JPH05226548A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH05226548A JPH05226548A JP4316943A JP31694392A JPH05226548A JP H05226548 A JPH05226548 A JP H05226548A JP 4316943 A JP4316943 A JP 4316943A JP 31694392 A JP31694392 A JP 31694392A JP H05226548 A JPH05226548 A JP H05226548A
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- JP
- Japan
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- lead
- leads
- lead frame
- semiconductor device
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 アンカーホール蝕刻の寸法限界性を克服しな
がらリードフレームと樹脂の結合力を高め、切断及び折
曲工程での機械的衝撃を吸収でき、また、水分浸透経路
長を増すことができるリードフレームを提供する。 【構成】 ポールレットが搭載されるダイパッド２と、
このダイパッドを一端から支持するための２個以上のタ
イバーと、前記ポールレット付近から四方へ広がる内部
端部２８を持つ多数個の電導性の内部リード２４と、こ
の内部リードと該内部リードから延長する外部リードと
の間の境界面を形成するダムバーとから構成され、さら
に、内部端部を持つ多数個の内部リードは、１つ以上の
略半円形穴を持つアンカーホール２７が各々隣接リード
と上／下方向へクロスリンキングされるようにジクザグ
模様で配列形成され、この内部リードの上部表面と下部
表面の直径が同寸化するようにエッチング方法により略
半円形凹地であるアンカーホール模様で形成された。
がらリードフレームと樹脂の結合力を高め、切断及び折
曲工程での機械的衝撃を吸収でき、また、水分浸透経路
長を増すことができるリードフレームを提供する。 【構成】 ポールレットが搭載されるダイパッド２と、
このダイパッドを一端から支持するための２個以上のタ
イバーと、前記ポールレット付近から四方へ広がる内部
端部２８を持つ多数個の電導性の内部リード２４と、こ
の内部リードと該内部リードから延長する外部リードと
の間の境界面を形成するダムバーとから構成され、さら
に、内部端部を持つ多数個の内部リードは、１つ以上の
略半円形穴を持つアンカーホール２７が各々隣接リード
と上／下方向へクロスリンキングされるようにジクザグ
模様で配列形成され、この内部リードの上部表面と下部
表面の直径が同寸化するようにエッチング方法により略
半円形凹地であるアンカーホール模様で形成された。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用のリードフ
レームに関し、特にモールド樹脂とリードフレームとの
接着力を向上させるアンカーホール（ａｎｃｈｏｒ ｈ
ｏｌｅ）構造を採用した半導体装置用のリードフレーム
に関する。
レームに関し、特にモールド樹脂とリードフレームとの
接着力を向上させるアンカーホール（ａｎｃｈｏｒ ｈ
ｏｌｅ）構造を採用した半導体装置用のリードフレーム
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＦＰＰ（フラット プラスチッ
ク パッケージ）では、リードフレームと樹脂との結合
力を高めて半導体装置の最終組立工程で発生する機械的
な衝撃を吸収すると共に、凝着力及び機械強度を向上さ
せるために、リードフレームの内部リードにアンカーホ
ール構造あるいはロック構造を採用している。
ク パッケージ）では、リードフレームと樹脂との結合
力を高めて半導体装置の最終組立工程で発生する機械的
な衝撃を吸収すると共に、凝着力及び機械強度を向上さ
せるために、リードフレームの内部リードにアンカーホ
ール構造あるいはロック構造を採用している。
【０００３】図５は、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎ−ｌｉｎ
ｅ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＩＰなど、リードピッチが比
較的大きいピン挿入形パッケージの内部リード各々に、
アンカーホール構造を採用した既存の半導体装置用リー
ドフレームの要部詳細図を示している。前記ＤＩＰ及び
ＳＩＰは、ダイパッド（ｄｉｅ ｐａｄ）１の一側端中
