RU2342734C2 - Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы - Google Patents
Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2342734C2 RU2342734C2 RU2007107371/28A RU2007107371A RU2342734C2 RU 2342734 C2 RU2342734 C2 RU 2342734C2 RU 2007107371/28 A RU2007107371/28 A RU 2007107371/28A RU 2007107371 A RU2007107371 A RU 2007107371A RU 2342734 C2 RU2342734 C2 RU 2342734C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- microwave
- microwaves
- gas
- plasma system
- microwave plasma
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/461—Microwave discharges
- H05H1/4622—Microwave discharges using waveguides
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
- A61L2/00—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor
- A61L2/02—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor using physical phenomena
- A61L2/14—Plasma, i.e. ionised gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Abstract
Настоящее изобретение предоставляет микроволновые плазменные системы с сопловыми решетками и способы для выбора конфигурации микроволновых плазменных сопловых решеток. Микроволны передаются в микроволновый резонатор особым способом и формируют интерференционный узор, который включает в себя области высоких энергий в пределах микроволнового резонатора. Областями высоких энергий управляют посредством фаз и длины волны микроволн. Множество сопловых элементов предоставляется в виде решетки. Каждый из сопловых элементов имеет участок, частично расположенный в микроволновом резонаторе, принимающий газ для пропускания через себя. Сопловые элементы принимают энергию микроволн из одной из областей высоких энергий. Каждый из сопловых элементов включает в себя стержневой проводник, имеющий наконечник, на котором фокусируются микроволны, и таким образом генерируется плазма с использованием принятого газа. 7 н. и 75 з.п. ф-лы, 15 ил.
Description
Перекрестная ссылка на родственные заявки
Настоящая заявка имеет отношение к параллельно поданной заявке согласно РСТ US № 2005026085, зарегистрированной 21 июля 2005 года, озаглавленный "СИСТЕМА И СПОСОБ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ МОЩНОСТИ В ПРЕДЕЛАХ МИКРОВОЛНОВОГО РЕЗОНАТОРА", которая тем самым включается в настоящую заявку посредством ссылки во всей полноте.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
1. Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение имеет отношение к системам генерирования плазмы и, конкретнее, к микроволновым плазменным системам, имеющим плазменные сопловые решетки.
2. Предшествующий уровень техники
В течение последних лет наращивались достижения в производстве плазмы. Как правило, плазма состоит из положительно заряженных ионов, нейтральных частиц и электронов. В целом, плазмы могут быть подразделены на две категории: термически равновесные и термически неравновесные плазмы. Термическое равновесие подразумевает, что температура всех частиц, в том числе положительно заряженных ионов, нейтральных частиц и электронов, является одинаковой.
Плазмы также могут быть разделены на плазмы в состоянии локального термического равновесия (ЛТР) и в не-ЛТР состоянии, причем это подразделение обычно зависит от давления плазм. Термин "локальное тепловое равновесие (ЛТР)" имеет отношение к термодинамическому состоянию в тех случаях, когда температуры всех частиц плазмы одинаковы в локализованных областях в плазме.
Высокое плазменное давление порождает большое число столкновений в плазме за единичный временной интервал, приводящих к достаточному обмену энергией между частицами, составляющими плазму, и это приводит к равной температуре для плазменных частиц. С другой стороны, низкое плазменное давление может в результате давать одну или более температуры для плазменных частиц вследствие недостаточных столкновений между частицами плазмы.
В не-ЛТР, или попросту нетермических плазмах, температура ионов и нейтральных частиц обычно является меньше 100°C, в то время как температура электронов может достигать нескольких десятков тысяч градусов по Цельсию. Поэтому не-ЛТР плазма может служить высокореактивным средством для энергоемких, а также тонких прикладных задач без потребления большого количества энергии. Эта "горячая прохлада" предоставляет множество возможностей для технологических процессов и экономические перспективы для различных прикладных задач. Энергоемкие прикладные задачи включают в себя системы металлизации и плазменной резки, а тонкие прикладные задачи включают в себя плазменные системы очистки поверхности и плазменные дисплеи.
Одной из этих прикладных задач является плазменная стерилизация, в которой применяется плазма для уничтожения микроорганизмов, в том числе высокоустойчивых бактериальных эндоспор. Стерилизация является очень важным этапом при обеспечении безопасности медицинских и стоматологических приборов, материалов и тканей для конечного использования. Существующие способы стерилизации, используемые в больницах и отраслях промышленности, включают в себя автоклавную обработку, газовую обработку этиленоксидом (ЭТО), стерилизацию сухим жаром и облучение гамма-лучами или электронными лучами. У этих технологий имеется ряд сложностей, с которыми приходится сталкиваться и преодолевать, и они включают в себя такие проблемы, как тепловая чувствительность и разрушение под воздействием высокой температуры, образование токсичных побочных продуктов, высокие эксплуатационные расходы и неэффективность при полной продолжительности цикла. Следовательно, организации и промышленные отрасли здравоохранения давно нуждаются в технологии стерилизации, которая может функционировать при близкой к комнатной температуре и за меньшее время, не вызывая структурного повреждения, для широкого ассортимента медицинских принадлежностей, в том числе различных чувствительных к высокой температуре электронных компонентов и оборудования. Плазмы атмосферного давления для стерилизации, как и в случае обработки материалов, предоставляют потребителям ряд определенных преимуществ. Малогабаритная компоновка делает простым изменение конфигурации, устраняется потребность в дорогостоящих вакуумных камерах и системах накачки, оборудование может устанавливаться в различных условиях эксплуатации без требований дополнительного уменьшения ограничений, а эксплуатационные расходы и требования к техническому обслуживанию минимальны. Фактически, фундаментальное значение стерилизации атмосферной плазмой заключается в ее способности стерилизации чувствительных к высокой температуре объектов, простоте использования и более быстрому производственному циклу. Стерилизация атмосферной плазмой может быть достигнута в результате непосредственного воздействия реактивных нейтральных частиц, в том числе атомарного кислорода и гидроксильных радикалов, и порожденного плазмой ультрафиолетового излучения, которые могут воздействовать и наносить повреждение клеточным мембранам бактерий. Таким образом, существует потребность в устройствах, которые могут генерировать плазму атмосферного давления, как эффективном и дешевом средстве стерилизации.
Одним из ключевых факторов, которые влияют на эффективность систем стерилизации атмосферной плазмой, как и в случае других систем генерирования плазмы, является расширяемость плазм, генерируемых системами. Существует несколько систем для плазмы атмосферного давления на основе микроволновых сопел, широко используемых на промышленных предприятиях и в образовательных учреждениях во всем мире. Большинство этих разработок основывается на одиночном сопле, и они нуждаются в большой области расширяемости, необходимой для прикладных задач стерилизации медицинских приборов. Кроме того, такие плазменные системы генерируют высокотемпературную плазму, которая не применима для прикладных задач стерилизации.
Одно решение задачи предоставления однородной плазмы использует сопловую решетку, связанную с микроволновым резонатором. Одной из сложных проблем такой системы является управление распределением микроволн в пределах микроволнового резонатора так, чтобы энергия микроволн (или, что одно и то же, микроволна) была локализована в заданных областях (в дальнейшем называемых "области высоких энергий"), которые являются постоянными в пределах резонатора. В таких системах однородность и расширяемость плазмы могут быть получены с помощью связи сопел с управляемыми участками высоких энергий, что также увеличивает эксплуатационную эффективность системы.
Большинство традиционных систем, имеющих микроволновый резонатор, разработано для обеспечения однородного распределения энергии микроволн в микроволновом резонаторе. Например, статья Герлинга "ВОЛНОВОДНЫЕ КОМПОНЕНТЫ И КОНФИГУРАЦИИ ДЛЯ ОПТИМАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК В МИКРОВОЛНОВЫХ СИСТЕМАХ НАГРЕВА", опубликованная на www.2450mhz.com Компанией Gerling Applied Engineering Inc в 2000 году, преподносит систему, имеющую два вращающихся фазосдвигающих устройства. В этой системе два вращающихся фазосдвигающих устройства генерируют области высоких энергий, которые непрерывно перемещаются в пределах микроволнового резонатора для гарантирования однородного распределения нагрева в пределах микроволнового резонатора.
В отличие от таких традиционных систем система генерирования плазмы, которая имеет плазменную сопловую решетку, должна иметь возможность целенаправленного управления микроволнами в своем микроволновом резонаторе и генерирования областей высоких энергий, связанных с сопловой решеткой. Таким образом, имеется серьезная потребность в системах генерирования плазмы, которые могут целенаправленно и генерировать области высоких энергий, и управлять ими в пределах микроволнового резонатора и имеют плазменные сопловые решетки, расположенные так, чтобы принимать энергию микроволн из областей высоких энергий.
Раскрытие изобретения
Настоящее изобретение предоставляет различные системы, которые имеют микроволновые плазменные сопловые решетки, и способы для выбора конфигурации плазменных сопловых решеток.
Согласно одному аспекту настоящего изобретения способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки включает в себя этапы, на которых: направляют микроволны в микроволновый резонатор в противоположных направлениях так, что микроволны интерферируют и формируют структуру стоячих микроволн, которые являются постоянными в пределах микроволнового резонатора; регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий, генерируемых структурой стоячих микроволн; и размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки включает в себя этапы, на которых: направляют первую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль первой оси; направляют вторую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль второй оси, причем первая ось расположена перпендикулярно второй оси, так что первая и вторая пары микроволн интерферируют и формируют области высоких энергий, которые являются постоянными в пределах микроволнового резонатора; регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий и размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения блок микроволновой плазменной сопловой решетки включает в себя: микроволновый резонатор и решетку сопел, причем каждое из сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения микроволновая плазменная система включает в себя: источник микроволн; пару вентилей, функционально соединенных с источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий пару входов; пару волноводов, причем каждый из волноводов функционально соединен, по меньшей мере, с одним из вентилей и, по меньшей мере, с одним из входов микроволнового резонатора; пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединено, по меньшей мере, с одним из волноводов и, по меньшей мере, с одним из вентилей; и решетку сопел, причем каждое из сопел решетки включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения микроволновая плазменная система включает в себя: источник микроволн; вентиль, функционально соединенный с источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий вход; волновод, функционально соединенный с вентилем и с входом микроволнового резонатора; невращающее фазосдвигающее устройство, функционально соединенное с волноводом и вентилем; циркулятор, функционально соединенный с волноводом и выполненный с возможностью направления микроволн к невращающему фазосдвигающему устройству; подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с микроволновым резонатором; и решетку сопел, причем каждое из сопел решетки включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения, микроволновая плазменная система включает в себя: источник микроволн; пару вентилей, функционально соединенных с источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий пару входов; пару волноводов, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединен с соответствующим одним из упомянутых вентилей и с соответствующим одним из упомянутых входов микроволнового резонатора; пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединено с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с соответствующим одним из упомянутых вентилей; пару подвижных короткозамыкателей, причем каждый из упомянутых подвижных короткозамыкателей функционально соединен с упомянутым микроволновым резонатором; и решетку сопел, причем каждое из сопел решетки включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения, микроволновая плазменная система содержит: источник микроволн; микроволновый резонатор, имеющий четыре входа; четыре волновода, причем каждый из волноводов функционально соединен, по меньшей мере, с одним из входов микроволнового резонатора и с источником микроволн; четыре невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединено, по меньшей мере, с одним из волноводов и с источником микроволн; четыре циркулятора, причем каждый из циркуляторов функционально соединен, по меньшей мере, с одним из волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн, генерируемых источником микроволн, по меньшей мере, к одному из невращающих фазосдвигающих устройств; и решетку сопел, причем каждое из сопел решетки включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Эти и другие преимущества и признаки настоящего изобретения станут очевидными для специалистов в данной области техники после прочтения подробностей настоящего изобретения, которые более полно описаны ниже.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 является схематическим представлением системы, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.2A схематично иллюстрирует интерференцию двух микроволн в пределах микроволнового резонатора системы, показанной на Фиг.1, в случае, когда микроволны перемещаются в противоположных направлениях.
Фиг.2B схематично показывает распределение областей высоких энергий в пределах микроволнового резонатора для системы, показанной на Фиг.1.
Фиг.3 является схематическим представлением системы, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.4A показывает вид сверху микроволнового резонатора и плазменной сопловой решетки, показанной на Фиг.1.
Фиг.4B показывает вид в поперечном разрезе, взятом по линии IV-IV, микроволнового резонатора и сопла, изображенных на Фиг.4A.
Фиг.4C показывает вид в поперечном разрезе альтернативного варианта осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4B.
Фиг.4D показывает вид в поперечном разрезе другого альтернативного варианта осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4B.
Фиг.5A показывает вид сверху альтернативного варианта осуществления плазменной сопловой решетки, показанной на Фиг.4A.
Фиг.5B показывает вид в поперечном разрезе, взятом по линии IV'-IV', микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.5A.
Фиг.5C показывает вид в поперечном разрезе альтернативного варианта осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.5B.
Фиг.5D показывает вид в поперечном разрезе другого альтернативного варианта осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.5B.
Фиг.6A-6F показывают виды в поперечном разрезе альтернативных вариантов осуществления микроволнового плазменного сопла, изображенного на Фиг.4C, иллюстрируя дополнительные компоненты для повышения эффективности сопла.
Фиг.7 является схематическим представлением системы, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.8 показывает интерференционный узор областей высоких энергий, полученных в пределах микроволнового резонатора системы, показанной на Фиг.7, иллюстрируя одно размещение сопловой решетки в областях высоких энергий.
Фиг.9 является схематическим представлением микроволнового резонатора и волноводов для генерирования областей высоких энергий в форме плоской решетки в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.10 показывает альтернативный интерференционный узор областей высоких энергий, полученных в пределах микроволнового резонатора систем, показанных на Фиг.7 и 9, иллюстрируя альтернативное размещение сопловой решетки в областях высоких энергий.
Фиг.11 является схематическим представлением системы, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.12 показывает вид в поперечном разрезе, взятом перпендикулярно оси z, микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.11.
Фиг.13 является перспективным изображением с пространственным разделением деталей сопла, показанного на Фиг.12.
Фиг.14A-14I показывают виды в поперечном разрезе альтернативных вариантов осуществления стержневого проводника, изображенного на Фиг.13.
Фиг.15 показывает блок-схему, поясняющую иллюстративные этапы связывания микроволновой сопловой решетки в соответствии, по меньшей мере, с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Нижеследующее подробное описание представляет лучшие рассматриваемые в настоящее время методы осуществления настоящего изобретения. Настоящее описание не должно восприниматься в ограниченном смысле, а делается единственно с целью иллюстрирования общих принципов настоящего изобретения, поскольку объем настоящего изобретения лучше всего определен посредством прилагаемой формулы изобретения.
Нужно отметить, что в том смысле, в каком они употребляются в настоящем описании и в прилагаемой формуле изобретения, формы единственного числа включают в себя множественные объекты ссылки, если из контекста явно не следует иное. Таким образом, например, ссылка на "сопло" включает в себя одно или более сопел, и равнозначность этого понятна для специалистов в данной области техники, и т.д.
Как упомянуто ранее, традиционные микроволновые плазменные системы генерируют однородное распределение энергии в пределах микроволнового резонатора, управляя разностями фаз между двумя микроволнами, переданными в микроволновый резонатор. В отличие от существующих систем, настоящее изобретение предоставляет способы и системы для управления фазами микроволн так, чтобы они могли генерировать постоянные области высоких энергий в пределах микроволновых резонаторов. Также раскрываются способы для выбора конфигурации плазменной сопловой решетки так, чтобы использовать энергию из областей высоких энергий.
Фиг.1 является схематическим представлением системы 10, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано, система 10 содержит: источник 13 микроволн, имеющий микроволновую силовую головку 12, которая генерирует микроволны, и разветвитель 14 мощности, имеющий два выхода, который разделяет микроволны, генерируемые микроволновой силовой головкой 12; пару вентилей 17a и 17b, выполненных с возможностью рассеивания двигающихся назад микроволн, которые перемещаются к микроволновой силовой головке 12, причем каждый вентиль включает в себя искусственную нагрузку 18a и 18b для рассеивания двигающихся назад микроволн и циркулятор 16 для отклонения двигающихся назад микроволн к соответствующей искусственной нагрузке 18a и 18b; пару невращающих фазосдвигающих устройств 24a и 24b для сдвига фаз микроволн; пару циркуляторов 22a и 22b для направления микроволн от разветвителя 14 мощности к невращающим фазосдвигающим устройствам 24a и 24b соответственно; волноводы 20a и 20b для передачи микроволн и микроволновый резонатор 32. В альтернативном варианте осуществления система 10 может дополнительно содержать: ответвители 26a и 26b, соединенные с измерителями 28a и 28b мощности для измерения микроволновых потоков; и блоки 30a и 30b настройки для согласования полного сопротивления микроволн. Как правило, микроволновая силовая головка 12 включает в себя генератор микроволн и источник питания, которые не показаны на Фиг.1 для простоты. В другом альтернативном варианте осуществления вентиль может быть расположен между микроволновой силовой головкой 12 и разветвителем 14 мощности с двумя выходами, таким образом, заменяя пару вентилей 17a и 17b.
Сопловая решетка 37, содержащая одно или более сопел 36, связана с микроволновым резонатором 32 и генерирует плазменные факелы 38a-38n из газа, подающегося от газгольдера 34 через клапан 35 управления массовым потоком (УМП). Некоторые варианты осуществления сопел 36 и микроволнового резонатора 32, которые могут быть применены для системы 10, обсуждаются в одной из заявок согласно PCT, находящихся на рассмотрении параллельно с настоящей заявкой, озаглавленной "Микроволновое плазменное сопло с улучшенными стабильностью факела и теплопроизводительностью", зарегистрированной 5 июля 2005 года, которая тем самым включается в настоящую заявку посредством ссылки во всей полноте.
Микроволны 40a и 40b, переданные от разветвителя 14 мощности, перемещаются в противоположных направлениях по оси x в пределах микроволнового резонатора 32 и образуют интерференционный узор, как показано на Фиг.2A. Фиг.2A показывает график 50 микроволн 52a и 52b, которые интерферируют друг с другом, что приводит к образованию стоячей микроволны 54 в пределах микроволнового резонатора 32. Абсцисса и ордината графика 50 представляют направление распространения микроволн и амплитуды микроволн соответственно. Поскольку интенсивность стоячей микроволны 54 пропорциональна квадрату амплитуды, стоячая микроволна 54 имеет вершинные позиции 64 для каждого цикла, где амплитуда достигает своего максимального значения, амплитуды 58. (Для простоты, в дальнейшем, под амплитудой подразумевается абсолютная величина амплитуды.)
Области 69 высоких энергий могут соотноситься с позициями, в которых амплитуда стоячей микроволны 54 превышает пороговое значение 60, которое может быть установлено пользователем. Как будет объяснено для Фиг.5A и 10, более чем одно сопло может быть расположено по направлению оси х в каждой области 69 высоких энергий. В таких случаях ширина 62 областей 69 высоких энергий может быть установлена, принимая во внимание размер сопел, расстояние между двумя соседними соплами и значение максимальной амплитуды 58. Например, пользователь может установить пороговое значение 60-75% от максимальной амплитуды 58, чтобы обеспечить энергию микроволн для всех сопел в областях 69 высоких энергий.
Вершинными позициями 64 и максимальными амплитудами 58 вершин так же, как шириной 62 областей 69 высоких энергий, можно управлять с помощью невращающих фазосдвигающих устройств 24a и 24b, в то время как шаг 56 определяется длиной волны микроволн 52a и 52b. Если разность фаз между микроволнами 52a и 52b уменьшается, максимальная амплитуда 58 и ширина 62 областей 69 высоких энергий увеличивается. Если фазы двух микроволн 52a и 52b сдвигаются в одном направлении по оси x, вершинные позиции 64 могут сдвигаться в этом направлении.
Фиг.2B показывает распределение 66 областей 69 высоких энергий в пределах микроволнового резонатора 32, рассматриваемого в направлении, перпендикулярном плоскости x-z. Как показано на Фиг.2B, области 69 высоких энергий генерируются путем интерференции микроволн 52a и 52b, распространяющихся в направлениях 68a и 68b соответственно в пределах микроволнового резонатора 32. Поскольку микроволны 52a и 52b могут быть одномерными волнами, все области 69 высоких энергий могут быть представлены в виде прямоугольных полос, отстоящих друг от друга на половину шага 56. На Фиг.2A и 2B в целях иллюстрации допускается, что микроволновый резонатор является прямоугольным параллелепипедом. Тем не менее, специалистам в данной области техники должно быть очевидно, что микроволновый резонатор может иметь любую другую форму, не отклоняясь от настоящего изобретения.
В альтернативном варианте осуществления источник 13 микроволн может быть заменен двумя отдельными микроволновыми силовыми головками и двумя вентилями, соответственно прикрепленными к ним, причем каждая микроволновая силовая головка может передавать микроволну в микроволновый резонатор 32. В этом варианте осуществления две микроволны 52a и 52b могут иметь различные длины волны и амплитуды. Однако применяя тот же принцип, сформулированный выше, невращающие фазосдвигающие устройства 24a и 24b могут использоваться для управления вершинными позициями 64 и максимальной амплитудой 58 так же, как шириной 62 областей 69 высоких энергий.
Фиг.3 является схематическим представлением системы 70 для детерминированного генерирования областей высоких энергий в пределах микроволнового резонатора в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано, система 70 может включать в себя микроволновую силовую головку 72 для генерирования микроволн; вентиль 74, имеющий искусственную нагрузку 76, выполненную с возможностью рассеивания двигающихся назад микроволн, которые распространяются в направлении микроволновой силовой головки 72, и циркулятор 78 для отклонения двигающихся назад микроволн к искусственной нагрузке 76; невращающее фазосдвигающее устройство 82 для управления фазой микроволн; циркулятор 80; микроволновый резонатор 92; волновод 90 для передачи микроволн от микроволновой силовой головки 72 в микроволновый резонатор 92; и подвижный короткозамыкатель 94 для управления фазой отраженных микроволн. В альтернативном варианте осуществления система 70 может дополнительно включать в себя ответвитель 86, соединенный с измерителем 84 мощности для измерения микроволновых потоков; и блок 88 настройки для согласования полного сопротивления микроволн. В другом альтернативном варианте осуществления подвижный короткозамыкатель 94 может быть заменен стенкой, причем размер микроволнового резонатора 92 в направлении распространения микроволн является кратным половине длины волны микроволн. Сопловая решетка 99, содержащая сопла 98, может быть соединена с микроволновым резонатором 92 и генерирует плазменные факелы 100 из газа, подающегося от газгольдера 96. Отдельные детали сопел 98 будут обсуждаться ниже.
На Фиг.3 графическая вставка 102 иллюстрирует распространение микроволн, передающихся от микроволновой силовой головки 72 в микроволновый резонатор 92. Передающиеся микроволны отражаются от подвижного короткозамыкателя 94, что обозначено стрелкой 104, и они интерферируют с поступающими микроволнами, что приводит к образованию стоячих микроволн в пределах микроволнового резонатора 92. Подвижный короткозамыкатель 94 может управлять фазой отраженных микроволн и, если он используется совместно с невращающим фазосдвигающим устройством 82, управлять позициями и максимальной амплитудой стоячих волн так же, как шириной областей высоких энергий, которые подобны областям 69 высоких энергий, показанными на Фиг.2B.
Фиг.4A представляет собой вид сверху плазменной сопловой решетки 37, показанной на Фиг.1, иллюстрирующий сопла 36, расположенные в пределах областей 69 высоких энергий, установленных в пределах микроволнового резонатора 32 микроволнами, перемещающимися в противоположных направлениях 68a и 68b. Как показано, сопловая решетка, обозначенная ссылочной позицией 37, представлена в виде плоской решетки. Однако специалистам в данной области техники должно быть очевидно, что может использоваться другое расположение сопел. Например, сопловая решетка 37 может иметь только одномерную решетку сопел 36, с расположением или в направлении оси z, или в направлении х. Заметим, что сопловая решетка 99 на Фиг.3 может иметь такое же расположение, как показано на Фиг.4A.
Фиг.4B показывает графическое изображение 110 в поперечном разрезе, взятом по линии IV-IV, микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4A. Как показано, микроволновый резонатор 32 включает в себя стенку 111, которая формирует газорасходный канал 112 для впускания газа из газгольдера 34; и резонатор 113 для приема микроволн, переданных от источника 13 микроволн, и генерирования областей 69 высоких энергий. Каждое сопло 36 может включать в себя газорасходную трубку 120, соединенную со стенкой 111 резонатора, для приема газа через газорасходный канал 112; стержневой проводник 114, имеющий часть 116 для улавливания микроволн из областей 69 высоких энергий в резонаторе 113; и вихревое направляющее устройство 118, расположенное между стержневым проводником 114 и газорасходной трубкой 120. Вихревое направляющее устройство 118 имеет, по меньшей мере, одно отверстие 119 для создания спиральной траектории вихревого потока вокруг стержневого проводника 114. Микроволны, принятые частью 116 стержневого проводника, фокусируются на его конусообразном наконечнике 117 для генерирования плазменных факелов 38, использующих газ. Газорасходная трубка 120 может быть сделана из материала, который в значительной степени прозрачен для микроволн. Например, газорасходная трубка 120 может быть сделана из диэлектрического материала, такого как кварц.
Ширина 62 областей 69 высоких энергий может быть оптимизирована с помощью управления невращающими фазосдвигающими устройствами 24a и 24b. В общем случае, меньшая ширина областей 69 высоких энергий может привести к большей эксплуатационной эффективности сопел 36. Однако принимая во внимание возможное непостоянство областей 69 высоких энергий во время работы системы 10, ширина 62 областей 69 высоких энергий может быть немного большей, чем диаметр стержневого проводника 114.
Фиг.4C является графическим изображением в поперечном разрезе альтернативного варианта 122 осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4B. Как показано, сопло 128 имеет компоненты, подобные показанным на Фиг.4B. Фиг.4C включает в себя газорасходную трубку 134, герметично соединенную со стенкой 126 для приема газа через газорасходный канал 127; стержневой проводник 130 для улавливания микроволн из областей 69 высоких энергий в резонаторе 133 и вихревое направляющее устройство 132. Газорасходная трубка 134 может быть сделана из любого материала, который в значительной степени прозрачен для микроволн (то есть микроволны могут проходить через газорасходную трубку 134 с очень низкой потерей энергии), и, как следствие, газ, протекающий через газорасходную трубку 134, может предварительно разогреваться внутри резонатора 133 до того, как достигнет области конусообразного наконечника стержневого проводника 130.
Фиг.4D показывает вид в поперечном разрезе другого альтернативного варианта осуществления 140 микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4A. Как показано, сопла 144 имеют компоненты, подобные их аналогам на Фиг.4B: газорасходную трубку 148, герметично соединенную со стенкой 143 микроволнового резонатора 142, для приема газа; стержневой проводник 152 для улавливания микроволн из областей 69 высоких энергий и вихревое направляющее устройство 146. Микроволновый резонатор 142 может формировать газорасходный канал, соединенный с газгольдером 34. Стержневой проводник 152 может быть подобен проводнику 114, проиллюстрированному на Фиг.4B, причем часть 116 стержневого проводника 114 помещена в резонатор 113 для приема микроволн. Затем принятые микроволны перемещаются по его поверхности и фокусируются на конусообразном наконечнике.
Упомянутая ранее ширина 62 (Фиг.2) областей 69 высоких энергий может быть оптимизирована с помощью управления невращающими фазосдвигающими устройствами 24a и 24b. В общем случае, меньшая ширина областей 69 высоких энергий может привести к большей эксплуатационной эффективности сопел 36. Поэтому на Фиг.4A-4D ширина 62 областей 69 высоких энергий может быть немного большей, чем диаметр стержневого проводника 114. В этих приложениях интервал между двумя соседними соплами по направлению оси х может составлять половину длины волны микроволн, перемещающихся в противоположных направлениях 68a и 68b. Однако, в некоторых приложениях, интервал в половину длины волны может вносить отклонения в характеристики плазмы по направлению оси х, и, как следствие, может потребоваться меньший интервал между соплами. Фиг.5A-5D иллюстрируют сопловые решетки, имеющие различные интервалы между двумя соседними соплами по направлению оси х.
Фиг.5A представляет собой вид сверху альтернативного варианта 37' осуществления плазменной сопловой решетки, показанной на Фиг.4A, иллюстрирующий сопла 36', расположенные в пределах областей 69' высоких энергий, которые устанавливаются микроволнами, перемещающимися в противоположных направлениях 68a' и 68b'. Как изображено, ширина 62' области 69' высоких энергий может быть достаточно большой, чтобы вместить одно или более сопел 36' по направлению оси х, даже если шаг 54' равен длине волны микроволн. Шириной 62' можно управлять, изменяя разность фаз между микроволнами 68a' и 68b', как описано в отношении Фиг.2A. Заметим, что сопловая решетка 99 на Фиг.3 может иметь такое же расположение, как показано на Фиг.5A.
Фиг.5B-5D представляют собой виды в разрезе, взятом по линии IV'-IV', различных вариантов осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки на Фиг.5A. Как показано, эти три варианта осуществления, обозначенные ссылочными позициями 110' (Фиг.5B), 122' (Фиг.5C) и 140' (Фиг.5D), подобны их аналогам, обозначенным ссылочными позициями 110, 122 и 140 соответственно, с тем отличием, что ширина 62' может быть достаточно большой, чтобы вместить более чем одно сопло по направлению оси х.
Каждое сопло, изображенное на Фиг.4B-4D и 5B-5D, включает в себя стержневой проводник, который имеет часть, помещенную в резонатор для приема микроволн. Затем принятые микроволны перемещаются по его поверхности и фокусируются на конусообразном наконечнике. Поскольку часть перемещающихся микроволн может быть потеряна при прохождении через газорасходную трубку, может использоваться экранирующий механизм для повышения эффективности сопел, которые проиллюстрированы на Фиг.6A-6B.
Фиг.6A показывает вид в разрезе сопла 160, которое является альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 160 включает в себя: стержневой проводник 162; газорасходную трубку 164; вихревое направляющее устройство 166 и внутренний экран 168 для снижения потерь микроволн при прохождении через газорасходную трубку 164. Внутренний экран 168 имеет трубчатую форму и занимает углубление, сформированное на внешней поверхности вихревого направляющего устройства 166. Внутренний экран 168 может обеспечить дополнительное управление спиральным вихрем вокруг стержневого проводника 162 и повысить устойчивость плазмы путем изменения зазора между газорасходной трубкой 164 и стержневым проводником 162.
Фиг.6B представляет собой вид в разрезе другого сопла 170, которое является другим альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 170 включает в себя: стержневой проводник 172; газорасходную трубку 174; вихревое направляющее устройство 176 и заземленный экран 178 для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку 174. Заземленный экран 178 может покрывать часть газорасходной трубки 174, которая находится вне микроволнового резонатора. Как и внутренний экран 168, заземленный экран 178 может обеспечить дополнительное управление спиральным вихрем вокруг стержневого проводника 172 и повысить устойчивость плазмы путем изменения зазора между газорасходной трубкой 174 и стержневым проводником 172.
Как упомянуто выше, основным механизмом нагрева, использующимся для сопел, показанных на Фиг.4B-4D и 5B-5D, являются микроволны, которые фокусируются и испускаются рядом с конусообразным наконечником стержневого проводника, причем сопла могут вырабатывать не-ЛТР плазмы для стерилизации. В не-ЛТР плазмах температура ионов и нейтральных частиц может быть меньше 100°C, в то время как температура электронов может достигать нескольких десятков тысяч градусов Цельсия. Следовательно, такие плазмы находятся в высшем электронно-возбужденном состоянии. Для увеличения электронной температуры и повышения эффективности сопел сопла могут включать в себя дополнительные механизмы электронного возбуждения газа во время нахождения газа внутри газорасходной трубки, что проиллюстрировано на Фиг.6C-6F.
Фиг.6C представляет собой вид в разрезе сопла 180, которое является еще одним альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 180 включает в себя: стержневой проводник 182; газорасходную трубку 184; вихревое направляющее устройство 186 и пару внешних магнитов 188 для электронного возбуждения завихренного потока газа в газорасходной трубке 184. Каждый из внешних магнитов 188 может иметь цилиндрическую оболочку, имеющую полукруглый профиль, размещенную вокруг внешней поверхности газорасходной трубки 184.
Фиг.6D показывает вид в разрезе сопла 190, которое является еще одним альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 190 включает в себя: стержневой проводник 192; газорасходную трубку 194; вихревое направляющее устройство 196; и пару внутренних магнитов 198, прикрепленных к вихревому направляющему устройству 196 внутри газорасходной трубки 194, для электронного возбуждения спирального вихря в газорасходной трубке 194. Каждый из внутренних магнитов 198 может иметь цилиндрическую оболочку, имеющую полукруглый профиль.
Фиг.6E показывает вид в разрезе сопла 200, которое является дополнительным альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 200 включает в себя: стержневой проводник 202; газорасходную трубку 204; вихревое направляющее устройство 206; пару внешних магнитов 208 и внутренний экран 210. Каждый из внешних магнитов 208 может иметь цилиндрическую оболочку, имеющую полукруглый профиль. В альтернативном варианте осуществления внутренний экран 210 может иметь трубчатую форму.
Фиг.6F представляет собой вид в разрезе сопла 212, которое является другим альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 212 включает в себя: стержневой проводник 214; газорасходную трубку 216; вихревое направляющее устройство 218; анод 220 и катод 222. Анод 220 и катод 222, соединенные с источником электрической энергии (не показан на Фиг.6F для простоты), могут осуществлять электронное возбуждение завихренного потока газа в газорасходной трубке 216.
Как упомянуто выше, Фиг.6A-6F показывают виды в разрезе различных вариантов осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4B. Однако специалисту в данной области техники должно быть очевидно, что варианты осуществления, показанные на Фиг.6A-6F, могут быть применены для сопел, показанных на Фиг.4C-4D и 5B-5D. Кроме того, специалист в данной области техники поймет, что описания для Фиг.4A-6F могут быть в равной степени применены к системе 70 на Фиг.3.
Возвращаясь к рассмотрению Фиг.2B, сопла 36 могут быть выполнены в пределах областей 69 высоких энергий с возможностью максимального использования энергии микроволн в пределах микроволнового резонатора 32. В целом, эксплуатационная эффективность микроволнового резонатора 32 может возрастать, если области 69 высоких энергий удерживаются исключительно вокруг сопел 36. Поскольку профиль типичного сопла является круглым или прямоугольным с коэффициентом пропорциональности, близким к единице, эксплуатационная эффективность микроволнового резонатора может быть максимальной, если области высоких энергий удерживаются в пределах прямоугольных областей в 2-мерном матричном представлении, что будет описано применительно к Фиг.7-9.
Фиг.7 является схематическим представлением системы, обозначенной ссылочной позицией 230, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения. Компоненты системы, обозначенной ссылочной позицией 230, подобны их аналогам на Фиг.1, за тем исключением, что микроволны перемещаются перпендикулярно друг другу в микроволновом резонаторе 250. Как показано, система 230 включает в себя: источник 233 микроволн, который имеет микроволновую силовую головку 232, и разветвитель 234 мощности, имеющий два выхода; пару невращающих фазосдвигающих устройств 244a и 244b; пару вентилей 237a и 237b, включающих в себя пару циркуляторов 236a и 236b и пару искусственных нагрузок 238a и 238b; пару циркуляторов 242a и 242b; волноводы 240a и 240b; микроволновый резонатор 250; одно или более сопел 256, предпочтительно формирующих плоскую решетку; и пару подвижных короткозамыкателей 254a и 254b. Графические вставки 260a и 260b символизируют микроволны, передающиеся в микроволновый резонатор 250. Система 230 может дополнительно включать в себя: пару ответвителей 246a и 246b; пару блоков 248a и 248b настройки и пару измерителей 247a и 247b мощности, соединенных с парой ответвителей 246a и 246b соответственно. Газгольдер 34 может быть соединен с микроволновым резонатором 250 для подачи газа к соплам 256, которые связаны с микроволновым резонатором 250. В альтернативном варианте осуществления вентиль может быть размещен между микроволновой силовой головкой 232 и разветвителем 234 мощности, заменяя вентили 237a и 237b.
