TW200304944A - Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same - Google Patents

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Description

200304944 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上係關於一種可有用地使用於化學機械拋 光方法的組成物，及相關的拋光基材之方法。更特別地， 本發明係關於一種組成物，其中包含經以催化劑塗覆的硏 磨料材料，及一種氧化劑。此組成物可用於拋光在基材上 的各種層，如金屬層。 【先前技術】 半導體晶圓，如矽或砷化鎵晶圓，一般於具有其上形 成一或更多積體電路的基材表面。在該表面進行加工以形 成積體電路之前，此基材表面宜儘可能爲平坦的、或平面 的。有各種半導體程序可用以在平坦的表面上形成積體電 路’於此期間將在晶圓上作出特殊定義的地形。若此地形 太不規則或包含表面瑕疵，製造方法如光刻技術經常須作 犧牲，且生成的半導體裝置經常不能操作或高度會失效。 &此’經常必須拋光晶圓表面以使其儘可能的呈平面或均 句’且去除表面瑕疵。 化學機械拋光或平面化（CMP )方法爲習知的。例如 #見在矽加工中的化學機械拋光，半導體與半金屬，Vol. 62 ’由Li，S.等人編輯，其在此加入作爲參考文獻。CMP 方法通常在製造中的各階被用以拋光或”平面化"晶圓表面 ’以改良晶圓產率、性能及可靠度。在CMP中，典型地使 用負壓（如真空或液壓或氣壓）將晶圓保持在載具上。此 -6 - (2) (2)200304944 載具典型地位於位在壓印板上的拋光墊上。CMP—般包含 將拋光組成物或淤漿施用在拋光墊上，建立介於晶圓表面 與拋光墊之間的接觸，且將向下壓力施用在晶圓上載體同 時提供相對運動，典型爲介於晶圓表面與拋光墊之間的旋 轉或軌道運動。典型地，此相對運動包括載體與壓印板兩 者以相同或不同之速度運動。 此拋光組成物典型地含有硏磨料材料，如二氧化矽及 /或氧化鋁微粒，在一酸性、中性、或鹼性的溶液之中。 僅用以舉例，用在基質上鎢材料的CMP之拋光組成物可含 有硏磨料氧化鋁（A 1 203 )(亦稱氧化鋁）、氧化劑如過 氧化氫（H202 )、及氫氧化鉀（KOH )或氫氧化銨（ NH4OH)。使用該拋光組成物的CMP方法可提供一種可預 測的拋光速率，而在晶圓上表面大幅地保存令人滿意的絕 緣面層。 CMP係用在各種半導體加工之中以拋光具有各種表面 面層的晶圓，如氧化物及/或金屬層。例如，經常在半導 體晶圓表面具有絕緣或氧化物表層，溝槽或其中裝有金屬 或金屬合金的鑲嵌導孔。有代表性的塡料金屬或合金包括 鋁、銅、鈦、氮化鈦、鉬、氮化钽、鎢、或此類金屬或合 金之任何組合物。針對該半導體晶圓，典型的CMP方法包 括含在一控制方法中"停止"在金屬之下的氧化物而拋光金 屬，使該金屬實質上與氧化物共平面，而保持氧化物的溝 槽或鑲嵌導孔。於CMP之後，此實質上共平面的表面將可 立即作進一步的加工。CMP目前爲用於晶圓線背端（ (3) (3)200304944 BE OL )加工中拋光或"平面化”的主要方法。 半導體製造方法如光刻技術已顯著地演進，目前可製 作先進裝置而使能夠帶有非常細微氧化物、金屬、及其它 表面面層，帶有低於0.2 5微米的幾何外形（如〇 . 1 8微米或 更低）。針對此類先進裝置的加工公差必然地會更緊，須 要增進CMP技藝以得到所欲求之材料移除速率，且將晶圓 缺陷或損害作最小化。已有各種方法努力於改良CMP製程 〇 一種方法已包含增強在晶圓上載具上的向下壓力，以 增加材料移除速率。此方法一般爲令人討厭的，考量作爲 必需的向下壓力太高且很可能引起晶圓損害，如刮傷、脫 層、或破壞在晶圓上的材料層。當晶圓是易碎的，如一般 案例用各種膜（如多孔膜）層化基材，其具有低介電常數 ，就晶圓產率及性能而言此類損害特別激烈，且將有損害 的。 另一方法己包括增加使用於CMP淤漿中氧化劑的用量 ，以努力增加目標材料的化學移除。此方法係大幅地令人 討厭的’當使用增加量的氧化劑，伴隨著許多氧化劑，將 有損害地加入操作及環境的間題，且如此外增加成本。將 氧化劑催化以增加移除速率的嘗試也已獲致有限的成功。 額外的方法包括使用合倂的CMP淤漿，包括例如鍩淤漿， 一種硏磨料微粒在CMP淤漿之中的組合物，及/或使用一 種使用點混合技藝。此類方法一般係討厭的，就工具及加 工控制而言其典型地會使CMP複雜化，例如，消耗更多的 (4) (4)200304944 加工時間，及/或增加成本。 在C Μ P技藝之領域尙須進一步的發展。 【發明內容】 〔本發明槪要〕 本發明提供一種供化學機械拋光用之組成物，其至少 包含一種表面至少局部經以催化劑塗覆的硏磨料顆粒。此 催化劑包含元素週期表中除了第4(b)族、第5(b)族或 第6(b)族金屬之外的金屬。一般而言，第1 (b)族或第 8族的金屬爲適合的候選者，如其具有標準氧化反應在約· 0.5 2至約-0.25 eV的的金屬。據信此經催化劑塗覆的硏磨 料，可有利地與許多典型使用於化學機械拋光組成物的氧 化劑中的任何一項相互作用。如此，該組成物亦包含該氧 化劑。此氧化劑宜呈有機或無機過化合物的形式，雖然可 使用其它氧化劑如羥胺。 此組成物可包含數種的其它添加劑，如有代表性的硏 磨料（即缺少催化劑塗層的硏磨料）、界面活性劑、安定 劑、分散劑、拋光增進劑、及/或pH調整劑。此組成物之 p Η水準應在約p Η 2至約ρ Η 1 1，而較佳的上限約p Η 8。 本發明組成物可有效的用於在基材（如矽或半導體基 材）上各種金屬或金屬合金材料的CΜΡ。理論上經催化劑 塗覆的硏磨料與氧化劑係在催化劑表面反應而產生自由基 ，該自由基爲介於氧化劑與從基材表面移除的目標材料之 間的反應之有效的中間物。此外，據信此經催化劑塗覆的 -9- (5) (5)200304944 硏磨料特別地有效的，當其將催化劑直接帶至在基材表面 上的目標材料，且如此可實質上在目標材料的位點上增進 或加快移除反應。 此組成物提供非常令人滿意的材料移除速率，例如在 一 CMP方法之中至高達1 5,000埃（A)每分鐘。此移除速 率是如此良好而可令人滿意的調整組成物或CMP方法以使 速率調至低水準而適用於特定的應用，如非常薄的膜之 CMP，例如厚約3 000A的銅膜。此組成物可有效使用於慣 常的CMP方法，與其具有相對低載體壓力的CMP方法。使 用此組成物拋光的基材顯示良好的均勻性値，如反映在相 對低的晶圓內不均勻性百分比。例如，在此提供的一項實 施例中，此拋光基材的晶圓內不均勻性約在4.5 7百分比。 由敘述如下的本發明較佳的具體實施例及各項實施例 之描述，將使本發明額外的特色、觀點及優點將變得明顯 〔本發明較佳具體實施例的描述〕 本發明組成物可有用地使用於基材的化學機械拋光（ CMP)。此組成物或淤漿可用以在基材上拋光至少一片或 一層，該基材如政基材、砷化鎵（GaAs )基材、薄膜電 晶體-液晶顯示器（"TFT-LCD")玻璃基材、或任何其它 基材而其係伴隨著積體電路、薄膜、半導體，微機電系統 (MEMS )結構、硬碟盤及磁類、及其類似者。例如，本 發明組成物可使用於CMP—種基材，該基材具有一或更多 -10- (6) (6)200304944 層的鋁、銅、銅-鋁合金、鉅、鈦、鎢，或內含钽、內含 $太、或內含鶴的合金’如氮化挺、氣化欽、欽鶴，或其任 何合組合物。 一般而言，遍佈此說明書中，任何提及的組成物之成 分，意指至少一種該成分，例如一項該成分或多項該成分 。此外，此組成物之成分的任何給予量係相對於此組成物 的重量百分比（wt% )。此外，各成分的任何用量爲大約 量，例如多於或少於或等於所述的精確數量。此關於大約 量的規則適用於任何在此所述關於組成物的測量數値，如 針對此組成物所述的pH水準數値，或針對使用此組成物 的CMP方法所述的加工參數數値。前述的規則適用遍佈此 說明’除非另外特別指出或淸楚地指明或腈示。 此組成物一般至少包含一種氧化劑與至少一種至少局 部經以催化劑塗覆的硏磨料，如進一步的在此記述者。典 型地，此硏磨料成分包含一部分經以催化劑塗覆的硏磨料 (有時在此稱爲"經塗覆的催化劑”）與一部分的未經以催 化劑塗覆的硏磨料（有時在此稱爲”一般硏磨料”），雖然 僅前者須要存在。例如，此硏磨料可包含經塗覆的硏磨料 對一般硏磨料的比例爲在約1至約9。此組成物的各成分與 其典型的、較佳的、及其更佳的量，相對於此組成物的大 約重量百分比（wt% )，如下提供於表丨中。 (7) (7)200304944 表1 ··化學機械拋光組成物 琢 JL· _ 典型的量 較佳的量 更佳的量 氧化劑 0.01 至 30wt.% 0,01至 10wt，％ 0.01 至 6wt.% 一般硏磨料 0.01 至 30wt.°/〇 0.01至 20wt.% 0.01至 10wt.% 塗覆的硏磨料 0.01 至 50wt.% 0.01至 20wt.°/〇 0.01至 10wt.% lit CMP組成物的氧化劑可有助於化學去除在基材表面 ± @目標材料。此氧化劑成分如此據信可增進或增加此組 成物的材料移除之速率。較佳者，在此組成物中的氧化劑 用量將充分的可促進化學的移除方法，而儘可能的低，以 將操作 '環境、或相似的或相關的議題如成本降至最低。 於表1中提供的氧化劑之各種用量係所有均有效的且適合 的’而更佳量的在約0.01至約6重量百分比，此係相對於 該組成物，就使上述的可能的議題最小化而言將特別較佳 〇 此氧化劑較佳者爲無機或有機過化合物。過化合物一 般定義爲一化合物內含在最高氧化態的元素，如過氯酸； 其中至少含有一種過氧基的化合物，如過乙 酸及過鉻酸；或其具有耗盡的取代或加成的化合物，如全 氯乙燃。The Condensed Chemical Dictionary，第十版’ 由Hawley，G.編校，適合的過化合物中至少含有一種過氧 基，包括但不限於過氧化氫、尿素過氧化氫、單過硫酸鹽 (S05dbd )，二過硫酸鹽（S208dbd )、過乙酸、過碳酸鹽 、有機過氧化物如苯甲基過氧化物、二-第三丁基過氧化 -12- (8) (8)200304944 物、其任何的酸、其任何的鹽、其任何的加合物、及前述 者之任何組合物。適合的其中不含過氧基團的過化合物， 包括但不限於過碘酸，任何過碘酸鹽，過硼酸，任何過硼 酸鹽，過氯酸，任何高氯酸鹽，過硼酸，任何過硼酸鹽， 高錳酸鹽，任何高錳酸鹽，及前述者之任何組合物。最佳 地，此氧化劑爲過化合物或具有反應性的過氧基官能基團 之化合物，如單過硫酸鹽、二-過硫酸鹽、過乙酸、尿素 過氧化氫、過氧化氫 '其任何的酸、鹽、或加合物，及前 述者之任何組合物。 其它氧化劑亦適合作爲本發明的組成物之成分。例如 ，臭氧爲適合的氧化劑，可單獨或合倂以一或更多其它適 合的氧化劑。進一步的舉例，如此氧化劑可爲金屬鹽、金 屬絡合物或配位化合物、或其任何合組合物。有機或無機 羥胺化合物或鹽可作爲針對此組成物的另一可能的氧化劑 成分。 氧化劑適合的抽樣包括鐵鹽類、鋁鹽類、鈉鹽類、鉀 鹽類、與銨鹽類、四級銨鹽類、鱗鹽類、過氧化物、氯酸 鹽類、高氯酸鹽類、高錳酸鹽類、過硫酸鹽，及其任何合 組合物。一般而言，在此記述的各種氧化劑可單獨使用或 相互合倂而使用，雖然宜避免任何可能不合意使C MT方法 複雜化的合倂。 除氧化劑成分之外，此組成物亦包含至少局部經以催 化劑塗覆的硏磨料。此硏磨料可有效的以機械方式去除在 基材表面上的目標材料。經催化劑塗覆的硏磨料的適合用 -13- (9) (9)200304944 量已列於如上表1，如較佳的範圍在約0.0 1至約2 0重量百 分比，此係相對於該組成物。一般硏磨料的適合用量，若 有任何存在，亦列於表1中。 硏磨料一般呈硏磨料顆粒的形式，且典型地爲一種材 料的許多硏磨料微粒或不同材料之組合物的許多硏磨料微 粒。一般而言，適合的硏磨料顆粒多少呈球形的，且其有 效的直徑在約3 0至約1 7 0奈米（n m )，雖然個別地粒徑可 能會變化。呈聚集的或聚附的微粒形式之硏磨料宜進一步 作加工以形成個別的硏磨料微粒。 此硏磨料顆粒可爲金屬氧化物顆粒、樹脂顆粒、或塑 膠顆粒，且較佳者爲金屬氧化物顆粒。一項適合金屬氧化 物硏磨料包括但不限於氧化鋁、三氧化二鈽、二氧化鍺、 二氧化矽、尖晶石、二氧化鈦、鎢的氧化物、氧化鉻、及 其任何合組合物。金屬氧化物硏磨料可經由任何的各種技 藝製作，包括溶凝膠、水熱法、水解、電漿、煙燻及沈澱 技藝，及其任何合組合。較佳者，金屬氧化物硏磨料爲沈 澱或煙燻的硏磨料，且較佳者爲煙燻的硏磨料。例如，金 屬氧化物硏磨料可爲煙燻的硏磨料如煙燻的二氧化矽或煙 燻的氧化鋁。一般而言，上述的金屬氧化物硏磨料可單獨 使用或相互合倂而使用，雖然宜避免任何可能不合意使 CMT方法複雜化的合倂。 如上述，其它硏磨料，如塑膠或樹脂的硏磨料，可作 爲本發明組成物適合的成分。例如，適合的塑膠硏磨料顆 粒可包含聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚乙烯醇，或其任何 -14- (10) (10)200304944 合組合物。進一步的舉例，適合的樹脂的硏磨料顆粒可包 含聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚三聚氰胺，或任何其合倂 者，或任何離子交換樹脂的顆粒，如塑膠離子交換樹脂。 依據本發明，此硏磨料至少局部經以催化劑塗覆的。 於CMP加工期間在基材表面上，此催化劑可提高或增加介 於氧化劑組成物與目標材料之間的化學反應之速率，該目 標材料特別爲金屬材料。此催化劑據信可促進在須移除的 目標材料上的反應位點形成活化的氧化物種，如活化的過 氧基。較佳者，此催化劑係實質上不溶於組成物中，使彼 於CMP方法期間保持在大部分的硏磨料顆粒上。 應注意所使用的經催化劑塗覆的硏磨料之量，如使用 過多催化劑可能會犧牲對CMP方法的控制。經催化劑塗覆 的硏磨料之用量一般應不超過組成物的5 0重量百分比。其 中催化劑濃度爲考量點，增加一般無催化劑塗覆的硏磨料 之量，可用以稀釋此組成物中的催化劑，且增進對C MP方 法的控制。 如上述，此組成物之硏磨料材料係至少局部以催化劑 塗覆。如在此使用者，”塗覆”及其各種語言的或文法的形 式，或一般意指介於硏磨料與催化劑之間形成物理連接的 對應物，如經由在至少一部分的硏磨料上形成至少一局部 層的催化劑材料，將催化劑材料吸收或吸附在至少一部分 的硏磨料上，在介於催化劑材料與至少一部分的硏磨料之 間形成黏合，及其類似者，此係經由任何適合的方式或方 法。例如，以乙酸鐵塗覆的二氧化矽溶膠之製作方法提供 -15- (11) (11)200304944 在Payne的美國專利4,47S，742中，其全文在此加入作爲參 考文獻。催化劑可塗覆硏磨料顆粒表面約5至約〗00百分比 ，如約佔顆粒表面的5至約80百分比，或較佳者，約佔顆 粒表面的25至約50百分比。 此催化劑包括除了元素週期表中第4 ( b ) 、5 ( b )及 6 ( b )族金屬之外的金屬。