CN110900322B - 一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及超精密加工的技术领域,更具体地,涉及一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置及方法,包括底座、集群磁铁、自转传动组件、公转传动组件、第一驱动组件、内盛有磁流变液的抛光盘、第二驱动组件以及电芬顿组件,集群磁铁安装于自转传动组件、自转传动组件连接于集群磁铁和第一驱动组件之间、公转传动组件连接于第一驱动组件和自转传动组件之间,抛光盘与第二驱动组件连接、且抛光盘位于集群磁铁上方。本发明电芬顿反应生成物·OH与被加工工件反应生成氧化层;集群磁铁自转和公转以及抛光盘转动,磁流变液在集群磁铁的作用下形成动态柔性抛光垫,氧化层在动态柔性抛光垫的作用下去除,可改善工件加工效率和加工质量。
Description
技术领域
本发明涉及超精密加工的技术领域,更具体地,涉及一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置及方法。
背景技术
硬脆材料由于其高强度、高硬度、高脆性、耐磨损和腐蚀、隔热、低密度和低膨胀系数及稳定的化学性质等特点在电子、光学、仪器仪表、航天航空、民用军工等领域的应用潜力十分巨大。现代高新技术的发展对平面硬脆材料的需求越来越广泛,但硬脆材料的表面质量成为制约其应用的关键因素。脆性材料具有的低塑性、易脆性破坏、微裂纹及加工工艺不当会引起工件表面及亚表面损伤及组织破坏等缺点,对脆性材料的高效精密加工成为必然要求。磁流变抛光技术具有抛光效果好、不产生亚表面损伤、适合复杂表面加工等传统抛光所不具备的优点,已成为一种革命性光学表面加工方法,特别适合轴对称非球面的超精密加工,广泛应用于大型光学元件、半导体晶片、LED基板、液晶显示板等的最后加工工序,但磁流变抛光技术的抛光效率低。
为了提高磁流变的抛光效率,中国专利CN200610132495.9基于磁流变抛光原理和集群作用机理提出了一种基于磁流变效应的研磨抛光方法及其抛光装置,该方法虽然通过集群方法形成了面域抛光垫,但是工件的加工均匀性难以保证;中国专利CN201510801886.4提出了一种动态磁场自锐的磁流变柔性抛光垫发生装置及其抛光方法,实现了磁流变柔性抛光垫在加工过程中对工件的恒压加工,并且能使磨料在加工过程中实时更新自锐,但加工效率较低。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置及方法,结合电芬顿反应生成具有强氧化性的·OH,·OH与被加工工件表面发生氧化反应生成一层较软的氧化层,氧化层在动态磁场柔性抛光垫的作用下去除,可提高加工效率和加工质量。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
提供一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置,包括底座、集群磁铁、驱动集群磁铁自转的自转传动组件、驱动集群磁铁公转的公转传动组件、为集群磁铁自转和公转提供动力的第一驱动组件、内盛有磁流变液的抛光盘、驱动抛光盘转动的第二驱动组件以及可发生电芬顿反应产生·OH反应物的电芬顿组件,所述集群磁铁安装于自转传动组件、所述自转传动组件连接于集群磁铁和第一驱动组件之间、所述公转传动组件连接于第一驱动组件和自转传动组件之间,所述抛光盘与第二驱动组件连接、且所述抛光盘位于集群磁铁上方,所述电芬顿组件包括电化学工作站及伸入至磁流变液中的电芬顿单元,所述电化学工作站与电芬顿单元连接,所述第一驱动组件、第二驱动组件、电化学工作站均安装于底座。
本发明的电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置,第一驱动组件通过公转传动组件驱动集群磁铁公转、通过自转传动组件驱动集群磁铁自转,第二驱动组件驱动抛光盘转动,磁流变液在集群磁铁的作用下形成动态柔性磨头,多个所述动态柔性磨头集群形成动态柔性抛光垫;同时,电芬顿反应产生的反应生成物·OH与待加工工件反应生成氧化层,动态柔性抛光垫对待加工工件表面切削完成研磨抛光。本发明可与待加工工件表面全面接触,提高集群磁流变的加工效率和加工均匀性,且加工表面一致性良好、无表面/亚表面损伤。
进一步地,所述第一驱动组件包括第一电机、第一带轮、第二带轮、第一传动带以及主轴,所述第一带轮与第一电机连接、第一电机安装于底座,所述第一传动带环绕于第一带轮和第二带轮的外周,所述主轴与第二带轮连接且所述主轴设有与所述自转传动组件连接的偏心轴以及与所述公转传动组件连接的过渡轴。第一电机启动,通过第一带轮、第二带轮及第一传动带带动主轴、过渡轴、偏心轴旋转,为集群磁铁的自转和公转提供动力。
