JPH07122692A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH07122692A JPH07122692A JP26633793A JP26633793A JPH07122692A JP H07122692 A JPH07122692 A JP H07122692A JP 26633793 A JP26633793 A JP 26633793A JP 26633793 A JP26633793 A JP 26633793A JP H07122692 A JPH07122692 A JP H07122692A
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、数百ＭＨｚ以上の高速動作が可能
となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、半導体装置
の信頼性が低下することを防止する。 【構成】半導体装置11は、高速動作、放熱特性、電気特
性に優れているセラミックからなる外囲器10であるベ−
ス部13と封止部14とにより半導体チップ12が封止された
構造とする。前記半導体チップ12と電気的に接続された
Ｃｕ性のリ−ドフレ−ム17はベ−ス部13と封止部14とに
挟まれており、リ−ドフレ−ム17には前記挟まれた部分
に位置するアンカ−ホ−ル17a が設けられている。この
アンカ−ホ−ル17a 内、前記挟まれた部分のリ−ドフレ
−ム17とベ−ス部13及び封止部14それぞれとの間にはガ
ラス系の接着剤16が設けられている。従って、数百ＭＨ
ｚ以上の高速動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ム
を用いても、半導体装置の信頼性が低下することを防止
できる。
となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、半導体装置
の信頼性が低下することを防止する。 【構成】半導体装置11は、高速動作、放熱特性、電気特
性に優れているセラミックからなる外囲器10であるベ−
ス部13と封止部14とにより半導体チップ12が封止された
構造とする。前記半導体チップ12と電気的に接続された
Ｃｕ性のリ−ドフレ−ム17はベ−ス部13と封止部14とに
挟まれており、リ−ドフレ−ム17には前記挟まれた部分
に位置するアンカ−ホ−ル17a が設けられている。この
アンカ−ホ−ル17a 内、前記挟まれた部分のリ−ドフレ
−ム17とベ−ス部13及び封止部14それぞれとの間にはガ
ラス系の接着剤16が設けられている。従って、数百ＭＨ
ｚ以上の高速動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ム
を用いても、半導体装置の信頼性が低下することを防止
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関する
もので、特に半導体装置に数百ＭＨｚ以上の高速動作を
させる分野で使用されるものである。
もので、特に半導体装置に数百ＭＨｚ以上の高速動作を
させる分野で使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の半導体装置を示す斜視図
であり、図１０は、図９に示す半導体装置の要部を示す
断面図である。半導体装置１は、高速動作、放熱特性、
電気特性に優れているセラミックからなるベ−ス部３と
封止部４とにより半導体チップ２が封止された構造とな
っている。
であり、図１０は、図９に示す半導体装置の要部を示す
断面図である。半導体装置１は、高速動作、放熱特性、
電気特性に優れているセラミックからなるベ−ス部３と
封止部４とにより半導体チップ２が封止された構造とな
っている。
【０００３】すなわち、ベ−ス部３の下面における中央
部にはペ−スト剤５を介して半導体チップ２が接合され
ている。前記ベ−ス部３の下面における周辺部にはガラ
ス系の接着剤６により材質が４２アロイである鉄系のリ
−ドフレ−ム７が接着されている。このリ−ドフレ−ム
７の一端はワイヤボンディング８を介して前記半導体チ
ップ２と電気的に接続されている。前記リ−ドフレ−ム
７の下には接着剤６を介して封止部４の周辺部が設けら
れており、この封止部４により半導体チップ２、ワイヤ
ボンディング８及びリ−ドフレ−ム７の一部が封止され
ている。
部にはペ−スト剤５を介して半導体チップ２が接合され
ている。前記ベ−ス部３の下面における周辺部にはガラ
ス系の接着剤６により材質が４２アロイである鉄系のリ
−ドフレ−ム７が接着されている。このリ−ドフレ−ム
７の一端はワイヤボンディング８を介して前記半導体チ
ップ２と電気的に接続されている。前記リ−ドフレ−ム
７の下には接着剤６を介して封止部４の周辺部が設けら
れており、この封止部４により半導体チップ２、ワイヤ
ボンディング８及びリ−ドフレ−ム７の一部が封止され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体装置では、リ−ドフレ−ム７の材質に、熱膨張係
数がガラス系の接着剤６と近似している４２アロイを用
