TW200941557A - Susceptor for vapor phase epitaxy and vapor phase epitaxy apparatus - Google Patents

Description

200941557 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在藉由氣相成長的磊晶矽晶圓的製造 中，用以載置單晶矽基板的氣相成長用承受體（基座）、以 及具備此的氣相成長裝置。 【先前技術】 〇 先前，已知有於單晶矽基板（以下，有簡稱為晶圓的 情況）的主表面上氣相成長矽磊晶層（以下，有簡稱為磊 晶層的情況）’以製造磊晶矽晶圓（以下，有簡稱為磊晶晶 圓的情況）的方法。 如此的磊晶晶圓的製造，係一邊加熱配置於反應容器 内的晶圓，一邊供給矽原料氣體至該晶圓的主表面上，藉 由使蟲日日層氣相成長而進行。 ❹ 一般地，晶圓係一邊保持於設有柱坑部（凹部 (counterbore))的承受體上，一邊被加熱，但有於承受體的 柱坑底面形成網狀圖樣的溝的情況（日本專利公開公報特 開平8-8198號）。形成溝的主要目的係形成氣體的通路， 除了防止載置晶圓時發生位置偏移之外，也有在取出晶圓 時容易從承受體取出的效果。 但是，網狀圖樣的溝的形狀，會對於晶圓載置時的彎 曲、Ba圓外周部的溫度降低、背面外周部的矽的堆積等之 磊晶晶圓的品質造成影響。 200941557 晶圓的栽而言’單片式的反應裝置中，為了提高生產率， 推"置係於承受體的溫度為400°C〜90(TC的高溫的狀 :劇地：此時’因為原本是室溫的晶圓’於承受體上被 加熱時的彎曲15mm的彎曲。與上述通常 的零曲相較’晶圓載置時的彎曲係100倍以上極大 距，而有因晶圓背面中心與承受體接觸而發生傷痕、 :是晶圓與晶圓載置用的移載機具接觸而發生傷 1外’形成有網狀圖樣的溝的承受體，若與無溝的承 "較’有晶圓外周部的溫度容易降低的傾向。若晶圓 的溫度降低，則外周的爲晶層的膜厚容易變薄，而 成為B曰圓面内的膜厚分布惡化的原因。 另外’進入晶圓背面與承受體之間的矽原料氣體，於 曰曰θ的背面堆積，有平坦度惡化的情況（參照第4圖）。特 別疋對於在其背面已形成有氧化膜的晶圓，要進行除去背 面：最外周部的〇.5〜 lmm的氧化膜的處理（團塊處理）， 但是因為石夕會集中堆積於氧化膜除去處理部分，此時 垣度會更加惡化。 【發明内容】 本發明係有鑑於上述課題而開發出來， _ ^ 八曰的係： —種氣相成長用承受體以及具備此的氣相成長裝置， 改善··因晶圓外周部溫度降低所造成的膜厚降低、晶 200941557 置時的彎曲、晶圓背 用以達成上述目的本發明，係積J的問題。 體，其係於用以在晶圓表面氣相成長種氣相成長用承受 中，用以支持晶圓的承受體 ：膜的氣相成長裝置 成可收容晶圓的柱坑部，在該柱坑部=在該承受體，形 樣的溝形成多數個方形凸 、 底面，藉由網狀圖 的溝深度，較令央部淺。 上述柱坑部底面的外周部中 ❹ ❹ 如此，針對於載置晶圓的柱 的溝形成有多數個方形 。纟面’藉由網狀圖樣 坑部底面皆同樣， 又體，若溝深度並非於柱 度較中央部I相=柱坑部底面的外周部中的溝深 的溫度降低所造成的膜厚降:受=可防止晶圓外周部 晶圓背面外周部的矽堆積 ：：圓載置時的彎曲、 . 了传到南品質的磊晶晶圓。 另外’從上述中央部至p、+、m 化，係連續地變淺為較佳。”發生的溝深度的變 =此針對上述氣相成長用承受體，若從晶圓載置面 就是柱坑部底面的中央部至外周部所產生的溝渫度的變 化，係連續地變淺，則於中央部與外周部的交界部，不會 因心劇地/皿度變化而發生遙晶層的膜厚急劇地變化的可 能可防止奈米形貌、SEMI規格的平坦度的定義之一的 ° P 平；L· 度（Site flatness least square range ; SFQR)惡化， 而可得到高品質的磊晶晶圓。 