JP4418373B2

JP4418373B2 - 半導体装置

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Publication number: JP4418373B2
Application number: JP2005004182A
Authority: JP
Inventors: 秀一尾方; 健一伊東
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2005-01-11
Filing date: 2005-01-11
Publication date: 2010-02-17
Anticipated expiration: 2019-12-15
Also published as: JP2005101670A

Description

本発明は、面実装用樹脂封止型半導体装置に関する。

樹脂封止型半導体装置の一般的な製造方法を図面を用いて説明する。

まず、金属薄板をエッチング加工又はプレス加工により所望する電極形状に加工してリードフレームを作成する。図１４は得られたリードフレームの一例を示した図であり、図１４（Ａ）は平面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に沿って階段状に切断した断面を矢印方向から見た組み合わせ断面図である。図１４において、９００はフレーム、９０１は半導体素子が載置されるダイパッド、９０３は半導体素子と結線するためのボンディングリード、９１０はダイパッド９０１を両側で支持する一対のサポートリードである。図示したように、ダイパッド９０１はフレーム９００やボンディングリード９０３を含む面より半導体素子を載置する側とは反対側に変位させて、階段状にディプレス(depress)成形される。

次いで、図１５に示すようにダイパッド９０１に半導体素子９５０を載置し、接着剤等を用いて接着し、半導体素子９５０のボンディングパッドとボンディングリード９０３とをワイヤ９０５で結線（ワイヤボンディング）する。なお、図１５（Ａ）は平面図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に沿って階段状に切断した断面を矢印方向から見た組み合わせ断面図である。

次いで、図１６（Ａ）に示すように、半導体素子９５０、ダイパッド９０１、及びボンディングリード９０３を上金型９８１と下金型９８２とで密封し、図１６（Ｂ）に示すように、封止樹脂９９０を注入方向９９１の方向に注入して樹脂封止したのち、金型９８１，９８２を開いて半導体装置を得る。なお、図１６（Ａ），（Ｂ）は、図１４（Ａ）及び図１５（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に相当する切断面で階段状に切断して矢印方向から見た組み合わせ断面図で示している。

半導体装置は高性能化、小型化、薄型化、多ピン化がますます要求されている。高性能化に対しては、例えば電流駆動型のバイポーラ半導体素子が広く使用されるようになっている。このタイプの半導体素子は発熱量が大きいためその放熱を考慮した設計を行なう必要がある。このため、図１６（Ａ）に示すように、ダイパッド９０１の下面が下金型９８２の内壁面に当接するように、ダイパッド９０１をフレーム９００に対してディプレスさせる。このようにすれば、樹脂封止した後、ダイパッド９０１の下面が半導体装置の下面に露出し、この面を回路基板に密着させて実装することにより、半導体素子９５０の熱をダイパッド９０１を介して回路基板に伝導して放熱することができる。

半導体装置の小型化、薄型化、多ピン化のためには、リードフレームを作成する金属薄板の厚みを薄く、また、ダイバッド９０１を支持するサポートリード９１０の幅を狭くすることが望ましい。ところが、これは、サポートリード９１０の強度の低下につながる。従って、図１６（Ｂ）に示すように、樹脂注入時に樹脂の流動とサポートリード９１０のプレス形状に基づいてダイパッド９０１が浮き上がり、ダイパッド９０１の下面にも樹脂が注入されてしまう。これではダイパッド９０１の下面を半導体装置の下面に露出させることができず、半導体素子９５０の放熱が十分に行なわれなくなる。

また、このように樹脂封止時にダイパッド９０１が変位すると、ダイパッド９０１の上に載置された半導体素子９５０に何らかの歪みが生じる。従って、ダイパッド９０１が変位したままで封止されてしまうと、半導体素子９５０が歪んだ状態で内部に応力が残留し、半導体素子内の配線の抵抗値が変化して、特性のバラツキを生じる。この問題は、放熱特性があまり必要とされず、ダイパッド９０１を半導体装置の下面に露出させないタイプの半導体装置においても、同様に発生する。