例如參見化學與物理手冊，6 4 版，元素週期表，封面內頁，其全文在此加入作爲參考文 獻。一項適合金屬包括但不限於鈷、銅、鐵、鎳、銀、及 其任何合組合物。其它適合的金屬之實施例包括那些元素 週期表第1 ( b )族及第8族。 具有標準氧化電位在約-0.52至約-0.25 eV的觸媒，亦 考慮爲對本發明組‘成物具有適合的催化活性。具有在此範 圍的氧化反應電位之金屬觸媒的實施例包括銅（-0.52 eV )、鐵（-0.44 eV)、鈷（-0.28 eV)、及鎳（-0.25 eV) 。此外，據信具有標準氧化反應電位在約-0.5至約-0.4 eV 的觸媒將帶有最理想的或較佳的催化活性。帶有在此範圍 的氧化反應電位之金屬催化劑的實施例爲鐵，其係在此較 佳的催化劑或催化劑成分。如提及先前者，有各種適合的 金屬觸媒，如任何含有元素週期表第1 ( b )族與第8族金 屬者。 該催化劑可呈各種形式，如氧化物，硝酸鹽，鹵化物 如氯化物，高氯酸鹽，或金屬的乙酸鹽，金屬離子的來源 ，及其任何合組合物。例如，適合的金屬氧化物包含氧化 鐵、氧化銅、及氧化鈷。進一步的舉例，此催化劑可爲多 -16- (12) (12)200304944 價金屬的來源，如二價鐵的來源。較佳者，此催化劑爲金 屬乙酸鹽，如乙酸銅（"CuAc”）或乙酸鐵（”FeAcn )。 據信本發明組成物將因爲介於催化劑表面與氧化劑之 間的交互作用而特別地有利的，化。即，據信在催化劑表 面上，發生在介於塗覆在硏磨料上的催化劑與氧化劑（如 過氧化物或氫過氧化物）之間的反應。據信在催化劑表面 上的此反應可產生自由基或活化的反應中間物，如羥基基 團（HO ·)，當塗覆在硏磨料上的催化劑接觸基材表面 時，其將有利地與基材上的目標材料交互作用。含有在氧 化劑存在下可產生自由基的觸媒的氧化還原系統之描述， 提供於Walling，C.，溶液中的自由基（1 95 7 ) ，pp. 5 64- 579，及Bacon, R，由氧化還原觸媒聚合方法的起始， Quart. Revs.，Vo 1. IX ( 1955) ，pp.287-310，其全文在 此加入作爲參考文獻。該觸媒爲使用於此組成物的硏磨料 之候選塗層。 此組成物之pH宜在約pH2至約pHll的層級，且較佳者 ，約在PH2至約PH8。此類pH之層級，且特別是較佳的層 級，據信可增進對CMP方法的控制。當組成物的pH太低， 如低於pH2，可能展現組成物操作的問題與拋光本身品質 的問題。當組成物的pH太高，如高於pHll，取決於金屬 層的本質，可能有損害地貢獻於在基材表面上的金屬（如 銅或鎢）層上的腐蝕或其它的侵襲。這在金屬層如鋁或異 金屬的拋光可能不是問題的，其可容忍相對高pH的CMP組 成物而無不良效應。 -17- (13) (13)200304944 可使用合適的pH調整劑而調整組成物之pH，如適合 的酸、鹼、胺、或其任何合的組合。該pH調整劑可含有 金屬離子。其實施例包括金屬氫氧化物，如NaOH、KOH 及其類似者，其中分別地內含鈉、鉀、及其類似者金屬離 子。較佳者，使用於此組成物中的pH値調整劑不含任何 討厭的金屬離子，使得不會將討厭的金屬成分引入組成物 中。適合的pH調整劑包括胺類、氫氧化銨、硝酸鹽、磷 酸、硫酸、有機酸、及其任何合組合物。 此組成物亦可包含一或更多的各種任意的添加劑。適 合的任意的添加劑包括界面活性劑、穩定劑、分散劑、及 其類似者。此類任意的添加劑一般係用以增進或促進組成 物對下列各項的穩定：沈降、凝聚（包含微粒的沈澱、凝 集或結塊化，及其類似者）、降解、及其類似者。此類任 意的添加劑之實施例包括硫酸、磷酸、硝酸鹽、銨鹽類、 鉀鹽類、鈉鹽類、或硫酸鹽與磷酸鹽的其它陽離子型之鹽 類，及其任何合組合物。 一般而言，任何的此類任意的添加劑的用量應充分使 能實質上穩定此組成物。此必須用量可作變化，其係取決 於所選擇的特別的添加劑與此CMP組成物特別的組成，如 硏磨料成分之表面的的本質。若添加劑的用量太少，該添 加劑在組成物之穩定性上將會有微小的效應或沒有效應。 另一方面，若使用過多的添加劑，該添加劑可能貢獻於在 此組成物中形成討厭的泡沬及/或凝聚劑。一般而言，此 類任意的添加劑的適合用量介於約0.0 0 1至約2重量百分比 -18- (14) (14)200304944 ，此係相對於該組成物，且宜在約0.001至約1重量百分比 。此類任意的添加劑可直接加入組成物中，或施用於組成 物中硏磨料成分之表面。 當針對此組成物有許多適合的界面活性劑添加劑，較 佳的界面活性劑添加劑包括十二碳基硫酸鈉鹽、月桂基硫 酸鈉、十二碳基硫酸銨鹽，及其任何合組合物。適合的商 購之界面活性劑包括TRITON DF-16，由Union Carbide製 作，及 SURFYNOL，由 Air Products Chemicals製作。 穩定劑可用以在組成物中的氧化劑的存在下穩定催化 劑。例如，此安定劑可能須要用以在氧化劑存在下穩定金 屬離子催化劑，該氧化劑例如有過氧化氫。若未使用穩定 劑，氧化劑及催化劑可能以快速降解氧化劑的方式反應且 如此將危害此CMP方法。另一方面，在此組成物中存在穩 定劑可能會犧牲催化劑的功效。如此，爲使達到CMP性能 的最理想化，應仔細考量是否在此組成物中使用安定劑， 且仔細選擇加入組成物中的任何穩定劑及用量。 適合的安定劑包括有機酸，如己二酸、羧酸、檸檬酸 、丙二酸、鄰酞酸、及伸乙基二胺四乙酸、磷酸、膦酸鹽 化合物、腈類、及其它配體，如那些可鍵結催化劑材料且 如此可降低使氧化劑降解的反應，及前述試劑之任何組合 。如在此使用者，酸安定劑意指酸安定劑與彼之共軛鹼兩 者。即各種酸安定劑亦可以其共軛形式使用。例如，在此 ，己二酸安定劑包含己二酸及/或其共軛鹼，羧酸安定劑 包含羧酸及/或其共軛鹼’羧酸酯等，此亦針對上述的酸 -19- (15) (15)200304944 安定劑。一項適合安定劑，單獨使用或合倂以一或更多其 它安定劑，將可減低氧化劑如過氧化氫於CMP加工期間分 解的速率。 視需要，可在組成物中加入特定添加劑或拋光增進劑 ’以增進或改良在基材表面上的目標材料之拋光速率，如 鉅及鈦材料經常以阻隔層的形式存在基材表面上。拋光增 進劑之一項實施例爲羥胺，當目標材料爲鉅時其係特別地 有效的。除了羥胺之外的拋光增進劑，如氟化物爲主的試 劑’一般宜使用於過內含氧化物的組成物。此任意的拋光 增進劑’若有任何存在，一般用量在約〇.〇〇1至約2重量百 分比’或較佳者，約0.001至約1重量百分比，此係相對於 組成物。 本發明的CMP組成物或淤漿可使用慣常的技藝製備。 典型地，將水與硏磨料成分合倂，然後加入經催化劑塗覆 的硏磨料，然後加入氧化劑，且調整pH値。供選擇地， 依據本發明的一項特色，可將經催化劑塗覆的硏磨料加入 現存的CMP組成物，如商購之含有氧化劑的CMP組成物。 例如’可將經催化劑塗覆的硏磨料加入先前調製的過氧化 物組成物中，以提供一種本發明的CMP組成物。 在某些CMP方法中，特別地在某些先進的拋光方法中 ’組成物之製備可經由於真時調整各組成物成分用量，所 謂真時係指恰於使用時的再混合組成物之前。針對大部分 CMP方法，於使用時將製備的組成物再混合，據此將其倒 至拋光墊上。典型地，當墊子在移動或旋轉中將組成物倒 -20- (16) 200304944 至墊子上。當此CMP方法進行中，視需要或必須時， 入額外的淤漿或可將過量的淤漿移除。 【實施方式】 如下提供本發明組成物之實施例。第一實施例涉 種CMP組成物，組成物A與組成物B，其特別適合於 晶圓如矽晶圓的CMP，且在其表面上有鎢層或面層。 種組成物之成分及其大約用量，與組成物的大約pH 敘述於表2中。 表2 :化學機械拋光組成物A與B 組成物過氧化氮過乙酸 Mirasol Mirasol 3070 ___3 070 與催化劑 組成物 3 w t % 0 w t % 5 w t % 0.5 w t % 組成物 B 0 w t % 5 w t % 5 w t % 0.5 w t % 在組成物A中，過氧化氫（H202 )供作氧化劑 Mirasol 3 070 ( —種商購之硏磨料二氧化矽微粒的水 )供作硏磨料，將帶有陽離子型鐵催化劑吸收在至少 分的二氧化矽微粒之表面上的Mirasol 3 0 7 0，供作經 化劑塗覆的硏磨料，且以去離子水構成剩餘的組成。 物B不同於組成物a者在於以過乙酸（CH3COOOH ) 過氧化氫供作氧化劑。針對組成物A及組成物B兩者 Mirasol 3 070成分，如相對於氧化劑或催化劑，據信 可加 及二 一種 此二 ，均
pH 2 2 ，以 溶液 一部 以催 組成 而非 ，此 主要 -21 - (17) (17)200304944 用以決定組成物的pH値。
Mirasol 3070，在商業上可商購自 Precision Colloids ，LLC of Cartersville，Georgia，含有大約 30 重量百分比 的二氧化矽（Si02)微粒，其一般的有效直徑在大約70奈 米。經以催化劑塗覆的Mirasol 3070含有上述的Mirasol 3 〇7〇，且以乙酸鐵催化劑塗覆在各個二氧化矽顆粒上約70 之百分比的表面積。 將各組成物A及B使用在習用的在矽基材上執行的 CMP方法之中，該矽基材至少使用約8 000埃（A )厚的鎢 膜作局部層化。其中的加工參數包括載體壓力在約6磅每 平方英寸（psi )，載體速度在約90旋轉每分鐘（rpm ) ’壓印板速度在約90 rpm，且在此使用的CMP組成物之流 速約1 7 5毫升每分鐘（毫升/分鐘），如敘述於如下表3。 各方法不同處僅在於其中使用的CMP組成物。各CMP方法 之結果敘述於表4中，針對以埃每分鐘（A/mi η )計的大約 的材料（鎢）移除速率，及大約的晶圓內不均勻性百分比 (%WIWNU )。 表3 ··使用組成物Α或組成物Β的化學機械拋光方法 組成物 載體壓力 載體速度 壓印板速度 組成物流速 (psi) (rpm) (rpm) (毫升/分鐘） 組成物A 6 90 90 1 75 組成物B 6 90 90 1 75 22- (18) (18)200304944 表4 :使用組成物A或組成物B的化學機械拋光結果 組成物 移除速率 不均勻性 (A /min) (% WIWNU) 組成物A 5 040 10.9 組成物B 5 077 7.42 如提及先前者，在CMP方法中，且特別地在現代或先 進的CMP方法中，宜得到可接受的或最理想的，如增加的 材料移除速率，而使用可接受的或最理想的如無不適當的 高載體壓力。在鎢作層化的晶圓之CMP中，良好的載體壓 力約在9 psi或更低，如約6 psi，且在約6 psi壓力之下的 良好的結果在爲大於約5 000 A/min的移除速率。此外，能 得到均勻性値在約3至約12 %WIWNU百分比的拋光晶圓， 係視爲良好的結果。針對前述的實施例加工參數，經常有 令人滿意的產出及結果，在此也考慮其它適合的產出與結 果。 在使用組成物A及組成物B執行C MP方法中，得到令 人滿意的鎢移除之速率分別地約在5040及5 0 7 7 A/min。此 外，拋光晶圓之表面係實質上均勻的，其分別地具有1 0.9 與7.42 %W1WNU。此組成物B—般比組成物A爲佳，可提 供較高的移除速率與較佳均勻性値（較低的WIWNU )。 應注意一般要求組成物優先提供高移除速率，而其它因子 在本發明組成物之評估中亦爲重要的考量，如良好的均勻 性値（例如低％WIWNU )、氧化劑的高效率使用，及良好 -23- (19) (19)200304944 的貯存及操作特性。 本發ί 明組成物: 之第二實 施例涉及二種CMP組成物 ，組 成物C與組成物D， 其係使 用於在其表面上帶有銅層 或面 層的矽晶 圓之CMP。在此 實施例中 ，銅層的厚度 在約 1 5,00〇Α。 於表5中敘述此二 種組成物之成分及其大約 量， 與組成物ί 的大約pH 0 表5 :化學 機械拋光 組成物C及D 組成物 羥基胺 過乙酸 Mirasol Mirasol3070 pH 3 070 及催化劑 組成物C 0 w t % 1.5 w t % 5 wt% 0.5 w t % 2 組成物D 4 w t % 0 w t % 5 wt% 0.5 w t % 6.7 在組成物C中，過乙酸（CH3COOOH)係供作氧化劑 ，Mirasol 3 070 (如上述）供作硏磨料，以催化劑塗覆的 Mirasol 3 070 (如上述）係供作經以催化劑塗覆的硏磨 料，且以去離子水構成剩餘的組成。組成物D不同於組成 物C有在於使用羥胺（NH2OH)而非過乙酸供作氧化劑。 就pH而言此二種組成物亦有不同，組成物C的pH在約2且 組成物D的pH在約6.7。 將各組成物A及B使用在習用的在矽基材上執行的 CMP方法之中，該矽基材至少使用銅作局部層化。當使用 組成物C，加工參數包括載體壓力在約4 psi，載體速度在 約40 rpm，壓印板速度在約40 rpm，且組成物C的流速在 約]00毫升/分鐘。當使用組成物D，加工參數包括載體壓 -24- (20) (20)200304944 力在約4 psi，載體速度在約75 rpm，壓印板速度在約75 rpm，且組成物D的流速在約1 75毫升/分鐘。各CMP方法的 參數敘述於表6中，且大約材料（銅）移除速率與大約晶 圓內不均勻性百分比的結果敘述於表7中。 表6 :使用組成物C或組成物D的化學機械拋光方法 組成物載體壓力載體速度壓印板速度組成物流速 _(PsO_(rpm) _(rpm)_(晕升 /分鐘) 組成物C 4 40 4 0 1 〇〇 組成物D 4 75 7 5 1 7 5 表7 :使用組成物C或組成物D的化學機械拋光結果 組成物 移除速率 不均勻性 (A /min ) ( %WIWNU ) 組成物c 1 5,000 不可測量的 組成物D 779 7 8.8 7 如提及先前者，在CMP方法中，且特別地在現代或先 進的CMP方法中，宜得到可接受的或最理想的，如增加的 材料移除速率，而使用可接受的或最理想的如無不適當的 高載體壓力。在鎢作層化的晶圓之C MP中，良好的載體壓 力約在9 psi或更低，如約4 psi，且在約4 psi壓力之下的 良好的結果在爲大於約7 5 0 0 A / m i η的移除速率。針對前述 的實施例加工參數，經常有令人滿意的產出及結果，在此 也考慮其它適合的產出與結果。 -25- (21) (21)200304944 在使用組成物C執行的CMP方法中，可得到異常高的 銅移除速率，使能將銅完全移除。此結果將使得無法測量 均勻性値。在使用組成物D執行的c MP方法中，可得到令 人滿意的銅移除速率。此外，使用組成物D拋光的晶圓表 面實質上爲均勻的。如此組成物D爲令人滿意的本發明組 成物。組成物C亦爲有用的本發明組成物，雖然其可能 針對一些應用（如在基質上拋光非常薄的層）有點太強的 移除速率。據此’針對一些應用，可經由下列方式而改變 使用組成物C的CMP方法：稀釋組成物、稀釋組成物中經 催化劑塗覆的硏磨料及/或氧化劑之成分、變化組成物流 速，或其類似者。 