TW379327B - Nonvolatile memory device having flash EEPROM cells - Google Patents

Description

-A7 B7 五 經濟部中央摞準局員工消费合作社印製 發明説明（ I明範疇 二發：關於非揮發性記憶裝 唯讀記憶胞組，而且牿度各 % 丁』轼程式化 w馬一在儲存記憶胞陣列社播 用胞組板的快閃電子可抑+ _ 構《中使 %于了执又可程式化唯讀記憶體。 t明背景 快閃電子可拭之可程式化 呤愔袖、产‘ 隹項ϋ己匕姐（接下來間稱爲快閃 )錢除及程式化操作時通常S要高高壓才可，而記 憶胞中所儲存的資料县麵、" 、…', 枓疋經過隧道效應。這些高高壓通常超 過10V以致於在隔離浮動閉極及基 弱的氧化層，也導致印愔的,~ 土 宫穷。判又溥又 内计心μ 性的降低和㈣記憶體 ^己^胞㈣毁壞所造成的操作干擾。-項理想的考量概 怎是“電位階和快閃_重記憶胞的穩定性之間相互關 係的取佳化是利用比現在較小的電壓即能成功地 和程式化操作。 最近1 996年VLSi科技座談會中發表一份關於降低高電壓 的又章，標題爲A Nove丨Bo〇ster Techn〇I〇gy化出钟 Density NAND Flash Memories F〇r Voltage Scaling-Down And Zero Program Disturbance指出如圖j B所示記憶胞當做 耦合電容的同等電路，具有被比喻爲名義上的浮動閉極電 晶體（或是浮動閘極記憶胞）有一控制閘極、浮動閘極、源極 /吸極區域如圖〗所示。 一在正常的如圖1 A的浮動閘極電晶體中潛佈電容器c b、

Cd和兩個Cf存在於控制閘極和浮動閘極中，存在於浮動閘 極和頻道區域，也存在於浮動閘極和源極/吸極區域中。由 -4- 本纸張尺度適用十國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公犮）

經濟.邵中央標準局買工消費合作社印製 -、A7 丨 -:----------一 五、發明説明（2 ) 於具有如此的電容結構，當一可程式化電壓¥1)§111應用在控 制閘極時爲如下列所示。

Vfg = VpgmxCb (Cb + Cd + 2Cf) [ 1 ] \/ 在私式化過程中，電荷從隨道區域注入到.浮動閘極透過氧 化層’如果V fg增強到超過關鍵電壓導致隧道效應，例如F_ N)Fowler-Nordheim)打通，因此一記憶胞的臨界電壓即增強 到可程式化。此時，Vfg對Vpgm的比値，例如，在程式化 操作遇程中是，r c，是Cb/(Cb + Cd + 2Cf)。然而，就像圖 1A及2所示，因爲上述之條文—提出了因沿著字線方向擴展 而形成的升壓板，而且被安排到位元線的方向並互成平行 ，更多的迷走耦合電容器，例如Ca , Cc*Cp乘上電容器因 數的等式[1]。Ca，Cc和Cp.分別被插入於升壓板和控制閘 極，浮動閘極和基板中。在程式化過程中，由於升壓板收 到除了 Vpgm透過一項字線對控制閘極的應用之外，浮動閘 極對升壓板和浮動閘極的耦合比，即r %和,p，分別變成 了 Cb/(Cb + 2Cc + Cd + 2Cf)及 2Cb/(Cb + 2Cc + Cd + 2Cf)。 如此，整個Vpgm對升壓板的耦合比可總結爲； Ύ c(p) = (Cb + 2Cc)/(Cb + 2Cc + Cd + 2Cf) [2] \/ 在比較等式[2]及Π]時，我們可得知，具有升壓板的記憶 胞格比一般的記憶胞有更大的耦合比。更大的耦合比就導 致了更低程式化時更低的電壓，即表示如圖1B的具有記憶 胞..的快閃記憶體，即使低於一般快閃記憶胞的^㈣記憶： 應用到升壓板的控制閘極仍可正確地執行程式化操作。在 程式化一選取記憶胞時更大的耦合電容其對於防止受自我 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

— ______B7 五、發明説明（3 ) 升壓干擾未被選取的記憶胞有程式抑制作用。 .圖3顯示了當一NAND型態的㈣記憶體程式化過程中應 用到升壓板的記憶胞的電壓組態。在電壓設定階段，超過 的電壓Vpass應用到未選取的記憶胞時，程式化電壓vpgm 和程式化移轉電壓V p g m — w丨就朝著預定電位呈線性增加。 Vpgm —wl爲一應用到移轉閘極連接程式化電 壓VPgm至由一個選取的記憶胞的控制閘極和升壓板所連接 的一條選取字線，因此，必須比Vpgm高出Vth(移轉的 MOSFET之臨界電壓）以便能^應Vpgm至所選的字線而沒 有降低電壓。Vpass通常比Vpgm還低。如果程式化階段開 始，Vpgm應用到所選的字線和升壓板，而Vpgm — wi則應 用於傳送電晶體的閘極對應到的所選的字線，V p a s s則是從 對應的位元線來供應所選取的記憶胞的吸極偏壓到未選取 的字線組。然而’在應用電壓到升壓板結構的特性時會遇 到一些問題。第一，雖然升壓板供應了降低V p g m的電壓的 好處’對具有極大電容的升壓板充電和放電所需的時間， 大約爲一條字線所需的二十倍以上，在程式化時會被加長 而其中的電流消耗可能會增加許多。另外的一個問題是在 A憶胞串（或是N A N D記憶胞單元），即v p g m所連結的升壓 板，會有漏電現象的產生，這是因爲升壓板完全覆蓋許多 彼此相鄰的記憶胞串。漏電現象可能導致記憶操作的穩定 性變得更嚴重。此外，生嚴疼高電壓貧複應里到每—程武 J匕周JL，.t使！.在开嚴與夺浮動閉..择間的.絕緣層可靠.程度 會…降.低到無法程式化_或是_導..致—個程.式化記憶胞易於拭去 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（) 規栘（2〗〇>< 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁

、1T 經濟部中央標準局βς工消费合作社印製 • - 1 1 - I' 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 —Μ --____Μ — 五、發明説明（4 ) ~ 狀恕’如此程式記憶胞的臨界電壓遠離所需型式的設定橋 而屬於一拭除境界。否則，降低在升壓板所用的電壓將伴 隨著使用更高的程式化電壓於一條字線是很明顯的。 發明摘要 因之’本發明的主要目的是以升壓板提供一足以完成可 信賴程式化操作的快閃記憶體。 本發明的另一目的是提供即使以較低壓的升壓板可在程 式操作時之快閃記憶體。 、本發明的另一目的是提供以_一種升壓板可應用於加強程 式化政率而不干擾到記憶體進障操作之N and型態的快閃 記憶體。 要芫成這些目的，本發明的快閃記憶體包括具有源極、 吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞陣列，包括了在記憶 胞格上導電板的陣列來影響到位於記憶胞格和導電板之間 的電‘容耦合，一項第一電壓源極來供應第一電壓到所選的 記憶胞之一的控制閘極，和第二電壓源極在所選的記憶胞 的導電板控制閘極，在充電到預定電位後，以供應 ♦ 壓。 “ ％ 本發明之一種快閃記憶體，其特徵包括：一組源極，吸極 ，浮動閘極和控制閘極的記憶胞陣列，此陣列包括在記憶 胞（上形成的導電板，一個第一電壓源極供第—電壓至所 選_記憶胞之一的控制閘極，一個第二電壓源極供第二電壓 在所選s己憶胞之一的控制閘極充電到預設電位後作用於 導電板；及一组切換電路，將第一及第二電壓分別轉移至 本纸張尺度適财國i家一標準（ ii Qi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、一so 五、發明説明（ ::選記憶胞之—的控制閘極和導電板，以對應一項控制訊 極2切換電路使控制閘極，在所選記憶胞之一的控制問 M 電位之後及第二電壓作用其處之前，呈浮動狀 怨° 根據本發明另一層面’―組快閃記憶體包括:俱有一組源 吸極’汙動閘極和控制電極，此陣列包括在記憶胞上 導電板，使其與記憶胞之間成爲電容偶合。 經 濟 部 中 標 準 員 X 消 费 入 社 印 製 ，弟-電壓源極供應第—電壓至所選記憶胞之一的控 制閘極’·-個第二電壓源極在所選記憶胞之—的控制閉極 无電到預設電位之後，供應第二電恩至導電板；一個第三 電壓源極供應第三電壓至未選取記憶胞的控制間極組；及 二組切換電路移轉第_，第二及第三電壓，對應控制信號 i別至所選記憶胞之-的控制間極，導電板和未選取記憶 月匕的fe制閘極組。此切換電路在所有記憶胞的控制開極組 ^電到預定電位之後和第二祕作用其處之前使該控制閉 極組f浮動狀態。此切換電路組有另一特徵在使第一，第 二及第三電壓分別移轉至對應驅動控制訊號，包括使所有 控制閉極组呈浮動狀態之第一驅動控制信號用於在所有該 寺記憶胞之控制閉極組充電至預定電位之後及第二電壓作 用其處之前，及一使第二電壓接至導電板之第二驅動控制 訊5虎使茲記憶胞之所有控制閘極充電至預定電位。此電路 所一移轉對象包括所選記憶胞之控制閘極切換，導電板及未 選取C憶胞之控制閘極组。 根據本項發明的另一方面，一組快閃記憶體其特徵包括： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規招（2丨0X297公楚 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 --------- B7 五、發明説明（6 ) .有源極吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞之陣列 。：了在„己隐胞上的導電板來影響在記憶胞和導電板間 6、：谷耦合（陣列’一項可區分爲數個記憶區塊的陣列， 隐H…到4線組；多數的驅動線經過對應的傳避 =晶體之間連結到字線組；—個連結到驅動線控制傳送電 ^ " 一個區奴解碼器運到驅動線組，揭 Ί弟-電壓’第二電壓和第三電壓到所選取的—條字綠 和未選取字線的字線組，分別地；其中第二電壓 弟te壓有放地轉移到所選—的—條字線之後作用於 板。 ％ R樣地，本發明之快閃記憶體特徵包括:一種具有源椏、 吸極、汙動間極和控制閘極命記憶胞之陣列，料列包括 = 己憶胞格上的導電板來影響在記憶胞格和導電板之間 的宅谷耦合，此陣列可區分爲數 ^ :=字線组’―種切換電路包括;=驅::： 導二板和字線组對應的驅動線之—和導電板之間的一^ 和插於在對應的驅動線之多個傳送電晶體組； =解碼态連結到切換電路的傳送電晶體組的間極，此 ‘鬼：：奈的第一輸出連結到導電板與傳送電晶體間接， 和區器：第二輸出連結到字線的傳送電晶體的閉極 祕，到驅動線組的區段解碼器，這個區段解碼 =應#-電壓’第二電壓和第三電壓到所選的字線之— 和未選取的字線之—的字線。第二電壓 用於導電板，以回應在第一及第三有效地工 本纸張尺度剌中國國家標i"( CNsJX^TlT^ 2;7公犮) 1「M i^-.-·1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本耳)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -Ά 7 Β7 五、發明説明（7 ) 未選取的字線之後選取的記憶體區塊之一的控制訊號。 圖式簡要説明 爲更好了解這項發明，和顯示同樣的具體實施例的效用 ’現在舉例以下的圖解做出參考，在： 圖1 A爲典型的快閃E E P R 〇 Μ記憶胞之相當電容電路結 構； 、圖1 Β爲一平台式結構的快閃eepr〇m記憶胞之相當電容 電路結構； 圖2爲平台式結構的快閃E E p尽〇 M記憶胞區域透視概要； 圖3爲習慣上用於表示程式化摔作的電壓波型圖表； 圖4爲根據本發明第一具體實施例所做的NAND型式的快 閃EEPROM電路圖； · 圖5爲顯示圖中連接快閃EEPROM儲存格結構和圖4轉移 電晶體之相當電路圖； 圖6顯示了在比較現在和習慣上對於一條字線的電壓和— 個升壓板的相互關係的特性； 圖7爲一圖4的區塊解碼器的電路圖； 圖8爲一圖4的區段解碼器的電路圖； 圖9爲根據本發明第—具體實施例面板的驅動電路； ..圖10顯π 了根據本發明第一具體實施例應用於所選 線，未選的字線及程式化操作面板之波型圖； 圖1 1爲根據本發明第二具體實施例區塊解碼器的電路圖. 1 2爲根據本發明第：具體實施例在程式化操作時應用 於字 泉組’-個升壓板和轉移電晶體组的時程圖； __ -10- ϊί—度適用中國國·^7^7^75^^^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁；>

