TW552645B - Laser irradiating device, laser irradiating method and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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552645 A7 B7 五、發明説明（巧） ^ 發明背景 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 本發明係關於用雷射光束對半導體膜進行退火的雷射 照射方法以及用來執行雷射退火的雷射照射裝置（包含雷 射器和用來將雷射器輸出的雷射光束引導到被處理的元件 的光學系統的裝置）。本發明還關於用包括雷射退火步驟 的各個步驟製造的半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 。注意，本說明書指出的半導體裝置包括諸如液晶顯示裝 置或發光裝置之類的電光裝置以及包括電光裝置作爲其組 成部分的電子裝置。 相關技術說明 近年來’在對形成於諸如玻璃基底之類的絕緣基底上 的半導體膜進行雷射退火，以便對半導體膜進行晶化或改 善其結晶性的技術方面，已經進行了廣泛的硏究。矽被廣 泛地用作這種半導體膜。在本說明書中，利用雷射光束來 晶化半導體膜以獲得結晶半導體膜的方法，被稱爲雷射晶 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與已經被廣泛地使用的合成石英玻璃基底相比，玻璃 基底的優點是價廉和富有可加工性，並容易製造大面積的 基底。這就是已經進行了廣泛硏究的理由。雷射器被擇優 用於晶化的理由是玻璃基底的熔點低。雷射器能夠將高的 能量提供給半導體膜而不會大幅度提高基底的溫度。此外 ，與採用電爐的加熱方法相比，雷射器的産率明顯地高。 結晶半導體由多個晶粒組成，也被稱爲多晶半導體膜 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） T ' 552645 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。由於利用雷射退火形成的結晶半導體膜具有高的遷移率 ，故結晶的矽膜被用來形成薄膜電晶體（τ F T )。例如 ’薄膜電晶體被廣泛地用於主動矩陣型液晶顯示裝置，其 中的圖素驅動T F T和驅動電路T F T被製造在一個玻璃 基底上。 然而，用雷射退火方法製造的結晶半導體膜由多個晶 粒組成，且各個晶粒的位置和尺寸是隨機的。藉由用小島 狀圖形化將結晶半導體膜分隔開，而形成製造在玻璃基底 上的丁 F T，以便實現元件隔離。在此情況下，無法按規 定的晶粒位置和尺寸來形成結晶半導體膜。存在著大量來 自非晶結構的複合中心和捕獲中心和與晶粒內部相比存在 於晶粒介面（晶粒邊界）處的晶體缺陷等。衆所周知，當 載子被捕獲在捕獲中心中時，晶粒邊界的電位上升，成爲 載子的屏障，從而降低載子的傳送性質。通道形成區中的 半導體膜的結晶性對T F T的特性具有很大的影響。但由 沒有晶粒邊界影響的單晶矽膜來形成通道形成區是不太可 能的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了用沒有晶粒邊界影響的單晶矽膜來形成通道形成 區，在雷射退火方法中進行了各種嘗試來形成位置受到控 制的大晶粒。首先說明接受雷射光束照射的半導體膜的結 晶過程。 在已經被雷射光束照射完全熔化了的液體半導體膜中 發生固相成核，需要一些時間。在完全被熔化的區域內出 現並生長無數均勻（或不均勻）的成核，從而完成液體半 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 552645 A7 B7 五、發明説明（3 ) 導體膜的結晶過程。這種情況下得到的晶粒在位置和尺寸 上是隨機的。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，在半導體膜不被雷射光束照射完全熔化而仍然 部分保持固相半導體區的情況下，雷射光束照射之後立即 在固相半導體區處開始晶體生長。如上所述，在完全被溶 化的區域中出現成核之前需要一些時間。於是，當成晶體 生長前鋒的固液介面就沿水平方向（以下稱爲橫向）移動 到達半導體膜表面，直至在完全被熔化的區域中出現成核 ，生長的晶粒從而爲膜厚度的幾十倍。當在完全熔化的區 域中出現無數均勻（或不均勻）的成核時，這一生長就結 束。這種現象以下被稱爲超橫向生長。 在非晶半導體膜或多晶半導體膜中，存在著實現超橫 向生長的雷射光束能量區。但上述的能量區非常窄，且無 法控制得到大晶粒的位置。而且，大晶粒區域以外的區域 是出現大量成核的微晶區或非晶區。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上所述，若能夠在半導體膜被完全熔化的雷射光束 能量區中控制橫向溫度梯度（使沿橫向出現熱流），則能 夠控制晶粒的生長位置和生長方向。爲了實現此方法，進 行了各種各樣的嘗試。 例如，R.Ishihara 和 A.Burtsev(見八^4-1^0,98邛？.153-1 5 6,1 998)報導了 一種雷射退火方法，其中他們形成基底與 氧化矽底膜之間的高熔點金屬膜，並在此高熔點金屬膜上 形成非晶矽膜，然後從基底的頂部表面側（在本說明書中 定義爲其上形成薄膜的表面）和從基底的底部表面側（在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐） 二 552645 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本說明書中定義爲其上形成薄膜的表面的反側表面）照射 準分子雷射光束。從基底頂部表面照射的雷射光束被矽膜 吸收，其能量被轉變成熱。另一方面，從底部表面照射的 雷射光束被高熔點金屬膜吸收，其能量被轉變成熱；高熔 點金屬膜被加熱到高溫。被加熱的高熔點金屬膜與矽膜之 間的氧化砂膜起熱積累層的作用，從而能夠降低被熔化的 矽膜的冷卻速度。根據報導，藉由在任何位置形成高熔點 金屬膜’最大直徑爲6 · 4 μ m的晶粒能夠處於任何位置。 哥倫比亞大學的；lames S.Im等人提出了 一種連續橫向 結晶方法C以下稱爲S L S方法），其中能夠在任何位置 得到超f頁向生長。SLS方法是一種藉由在一定距離內移 動縫隙狀掩模以便每次照射發生超橫向生長（大約 〇 . 7 5 μ m )來進行晶化的方法。 另一方面’大面積基底的使用不斷進展。用大面積基 底來製造諸如多個液晶顯示幕之類的半導體裝置的理由是 能夠獲得高産率並能夠實現成本降低。例如，6 〇 〇 m m x 7 2 0 m m 的基底、3 2 0 m m x 4 Ο 0 m m 的基底、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2央寸的圓片（直徑約爲3 Ο 0 ni in )等被用作大面積 基底。此外，認爲將來要使用1 m X 1 m或更大的基底。 例如，有一種利用電流鏡對大面積基底進行雷射光束 照射的方法。用圖5來對其進行說明。 雷射光束2 Ο 1通過電流鏡2 0 2和f 0透鏡2 0 3 到達基底2 0 4。藉由振動電流鏡2 0 2而及時改變電流 鏡的角度，使雷射光束在基底上的位置沿參考號2 〇 6所 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552645 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 示箭頭的方向移動。當在半周期內振動時，雷射光束被調 整，使雷射光束從基底寬度的一端移動到另一端。此時， 即使當基底上’雷射光束的位置被移動，f |9透鏡2 0 3也 被調整成使基底上的雷射光束能量密度在任何時間都恒定 〇 當電流鏡在半個周期中振動時，雷射光束從基底寬度 的一端移動到另一端。雷射光束照射的部分於是被雷射退 火。電流鏡的振動速度被調整成雷射光束照射的區域不間 斷。然後沿垂直於參考號2 0 6所示箭頭的方向移動平台 ，雷射光束開始再次在基底上沿參考號2 0 6所示的方向 移動。藉由重復這些操作，雷射光束能夠照射到整個基底 表面上。亦即，藉由用電流鏡的旋轉來重復移動照射位置 和移動平台，雷射光束被照射到整個基底表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，當電流鏡的角度被改變時，雷射光束對基底的 入射角改變，如圖5中參考號α、Θ和τ所示。當雷射光 束被特別照射到大面積基底時，入射角的變化變得明顯。 雷射光束對照射表面的入射角變化意味著上述雷射光束在 照射表面上的能量分佈被改變。在圖1 6中，波長爲 5 3 2 nm的雷射光束通過厚度爲7 Ο Ομιη且折射率爲 1 · 5的基底透射，並計算此基底背面上的反射率。橫軸 顯示入射角，而縱軸顯示反射率。當入射角被改變時，衆 所周知反射率也被大幅度改變。當這種雷射光束被採用並 照射到半導體膜等時，難以均勻地照射雷射光束，成爲薄 膜質量降低的一個原因。當用這種半導體膜來製造半導體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -8- 552645 A7 B7 五、發明説明（6 ) 裝置時，就成爲工作特性和可靠性降低的原因。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 還有一種遠心’f 0透鏡，其中即使當電流鏡的角度改 變時，雷射光束對基底的入射角也不改變。但這種遠心 f Θ透鏡的尺寸要求大約等於基底尺寸。因此，在加工大 面積基底時不實際。 發明槪要 因此，本發明的目的是提供一種方法和裝置，用來恒 定地建立雷射光束在照射面上的能量分佈，並將均勻的雷 射光束照射到上述整個照射表面。本發明的另一個目的是 提供一種雷射照射方法和雷射照射裝置，用來在甚至大面 積基底上有效地形成晶體性質接近單晶的結晶半導體膜。 本發明的再一個目的是提供一種半導體裝置的製造方法， 包括處理中的上述雷射照射方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本說明書中揭示有關雷射照射裝置的構造特徵爲，雷 射照射裝置具有多個雷射器、用來在照射表面上形成多個 橢圓形狀或矩形形狀的雷射光束的第一機構、以及用來沿 第一方向和與第一方向相反的方向移動多個雷射光束在照 射表面上的照射位置並沿第二方向移動多個雷射光束在照 射表面上的照射位置的第二機構。 另一種有關雷射照射裝置的構造特徵是，雷射照射裝 置具有多個雷射器、相對於多個雷射光束比較傾斜地安置 的照射表面、用來在照射表面上形成多個橢圓形狀或矩形 形狀的雷射光束的第一機構、以及用來沿第一方向和與第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 552645 A? Β7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一方向相反的方向移動多個雷射光束在照射表面上的照射 位置並沿第二方向移動多個雷射光束在照射表面上的照射 位置的第二機構。 在各個上述構造中，其特徵是各個雷射器由連續振蕩 或脈衝振蕩的固體雷射器構成。例如，Y A G雷射器、 YV〇4雷射器、YLF雷射器、YA 1〇3雷射器、玻璃 雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的藍寶 石雷射器等，被使用當成此種固體雷射器。 而且，在各個上述構造中，其特徵是所述多個雷射器 是選自A r雷射器和K r雷射器的一種或多種。 而且，在上述構造中，其特徵是第一機構具有柱面透 鏡。或是，第一機構具有凸透鏡、柱面透鏡和光柵。雷射 光束在照射表面上的形狀被形成爲橢圓形或矩形，第一機 構能有效地輻射雷射光束。 而且，在各個上述構造中，其特徵是第二機構是平台 。此平台至少沿第一方向、與第一方向相反的方向、以及 第二方向移動。例如採用X - γ平台等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本說明書中揭示的有關雷射照射方法的構造特徵是， 照射表面上的多個雷射光束的形狀被光學系統形成爲橢圓 形狀或矩形形狀；在照射表面沿第一方向移動的同時，發 射多個雷射光束；照射表面沿第二方向移動；以及在照射 表面沿與第一方向相反的方向移動的同時，發射多個雷射 光束。 另一種有關雷射照射方法的構造特徵是，相對於多個 本ϋ尺度適用中國國家標參（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ~ ' 552645 A7 __B7_ 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雷射光束傾斜地安置的照射表面上的多個雷射光束的形狀 被光學系統形成爲橢圓形狀或矩形形狀；在照射表面沿第 一方向移動的同時，發射多個雷射光束；照射表面沿第二 方向移動；以及在照射表面沿與第一方向相反的方向移動 的同時，發射多個雷射光束。 另一種有關雷射照射方法的構造特徵是，照射表面上 的多個雷射光束的形狀被光學系統形成爲橢圓形狀或矩形 形狀；在照射表面沿第一方向移動的同時，發射多個雷射 光束；在照射表面沿與第一方向相反的方向移動的同時， 發射多個雷射光束；以及照射表面沿第二方向移動。 另一種有關雷射照射方法的構造特徵是，相對於多個 雷射光束傾斜地安置的照射表面上的多個雷射光束的形狀 被光學系統形成爲橢圓形狀或矩形形狀；在照射表面沿第 一方向移動的同時，發射多個雷射光束；在照射表面沿與 第一方向相反的方向移動的同時，發射多個雷射光束；以 及照射表面沿第二方向移動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在上述各個構造中，雷射退火方法的特徵是各個雷射 光束由連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器來振蕩。例如， 由連續振蕩或脈衝振蕩的Y A G雷射器、Y V〇4雷射器、 Y L F雷射器、Y A 1〇3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷 射器、變藍寶石雷射器、摻T i的藍寶石雷射器等構成固 體雷射器。 在上述各個構造中，其特徵是雷射光束由選自A r雷 射器和K r雷射器的一種或多種來振蕩。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552645 A7 B7 五、發明説明（9 ) 在上述各個構造中，其特徵是柱面透鏡被用作光學系 統。或者，其特徵是凸透鏡和柱面透鏡被用作光學系統。