另外’較佳為：上述柱坑部底面的外周部中的最淺的 4冰度，在於〇 〇1〜〇 〇8mm的範圍，較上述外周部更内侧 5 200941557 的中央部申的最深的溝深度， 如此，㈣" 〇.5_的範圍。 如此針對上述氣相成長用承受體 面的外周部令的最淺的溝深度，俜在001 〇 部底 圍，較上述外周部更内側的中央 在〇」〜〇.5mm的範圍，則可 ’、 改盖晶圓北&冰田 日日圓的外周部溫度降低、 曲圓月面外周部的石夕堆積，且可防止晶圓的滑移、f ❹ ❹ 另外，較佳為：上述外周部 心圓站,+ t 與迹中央部的交界係同 ^圓狀’上述外周部的領域 域係攸上述柱坑部底面的外周端 算起10mm〜50mm的範圍。 ^此針對上述氣相成長用承受體，若晶圓載置面也 坑部底面的外周部與十央部的交界係同心圓狀，上 ^卜周P的4域係從上述柱坑部底面的外周端算起醜 50mm的範圍，則可改善載置在承受體時的晶圓的滑移、 彎曲’而可得到均勾性優良的蟲晶晶圓。 另外，上述承受體較佳係由石墨製的基材以碳化石夕被 覆而成者。 如此’上述氣相成長用承受體，若是由石墨製的基材 以碳化石夕被覆而成纟，則可為生產良率高、難以放出不純 物’且熱傳導性、耐久性優良的高品質的承受體。 另外’本發明係提供-種氣相成長裝置，其係至少具 備上述的氣相成長用承受體。 、如此，方疋至少具備上述的氣相成長用承受體之氣相 成長裝置則可防止因晶圓外周部的溫度降低所造成的膜 200941557 :降低’、改善晶圓栽置時的-曲、晶圓背面外周部的石夕堆 ^成為可侍到向品質的磊晶晶圓之氣相成長裝置。 右依本發明，針對於晶圓載置面具有藉由網狀圖樣的 溝而形成的多數個方形凸部之氣相成長用承受體 度並非於晶圓載置面皆同樣，而為外周部較中央部淺，藉 此’可防止因晶圓外周部溫度降低所造成的膜厚降低，改 善晶圓載置時的弯曲、晶圓背面外周部的梦堆積， ❹ ❹ 【實施方式】 於此 以下’說明關於本發明的實施形態’但本發明不限定 先前，對於在柱坑底面形成有網狀圖樣的溝之承受 體’有因晶圓外周部的溫度降低而引起的膜厚降低、晶圓 載置時的弯曲、晶圓背面外周部的石夕堆積等的問題。 為了解決上述課題，本發明者對於各種承受體的網狀 圖樣的溝的形狀，關於载置時的晶圓㈣曲與晶圓的外周 溫度降低量、以及晶圓背面部的料積量，進行檢討。其 結果發現，針對在其心載置晶”柱坑部底面具㈣^ 網狀圖樣的溝而形成的多數個方形凸部之蟲晶♦晶圓的製 造：承受體，藉由採用其外周部較中央部淺的承受體，而 不是採用如先前的承受體般的溝深度於晶圓載置面中皆是 相同的承受體’便可改善：0晶圓外周部溫度降低而造成 的膜厚降低、晶圓載置時的彎曲、晶圓背面外周部的料 200941557 積等的情況。因此，可謀炎故盖否a a , J咮求？文唇备晶層的面内均勻性、抑 制基於彎曲而發生的傷濟、b圓番a , 旧揚痕、日日圓I面的堆積的改善，而能 夠提高平坦度等。 以下，參照圖式來說明本發明的實施形態，但本發明 不限定於此。 ❹ ❹ 首先’第1圖係表示本發明之氣相成長用承受體的一 例的圖。 第1圖（a )所不，承受體1係例如大約形成圓盤狀’ 在其主表面形成用以收容晶圓於該主表面上的俯視大約為 圓形的凹部也就是柱坑部2。另外，如第i圖（心、⑴ 所示，在柱坑部底面3上，設有網狀圖樣的溝以作為氣體 通路’並形成多數個方形凸部6。另外，上述承受體i，其 柱坑部底面的外周部4的墦..