央からキャビティ両側で延長されるタイバー（ｔｉｅ
ｂａｒ）３と、このタイバー３及び内部リード４と外部
リード５との間に延長されてこれらを互いに連結するダ
ムバー（ｄａｍ ｂａｒ）６と、前記内部リード４の折
曲部Ａ中央に形成されたアンカーホール７とを含んで構
成されている。
ｅ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＩＰなど、リードピッチが比
較的大きいピン挿入形パッケージの内部リード各々に、
アンカーホール構造を採用した既存の半導体装置用リー
ドフレームの要部詳細図を示している。前記ＤＩＰ及び
ＳＩＰは、ダイパッド（ｄｉｅ ｐａｄ）１の一側端中
央からキャビティ両側で延長されるタイバー（ｔｉｅ
ｂａｒ）３と、このタイバー３及び内部リード４と外部
リード５との間に延長されてこれらを互いに連結するダ
ムバー（ｄａｍ ｂａｒ）６と、前記内部リード４の折
曲部Ａ中央に形成されたアンカーホール７とを含んで構
成されている。
【０００４】このようにアンカーホール７構造を採用し
た従来のＤＩＰ及びＳＩＰにおいては、リードフレーム
の内部リードピッチが大きければ（例えば１．７８〜
２．５４mm）、前記アンカーホール７をエッチングによ
り形成することができた。
た従来のＤＩＰ及びＳＩＰにおいては、リードフレーム
の内部リードピッチが大きければ（例えば１．７８〜
２．５４mm）、前記アンカーホール７をエッチングによ
り形成することができた。
【０００５】しかし、現在のリードフレームエッチング
技術では、前記アンカーホールの寸法は約１．０×Ｔ
（厚さ）程度であり、例えば０．１５mm厚さのリードフ
レームにおいては、ホール横の残存最小リード幅が０．
０５mmになるために、リード全幅最小値が０．１５＋
（２×０．０５）＝０．２５mmになる。従って、０．１
５mm厚さのリードフレームでは、内部リードピッチが
０．２５mm以上でないとアンカーホールを蝕刻できない
従来の蝕刻技術では、微細パターン蝕刻の限界性を克服
することが困難であった。
技術では、前記アンカーホールの寸法は約１．０×Ｔ
（厚さ）程度であり、例えば０．１５mm厚さのリードフ
レームにおいては、ホール横の残存最小リード幅が０．
０５mmになるために、リード全幅最小値が０．１５＋
（２×０．０５）＝０．２５mmになる。従って、０．１
５mm厚さのリードフレームでは、内部リードピッチが
０．２５mm以上でないとアンカーホールを蝕刻できない
従来の蝕刻技術では、微細パターン蝕刻の限界性を克服
することが困難であった。
【０００６】一方、図６に示す概存の表面実装形パッケ
ージ（例えばＳＯＰ，ＴＳＯＰ，ＱＦＰ及びＰＴＰな
ど）用リードフレームにおいては、アンカーホール構造
でなく鍵形構造を採用している。図６に示されるよう
に、このタイプのリードフレームは、半導体チップが搭
載されるダイパッド１と、このダイパッド１中央から左
右両方向へ延長される一対のタイバー１３と、このタイ
バー１３の両側に鍵形構造が設けられた内部リード１４
と、この内部リード１４及び外部リード１５を支持する
ダムバー１６とから構成されている。このように構成さ
れた表面実装形リードフレームのリードピッチを見る
と、ＳＯＰで１．２７mm、ＳＳＯＰ縮小ＳＯＰで１．０
mm以下、ＱＦＰで０．６５〜１．００mm、ＴＳＯＰＩで
０．８mm以下となっており、特に、ＴＳＯＰ，ＳＳＯＰ
及びＱＦＦ（ＦＰ）においてはそのリード幅が０．２mm
以下となり、またＱＦＰ（ＦＰ）で０．６５mm未満にな
る。このようなリードフレームでは、その製造公差を勘
案すると、リードピッチが０．６５mm以下、リード幅が
０．３mm以下となる。したがって、従来のリードフレー
ムエッチング技術により微細なリードピッチ及び幅を持
つリードフレームを製造することができても、このよう
な微細なリードピッチ及びリード幅を持つリードフレー
ムにあっては、リードフレームと樹脂の結合力及び水分
浸透経路長を増すことが非常に困難である。
ージ（例えばＳＯＰ，ＴＳＯＰ，ＱＦＰ及びＰＴＰな
ど）用リードフレームにおいては、アンカーホール構造
でなく鍵形構造を採用している。図６に示されるよう
に、このタイプのリードフレームは、半導体チップが搭
載されるダイパッド１と、このダイパッド１中央から左
右両方向へ延長される一対のタイバー１３と、このタイ
バー１３の両側に鍵形構造が設けられた内部リード１４
と、この内部リード１４及び外部リード１５を支持する
ダムバー１６とから構成されている。このように構成さ
れた表面実装形リードフレームのリードピッチを見る
と、ＳＯＰで１．２７mm、ＳＳＯＰ縮小ＳＯＰで１．０
mm以下、ＱＦＰで０．６５〜１．００mm、ＴＳＯＰＩで
