JP2006267877A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006267877A JP2006267877A JP2005088865A JP2005088865A JP2006267877A JP 2006267877 A JP2006267877 A JP 2006267877A JP 2005088865 A JP2005088865 A JP 2005088865A JP 2005088865 A JP2005088865 A JP 2005088865A JP 2006267877 A JP2006267877 A JP 2006267877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- signal line
- electrode
- scanning line
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】 信号線の形成工程と絵素電極の形成工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術と、公知技術であるソース・ドレイン配線の陽極酸化工程にハーフトーン露光技術を導入することで電極端子の保護層形成工程を合理化する新規技術と、
走査線の形成工程と保護絶縁層の形成工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術、半導体層の島化工程でゲート絶縁層をも除去することでコンタクト形成工程を不要とする合理化技術との技術の組合せによるTN型液晶表示装置の4枚マスク・プロセスと3枚マスク・プロセス案を構築する。
【選択図】 図2
Description
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に1層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部内で絵素電極形成領域のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に第1の透明性絶縁基板が露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第1の半導体層上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と前記開口部内の第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺に形成された第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に1層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部内で絵素電極形成領域のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に第1の透明性絶縁基板が露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第1の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第2の半導体層とその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と前記開口部内の第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺に形成された第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部内で絵素電極形成領域のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に第1の透明性絶縁基板が露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第1の半導体層上と第1の透明性絶縁基板上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と前記開口部内の第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺に形成された第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部内で絵素電極形成領域のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に第1の透明性絶縁基板が露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第1の半導体層上と第1の透明性絶縁基板上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第2の半導体層とその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と前記開口部内の第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺に形成された第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上にはゲート電極よりも幅太く、走査線と信号線の交差点近傍には走査線よりも幅太く、ゲート絶縁層と不純物を含まない第1の半導体層との積層が島状に形成され、
ゲート電極上の第1の半導体層上にはゲート電極と一部重なるように不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、走査線と信号線の交差点の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層が島状に形成され、
前記ソース電極上と、第1の透明性絶縁基板上と、走査線と信号線の交差点の耐熱金属層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極が形成され、
前記絵素電極上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の陽極酸化可能な第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上にはゲート電極よりも幅太く、走査線と信号線の交差点近傍には走査線よりも幅太く、ゲート絶縁層と不純物を含まない第1の半導体層との積層が島状に形成され、
ゲート電極上の第1の半導体層上にはゲート電極と一部重なるようにその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第2の半導体層とその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、走査線と信号線の交差点の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と陽極酸化可能な耐熱金属層との積層が島状に形成され、
前記ソース電極上と、第1の透明性絶縁基板上と、走査線と信号線の交差点の耐熱金属層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極が形成され、
画像表示部外の領域で前記走査線の一部上に形成された透明導電性の走査線の電極端子を除いて走査線上に陽極酸化層が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。
アクティブ基板上にパシベーション絶縁層を形成する必要は無い。そして透明導電性の電極端子を有するTN型の液晶表示装置が得られる。
2:アクティブ基板(ガラス基板)
3:半導体集積回路チップ
4:TCPフィルム
5:走査線の電極端子、走査線の一部
5A:透明導電層よりなる走査線の電極端子
6:信号線の電極端子、信号線の一部
6A:透明導電層よりなる信号線の電極端子
9:カラーフィルタ(対向するガラス基板)
10:絶縁ゲート型トランジスタ
11:走査線
11A:(ゲート配線、ゲート電極)
14:対向電極
12:信号線(ソース配線、ソース電極)
16:蓄積容量線
17:液晶
21:ドレイン電極
22:(透明導電性の)絵素電極
30,30A,30A1〜30A3:ゲート絶縁層(第1のSiNx層)
31,31A,31A1〜31A3:(不純物を含まない)第1の非晶質シリコン層
32,32A,32B:第2のSiNx層
32D:保護絶縁層(エッチストップ層、チャネル保護層)
33,33A,33A1〜33A3:(不純物を含む)第2の非晶質シリコン層
34,34A:(陽極酸化可能な)耐熱金属層
35,35A:(陽極酸化可能な)低抵抗金属層(AL)
37:パシベーション絶縁層(SiNx層)
38:(絵素電極上の)開口部
51:蓄積容量形成領域
62:(ドレイン電極上の)開口部
63,63A:(走査線上の)開口部
64,64A:(信号線上の)開口部
65,65A:(対向電極上の)開口部
66:不純物を含む酸化シリコン層
68:陽極酸化層(酸化チタン,TiO2)
69:陽極酸化層(酸化アルミニウム、アルミナ,Al2O3)
70:陽極酸化層(5酸化タンタル、Ta2O5)
74:開口部(絵素電極形成領域)
75:走査線上の陽極酸化層
76:走査線の側面に形成された絶縁層
83A,83B,83C,87A,87B,88A,88B
:(ハーフトーン露光で形成された)感光性樹脂パターン
86A,86B:(ハーフトーン露光で形成された)感光性有機絶縁層パターン
91,91A,91B,91C:透明導電層
Claims (12)
- 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に1層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部内で絵素電極形成領域のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に第1の透明性絶縁基板が露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第1の半導体層上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と前記開口部内の第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺に形成された第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。 - 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に1層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部内で絵素電極形成領域のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に第1の透明性絶縁基板が露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第1の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第2の半導体層とその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と前記開口部内の第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺に形成された第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。 - 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部内で絵素電極形成領域のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に第1の透明性絶縁基板が露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第1の半導体層上と第1の透明性絶縁基板上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と前記開口部内の第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺に形成された第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴する液晶表示装置。 - 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部内で絵素電極形成領域のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に第1の透明性絶縁基板が露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第1の半導体層上と第1の透明性絶縁基板上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第2の半導体層とその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と前記開口部内の第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺に形成された第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。 - 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上にはゲート電極よりも幅太く、走査線と信号線の交差点近傍には走査線よりも幅太く、ゲート絶縁層と不純物を含まない第1の半導体層との積層が島状に形成され、