第三實施例涉及二種本發明的CMP組成物，以上第一 實施例中的組成物B，及組成物E，兩者各使用於其表面 上有鎢層的矽晶圓之CMP，該層厚度約8000A。組成物B 將相較於相似的組成物，組成物1，且組成物E將相較於 相似的組成物，組成物2。組成物1與2二者均不含經催化 劑塗覆的硏磨料。所有四種組成物的pH約2。四種組成物 之成分與大約量敘述於如下表8中。組成物E與組成物2 內含乙二醇，其目的在於提高移除速率。據信此乙二醇添 加劑係作爲氧化物拋光的催化促進劑或抑制劑。 -26- (22) (22)200304944 表8 :化學機械拋光組成物B與E及組成物1與2 組成物 過氧 化氫 過 乙酸 M i r a s o 1 3 0 7 0 Miraso 1 3 0 7 0 與催化劑 乙二醇 組成物B 0 w t % 5 w t % 5 w t % 0.5 w t % 0 wt% 組成物1 0 wt % 5 wt % 5 wt % 0 w t % 0 w t % 組成物E 3 w t % 0 wt % 5 w t % 0.5 w t % 0.25 w t % 組成物2 3 w t % 0 w t % 5 w t % 0 w t % 0.25 w t % 將四種組成物各自使用在習用的CMP方法之中，該 CMP方法有如先前敘述於以上第一實施例及敘述於表3中 相同的加工參數。在實驗A與實驗B中之中分別地將組成 物1及2各測試兩次。於表9中敘述各種CMP方法之結果， 包括以A/min計的大約材料（鎢）移除速率，及大約 %WIWNU。 -27- (23) 200304944 表9 :化學機械拋光結果使用組成物B或E或組成物1或2 組成物 移除速率 不均勻性 (A /min ) (%WIWNU ) 組成物B 5 0 7 7 7.42 組成物1 : 實驗A 22 15 6.96 實驗B 2466 6.94 組成物E 4476 4.57 組成物2 : 實驗A 1556 3.42 實驗B 15 82 3.34 就鎢的移除速率而言，組成物B超越組成物I有2 0 0 百分比（至高達約229 % )，且組成物E超越組成物2有 2 8 0百分比（至高達約28 8 % )。此組成物B與組成物E的 C MP之性能係給人深刻印象的，甚至當考量表面均勻性中 等的減低。此類結果顯示經催化劑塗覆的硏磨料在本發明 組成物中爲有效的（若非強效的）成分。 此有效的經催化劑塗覆的硏磨料成分當其相對地（若 非實質上）穩定的’可最理想地作用。在此組成物中，催 化劑穩定性爲令人滿意的特性，其可增進對C MP方法的控 制。如此，須執行試驗該測定使用於本發明組成物中經催 化劑塗覆的硏磨料之相對穩定性，相較於可溶解的催化劑 之穩定性，此係在氧化劑的存在下，在二種其它組成物中 -28- (24) (24)200304944 。在此類試驗中，”經塗覆的催化劑”組成物係包含經催化 劑塗覆的硏磨料呈鐵塗覆的（FeAc-塗覆的）二氧化矽微 粒的形式，及呈羥胺形式的氧化劑，且其pH在約7。第一 ·' 自由催化劑”組成物包含呈二氧化矽微粒形式的一般硏磨 料，呈硝酸鐵形式的可溶解的催化劑，及呈羥胺形式的氧 化劑，且其pH在約7。第二"自由催化劑”組成物包含第一” 自由催化劑”組成物中除了硏磨料成分之外的所有成分。 三測試組成物的製備將敘述如下。"經塗覆的催化劑•’ 的製備係得自將合適量的經催化劑塗覆的硏磨料加入 50 毫升的水中，而第一 ”自由催化劑"的製備係得自將二氧化 矽微粒加入50毫升的水中，且然後將合適量的硝酸鐵加入 此水-硏磨料混合物中。在第一 ”自由催化劑”調製劑中硏 磨料的用量，相似於使用於”經塗覆的催化劑”製備中的經 催化劑塗覆的硏磨料之用量。也製備第二”自由催化劑"的 調製劑，僅包括將硝酸鐵溶於5〇毫升的水中（即無硏磨料 )° 將相同量的50%羥胺加入各個此類調製劑中，以得到 三種測試組成物。當pH超過 6，羥胺爲良好的還原劑， 其穩定性對溶液中的微量金屬極度敏感。羥胺容易與許多 過渡金屬離子反應，如鈷、銅及鐵離子，經由至少一種氧 化反應水準而造成金屬離子之速原’且形成副產物，包括 氮氣、氨水（nh3 )、水，且可能放熱，此係取決於羥胺 之濃度。高水準之反應性，或非常快的反應速率，爲相對 不穩定的徵兆。 • 29 - (25) (25)200304944 當將羥胺成分加入所得到的，，經塗覆的催化劑”組成物 中，將觀察到微小的色彩改變，微小的或沒有釋出氣體， 及微小的沈澱或無沈澱。當形成內含二氧化矽硏磨料的第 一"自由催化劑”組成物，觀察到立即有色彩改變（淡橙色 至棕色）’實質上釋出氣體，且沈源。當形成其中不含硏 磨料第二"自由催化劑”組成物，觀察到有更立即的色彩改 變（淡橙色至非常深棕色），且當相較於第一”自由催化 劑"組成物有相似的釋出氣體。"經塗覆的催化劑"組成物 係淸楚地更穩定的，相較於所測試的二種相對不穩定”自 由催化劑"組成物。本發明組成物係所有種類的”經塗覆的 催化劑”，其中包含經催化劑塗覆的硏磨料而不是僅僅自 由的、可溶解的催化劑如硝酸鐵。如以上說明者，此相對 地穩定的，經催化劑塗覆的硏磨料爲本發明的組成物的極 度有效成分。 本發明組成物可有利地使用於慣常的CMP方法中，且 更特別地，使用於要求降低載體壓力的CMP方法。一般而 言，載體壓力在約0.5至約2 psi考量爲低載體壓力，雖然 此壓力範圍取決於考量中的特別的CMP方法。低載體壓力 經常係令人滿意的，因爲其可降低晶圓損害之風險，如刮 傷、脫層，或材料層的破壞，特別爲在晶圓上表面的金屬 層。當本發明組成物在低載體壓力方法中使用，可得到令 人滿意的材料移除速率，甚至雖然載體壓力低。在CMP方 法中使用合適的組成物，可能會降低晶圓損害之風險且改 良晶圓產率及性能。 -30- (26) (26)200304944 此外，本發明組成物可有利地用於採用相對易碎的膜 作層化的CMP晶圓，該膜如多孔的膜，且具有低介電常數 。於典型CMP方法中的壓力之下，此類膜特別地易於發生 脫層，壓碎，或其它損害。在用於此類晶圓的先進CMP方 法中，在約2 psi的載體壓力係令人滿意的，且載體與壓印 板速度約相同於或經常大於那些使用於典型的CMP方法。 針對使用多孔之材料層化而具有相對低介電常數如約1 . 5 或約1 . 7至約2.3的晶圓，且其厚度在約〇 . 1微米，令人滿意 的移除速率大於約5 000 A/miii。如在此說明者，當將本發 明組成物使用於CMP，甚至當在相對低載體壓力之下，可 得到此類移除速率。本發明組成物據信適用於更低載體壓 力的CMP方法，如上述之低載體壓力。 如在此說明者，本發明組成物可使用於CMP方法以得 到令人滿意的材料移除速率與晶圓內不均勻性値。僅用於 舉例，此組成物可使用於基材表面的CMP，而在該基材上 具有面層、層或膜，如鋁、銅、鈦、鎢、其合金、或其任 何合組合物的膜。進一步的舉例，此組成物可使用於基材 表面的CMP，其中該膜具有相鄰的或構成基礎的面層、層 或膜，如鉅、氮化鉅、鈦、氮化鈦、鈦鎢、鎢、及其任何 合組合物的膜。 據此，本發明包含拋光基材表面之方法，該基材至少 在其上具有一種面層且包含金屬，如金屬或金屬合金面層 。此作拋光的基材可爲任何適合的基材，如任何在此記述 的基材。依據本發明方法，提供一種本發明組成物且將在 -31 - (27) (27)200304944 基材表面上的面層拋光。此拋光爲化學機械拋光，如伴隨 著任何慣常的或已知的CMP方法，任何適合的稍後發展出 的CMP方法，或任何在此記述的CMP方法。其中拋光加工 參數可爲任何適合的參數，如任何在此記述的參數。例如 ’施用於基材表面或施用於基材表面上之面層的載體壓力 ，可在約1至約6 psi。 一般而言，基材表面的拋光將繼續直到目標的面層或 層已與周圍的材料（如在基材上的氧化物材料）實質上共 平面。例如，可將以金屬爲面層的基材繼續拋光，直到任 何過量的金屬已充分地移除，而提供一種實質上均勻的穿 過基材表面的縱剖面。例如，適合的表面均勻性（典型地 使用已知的晶圓縱剖面技藝測量）係由少於約1 2 %的晶圓 內不均勻性（WIWNU )値反映出，且較佳者，約4%至約 6 °/。，較低的値典型地反映較佳的加工控制。合適的 WIWNU値可作變化，而其係取決於此CMP方法之特性與 進行拋光的基材之特性。 此創新的方法可用於自基材表面去除目標材料，如金 屬或金屬合金，其速率在約100至約1〇,〇〇〇或至約 l 5,000A/min。本發明方法可用於提供一種拋光基材表面 ，使其具有良好的均勻性，如使基材表面的晶圓內不均勻 性在約〇至約4〇百分比，較佳者約〇至約1 2百分比，或更較 佳者約〇至約1 〇百分比。此外，本發明方法可用於提供一 種拋光基材表面，其中在表面上伴隨著拋光而生的任何微 刮痕將少於約2 〇人。本發明進一步包含由此創新的方法製 -32- (28) 200304944 作的基材，包括在此記述的任何基材，及具有任何在此記 述之品質，如令人滿意的均勻性値及表面特性的任何基材 〇 雖然其將可瞭解本發明並未結合於任何特別的想法或 理論’本發明的各種觀點及特色在關於各種想法或理論上 已作說明或敘述。此外，雖然在此考量本發明較佳的具體 實施例及特定的實施例，已記述本發明的各種觀點及特色 ，其將可瞭解本發明的主題係爲保護在所附加的申請專利 範圍之中的全部範圍。 -33-

Claims (1)

  1. (1) (1)200304944 1 . 一種供化學機械拋光用之組成物，其包含： 至少一種氧化劑；及 至少一種表面至少局部經以催化劑塗覆的硏磨料顆粒 ，該催化劑包含除了第4 ( b )族、第5 ( b )族或第6 ( b ) 族金屬之外的金屬。 2 .如申請專利範圍第〗項之組成物，其中氧化劑包含 過化合物。 3 .如申請專利範圍第〗項之組成物，其中氧化劑包含 臭氧。 4 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中氧化劑包含 一種試劑，該試劑係選自金屬鹽、金屬錯合物、及其任何 組合物。 5 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中氧化劑係選 自羥胺、羥胺的鹽、及其任何組合物。 6 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中氧化劑的用 量在約0.01至約30重量百分比，此係相對於該組成物。 7.如申請專利範圍第1項之組成物，其中氧化劑的用 量在約〇. 〇 1至約1 〇重量百分比，此係相對於該組成物。 8 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中氧化劑的用 量在約0.01至約6重量百分比，此係相對於該組成物。 9.如申請專利範圍第1項之組成物，其中至少一種硏 磨料顆粒包含金屬氧化物。 1 〇 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中至少一種 硏磨料顆粒包含一種材料，該材料係選自氧化鋁、三氧化 -34- (2) (2)200304944 二鈽、二氧化鍺、二氧化矽、尖晶石、二氧化鈦、鎢之氧 化物、氧化鍩、及其任何組合物。 11.如申請專利範圍第1項之組成物，其中至少一種 硏磨料顆粒包含金屬氧化物，該氧化物係由選自凝膠方法 、熱液方法、電漿方法、煙燻方法、沈澱方法、及其任何 組合所組成的類群中的一項方法所製作。 1 2 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中至少一種 硏磨料顆粒包含樹脂的顆粒。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之組成物，其中至少一種 硏磨料顆粒包含一種材料，該材料係選自聚丙烯酸、聚甲 基丙烯酸、聚三聚氰胺、離子交換樹脂的顆粒、及其任何 組合物。 1 4 ·如申請專利範圍第I項之組成物，其中至少一種 硏磨料顆粒包含塑膠顆粒β 15. 如申請專利範圍第】項之組成物，其中至少一種 硏磨料顆粒包含一種材料，該材料係選自聚丙烯酸、聚甲 基丙燒酸、聚乙燦醇、及其任何組合物。 16. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中至少一種 硏磨料顆粒的有效直徑約30至約170奈米。 1 7 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中至少一種 硏磨料顆粒與在其表面上的催化劑之總量在約0.0 1至約5 〇 重量百分比，此係相對於該組成物。 18.如申請專利範圍第1項之組成物，其中至少〜種 硏磨料顆粒與在其表面上的催化劑之總量在約〇 . 0 1至約2 0 -35- (3) (3)200304944 重量百分比，此係相對於該組成物。 19.如申請專利範圍第1項之組成物，其中至少一種 硏磨料顆粒與在其表面上的催化劑之總量彺約〇. 0 1 $約1 0 重量百分比，此係相對於該組成物。 2 0.如申請專利範圍第1項之組成物，其中化齊彳包 含一種金屬，該金屬係選自第1 (b)族與第8族金屬° 2 1.如申請專利範圍第1項之組成物，其中彳崔化劑包 含標準氧化反應電位在約-0.5 2至約-0.25 eV的金屬。 22. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中催化劑包 含標準氧化反應電位在約-0.5至約-0.4 e V的金屬。 23. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中催化劑包 含一種金屬，該金屬係選自鈷、銅、鐵、及其任何組合物 〇 24. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中催化劑包 含一種材料，該材料係選自金屬之氧化物、金屬的乙酸鹽 、離子性金屬的來源，及其任何組合物。 25. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中金屬係實 質上不溶於組成物中。 26. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中催化劑塗 覆至少一種硏磨料顆粒表面約5至約1 0 0之百分比。 27. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中催化劑塗 覆至少一種硏磨料顆粒表面約5至約80之百分比。 2 8 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中催化劑塗 覆至少一種硏磨料顆粒表面約2 5至約5 0之百分比。 -36- (4) (4)200304944 2 9 .如申請專利範圍第1項之組成物，另包至少一種 不含催化劑塗層的其它硏磨料。 3〇.如申請專利範圍第1項之組成物，其中其它硏磨 料的用量在約0.01至約30重量百分比，此係相對於該組成 物。 3 1 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中的其它硏 磨料之用量在約0.01至約20重量百分比，此係相對於該組 成物。 