０．８mm以下となっており、特に、ＴＳＯＰ，ＳＳＯＰ
及びＱＦＦ（ＦＰ）においてはそのリード幅が０．２mm
以下となり、またＱＦＰ（ＦＰ）で０．６５mm未満にな
る。このようなリードフレームでは、その製造公差を勘
案すると、リードピッチが０．６５mm以下、リード幅が
０．３mm以下となる。したがって、従来のリードフレー
ムエッチング技術により微細なリードピッチ及び幅を持
つリードフレームを製造することができても、このよう
な微細なリードピッチ及びリード幅を持つリードフレー
ムにあっては、リードフレームと樹脂の結合力及び水分
浸透経路長を増すことが非常に困難である。
【０００７】さらに、半導体チップサイズの増大と逆行
するように、パッケージは一層薄形化、小形化される傾
向にある。これによりパッケージの内部リードは一層細
密化するように配列され、パッケージ内部への不純物あ
るいは水分浸透は、一層効果的に遮断させなければなら
ない。
するように、パッケージは一層薄形化、小形化される傾
向にある。これによりパッケージの内部リードは一層細
密化するように配列され、パッケージ内部への不純物あ
るいは水分浸透は、一層効果的に遮断させなければなら
ない。
【０００８】上述のように図５に示すアンカーホール形
象を採用した内部リードは、蝕刻の寸法限界性を克服す
ることが難しく、図６に示された鍵形図形を採用した内
部リードは、蝕刻の限界性を克服することはできるが、
リードフレームと樹脂の結合力及び水分浸透経路長を増
すことができないという問題点が依然として存在してい
る実情である。
象を採用した内部リードは、蝕刻の寸法限界性を克服す
ることが難しく、図６に示された鍵形図形を採用した内
部リードは、蝕刻の限界性を克服することはできるが、
リードフレームと樹脂の結合力及び水分浸透経路長を増
すことができないという問題点が依然として存在してい
る実情である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、上
記のような問題点を解決するためになされたもので、本
発明の目的は、リードフレームのアンカーホール蝕刻の
寸法限界性を克服しながらリードフレーム樹脂の結合力
を高め、切断及び折曲工程での機械的衝撃を吸収できる
半導体装置用リードフレームを提供することにある。
記のような問題点を解決するためになされたもので、本
発明の目的は、リードフレームのアンカーホール蝕刻の
寸法限界性を克服しながらリードフレーム樹脂の結合力
を高め、切断及び折曲工程での機械的衝撃を吸収できる
半導体装置用リードフレームを提供することにある。
【００１０】また、本発明の他の目的は、リードピッチ
が非常に小さいアンカーホール（＝０．１５mm) 構造を
持つ内部リードを採用しながら水分浸透経路長を増すこ
とができ、これにより、パッケージクラック現象を防止
して信頼性を向上させることのできる半導体装置用リー
ドフレームを提供することである。
が非常に小さいアンカーホール（＝０．１５mm) 構造を
持つ内部リードを採用しながら水分浸透経路長を増すこ
とができ、これにより、パッケージクラック現象を防止
して信頼性を向上させることのできる半導体装置用リー
ドフレームを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するための本発明による半導体装置用リードフレーム
は、ポールレットが搭載されるダイパッドと、このダイ
パッドを一端から支持するための２個以上のタイバー
と、前記ポールレット付近から四方へ広がる内部端部を
持つ多数個の電導性の内部リードと、この内部リードと
この内部リードから延長する外部リードとの間の境界面
を形成するダムバーとから構成される半導体装置用リー
ドフレームにおいて、前記内部端部を持つ多数個の内部
リードは、１つ以上の略半円形穴を持つアンカーホール
が各々隣接リードと上／下方向へクロスリンキングされ
るようにジクザグ模様で配列設置した形態で形成される
とともに、該内部リードの上部表面と下部表面の直径が
同寸化するようにエッチング方法により略半円形凹地で
あるアンカーホール模様で形成されることを特徴として
いる。
するための本発明による半導体装置用リードフレーム
は、ポールレットが搭載されるダイパッドと、このダイ
パッドを一端から支持するための２個以上のタイバー
と、前記ポールレット付近から四方へ広がる内部端部を
持つ多数個の電導性の内部リードと、この内部リードと
この内部リードから延長する外部リードとの間の境界面
を形成するダムバーとから構成される半導体装置用リー
ドフレームにおいて、前記内部端部を持つ多数個の内部
リードは、１つ以上の略半円形穴を持つアンカーホール
が各々隣接リードと上／下方向へクロスリンキングされ
