TW390002B - Resin molded package - Google Patents

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TW390002B
TW390002B TW086100659A TW86100659A TW390002B TW 390002 B TW390002 B TW 390002B TW 086100659 A TW086100659 A TW 086100659A TW 86100659 A TW86100659 A TW 86100659A TW 390002 B TW390002 B TW 390002B
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TW
Taiwan
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lead
frame
surrounding
package
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TW086100659A
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Seiji Ichikawa
Tomoaki Hirokawa
Tomoaki Kimura
Junichi Tanaka
Taku Sato
Original Assignee
Nippon Electric Co
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Description

-86100659號專利申請案專利說明書修正頁 A7 87年08月05曰修訂 五、發明説明（） 介設於基材部及封裝部之間。即使此結構係以模鑄樹脂構 成，由於引出線框架彎曲加工時施加之應力所造成之接合 部剝離仍可能會發生，致使引出線框架相對於接合部移動 或封裝部分離，此正如前述W094/17522公報中之情況。 因此，此結構對於具有一較大接合面積之半導體封裝係有 效的。然而，此結構不適用於使用在超高頻裝置中之小尺 寸封裝。 (第二實施例） 茲配合圖3(a)及3(b)，以說明本發明之第二實施例之 封裝。 在本實施例中，除了固定孔22a外，更於基材部23a 及圍繞部23b間之位置，形成一在引出線框架22之厚度方 向伸出之葉片部22b。葉片部22b係藉由在相對應於前述 位置之處，將引出線框架22之兩邊部朝向圍繞部23b彎曲 而形成。在本實施例中，葉片部22b之長度可0.15mm， 且高度爲0.1mm。封裝之其他部分之組成和材料與第一實 施例相同，故省略其說明。 經濟部中央標準局舅Η消費合作社印袈 (請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁) 形成葉片部22b之一方法將會配合圖4(a)及4(c)加以 說明。首先，引出線框架33藉由壓製加工或飩刻而成爲一 指定之形狀。此時，作爲葉片部22b之部分被形成爲較其 他部分爲寬’如圖4(a)所示。接著，較寬之部分藉由壓製 加工予以彎曲。藉此，而如圖4(b)及4(c)中所示，在引出 線框架22之兩邊形成葉片部22b。 如上所述，在引出線框架22中形成葉片部22b可增力口 14 本纸任尺沒適;丨丨中辛；CNS ) Λ4規格（2;0/29?公髮） A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印裝 五、發明説明（） 發明之技術範圍 本發明係關於一種封裝，尤有關於一種用以封裝一晶 片座、一超高頻半導體、一光學元件、一表面彈性波元件、 一共振器或其他類似物之模鑄封裝。 發明之背景 在一超高頻裝置中，當其封裝之尺寸增大時，引出線 之電感成分亦增大，因此在一高頻中之損失變得更大。故 超高頻裝置必需包含在一約2mm直徑小之封裝中。此外， 超高頻裝置以前係裝入在一陶瓷中空封裝中。然而，陶瓷 封裝成本很高，故超高頻裝置傾向於被裝入在一樹脂模鑄 封裝中。 由於樹脂具有一高介電常數，當整個裝置以樹脂封裝 時，寄生電容變得很高，無法得到裝置之高頻增益。爲了 解決此等問題，已有人提出在裝置之表面上提供一空間之 樹脂模鑄封裝。 例如，在第W094/17552號公報中揭露一高頻塑膠封 裝，其具有下述結構：一半導體晶片被固定在一弓丨出線框 架上’一由樹脂製造之基材部將引出線框架固定在其表面 上，並以一塑膠蓋覆蓋，藉此而將半導體晶片予以封裝。 此外’在日本發明專利申請公開公報平2-25057號中揭露 一製造半導體裝置之方法，其中在將上部具有一開口之樹 脂盒與內底部具有一內部引出線部之引出線框架模鑄成一 整體後’內部引出線部與一半導體晶片被互相連接，且一 私紙張A度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) 訂 -線 經濟部中央樣準局貝工消费合作杜印袈 A7 _____B7 五、發明説明（） 用於封裝半導體晶片之上蓋被黏附在；〇 此外’在日本發明專利申請公開公幸g平5-291319號中 麵一半導體裝置，其中—半導體晶片之墊片及一金廳 片經由一連接突起電極而連接，該金屬箔片在一彈性薄膜 基材上形成，一框形之連繫部圖型在突起電極之外側或內 個I形成，且藉由在半導體晶片與彈性薄膜基材間插入一用 以.封裝之樹脂薄片，而將晶片及基材兩者固定在一1起。在 日本新型專利申請公開公報昭62-135441號中揭露一反裝 晶片(flip chip)固定結構，其中有一焊料突塊形成於其上之 一反裝晶片被連接至具有複數電極之—基材。且藉由從反 裝晶片之上方滴入樹脂在反裝晶片上，而在基材及反裝晶 片間形成一具有等於焊料突塊的高度之空間。 然而，在W094/17552公報所揭露之高頻塑膠封裝中， 由於引出線框架之彎曲加工係在封裝塑膠蓋後執行，故在 引出線框架彎曲加工所施加之應力會造成問題，引出線框 架會移出模具之上，塑膠蓋會破裂或一黏附之部分會剝離 而造成塑膠蓋分離。 在另一方面，在日本發明專利申請公開公報平2-25057 號中揭露之半導體裝置之製法中，開口之外邊界用作爲一 框架部，且引出線框架係固定在一基座部及一框架部間。 因此’前述之問題很少發生。然而，電子元件通常先藉由 一裝配機器之操作臂固定在一印刷電路板或類似物中特定 的位置上，且被焊接在印刷電路板上。接著，利用一封裝 盒將該印刷電路板予以部分封裝。或者，該印刷電路板被 _ 3 本紙張尺度適用^國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 附著在一主體之盒子上。 在這些製程中，該操作臂之一部分、該封裝盒或一驅 動器有時不小心碰觸到已固定在基材上之封裝。在比較大 的封裝之情況中，可以形成框架以得到一較厚的厚度，因 此在操作臂及類似物碰到封裝時該封裝不會破裂。 然而，因爲用於超高頻裝置之封裝其直徑約爲2mm , 框架之厚度亦很小’約爲〇.5mm 〇因此，施加一橫向之微 小剪力在封裝上時，可能造成封裝之破裂。 在日本發明專利申請公開公報平5-291319號揭露之半 導體裝置中，由於以彈性薄膜或樹脂薄片作爲主體，故封 裝本身之機械強度很差。此外，該封裝在施加一封裝之Jg 力下變形’且樹脂有從一連繫部圖型之小空間流入到封裝 內部之可能性，因此降低半導體裝置之可靠度。在日本新 型專利申請公開公報昭62-135441號揭露之固定結構中， 滴入之樹脂散布至半導體晶片之週邊，因此仍會有樹脂流 動之問題。此外，除非對該樹脂之黏性及在基材與半導體 晶片間之距離施以最佳化，否則在基材與半導體晶片間並 非總是會形成一空間。 發明之綜合說明 本發明之目的係在於提供一具有極佳高頻特性之封 裝，且其即使在使用樹供作封裝時亦能夠承受自動組裝 之力量。 欲達到前述之目的，本發明之封裝備有： 一基座，包含卜引出線框架；一基材部，將該引出線 4 •v9 S-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袈 A7 B7 五、發明説明（） 框架封裝在其中；一框形圍繞部，形成於該基材部之上表 面之外周圍，該引出線框架介設在該圍繞部和該基材部 間；及一固定部，形成於該引出線框架之介設在該圍繞部 和該基材部間的一部分，該基材部和該圍繞部係藉由樹脂 與該引出線框架形成爲一體； 一晶片，與該弓丨出線框架電性連接，且固定在該基座 上之該引出線框架之一區域上，該區域係被該圍繞部所包 H· I /. ，及 一上蓋，由樹脂製成，覆蓋住該晶片，該上蓋被固定 在該圍繞部之上。 如前所述，晶片被固定在由樹脂製成之基座之圍繞部 所包圍之引出線框架區域上，且由樹脂製成之上蓋被固定 在圍繞部。