3 2.如申請專利範圍第1項之組成物，其中的其它硏 磨料之用量在約0.01至約10重量百分比，此係相對於該組 成物。 3 3 ·如申請專利範圍第1項之組成物，另包含添加劑 ’該添加劑係選自拋光增進劑' 穩定劑、界面活性劑、分 散劑、pH調整劑、及其任何組合物。 3 4.此如申請專利範圍第3 3項之組成物，其中添加劑 存在量在約0.001至約2重量百分比，此係相對於該組成物 〇 3 5 如申請專利範圍第1項之組成物，其中組成物的 PH値約2至約]1。 3 6 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中組成物的 PH値約2至約8。 3 7.如申請專利範圍第1項之組成物，其中氧化劑係 存在一調製的組成物之中，該組成物缺少經催化劑塗覆的 硏磨料且包含氧化劑。 -37- (5) (5)200304944 3 8 ·如申請專利範圍第1項之組成物，該組成物可充 分用於基材表面的化學機械拋光，該基材表面之上具有包 ( 含第一材料的面層，其中該第一材料係選自鋁、銅、鈦、 鎢、其任何合金、及其任何組合物。 3 9·如申請專利範圍第3 8項之組成物，該組成物可充 分用基材表面的化學機械拋光，該基材表面包含具有相鄰 於該面層的第二材料，該第二材料係選自鉅、氮化鉬、鈦 、氮化鈦、鈦鎢、鎢、及其任何組合物。 4〇· 一種拋光基材表面之方法，該基材表面上具有至 少一種含有金屬的面層，該方法包括： 提供如申請專利範圍第第i _5項、第9項、第12-14項 、及第20-25項中任何一項之組成物；且使用此組成物對 該面層作化學機械拋光。 4 1·如申請專利範圍第4〇項之方法，其中該項提供包 括結合至少一種硏磨料顆粒與製備的組成物，該硏磨料顆 粒表面係至少以催化劑局部塗覆，該製備的組成物缺少經 催化劑塗覆的硏磨料且包含氧化劑。 42·如申請專利範圍第40項之方法，其中金屬係選自 金呂、銅、欽、鎢、其任何合金、及其任何組合物。 43 ·如申請專利範圍第4〇項之方法，其中面層係相鄰 於一種材料，該材料係選自鉅、氮化鉅、鈦、氮化鈦、鈦 鎢、鎢、及其任何組合物。 4 4 .如申請專利範圍第4 0項之方法，其中化學機械拋 光包括施用約1至約6磅/每平方英寸的壓力至面層上。 -38- (6) 200304944 4 5.如申請專利範圍第4〇項之方法，該方法以約ι〇〇 至約1 5,0 0 0埃/每分鐘的速率充分地去除金屬。 46. 如申請專利範圍第4〇項之方法，該方法充分的提 供基材表面約0至約40百分比的晶圓內不均勻性。 47. 如申請專利範圍第4 0項之方法，該方法充分的提 供基材表面約0至約1 2百分比的晶圓內不均勻性。 4 8 ·如申請專利範圍第4 0項之方法，該方法充分的提 供使基材表面於化學機械拋光期間在其上造成的任何微刮 痕小於約2 0埃。 49. 一種在表面上至少包含一種含有金屬的面層之基 材，該基材係由如申請專利範圍第4 0項之方法所製作。 50·如申請專利範圍第49項之基材，其中金屬係選自 鋁、銅、鈦、鎢、其任何合金、及其任何組合物。 5 1 ·如申請專利範圍第49項之基材，其中面層係相鄰 於一種材料，該材料係選自鉅、氮化钽、鈦、氮化鈦、鈦 鎢、鎢、及其任何組合物。 5 2 .如申請專利範圍第4 9項之基材，該基材表面帶有 約〇至約4 0百分比的晶圓內不均勻性。 5 3.如申請專利範圍第4 9項之基材，該基材表面帶有 約〇至約1 2百分比的晶圓內不均勻性。 54.如申請專利範圍第4 9項之基材，其中於化學機械 拋光期間在基材表面上造成的任何微刮痕小於約2 0埃。 -39- 200304944 陸、（一）、本案指定代表圖為：第_圖 (二）、本代表囷之元件代表符號簡單說明： 無 柒、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 本案指定代表化學式為：第_化學式
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Families Citing this family (153)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040140288A1 (en) * 1996-07-25 2004-07-22 Bakul Patel Wet etch of titanium-tungsten film
US20040134873A1 (en) * 1996-07-25 2004-07-15 Li Yao Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same
US7077880B2 (en) * 2004-01-16 2006-07-18 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Surface modified colloidal abrasives, including stable bimetallic surface coated silica sols for chemical mechanical planarization
AU2002359356A1 (en) * 2001-11-16 2003-06-10 Ferro Corporation Particles for use in cmp slurries and method for producing them
US20060032836A1 (en) * 2001-11-16 2006-02-16 Ferro Corporation Methods of controlling the properties of abrasive particles for use in chemical-mechanical polishing slurries
US7524346B2 (en) * 2002-01-25 2009-04-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Compositions of chemical mechanical planarization slurries contacting noble-metal-featured substrates
US20030162398A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-28 Small Robert J. Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same
US7513920B2 (en) * 2002-02-11 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations
KR100560223B1 (ko) * 2002-06-05 2006-03-10 삼성코닝 주식회사 고정도 연마용 금속 산화물 분말 및 이의 제조방법
JP2004128069A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Fujimi Inc 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
US7300601B2 (en) * 2002-12-10 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
US20040154931A1 (en) * 2003-02-12 2004-08-12 Akihisa Hongo Polishing liquid, polishing method and polishing apparatus
JP4075691B2 (ja) * 2003-05-27 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法並びに基板装置の製造方法
KR101123210B1 (ko) * 2003-07-09 2012-03-19 다이니아 케미컬스 오이 화학적 기계적 평탄화용 비-중합성 유기 입자
IL157681A0 (en) * 2003-09-01 2004-03-28 J G Systems Inc Improved abrasives for chemical-mechanical polishing applications
JP4336550B2 (ja) * 2003-09-09 2009-09-30 花王株式会社 磁気ディスク用研磨液キット
US7344988B2 (en) * 2003-10-27 2008-03-18 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Alumina abrasive for chemical mechanical polishing
US7419911B2 (en) * 2003-11-10 2008-09-02 Ekc Technology, Inc. Compositions and methods for rapidly removing overfilled substrates
US7288021B2 (en) * 2004-01-07 2007-10-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing of metals in an oxidized form
JP2005236275A (ja) * 2004-01-23 2005-09-02 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
KR20050079313A (ko) * 2004-02-05 2005-08-10 매그나칩 반도체 유한회사 구리 연마용 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법
JP2005268664A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
WO2005089480A2 (en) 2004-03-19 2005-09-29 Stuart Arthur Bateman Activation method
US20050211950A1 (en) * 2004-03-24 2005-09-29 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same
KR101072271B1 (ko) * 2005-03-14 2011-10-11 주식회사 동진쎄미켐 화학 기계적 연마 슬러리 조성물용 산화제 및 그 제조방법
KR100850877B1 (ko) * 2004-06-18 2008-08-07 주식회사 동진쎄미켐 철 함유 콜로이달 실리카를 포함하는 화학 기계적 연마슬러리 조성물
US20090120012A1 (en) * 2004-06-18 2009-05-14 Dongjin Semichem Co., Ltd. Method for preparing additive for chemical mechanical polishing slurry composition
US7161247B2 (en) * 2004-07-28 2007-01-09 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for noble metals
KR100648264B1 (ko) 2004-08-17 2006-11-23 삼성전자주식회사 루테늄을 위한 화학적기계적 연마 슬러리, 상기 슬러리를이용한 루테늄에 대한 화학적기계적 연마 방법, 그리고상기 화학적기계적 연마 방법을 이용한 루테늄 전극 형성방법
KR20060016498A (ko) * 2004-08-18 2006-02-22 삼성전자주식회사 슬러리 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 가공물의연마방법
US20060038293A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 Rueger Neal R Inter-metal dielectric fill
JPWO2006030595A1 (ja) * 2004-09-14 2008-05-08 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ用研磨スラリー
US7563383B2 (en) * 2004-10-12 2009-07-21 Cabot Mircroelectronics Corporation CMP composition with a polymer additive for polishing noble metals
US8038752B2 (en) * 2004-10-27 2011-10-18 Cabot Microelectronics Corporation Metal ion-containing CMP composition and method for using the same
JP4836441B2 (ja) * 2004-11-30 2011-12-14 花王株式会社 研磨液組成物
KR100497413B1 (ko) * 2004-11-26 2005-06-23 에이스하이텍 주식회사 텅스텐-화학적 기계적 연마에 유용한 슬러리 및 그 제조방법
JP4027929B2 (ja) * 2004-11-30 2007-12-26 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
US7919391B2 (en) * 2004-12-24 2011-04-05 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Methods for preparing a bonding surface of a semiconductor wafer
KR20060077353A (ko) * 2004-12-30 2006-07-05 삼성전자주식회사 슬러리 조성물, 이를 이용한 가공물의 연마방법 및 반도체장치의 콘택 형성방법