进一步地,所述自转传动组件包括啮合设置的第一主动齿轮和第一从动齿轮,所述第一主动齿轮安装于偏心轴,所述集群磁铁安装于第一从动齿轮。主轴带动偏心轴转动,驱动第一主动齿轮旋转、第一主动齿轮驱动第一从动齿轮转动,集群磁铁发生自转。
进一步地,所述集群磁铁包括多组磁铁,其中一组磁铁设于第一从动齿轮的中心,其他组磁铁均匀围绕于其中一组磁铁的周围,其中一组磁铁与其他组磁铁的磁极相反。多组磁铁可形成局部集群磁铁动态磁场发生装置,磁流变液在集群磁铁的作用下形成动态柔性磨头,多个动态柔性磨头集群形成动态柔性抛光垫。
进一步地,所述公转传动组件包括第二主动齿轮、内齿轮以及多组第二从动齿轮,所述第二主动齿轮安装于过渡轴,多组第二从动齿轮与第二主动齿轮啮合、且多组第二从动齿轮与内齿轮啮合,所述内齿轮与所述主轴同轴安装;所述第二从动齿轮转动连接有自转轴,所述自转轴的一端与第一从动齿轮连接、自转轴的另一端与内齿轮连接。主轴带动第二主动齿轮转动,第二主动齿轮通过第二从动齿轮带动内齿轮转动,内齿轮带动安装于其上的自转轴转动,自转轴带动第一从动齿轮转动实现集群磁铁的公转运动。
进一步地,所述第二主动齿轮为不完整齿轮,不完整齿轮的始端与第二从动齿轮接触啮合转动至不完整齿轮的末端与第二从动齿轮松开啮合时,内齿轮转动的角度等于相邻两组第二从动齿轮中心关于第二主动齿轮中心的夹角角度。如此设置,在第二主动齿轮与一组第二从动齿轮松开啮合至第二主动齿轮与下一组第二从动齿轮啮合过程中,第二主动齿轮空转,第一从动齿轮保持自转,从而实现对待加工工件的加工以及对下一组柔性抛光垫的修整,实现了磁流变液的快速更新与快速自锐。
进一步地,所述第二驱动组件包括第二电机、第三带轮、第四带轮、第二传动带以及传动件,所述第二电机安装于底座,所述第三带轮与第二电机连接,所述第四带轮与传动件连接,所述第二传动带缠绕于第三带轮和第四带轮外周,所述抛光盘与传动件连接。第二电机启动,通过第三带轮、第四带轮、第二传动带以及传动件带动抛光盘转动。
进一步地,所述电芬顿单元包括工作电极、参比电极和辅助电极;所述工作电极处发生如式(1-1)和(1-2)所示化学反应:
Fe-2e-→Fe2+ (1-1)
Fe-3e-→Fe3+ (1-2)
所述辅助电极处发生如式(1-3)所示化学反应:
O2+2H++2e-→H2O2 (1-3)
生成的Fe2+与H2O2反应生成·OH,如式(1-4)所示:
Fe2++H2O2→Fe3++·OH+OH- (1-4)
生成的Fe3+与H2O2又还原成Fe2+和·OOH,如式(1-5)所示:
Fe3++H2O2→Fe2++·OOH+H+ (1-5)。
电芬顿反应生成的·OH可与待加工工件表面反应生成一层硬度较软、结合力较小的氧化层,氧化层在动态磁场柔性抛光垫的作用下去除,从而提高了加工效率和加工质量;其中,·OH为电芬顿反应在线生成,可避免运输、存储和处理风险,减小造价。
进一步地,所述电芬顿单元为多组,多组电芬顿单元均匀环绕于抛光盘内。电芬顿反应在线生成的·OH均匀分布于磁流变液中,可与待加工工件表面全面接触,可改善加工均匀性。
本发明还提供了一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光方法,包括以下步骤:
S1.将研磨抛光装置安装于XY精密移动平台,并移动至原点;
S2.将待加工工件安装在抛光轴的头部,通过调整抛光轴的高度调整抛光盘与所述待加工工件之间的间隙,以保证研磨抛光压力并使所述动态柔性抛光垫稳定形成;
S3.配置磁流变液并调节pH值,注入抛光盘内;
S4.启动第一驱动组件、第二驱动组件,集群磁铁自转和公转以及抛光盘转动,磁流变液在所述集群磁铁的作用下形成动态柔性磨头,多个所述动态柔性磨头集群形成动态柔性抛光垫;本实施例的第一电机的转速调节为600rpm,第二电机的转速调节为100rpm;
S5.启动电化学工作站,电芬顿单元反应生成物·OH与被加工工件反应生成氧化层,步骤S4中所述动态柔性抛光垫对待加工工件表面进行切削完成待加工工件表面的研磨抛光。