如此而得到一中空樹脂模封裝，於其中，晶片 被封裝在由基座及上蓋所形成之中空部中。在此等封裝 中，一固定部被形成於該引出線框架之介設在該圍繞部和 該基材部間的一位置，藉此雖然樹脂模是，封裝之 強度仍可被提高。 固定部可爲一在引出線框架中形成之固定孔，其連接 基材部至圍繞部。此外，除了固定孔之外，更於引出線框 架中形成一葉片部、鋸齒狀之長條部或一釘狀部，藉此而 提高引出線框架之拉伸強度。 此外，本發明之封裝備有： 一基座，包含:一引出線框架；一基材部，將該引出線 框架封裝在其中；及一框形圍繞部，形成於該基材部之上 5 古 -勒 (請先閲讀背面之注$項再填寫本夏)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） 經濟部中央揉準局負工消费合作社印裝 Α7 Β7 五、發明说明（） 表面，該引出線框架介設在該圍繞部和該基材部間；該基 材部和該圍繞部係藉由樹脂與該引出線框架形成爲一體； 一晶片，與該引出線框架電性連接，且固定在該基座 上之該引出線框架之一區域上’該區域係被該圍繞部所包 圍；及 一上蓋，由樹脂製成，覆蓋住該晶片，該上蓋被固定 在該圍繞部之上； 其中，該圍繞部係配置於該上蓋之內壁內’且該上蓋 係固定於該基材部之緣部及該圍繞部之外壁表面。 在上述之結構之封裝亦得到一樹脂模中空封裝’其中 晶片係封裝在介於基座及上蓋間之一中空部。此外’由於 上蓋係固定於基材部之外周圍及圍繞部之外壁表面，封裝 本身之強度可藉由圍繞部予以強化，且固定強度提高了。 並且，當上蓋被固定於基座時，圍繞部作爲上蓋之導引’ 故可提高定位精度。 此外，本發明之封裝備有： —基座，包含一引出線框架及一基材部，該引出線框 架被封裝於該基材部內，該基材部與該引出線框架形成一 整體； —晶片，固定在設於該基材上之該引出線框架之一部 上，該晶片被電性連接至該引出線框架；及 —上蓋，由樹脂製成並固定至該基座，該上蓋覆蓋該 晶片； ’該引出線框架具有固定該晶片用之一晶片固定 _____ 6 本紙張纽適用中國國家揉牟（CNS ) Μ規格（2ΐ〇χ297公董） -----;·----^--Γ.------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準扃貝工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（） 部及電性連接至該晶片之一連接部，該晶片固定部及該固 定部被彎曲成一凸起形狀以露出於該基材部之表面。 在上述之結構之封裝亦得到一樹脂模中空封裝，於其 中，晶片係封裝在介於基座及上蓋間之中空部。並且’引 出線框架係以被彎曲成一曲柄形狀之狀態固定在基材部 中，藉此而提高引出線框架之拉伸強度。特別是，藉由使 引出線框架之上表面平坦化，可促進移除在鑄造基座時於 晶片座部及引出線框架之連接部所產生之樹脂溢料。 此外，本發明之封裝備有： 一基座，包含:一引出線框架；一基材部，將該引出線 框架封裝在其中；及一框形圍繞部，形成於該基材部之上 表面之外周圍，該引出線框架介設在該圍繞部和該基材部 間；該基材部和該圍繞部係藉由樹脂與該引出線框架形成 爲一體； 一晶片，固定在該基座上之該引出線框架中被該圍繞 部所圍繞之一區域上，該晶片被電性連接至該引出線框 架： 其中，該晶片在其面對該引出線框架之電極形成表面 上具有複數之突起電極，該晶片係連接至該引出線框架且 被滴入之樹脂封住，並在該晶片及該基材部間設有一空 間。 在前述結構之封裝中，由於引出線框架係連接至具備 設有面對著該引出線框架之突起電極的電極形成表面之晶 片，故可得到一樹脂模中空封裝，於其中，在晶片之電極 7__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 線 A7 B7 五、發明説明（) 形成表面及引出線框架之間形成有一空間。此外，由於圍 繞部之內部被封裝樹脂塡滿，故封裝本身之強度增加了。 £Ί式之簡單說明
爲了更加了解本發明之優點，請參考下列配合圖式之 說明，其中： 圖1(a)係本發明之第一實施例之封裝在以一上蓋封裝 前之平面圖； 圖1(b)顯示本發明之第一實施例之封裝在以一上蓋封 裝後沿著圖l(a)A-A線之剖面圖； 圖2(a)至2(e)顯示圖1(a)及1(b)中之封裝之一種製造方 法； 圖3⑻係本發明之第二實施例之封裝在以一上蓋封裝 前之平面圖； 圖3(b)顯示本發明之第二實施例之封裝在以一上蓋封 裝後沿著圖3(a)B-B線之剖面圖； 圖4⑻至4(c)顯示圖3(a)及3(b)中之封裝之一種製造方 法； 經濟部中央#隼局—工消费合作社印裝 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5(a)係本發明之第三實施例之封裝在以一上蓋封裝 前之平面圖； 圖5(b)顯示本發明之第三實施例之封裝在以一上蓋封 裝後沿著圖5(a)C-C線之剖面圖； 圖6顯示用於形成在圖5(a)及5(b)中之封裝之弓丨出線 框架之一種方法之示意圖； 圖7(a)係本發明之第四實施例之封裝在以一上蓋封裝 本紙張尺度適用中國爾家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 經濟部中央標準局属工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（） 前之平面圖； 圖7(b)顯示本發明之第四實施例之封裝在以一上蓋封 裝後沿著圖7⑻D-D線之剖面圖； 圖8⑻係本發明之第五實施例之封裝在以一上蓋封裝 前之平面圖； 圖8(b)顯示本發明之第五實施例之封裝在以一上蓋封 裝後沿著圖8⑻E_E線之剖面圖； 圖9(a)係本發明之第六實施例之封裝在以一上蓋封裝 前之平面圖； 圖9(b)顯示本發明之第六實施例之封裝在以一上蓋封 裝後沿著圖9(a)F-F線之剖面圖； 圖1〇顯示在圖9⑻及圖9(b)中之引出線框架之主要部 之尺寸； 圖11(a)係本發明之第七實施例之封裝在滴下封裝之 樹脂前之平面圖； 圖11(b)係本發明之第七實施例之封裝在以樹脂封裝 後之剖面圖； 圖12(a)至12(c)顯示圖11⑻及11(b)中之封裝之一種製 造方法； 圖13⑻係本發明之第八實施例之封裝在滴下封裝之 樹脂前之平面圖； 圖13(b)係本發明之第八實施例之封裝在以樹脂封裝 後之剖面圖； 圖14⑻至14(c)顯示圖13(a)及13(b)中之封裝之一種製 _____9__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本莧) 訂 線 經汫部中央棣準局負工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（） 造方法； 圖15係第一實施例與其他實施例之封裝之剪斷應力 比較圖；及 圖16係一傳統半導體封裝之剖面圖，其中基座係藉由 將樹脂與一被彎曲成曲柄开多狀之引出線結合而構成。 較佳實施例之詳細描述 茲配合圖式對本發明之實施例加以說明。 (第一實施例） 現在，配合圖1(a)及1(b)詳述本發明之第一實施例之 封裝° 參考圖1⑻及1(b)，本實施例之封裝由包含一引出線 框架12之基座11、一固定在基座11上之晶片14及一覆 蓋在晶片14上之上蓋15所組成。 基座11由引出線框架12、一封裝引出線框架12之基 材部13a及在基材部13a之上表面周圍處插入引出線框架 12的一框形圍繞部13b所組成，圍繞部13b具有和基材.部 13a相同的外形。基材部13a及圍繞部13b係由樹脂製成， 且它們藉由一金靥模(未顯示)與引出線框架12形成爲一 體。因此，引出線框架12係介設於基材部13a及欲被固定 之圍繞部13b之間。用以連接基材部13a至圍繞部13b之 固定孔12a，係在相對應於在基材部13a及圍繞部13b間 之引出線框架12之內部引出線之位置處形成。藉由金屬模 鑄造而將樹脂塡入固定孔12a中。 銅合金或42合金或其他類似物被用作爲引出線框架 (請先Μ讀背面之注f項再填寫本頁) -訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印«. A7 __B7__ 五、發明説明（） 12之材料。此外，環氧樹脂型樹脂、液態聚合物(LCP)或 聚苯撐硫化物(PPS)被用爲基座11之樹脂部之材料，或做 爲基材部13a及圍繞部13b之材料。 晶片14在由圍繞部13b所圍繞之區域處被固定在引出 線框架12上，且藉由連接線17與引出線框架12電性連 接。上蓋15使用與基座11相同種類之樹脂來鑄造。上蓋 15以一由環氧樹脂型樹脂或苯酚型樹脂所製成之接合劑黏 附在圍繞部13b之上表面。如此，而得到一具有封裝晶片 Μ之中空部的樹脂模封裝，該中空部由基座11及上蓋15 所形成。