CA2589526C (en) 2005-01-21 2014-12-02 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Activation method using modifying agent
US7476620B2 (en) 2005-03-25 2009-01-13 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Dihydroxy enol compounds used in chemical mechanical polishing compositions having metal ion oxidizers
WO2006116770A2 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Advanced Technology Materials, Inc. Method of passivating chemical mechanical polishing compositions for copper film planarization processes
US20060278614A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for defect improvement by reduced particle stiction on copper surface
KR101124569B1 (ko) * 2005-06-09 2012-03-15 삼성전자주식회사 식각액, 이를 이용하는 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
EP1928651A4 (en) * 2005-08-19 2013-04-24 Nanosys Inc METALLIC NANOSTRUCTURES OF ELECTRONIC QUALITY
CN102863943B (zh) 2005-08-30 2015-03-25 花王株式会社 硬盘用基板用研磨液组合物、基板的研磨方法和制造方法
US7803203B2 (en) 2005-09-26 2010-09-28 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of semiconductor materials
US20070075042A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-05 Siddiqui Junaid A Stabilizer-Fenton's reaction metal-vinyl pyridine polymer-surface-modified chemical mechanical planarization composition and associated method
KR20070041330A (ko) * 2005-10-14 2007-04-18 가오가부시끼가이샤 반도체 기판용 연마액 조성물
US7897061B2 (en) 2006-02-01 2011-03-01 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of phase change alloys
US7732393B2 (en) * 2006-03-20 2010-06-08 Cabot Microelectronics Corporation Oxidation-stabilized CMP compositions and methods
KR100816651B1 (ko) * 2006-03-31 2008-03-27 테크노세미켐 주식회사 제올라이트를 함유하는 구리 화학 기계적 연마 조성물
US7776228B2 (en) 2006-04-11 2010-08-17 Ebara Corporation Catalyst-aided chemical processing method
KR100832993B1 (ko) * 2006-04-14 2008-05-27 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리용 보조제
US8163049B2 (en) * 2006-04-18 2012-04-24 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Fluoride-modified silica sols for chemical mechanical planarization
EP2031968B1 (en) 2006-04-21 2017-11-22 Wake Forest University Health Sciences Structurally modified acellular tissue engineering scaffolds and methods of production
US20080283502A1 (en) * 2006-05-26 2008-11-20 Kevin Moeggenborg Compositions, methods and systems for polishing aluminum oxide and aluminum oxynitride substrates
US20080220610A1 (en) * 2006-06-29 2008-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Silicon oxide polishing method utilizing colloidal silica
US7294576B1 (en) 2006-06-29 2007-11-13 Cabot Microelectronics Corporation Tunable selectivity slurries in CMP applications
WO2008008282A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Cabot Microelectronics Corporation Cmp method for metal-containing substrates
US20080020680A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Cabot Microelectronics Corporation Rate-enhanced CMP compositions for dielectric films
US7651625B2 (en) * 2006-08-28 2010-01-26 Osaka University Catalyst-aided chemical processing method and apparatus
KR101477826B1 (ko) * 2006-10-16 2015-01-02 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 유리 연마 조성물 및 방법
US20080105652A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium/tantalum substrates
JP5072091B2 (ja) * 2006-12-08 2012-11-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20080149591A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Junaid Ahmed Siddiqui Method and slurry for reducing corrosion on tungsten during chemical mechanical polishing
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
TW200916564A (en) * 2007-01-31 2009-04-16 Advanced Tech Materials Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications
DE102007008232A1 (de) * 2007-02-20 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Dispersion enthaltend Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid
DE102007008279A1 (de) * 2007-02-20 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Ceroxid und Schichtsilikat enthaltende Dispersion
JP4372173B2 (ja) * 2007-03-16 2009-11-25 株式会社東芝 化学的機械的研磨方法および半導体装置の製造方法
US8541310B2 (en) * 2007-05-04 2013-09-24 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions containing a soluble peroxometalate complex and methods of use thereof
JP2008307631A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Asahi Glass Co Ltd ガラス基板研磨方法
JP2009050920A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Asahi Glass Co Ltd 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
US20090061630A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for Chemical Mechanical Planarization of A Metal-containing Substrate
JP2010538167A (ja) * 2007-09-06 2010-12-09 イー．ケー．シー．テクノロジー．インコーポレーテッド 銅表面を処理するための組成物およびその方法
US20090124173A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for ruthenium and tantalum barrier cmp
CN101451049A (zh) * 2007-11-30 2009-06-10 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
DE102007062572A1 (de) * 2007-12-22 2009-06-25 Evonik Degussa Gmbh Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion
DE102008002321A1 (de) * 2008-06-10 2009-12-17 Evonik Degussa Gmbh Ceroxid und partikuläres Additiv enthaltende Dispersion
US8247327B2 (en) 2008-07-30 2012-08-21 Cabot Microelectronics Corporation Methods and compositions for polishing silicon-containing substrates
US20100096360A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Compositions and methods for barrier layer polishing
US8506831B2 (en) 2008-12-23 2013-08-13 Air Products And Chemicals, Inc. Combination, method, and composition for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate
US8247328B2 (en) * 2009-05-04 2012-08-21 Cabot Microelectronics Corporation Polishing silicon carbide
KR100928456B1 (ko) 2009-06-01 2009-11-25 주식회사 동진쎄미켐 이온화되지 않는 열활성 나노촉매를 포함하는 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
US8367594B2 (en) * 2009-06-24 2013-02-05 Lam Research Corporation Damage free, high-efficiency, particle removal cleaner comprising polyvinyl alcohol particles
JP5088453B2 (ja) * 2009-12-10 2012-12-05 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品
JP2011142284A (ja) * 2009-12-10 2011-07-21 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品
US8530100B2 (en) * 2009-12-10 2013-09-10 Daimler Ag Method of chemical treatment of fuel cell plate surface to modify wettability of flow field channels
KR101396232B1 (ko) * 2010-02-05 2014-05-19 한양대학교 산학협력단 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법
