JP2003151916A

JP2003151916A - レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法

Info

Publication number: JP2003151916A
Application number: JP2002225628A
Authority: JP
Inventors: Koichiro Tanaka; 幸一郎田中; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-08-03
Filing date: 2002-08-02
Publication date: 2003-05-23

Abstract

(57)【要約】【課題】照射面に対するレーザ光のエネルギー分布を
一定にし、前記照射面の全面に対して均一な照射を行う
方法およびその装置を提供することを課題とする。ま
た、前記レーザ照射方法を工程に含む半導体装置の作製
方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、照射面における複数のレーザ光
の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、前
記照射面を第１の方向へ移動させながら前記複数のレー
ザ光を照射し、前記照射面を第２の方向へ移動させ、前
記照射面を第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記
複数のレーザ光を照射することを特徴としている。ま
た、前記照射面を第１の方向へ移動させながら前記複数
のレーザ光を照射し、前記照射面を第１の方向とは逆方
向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射し、前記
照射面を第２の方向へ移動させてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザ光による照射
の方法およびそれを行うためのレーザ照射装置（レーザ
と該レーザから出力されるレーザ光を被処理体まで導く
ための光学系を含む装置）に関する。また、前記レーザ
光の照射を工程に含んで作製された半導体装置の作製方
法に関する。なお、ここでいう半導体装置とは、半導体
特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、液晶
表示装置や発光装置等の電気光学装置及び該電気光学装
置を部品として含む電子機器も含まれるものとする。

【０００２】

【従来の技術】近年、ガラス等の絶縁基板上に形成され
た半導体膜に対し、レーザ光を照射して、結晶化させた
り、結晶性を向上させる技術が広く研究されている。上
記半導体膜には珪素がよく用いられる。本明細書中で
は、レーザ光を照射して、半導体膜を結晶化し、結晶質
半導体膜を得る手段をレーザ結晶化という。

【０００３】ガラス基板は、従来よく使用されてきた合
成石英ガラス基板と比較し、安価で加工性に富んでお
り、大面積基板を容易に作製できる利点を持っている。
これが上記研究の行われる理由である。また、結晶化に
好んでレーザが使用されるのは、ガラス基板の融点が低
いからである。レーザは基板の温度を余り上昇させず
に、半導体膜のみ高いエネルギーを与えることが出来
る。また、電熱炉を用いた加熱手段に比べて格段にスル
ープットが高い。

【０００４】結晶質半導体は多くの結晶粒から出来てい
るため、多結晶半導体膜とも呼ばれる。レーザ光を照射
して形成された結晶質半導体膜は、高い移動度を有する
ため、この結晶質半導体膜を用いて薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を形成し、例えば、１枚のガラス基板上に、
画素部用と駆動回路用のＴＦＴを作製する、アクティブ
マトリクス型の液晶表示装置等に盛んに利用されてい
る。

【０００５】しかしながら、レーザ光を照射して作製さ
れる結晶質半導体膜は複数の結晶粒が集合して形成さ
れ、その結晶粒の位置と大きさはランダムなものであっ
た。ガラス基板上に作製されるＴＦＴは素子分離のため
に、前記結晶質半導体を島状のパターニングに分離して
形成している。その場合において、結晶粒の位置や大き
さを指定して形成する事はできなかった。結晶粒内と比
較して、結晶粒の界面（結晶粒界）は非晶質構造や結晶
欠陥などに起因する再結合中心や捕獲中心が無数に存在
している。この捕獲中心にキャリアがトラップされる
と、結晶粒界のポテンシャルが上昇し、キャリアに対し
て障壁となるため、キャリアの電流輸送特性を低下する
ことが知られている。チャネル形成領域の半導体膜の結
晶性は、ＴＦＴの特性に重大な影響を及ぼすが、結晶粒
界の影響を排除して単結晶の半導体膜で前記チャネル形
成領域を形成することはほとんど不可能であった。

【０００６】このような問題を解決するために、レーザ
照射方法において、位置制御され、しかも大粒径の結晶
粒を形成する様々な試みがなされている。ここではま
ず、半導体膜にレーザ光を照射した後の前記半導体膜の
固化過程について説明する。

【０００７】レーザ光の照射によって完全溶融した液体
半導体膜中に固相核生成が発生するまでにはある程度の
時間が掛かり、完全溶融領域において無数の均一（ある
いは不均一）核生成が発生し、成長することで、前記液
体半導体膜の固化過程は終了する。この場合に得られる
結晶粒の位置と大きさはランダムなものとなる。

【０００８】また、レーザ光の照射によって前記半導体
膜が完全溶融することなく、固相半導体領域が部分的に
残存している場合には、レーザ光の照射後、直ちに前記
固相半導体領域から結晶成長が始まる。既に述べたよう
に、完全溶融領域において核生成が発生するにはある程
度時間が掛かる。そのため、完全溶融領域において核生
成が発生するまでの間に、前記半導体膜の膜面に対する
水平方向（以下、ラテラル方向と呼ぶ）に結晶成長の先
端である固液界面が移動することで、結晶粒は膜厚の数
十倍もの長さに成長する。このような成長は、完全溶融
領域において無数の均一（あるいは不均一）核生成が発
生することで終了する。以下、この現象をスーパーラテ
ラル成長と言う。

【０００９】非晶質半導体膜や多結晶半導体膜において
も、前記スーパーラテラル成長が実現するレーザ光のエ
ネルギー領域は存在する。しかしながら、前記エネルギ
ー領域は非常に狭く、また、大結晶粒の得られる位置に
ついては制御が困難であった。さらに、大結晶粒以外の
領域は無数の核生成が発生した微結晶領域、もしくは非
晶質領域であった。

【００１０】以上に説明したように、半導体膜が完全溶
融するレーザ光のエネルギー領域でラテラル方向の温度
勾配を制御する（ラテラル方向への熱流を生じさせる）
ことが出来れば、結晶粒の成長位置および成長方向を制
御することが出来る。この方法を実現するために様々な
試みがなされている。

【００１１】例えば、「R.Ishihara and A.Burtsev: AM
-LCD '98.,p153-p156,1998」では、基板と下地の酸化シ
リコン膜との間に高融点金属膜を形成し、前記高融点金
属膜の上方に非晶質珪素膜を形成し、エキシマレーザの
レーザ光を基板の表面（本明細書中では膜が形成されて
いる面と定義する）と裏面（本明細書中では膜が形成さ
れている面と反対側の面と定義する）の両側から照射す
るレーザ照射方法についての報告がある。基板の表面か
ら照射されるレーザ光は、珪素膜に吸収されて熱に変わ
る。一方、基板の裏側から照射されるレーザ光は前記高
融点金属膜に吸収されて熱に変わり、前記高融点金属膜
を高温で加熱する。加熱された前記高融点金属膜と珪素
膜の間の前記酸化シリコン膜が、熱の蓄積層として働く
ため、溶融している珪素膜の冷却速度を遅くする事がで
きる。ここでは、高融点金属膜を任意の場所に形成する
ことにより、任意の場所に最大で直径６．４μｍの結晶
粒を得ることができることが報告されている。

【００１２】また、コロンビア大のJames S. Im氏ら
は、任意の場所にスーパーラテラル成長を実現させるこ
との出来るSequential Lateral Solidification method
（以下、ＳＬＳ法と言う。）を示した。ＳＬＳ法は、１
ショット毎にスリット状のマスクをスーパーラテラル成
長が行なわれる距離程度（約０．７５μｍ）ずらして、
結晶化を行うものである。

【００１３】一方、用いる基板の大面積化はますます進
んでいる。１枚の大面積基板を用いて、複数の液晶表示
装置用パネルなどの半導体装置を作製する方がスループ
ットが高く、コストの低減が実現できるためである。大
面積基板として、例えば６００ｍｍ×７２０ｍｍの基板
や３２０ｍｍ×４００ｍｍの基板、円形の１２インチ
（直径約３００ｍｍ）の基板等が使用されるようになっ
ている。さらに、将来的には一辺が１ｍを越える基板も
用いられるものと考えられる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】例えば、大面積基板に
対して、ガルバノミラーを用いてレーザ光を照射する方
法がある。その様子を図５を用いて説明する。

【００１５】レーザ光２０１はガルバノミラー２０２、
fθレンズ２０３を経て基板２０４に達している。ガル
バノミラー２０２が振動することにより、ガルバノミラ
ーのミラーの角度が時間変化し、基板上でのレーザ光の
位置が２０６で示した矢印の方向へ移動する。ガルバノ
ミラーが半周期振動すると、基板の幅の端から端までレ
ーザ光が移動するように調整されている。このとき、基
板上でのレーザ光の位置が移動しても、レーザ光のエネ
ルギー密度が基板上で常に一定になるようにfθレンズ
２０３は調整されている。

【００１６】ガルバノミラーが半周期振動すると、基板
の幅の端から端までレーザ光が移動する。これにより、
レーザ光の照射された部分がレーザアニールされる。レ
ーザ光の照射領域が断続的にならないように、ガルバノ
ミラーの振動の速度を調整する。その後、ステージが２
０６で示した矢印の方向と垂直方向に移動して、再び基
板上で２０６で示した方向へのレーザ光の移動が始ま
る。これらの動作を繰り返させることにより、基板全面
に対してレーザ光を照射することができる。すなわち、
ガルバノミラーの回転による照射位置の移動とステージ
の移動とを繰り返すことで基板全面にレーザが照射され
る。

【００１７】しかしながら、ガルバノミラーの角度が変
化するに伴って、レーザ光の基板に対する入射角度は図
５で示すα、β、γのように変化してしまう。特に、大
面積基板にレーザ光を照射する場合には入射角度の変化
は顕著になる。照射面に対するレーザ光の入射角度が変
化することは、照射面における前記レーザ光のエネルギ
ー分布が変化することを意味する。図１６は、波長５３
２ｎｍのレーザ光が、厚さ７００μｍ、屈折率１．５の
基板を透過し、該基板の裏面における反射率を計算した
ものであり、横軸を入射角度、縦軸を反射率としてい
る。入射角度が変化すると、反射率も著しく変化してい
ることがわかる。このようなレーザ光を用いて半導体膜
等に照射しても、均一に照射することは難しく、膜質が
低下する要因となる。そして、このような半導体膜を用
いて半導体装置を作製した場合においても、動作特性や
信頼性の低下の要因となる。

【００１８】また、ガルバノミラーの角度が変化して
も、レーザ光の基板に対する入射角度が変化しないテレ
セントリックｆθレンズと言うものもある。しかしなが
ら、前記テレセントリックｆθレンズは、基板と同程度
の大きさが必要となる。そのため、大面積基板を処理す
る場合には現実的ではない。