因此，雖然使用一樹脂封裝，此封裝仍具有一極 佳之高頻特性。應注意基座11之樹脂部可由與上蓋15不 同之樹脂形成。例如，當晶片係一光學裝置時，上蓋15可 由透明之樹脂製成。 本實施例之封裝之每一部分的尺寸會詳述於後。在基 座11之樹脂部，基材部13a之厚度係0.3mm，圍繞部13b 之寬度係〇.35mm，且其高度係0.2mm 〇引出線框架12之 寬度爲0.5mm，厚度爲0.12mm，且固定孔12a之直徑爲 0.2mm。上蓋15之直徑係1.9mm，高度係0.5mm ,樹脂 之厚度爲〇.3mm 0 接著，配合圖2(a)至2(e)舉例說明一封裝之製造方法。 (a) 引出線框架12藉由鑄造或蝕刻以形成一指定的形 狀(圖2⑻)。 (b) 引出線框架12配置在一由壓模(未顯示)所形成之 孔中。樹脂被注入此孔中，因此，形成一以其基材部13a (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) ,ΤΓ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（） 及圍繞部13b固定住引出線框架12之基座11(圖2(b))。在 注入樹脂至該孔中時，引出線框架12之固定孔12a亦被樹 月旨塡滿。同樣在此部，基材部13a及圍繞部13b互相結合 在一起。 ⑹晶片14被固定在引出線框架12上。引出線框架 12及晶片14藉由連接線17而連接(圖2(c))。 (d) 接合劑16被塗覆在圍繞部13b欲黏合上蓋1 5之 接合面上，藉此上蓋15被黏附在圍繞部13b之上表面上(圖 2(d))。結果，晶片14被封裝在由基座11及上蓋15所形成 之中空部內。 (e) 引出線框架12之周圍部被切除，相對應於引出線框 架12之外引出線之部分被彎曲(圖2(e))。 該封裝經由上述步驟而形成。 於實施例之封裝中，在引出線框架12被焊接在印刷電 路板上之情況下，藉由一推拉力量器(push-pull gauge)施加 一橫向之剪力於上蓋15之最高部，並量測在封裝破裂時所 施加之剪力。測試樣本之數目爲20個，且在本實施例中此 剪應力之頻率分佈傾向例示在圖15中。爲了比較，對於使 用陶瓷形成之上蓋的習用封裝(比較例1)及除了未在引出 線框架中形成固定孔外用與本實施例相似的方法製成之封 裝(比較例2M故類似的測試。測試結果與本實施例一起顯示 在圖15中。 此實驗之結果，在本實施例之封裝中，封裝之破裂發 生在圍繞部，且圍繞部破裂時之平均剪力爲3.7公斤。此 12_ 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） i------I (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 訂 線， 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 外，在比較例1中，破裂在接合上蓋及引出線框架之接合 劑間處發生，且在此處破裂時之平均剪力爲5公斤。在比 較例2中，破裂在圍繞部處發生，且在圍繞部破裂時之平 均剪力爲2.2公斤。從前述之結果可發現具有固定孔12a 樹脂模中空型式也具有機乎等於陶瓷封裝之 強度。 在引出線框架中形成固定孔之技術亦揭露於日本發明 專利申請公開公報平5-226548號及平7-122692號中。 特別是，在日本發明專利申請公開公報平5_226548號 中揭露以下述方法形成之引出線框架。一具有一半圓形剖 面之孔藉由蝕刻技術在內引出線部之正面形成。接著，— 具有一半圓形剖面之孔也在內引出線部之背面形成。兩個 孔互相連接以形成固定孔。然而，此固定孔係用於吸收在 切除引出線框架及將其彎曲之步驟所產生之機械衝擊，且 使用此弓丨出線框架之封裝並非中空之型式。因此，不需擔 心由於裝配機器之操作臂與封裝之接觸所產生之封裝破 裂。 此外，在日本發明專利申請公開公報平7-122692號中 揭露一具有下述結構之半導體裝置：—引出線框架係介於 構成一封殻之一基材部與一封裝部之間。一固定孔在介於 基材部及封裝部間之引出線框架形成。玻璃型式之接合劑 塡充在固定孔中。在此情況下，引出線框架係黏附至基材 部及封裝部上。此外，基材部及封裝部係由陶瓷製成。因 此，由於基材部及封裝部係由陶瓷製成，故引出線框架被 13 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS〉A4規格（2⑴公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1T 線 -86100659號專利申請案專利說明書修正頁 A7 87年08月05曰修訂 五、發明説明（） 介設於基材部及封裝部之間。即使此結構係以模鑄樹脂構 成，由於引出線框架彎曲加工時施加之應力所造成之接合 部剝離仍可能會發生，致使引出線框架相對於接合部移動 或封裝部分離，此正如前述W094/17522公報中之情況。 因此，此結構對於具有一較大接合面積之半導體封裝係有 效的。然而，此結構不適用於使用在超高頻裝置中之小尺 寸封裝。 (第二實施例） 茲配合圖3(a)及3(b)，以說明本發明之第二實施例之 封裝。 在本實施例中，除了固定孔22a外，更於基材部23a 及圍繞部23b間之位置，形成一在引出線框架22之厚度方 向伸出之葉片部22b。葉片部22b係藉由在相對應於前述 位置之處，將引出線框架22之兩邊部朝向圍繞部23b彎曲 而形成。在本實施例中，葉片部22b之長度可0.15mm， 且高度爲0.1mm。封裝之其他部分之組成和材料與第一實 施例相同，故省略其說明。 經濟部中央標準局舅Η消費合作社印袈 (請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁) 形成葉片部22b之一方法將會配合圖4(a)及4(c)加以 說明。首先，引出線框架33藉由壓製加工或飩刻而成爲一 指定之形狀。此時，作爲葉片部22b之部分被形成爲較其 他部分爲寬’如圖4(a)所示。接著，較寬之部分藉由壓製 加工予以彎曲。藉此，而如圖4(b)及4(c)中所示，在引出 線框架22之兩邊形成葉片部22b。 如上所述，在引出線框架22中形成葉片部22b可增力口 14 本纸任尺沒適;丨丨中辛；CNS ) Λ4規格（2;0/29?公髮） A7 B7_. ____ 五、發明説明（） 引出線框架22之拉伸強度。特別是，葉片部22b伸入圍繞 部23b中會增大引出線框架22與圍繞部23b之接觸面積， 藉此而增強對施加於引出線框架之剪力的強度。如同第— 實施例之方法，量測封裝破裂時之剪力。剪力之値爲4.8 公斤。故得知一樹脂模鑄之中空封裝具有接近於陶瓷封裝 之強度。應注意者，在具有一朝基材部23a之方向之突出 部的葉片部22b之情形時，雖然剪力和第一實施例相同， 但其拉伸強度較第一實施例爲增加。 (第三實施例) 茲配合圖5⑻及5(b)以說明本發明之第三實施例之封 裝。 經濟部中央標準局負工消費合作社印袈 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '線 在第三實施例之封裝中，於引出線框架32之介設在基 材部33a和圍繞部33b間之部分，除了設有固定孔32a外， 並設有鋸齒狀之長條部32b 〇鋸齒狀之長條部32b由沿著 引出線框架32之寬度方向延伸之頂部及底部構成，該等頂 部及底部沿著引出線框架32之縱向交互配置。關於鋸齒狀 之長條部32b之形成方法，有一方法在藉由與第一實施例 相同之方法壓製成指定形狀之引出線框架32形成後，如圖 ό所示，以一具有V形頂端之衝頭38壓製成引出線框架 32 〇於此情況中，由於鋸齒狀長條部32b之形成，故引出 線框架32之長度變得較短。因此，引出線框架之長度必需 考慮在以壓製加工等方法形成引出線框架32時所造成的 縮短量而決定。在本實施例中，鋸齒狀之長條部32b之長 度係設定爲0.15mm，且鋸齒狀之長條部32b距離引出線 15 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 Α7 Β7 五、發明説明（） 框架32表面的高度係設定爲0.1mm。弓丨出線框架32之其 他構造及材料與第一實施例相同，因此省略不述。 如前所述，鋸齒狀之長條部32b之形成增加引出線框 架32之拉伸強度。此外，由於引出線框架32與基座之樹 脂部之接觸面積較大，因此封裝對抗剪力之強度更加提 高。封裝破裂時之剪力係以和第一實施例相同之方法量 測，此剪力係爲4.8公斤。因此，乃證明可得到具有更加 接近陶瓷封裝之強度的中空樹脂模封裝。 (第四實施例） 茲配合圖7(a)及7(b似說明本發明之第四實施例之封 裝。 在本實施例之封裝中，除了固定孔42a以外，更在介 於基材部43a與圍繞部43b間的引出線框架42之每一部分 形成一釘狀部42b。