従って、本発明は、樹脂封止時のダイパッドの変位と半導体素子内の残留歪みの発生を防止して、安定した品質の半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は上記の目的を達成するために以下の構成とする。

本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を一方の面に載置したダイパッドと、前記ダイパッドを両側で支持し、前記ダイパッドと一体に形成されたサポートリードとを備えた半導体装置であって、前記半導体素子、前記ダイパッド及び前記サポートリードが樹脂で封止され、前記半導体素子が載置された面と反対側の面が前記半導体装置の樹脂表面近傍に配置され、前記ダイパッドの、前記半導体素子が載置された面と反対側の面の外周部に窪み部が連続して形成されており、前記窪み部は前記ダイパッドと前記サポートリードとの接続部分においても形成され、前記樹脂で前記窪み部が充填され、前記窪み部と対向する部位には、前記半導体素子が載置されておらず、前記半導体素子が載置されている面に対向する面は前記樹脂から露出していることを特徴とする。

上記の半導体装置において、前記窪み部は階段状であることが好ましい。

本発明によれば、樹脂封止時のダイパッドの変位や半導体素子の残留歪みを防止することができ、安定した品質の半導体装置を提供できる。

以下に本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。

（参考実施形態１）
参考実施形態１の半導体装置を図面を用いて説明する。

まず、金属薄板をエッチング加工又はプレス加工により所望する電極形状に加工してリードフレームを作成する。図１は得られたリードフレームの一例を示した図であり、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に沿って階段状に切断した断面を矢印方向から見た組み合わせ断面図である。図１において、１００はフレーム、１０１は半導体素子が載置されるダイパッド、１０３は半導体素子と結線するためのボンディングリード、１１０はダイパッド１０１を両側で支持する一対のサポートリードである。図示したように、ダイパッド１０１はフレーム１００やボンディングリード１０３を含む面より半導体素子を載置する側とは反対側に変位させて、階段状にディプレス(depress)成形される。本参考実施形態では、一対のサポートリード１１０に、ダイパッド１０１のディプレス方向とは反対方向（図１（Ｂ）において上方向、半導体素子の載置側）に突出部１１２がそれぞれ形成されている。

図２に、サポートリード１１０の突出部１１２の構成を詳細に示す。図２（Ａ）は部分拡大平面図、図２（Ｂ）は部分拡大側面図である。図２において、図示していないがサポートリード１１０の右側にダイパッド１０１が接続される。図示したように、サポートリード１１０の長手方向に沿って略平行に一対の開口１１１を設け、一対の開口１１１の間の架橋部分をダイパッド１０１のディプレス方向と反対側に突出するように変形させて、突出部１１２が形成されている。

ここで、図１（Ｂ）に示すように、突出部１１２の上端面とダイパッド１０１の下面１０１ｂとの間の高さＨ₁は、後述する上下金型８１，８２の上下方向の内壁面間隔とほぼ一致する。

次いで、図３に示すようにダイパッド１０１に半導体素子５０を載置し、接着剤等を用いて接着し、半導体素子５０のボンディングパッドとボンディングリード１０３とをワイヤ１０５で結線（ワイヤボンディング）する。なお、図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に沿って階段状に切断した断面を矢印方向から見た組み合わせ断面図である。

次いで、図４（Ａ）に示すように、半導体素子５０と、ダイパッド１０１と、ボンディングリード１０３とを上金型８１と下金型８２とで密封する。このとき、突出部１１２の上端面は上金型８１の内壁面と当接し、ダイパッド１０１の下面１０１ｂは下金型８２の内壁面と当接する。その後、図４（Ｂ）に示すように、封止樹脂９０を注入方向９１の方向に注入して樹脂封止したのち、金型８１，８２を開いて半導体装置を得る。なお、図４（Ａ），（Ｂ）は、図１（Ａ）及び図３（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に相当する階段状切断面を矢印方向から見た組み合わせ断面図で示している。