【００１９】そこで本発明は、照射面におけるレーザ光
のエネルギー分布を一定にし、前記照射面の全面に対し
て均一なレーザ光の照射を行う方法およびその装置を提
供することを課題とする。また、本発明は、大面積基板
においても、単結晶に近い結晶性を有する結晶質半導体
膜を効率よく形成するためのレーザ照射方法およびその
装置を提供することを課題とする。また、前記レーザ照
射方法を工程に含む半導体装置の作製方法を提供するこ
とを課題とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示するレー
ザ照射装置に関する発明の構成は、複数のレーザと、照
射面における複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形
状にする手段１と、前記照射面における前記複数のレー
ザ光の照射位置を第１の方向および第１の方向とは逆方
向へ移動させ、かつ、前記照射面における複数のレーザ
光の照射位置を第２の方向へ移動させる手段２とを有す
ることを特徴としている。

【００２１】また、レーザ照射装置に関する発明の他の
構成は、複数のレーザと、複数のレーザ光に対し相対的
に斜めに設置された照射面と、前記照射面における前記
複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする手段
１と、前記照射面における前記複数のレーザ光の照射位
置を第１の方向および第１の方向とは逆方向へ移動さ
せ、かつ、前記照射面における複数のレーザ光の照射位
置を第２の方向へ移動させる手段２とを有することを特
徴としている。

【００２２】上記各構成において、前記複数のレーザ
は、連続発振またはパルス発振の固体レーザであること
を特徴としている。例えば、前記固体レーザとして、Ｙ
ＡＧレーザ、ＹＶＯ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ₃
レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドラ
イドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどが挙げられ
る。

【００２３】また、上記各構成において、前記複数のレ
ーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種また
は複数種であることを特徴としている。

【００２４】また、上記各構成において、前記手段１
は、シリンドリカルレンズを有することを特徴としてい
る。または、前記手段１は、凸レンズ、シリンドリカル
レンズ及びディフラクティブオプティクス（回折格子）
を有することを特徴としている。前記手段１により、前
記照射面における前記レーザ光の形状が楕円状または矩
形状に成形され、効率よく、前記レーザ光の照射を行う
ことができる。

【００２５】また、上記各構成において、前記手段２
は、ステージであることを特徴としている。前記ステー
ジは少なくとも、前記第１方向、該第１方向とは逆の方
向および前記第２方向へ移動する。例えば、Ｘ−Ｙステ
ージなどが挙げられる。

【００２６】また、本明細書で開示するレーザ照射方法
に関する発明の構成は、照射面における複数のレーザ光
の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、前
記照射面を第１の方向へ移動させながら前記複数のレー
ザ光を照射し、前記照射面を第２の方向へ移動させ、前
記照射面を第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記
複数のレーザ光を照射することを特徴としている。

【００２７】また、レーザ照射方法に関する発明の他の
構成は、複数のレーザ光に対して斜めに設置されている
照射面における前記複数のレーザ光の形状を光学系によ
り楕円状または矩形状に成形し、前記照射面を第１の方
向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射し、前記
照射面を第２の方向へ移動させ、前記照射面を第１の方
向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照
射することを特徴としている。

【００２８】また、レーザ照射方法に関する発明の他の
構成は、照射面における複数のレーザ光の形状を光学系
により楕円状または矩形状に成形し、前記照射面を第１
の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射し、
前記照射面を第１の方向とは逆方向へ移動させながら前
記複数のレーザ光を照射し、前記照射面を第２の方向へ
移動させることを特徴としている。

【００２９】また、レーザ照射方法に関する発明の他の
構成は、複数のレーザ光に対して斜めに設置されている
照射面における前記複数のレーザ光の形状を光学系によ
り楕円状または矩形状に成形し、前記照射面を第１の方
向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射し、前記
照射面を第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複
数のレーザ光を照射し、前記照射面を第２の方向へ移動
させることを特徴としている。

【００３０】上記各構成において、前記レーザ光は、連
続発振またはパルス発振の固体レーザから発振されたも
のであることを特徴とするレーザ照射方法。例えば、前
記固体レーザは、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレ
ーザ、ＹＶＯ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ₃レー
ザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライド
レーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどが挙げられる。

【００３１】また、上記各構成において、前記レーザ光
は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種または複
数種から発振されたものであることを特徴している。

【００３２】また、上記各構成において、前記光学系と
して、シリンドリカルレンズを用いることを特徴として
いる。または、前記光学系として、凸レンズおよびシリ
ンドリカルレンズを用いることを特徴としている。

【００３３】また、本明細書で開示する半導体装置の作
製方法に関する発明の構成は、絶縁表面上に半導体膜を
形成し、前記半導体膜における複数のレーザ光の形状を
光学系により楕円状または矩形状に成形し、前記半導体
膜を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を
照射し、前記半導体膜を第２の方向へ移動させ、前記半
導体膜を第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複
数のレーザ光を照射することを特徴としている。

【００３４】また、半導体装置の作製方法に関する発明
の他の構成は、絶縁表面上に半導体膜を形成し、複数の
レーザ光に対して斜めに設置されている前記半導体膜に
おける前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状
または矩形状に成形し、前記半導体膜を第１の方向へ移
動させながら前記複数のレーザ光を照射し、前記半導体
膜を第２の方向へ移動させ、前記半導体膜を第１の方向
とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射
することを特徴としている。

【００３５】また、半導体装置の作製方法に関する発明
の他の構成は、絶縁表面上に半導体膜を形成し、前記半
導体膜における複数のレーザ光の形状を光学系により楕
円状または矩形状に成形し、前記半導体膜を第１の方向
へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射し、前記半
導体膜を第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複
数のレーザ光を照射し、前記半導体膜を第２の方向へ移
動させることを特徴としている。

【００３６】また、半導体装置の作製方法に関する発明
の他の構成は、絶縁表面上に半導体膜を形成し、複数の
レーザ光に対して斜めに設置されている前記半導体膜に
おける前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状
または矩形状に成形し、前記半導体膜を第１の方向へ移
動させながら前記複数のレーザ光を照射し、前記半導体
膜を第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複数の
レーザ光を照射し、前記半導体膜を第２の方向へ移動さ
せることを特徴としている。

【００３７】上記各構成において、前記レーザ光は、連
続発振またはパルス発振の固体レーザから発振されたも
のであることを特徴としている。例えば、前記固体レー
ザは、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶ
Ｏ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ₃レーザ、ガラスレ
ーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔ
ｉ：サファイアレーザなどが挙げられる。

【００３８】また、上記各構成において、前記レーザ光
は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種または複
数種から発振されたものであることを特徴としている。

【００３９】また、上記各構成において、前記光学系と
して、シリンドリカルレンズを用いることを特徴として
いる。または、前記光学系として、凸レンズおよびシリ
ンドリカルレンズを用いることを特徴としている。

【００４０】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、図２
を用いて説明する。

【００４１】まず、複数のレーザ光を光学系により照射
面において楕円状または矩形状のレーザ光１０３ａ、１
０３ｂ、１０３ｃとする。前記照射面における形状を矩
形状または楕円状としたのは、基板全面を効率よくレー
ザ照射するためである。なお、レーザから射出されたレ
ーザ光の形状は、レーザの種類によって異なる。例え
ば、ラムダ社製のＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８
ｎｍ、パルス幅３０ｎｓ）Ｌ３３０８レーザ光のサイズ
は、１０ｍｍ×３０ｍｍ（共にビームプロファイルにお
ける半値幅）である。また、ＹＡＧレーザは、ロッド形
状が円筒形であればレーザ光の形状は円状となり、スラ
ブ型であればレーザ光の形状は矩形状となる。前記照射
面におけるレーザ光の形状は光学系により矩形状または
楕円形状であるとする。

【００４２】また、前記照射面に対するそれぞれのレー
ザ光の入射角度を同じにする。このようにすることで、
前記照射面におけるそれぞれのレーザ光１０３のエネル
ギー分布を同じにする。これは、基板全面に均一なレー
ザ光の照射を行うために非常に重要なことである。

【００４３】そして、前記レーザ光１０３を照射しなが
ら、ステージ（または基板）を１０６で示す方向へ移動
させる。続いて、１０７で示す方向へステージ（または
基板）を移動させ、前記レーザ光１０３を照射しなが
ら、１０８で示す方向へ移動させる。このように、レー
ザ光の入射位置および入射角度を固定したまま、ステー
ジ（または基板）の移動を繰り返せば、照射面における
レーザ光のエネルギー分布が変化することなく、基板全
面を照射することができる。その様子を図２（Ａ）に示
す。

【００４４】もちろん、前記レーザ光１０３を照射しな
がら、１０６で示す方向へステージ（または基板）を移
動させ、続いて、１０８で示す方向へ移動させること
で、同一領域を複数回照射することになるが、同一領域
を複数回照射したのちに１０７で示す方向へステージ
（または基板）を移動させ、再度レーザ光を照射するこ
とも可能である。その様子を図２（Ｂ）に示す。

【００４５】また、複数のレーザ光１０３はそれぞれの
入射角度が同じであるなら、基板１０４に対して斜めに
照射することも可能である。しかしながら、図１６で示
したように、レーザ光の入射角度の変化に対して、反射
率は著しく変化するため、複数のレーザ光のそれぞれの
入射角度が同一、もしくは、反射率の変化が５％以内と
なる角度以内にするのが望ましい。また、図１７に示す
ように、レーザ光はビーム幅Ｗをもって、照射面に入射
する。入射光と基板の裏面における反射光とが重ならな
ければ、干渉は起こらない。つまり、基板の厚さをｄと
し、半導体膜の厚さは前記基板の厚さよりはるかに薄い
ため前記半導体膜の厚さを無視すると、ｓｉｎφ＝Ｗ／２ｄ ∴φ＝ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たす入射角φより大きければ、干渉は起こらない。
つまり、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）のとき、干渉は起こらない。そのため、入射角φより大
きい角度で入射させる場合には、複数のレーザ光の入射
角を厳密に合わせなくてもよい。

【００４６】また、レーザ光の波長やコヒーレンス長、
半導体膜といった被照射物の吸収係数や膜厚などによっ
て、干渉の起こる条件は変化するので、光学系や被照射
物の配置を考慮する必要がある。

【００４７】また、本実施形態において複数のレーザ光
を用いているが、複数のレーザを用いて複数のレーザ光
を発振させてもよいし、１つのレーザから発振されたレ
ーザ光を分割して複数のレーザ光としてもよい。また複
数のレーザ光の数は３つに限らず、２以上の複数であれ
ば特に限定しない。

