JP2937713B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関する
もので、特に半導体装置に数百ＭＨｚ以上の高速動作を
させる分野で使用されるものである。
もので、特に半導体装置に数百ＭＨｚ以上の高速動作を
させる分野で使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の半導体装置を示す斜視図
であり、図１０は、図９に示す半導体装置の要部を示す
断面図である。半導体装置１は、高速動作、放熱特性、
電気特性に優れているセラミックからなるベ−ス部３と
封止部４とにより半導体チップ２が封止された構造とな
っている。
であり、図１０は、図９に示す半導体装置の要部を示す
断面図である。半導体装置１は、高速動作、放熱特性、
電気特性に優れているセラミックからなるベ−ス部３と
封止部４とにより半導体チップ２が封止された構造とな
っている。
【０００３】すなわち、ベ−ス部３の下面における中央
部にはペ−スト剤５を介して半導体チップ２が接合され
ている。前記ベ−ス部３の下面における周辺部にはガラ
ス系の接着剤６により材質が４２アロイである鉄系のリ
−ドフレ−ム７が接着されている。このリ−ドフレ−ム
７の一端はワイヤボンディング８を介して前記半導体チ
ップ２と電気的に接続されている。前記リ−ドフレ−ム
７の下には接着剤６を介して封止部４の周辺部が設けら
れており、この封止部４により半導体チップ２、ワイヤ
ボンディング８及びリ−ドフレ−ム７の一部が封止され
ている。
部にはペ−スト剤５を介して半導体チップ２が接合され
ている。前記ベ−ス部３の下面における周辺部にはガラ
ス系の接着剤６により材質が４２アロイである鉄系のリ
−ドフレ−ム７が接着されている。このリ−ドフレ−ム
７の一端はワイヤボンディング８を介して前記半導体チ
ップ２と電気的に接続されている。前記リ−ドフレ−ム
７の下には接着剤６を介して封止部４の周辺部が設けら
れており、この封止部４により半導体チップ２、ワイヤ
ボンディング８及びリ−ドフレ−ム７の一部が封止され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体装置では、リ−ドフレ−ム７の材質に、熱膨張係
数がガラス系の接着剤６と近似している４２アロイを用
いているが、この４２アロイは電気特性が悪いため、高
速動作が要求される半導体装置には用いることができな
い。すなわち、この４２アロイは抵抗が高く、磁性体で
あるため、そのインダクタンスが周波数によって変化す
る。この変化とは、高い周波数帯において入力波形に比
べ、出力波形が歪むというものである。したがって、高
速動作が要求される半導体装置の場合、４２アロイのリ
−ドフレ−ムは使用不可能である。
半導体装置では、リ−ドフレ−ム７の材質に、熱膨張係
数がガラス系の接着剤６と近似している４２アロイを用
いているが、この４２アロイは電気特性が悪いため、高
速動作が要求される半導体装置には用いることができな
い。すなわち、この４２アロイは抵抗が高く、磁性体で
あるため、そのインダクタンスが周波数によって変化す
る。この変化とは、高い周波数帯において入力波形に比
べ、出力波形が歪むというものである。したがって、高
速動作が要求される半導体装置の場合、４２アロイのリ
−ドフレ−ムは使用不可能である。
【０００５】上述したような問題点を解決するために、
リ−ドフレ−ムの材質に電気特性に優れたＣｕを用いる
ということが考えられる。しかし、Ｃｕはガラス系の接
着剤６との熱膨張係数に差があるため、上記従来の半導
体装置においてＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いると、ガ
ラス系の接着剤６にクラックが生じ、半導体装置の信頼
性が劣化する。
リ−ドフレ−ムの材質に電気特性に優れたＣｕを用いる
ということが考えられる。しかし、Ｃｕはガラス系の接
着剤６との熱膨張係数に差があるため、上記従来の半導
体装置においてＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いると、ガ
ラス系の接着剤６にクラックが生じ、半導体装置の信頼
性が劣化する。
【０００６】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、数百ＭＨｚ以上の高速
動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、
装置の信頼性が低下することのない半導体装置を提供す
ることにある。
されたものであり、その目的は、数百ＭＨｚ以上の高速
動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、
装置の信頼性が低下することのない半導体装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、ベース部と封止部とからなる外囲器と、
