽極酸化工程以前に形成されており、信号線１２上にのみ直流成分が流れないように絶縁層を形成しておけば良いからである。

なお図１１（ｉ）と図１２（ｉ）に示したように実施例２、実施例５と同様に透明導電性の走査線の電極端子５Ａ上に金属性の電極端子５を形成せず、かつ透明導電性の信号線１２の電極端子６Ａの一部を含んでソース・ドレイン配線１２，２１を形成するパターン設計の変更により、ソース・ドレイン配線材よりなる電極端子５，６に変えて透明導電層よりなる電極端子５Ａ，６Ａを得る事も可能である。この場合にはソース・ドレイン配線１２，２１の形成にあたりハーフトーン露光技術も不要となるが、透明導電層よりなる電極端子５Ａ，６Ａの抵抗値の増大には注意が必要である。電極端子の構成が変わっても画像表示部内のデバイス構成は不変である。

本発明の実施例１にかかるアクティブ基板の平面図本発明の実施例１にかかるアクティブ基板の製造工程断面図本発明の実施例２にかかるアクティブ基板の平面図本発明の実施例２にかかるアクティブ基板の製造工程断面図本発明の実施例３にかかるアクティブ基板の平面図本発明の実施例３にかかるアクティブ基板の製造工程断面図本発明の実施例４にかかるアクティブ基板の平面図本発明の実施例４にかかるアクティブ基板の製造工程断面図本発明の実施例５にかかるアクティブ基板の平面図本発明の実施例５にかかるアクティブ基板の製造工程断面図本発明の実施例６にかかるアクティブ基板の平面図本発明の実施例６にかかるアクティブ基板の製造工程断面図液晶パネルの実装状態を示す斜視図液晶パネルの等価回路図従来の液晶パネルの断面図従来例のアクティブ基板の平面図従来例のアクティブ基板の製造工程断面図合理化されたアクティブ基板の平面図合理化されたアクティブ基板の製造工程断面図

符号の説明

１：液晶パネル
２：アクティブ基板（ガラス基板）
３：半導体集積回路チップ
４：ＴＣＰフィルム
５：金属性の走査線の一部または電極端子
５Ａ：透明導電性の走査線の一部または電極端子
６：金属性の信号線の一部または電極端子
６Ａ：透明導電性の信号線の一部または電極端子
９：カラーフィルタ（対向するガラス基板）
１０：絶縁ゲート型トランジスタ
１１：走査線
１１Ａ：ゲート配線、ゲート電極
１２：信号線（ソース配線、ソース電極）
１６：蓄積容量線
１７：液晶
１９：偏光板
２０：配向膜
２１：ドレイン電極（ドレイン配線、ドレイン電極）
２２：透明導電性の絵素電極
３０：ゲート絶縁層
３１：不純物を含まない（第１の）非晶質シリコン層
３２Ｄ：保護絶縁層（エッチストップ層あるいはチャネル保護層）
３３：不純物を含む（第２の）非晶質シリコン層
３４：（陽極酸化可能な）耐熱金属層
３５：（陽極酸化可能な）低抵抗金属層（ＡＬ）
３６：中間導電層
３７：パシベーション絶縁層
５０，５２：蓄積容量形成領域
６２：（ドレイン電極上の）開口部
６３，６３Ａ：（走査線の一部または走査線の電極端子上の）開口部
６４，６４Ａ：（信号線の一部または信号線の電極端子上の）開口部
６５：（対向電極上の）開口部
６６：不純物を含む酸化シリコン層
６７：不純物を含まない酸化シリコン層
６８：陽極酸化層（酸化チタン，ＴｉＯ２）
６９：陽極酸化層（アルミナ，Ａｌ２Ｏ３）
７１：プラズマ保護層
７２：蓄積電極
７４：（絵素電極上の）開口部
８１Ａ，８１Ｂ，８２Ａ，８２Ｂ，８３Ａ，８３Ｂ，８７Ａ，８７Ｂ：
（ハーフトーン露光で形成された）感光性樹脂パターン
８５：感光性有機絶縁層パターン
８６Ａ，８６Ｂ：（ハーフトーン露光で形成された）感光性有機絶縁層パターン
９１：透明導電層
９２：第１の金属層

Claims

一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極が形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層がゲート電極よりも幅太く島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極と一部重なり合って絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる１対の不純物を含む第２の半導体層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成されて絵素電極が露出し、
前記第２の半導体層上とゲート絶縁層上に耐熱金属層を含む１層以上の金属層よりなるソース配線（信号線）と、前記第２の半導体層上とゲート絶縁層上と前記開口部内の絵素電極の一部上に同じくドレイン配線が形成され、
前記絵素電極上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極が形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層がゲート電極よりも幅太く島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極と一部重なり合って絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる１対の不純物を含む第２の半導体層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成されて絵素電極が露出し、
前記第２の半導体層上とゲート絶縁層上に耐熱金属層を含む１層以上の陽極酸化可能な金属層よりなるソース配線（信号線）と、前記第２の半導体層上とゲート絶縁層上と前記開口部内の絵素電極の一部上に同じくドレイン配線が形成され、
前記ソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成され、
前記ソース・ドレイン配線間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極と信号線の電極端子が形成され、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層を介してゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上と信号線の電極端子上のプラズマ保護層とゲート絶縁層と第１の半導体層に夫々開口部が形成され、各開口部内に透明導電層よりなる絵素電極と走査線の電極端子と信号線の電極端子が露出し、
前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を含む１層以上の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上に同じくドレイン配線が形成され、
耐熱金属層を含む１層以上の金属層よりなる前記信号線の一部は信号線の電極端子の一部上と、同じく前記ドレイン配線の一部は前記開口部内の絵素電極の一部上に形成され、
前記ソース・ドレイン配線領域を除いて第１の半導体層が除去されて前記第１の透明性絶縁基板上にゲート絶縁層が露出し、