【００４８】ここで、このような照射方法を用いて半導
体膜の結晶化を行う場合について説明する。レーザ光が
半導体膜に照射されると、照射された領域は溶融状態に
なり、時間がたつにつれ冷却し固化する。レーザ光を移
動させながら照射すれば、次々と溶融状態である領域が
形成される一方で、時間の経過により冷却し固化する領
域も存在する。つまり、半導体膜において温度勾配が形
成され、レーザ光の移動方向に沿って結晶粒が成長し、
大粒径の結晶粒が形成される。このような結晶粒をチャ
ネル形成領域に用いて作製されたＴＦＴの電気的特性は
向上し、さらには半導体装置の動作特性および信頼性を
も向上し得る。特にレーザ光の移動方向には結晶粒界が
ほとんどないため、この方向に平行なチャネル形成領域
を有するＴＦＴを作製することが好ましい。

【００４９】また、このような照射方法を用いれば、大
面積基板に対しても、効率よく、レーザ光の照射を行う
ことができる。また、このようなレーザ光の照射により
半導体膜の結晶化を行うと、単結晶に近い大粒径の結晶
粒を有する半導体膜を形成することが可能となる。さら
に前記半導体膜を用いて作製されたＴＦＴの電気的特性
は向上し、半導体装置の動作特性および信頼性をも向上
し得る。

【００５０】以上の構成でなる本発明について、以下に
示す実施例によりさらに詳細な説明を行うこととする。

【００５１】

【実施例】［実施例１］本実施例では、基板に対して斜
めから複数のレーザ光を照射する方法について図１、図
２、図１８および図１９を用いて説明する。

【００５２】複数のレーザ光１０１ａ、１０１ｂ、１０
１ｃは、シリンドリカルレンズ１０２ａ、１０２ｂ、１
０２ｃにより短尺方向へ縮められ、照射面における形状
が楕円状または矩形状であるレーザ光１０３ａ、１０３
ｂ、１０３ｃとなる。楕円状または矩形状のレーザ光を
形成するのにディフラクティブオプティクスを用いても
よい。そして、１０６で示す方向へ、ステージ（または
基板）を移動させれば、基板に対するレーザ光の入射角
を変えることなく、１０８で示す方向へ照射することが
できる。１０８で示す方向への照射が終了すると、１０
７で示す方向へステージ（または基板）を移動させ、レ
ーザ光を照射しながら１０８で示す方向へステージ（ま
たは基板）を移動させれば、１０６で示す方向へ照射す
ることができる。これらの移動を繰り返すことで、基板
全面にレーザ光が照射される。このときの基板全面にレ
ーザ光が照射される様子を図２（A）に示す。

【００５３】他のステージ（または基板）の移動方法と
しては、１０６で示す方向へステージ（または基板）を
移動させ、１０８で示す方向へステージ（または基板）
を移動させたのちに、１０７で示す方向へステージ（ま
たは基板）を移動させてもよいし、１０６で示す方向へ
のステージ（または基板）の移動および１０８で示す方
向へのステージ（または基板）の移動を繰り返した後、
１０７で示す方向へステージ（または基板）を移動させ
てもよい。このときの基板全面にレーザ光が照射される
様子を図２（Ｂ）に示す。一方レーザ光を移動させなが
ら照射してもよいし、レーザ光とステージの両方を移動
させてもよい。

【００５４】また、基板に入射したレーザ光は該基板の
表面で反射するが、レーザ光は指向性およびエネルギー
密度の高い光であるため、反射光が不適切な箇所を照射
するのを防ぐためダンパー１０９を設置して、前記反射
光を吸収させるのが好ましい。図示しないが、ダンパー
１０９には冷却水が循環しており、反射光の吸収により
ダンパー１０９の温度が上昇するのを防いでいる。な
お、図１において、レーザ光１０１ａについてのみダン
パー１０９を図示しているが、他のレーザ光１０１ｂ、
１０１ｃにおいても、もちろん設置するのが好ましい。

【００５５】また、図１６で示したように、レーザ光の
入射角度が変化すると、反射率は著しく変化する。その
ため、複数のレーザ光の入射角度を同じにすることは極
めて重要である。複数のレーザ光の入射角度は、反射率
の極小値となる角度にするのが最も望ましい。また、反
射率の変動が５％以内となる入射角度にするのがよい。
なお、基板の厚さや屈折率、波長によって、反射率は変
化するので、入射角度については実施者が適宜決定すれ
ばよい。

【００５６】このようにして、レーザ光を基板に照射す
れば、エネルギー分布が同一であるレーザ光が基板に照
射されるため、一様なレーザ照射を行うことができる。
また単結晶に近い結晶粒を有する半導体膜を得ることが
できる。さらに、複数のレーザ光を用いていることか
ら、スループットが向上し、効率よく、レーザ光の照射
を行うことができる。

【００５７】なお、本実施例では複数のレーザ光を用い
ているが、図１８で示すように基板１０４に対して、複
数のレーザ１００を斜めに設置し、前記複数のレーザ１
００を用いて複数のレーザ光を発振させてもよい。ま
た、図１９で示すように、１つのレーザ１５０から発振
されたレーザ光をビームスプリッター１５１ａ、１５１
ｂ等により分割して複数のレーザ光１０１としてもよ
い。また複数のレーザ光の数は３つに限らず、２以上で
あれば特に限定しない。

【００５８】また、本実施例では、基板を水平に設置
し、レーザ光の入射角度を該基板に対して角度θだけ傾
けているが、基板を水平方向から角度θだけ傾けて設置
することで、前記基板に対する前記レーザ光の入射角度
を傾けてもよい。

【００５９】［実施例２］本実施例では、基板に対して
垂直方向から複数のレーザ光を照射する方法について図
３を用いて説明する。

【００６０】レーザから発振されたレーザ光１１０ａ、
１１０ｂ、１１０ｃは、シリンドリカルレンズ１１２
ａ、１１２ｂ、１１２ｃにより短尺方向へ縮められ、照
射面における形状が楕円状または矩形状であるレーザ光
１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃとなる。楕円状または矩
形状のレーザ光を形成するのにディフラクティブオプテ
ィクスを用いてもよい。そして、１０６で示す方向へ、
ステージ（または基板）を移動させれば、基板に対する
レーザ光の入射角を変えることなく、１０８で示す方向
へ照射することができる。１０６で示す方向への照射が
終了すると、１０７で示す方向へステージ（または基
板）を移動させ、レーザ光を照射しながら１０８で示す
方向へステージ（または基板）を移動させれば、１０６
で示す方向へ照射することができる。これらの移動を繰
り返すことで、基板全面にレーザ光が照射される。

【００６１】他のステージ（または基板）の移動方法と
しては、１０６で示す方向へステージ（または基板）を
移動させ、１０８で示す方向へステージ（または基板）
を移動させたのちに、１０７で示す方向へステージ（ま
たは基板）を移動させてもよいし、１０６で示す方向へ
の移動および１０８で示す方向への移動を繰り返した
後、１０７で示す方向へステージ（または基板）を移動
させてもよい。一方レーザ光を移動させながら照射して
もよいし、レーザ光とステージの両方を移動させてもよ
い。

【００６２】また、基板に入射したレーザ光は該基板の
表面で反射し、入射したときと同じ光路を戻る、いわゆ
る戻り光となるが、該戻り光はレーザの出力や周波数の
変動や、ロッドの破壊などの悪影響を及ぼす。そのた
め、前記戻り光を取り除きレーザの発振を安定させるた
め、アイソレータ１１１を設置するのが好ましい。

【００６３】このようにして、レーザ光を基板に照射す
れば、エネルギー分布が同一であるレーザ光が基板に照
射されるため、一様なレーザ照射を行うことができる。
また単結晶に近い結晶粒を有する半導体膜を得ることが
できる。さらに、複数のレーザ光を用いていることか
ら、スループットが向上し、効率よく、レーザ光の照射
を行うことができる。なお、本実施例では複数のレーザ
光を用いているが、複数のレーザを用いて複数のレーザ
光を発振させてもよいし、１つのレーザから発振された
レーザ光を分割して複数のレーザ光としてもよい。また
複数のレーザ光の数は３つに限らず、２以上であれば特
に限定しない。

【００６４】［実施例３］本実施例では、ロッド形状が
スラブ型である複数のレーザを用い、基板に対して垂直
方向からレーザ光を照射する方法について図４を用いて
説明する。

【００６５】レーザから発振されたレーザ光１２０ａ、
１２０ｂ、１２０ｃは、凸レンズ１２２ａ、１２２ｂ、
１２２ｃにより長尺方向および短尺方向へ縮められ、シ
リンドリカルレンズ１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃによ
り、長尺方向において集光した後拡げられ、照射面にお
ける形状が矩形状であるレーザ光１２４ａ、１２４ｂ、
１２４ｃとなる。楕円状または矩形状のレーザ光を形成
するのにディフラクティブオプティクスを用いてもよ
い。そして、１０６で示す方向へ、ステージ（または基
板）を移動させれば、基板に対するレーザ光の入射角を
変えることなく、１０８で示す方向へ照射することがで
きる。１０８で示す方向への照射が終了すると、１０７
で示す方向へステージ（または基板）を移動させ、レー
ザ光を照射しながら１０８で示す方向へステージ（また
は基板）を移動させれば、１０６で示す方向へ照射する
ことができる。これらの移動を繰り返すことで、基板全
面にレーザ光が照射される。

【００６６】また、ステージ（または基板）の移動方法
としては、１０６で示す方向へステージ（または基板）
を移動させ、１０８で示す方向へステージ（または基
板）を移動させたのちに、１０７で示す方向へステージ
（または基板）を移動させてもよいし、１０６で示す方
向への移動および１０８で示す方向への移動を繰り返し
た後、１０７で示す方向へステージ（または基板）を移
動させてもよい。一方レーザ光を移動させながら照射し
てもよいし、レーザ光とステージの両方を移動させても
よい。

【００６７】また、基板に入射したレーザ光は該基板の
表面で反射し、入射したときと同じ光路を戻る、いわゆ
る戻り光となるが、該戻り光はレーザの出力や周波数の
変動や、ロッドの破壊などの悪影響を及ぼす。そのた
め、前記戻り光を取り除きレーザの発振を安定させるた
め、アイソレータ１１１を設置するのが好ましい。