發明説明（ 圖13爲根據本發明第三具體實施例中NAND型式的快閃 EEPROM之電路圖； 圖14场14B顯示了圖13的區塊解碼器的不同電路；而 、圖15爲根據本發明第三具體實施例在程式化操作時應用 於字線組，一個升壓板和傳送電晶體组的時程圖。 在這些圖中，就如參考數字所顯示或是對應的部份，而 訊號名稱的前置詞n表示它是在低階啓動的。 較佳之具體實施例 下列爲本發明應用具體實施何並附圖。 _第一具體實施你丨 一 根據本發明第一具體實施例，參考線路結構圖4所示的 N A N D型式的快閃記憶體，有升壓板丨〇 2，陣列方塊1 〇 〇 包含了 NAND記憶單元NU1〜NUn皆有其升壓板。每一 N U 1〜N U n e己憶單元有串選電晶體§ § τ連接到一條位元線， 接地選擇電晶體GST接地，多個的浮動閘極記憶胞電晶體 M0-M15作爲串選及接地選擇電晶體與升壓板1〇2之間的連 接，而延展到記憶胞單元，’涵蓋選性和記憶胞電晶體组。 串選和接地選擇電晶體之閘極組各自連接到串選及接地選 擇線組’ SSL和GSL被升壓板1〇〇涵蓋的記憶胞晶體的控制 閘極組各別連接到字線組W L 0〜W L 1 5。被升壓板1 〇 〇所遮 蓋的s己憶胞電晶體結構如圖2.。.:位元線組b L 0〜B L η各別接 合記憶胞單元以引向緩衝頁140。 、升壓板102 ’串選電晶體SST，記憶胞電晶體Μ0-Μ15和 接地選擇電晶體G S Τ透過切換電路1 3 0的傳送電晶體組 -11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規核（210X29?公兹） — 1 C 丨 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --=6 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 .--A7 ___________B7 五、發明説明（9 ) T 0〜T 1 8接到區段解碼器1 2 〇的輸出。轉移電晶體τ 〇 _ T J 8 的閘極通常連接閘極驅動電壓V X以轉遞驅動信號s b p、 SssL、S0-S15和Sgsl，分別產自區段解碼器12〇到升壓板 102，串選線SSL·，字線組WM)〜WM5和接地選擇線gS]L 。區段解碼器120分別從Vpgm泵150和Vpass泵160接收 到Vpgm和Vpass。在升壓板和訊號線組上註記的電壓將在 下面程式化操作中解釋。應該了解的是圖4的記憶體區塊和 解碼器相當於一具有多個記憶體區塊的快閃記憶體的部份記 憶體陣列。 圖5顯π 了快閃EEPROM單元和圖4的傳送電晶體結構内 的一組相等電谷組態，以解釋—被電容賴合之選取的記憶 胞電晶體内於程式化的升壓板-機制置。在從區段解碼器ιι〇 用於傳送電晶體組閘極，升壓板Vbp電壓和程式電壓 產生閘極驅動電壓V X情況下會個別透過τ 〇和丁 2而應用到升 壓層102和字線WI^O(所選字線WL〇)，所選字線WL〇會充 電到vPgm_Vth(作爲Vwl ; vth爲傳送電晶體T2的臨^電 壓）而且，在預定時間後，升壓板會藉其和控制極閘的電容 提升到Vbp而導致WL0的電壓値階會增加到超過升壓板和 控制閘極之間的vwuvPgm_v.th)。從Vw】所增電壓，| Vwl*(>vwi)由一種與(：&電容偶合來使得閘極_到_源極的 T2電壓Vgs降低’因此T2變成非導電性。 如此，在浮動閘極產生的v f g便由於連結v w v q而 形成一電壓；Vfg 1而且由Vbp所連接的電壓，即Vfg2，稍 後應用於升壓板，如下列等式： -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公费） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-A7 B7 五、發明説明（10 )

Vfgl=Vwl* X Cb(Cb + 2Cc + Cd + 2Cf)

Vfg2 = Vbp x (Cl+2Cc)/(Cl+2Cc + Cd + 2Cf) [3]\y Vfg = Vfgl+Vfg2 [4] ^ ’而 C 1 = (C a x C b) / (C a + C b)。 這時，當一項程式化操作是以前述升壓板和所選取的字 線接受了同樣的電壓位階的方式來執行時，所選取的記憶 胞電晶體（或是.記憶胞）的搞合比可综述如下： T c* (plate) = Cb/(Cb + 2Cc + Cd + 2Cf) + (Cl+2Cc)/(Cb + 2Cc + Cd + 2Cf) [5]^ 在比較等式[5]的r c*値和等式[2] r c(p) = (Cb + 2Cc)/ (Cb + 2Cc + Cd + 2Cf)的r c値時，r c*値大於r c値於 ci/(cb + 2cc + cd + 2cf)。在-典型的例子中，當足夠電容値 應用到耦合比的等式時，r c *値爲丨.〇 8而厂e値爲〇 · 6 7。 加強的電容比即使以低電壓位階來應用的所選的字線和一 個升壓極，可以％成程式化當先前/藝所用電壓位階本 發明爲高時，仍可使其程式化。圖^示在先前技藝和現在 的具體實施例之間所選的字線和升壓板的電壓位階之不同 處，當㈣先前技藝數値與現在@電壓位階値相比会士果。 =圖6可知’假設應用到所選的字線和升壓板的電壓位階 技藝或本發明平相同的話，在錄先前應用所選字線 3壓板的電壓16V相當㈣在的·。圖㈣按比例，目 則.勺所選字線和升壓板的電|位階約可能 作條件下，比習慣上使用約^ j縣式化操 現從圖7到圖9,分別地^示了區塊解碼器11〇的電路， 經濟部中央榇準局員工消費合作社印製 "A 7 _________ B7 五、發明説明（"） 圖4的區段解碼器120，和升壓板驅動電路。參考圖7時， 區塊選擇訊號nBi連接到輸出終端2，輸出電壓vx( = vwl) 由此而產生，透過變流器2和NM〇s乏層電晶體6和8，及應 用到的N AND閘極4的輸出再加上振盪訊號〇p s。電晶體6 和8的閘極連接到程式化訊號nPGMs和一個供應電壓。 NAND閘極4的輸出作用於切換泵，切換泵ηι的乏層M〇s 畦谷10 ’其中電各器1〇經過兩極體連結Nm〇s電晶體12到

