JP5654901B2 - 支持方法、これを用いた高温処理方法、及び支持治具 - Google Patents
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Description
本発明に係る支持方法及び支持治具の一実施形態について、以下に説明する。
まず、本発明に係る支持方法の一実施形態の概要について、図1を参照して説明する。図1は、本発明に係る支持方法の一実施形態を説明するための図である。
本実施形態では、被支持面13aの内周部13aaにおける少なくとも三点を支持点14として、重力に抗して支持体13を支持する。支持体13を安定に支持するという観点からは、支持点14とする点の全てが一直線上に存在していないことが好ましい。例えば、内周部13aa内における任意の多角形の各頂点を支持点14として支持してもよい。このように、少なくとも三点を支持点14として支持することにより、支持体13を安定に支持することができる。
次に、本発明に係る支持治具の一実施形態について、図3及び図4を参照して説明する。図3は、本発明に係る支持治具の一実施形態を示す図である。図4は、本発明に係る支持治具を用いて支持体を支持する方法を説明するための図である。なお、図4には、ウエハ11と支持体13との積層体10を支持している支持治具20を横から見た断面図を示す。図4の右側の図は、図4の左側の図における要部を拡大して示す図である。
ここで、支持部22の数及び配置の変形例を図5(a)〜(e)にいくつか示すが、本発明は特にこれらに限られるものではない。図5(a)〜(e)は、本発明に係る支持治具の一実施形態における支持部の配置の変形例を示す図である。なお、図5(a)〜(e)は、支持治具20A〜20Eを上から見た平面図である。
次に、本発明に係る支持方法及び支持治具の他の実施形態について、以下に説明する。なお、本実施形態においては、上述した第1実施形態における構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。ここでは、主に第1実施形態と異なる点について説明する。
本発明に係る支持方法の他の実施形態について、図6及び図7(a)〜(b)を参照して以下に説明する。図6は、本発明の他の実施形態を説明するための図であり、支持体13を横から見た断面図を示す。また、図7(a)〜(b)は、本発明の他の実施形態における支持点の配置の例を示す図である。なお、図7(a)〜(b)は、支持体13を被支持面13a側から見た平面図であり、一点鎖線は内周部13aaと外周部13abとの境界を示す。
次に、本発明に係る支持治具の他の実施形態について、図8及び図9を参照して以下に説明する。図8は、本発明に係る支持治具の他の実施形態を示す図である。また、図9は、図8に示す支持治具の一部を示す図である。なお、図8は、ウエハ11と支持体13との積層体10を支持している支持治具30を横から見た断面図である。また、図9は、支持治具30のうち、支持プレート21と支持部22とのみを示す平面図である。
次に、本発明に係る高温処理方法の一実施形態について説明する。
樹脂として、シクロオレフィンコポリマー(「TOPAS」(商品名)8007、ポリプラスチックス社製)を用いた。この樹脂を、p−メンタンに、樹脂固形分濃度が25重量%となるように溶解し、また酸化防止剤IR1010(BASF社製)を樹脂固形分に対して5重量%となるように添加して、接着剤組成物を調製した。
本実施例では、支持体としてガラス基板を使用し、ウエハとして直径300mmのシリコンウエハを使用した。また、接着剤組成物として、上述した調製方法により調製した接着剤組成物を使用した。
本実施例では、実施例1と同様に積層体10を作製し、ウエハ11を薄化させた。その後、この積層体10を、支持部22が配置される同心円の直径が240mm(支持プレート21の直径に対して80%)である点以外は、実施例1で用いた支持治具と同様の構成の支持治具により支持した。この状態で、実施例1と同様に加熱工程を行なった後に冷却し、反り量を測定した。
本実施例では、実施例1と同様に積層体10を作製し、ウエハ11を薄化させた。その後、この積層体10を、支持部22が配置される同心円の直径が270mm(支持プレート21の直径に対して90%)である点以外は、実施例1で用いた支持治具と同様の構成の支持治具により支持した。この状態で、実施例1と同様に加熱工程を行なった後に冷却し、反り量を測定した。
本実施例では、実施例1と同様に積層体10を作製し、ウエハ11を薄化させた。その後、この積層体10を、支持部22が配置される同心円の直径が285mm(支持プレート21の直径に対して95%)である点以外は、実施例1で用いた支持治具と同様の構成の支持治具により支持した。この状態で、実施例1と同様に加熱工程を行なった後に冷却し、反り量を測定した。
本実施例では、実施例1と同様に積層体10を作製し、ウエハ11を薄化させた。その後、この積層体10を、図10に示す支持治具20Fと同じ構成の支持治具により支持した。図10は、本発明に係る支持治具の一実施例の構成を示す平面図である。
本実施例では、実施例1と同様に積層体10を作製し、ウエハ11を薄化させた。その後、この積層体10を、図11に示す支持治具20Gと同じ構成の支持治具により支持した。図11は、本発明に係る支持治具の他の実施例の構成を示す平面図である。
本実施例では、実施例1と同様に積層体10を作製し、ウエハ11を薄化させた。その後、この積層体10を、図8及び図9に示す支持治具30と同じ構成の支持治具により支持した。本実施例で用いた支持治具は、支持プレート21の中心点に配置されている一つの支持部22と、被支持面13aの外周部13abを支持する四つの外周支持部23とを備えていた。また、縦型ボート50としては、石英により構成されたボートを用いた。
本比較例では、実施例1と同様に積層体10を作製し、ウエハ11を薄化させた。その後、この積層体10を、従来の方法で支持した。
13 支持体(被支持基板)
13a 被支持面
13aa 内周部
13ab 外周部
14、15 支持点
20、20A〜H 支持治具
21、21’ 支持プレート
22 支持部
23 外周支持部
30 支持治具
Claims (4)
- ウエハが貼り付けられている被支持基板を支持する支持方法であって、
上記被支持基板における上記ウエハが貼り付けられている面とは反対側の円形である被支持面の中心点と、外周部における少なくとも三点とを支持点とし、上記少なくとも三点の支持点は、被支持面の外周部に非均等に位置しており、重力に抗して支持することを特徴とする支持方法。 - 請求項1に記載の支持方法を用いて上記被支持基板を支持した状態で、上記ウエハを高温処理することを特徴とする高温処理方法。
- 被支持基板における被支持面に対向して配置されることにより、当該被支持基板を支持する支持治具であって、
支持プレートと、
上記支持プレート上に形成され、上記被支持面を重力に抗して支持する支持部と、を備え、上記支持部は、円形である被支持面の中心点と、外周部における少なくとも三点とを支持し、上記少なくとも三点を支持する支持部は、被支持面の外周部に非均等に位置していることを特徴とする支持治具。 - 上記支持部の先端は、上記被支持面と点接触する形状であることを特徴とする請求項3に記載の支持治具。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011042954A JP5654901B2 (ja) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | 支持方法、これを用いた高温処理方法、及び支持治具 |