本发明电芬顿集群磁流变复合研磨抛光方法,电芬顿反应生成物·OH与被加工工件反应生成氧化层;集群磁铁自转和公转以及抛光盘转动,磁流变液在所述集群磁铁的作用下形成动态柔性磨头,多个所述动态柔性磨头集群形成动态柔性抛光垫;氧化层在动态柔性抛光垫的作用下去除,可提高加工效率和加工质量。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明电芬顿反应生成物·OH与被加工工件反应生成氧化层,集群磁铁可以分开实现自转和公转,集群磁铁自转形成柔性抛光垫实现了对工件的加工,集群磁铁间歇公转可实现对柔性抛光垫的全面修整,可提高加工效率、提高加工均匀性,同时也可实现磁流变液的快速更新与磨料的快速自锐;且本发明电芬顿反应原料H2O2和Fe2+在线生成,避免运输、存储和处理风险,降低装置造价。
附图说明
图1为电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置的结构示意图;
图2为电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置的工作原理图;
图3为电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置的自转传动组件的结构示意图;
图4为电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置的公转传动组件的结构示意图;
图5为图1中局部A的放大示意图;
图6为电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置的夹具的结构示意图;
图7为芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置的电芬顿单元的俯视图;
图8为芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置的电芬顿单元的结构示意图;
附图中:1-底座;2-集群磁铁;3-自转传动组件;31-第一主动齿轮;32-第一从动齿轮;4-公转传动组件;41-第二主动齿轮;42-内齿轮;43-第二从动齿轮;44-自转轴;45-齿轮支撑座;5-第一驱动组件;51-第一电机;52-第一带轮;53-第二带轮;54-第一传动带;55-主轴;56-偏心轴;57-过渡轴;6-抛光盘;7-第二驱动组件;71-第二电机;72-第三带轮;73-第四带轮;74-第二传动带;75-传动轴;76-转接盘;77-调节螺钉;78-塔型弹簧;8-电芬顿组件;81-电化学工作站;82-工作电极;83-参比电极;84-辅助电极;85-陶瓷座;86-导线孔;87-电极固定座;88-电极填充物;89-电芬顿单元保护层;9-夹具;91-外隔套;92-外支撑筒;93-导线槽;94-安装槽;95-工作电极铜环;96-参比电极铜环;97-辅助电极铜环。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,而非实物图,不能理解为对本专利的限制;为了更好地说明本发明的实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件;在本发明的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
实施例一
如图1至图8所示为本发明的电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置的实施例,包括底座1、集群磁铁2、驱动集群磁铁2自转的自转传动组件3、驱动集群磁铁2公转的公转传动组件4、为集群磁铁2自转和公转提供动力的第一驱动组件5、内盛有磁流变液的抛光盘6、驱动抛光盘6转动的第二驱动组件7以及可发生电芬顿反应产生·OH反应物的电芬顿组件8,集群磁铁2安装于自转传动组件3、自转传动组件3连接于集群磁铁2和第一驱动组件5之间、公转传动组件4连接于第一驱动组件5和自转传动组件3之间,抛光盘6与第二驱动组件7连接、且抛光盘6位于集群磁铁2上方,电芬顿组件8包括电化学工作站81及伸入至磁流变液中的电芬顿单元,电化学工作站81与电芬顿单元连接,第一驱动组件5、第二驱动组件7、电化学工作站81均安装于底座1。
本实施例在实施时,第一驱动组件5通过公转传动组件4驱动集群磁铁2公转、通过自转传动组件3驱动集群磁铁2自转,第二驱动组件7驱动抛光盘6转动,磁流变液在集群磁铁2的作用下形成动态柔性磨头,多个动态柔性磨头集群形成动态柔性抛光垫;同时,电芬顿反应产生的反应生成物·OH与待加工工件反应生成氧化层,动态柔性抛光垫对待加工工件表面切削完成研磨抛光。本发明可与待加工工件表面全面接触,提高集群磁流变的加工效率和加工均匀性,且加工表面一致性良好、无表面/亚表面损伤。