釘狀部42b與引出線框架42之兩邊之 每一邊形成一整體。釘狀部42b係呈頂端朝向基座之外側 伸展之逐漸縮小之楔形形狀。具有釘狀部42b之引出線框 架42可以壓製加工或蝕亥[(方法形成，此與第一實施例類 似。在本實施例中，釘狀部42b之長度及寬度係分別設定 爲0.2mm。封裝之各部分之其他構造及材料與第一實施例 相同，因此省略不述。 如前所述，在引出線框架42中形成釘狀部42b ,使引 出線框架42之拉伸強度得以提高。特別是，前述之楔形釘 42b更有效地提高引出線框架42之拉伸強度。 此外，亦可結合第二至第四實施例所描述之固定物。 本纸張尺度逋用中國國家橾準（CNS) Α4规格（210><297公釐） (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) r ί 經濟部中央揉率局負工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（） (第五實施例） 茲配合圖8⑻及8(b)以說明本發明之第五實施例之封 裝。 本發明之本實施例之封裝具有一矩形之形狀。其中之 主要結構與前述之實施例相似。特別是，基座51之樹脂部 包含一封裝引出線框架52之基材部53a，及形成於基材部 53a之上表面以固定住引出線框架52的一框形圍繞部 53b 〇此外，在各引出線框架52之介設於基材部53a及圍 繞部53b間之位置形成一固定孔52a 〇樹脂亦塡滿固定孔 52a。晶片54固定在由圍繞部53b所圍繞之引出線框架52 之位置。晶片54藉由連接線57與引出線框架52電性連 接。接著，上蓋55藉由接合劑56而黏附於基座51之上表 面。藉此而將晶片54封裝在由基座51及上蓋55所形成之 中空空間中。和前述之實施例相同之材料被用於構成封裝 之每一部分。 本實施例之封裝與前述實施例之不同處如下述。首 先，圍繞部53b係配置於上蓋55之內壁內部。上蓋55係 黏附於基材部53a之緣部及圍繞部53b之外壁。在本實施 例中，圍繞部53b之寬度係設定爲0.35mm且其高度設定 爲 0.2mm。 如前所述，圍繞部53b係配置在上蓋55之內部，且上 蓋55係黏附於基材部53a之外周圍及圍繞部53b之外壁， 藉此而得以增加黏附面積及黏附強度。此外，亦可以預防 接合劑56流入中空空間。此外，上蓋55係黏附於基材部 17 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐〉 %? 每，. (請先Μ讀背面之注f項再填寫本頁)
A7 B7 五、發明説明（） 53a，藉此封裝之總高度與前述之實施例相比較可減少一相 等於圍繞部53b之高度之量。具體的說，本實施例之封裝 之總高度係1.3mm，而前述實施例之封裝之總高度係 1.5mm ° 除了前述之優點外，圔繞部5北可作爲黏附上蓋55至 圍繞部53b時之導引。藉此，而提高上蓋55對於基座51 之定位精度。此外，上蓋55對抗剪力之強度藉由圍繞部 53b而強化。 (第六實施例） 茲配合圖9⑻及9(b)以說明本發明之第六實施例之封 裝。 經濟部中央橾準局負工消費合作杜印装 (請先W讀背面之注f項再填寫本買) 線 在本實施例之封裝中，引出線框架62具有一用以固定 晶片64之晶片固定部62b及一經由連接線67電性連接至 晶片64之連接部62c，62b及62c兩部分皆藉由將引出線 框架62彎曲成凸起形狀而形成。因此，62b及62c兩部分 係露出在由樹脂所製成之基材部63a之上表面上。基座61 之上表面由基材部63a所構成，且引出線框架62係平坦 者。一具有一固定孔62a且作爲埋入於基材部63a中之引 出線框架62之一部分的固定部，係位在低於晶片固定部 62b及連接部62c之一位置。引出線框架62係從基材部63a 之側邊表面伸出。 如前所述，引出線框架62係在其位於基材部63a內之 一部分彎曲，固定部係配置在基材部63a中且引出線框架 62係從基材部03a之側邊表面伸出。由於引出線框架62 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央橾準扃β；工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明（） 的此一形狀使其拉伸強度增加。在本實施例中，固定孔62a 並非經常爲必需者。應注意的是，關於本實施例之引出線 框架62之主要部分之尺寸，晶片固定部62b及相對於固定 部之連接部62c之高度Η係0.2mm，固定部長度L係 0.4mm，如圖10所示。 由樹脂所製成之上蓋65藉由接合劑66而黏附至基材 部63a之上表面。因此，而得到晶片64被封裝在由基座61 及上蓋65所形成之中空部之樹脂模封裝。因此，本實施例 之封裝雖然採用樹脂做爲材料但仍具有極佳之高頻特性。 對於引出線框架62、基材部63a、上蓋55及接合劑66使 用與前述實施例相同之材料。 後文將描述本實施例之封裝61之一種製法。首先，採 用和第一實施例相同之方法，引出線框架62被製成一指定 之形狀。接著，引出線框架62藉由加壓方式施以浮凸加 工，藉此而將晶片固定部62b及連接部62c製成凸起之形 狀〇接著，引出線框架62被配置在由一金屬模(未顯示)所 圍繞之模穴中，且樹脂被注入此模穴中。因此，基材部63a 及引出線框架62彼此結合成一體，藉以形成基座61。 在此處，由於基座61係藉由使用金屬模將引出線框架 62與樹脂鑄造在一起而形成，故在晶片固定部62b及連接 部62c之表面可能會產生樹脂溢料，此係取決於在金屬模 與引出線框架62間之間隙。當樹脂溢料發生在這些部分 時，將會難以固定晶片64，且不可能將晶片64連接至引 出線框架62。樹脂溢料必需在晶片64固定前移除。在本 19 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（2l〇x297公羞） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線/ A7 B7 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印装 五、發明説明（） 1 實施例中’基座61之上表面係形成爲一平坦的形狀，使得 1 Ί 溢料之移除可輕易完成，且甚至在溢料產生於基座61之上 1 表面時，該溢料亦可完全移除。 1 曰本發明專利申請公開公報昭64-11356中，揭露一相 k. 1 聞 1 讀 似於本實施例之半導體封裝。如圖16所示，此半導體封裝 背1 % 1 具有一基座111。此基座111係一由引出線框架112及一 i ! 基材部113a所構成之一整體件，此整體件藉由將引出線框 I 架112與樹脂鑄造成一體而形成。應注意者’此係在將引 填 1 1 K 出線框架112與樹脂鑄造在一起之前，將引出線框架112 1 施以彎曲加工。引出線框架112之最高部分露出於基材部 113a之上表面’且此露出之部分經由連接線117與晶片114 連接。引出線框架112最低之部分露出於基材部113a之底 訂 I 部，且此露出之部分被焊接至一印刷電路板(未顯示)。由於 I 1 引出線框架112露出於基材部113a之頂部及底部，且外引 1 1 出線無法像本實施例一樣被一金靥模固定，故在基座111 1 I 被鑄造時，樹脂溢料在基材部113a之兩個表面產生。因 填 此，爲了移除這些樹脂溢料，必需對基材部113a之上表面 V 1 I 及下表面施以移除這些樹脂溢料之工作。然而，在本實施 1 1 例中，僅於基材部63a之上表面施以樹脂溢料之移除即 1 1 可。因此，在本實施例中，移除溢料之工作量與顯示在圖 1 16之封裝相比較係減少了。 1 1 1 此外，由於顯示在圖16之封裝具有焊接至印刷電路板 1 1 之引出線框架部被固宏革某材部113a夕結構，故在印刷電 1 1 路板被固定於一半導體封裝上時’由於熱變化所致印刷電 20 1 1 1 本紙張尺度速用中國國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局月工消費合作社印装 A7 _B7 五、發明説明（） 路板之膨脹及收縮直接作用在基材部113a上〇因此，一應 力施加至基材部113a使得基材部113a可能會破裂。和圖 16所顯示之封裝相反者，在本實施例之封裝中，引出線框 架62從基材部63a之側邊表面伸出。此外’引出線框架62 在其位於基材部63a外部之部分被彎曲。印刷電路板之膨 脹及雌可被基材部63a之外部吸收，因此應力幾乎未施 加至基材部63a 〇 (第七實施例） 茲配合圖11⑻及11(b)以說明本發明之第七實施例之 封裝。 在圖11(a)及11(b)中，基座71係由引出線框架72、 用以封裝引出線框架72之基材部73a及在基材部73a上形 成之圍繞部73b所構成，引出線框架72係介設於基材部 73a及圍繞部73b之間。