签痒 ^ ^ (參照第…：㈣’較中央部5的溝深度淺 圖檨第1圖（C)、（d)係上述承受體1中的由網狀 2 f所形成的方形凸部6的擴大圖，此溝係以0.6〜 2mm的間距形成（參 凸邱“ 芩…、第1圖（°)，破此溝包圍而形成的 凸=頂面較佳為邊長一一的正方形(參照" 生位置I:且:此網狀圖樣的溝，除了防止栽置晶圓時發 的效果。之夕’也有在晶圓取出時容易從承受體1取出 生：溝:二=受體1中，從中央部5至外周部4所產 J再/术度的變化，較佳係嬙 係連續地變淺。從中央部至外周 200941557 部產生的溝深度的變化，若為連續，則於交界部不會有急 劇的’皿度變化’可防止磊晶層的膜厚急劇地變化，而能防 止奈米形貌、局部平坦度(SFQR)惡化。為了避免如此的品質 惡化，溝深度的變化，較佳係作成連續地變化。 晶圓外周部的溫度降低，係與溝的深度 深溫度下降越大的傾 貝肖另外’背面的料積，亦有溝越 Φ ❹ 了-二二的傾向，外周部中的溝深度越淺為較佳，但 而形成淺的溝，則氣體的通路不會阻 此，柱坑部底面的外^二 移的顧慮。因 〜。_。8_的範圍：上:二淺的溝深度’是在0·。1 悬π的墦 乂上述外周部4更内側的中央部5中 最-的溝深度’較佳是在〇1〜〇 5_ 的承受體’可防止晶圓外周 ^如此 積，且可防止晶圓的滑移、f曲。 改。者面的石夕堆 另外，上述承受體i中，柱 央部5的交界係同心圓狀，"、…的外周4與中 從上述柱坑部底面二二=卜^4的領域，較佳是 扪卜周端算起l〇mm〜 5〇mm B曰圓栽置面的溝越深，向承受體載置時曰 移、管曲，越有改善。因此二載置時的晶圓的滑 中央部的面積以較廣為佳。溝較深的 則溝較淺的外周部、邛的面積過廣， =低、背面外周部的石夕堆積量增加等^外周部的溫 周部的領域，較佳^問題。因此，外 〜5。咖的範圍。另坑部底面的外周端算起! 外，因外周部與中央部的交界為同心圓 200941557 狀，可製造面内均勻性優良的磊晶晶圓。 另外，上述承受體1的構成材料，較佳是採用以石墨 為基材，並被覆碳化矽膜而成者。基材以採用石墨為較佳 的原因，係因與開發當初的氣相成長裝置的加熱方式的主 流為高周波感應加熱相關連’除此以外，亦有容易取得高 純度品、加工容易、熱傳導性優良、難以破損等的優點。 但是，由於石墨係多孔質體，在製程中有放出吸藏氣體的 可能性’另外’有在氣相成長的過程中，石墨與原料氣體 反應，承受體的表面變化為碳化矽等的問題。因此，最初 將表面被覆碳化矽的被覆膜的構成係一般化。此碳化矽的 被覆膜通常係藉由化學氣相成長法（CVD)來形成50〜200 // m的厚度。 接著，第2圖中表示本發明之氣相成長裝置的一例。 如第2圖所:，氣相成長裝置u係具備：由透明石英所構 成的反應谷"1 2，以及設於及雇交^ έΛ rtn A. 參 、夂應合益的内部，將矽基板（晶 圓）w支持於其頂面上的承受冑13。此氣相成長裝置u 中所具備的承受體丨3係依據本發明的承受體，例如 用第1圖所示的承受體1。 反應容器121有氣相成長用氣體導q 14，用 包含原料氣體（例如三氯碎烧）以及載體氣/ 的氣相成長用氣體，導入反應容器12 歹,虱氣） 領域，而供給至承受體上的晶圓的主表面内：受體的上侧的 應容器的設有氣相成長用氣體導入管料，於反 洗氣體營〗S 目同御丨’設有沖 洗虱體管1 5，用以將沖洗氣體（例如 τ ;)導入反應容器 200941557 中的承受體的下側的領域。 再者’於反應容器的設有氣相成長肖氣體導入管與 洗氣體導入管側的相反側，設有排氣管 :, α _ 用以將反應容 器内的氣體（氣相成長用氣體以及沖洗氣體）排氣。 反應容器的外部，設有從上側與下側加熱反應容器ι 的複數個加熱裝置17a、17b。作為加熱裝置，例如可舉 ❹ 鲁 齒素燈等。又，隨意地設定了加熱裝置的數量，但 並無限制。 —数量 另外，承受體u的背面，設有用以支持承受體η 承受體支持構件18，此承受體支持構件係可往上下方向蒋 動’且可旋轉。 "移 另外，採用包含如上所述的本發明之氣相成長用承受 體之氣相成長裝置U，可藉由以下的方法 曰Β TS1 、 心辟日日日曰 圓。最初’將晶圓W投入至Ρ,敕或4 。 _ 仅八主匕調整為投入溫度（例如65〇 C)的反應容器12内，其主表面6卜 番 、录面向上而載置於承受體頂面 的柱坑部13a上。在此，從投入曰圓 a 仅八日日圓W的刖階段，分別經 由氣相成長用氣體導入管14以及沖洗氣體管Μ，將氫氣 導入反應容器12中。接著’承受體13上的晶圓，藉由加 熱裝置17a、17b加熱至氫氣熱處理溫度（例如⑴〇〜⑴〇 C )為止。 接著，進行用以除去於晶圓W的纟 、 圓…的主表面上所形成的自 然氧化膜的氣相姓刻。又，士卜名4 J 此軋相蝕刻，具體地，係進行 至次一製程也就是氣相成長之前為止。 接著’將晶圓W降溫至預定的成長溫度（例如刪〜 200941557 1150°C)為止，分別經由氣相成長用氣體導入管14， %晶 圓表面W的主表面上，大約水平地供給原料氣體（例如三 氯矽烷），並經由沖洗氣體導入管15大約水平地供给沖洗 氣體（載體氣體··例如氫氣），藉此，於晶圓w的主表面 上氣相成長磊晶層’來製造磊晶晶圓。又，沖洗氣體係以 較原料氣體更高壓时式來進行H此料了原料氣鐘 從反應容器與承受體13之間的間隙進入下側的空間。 ❹ 最後，將磊晶晶圓降溫至取出溫度（例如650。匸）為止， 然後搬出反應容器12外。 、如此，若利用具備本發明之氣相成長用承受體之氣相 成長裝置來製造磊晶晶圓’則於晶圓載置面具有以網狀圖 樣的溝而形成的多數個方形凸部之氣相成長用承受體中， 因溝深度於晶圓載置面並非同樣，而為外周部較中央部 淺’藉此可改善基於因晶圓外周部溫度降 膜厚 降低而導致的遙晶層的膜厚均⑽的劣化的膜厚 沾镞1 的劣化、因晶圓載置時 的彎曲所造成的傷痕發生、因晶 a T U日日圓貪面外周部的矽堆積所 地成的平坦度的惡化等的問題。 以下’例舉本發明的實施例 , ^ I關比較例，更具體地說明， 但本發明不限定於此。 (實施例、比較例） 製作第3圖所示的形狀 例1、7 q„ 又體I作為實施例卜比較 、3,並採用這些承受體 (a )植止二也山 个衣知·為日日日日圓。第3圖 )係先則形狀的氣相成長用 又骽其柱坑部底面的溝 12 200941557 深度全面-律是〇.lmm (比較例υ。另外，如第3圖⑴ 所示的承受體係全面一律是0 02mm(比較例2)。再者， 如第3 ® (〇所示’製作出其溝深度係至柱坑部底面的直 徑180mm為止的中央部領域為〇 lmm，較直徑i8〇mm更 外側為無溝的形狀的承受體（比較例3 >另外，如第3圖 (c〇所示，製作出具有柱坑部底面的溝深度係至直徑 180_為止的中央部領域為〇 lmm，從此處開始向外周側 ❹傾斜地變化成〇·〇2_(逐漸地變淺）的形狀的承受體（實施 例1 )。 又上述實知例1、比較例1 — 3中的各承受體，係統 一地設為：碳化矽的被覆的厚度係1〇〇/im、柱坑直徑係 208mm、網狀的間距係〇 7mm、溝的寬度係〇 。 (1 )外周溫度降低的概算 首先，另外準備直徑200mm、電阻率1 〇 q · cm、主表 面的面方位<100>的P—型矽晶圓，並經離子植入n型不 β純物之鱗而成者，來作為溫度評價用的試驗用晶圓。此離 子植入係以離子加速能量5〇〇KeV、劑量3 〇χΐ〇14/^2來 進行對於經離子植入之試驗用晶圓，利用已知溫度特性 的熱擴散爐，施以3〇分鐘熱處理之後，測定薄片電阻，預 先製作檢定線，以可根據薄片電阻來換算處理溫度。 