前記ソース・ドレイン配線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極と信号線の電極端子が形成され、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層を介してゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上と信号線の電極端子上のプラズマ保護層とゲート絶縁層と第１の半導体層に夫々開口部が形成され、各開口部内に透明導電層よりなる走査線の電極端子と信号線の電極端子と絵素電極が露出し、
前記保護絶縁層の一部と重なり信号線の電極端子の一部上と前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を含む１層以上の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部と重なり前記開口部内の絵素電極の一部上と前記第１の半導体層上に同じくドレイン配線が形成され、
前記ソース・ドレイン配線領域を除いて第１の半導体層が除去されて前記第１の透明性絶縁基板上にゲート絶縁層が露出し、
前記ソース・ドレイン配線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極（と画像表示部外の領域に同じく透明導電性の信号線の電極端子）が形成され、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層を介してゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上（または走査線の電極端子上と信号線の電極端子上）のプラズマ保護層とゲート絶縁層と第１の半導体層に夫々開口部が形成され、各開口部内に透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）が露出し、
前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上（と信号線の電極端子の一部上）に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を含む１層以上の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上と前記開口部内の絵素電極の一部上に同じくドレイン配線と、走査線の一部を含んで走査線の電極端子（または透明導電性の走査線の電極端子）と、信号線の一部よりなる信号線の電極端子（または透明導電性の信号線の電極端子）が形成され、
前記ソース・ドレイン配線領域を除いて第１の半導体層が除去されて前記第１の透明性絶縁基板上にゲート絶縁層が露出し、
前記信号線の電極端子上を除いて信号線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極（と画像表示部外の領域に同じく透明導電性の信号線の電極端子）が形成され、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層を介してゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上（または走査線の電極端子上と信号線の電極端子上）のプラズマ保護層とゲート絶縁層と第１の半導体層に夫々開口部が形成され、各開口部内に透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）が露出し、
前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上（と信号線の電極端子の一部上）に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を含む１層以上の陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部と重なり前記第１の半導体層上と前記開口部内の絵素電極の一部上に同じくドレイン配線と、走査線の一部を含んで走査線の電極端子（または透明導電性の走査線の電極端子）と、信号線の一部よりなる信号線の電極端子（または透明導電性の信号線の電極端子）が形成され、
前記ソース・ドレイン配線領域を除いて第１の半導体層が除去されて前記第１の透明性絶縁基板上にゲート絶縁層が露出し、
前記電極端子上を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上（または走査線の擬似電極端子上と信号線の擬似電極端子上）の膜厚が前記走査線上の膜厚よりも薄い第１の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンをマスクとして第１の金属層と透明導電層を食刻する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して第１の金属層を露出した後、前記第１の金属層を食刻して透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）を露出する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコン層を順次被着する工程と、
前記絵素電極上と透明導電性の走査線の一部上（または走査線の電極端子上と信号線の電極端子上）に開口部を有し、ゲート電極上の半導体層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い第２の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層を除去して絵素電極と透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）を露出する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して第２の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第２の感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅太く第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
耐熱金属層を含んで１層以上の金属層を被着後、ゲート電極と一部重なりゲート絶縁層上と第２の非晶質シリコン層上にソース（信号線）配線と、同じく前記開口部内の絵素電極の一部を含んでドレイン配線と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子と、信号線の一部よりなる信号線の電極端子を形成する工程と、
（またはゲート電極と一部重なりゲート絶縁層上と第２の非晶質シリコン層上と透明導電性の信号線の電極端子の一部上にソース配線と、同じく前記開口部内の絵素電極の一部を含んでドレイン配線を形成する工程と）、