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本說明書中揭示有關半導體裝置的製造方法的構造特 徵是’半導體膜被形成在絕緣表面上；半導體膜中的多個 雷射光束的形狀被光學系統形成爲橢圓形狀或矩形形狀； 在半導體膜沿第一方向移動的同時，發射多個雷射光束； 半導體膜沿第二方向移動；以及在半導體膜沿與第一方向 相反的方向移動的同時，發射多個雷射光束。 另一種有關半導體裝置的製造方法的構造特徵是，半 導體膜被形成在絕緣表面上；相對於多個雷射光束傾斜地 安置的半導體膜中的多個雷射光束的形狀被光學系統形成 爲橢圓形狀或矩形形狀；在半導體膜沿第一方向移動的同 時，發射多個雷射光束；半導體膜沿第二方向移動；以及 在半導體膜沿與第一方向相反的方向移動的同時，發射多 個雷射光束。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一種有關半導體裝置的製造方法的構造特徵是，半 導體膜被形成在絕緣表面上；半導體膜中的多個雷射光束 的形狀被光學系統形成爲橢圓形狀或矩形形狀；在半導體 膜沿第一方向移動的同時，發射多個雷射光束；在半導體 膜沿與第一方向相反的方向移動的同時，發射多個雷射光 束；以及半導體膜沿第二方向移動。 另一種有關半導體裝置的製造方法的構造特徵是，半 導體膜被形成在絕緣表面上；相對於多個雷射光束傾斜地 安置的半導體膜中的多個雷射光束的形狀被光學系統形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 552645 7 A7 B7 五、發明説明（10 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲橢圓形狀或矩形形狀；在半導體膜沿第一方向移動的同 時，發射多個雷射光束；在半導體膜沿與第一方向相反的 方向移動的同時，發射多個雷射光束；以及半導體膜沿第 二方向移動。 在上述各個構造中，其特徵是各個雷射光束由連續振 蕩或脈衝振蕩的固體雷射器來振蕩。例如，固體雷射器由 連續振蕩或脈衝振蕩的Y A G雷射器、Y V 0 4雷射器、 Y L F雷射器、Y A 1〇3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷 射器、變藍寶石雷射器、摻T i的藍寶石雷射器等構成。 在上述各個構造中，其特徵是雷射光束由選自A I*雷 射器和K r雷射器的一種或多種來振蕩。 而且，在上述各個構造中，其特徵是柱面透鏡被用作 光學系統。或者，其特徵就是凸透鏡和柱面透鏡被用作光 學系統。 圖式簡單說明 圖1顯示雷射照射裝置的構造例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2 A和2 B顯示照射表面上的雷射照射方法例。 圖3顯示雷射照射裝置的構造例。 圖4顯示雷射照射裝置的構造例。 圖5顯示雷射照射裝置的構造例。 圖6 A — 6 C是剖面圖，顯示圖素τ F T和驅動電路 T F T的製造處理。 圖7 A — 7 C是剖面圖，顯示圖素τ F T和驅動電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ 552645 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明) T F 丁的製造處理。 圖8是剖面圖’顯不圖素T F Τ和驅動電路T F Τ的 製造處理。 圖9是平面圖，顯示圖素TFT的構造。 圖1 0是剖面圖，顯示主動矩陣型液晶顯示裝置的製 造處理。 圖1 1是發光裝置的驅動電路和圖素區的剖面結構圖 〇 圖1 2A是發光裝置的平面圖，而圖1 2 B是發光裝 置的驅動電路和圖素區的剖面結構圖。 圖1 3A — 1 3 F顯示半導體裝置例。 圖1 4A — 14D顯示半導體裝置例。 圖1 5A — 1 5 C顯示半導體裝置例。 圖1 6顯示相對於雷射光束入射角的反射率例。 圖1 7顯示雷射光束入射角與干涉的關係例。 圖1 8顯示雷射照射裝置構造例。 圖1 9顯示雷射照射裝置構造例。 圖2 0顯示雷射照射裝置構造例。 圖2 1顯示雷射照射裝置構造例。 元件對照表 201:雷射光束 202:電流鏡 203:fQ透鏡 204.·基底 206:箭頭方向 1〇3:雷射光束 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-14- 552645 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12) 104:基底 106，107，108:方向 101:雷射光束 102:柱面透鏡 109:阻尼器 100，15(Κ·雷射 151:光束分裂器 11 〇:雷射光束 112:柱面透鏡 113:雷射光束 111:隔離器 120:雷射光束 122:凸透鏡 123:柱面透鏡 124:雷射光束 400:基底 401:主膜 4 0 1 a，4 0 1 b :氮氧化砂膜 4〇2,406.·半導體層 407:閘極絕緣膜 408:第一導電膜 409:第二導電膜 410-415:掩膜 416:閘極絕緣膜 417-422:導電層 428-433:導電層 423-427:雜質區 434a-434c:掩模 436、442、448:低濃度雜質區 435、441:高濃度雜質區 444、447:高濃度雜質區 450a-450c:掩模 453、454、459、460:雜質區 461:第一層間絕緣膜 462:第二層間絕緣膜 463-467:接線 506:驅動電路 507:圖素部份 4 7 0:圖素電極 4 6 9:聞極接線 4 6 8:連接電極 501:n 通道丁FT 502:p 通道丁FT 503:ιι 通道丁FT 504:圖素 TFT 505:儲存電容 437:通道形成區 452:高濃度雜質區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 552645 A7 B7 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明説明（13) 4 6 6:電極 456:高濃度雜質區 445:低濃度雜質區 5 6 7:定向膜
570、571:彩色層 574:定向膜 575:液晶材料 7 0 0:基底 701 -709:接線 71 1:圖素電極 7 1 3 :發光層 715.·發光元件 717:密封構件 601:n 通道 TFT 801:源極驅動電路 807:閘極驅動電路 9 0 2:第一密封構件 907:包封材料 905:FPC 3002:影像輸入部份 3004:鍵盤 3 1 0 2:顯示部份 31〇4:操作開關 3106:影像接收部份 440,443:通道形成區 446:通道形成區 458:高濃度雜質區 569:相反基底 573:整平膜 568.·密封構件 603:開關 TFT 604.·電流控制TFT 710:整平膜 712:築堤 714:陰極 716:鈍化膜 718:蓋構件 602:p 通道 TFT 8 0 6:圖素部份 901:蓋構件 9〇3:第二密封構件 904:接線 3001:主體 3003:顯示部份 3 1 01:主體 3103:聲音輸入部份 3105:電池 320 1.•主體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 552645 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明説明（14 ) 3202:相機部份 3204.·操作開關 3301:主體 3303:臂部份 3402:顯示部份 3404:記錄媒體 3501:主體 3503:眼睛接觸部份 3601:投影設備 3701:主體 3703:平面鏡 3 80 1:光源光學系統 3 803:分色鏡 3 808:液晶顯示裝置 3810:投影光學系統 3812:光源 3 8 1 5 :偏振轉換元件 3901:主體 3903:聲音輸入部份 3905:操作開關 4001:主體 4004:記錄媒體 4 0 0 6:天線 4102:支持座 3203:影像接收部份 3205:顯示部份 3 3 0 2:顯示部份 3401:主體 3403:揚聲器部份 3 4 0 5 :操作開關 3502:顯示部份 3504.•操作開關 3602:螢幕 3702.•投影設備 3 7 04:螢幕 3802,3804-3806:平面鏡 3807:稜鏡 3809:相位差片 3 8 11:反射器 3813，1814:透鏡陣列 3816.·聚焦透鏡 3902:聲音輸出部份 3904:顯示部份 3906:天線 4002,4003:顯示部份 4005:操作開關 4101:主體 4 103:顯示部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 220:雷射光束 240:第一反射板 212:基底 214:反射光 552645 A7 B7 五、發明説明（15) 200:基底 230:反射光 250:第二反射板 211:雷射光束 213:反射板 較佳實施例說明 以圖2來說明本發明的實施例模式。 首先，各個雷射光束被光學系統設定爲照射表面上的 橢圓形狀或矩形形狀的雷射光束1 0 3 a、1 〇 3 b、 1 Ο 3 c。由於雷射光束被有效地照射到整個表面，故雷 射光束的形狀被形成爲上述照射表面上的矩形形狀或橢圓 形狀。從雷射器發射的雷射光束的形狀根據雷射器的種類 而不同。例如，L amd a公司製造的Xe C 1準分子雷 射器（波長爲3 0 8 n m，而脈衝寬度爲3 0 n s ) L 3 3 0 8的雷射光束尺寸爲1 〇 m m X 3 0 m m (均爲 束分佈的半寬度）。在Y A G雷射器中，若棒的形狀爲圓 柱形，則雷射光束的形狀爲圓形，而若Y A G雷射器是平 板形’則雷射光束的形狀爲矩形。上部照射表面上的雷射 光束的形狀被光學系統設定爲矩形或橢圓形。 各個雷射光束對上部照射表面的入射角被設定爲相同 。各個雷射光束1 〇 3在上部照射表面上的能量分佈於是 被設定爲相同。對於在整個基底表面上照射均勻的雷射器 來說，這是非常重要的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 552645 A7 B7 五、發明説明（16 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當上述雷射光束1 0 3照射時，平台（或基底）沿參 考號1 0 6所示的方向移動。隨後，在上述雷射光束 1 〇 3照射的情況下，平台（或基底）沿參考號1 〇 7所 示的方向移動，還沿參考號1 〇 8所示的方向移動。於是 ’若在雷射光束的入射位置和入射角被固定的情況下重復 移動平台（或基底），則雷射光束能夠照射到整個基底表 面而無須改變雷射光束在照射表面上的能量分佈。此情況 顯示於圖2 A。 藉由在沿參考號1 0 6所示方向移動平台（或基底） 並隨後在上述雷射光束照射的情況下沿參考號1 〇 8所示 的方向移動平台（或基底），同一個區域被多次照射。但 在同一個區域被多次照射之後，平台（或基底）沿參考號 1 0 7所示的方向移動，雷射光束能夠再次照射。此情況 顯不於圖2 B。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 右各個入射角相同，則多個雷射光束1 〇 3也能夠被 傾斜地照射到基底1 0 4。但如圖1 6所示，相對於雷射 光束入射角的改變，反射率被大幅度改變。因此，希望將 各個多個雷射光束的入射角設定爲相同，或處於反射率改 變在5%以內的角度之內。如圖1 7所示，雷射光束以束 寬度W入射到照射表面。除非入射光與基底背面的反射光 重疊，否則不引起干涉。亦即，當基底的厚度被設定爲d ，且由於半導體膜的厚度小於上述基底的厚度而忽略半導 體膜的厚度時，若入射角大於滿足 s i n0=W/2d 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 552645 A7 B7 五、發明説明（17 ) • ••041^111(，/2(1)的入射角9，則不引起干涉。 亦即，當4 >arcsin(W/2d)時，不弓丨起干涉。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}. 因此，當雷射光束以大於入射角p的角度入射時，不 必嚴格使多個雷射光束的入射角一致。 産生干涉的條件由雷射光束的波長、諸如半導體膜的 被照射物體的相干長度、吸收係數、以及膜厚度等改變。 因此，必須考慮光學系統和被照射物體的安排。 在本實施例模式中，採用了多個雷射光束，但也可以 利用多個雷射器來振蕩，並還可以藉由對一個雷射器振蕩 的雷射光束進行分割而形成。而且，若此數目是等於或大 於2的多數，則雷射光束的數目不局限於3，而是沒有特 殊的限制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處將說明用這一照射方法晶化半導體膜的情況。當 雷射光束照射到半導體膜時，被照射的區域達到熔化狀態 ’並隨時間冷卻並固化。若在雷射光束移動的同時照射雷 射光束，則連續形成處於熔化狀態的區域，也存在隨時間 冷卻和固化的區域。亦即在半導體膜中形成了溫度梯度， 且晶粒沿雷射光束的移動方向生長，因而形成大直徑的晶 粒。利用通道形成區中的這種晶粒製造的T F T的電學特 性得到了改善，半導體裝置的工作特性和可靠性也能夠被 改善。由於特別是沿雷射光束的移動方向幾乎不存在晶粒 邊界，故最好是製造通道形成區平行於此方向的T F T。 若採用這種照射方法，則雷射光束也能夠被有效地照 射到大面積的基底。而且，當藉由照射這種雷射光束來晶 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552645 at B7 五、發明説明（18) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 化半導體膜時，有可能形成具有大直徑晶粒接近單晶顆粒 的半導體膜。而且用上述半導體膜製h的T F T的電學特 性得到了改善，半導體裝置的工作特性和可靠性也能夠被 改善。 以下用下列實施例來更詳細地說明具有上述構造的本 發明。· 〔實施例Ί 〔實施例1 Ί 在本實施例中，用圖1 、2A、2B、18、和19 說明將多個雷射光束傾斜照射到基底的方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 各個多個雷射光束l〇la、101b、l〇lc被 柱面透鏡1 0 2 a、1 0 2 b、1 0 2 c沿短邊方向縮短 ，成爲在照射表面上具有橢圓形狀或矩形形狀的雷射光束 103a 、l〇3b 、l〇3c 。