いているが、この４２アロイは電気特性が悪いため、高
速動作が要求される半導体装置には用いることができな
い。すなわち、この４２アロイは抵抗が高く、磁性体で
あるため、そのインダクタンスが周波数によって変化す
る。この変化とは、高い周波数帯において入力波形に比
べ、出力波形が歪むというものである。したがって、高
速動作が要求される半導体装置の場合、４２アロイのリ
−ドフレ−ムは使用不可能である。
半導体装置では、リ−ドフレ−ム７の材質に、熱膨張係
数がガラス系の接着剤６と近似している４２アロイを用
いているが、この４２アロイは電気特性が悪いため、高
速動作が要求される半導体装置には用いることができな
い。すなわち、この４２アロイは抵抗が高く、磁性体で
あるため、そのインダクタンスが周波数によって変化す
る。この変化とは、高い周波数帯において入力波形に比
べ、出力波形が歪むというものである。したがって、高
速動作が要求される半導体装置の場合、４２アロイのリ
−ドフレ−ムは使用不可能である。
【０００５】上述したような問題点を解決するために、
リ−ドフレ−ムの材質に電気特性に優れたＣｕを用いる
ということが考えられる。しかし、Ｃｕはガラス系の接
着剤６との熱膨張係数に差があるため、上記従来の半導
体装置においてＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いると、ガ
ラス系の接着剤６にクラックが生じ、半導体装置の信頼
性が劣化する。
リ−ドフレ−ムの材質に電気特性に優れたＣｕを用いる
ということが考えられる。しかし、Ｃｕはガラス系の接
着剤６との熱膨張係数に差があるため、上記従来の半導
体装置においてＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いると、ガ
ラス系の接着剤６にクラックが生じ、半導体装置の信頼
性が劣化する。
【０００６】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、数百ＭＨｚ以上の高速
動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、
装置の信頼性が低下することのない半導体装置を提供す
ることにある。
されたものであり、その目的は、数百ＭＨｚ以上の高速
動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、
装置の信頼性が低下することのない半導体装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、ベ−ス部と封止部とからなる外囲器と、
前記外囲器内に設けられた半導体チップと、前記半導体
チップと電気的に接続され、前記ベ−ス部と前記封止部
とに挟まれたＣｕ製のリ−ドフレ−ムと、前記リ−ドフ
レ−ムに設けられた前記挟まれた部分に位置するアンカ
−ホ−ルと、前記アンカ−ホ−ルの内、前記挟まれた部
分の前記リ−ドフレ−ムと前記ベ−ス部及び前記封止部
それぞれとの間に設けられたガラス系の接着剤と、を具
備することを特徴としている。
解決するため、ベ−ス部と封止部とからなる外囲器と、
前記外囲器内に設けられた半導体チップと、前記半導体
チップと電気的に接続され、前記ベ−ス部と前記封止部
とに挟まれたＣｕ製のリ−ドフレ−ムと、前記リ−ドフ
レ−ムに設けられた前記挟まれた部分に位置するアンカ
−ホ−ルと、前記アンカ−ホ−ルの内、前記挟まれた部
分の前記リ−ドフレ−ムと前記ベ−ス部及び前記封止部
それぞれとの間に設けられたガラス系の接着剤と、を具
備することを特徴としている。
【０００８】また、前記リ−ドフレ−ムにおける電源ラ
インに相当するリ−ドを、この他のリ−ドより太くする
ことを特徴としている。また、ベ−ス部と封止部とから
なる外囲器と、前記外囲器内に設けられた半導体チップ
と、前記半導体チップと電気的に接続され、前記ベ−ス
部と前記封止部とに挟まれたＣｕ製のリ−ドフレ−ム
と、前記挟まれた部分における前記リ−ドフレ−ムにコ
−ティングされたポリイミドと、前記ポリイミドと前記
ベ−ス部及び前記封止部それぞれとの間に設けられたガ
ラス系の接着剤と、を具備することを特徴としている。
インに相当するリ−ドを、この他のリ−ドより太くする
ことを特徴としている。また、ベ−ス部と封止部とから
なる外囲器と、前記外囲器内に設けられた半導体チップ
と、前記半導体チップと電気的に接続され、前記ベ−ス
部と前記封止部とに挟まれたＣｕ製のリ−ドフレ−ム
と、前記挟まれた部分における前記リ−ドフレ−ムにコ
−ティングされたポリイミドと、前記ポリイミドと前記
ベ−ス部及び前記封止部それぞれとの間に設けられたガ
ラス系の接着剤と、を具備することを特徴としている。
【０００９】また、ベ−ス部と封止部とからなる外囲器
と、前記外囲器内に設けられた半導体チップと、前記半
導体チップと電気的に接続され、前記ベ−ス部と前記封
止部とに挟まれたＣｕ製のリ−ドフレ−ムと、前記リ−
ドフレ−ムに設けられた前記挟まれた部分に位置するア
ンカ−ホ−ルと、前記アンカ−ホ−ル内及び前記挟まれ
た部分における前記リ−ドフレ−ムそれぞれにコ−ティ