本参考実施形態によれば、樹脂封止時のダイパッド１０１の浮き上がりをその両側のサポートリード１１０にそれぞれ設けた突出部１１２で防止することができる。従って、ダイパッド１０１の下面に樹脂層が形成されにくく、ダイパッド１０１の下面１０１ｂを半導体装置の樹脂表面近傍に、好ましくは半導体装置の下面に露出させて配置することができる。また、ダイパッド１０１を下金型８２の壁面に押しつけた状態のままで樹脂注入されるので、樹脂封止によってダイパッド１０１上に載置された半導体素子５０に歪みを生じさせない。よって、品質の安定した半導体装置が得られる。

なお、本参考実施形態において突出部は、ダイパッド１０１のディプレス方向と反対側（半導体素子５０の載置側）に突出し、ダイパッド１０１の下面１０１ｂが接する金型壁面と対向する金型壁面に当接することが出来れば、上記の形態に限定されない。

図５に突出部の別の参考実施形態を示す。図５（Ａ）は突出部の形成方法を説明するための部分拡大平面図、図５（Ｂ）は突出部形成後の状態を示した部分拡大側面図である。図５において、図示していないがサポートリード１１０の右側にダイパッド１０１が接続される。まず、図５（Ａ）に示すように、サポートリード１１０の両側を外側に突出するように楔状に形成し、該楔状の傾斜に沿った辺を有する略直角三角形状の開口１１３を幅方向に２つ形成する。そして、外側に突出した架橋部分１１４をダイパッド１０１のディプレス方向と反対側に折り曲げて、突出部１１４を形成する（図５（Ｂ））。なお、サポートリード１１０の両外側への突出形状は、図５（Ａ）に示すように楔状である必要はなく、三角形状、円弧形状等であってもよく、開口１１３の形状もその突出形状に応じて適切な開口形状を選択することができる。あるいは、開口１１３を形成せずに折り曲げてもよい。

（参考実施形態２）
本参考実施形態２の半導体装置を図面を用いて説明する。

図６（Ａ）は、本参考実施形態の半導体装置に使用するリードフレーム形状を示した平面図である。図６（Ａ）において、１０１は半導体素子が載置されるダイパッド、１１０はダイパッド１０１を両側で支持する一対のサポートリードである。なお、図面を簡略化するために、フレーム、ボンディングリードは省略している。

また、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示したダイパッド１０１に半導体素子５０を載置し、上下金型８１，８２で密封した状態を、図６（Ａ）のＡ−Ａ線に相当する切断面で切断して矢印方向から見た断面図である。図中、９１は封止樹脂の注入方向を示す。

本参考実施形態の半導体装置は、半導体素子の発熱量が比較的少なく、放熱特性があまり必要とされないタイプの半導体装置の例であり、このためにダイパッド１０１が半導体装置の一方の面に露出していない。このタイプにおいても、従来は、封止樹脂の注入によってダイパッド１０１が変位し、載置された半導体素子５０に歪みが生じるという問題があった。

ところが、本参考実施形態では、以下の構成によりこれを防止している。

即ち、本参考実施形態では、一対のサポートリード１１０に参考実施形態１の図２で説明したのと同様の突出部（第１の突出部）１１２を半導体素子５０の載置側にそれぞれ形成している。更に、ダイパッド１０１の略中央部に、突出部１１２とは反対方向に突出した第２の突出部１２２を形成している。第１、第２の突出部１１２，１２２の形成方法は、図２に示した突出部１１２の形成方法と基本的に同一である。即ち、サポートリード１１０の長手方向に沿って略平行に一対の開口１１１を設け、また、ダイパッド１０１の略中央部分にも略平行に一対の開口１２１を設ける。次いで、サポートリード１１０に設けた一対の開口１１１の間の架橋部分を半導体素子の載置側に突出するように変形させて第１の突出部１１２とし、ダイパッド１０１に設けた一対の開口１２１の間の架橋部分を半導体素子載置側と反対側に突出するように変形させて第２の突出部１２２とする。第１の突出部１１２の上端面と第２の突出部１２２の下端面と間の厚み方向（図６において上下方向）の距離は上下金型８１，８２の上下方向の内壁面間隔とほぼ一致する。また、第１の突出部１１２の頂部は半導体素子５０の上面より高い。