前記外囲器内に設けられた半導体チップと、前記半導体
チップと電気的に接続され、前記ベース部と前記封止部
との間に保持される複数のＣｕ製のリードと、前記各リ
ードのベース部と封止部との間に位置する部分に形成さ
れたホールと、前記各ホール内、前記リードとベース部
の間、およびリードと封止部の間に設けられたガラス系
の接着剤とを具備している。
解決するため、ベース部と封止部とからなる外囲器と、
前記外囲器内に設けられた半導体チップと、前記半導体
チップと電気的に接続され、前記ベース部と前記封止部
との間に保持される複数のＣｕ製のリードと、前記各リ
ードのベース部と封止部との間に位置する部分に形成さ
れたホールと、前記各ホール内、前記リードとベース部
の間、およびリードと封止部の間に設けられたガラス系
の接着剤とを具備している。
【０００８】また、ベース部と封止部とからなる外囲器
と、前記外囲器内に設けられた半導体チップと、前記半
導体チップと電気的に接続され、前記ベース部と前記封
止部との間に保持される複数のＣｕ製のリードと、前記
各リードのベース部と封止部との間の上部表面全体と前
記ベース部との間および下部表面全体と封止部との間に
設けられたポリイミドと、前記ポリイミドと前記ベース
部との間と、前記ポリイミドと前記封止部との間に設け
られたガラス系接着剤とを具備している。
と、前記外囲器内に設けられた半導体チップと、前記半
導体チップと電気的に接続され、前記ベース部と前記封
止部との間に保持される複数のＣｕ製のリードと、前記
各リードのベース部と封止部との間の上部表面全体と前
記ベース部との間および下部表面全体と封止部との間に
設けられたポリイミドと、前記ポリイミドと前記ベース
部との間と、前記ポリイミドと前記封止部との間に設け
られたガラス系接着剤とを具備している。
【０００９】前記リードの１つは電源ラインとして形成
され、他のリードよりも幅が大きくされている。
され、他のリードよりも幅が大きくされている。
【００１０】
【作用】この発明は、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ムに、外囲
器であるベ−ス部と封止部とに挟まれた部分に位置する
アンカ−ホ−ルを設け、このアンカ−ホ−ルにガラス系
の接着剤が充填された状態で、この接着剤によりリ−ド
フレ−ムを前記ベ−ス部と封止部とに接着させている。
このため、リ−ドフレ−ムと接着剤との密着性を向上さ
せることができる。これにより、数百ＭＨｚ以上の高速
動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、
ガラス系の接着剤におけるクラックの発生を防止するこ
とができる。したがって、半導体装置の信頼性が低下す
ることを防止することができる。
器であるベ−ス部と封止部とに挟まれた部分に位置する
アンカ−ホ−ルを設け、このアンカ−ホ−ルにガラス系
の接着剤が充填された状態で、この接着剤によりリ−ド
フレ−ムを前記ベ−ス部と封止部とに接着させている。
このため、リ−ドフレ−ムと接着剤との密着性を向上さ
せることができる。これにより、数百ＭＨｚ以上の高速
動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、
ガラス系の接着剤におけるクラックの発生を防止するこ
とができる。したがって、半導体装置の信頼性が低下す
ることを防止することができる。
【００１１】また、外囲器であるベ−ス部と封止部とに
挟まれた部分におけるＣｕ製のリ−ドフレ−ムにポリイ
ミドをコ−ティングし、このポリイミドをガラス系の接
着剤によりベ−ス部と封止部とに接着させている。この
結果、リ−ドフレ−ムとポリイミドおよびポリイミドと
ガラス系の接着剤それぞれの密着性が良いため、リ−ド
フレ−ムと接着剤との密着性を良くすることができる。
これにより、数百ＭＨｚ以上の高速動作が可能となるＣ
ｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、ガラス系の接着剤に
おけるクラックの発生を防止することができる。
挟まれた部分におけるＣｕ製のリ−ドフレ−ムにポリイ
ミドをコ−ティングし、このポリイミドをガラス系の接
着剤によりベ−ス部と封止部とに接着させている。この
結果、リ−ドフレ−ムとポリイミドおよびポリイミドと
ガラス系の接着剤それぞれの密着性が良いため、リ−ド
フレ−ムと接着剤との密着性を良くすることができる。
これにより、数百ＭＨｚ以上の高速動作が可能となるＣ
ｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、ガラス系の接着剤に
おけるクラックの発生を防止することができる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１は、この発明の第１の実施例による半