如图1所示,第一驱动组件5包括第一电机51、第一带轮52、第二带轮53、第一传动带54以及主轴55,第一带轮52与第一电机51连接、第一电机51安装于底座1,第一传动带54环绕于第一带轮52和第二带轮53的外周,主轴55与第二带轮53连接且主轴55设有与自转传动组件3连接的偏心轴56以及与公转传动组件4连接的过渡轴57。实施时,第一电机51启动,通过第一带轮52、第二带轮53及第一传动带54带动主轴55、过渡轴57、偏心轴56旋转,为集群磁铁2的自转和公转提供动力。但需要说明的是,采用带轮皮带的传动方式进行传动是为了结构简便、传动稳定而做出的优选,并不作为限制性的规定。
自转传动组件3包括啮合设置的第一主动齿轮31和第一从动齿轮32,第一主动齿轮31安装于偏心轴56,集群磁铁2安装于第一从动齿轮32,本实施例的第一从动齿轮32设有多个安装磁铁的磁铁放置孔。主轴55带动偏心轴56转动,驱动第一主动齿轮31旋转、第一主动齿轮31驱动第一从动齿轮32转动,集群磁铁2发生自转。其中,集群磁铁2包括多组磁铁,其中一组磁铁设于第一从动齿轮32的中心,其他组磁铁均匀围绕于其中一组磁铁的周围,其中一组磁铁与其他组磁铁的磁极相反,如图3所示。第一主动齿轮31偏心设置,第一从动齿轮32按照一定排布规律放置多个磁铁,第一主动齿轮31带动第一从动齿轮32偏心旋转,从而带动第一从动齿轮32上的磁铁运动;在磁流变抛光过程中,磁流变液在多个磁铁作用下形成柔性抛光垫完全覆盖在被加工工件表面,形成多个小柔性抛光垫同时加工,其中磁铁的磁场强度为0.2T~4T,磁铁的直径可根据被加工工件的大小调整,本实施例可在第一从动齿轮32上的磁铁放置孔中添加适合的套筒以放置不同直径的磁铁。
公转传动组件4包括第二主动齿轮41、内齿轮42以及多组第二从动齿轮43,第二主动齿轮41安装于过渡轴57,多组第二从动齿轮43与第二主动齿轮41啮合、且多组第二从动齿轮43与内齿轮42啮合,内齿轮42与主轴55同轴安装;第二从动齿轮43转动连接有自转轴44,自转轴44的一端与第一从动齿轮32连接、自转轴44的另一端与内齿轮42连接。具体地,内齿轮42设有圆孔,第二从动齿轮43通过一对轴承配合在自转轴44上,自转轴44通过固定板固定在内齿轮42的圆孔上,内齿轮42间隙配合在齿轮支撑座45上,内齿轮42通过轴承与主轴55同轴安装。实施时,主轴55带动第二主动齿轮41转动,第二主动齿轮41通过第二从动齿轮43带动内齿轮42转动,内齿轮42带动安装于其上的自转轴44转动,自转轴44带动第一从动齿轮32转动实现集群磁铁2的公转运动。
本实施例中,第二主动齿轮41为不完整齿轮,内齿轮42内成120°均匀放置有三组第二从动齿轮43,第二主动齿轮41上齿轮部分所占的圆心角小于120°,如图4所示;在安装此结构时,调试第二主动齿轮41转动,使之保证在加工区域的一条临界边刚接触第二从动齿轮43,在内齿轮42转过120°的时候第二从动齿轮43与第二主动齿轮41刚好松开啮合;在第二主动齿轮41与下一组第二从动齿轮43接触期间,第二主动齿轮41空转,第一从动齿轮32保持自转,从而实现对工件的加工以及对下一组柔性抛光垫的修整。
如图1所示,第二驱动组件7包括第二电机71、第三带轮72、第四带轮73、第二传动带74以及传动件,第二电机71安装于底座1,第三带轮72与第二电机71连接,第四带轮73与传动件连接,第二传动带74缠绕于第三带轮72和第四带轮73外周,抛光盘6与传动件连接;实施时,第二电机71启动,通过第三带轮72、第四带轮73、第二传动带74以及传动件带动抛光盘6转动。具体地,传动件包括传动轴75及转接盘76,第四带轮73固定安装在传动轴75,齿轮支撑座45与传动轴75固定,转接盘76固定在齿轮支撑座45,抛光盘6与转接盘76通过调节螺钉77连接,调节螺钉77上安装有塔型弹簧78,以保证抛光盘6转动的平稳性。
电芬顿单元包括工作电极82、参比电极83和辅助电极84;工作电极82处发生如式(1-1)和(1-2)所示化学反应:
Fe-2e-→Fe2+ (1-1)
Fe-3e-→Fe3+ (1-2)
辅助电极84处发生如式(1-3)所示化学反应:
O2+2H++2e-→H2O2 (1-3)
生成的Fe2+与H2O2反应生成·OH,如式(1-4)所示:
Fe2++H2O2→Fe3++·OH+OH- (1-4)
生成的Fe3+与H2O2又还原成Fe2+和·OOH,如式(1-5)所示:
Fe3++H2O2→Fe2++·OOH+H+ (1-5)。
电芬顿反应生成的·OH可与待加工工件表面反应生成一层硬度较软、结合力较小的氧化层,氧化层在动态磁场柔性抛光垫的作用下去除,从而提高了加工效率和加工质量;其中,·OH为电芬顿反应在线生成,可避免运输、存储和处理风险,减小造价。