爲了在照射表面上形成 橢圓形或矩形的雷射光束，可以使用光柵。若平台（或基 底）沿參考號1 0 6所示的方向移動，則雷射光束能夠沿 參考號1 0 8所示的方向照射而不改變雷射光束對基底的 入射角。當沿參考號1 0 8所示方向的雷射光束照射被終 止時，平台（或基底）沿參考號1 0 7所示的方向移動。 若在雷射光束照射的同時，平台（或基底）沿參考號 1 0 8所示的方向移動，則雷射光束能夠沿參考號ί 〇 6 所不的方向照射。藉由重復這些移動，雷射光束被照射到 整個基底表面。圖2 A顯不此時雷射光束被照射到整個基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ -- 552645 A7 B7 五、發明説明（19 ) 底表面的情況。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在平台（或基底）的另一種移動方法中，在平台（或 基底）沿參考號1 0 6所示的方向移動和沿參考號1 〇 8 所示的方向移動之後，平台（或基底）也可以沿參考號 1 0 7所示的方向移動。在平台（或基底）沿參考號 1 0 6所示的方向移動和沿參考號1 0 8所示的方向移動 被重復之後，平台（或基底）也可以沿參考號1 0 7所示 的方向移動。圖2 B顯示此時雷射光束被照射到整個基底 表面的情況。另一方面，在照射的同時，多個雷射光束本 身可以被移動，且多個雷射光束和平台（或基底）二者可 以被移動。 入射到基底上的雷射光束，在基底表面上被反射。但 由於雷射光束是方向性和能量密度很高的光，故最好藉由 安排阻尼器1 0 9來防止反射光照射到不適當的部分。雖 然圖中未示出冷卻水，但冷卻水在阻尼器1 0 9中循環。 冷卻水防止了阻尼器1 0 9的溫度由於吸收反射光而上升 。在圖1中，阻尼器1 0 9僅僅相對於雷射光束1 0 1 a 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 顯示，但最好對其他雷射光束1 0 1 b和1 0 1 c也安排 〇 如圖1 6所示，當雷射光束的入射角被改變時，反射 率被大幅度改變。因此，將多個雷射光束的入射角設定爲 相同是非常重要的。最可取的是將多個雷射光束的入射角 設定爲提供最小反射率的角度。最好還將入射角設定爲使 反射率的變化在5 %以內。由於反射率被基底的厚度和折 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552645 A7 A7 B7 五、發明説明（20 ) 射率以及波長改變’故操作人員可以適當地確定入射角。 C讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於是’若雷射光束被照射到基底，則具有相同的能量 分佈的雷射光束被照射到基底，致使雷射光束能夠均勻地 照射。還有可能獲得晶粒接近單晶顆粒的半導體膜。而且 ，由於採用了多個雷射光束，故産率得到了改善，且雷射 光束能夠有效地照射。 在本實施例中，採用了多個雷射光束。然而，如圖 1 8所示’多個雷射器1 〇 〇可以相對於基底1 〇 4傾斜 地安置’且多個雷射光束也可以利用這些多個雷射器 1 0 0來振蕩。如圖1 9所示，由雷射器1 5 0振蕩的雷 射光束被光束分裂器1 5 1 a和1 5 1 b等分割，也可以 被設定爲多個雷射光束1 〇 1。而且，若數目等於或大於 2 ，則雷射光束的數目不局限於3，而是不受特別的限制 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中，基底被水平安置，且雷射光束的入射 角相對於基底被傾斜一個角度0。但上述雷射光束對上述 基底的入射角也可以藉由傾斜地安置基底而相對於水平方 向傾斜一個角度Θ。 〔實施例2〕 在本實施例中，用圖3來說明從垂直於基底的方向發 射多個雷射光束的方法。 由雷射器振蕩的各個雷射光束1 1 〇 a 、1 1 〇 b、 11〇c ，被柱面透鏡112a 、112b、112c沿 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ~ ' 552645 A7 B7 五、發明説明（21 ) 短邊方向縮短，被改變成爲在照射表面上具有橢圓形狀或 矩形形狀的雷射光束1 1 3a、1 1 3b、1 13c。爲 了在照射表面上形成橢圓形或矩形的雷射光束，可以使用 光柵。若平台（或基底）沿參考號1 〇 6所示的方向移動 ’則雷射光束能夠沿參考號1 0 8所示的方向照射而不改 變雷射光束對基底的入射角。當沿參考號1 〇 8所示方向 的雷射光束照射被終止時，平台（或基底）沿參考號 1 0 7所示的方向移動。若在雷射光束照射的同時，平台 (或基底）沿參考號1 0 8所示的方向移動，則雷射光束 能夠沿參考號1 0 6所示的方向照射。藉由重復這些移動 ’雷射光束被照射到整個基底表面。 在平台（或基底）的另一種移動方法中，在平台（或 基底）沿參考號1 〇 6所示的方向移動和沿參考號1 〇 8 所示的方向移動之後，平台（或基底）也可以沿參考號 1 0 7所示的方向移動。而且，在沿參考號1 〇 6所示方 向的移動和沿參考號1 〇 8所示方向的移動被重復之後， 平台（或基底）也可以沿參考號1 〇 7所示的方向移動。 另一方面，在照射的同時，多個雷射光束本身可以移動， 且多個雷射光束和平台（或基底）二者可以移動。 入射到基底上的雷射光束，，在基底表面上被反射，並 成爲沿與入射時相同的光路返回的所謂返回光。此返回光 對雷射器的輸出有不良影響，改變頻率，破壞雷射棒等。 因此’最好安置隔離器1 1 1來淸除此返回光並穩定雷射 器的振蕩。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 552645 A7 B7 五、發明説明（22) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於是，若雷射光束照射到基底，則具有相同能量分佈 的雷射光束照射到基底，致使雷射光束能夠均勻地照射。 還有可能獲得晶粒接近單晶的半導體膜。而且，由於採用 了多個雷射光束，故産率得到了改善，且雷射光束能夠有 效地照射。在本實施例中，採用了多個雷射光束。但也可 以利用多個雷射器來振蕩，也可以藉由分割由一個雷射器 振蕩的雷射光束而形成。而且，若數目等於或大於2，則 雷射光束的數目不局限於3，而是不受特別的限制。 〔實施例3〕 在本實施例中，用圖4來說明利用多個棒狀的板型雷 射器從垂直於基底的方向照射雷射光束的方法。 由雷射器振蕩的各個雷射光束1 2 0 a、1 2 0 b、 1 2 0 c ，被凸透鏡 1 2 2 a、1 2 2 b、1 2 2 c 沿縱 向和橫向縮短。此雷射光束1 2 0被柱面透鏡1 2 3 a、 1 2 3 b 、1 2 3 c沿縱向聚焦，然後被放大，成爲在照 射表面上具有矩形形狀的雷射光束1 2 4 a、1 2 4 b、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 4 c 。爲了在照射表面上形成橢圓形或矩形的雷射光 束，可以使用光柵。若平台（或基底）沿參考號1 〇 6所 示的方向移動，則雷射光束能夠沿參考號1 0 8所示的方 向照射而不改變雷射光束對基底的入射角。當沿參考號 1 0 8所示方向的雷射光束照射被終止時，若平台（或基 底）沿參考號1 0 7所示的方向被移動並在雷射光束照射 的同時，沿參考號1 〇 8所示的方向被移動，則雷射光束 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ~ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552645 A7 B7 五、發明説明（23) 能夠沿參考號1 0 6所示的方向照射。藉由重復這些移重力 ，雷射光束被照射到整個基底表面。 在平台（或基底）的移動方法中，在平台（或基底） 沿參考號1 0 6所示的方向移動和沿參考號1 〇 8所示白勺 方向移動之後，平台（或基底）也可以沿參考號1 〇 7 m 示的方向移動。而且，在沿參考號1 0 6所示方向的移動 和沿參考號1 0 8所示方向的移動被重復之後，平台（或 基底）也可以沿參考號1 0 7所示的方向移動。另一方面 ，在照射的同時，多個雷射光束本身可以移動，且多個雷 射光束和平台（或基底）二者可以移動。 入射到基底上的雷射光束，在基底表面上被反射，並 成爲沿與入射時相同的光路返回的所謂返回光。此返回光 對雷射器的輸出有不良影響，改變頻率，破壞雷射棒等。 因此，最好安置隔離體1 1 1來淸除此返回光並穩定雷射 器的振蕩。 於是，若雷射光束照射到基底，則具有相同能量分佈 的雷射光束照射到基底，致使雷射光束能夠均勻地照射。 還有可能獲得晶粒接近單晶的半導體膜。而且，由於採用 了多個雷射光束，故産率得到了改善，且雷射光束能夠有 效地照射。在本實施例中，採用了多個雷射光束，但也可 以利用多個雷射器來振蕩，也可以藉由分割由一個雷射器 振蕩的雷射光束而形成。而且，若數目等於或大於2 ’則 雷射光束的數目不局限於3，而是不受特別的限制。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁；>
-26- 552645 A7 A7 B7 五、發明説明（24 ) 〔實施例4〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本實施例中，參照圖6 - 9來說明製造主動矩陣基 底的方法。爲方便起見，其上一起形成C Μ〇S電路、驅 動電路、以及具有圖素T F Τ和儲存電容的圖素部分的基 底，被稱爲主動矩陣基底。 首先，諸如鋇硼砂酸鹽玻璃和絕硼砂酸鹽玻璃的玻璃 組成的基底4 0 0被用於本實施例。基底4 0 0可以是表 面上具有絕緣膜的石英基底、矽基底、金屬基底、或不銹 鋼基底。基底4 0 0可以是具有承受本實施例中的加工溫 度的抗熱性的塑膠基底。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在基底4 0 0上形成具有諸如氧化矽膜、氮化 矽膜、和氮氧化矽膜之類的絕緣膜的主膜4 0 1。在本實 施例中，二層結構被用於主膜4 0 1。但可以採用本身是 絕緣膜的單層膜結構或至少二個層被層疊的結構。根據電 漿CVD方法，用S iH4、NH3、Ν2〇作爲反應氣體 ，形成厚度爲1 0 — 2 OOn m (最好是5 0 - 1 〇〇 n m )的氮氧化矽膜4 0 1 a作爲主膜4 0 1的第一層。 在本實施例中，氮氧化矽膜4 0 1 a (組分比爲：s i = 32%，〇=27%，^^=24%，1*1=17%)被形成 成厚度爲5 0 nm。接著，根據電漿CVD方法，用 S i H4、N2〇作爲反應氣體，形成厚度爲5 〇 — 2 0〇 n m (最好是1 〇 〇 — 1 5 0 n m )的氮氧化矽膜 4 0 1 b作爲主膜4 0 1的弟一層。在本實施例中，氮氧 化矽膜401b (組分比爲：Si=32%，0=59% 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 71 ' -~ 552645 A7 B7_ 五、發明説明（25 ) ，N=7%，H=2%)被形成厚度爲lOOnm。 接著，在主膜上形成半導體層4 0 2 - 4 0 6。首先 ，用公衆熟知的方法（諸如濺射方法、L P C V D方法、 以及電漿CVD方法）形成厚度爲2 5 - 8 0 nm (最好 是3 0 — 6 Ο n m )的半導體膜。用雷射晶化方法使半導 體膜晶化。當然’除了雷射晶化方法之外，也能夠採用其 他熟知的晶化方法（利用r T A或爐子退火的熱晶化方法 以及利用金屬元素促進晶化的熱晶化方法）。在得到的結 晶半導體膜上執行所需形狀的圖形化，以便形成半導體層 4 0 2 — 4 0 6。半導體膜可以是非晶半導體膜、微晶半 導體膜、或結晶半導體膜。替代的，半導體膜可以是具有 諸如非晶矽鍺膜那樣的非晶結構的化合物半導體膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當根據雷射晶化方法産生結晶半導體膜時，可以採用 脈衝振蕩型或連續發光型的準分子雷射器、A r雷射器、 Kr雷射器、YAG雷射器、丫又〇4雷射器、Ylf雷射 器、Y A 1〇3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍 寶石雷射器、摻T i的藍寶石雷射器等。當採用這些類型 的雷射器時’從雷射器發射的雷射最好被光學系統集中成 矩形形狀或橢圓形形狀，並照射到半導體膜。晶化條件由 執行人員適當地選擇。 在本實施例中，用電漿CVD方法形成厚度爲5 5 n m的非晶矽膜。利用連續發光型γ v〇4雷射器的二次諧 波’用圖1 、3或圖4所示的光學系統進行晶化，從而形 成結晶砂膜。根據結晶矽膜的採用光微影方法的圖形化處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）' - 552645 A7 B7 五、發明説明（26 ) 理，來形成半導體層402 - 406。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在形成半導體層4 〇 2 - 4 0 6之後，可以摻入少量 雜質元素（硼或磷），以便控制T F T的臨界電壓値。 接著，形成覆蓋半導體層4 0 2 - 4 0 6的閘極絕緣 膜4 0 7。根據電漿C V D方法或濺射方法，用絕緣膜形 成厚度爲4 0 - 1 5 0 n m的含5夕的聞極絕緣膜4 0 7。 在本實施例中，根據電漿C V D方法，形成厚度爲1 1 〇 n m的氮氧化矽膜（組分比爲：S i = 3 2 %，〇=5 9 %，N = 7 %，Η = 2 % )。顯然，閘極絕緣膜不局限於 氮氧化矽膜，含矽的其他絕緣膜也可以被用作單層結構或 疊層結構。 當採用氧化矽膜時，用電漿C V D方法，藉由混合原 矽酸四乙酯（Τ Ε〇S )與〇2而形成，電漿的放電條件 爲：反應壓力爲40Pa ，基底溫度爲300 — 400 °C ，高頻（13 · 56MHz)功率密度爲0 . 5 — 0 · 8 W / c m2。然後在4 0 0 — 5 0 0 °C下的熱退火，能夠爲 這樣産生的作爲閘極絕緣膜的氧化矽膜提供良好的特性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著厚度爲2 0 - 1 0 0 nm的第一導電膜4 0 8與 厚度爲1 00 - 400n m的第二導電膜409，被層疊 在閘極絕緣膜4 0 7上。在本實施例中，用厚度爲3 0 n m的T a N膜形成的第一導電膜4 0 8與用厚度爲 3 7 0 n m的W膜形成的第二導電膜4 0 9層疊。