圍繞部73b係在基材部73a之全部 外周圍部形成，圍繞部73b呈一框形。基材部73a及圍繞 部73b兩者皆由樹脂所製成，且係藉由一金屬模(未圖示) 而與引出線框架72鑄造成一體。因此，引出線框架72係 介設於基材部73a及圍繞部73b之間，俾以基材部73a及 圍繞部73b將引出線框架72固定住β 固定孔72a在引出線框架72之介設於基材部73a及圍 繞部73b間之每一部分形成。在使用金屬模進行樹脂封裝 時，樹脂亦塡充至固定孔72a中。固定孔72a之直徑應爲 0.1mm或O.lnun以上以使樹脂能確實地填入固定孔72a 中β因此，圍繞部73b之寬度可爲0.1mm或0.1mm以上。 21__ 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） (請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 碜 A7 經濟部中央棣準局員工消費合作社印袈 B7 五、發明説明（） 1 如前所述，圍繞部73b之寬度與第一實施例相比較可以更 1 加縮減之原因，係在於封裝樹脂75塡滿於被圍繞部73b所 1 1 圍繞之區域，如後文所述，藉此可確保強度。 1 1 此外，圍繞部73b用於固定引出線框架72。並且，圍 无 1 閲 1 η ! 繞部73b具有防止封裝樹脂75流出在其外之功能。因此， 背1 面 1 之 圍繞部73b應足夠高以防止封裝樹脂75流出圍繞部73b之 I 1 | 1 外。然而，此高度値隨封裝樹脂75之使用量而改變，且並 I ! 不限於該値。 攝 » 1 % 晶片74被固定在由圍繞部73b所圍繞之部分。此外， H 1 晶片74被從上方以液態滴入之封裝樹脂75封裝。封裝樹 脂75塡滿被圍繞部73b所圍繞之部分。封裝樹脂75在滴 入之後固化。複數突出之電極77在晶片74之電極形成表 訂 I 面形成。接著，電極形成表面被倒置，且引出線框架72及 1 1 突起電極77被連接。 1 | 突起電極77被設定成足夠的高度使得封裝樹脂75不 1 1 會在其滴下時流入至突起電極77之內。此外，在晶片74 夢 及基材部73a間形成一空間。例如，當具有約1000卬黏度 > 1 之環氧樹脂被用作爲封裝樹脂75時，突起電極77之高度 1 I 必須爲0.07mm或更小?32。 1 1 I 接著，配合圖12(a)至12(c)說明本實施例之封裝之製造 1 1 方法之例子。首先，藉由壓製加工或蝕刻加工以形成爲一 1 I 指定形狀之引出線框架被置於一金屬模(未顯示)之模穴 1 I 中。樹脂被射入此模穴中，藉此而形成由基材部73a、圍 1 1 I 繞部73b及引出線框架72互相結合成一體而組成之基座 22 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家椟準（CNS > A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（） 71(圖 12 ⑻）。 接著，藉由接合方式而在晶片74之每一突起電極77 上形成一金球。一用以形成金球之金導線可爲通常廣泛地 被使用之直徑20μιη者。接著，引出線框架72被加熱至 260°C至280°C之間。在此情況下’突起電極77係指向下 方，且晶片74係置於引出線框架72之上方。接著，突起 電極77及引出線框架72藉由擠壓而熱結合(圖12(b))。 在完成突起電極77與引出線框架72之連接時，封裝 樹脂75被滴入至由圍繞部73b所圍成之區域，藉此而將晶 片74予以封裝(圖12(c))。因此，乃在晶片74之電極形成 表面及引出線框架72間形成一空間。當封裝樹脂75塡入 至被圍繞部73b所圍繞之區域時，欲滴入之封裝樹脂75之 量應能完美地封裝晶片74。並且，這些步驟最好在一降低 的壓力狀況下執行，以避免晶片74之破裂。 經濟部中央橾準局貝工消費合作杜印装 (請先K讀背面之注$項再填寫本頁) 如前所述，令晶片7中所形成之突起電極77朝向引出 線框架72，而將晶片74及引出線框架72互相連接。接著， 晶片74藉由滴入之封裝樹脂75予以封裝。因此，乃可得 到一具有極佳高頻特性之樹脂模封裝，其於晶片74之電極 形成表面形成有空間。又，雖然形成了面對晶片74之電極 形成表面之空間，但晶片74之外表面被封裝樹脂75所封 住。因此，本實施例之封裝之機械強度極佳。特別是，藉 由以固定孔72a連接基材部73a及圍繞部73b之間，亦使 弓丨出線框架72之拉伸強度增加了。此外，關於鑄造基座71 及固定晶片74，可利用傳統之樹脂密封封裝之製造技術， 23 _ 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 _B7 _ 五、發明説明（） 不需任何修改。因此，滴入封裝樹脂75不太需要高水準之 技術。故藉由幾乎與傳統之樹脂密封封裝相同之製造步 驟，可以很容易地並廉價地製造本發明之此一實施例之封 裝。 (第八實施例） 茲配合圖13(a)及13(b)說明本發明之第八實施例之封 裝。 在本實施例之封裝中，除了圍繞部83b之外，另有一 框形之內側圍繞部83c被置於基座81之上表面及圍繞部 83b之內部《內側圍繞部83c位於突起電極87之外，並固 定晶片84於其上。晶片84之電極形成表面的整個外周緊 緊地貼附在內側圍繞部83c上。內側圍繞部83c係在鑄造 基座81以形成基材部83a及圍繞部83b時同時形成。爲了 將內側圍繞部83c之上表面穩固地貼附在晶片84之電極形 成表面上，內側圍繞部83c之高度最好應大於晶片84及引 出線框架82間之距離。突起電極87之連接至引出線框架 82不應被妨礙。因此，在本實施例中，內側圍繞部83c之 高度被設定成較晶片84與引出線框架82間之距離大5至 ΙΟμιη。本實施例之封裝之其他結構與第七實施例相同，故 省略不述。 接著，參考圖14⑻至14(c)以說明本實施例之封裝之製 造方法。 首先，事先將藉由壓製加工或鈾刻加工而形成爲指定 形狀之引出線框架82置於一金屬模(未顯示)之模穴中。樹 24 __ >紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規你（21〇Χ29·7公^ I i I n ' I I I I I、11— I I I ^ (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（) 脂被射入此孔中，藉此而形成由基材部83a、圍繞部83b 及內側圍繞部83c彼此結合成一體所構成之基座81(圖 14(a)) ° 接著，以和第七實施例相同之方法，突起電極87及引 出線框架82被熱擠壓而互相結合。因此，內側圍繞部83c 之上表面及晶片84之電極形成表面之外周互相緊密地黏 附，藉此由內側圍繞部83c及晶片84所形成之空間乃被密 封地封閉(圖14(b)) 〇 在突起電極87至引出線框架82之連接完成時，封裝 樹脂85以和第七實施例相同之方法滴入，藉此而將晶片84 封裝(圖14⑹）。此時，由於內側圍繞部83c之內部如前述 般被密封地封閉，而可防止封裝樹脂85流入內側圍繞部 83c之內部，藉此用於晶片84之電極形成表面之空間可被 確保。 在本實施例中，可藉由內側圍繞部83c防止封裝樹脂 85流入晶片84之電極形成表面。因此，於第七實施例中 所需之對於封裝樹脂85黏度及突起電極87高度之限制在 此並不需要。 如前所述，依照本發明，封裝之主要結構爲：封裝係 樹脂由製成，晶片係被封裝在基座及上蓋所形成之空間 中，或晶片係被封裝在弓丨出線框架及面對引出線框架之電 極形成表面間所形成之空間中。因此，可得到一具有極佳 高頻特性之刪旨模中空封裝。 於這些封裝中，在圍繞部係形成於基座之基材部之上 25 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本霣) 訂 -笋 本紙張尺度通用中國國家棣牟（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7____ 五、發明説明（） 表面周圍的封裝中，固定部係在引出線框架之介於基材部 與圍繞部間的部分形成，且上蓋係固定於圍繞部，封裝本 身之強度可以提高。特別是，藉由在引出線框架中形成葉 片部、鋸齒狀之長條部或釘狀部，或藉由加設組合有此等 部分的固定部之方式，亦可以提高引出線框架之拉伸強 度。 此外，在圍繞部係配置在上蓋之內壁內部且上蓋係固 定於圍繞部之外表面及基材部之邊緣的封裝中.，不僅封裝 本身之強度，即連上蓋之固定強度亦可藉由圍繞部而增 加。此外，圍繞部可作爲上蓋之導引，藉此而可提高在將 上蓋固定於基座時之定位精度。 