接著，採用實施例1、比較例i—3的承受體，將與經 述離子植入之化度3平價用的試驗用晶圓相同處理後的評 價用BB圓以預定溫度熱處理3 0分鐘後，以四短針測定器 測定薄片電阻，使用預先得到的檢定線來換算溫度。薄片 13 200941557 電阻的測定位置係距晶圓的外周端5mm與距外周端〗 的位置’箅出其差值來作為溫度降低量。 另外，採用上述的實施例1、比較例i — 3的承受體以 及具備此的氣相成長裝置，對直徑200mm、p型、結晶方 位<1〇〇>、背面CVD氧化膜厚度5〇(^m的晶圓施：團曰塊 處理之後，使未摻雜的磊晶層成長厚度7〇/Wm，分別製作 出遙晶晶圓。 ❻採用實施例1、比較例1 — 3的承受體製作出來的磊晶 晶圓的品質，以（2 )背面外周部矽堆積量測定、（3 )因晶 圓載置時的彎曲所造成的傷痕不良、（4 )晶圓載置時的滑 移之四種態樣的評價方法來評價。 (2 )背面外周部矽堆積量測定 因石夕未堆積於背面CVD氧化膜上，矽係從團塊處理部 起堆積’因此測定從CVD氧化膜起的團塊處理部的高度曲 線。 © (3)因晶圓載置時的彎曲所造成的傷痕不良 遙晶成長後’將晶圓進行鹵素燈下外觀目視檢查，檢 查傷痕的有無。 (4 )晶圓載置時的滑移 在常溫的狀態下，藉由目視檢查將晶圓載置於承受體 上時，晶圓是否於柱坑部内滑移來評價。 將採用上述的實施例1、比較例1 — 3的承受體而進行 的外周溫度降低的概算結果、以及採用實施例1、比較例丄 ~ 3的承受體製作出來的磊晶晶圓中的品質評價的結果， 200941557 表示於第1表。 第1表 溝深度 晶圓外周 溫度降低 背面外周部 矽堆積量 因晶圓載置時 的彎曲所造成 的傷痕不良 晶圓載置 時的滑移 其他的 品質 比較例1 全面一律為 O.lrnin -1.6°C 7.0μιη 無 無 比較例2 全面一律為 〇.〇2mm -0.5°C 3.5μιη 有 有 比較例3 "~~--- t 央部：0.1mm 外周部：無溝 -0.2°C 3.4μιη 鱼 #»*> _— 有 於交界 部有膜 厚段差 實施例1 — 中央部：0.1mm 外周部：0.02〜 g-Imm (傾斜狀）_ -0.4°C 3.5μιη 無 -----—-- 無 m乐1表，採用實施例1、 出央沾石 贷"比較例2、3的承受體絮 ❹ 低量：晶圓與比較例1相較’成為晶圓外周溫度的 低量小、背面外周部的石夕堆積 枉坑部底面全面形成一律為 ：:[方面’ 體的情況，晶圓外的溝的比較例1的承 積量“ I 耆地降低，背面外周部” Γ::::是採用外周部無溝的比較例3的承受 圓外周溫度：低低:：少：發堆積量亦少’因此可知， 深度越淺，會變得越广:底面的外周部的網狀圖樣的 另外可知，柱坑部底， 15 200941557 的中央部的溝木度，係與晶圓外周溫度降低、背 珍堆積沒有關係。 外周部 另方面’因晶圓载置時的彎曲造成的傷痕 發生於中央部的網妝m禅 不良’僅 的網狀圖樣的溝較淺的比較例2， 中央部的溝深度較深者係難以發生，而外 則咖響。但是，如比較例3般地，可知若 Ο 溝’全消除時’會發生晶圓的滑移。由此可知，如實 1般地’即使外周部中 如實施例 料成淺淺地，亦不會發生滑移。 卜可知’如比較例3般地，若急劇地改變溝、 ^晶層的膜厚形狀會於其部位改變，而有影響奈米；貌 這樣的平坦性品質的0j· @ m ’、 買的U。因此可知’改變溝深度時， 較佳疋不急劇地改變’而如實施例i般地，漸漸變化。 圓二的結果可知，如實施例1般地，若是形成其晶 圓載置面也就是柱坑部底面的外周部中的溝深度較中央部 淺之氣相成長用承受體’即可改善：因晶圓外周部溫度降 低所造成的膜厚降低、晶圓載置時的彎曲、晶圓外周部的 背面的堆積。