T a N 膜是利用T a靶在含氮的氣氛中濺射形成的。W膜是利用 W靶進行濺射形成的。替代的，可以利用六氟化鎢（W F 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29- 552645 A7 B7 五、發明説明（27 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) )由熱C V D方法來形成。在二種情況下，閘極電極的使 用都需要低阻。因此，希望W膜的電阻率爲2 〇 # Ω c m 或以下。藉由增大晶粒的尺寸，能夠得到W膜的低電阻。 但昌W膜包含大量諸如氧的雜質時，晶化被抑制，提高了 電阻。因此，在本實施例中，用濺射方法，使用高純（純 度爲9 9 _ 9 9 9 9 % ) W ?G來形成W膜，並特別注意防 止膜形成過程中雜質從氣相進入。由此，可獲得電阻率爲 9 一 2 0 // Ω c m。 在本實施例中，雖然第一導電膜4 0 8是T a N而第 一導電膜4 0 9是W，但不局限於此。二者都能夠由選自 Ta、W、Ti 、Μο、Α1 、Cu、Cr、Nd的元素 或包含此元素作爲其主要成分的合金材料或化合物材料形 成。替代的，可以採用摻入了諸如磷·的雜質元素的多晶砂 膜之類的半導體膜。可以採用A g P d C u合金。鉅（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T a )膜組成的第一導電膜與W膜組成的第二導電膜的組 合、氮化鉅（T i N )組成的第一導電膜與W膜組成的第 一導電膜的組合、氮化組（T a N )組成的第一導電膜與 A 1膜組成的第二導電膜的組合、或氮化鉬（T a N )膜 組成的第一導電膜與C u膜組成的第二導電膜的組合，是 可能的。 接著，用光微影方法形成抗蝕劑組成的掩模4 1 〇 -4 1 5，並在其上執行第一蝕刻過程，以便形成電極和接 線。第一蝕刻過程在第一和第二蝕刻條件下進行（圖6 B )。在本實施例中，第一蝕刻條件是採用感應耦合電漿（ •30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） 552645 A7 A7 B7 五、發明説明（28 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I C P )蝕刻，並使用C F 4、C 1 2和〇2作爲蝕刻氣體 ，其氣體流量分別爲25/25/10 (seem)。用 IPa 的壓力將 500W 的 RF (13 . 56MHz)功 率饋送到線圏型電極，以便産生電漿，然後執行蝕刻。此 處，採用 Matsushita Electric Industrial Co.，Ltd 製造的 I CP (E645— 口1 CP型）的乾法蝕刻裝置。 150W的RF (13 . 56MHz)功率也被饋送到基 底側（測試樣品平台），並施加基本上負的自偏壓。W膜 在第一蝕刻條件下被蝕刻，以便得到第一導電層的錐形末 端。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，第一鈾刻條件被改變到第二蝕刻條件而不淸除 抗蝕劑組成的掩模4 1 0 - 4 1 5。C F 4和C 1 2則被用 作蝕刻氣體。氣體流量比爲3 0 / 3 0 ( s c c m )。用 IPa的壓力將5〇〇W的RF (13 · 56MHz)功 率饋送到線圈型電極，以便産生電漿，然後執行3 0秒鐘 蝕刻。2 0 W的R F ( 1 3 · 5 6 Μ Η z )功率也被饋送 到基底側（測試樣品平台），並施加基本上負的自偏壓。 W膜和T a Ν膜在C F 4和C 1 2被混合的第二蝕刻條件下 被蝕刻相同的程度。爲了蝕刻而不在閘極絕緣膜上留下殘 留物，可以增加1 0 - 2 0 %以上的蝕刻時間。 在第一蝕刻過程中，當抗蝕劑組成的掩模的形式適當 時，第一和第二導電層末端的形式由於施加到基底側的偏 壓的作用而爲錐形。錐形部分的角度爲1 5 - 4 5度。於 是，藉由第一蝕刻過程，形成第一形式的導電層4 1 7 — -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 552645 Α7 Β7 五、發明説明（29 ) 4 2 2，包括第一導電層和第二導電層（第一導電層 417a— 422a 和第二導電層 417b - 422b) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。參考號 4 1 6是閘極絕緣膜。在閘極絕緣膜4 1 6中 ，不被第一導電層4 1 7 - 4 2 2覆蓋的區域被蝕刻大約 2 0 - 5 0 n m，以致形成較薄的區域。 接著，執行第二蝕刻過程而不淸除抗蝕劑組成的掩模 (圖6 C )。此處，C F 4、C 1 2和〇2被用來選擇性地 蝕刻W膜。然後，用第二蝕刻過程來形成第二導電層 428b — 433b。另一方面，第一導電層417a — 4 2 2 a不太被鈾刻，從而形成第二形式的導電層4 2 8 — 4 3 3。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 執行第一摻雜過程而不淸除由抗蝕劑組成的掩模，並 加入爲半導體層提供η型的低濃度雜質元素。可以根據離 子摻雜方法或離子注入方法來執行摻雜過程。此離子摻雜 方法在劑量爲每平方釐米lx 1 013 - 5χ 1 014而加速 電壓爲4 0 — 8 0 k e V的條件下被執行。在本實施例中 ，離子摻雜方法在劑量爲每平方釐米1 · 5 X 1 0 1 3而加 速電壓爲6 0 k e V的條件下被執行。n型摻雜的雜質元 素可以是V族元素，典型爲磷（Ρ)或砷（As)。此處 採用磷（P)。在此情況下，導電層428 — 433用作 η型摻雜雜質元素的掩模。因此，以自對準方式形成了雜 質區4 2 3 — 4 2 7。濃度範圍爲每立方釐米j_x 1 〇ΐ8 一 1 X 1 0 2 ◦的η型摻雜雜質元素被加入到雜質區4 2 3 - 4 2 7。 I紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格（21〇χ 297公慶)' --- 552645 A7 B7 五、發明説明（30 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當抗鈾劑組成的掩模被淸除時，形成由抗触劑組成的 新掩模4 3 4 a — 4 3 4 c。然後用比第一摻雜過程所用 的更高的加速電壓執行第二摻雜過程。此離子摻雜方法在 劑量爲每平方釐米1χ 1 013 - 1χ 1 015而加速電壓爲 6 0 — 1 2 0 k e V的條件下被執行。在摻雜過程中，第 二導電層4 2 8 b - 4 3 2b被用作雜質元素的掩模。摻 雜被如此執行，使雜質元素能夠被加入到第一導電層錐形 部分底部處的半導體層。然後，藉由使加速電壓低於第二 摻雜過程中的加速電壓，執行第三摻雜過程，以便得到圖 7 A所示的情況。此離子摻雜方法在劑量爲每平方釐米1 X 10i5-lx 1017而加速電壓爲50 — l〇〇keV 的條件下被執行。藉由第二摻雜過程和第三摻雜過程，濃 度範圍爲每立方釐米lx 1 018 - 5x 1 019的η型摻雜 雜質元素被加入到被第一導電層覆蓋的低濃度雜質區 436、442和448。濃度範圍爲每立方釐米lx 1 0 1 9 — 5 X 1 0 2 1的η型摻雜雜質元素被加入到高濃度 雜質區 435、441、444 和 447。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由以適當的加速電壓執行第二摻雜過程和第三摻雜 過程，能夠形成低濃度雜質區和高濃度雜質區。 接著，在淸除抗鈾劑組成的掩模之後，形成由抗蝕劑 組成的新掩模4 5 0 a - 4 5 0 c，以便執行第四摻雜過 程。通過第四摻雜過程，半導體層中的加入了提供與一種 導電類型相反的雜質元素的雜質區453、454、 459和460 ，是P通道型TFT的主動層。第一導電 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） 552645 A7 A7 B7 五、發明説明（31 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 層4 2 8 a — 4 3 2 a被用作雜質元素的掩模，且提供p 型的雜質元素被加入，以致以自對準方式形成雜質區。在 本實施例中，利用離子摻雜方法，用乙硼烷（B 2 Η 6 )形 成雜質區 453、454、459 和 460 (圖 7Β)。 在第四摻雜過程中，形成η通道TFT的半導體層被抗蝕 劑組成的掩模4 5 0 a - 4 5 0 c覆蓋。藉由第一到第三 摻雜過程，不同濃度的磷被加入到各個雜質區4 5 3和 4 5 4。摻雜過程被如此執行，致使二個區域中的p型摻 雜雜質元素的濃度能夠是每立方釐米lx 1 〇 19 - 5x 1 0 2 1原子。於是，當它們用作P通道T F T的源區和汲 區時，就不會出現問題。 藉由上述處理，雜質區被分別形成在半導體層中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，淸除抗鈾劑組成的掩模4 5 0 a - 4 5 0 c ， 並在其上形成第一層間絕緣膜4 6 1。第一層間絕緣膜 4 6 1可以是用電漿C V D方法或濺射方法形成的厚度爲 1 0 0 — 2 0 0 n m的含ΐ夕的絕緣膜。在本實施例中，用 電漿C V D方法形成了厚度爲1 5 0 n m的氮氧化矽膜。 第一層間絕緣膜4 6 1不局限於氮氧化矽膜，而可以是單 層或疊層結構的含矽的其他絕緣膜。 接著，如圖7 C所示，執行加熱過程以恢復半導體層 的結晶特性並啓動加入到各個半導體層的雜質元素。利用 退火爐子，用熱退火方法來執行熱處理。可以在具有1 p p m或更低的，最好是〇 · 1 p p m或更低的氧濃度的 氮氣氛中，於4〇〇一 70〇°C ，典型爲500 — 550 IS尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐Ί TT] 552645 A7 B7 五、發明説明（32 ) ' °c下執行熱退火方法。在本實施例中，藉由4小時的 5 5 0 °C熱處理來執行啓動處理。除了熱退火方法之外， 可以採用雷射退火方法或快速熱退火方法（r T A方法） 〇 替代的，可以在形成第一層間絕緣膜之前進行熱處理 。但當被採用的接線材料對熱敏感時，爲了保護像本實施 例中那樣的接線，最好在層間絕緣膜（諸如氮化矽膜之類 的包含矽作爲其主要成分的絕緣膜）之後執行啓動處理。 在執行熱處理（3 0 0 — 5 5 0它下熱處理1 一 1 2 小時）之後，可以執行氫化。此處理用包含在第一層間絕 緣膜4 6 1中的氫來終止半導體層的懸垂鍵。半導體層能 夠被氫化而不管第一層間絕緣膜的存在。替代的，此氫化 可以是電漿氫化（採用電漿激發的氫）或在包含3 -1 0〇％的氫的氣氛中於3 0 0-4 5 0 t下進行1 — 1 2小時的熱處理。 當雷射退火被用於啓動處理時，希望在執行氫化之後 再照射諸如準分子雷射器和Y A G雷射器之類的雷射。 接著，在第一層間絕緣膜4 6 1上，形成由無機絕緣 材料或有機絕緣材料組成的第二層間絕緣膜4 6 2。在本 實施例中，形成厚度爲1 · 6 μ m的丙烯酸樹脂膜，其粘度 爲10— lOOOcp ，最好是40 — 2〇〇cp ，並具 有形成在表面上的凹陷和突出。 在本實施例中，爲了防止鏡面反射，形成表面上具有 突出和凹陷（未示出）的第二層間絕緣膜。於是’突出和 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 552645 A7 B7 五、發明説明（33 ) 凹陷被形成在圖素電極的表面上。爲了藉由在圖素電極表 面上形成凹陷和突出而獲得光彌散的效果，突出部分可以 被形成在圖素電極下面。在此情況下，可以利用相同於形 成T F T用的掩模來形成突出部分。這樣，就能夠形成突 出部分而不增加步驟數目。突出部分可以按需要提供在除 了接線和T F T部分之外的圖素區中的基底上。因此，突 出和凹陷能夠沿著形成在覆蓋突出部分的絕緣膜表面上的 突出和凹陷，被形成在圖素電極的表面上。 替代的，第二層間絕緣膜4 6 2可以是具有平坦表面 的膜。在此情況下，在形成圖素電極之後，藉由執行諸如 公衆熟知的噴沙方法和蝕刻方法之類的外加處理，突出和 凹陷被形成在表面上。最好藉由防止鏡面反射和藉由彌散 反射光，來提高白度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在驅動電路5 0 6中分別形成電連接各個雜質區的接 線4 6 3 — 4 6 7。藉由對厚度爲5 0 n m的T i膜與厚 度爲5 0 0 n m的合金膜（A 1和T i的合金膜）的疊層 膜進行圖形化來形成這些接線。不局限於二層結構，而可 以是單層結構或包括三層或更多層的層疊墊片。接線的材 料不局限於A 1和T i 。例如，可以藉由在τ a N膜上形 成A 1或C u ，然後對其中形成了 τ i膜的疊層膜進行圖 形化來形成接線（圖8 )。 在圖素部分5 0 7中，形成圖素電極4 7 0、閘極接 線4 6 9和連接電極4 6 8。源極接線（層4 3 3 a和 4 3 3 b的疊層）與圖素TFT被連接電極4 6 8電連接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0χ 297公釐） -36- 552645 A7 B7 五、發明説明（34 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。閘極接線4 6 9與圖素T F T的閘極電極被電連接。圖 素電極4 7 0與圖素TF T的汲區電連接。而且，圖素電 極4 7 0與用來形成儲存電容的一個電極的半導體層電連 接。希望諸如包含A 1或A g作爲其主要成分的膜或疊層 膜之類的具有優異反射性的材料被用於圖素電極4 7 0。 以這種方式，能夠在同一個基底上形成具有包括η通 道TFT 501和p通道TFT 502的CMOS電 路和η通道T F T 5 0 3的驅動電路5 0 6以及具有圖 素TFT 504和儲存電容505的圖素部分507。 這樣就完成了主動矩陣基底。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 驅動電路5 0 6的η通道TFT 5 0 1具有通道形 成區4 3 7、與構成閘極電極一部分的第一導電層4 2 8 a重疊的低濃度雜質區436 (GOLD區）、以及用作 源區或汲區的高濃度雜質區4 5 2。