JPH036851A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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JPH036851A
JPH036851A JP14199489A JP14199489A JPH036851A JP H036851 A JPH036851 A JP H036851A JP 14199489 A JP14199489 A JP 14199489A JP 14199489 A JP14199489 A JP 14199489A JP H036851 A JPH036851 A JP H036851A
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JP
Japan
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hole
die pad
mold resin
resin
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JP14199489A
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Katsuya Fukase
克哉 深瀬
Masato Tanaka
正人 田中
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はダイパッドとモールド樹脂との密着が良好とな
るリードフレームに関する。
(従来の技術) 樹脂封止型半導体装置の問題点の1つは、モールド樹脂
が吸湿性を有し、吸湿された水分が外部リードのはんだ
付けの際の加熱等によって水蒸気化して膨張し、そのた
めにグイバンドとモールド樹脂との間が剥離すると共に
、ダイパッドのコ−す一部分に応力が集中して当該部分
のモールド樹脂にクラックが発生する点である。
これを防止するために、グイパッド裏面側に凹部あるい
は貫通孔を形成してモールド樹脂との密着力を高めるよ
うにしている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、樹脂封止型半導体装置は、高密度実装化
に伴い、小型化、薄型化が益々要求され、一方半導体素
子は高集積化により益々大型化する傾向にある。そのた
めに、グイパッド下面側のモールド樹脂の厚さは薄肉に
せざるを得ないし、またグイパッド外周部とモールド樹
脂外側面との間のモールド樹脂の肉厚も益々薄くなる傾
向にある。
このため、広くなったグイパッド下面とモールド樹脂と
の境界部に存在する水分が水蒸気化して膨張すると、モ
ールド樹脂に圧力を及ぼし、モールド樹脂の肉厚が薄い
こともあってダイパッドから剥離し、ダイパッドコーナ
一部に対応するモールド樹脂部にクラックを発生させる
度合いが従前に比し益々大きくなっている。
ダイパッド下面に凹部や貫通孔を設けてダイパッドとモ
ールド樹脂との密着力を高めても、上記のような事情か
ら、両者間の剥離、モールド樹脂のクラック発生の問題
がやはり発生した。
本発明は上記問題点を解決すべくなされたものであり、
その目的とするところは、モールド樹脂との密着力がよ
り向上し、両者間の剥離、モールド樹脂のクラック発生
を効果的に防止しうるり一ドフレームを提供するにある
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明に係るリードフレーム
では、樹脂封止型半導体装置にインサートされるリード
フレームであって、半導体素子が搭載されるダイバンド
に、ダイパッドの表裏両面のずれた位置からエツチング
孔がそれぞれ形成され、該エツチング孔が深さ方向のほ
ぼ中央部で連通ずることによる貫通孔が形成されている
ことを特徴としている。
(作用) ダイパッドに形成された貫通孔が、ダイパッドにその表
裏のずれた位置から形成されたエツチング孔が深さ方向
のほぼ中央部で連通した形状の貫通孔となっているので
、貫通孔の深さ方向中央部は大きくくびれ、しかも貫通
孔の連通した部分の軸線がダイバンド面に垂直な線に対
して傾斜しているから、モールド樹脂のアンカー効果は
極めて大きく、ダイパ・ノドからのモールド樹脂の剥離
を防止でき、モールド樹脂へのクランク発生を有効に防
止できる。
(実施例) 以下では本発明の好適な一実施例を添付図面に従い詳細
に説明する。
第1図はリードフレーム10を示し、12はその外部リ
ード、14は内部リード、16はダムバーである。18
は半導体素子が搭載されるダイバンドであり、サポート
パー20によってレール部22a、22bに連結されて
いる。
ダイバンド18上に半導体素子が搭載され、半導体素子
と内部リードとの間がワイヤによって連結され、半導体
素子が樹脂によって封止されて半導体装置に形成される
。破線はその際の樹脂封止領域を示す。そして外部リー
ド12先端部においてはんだ付けされて基板上の所定部
位に実装される。そのはんだ付けの際の加熱等により、
ダイバンド18とモールド樹脂との剥離や、モールド樹
脂のクラック発生の問題が生じるのである。
本実施例においては、ダイパッド18をその表裏両面か
らそれぞれエツチングして、モールド樹脂進入用の貫通
孔24を形成する(第2図)。
ダイパッド18を表裏両面からそれぞれエツチングする
際、各表裏面のエツチング個所は表裏方向に重なっては
いるが、−敗させずに僅かにずれる位置とする。これに
よりダイパッド18表裏両面から砲弾状にそれぞれエツ
チングされるが、両者の位置がずれているために、貫通
孔24は第2図に示すように、深さ方向はぼ中央部のx
−x ’位置での形状が楕円状となって細くくびれた形
状の貫通孔24となる。
また貫通孔24の連通部分の軸線は、ダイパ。
ド18面に対して垂直な線から、θの角度だけ傾斜した
ものとなる。
グイバフ118表裏両面から一致した位置でそれぞれエ
ンチングすると、貫通孔26は第3図に示すように深さ
方向中央部のx−x ’位置で円状にくびれた貫通孔2
6となる。またこの貫通孔26の軸線はダイパッド18
面に対して垂直となる。
上記本実施例における貫通孔24のX−X“位置におけ