ングされたポリイミドと、前記ポリイミドと前記ベ−ス
部及び前記封止部それぞれとの間に設けられたガラス系
の接着剤と、を具備することを特徴としている。
と、前記外囲器内に設けられた半導体チップと、前記半
導体チップと電気的に接続され、前記ベ−ス部と前記封
止部とに挟まれたＣｕ製のリ−ドフレ−ムと、前記リ−
ドフレ−ムに設けられた前記挟まれた部分に位置するア
ンカ−ホ−ルと、前記アンカ−ホ−ル内及び前記挟まれ
た部分における前記リ−ドフレ−ムそれぞれにコ−ティ
ングされたポリイミドと、前記ポリイミドと前記ベ−ス
部及び前記封止部それぞれとの間に設けられたガラス系
の接着剤と、を具備することを特徴としている。
【００１０】
【作用】この発明は、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ムに、外囲
器であるベ−ス部と封止部とに挟まれた部分に位置する
アンカ−ホ−ルを設け、このアンカ−ホ−ルにガラス系
の接着剤が充填された状態で、この接着剤によりリ−ド
フレ−ムを前記ベ−ス部と封止部とに接着させている。
このため、リ−ドフレ−ムと接着剤との密着性を向上さ
せることができる。これにより、数百ＭＨｚ以上の高速
動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、
ガラス系の接着剤におけるクラックの発生を防止するこ
とができる。したがって、半導体装置の信頼性が低下す
ることを防止することができる。
器であるベ−ス部と封止部とに挟まれた部分に位置する
アンカ−ホ−ルを設け、このアンカ−ホ−ルにガラス系
の接着剤が充填された状態で、この接着剤によりリ−ド
フレ−ムを前記ベ−ス部と封止部とに接着させている。
このため、リ−ドフレ−ムと接着剤との密着性を向上さ
せることができる。これにより、数百ＭＨｚ以上の高速
動作が可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、
ガラス系の接着剤におけるクラックの発生を防止するこ
とができる。したがって、半導体装置の信頼性が低下す
ることを防止することができる。
【００１１】また、外囲器であるベ−ス部と封止部とに
挟まれた部分におけるＣｕ製のリ−ドフレ−ムにポリイ
ミドをコ−ティングし、このポリイミドをガラス系の接
着剤によりベ−ス部と封止部とに接着させている。この
結果、リ−ドフレ−ムとポリイミドおよびポリイミドと
ガラス系の接着剤それぞれの密着性が良いため、リ−ド
フレ−ムと接着剤との密着性を良くすることができる。
これにより、数百ＭＨｚ以上の高速動作が可能となるＣ
ｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、ガラス系の接着剤に
おけるクラックの発生を防止することができる。
挟まれた部分におけるＣｕ製のリ−ドフレ−ムにポリイ
ミドをコ−ティングし、このポリイミドをガラス系の接
着剤によりベ−ス部と封止部とに接着させている。この
結果、リ−ドフレ−ムとポリイミドおよびポリイミドと
ガラス系の接着剤それぞれの密着性が良いため、リ−ド
フレ−ムと接着剤との密着性を良くすることができる。
これにより、数百ＭＨｚ以上の高速動作が可能となるＣ
ｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、ガラス系の接着剤に
おけるクラックの発生を防止することができる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１は、この発明の第１の実施例による半
導体装置の要部を示す断面図であり、図２は、図１に示
す半導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部２を示す斜
視図である。半導体装置１１は、高速動作、放熱特性、
電気特性に優れているセラミックからなる外囲器１０で
あるベ−ス部１３と封止部１４とにより半導体チップ１
２が封止された構造となっている。前記半導体チップ１
２と電気的に接続されたＣｕ性のリ−ドフレ−ム１７は
ベ−ス部１３と封止部１４とに挟まれており、リ−ドフ
レ−ム１７には前記挟まれた部分に位置するアンカ−ホ
−ル１７ａが設けられている。このアンカ−ホ−ル１７
ａ内、前記挟まれた部分のリ−ドフレ−ム１７とベ−ス
部１３及び封止部１４それぞれとの間にはガラス系の接
着剤１６が設けられている。
り説明する。図１は、この発明の第１の実施例による半
導体装置の要部を示す断面図であり、図２は、図１に示
す半導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部２を示す斜
視図である。半導体装置１１は、高速動作、放熱特性、
電気特性に優れているセラミックからなる外囲器１０で
あるベ−ス部１３と封止部１４とにより半導体チップ１
２が封止された構造となっている。前記半導体チップ１
２と電気的に接続されたＣｕ性のリ−ドフレ−ム１７は
ベ−ス部１３と封止部１４とに挟まれており、リ−ドフ
レ−ム１７には前記挟まれた部分に位置するアンカ−ホ
−ル１７ａが設けられている。このアンカ−ホ−ル１７
