JP2013225359A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、半導体記憶装置は、複数のメモリセルMCの電流経路が直列に接続される複数のメモリセル列を備えるメモリセルアレイ10と、電圧発生回路7と、制御回路4とを具備する。前記制御回路4は、前記メモリセルのデータ書き込み動作において、第1非選択ワード線に印加する第1中間電圧VPSSを、選択ワード線の書き込み電圧の印加時に、階段状にステップアップさせ、選択ワード線の少なくとも一方に隣接する第2非選択ワード線に印加する第2中間電圧VPASS1を、選択ワード線の書き込み電圧の印加の途中で、前記ステップアップの大きさよりも大きく高い側へ電圧シフトさせる。
【選択図】図3
Description
<1.全体構成例>
まず、図1を用い、第1の実施形態に係る半導体記憶装置の全体構成例について説明する。
具体的に、コントローラ4は、コマンドインタフェースやアドレス保持、転送回路を含み、メモリコントローラ20(または、ホストなど)から供給されたデータが書き込みデータであるかアドレスデータであるかを判定する。この判定結果に応じて、書き込みデータはセンスアンプ回路2に転送され、アドレスデータはロウデコーダ3やセンスアンプ回路2に転送される。また、コントローラ4は、外部制御信号に基づいて、データ読み出し、データ書き込み、データ消去のシーケンス制御、印加電圧の制御等を行う。
次に、第1の実施形態に係る半導体記憶装置のデータ書き込み動作について説明する。
まず、図2を用い、書き込みシーケンスの概略について説明する。
図3は、図2の書き込み動作のうちいずれか1つの詳細な内部波形の図であり、第1の実施形態に係る書き込み動作のワード線の内部波形の一例である。
(領域0)
まず、制御回路は、時刻t0−1の際に、ドレイン側選択線の電圧を電圧Vselまで上昇させ、ソース側選択線の電圧を0Vにする。
続いて、時刻t1−t2の期間において、非選択ワード線と選択ワード線とを中間電圧VPASSまで昇圧させる。中間電圧VPASSは、非選択ワード線に印加され、メモリセルに蓄積された電荷にかかわらずメモリセルをオンさせる電圧である。なお、ビット線に印加される電圧Vhighは、例えば電源電圧であり、非選択ワード線に中間電圧VPASSが印加された時に、メモリセルのチャネル電位が上昇する。なお中間電圧VPASSは、上記電圧Vsel、電圧Vhighよりも大きい。
続いて、時刻t3−t4の期間において、選択ワード線に、書き込み電圧VPGMを印加する。この時、チャネル電位がやや上昇する場合もある。一方、データ書き込みを行わない場合は、選択したメモリセルの電荷蓄積層とチャネル(基板)の間に高電界をかけないため、ビット線を正電圧Vhighに印加してビット線側の選択ゲートSGDに接続されたトランジスタSGDTをカットオフさせる。その結果、非選択ワード線の中間電圧VPASSによるカップリング効果でフローティング状態のチャネル電位をブーストする。ここで、時刻t4のブースト直後は、高いチャネル電位を持つが、書き込みしている最中に選択ゲートオフリークやジャンクションリーク等でチャネル電位が降下する可能性がある。そのため、非選択メモリセルが誤書き込みされ、セルデータの信頼性が悪くなる可能性がある。そこで、それを改善するため、以降の時刻において、以下のような制御を行う。
続いて、時刻t4の際に、選択ワード線に隣接するワード線を除いた非選択ワード線に与える中間電圧VPASSを、初期電圧V_STAIRから階段状にステップアップさせる。このように制御することで、図中の下段の破線22で囲って示すように、選択ゲートトランジスタのオフリークやジャンクションリークでチャネル電位が降下することを防止し、非書き込みセルのチャネルブースト電圧を、断続的にほぼ一定レベルに保つことができる。続いて、時刻t4−t5の期間において、非選択ワード線に与える中間電圧VPASSを、階段状にステップアップさせる。このような初期電圧(V_STAIR)から階段状にステップアップする電圧を与えることで、図中の下段に22にて破線で囲って示すように、リークで降下するチャネル電位を補うことができる。なお、前記ステップアップはチャネルからの電流リークを補うため、ステップアップのステップ幅が小さく緩やかなものであっても良い。例えば、ステップアップの1段分の高さVstepは、後述する、シフト電圧(V_SHIFT)よりも小さくても良い。また、そのステップ電圧の合計VSTEP_Totalもさほど大きいものでなくとも良い。例えば、ステップ電圧の合計VSTEP_Totalは、シフト電圧(V_SHIFT)と同じにすることもできる。その結果、パラメータの数を少なくすることができ、回路構成を簡略化することができる。また、ステップアップの1段分の高さVstepは全て同じでなくても良い。
続いて、時刻t5−t6の期間において、選択ワード線(WLn)の少なくとも一方に隣接した非選択ワード線(WLn±1)には、中間電圧VPASS1について初期電圧V_STAIRからシフト電圧V_SHIFTまで昇圧させる制御を行う。上記のように制御することで、図中の上段の破線21で囲って示すように、選択ワード線の書き込み電圧VPGMの到達速度を、カップリング効果でアシストし、書き込みセルの書き込み特性を改善することができる(Coupling Assist Effect for Select WL setup)。また、選択ワード線(WLn)の両側に隣接した非選択ワード線(WLn±1)を共に初期電圧V_STAIRからシフト電圧V_SHIFTまで昇圧させることにより、カップリング効果によるアシストが大きくなるため好ましい。さらには、隣接した非選択ワード線(WLn±1)に隣接した非選択ワード線(WLn±2)も初期電圧V_STAIRからシフト電圧V_SHIFTまで昇圧させることができる。その結果、カップリング効果によるアシストがさらに大きくすることができる。また、図中の下段の破線22で囲って示すように、この領域4においては、チャネル電位の上昇量が領域3とくらべてやや上昇する場合もある。
図4は、上記領域3以降のデータ書き込み時の非書き込みメモリセルのビット線方向の断面構成を示している。図示するように、非書き込みセルでは、非選択ワード線に中間電圧VPASSが印加され、ビット線にVHIGHが与えられ選択トランジスタSGDTがカットオフされるため、ウェル領域(PWELL)のチャネル電位がブースト効果により上昇する。また、選択ワード線に隣接する非選択ワード線に中間電圧VPASS1が印加される。