Vx，而兩極體互連>^1^〇8電晶體12的閘極又經過1^河〇8電 晶體14和NMOS乏層電晶體16連到程式化電壓Vpgm，而 電晶體閘極14和16也連接到輸串終端丨。如果NAND閘極4 的輸出應用到電容器1〇來回應〇ps當nBi爲低電壓來選擇對 應的記憶體區塊時，電晶體f2的閘極和吸極的電壓就由電 容器1 0來充電到泵電壓。電晶體丨2階梯式增加的吸極電壓 轉移到電晶體14和16的閘極，自此連接Vpgm到電晶體12 的吸極。以重覆逐步增泵方式，輸出終端i就升到¥卯爪電 壓。 圖8的電路顯示爲與用於一條字線驅動訊號s丨的字線的區 &解碼器1 2 0之一單元相對應，而其他區段解碼器的單元則 有同樣架構。此區段解碼器的電路由三部份驅動電路122， 124和128所组成，及另一放電電路126。驅動電路122和 124在私式化操作中分別地提供..乂四爪和給y而驅動電 路.1 2 8疋用於一項1買取操作的。用於一項讀取操作的驅動電 路1 2 8並不影響程式化操作因爲它的連結到s丨的切換是關閉 的，但疋在頡取訊號READs爲低階時將關閉N M 〇 s乏層電 -14- 本紙張尺度適用中國國家; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------I- — π------ο------ΐτ-- Ά7 B7 五、發明説明（I2 ) 晶體1 2 9。因此，較佳有關驅動電路〗2 8的如下簡述。 在驅動％路122中’切換泵121連接Vpgm到S i來回應 NAND閘極28接受震盘訊號〇ps 28的輸出和;NOR閘極25 接受到η P G M s和η T i的輸出。訊號η T i是來自解碼位址訊號 並在程式化選取相當字線組中之一時在低階所活化。切換 泵121組自NMOS電晶體相接Vpgm和Si，與NA N.D閘極輸 出偶合的乏層MOS電容器30的一電極，兩極體偶合^^!^〇8 電晶體3 2連接電容器3 〇的另一電極和電晶體3 6的閘極，以 及NMOS34連接電晶體32閘極_和Vpgm。電晶體3 4的閘極 偶接至電晶體3 6的閘極並經乏層Μ Ο S電容器4 0連至N A N_D 閘極38，並經乏層NMOS電晶體42連至NOR閘極25的輸 出，電晶體4 2的閘極則偶接务η T i。驅動電路1 2 2在程式化 中將會啓動’ nPGM在低階時，使NOR閘極25的輸出設於 高階，如此，Vpgm經字線驅動信號S i供至一條所選字線。 趨濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 驅動電路123經Si供應Vpass至一相當未在程式化中選取 的一條字線。其中，切換泵123連接Vp ass到Si來回應接收 振盈訊5虎Ops的NAND閘極46的輸出伴隨著接收到npGMs 和Ti(nTi互補訊號；Ti高時而nTi爲低）NOR閘極44的輸出 。切換泵1 2 3組自V p a s s和S i的N M O.S電晶體5 4之間的連 接與N A N D閘極4 6的輸出偶接的乏層Μ 0 S電容器4 8的一電 極兩極體偶接NMOS電晶體50與電容器48另一電極和電晶 體J4閘極之間相接、以及作爲電晶體5 〇的閘極和Vpass之 間相接的Ν Μ Ο S電晶體5 2。電晶體5 2閘極連接到電晶體5 4 的閘極和經過與Ti偶接乏層NMO S電晶體5 6連接到N0R閘 -15- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公犮） 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 .ΑΊ B7 五、發明説明（13 ) 極4 4的輸出。 在程式化模式中驅動電路122和123輪流傳導依照是否字 線驅動訊號S i對應到選取的一條字線。選取來程式化的字 線是和訊號邏輯位階nTi(或Ti) 一起同步進行的，而以則決 定驅動電路的活化，當np gMs在程式化過程中處於低階， 以便低階的nTi可讓驅動電路122啓動，當驅動電路124被 问階的T i所關閉時能夠供應vpgm到s i，或是低階的τ丨讓驅 動電路1 24能夠啓動當驅動電路丨22被高階的nTi所關閉時 ，能夠讓驅動電路124將Vpass供應到Si。 放電電路126具有乏層NM OS電晶體60和62來連接Si和 接地電壓。電晶體6 0的閘極連接到電源電壓，而電晶體6 2 的閘極則透過反向流器66，·與接收nPGMs和nREADS的 N A N D閘極6 4的輸出相接。電晶體6 2連接S i到接地電位來 降低字線的驅動訊號（或是線）S i到接地電壓，以配合當 nPGMs和nREADS處於高階一項程式化操作或讀入操作未 能啓用之時。 十圖表9所顯示的升壓板驅動電路被安排於區段解碼器中 。