前記ソース・ドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層を除去する工程と、
前記第１の透明性絶縁基板上にパシベーション絶縁層を形成する工程と、
前記走査線と信号線の電極端子上と絵素電極上のパシベーション絶縁層に開口部を形成してパシベーション絶縁層を選択的に除去する工程を有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上（または走査線の擬似電極端子上と信号線の擬似電極端子上）の膜厚が前記走査線上の膜厚よりも薄い第１の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンをマスクとして第１の金属層と透明導電層を食刻する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して第１の金属層を露出した後、前記第１の金属層を食刻して透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子上と信号線の電極端子）を露出する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコン層を順次被着する工程と、
前記絵素電極上と透明導電性の走査線の一部上（または走査線の電極端子上と信号線の電極端子上）に開口部を有し、ゲート電極上の半導体層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い第２の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層を除去して絵素電極と透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）を露出する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して第２の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第２の感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅太く第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
耐熱金属層を含む１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極と一部重なりゲート絶縁層上にソース（信号線）と、同じく絵素電極の一部を含んでドレイン配線と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子と、信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、走査線と信号線の電極端子上の膜厚が他の領域よりも厚い第３の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第３の感光性樹脂パターンをマスクとして陽極酸化可能な金属層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と走査線の電極端子と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記第３の感光性樹脂パターンの膜厚を減少してソース・ドレイン配線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第３の感光性樹脂パターンをマスクとして前記電極端子上を保護しながらソース・ドレイン配線とソース・ドレイン配線間の非晶質シリコン層を陽極酸化する工程（またはゲート電極と一部重なりゲート絶縁層上と透明導電性の信号線の電極端子の一部を含んでソース配線と、同じく絵素電極の一部を含んでドレイン配線を形成後、前記ソース・ドレイン配線とソース・ドレイン配線間の非晶質シリコン層を陽極酸化する工程）を有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の擬似電極端子上と信号線の擬似電極端子上の膜厚が前記走査線上の膜厚よりも薄い第１の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンをマスクとして第１の金属層と透明導電層を食刻する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して第１の金属層を露出した後、前記第１の金属層を食刻して透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の電極端子と信号線の電極端子を露出する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
前記保護絶縁層をゲート電極上にゲート電極よりも幅細く残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
走査線と信号線の擬似電極端子上と擬似絵素電極上に開口部を形成し、前記開口部内の第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層を除去して透明導電性の走査線と信号線の電極端子と同じく絵素電極を露出する工程と、
耐熱金属層を含む１層以上の金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なり信号線の電極端子の一部を含んでその表面に感光性有機絶縁層を有するソース配線（信号線）と、同じく絵素電極の一部を含んでその表面に感光性有機絶縁層を有するドレイン配線を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、擬似絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の擬似電極端子上と信号線の擬似電極端子上の膜厚が前記走査線上の膜厚よりも薄い第１の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンをマスクとして第１の金属層と透明導電層を食刻する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して第１の金属層を露出した後、前記第１の金属層を食刻して透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の電極端子と信号線の電極端子を露出する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