第1の実施形態に係る半導体記憶装置及びその制御方法によれば、少なくとも下記(1)及び(2)に示す効果が得られる。
上記のように、本例に係る半導体記憶装置は、複数のビット線とワード線との交差位置に配置され、電流経路が直列に接続される複数のメモリセル列10を備えるメモリセルアレイ1と、メモリセルアレイに与える電圧を発生させる電圧発生回路7と、メモリセルアレイおよび電圧発生回路を制御する制御回路4とを具備する。制御回路4は、メモリセルMCのデータ書き込み動作において、非書き込みメモリセルのチャネルブースト電圧を支配する非選択ワード線に印加する中間電圧VPASSを、選択ワード線の書き込み電圧の印加の途中で、階段状にステップアップさせ(領域3)、選択ワード線に隣接する非選択ワード線に印加する中間電圧VPASS1を、選択ワード線の書き込み電圧VGPMの印加の最終段階で、高い側へ電圧シフトさせる(領域4)。
次に、図6を用い、第2の実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。第2の実施形態は、非選択ビット線の非選択ワード線WLに与えられるREASB(Revised Erase Area Self Boost)方式における中間電圧VPASS、アイソレーション電圧VISO、緩衝電圧VGPについても同様に適用するものである。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
図6を用い、第2の実施形態に係るREASB方式について説明する。
上記のように、第2の実施形態に係る半導体記憶装置及びその制御方法によれば、少なくとも上記(1)及び(2)と同様の効果が得られる。
Claims (5)
- 複数のメモリセルの電流経路が直列に接続される複数のメモリセル列を備えるメモリセルアレイと、
電圧発生回路と、
制御回路とを具備し、前記制御回路は、前記メモリセルのデータ書き込み動作において、
第1非選択ワード線に印加する第1中間電圧を、選択ワード線の書き込み電圧の印加時に、階段状にステップアップさせ、
選択ワード線の少なくとも一方に隣接する第2非選択ワード線に印加する第2中間電圧を、選択ワード線の書き込み電圧の印加の途中で、前記ステップアップの大きさよりも大きく高い側へ電圧シフトさせる
半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、
前記第1中間電圧を前記書き込み電圧が立ち上がりを開始する付近で、階段状にステップアップさせ、
次に前記第2中間電圧を前記書き込み電圧の到達近傍で、高い側へ電圧シフトさせる
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記メモリセルのデータ書き込み動作において、
前記選択ワード線よりもソース線側の第3非選択ワード線にアイソレーション電圧を与え、
前記アイソレーション電圧よりもソース線側に位置する第4非選択ワード線の電圧はステップアップさせない
請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセル列の一端に接続され、ゲート電極が選択線に接続される選択トランジスタと、
前記選択トランジスタの一端に接続されたビット線とをさらに具備し、
前記制御線に第1電圧を印加した後、前記ビット線の電圧を第2電圧に上昇させ、
その後、前記第1非選択ワード線に前記第1中間電圧を印加する
請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセル列の一端に接続され、ゲート電極が選択線に接続される選択トランジスタと、
前記選択トランジスタの一端に接続されたビット線とをさらに具備し、
前記制御線に第1電圧を印加した後、前記ビット線の電圧を0Vにし、
その後、前記第1非選択ワード線に前記第1中間電圧を印加する
請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012097512A JP2013225359A (ja) | 2012-04-23 | 2012-04-23 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012097512A JP2013225359A (ja) | 2012-04-23 | 2012-04-23 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013225359A true JP2013225359A (ja) | 2013-10-31 |
Family
ID=49595310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012097512A Pending JP2013225359A (ja) | 2012-04-23 | 2012-04-23 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2013225359A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111667856A (zh) * | 2019-03-07 | 2020-09-15 | 东芝存储器株式会社 | 半导体存储装置 |
US11735277B2 (en) | 2021-03-23 | 2023-08-22 | Kioxia Corporation | Semiconductor memory device includind boosting circuit that changes generated voltages in write operation |
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2012
- 2012-04-23 JP JP2012097512A patent/JP2013225359A/ja active Pending
Cited By (3)
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CN111667856B (zh) * | 2019-03-07 | 2023-10-03 | 铠侠股份有限公司 | 半导体存储装置 |
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