參考圖表9，升壓板驅動電路包括滯延電路6 §」、電壓驅動 c______________' 電路132和放電電路134。在電壓驅動電路132中，切換栗 1 3 1連接Vp gm到升壓板驅動訊號（或線）S b p，以回應 NAND閘極72在接收振蘆訊號Ops之輸出，以及NOR閉極 7Q在接收到從滯延電路68產生的滯延訊號nPGMs_D之輸 出。切換泵1 3 1組自連接Vpgm和Sbp的NMOS電晶體80、 其一電極連接到NAND閘極72輸出的乏層NMOS電容器74 -16- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公逄） 11 — ------〇------訂------f-!1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} --kl ~~-----—____ 五、發明説明（14 ) ~ 作爲兔谷器7 4另一電極和電晶體8 〇的閘極連接的兩極體 的NMOS電晶體76，以及作爲電晶體76閘極和Vpgm連接的 NMOS電晶體。電晶體78的閘極連接到電晶體冗的閘極， 也透過乏層MOS電容器84來連接到nAND閘極82的輸出， 也透過與n B 1連接，乏層N M 〇 s，電晶體8 6連到N 〇 R閘極 7 0的輸出。訊號n氣由解碼位址訊號所產生來選取一個記憶 方塊，並且在程式化時對應到選取記憶方塊之一而處於低 階時將會啓動。放電電路134使用Sbp和接地電位連接的 NMOS電晶體90。電晶體9〇的閉極回應閘在接收到Bi(nBi 的互補訊號）、nREADs、nERAs和nRECs的NAND閘極 8 8的輸出。 '電壓驅動電路132在預設的時間啓動，例如，當npGMs 處於低階後的2微秒而因此N0R閘極7〇的輸出被設定爲高 階，以便Vpgm透過Sbp來供應所選取的升壓板。而且，放 電電路1 3 4的電晶體9 0當至少N AND閘極8 8有一輸入訊號 時，變爲低階會打開，即放電時間爲所對應的記憶體方塊 甚至在程式化時未被選取或是目前的操作不在程式化步驟 中時。 . 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 01. 現在，對於升壓板以從區段解碼器和區塊解碼器所產生 的驅動訊號的電壓在程序化中的解釋，參考圖斗和^^，假 設所選取的一條字線爲WL 0。： 從設定電壓時間爲t0的程式化過程中，字線Wl〇所選取 的Vpgm從區段解碼器120透過對應的驅動訊號8〇來供應的 ，而Vpass則是應用於透過其驅動訊號爲S1_S15的未選取 -17- 本紙悵尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格（21〇X^^^y 經濟部中央#準局貞工消费合作社印製 Ά7 Β7 五、發明説明（15 ) ~ ~ 芋線組WL 1-WL 1 5。串選和接地選擇線的驅動訊號線组 SssL和SGSL其階位分別爲Vcc和VSS。穿過對應的傳送電 晶體T2的Vpgm被轉換成作用於WL〇直到時間t i之足夠電壓 的VPgm-Vth。從時間tl流逝2微秒而從1〇此2微秒由升壓板 驅動電路的滯延電路68所建立，Vbp開始增加而因此導致 -程式[5]中一項以rc*比率的電容耦合，纟結果爲從 Vpgm-Vth所選取的字線的升高電壓。而且接著的是，當操 作進入程式化階段時，自我昇壓的字線電壓高於Vpgm_;th 而成爲所選取的記憶胞電晶體的程式化，而未選取的字線 組則仍然保持在Vpass中。所瓔取的字線回溯伴隨如程式 [4]中所顯示的浮動閘極電壓Vfg的自我升壓電位。接著， 電子群被F0WIer-0r dheim^道流向浮動閘極因此所選取 的記憶胞具有在程式化狀態更高的臨界電壓。 .第二具體實施例 區塊解碼器110之其它有用的電路能夠控制圖4的傳送泰 晶體组T0〜τ 18顯示於圖11，做爲本發明之第二且俨實二 例，和第一具體實施例係在程式化操作上的不同部= 差別。圖11中同樣的電路元件的對照數字*圖7中根據的^ -具體實施例所顯示的區塊解碼器的元件數字相同 的區塊解碼器由驅動電路n 3和115這兩個電路所形成，〆 便能達成傳送電晶體有效的啓動。驅動二，以 I *3切臾 H.1内NMOS電晶體12的閘極作爲於電容器1〇和輸出故二 Vx之間連接的應⑽電晶體12的問極接經電、曰= 14的頻道和乏層NM〇s電晶體16到Vpgm+yq爲::隨 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A视招（21〇χ29<7公瘦） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