【００６８】このようにして、レーザ光を基板に照射す
れば、エネルギー分布が同一であるレーザ光が基板に照
射されるため、一様なレーザ照射を行うことができる。
また単結晶に近い結晶粒を有する半導体膜を得ることが
できる。さらに、複数のレーザ光を用いていることか
ら、スループットが向上し、効率よく、レーザ光の照射
を行うことができる。なお、本実施例では複数のレーザ
光を用いているが、複数のレーザを用いて複数のレーザ
光を発振させてもよいし、１つのレーザから発振された
レーザ光を分割して複数のレーザ光としてもよい。また
複数のレーザ光の数は３つに限らず、２以上であれば特
に限定しない。

【００６９】［実施例４］本実施例ではアクティブマト
リクス基板の作製方法について図６〜図９を用いて説明
する。本明細書ではＣＭＯＳ回路、及び駆動回路と、画
素ＴＦＴ、保持容量とを有する画素部を同一基板上に形
成された基板を、便宜上アクティブマトリクス基板と呼
ぶ。

【００７０】まず、本実施例ではバリウムホウケイ酸ガ
ラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスか
らなる基板４００を用いる。なお、基板４００として
は、石英基板やシリコン基板、金属基板またはステンレ
ス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。
また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプ
ラスチック基板を用いてもよい。

【００７１】次いで、基板４００上に酸化珪素膜、窒化
珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地
膜４０１を形成する。本実施例では下地膜４０１として
２層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以
上積層させた構造を用いても良い。下地膜４０１の一層
目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ₄、Ｎ
Ｈ₃、及びＮ₂Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪
素膜４０１ａを１０〜２００nm（好ましくは５０〜１０
０nm）形成する。本実施例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒
化珪素膜４０１ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、
Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成した。次いで、下地膜
４０１のニ層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、Ｓ
ｉＨ₄、及びＮ₂Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化
珪素膜４０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００
〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では、膜
厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜４０１ｂ（組成比Ｓｉ＝
３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成す
る。

【００７２】次いで、下地膜上に半導体層４０２〜４０
６を形成する。半導体層４０２〜４０６は公知の手段
（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法
等）により２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎ
ｍ）の厚さで半導体膜を成膜し、レーザ結晶化法により
結晶化させる。もちろん、レーザ結晶化法だけでなく、
他の公知の結晶化法（ＲＴＡやファーネスアニール炉を
用いた熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いた
熱結晶化法等）と組み合わせて行ってもよい。そして、
得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングし
て半導体層４０２〜４０６を形成する。前記半導体膜と
しては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜、結晶質半導
体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜などの非晶
質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。

【００７３】レーザ結晶化法により結晶質半導体膜を作
製するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマ
レーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶ
Ｏ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ₃レーザ、ガラスレ
ーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔ
ｉ：サファイアレーザ等を用いることができる。これら
のレーザを用いる場合には、レーザから放射されたレー
ザ光を光学系で矩形状または楕円状に成形し半導体膜に
照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が
適宣選択する。

【００７４】本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用い、
５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜する。そして、連続発振
のＹＶＯ₄レーザの第２高調波を用い、図１、図３また
は図４に示すような光学系により結晶化を行って結晶質
珪素膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ法を用
いたパターニング処理によって半導体層４０２〜４０６
を形成する。

【００７５】また、半導体層４０２〜４０６を形成した
後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元
素（ボロンまたはリン）のドーピングを行ってもよい。

【００７６】次いで、半導体層４０２〜４０６を覆うゲ
ート絶縁膜４０７を形成する。ゲート絶縁膜４０７はプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜
１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施
例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸
化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝
７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸
化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む
絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。

【００７７】また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラ
ズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）
とＯ₂とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜
４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．
５〜０．８W/cm²で放電させて形成することができる。
このようにして作製される酸化珪素膜は、その後４００
〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好
な特性を得ることができる。

【００７８】次いで、ゲート絶縁膜４０７上に膜厚２０
〜１００ｎｍの第１の導電膜４０８と、膜厚１００〜４
００ｎｍの第２の導電膜４０９とを積層形成する。本実
施例では、膜厚３０ｎｍのＴａＮ膜からなる第１の導電
膜４０８と、膜厚３７０ｎｍのＷ膜からなる第２の導電
膜４０９を積層形成した。ＴａＮ膜はスパッタ法で形成
し、Ｔａのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でス
パッタした。また、Ｗ膜は、Ｗのターゲットを用いたス
パッタ法で形成した。その他に６フッ化タングステン
（ＷＦ₆）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもでき
る。いずれにしてもゲート電極として使用するためには
低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃ
ｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくす
ることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ膜中に酸
素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高
抵抗化する。従って、本実施例では、高純度のＷ（純度
９９．９９９９％）のターゲットを用いたスパッタ法
で、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないよ
うに十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９
〜２０μΩｃｍを実現することができた。

【００７９】なお、本実施例では、第１の導電膜４０８
をＴａＮ、第２の導電膜４０９をＷとしたが、特に限定
されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、
Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分
とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。
また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素
膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰ
ｄＣｕ合金を用いてもよい。また、第１の導電膜をタン
タル（Ｔａ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組
み合わせ、第１の導電膜を窒化チタン（ＴｉＮ）膜で形
成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１の導
電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電
膜をＡｌ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タン
タル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＣｕ膜とす
る組み合わせとしてもよい。

【００８０】次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジ
ストからなるマスク４１０〜４１５を形成し、電極及び
配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。第
１のエッチング処理では第１及び第２のエッチング条件
で行う。（図６（Ｂ））本実施例では第１のエッチング
条件として、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘
導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用
ガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂とを用い、それぞれのガス流
量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力
でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を
投入してプラズマを生成してエッチングを行った。ここ
では、松下電器産業（株）製のＩＣＰを用いたドライエ
ッチング装置（Model Ｅ６４５−□ＩＣＰ）を用い
た。基板側（試料ステージ）にも１５０WのＲＦ（13.56
MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を
印加する。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッ
チングして第１の導電層の端部をテーパー形状とする。

【００８１】この後、レジストからなるマスク４１０〜
４１５を除去せずに第２のエッチング条件に変え、エッ
チング用ガスにＣＦ₄とＣｌ₂とを用い、それぞれのガス
流量比を３０／３０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコ
イル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入
してプラズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行
った。基板側（試料ステージ）にも２０WのＲＦ（13.56
MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を
印加する。ＣＦ₄とＣｌ₂を混合した第２のエッチング条
件ではＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされ
る。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチ
ングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチン
グ時間を増加させると良い。

【００８２】上記第１のエッチング処理では、レジスト
からなるマスクの形状を適したものとすることにより、
基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電
層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。この
テーパー部の角度は１５〜４５°となる。こうして、第
１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層
から成る第１の形状の導電層４１７〜４２２（第１の導
電層４１７ａ〜４２２ａと第２の導電層４１７ｂ〜４２
２ｂ）を形成する。４１６はゲート絶縁膜であり、第１
の形状の導電層４１７〜４２２で覆われない領域は２０
〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成され
る。

【００８３】次いで、レジストからなるマスクを除去せ
ずに第２のエッチング処理を行う。（図６（Ｃ））ここ
では、エッチングガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂とを用い、
Ｗ膜を選択的にエッチングする。この時、第２のエッチ
ング処理により第２の導電層４２８ｂ〜４３３ｂを形成
する。一方、第１の導電層４１７ａ〜４２２ａは、ほと
んどエッチングされず、第２の形状の導電層４２８〜４
３３を形成する。

【００８４】そして、レジストからなるマスクを除去せ
ずに第１のドーピング処理を行い、半導体層にｎ型を付
与する不純物元素を低濃度に添加する。ドーピング処理
はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良
い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０¹³〜５
×１０¹⁴/cm²とし、加速電圧を４０〜８０ｋｅＶとして
行う。本実施例ではドーズ量を１．５×１０¹³／cm²と
し、加速電圧を６０ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する
不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン
（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン
（Ｐ）を用いる。この場合、導電層４２８〜４３３がｎ
型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整
合的に不純物領域４２３〜４２７が形成される。不純物
領域４２３〜４２７には１×１０¹⁸〜１×１０²⁰/cm³の
濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。

【００８５】レジストからなるマスクを除去した後、新
たにレジストからなるマスク４３４ａ〜４３４ｃを形成
して第１のドーピング処理よりも高い加速電圧で第２の
ドーピング処理を行う。イオンドープ法の条件はドーズ
量を１×１０¹³〜１×１０¹⁵/cm²とし、加速電圧を６０
〜１２０ｋｅＶとして行う。ドーピング処理は第２の導
電層４２８ｂ〜４３２ｂを不純物元素に対するマスクと
して用い、第１の導電層のテーパー部の下方の半導体層
に不純物元素が添加されるようにドーピングする。続い
て、第２のドーピング処理より加速電圧を下げて第３の
ドーピング処理を行って図７（Ａ）の状態を得る。イオ
ンドープ法の条件はドーズ量を１×１０ ¹⁵〜１×１０¹⁷
/cm²とし、加速電圧を５０〜１００ｋｅＶとして行う。
第２のドーピング処理および第３のドーピング処理によ
り、第１の導電層と重なる低濃度不純物領域４３６、４
４２、４４８には１×１０¹⁸〜５×１０¹⁹/cm³の濃度範
囲でｎ型を付与する不純物元素を添加され、高濃度不純
物領域４３５、４３８、４４１、４４４、４４７には１
×１０¹⁹〜５×１０²¹/cm³の濃度範囲でｎ型を付与する
不純物元素を添加される。

【００８６】もちろん、適当な加速電圧にすることで、
第２のドーピング処理および第３のドーピング処理は１
回のドーピング処理で、低濃度不純物領域および高濃度
不純物領域を形成することも可能である。

【００８７】次いで、レジストからなるマスクを除去し
た後、新たにレジストからなるマスク４５０ａ〜４５０
ｃを形成して第４のドーピング処理を行う。この第４の
ドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴの活性層と
なる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する
不純物元素が添加された不純物領域４５３、４５４、４
５９、４６０を形成する。第１の導電層４２８ａ〜４３
２ａを不純物元素に対するマスクとして用い、ｐ型を付
与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を
形成する。本実施例では、不純物領域４５３、４５４、
４５９、４６０はジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイオンド
ープ法で形成する。（図７（Ｂ））この第４のドーピン
グ処理の際には、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体
層はレジストからなるマスク４５０ａ〜４５０ｃで覆わ
れている。第１乃至３のドーピング処理によって、不純
物領域４５３、４５４及び４５９、４６０にはそれぞれ
異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領
域においてもｐ型を付与する不純物元素の濃度を１×１
０¹⁹〜５×１０²¹atoms/cm³となるようにドーピング処
理することにより、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域お
よびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じ
ない。