導体装置の要部を示す断面図であり、図２は、図１に示
す半導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部２を示す斜
視図である。半導体装置１１は、高速動作、放熱特性、
電気特性に優れているセラミックからなる外囲器１０で
あるベ−ス部１３と封止部１４とにより半導体チップ１
２が封止された構造となっている。前記半導体チップ１
２と電気的に接続されたＣｕ性のリ−ドフレ−ム１７は
ベ−ス部１３と封止部１４とに挟まれており、リ−ドフ
レ−ム１７には前記挟まれた部分に位置するアンカ−ホ
−ル１７ａが設けられている。このアンカ−ホ−ル１７
ａ内、前記挟まれた部分のリ−ドフレ−ム１７とベ−ス
部１３及び封止部１４それぞれとの間にはガラス系の接
着剤１６が設けられている。
り説明する。図１は、この発明の第１の実施例による半
導体装置の要部を示す断面図であり、図２は、図１に示
す半導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部２を示す斜
視図である。半導体装置１１は、高速動作、放熱特性、
電気特性に優れているセラミックからなる外囲器１０で
あるベ−ス部１３と封止部１４とにより半導体チップ１
２が封止された構造となっている。前記半導体チップ１
２と電気的に接続されたＣｕ性のリ−ドフレ−ム１７は
ベ−ス部１３と封止部１４とに挟まれており、リ−ドフ
レ−ム１７には前記挟まれた部分に位置するアンカ−ホ
−ル１７ａが設けられている。このアンカ−ホ−ル１７
ａ内、前記挟まれた部分のリ−ドフレ−ム１７とベ−ス
部１３及び封止部１４それぞれとの間にはガラス系の接
着剤１６が設けられている。
【００１３】すなわち、ベ−ス部１３の下面における中
央部にはペ−スト剤１５を介して半導体チップ１２が接
合されている。前記ベ−ス部１３の下面における周辺部
にはガラス系の接着剤１６により材質がＣｕからなるリ
−ドフレ−ム１７が接着されている。このリ−ドフレ−
ム１７は、図２の示すように、各リ−ド部において前記
接着剤１６が接着される部分にアンカ−ホ−ル１７ａが
設けられたものである。前記リ−ドフレ−ム１７の一端
は、図１に示すように、ワイヤボンディング１８を介し
て前記半導体チップ１２と電気的に接続されている。前
記リ−ドフレ−ム１７の下には接着剤１６を介して封止
部１４の周辺部が設けられている。従って、前記リ−ド
フレ−ム１７におけるアンカ−ホ−ル１７ａには接着剤
１６が充填された状態とされている。前記封止部１４に
より半導体チップ１２、ワイヤボンディング１８及びリ
−ドフレ−ム１７の一部が封止されている。
央部にはペ−スト剤１５を介して半導体チップ１２が接
合されている。前記ベ−ス部１３の下面における周辺部
にはガラス系の接着剤１６により材質がＣｕからなるリ
−ドフレ−ム１７が接着されている。このリ−ドフレ−
ム１７は、図２の示すように、各リ−ド部において前記
接着剤１６が接着される部分にアンカ−ホ−ル１７ａが
設けられたものである。前記リ−ドフレ−ム１７の一端
は、図１に示すように、ワイヤボンディング１８を介し
て前記半導体チップ１２と電気的に接続されている。前
記リ−ドフレ−ム１７の下には接着剤１６を介して封止
部１４の周辺部が設けられている。従って、前記リ−ド
フレ−ム１７におけるアンカ−ホ−ル１７ａには接着剤
１６が充填された状態とされている。前記封止部１４に
より半導体チップ１２、ワイヤボンディング１８及びリ
−ドフレ−ム１７の一部が封止されている。
【００１４】上記第１の実施例によれば、Ｃｕ製のリ−
ドフレ−ム１７の各リ−ド部にアンカ−ホ−ル１７ａを
設け、このアンカ−ホ−ル１７ａにガラス系の接着剤１
６が充填された状態で、リ−ドフレ−ム１７を接着剤１
６によりベ−ス部１３と封止部１４とに接着している。
このため、リ−ドフレ−ム１７と接着剤１６との密着性
を向上させることができる。これにより、電気特性に優
れたＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用いても、ガラス系
の接着剤１６におけるクラックの発生を防止することが
できる。したがって、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用
いた半導体装置１１により、放熱特性を損なうことな
く、数百ＭＨｚ以上の高速動作を可能とすることができ
るとともに、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。
ドフレ−ム１７の各リ−ド部にアンカ−ホ−ル１７ａを
設け、このアンカ−ホ−ル１７ａにガラス系の接着剤１
６が充填された状態で、リ−ドフレ−ム１７を接着剤１
６によりベ−ス部１３と封止部１４とに接着している。
このため、リ−ドフレ−ム１７と接着剤１６との密着性
を向上させることができる。これにより、電気特性に優
れたＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用いても、ガラス系
の接着剤１６におけるクラックの発生を防止することが
できる。したがって、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用
いた半導体装置１１により、放熱特性を損なうことな
く、数百ＭＨｚ以上の高速動作を可能とすることができ
るとともに、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。
【００１５】また、半導体装置１１において、Ｃｕ製の
リ−ドフレ−ム１７を用いることにより、従来品に比
べ、半導体装置１１全体の低コスト化を実現することが
できる。即ち、従来の４２アロイ製のリ−ドフレ−ムよ
りＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７の方が低価格であるた
め、半導体装置１１全体の低コスト化を図ることができ
るのである。
リ−ドフレ−ム１７を用いることにより、従来品に比
べ、半導体装置１１全体の低コスト化を実現することが
できる。即ち、従来の４２アロイ製のリ−ドフレ−ムよ
りＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７の方が低価格であるた
め、半導体装置１１全体の低コスト化を図ることができ
るのである。
【００１６】尚、上記第１の実施例では、リ−ドフレ−
ム１７の各リ−ドそれぞれに一つのアンカ−ホ−ルを設
けているが、リ−ドフレ−ム１７の各リ−ドそれぞれに
複数のアンカ−ホ−ルを設けることも可能である。
ム１７の各リ−ドそれぞれに一つのアンカ−ホ−ルを設
けているが、リ−ドフレ−ム１７の各リ−ドそれぞれに
複数のアンカ−ホ−ルを設けることも可能である。
【００１７】図３は、この発明の第２の実施例による半
導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部を示す斜視図で
あり、図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分
についてのみ説明する。
導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部を示す斜視図で
あり、図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分
についてのみ説明する。
【００１８】リ−ドフレ−ム１７において、ＧＮＤライ
ンに相当するリ−ド１７ｂが電流密度を考慮して太く形
成されている。このリ−ド１７ｂにおいて前記接着剤１
６が接着される部分には第１及び第２のアンカ−ホ−ル
１７ｃ、１７ｄが設けられている。即ち、前記リ−ド１
７ｂには二つのアンカ−ホ−ル１７ｃ、１７ｄが設けら
れており、前記リ−ド１７ｂ以外のリ−ドには一つのア
ンカ−ホ−ル１７ａが設けられている。
ンに相当するリ−ド１７ｂが電流密度を考慮して太く形
成されている。このリ−ド１７ｂにおいて前記接着剤１
６が接着される部分には第１及び第２のアンカ−ホ−ル
１７ｃ、１７ｄが設けられている。即ち、前記リ−ド１
７ｂには二つのアンカ−ホ−ル１７ｃ、１７ｄが設けら
れており、前記リ−ド１７ｂ以外のリ−ドには一つのア
ンカ−ホ−ル１７ａが設けられている。
【００１９】上記第２の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。図４は、この発明の
第３の実施例による半導体装置の一部を示す断面図であ
り、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
と同様の効果を得ることができる。図４は、この発明の
第３の実施例による半導体装置の一部を示す断面図であ
り、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
【００２０】ベ−ス部１３の下面における周辺部にはガ
ラス系の接着剤１６が塗布されている。この接着剤１６
の下には写真食刻法によるポリイミド２１が設けられて
おり、このポリイミド２１の下にはリ−ドフレ−ム１７
が設けられている。このリ−ドフレ−ム１７の下にはテ
−プ状のポリイミド２２が設けられており、このポリイ
ミド２２の下には接着剤１６を介して封止部１４の周辺
部が設けられている。
ラス系の接着剤１６が塗布されている。この接着剤１６
の下には写真食刻法によるポリイミド２１が設けられて
おり、このポリイミド２１の下にはリ−ドフレ−ム１７
が設けられている。このリ−ドフレ−ム１７の下にはテ
−プ状のポリイミド２２が設けられており、このポリイ
ミド２２の下には接着剤１６を介して封止部１４の周辺
部が設けられている。
【００２１】図５及び図６は、図４に示す半導体装置に
おけるリ−ドフレ−ムの要部５の上面及び下面それぞれ
にポリイミドを設ける工程を示す斜視図である。先ず、