此外，在將引出線框架彎曲成凸起形狀以使其晶片固 定部及連接部露出於基材部之表面，且引出線框架係從基 材部之側邊表面伸出之封裝中，引出線框架之拉伸強度可 在不形成圍繞部之情況下提高。在此情況下，藉由使引出 線框架之上表面成平坦狀，於形成基座時可輕易地移除在 引出線框架之表面所產生之樹脂溢料。 此外，在具有複數之突起電極而電極形成表面係面對 基座之弓丨出線框架的晶片被連接至引出線框架，且晶片被 從上方滴入之封裝樹脂所封裝之封裝中，可藉由封裝樹脂 而提高封裝本身之強度。特別是’在基座中形成內側圍繞 部可防止封裝樹脂流入晶片及引出線框架間之空間，並可 確保此空間之形成。 雖然本發明之較佳實施例在上文中被詳細地描述，但 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2l〇X297公羞] (请先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 參 A7 B7_ 五、發明説明（)讀者應了解在不超出本發明之精神及以下之申請專利範圍 之情況下，可作各種修改、取代及替換。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央梯準局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）

Claims (1)

  1. .—7 ·* in ρυ 蒼- 'vr. -v;:: 8 8 8 8 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範®-------—… 1、 一種封裝，備有： 一基座，包含:一引出線框架·，一基材部，將該引出線 框架封裝在其中；一框形圍繞部，形成於該基材部之上表 面之外周圍，該引出線框架介設在該圍繞部和該基材部 間；及一固定部，形成於該引出線框架之介設在該圍繞部 和該基材部間的一部分，該基材部和該圍繞部係藉由樹脂 與該引出線框架形成爲一體； 一晶片，與該引出線框架電性連接，且固定在該基座 上之該引出線框架之一區域上，該區域係被該圍繞部所包 圍；及 一上蓋，由樹脂製成，覆蓋住該晶片，該上蓋被固定 在該圍繞部之上。 2、 如申請專利範圍第1項之封裝，其中該固定部係 於該引出線框架之介設於該基材部及該圍繞部間之部分形 成的一固定孔，該固定孔連接該基材部至該圍繞部。 3、 如申請專利範圍第1項之封裝，其中該固定部包 含一固定孔及一葉片部，該固定孔係形成於該引出線框架 之介設於該基材部及該圍繞部間之一部分，並連接該基材 部至該圍繞部’且該葉片部係朝該引出線框架之厚度方向 延伸出。 4、 如申請專利範圍第3項之封裝，其中該葉片部係 朝向該圍繞部之一側表面延伸出。 5、 如申請專利範圍第1項之封裝，其中形成於該引 出線框架之介設於該基材部及該圍繞部間之一部分的該固 28 03- -8 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4见格（210X297公釐） .—7 ·* in ρυ 蒼- 'vr. -v;:: 8 8 8 8 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範®-------—… 1、 一種封裝，備有： 一基座，包含:一引出線框架·，一基材部，將該引出線 框架封裝在其中；一框形圍繞部，形成於該基材部之上表 面之外周圍，該引出線框架介設在該圍繞部和該基材部 間；及一固定部，形成於該引出線框架之介設在該圍繞部 和該基材部間的一部分，該基材部和該圍繞部係藉由樹脂 與該引出線框架形成爲一體； 一晶片，與該引出線框架電性連接，且固定在該基座 上之該引出線框架之一區域上，該區域係被該圍繞部所包 圍；及 一上蓋，由樹脂製成，覆蓋住該晶片，該上蓋被固定 在該圍繞部之上。 2、 如申請專利範圍第1項之封裝，其中該固定部係 於該引出線框架之介設於該基材部及該圍繞部間之部分形 成的一固定孔，該固定孔連接該基材部至該圍繞部。 3、 如申請專利範圍第1項之封裝，其中該固定部包 含一固定孔及一葉片部，該固定孔係形成於該引出線框架 之介設於該基材部及該圍繞部間之一部分，並連接該基材 部至該圍繞部’且該葉片部係朝該引出線框架之厚度方向 延伸出。 4、 如申請專利範圍第3項之封裝，其中該葉片部係 朝向該圍繞部之一側表面延伸出。 5、 如申請專利範圍第1項之封裝，其中形成於該引 出線框架之介設於該基材部及該圍繞部間之一部分的該固 28 03- -8 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4见格（210X297公釐） 經濟部中央標準局DO： Η消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 定部，包含一固定孔及鋸齒狀之長條部，該固定孔連接該 基材部至該圍繞部，且鋸齒狀之長條部之頂部及底部沿著 該引出線框架之寬度方向交互地配置。 6、 如申請專利範圍第1項之封裝，其中該固定部包 含形成於該引出線框架之介設於該基材部及該圍繞部間之 一部分的一固定孔及一釘狀部，該固定孔連接該基材部至 該圍繞部。 7、 如申請專利範圍第6項之封裝，其中該釘狀部係 一頂端朝向基座之外側伸展之逐漸縮小之楔形形狀。 8、 一種封裝，備有： —基座，包含:一引出線框架；一基材部，將該引出線 框架封裝在其中；及一框形圍繞部，形成於該基材部之上 表面，該引出線框架介設在該圍繞部和該基材部間；該基 材部和該圍繞部係藉由樹脂與該弓丨出線框架形成爲一體； 一晶片，與該引出線框架電性連接，且固定在該基座 上之該引出線框架之一區域上，該區域係被該圍繞部所包 圍；及 一上蓋，由樹脂製成，覆蓋住該晶片，該上蓋被固定 在該圍繞部之上； 其中，該圍繞部係配置於該上蓋之內壁內，且該上蓋 係固定於該基材部之緣部及該圍繞部之外壁表面。 9、 如申請專利範圍第8項之封裝，其中在該引出線 框架之介設於該圍繞部及該基材部之間之一部分設置有一 固定部。 29 t紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 锑 隹
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104124214A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 Nxp股份有限公司 电气组件封装
CN108847442A (zh) * 2018-06-30 2018-11-20 山东昊润自动化技术有限公司 一种压力芯片封装方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19629767C2 (de) * 1996-07-23 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Anschlußrahmen für Halbleiter-Chips und Halbeiter-Modul
AU1310399A (en) 1997-11-05 1999-05-24 Robert A. Martin Chip housing, methods of making same and methods for mounting chips therein
US6329705B1 (en) 1998-05-20 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Leadframes including offsets extending from a major plane thereof, packaged semiconductor devices including same, and method of designing and fabricating such leadframes
JP3536722B2 (ja) * 1998-06-18 2004-06-14 松下電器産業株式会社 チップ形固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP3051376B2 (ja) * 1998-08-24 2000-06-12 松下電子工業株式会社 リードフレーム及びその製造方法並びにリードフレームを用いた半導体装置
SG92624A1 (en) * 1999-02-09 2002-11-19 Inst Of Microelectronics Lead frame for an integrated circuit chip (integrated circuit peripheral support)