…Ά7 ____ 五、發明説明（16 )

Vpgm的電壓）的電壓源極。切換豕1 1 1的電容器1 0連接 NAND閘極18的輸出，而N AND閘極18輸入振盪訊號Ops 爲訊號η B i和η P G M s的滯延訊號（例如，_大約2微秒）的反向 訊號。N B i的反向訊號連接到V X也透過個別連接到η P G M s 和Vcc的乏層NMOS電晶體6和8的閘極來連接到電晶體14 和16的閘極。驅動電路115具有滯延電路20能產生大約2微 秒，和作爲Vb和Vx電壓源極和從電路2 〇所產生的滯延訊號 的反向訊號所回應的NMO S電晶體2 4閘極之間的連接。電 壓Vb裝設於升壓板和於所選取的—條字線的電壓位階之間。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考圖1 2所顯示一適時的程式化操作和圖1 1在13的區塊 解碼器’區塊解碼器產生1 3 V的VX，即Vpgm+Va，當作初 始電壓位階和1 1 V的Vpgm應珣到所選的一條字線所對應的 驅動線路，而5 V的V p a s s應用到未選取的字線組。1 3 V的 Vpgm+ V a保障Vpgm能夠完全轉移到所選取的字線。然後， 所選取的字線透過對應的傳送電晶體（例如，T2對M0)就被 提高到Vpgm的1 1 V的電壓位階。在t4，經過從t3約2微秒 的持續滯延時間後，VX變成Vb，例如7 v，對應到低階的 nP GMs的滯延電路2 〇的輸出在此滯延時間導致n aNd閘極 I 8的輸出維持在高階使得切換泵丨丨丨變成一項歸零狀態， 而同時啓動電晶體2 4以便移轉7 V的V b成爲V x。這項V X從 13V轉換成7V使得對應的傳送電晶體關閉，因此也導致選 取.的字線處於浮動狀態。此外，在完成了將Vpgm轉移到所 選取的字線後，就無需將Vpgm+Va維持在13V，因爲有效 率的Vpgm已經轉移至所選取的字線約2微秒的時間，此爲 -19- 本紙張又度^297^Τ 五、發明説明（17 ) 所指定的確保Vp gm穩定傳到所選定的字線所需最少時間。 、後如在t5，iiv的升壓板電壓從圖4所示的區段解碼器 120中之升壓极驅動電路用到升壓板1〇2，而目前所選取的 字線的電壓位階就由在升壓板和連接到所選取的字線控制 閘極間的電容耦合來提高到大約17V。同樣在這件實例中 ’浮動閘極的電壓V f g因此就依照程式[4 ]導出。 _第工具體實施你丨 圖1 3顯示了根據第三具體實施例的一 NAND型態快閃可 私式化唯謂記憶體，與圖4的第一具體實施例相比，圖4中 產生區塊解碼器1 7 0，而V X也是一樣，電壓Vp只應用到切 換電路180的移轉電晶體T0的閘極，而切換電路丨8〇則作爲 升壓板驅動線S bp和升壓板Γ〇 2之間的連接，而vx其他傳 送電晶體T1至T18，並且各自連結驅動線8§81至888]1，和 透過接地選擇線GSL到串選線SSL。轉移電晶體T0*可提供 至每一記憶體區塊，而區塊解碼器丨7 〇則有兩種電壓驅動線 路分別如圖14A和14B所顯示的Vp和Vx。圖13中其它電路 的特性就如圖4中的一樣。 經濟部中央样準局員工消費合作社印製 參考圖14A，一驅動電路產生Vx共同作用於傳送電晶體 T 1至T 1 8閘極到如同圖1 1的電路，除了其閘極連結從 nPGMs來的滯延訊號的反向訊號的電晶體26，則是作爲接 地電位和V X之間的連接。 ： 參考圖1 4 Β .，產生V ρ應用到移轉電晶體τ 〇 *閘極的電路 有兩部份的驅動電路182和186。驅動電路182有反相器回 應ηP GMs，而ΝΜΟ S電晶體9 8則連接Vx至接地電位來回 -20- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公趋） --A7 --A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（18 ) 應反向器96的輸出。在驅動電路186中，nPGMs透過滞延 電路20和反向器94作用到NAND閘極95的輸出，伴隨著 〇ps和nBi的反向訊號。NAND閘極95的輸出作用到和圖η 和1 4Β中相同結構的切換泵！ ！ ！的電容器！ 〇。 現在，一項根據第三具體實施例的程式化操作將圖iy的 時程圖並述。當程式化模式開始時，nPGMs變成低階並導 致1 1 V的Vpgm和5v的Vpass分別從充電泵150和160產生 。在圖14A的電路中，因滯延nPGMs(nPGMs —D)和反向 nBi爲高階而0ps正振盪於高及低階時，nand閘極將會啓 動切換泵1 1 1，如此一來在t6時，Vx變成約丨3 V的 Vpgm+ v a，並透過t丨8作用到傳送電晶體t〗的閘極，以便 如圖1 3所示經過s g s 1和g S L ·以分別連接到s s s 1和S S L。値 此之際，Vp維持在接地電位因爲低階的npGMs透過反向器 9 6來啓動電晶體9 8。 在經過從t6大約2微秒的持續滯延時間之後到t7時，當滞 延nPGMs導致圖14A的電晶體26來連接目前的Vx到接地 電位’並進一步暫止圖1 4 A的切換泵1 1 1，Vx下降至接地 電位並使得傳送電晶體關閉，這樣一來使得所有字線組處 \浮動狀悲。之後，在t 8，如果1 1 v的升壓板從圖4所顯示 的區段解碼器中的升壓板驅動電路來應用到升壓板丨〇 2，所 選取的一條字線的目前電壓位階就由作爲連接升壓板和所 選.取的竽線組來提升到大約丨7v。所未選取的字線組也被 電容賴合所影響因此而升壓至大約丨2V，如此，可降低 V p a s s的電壓位階。 ____ -21 - 本纸張尺度適( eNS } (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

B7 五、發明説明（i9 ) 如上所述，電壓作用到所選取的字線並且所選取的字線 的結果電壓自我增高到大於其受強追供應的電壓之後，作 用到升壓板的電壓將在預定的時間會啓動，及時地由電容 耦合機制提供自我升壓。如此以較低升壓板電壓可完成信 賴的程式化操作並可減低因長時間程式化的過高電壓所造 成對記憶胞的過份。 、。即時地以程式化電壓和升壓板電壓順序作用能夠加強在 吁動閘極的耦合比値，以便能放大有效的電場進行程式操 ，，並進一步使升壓板的能以較其它任何在記憶體的傳導 、泉路有更大的電容縮短充電和袜電的時間來減低整個程式 化操作電流的耗費。 再者，如第三具體實施例所，見，當升壓板電壓作用時， Vpass的未選取的字線組能夠放入自我升壓場，較低的 Vpass可能足夠來設定未選取的字線组和記憶胞對於所選取 的字線和記憶胞進入穩定的流通狀態，這樣也能有助於 低整體電力消耗。 雖，太這項發明的指定結構和過程已於此處圖解和詳述， 4這並不疋希望本發明被侷限於所顯示的構造部份和結構 热練這項技藝的人將可輕易地認知應用本發明特殊結構 郅份和次結構，而不脱本發明的範疇和精神。 _ -22- ( CNS )