ａ内、前記挟まれた部分のリ−ドフレ−ム１７とベ−ス
部１３及び封止部１４それぞれとの間にはガラス系の接
着剤１６が設けられている。
【００１３】すなわち、ベ−ス部１３の下面における中
央部にはペ−スト剤１５を介して半導体チップ１２が接
合されている。前記ベ−ス部１３の下面における周辺部
にはガラス系の接着剤１６により材質がＣｕからなるリ
−ドフレ−ム１７が接着されている。このリ−ドフレ−
ム１７は、図２の示すように、各リ−ド部において前記
接着剤１６が接着される部分にアンカ−ホ−ル１７ａが
設けられたものである。前記リ−ドフレ−ム１７の一端
は、図１に示すように、ワイヤボンディング１８を介し
て前記半導体チップ１２と電気的に接続されている。前
記リ−ドフレ−ム１７の下には接着剤１６を介して封止
部１４の周辺部が設けられている。従って、前記リ−ド
フレ−ム１７におけるアンカ−ホ−ル１７ａには接着剤
１６が充填された状態とされている。前記封止部１４に
より半導体チップ１２、ワイヤボンディング１８及びリ
−ドフレ−ム１７の一部が封止されている。
央部にはペ−スト剤１５を介して半導体チップ１２が接
合されている。前記ベ−ス部１３の下面における周辺部
にはガラス系の接着剤１６により材質がＣｕからなるリ
−ドフレ−ム１７が接着されている。このリ−ドフレ−
ム１７は、図２の示すように、各リ−ド部において前記
接着剤１６が接着される部分にアンカ−ホ−ル１７ａが
設けられたものである。前記リ−ドフレ−ム１７の一端
は、図１に示すように、ワイヤボンディング１８を介し
て前記半導体チップ１２と電気的に接続されている。前
記リ−ドフレ−ム１７の下には接着剤１６を介して封止
部１４の周辺部が設けられている。従って、前記リ−ド
フレ−ム１７におけるアンカ−ホ−ル１７ａには接着剤
１６が充填された状態とされている。前記封止部１４に
より半導体チップ１２、ワイヤボンディング１８及びリ
−ドフレ−ム１７の一部が封止されている。
【００１４】上記第１の実施例によれば、Ｃｕ製のリ−
ドフレ−ム１７の各リ−ド部にアンカ−ホ−ル１７ａを
設け、このアンカ−ホ−ル１７ａにガラス系の接着剤１
６が充填された状態で、リ−ドフレ−ム１７を接着剤１
６によりベ−ス部１３と封止部１４とに接着している。
このため、リ−ドフレ−ム１７と接着剤１６との密着性
を向上させることができる。これにより、電気特性に優
れたＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用いても、ガラス系
の接着剤１６におけるクラックの発生を防止することが
できる。したがって、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用
いた半導体装置１１により、放熱特性を損なうことな
く、数百ＭＨｚ以上の高速動作を可能とすることができ
るとともに、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。
ドフレ−ム１７の各リ−ド部にアンカ−ホ−ル１７ａを
設け、このアンカ−ホ−ル１７ａにガラス系の接着剤１
６が充填された状態で、リ−ドフレ−ム１７を接着剤１
６によりベ−ス部１３と封止部１４とに接着している。
このため、リ−ドフレ−ム１７と接着剤１６との密着性
を向上させることができる。これにより、電気特性に優
れたＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用いても、ガラス系
の接着剤１６におけるクラックの発生を防止することが
できる。したがって、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用
いた半導体装置１１により、放熱特性を損なうことな
く、数百ＭＨｚ以上の高速動作を可能とすることができ
るとともに、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。
【００１５】また、半導体装置１１において、Ｃｕ製の
リ−ドフレ−ム１７を用いることにより、従来品に比
べ、半導体装置１１全体の低コスト化を実現することが
できる。即ち、従来の４２アロイ製のリ−ドフレ−ムよ
りＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７の方が低価格であるた
め、半導体装置１１全体の低コスト化を図ることができ
るのである。
リ−ドフレ−ム１７を用いることにより、従来品に比
べ、半導体装置１１全体の低コスト化を実現することが
できる。即ち、従来の４２アロイ製のリ−ドフレ−ムよ
りＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７の方が低価格であるた
め、半導体装置１１全体の低コスト化を図ることができ
るのである。
【００１６】尚、上記第１の実施例では、リ−ドフレ−
ム１７の各リ−ドそれぞれに一つのアンカ−ホ−ルを設
けているが、リ−ドフレ−ム１７の各リ−ドそれぞれに
複数のアンカ−ホ−ルを設けることも可能である。
ム１７の各リ−ドそれぞれに一つのアンカ−ホ−ルを設
けているが、リ−ドフレ−ム１７の各リ−ドそれぞれに