US8858819B2 (en) * 2010-02-15 2014-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Method for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate
US20130203948A1 (en) * 2010-10-19 2013-08-08 Basell Poliolefine Italia S.R.L. Process for the preparation of high purity propylene polymers
CN102560368A (zh) * 2010-12-28 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 壳体及其制造方法
US8242011B2 (en) * 2011-01-11 2012-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming metal pillar
US8720770B2 (en) 2011-03-01 2014-05-13 The Golden Box, Inc. Box partition set
CN102181232B (zh) * 2011-03-17 2013-12-11 清华大学 Ulsi多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物
US9598775B2 (en) * 2011-06-13 2017-03-21 Praxair S.T. Technology, Inc. Multilayer overlay system for thermal and corrosion protection of superalloy substrates
US8623766B2 (en) * 2011-09-20 2014-01-07 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing aluminum semiconductor substrates
TWI463002B (zh) * 2011-12-01 2014-12-01 Uwiz Technology Co Ltd 研漿組成物
SG11201407168PA (en) * 2012-05-07 2014-11-27 Basf Se Process for manufacture of semiconductor devices
US9039914B2 (en) 2012-05-23 2015-05-26 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks
CN102910725A (zh) * 2012-11-20 2013-02-06 哈尔滨工业大学 改进的芬顿、类芬顿体系去除水中有机污染物的方法
US20140273458A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical Mechanical Planarization for Tungsten-Containing Substrates
US20140315386A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Air Products And Chemicals, Inc. Metal Compound Coated Colloidal Particles Process for Making and Use Therefor
JP6534507B2 (ja) * 2013-07-03 2019-06-26 Hoya株式会社 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板加工装置
US9434859B2 (en) * 2013-09-24 2016-09-06 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical planarization of polymer films
US9279067B2 (en) * 2013-10-10 2016-03-08 Cabot Microelectronics Corporation Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto
US10358579B2 (en) * 2013-12-03 2019-07-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions and methods for polishing nickel phosphorous surfaces
US9303188B2 (en) 2014-03-11 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9238754B2 (en) 2014-03-11 2016-01-19 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9303189B2 (en) 2014-03-11 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9309442B2 (en) 2014-03-21 2016-04-12 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten buffing
US9303190B2 (en) 2014-03-24 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
US9127187B1 (en) 2014-03-24 2015-09-08 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
JP6285775B2 (ja) * 2014-03-31 2018-02-28 日揮触媒化成株式会社 研磨用金属担持金属酸化物粒子および研磨剤
TWI564380B (zh) 2014-06-25 2017-01-01 卡博特微電子公司 銅障壁層化學機械拋光組合物
KR102511928B1 (ko) 2014-06-25 2023-03-20 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 텅스텐 화학적-기계적 연마 조성물
WO2015200678A1 (en) 2014-06-25 2015-12-30 Cabot Microelectronics Corporation Colloidal silica chemical-mechanical polishing concentrate
CN104131292B (zh) * 2014-07-01 2015-10-28 蚌埠市高华电子有限公司 一种清洗方便防腐蚀的复合抛光液及其制备方法
DE102014112817A1 (de) * 2014-09-05 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats
CN104371649B (zh) * 2014-09-28 2017-05-10 顾泉 一种化学机械研磨组合物
US20160122590A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical Mechanical Polishing Slurry for Reducing Corrosion and Method of Use Therefor
CN104403571B (zh) * 2014-11-20 2016-08-10 石狮市星光化工科技有限公司 一种通用的新型粉状光饰光亮剂制作方法
CN104513627B (zh) * 2014-12-22 2017-04-05 深圳市力合材料有限公司 一种集成电路铜cmp组合物及其制备方法
JP6437303B2 (ja) * 2014-12-25 2018-12-12 花王株式会社 ガラスハードディスク基板用研磨液組成物
US10570313B2 (en) * 2015-02-12 2020-02-25 Versum Materials Us, Llc Dishing reducing in tungsten chemical mechanical polishing
US10160884B2 (en) 2015-03-23 2018-12-25 Versum Materials Us, Llc Metal compound chemically anchored colloidal particles and methods of production and use thereof
US10077381B2 (en) * 2015-07-20 2018-09-18 Kctech Co., Ltd. Polishing slurry composition
KR101834418B1 (ko) * 2015-10-02 2018-03-05 유비머트리얼즈주식회사 슬러리 및 이를 이용한 기판 연마 방법
US9771496B2 (en) 2015-10-28 2017-09-26 Cabot Microelectronics Corporation Tungsten-processing slurry with cationic surfactant and cyclodextrin
US9631122B1 (en) 2015-10-28 2017-04-25 Cabot Microelectronics Corporation Tungsten-processing slurry with cationic surfactant
KR102543606B1 (ko) * 2015-12-29 2023-06-19 솔브레인 주식회사 텅스텐 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
JP6347907B1 (ja) * 2016-11-23 2018-06-27 Hoya株式会社 ガラス基板の研磨方法、ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、研磨液及び酸化セリウムの還元方法
CN111149193B (zh) * 2017-09-29 2023-09-08 株式会社力森诺科 研磨液、研磨液套剂及研磨方法
US10002771B1 (en) 2017-10-10 2018-06-19 Applied Materials, Inc. Methods for chemical mechanical polishing (CMP) processing with ozone
CN108161581A (zh) * 2017-12-25 2018-06-15 大连三生科技发展有限公司 一种牙种植体表面抛光的方法
WO2019151145A1 (ja) * 2018-02-05 2019-08-08 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び研磨方法
JP6784798B2 (ja) * 2018-06-01 2020-11-11 ケーシーテック カンパニー リミテッド 研磨用スラリー組成物
US11643599B2 (en) 2018-07-20 2023-05-09 Versum Materials Us, Llc Tungsten chemical mechanical polishing for reduced oxide erosion
US11111435B2 (en) 2018-07-31 2021-09-07 Versum Materials Us, Llc Tungsten chemical mechanical planarization (CMP) with low dishing and low erosion topography
US10968366B2 (en) 2018-12-04 2021-04-06 Cmc Materials, Inc. Composition and method for metal CMP
JP7267795B2 (ja) * 2019-03-22 2023-05-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 単体シリコンの研磨速度向上剤
EP3947580A4 (en) * 2019-03-25 2022-12-14 CMC Materials, Inc. ADDITIVES TO IMPROVE PARTICLE DISPERSION FOR CMP SLURRY
US11931855B2 (en) * 2019-06-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Planarization methods for packaging substrates
CN110437744A (zh) * 2019-08-19 2019-11-12 福建华清电子材料科技有限公司 一种用于氮化铝基片抛光的抛光液的制备方法
CN110900322B (zh) * 2019-12-23 2024-04-09 广东工业大学 一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置及方法
US11454884B2 (en) 2020-04-15 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Fluoropolymer stamp fabrication method
KR102237346B1 (ko) * 2020-08-24 2021-04-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
CN111975627B (zh) * 2020-08-27 2022-06-28 中国电子科技集团公司第十一研究所 非规则碲锌镉晶片的研磨方法
CN114433159A (zh) * 2020-10-31 2022-05-06 华为技术有限公司 用于化学机械平坦化的复合催化剂及其制备方法和抛光液