JP3724979B2 (ja) * 1999-04-27 2005-12-07 富士通株式会社 半導体装置
US6274927B1 (en) * 1999-06-03 2001-08-14 Amkor Technology, Inc. Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making
JP2000349178A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
DE10004410A1 (de) * 2000-02-02 2001-08-16 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit an der Unterseite befindlichen Kontakten und Verfahren zur Herstellung
JP2002009581A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JP2002057253A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
US6433424B1 (en) * 2000-12-14 2002-08-13 International Rectifier Corporation Semiconductor device package and lead frame with die overhanging lead frame pad
US6861720B1 (en) 2001-08-29 2005-03-01 Amkor Technology, Inc. Placement template and method for placing optical dies
US6784534B1 (en) 2002-02-06 2004-08-31 Amkor Technology, Inc. Thin integrated circuit package having an optically transparent window
EP1403926A2 (en) 2002-09-27 2004-03-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
SG157957A1 (en) * 2003-01-29 2010-01-29 Interplex Qlp Inc Package for integrated circuit die
EP1595287B1 (de) * 2003-02-13 2006-05-10 Infineon Technologies AG Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben
JP3898666B2 (ja) * 2003-04-28 2007-03-28 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP4106003B2 (ja) * 2003-09-03 2008-06-25 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4147171B2 (ja) * 2003-10-23 2008-09-10 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP4698234B2 (ja) * 2005-01-21 2011-06-08 スタンレー電気株式会社 表面実装型半導体素子
KR100638721B1 (ko) * 2005-01-28 2006-10-30 삼성전기주식회사 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지
JP2007201376A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Yamaha Corp 半導体装置
WO2008003051A2 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Analog Devices, Inc. Stress mitigation in packaged microchips
JP5133598B2 (ja) * 2007-05-17 2013-01-30 日東電工株式会社 封止用熱硬化型接着シート
JP2009283553A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Nec Electronics Corp 電子装置およびその製造方法
JP2010232243A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2011200398A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Fujifilm Corp 内視鏡
US9676614B2 (en) 2013-02-01 2017-06-13 Analog Devices, Inc. MEMS device with stress relief structures
JP6201626B2 (ja) * 2013-10-23 2017-09-27 スミダコーポレーション株式会社 電子部品及び電子部品の製造方法
US10167189B2 (en) 2014-09-30 2019-01-01 Analog Devices, Inc. Stress isolation platform for MEMS devices
JP6256301B2 (ja) * 2014-10-31 2018-01-10 株式会社デンソー 電子回路部品
CN108352364B (zh) * 2015-09-01 2021-07-13 马科技术解决方案控股公司 空气腔封装
US10131538B2 (en) 2015-09-14 2018-11-20 Analog Devices, Inc. Mechanically isolated MEMS device
JP6477421B2 (ja) * 2015-10-29 2019-03-06 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6658104B2 (ja) * 2016-03-01 2020-03-04 株式会社デンソー 回路装置
CN108989511B (zh) * 2018-09-25 2023-05-12 苏州昀冢电子科技股份有限公司 一种具有电子元件的基座及音圈马达
JP7005469B2 (ja) * 2018-11-07 2022-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置
US11417611B2 (en) 2020-02-25 2022-08-16 Analog Devices International Unlimited Company Devices and methods for reducing stress on circuit components
US11981560B2 (en) 2020-06-09 2024-05-14 Analog Devices, Inc. Stress-isolated MEMS device comprising substrate having cavity and method of manufacture
CN116435201B (zh) * 2023-06-12 2023-09-12 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 一种塑封封装方法以及器件封装结构

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1144380A (en) * 1966-01-03 1969-03-05 Texas Instruments Inc Process for fabricating hermetic seals
JPS5422770A (en) * 1977-07-22 1979-02-20 Hitachi Ltd Lead frame
JPS5662344A (en) * 1979-10-26 1981-05-28 Hitachi Ltd Resin sealed semiconductor device