複数のアンカ−ホ−ルを設けることも可能である。
【００１７】図３は、この発明の第２の実施例による半
導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部を示す斜視図で
あり、図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分
についてのみ説明する。
導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部を示す斜視図で
あり、図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分
についてのみ説明する。
【００１８】リ−ドフレ−ム１７において、ＧＮＤライ
ンに相当するリ−ド１７ｂが電流密度を考慮して太く形
成されている。このリ−ド１７ｂにおいて前記接着剤１
６が接着される部分には第１及び第２のアンカ−ホ−ル
１７ｃ、１７ｄが設けられている。即ち、前記リ−ド１
７ｂには二つのアンカ−ホ−ル１７ｃ、１７ｄが設けら
れており、前記リ−ド１７ｂ以外のリ−ドには一つのア
ンカ−ホ−ル１７ａが設けられている。
ンに相当するリ−ド１７ｂが電流密度を考慮して太く形
成されている。このリ−ド１７ｂにおいて前記接着剤１
６が接着される部分には第１及び第２のアンカ−ホ−ル
１７ｃ、１７ｄが設けられている。即ち、前記リ−ド１
７ｂには二つのアンカ−ホ−ル１７ｃ、１７ｄが設けら
れており、前記リ−ド１７ｂ以外のリ−ドには一つのア
ンカ−ホ−ル１７ａが設けられている。
【００１９】上記第２の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。図４は、この発明の
第３の実施例による半導体装置の一部を示す断面図であ
り、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
と同様の効果を得ることができる。図４は、この発明の
第３の実施例による半導体装置の一部を示す断面図であ
り、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
【００２０】ベ−ス部１３の下面における周辺部にはガ
ラス系の接着剤１６が塗布されている。この接着剤１６
の下には写真食刻法によるポリイミド２１が設けられて
おり、このポリイミド２１の下にはリ−ドフレ−ム１７
が設けられている。このリ−ドフレ−ム１７の下にはテ
−プ状のポリイミド２２が設けられており、このポリイ
ミド２２の下には接着剤１６を介して封止部１４の周辺
部が設けられている。
ラス系の接着剤１６が塗布されている。この接着剤１６
の下には写真食刻法によるポリイミド２１が設けられて
おり、このポリイミド２１の下にはリ−ドフレ−ム１７
が設けられている。このリ−ドフレ−ム１７の下にはテ
−プ状のポリイミド２２が設けられており、このポリイ
ミド２２の下には接着剤１６を介して封止部１４の周辺
部が設けられている。
【００２１】図５及び図６は、図４に示す半導体装置に
おけるリ−ドフレ−ムの要部５の上面及び下面それぞれ
にポリイミドを設ける工程を示す斜視図である。先ず、
リ−ドフレ−ム１７の下面１にはテ−プ状のポリイミド
２２が貼り付けられる。次に、前記リ−ドフレ−ム１７
の上面にはポリイミド２１が塗布され、このポリイミド
２１は写真食刻法により前記テ−プ状のポリイミド２２
の上のみに残される。この際、前記ポリイミド２１は、
ベ−ス部１３下面の周辺部に位置するリ−ドフレ−ム１
７の上面、側面及びテ−プ状のポリイミド２２の上に隙
間なく形成される。これは、ポリイミド２１を写真食刻
法により形成しているためである。したがって、ベ−ス
部１３下面の周辺部に対応する位置のリ−ドフレ−ム１
７は、一定の膜厚のポリイミド２１によりコ−ティング
される。
おけるリ−ドフレ−ムの要部５の上面及び下面それぞれ
にポリイミドを設ける工程を示す斜視図である。先ず、
リ−ドフレ−ム１７の下面１にはテ−プ状のポリイミド
２２が貼り付けられる。次に、前記リ−ドフレ−ム１７
の上面にはポリイミド２１が塗布され、このポリイミド
２１は写真食刻法により前記テ−プ状のポリイミド２２
の上のみに残される。この際、前記ポリイミド２１は、
ベ−ス部１３下面の周辺部に位置するリ−ドフレ−ム１
７の上面、側面及びテ−プ状のポリイミド２２の上に隙
間なく形成される。これは、ポリイミド２１を写真食刻
法により形成しているためである。したがって、ベ−ス
部１３下面の周辺部に対応する位置のリ−ドフレ−ム１
７は、一定の膜厚のポリイミド２１によりコ−ティング
される。
【００２２】上記第３の実施例によれば、Ｃｕ製のリ−
ドフレ−ム１７においてベ−ス部１３の周辺部に対応す
る位置にポリイミド２１、２２を隙間なく形成し、これ
らポリイミド２１、２２を接着剤１６によりベ−ス部１
３及び封止部１４に接着させている。この結果、リ−ド
フレ−ム１７とポリイミド２１、２２およびポリイミド
２１、２２とガラス系の接着剤１６それぞれの密着性が
良いため、リ−ドフレ−ム１７とガラス系の接着剤１６
との密着性を良くすることができる。これにより、電気