【００８８】以上までの工程で、それぞれの半導体層に
不純物領域が形成される。

【００８９】次いで、レジストからなるマスク４５０ａ
〜４５０ｃを除去して第１の層間絶縁膜４６１を形成す
る。この第１の層間絶縁膜４６１としては、プラズマＣ
ＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１００〜２００
ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例で
は、プラズマＣＶＤ法により膜厚１５０ｎｍの酸化窒化
珪素膜を形成した。勿論、第１の層間絶縁膜４６１は酸
化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む
絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。

【００９０】次いで、図７（Ｃ）に示すように、加熱処
理を行って、半導体層の結晶性の回復、それぞれの半導
体層に添加された不純物元素の活性化を行う。この加熱
処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行
う。熱アニール法としては、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、
好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜
７００℃、代表的には５００〜５５０℃で行えばよく、
本実施例では５５０℃、４時間の熱処理で活性化処理を
行った。なお、熱アニール法の他に、レーザ光の照射、
またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用
することができる。

【００９１】また、第１の層間絶縁膜を形成する前に加
熱処理を行っても良い。ただし、用いた配線材料が熱に
弱い場合には、本実施例のように配線等を保護するため
層間絶縁膜（珪素を主成分とする絶縁膜、例えば窒化珪
素膜）を形成した後で活性化処理を行うことが好まし
い。

【００９２】そして、加熱処理（３００〜５５０℃で１
〜１２時間の熱処理）を行うと水素化を行うことができ
る。この工程は第１の層間絶縁膜４６１に含まれる水素
により半導体層のダングリングボンドを終端する工程で
ある。第１の層間絶縁膜の存在に関係なく半導体層を水
素化することができる。水素化の他の手段として、プラ
ズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）
や、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で３００〜４５
０℃で１〜１２時間の加熱処理を行っても良い。

【００９３】また、活性化処理としてレーザ光を照射す
る場合には、上記水素化を行った後、エキシマレーザや
ＹＡＧレーザ等のレーザ光を照射することが望ましい。

【００９４】次いで、第１の層間絶縁膜４６１上に無機
絶縁膜材料または有機絶縁物材料から成る第２の層間絶
縁膜４６２を形成する。本実施例では、膜厚１．６μｍ
のアクリル樹脂膜を形成したが、粘度が１０〜１０００
ｃｐ、好ましくは４０〜２００ｃｐのものを用い、表面
に凸凹が形成されるものを用いる。

【００９５】本実施例では、鏡面反射を防ぐため、表面
に凸凹（図示しない）が形成される第２の層間絶縁膜を
形成することによって画素電極の表面に凸凹を形成し
た。また、画素電極の表面に凹凸を持たせて光散乱性を
図るため、画素電極の下方の領域に凸部を形成してもよ
い。その場合、凸部の形成は、ＴＦＴの形成と同じフォ
トマスクで行うことができるため、工程数の増加なく形
成することができる。なお、この凸部は配線及びＴＦＴ
部以外の画素部領域の基板上に適宜設ければよい。こう
して、凸部を覆う絶縁膜の表面に形成された凸凹に沿っ
て画素電極の表面に凸凹が形成される。

【００９６】また、第２の層間絶縁膜４６２として表面
が平坦化する膜を用いてもよい。その場合は、画素電極
を形成した後、公知のサンドブラスト法やエッチング法
等の工程を追加して表面を凹凸化させて、鏡面反射を防
ぎ、反射光を散乱させることによって白色度を増加させ
ることが好ましい。

【００９７】そして、駆動回路５０６において、各不純
物領域とそれぞれ電気的に接続する配線４６３〜４６７
を形成する。なお、これらの配線は、膜厚５０ｎｍのＴ
ｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金
膜）との積層膜をパターニングして形成する。もちろ
ん、二層構造に限らず、単層構造でもよいし、三層以上
の積層構造にしてもよい。また、配線の材料としては、
ＡｌとＴｉに限らない。例えば、ＴａＮ膜上にＡｌやＣ
ｕを形成し、さらにＴｉ膜を形成した積層膜をパターニ
ングして配線を形成してもよい。（図８）

【００９８】また、画素部５０７においては、画素電極
４７０、ゲート配線４６９、接続電極４６８を形成す
る。この接続電極４６８によりソース配線（４３３ａと
４３３ｂの積層）は、画素ＴＦＴと電気的な接続が形成
される。また、ゲート配線４６９は、画素ＴＦＴのゲー
ト電極と電気的な接続が形成される。また、画素電極４
７０は、画素ＴＦＴのドレイン領域と電気的な接続が形
成され、さらに保持容量を形成する一方の電極として機
能する半導体層と電気的な接続が形成される。また、画
素電極４７０としては、ＡｌまたはＡｇを主成分とする
膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用
いることが望ましい。

【００９９】以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ５０
１とｐチャネル型ＴＦＴ５０２からなるＣＭＯＳ回路、
及びｎチャネル型ＴＦＴ５０３を有する駆動回路５０６
と、画素ＴＦＴ５０４、保持容量５０５とを有する画素
部５０７を同一基板上に形成することができる。こうし
て、アクティブマトリクス基板が完成する。

【０１００】駆動回路５０６のｎチャネル型ＴＦＴ５０
１はチャネル形成領域４３７、ゲート電極の一部を構成
する第１の導電層４２８ａと重なる低濃度不純物領域４
３６（ＧＯＬＤ領域）、ソース領域またはドレイン領域
として機能する高濃度不純物領域４５２を有している。
このｎチャネル型ＴＦＴ５０１と電極４６６で接続して
ＣＭＯＳ回路を形成するｐチャネル型ＴＦＴ５０２には
チャネル形成領域４４０、ソース領域またはドレイン領
域として機能する高濃度不純物領域４５３と、低濃度不
純物領域４５３とを有している。また、ｎチャネル型Ｔ
ＦＴ５０３にはチャネル形成領域４４３、ゲート電極の
一部を構成する第１の導電層４３０ａと重なる低濃度不
純物領域４４２（ＧＯＬＤ領域）、ソース領域またはド
レイン領域として機能する高濃度不純物領域４５６を有
している。

【０１０１】画素部の画素ＴＦＴ５０４にはチャネル形
成領域４４６、ゲート電極の外側に形成される低濃度不
純物領域４４５（ＬＤＤ領域）、ソース領域またはドレ
イン領域として機能する高濃度不純物領域４５８を有し
ている。また、保持容量５０５の一方の電極として機能
する半導体層には、ｎ型を付与する不純物元素およびｐ
型を付与する不純物元素が添加されている。保持容量５
０５は、絶縁膜４１６を誘電体として、電極（４３２ａ
と４３２ｂの積層）と、半導体層とで形成している。

【０１０２】本実施例の画素構造は、ブラックマトリク
スを用いることなく、画素電極間の隙間が遮光されるよ
うに、画素電極の端部をソース配線と重なるように配置
形成する。

【０１０３】また、本実施例で作製するアクティブマト
リクス基板の画素部の上面図を図９に示す。なお、図６
〜図９に対応する部分には同じ符号を用いている。図８
中の鎖線Ａ−Ａ’は図９中の鎖線Ａ―Ａ’で切断した断
面図に対応している。また、図８中の鎖線Ｂ−Ｂ’は図
９中の鎖線Ｂ―Ｂ’で切断した断面図に対応している。

【０１０４】なお、本実施例は実施例１乃至３のいずれ
か一と自由に組み合わせることが可能である。

【０１０５】［実施例５］本実施例では、実施例４で作
製したアクティブマトリクス基板から、反射型液晶表示
装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図１０
を用いる。

【０１０６】まず、実施例４に従い、図８の状態のアク
ティブマトリクス基板を得た後、図８のアクティブマト
リクス基板上、少なくとも画素電極４７０上に配向膜５
６７を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では
配向膜５６７を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機
樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持
するための柱状のスペーサ５７２を所望の位置に形成し
た。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを
基板全面に散布してもよい。

【０１０７】次いで、対向基板５６９を用意する。次い
で、対向基板５６９上に着色層５７０、５７１、平坦化
膜５７３を形成する。赤色の着色層５７０と青色の着色
層５７１とを重ねて、遮光部を形成する。また、赤色の
着色層と緑色の着色層とを一部重ねて、遮光部を形成し
てもよい。

【０１０８】本実施例では、実施例４に示す基板を用い
ている。従って、実施例４の画素部の上面図を示す図９
では、少なくともゲート配線４６９と画素電極４７０の
間隙と、ゲート配線４６９と接続電極４６８の間隙と、
接続電極４６８と画素電極４７０の間隙を遮光する必要
がある。本実施例では、それらの遮光すべき位置に着色
層の積層からなる遮光部が重なるように各着色層を配置
して、対向基板を貼り合わせた。

【０１０９】このように、ブラックマスク等の遮光層を
形成することなく、各画素間の隙間を着色層の積層から
なる遮光部で遮光することによって工程数の低減を可能
とした。

【０１１０】次いで、平坦化膜５７３上に透明導電膜か
らなる対向電極５７６を少なくとも画素部に形成し、対
向基板の全面に配向膜５７４を形成し、ラビング処理を
施した。

【０１１１】そして、画素部と駆動回路が形成されたア
クティブマトリクス基板と対向基板とをシール材５６８
で貼り合わせる。シール材５６８にはフィラーが混入さ
れていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な
間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。その後、
両基板の間に液晶材料５７５を注入し、封止剤（図示せ
ず）によって完全に封止する。液晶材料５７５には公知
の液晶材料を用いれば良い。このようにして図１０に示
す反射型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれ
ば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の
形状に分断する。さらに、対向基板のみに偏光板（図示
しない）を貼りつけた。そして、公知の技術を用いてＦ
ＰＣを貼りつけた。

【０１１２】以上のようにして作製される液晶表示装置
は大粒径の結晶粒を有する半導体膜を用いて作製されて
おり、前記液晶表示装置の動作特性や信頼性を十分なも
のとなり得る。そして、このような液晶表示装置は各種
電子機器の表示部として用いることができる。

【０１１３】なお、本実施例は実施例１乃至４のいずれ
か一と自由に組み合わせることが可能である。

【０１１４】［実施例６］本実施例では、本発明を用い
て発光装置を作製した例について説明する。本明細書に
おいて、発光装置とは、基板上に形成された発光素子を
該基板とカバー材の間に封入した表示用パネルおよび該
表示用パネルにＩＣを実装した表示用モジュールを総称
したものである。なお、発光素子は、電場を加えること
で発生するルミネッセンス（Electro Luminescence）が
得られる有機化合物を含む層（発光層）と陽極層と、陰
極層とを有する。また、有機化合物におけるルミネッセ
ンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光
（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光
（リン光）があり、これらのうちどちらか、あるいは両
方の発光を含む。