るようにジクザグ模様で配列設置した形態で形成される
とともに、該内部リードの上部表面と下部表面の直径が
同寸化するようにエッチング方法により略半円形凹地で
あるアンカーホール模様で形成されることを特徴として
いる。
【００１２】また、前記多数個の内部リードは、異方性
エッチング方法により隣接する内部リード相互間にジク
ザクでアンカーホールが形成されたものであることを特
徴としている。
エッチング方法により隣接する内部リード相互間にジク
ザクでアンカーホールが形成されたものであることを特
徴としている。
【００１３】また、前記多数個の内部リードは、スタン
ピング方法によりリード間隔及びリードスペースを活用
して隣接する内部リード相互間にジグザグでアンカーホ
ールが形成されたものであることを特徴としている。
ピング方法によりリード間隔及びリードスペースを活用
して隣接する内部リード相互間にジグザグでアンカーホ
ールが形成されたものであることを特徴としている。
【００１４】また、前記多数個の内部リードは、リード
相互間の幅が０．３mm以下となるように設けることがで
きる。
相互間の幅が０．３mm以下となるように設けることがで
きる。
【００１５】また、互いに隣接する内部リード相互間の
リードピッチを０．６５mm以下とすることだできる。
リードピッチを０．６５mm以下とすることだできる。
【００１６】また、前記アンカーホールは、異方性エッ
チング方法及びスタンピング方法より少なくとも二つ以
上の穴を持つものであることを特徴としている。
チング方法及びスタンピング方法より少なくとも二つ以
上の穴を持つものであることを特徴としている。
【００１７】また、前記アンカーホール構造を持つ多数
個の内部リードは、高集積、大容量半導体装置に適用さ
れ得る。
個の内部リードは、高集積、大容量半導体装置に適用さ
れ得る。
【００１８】
【作用】組立工程で樹脂でモールディングするとき、少
なくとも一つのアンカーホールを通って内部リードの端
部の機械的振動を分散するとともに、水分浸透経路長を
増すことができ、これにより、凝着力と機械的強度を向
上させることができる。
なくとも一つのアンカーホールを通って内部リードの端
部の機械的振動を分散するとともに、水分浸透経路長を
増すことができ、これにより、凝着力と機械的強度を向
上させることができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明による一実施例を添付された図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
【００２０】図１ないし図４に示すように、本発明に係
るリードフレームは、２個以上のタイバー２９により支
持されるダイパッド２と、このダイパッド２の四辺へ向
くように配列された内部端部２８を持つ多数個の電導性
の内部リード２４と、前記多数個の内部リード２４上に
あって互いに隣接する少なくとも一つ以上のアンカーホ
ール２７とを具備する。また、ダムバー６が、内部リー
ド２４と外部リード２５との間に境界部を形成するもの
として設けられている。
るリードフレームは、２個以上のタイバー２９により支
持されるダイパッド２と、このダイパッド２の四辺へ向
くように配列された内部端部２８を持つ多数個の電導性
の内部リード２４と、前記多数個の内部リード２４上に
あって互いに隣接する少なくとも一つ以上のアンカーホ
ール２７とを具備する。また、ダムバー６が、内部リー
ド２４と外部リード２５との間に境界部を形成するもの
として設けられている。
【００２１】また、図２は、図１と図４に示したアンカ
ーホール２７を採用した互いに隣接する内部リード２４
のＡ−Ａ′線要部拡大断面図であり、前記多数個の内部
リード２４が互いに隣接する内部リード部３０と、後述
するようにアンカーホール２７が形成される部分３３と
を示している。
ーホール２７を採用した互いに隣接する内部リード２４
のＡ−Ａ′線要部拡大断面図であり、前記多数個の内部
リード２４が互いに隣接する内部リード部３０と、後述
するようにアンカーホール２７が形成される部分３３と
を示している。
【００２２】上記のように構成される本発明に係る半導
体リードフレームは、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す
ように、前記内部端部２８を持つ多数個の内部リード部
３０が少くとも一つの断面半円形穴（以下、凹地とい
う）を持つように、まず、前記多数個の内部リード部３
０の上部表面を、異方性エッチング方法及びスタンピン
グ方法により、所定の直径φＣを有するようにエッチン
グし、一定な模様を有する凹地３１を形成する。次に、
前記多数個の内部リード部３０の下部表面を上記と同一