本参考実施形態によれば、金型８１，８２に密封時に、ダイパッド１０１に設けた第２の突出部１２２が下金型８２の内壁面に当接し、その両側のサポートリード１１０にそれぞれ設けた第１の突出部１１２が上金型８１の内壁面に当接することによって、ダイパッド１０１の上下方向の変位が規制される。従って、樹脂注入によってダイパッド１０１が変位せず、ダイパッド１０１上に載置された半導体素子５０に歪みを生じさせない。よって、品質の安定した半導体装置が得られる。

なお、本参考実施形態において、第１、第２の突出部１１２，１２２は、相互に反対方向に突出し、対向する金型壁面にそれぞれの突出部の頂部が当接するすることが出来れば、上記の形態に限定されない。例えば、突出部として図５に示した突出部を用いてもよい。また、ダイパッド１０１に設ける第２の突出部の位置及び個数は図６に示したものに限定されず、例えば、図６（Ａ）に示すようにダイパッド１０１の略中央部に形成するとともに、又はこれに代えて、ダイパッド１０１の４隅に各１つ形成することもできる。

（参考実施形態３）
参考実施形態３の半導体装置を図面を用いて説明する。

図７（Ａ）は本参考実施形態の半導体装置に使用するリードフレーム形状を示した平面図である。図７（Ａ）において、１０１は半導体素子が載置されるダイパッド、１１０はダイパッド１０１を両側で支持する一対のサポートリードである。２点鎖線５０はダイパッド１０１に載置される半導体素子である。なお、図面を簡略化するために、フレーム、ボンディングリードは省略している。

図７（Ｂ）は図７（Ａ）のダイパッド１０１及びサポートリード１１０の側面図である。また、図７（Ｃ）は図７（Ｂ）のＢ−Ｂ線における断面を矢印方向から見た断面図である。

本参考実施形態の半導体装置は、サポートリード１１０を、図７（Ｃ）に示すように、その長手方向を中心軸方向とする円筒面形状に湾曲して形成してある。このため、サポートリード１１０の曲げ強度が向上し、ダイバッド１０１の素子載置面の法線方向の剛性が向上している。よって、樹脂封止時のダイパッド１０１の浮き上がりや変形を防止することができる。また、樹脂注入によってダイパッド１０１上に載置された半導体素子５０に歪みを生じさせない。

なお、サポートリード１１０の断面形状は、ダイパッド１０１の素子載置面の法線方向の剛性を向上させることができれば図７（Ｃ）に示す形状に限定されない。例えば、図７（Ｄ）に示すように、長手方向に平行に所定角度で折り曲げて略Ｖ字状断面とすることもできる。

なお、本参考実施形態において、ダイパッド１０１の下面は半導体素子の下面に露出していてもしていなくてもよい。また、ダイパッド１０１の素子載置面は図７（Ｂ）のようにサポートリード１１０やボンディングリード１０３の面に対してディプレス(depress)成形していなくてもよい。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１の半導体装置を図面を用いて説明する。

図８（Ａ）は、本実施の形態の半導体装置に使用するリードフレーム形状を示した平面図である。図８（Ａ）において、１０１は半導体素子が載置されるダイパッド、１１０はダイパッド１０１を両側で支持する一対のサポートリードである。ダイパッド１０１の素子載置面はサポートリード１１０に対してディプレス成形されている。なお、図面を簡略化するために、フレーム、ボンディングリードは省略している。また、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した断面を矢印方向から見た断面図である。

本実施の形態の半導体装置では、ダイパッド１０１の半導体素子が載置される面とは反対側の面１０１ｂの外周部に、面１０１ｂより階段状に引っ込んだ窪み部１３１が連続して形成されている。

図８（Ｃ）は、ダイパッド１０１に半導体素子５０を載置して金型で密封した状態を図８（Ａ）のＡ−Ａ線に相当する切断線で切断したときの窪み部１３１部分の拡大断面図である。図示したように、ダイパッド１０１の下面１０１ｂが下金型８２の壁面に当接するように金型内に密封される。なお、９１は封止樹脂の注入方向を示す。