リ−ドフレ−ム１７の下面１にはテ−プ状のポリイミド
２２が貼り付けられる。次に、前記リ−ドフレ−ム１７
の上面にはポリイミド２１が塗布され、このポリイミド
２１は写真食刻法により前記テ−プ状のポリイミド２２
の上のみに残される。この際、前記ポリイミド２１は、
ベ−ス部１３下面の周辺部に位置するリ−ドフレ−ム１
７の上面、側面及びテ−プ状のポリイミド２２の上に隙
間なく形成される。これは、ポリイミド２１を写真食刻
法により形成しているためである。したがって、ベ−ス
部１３下面の周辺部に対応する位置のリ−ドフレ−ム１
７は、一定の膜厚のポリイミド２１によりコ−ティング
される。
おけるリ−ドフレ−ムの要部５の上面及び下面それぞれ
にポリイミドを設ける工程を示す斜視図である。先ず、
リ−ドフレ−ム１７の下面１にはテ−プ状のポリイミド
２２が貼り付けられる。次に、前記リ−ドフレ−ム１７
の上面にはポリイミド２１が塗布され、このポリイミド
２１は写真食刻法により前記テ−プ状のポリイミド２２
の上のみに残される。この際、前記ポリイミド２１は、
ベ−ス部１３下面の周辺部に位置するリ−ドフレ−ム１
７の上面、側面及びテ−プ状のポリイミド２２の上に隙
間なく形成される。これは、ポリイミド２１を写真食刻
法により形成しているためである。したがって、ベ−ス
部１３下面の周辺部に対応する位置のリ−ドフレ−ム１
７は、一定の膜厚のポリイミド２１によりコ−ティング
される。
【００２２】上記第３の実施例によれば、Ｃｕ製のリ−
ドフレ−ム１７においてベ−ス部１３の周辺部に対応す
る位置にポリイミド２１、２２を隙間なく形成し、これ
らポリイミド２１、２２を接着剤１６によりベ−ス部１
３及び封止部１４に接着させている。この結果、リ−ド
フレ−ム１７とポリイミド２１、２２およびポリイミド
２１、２２とガラス系の接着剤１６それぞれの密着性が
良いため、リ−ドフレ−ム１７とガラス系の接着剤１６
との密着性を良くすることができる。これにより、電気
特性に優れたＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用いても、
ガラス系の接着剤１６におけるクラックの発生を防止す
ることができる。したがって、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ム
１７を用いた半導体装置１１により、放熱特性を損なう
ことなく、数百ＭＨｚ以上の高速動作を可能とすること
ができるとともに、半導体装置の信頼性を向上させるこ
とができる。
ドフレ−ム１７においてベ−ス部１３の周辺部に対応す
る位置にポリイミド２１、２２を隙間なく形成し、これ
らポリイミド２１、２２を接着剤１６によりベ−ス部１
３及び封止部１４に接着させている。この結果、リ−ド
フレ−ム１７とポリイミド２１、２２およびポリイミド
２１、２２とガラス系の接着剤１６それぞれの密着性が
良いため、リ−ドフレ−ム１７とガラス系の接着剤１６
との密着性を良くすることができる。これにより、電気
特性に優れたＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用いても、
ガラス系の接着剤１６におけるクラックの発生を防止す
ることができる。したがって、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ム
１７を用いた半導体装置１１により、放熱特性を損なう
ことなく、数百ＭＨｚ以上の高速動作を可能とすること
ができるとともに、半導体装置の信頼性を向上させるこ
とができる。
【００２３】また、半導体装置１１において、Ｃｕ製の
リ−ドフレ−ム１７を用いることにより、従来品に比
べ、半導体装置１１全体の低コスト化を実現することが
できる。
リ−ドフレ−ム１７を用いることにより、従来品に比
べ、半導体装置１１全体の低コスト化を実現することが
できる。
【００２４】図７は、この発明の第４の実施例による半
導体装置の要部を示す断面図であり、図８は、図７に示
す半導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部８を示す斜
視図である。図７及び図８は、図４、図５及び図６と同
一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説
明する。
導体装置の要部を示す断面図であり、図８は、図７に示
す半導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部８を示す斜
視図である。図７及び図８は、図４、図５及び図６と同
一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説
明する。
【００２５】リ−ドフレ−ム１７の各リ−ド部において
ベ−ス部１３の下面の周辺部に対応する位置にアンカ−
ホ−ル１７ａが設けられており、このアンカ−ホ−ル１