ゲート電極上の第1の半導体層上にはゲート電極と一部重なるように不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、走査線と信号線の交差点の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層が島状に形成され、
前記ソース電極上と、第1の透明性絶縁基板上と、走査線と信号線の交差点の耐熱金属層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極が形成され、
前記絵素電極上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の陽極酸化可能な第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上にはゲート電極よりも幅太く、走査線と信号線の交差点近傍には走査線よりも幅太く、ゲート絶縁層と不純物を含まない第1の半導体層との積層が島状に形成され、
ゲート電極上の第1の半導体層上にはゲート電極と一部重なるようにその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第2の半導体層とその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、走査線と信号線の交差点の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と陽極酸化可能な耐熱金属層との積層が島状に形成され、
前記ソース電極上と、第1の透明性絶縁基板上と、走査線と信号線の交差点の耐熱金属層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極が形成され、
画像表示部外の領域で前記走査線の一部上に形成された透明導電性の走査線の電極端子を除いて走査線上に陽極酸化層が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。 - アクティブ基板は、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を形成して前記第1の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を被着する工程と、
画像表示部内で絵素電極形成領域の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層に第1の開口部を形成して第1の透明性絶縁基板を露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層に第2の開口部を形成して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線(信号線)と、前記保護絶縁層と一部重なり第1の開口部を含んで擬似絵素電極となるドレイン配線と、前記第2の開口部を含んで走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース配線(信号線)・ドレイン配線(擬似絵素電極)と、走査線と信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して擬似絵素電極上と、走査線と信号線の擬似電極端子上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機絶縁層パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の電極端子と、透明導電性の信号線の電極端子を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - アクティブ基板は、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を形成して前記第1の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第2の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を被着する工程と、
画像表示部内で絵素電極形成領域の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層に第1の開口部を形成して第1の透明性絶縁基板を露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層に第2の開口部を形成して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線(信号線)と、前記保護絶縁層と一部重なり第1の開口部を含んで擬似絵素電極となるドレイン配線と、前記第2の開口部を含んで走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース配線(信号線)・ドレイン配線(擬似絵素電極)と、走査線と信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
前記感光樹脂パターンの膜厚を減少して信号線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有樹脂パターンを除去して走査線と信号線の擬似電極端子上の低抵抗金属層を露出した後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の電極端子と、透明導電性の信号線の電極端子を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - アクティブ基板は、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層と1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、ゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記保護絶縁層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第1の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記保護絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して前記第1の非晶質シリコン層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を被着する工程と、
画像表示部内で絵素電極形成領域の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層に第1の開口部を形成して第1の透明性絶縁基板を露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層に第2の開口部を形成して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線(信号線)と、前記保護絶縁層と一部重なり第1の開口部を含んで擬似絵素電極となるドレイン配線と、前記第2の開口部を含んで走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース配線(信号線)・ドレイン配線(擬似絵素電極)と、走査線と信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して擬似絵素電極上と、走査線と信号線の擬似電極端子上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機絶縁層パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の電極端子と、透明導電性の信号線の電極端子を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - アクティブ基板は、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層と1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、ゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い第1の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
第1の感光性樹脂パターンをマスクとして前記保護絶縁層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第1の金属層を順次食刻する工程と、
第1の感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記保護絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第1の感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して前記第1の非晶質シリコン層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
不純物を含む第2の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を被着する工程と、
画像表示部内で絵素電極形成領域の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層に第1の開口部を形成して第1の透明性絶縁基板を露出するとともに、画像表示部外の領域で走査線上の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層に第2の開口部を形成して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線(信号線)と、前記保護絶縁層と一部重なり第1の開口部を含んで擬似絵素電極となるドレイン配線と、前記第2の開口部を含んで走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い第2の感光性樹脂パターンを形成する工程と、
第2の感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース配線(信号線)・ドレイン配線(擬似絵素電極)と、走査線と信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