特性に優れたＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用いても、
ガラス系の接着剤１６におけるクラックの発生を防止す
ることができる。したがって、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ム
１７を用いた半導体装置１１により、放熱特性を損なう
ことなく、数百ＭＨｚ以上の高速動作を可能とすること
ができるとともに、半導体装置の信頼性を向上させるこ
とができる。
ドフレ−ム１７においてベ−ス部１３の周辺部に対応す
る位置にポリイミド２１、２２を隙間なく形成し、これ
らポリイミド２１、２２を接着剤１６によりベ−ス部１
３及び封止部１４に接着させている。この結果、リ−ド
フレ−ム１７とポリイミド２１、２２およびポリイミド
２１、２２とガラス系の接着剤１６それぞれの密着性が
良いため、リ−ドフレ−ム１７とガラス系の接着剤１６
との密着性を良くすることができる。これにより、電気
特性に優れたＣｕ製のリ−ドフレ−ム１７を用いても、
ガラス系の接着剤１６におけるクラックの発生を防止す
ることができる。したがって、Ｃｕ製のリ−ドフレ−ム
１７を用いた半導体装置１１により、放熱特性を損なう
ことなく、数百ＭＨｚ以上の高速動作を可能とすること
ができるとともに、半導体装置の信頼性を向上させるこ
とができる。
【００２３】また、半導体装置１１において、Ｃｕ製の
リ−ドフレ−ム１７を用いることにより、従来品に比
べ、半導体装置１１全体の低コスト化を実現することが
できる。
リ−ドフレ−ム１７を用いることにより、従来品に比
べ、半導体装置１１全体の低コスト化を実現することが
できる。
【００２４】図７は、この発明の第４の実施例による半
導体装置の要部を示す断面図であり、図８は、図７に示
す半導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部８を示す斜
視図である。図７及び図８は、図４、図５及び図６と同
一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説
明する。
導体装置の要部を示す断面図であり、図８は、図７に示
す半導体装置におけるリ−ドフレ−ムの要部８を示す斜
視図である。図７及び図８は、図４、図５及び図６と同
一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説
明する。
【００２５】リ−ドフレ−ム１７の各リ−ド部において
ベ−ス部１３の下面の周辺部に対応する位置にアンカ−
ホ−ル１７ａが設けられており、このアンカ−ホ−ル１
７ａの内には写真食刻法によるポリイミド２１が隙間な
く形成されている。
ベ−ス部１３の下面の周辺部に対応する位置にアンカ−
ホ−ル１７ａが設けられており、このアンカ−ホ−ル１
７ａの内には写真食刻法によるポリイミド２１が隙間な
く形成されている。
【００２６】すなわち、図８に示すように、アンカ−ホ
−ル１７ａが設けられたリ−ドフレ−ム１７の下面には
テ−プ状のポリイミド２２が貼り付けられている。前記
リ−ドフレ−ム１７の上面、側面、アンカ−ホ−ル１７
ａ内の側面及びテ−プ状のポリイミド２２の上にはポリ
イミド２１が隙間なく形成されている。
−ル１７ａが設けられたリ−ドフレ−ム１７の下面には
テ−プ状のポリイミド２２が貼り付けられている。前記
リ−ドフレ−ム１７の上面、側面、アンカ−ホ−ル１７
ａ内の側面及びテ−プ状のポリイミド２２の上にはポリ
イミド２１が隙間なく形成されている。
【００２７】上記第４の実施例においても第３の実施例
と同様の効果を得ることができる。しかも、リ−ドフレ
−ム１７にアンカ−ホ−ル１７ａを設けているため、リ
−ドフレ−ム１７とポリイミド２１、２２およびポリイ
ミド２１、２２とガラス系の接着剤１６それぞれの密着
性をさらに向上させることができる。
と同様の効果を得ることができる。しかも、リ−ドフレ
−ム１７にアンカ−ホ−ル１７ａを設けているため、リ
−ドフレ−ム１７とポリイミド２１、２２およびポリイ
ミド２１、２２とガラス系の接着剤１６それぞれの密着
性をさらに向上させることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
Ｃｕ製のリ−ドフレ−ムに、外囲器であるベ−ス部と封
止部とに挟まれた部分に位置するアンカ−ホ−ルを設け
ている。また、ベ−ス部と封止部とに挟まれた部分にお
けるＣｕ製のリ−ドフレ−ムにポリイミドをコ−ティン
グしている。したがって、数百ＭＨｚ以上の高速動作が
可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、半導体
装置の信頼性が低下することを防止することができる。
Ｃｕ製のリ−ドフレ−ムに、外囲器であるベ−ス部と封
止部とに挟まれた部分に位置するアンカ−ホ−ルを設け
ている。また、ベ−ス部と封止部とに挟まれた部分にお
けるＣｕ製のリ−ドフレ−ムにポリイミドをコ−ティン
グしている。したがって、数百ＭＨｚ以上の高速動作が
可能となるＣｕ製のリ−ドフレ−ムを用いても、半導体