CN114559302B (zh) * 2022-03-01 2023-04-11 广东工业大学 一种抛光液、磷化铟抛光装置及方法
US20240038543A1 (en) * 2022-07-29 2024-02-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Composition and method for conducting a material removing operation
CN117487515A (zh) * 2023-12-27 2024-02-02 甬江实验室 具有催化活性的复合抛光磨粒及其制备方法

Family Cites Families (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3007878A (en) 1956-11-01 1961-11-07 Du Pont Aquasols of positively-charged coated silica particles and their production
US3139406A (en) * 1960-10-12 1964-06-30 Nalco Chemical Co Method of producing hydrous metal oxide sols
US3252917A (en) 1962-08-27 1966-05-24 Nalco Chemical Co Method of producing alumina-coated silica in sol form
BE657708A (zh) 1963-12-30
US4252671A (en) * 1979-12-04 1981-02-24 Xerox Corporation Preparation of colloidal iron dispersions by the polymer-catalyzed decomposition of iron carbonyl and iron organocarbonyl compounds
US4478742A (en) * 1981-09-17 1984-10-23 Nalco Chemical Company Preparation of a ferric acetate coated silica sol by selective anion exchange
US4478242A (en) * 1983-08-25 1984-10-23 Liqui-Box Corporation Finger-actuated push-pull slideable dispensing valve
US4595113A (en) * 1983-10-04 1986-06-17 Firma Stangl & Vogt Gmbh & Co. Kg Device for the storage and/or carriage of sensitive materials
JPS61176192A (ja) 1985-01-31 1986-08-07 株式会社日立製作所 銅と樹脂との接着方法
US5352517A (en) 1986-03-24 1994-10-04 Ensci, Inc. Iron oxide coated substrates
FR2604443A1 (fr) 1986-09-26 1988-04-01 Rhone Poulenc Chimie Composition de polissage a base de cerium destinee au polissage des verres organiques
US4841680A (en) 1987-08-25 1989-06-27 Rodel, Inc. Inverted cell pad material for grinding, lapping, shaping and polishing
JPH01193166A (ja) 1988-01-28 1989-08-03 Showa Denko Kk 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド
US4910155A (en) 1988-10-28 1990-03-20 International Business Machines Corporation Wafer flood polishing
DE3840194A1 (de) 1988-11-29 1990-05-31 Bayer Ag Kupfer-traegerkatalysator, verfahren zu seiner herstellung und verfahren zur herstellung von n-alkylierten aromatischen aminen unter einsatz dieses kupfer-katalysators
US5084071A (en) * 1989-03-07 1992-01-28 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US4959113C1 (en) 1989-07-31 2001-03-13 Rodel Inc Method and composition for polishing metal surfaces
US5128081A (en) 1989-12-05 1992-07-07 Arch Development Corporation Method of making nanocrystalline alpha alumina
US5020283A (en) 1990-01-22 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Polishing pad with uniform abrasion
EP0462094B1 (en) * 1990-06-05 1996-01-03 Huntsman Specialty Chemicals Corporation Process for dehydrogenation of paraffin
US5234880A (en) * 1990-10-11 1993-08-10 Paxon Polymer Company, L.P. Polyolefin catalysts and method of preparing an olefin polymer
US5981454A (en) 1993-06-21 1999-11-09 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine
US5345490A (en) 1991-06-28 1994-09-06 General Electric Company Method and apparatus for converting computed tomography (CT) data into finite element models
US5197999A (en) 1991-09-30 1993-03-30 National Semiconductor Corporation Polishing pad for planarization
US5302356A (en) * 1992-03-04 1994-04-12 Arizona Board Of Reagents Acting On Behalf Of University Of Arizona Ultrapure water treatment system
US5264010A (en) 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
US5445996A (en) 1992-05-26 1995-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for planarizing a semiconductor device having a amorphous layer
US5225034A (en) 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5626715A (en) 1993-02-05 1997-05-06 Lsi Logic Corporation Methods of polishing semiconductor substrates
US5427423A (en) * 1993-09-27 1995-06-27 E. J. Brooks Company Padlock security seal with internal bar code
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
US5489233A (en) 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
IL115053A (en) 1994-09-01 1999-11-30 Cabot Corp Ceramic slip compositions and method for making the same
US5527423A (en) 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
WO1996038262A1 (en) 1995-06-01 1996-12-05 Rodel, Inc. Compositions for polishing silicon wafers and methods
DE19530339A1 (de) * 1995-08-18 1997-02-20 Degussa Pyrogene Kieselsäure, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung
FR2738007B1 (fr) * 1995-08-24 1999-03-05 Nippon Denso Co Procede et dispositif pour produire une eau minerale
US5785868A (en) * 1995-09-11 1998-07-28 Board Of Regents, Univ. Of Texas System Method for selective separation of products at hydrothermal conditions
US5958794A (en) * 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
WO1997031703A1 (fr) * 1996-02-28 1997-09-04 Hoya Corporation Materiau de verre pour porter un photocatalyseur, dispositif filtrant utilisant celui-ci et procede pour emettre de la lumiere
FR2745260B1 (fr) * 1996-02-28 1998-04-03 Airbus Ind Systeme et procede de conversion rapide et reversible d'un avion entre une configuration passagers et une configuration fret
US5948697A (en) 1996-05-23 1999-09-07 Lsi Logic Corporation Catalytic acceleration and electrical bias control of CMP processing
US5863838A (en) 1996-07-22 1999-01-26 Motorola, Inc. Method for chemically-mechanically polishing a metal layer
EP0852615B1 (en) 1996-07-25 2005-12-14 DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C. Chemical mechanical polishing composition and process
US6039891A (en) 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
US5783489A (en) 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5773364A (en) 1996-10-21 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for using ammonium salt slurries for chemical mechanical polishing (CMP)
JPH10128667A (ja) 1996-10-30 1998-05-19 Chiyouri Kk 研磨方法及び装置及びその研磨材
US6068787A (en) 1996-11-26 2000-05-30 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US5958288A (en) * 1996-11-26 1999-09-28 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
DE19650500A1 (de) 1996-12-05 1998-06-10 Degussa Dotierte, pyrogen hergestellte Oxide
US6309560B1 (en) 1996-12-09 2001-10-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US5735963A (en) * 1996-12-17 1998-04-07 Lucent Technologies Inc. Method of polishing
JPH10204416A (ja) * 1997-01-21 1998-08-04 Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk 研磨用組成物