る楕円の面積と貫通孔26のx−x ’位置における円
の面積では、エツチングの程度を同じくした場合には楕
円の面積の方が小さくなる。
このことは表裏面でエツチング個所を大きくずらす程両
者のエンチングによって生じた貫通孔の連通面積が小さ
くなることから容易に理解される。
したがって本実施例の貫通孔24は、表裏のエツチング
位置をそれぞれ一致させて形成した貫通孔26よりは、
深さ方向中央部でより大きくくびれた形状となる。
このように大きくくびれた貫通孔24となっているから
、貫通孔24に進入した樹脂のアンカー効果は大きくな
り、ダイパッド18とモールド樹脂との剥離防止に大き
な効果が発揮される。
しかも、ダイパッド24からモールド樹脂が剥離しよう
とする方向はダイパッド面に対して垂直方向であるが、
本実施例における貫通孔24の連通部分の軸線はダイパ
ッド面に垂直な線から角度θだけ傾斜しているため、ア
ンカー効果はより大きなものとなっており、ダイパッド
18とモールド樹脂との剥離の問題、またこれによるク
ランク発生の問題をほぼ完璧に解消することができた。
なお、ダイパッド1日に対するモールド樹脂2日の剥離
状態は第4図に示すようにグイパッド18中央部はど大
きくなる。したがってモールド樹脂28の剥離方向は厳
密には矢方向となる。この場合、貫通孔24の連通部分
の軸線の傾斜方向をこの矢方向とは反対側となるように
設定すれば、そのアンカー効果は益々大きくなり、モー
ルド樹脂28の剥離を防止できる。
第5図は他の実施例を示す。
本実施例では、ダイパッド18の表面に3個所、裏面に
1個所のエツチング孔を形成して表裏からのエツチング
孔を深さ方向のほぼ中央部で連通させている。これによ
り同図(b)に示されるように、貫通孔24が中途から
、軸線が外方にずれた方向に3つに分岐するので大きな
アンカー効果が生じる。表裏両面からエツチングするエ
ツチング孔の個数は上記に限定されない。要は、ダイパ
ッド18の表裏両面からそれぞれ形成されるエツチング
孔の位置が、それぞれ表裏両面でずれて形成されて連通
していればよい。
貫通孔24はグイパッド18全面に形成してもよいが、
その場合にはグイパッド18上に半導体素子を固着する
接着剤等が貫通孔24内に入り込むことが考えられるの
で、貫通孔24は半導体素子が固着される部位より外方
となるダイパッド18周縁部に設けるのが好適である。
グイパッド18周縁部に貫通孔24を設ける個所がない
場合には、第6図に示すようにグイパッド18端縁に突
片30を形成して、この突片30に貫通孔24を形成す
るようにしてもよい。
以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
(発明の効果) 以上のように本発明のリードフレームによれば、ダイパ
ッドに形成された貫通孔がグイバンドにその表裏両面の
ずれた位置からそれぞれ形成されたエツチング孔が深さ
方向のほぼ中央部で連通した形状の貫通孔となっている
ので、貫通孔の深さ方向の中央部は大きくくびれ、しか
も貫通孔の連通部分の軸線がダイパッド面に垂直な線に
対して傾斜しているから、モールド樹脂のアンカー効果
は極めて大きく、ダイパッドからのモールド樹脂の剥離
を防止でき、モールド樹脂へのクランク発生を有効に防
止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はリードフレームの一例を示す平面図、第2図は
貫通孔の形状の一例を示す断面図、第3図はグイパッド
表裏両面の一致した位置からそれぞれエツチングした場
合に形成される貫通孔の断面図、第4図はモールド樹脂
の剥離状態を示す断面図、第5図は貫通孔の他の形状例
を示す説明図、第6図はダイパッドに突片を設けて、こ
の突片に貫通孔を形成した実施例を示す説明図である。 10・・ ・リードフレーム、 1日・ ・ ・グイバンド、 20・・・サポートパー  24・・・貫通孔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、樹脂封止型半導体装置にインサートされるリードフ
    レームであって、半導体素子が搭載されるダイパッドに
    、ダイパッドの表裏両面のずれた位置からエッチング孔
    がそれぞれ形成され、該エッチング孔が深さ方向のほぼ
    中央部で連通することによる貫通孔が形成されているこ
    とを特徴とするリードフレーム。
JP1141994A 1989-06-03 1989-06-03 リードフレーム Expired - Fee Related JP2749124B2 (ja)

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JPH036851A true JPH036851A (ja) 1991-01-14
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05226548A (ja) * 1991-11-27 1993-09-03 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置用リードフレーム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63224245A (ja) * 1987-03-13 1988-09-19 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ム並びに半導体装置
JPH02246359A (ja) * 1989-03-20 1990-10-02 Fujitsu Ltd 半導体装置

Patent Citations (2)

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JPH05226548A (ja) * 1991-11-27 1993-09-03 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置用リードフレーム

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