本实施例中,电芬顿单元为多组,多组电芬顿单元均匀环绕于抛光盘6内。其中,电芬顿单元分别通过导线与电化学工作站81连接,电芬顿单元安装在夹具9上,夹具9固定在外隔套91上,外隔套91固定在外支撑筒92上,外支撑筒92安装在底座1,外支撑筒92与传动轴75之间设有轴承,外隔套91与齿轮支撑座45之间也设有轴承。为隐藏导线,本实施例在外隔套91内开设有导线槽93,导线从电化学工作站81引出,穿过导线槽93与电芬顿单元连接,但如此设置是为了结构紧凑、外表美观而做出的优选,并不作为限制性的规定。
如图5至图7所示,夹具9上开设有电极铜环放置槽以及多个“工”字形电芬顿单元安装槽94,工作电极铜环95、参比电极铜环96和辅助电极铜环97同轴放置在安装槽94内,导线分别与工作电极铜环95、参比电极铜环96和辅助电极铜环97相连,工作电极铜环95、参比电极铜环96和辅助电极铜环97之间保持绝缘,工作电极82、参比电极83和辅助电极84端部设置的工作电极82触头、参比电极83触头和辅助电极84触头通过触头槽分别与工作电极铜环95、参比电极铜环96、辅助电极铜环97接触实现通电。
如图8所示,电芬顿单元还包括有陶瓷座85、导线孔86、电极固定座87、电极填充物88、电芬顿单元保护层89,导线孔86设于陶瓷座85内,导线孔86内连接导线,工作电极82、参比电极83和辅助电极84固定在电极固定座87,导线分别与工作电极82、参比电极83、辅助电极84连接,工作电极82、参比电极83和辅助电极84设于电芬顿单元保护层89内,工作电极82、参比电极83和辅助电极84之间填充有电极填充物88。本实施例的工作电极82为不锈钢电极、铂电极、活性炭纤维电极、钛基二氧化锆/二氧化锡复合电极、钛基二氧化铷/二氧化铱复合电极中的一种或多种;参比电极83为氢电极、甘汞电极、银/氯化银电极、汞/氧化汞电极、汞/硫酸亚汞电极的一种或多种;辅助电极84为石墨电极、钛网、活性炭纤维电极、铂电极中的一种或多种;电极填充物88为固体氧珠、铁碳合金、沸石、硅藻土中的一种或多种;工作电极82、参比电极83、辅助电极84和电芬顿单元保护层89均为网状结构,工作电极82和参比电极83之间间距为1cm~2cm,工作电极82和辅助电极84间距为1cm~5cm,极板面积为5cm2~30cm2,辅助电极84的极板面积大于工作电极82的极板面积;电芬顿单元工作电流密度为1mA/cm2~100mA/cm2,电压强度为1V~30V,工作环境pH值为1~5。但需要说明的是,工作电极82、参比电极83和辅助电极84的具体参数设置是为了获得高效率的电芬顿反应而做出的优选,并不作为限制性规定,可根据研磨抛光需求进行相应调整。
实施例二
本实施例为实施例一电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置在加工2英寸的单晶SiC基片的研磨抛光方法的实施例,本实施例中采用100nm~500nm的金刚石磨料与5μm~10μm的羰基铁粉作为复合磨料,工作方法包括以下步骤:
S1.将研磨抛光装置安装于XY精密移动平台,并移动至原点;
S2.将待加工工件单晶SiC安装在抛光轴的头部,通过调整抛光轴的高度调整抛光盘6与待加工工件之间的间隙,以保证研磨抛光压力并使动态柔性抛光垫稳定形成;
S3.配置磁流变液并调节pH值,注入抛光盘6内;
S4.启动第一驱动组件5、第二驱动组件7,集群磁铁2自转和公转以及抛光盘6转动,磁流变液在集群磁铁2的作用下形成动态柔性磨头,多个动态柔性磨头集群形成动态柔性抛光垫;
S5.启动电化学工作站81,电芬顿单元反应生成物·OH与被加工工件反应生成氧化层,步骤S4中动态柔性抛光垫对待加工工件表面进行切削完成待加工工件表面的研磨抛光。
在步骤S1之前,需先对研磨抛光装置相关组件进行选择和适应性调整:
选择7个直径为20mm,磁场强度为1T的平头圆柱形铷磁铁安装在第一从动齿轮32上,如图3所示,按照一定的规律排布磁铁,圆心处放置一个磁铁,其余磁铁围绕圆心处的磁铁放置,圆心处的磁极分布跟外面磁极分布相反,外围磁极分布保持一致,以便形成连续的抛光垫完全接触单晶SiC基片表面;
在内齿轮42上成120°均匀安装三组第二从动齿轮43,并通过第二固定螺钉28和固定板固定在内齿轮42上,适当转动第二主动齿轮41,以确保能在120°的加工区域内,第二主动齿轮41能将第二从动齿轮43从一条临界加工线转动到另一条临界加工线;
将第一驱动组件5、第二驱动组件7正确安装在抛光盘6下方的预设位置后,在抛光盘6上方放置一个水平气泡仪,调节下方调节螺钉77,以调整加工间隙并保证抛光盘6水平;