走査線と信号線の電極端子上と絵素電極上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い第２の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層を除去して透明導電性の走査線と信号線の電極端子と同じく絵素電極を露出する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第２の感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
耐熱金属層を含む１層以上の金属層を被着後、第２の非晶質シリコン層と金属層との積層よりなり前記保護絶縁層と一部重なり信号線の電極端子の一部を含んでその表面に感光性有機絶縁層を有するソース配線（信号線）と、同じく絵素電極の一部を含んでその表面に感光性有機絶縁層を有するドレイン配線を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上（または走査線の擬似電極端子上と信号線の擬似電極端子上）の膜厚が前記走査線上の膜厚よりも薄い第１の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンをマスクとして第１の金属層と透明導電層を食刻する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して第１の金属層を露出した後、前記第１の金属層を食刻して透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）を露出する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
前記走査線の一部上（または走査線の電極端子上と信号線の電極端子上）と絵素電極上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い第２の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層を除去して前記走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）と絵素電極を露出する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第２の感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
耐熱金属層を含む１層以上の金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）と、同じく絵素電極の一部を含んでドレイン配線と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子と、信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程（または前記保護絶縁層と一部重なり透明導電性の信号線の電極端子の一部を含んでソース配線と、同じく絵素電極の一部を含んでドレイン配線に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程）と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去して金属性（または透明導電性）の走査線と信号線の電極端子と、ソース・ドレイン配線を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して金属性（または透明導電性）の走査線と信号線の電極端子と、ドレイン配線を露出する工程を有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、絵素電極上と画像表示部外の領域で走査線の一部上（または走査線の擬似電極端子上と信号線の擬似電極端子上）の膜厚が前記走査線上の膜厚よりも薄い第１の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンをマスクとして第１の金属層と透明導電層を食刻する工程と、
前記第１の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して第１の金属層を露出した後、前記第１の金属層を食刻して透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）を露出する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
前記走査線の一部上（または走査線の電極端子上と信号線の電極端子上）と絵素電極上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い第２の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層を除去して前記走査線の一部（または走査線の電極端子と信号線の電極端子）と絵素電極を露出する工程と、
前記第２の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第２の感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
耐熱金属層を含む１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）と、同じく絵素電極の一部を含んでドレイン配線と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子と、信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、走査線と信号線の電極端子上の膜厚が他の領域よりも厚い第３の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記第３の感光性樹脂パターンをマスクとして陽極酸化可能な金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去し、走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線を形成する工程と、
前記第３の感光性樹脂パターンの膜厚を減少してソース・ドレイン配線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第３の感光性樹脂パターンをマスクとして前記電極端子上を保護しながら前記ソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程（または微細加工技術により前記保護絶縁層と一部重なり透明導電性の信号線の電極端子の一部を含んでソース配線と、同じく絵素電極の一部を含んでドレイン配線を形成後、前記ソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程）を有する液晶表示装置の製造方法。