本実施の形態では、ダイパッド１０１の下面の外周部に下面１０１ｂより引っ込んだ窪み部１３１が形成されているので、封止樹脂を注入し始めると、サポートリード１１０の下面側の樹脂は比較的早い段階に窪み部１３１と下金型８２とによって形成される空間１３１ａに入り込む。空間１３１ａ内に高圧に充填された樹脂はもはや行き場を失うから固化し始める。この結果、ダイパッド１０１と下金型８２とが固着される。このように、金型内に樹脂が完全に充填される以前の比較的早い段階でダイパッド１０１が下金型８２に固定されるので、その後の樹脂の注入によってダイパッド１０１が変位したり、変形したりすることがない。従って、樹脂封止時の樹脂のダイパッド１０１の浮き上がりを防止でき、ダイパッド１０１の下面１０１ｂに樹脂層が形成されにくく、ダイパッド１０１の下面１０１ｂを半導体装置の樹脂表面近傍に、好ましくは半導体装置の下面に露出させて配置することができる。また、樹脂注入によってダイパッド１０１上に載置された半導体素子５０に歪みを生じないので、品質の安定した半導体装置が得られる。

上記において、窪み部１３１は、例えばコイニングによって形成することができる。この方法で形成される窪み部１３１の面１０１ｂからの引っ込み量（窪み部１３１に対する面１０１ｂの突出量）Ｈ₂は通常３〜１０μｍ程度である。

図９（Ａ）は、本実施の形態の半導体装置に使用するリードフレーム形状の別の例を示した平面図である。図９（Ａ）において、１０１は半導体素子が載置されるダイパッド、１１０はダイパッド１０１を両側で支持する一対のサポートリードである。なお、図面を簡略化するために、フレーム、ボンディングリードは省略している。また、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した断面を矢印方向から見た断面図である。

図９が図８と異なるのは、窪み部１３１の形成方法である。図９では、剪断応力を作用させて、即ち、半切断状態とすることにより、窪み部１３１を形成している。このため、ダイパッド１０１の素子載置面１０１ａ側の外周部に、素子載置面１０１ａより突出した階段状の突出部１３２が形成される。この方法で形成される窪み部１３１の面１０１ｂからの引っ込み量（窪み部１３１に対する面１０１ｂの突出量）Ｈ₂は図８の場合より大きくすることができ、通常３０〜６０μｍ程度である。

図９の場合も、図８で説明したのと同様の効果が得られる。

（参考実施形態４）
参考実施形態４の半導体装置を図面を用いて説明する。

図１０（Ａ）は、本参考実施形態の半導体装置に使用するリードフレーム形状を示した平面図である。図１０（Ａ）において、１０１は半導体素子が載置されるダイパッド、１１０はダイパッド１０１を両側で支持する一対のサポートリードである。ダイパッド１０１の素子載置面はサポートリード１１０に対してディプレス成形されている。なお、図面を簡略化するために、フレーム、ボンディングリードは省略している。また、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した断面を矢印方向から見た断面図である。

本参考実施形態の半導体装置では、ダイパッド１０１の半導体素子が載置される面とは反対側の面１０１ｂの内周部に、面１０１ｂより引っ込んだ窪み部１３３が形成されている。換言すれば、下面の外周部１０１ｂを階段状に突出して形成してある。

図１０（Ｃ）は、ダイパッド１０１に半導体素子５０を載置して金型で密封した状態を図１０（Ａ）のＡ−Ａ線に相当する切断線で切断したときの面１０１ｂ及び窪み部１３３部分の拡大断面図である。図示したように、ダイパッド１０１の突出した面１０１ｂが下金型８２の壁面に当接するように金型内に密封される。なお、９１は封止樹脂の注入方向を示す。

