KR20050101685A - 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 프로그램 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 다수의 플래시 셀이 직렬 접속된 다수의 셀 스트링을 포함하고, 소정의 명령신호에 따라 소거되거나, 선택된 플래시 셀에 소정 정보가 프로그램되거나, 상기 선택된 셀의 정보가 독출되는 다수의 셀 블록;상기 다수의 셀 블록 내의 상기 다수의 셀 스트링이 각기 접속된 다수의 소스라인; 및상기 다수의 소스라인 각각에 별도의 고전압을 인가하기 위한 소스라인 선택부를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,동작 전압에 따라 로컬 스트링 선택 신호, 다수의 로컬 워드라인 신호 및 로컬 소스 선택 신호를 포함하는 명령신호를 전송하는 X 디코더부를 더 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자.
- 제 2 항에 있어서, 상기 X 디코더부는,동작전압에 따라 각기 글로벌 스트링 선택신호를 상기 로컬 스트링 선택신호로 전송하는 스트링 전송 트랜지스터;동작 전압에 따라 글로벌 소스 선택신호를 상기 로컬 소스 선택신호로 전송하는 소스 전송 트랜지스터; 및동작 전압에 따라 다수의 글로벌 워드라인 신호를 상기 다수의 로컬 워드라인 신호로 전송하는 다수의 워드라인 전송 트랜지스터를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,제어신호에 따라 상기 셀 스트링의 드레인 단자 및 소스 단자에 가상 접지 신호를 각기 전송하는 스트링 디스차지 트랜지스터 및 소스 디스차지 트랜지스터를 포함하는 스위치부를 더 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소스라인 선택부는,동작 전압에 따라 글로벌 공통 소스라인 신호를 상기 다수의 소스라인 각각에 인가하는 소스라인 트랜지스터를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 셀 블록중 인접한 두 셀 블록이 하나의 소스라인을 공유하는 낸드 플래시 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 셀 블록은,다수의 비트라인에 각기 접속되어 비트라인 신호를 전송하는 다수의 스트링 선택 트랜지스터;소스라인에 접속되어 소스라인 신호를 전송하는 다수의 소스 선택 트랜지스터; 및직렬 접속된 다수의 셀이 상기 다수의 스트링 선택 트랜지스터와 상기 다수의 소스 선택 트랜지스터 사이에 각기 접속된 상기 다수의 셀 스트링을 포함하되, 상기 다수의 셀 스트링 내의 동일위치에 있는 상기 셀의 게이트 각각에 로컬 워드라인이 접속되어 상기 다수의 비트라인 신호, 상기 소스라인 신호 및 상기 다수의 로컬 워드라인 신호에 따라 소정의 데이터를 저장하거나 소거하는 낸드 플래시 메모리 소자.
- 다수의 셀이 직렬 연결된 다수의 셀 스트링과 상기 셀 스트링의 드레인 단자에 접속된 다수의 스트링 선택 트랜지스터와 상기 셀 스트링의 소스 단자에 접속된 다수의 소스 선택 트랜지스터를 포함하는 다수의 셀 블록과, 상기 다수의 스트링 선택 트랜지스터의 드레인 단자 각각에 접속된 다수의 비트라인 및 게이트 단자에 접속된 스트링 선택 라인과, 상기 다수의 소스 선택 트랜지스터의 소스 단자에 접속된 소스라인 및 게이트 단자에 접속된 소스 선택라인과, 상기 다수의 셀 스트링 내의 다수의 셀 게이트 각각의 게이트 단자에 접속된 워드라인과, 상기 소스라인에 소정 전압을 인가하는 소스라인 선택부를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자를 제공하는 단계;상기 스트링 선택라인에 스트링 전압을 인가하고, 상기 소스 선택 라인에 접지전원을 인가하고, 상기 워드라인에 접지전압을 인가하고, 선택된 상기 비트라인에 접지전원을 인가하고, 선택되지 않은 상기 비트라인에 패스 전압을 인가하고, 상기 소스 라인 선택부를 통해 상기 소스라인에 전원전압을 인가하는 단계; 및선택된 상기 워드라인에 프로그램 전압을 인가하고, 선택되지 않은 상기 워드라인에 바이패스 전압을 인가하여 프로그램 동작을 실시하는 단계를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그램 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 전원전압으로 3.0 내지 1.6V의 전압을 사용하고, 상기 스트링 전압 및 상기 패스전압으로 상기 전원전압을 사용하고, 상기 프로그램 전압으로는 17 내지 19V의 전압을 사용하고, 상기 바이패스 전압으로 9 내지 11V의 전압을 사용하는 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그램 방법.