７ａの内には写真食刻法によるポリイミド２１が隙間な
く形成されている。
ベ−ス部１３の下面の周辺部に対応する位置にアンカ−
ホ−ル１７ａが設けられており、このアンカ−ホ−ル１
７ａの内には写真食刻法によるポリイミド２１が隙間な
く形成されている。
【００２６】すなわち、図８に示すように、アンカ−ホ
−ル１７ａが設けられたリ−ドフレ−ム１７の下面には
テ−プ状のポリイミド２２が貼り付けられている。前記
リ−ドフレ−ム１７の上面、側面、アンカ−ホ−ル１７
ａ内の側面及びテ−プ状のポリイミド２２の上にはポリ
イミド２１が隙間なく形成されている。
−ル１７ａが設けられたリ−ドフレ−ム１７の下面には
テ−プ状のポリイミド２２が貼り付けられている。前記
リ−ドフレ−ム１７の上面、側面、アンカ−ホ−ル１７
ａ内の側面及びテ−プ状のポリイミド２２の上にはポリ
イミド２１が隙間なく形成されている。
【００２７】上記第４の実施例においても第３の実施例
と同様の効果を得ることができる。しかも、リ−ドフレ
−ム１７にアンカ−ホ−ル１７ａを設けているため、リ
−ドフレ−ム１７とポリイミド２１、２２およびポリイ
ミド２１、２２とガラス系の接着剤１６それぞれの密着
性をさらに向上させることができる。
と同様の効果を得ることができる。しかも、リ−ドフレ
−ム１７にアンカ−ホ−ル１７ａを設けているため、リ
−ドフレ−ム１７とポリイミド２１、２２およびポリイ
ミド２１、２２とガラス系の接着剤１６それぞれの密着
性をさらに向上させることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
Ｃｕ製のリ−ドフレ−ムに、外囲器であるベ−ス部と封
止部とに挟まれた部分に位置するアンカ−ホ−ルを設け
ている。また、ベ−ス部と封止部とに挟まれた部分にお
けるＣｕ製のリ−ドフレ−ムにポリイミドをコ−ティン
グしている。したがって、数百ＭＨｚ以上の高速動作が
可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、半導体
装置の信頼性が低下することを防止することができる。
Ｃｕ製のリ−ドフレ−ムに、外囲器であるベ−ス部と封
止部とに挟まれた部分に位置するアンカ−ホ−ルを設け
ている。また、ベ−ス部と封止部とに挟まれた部分にお
けるＣｕ製のリ−ドフレ−ムにポリイミドをコ−ティン
グしている。したがって、数百ＭＨｚ以上の高速動作が
可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、半導体
装置の信頼性が低下することを防止することができる。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体装置の要
部を示す断面図。
部を示す断面図。
【図２】この発明の図１に示す半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図３】この発明の第２の実施例による半導体装置にお
けるリ−ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
けるリ−ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図４】この発明の第３の実施例による半導体装置の一
部を示す断面図。
部を示す断面図。
【図５】この発明の図４に示す半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図６】この発明の図４に示す半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図７】この発明の第４の実施例による半導体装置の要
部を示す断面図。
部を示す断面図。
【図８】この発明の図７に示す半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図９】従来の半導体装置を示す斜視図。
【図１０】図９に示す半導体装置の要部を示す断面図。
10…外囲器、11…半導体装置、12…半導体チップ、13…
ベ−ス部、14…封止部、15…ペ−スト剤、16…ガラス系
の接着剤、17…リ−ドフレ−ム、17a …アンカ−ホ−
ル、17b …ＧＮＤラインに相当するリ−ド、17c …第１
のアンカ−ホ−ル、17d …第２のアンカ−ホ−ル、18…
ワイヤボンディング、21…写真食刻法によるポリイミ
ド、22…テ−プ状のポリイミド。
ベ−ス部、14…封止部、15…ペ−スト剤、16…ガラス系
の接着剤、17…リ−ドフレ−ム、17a …アンカ−ホ−
ル、17b …ＧＮＤラインに相当するリ−ド、17c …第１
のアンカ−ホ−ル、17d …第２のアンカ−ホ−ル、18…
ワイヤボンディング、21…写真食刻法によるポリイミ
ド、22…テ−プ状のポリイミド。
Claims (2)
- 【請求項１】 ベース部と封止部とからなる外囲器と、 前記外囲器内に設けられた半導体チップと、 前記半導体チップと電気的に接続され、前記ベース部と