装置の信頼性が低下することを防止することができる。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体装置の要
部を示す断面図。
部を示す断面図。
【図２】この発明の図１に示す半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図３】この発明の第２の実施例による半導体装置にお
けるリ−ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
けるリ−ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図４】この発明の第３の実施例による半導体装置の一
部を示す断面図。
部を示す断面図。
【図５】この発明の図４に示す半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図６】この発明の図４に示す半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図７】この発明の第４の実施例による半導体装置の要
部を示す断面図。
部を示す断面図。
【図８】この発明の図７に示す半導体装置におけるリ−
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
ドフレ−ムの要部を示す斜視図。
【図９】従来の半導体装置を示す斜視図。
【図１０】図９に示す半導体装置の要部を示す断面図。
10…外囲器、11…半導体装置、12…半導体チップ、13…
ベ−ス部、14…封止部、15…ペ−スト剤、16…ガラス系
の接着剤、17…リ−ドフレ−ム、17a …アンカ−ホ−
ル、17b …ＧＮＤラインに相当するリ−ド、17c …第１
のアンカ−ホ−ル、17d …第２のアンカ−ホ−ル、18…
ワイヤボンディング、21…写真食刻法によるポリイミ
ド、22…テ−プ状のポリイミド。
ベ−ス部、14…封止部、15…ペ−スト剤、16…ガラス系
の接着剤、17…リ−ドフレ−ム、17a …アンカ−ホ−
ル、17b …ＧＮＤラインに相当するリ−ド、17c …第１
のアンカ−ホ−ル、17d …第２のアンカ−ホ−ル、18…
ワイヤボンディング、21…写真食刻法によるポリイミ
ド、22…テ−プ状のポリイミド。
Claims (4)
- 【請求項１】 ベ−ス部と封止部とからなる外囲器と、 前記外囲器内に設けられた半導体チップと、 前記半導体チップと電気的に接続され、前記ベ−ス部と
前記封止部とに挟まれたＣｕ製のリ−ドフレ−ムと、 前記リ−ドフレ−ムに設けられた前記挟まれた部分に位
置するアンカ−ホ−ルと、 前記アンカ−ホ−ルの内、前記挟まれた部分の前記リ−
ドフレ−ムと前記ベ−ス部及び前記封止部それぞれとの
間に設けられたガラス系の接着剤と、 を具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記リ−ドフレ−ムにおける電源ライン
に相当するリ−ドを、この他のリ−ドより太くすること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 ベ−ス部と封止部とからなる外囲器と、 前記外囲器内に設けられた半導体チップと、 前記半導体チップと電気的に接続され、前記ベ−ス部と
前記封止部とに挟まれたＣｕ製のリ−ドフレ−ムと、 前記挟まれた部分における前記リ−ドフレ−ムにコ−テ
ィングされたポリイミドと、 前記ポリイミドと前記ベ−ス部及び前記封止部それぞれ
との間に設けられたガラス系の接着剤と、 を具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 ベ−ス部と封止部とからなる外囲器と、 前記外囲器内に設けられた半導体チップと、 前記半導体チップと電気的に接続され、前記ベ−ス部と
前記封止部とに挟まれたＣｕ製のリ−ドフレ−ムと、 前記リ−ドフレ−ムに設けられた前記挟まれた部分に位
置するアンカ−ホ−ルと、 前記アンカ−ホ−ル内及び前記挟まれた部分における前
記リ−ドフレ−ムそれぞれにコ−ティングされたポリイ
ミドと、 前記ポリイミドと前記ベ−ス部及び前記封止部それぞれ
との間に設けられたガラス系の接着剤と、 を具備することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26633793A JP2937713B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 半導体装置 |
| KR1019940027113A KR100244826B1 (ko) | 1993-10-25 | 1994-10-24 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26633793A JP2937713B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122692A true JPH07122692A (ja) | 1995-05-12 |