【０１１５】なお、本明細書中では、発光素子において
陽極と陰極の間に形成された全ての層を有機発光層と定
義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入
層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれ
る。基本的に発光素子は、陽極層、発光層、陰極層が順
に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽
極層、正孔注入層、発光層、陰極層や、陽極層、正孔注
入層、発光層、電子輸送層、陰極層等の順に積層した構
造を有していることもある。

【０１１６】図１１は本実施例の発光装置の断面図であ
る。図１１において、基板７００上に設けられたスイッ
チングＴＦＴ６０３は図８のｎチャネル型ＴＦＴ５０３
を用いて形成される。したがって、構造の説明はｎチャ
ネル型ＴＦＴ５０３の説明を参照すれば良い。

【０１１７】なお、本実施例ではチャネル形成領域が二
つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル
形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは
三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。

【０１１８】基板７００上に設けられた駆動回路は図８
のＣＭＯＳ回路を用いて形成される。従って、構造の説
明はｎチャネル型ＴＦＴ５０１とｐチャネル型ＴＦＴ５
０２の説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシン
グルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしく
はトリプルゲート構造であっても良い。

【０１１９】また、配線７０１、７０３はＣＭＯＳ回路
のソース配線、７０２はドレイン配線として機能する。
また、配線７０４はソース配線７０８とスイッチングＴ
ＦＴのソース領域とを電気的に接続する配線として機能
し、配線７０５はドレイン配線７０９とスイッチングＴ
ＦＴのドレイン領域とを電気的に接続する配線として機
能する。

【０１２０】なお、電流制御ＴＦＴ６０４は図８のｐチ
ャネル型ＴＦＴ５０２を用いて形成される。従って、構
造の説明はｐチャネル型ＴＦＴ５０２の説明を参照すれ
ば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造として
いるが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造
であっても良い。

【０１２１】また、配線７０６は電流制御ＴＦＴのソー
ス配線（電流供給線に相当する）であり、７０７は電流
制御ＴＦＴの画素電極７１１上に重ねることで画素電極
７１１と電気的に接続する電極である。

【０１２２】なお、７１１は、透明導電膜からなる画素
電極（発光素子の陽極）である。透明導電膜としては、
酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウム
と酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化
インジウムを用いることができる。また、前記透明導電
膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素電極
７１１は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁膜７
１０上に形成する。本実施例においては、樹脂からなる
平坦化膜７１０を用いてＴＦＴによる段差を平坦化する
ことは非常に重要である。後に形成される発光層は非常
に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起
こす場合がある。従って、発光層をできるだけ平坦面に
形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化してお
くことが望ましい。

【０１２３】配線７０１〜７０７を形成後、図１１に示
すようにバンク７１２を形成する。バンク７１２は１０
０〜４００ｎｍの珪素を含む絶縁膜もしくは有機樹脂膜
をパターニングして形成すれば良い。

【０１２４】なお、バンク７１２は絶縁膜であるため、
成膜時における素子の静電破壊には注意が必要である。
本実施例ではバンク７１２の材料となる絶縁膜中にカー
ボン粒子や金属粒子を添加して抵抗率を下げ、静電気の
発生を抑制する。この際、抵抗率は１×１０⁶〜１×１
０¹²Ωｍ（好ましくは１×１０⁸〜１×１０¹⁰Ωｍ）と
なるようにカーボン粒子や金属粒子の添加量を調節すれ
ば良い。

【０１２５】画素電極７１１の上には発光層７１３が形
成される。なお、図１１では一画素しか図示していない
が、本実施例ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色
に対応した発光層を作り分けている。また、本実施例で
は蒸着法により低分子系有機発光材料を形成している。
具体的には、正孔注入層として２０ｎｍ厚の銅フタロシ
アニン（ＣｕＰｃ）膜を設け、その上に発光層として７
０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体
（Ａｌｑ₃）膜を設けた積層構造としている。Ａｌｑ₃に
キナクリドン、ペリレンもしくはＤＣＭ１といった蛍光
色素を添加することで発光色を制御することができる。

【０１２６】但し、以上の例は発光層として用いること
のできる有機発光材料の一例であって、これに限定する
必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注
入層を自由に組み合わせて発光層（発光及びそのための
キャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良
い。例えば、本実施例では低分子系有機発光材料を発光
層として用いる例を示したが、中分子系有機発光材料や
高分子系有機発光材料を用いても良い。なお、本明細書
中において、昇華性を有さず、かつ、分子数が２０以下
または連鎖する分子の長さが１０μｍ以下の有機発光材
料を中分子系有機発光材料とする。また、高分子系有機
発光材料を用いる例として、正孔注入層として２０ｎｍ
のポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）膜をスピン塗布法によ
り設け、その上に発光層として１００ｎｍ程度のパラフ
ェニレンビニレン（ＰＰＶ）膜を設けた積層構造として
も良い。なお、ＰＰＶのπ共役系高分子を用いると、赤
色から青色まで発光波長を選択できる。また、電荷輸送
層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いるこ
とも可能である。これらの有機発光材料や無機材料は公
知の材料を用いることができる。

【０１２７】次に、発光層７１３の上には導電膜からな
る陰極７１４が設けられる。本実施例の場合、導電膜と
してアルミニウムとリチウムとの合金膜を用いる。勿
論、公知のＭｇＡｇ膜（マグネシウムと銀との合金膜）
を用いても良い。陰極材料としては、周期表の１族もし
くは２族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの
元素を添加した導電膜を用いれば良い。

【０１２８】この陰極７１４まで形成された時点で発光
素子７１５が完成する。なお、ここでいう発光素子７１
５は、画素電極（陽極）７１１、発光層７１３及び陰極
７１４で形成されたダイオードを指す。

【０１２９】発光素子７１５を完全に覆うようにしてパ
ッシベーション膜７１６を設けることは有効である。パ
ッシベーション膜７１６としては、炭素膜、窒化珪素膜
もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁
膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。

【０１３０】この際、カバレッジの良い膜をパッシベー
ション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にＤ
ＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を用いることは
有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範
囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い発光層７１３の
上方にも容易に成膜することができる。また、ＤＬＣ膜
は酸素に対するブロッキング効果が高く、発光層７１３
の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後
に続く封止工程を行う間に発光層７１３が酸化するとい
った問題を防止できる。

【０１３１】さらに、パッシベーション膜７１６上に封
止材７１７を設け、カバー材７１８を貼り合わせる。封
止材７１７としては紫外線硬化樹脂を用いれば良く、内
部に吸湿効果を有する物質もしくは酸化防止効果を有す
る物質を設けることは有効である。また、本実施例にお
いてカバー材７１８はガラス基板や石英基板やプラスチ
ック基板（プラスチックフィルムも含む）の両面に炭素
膜（好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜）を形成
したものを用いる。

【０１３２】こうして図１１に示すような構造の発光装
置が完成する。なお、バンク７１２を形成した後、パッ
シベーション膜７１６を形成するまでの工程をマルチチ
ャンバー方式（またはインライン方式）の成膜装置を用
いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効であ
る。また、さらに発展させてカバー材７１８を貼り合わ
せる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも
可能である。

【０１３３】こうして、基板７００上にｎチャネル型Ｔ
ＦＴ６０１、ｐチャネル型ＴＦＴ６０２、スイッチング
ＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）６０３および電流制御Ｔ
ＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ）６０４が形成される。

【０１３４】さらに、図１１を用いて説明したように、
ゲート電極に絶縁膜を介して重なる不純物領域を設ける
ことによりホットキャリア効果に起因する劣化に強いｎ
チャネル型ＴＦＴを形成することができる。そのため、
信頼性の高い発光装置を実現できる。

【０１３５】また、本実施例では画素部と駆動回路の構
成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、そ
の他にも信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアン
プ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成
可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも
形成しうる。

【０１３６】さらに、発光素子を保護するための封止
（または封入）工程まで行った後の本実施例の発光装置
について図１２を用いて説明する。なお、必要に応じて
図１１で用いた符号を引用する。

【０１３７】図１２（Ａ）は、発光素子の封止までを行
った状態を示す上面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）を
Ｃ−Ｃ’で切断した断面図である。点線で示された８０
１はソース側駆動回路、８０６は画素部、８０７はゲー
ト側駆動回路である。また、９０１はカバー材、９０２
は第１シール材、９０３は第２シール材であり、第１シ
ール材９０２で囲まれた内側には封止材９０７が設けら
れる。

【０１３８】なお、９０４はソース側駆動回路８０１及
びゲート側駆動回路８０７に入力される信号を伝送する
ための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキ
シブルプリントサーキット）９０５からビデオ信号やク
ロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示
されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（Ｐ
ＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における
発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣ
もしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとす
る。

【０１３９】次に、断面構造について図１２（Ｂ）を用
いて説明する。基板７００の上方には画素部８０６、ゲ
ート側駆動回路８０７が形成されており、画素部８０６
は電流制御ＴＦＴ６０４とそのドレインに電気的に接続
された画素電極７１１を含む複数の画素により形成され
る。また、ゲート側駆動回路８０７はｎチャネル型ＴＦ
Ｔ６０１とｐチャネル型ＴＦＴ６０２とを組み合わせた
ＣＭＯＳ回路を用いて形成される。

【０１４０】画素電極７１１は発光素子の陽極として機
能する。また、画素電極７１１の両端にはバンク７１２
が形成され、画素電極７１１上には発光層７１３および
発光素子の陰極７１４が形成される。

【０１４１】陰極７１４は全画素に共通の配線としても
機能し、接続配線９０４を経由してＦＰＣ９０５に電気
的に接続されている。さらに、画素部８０６及びゲート
側駆動回路８０７に含まれる素子はパッシベーション膜
７１６で覆われている。

【０１４２】また、第１シール材９０２によりカバー材
９０１が貼り合わされている。なお、カバー材９０１と
発光素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペ
ーサを設けても良い。そして、第１シール材９０２の内
側には封止材７１７が充填されている。なお、第１シー
ル材９０２、封止材７１７としてはエポキシ系樹脂を用
いるのが好ましい。また、第１シール材９０２はできる
だけ水分や酸素を透過しない材料であることが望まし
い。さらに、封止材７１７の内部に吸湿効果をもつ物質
や酸化防止効果をもつ物質を含有させても良い。

【０１４３】発光素子を覆うようにして設けられた封止
材７１７はカバー材９０１を接着するための接着剤とし
ても機能する。また、本実施例ではカバー材９０１を構
成するプラスチック基板９０１aの材料としてＦＲＰ（F
iberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニ
ルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリ
ルを用いることができる。