前記封止部との間に保持される複数のＣｕ製のリード
と、前記各 リードのベース部と封止部との間に位置する部分
に形成されたホールと、 前記各ホール内、前記リードとベース部の間、およびリ
ードと封止部の間に設けられたガラス系の接着剤と を具
備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ベース部と封止部とからなる外囲器と、 前記外囲器内に設けられた半導体チップと、 前記半導体チップと電気的に接続され、前記ベース部と
前記封止部との間に保持される複数のＣｕ製のリード
と、 前記各リードのベース部と封止部との間の上部表面全体
と前記ベース部との間および下部表面全体と封止部との
間に設けられたポリイミドと、 前記ポリイミドと前記ベース部との間と、前記ポリイミ
ドと前記封止部との間に設けられたガラス系接着剤と を
具備することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26633793A JP2937713B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 半導体装置 |
| KR1019940027113A KR100244826B1 (ko) | 1993-10-25 | 1994-10-24 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26633793A JP2937713B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122692A JPH07122692A (ja) | 1995-05-12 |
| JP2937713B2 true JP2937713B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=17429539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26633793A Expired - Fee Related JP2937713B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2937713B2 (ja) |
| KR (1) | KR100244826B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2842355B2 (ja) * | 1996-02-01 | 1999-01-06 | 日本電気株式会社 | パッケージ |
| US6236521B1 (en) | 1998-02-09 | 2001-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Objective lens and image pickup device using the same |
| US7940478B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-05-10 | Nikon Corporation | Imaging lens, optical apparatus and method for forming image using this imaging lens |
| JP6388836B2 (ja) * | 2015-02-20 | 2018-09-12 | 愛三工業株式会社 | 液位検出装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3829598A (en) * | 1972-09-25 | 1974-08-13 | Hutson Ind Inc | Copper heat sinks for electronic devices and method of making same |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP26633793A patent/JP2937713B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-24 KR KR1019940027113A patent/KR100244826B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100244826B1 (ko) | 2000-02-15 |
| JPH07122692A (ja) | 1995-05-12 |
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Legal Events
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