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1. 一種快閃記憶體，包括： 組具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞 t陣列，這種在記憶胞上的導電板來影響在記憶胞和導 電板間的電容耦合之陣列； 一個第一電壓源來供應第一電壓到所選取的記憶胞之 一之控制閘極；及 個第一電壓源在所選的記憶胞之一的控制閘極充電 到預定的電壓位階之後來供應導電板的第二電壓。 2. —種快閃記憶體，包括： 一組具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞 惑陣列，這種在記憶胞上的導電板來影響在記憶胞和導 電板之間的電容耦合之陣列； 一個第一電壓源來供應第一電壓到所選的記憶胞之— 的控制閘極； 一個第二電壓源來供應在所選的記憶胞的導電板在充 電到預定的電壓位階；及 一組切換電路來分別轉移第一及第二電壓到所選之— 記憶胞的控制閘極及導電板以回應一項控制訊號。 3. —種快閃記憶體，包括： 一组具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶皰 (卩車列’這種在記憶胞上的導電板來影響在記憶胞和導 電板之間的電容搞合之陣列； 一個第一電壓源來供應第一電壓到所選的記憶胞之〜 的控制間極； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------1------訂------ii (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁J

   經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1. 一種快閃記憶體，包括： 組具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞 t陣列，這種在記憶胞上的導電板來影響在記憶胞和導 電板間的電容耦合之陣列； 一個第一電壓源來供應第一電壓到所選取的記憶胞之 一之控制閘極；及 個第一電壓源在所選的記憶胞之一的控制閘極充電 到預定的電壓位階之後來供應導電板的第二電壓。 2. —種快閃記憶體，包括： 一組具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞 惑陣列，這種在記憶胞上的導電板來影響在記憶胞和導 電板之間的電容耦合之陣列； 一個第一電壓源來供應第一電壓到所選的記憶胞之— 的控制閘極； 一個第二電壓源來供應在所選的記憶胞的導電板在充 電到預定的電壓位階；及 一組切換電路來分別轉移第一及第二電壓到所選之— 記憶胞的控制閘極及導電板以回應一項控制訊號。 3. —種快閃記憶體，包括： 一组具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶皰 (卩車列’這種在記憶胞上的導電板來影響在記憶胞和導 電板之間的電容搞合之陣列； 一個第一電壓源來供應第一電壓到所選的記憶胞之〜 的控制間極； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------1------訂------ii (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁J

   一個第二電壓源來供.應在所選的記憶胞的導電板在充 電到預定的電位；及 —組切換電路來分別轉移第—及第二電壓到所選之一 尤憶胞的控制閘極及導電板以回應一項控制訊號，此切 換電路使得弟制閘極處於浮動狀態，當所選取的記憶胞 在充電到預定的電位之後，並且在第二電壓作用其處之前。 4·—種快閃記憶體，包帑： 一組具有源極、吸極、!動閘極和控制閘極的記憶胞 <陣列，迢項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來影 響在記憶胞和導電板之間的電容耦合； 一個第一電壓源來供應第一電壓到所選取的記憶胞之 把制閘極； —個第二電壓源來供應所選之一的記憶胞的導電板， 在其充電到預定的電位之後； —個第三電壓源來供應第三電壓給未選取之記憶胞的 控制閘極；及 一組切換電路來分別轉移第一及第二電壓到所選的記 憶胞之控制閘極及導電板以回應一項控制訊號，這種切 換電路使得所選之一記憶胞的導電板在充電到預定的電位 之後的控制閘極處於浮動狀態，並且在第二電壓作用之前。 5. —種快閃記憶體，包括： 組具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶跑 -之陣列，這項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來影 響在記憶胞和導電板之間的電容耦合，此陣列可劃分為 -2-

   一個第二電壓源來供.應在所選的記憶胞的導電板在充 電到預定的電位；及 —組切換電路來分別轉移第—及第二電壓到所選之一 尤憶胞的控制閘極及導電板以回應一項控制訊號，此切 換電路使得弟制閘極處於浮動狀態，當所選取的記憶胞 在充電到預定的電位之後，並且在第二電壓作用其處之前。 4·—種快閃記憶體，包帑： 一組具有源極、吸極、!動閘極和控制閘極的記憶胞 <陣列，迢項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來影 響在記憶胞和導電板之間的電容耦合； 一個第一電壓源來供應第一電壓到所選取的記憶胞之 把制閘極； —個第二電壓源來供應所選之一的記憶胞的導電板， 在其充電到預定的電位之後； —個第三電壓源來供應第三電壓給未選取之記憶胞的 控制閘極；及 一組切換電路來分別轉移第一及第二電壓到所選的記 憶胞之控制閘極及導電板以回應一項控制訊號，這種切 換電路使得所選之一記憶胞的導電板在充電到預定的電位 之後的控制閘極處於浮動狀態，並且在第二電壓作用之前。 5. —種快閃記憶體，包括： 組具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶跑 -之陣列，這項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來影 響在記憶胞和導電板之間的電容耦合，此陣列可劃分為 -2-

   —s: A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 多個的記憶體區塊； 個第 呢壓源來供應第一電壓到所選的記憶胞之一 的控制閘極； 一個第二電愚源對應一控制信號以供第二電壓至所選 的記憶體區塊之一，在其控制閘極充電到預定的電位之 後； 一個第二電壓源將第三電壓供應給未選取之記憶胞的 控制閘極；及 一组切換電路來分別轉移苐_、第二及第三電壓到所 選的記憶胞之控制閘極及導電板及未選記憶胞組之控制 閘極以回應一控制訊號，這種切換電路使所選的記憶胞 控制閘極在充電到預定的電位之後，該控制閘極處於浮動狀 態，並且在第二電壓作用之前。 6. —種快閃記憶體，包括： 一具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞之 陣列，這項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來影響 在έ己憶胞和導電板之間的電容耗合，此陣列可劃分為多 個的記憶體區塊； 一個第一電壓源將第一電壓供應到所選之一記憶胞之 控制閘極； u 一個第二電壓源供應第二電壓到對應選取區塊記憶俨 之一的控制信號在所選記憶胞之一的控制閘極達到預2 充電的電位之後； ^ & 一個第三電壓源將第三電壓供應給未選取之記憶胞的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐）