な異方性エッチング方法及びスタンピング方法により所
定の直径φＤを有するようにエッチングし、一定な模様
を有する凹地３１を形成する。このようにして、図３
（ｃ）に示すように、互いに隣接する多数個の内部リー
ド部３０に、所定の直径φＥを有するアンカーホール２
４を形成する。ここで、前記所定の直径φＣ及びφＤは
エッチングの深さも現わすものであり、所定の直径φＥ
はアンカーホール２４の直径を示したこととなる。
体リードフレームは、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す
ように、前記内部端部２８を持つ多数個の内部リード部
３０が少くとも一つの断面半円形穴（以下、凹地とい
う）を持つように、まず、前記多数個の内部リード部３
０の上部表面を、異方性エッチング方法及びスタンピン
グ方法により、所定の直径φＣを有するようにエッチン
グし、一定な模様を有する凹地３１を形成する。次に、
前記多数個の内部リード部３０の下部表面を上記と同一
な異方性エッチング方法及びスタンピング方法により所
定の直径φＤを有するようにエッチングし、一定な模様
を有する凹地３１を形成する。このようにして、図３
（ｃ）に示すように、互いに隣接する多数個の内部リー
ド部３０に、所定の直径φＥを有するアンカーホール２
４を形成する。ここで、前記所定の直径φＣ及びφＤは
エッチングの深さも現わすものであり、所定の直径φＥ
はアンカーホール２４の直径を示したこととなる。
【００２３】従って、上述したように、本発明によれ
ば、以下のような作用効果を得ることができる。
ば、以下のような作用効果を得ることができる。
【００２４】１）パッケージ組立工程及びモールディン
グ工程後、切断／折曲工程での機械的衝撃を分散、吸収
する。
グ工程後、切断／折曲工程での機械的衝撃を分散、吸収
する。
【００２５】２）前記切断／折曲工程や半導体チップの
実装の前後にかけて、各々のリード突出を防止する。
実装の前後にかけて、各々のリード突出を防止する。
【００２６】３）信頼性テスト過程において、直線状の
断面を有する内部リードに比べて、樹脂とリードの界面
を通る水分浸透を遮断する。
断面を有する内部リードに比べて、樹脂とリードの界面
を通る水分浸透を遮断する。
【００２７】４）前記信頼性テスト過程において、直線
状の断面を有する内部リードに比べて、リードを通って
浸透する水分の通路が長くなることにより、信頼性が向
上する。
状の断面を有する内部リードに比べて、リードを通って
浸透する水分の通路が長くなることにより、信頼性が向
上する。
【００２８】５）アンカーホール構造は、内部リードス
トレスを活用することによりリードデザイン活用を極大
化し、リードスペースを活用してアンカーホール構造を
作ることにより、前記リードデザイン活用をさらに極大
化する。
トレスを活用することによりリードデザイン活用を極大
化し、リードスペースを活用してアンカーホール構造を
作ることにより、前記リードデザイン活用をさらに極大
化する。
【００２９】本発明による実施例によれば、互いに隣接
する複数の内部リード２４の相互間のリードピッチが
０．６５mm、リード幅が０．２mmになるＴＳＯＰ，ＳＳ
ＯＰ，ＴＱＦＰ及びＰＴＰなどのファインピッチリード
フレーム（Ｔ＝０．１５mm）を製造することができる。
する複数の内部リード２４の相互間のリードピッチが
０．６５mm、リード幅が０．２mmになるＴＳＯＰ，ＳＳ
ＯＰ，ＴＱＦＰ及びＰＴＰなどのファインピッチリード
フレーム（Ｔ＝０．１５mm）を製造することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上、説明したように製造される半導体
装置用リードフレームは、組立工程で、樹脂でモールデ
ィングするとき、少なくとも一つのアンカーホールを通
って内部リードの端部の機械的振動を分散するととも
に、水分浸透経路長を増すことができ、これにより、凝
着力と機械的強度を向上させることができる。
装置用リードフレームは、組立工程で、樹脂でモールデ
ィングするとき、少なくとも一つのアンカーホールを通
って内部リードの端部の機械的振動を分散するととも
に、水分浸透経路長を増すことができ、これにより、凝
着力と機械的強度を向上させることができる。
【図１】本発明に係るリードフレームの部分概略図であ
る。
る。
【図２】図１に示したアンカーホールを採用した互いに
隣接する内部リードのＡ−Ａ′線要部拡大断面図であ
る。
隣接する内部リードのＡ−Ａ′線要部拡大断面図であ
る。
【図３】図２に示した内部リードのアンカーホール形成
の工程を示すための図である。
の工程を示すための図である。
【図４】本発明に係るリードフレームの要部概略図であ