另外’如實施们般地，因從柱坑部底面的 中央邛至外周冑’溝深度係連續地改變而變淺，因此不會 有影響到㈣形貌這樣的平坦性品質的可能性，而可製造 出高品質的磊晶晶圓。 又，本發明並非被限定於上述實施形態者，上述實施 形態僅為例示’凡是具有和本發明申請專利範圍所記載之 技術思想實質相同之構成’可達到同樣之作用效果者，皆 包含在本發明之技術範圍中。 200941557 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本發明之氣相成長用承辱艘μ 又體的—例的 圖；（a )剖面圖、（b )平面圖、（c )凸部擴大剖面圖（d、 凸部的頂面擴大圖。 第2圖係表示本發明之氣相成長裝置的—例的圖。 第3圖係表示在實施例、比較例中製作出來的承受體 的圖。 0 第4圖係關於背面外周部矽堆積的說明圖。 【主要元件符號說明】 1 ： 承受體 2 ： 柱坑部 3 ： 底面 4 ： 外周部 5 ： 中央部 6 ： 凸部 11 :氣相成長裝置 12 ： 反應容器 13 :承受體 13a :桎坑部 14 :氣體導入管 15 ： 沖洗氣體管 16 :排氣管 17a :加熱裝置 17b :加熱裝置 18 ： 支持構件 W •晶圓 17

Claims (1)

1. 200941557 七、申請專利範圍： ι_ -種氣相成長用承受體，其係於用以在晶圓表面氣相 成長薄膜的氣相成長裝置中，用以支持晶圓的承受體，其 特徵為： 在該承受體，形成可收容晶圓的柱坑部’在該柱坑部 的底面，藉由網狀圖樣的溝來形成多數個方形凸部，上述 柱坑部底面的外周部中的溝深度，較中央部淺。 ❹2.⑹中請專利範圍第！項所述的氣相成長用承受體，其 中從上述中央部至上述外周部發生的溝深度的變化，係連 續地變淺。 3.如申請專利範圍第！項所述的氣相成長用承受體，其 中上述柱坑部底面的外周部中的最淺的溝深度，係在Μ 0-08mm的範圍，較上述外周部更内側的中央部中的最深 的溝深度，係在的範圍。 Ο 4·如申請專利範圍第2項所述的氣相成長用承受體，其 中上述柱坑部底面的外周部中的最淺的溝深度，係在0.01 〜〇.〇8mm的範圍，較上述外周部更内側的中央部中的最深 ，的溝深度’係在0.1〜〇.5mm的範圍。 5.如申請專利範圍第丨項所述的氣相成長用承受體，其 中上述外周部與上述中央部的交界係同心圓狀，上述外周 的領域係從上述柱坑部底面的外周端算起1〇脑〜職 的範圍。 18 200941557 6. 如申請專南丨ϊ=ι α τ〜乾圍第2項所述的氣相成長用承受體，其 中上述外周部盘 一上述中央部的交界係同心圓狀，上述外周 部的領域係從、+. “ & 返柱坑部底面的外周端算起10mm〜5 0mm 的範圍。 7. 如申請專利笳®1 、 圍第3項所述的氣相成長用承受體，其 t_L述外周部舆上 < r夹邠的交界係同心圓狀，上述外周. 的領域係從上逋扣p加办 上之柱坑部底面的外周端算起10mm〜50m Ο Ο 的範圍。 8·如申請專利範圍第4 Ji所、十、# 上 闽乐4項所述的氣相成長用承受體，其 中上述外周部與上述中央Μ &六、 ^ t T夹σΡ的父界係同心圓狀，上述外周 部的領域係從上述柱坑邱 一 几邛底面的外周端算起10mm〜5〇mm 的範圍。 9. 如申請專利範圍第丨至8瑁 m ^ . 項之任一項所述的氣相成長 用承受體，其中上述承夸神在 涛 又體係由石墨製的基材以碳化矽被 覆而成者。 攸 10. —種氣相成長裴置，其特徵為： 至少具備申請專利範圍第f ,. 至8項之任一項所述的氣 相成長用承受體。 ' U•—種氣相成長襞置，其特徵為. 至少具備申明專利範圍第9货^ 體。 項所述的氣相成長用承受