TW101105633A TWI518837B (zh) | 2011-02-28 | 2012-02-21 | 支撐方法、使用該支撐方法之高溫處理方法及支撐治具 |
US13/404,254 US9064915B2 (en) | 2011-02-28 | 2012-02-24 | Support method, high-temperature treatment method using same, and support jig |
KR1020120019436A KR101555404B1 (ko) | 2011-02-28 | 2012-02-27 | 지지 방법, 이것을 이용한 고온 처리 방법, 및 지지 지그 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011042954A JP5654901B2 (ja) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | 支持方法、これを用いた高温処理方法、及び支持治具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012182234A JP2012182234A (ja) | 2012-09-20 |
JP5654901B2 true JP5654901B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=46718279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011042954A Active JP5654901B2 (ja) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | 支持方法、これを用いた高温処理方法、及び支持治具 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9064915B2 (ja) |
JP (1) | JP5654901B2 (ja) |
KR (1) | KR101555404B1 (ja) |
TW (1) | TWI518837B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2995394B1 (fr) * | 2012-09-10 | 2021-03-12 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de support d'une pluralite de substrats pour un four vertical |
CN103743239B (zh) * | 2013-12-27 | 2015-05-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 石英卡夹装置及其制作方法与带该石英卡夹装置的oled高温炉 |
TWI552336B (zh) * | 2014-12-16 | 2016-10-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 半導體元件之高深寬比結構 |
JP7258277B1 (ja) | 2022-05-31 | 2023-04-17 | 株式会社レゾナック | SiC基板及びSiCエピタキシャルウェハ |
KR20230169019A (ko) | 2022-05-31 | 2023-12-15 | 가부시끼가이샤 레조낙 | SiC 기판 및 SiC 에피택셜 웨이퍼 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3151118B2 (ja) * | 1995-03-01 | 2001-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JPH09186230A (ja) | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Sakaguchi Dennetsu Kk | 縦型ウェーハボート |
US7204887B2 (en) * | 2000-10-16 | 2007-04-17 | Nippon Steel Corporation | Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace |
US6497403B2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-12-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer holder |
JP2003031779A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Soiウェハの製造方法 |
JP3687578B2 (ja) | 2001-07-23 | 2005-08-24 | 三菱住友シリコン株式会社 | 半導体シリコン基板の熱処理治具 |
JP4470199B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-06-02 | Smc株式会社 | 半導体基板の温度調節装置 |
JP5205738B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2013-06-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの支持方法、熱処理治具および熱処理ウェーハ |
KR20100102106A (ko) * | 2007-12-06 | 2010-09-20 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 기상성장용 서셉터 및 기상성장 장치 |
-
2011
- 2011-02-28 JP JP2011042954A patent/JP5654901B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-21 TW TW101105633A patent/TWI518837B/zh active
- 2012-02-24 US US13/404,254 patent/US9064915B2/en active Active
- 2012-02-27 KR KR1020120019436A patent/KR101555404B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012182234A (ja) | 2012-09-20 |
TWI518837B (zh) | 2016-01-21 |
US20120217210A1 (en) | 2012-08-30 |
US9064915B2 (en) | 2015-06-23 |
KR101555404B1 (ko) | 2015-10-06 |
KR20120098501A (ko) | 2012-09-05 |
TW201304047A (zh) | 2013-01-16 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131129 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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