る。
る。
【図５】従来のアンカーホールを採用したタイプのリー
ドフレームの要部概略図である。
ドフレームの要部概略図である。
【図６】従来の鍵形構造を採用したタイプのリードフレ
ームの要部概略図である。
ームの要部概略図である。
２ ダイパッド ６ ダムバー ２４ 内部リード ２７ アンカーホール ２８ 内部端部 ２９ タイバー ３０ 内部リード部
Claims (7)
- 【請求項１】 ポールレットが搭載されるダイパッド
と、このダイパッドを一端から支持するための２個以上
のタイバーと、前記ポールレット付近から四方へ広がる
内部端部を持つ多数個の電導性の内部リードと、この内
部リードと該内部リードから延長する外部リードとの間
の境界面を形成するダムバーとから構成される半導体装
置用リードフレームにおいて、前記内部端部を持つ多数
個の内部リードは、１つ以上の略半円形穴を持つアンカ
ーホールが各々隣接リードと上／下方向へクロスリンキ
ングされるようにジクザグ模様で配列設置した形態で形
成されるとともに、この内部リードの上部表面と下部表
面の直径が同寸化するようにエッチング方法により略半
円形凹地であるアンカーホール模様で形成され、組立工
程で樹脂でモールディングするとき前記内部リード端部
の機械的振動及び水分浸透経路を狭めず少なくとも一つ
のアンカーホールを通って凝着力及び機械的強度を向上
させた半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 前記多数個の内部リードは、異方性エッ
チング方法により隣接する内部リード相互間にジクザク
でアンカーホールが形成される請求項１記載の半導体装
置用リードフレーム。 - 【請求項３】 前記多数個の内部リードは、スタンピン
グ方法によりリード間隔及びリードスペースを活用して
隣接する内部リード相互間にジグザグでアンカーホール
が形成されたものである請求項１記載の半導体装置用リ
ードフレーム。 - 【請求項４】 前記多数個の内部リードは、そのリード
相互間の幅が０．３mm以下となるように設けられる請求
項１記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項５】 前記多数個の内部リードは、相互間のリ
ードピッチが０．６５mm以下である請求項２記載の半導
体装置用リードフレーム。 - 【請求項６】 前記アンカーホールは、異方性エッチン
グ方法及びスタンピング方法より少なくとも二つ以上の
穴を持つものである請求項５記載の半導体装置用リード
フレーム。 - 【請求項７】 前記アンカーホール構造を持つ多数個の
内部リードは、高集積、大容量半導体装置に適用される
請求項１及び５項いずれかに記載の半導体装置用リード
フレーム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR910021426 | 1991-11-27 | ||
| KR1991-21426 | 1991-11-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226548A true JPH05226548A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=19323647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4316943A Pending JPH05226548A (ja) | 1991-11-27 | 1992-11-26 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226548A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5905301A (en) * | 1996-02-01 | 1999-05-18 | Nec Corporation | Mold package for sealing a chip |
| US6011303A (en) * | 1996-11-29 | 2000-01-04 | Nec Corporation | Electronic component |
| JP2006128501A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| CN111668107A (zh) * | 2012-12-06 | 2020-09-15 | 美格纳半导体有限公司 | 多芯片封装及其制造方法 |
Citations (9)
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