被電極4 6 6連接的 與η通道TFT 5 0 1 —起組成CMOS電路的p通道 TFT 502 ，具有通道形成區440、用作源區或汲 區的高濃度雜質區4 5 3、以及低濃度雜質區4 5 4。η 通道TFT 503具有通道形成區443、與構成閘極 電極一部分的第一導電層4 3 0 a重疊的低濃度雜質區 442 (GOLD區）、用作源區或汲區的高濃度雜質區 4 5 6。 圖素部分的圖素TFT 5 0 4具有通道形成區 4 4 6、形成在閘極電極外面的低濃度雜質區4 4 5 ( L D D區）、以及用作源區或汲區的高濃度雜質區4 5 8 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552645 Δ7 Α7 Β7 五、發明説明（35 ) ° η型摻雜雜質元素和p型摻雜雜質元素被加入到用作儲 存電容5 0 5的一個電極的半導體層。儲存電容5 0 5用 絕緣膜4 1 6作爲介質，由電極（層4 3 2 a和4 3 2 b 的疊層）和半導體層組成。 本實施例中的圖素結構被安排成使光能夠被阻擋在圖 素電極之間的空間內，且圖素電極的末端能夠與源極接線 重疊而無須使用黑矩陣。 圖9顯示本實施例生産的主動矩陣基底的圖素部分的 俯視圖。相同的參考號被用於圖6 A - 9中的相應部分。 圖8中的虛線A - A ’對應於沿圖9中虛線A — A ’的剖 面圖。圖8中的虛線B — B ’對應於沿圖9中虛線B — B ’的剖面圖。 應該指出的是，本例子能夠與實施例1 - 3中的任何 一個自由組合。 〔實施例5〕 下面用圖1 0來說明從第四實施例中形成的主動矩陣 基底製造反射型液晶顯示裝置的處理。 首先，在得到根據第四實施例的圖8狀態的主動矩陣 基底之後，至少在圖8的主動矩陣基底的圖素電極4 7 0 上形成定向膜5 6 7，並對其執行摩擦處理。順便一提， 在本實施例中，在形成定向膜5 6 7之前，諸如丙烯樹脂 膜的有機樹脂膜被圖形化，以便在所希望的位置形成柱形 間隔5 7 2來支援具有間隔的基底。同時，在基底的整個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ #. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -38- 552645 B7 五、發明説明（36 ) 表面上可以分佈球形間隔來代替柱形間隔。 然後製備相反基底5 6 9。再在相反基底5 6 9上形 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成彩色層5 7 0和5 7 1以及整平膜5 7 3。藉由將紅色 層5 7 0與藍色層5 7 1重疊在一起而形成遮光部分。同 時，可以藉由部分地重疊紅色層和綠色層來形成遮光部分 〇 在本實施例中，採用了第四實施例所示的基底。因此 ’在顯示第四實施例的圖素部分俯視圖的圖9中，需要至 少對閘極接線4 6 9與圖素電極4 7 0之間的間隙、閘極 接線4 6 9與連接電極4 6 8之間的間隙、以及連接電極 4 6 8與圖素電極4 7 0之間的間隙進行遮光。在本實施 例中，藉由安置彩色層而將各個基底鍵合在一起，致使具 有各個彩色層的疊層的遮光部分與待要遮光的部分重疊。 以這種方式，各個圖素之間的間隙被具有各個彩色層 的疊層的遮光部分遮光，而無須形成諸如黑掩模之類的遮 光層，從而能夠減少處理數目。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，在至少圖素部分中的整平膜5 7 3上形成透明 導電膜組成的相反電極5 7 6。在相反電極的整個表面上 形成定向膜5 7 4，並對其執行摩擦處理。 然後’用密封構件5 6 8，將形成有圖素部分和驅動 電路的主動矩陣基底與相反基底鍵合到一起。密封構件 5 6 8與塡充劑混合，致使塡充劑與柱形間隔將二個基底 以均勻的間距鍵合到一起。然後，將液晶材料5 7 5注入 基底之間，並用密封劑（未示出）完全封閉。液晶材料 本ί氏張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐） 71 ---- 552645 A7 B7 五、發明説明（37 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 7 5可以是熟知的液晶材料。以這種方式，就完成了圖 1 0所示的反射型液晶顯示裝置。如有需要，主動矩陣基 底或相反基底可以被分割成所希望的形狀。而且，偏振片 C未示出）僅僅被鍵合在相反基底上。然後用熟知的技術 鍵合F P C。 如上所述製造的液晶顯示裝置是利用具有大尺寸晶粒 的半導體膜製造的。因此，有可能得到足夠的工作特性和 良好的可靠性。如上製造的液晶顯示裝置能夠被用作各種 領域的電器的顯示部分。 順便一提，本實施例能夠與實施例1 - 4自由組合。 〔實施例6〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施例說明用本發明製造的發光裝置的例子。在本 說明書中，發光裝置通常指的是具有密封在基底與蓋構件 之間的形成在基底上的發光元件的顯示幕以及在顯示幕上 安置有I C的顯示模組。順便一提，發光元件具有包括藉 由施加電場而獲得電致發光的有機化合物的層（發光層） 、陽極、以及陰極。同時，有機化合物中的電致發光包括 從單重態返回到基態時的光發射（熒光）以及從三重態返 回到基態時的光發射（磷光），包括任何一種或二種光發 射。 在本說明書中，所有提供在陽極與陰極之間的層都被 定義爲有機發光層。具體地說，有機發光層包括發光層、 電洞注入層、電子注入層、電洞傳送層、電子傳送層等。 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552645 Δ7 Α7 Β7 五、發明説明（38 ) (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁). 發光元件的基本結構是由陽極層、發光層、以及陰極層按 此順序層疊的疊層，或陽極層、電洞注入層、發光層、電 子傳送層、以及陰極層按此順序層疊的疊層。 圖1 1是本實施例的發光裝置的剖面圖。在圖1 1中 ，提供在基底7 0 0上的開關T F T 6 0 3由圖8的η 通道T F Τ 5 0 3組成。因此，有關結構的說明可參照 η通道T F Τ 5 0 3的說明。 順便一提，雖然本實施例是以二個通道區形成的雙閘 結構，但有可能採用以一個通道區形成的單閘結構或以3 個通道區形成的三閘結構。 提供在基底7 0 0上的驅動電路是用圖8的C Μ〇S 電路形成的。因此，有關結構的說明，可參照η通道 TFT 5 0 1和P通道T F T 5 0 2的說明。順便一 提，雖然本實施例是單閘結構，但有可能採用雙閘結構或 三閘結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時，接線7 0 1和7 0 3用作C Μ〇S電路的源極 接線，而接線7 0 2用作汲極接線。同時，接線7 0 4用 作電連接開關T F Τ的源極接線7 0 8與源區之間的接線 ，而接線7 0 5用作電連接開關T F Τ的汲極接線7 0 9 與汲區之間的接線。 順便一提，電流控制T F Τ 6 0 4由圖8的Ρ通道 TFT 5 ◦ 2組成。因此，有關結構的說明，可參照有 關P通道T F T 5 0 2的說明。順便一提，雖然本實施 例是單聞結構，但有可能採用雙聞結構或三聞結構。 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 552645 A7 B7 五、發明説明（39 ) 同時，接線7 0 6是電流控制T F T的源極接線（相 當於電流饋線），而接線7 0 7是待要藉由重疊電流控制 T F T的圖素電極而電連接到圖素電極7 1 1的電極。 同時，參考號7 1 1是由透明導電膜形成的圖素電極 (發光元件的陽極）。氧化銦與氧化錫的化合物、氧化銦 與氧化鋅的化合物、氧化鋅、氧化錫或氧化銦，能夠被用 作透明導電膜，或者可以採用如上所述加入了鎵的透明導 電膜。在形成接線之前，圖素電極7 1 1被形成在平整的 層間絕緣膜7 1 0上。在本實施例中，用樹脂組成的整平 膜7 1 0來整平T F T造成的步階，是非常重要的。稍後 要形成的發光層，由於厚度極小而可能由於臺階的存在引 起不良的光發射。因此，在形成圖素電極之前，希望提供 整平，使發光層能夠被形成得盡可能平整。 在形成接線7 0 1 — 7 0 7之後，如圖1 1所示形成 築堤712。可以藉由對厚度爲1〇〇 — 400n m的含 矽的絕緣膜或有機樹脂膜進行圖形化來形成築堤7 1 2。 順便一提，由於築堤7 1 2是絕緣膜，故必須小心源 積過程中的元件靜電擊穿。在本實施例中，碳顆粒或金屬 顆粒被加入到作爲築堤7 1 2材料的絕緣膜，從而降低了 電阻率’並抑制了靜電的出現。在這種情況下，碳或金屬 顆粒的加入量可以被調整，以提供1 X 1 〇 6 一 1 X 1 〇 1 2 Ω m (最好是1 X 1 0 8 — 1 X 1 〇 1 〇 Q m )的電阻率。 發光層7 1 3被形成在圖素電極7 1 1上。順便一提 ，雖然圖1 1僅僅顯示一個圖素，但本實施例分別形成了 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -42- 552645 Δ7 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（40 ) 對應於顔色R (紅色）、G (綠色）、B (藍色）的各個 發光層。同時，在本實施例中，用澱積處理形成了低分子 量有機電致發光材料。具體地說，這是一種以厚度爲2 0 n m的 菁銅（C u P c )膜作爲電洞注入層而厚度爲 7 0 n m的三一 8 — 啉鋁絡合物（A 1 Q 3 )膜作爲發 光層的疊層結構。藉由將諸如二氫 吖啶二酮、二萘嵌苯 或D C Μ 1之類的熒光顔料加入到A 1 Q 3中，能夠控制 發射光的顔色。 但上述例子是用作發光層的有機電致發光材料的例子 ，不必局限於此。藉由自由組合發光層、電子傳送層和電 子注入層，可以形成發光層（用於發光和載子運動的層） 。例如，雖然本實施例被示爲低分子量有機電致發光材料 被用於發光層的例子，但有可能採用中等分子量有機電致 發光材料或高分子量有機電致發光材料。此外，不具有昇 華性質的有機化合物的聚合體，或分子性爲2 0或更小的 聚合體’或分子鏈長度爲1 Ομιη或更小的有機電致發光材 料，是本說明書中的中等分子量有機電致發光材料。作爲 採用高分子量有機電致發光材料的例子，可以是以用甩塗 方法提供的厚度爲2 0 n m的聚噻吩（p E D〇Τ )膜作 爲電洞注入層而其上提供的厚度約爲1 〇 〇 n m的聚亞苯 基乙烯（P P V )膜作爲發光層的疊層結構。順便一提， 若採用P P V的共軛聚合物材料，則能夠分別選擇從紅色 到藍色的發射光的波長。同時，有可能採用諸如碳化砂的 無機材料作爲電子傳送層或電子注入層。這些有機電致發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i〇x297公釐) * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 552645 A7 — —_B7 五、發明説明（41 ) 光材料或無機材料可以是熟知的材料。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在發光層7 1 3上提供導電膜組成的陰極 7 1 4。在本實施例中，鋁與鋰的合金膜被用作導電膜。 可以採用熟知的M g A g膜（錳與銀的合金膜）。屬於周 期表I族或I I族的元素導電膜，或加入有這種元素的導 電膜，可以被用作陰極材料。 在形成了陰極714時，就完成了發光元件715。 順便一提，此處的發光元件7 1 5指的是形成有圖素電極 (陽極）711 、發光層713、以及陰極714的二極 體。 可以提供鈍化膜7 1 6來完全覆蓋發光元件7 1 5。 鈍化膜7 1 6由包括碳膜、氮化矽膜、或氮氧化矽膜的絕 緣膜形成，而所用的是單層或組合疊層的絕緣膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此情況下，最好採用有利於覆蓋的膜作爲鈍化膜。 可以採用碳膜，特別是D L C (類金剛石碳）膜。能夠在 室溫到1 0 0 °C的溫度範圍內澱積的D L C膜，能夠被容 易地澱積在抗熱性低的發光層7 1 3上。同時，對氧具有 高阻擋作用的D L C膜能夠抑制發光層7 1 3的氧化。因 此，防止了發光層7 1 3在下面的密封處理過程中的氧化 問題。 而且，密封構件7 1 7被提供在鈍化膜7 1 6上，以 便鍵合蓋元件7 1 8。紫外線固化樹脂可以被用作密封構 件7 1 7。可以在其中提供具有吸濕作用和抗氧化作用的 物質。同時，在本實施例中，其二個表面上形成有碳膜（ -44 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 552645 at B7 五、發明説明（42 ) 最好是類金剛石碳膜）的玻璃基底、石英基底、或塑膠基 底（包括塑膠膜），被用作蓋元件7 1 8 ° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這樣就完成了具有圖1 1所示結構的發光裝置。順便 一提，利用多工作室源積裝置方案（在線方案）’可以在 形成築堤7 1 2之後連續地進行形成鈍化膜7 1 6的處理 而不暴露於空氣。此外，隨著進一步發展’有可能連續地 執行處理直至鍵合蓋元件718而不暴露於空氣。 以這種方式，在基底7 0 0上完成了 n通道T F τ 601、Ρ通道TFT 602、開關TFT (η通道 TFT) 603、以及電流控制TFT (ρ通道TFT) 6 0 4 〇 而且，如用圖1 1說明的那樣’藉由提供通過絕緣膜 與閘極電極重疊的雜質區，有可能形成抗熱載子效應引起 的退化的η通道T F 丁。從而能夠實現可靠的發光裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時，本實施例僅僅顯示圖素部分和驅動電路的構造 。但根據本實施例的製造處理，有可能在同一個絕緣元件 上形成諸如訊號除法電路、D / Α轉換器、運算放大器、 r修正電路之類的邏輯電路。而且，可以形成記憶體或微 處理器。 而且，用圖1 2說明了一種直至完成用來保護發光元 件的密封（或包封）處理的發光裝置。順便一提，圖1 1 中所用的參考號如所要求被引用。 圖1 2 A是俯視圖，顯示發光元件直至完成密封的狀 態，而圖1 2 B是沿圖1 2 A的C 一 C ’線的剖面圖。虛 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552645 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（43 ) 線指定的參考號8 0 1是源極驅動電路，8 0 6是圖素部 分，而8 0 7是閘極驅動電路。此外，參考號9 〇 1是蓋 構件，參考號9 0 2是第一密封構件，而參考號9 〇 3是 第二密封構件。包封材料9 〇 7被提供在密封構件9 〇 2 所包圍的內部。 順便一提’參考號9 0 4是傳送待要輸入到源極驅動 電路8 0 1和閘極驅動電路8 0 7的訊號以及接收來自作 爲外部輸入端子的F P C (軟性印刷電路）的視頻訊號和 時鐘訊號的接線。順便一提，雖然此處僅僅顯示；p p C， 但F P C可以附著有印刷接線板（p w B )。所描述的發 光裝置不僅包括發光裝置主體，還包括與F P c或PWB 固定的這種裝置。