工作电极82选择不锈钢电极、参比电极83选择甘汞电极、辅助电极84选择石墨电极,填充物为固体氧珠、铁碳合金、沸石组装成电芬顿单元,并将大于三个的电芬顿单元放置在夹具9内,将夹具9固定在外隔套91上。
步骤S3中,磁流变液按以下组分比例和步骤进行制备:在去离子水中加入浓度为15%的复合磨料,浓度为10%的分散剂和浓度为5%的防锈剂,充分搅拌均匀后调节pH为3,然后超声振荡15min制成复合磁流变液.
步骤S5中,电化学工作站81的电流密度调为15mA/cm2,电压调为5V;电芬顿单元反应生成物·OH与SiC反应生成氧化层:
SiC+4·OH+O2→SiO2+2H2O+CO2↑ (1-6)
实施例三
本实施例为实施例一电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置在加工2英寸的单晶硅片的研磨抛光方法的实施例,本实施例中采用50nm~100nm的硅溶胶磨料与1μm~5μm的羰基铁粉作为复合磨料,本实施例与实施例二工作方法相似,所不同之处在于:
步骤S3中,磁流变液按以下组分比例和步骤进行制备:在去离子水中加入浓度为15%的复合磨料,浓度为10%的分散剂和浓度为5%的防锈剂,充分搅拌均匀后调节pH为3,然后超声振荡20min制成复合磁流变液;
步骤S4中,调节第一电机51的转速为400rpm,第二电机71的转速为100rpm;
步骤S5中,电化学工作站81电流密度调为10mA/cm2,电压为5V;电芬顿单元反应生成物·OH与单晶硅片反应生成氧化层:
Si+2·OH+O2→SiO2+2H2O (1-7)
实施例四
本实施例为实施例一电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置在在加工2英寸的单晶GaN基片的研磨抛光方法的实施例,本实施例中采用10nm~50nm的硅溶胶磨料与0.5μm~1μm的羰基铁粉作为复合磨料,本实施例与实施例二工作方法相似,所不同之处在于:
本实施例的工作电极82选择铂电极、参比电极83选择甘汞电极、辅助电极84选择石墨电极,填充物为固体氧珠、铁碳合金、沸石组;
步骤S3中,磁流变液按以下组分比例和步骤进行制备:在去离子水中加入浓度为10%的复合磨料,浓度为15%的分散剂和浓度为5%的防锈剂,充分搅拌均匀后调节pH为3,然后超声振荡30min制成复合磁流变液;
步骤S4中,调节第一电机51的转速为300rpm,第二电机71的转速为100rpm;
步骤S5中,电化学工作站81的电流密度调为25mA/cm2,电压调为10V;电芬顿单元反应生成物·OH与GaN反应生成氧化层:
2GaN+6·OH→Ga2O3+3H2O+N2 (1-8)
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置,其特征在于,包括底座(1)、集群磁铁(2)、驱动集群磁铁(2)自转的自转传动组件(3)、驱动集群磁铁(2)公转的公转传动组件(4)、为集群磁铁(2)自转和公转提供动力的第一驱动组件(5)、内盛有磁流变液的抛光盘(6)、驱动抛光盘(6)转动的第二驱动组件(7)以及可发生电芬顿反应产生·OH反应物的电芬顿组件(8),所述集群磁铁(2)安装于自转传动组件(3)、所述自转传动组件(3)连接于集群磁铁(2)和第一驱动组件(5)之间、所述公转传动组件(4)连接于第一驱动组件(5)和自转传动组件(3)之间,所述抛光盘(6)与第二驱动组件(7)连接、且所述抛光盘(6)位于集群磁铁(2)上方,所述电芬顿组件(8)包括电化学工作站(81)及伸入至磁流变液中的电芬顿单元,所述电化学工作站(81)与电芬顿单元连接,所述第一驱动组件(5)、第二驱动组件(7)、电化学工作站(81)均安装于底座(1);所述第一驱动组件(5)包括第一电机(51)、第一带轮(52)、第二带轮(53)、第一传动带(54)以及主轴(55),所述第一带轮(52)与第一电机(51)连接、第一电机(51)安装于底座(1),所述第一传动带(54)环绕于第一带轮(52)和第二带轮(53)的外周,所述主轴(55)与第二带轮(53)连接且所述主轴(55)设有与所述自转传动组件(3)连接的偏心轴(56)以及与所述公转传动组件(4)连接的过渡轴(57);所述第二驱动组件(7)包括第二电机(71)、第三带轮(72)、第四带轮(73)、第二传动带(74)以及传动件,所述第二电机(71)安装于底座(1),所述第三带轮(72)与第二电机(71)连接,所述第四带轮(73)与传动件连接,所述第二传动带(74)缠绕于第三带轮(72)和第四带轮(73)外周,所述抛光盘(6)与传动件连接。