【０１４４】また、封止材７１７を用いてカバー材９０
１を接着した後、封止材７１７の側面（露呈面）を覆う
ように第２シール材９０３を設ける。第２シール材９０
３は第１シール材９０２と同じ材料を用いることができ
る。

【０１４５】以上のような構造で発光素子を封止材７１
７に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮
断することができ、外部から水分や酸素等の発光層の酸
化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことがで
きる。従って、信頼性の高い発光装置が得られる。

【０１４６】以上のようにして作製される発光装置は大
粒径の結晶粒を有する半導体膜を用いて作製されてお
り、前記発光装置の動作特性や信頼性を十分なものとな
り得る。そして、このような液晶表示装置は各種電子機
器の表示部として用いることができる。

【０１４７】なお、本実施例は実施例１乃至４のいずれ
か一と自由に組み合わせることが可能である。

【０１４８】［実施例７］本発明を適用して、様々な電
気光学装置（アクティブマトリクス型液晶表示装置、ア
クティブマトリクス型発光装置、アクティブマトリクス
型ＥＣ表示装置）を作製することができる。即ち、それ
ら電気光学装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に
本発明を適用できる。

【０１４９】その様な電子機器としては、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウント
ディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲ
ーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携
帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電
子書籍等）などが挙げられる。それらの例を図１３、図
１４及び図１５に示す。

【０１５０】図１３（Ａ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体３００１、画像入力部３００２、表示部３０
０３、キーボード３００４等を含む。本発明を表示部３
００３に適用することができる。

【０１５１】図１３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
３１０１、表示部３１０２、音声入力部３１０３、操作
スイッチ３１０４、バッテリー３１０５、受像部３１０
６等を含む。本発明を表示部３１０２に適用することが
できる。

【０１５２】図１３（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モ
ービルコンピュータ）であり、本体３２０１、カメラ部
３２０２、受像部３２０３、操作スイッチ３２０４、表
示部３２０５等を含む。本発明は表示部３２０５に適用
できる。

【０１５３】図１３（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイで
あり、本体３３０１、表示部３３０２、アーム部３３０
３等を含む。本発明は表示部３３０２に適用することが
できる。

【０１５４】図１３（Ｅ）はプログラムを記録した記録
媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであ
り、本体３４０１、表示部３４０２、スピーカ部３４０
３、記録媒体３４０４、操作スイッチ３４０５等を含
む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄ
ｉｇｔｉａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ）、ＣＤ
等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネッ
トを行うことができる。本発明は表示部３４０２に適用
することができる。

【０１５５】図１３（Ｆ）はデジタルカメラであり、本
体３５０１、表示部３５０２、接眼部３５０３、操作ス
イッチ３５０４、受像部（図示しない）等を含む。本発
明を表示部３５０２に適用することができる。

【０１５６】図１４（Ａ）はフロント型プロジェクター
であり、投射装置３６０１、スクリーン３６０２等を含
む。本発明は投射装置３６０１の一部を構成する液晶表
示装置やその他の駆動回路に適用することができる。

【０１５７】図１４（Ｂ）はリア型プロジェクターであ
り、本体３７０１、投射装置３７０２、ミラー３７０
３、スクリーン３７０４等を含む。本発明は投射装置３
７０２の一部を構成する液晶表示装置やその他の駆動回
路に適用することができる。

【０１５８】なお、図１４（Ｃ）は、図１４（Ａ）及び
図１４（Ｂ）中における投射装置３６０１、３７０２の
構造の一例を示した図である。投射装置３６０１、３７
０２は、光源光学系３８０１、ミラー３８０２、３８０
４〜３８０６、ダイクロイックミラー３８０３、プリズ
ム３８０７、液晶表示装置３８０８、位相差板３８０
９、投射光学系３８１０で構成される。投射光学系３８
１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施
例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単
板式であってもよい。また、図１４（Ｃ）中において矢
印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機
能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィル
ム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。

【０１５９】また、図１４（Ｄ）は、図１４（Ｃ）中に
おける光源光学系３８０１の構造の一例を示した図であ
る。本実施例では、光源光学系３８０１は、リフレクタ
ー３８１１、光源３８１２、レンズアレイ３８１３、３
８１４、偏光変換素子３８１５、集光レンズ３８１６で
構成される。なお、図１４（Ｄ）に示した光源光学系は
一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に
実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィル
ムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光
学系を設けてもよい。

【０１６０】ただし、図１４に示したプロジェクターに
おいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示して
おり、反射型の電気光学装置及び発光装置での適用例は
図示していない。

【０１６１】図１５（Ａ）は携帯電話であり、本体３９
０１、音声出力部３９０２、音声入力部３９０３、表示
部３９０４、操作スイッチ３９０５、アンテナ３９０６
等を含む。本発明を表示部３９０４に適用することがで
きる。

【０１６２】図１５（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であ
り、本体４００１、表示部４００２、４００３、記憶媒
体４００４、操作スイッチ４００５、アンテナ４００６
等を含む。本発明は表示部４００２、４００３に適用す
ることができる。

【０１６３】図１５（Ｃ）はディスプレイであり、本体
４１０１、支持台４１０２、表示部４１０３等を含む。
本発明は表示部４１０３に適用することができる。本発
明のディスプレイは特に大画面化した場合において有利
であり、対角１０インチ以上（特に３０インチ以上）の
ディスプレイには有利である。

【０１６４】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、さまざま分野の電子機器に適用することが可能であ
る。また、本実施例の電子機器は実施例１〜４または５
のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現す
ることができる。

【０１６５】［実施例８］本実施例では、基板に照射し
たレーザ光を反射板により反射させ、基板に再度照射す
る方法について図２０を用いて説明する。

【０１６６】図２０には基板２００、レーザ光２２０
ａ、レーザ光２２０ｂ、反射光２３０ａ、反射光２３０
ｂ、第１反射板２４０、第２反射板２５０が記載されて
いる。また１０６、１０７、１０８には基板が移動する
方向が示されている。

【０１６７】レーザ光２２０ａは基板に入射後透過し、
第１反射板２４０で反射し、基板に再度入射する。これ
を反射光２３０ａと記載する。反射光２３０ａは第２反
射板によって基板方向に反射する。同様にレーザ光２２
０ｂは基板に入射した後透過し、第１反射板２４０によ
って基板方向に反射する。これを反射光２３０ｂと記載
する。本実施例ではレーザ光２２０ａ及び２２０ｂのレ
ーザ幅は５００μｍであり、基板への入射角度は２０度
である。レーザ光は実施例１乃至３のようにシリンドリ
カルレンズやアイソレータ等で適宜加工すればよい。ま
た、基板は実施例１と同様に移動させ、基板全面にレー
ザ光を照射することができる。

【０１６８】このようにして、反射板を用いて複数のレ
ーザ光を基板に照射すれば、レーザ光の反射光も有効に
利用することができる。そのため、スループットが向上
し、効率よく、レーザ光の照射を行うことができる。ま
た本実施例の構成において複数のレーザ光源を用いると
干渉も防ぐことができる。しかし、レーザ光が、照射す
る基板で重ならない場合は、同一のレーザ光源を用いて
もかまわない。

【０１６９】また、本実施例では反射板を基板と平行に
設置しているが、反射板を傾けて設置してもよい。

【０１７０】なお、本実施例は実施例１乃至７で用いる
ことが出来る。しかし１つのレーザ光源から発振された
レーザ光を分割して、複数のレーザ光として用いる場合
は、干渉を防ぐために、基板から反射板までの距離が、
レーザ光のコヒーレンス長の長さの半分以上であること
が必要である。しかし、レーザ光が、照射する基板で重
ならない場合は、同一のレーザ光源を用いてもかまわな
い。

【０１７１】［実施例９］本実施例では、基板に照射し
たレーザ光を反射板により反射させ、基板に再度照射す
る方法について図２１を用いて説明する。

【０１７２】図２１には基板２１２、レーザ光２１１
ａ、レーザ光２１１ｂ、レーザ光２１１ｃ、レーザ光２
１１ｄ、反射光２１４ａ、反射光２１４ｂ、反射光２１
４ｃ、反射光２１４ｄ、反射板２１３が記載されてい
る。また１０６、１０７、１０８は基板が移動する方向
が示されている。

【０１７３】レーザ光２１１ａは基板に入射後透過し、
反射板２１３で反射し、基板に再度入射する。これを反
射光２１４ａと記載する。レーザ光２１１ｂは基板に入
射後透過し、反射板２１３で反射し、基板に再度入射す
る。これを反射光２１４ｂと記載する。レーザ光２１１
ｃは基板に入射後透過し、反射板２１３で反射し、基板
に再度入射する。これを反射光２１４ｃと記載する。レ
ーザ光２１１ｄは基板に入射後透過し、反射板２１３で
反射し、基板に再度入射する。これを反射光２１４ｄと
記載する。本実施例ではレーザ光２１１ａ、２１１ｂ、
２１１ｃ及び２１１ｄのレーザ幅は５００μｍであり、
基板への入射角度は２０度である。レーザ光は実施例１
乃至３のようにシリンドリカルレンズやアイソレータ等
で適宜加工すればよい。また、基板は実施例１と同様に
移動させ、基板全面にレーザ光を照射することができ
る。

【０１７４】このようにして、反射板を用いて複数のレ
ーザ光を基板に照射すれば、レーザ光の反射光も有効に
利用することができる。そのため、スループットが向上
し、効率よく、レーザ光の照射を行うことができる。ま
た本実施例の構成において、複数のレーザ光源を用いる
と干渉も防ぐことができる。しかし、レーザ光が、照射
する基板で重ならない場合は、同一のレーザ光源を用い
てもかまわない。

【０１７５】また、本実施例では反射板を基板と平行に
設置しているが、反射板を傾けて設置してもよい。

【０１７６】なお、本実施例は実施例１乃至７で用いる
ことが出来る。しかし１つのレーザ光源から発振された
レーザ光を分割して、複数のレーザ光として用いる場合
は、干渉を防ぐために、基板から反射板までの距離が、
レーザ光のコヒーレンス長の長さの半分以上であること
が必要である。しかし、レーザ光が、照射する基板で重
ならない場合は、同一のレーザ光源を用いてもかまわな
い。

【０１７７】

【発明の効果】本発明の構成を採用することにより、以
下に示すような基本的有意性を得ることが出来る。（ａ）従来のＴＦＴの作製プロセスに適合した、簡単な
方法である。（ｂ）照射面においてエネルギー分布が同一なレーザ光
を照射することができる。（ｃ）スループットを向上させることを可能とする。こ
れは、大面積基板の場合に特に有効である。（ｄ）単結晶に近い結晶粒を有する半導体膜を形成する
ことができる。（ｅ）以上の利点を満たした上で、アクティブマトリク
ス型の液晶表示装置に代表される半導体装置において、
半導体装置の動作特性および信頼性の向上を実現するこ
とができる。さらに、半導体装置の製造コストの低減を
実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】レーザ照射装置の構成の例を示す図。