| JP2937713B2 JP2937713B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=17429539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26633793A Expired - Fee Related JP2937713B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2937713B2 (ja) |
| KR (1) | KR100244826B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5905301A (en) * | 1996-02-01 | 1999-05-18 | Nec Corporation | Mold package for sealing a chip |
| US6236521B1 (en) | 1998-02-09 | 2001-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Objective lens and image pickup device using the same |
| US7940478B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-05-10 | Nikon Corporation | Imaging lens, optical apparatus and method for forming image using this imaging lens |
| JP2016153755A (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 愛三工業株式会社 | 液位検出装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3829598A (en) * | 1972-09-25 | 1974-08-13 | Hutson Ind Inc | Copper heat sinks for electronic devices and method of making same |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP26633793A patent/JP2937713B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-24 KR KR1019940027113A patent/KR100244826B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5905301A (en) * | 1996-02-01 | 1999-05-18 | Nec Corporation | Mold package for sealing a chip |
| US6236521B1 (en) | 1998-02-09 | 2001-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Objective lens and image pickup device using the same |
| US7940478B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-05-10 | Nikon Corporation | Imaging lens, optical apparatus and method for forming image using this imaging lens |
| US8027100B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-09-27 | Nikon Corporation | Imaging lens, optical apparatus and method for forming image using this imaging lens |
| US8385010B2 (en) | 2008-04-11 | 2013-02-26 | Nikon Corporation | Imaging lens, optical apparatus and method for forming image using this imaging lens |
| JP2016153755A (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 愛三工業株式会社 | 液位検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100244826B1 (ko) | 2000-02-15 |
| JP2937713B2 (ja) | 1999-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090611 Year of fee payment: 10 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |