KR100832993B1 - Ｃｍｐ 슬러리용 보조제 - Google Patents

Ｃｍｐ 슬러리용 보조제 Download PDF

Info

Publication number
KR100832993B1
KR100832993B1 KR1020060034079A KR20060034079A KR100832993B1 KR 100832993 B1 KR100832993 B1 KR 100832993B1 KR 1020060034079 A KR1020060034079 A KR 1020060034079A KR 20060034079 A KR20060034079 A KR 20060034079A KR 100832993 B1 KR100832993 B1 KR 100832993B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adjuvant
polishing
abrasive particles
polymer particles
particles
Prior art date
Application number
KR1020060034079A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070102222A (ko
Inventor
이기라
김종필
홍영준
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020060034079A priority Critical patent/KR100832993B1/ko
Priority to US11/783,742 priority patent/US8062395B2/en
Priority to CN2007800125791A priority patent/CN101415525B/zh
Priority to TW096112847A priority patent/TWI349030B/zh
Priority to EP07745940.2A priority patent/EP2007550B1/en
Priority to PCT/KR2007/001777 priority patent/WO2007119965A1/en
Priority to JP2009505298A priority patent/JP5322921B2/ja
Publication of KR20070102222A publication Critical patent/KR20070102222A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100832993B1 publication Critical patent/KR100832993B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
    • B24D3/346—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties utilised during polishing, or grinding operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions

Abstract

본 발명은 연마입자를 사용하여 양전하를 띠는 재료의 구조물과 음전하를 띠는 재료의 구조물을 동시에 연마시 양전하를 띠는 재료의 구조물에 흡착하여 양전하를 띠는 재료의 구조물이 연마되는 것을 억제함으로써 음전하를 띠는 재료의 구조물에 대한 연마 선택성을 높이는 보조제로서, 표면에 (-)전하를 띠면서 연마시 같이 사용될 연마입자 보다 작은 나노크기 core-shell 구조의 고분자 입자를 함유하는 것이 특징인 보조제, 및 상기 보조제와 연마입자를 함유하는 CMP 슬러리를 제공한다.
화학적 기계적 연마, CMP 슬러리, 얕은 트랜치 소자 분리