本参考実施形態では、封止樹脂を注入し始めると、サポートリード１１０の下面側の樹脂は比較的早い段階にダイパッド１０１をわずかに上方に変位させて、ダイパッド１０１の下面１０１ｂと下金型８２との間にできたわずかなすき間に入り込む。そして、樹脂は高圧の封止圧力を受けて進行する。その後、封止樹脂が窪み部１３３と下金型８２との間に形成される空間１３３ａに到達すると、封止樹脂が受ける圧力をは急激に低下する。この樹脂圧力の急激な低下がダイパッド１０１を下金型８２に密着させるように作用する。この結果、樹脂封止時のダイパッド１０１の浮き上がりや変形が防止できる。よって、樹脂注入によってダイパッド１０１上に載置された半導体素子５０に歪みを生じないので、品質の安定した半導体装置が得られる。

図１０に示した窪み部１３３は、コイニングによって形成している。この方法で形成される窪み部１３３の面１０１ｂからの引っ込み量（窪み部１３３に対する面１０１ｂの突出量）Ｈ₂は通常３〜１０μｍ程度である。

なお、窪み部１３３の形成方法はコイニングに限定されない。例えば、図９に示した窪み部１３１と同様に剪断応力を作用させて形成してもよい。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法を図面を用いて説明する。

図１１（Ａ）は、本実施の形態の半導体装置に使用するリードフレームを樹脂封止金型に装着した状態を概念的に示した平面図である。図１１（Ａ）において、１０１は半導体素子が載置されるダイパッド、１１０はダイパッド１０１を両側で支持する一対のサポートリードである。ダイパッド１０１の素子載置面はサポートリード１１０に対してディプレス成形されている。なお、図面を簡略化するために、ダイパッド１０１と下金型８２との関係のみを示しており、半導体素子、フレーム、ボンディングリードは省略している。また、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した断面を矢印方向から見た断面図である。なお、９１は封止樹脂の注入方向を示す。

本実施の形態のダイパッド１０１の下面の外周部には、図８に示したように、下面１０１ｂより階段状に引っ込んだ窪み部１３１が連続して形成されている。また、下金型８２には、窪み部１３１に対応する位置に、突出部８３が平面形状が略矩形状に形成されている。窪み部１３１の幅は突出部８３の幅より広く、突出部８３は窪み部１３１の幅方向の略中央部に形成されているので、突出部８３より外側には、窪み部１３１と下金型８２とによって形成される空間１３１ａが形成され、突出部８３より内側には、窪み部１３１と下金型８２とによって形成される空間１３１ｂが形成される。下金型８２の基準面からの突出部８３の突出高さは、窪み部１３１のダイパッド１０１の下面１０１ｂからの引っ込み量と略同一である。

本実施の形態では、ダイパッド１０１の下面の外周部に窪み部１３１が形成されているので、封止樹脂を注入し始めると、サポートリード１１０の下面側の樹脂は比較的早い段階に窪み部１３１と下金型８２とによって形成される空間１３１ａに入り込む。空間１３１ａ内に高圧に充填された樹脂の一部は行き場を失い固化し始める。また、残りの樹脂はダイパッド１０１をわずかに上方に変位させて、窪み部１３１の下面と突出部８３の上面との間にできたわずかなすき間に入り込む。そして、樹脂は高圧の封止圧力を受けて進行する。その後、封止樹脂が空間１３１ｂに到達すると、封止樹脂が受ける圧力は急激に低下する。この樹脂圧力の急激な低下がダイパッド１０１を下金型８２に密着させるように作用する。このように、本実施の形態では、空間１３１ａは実施の形態１の空間１３１ａと同様に作用し、空間１３１ｂは参考実施形態４の空間１３３ａと同様に作用する。これら空間１３１ａ，１３１ｂの相乗効果により、ダイパッド１０１の変位や変形を防止できる。従って、ダイパッド１０１の下面１０１ｂに樹脂層が形成されにくく、ダイパッド１０１の下面１０１ｂを半導体装置の樹脂表面近傍に、好ましくは半導体装置の下面に露出させて配置することができる。また、樹脂注入によってダイパッド１０１上に載置された半導体素子５０に歪みを生じないので、品質の安定した半導体装置が得られる。