fe：者’用圖1 2 B對剖面結構進行說明。圖素部分 8 0 6和閘極驅動電路8 0 7被形成在基底7 0 0上。圖 素部分8 0 6形成有各包括電流控制τ F T 6 0 4以及 電連接到其汲極的圖素電極的多個圖素。同時，聞極驅動 電路807由具有η通道TFT 601和p通道TFT 6 0 2的C Μ〇S電路組成。 圖素電極7 1 1用作發光元件的陽極。同時，築堤 7 1 2被形成在圖素電極7 1 1的二端。發光元件的發光 層713和陰極714被形成在圖素電極711上。 陰極7 1 4還用作所有圖素的公共接線，並被連接接 線9 0 4電連接到F P C 9 0 5。而且，包括在圖素部 分8 0 6和閘極驅動電路8 0 7中的所有元件，都被鈍化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ -46 - 552645 A7 B7 五、發明説明（44 ) 膜7 1 6覆蓋。 同時，盡構件9 0 1被第一密封構件9 〇 2鍵合。順 便一提，爲了固定蓋構件g 〇 2與發光元件之間的間距， 可以提供樹脂膜間隔。包封材料9 0 7被塡充在第一密封 構件9 0 2內部。順便一提，第一密封構件9 〇 2和包封 材料9 0 7最好採用環氧樹脂。同時，第一密封構件 9 0 2最好由透水和氧盡可能少的材料組成。而且，包封 材料9 0 7可以包含具有吸濕作用和抗氧化作用的物質。 覆蓋發光元件的包封材料9 〇 7還用作粘合劑來鍵合 蓋構件9 0 1。同時，在本實施例中，f R p (玻璃纖維 強化塑膠）、p v F (聚氟乙烯）、M y 1 e r 、聚酯、 或丙烯酸，能夠被用作形成蓋構件9 〇 1的塑膠基底材料 9 Ο 1 a 〇 同時，在用包封材料9 〇 7鍵合蓋構件9 Ο 1之後， 提供第二密封構件9 0 3，以便覆蓋包封材料9 〇 7的側 面（暴露的表面）。與第一密封構件9 0 2相同的材料可 以被用於第二密封構件9 0 3。 利用上述結構’藉由將發光元件包封在包封材料 9 0 7中，發光元件能夠被完全隔離於外部。有可能防止 加速發光層退化的諸如水或氧之類的物質從外部進入。於 是能夠獲得可靠的發光裝置。 如上所述製造的發光裝置是用具有大尺寸晶粒的半導 體膜製造的。因此，有可能得到足夠的工作特性和良好的 可靠性。如上製造的液晶顯示裝置能夠被用作各種領域的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公慶) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 、11 f. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -47- 552645
、發明説明（45 電器的顯示部分。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 順便一提，本實施例能夠與實施例1 一 4自由組合。 〔實施例7〕 本發明能夠被用於各種電光裝置（主動矩陣型液晶顯 示裝置、主動矩陣型發光裝置、主動矩陣型E C顯示裝置 )中。亦即，本發明能夠在所有在其顯示部分整合有電光 顯示裝置的電子設備中執行。
如圖 13A— 13F、14A — 14D、以及 15A 一 1 5 C所示，作爲這種電子設備，如視頻相機、數位相 機、投影儀、頭戴式顯示器（風鏡式顯示器）、車輛導航 系統、汽車音響、個人電腦、攜帶型資訊終端（移動電腦 '行動電話、電子記事本等）等。 圖13A是一種個人電腦，它包含主體3〇〇1、影 像輸入部分3 0 0 2、顯示部分3 0 0 3、鍵盤3 0 0 4 等。本發明能夠被應用於顯示部分3 〇 〇 3。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3 B是一種視頻相機，它包括主體3 1 〇 1、顯 示部分3 1 〇 2、聲音輸入部分3 1 〇 3、操作開關 3104、電池310 5、影像接收部分3106等。本 發明可應用於顯示部分3 1 0 2。 圖1 3 C顯示一種移動電腦，它包括主體3 2 0 1、 相機部分3 2 0 2、影像接收部分3 2 0 3、操作開關 3 2 0 4、顯示部分3 2 0 5等。本發明能夠被用於顯示 部分3 2 0 5。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48- 552645 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（46 ) 圖1 3 D顯示一種風鏡式顯示器，它包括主體 3 3 0 1 、顯示部分3 3 0 2、臂部分3 3 0 3等。本發 明能夠被用於顯示部分3 3 0 2。 圖1 3 E顯示一種使用記錄了程式的記錄媒體（以下 稱爲記錄媒體）的遊戲機，它包含主體3 4 0 1、顯示部 分3402、揚聲器部分3403、記錄媒體3404、 操作開關3 4 0 5等。此遊戲機採用D V D (數位萬能碟 盤）、C D等作爲記錄媒體，並能夠欣賞音樂、欣賞電影 和玩遊戲、或上網。本發明能夠被應用於顯示部分 3 4 0 2 ° 圖1 3 F顯示一種數位相機，它包含主體3 5 0 1、 顯示部分3 5 0 2、眼睛接觸部分3 5 0 3、操作開關 3 5 0 4、影像接收單元（未示出）等。本發明能夠被應 用於顯示部分3 5 0 2。 圖1 4 A顯不一種正投式投影儀，它包含投影設備 3 6 0 1和螢幕3 6 0 2等。本發明可應用於液晶顯示裝 置和組成部分投影設備3 6 0 1的其他電路。 圖1 4 B顯示一種背投式投影儀，它包含主體 3701、投影設備3702、平面鏡3703、螢幕 3 7 0 4等。本發明可應用於液晶顯示裝置和組成部分投 影設備3 7 0 2的其他電路。 而且，圖1 4 C顯示圖1 4 A和圖1 4 B中的投影設 備3 6 0 1和3 7 0 2的結構的例子。投影設備3 6 0 1 或3702包含光源光學系統3801、平面鏡3802 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Φ·. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -49- 552645 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _B7五、發明説明（47 ) 和 38 0 4 — 3806 、分色鏡 38 0 3 、棱鏡 3807 、液晶顯示裝置3 8 0 8、相位差片3 8 0 9、以及投影 光學系統3 8 1 0。投影光學系統3 8 1 0由包括投影透 鏡的光學系統組成。雖然本實施例顯示三片式的例子，但 本實施例不特別局限於此，而是例如可以是單片式。而且 ，在圖1 4 C的箭頭所示的光路中，實施本發明的人員可 以適當地提供諸如光學透鏡、具有偏振功能的膜、用來調 整相位差的膜、或紅外膜之類的光學系統。 而且，圖1 4 D顯示圖1 4 C中的光源光學系統 3 8 0 1的結構例子。根據本實施例，光源光學系統 3801包含反射器3811、光源3812、透鏡陣列 3 8 1 3和3 8 1 4、偏振轉換元件3 8 1 5、以及聚焦 透鏡3 8 1 6。而且，圖1 4 D所示的光源光學系統僅僅 是一個例子，且此例子不特別局限於此。例如，實施本實 施例的人員可以適當地將諸如光學透鏡、具有偏振功能的 膜、用來調整相位差的膜、或紅外膜之類的光學系統提供 到光源光學系統中。 然而，根據圖1 4所示的投影儀，顯示採用透射型電 光裝置的情況，而未示出應用反射型電光裝置和發光裝置 的例子。 圖1 5 A顯示一種行動電話，它包括主體3 9 0 1、 聲音輸出部分3 902、聲音輸入部分3903、顯示部 分3 9 0 4、操作開關3 9 0 5、天線3 9 0 6等。本發 明能夠被應用於顯示部分3 9 0 4。 張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 552645 A7 ___B7 五、發明説明（48 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 圖1 5 B顯示一種攜帶型記事本（電子記事本），它 包括主體4 0 0 1、顯示部分4 0 0 2和4 0 0 3、記錄 媒體4 0 0 4、操作開關4 0 0 5、天線4〇0 6等。本 發明能夠被應用於顯示部分4 0 0 2和4 0 0 3。 圖15C顯示一種顯示器，它包括主體4101、支 持座4 1 0 2、顯示部分4 1 0 3等。本發明能夠被應用 於顯示部分4 1 0 3。根據本發明的顯示器在大螢幕情況 下特別優越，並在對角線長度爲1 0英寸或以上（特別是 3 0英寸或以上）的顯示器中是有優點的。 如已經描述的那樣，本發明的應用範圍極爲廣闊，並 可應用於所有領域的電子設備。根據與實施例1 - 5中的 結構自由組合，能夠實現本發明的電子設備。 〔實施例8〕 在本實施例中，用圖2 0來說明利用反射板來反射照 射到基底的雷射光束並再次將雷射光束輻射到基底的方法 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖2 0中，顯示基底2 00、雷射光束2 2 0 a和 220b、反射光23〇a和23〇b、第一反射板 240、以及第二反射板25 0。而且，參考號1〇6、 1 07、1 08表示基底的移動方向。 雷射光束2 2 0 a被入射到基底，然後透射通過基底 ，在第一反射板2 4 0上被反射，並再次入射到基底。此 雷射光束被描述爲反射光230a。反射光230a被第 本紙尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公i ) ~ ' 552645 A7 B7 五、發明説明（49 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 二反射板基底方向反射。同樣雷射光束2 2 0 b被入射到 基底，然後透射通過基底，並被第一反射板2 4 0向基底 方向反射。此雷射光束被描述爲反射光2 3 0 b。如在實 施例1 - 3中那樣，此雷射光束被柱形透鏡、隔離體等適 當地處理。相似於實施例1，基底被移動，雷射光束從而 能夠照射到整個基底表面。 於是，若利用反射板將多個雷射光束照射到基底，則 雷射光束的反射光也能夠被有效地利用。因此，産率得到 改善，從而能夠有效地照射雷射光束。而且，在本實施例 的構造中，利用多個雷射器光源，還能夠防止干涉。但當 在被照射的基底中沒有雷射光束重疊時，也可以採用同一 個雷射器光源。 在本實施例中，反射板被安排成平行於基底，但也可 以相對於基底傾斜地安排。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施例能夠被用於實施例1 - 7。但當從一個雷射 器光源振蕩的雷射光束被分割並被用作多個雷射光束時， 爲了防止干涉，基底到反射板的距離必須等於或大於雷射 光束的相干長度的一半。但當沒有雷射光束在被照射的基 底中被重疊時，也可以採用同一個雷射器光源。 〔實施例9〕 在本實施例中，用圖2 1來說明利用反射板來反射照 射到基底的雷射光束並再次將雷射光束輻射到基底的方法 -52- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552645 A7 ___B7_ 五、發明説明（5〇 ) 在圖2 1中，顯示基底2 1 2、雷射光束2 1 1 a、 211b、211c、211d、反射光214a、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 14b、214c、214d、以及反射板 213。參 考號1 06、1 Ο 7、1 08表示基底的移動方向。 雷射光束2 1 1 a被入射到基底，然後透射通過基底 ，並在反射板2 1 3上被發射，並再次入射到基底。此雷 射光束被描述爲反射光2 1 4 a。雷射光束2 1 1 b被入 •射到基底，然後透射通過基底，並在反射板2 1 3上被反 射，且再次入射到基底。此雷射光束被描述爲反射光 2 1 4 b。雷射光束2 1 1 c被入射到基底，然後透射通 過基底，並在反射板2 1 3上被反射，並再次入射到基底 。此雷射光束被描述爲反射光2 1 4 c。雷射光束2 1 1 d被入射到基底，然後透射通過基底，並在反射板2 1 3 上被反射，且再次入射到基底。此雷射光束被描述爲反射 光2 1 4 d。如在實施例1 - 3中那樣，此雷射光束被柱 形透鏡、隔離器等適當地處理。相似於實施例1 ，基底被 移動，雷射光束從而能夠照射到整個基底表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於是，若利用反射板將多個雷射光束照射到基底，則 雷射光束的反射光也能夠被有效地利用。因此，産率得到 改善，從而能夠有效地照射雷射光束。而且，在本實施例 的構造中，利用多個雷射器光源，還能夠防止干涉。但當 在被照射的基底中沒有雷射光束重疊時，也可以採用同一 個雷射器光源。 在本實施例中，反射板被安排成平行於基底，但也可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） -53- 552645 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（51 ) 以相對於基底傾斜地安排。 本實施例能夠被用於實施例1 - 7。但當從一個雷射 器光源振蕩的雷射光束被分割並被用作多個雷射光束時， 爲了防止干涉，基底到反射板的距離必須等於或大於雷射 光束的相干長度的一半。但當沒有雷射光束在被照射的基 底中被重疊時，也可以採用同一個雷射器光源。 〔本發明的效果〕 採用本發明的構造，能夠獲得下列基本的有意義的性 質。 (a )這是一種符合T F T常規製造處理的簡單方法 〇 (b )有可能發射在照射表面上具有相同能量分佈的 雷射光束。 (C )産率能夠得到改善。這在大面積基底的情況下 是特別有效的。 (d )有可能形成晶粒接近單晶顆粒的半導體膜。 (e )除了滿足上述優點之外，在以主動矩陣型液晶 形式裝置爲代表的半導體裝置中，能夠實現半導體裝置工 作特性和可靠性的改善。而且，能夠實現半導體裝置製造 成本的降低。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -^91. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -54-