Description

ＣＭＰ 슬러리용 보조제 {ADJUVANT FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY}
도 1은 일반적인 STI 공정을 나타낸 그림이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 입자 표면에 음이온을 띠는 고분자 나노 입자의 구조를 나타낸 모식도이다.
* 도면의 주요 부호에 대한 설명 *
100: 반도체 기판 101: 패드 실리콘 산화막(SiO2)
102: 실리콘 질화막(SiN)
103: 트렌치 104: 절연용 실리콘 산화막
105: 게이트 실리콘 산화막
200: 주쇄(back bone) 부분 201: 측쇄(side chain) 부분
본 발명은 양전하를 띠는 재료와 음전하를 띠는 재료를 동시에 연마시 양전하를 띠는 재료에 흡착하여 음전하를 띠는 재료에 대한 연마 선택성을 높이는 CMP(chemical mechanical polishing) 슬러리용 보조제에 관한 것이다.
초소형 전자소자(microelectronic device)들의 집적도가 계속하여 증가함에 따라 이와 같은 소자들을 제조하는데 이용되는 평탄화 공정(planarization process)들이 더욱더 중요해지고 있다. 고집적된 전자소자들을 얻고자 하는 노력의 일환으로 반도체 웨이퍼 상에 다중 연결 배선(multiple interconnection) 및 다른 층들을 쌓는 공정들이 일반적으로 수반되고 있다. 이러한 공정들이 진행된 후에 발생하는 웨이퍼 표면의 비평탄성은 매우 많은 문제점들을 야기하고 있다. 따라서, 웨이퍼 표면에서의 비균일성들을 최소화하기 위해서 평탄화 기술이 여러 제조공정 단계에서 채용되고 있다.
이러한 평탄화 기술의 하나는 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)이다. CMP 도중에 웨이퍼 표면은 상대적으로 회전하는 연마패드에 맞대어져 눌려지고, 연마 중에 CMP 슬러리로 알려진 화학적인 반응 용액은 연마패드로 흘러 들게 된다. 이러한 CMP 기술은 화학적 및 물리적 작용들에 의해서 웨이퍼 표면을 평탄화한다. 즉, 이러한 CMP 기술은 상대적으로 회전하는 연마패드의 표면을 웨이퍼 표면에 맞대어 누르며, 동시에 화학적 반응 슬러리를 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면에 공급함으로써 웨이퍼 표면을 평탄화한다.
CMP 공정을 적용하는 일례 중 하나가 얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation, STI)이다. 상기 STI 기술에서는 상대적으로 얕은 소자 분리 트렌치들이 형성되고, 이러한 트렌치들은 웨이퍼 상에서 활성영역(active region)들을 분리시키는 필드영역(field region)들을 형성하는데 이용된다.
STI 공정은 도 1에 나타낸 바와 같이, 패드 실리콘 산화막(SiO2, 101) 및 실리콘 질화막(SiN)층(102)이 반도체 기판상에 순차적으로 적층된 후, 감광성 수지 패턴이 SiN층 상에 형성된다. 그 다음, 감광성 수지(photoresist) 패턴을 마스크로 이용하여 SiN층(102), 패드 실리콘 산화막(101), 및 반도체 기판(100)이 부분적으로 식각되어 다수의 트렌치(103)들을 형성한다.
이후 필드영역을 형성하기 위하여 트렌치(103)들을 채우고 SiN층(102)의 표면을 덮도록 절연용 실리콘 산화막(104)이 LPCVD(low pressure chemical vapor deposition), PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)법, 또는 고밀도 플라즈마 화학기상증착(high density plasma chemical vapor deposition, HDP VCD)법에 의해 증착된다.
그 다음, 상기 SiN층(102)이 노출될 때까지 절연용 실리콘 산화막(104)이 연마되고, 활성영역들 사이의 SiN층(102)과 패드 실리콘 산화막(101)은 식각공정을 통하여 제거되며, 최종적으로 게이트 실리콘 산화막(105)이 반도체 기판의 표면상에 형성된다.
이때, 상기 절연용 실리콘 산화막(104)을 제거하는 CMP 고정에서 상기 절연용 실리콘 산화막(104)과 SiN층(102)들의 화학적 및 물리적 특성의 차이 때문에 상기 층들은 서로 다른 제거 속도를 나타낸다.
이러한 절연용 실리콘 산화막과 실리콘 질화막(SiN)층의 제거 속도의 비는 슬러리의 제거 선택비(selectivity)로 나타낸다.
상기 슬러리 제거 선택비가 낮아질수록 SiN층의 제거량은 많아지게 된다. 바람직하게는 SiN층은 제거되지 않아야 한다. 즉, 절연용 실리콘 산화막의 SiN층에 대한 제거 선택비는 무한이어야 한다. 그럼에도 불구하고 현재 사용되는 CMP 슬러리들의 절연산화막의 SiN층에 대한 제거 선택비는 약 4:1 정도로 낮기 때문에 실제 공정에서 SiN층은 식각 허용범위 이상으로 연마되고 있다.
결과적으로, SiN층 패턴들은 CMP 공정 중에 웨이퍼 부위별로 균일하게 제거되지 않을 수 있어 웨이퍼 전반에 걸쳐 SiN층의 두께 변화폭이 매우 클 수밖에 없으며, 이는 반도체 기판의 표면이 밀도가 큰 패턴과 작은 패턴을 동시에 가지는 경우에 특히 문제가 된다.
상기와 같은 문제로 필드영역이 형성된 최종구조는 활성영역과 필드영역간의 단차를 유발하게 되며, 이는 후속 소자 제조공정의 마진을 감소시키며, 트랜지스터 및 소자의 특성을 열화시키게 되는 것이다. 따라서, SiN층 패턴들은 CMP 공정에 의하여 산화막을 제거한 후에도 균일한 두께의 SiN 패턴들을 얻기가 매우 어렵다는 문제점이 있다.
따라서, 최근 상기 SiN층의 연마속도에 비해 상기 절연용 실리콘 산화막의 연마 속도가 빠르게 조절되는 슬러리 조성물에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있으며, 앞으로도 더욱 연구되어야 할 과제이다.
본 발명은 연마입자를 사용하여 양전하를 띠는 재료의 구조물과 음전하를 띠는 재료의 구조물을 동시에 연마 시 양전하를 띠는 재료의 구조물에 흡착하여 양전 하를 띠는 재료의 구조물이 연마되는 것을 억제함으로써 음전하를 띠는 재료의 구조물에 대한 연마 선택성을 높이는 보조제로서, 연마입자의 응집 유도를 최소화하기 위해 표면에 (-)전하를 띠면서 연마시 같이 사용될 연마입자 보다 작은 나노크기, 바람직하게는 평균입도가 10 내지 100nm인 core-shell 구조의 고분자 입자를 사용하고자 한다.
본 발명은 연마입자를 사용하여 양전하를 띠는 재료의 구조물과 음전하를 띠는 재료의 구조물을 동시에 연마시 양전하를 띠는 재료의 구조물에 흡착하여 양전하를 띠는 재료의 구조물이 연마되는 것을 억제함으로써 음전하를 띠는 재료의 구조물에 대한 연마 선택성을 높이는 보조제로서, 표면에 (-)전하를 띠면서 평균입도가 연마시 같이 사용될 연마입자 보다 작은 나노크기 core-shell 구조의 고분자 입자를 함유하는 것이 특징인 보조제, 및 상기 보조제와 연마입자를 함유하면서 상기 고분자 입자와 연마 입자는 정전기력에 의해 결합되지 아니하는 CMP(chemical mechanical polishing) 슬러리를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 CMP 슬러리를 사용한 얕은 트랜치 소자 분리(shallow trench isolation, STI) 방법을 제공한다.
나아가, 본 발명은 연마 입자를 사용하는 연마 시, 표면에 (-)전하를 띠면서 연마입자 보다 작은 나노크기이고 연마 입자와 정전기력에 의해 결합되지 아니하는 core-shell 구조의 고분자 입자를 사용하여, 양전하를 띠는 재료의 구조물이 연마되는 것을 억제하는 방법을 제공한다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 표면에 (-)전하를 띠면서 연마시 같이 사용될 연마입자 보다 작은 나노크기, 바람직하게는 평균입도가 10 내지 100nm인 core-shell 구조의 고분자 입자를 연마입자를 사용한 연마시 보조제로 사용하여, 연마입자와 같은 입자들의 응집을 최소화하면서 양전하를 띠는 재료의 구조물이 연마되는 것을 효과적으로 억제시키는 것을 특징으로 한다.
일반적으로, 실리콘 질화물은 표면 전하가 양전하를 띠고 실리콘 산화물은 표면 전하가 음전하를 띤다. 따라서, 실리콘 질화물 보다 실리콘 산화물에 대한 연마 선택성을 높이기 위해, 표면에 (-)전하를 띠는 고분자 입자를 양전하를 띠는 실리콘 질화물에 정전기력에 의해 흡착시켜 상기 양전하를 띠는 실리콘 질화물을 연마로부터 보호함으로써 연마시 음전하를 띠는 실리콘 산화물에 대한 연마 선택성을 높일 수 있다.
본 발명에 따라 표면에 (-)전하를 띠는 고분자 입자는 입자 표면이 모두 (-)전하를 띠므로 응집현상이 없으며 양이온을 띠는 기판(예, 실리콘 질화물)에 흡착시 입자크기만큼의 흡착두께를 가지므로 연마입자에 대한 보호기능이 뛰어나다. 이때, 본 발명에 따라 표면에 (-)전하를 띠는 고분자 입자의 바람직한 표면 전위 범위는 -25mV 이하이다. -25mV 이하에서 정전기적 반발력으로 응집이 최소화되며 양이온성 기판위로 흡착도 잘 될 수 있다.
표면 전위가 너무 낮으면서 분자량 또는 입도가 크면, 연마작용을 해야 할 입자를 응집시키고, 양이온을 띠는 재료의 구조물(예, 실리콘 질화물)뿐만 아니라 음이온을 띠는 재료의 구조물(예, 실리콘 산화물)에도 흡착되어 연마작용에 대해서 보호층으로 작용하기 때문에 양이온을 띠는 재료의 구조물과 음이온을 띠는 재료의 구조물의 연마율이 모두 낮아지고 연마선택비도 낮아진다.
상기 표면 전위 범위는 예컨대 음전하를 띠는 작용기를 함유하는 단량체의 사용량을 조절하여 조절할 수 있다.
이때, 상기 고분자 평균 입도는 10nm 이상, 100nm 이하, 바람직하게는 50nm이하인 것이 좋다. 여기서 입도는 입자를 동일한 비표면적의 구라고 가정하였을 때 구의 지름으로 환산한 것이다.
표면에 (-)전하를 띠는 고분자의 입도가 10nm 미만으로 너무 작으면 양전하를 띠는 재료의 구조물에 듬성듬성 흡착되거나 두께가 얇은 피복층으로 흡착되어 양전하를 띠는 재료의 구조물을 연마로부터 제대로 보호할 수 없다.
연마로부터 보호를 확실히 하기 위해 표면에 (-)전하를 띠는 고분자는 입도가 클수록 좋으나, 상기 고분자에 의해 연마시 스크래치(scratch)와 같은 문제점을 야기할 수 있으므로, 상기 고분자 평균 입도는 100nm 이하, 바람직하게는 50nm이하인 것이 좋다.
요컨대, 본 발명에 따라 표면에 (-)전하를 띠면서 평균입도가 10 내지 100nm인 고분자 입자는 선택적으로 양전하를 띠는 재료의 구조물에 두껍게 흡착될 수 있으므로, 정전기력에 의해 선택적으로 흡착된 양이온을 띠는 재료의 구조물을 연마로부터 보호하여, 양이온을 띠는 재료의 구조물(예, 실리콘 질화물)에 대한 음이온을 띠는 재료의 구조물(예, 실리콘 산화물)의 연마 선택비를 상승시킬 수 있다.
상기 표면에 (-)전하를 띠는 core-shell 구조의 고분자 입자는 pH를 맞추기 위해 염기성 물질과 함께 염의 형태로 사용될 수 있다. 그러나, 염기성 물질은 되도록 사용하지 않을수록 좋다. 본 발명은 고분자 나노 입자가 염이 아닌 다른 형태로 사용되더라도 본 발명의 범주에 속한다.
한편, 본 발명에 따른 보조제를 사용하면, 상기 음전하를 띠는 재료 뿐만아니라 전하를 띠지 않는 재료의 연마 선택비를 상승시킬 수 있으므로, 전하를 띠지 않는 재료도 본 발명에서 음전하를 띠는 재료의 등가물로 포함될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 코어-쉘 구조의 고분자 나노 입자는 도 2에 나타낸 바와 같이 입자표면이 음전하를 띠는 쉘 부분(202)과 코어 부분(201)으로 구성된다.
연마시 같이 사용될 연마입자와 정전기력에 의해 결합되지 않기 위해 상기 고분자 나노 입자는 상기 연마입자와 제타전위가 동일한 부호인 것이 바람직하다.
본 발명의 코어-쉘 형태의 고분자에서 쉘 부분은 정전기력에 의한 흡착을 주로 담당하는 부위이므로 양전하를 띠는 재료의 구조물에의 흡착을 위해 되도록 음이온을 띠는 단위체가 많이 함유되어 있는 것이 바람직하다. 예컨대, 음이온을 띠는 단위체는 카르복실산, 술폰산, 수산화기와 같은 작용기를 갖는 것이다.
또, 연마용 슬러리는 분산매로 주로 물을 사용하기 때문에, 본 발명에 따라 표면에 (-)전하를 띠는 고분자 입자는 물에 용해되는 것이 바람직하므로 쉘부분에 친수성 단위체를 포함하는 것이 바람직하고, 물에 친화성이 높은, 예컨대 수산화기, 카르복실기, 술폰산기가 함유된 에틸렌성 불포화 단량체로부터 유래된 단위체를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 코어-쉘 형태의 고분자에서 코어 부분은 정전기력에 의한 흡착면에 있어서, 쉘 부분에 비해 그 영향력이 작으므로 반드시 음이온을 띨 필요는 없으나, 양이온을 띠는 것은 바람직하지 않으며, 주로 흡착막을 두껍게 형성시켜 주는 역할을 한다. 다만, 본 발명의 코어-쉘 형태의 고분자에서 코어 부분은 코어-쉘 구조의 고분자 입자를 용이하게 제조하기 위해 소수성인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 코어-쉘 구조의 고분자 입자는 주단량체, 공단량체, 유화제, 개시제, 선택적으로 강소수제를 혼합하여 균질화시킨 후 미니에멀젼 중합법에 의해 중합하여 최종 구형 형태의 입자로 제조할 수 있다.
상기 주단량체는 단량체 자유라디칼로 중합반응이 진행되는 불포화 이중결합을 가진 화합물로 통상 유화중합에 사용하는 단량체를 사용할 수 있다. 상기 공단량체는 가교도를 높이는 역할을 하여 입자의 경도를 조절하거나 입자 표면의 음이온성 또는 제타포텐셜을 조절하기 위해 사용하며, 단독 또는 이종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 주단량체의 비제한적인 예로, (메타)아크릴레이트류, (메타)아크릴로니트릴류, (메타)아크릴산류, (메타)아크릴아미드류, 스티렌류, 비닐리덴 클로라이드, 할로겐화 비닐 유도체, 부타디엔 유도체 등이 있다.
음이온성 친수성 단량체의 비제한적인 예로는, 카르복실기 함유 에틸렌성 불포화 단량체, 술폰산기 함유 에틸렌성 불포화 단량체, 수산화기 함유 에틸렌성 불포화 단량체 등이 있다. 카르복실기 함유 에틸렌성 불포화 단량체로는 아크릴산, 메타크릴산, 이타코닉산, 말레인산 등의 카르복실산 단량체를 사용할 수 있다. 술 폰산기 함유 에틸렌성 불포화 단량체로는 스티렌술폰산, 나프탈렌 술폰산 등을 사용할 수 있다. 수산화기 함유 에틸렌성 불포화 단량체는 알킬기의 탄소수가 1∼12 개인 히드록시 알킬 메타크릴레이트류가 바람직하고, 히드록시 에틸 메타크릴레이트, 히드록시 프로필 메타크릴레이트, 또는 히드록시 부틸 메타크릴레이트 등을 사용할 수 있다.
상기 강소수제는 (ultrahydrophobe)는 25℃에서 물에 5×10-6 g/kg이하로 녹는 것으로, 탄소수 12~20개의 지방족 알코올류, 탄소수 12~20개의 알킬기로 구성된 아크릴레이트, 탄소수 12~20개의 알킬 머갑탄, 유기물질, 불소화 알칸, 실리콘 오일 화합물, 천연오일, 또는 합성오일 등을 사용할 수 있다. 상기 강소수제는 주단량체 100중량부에 대하여 0.1 내지 10중량부로 포함되는 것이 좋다.
상기 유화제는 통상의 유화중합에 사용되는 음이온계를 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 음이온계 유화제는 설포네이트계, 카르복실산염계, 석시네이트계, 술포석시네이트계 및 이들의 금속 염류, 예를 들어 알킬벤젠술폰산, 소듐 알킬벤젠 술포네이트, 알킬 술폰산, 소듐스테아레이트, 소듐 도데실 설페이트, 소듐 도데실 설포석시네이트, 아비에틴산 염 등을 사용할 수 있다.
상기 유화제의 함량은 주단량체 100중량부에 대하여 0.05 내지 20 중량부로 포함되는 것이 좋다.
상기 개시제는 자유라디칼을 생성하는 개시제를 사용하는 것이 좋으며, 구체적으로는 과산화계 화합물 개시제, 아조계 화합물 개시제, 산화 환원계 화합물 개 시제 등을 사용할 수 있다. 더욱 바람직하게는 2,2,-아조비스-4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴, 2,2-아조비스-2,4-디메틸발레로니트릴, 2,2-아조비스-이소부티로니트릴, 2,2-아조비스-2-메틸-부티로니트릴, 2,2-아조비스-시클로헥산카보니트릴, 또는 2,2-아조비스-시아노펜탄 등의 아조계 개시제를 사용하는 것이 좋다 상기 개시제의 함량은 주단량체 100중량부에 대하여 0.01 내지 0.3중량부로 포함되는 것이 좋다.
상기 탈이온수는 주단량체 100중량부에 대하여 100 내지 800 중량부로 포함되는 것이 좋다.
본 발명에 따라 입자 표면이 음전하를 띠는 고분자 입자의 용액은 pH가 바람직하게는 4.5 내지 8.8, 더욱 바람직하게는 6.0 내지 7.5이다. 상기 pH가 4.5 미만이거나 8.8을 초과할 경우에는 연마 선택도에 나쁜 영향을 미칠 수 있다는 문제점이 있다.
본 발명에 따른 코어-쉘 구조의 고분자 입자는 염기성 물질을 이용하여 수상에서 염으로 변화시킬 수 있다.
본 발명의 보조제가 CMP 슬러리에 사용되는 경우, 염기성 물질로는 수산화암모늄(NH4OH) 또는 염기성 아민(예를 들어, 수산화 테트라메틸 암모늄, 수산화 테트라에틸 암모늄, 수산화 테트라프로필 암모늄, 또는 수산화 테트라부틸 암모늄 등) 등을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
한편, 본 발명은 a) 연마입자를 사용하여 양전하를 띠는 재료의 구조물과 음 전하를 띠는 재료의 구조물을 동시에 연마시 양전하를 띠는 재료의 구조물에 흡착하여 양전하를 띠는 재료의 구조물이 연마되는 것을 억제함으로써 음전하를 띠는 재료의 구조물에 대한 연마 선택성을 높이는 보조제로서, 표면에 (-)전하를 띠면서 연마시 같이 사용될 연마입자 보다 작은 나노크기, 바람직하게는 평균입도가 10 내지 100nm인 core-shell 구조의 고분자 입자를 함유하는 것이 특징인 보조제; b) 연마 입자(abrasive particles); 및 c) 물을 포함하며, 상기 고분자 입자와 연마 입자는 정전기력에 의해 결합되지 아니하는 CMP 슬러리를 제공한다.
상기 보조제는 CMP 슬러리에 0.1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 0.1 중량% 미만이거나 10 중량%를 초과할 경우에는 선택비가 낮아지는 문제가 있다.
상기 연마입자는 CMP 슬러리에 0.1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 그 함량이 0.1 중량% 미만일 경우에는 산화물층의 제거 속도가 충분지 높지 않고, 10 중량%를 초과할 경우에는 슬러리의 안정성이 저하된다.
연마입자로는 실리카, 산화지르코늄, 산화티타늄, 산화세륨 등의 나노크기의 세라믹 연마입자를 사용할 수 있으며, 산화세륨이 바람직하다.
연마입자의 평균입도는 50nm내지 500nm인 것이 바람직하다.
CMP 슬러리는 용매(예, 물)에 용해된 본 발명의 보조제, 또는 분산매(예, 물) 분산된 연마입자를 투여하여 제조할 수 있다. CMP 슬러리에서 본 발명의 보조제는 코어-쉘 고분자 입자가 염기성 물질과 함께 염을 형성한 형태일 수 있다.
이때, 본 발명의 보조제 수용액의 농도는 3 내지 3.5 중량%인 것이 바람직 하고, 연마입자 수분산액의 농도는 4 내지 6 중량%인 것이 바람직하다. 따라서, CMP 슬러리 내 물은 본 발명의 보조제 또는 연마입자 조성물 자체에 함유되어 있는 형태로 포함될 수 있다. CMP 슬러리 내 물의 함량은 총 슬러리 조성물이 100중량%가 되도록 하는 양으로 맞출 수 있으며, 94 내지 99.8 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 94 중량% 미만일 경우에는 슬러리의 안정성이 저하되며, 99.8 중량%를 초과할 경우에는 연마율이 낮아진다.
또한, 본 발명은 상기 CMP 슬러리가 적용되는 얕은 트랜치 소자 분리(shallow trench isolation, STI) 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 CMP 슬러리를 사용하면, 실리콘 질화막에 대한 실리콘 산화물의 제거 선택비가 30이상으로 높아 CMP 공정 중 웨이퍼 부위별로 SiN층을 균일하게 제거하여 두께 변화폭을 최소화할 수 있다. 이로 인해 활성영역과 필드영역 간의 단차가 없어 트랜지스터와 같은 초소형 전자 소자의 특성에 영향을 미치지 않을 수 있다. 또한, 연마 선택도가 보다 높고 연마 중 평균 응집입도가 보다 작은 슬러리 조성물을 사용한 연마가 가능하여 미세 패턴을 요구하는 반도체 장치의 제조에 적극적으로 사용할 수 있으며, 이로부터 반도체 장치의 제조 시 미세패턴을 형성할 수 있으며, 신뢰도 및 생산성을 현저히 향상시킬 수 있다.
본 발명은 또한, 연마 입자를 사용하는 연마시, 표면에 (-)전하를 띠면서 연마입자 보다 작은 나노크기, 바람직하게는 평균입도가 10 내지 100nm이고 연마 입자와 정전기력에 의해 결합되지 아니하는 core-shell 구조의 고분자 입자를 사용하여, 양전하를 띠는 재료의 구조물이 연마되는 것을 억제하는 방법을 제공한다.
이때, 표면에 (+)전하를 띠면서 연마시 같이 사용될 연마입자 보다 작은 나노크기 core-shell 구조의 고분자 입자를 사용하여, 연마 시 음전하를 띠는 재료이 연마되는 것을 억제시키는 방법 또한 본 발명의 등가물로서 본 발명의 범주에 속한다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1
(1) core-shell 구조의 고분자 입자의 제조
소수성 단량체로 스티렌 100 중량부, 친수성 음전하 단량체로 아크릴산(Acrylic acid) 5중량부, 개시제 V65 (2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile)) 0.05 중량부, 강소수제로 헥사데칸 4.0 중량부를 혼합한 후, 소듐라우릴설페이트 10 중량부를 탈이온수 300 중량부에 녹인 수용액에 혼합하였다. 이어서, 초음파 분쇄기로 5분간 처리하여 미니에멀젼을 만든 후, 이를 회분식 반응기에서 서서히 교반하면서, 60-90 ℃ 사이로 5시간 동안 가열하여 중합하였다.
이렇게 얻어진 고분자입자를 한일 원심분리기 MEGA17R 을 이용하여 17000RPM 에서 2시간 동안 원심분리하고, 침전된 부분을 물에 다시 분산시켰다. 위 원심분리-재분산 과정을 3회 반복한 후 얻어진 유화제가 제거된 core-shell 구조의 고분자 입자 용액을 얻었다. 제조된 고분자 입자들의 평균입도는 50nm이었다.
(2) CMP 슬러리용 고선택비 보조제의 제조
상기 제조한 고분자 입자 용액이 3 중량%가 되도록 물을 가하여 희석시킨 후, 여기에 수산화암모늄을 첨가하여 pH를 7.1로 조절하여 최종 CMP 슬러리용 보조제를 제조하였다.
(3) CMP 슬러리 제조
연마입자 조성물로 5 중량% 산화세륨 슬러리 조성물(HS8005HX, Hitachi Chemical), 상기에서 제조한 CMP 슬러리용 보조제, 및 물을 1 : 3 : 3의 부피비로 혼합하여 CMP 슬러리를 제조하였다. 사용된 연마입자들의 평균입도는 250nm정도이었다.
비교예 1
연마입자 조성물로 5 중량% 산화세륨 슬러리 조성물(HS8005HX, Hitachi Chemical), 물을 1 : 6 의 부피비로 혼합하여 CMP 슬러리를 제조하였다.
비교예 2
(CMP 슬러리용 보조제 제조)
상기 실시예 1에서 제조한 core-shell 구조의 고분자 입자 용액 대신 선형의 음이온성 고분자 물질을 주 성분으로 하는 HS8102GP (Hitachi Chemical 제조) 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 최종 CMP 슬러리용 보조제를 제조하였다.
(CMP 슬러리 제조)
연마입자 조성물로 5 중량% 산화세륨 슬러리 조성물(HS8005HX, Hitachi Chemical), 상기 제조한 CMP 슬러리용 보조제, 및 물을 1 : 3 : 3의 부피비로 혼합하여 CMP 슬러리를 제조하였다.
<실험>
상기 실시예 1, 상기 비교예 1, 2에서 제조한 CMP 슬러리를 이용하여 하기의 방법으로 pH, 이온전도도(mS), 평균응집입도(㎚), 산화막 연마율(Å/분), 질화막 연마율(Å/분), 및 선택비를 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
ㄱ) pH - pH측정용 장비(Corning pH미터 445)를 이용하여 측정하였다.
ㄴ) 평균응집입도 - 광산란 장치(Dynamic Light Scattering, 미국 하니웰사의 Microtrap UPA150)를 이용하여 측정하였다.
ㄷ) 산화막 연마율 - GNP Technology사의 연마기 POLI400를 이용하여 연마하고 두께 Nanometrics의 산화막의 초기와 연마후 두께를 Nanospec 6100으로 측정하여 연마율을 구하였다.
ㄹ) 질화막 연마율 - GNP Technology사의 연마기 POLI400를 이용하여 연마하고 Nanometrics의 질화막의 초기 두께와 연마후 두께를 Nanospec 6100으로 측정하여 연마율을 구하였다.
ㅁ) 선택비 - 산화막의 연마율을 질화막의 연마율로 나누어 구하였다.
ㅂ) 두께편차 - 산화막의 연마 속도의 표준편차를 평균 연마속도로 나누어 구하였다.
첨가제 pH 응집입도 산화막 연마율 (Å/min) 두께편차 질화막 연마율 (Å/min) 선택비
실시예 1 051011-2 8 412 1724 6.20 51 34
비교예 1 W/O 　 307 5849 6.63 957 6
비교예 2 GP3 　 2570 4799 6.4 72 67
슬러리 내 응집은 보조제가 연마 입자에 흡착되고 이 현상이 두개 이상의 입자들에서 동시에 일어날 경우 입자가 서로 뭉치게 되는 현상으로, 상기 보조제로 실시예 1의 코어-쉘 구조의 고분자 입자를 사용하게 되면 움직임이 비교예 2의 선형의 아크릴산 중합체 분자보다 느리므로 연마 입자에 흡착되는데 필요한 시간이 많이 걸려 흡착량이 감소하는 것으로 추측된다.
연마할 기판으로의 흡착 성능도 마찬가지 이유로 코어-쉘 구조의 고분자 입자가 훨씬 떨어지지만 움직이는 연마 입자보다는 고정되어 있는 기판에 훨씬 잘 흡착되며 일단 흡착이 일어나면 그 빈도가 떨어지더라도 보호기능이 훨씬 뛰어나므로 원하는 선택비를 구현할 수 있다.
본 발명은 연마시 표면에 (-)전하를 띠면서 평균입도가 10 내지 100nm인 core-shell 구조의 고분자 입자를 보조제로 사용함으로써, 양전하를 띠는 재료의 구조물과 음전하를 띠는 재료의 구조물을 동시에 연마시 양전하를 띠는 재료의 구조물에 흡착하여 음전하를 띠는 재료의 구조물에 대한 연마 선택성을 높일 수 있으며, 입자의 응집 유도를 최소화할 수 있다.
이상에서 본 발명의 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명 백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (18)

  1. 연마입자를 사용하여 양전하를 띠는 재료의 구조물과 음전하를 띠는 재료의 구조물을 동시에 연마시 양전하를 띠는 재료의 구조물에 흡착하여 양전하를 띠는 재료의 구조물이 연마되는 것을 억제함으로써 음전하를 띠는 재료의 구조물에 대한 연마 선택성을 높이는 보조제로서, 표면에 (-)전하를 띠면서 연마시 같이 사용될 연마입자 보다 작은 나노크기 core-shell 구조의 고분자 입자를 함유하는 것이 특징인 보조제.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고분자 입자는 연마시 같이 사용될 연마입자와 정전기력에 의해 결합되지 아니하는 것이 특징인 보조제.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고분자 입자의 표면 전위 범위는 -25mV 이하인 것이 특징인 보조제.
  4. 제2항에 있어서, 상기 고분자 입자는 연마입자와 제타전위가 동일부호인 것이 특징인 보조제.
  5. 제1항에 있어서, 고분자 입자의 평균입도가 10 내지 100nm인 것이 특징인 보조제.
  6. 제1항에 있어서, CMP(chemical mechanical polishing) 슬러리에 사용되는 것이 특징인 보조제.
  7. 제1항에 있어서, core-shell 구조의 고분자 입자는 core는 소수성이고 shell은 친수성인 것이 특징인 보조제.
  8. 제1항에 있어서, 고분자 입자는 구형인 것이 특징인 보조제.
  9. 제1항에 있어서, 고분자 입자는 카르복실기(-COOH), 술폰산기 또는 수산화기(-OH)에 의해 표면에 (-)전하를 띠는 것이 특징인 보조제.
  10. 제1항에 있어서, 고분자 입자는 미니 에멀젼 중합법에 의해 제조된 것이 특징인 보조제.
  11. 제1항에 있어서, 상기 표면에 (-)전하를 띠는 고분자 입자는 염기성 물질과 함께 염을 형성하는 것이 특징인 보조제.
  12. 제1항에 있어서, pH가 4.5 내지 8.8인 것이 특징인 보조제.
  13. a) 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 보조제;
    b) 연마 입자; 및
    c) 물
    을 포함하며, 상기 보조제와 연마 입자는 정전기력에 의해 결합되지 아니하는 것이 특징인 CMP 슬러리.
  14. 제13항에 있어서, 보조제 0.1 내지 10 중량%; 연마입자 0.1 내지 10 중량%를 함유하고, 물은 조성물 총 100중량%를 맞추는 함량으로 포함되어 있는 것이 특징인 CMP 슬러리.
  15. 제13항에 있어서, 연마입자의 평균입도는 50nm 내지 500nm인 것이 특징인 CMP 슬러리.
  16. 제13항에 있어서, 연마입자는 실리카, 산화지르코늄, 산화티타늄, 산화세륨으로 구성된 군에서 1종 이상 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리.
  17. 제13항에 기재된 CMP 슬러리를 사용한 얕은 트랜치 소자 분리(shallow trench isolation, STI) 방법.
  18. 연마 입자를 사용하는 연마시, 표면에 (-)전하를 띠면서 연마입자 보다 작은 나노크기이고 연마 입자와 정전기력에 의해 결합되지 아니하는 core-shell 구조의 고분자 입자를 사용하여, 양전하를 띠는 재료의 구조물이 연마되는 것을 억제하는 방법.
KR1020060034079A 2006-04-14 2006-04-14 Ｃｍｐ 슬러리용 보조제 KR100832993B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060034079A KR100832993B1 (ko) 2006-04-14 2006-04-14 Ｃｍｐ 슬러리용 보조제
US11/783,742 US8062395B2 (en) 2006-04-14 2007-04-11 Adjuvant for CMP slurry
CN2007800125791A CN101415525B (zh) 2006-04-14 2007-04-12 Cmp浆料的辅助剂
TW096112847A TWI349030B (en) 2006-04-14 2007-04-12 Adjuvant for cmp slurry
EP07745940.2A EP2007550B1 (en) 2006-04-14 2007-04-12 Adjuvant for cmp slurry
PCT/KR2007/001777 WO2007119965A1 (en) 2006-04-14 2007-04-12 Adjuvant for cmp slurry
JP2009505298A JP5322921B2 (ja) 2006-04-14 2007-04-12 Ｃｍｐスラリー用補助剤

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060034079A KR100832993B1 (ko) 2006-04-14 2006-04-14 Ｃｍｐ 슬러리용 보조제

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070102222A KR20070102222A (ko) 2007-10-18
KR100832993B1 true KR100832993B1 (ko) 2008-05-27

Family

ID=38605336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060034079A KR100832993B1 (ko) 2006-04-14 2006-04-14 Ｃｍｐ 슬러리용 보조제

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8062395B2 (ko)
EP (1) EP2007550B1 (ko)
JP (1) JP5322921B2 (ko)
KR (1) KR100832993B1 (ko)
CN (1) CN101415525B (ko)
TW (1) TWI349030B (ko)
WO (1) WO2007119965A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8404009B2 (en) * 2007-10-29 2013-03-26 Kao Corporation Polishing composition for hard disk substrate
JP4756099B2 (ja) 2009-03-18 2011-08-24 日東電工株式会社 光拡散素子、光拡散素子付偏光板、およびこれらを用いた液晶表示装置、ならびに光拡散素子の製造方法
KR101809762B1 (ko) * 2009-11-13 2017-12-15 바스프 에스이 무기 입자 및 중합체 입자를 포함하는 화학적 기계적 연마 (ｃｍｐ) 조성물
JP5883598B2 (ja) * 2010-09-17 2016-03-15 日東電工株式会社 光拡散素子および光拡散素子付偏光板の製造方法、ならびに、これらの方法で得られた光拡散素子および光拡散素子付偏光板
WO2015137982A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing glass
US9303190B2 (en) * 2014-03-24 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
US9583359B2 (en) * 2014-04-04 2017-02-28 Fujifilm Planar Solutions, LLC Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films
KR20220165667A (ko) * 2021-06-08 2022-12-15 주식회사 동진쎄미켐 유기막 연마 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
CN117637460A (zh) * 2022-08-10 2024-03-01 长鑫存储技术有限公司 一种半导体结构及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3523126B2 (ja) 1999-09-01 2004-04-26 エターナル ケミカル シーオー．，エルティーディー． 半導体プロセシングにおいて使用する化学機械的研磨組成物
KR20040060138A (ko) * 2002-12-30 2004-07-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 폴리 플러그 형성방법
JP2004363191A (ja) 2003-06-02 2004-12-24 Toshiba Corp 有機膜用化学的機械的研磨スラリー、有機膜の化学的機械的研磨方法および半導体装置の製造方法
US6866793B2 (en) 2002-09-26 2005-03-15 University Of Florida Research Foundation, Inc. High selectivity and high planarity dielectric polishing
KR100549332B1 (ko) 1998-12-30 2006-03-31 주식회사 하이닉스반도체 구리 박막의 화학기계적 연마 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000160136A (ja) 1998-11-30 2000-06-13 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨法
US6740590B1 (en) * 1999-03-18 2004-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing
JP3957924B2 (ja) * 1999-06-28 2007-08-15 株式会社東芝 Ｃｍｐ研磨方法
JP4123685B2 (ja) 2000-05-18 2008-07-23 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体
JP3993369B2 (ja) * 2000-07-14 2007-10-17 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US20030162398A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-28 Small Robert J. Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same
TW200424299A (en) * 2002-12-26 2004-11-16 Kao Corp Polishing composition
KR100663781B1 (ko) * 2003-01-31 2007-01-02 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Ｃμρ연마제 및 연마방법
US7427361B2 (en) * 2003-10-10 2008-09-23 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Particulate or particle-bound chelating agents
KR100646775B1 (ko) 2004-01-14 2006-11-17 학교법인 한양학원 Ｃｍｐ용 슬러리 및 그의 제조방법
US20060118760A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Yang Andy C Slurry composition and methods for chemical mechanical polishing
KR100786950B1 (ko) 2004-12-29 2007-12-17 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리용 보조제
US7674716B2 (en) 2004-12-29 2010-03-09 Lg Chem. Ltd. Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry
KR100786949B1 (ko) 2005-12-08 2007-12-17 주식회사 엘지화학 연마 선택도 조절 보조제 및 이를 함유한 ｃｍｐ 슬러리

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100549332B1 (ko) 1998-12-30 2006-03-31 주식회사 하이닉스반도체 구리 박막의 화학기계적 연마 방법
JP3523126B2 (ja) 1999-09-01 2004-04-26 エターナル ケミカル シーオー．，エルティーディー． 半導体プロセシングにおいて使用する化学機械的研磨組成物
US6866793B2 (en) 2002-09-26 2005-03-15 University Of Florida Research Foundation, Inc. High selectivity and high planarity dielectric polishing
KR20040060138A (ko) * 2002-12-30 2004-07-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 폴리 플러그 형성방법
JP2004363191A (ja) 2003-06-02 2004-12-24 Toshiba Corp 有機膜用化学的機械的研磨スラリー、有機膜の化学的機械的研磨方法および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2007550A1 (en) 2008-12-31
JP5322921B2 (ja) 2013-10-23
WO2007119965A1 (en) 2007-10-25
CN101415525A (zh) 2009-04-22
US20070243710A1 (en) 2007-10-18
EP2007550B1 (en) 2014-03-05
EP2007550A4 (en) 2011-09-28
KR20070102222A (ko) 2007-10-18
CN101415525B (zh) 2011-12-21
US8062395B2 (en) 2011-11-22
TW200740973A (en) 2007-11-01
JP2009533863A (ja) 2009-09-17
TWI349030B (en) 2011-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100832993B1 (ko) Ｃｍｐ 슬러리용 보조제
KR100880107B1 (ko) Ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마 방법
KR100447552B1 (ko) 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조에 사용하는 화학 기계연마용 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조 방법 및 매립배선의 형성 방법
KR101406642B1 (ko) 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법, 및화학 기계 연마용 수계 분산체를 제조하기 위한 키트
JP4554363B2 (ja) 半導体用研磨剤、その製造方法及び研磨方法
JP4123685B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体
KR100786950B1 (ko) Ｃｍｐ 슬러리용 보조제
KR100786948B1 (ko) 연마 선택비 조절제 및 이를 함유한 ｃｍｐ 슬러리
KR20120080253A (ko) 화학적 기계적 연마용 슬러리 및 그것을 이용하는 기판의 연마 방법
TWI500722B (zh) 包含無機粒子與聚合物粒子之化學機械拋光（ｃｍｐ）組成物
TW201217506A (en) Aqueous polishing compositions containing N-substituted diazenium dioxides and/or N&#39;-hydroxy-diazenium oxide salts
IL192527A (en) Composition and method of silicon nitride polishing
JP4151178B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体の製造方法
KR20130008563A (ko) 수성 연마제 및 그라프트 공중합체 및 패턴화되고 비구조화된 금속 표면의 연마 방법에서 이들의 용도
KR100786949B1 (ko) 연마 선택도 조절 보조제 및 이를 함유한 ｃｍｐ 슬러리
US20050014890A1 (en) Composition for chemical-mechanical polishing and method of using same
US11066575B2 (en) Chemical mechanical planarization for tungsten-containing substrates
KR102396281B1 (ko) 연마용 조성물 및 이의 제조방법
JP2009146998A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2006041252A (ja) Ｃｍｐ研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法
TW201400598A (zh) 研磨組成物、研磨組成物之製造方法及基板之製造方法
JP2005109129A (ja) 研磨用砥粒、研磨用水性分散液及び研磨剤
KR20020004425A (ko) Ｃｍｐ용 슬러리 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130410

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140318

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150416

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160523

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170328

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180418

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 12