   —s: A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 多個的記憶體區塊； 個第 呢壓源來供應第一電壓到所選的記憶胞之一 的控制閘極； 一個第二電愚源對應一控制信號以供第二電壓至所選 的記憶體區塊之一，在其控制閘極充電到預定的電位之 後； 一個第二電壓源將第三電壓供應給未選取之記憶胞的 控制閘極；及 一组切換電路來分別轉移苐_、第二及第三電壓到所 選的記憶胞之控制閘極及導電板及未選記憶胞組之控制 閘極以回應一控制訊號，這種切換電路使所選的記憶胞 控制閘極在充電到預定的電位之後，該控制閘極處於浮動狀 態，並且在第二電壓作用之前。 6. —種快閃記憶體，包括： 一具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞之 陣列，這項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來影響 在έ己憶胞和導電板之間的電容耗合，此陣列可劃分為多 個的記憶體區塊； 一個第一電壓源將第一電壓供應到所選之一記憶胞之 控制閘極； u 一個第二電壓源供應第二電壓到對應選取區塊記憶俨 之一的控制信號在所選記憶胞之一的控制閘極達到預2 充電的電位之後； ^ & 一個第三電壓源將第三電壓供應給未選取之記憶胞的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） Μ年 專 A8 δ$ C8 D8 7. 經 濟 部 t 央 準 % 員 工 消 k 合 作 社 印 製 8. 控制閘極：及 一組切換電路來分別轉移第—、 一 選的記憶胞之控制閘極，及導電* — %壓到所 „ 广 导电板及木選記憶胞組之控 制間極以回應-组驅動控制訊號，此驅動控制信 括使所有控制問極在其充電到預定電位處於浮動狀能， 並第二電壓作用之前的第一驅動控制訊號和第二驅：控 制訊號連在所有記憶胞的控剎關iT 、 二 肥]&制閘極已經无電到預定的雷位 將第二電壓接至導電板。 —種快閃記憶體，包括： '-組具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞 (陣列’這項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來影 響在記憶胞和導電板之間的電容耦合，此陣列可劃分抑 多個的記憶體區塊，這些記憶胞連接到字線組； 多組驅動線路經過對應的傳送電晶體連接字線組，· 一具區塊解碼器來控制傳送電晶體組；及 一具區段解碼器連接到驅動線路组，此區段解碼器 別提供第一電壓、第二電壓和第三電壓到所選取的字 之一、導電板和未選取的字線組， 其中弟—電壓在第一電壓有效地移轉到所選取字線 一後作用於導電板。 一種快閃記憶體，包括： 一组具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶 -^陣列’這項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來 響作為記憶胞和導電板之間的電容耦合，此陣列可劃 為 分 線 之 !.---------¾------1T------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 4- 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4说格（2ΐ〇χ：297公釐） C Μ年 專 A8 δ$ C8 D8 7. 經 濟 部 t 央 準 % 員 工 消 k 合 作 社 印 製 8. 控制閘極：及 一組切換電路來分別轉移第—、 一 選的記憶胞之控制閘極，及導電* — %壓到所 „ 广 导电板及木選記憶胞組之控 制間極以回應-组驅動控制訊號，此驅動控制信 括使所有控制問極在其充電到預定電位處於浮動狀能， 並第二電壓作用之前的第一驅動控制訊號和第二驅：控 制訊號連在所有記憶胞的控剎關iT 、 二 肥]&制閘極已經无電到預定的雷位 將第二電壓接至導電板。 —種快閃記憶體，包括： '-組具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶胞 (陣列’這項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來影 響在記憶胞和導電板之間的電容耦合，此陣列可劃分抑 多個的記憶體區塊，這些記憶胞連接到字線組； 多組驅動線路經過對應的傳送電晶體連接字線組，· 一具區塊解碼器來控制傳送電晶體組；及 一具區段解碼器連接到驅動線路组，此區段解碼器 別提供第一電壓、第二電壓和第三電壓到所選取的字 之一、導電板和未選取的字線組， 其中弟—電壓在第一電壓有效地移轉到所選取字線 一後作用於導電板。 一種快閃記憶體，包括： 一组具有源極、吸極、浮動閘極和控制閘極的記憶 -^陣列’這項陣列包括在記憶胞之上形成的導電板來 響作為記憶胞和導電板之間的電容耦合，此陣列可劃 為 分 線 之 !.---------¾------1T------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 4- 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4说格（2ΐ〇χ：297公釐） C

   為多數的記憶體區塊，這些記憶胞連接到字線组； 一對應到導電板和字線的多重性驅動線路， 一多组的驅動線路對應的導電板和字線组； -組切換電路包括-條驅動線路和導電板間插入的傳 运電晶體和插人於這些驅動線路的對應驅動線路中的多 送電晶體； ‘ 如一個連接到切換電路的傳送電晶體的閘極的區塊解碼 器，此區塊解碼器的第一輸出連接到導電板，而第二輸 出連接字線組和傳送電晶體閘極； ’ 一個連接到驅動線路組的區段解碼器，分別將第—+ 壓第二電壓第—電壓供應到所選取的一條字線，導電板 和未選取的字線組； · 其中第二電恩於在第—和策三電壓有效地移轉到所選 V取和未選取的字線之後’回應選取記憶體區塊之—的和 制訊號而作用於導電板。 , * 裂 訂 線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本!) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

   為多數的記憶體區塊，這些記憶胞連接到字線组； 一對應到導電板和字線的多重性驅動線路， 一多组的驅動線路對應的導電板和字線组； -組切換電路包括-條驅動線路和導電板間插入的傳 运電晶體和插人於這些驅動線路的對應驅動線路中的多 送電晶體； ‘ 如一個連接到切換電路的傳送電晶體的閘極的區塊解碼 器，此區塊解碼器的第一輸出連接到導電板，而第二輸 出連接字線組和傳送電晶體閘極； ’ 一個連接到驅動線路組的區段解碼器，分別將第—+ 壓第二電壓第—電壓供應到所選取的一條字線，導電板 和未選取的字線組； · 其中第二電恩於在第—和策三電壓有效地移轉到所選 V取和未選取的字線之後’回應選取記憶體區塊之—的和 制訊號而作用於導電板。 , * 裂 訂 線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本!) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）