- 다수의 셀이 직렬 연결된 다수의 셀 스트링과 상기 셀 스트링의 드레인 단자에 접속된 다수의 스트링 선택 트랜지스터와 상기 셀 스트링의 소스 단자에 접속된 다수의 소스 선택 트랜지스터를 포함하는 다수의 셀 블록과, 상기 다수의 스트링 선택 트랜지스터의 드레인 단자 각각에 접속된 다수의 비트라인 및 게이트 단자에 접속된 스트링 선택 라인과, 상기 다수의 소스 선택 트랜지스터의 소스 단자에 접속된 소스라인 및 게이트 단자에 접속된 소스 선택라인과, 상기 다수의 셀 스트링 내의 다수의 셀 게이트 각각의 게이트 단자에 접속된 워드라인과, 상기 소스라인에 소정 전압을 인가하는 소스라인 선택부를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자를 제공하는 단계;상기 스트링 선택라인에 접지전원을 인가하고, 상기 소스 선택라인에 펌핑전압을 인가하고, 선택된 상기 비트라인에 접지전원을 인가하고, 선택되지 않은 상기 비트라인에 패스전압을 인가하고, 선택된 상기 워드라인에 프로그램 전압을 인가하고, 선택되지 않은 상기 워드라인에 바이패스 전압을 인가하고, 상기 소스라인 선택부를 통해 상기 소스라인에 프리차지전압을 인가하는 단계;상기 소스 선택라인에 접지전원을 인가하는 단계; 및상기 스트링 선택라인에 상기 패스전압을 인가하는 단계를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그램 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 펌핑전압 및 상기 프리차지전압으로 9 내지 13V의 전압을 사용하고, 프로그램 전압으로는 17 내지 19V의 전압을 사용하고, 바이패스 전압으로 9 내지 11V의 전압을 사용하고, 상기 패스전압으로 상기 스트링 선택 트랜지스터의 문턱전압보다는 크고, 전원전압보다 낮거나 동일한 전압을 사용하는 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그램 방법.
- 다수의 셀이 직렬 연결된 다수의 셀 스트링과 상기 셀 스트링의 드레인 단자에 접속된 다수의 스트링 선택 트랜지스터와 상기 셀 스트링의 소스 단자에 접속된 다수의 소스 선택 트랜지스터를 포함하는 다수의 셀 블록과, 상기 다수의 스트링 선택 트랜지스터의 드레인 단자 각각에 접속된 다수의 비트라인 및 게이트 단자에 접속된 스트링 선택 라인과, 상기 다수의 소스 선택 트랜지스터의 소스 단자에 접속된 소스라인 및 게이트 단자에 접속된 소스 선택라인과, 상기 다수의 셀 스트링 내의 다수의 셀 게이트 각각의 게이트 단자에 접속된 워드라인과, 상기 소스라인에 소정 전압을 인가하는 소스라인 선택부를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자를 제공하는 단계;상기 스트링 선택라인에 접지전원을 인가하고, 상기 소스 선택라인에 펌핑전압을 인가하고, 선택된 상기 비트라인에 접지전원을 인가하고, 선택되지 않은 상기 비트라인에 패스전압을 인가하고, 다수의 상기 워드라인에 접지전원을 인가하고, 상기 소스라인 선택부를 통해 상기 소스라인에 프리차지전압을 인가하는 단계;선택된 상기 워드라인에 프로그램 전압을 인가하고, 선택되지 않은 상기 워드라인에 바이패스 전압을 인가하는 단계;상기 소스 선택라인에 접지전원을 인가하는 단계; 및상기 스트링 선택라인에 상기 패스전압을 인가하는 단계를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그램 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 펌핑전압 및 상기 프리차지전압으로 3 내지 6V의 전압을 사용하고, 상기 프로그램 전압으로는 17 내지 19V의 전압을 사용하며, 상기 바이패스 전압으로 9 내지 11V의 전압을 사용하며, 상기 패스 전압으로 상기 스트링 선택 트랜지스터의 문턱전압보다는 크고, 전원전압보다 낮거나 동일한 전압을 사용하며, 상기 전원전압으로 1.6 내지 3.0V의 전압을 사용하는 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그램 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040026766A KR100559714B1 (ko) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 프로그램 방법 |
US10/888,067 US7212439B2 (en) | 2004-04-19 | 2004-07-09 | NAND flash memory device and method of programming the same |
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JP2004242056A JP2005310347A (ja) | 2004-04-19 | 2004-08-23 | Nandフラッシュメモリ素子及びそのプログラム方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040026766A KR100559714B1 (ko) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 프로그램 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050101685A true KR20050101685A (ko) | 2005-10-25 |
KR100559714B1 KR100559714B1 (ko) | 2006-03-10 |
Family
ID=35096093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040026766A KR100559714B1 (ko) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 프로그램 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7212439B2 (ko) |
JP (1) | JP2005310347A (ko) |
KR (1) | KR100559714B1 (ko) |
TW (1) | TWI276104B (ko) |
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- 2004-07-16 TW TW093121374A patent/TWI276104B/zh active
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