2.根据权利要求1所述的电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置,其特征在于,所述自转传动组件(3)包括啮合设置的第一主动齿轮(31)和第一从动齿轮(32),所述第一主动齿轮(31)安装于偏心轴(56),所述集群磁铁(2)安装于第一从动齿轮(32)。
3.根据权利要求2所述的电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置,其特征在于,所述集群磁铁(2)包括多组磁铁,其中一组磁铁设于第一从动齿轮(32)的中心,其他组磁铁均匀围绕于其中一组磁铁的周围,其中一组磁铁与其他组磁铁的磁极相反。
4.根据权利要求2所述的电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置,其特征在于,所述公转传动组件(4)包括第二主动齿轮(41)、内齿轮(42)以及多组第二从动齿轮(43),所述第二主动齿轮(41)安装于过渡轴(57),多组第二从动齿轮(43)与第二主动齿轮(41)啮合、且多组第二从动齿轮(43)与内齿轮(42)啮合,所述内齿轮(42)与所述主轴(55)同轴安装;所述第二从动齿轮(43)转动连接有自转轴(44),所述自转轴(44)的一端与第一从动齿轮(32)连接、自转轴(44)的另一端与内齿轮(42)连接。
5.根据权利要求4所述的电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置,其特征在于,所述第二主动齿轮(41)为不完整齿轮,不完整齿轮的始端与第二从动齿轮(43)接触啮合转动至不完整齿轮的末端与第二从动齿轮(43)松开啮合时,内齿轮(42)转动的角度等于相邻两组第二从动齿轮(43)中心关于第二主动齿轮(41)中心的夹角角度。
6.根据权利要求1至5任一项所述的电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置,其特征在于,所述电芬顿单元包括工作电极(82)、参比电极(83)和辅助电极(84);所述工作电极(82)处发生如式(1-1)和(1-2)所示化学反应:
Fe-2e-→Fe2+(1-1)
Fe-3e-→Fe3+(1-2)
所述辅助电极(84)处发生如式(1-3)所示化学反应:
O2+2H++2e-→H2O2(1-3)
生成的Fe2+与H2O2反应生成·OH,如式(1-4)所示:
Fe2++ H2O2→Fe3++·OH+OH-(1-4)
生成的Fe3+与H2O2又还原成Fe2+和·OOH,如式(1-5)所示:
Fe3++ H2O2→Fe2++·OOH+H+(1-5)。
7.根据权利要求6所述的电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置,其特征在于,所述电芬顿单元为多组,多组电芬顿单元均匀环绕于抛光盘(6)内。
8.一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.将权利要求1至7任一项所述的研磨抛光装置安装于XY精密移动平台,并移动至原点;
S2.将待加工工件安装在抛光轴的头部,通过调整抛光轴的高度调整抛光盘(6)与所述待加工工件之间的间隙,以保证研磨抛光压力并使动态柔性抛光垫稳定形成;
S3.配置磁流变液并调节pH值,注入抛光盘(6)内;
S4.启动第一驱动组件(5)、第二驱动组件(7),集群磁铁(2)自转和公转以及抛光盘(6)转动,磁流变液在所述集群磁铁(2)的作用下形成动态柔性磨头,多个所述动态柔性磨头集群形成动态柔性抛光垫;
S5.启动电化学工作站(81),电芬顿单元反应生成物·OH与待加工工件反应生成氧化层,步骤S4中所述动态柔性抛光垫对待加工工件表面进行切削完成待加工工件表面的研磨抛光。
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---|---|---|---|---|
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CN113334149A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-09-03 | 广东技术师范大学 | 一种超声磁流变化学复合抛光装置及方法 |
CN114571293B (zh) * | 2022-05-09 | 2022-07-29 | 江苏克莱德激光技术有限责任公司 | 一种用于金属表面处理的磁流变抛光装置及其使用方法 |