Claims (1)

  1. 552645 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 1 1 · 一種雷射照射裝置，包含： 雷射器； 分割機構，用來將雷射器發射的雷射光束分割成多個 雷射光束； 照射表面，其相對多個雷射光束傾斜地安置； 形成機構，用來將多個雷射光束在照射表面上的形狀 形成爲橢圓形或矩形；以及 移動機構，用來沿第一方向和與第一方向相反的方向 移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置，並沿第二方 向移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置； 其中多個雷射光束對照射表面的入射角0相同，或當 多個雷射光束的寬度被設定爲W且基底的厚度被設定爲d 時，滿足 0 >arcsin(W/2d)。 2 ·如申請專利範圍第1項之雷射照射裝置，其中用 來分割雷射光束的分割機構具有光束分裂器。 3 _如申請專利範圍第1項之雷射照射裝置，其中用 來將多個雷射光束在照射表面上的形狀形成爲橢圓形或矩 形的形成機構具有凸透鏡、柱形透鏡、或光柵。 4 ·如申請專利範圍第1項之雷射照射裝置，其中用 來移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置的移動機構 爲一平台。 5 ·如申請專利範圍第1項之雷射照射裝置，其中的 雷射器是連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T #1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -55 - 552645 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利範圍 2 6 ·如申請專利範圍第1項之雷射照射裝置，其中的 雷射器是選自連1買振湯或脈衝振湯的Y A G雷射器、 γ V〇4雷射器、γ L F雷谢器、Y A 1〇3雷射器、玻璃 雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的藍寶 石雷射器之一種或多種。 7 .如申請專利範圍第1項之雷射照射裝置，其中的 雷射器是選自A r雷射器和K r雷射器的一種或多種。 8 · —種雷射照射裝置，包含： 多數雷射器； ~隔離器； 形成機構，用來將多個雷射光束在照射表面上的形狀 形成爲橢圓形或矩形；以及 移動機構，用來沿第一方向和與第一方向相反的方向 移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置，並沿第二方 向移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置。 9 ·如申請專利範圍第8項之雷射照射裝置，其中用 來將多個雷射光束在照射表面上的形狀形成爲橢圓形或矢巨 形的形成機構具有凸透鏡、柱形透鏡、或光柵。 1 〇 ·如申請專利範圍第8項之雷射照射裝置，其中 用來移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置的移画力|幾 構爲一平台。 1 1 .如申請專利範圍第8項之雷射照射裝置，# φ 的雷射器是連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器。· 1 2 .如申請專利範圍第8項之雷射照射裝置，# ψ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -56 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    552645 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 的雷射器是選自連續振蕩或脈衝振蕩的Y A G雷射器、 YV〇4雷射器、YLF雷射器、ya丨〇3雷射器、玻璃 雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的藍寶 石雷射器的一種或多種。 1 3 .如申請專利範圍第8項之雷射照射裝置，其中 的雷射器是選自A r雷射器和κ r雷射器的一種或多種。 1 4 . 一種雷射照射裝置，包含： 多個雷射器； 照射表面，其相對於多個雷射光束傾斜地安置； 形成機構，用來將多個雷射光束在照射表面上的形狀 形成爲橢圓形或矩形；以及 移動機構’用來沿第一方向和與第一方向相反的方向 移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置，並沿第二方 向移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置； 其中多個雷射光束對照射表面的入射角0相同，或當 多個雷射光束的寬度被設定爲W且基底的厚度被設定爲d 時，滿足 0 >arcsin(W/2d)。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之雷射照射裝置，其 中用來將多個雷射光束在照射表面上的形狀形成爲橢圓形 或矩形的形成機構具有凸透鏡、柱形透鏡、或光柵。 1 6 _如申請專利範圍第1 4項之雷射照射裝置，其 中用來移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置的移動 機構爲一平台。 本‘張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -57 - ： '- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I)
    552645 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 1 7 _如申請專利範圍第1 4項之雷射照射裝置，其 中的雷射器是連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4項之雷射照射裝置，其 中的雷射器是選自連續振蕩或脈衝振蕩的Y A G雷射器、 YV〇4雷射器、YLF雷射器、YA 1〇3雷射器、玻璃 雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的藍寶 石雷射器的一種或多種。 1 9 _如申請專利範圍第1 4項之雷射照射裝置，其 中的雷射器是選自A r雷射器和K r雷射器的一種或多種 〇 2〇· 一種雷射照射裝置，包含： 一個雷射器； 用來將雷射器發射的雷射光束分割成多個雷射光束的 一個光束分裂器； 相對多個雷射光束傾斜地安置的照射表面； 用來將多個雷射光束在照射表面上的形狀形成爲橢圓 形或矩形的多個透鏡；以及 用來移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置的一 個平台。 > 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之雷射照射裝置，其 中的雷射器是一個連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器。 2 2 ·如申請專利範圍第2 0項之雷射照射裝置，其 中的雷射器是選自連續振蕩或脈衝振蕩的Y A G·雷射器、 YV〇4雷射器、YLF雷射器、YA 1〇3雷射器、玻璃 本1張尺度適用巾關家縣（〇^)八4胁（210\297公釐)~~'"""-58 -— ： --1---r----__ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552645 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻丁 i的藍寶 石雷射器的一種或多種。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 2 3 .如申請專利範圍第2 〇項之雷射照射裝置，其 中的雷射器是選自A r雷射器和κ r雷射器的一種或多種 〇 2 4 . —種雷射照射裝置，包含·· 多個雷射器； 相對於多個雷射光束傾斜地安置的基底的照射表面； 在照射表面反面提供的板；以及 用來移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置的機 構， 其中各個雷射光束入射到基底，然後穿過透基底，並 在板上被反射，且再次入射到基底。 2 5 ·如申請專利範圍第2 4項之雷射照射裝置，其 中的板是反射板。 2 6 ·如申請專利範圍第2 4項之雷射照射裝置，其 中用來移動多個雷射光束在照射表面上的照射位置的機構 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 是一平台。 2 7 ·如申請專利範圍第2 4項之雷射照射裝置，其 中的雷射器是一個連續振蕩或脈衝振.蕩的固體雷射器。 2 8 ·如申請專利範圍第2 4項之雷射照射裝置，其 中的雷射器是選自連續振蕩或脈衝振蕩的γ A G雷射器、 YV〇4雷射器、YLF雷射器、ΥΑ 1〇3雷射器、玻璃 雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的藍寶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -59 - 552645 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 石雷射器的一種或多種。 2 9 ·如申請專利範圍第2 4項之雷射照射裝置，其 中的雷射器是選自A r雷射器和K r雷射器的一種或多種 〇 3 0 · —種雷射照射方法，包含： 用光學系統將多個雷射光束在照射表面上的形狀形成 爲橢圓形或矩形； 在照射表面沿第一方向移動的同時，發射多個雷射光 束； 沿第二方向移動照射表面；以及 在照射表面沿與第一方向相反的方向移動的同時，發 射多個雷射光束。 3 1 ·如申請專利範圍第3 0項之雷射照射方法，其 中一個凸透鏡、一個柱形透鏡、或一個光柵使用當成光學 系統。 3 2 ·如申請專利範圍第3 0項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器振蕩 〇 3 3 ·如申請專利範圍第3 0項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自連續振蕩或脈衝振蕩的γ A G雷射 器、YV〇4雷射器、YLF雷射器、YA 1〇3雷射器、 玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的 藍寶石雷射器的一種或多種振湯。 · 3 4 .如申請專利範圍第3 0項之雷射照射方法，其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -60 - 丨卜 Jl·—:----ΦII (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552645 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 中多個雷射光束由選自A j：雷射器和K r雷射器的一種或 多種振蕩。 3 5 . —種雷射照射方法，包含： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 用光學系統將多個雷射光束在相對於多個雷射光束傾 斜地安置的照射表面上的形狀形成爲橢圓形或矩形； 在照射表面沿第一方向移動的同時，發射多個雷射光 束，其中多個雷射光束以相同的入射角φ照射，或當多個 雷射光束的寬度被設定爲W且基底的厚度被設定爲d時， 入射角P滿足 9>arcsin(W/2d)； 沿第二方向移動照射表面；以及 在照射表面沿與第一方向相反的方向移動的同時，發 射多個雷射光束。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之雷射照射方法，其 中凸透鏡、柱形透鏡、或光柵使用當成光學系統。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 7 _如申請專利範圍第3 5項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由一個連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器 振蕩。 3 8 ·如申請專利範圍第3 5項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自連續振蕩或脈衝振蕩的γ A G雷射 器、YV〇4雷射器、YLF雷射器、YA 1〇3雷射器、 玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的 藍寶石雷射器的一種或多種振蕩。 · 3 9 .如申請專利範圍第3 5項之雷射照射方法，其 61 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 552645 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 8 中多個雷射光束由選自A r雷射器和K r雷射器的一種或 多種振蕩。 4 0 . —種雷射照射方法，包含·· 用光學系統將多個雷射光束在照射表面上的形狀形成 爲橢圓形或矩形； 在照射表面沿第一方向移動的同時，發射多個雷射光 束； 在照射表面沿與第一方向相反的方向移動的同時，發 射多個雷射光束；以及 沿第二方向移動照射表面。 4 1 ·如申請專利範圍第4 0項之雷射照射方法，其 中凸透鏡、柱形透鏡、或光柵使用當成光學系統。 4 2 .