図１２（Ａ）は、本実施の形態の別の構成例における半導体装置に使用するリードフレームを樹脂封止金型に装着した状態を概念的に示した平面図である。図１２（Ａ）において、１０１は半導体素子が載置されるダイパッド、１１０はダイパッド１０１を両側で支持する一対のサポートリードである。なお、図面を簡略化するために、ダイパッド１０１と下金型８２との関係のみを示しており、半導体素子、フレーム、ボンディングリードは省略している。また、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した断面を矢
印方向から見た断面図である。なお、９１は封止樹脂の注入方向を示す。

図１２は図１１と以下の点で相違する。

図１２では、下金型８２の突出部８３の内側に、突出部８３と隣接して溝８４が平面形状が略矩形状に形成されている。このため、突出部８３より内側の、窪み部１３１と溝８４とによって形成される空間１３１ｃは、図１１の空間１３１ｂより大きい。このため、封止樹脂が空間１３１ｃに到達したときの圧力低下量は図１１の場合より多くなり、また、そのような現象の継続時間も長くなる。よって、図１１の場合に比べてダイパッド１０１の変位や変形をより確実に防止できる。

図１２において、窪み部１３１のダイパッド１０１の下面１０１ｂからの引っ込み量と、下金型８２の面１０１ｂとの対向面からの突出部８３の突出高さとは同一である必要はなく、前者をわずかに小さくしておいてもよい。即ち、図１２（Ｂ）に示すように、突出部８３と窪み部１３１とを当接させたときに、ダイパッド１０１の下面１０１ｂと下金型８２との間に厚みＨ₃の空間が形成されていてもよい。上記のように、図１２の場合には、図１１の場合に比べてダイパッド１０１の下金型８２への吸着効果がより強く発現するから、両面間隔Ｈ₃は樹脂封止時にはほとんど零となる。よって、図１２の場合には、窪み部１３１のダイパッド１０１の下面１０１ｂからの引っ込み量と、下金型８２の面１０１ｂとの対向面からの突出部８３の突出高さとは必ずしも一致させておかなくても、ダイパッド１０１の下面１０１ｂを半導体装置の樹脂層表面近傍に、好ましくは半導体装置の下面に露出させて配置することができる。このため、突出部８３や窪み部１３１の加工精度を緩和することができる。

（参考実施形態５）
参考実施形態５の半導体装置の製造方法を図面を用いて説明する。

図１３は、本参考実施形態においてリードフレームを樹脂封止金型内に密封した状態を示した断面図である。図１３において、５０は半導体素子、８１，８２はそれぞれ上金型、下金型、１０１はダイパッド、１１０はサポートリードである。ダイパッド１０１の素子載置面はサポートリード１１０に対してディプレス成形されている。

本参考実施形態では、ダイパッド１０１の下面が当接する下金型８２の当接領域内に吸引孔８５を設け、ダイパッド１０１を真空吸引して下金型８２に密着固定させている。このような状態で封止樹脂を注入すれば、ダイパッド１０１の浮き上がりや変形を防止することができる。従って、ダイパッド１０１の下面を半導体装置の樹脂表面近傍に、好ましくは半導体装置の下面に露出させて配置することができる。また、樹脂注入によってダイパッド１０１上に載置された半導体素子５０に歪みを生じないので、品質の安定した半導体装置が得られる。

なお、吸引孔８５の、ダイパッド１０１と接する部分には、密着性と耐熱性等が良好な、例えばシリコン系ゴムを使用することが好ましい。

また、吸引孔８５の配置や個数などはダイパッド１０１の大きさや必要な吸着力等を考慮して決定することができる。

本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法は、上記の実施の形態１，２をそれぞれ単独で実施してもよく、またこれらを適宜組み合わせて（更に参考実施形態１〜５を適宜組み合わせて）実施してもよい。