JPS5710954A (en) * 1980-06-25 1982-01-20 Nec Corp Semiconductor device
JPS58134449A (ja) * 1982-02-04 1983-08-10 Sharp Corp Ｌｓｉパツケ−ジ
JPS5943526A (ja) * 1982-09-03 1984-03-10 Matsushita Electric Works Ltd 樹脂封止型電子部品の製造方法
JPS59169161A (ja) * 1983-03-16 1984-09-25 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS61128551A (ja) * 1984-11-27 1986-06-16 Toshiba Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
IL80270A0 (en) * 1985-10-11 1987-01-30 Cird Naphthalene derivatives,their preparation and pharmaceutical compositions containing them
JPS6298751A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 樹脂封止用半導体外囲器
JPS63222452A (ja) * 1987-03-11 1988-09-16 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止形半導体装置
JP2523637B2 (ja) * 1987-05-27 1996-08-14 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2600689B2 (ja) * 1987-07-06 1997-04-16 ソニー株式会社 半導体装置用中空パッケージ
JPS6480058A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Nec Corp Semiconductor device
JPH0225057A (ja) * 1988-07-13 1990-01-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2598129B2 (ja) * 1989-05-18 1997-04-09 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH0330362A (ja) * 1989-06-27 1991-02-08 Mitsubishi Electric Corp 集積回路用リードフレームおよびその製造方法
US5173766A (en) * 1990-06-25 1992-12-22 Lsi Logic Corporation Semiconductor device package and method of making such a package
JPH04150057A (ja) * 1990-10-12 1992-05-22 Nec Corp 半導体装置用パッケージ
JPH04246847A (ja) * 1991-02-01 1992-09-02 Nec Kyushu Ltd 半導体集積回路のパッケージ
JPH04303946A (ja) * 1991-03-29 1992-10-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3207222B2 (ja) * 1991-08-29 2001-09-10 株式会社東芝 電子部品装置
JPH05226548A (ja) * 1991-11-27 1993-09-03 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置用リードフレーム
JPH05291319A (ja) * 1992-04-07 1993-11-05 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US5436492A (en) * 1992-06-23 1995-07-25 Sony Corporation Charge-coupled device image sensor
JPH0661365A (ja) * 1992-08-11 1994-03-04 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH0661383A (ja) * 1992-08-11 1994-03-04 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH0669366A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Ricoh Co Ltd 半導体装置実装体及び実装方法
JP2828553B2 (ja) * 1992-12-17 1998-11-25 京セラ株式会社 半導体装置
US5557144A (en) * 1993-01-29 1996-09-17 Anadigics, Inc. Plastic packages for microwave frequency applications
US5497032A (en) * 1993-03-17 1996-03-05 Fujitsu Limited Semiconductor device and lead frame therefore
US5548087A (en) * 1993-05-07 1996-08-20 At&T Corp. Molded plastic packaging of electronic devices
JP2875139B2 (ja) * 1993-07-15 1999-03-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5362679A (en) * 1993-07-26 1994-11-08 Vlsi Packaging Corporation Plastic package with solder grid array
JP2937713B2 (ja) * 1993-10-25 1999-08-23 株式会社東芝 半導体装置
JPH0855927A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Mitsui Petrochem Ind Ltd 中空パッケージ
JPH0875580A (ja) * 1994-09-06 1996-03-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
US5610442A (en) * 1995-03-27 1997-03-11 Lsi Logic Corporation Semiconductor device package fabrication method and apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104124214A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 Nxp股份有限公司 电气组件封装
CN104124214B (zh) * 2013-04-24 2017-10-10 安普林荷兰有限公司 电气组件封装
CN108847442A (zh) * 2018-06-30 2018-11-20 山东昊润自动化技术有限公司 一种压力芯片封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0788157A3 (en) 2004-02-25
KR100231118B1 (ko) 1999-11-15
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AU1238697A (en) 1997-08-07
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KR970063696A (ko) 1997-09-12

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