【図２】照射面におけるレーザ照射方法の例を示す
図。

【図３】レーザ照射装置の構成の例を示す図。

【図４】レーザ照射装置の構成の例を示す図。

【図５】レーザ照射装置の構成の例を示す図。

【図６】画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を
示す断面図。

【図７】画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を
示す断面図。

【図８】画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を
示す断面図。

【図９】画素ＴＦＴの構成を示す上面図。

【図１０】アクティブマトリクス型液晶表示装置の作
製工程を示す断面図。

【図１１】発光装置の駆動回路及び画素部の断面構造
図。

【図１２】（Ａ）発光装置の上面図。（Ｂ）発光装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。

【図１３】半導体装置の例を示す図。

【図１４】半導体装置の例を示す図。

【図１５】半導体装置の例を示す図。

【図１６】レーザ光の入射角度に対する反射率の例を
示す図。

【図１７】レーザ光の入射角度と干渉との関係の例を
示す図。

【図１８】レーザ照射装置の構成の例を示す図。

【図１９】レーザ照射装置の構成の例を示す図。

【図２０】レーザ照射装置の構成の例を示す図。

【図２１】レーザ照射装置の構成の例を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｆターム(参考） 5F052 AA02 AA11 AA17 AA24 BA10 BA11 BA18 BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB07 CA10 DA02 DA03 DB02 DB03 DB07 EA12 FA06 FA19 JA01 JA04 5F110 AA01 AA14 AA16 BB02 BB04 CC02 DD01 DD02 DD03 DD05 DD13 DD14 DD15 DD17 EE01 EE02 EE03 EE04 EE06 EE09 EE14 EE23 EE28 EE44 EE45 FF02 FF04 FF09 FF28 FF30 GG01 GG02 GG13 GG25 GG32 GG43 GG45 GG47 HJ01 HJ04 HJ12 HJ13 HJ23 HL01 HL02 HL03 HL04 HL06 HL11 HL12 HM15 NN03 NN04 NN22 NN27 NN34 NN35 NN73 PP01 PP02 PP03 PP04 PP05 PP06 PP07 PP29 PP34 PP40 QQ04 QQ11 QQ19 QQ23 QQ24 QQ25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のレーザと、前記複数のレーザから射
出された複数のレーザ光に対し斜めに設置された照射面
と、前記照射面における前記複数のレーザ光の形状を楕
円状または矩形状にする手段と、前記照射面における前
記複数のレーザ光と被照射体を相対的に移動させる手段
とを有し、前記複数のレーザ光の前記照射面に対する入
射角度φは、同じであり、かつ前記複数のレーザ光のビ
ーム幅Ｗ、基板の厚さｄであるとき、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】レーザと、前記レーザから射出されたレー
ザ光を複数のレーザ光に分割する手段と、前記複数のレ
ーザ光に対し斜めに設置された照射面と、前記照射面に
おける前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状
にする手段と、前記照射面における前記複数のレーザ光
と被照射体を相対的に移動させる手段とを有し、前記複
数のレーザ光の前記照射面に対する入射角度φは、同じ
であり、かつ前記複数のレーザ光のビーム幅Ｗ、基板の
厚さｄであるとき、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】請求項１及び２において、前記照射面にお
ける前記複数のレーザ光と被照射体を相対的に移動させ
る手段とは、前記照射面における前記複数のレーザ光の
照射位置を第１の方向および第１の方向とは逆方向へ移
動させ、かつ、前記照射面における複数のレーザ光の照
射位置を第２の方向へ移動させることを特徴とするレー
ザ照射装置。
【請求項４】請求項２及び３において、前記レーザから
射出されたレーザ光を複数のレーザ光に分割する手段
は、ビームスプリッターを有することを特徴とするレー
ザ照射装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一項にお
いて、前記照射面における前記複数のレーザ光の形状を
楕円状または矩形状にする手段は、凸レンズまたはシリ
ンドリカルレンズを有することを特徴とするレーザ照射
装置。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記レーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザ
であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記レーザは、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレー
ザ、ＹＶＯ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ₃レーザ、
ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレー
ザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複
数種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記レーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一
種または複数種であることを特徴とするレーザ照射装
置。
【請求項９】複数のレーザから複数のレーザ光を射出
し、前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている
照射面における前記複数のレーザ光の形状を光学系によ
り楕円状または矩形状に成形し、前記照射面を第１の方
向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度
φ、かつ前記複数のレーザ光のビーム幅Ｗ、基板の厚さ
ｄであるとき、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たす入射角度φで照射し、前記照射面を第２の方向
へ移動させ、前記照射面を第１の方向とは逆方向へ移動
させながら前記複数のレーザ光を照射することを特徴と
するレーザ照射方法。
【請求項１０】複数のレーザから複数のレーザ光を射出
し、前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている
照射面における前記複数のレーザ光の形状を光学系によ
り楕円状または矩形状に成形し、前記照射面を第１の方
向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度
φ、かつ前記複数のレーザ光のビーム幅Ｗ、基板の厚さ
ｄであるとき、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たす入射角度φで照射し、前記照射面を第１の方向
とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を前記
入射角度φで照射し、前記照射面を第２の方向へ移動さ
せることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】レーザから射出されたレーザ光を複数の
レーザ光に分割し、前記複数のレーザ光に対して斜めに
設置されている照射面における前記複数のレーザ光の形
状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、前記照
射面を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光
を同じ入射角度φ、かつ前記複数のレーザ光のビーム幅
Ｗ、基板の厚さｄであるとき、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たす入射角度φで照射し、前記照射面を第２の方向
へ移動させ、前記照射面を第１の方向とは逆方向へ移動
させながら前記複数のレーザ光を照射することを特徴と
するレーザ照射方法。
【請求項１２】レーザから射出されたレーザ光を複数の
レーザ光に分割し、前記複数のレーザ光に対して斜めに
設置されている照射面における前記複数のレーザ光の形
状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、前記照
射面を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光
を同じ入射角度φ、かつ前記複数のレーザ光のビーム幅
Ｗ、基板の厚さｄであるとき、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たす入射角度φで照射し、前記照射面を第１の方向
とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を前記
入射角度φで照射し、前記照射面を第２の方向へ移動さ
せることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】請求項１１及び１２において、前記レー
ザから射出されたレーザ光はビームスプリッターによっ
て複数のレーザ光に分割されることを特徴とするレーザ
照射方法。
【請求項１４】請求項９乃至請求項１２のいずれか一項
において、前記照射面における前記複数のレーザ光の形
状は凸レンズまたはシリンドリカルレンズによって楕円
状または矩形状にされることを特徴とするレーザ照射方
法。
【請求項１５】請求項９乃至１４のいずれか一項におい
て、前記複数のレーザ光は、連続発振またはパルス発振
の固体レーザから発振されたものであることを特徴とす
るレーザ照射方法。
【請求項１６】請求項９乃至１４のいずれか一項におい
て、前記複数のレーザ光は、連続発振またはパルス発振
のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡ
ｌＯ₃レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサ
ンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれ
た一種または複数種から発振されたものであることを特
徴とするレーザ照射方法。
【請求項１７】請求項９乃至１４のいずれか一項におい
て、前記複数のレーザ光は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザか
ら選ばれた一種または複数種から発振されたものである
ことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１８】基板上に半導体膜を形成し、複数のレー
ザから複数のレーザ光を射出し、前記複数のレーザ光に
対して斜めに設置されている前記半導体膜における前記
複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形
状に成形し、前記半導体膜を第１の方向へ移動させなが
ら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φ、かつ前記複数
のレーザ光のビーム幅Ｗ、前記基板の厚さｄであると
き、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たす入射角度φで照射し、前記半導体膜を第２の方
向へ移動させ、前記半導体膜を第１の方向とは逆方向へ
移動させながら前記複数のレーザ光を照射することを特
徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】基板上に半導体膜を形成し、複数のレー
ザから複数のレーザ光を射出し、前記複数のレーザ光に
対して斜めに設置されている前記半導体膜における前記
複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形
状に成形し、前記半導体膜を第１の方向へ移動させなが
ら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φ、かつ前記複数
のレーザ光のビーム幅Ｗ、前記基板の厚さｄであると
き、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たす入射角度φで照射し、前記半導体膜を第１の方
向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を前
記入射角度φで照射し、前記半導体膜を第２の方向へ移
動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】基板上に半導体膜を形成し、レーザから
射出されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記複
数のレーザ光に対して斜めに設置されている前記半導体
膜における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕
円状または矩形状に成形し、前記半導体膜を第１の方向
へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度
φ、かつ前記複数のレーザ光のビーム幅Ｗ、前記基板の
厚さｄであるとき、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たす入射角度φで照射し、前記半導体膜を第２の方
向へ移動させ、前記半導体膜を第１の方向とは逆方向へ
移動させながら前記複数のレーザ光を照射することを特
徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】基板上に半導体膜を形成し、レーザから
射出されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記複
数のレーザ光に対して斜めに設置されている前記半導体
膜における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕
円状または矩形状に成形し、前記半導体膜を第１の方向
へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度
φ、かつ前記複数のレーザ光のビーム幅Ｗ、前記基板の
厚さｄであるとき、 φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）を満たす入射角度φで照射し、前記半導体膜を第１の方
向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を前
記入射角度φで照射し、前記半導体膜を第２の方向へ移
動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】請求項２０及び２１において、前記レー
ザから射出されたレーザ光はビームスプリッターによっ
て複数のレーザ光に分割されることを特徴とする半導体
装置の作製方法。
【請求項２３】請求項１８乃至請求項２１のいずれか一
項において、前記照射面における前記複数のレーザ光の
形状は凸レンズまたはシリンドリカルレンズによって楕
円状または矩形状にされることを特徴とする半導体装置
の作製方法。
【請求項２４】請求項１８乃至２３のいずれか一項にお
いて、前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振の固
体レーザから発振されたものであることを特徴とする半
導体装置の作製方法。
【請求項２５】請求項１８乃至２３のいずれか一項にお
いて、前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振のＹ
ＡＧレーザ、ＹＶＯ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ₃
レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドラ
イドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種
または複数種から発振されたものであることを特徴とす
る半導体装置の作製方法。
【請求項２６】請求項１８乃至２３のいずれか一項にお
いて、前記レーザ光は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選
ばれた一種または複数種から発振されたものであること
を特徴とする半導体装置の作製方法。