US6022400A (en) * 1997-05-22 2000-02-08 Nippon Steel Corporation Polishing abrasive grains, polishing agent and polishing method
US5891205A (en) 1997-08-14 1999-04-06 Ekc Technology, Inc. Chemical mechanical polishing composition
JP3371775B2 (ja) * 1997-10-31 2003-01-27 株式会社日立製作所 研磨方法
US5849051A (en) 1997-11-12 1998-12-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive foam article and method of making same
JPH11151321A (ja) 1997-11-20 1999-06-08 Bridgestone Sports Co Ltd マルチピースソリッドゴルフボール
EP1086484A4 (en) 1998-04-10 2003-08-06 Ferro Corp PASTE FOR THE CHEMOMECHANICAL POLISHING OF METAL SURFACES
US6077601A (en) * 1998-05-01 2000-06-20 3M Innovative Properties Company Coated abrasive article
CA2330320A1 (en) * 1998-05-14 1999-11-18 U.S. Environmental Protection Agency Contaminant adsorption and oxidation via the fenton reaction
US6177026B1 (en) * 1998-05-26 2001-01-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP slurry containing a solid catalyst
US6435947B2 (en) * 1998-05-26 2002-08-20 Cabot Microelectronics Corporation CMP polishing pad including a solid catalyst
US6159076A (en) * 1998-05-28 2000-12-12 Komag, Inc. Slurry comprising a ligand or chelating agent for polishing a surface
US6217416B1 (en) * 1998-06-26 2001-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
JP4090589B2 (ja) * 1998-09-01 2008-05-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US6439709B1 (en) 1998-09-04 2002-08-27 Trident International, Inc. Method for reducing cavitation in impulse ink jet printing device
US6270395B1 (en) * 1998-09-24 2001-08-07 Alliedsignal, Inc. Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
JP3986181B2 (ja) * 1998-10-19 2007-10-03 三井化学株式会社 タングステン含有部材研磨用スラリー及び研磨方法
US6140239A (en) * 1998-11-25 2000-10-31 Advanced Micro Devices, Inc. Chemically removable Cu CMP slurry abrasive
US6077337A (en) * 1998-12-01 2000-06-20 Intel Corporation Chemical-mechanical polishing slurry
KR100472882B1 (ko) 1999-01-18 2005-03-07 가부시끼가이샤 도시바 수계 분산체, 이를 이용한 화학 기계 연마용 수계 분산체조성물, 웨이퍼 표면의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조방법
KR100447551B1 (ko) 1999-01-18 2004-09-08 가부시끼가이샤 도시바 복합 입자 및 그의 제조 방법, 수계 분산체, 화학 기계연마용 수계 분산체 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법
US6740590B1 (en) 1999-03-18 2004-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing
DE19919635A1 (de) 1999-04-30 2000-11-23 Degussa Silicium-Aluminium-Mischoxid
US6248704B1 (en) 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
US6251150B1 (en) * 1999-05-27 2001-06-26 Ekc Technology, Inc. Slurry composition and method of chemical mechanical polishing using same
US6376645B1 (en) * 1999-07-09 2002-04-23 The Dow Chemical Company Complexing agent-modified hexacyanometallate hexanitrometallate catalysts
US6235693B1 (en) 1999-07-16 2001-05-22 Ekc Technology, Inc. Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
CN1107097C (zh) 1999-07-28 2003-04-30 长兴化学工业股份有限公司 化学机械研磨组合物及方法
TWI254070B (en) 1999-08-18 2006-05-01 Jsr Corp Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
WO2001030928A1 (en) 1999-10-28 2001-05-03 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing compositions and systems
JP2001133053A (ja) * 1999-11-01 2001-05-18 Toyota Autom Loom Works Ltd 空調装置
US6503418B2 (en) 1999-11-04 2003-01-07 Advanced Micro Devices, Inc. Ta barrier slurry containing an organic additive
US6293848B1 (en) * 1999-11-15 2001-09-25 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for planarizing surfaces
US6638143B2 (en) * 1999-12-22 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Ion exchange materials for chemical mechanical polishing
US6242351B1 (en) * 1999-12-27 2001-06-05 General Electric Company Diamond slurry for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6299795B1 (en) * 2000-01-18 2001-10-09 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing slurry
US6332831B1 (en) * 2000-04-06 2001-12-25 Fujimi America Inc. Polishing composition and method for producing a memory hard disk
EP1272311A1 (en) * 2000-04-07 2003-01-08 Cabot Microelectronics Corporation Integrated chemical-mechanical polishing
DE10024874A1 (de) * 2000-05-16 2001-11-29 Siemens Ag Polierflüssigkeit und Verfahren zur Strukturierung von Metallen und Metalloxiden
JP3632071B2 (ja) * 2000-07-04 2005-03-23 国立大学法人東北大学 硫化物触媒を用いた一酸化炭素の水素化法
JP3993369B2 (ja) * 2000-07-14 2007-10-17 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2002043258A (ja) * 2000-07-24 2002-02-08 Asahi Kasei Corp 金属膜用研磨組成物
US6498131B1 (en) 2000-08-07 2002-12-24 Ekc Technology, Inc. Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus
US6541384B1 (en) * 2000-09-08 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Method of initiating cooper CMP process
US6461227B1 (en) * 2000-10-17 2002-10-08 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a memory or rigid disk with an ammonia-and/or halide-containing composition
US6702954B1 (en) 2000-10-19 2004-03-09 Ferro Corporation Chemical-mechanical polishing slurry and method
US6383065B1 (en) * 2001-01-22 2002-05-07 Cabot Microelectronics Corporation Catalytic reactive pad for metal CMP
US6899804B2 (en) * 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
JP4083397B2 (ja) * 2001-06-18 2008-04-30 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
JP4954398B2 (ja) * 2001-08-09 2012-06-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6589100B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-08 Cabot Microelectronics Corporation Rare earth salt/oxidizer-based CMP method
US7077880B2 (en) * 2004-01-16 2006-07-18 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Surface modified colloidal abrasives, including stable bimetallic surface coated silica sols for chemical mechanical planarization
US20030162398A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-28 Small Robert J. Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same
US7513920B2 (en) * 2002-02-11 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations
IL157681A0 (en) * 2003-09-01 2004-03-28 J G Systems Inc Improved abrasives for chemical-mechanical polishing applications
WO2005066325A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 Ekc Technology, Inc. Cleaner compositions containing free radical quenchers
US7476620B2 (en) * 2005-03-25 2009-01-13 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Dihydroxy enol compounds used in chemical mechanical polishing compositions having metal ion oxidizers

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