CN115558427A (zh) * | 2022-10-24 | 2023-01-03 | 浙江奥首材料科技有限公司 | 一种基于微电解-芬顿氧化体系的抛光液、其制备方法及用途 |
CN117300748B (zh) * | 2023-11-30 | 2024-02-06 | 内蒙古工业大学 | 一种交变磁场磁力研磨装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104209862A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-12-17 | 广东工业大学 | 柔性抛光垫在线修整的超光滑平面研磨抛光装置及方法 |
CN105328516A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-17 | 广东工业大学 | 磁流变柔性抛光垫的动态磁场自锐抛光装置及其抛光方法 |
CN110281085A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-09-27 | 广东工业大学 | 一种集群磁流变研磨抛光装置及其使用方法 |
CN211439242U (zh) * | 2019-12-23 | 2020-09-08 | 广东工业大学 | 一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030162398A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-28 | Small Robert J. | Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same |
US20050260940A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-11-24 | Simon Palushaj | Abrasive cleaning device |
JP4873694B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2012-02-08 | 国立大学法人 熊本大学 | 触媒支援型化学加工方法 |
CN103192297B (zh) * | 2012-08-24 | 2016-09-21 | 广东工业大学 | 一种单晶碳化硅晶片的化学集群磁流变复合加工方法 |
CN110355617B (zh) * | 2019-05-24 | 2020-10-30 | 浙江工业大学 | 预芬顿处理和磁场联合的均匀高效抛光方法 |
CN110900322B (zh) * | 2019-12-23 | 2024-04-09 | 广东工业大学 | 一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置及方法 |
-
2019
- 2019-12-23 CN CN201911337686.2A patent/CN110900322B/zh active Active
-
2020
- 2020-10-28 WO PCT/CN2020/124515 patent/WO2021129124A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104209862A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-12-17 | 广东工业大学 | 柔性抛光垫在线修整的超光滑平面研磨抛光装置及方法 |
CN105328516A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-17 | 广东工业大学 | 磁流变柔性抛光垫的动态磁场自锐抛光装置及其抛光方法 |
CN110281085A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-09-27 | 广东工业大学 | 一种集群磁流变研磨抛光装置及其使用方法 |
CN211439242U (zh) * | 2019-12-23 | 2020-09-08 | 广东工业大学 | 一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置 |
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