第2の感光樹脂パターンの膜厚を減少して信号線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第2の感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた第2の感光性樹脂パターンを除去して走査線と信号線の擬似電極端子上の低抵抗金属層を露出した後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の電極端子と、透明導電性の信号線の電極端子を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - アクティブ基板は、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にはゲート電極よりも幅太く、走査線と信号線の交差点近傍には走査線よりも幅太く、前記耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層からなる積層を島状に形成して走査線を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、前記ゲート電極と一部重なるようにソース配線(信号線)と、前記ゲート電極と一部重なるように擬似絵素電極となるドレイン配線に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して擬似絵素電極上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去後、前記絵素電極上に開口部を有するパシベーション絶縁層を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - アクティブ基板は、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の陽極酸化可能な第1の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と不純物を含む第2の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にはゲート電極よりも幅太く、走査線と信号線の交差点近傍には走査線よりも幅太く、前記陽極酸化可能な耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層からなる積層を島状に形成して走査線を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、前記ゲート電極と一部重なるようにソース配線(信号線)と、前記ゲート電極と一部重なるように擬似絵素電極となるドレイン配線と、画像表示部外の領域で走査線の一部を含んで走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース配線(信号線)・ドレイン配線(擬似絵素電極)と、走査線と信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
前記感光樹脂パターンの膜厚を減少して信号線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去して走査線と信号線の擬似電極端子上の低抵抗金属層を露出した後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と、透明導電性の走査線の電極端子と、透明導電性の信号線の電極端子を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005088865A JP2006267877A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005088865A JP2006267877A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006267877A true JP2006267877A (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=37203887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005088865A Pending JP2006267877A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006267877A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010157740A (ja) * | 2008-12-30 | 2010-07-15 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | Tft−lcdアレイ基板、及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63103210A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Victor Co Of Japan Ltd | アクテイブマトリツクス形液晶表示素子 |
JPH09236827A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-09-09 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
JP2004518173A (ja) * | 2001-01-27 | 2004-06-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリクス液晶ディスプレイのようなピクセル化されたデバイスおよびその製作方法 |
JP2004317685A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Quanta Display Japan Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2005017669A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Quanta Display Japan Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
-
2005
- 2005-03-25 JP JP2005088865A patent/JP2006267877A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63103210A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Victor Co Of Japan Ltd | アクテイブマトリツクス形液晶表示素子 |
JPH09236827A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-09-09 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
JP2004518173A (ja) * | 2001-01-27 | 2004-06-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリクス液晶ディスプレイのようなピクセル化されたデバイスおよびその製作方法 |
JP2004317685A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Quanta Display Japan Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2005017669A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Quanta Display Japan Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010157740A (ja) * | 2008-12-30 | 2010-07-15 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | Tft−lcdアレイ基板、及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100710532B1 (ko) | 액정표시장치와 그 제조방법 | |
TWI287161B (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
US7417693B2 (en) | Liquid crystal display device and its manufacturing method | |
JP4646539B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
US7982837B2 (en) | Liquid crystal display device and its manufacturing method | |
JP2004317685A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
TWI281999B (en) | LCD device and manufacturing method thereof | |
JP2005049667A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP2005019664A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP5342731B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP2005017669A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP2005106881A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP4538219B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP4538218B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP2006267877A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP3536762B2 (ja) | 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法 | |
JP2005215278A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP2005215276A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP4846227B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP2002190600A (ja) | 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法 | |
JP4871507B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP2005215279A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP2002076363A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2002184991A (ja) | 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法 | |
JP2002270847A (ja) | 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20070820 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20090312 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110111 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110222 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120207 |