如申請專利範圍第4 0項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器振蕩 〇 4 3 ·如申請專利範圍第4 0項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自連續振蕩或脈衝振蕩的Y A G雷射 器、YV〇4雷射器、YLF雷射器、YA 1〇3雷射器、 玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的 藍寶石雷射器的一種或多種振蕩。 4 4 ·如申請專利範圍第4 0項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自A r雷射器和K r雷射器的一種或 多種振蕩。 · 4 5 · —種雷射照射方法’包含： 本銀旅尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） :62 - ------—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552645 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 9 用光學系統將多個雷射光束在相對於多個雷射光束作頁 斜地安置的照射表面上的形狀形成爲橢圓形或矩形； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在照射表面沿第一方向移動的同時，發射多個雷射光 束，其中多個雷射光束以相同的入射角0照射，或當多個 雷射光束的寬度被設定爲W且基底的厚度被設定爲d時， 入射角4滿足 Φ ^arcsin(W/2d)； 在照射表面沿與第一方向相反的方向移動的同時，以 入射角4發射多個雷射光束；以及 沿第二方向移動照射表面。 4 6 ·如申請專利範圍第4 5項之雷射照射方法，其 中凸透鏡、柱形透鏡、或光柵使用當成光學系統。 4 7 ·如申請專利範圍第4 5項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由一個連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器 振蕩。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 8 ,如申請專利範圍第4 5項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自連續振蕩或脈衝振蕩的γ A G雷射 器、YV〇4雷射器、YLF雷射器、YA 1〇3雷射器、 玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的 藍寶石雷射器的一種或多種振蕩。 4 9 .如申請專利範圍第4 5項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自A r雷射器和K r雷射器的一種或 多種振蕩。 · 5 0 . —種雷射照射方法，包含： 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^63 - : ' 552645 A8 B8 C8 D8 ττ、申請專利範圍 1〇 用光學系統將多個雷射光束在相對於多個雷射光束傾 斜地安置的照射表面上的形狀形成爲橢圓形或矩形； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在照射表面移動的同時，發射多個雷射光束。 5 1 ·如申請專利範圍第5 〇項之雷射照射方法，其 中凸透鏡、柱形透鏡' 或光柵使用當成光學系統。 5 2 ·如申請專利範圍第5 〇項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由一個連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器 振蕩。 5 3 ·如申請專利範圍第5 0項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自連續振蕩或脈衝振蕩的γ A G雷射 器、YV〇4雷射器、YLF雷射器、YA 1〇3雷射器、 玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的 藍寶石雷射器的一種或多種振蕩。 5 4 .如申請專利範圍第5 0項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自A r雷射器和K r雷射器的一種或 多種振蕩。 5 5 . —種雷射照射方法，包含： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用光學系統將多個雷射光束在相對於多個雷射光束傾 斜地安置的照射表面上的形狀形成爲橢圓形或矩形； 在移動的同時，發射多個雷射光束。‘ 5 6 ·如申請專利範圍第5 5項之雷射照射方法，其 中一個凸透鏡、一個柱形透鏡、或一個光柵使用當成光擧 系統。 . 5 7 .如申請專利範圍第5 5項之雷射照射方法，其 64 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 552645 六、申請專利範圍 11 中多個雷射光束由一個連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷射器 振蕩。 5 8 .如申請專利範圍第5 5項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自連纟買振湯或脈衝振蕩的γ A G雷身寸 器、YV〇4雷射器、YLF雷射器、Ya 1‘〇3雷射器、 玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石雷射器、摻T i的 藍寶石雷射器的一種或多種振蕩。 5 9 ·如申請專利範圍第5 5項之雷射照射方法，其 中多個雷射光束由選自A r雷射器和K r雷射器的—種或 多種振蕩。 60.—種半導體裝置的製造方法，包含： 在絕緣表面上形成半導體； 用光學系統將多個雷射光束在半導體膜上的形狀形成 爲橢圓形或矩形； 在半導體膜沿第一方向移動的同時，發射多個雷射光 束； 沿第二方向移動半導體膜；以及 在半導體膜沿與第一方向相反的方向移動的同時，發 射多個雷射光束。 6 1 .如申請專利範圍第6 0項之半導體裝置的製造 方法，其中多個雷射光束由一個連續振蕩或脈衝振蕩的固 體雷射器振蕩。 6 2 .如申請專利範圍第6 0項之半導體裝置的製造 方法，其中的雷射光束由選自連續振蕩或脈衝振蕩的 本^»尺度適用中國國家標準（€奶）八4規格（210父297公釐） -65 - " n If — ϋ IT n n n n u I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AB1CD 552645 六、申請專利範圍 12 YAG雷射器、YV〇4雷射益、Ylf雷射器、 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) Y A 1〇3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石 雷射器、摻丁 i的藍寶石雷射器的〜種或多種振蕩。 6 3 ·如申請專利範圍第6 〇項之半導體裝置的製造 方法，其中的雷射光束由選自A r雷射器和κ r雷射器的 一種或多種振蕩。 6 4 ·如申請專利範圍第6 〇項之半導體裝置的製造 方法，其中凸透鏡、柱形透鏡、或光柵使用當成光學系統 〇 6 5 ·如申請專利範圍第6 〇項之半導體裝置的製造 方法’其中的半導體裝置被組合到選自個人電腦、視頻相 機、移動電腦、風鏡式顯不器、遊戲機、數位相機、正投 式投影儀、背投式投影儀、行動電話、攜帶型記事本、以 及顯示器的電子設備之一中。 66 .—種半導體裝置的製造方法，包含： 在基底上形成半導體膜； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用光學系統將多個雷射光束在相對於多個雷射光束介頁 斜地安置的半導體膜中的形狀形成爲橢圓形或矩形； 在半導體膜沿第一方向移動的同時，發射多個雷射1 束，其中多個雷射光束以相同的入射角4照射，或當多{固 雷射光束的寬度被設定爲W且基底的厚度被設定爲（！時， 入射角4滿足 Φ >arcsin(W/2d) ； · 沿第二方向移動半導體膜；以及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -66 - ^ 〜 552645 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 13 在半導體膜沿與第一方向相反的方向移動的同時，發 射多個雷射光束。 6 7 ·如申請專利範圍第6 6項之半導體裝置的製造 方法，其中多個雷射光束由連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷 射器振蕩。 6 8 .如申請專利範圍第6 6項之半導體裝置的製造 方法，其中的雷射光束由選自連續振蕩或脈衝振蕩的 YAG雷射器、YV〇4雷射器、YLF雷射器、 Y A 1〇3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石 雷射器、摻T i的藍寶石雷射器的一種或多種振蕩。 6 9 ·如申請專利範圍第6 6項之半導體裝置的製造 方法，其中的雷射光束由選自A r雷射器和K r雷射器的 ~種或多種振蕩。 7 0 .如申請專利範圍第6 6項之半導體裝置的製造 方法，其中一個凸透鏡、一個柱形透鏡、或一個光柵使用 當成光學系統。 7 1 .如申請專利範圍第6 6項之半導體裝置的製造 方法，其中的半導體裝置被組合到選自個人電腦、視頻相 機、移動電腦、風鏡式顯示器、遊戲機、數位相機、正投 式投影儀、背投式投影儀、行動電話、攜帶型記事本、以 及顯示器的電子設備之一中。 72 · —種半導體裝置的製造方法，包含： 在絕緣表面上形成半導體膜； . 用光學系統將多個雷射光束在半導體膜中的形狀形成 丨』^卜— ·----ΦII (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --Ί 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -67- A8 B8 C8 D8 552645 六、申請專利範圍 14 爲橢圓形或矩形； 在半導體膜沿第一方向移動的同時，發射多個雷射光 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 束； 在半導體膜沿與第一方向相反的方向移動的同時，發 射多個雷射光束；以及 沿第二方向移動半導體膜。 7 3 ·如申請專利範圍第7 2項之半導體裝置的製造 方法，其中多個雷射光束由一個連續振蕩或脈衝振蕩的固 體雷射器振蕩。 _ 7 4 .如申請專利範圍第7 2項之半導體裝置的製造 方法，其中的雷射光束由選自連續振蕩或脈衝振蕩的 YAG雷射器、YV〇4雷射器、YLF雷射器、 Y A 1 0 3雷射器 '玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石 雷射器、摻T i的藍寶石雷射器的一種或多種振蕩。 7 5 .如申請專利範圍第7 2項之半導體裝置的製造 方法，其中的雷射光束由選自A r雷射器和K r雷射器的 一種或多種振蕩。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 6 ·如申請專利範圍第7 2項之半導體裝置的製造 方法，其中凸透鏡或柱形透鏡使用當成光學系統。 7 7 .如申請專利範圍第7 2項之半導體裝置的製造 方法’其中的半導體裝置被組合到選自個人電腦、視頻相 機、移動電腦、風鏡式顯示器、遊戲機、數位相機、正投 式投影儀、背投式投影儀、行動電話、攜帶型記事本、以 及絲頁不器的電子設備之一中。 本紙張尺度適用中國國家標準（〇^)八4麟（21〇乂297公董—)-68 - ： 一— 552645 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 15 7 8 · —種半導體裝置的製造方法，包含·· 在基底上形成半導體膜； 用光學系統將多個雷射光束在相對於多個雷射光束傾 斜地安置的半導體膜中的形狀形成爲橢圓形或矩形； 在半導體膜沿第一方向移動的同時，發射多個雷射光 束，其中多個雷射光束以相同的入射角0照射，或當多個 雷射光束的寬度被設定爲W且基底的厚度被設定爲d時， 入射角4滿足 Φ >arcsin(W/2d)； 在半導體膜沿與第一方向相反的方向移動的同時，以 入射角4發射多個雷射光束；以及 沿第二方向移動半導體膜。 7 9 ·如申請專利範圍第7 8項之半導體裝置的製造 方法，其中多個雷射光束由連續振蕩或脈衝振蕩的固體雷 射器振蕩。 8 0 ·如申請專利範圍第7 8項之半導體裝置的製造 方法，其中的雷射光束由選自連續振蕩或脈衝振蕩的 YAG雷射器、YV〇4雷射器、YLF雷射器、 Y A 1〇3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變藍寶石 雷射器、摻T i的藍寶石雷射器的一·種或多種振蕩。 8 1 .如申請專利範圍第7 8項之半導體裝置的製造 方法，其中的雷射光束由選自A r雷射器和K r雷射器的 一種或多種振蕩。 · 8 2 ·如申請專利範圍第7 8項之半導體裝置的製造 本紙張从適财關家鮮（CNS ) A4驗（2似297公釐)「69 - — -- -n LI II - - - - - ..... II I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 552645 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 16 方法，其中凸透鏡或柱形透鏡使用當成光學系統。 8 3 ·如申請專利範圍第7 8項之半導體裝置的製造 方法，其中的半導體裝置被組合到選自個人電腦、視頻相 璣、移動電腦、風鏡式顯示器、遊戲機、數位相機、正投 式投影儀、背投式投影儀、行動電話、攜帶型記事本、以 及顯示器的電子設備之一中。 IL： · φII (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 70-
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