参考実施形態１の半導体装置の一製造工程を示した図であり、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に沿って階段状に切断した断面を矢印方向から見た組み合わせ断面図である。サポートリードに形成された突出部の構成を示した図であり、図２（Ａ）は部分拡大平面図、図２（Ｂ）は部分拡大側面図である。参考実施形態１の半導体装置の一製造工程を示した図であり、図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に沿って階段状に切断した断面を矢印方向から見た組み合わせ断面図である。参考実施形態１の半導体装置の製造工程を示した組み合わせ断面図である。サポートリードの別の構成の突出部を示した図であり、図５（Ａ）は突出部の形成方法を説明するための部分拡大平面図、図５（Ｂ）は突出部形成後の状態を示した部分拡大側面図である。参考実施形態２の半導体装置の製造工程を説明するための図であり、図６（Ａ）はリードフレーム形状を示した平面図、図６（Ｂ）は上下金型で密封した状態を示した断面図である。参考実施形態３の半導体装置に使用されるリードフレーム形状を示した図であり、図７（Ａ）は平面図、図７（Ｂ）は側面図、図７（Ｃ）は図７（Ｂ）のＢ−Ｂ線における断面図、図７（Ｄ）は別の構成例を示した断面図である。図８（Ａ）は、本発明の実施の形態１の半導体装置に使用されるリードフレーム形状を示した平面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＡ−Ａ線における断面図、図８（Ｃ）は金型で密封した状態の部分拡大断面図である。図９（Ａ）は、本発明の実施の形態１の半導体装置に使用される別のリードフレーム形状を示した平面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。図１０（Ａ）は、参考実施形態４の半導体装置に使用されるリードフレーム形状を示した平面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＡ−Ａ線における断面図、図１０（Ｃ）は金型で密封した状態の部分拡大断面図である。図１１（Ａ）は、本発明の実施の形態２の半導体装置に使用されるリードフレームを樹脂封止金型に装着した状態を示した概念平面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。図１２（Ａ）は、本発明の実施の形態２の半導体装置に使用される別のリードフレームを樹脂封止金型に装着した状態を示した概念平面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。参考実施形態５のリードフレームを樹脂封止金型内に密封した状態を示した断面図である。従来の半導体装置の一製造工程を示した図であり、図１４（Ａ）は平面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に沿って階段状に切断した断面を矢印方向から見た組み合わせ断面図である。従来の半導体装置の一製造工程を示した図であり、図１５（Ａ）は平面図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）の一点鎖線で示したＡ−Ａ線に沿って階段状に切断した断面を矢印方向から見た組み合わせ断面図である。従来の半導体装置の製造工程を示した組み合わせ断面図である。

５０半導体素子
８１上金型
８２下金型
８４溝
８５吸引孔
９０封止樹脂
９１樹脂注入方向
１００フレーム
１０１ダイパッド
１０１ａダイパッド上面（素子載置面）
１０１ｂダイパッド下面
１０３ボンディングリード
１０５ワイヤ
１１０サポートリード
１１１開口
１１２突出部
１１３開口
１１４突出部
１２１開口
１２２第２の突出部
１３１窪み部
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ空間
１３２突出部
１３３窪み部
１３３ａ空間
９００フレーム
９０１ダイパッド
９０３ボンディングリード
９０５ワイヤ
９１０サポートリード
９５０半導体素子
９８１上金型
９８２下金型
９９０封止樹脂
９９１注入方向

Claims

半導体素子と、
前記半導体素子を一方の面に載置したダイパッドと、
前記ダイパッドを両側で支持し、前記ダイパッドと一体に形成されたサポートリードとを備えた半導体装置であって、
前記半導体素子、前記ダイパッド及び前記サポートリードが樹脂で封止され、
前記半導体素子が載置された面と反対側の面が前記半導体装置の樹脂表面近傍に配置され、
前記ダイパッドの、前記半導体素子が載置された面と反対側の面の外周部に窪み部が連続して形成されており、
前記窪み部は前記ダイパッドと前記サポートリードとの接続部分においても形成され、前記樹脂で前記窪み部が充填され、
前記窪み部と対向する部位には、前記半導体素子が載置されておらず、
前記半導体素子が載置されている面に対向する面は前記樹脂から露出していることを特徴とする半導体装置。
前記窪み部は階段状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。