Фиг.8 иллюстрирует распределение областей высоких энергий в пределах микроволнового резонатора 250, рассматриваемое в направлении, перпендикулярном плоскости, определенной направлениями распространения двух интерферирующих микроволн, при этом эти две микроволны показаны в виде форм 260a и 260b волны. Как показано на Фиг.8, две микроволны, показанные в виде форм 260a и 260b волны, и две отраженные микроволны, показанные в виде форм 261a и 261b волны, генерируют области 268 высоких энергий в форме плоской решетки, причем интервалы 264a и 264b соответствуют половине длины волны микроволн 260a и 260b соответственно. По тому же принципу, который применялся к интерференционному узору, показанному на Фиг.2B, микроволны 260a и 261a и микроволны 260b и 261b генерируют две стоячих микроволны, которые приводят к областям 262a и 262b высоких энергий соответственно, имеющим форму прямоугольных полос. Затем стоячие микроволны могут дополнительно интерферировать, что приводит к образованию областей 268 высоких энергий в матричном представлении, как изображено на Фиг.8. Позициями и шириной 266a и 266b областей 258 высоких энергий можно управлять с помощью невращающих фазосдвигающих устройств 244a и 244b и/или подвижными короткозамыкателями 254a и 254b. Часть стержневого проводника каждого сопла 256 может быть расположена в пределах областей высоких энергий для улавливания энергии микроволн, как показано на Фиг.8.
В альтернативном варианте осуществления две отдельных микроволновых силовых головки могут заменять источник 233 микроволн, причем каждая микроволновая силовая головка может передавать микроволны в микроволновый резонатор 250. В таком варианте осуществления две микроволны могут иметь различные длины волны и амплитуды, и, как следствие, интервалы 264a и 264b могут отличаться друг от друга. Аналогично, ширина 266a и ширина 266b областей высоких энергий могут отличаться друг от друга.
Фиг.9 является схематическим представлением микроволнового резонатора и волноводов, вместе обозначенных ссылочной позицией 270, для генерирования областей высоких энергий в форме плоской решетки в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано, микроволновый резонатор 276 может принимать четыре микроволны 274a-274d, перемещающиеся через четыре волновода 272a-272d соответственно. Фазами микроволн можно управлять соответствующим одним из четырех невращающих фазосдвигающих устройств (не показаны на Фиг.9), связанных с волноводами 272a-272d соответственно. Эти четыре микроволны 274a-274d могут быть сгенерированы одной или более микроволновыми силовыми головками. Каждая из четырех микроволн 274a-274d может быть сгенерирована соответствующей одной из четырех микроволновых силовых головок соответственно. В альтернативном варианте осуществления две микроволновые силовые головки генерируют микроволны, причем каждая микроволна разделяется на две микроволны. В другом альтернативном варианте осуществления одна микроволновая силовая головка может быть разделена на четыре микроволны, с использованием разветвителя мощности, имеющего четыре выхода. Заметим, что эти три варианта осуществления приведены исключительно для иллюстративных целей. Таким образом, специалистам в данной области техники должно быть очевидно, что любая подходящая система с возможностью обеспечения четырех микроволн может использоваться с микроволновыми волноводами 272a-272d без отклонения от настоящего изобретения.
Различные варианты осуществления сопел на Фиг.6A-6F и стенки микроволновых резонаторов на Фиг.4B-4D, которые формируют газорасходные каналы, также могут быть применены к системам, описанным для Фиг.9. Для простоты такие варианты осуществления не показаны.
Возвращаясь к рассмотрению Фиг.8, интервалы 264a и 264b между двумя соседними соплами по направлениям оси x и оси z могут составлять половину длины волны микроволн, показанных в виде форм 260a и 260b волны соответственно. В некоторых приложениях эти интервалы в половину длины волны могут вносить отклонения в характеристики плазмы по направлениям оси х и оси z, и, как следствие, могут потребоваться меньшие интервалы. Например, Фиг.10 схематично показывает альтернативный интерференционный узор областей высоких энергий, полученных в пределах микроволнового резонатора систем, изображенных на Фиг.7 и 9. Как показано, каждая область 268' высоких энергий может содержать более чем одно сопло 256', обеспечивая меньшие интервалы между соседними соплами. При уменьшении интервалов сопловая решетка, связанная с микроволновым резонатором 250', может быть способна генерировать плазму, имеющую усиленную однородность в обоих направлениях: и по оси x, и по оси z. Как и в случае для Фиг.8, шириной 266a' каждой области 268' высоких энергий можно управлять, регулируя разность фаз между двумя микроволнами 260a' и 261a', в то время как шириной 266b' можно управлять, регулируя разность фаз между двумя микроволнами 260b' и 261b'.
Фиг.11 является схематическим представлением системы, обозначенной ссылочной позицией 310 и имеющей плазменную сопловую решетку 337, в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано, система, обозначенная ссылочной позицией 310, совершенно аналогична системе, обозначенной ссылочной позицией 10 (Фиг.1), с тем отличием, что сопла 336 в сопловой решетке 337 могут принимать газ непосредственно из газгольдера 334. Газопровод 370 от газгольдера 334 может иметь множество ответвлений 371, причем каждое ответвление может быть связано с одним из сопел 336 и сделано из обычной газовой трубы.
Фиг.12 показывает вид в поперечном разрезе, взятом перпендикулярно оси z, микроволнового резонатора 332 и сопловой решетки 337 для Фиг.11. Как показано, сопло 336 может включать в себя: газорасходную трубку 358; заземленный экран 360 для снижения потерь микроволн при прохождении через газорасходную трубку 358 и герметично соединенный со стенкой 332 резонатора, причем газорасходная трубка 358 плотно вставляется внутрь заземленного экрана 360; стержневой проводник 352, имеющий часть 354, расположенную в микроволновом резонаторе 332 для приема микроволн изнутри микроволнового резонатора 332; фиксатор 356, расположенный между стержневым проводником 352 и заземленным экраном 360 и выполненный с возможностью надежного крепления стержневого проводника 352 к заземленному экрану 360; и механизм 362 подачи газа для стыковки ответвления 371 и заземленного экрана 360. Фиксатор 356, заземленный экран 360 и стержневой проводник 352 могут быть сделаны из тех же материалов, что и вихревое направляющее устройство 146 (Фиг.4D), заземленный экран 178 (Фиг.6B) и стержневой проводник 152 (Фиг.4D) соответственно. Например, заземленный экран 360 может быть сделан из металла и предпочтительно из меди.
Как показано на Фиг.12, сопло 336 может принимать газ посредством механизма 362 подачи газа. Механизмом 362 подачи газа может быть пневматическое соединительное устройство однократного нажатия (модель №KQ2H05-32), изготовленное Компанией SMC Corporation of America, Indianapolis, IN. Один конец механизма 362 подачи газа имеет болт с резьбой, который совмещается с внутренней резьбой, нарезанной в отверстии 364 заземленного экрана 360, как показано на Фиг.13. Для специалистов в данной области техники должно быть очевидно, что настоящее изобретение может быть осуществлено на практике с другими подходящими типами механизмов подачи газа. Некоторые варианты осуществления сопел 336 и микроволнового резонатора 332, которые могут применяться для системы 310, обсуждаются в ранее упомянутой заявке согласно PCT, озаглавленной "Микроволновое плазменное сопло с улучшенными стабильностью факела и теплопроизводительностью", зарегистрированной 7 июля 2005 года.
Фиг.13 является перспективным изображением с пространственным разделением деталей сопла 336, показанного на Фиг.12. Как показано, стержневой проводник 352 и заземленный экран 360 могут контактировать с внутренним и внешним периметрами фиксатора 356 соответственно. Стержневой проводник 352 может иметь часть 354, которая выполняет функции антенны для улавливания микроволн из микроволнового резонатора 332. Уловленная микроволна может перемещаться по стержневому проводнику 352 и генерировать плазму 338, используя газ, протекающий по газорасходной трубке 358. Термин стержневой проводник охватывает проводники, имеющие различные профили, например круглый, овальный, эллиптический или продолговатый профиль или любые их комбинации.
Микроволны могут улавливаться частью 354 стержневого проводника 352, которая углубляется в микроволновый резонатор 332. Эти микроволны перемещаются вниз по стержневому проводнику к конусообразному наконечнику. Точнее говоря, микроволны принимаются поверхностью стержневого проводника 352 и перемещаются по ней. Глубина поверхностного слоя, отвечающего за проникновение микроволн и миграцию, зависит от частоты микроволн и материала проводника. Глубина проникновения микроволн может быть менее миллиметра. Таким образом, стержневой проводник 400 на Фиг.14A, имеющий полую часть 401, является альтернативным вариантом осуществления для стержневого проводника 352.
Известно, что некоторые драгоценные металлы являются хорошими проводниками микроволн. Таким образом, для уменьшения цены единицы продукции для устройства, без риска для эксплуатационных качеств стержневого проводника, наружный слой стержневого проводника может быть сделан из драгоценных металлов, которые являются хорошими проводниками микроволн, в то время как для внутреннего сердечника могут использоваться более дешевые проводящие материалы. Фиг.14B представляет собой вид в разрезе другого альтернативного варианта осуществления стержневого проводника, причем стержневой проводник 402 включает в себя наружный слой 406, сделанный из драгоценного металла, и центральный слой 404, сделанный из более дешевого проводящего материала.
Фиг.14C представляет собой вид в разрезе еще одного альтернативного варианта осуществления стержневого проводника, причем стержневой проводник 408 включает в себя заостренный конусообразный наконечник 410. Кроме того, могут использоваться другие разновидности профилей. Например, заостренный конусообразный наконечник 410 может быть разрушен плазмой быстрее, чем другая часть стержневого проводника 408, и, соответственно, может потребоваться регулярная замена.
Фиг.14D представляет собой вид в разрезе другого альтернативного варианта осуществления стержневого проводника, причем стержневой проводник 412 имеет тупой наконечник 414 вместо заостренного наконечника для увеличения его срока службы.
Фиг.14E представляет собой вид в разрезе другого альтернативного варианта осуществления стержневого проводника, причем стержневой проводник 416 имеет заостренную часть 418, крепящуюся к цилиндрической части 420 с помощью подходящего механизма 422 крепления (в данном случае заостренная часть 418 может быть завинчена в цилиндрическую часть 420, используя винтовую головку 422) для ее легкой и быстрой замены.
Фиг.14F-14I показывают виды в разрезе дополнительных альтернативных вариантов осуществления стержневого проводника. Как показано, стержневые проводники 421, 424, 428 и 434 подобны их аналогам 352 (Фиг.13), 400 (Фиг.14A), 402 (Фиг.14B) и 416 (Фиг.14E) соответственно, с тем отличием, что они имеют тупые наконечники для снижения интенсивности эрозии под воздействием плазмы. Заметим, что различные варианты осуществления стержневого проводника, изображенные на Фиг.14A-14I, могут применяться в любом варианте осуществления сопла, описанном для Фиг.1 и 3-13.
Фиг.15 показывает блок-схему 500, поясняющую иллюстративные этапы формирования микроволновой плазменной сопловой решетки в соответствии, по меньшей мере, с одним вариантом осуществления настоящего изобретения. На этапе 502 первая пара микроволн направляется в микроволновый резонатор в противоположных направлениях по первой оси. Затем, на этапе 504, вторая пара микроволн направляется в микроволновый резонатор в противоположных направлениях по второй оси, при этом первая ось перпендикулярна второй оси, так что первая и вторая пары микроволн интерферируют, что приводит к образованию областей высоких энергий, которые являются постоянными в пределах микроволнового резонатора. Затем фаза, по меньшей мере, одной микроволны, выбранной из первой и второй пары микроволн, регулируется для управления областями высоких энергий на этапе 506. Наконец, на этапе 508, сопловая решетка связывается с микроволновым резонатором, при этом один или более сопловых элементов сопловой решетки выполнены с возможностью улавливания энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
Несмотря на то что настоящее изобретение было описано со ссылкой на конкретные варианты его осуществления, нужно понимать, конечно, что вышеизложенное имеет отношение к предпочтительным вариантам осуществления изобретения и что могут быть внесены изменения без отступления от сущности и объема настоящего изобретения, которые сформулированы в нижеследующей формуле изобретения.
Вместе с тем, многие изменения могут быть внесены для приспособления к конкретным ситуации, системам, технологическому процессу, этапу или этапам технологического процесса для цели, сущности и объема настоящего изобретения. Все такие изменения подразумеваются находящимися в рамках объема прилагаемой формулы изобретения.
Claims (82)
1. Способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки, причем способ содержит этапы, на которых: направляют микроволны в микроволновый резонатор в противоположных направлениях, при которых микроволны интерферируют и формируют структуру стоячих микроволн, которая является постоянной в пределах микроволнового резонатора; регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий, генерируемых структурой стоячих микроволн; и размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
2. Способ по п.1, в котором упомянутый этап, на котором направляют микроволны, включает в себя этапы, на которых передают микроволны в микроволновый резонатор и отражают микроволны, используя подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с микроволновым резонатором.
3. Способ по п.1, в котором упомянутый этап, на котором направляют микроволны, включает в себя этап, на котором передают микроволны, сгенерированные двумя микроволновыми силовыми головками, в микроволновый резонатор.
4. Способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки, причем способ содержит этапы, на которых: направляют первую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль первой оси; направляют вторую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль второй оси, причем первая ось расположена перпендикулярно второй оси, так что первая и вторая пары микроволн интерферируют и формируют области высоких энергий, которые являются постоянными в пределах микроволнового резонатора; регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий; и размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
5. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором направляют первую пару микроволн, включает в себя этапы, на которых: передают микроволны в микроволновый резонатор и отражают микроволны, используя подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с микроволновым резонатором.
6. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором направляют первую пару микроволн, включает в себя этап, на котором передают микроволны, сгенерированные двумя микроволновыми силовыми головками, в микроволновый резонатор.
7. Способ по п.4, дополнительно содержащий этапы, на которых: генерируют микроволны с помощью микроволновой силовой головки; и обеспечивают разветвитель мощности, соединенный с микроволновой силовой головкой.
8. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн, включает в себя этап, на котором регулируют фазы первой пары микроволн.
9. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн, включает в себя этап, на котором регулируют фазы второй пары микроволн.
10. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн, включает в себя этап, на котором регулируют фазы и первой пары и второй пары микроволн.
11. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки, который содержит: микроволновый резонатор и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока, и имеющую входную часть и выходную часть и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
12. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
13. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.12, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
14. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
15. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
16. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.15, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
17. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
18. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
19. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки, и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
20. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя вход для микроволн и подвижный короткозамыкатель, выполненный с возможностью отражения микроволн, переданных через упомянутый вход для микроволн.
21. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя два входа для микроволн, расположенных на противоположных сторонах упомянутого микроволнового резонатора.
22. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя два входа для микроволн, расположенных на сторонах упомянутого микроволнового резонатора, которые перпендикулярны друг к другу и два подвижных короткозамыкателя, выполненные с возможностью отражения микроволн, принятых упомянутыми входами.
23. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя: первую пару входов для микроволн, расположенных на противоположных сторонах упомянутого микроволнового резонатора по направлению первой оси; вторую пару входов для микроволн, расположенных на противоположных сторонах упомянутого микроволнового резонатора по направлению второй оси, причем вторая ось по существу является перпендикулярной первой оси.
24. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в котором упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
25. Микроволновая плазменная система, которая содержит: источник микроволн; пару вентилей, функционально соединенных с упомянутым источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий пару входов; пару волноводов, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей и с соответствующим одним из упомянутых входов упомянутого микроволнового резонатора; и пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с соответствующим одним из упомянутых вентилей; и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока, и имеющую входную часть и выходную часть; и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
26. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
27. Микроволновая плазменная система по п.26, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
28. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
29. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
30. Микроволновая плазменная система по п.29, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
31. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
32. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
33. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки, и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
34. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в которой упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
35. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждый из упомянутых вентилей включает в себя: циркулятор, функционально соединенный, по меньшей мере, с одним из упомянутых волноводов; и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
36. Микроволновая плазменная система по п.25, которая дополнительно содержит пару блоков настройки, причем каждый из упомянутых блоков настройки функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и упомянутым микроволновым резонатором.
37. Микроволновая плазменная система по п.25, которая дополнительно содержит пару циркуляторов, причем каждый из упомянутых циркуляторов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн к соответствующему одному из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств.
38. Микроволновая плазменная система по п.25, которая дополнительно содержит пару ответвителей, причем каждый из упомянутых ответвителей функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
39. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя пару микроволновых силовых головок, причем каждая из упомянутых микроволновых силовых головок функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей.
40. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя: микроволновую силовую головку для генерирования микроволн; и разветвитель мощности для приема, разветвления и направления микроволн к упомянутым вентилям.
41. Микроволновая плазменная система, которая содержит: источник микроволн; вентиль, функционально соединенный с упомянутым источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий вход; волновод, функционально соединенный с упомянутым вентилем и с упомянутым входом упомянутого микроволнового резонатора; невращающее фазосдвигающее устройство, функционально соединенное с упомянутым волноводом и с упомянутым вентилем; циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом и выполненный с возможностью направления микроволн к упомянутому невращающему фазосдвигающему устройству; подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с упомянутым микроволновым резонатором; и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
42. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
43. Микроволновая плазменная система по п.42, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
44. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
45. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
46. Микроволновая плазменная система по п.45, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
47. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
48. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
49. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
50. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в которой упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
51. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой упомянутый вентиль включает в себя циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
52. Микроволновая плазменная система по п.41, которая дополнительно содержит блок настройки, функционально соединенный с упомянутым волноводом и с упомянутым микроволновым резонатором.
53. Микроволновая плазменная система по п.41, которая дополнительно содержит ответвитель, функционально соединенный с упомянутым волноводом и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
54. Микроволновая плазменная система, которая содержит: источник микроволн; пару вентилей, функционально соединенных с упомянутым источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий пару входов; пару волноводов, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей и с соответствующим одним из упомянутых входов упомянутого микроволнового резонатора; и пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с соответствующим одним из упомянутых вентилей; пару подвижных короткозамыкателей, причем каждый из упомянутых подвижных короткозамыкателей функционально соединяется с упомянутым микроволновым резонатором; и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
55. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
56. Микроволновая плазменная система по п.55, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
57. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
58. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
59. Микроволновая плазменная система по п.58, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
60. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
61. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
62. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки, и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
63. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в котором упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
64. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждый из упомянутых вентилей включает в себя циркулятор, функционально соединенный, по меньшей мере, с одним из упомянутых волноводов; и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
65. Микроволновая плазменная система по п.54, которая дополнительно содержит пару блоков настройки, причем каждый из упомянутых блоков настройки функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и упомянутым микроволновым резонатором.
66. Микроволновая плазменная система по п.54, которая дополнительно содержит пару ответвителей, причем каждый из упомянутых ответвителей функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
67. Микроволновая плазменная система по п.54, которая дополнительно содержит пару циркуляторов, причем каждый из упомянутых циркуляторов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн к соответствующему одному из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств.
68. Микроволновая плазменная система, которая содержит: источник микроволн; микроволновый резонатор, имеющий четыре входа; четыре волновода, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых входов упомянутого микроволнового резонатора и с упомянутым источником микроволн; четыре невращающих фазосдвигающих устройства, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с упомянутым источником микроволн; четыре циркулятора, причем каждый из упомянутых циркуляторов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн, генерируемых упомянутым источником микроволн, по меньшей мере, к одному из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств; и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
69. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
70. Микроволновая плазменная система по п.69, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
71. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
72. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
73. Микроволновая плазменная система по п.72, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
74. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
75. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
76. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки, и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
77. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в котором упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
78. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя четыре микроволновые силовые головки и четыре вентиля, причем каждый из упомянутых вентилей функционально соединяется с соответствующей одной из упомянутых микроволновых силовых головок и, по меньшей мере, с одним из упомянутых волноводов, при этом каждый из упомянутых вентилей включает в себя циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом, и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
79. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя: две микроволновых силовых головки; два вентиля, причем каждый из упомянутых вентилей соединяется с соответствующей одной из упомянутых микроволновых силовых головок, при этом каждый из упомянутых вентилей включает в себя: циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом; и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором; и два разветвителя мощности, причем каждый из упомянутых разветвителей мощности функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей, при этом каждый из упомянутых разветвителей мощности выполнен с возможностью приема, разветвления и направления микроволн в соответствующие два из упомянутых волновода.
80. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя: микроволновую силовую головку; вентиль, функционально соединенный с упомянутой микроволновой силовой головкой, причем упомянутый вентиль включает в себя: циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом; и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором; и разветвитель мощности, соединенный с упомянутым вентилем, причем упомянутый разветвитель мощности выполнен с возможностью приема, разветвления и направления микроволн в соответствующий один из упомянутых волноводов.
81. Микроволновая плазменная система по п.68, которая дополнительно содержит четыре блока настройки, причем каждый из упомянутых блоков настройки функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с упомянутым микроволновым резонатором.
82. Микроволновая плазменная система по п.68, которая дополнительно содержит четыре ответвителя, причем каждый из упомянутых ответвителей функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/902,435 US7806077B2 (en) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation |
US10/902,435 | 2004-07-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2007107371A RU2007107371A (ru) | 2008-09-10 |
RU2342734C2 true RU2342734C2 (ru) | 2008-12-27 |
Family
ID=35197707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007107371/28A RU2342734C2 (ru) | 2004-07-30 | 2005-07-21 | Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7806077B2 (ru) |
EP (1) | EP1790201B1 (ru) |
JP (1) | JP4896880B2 (ru) |
KR (1) | KR100871475B1 (ru) |
CN (1) | CN101066000B (ru) |
AU (1) | AU2005269581B2 (ru) |
CA (1) | CA2574114A1 (ru) |
DE (1) | DE602005026300D1 (ru) |
RU (1) | RU2342734C2 (ru) |
WO (1) | WO2006014862A2 (ru) |
Families Citing this family (171)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7164095B2 (en) * | 2004-07-07 | 2007-01-16 | Noritsu Koki Co., Ltd. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
US7271363B2 (en) * | 2004-09-01 | 2007-09-18 | Noritsu Koki Co., Ltd. | Portable microwave plasma systems including a supply line for gas and microwaves |
US20060052883A1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-03-09 | Lee Sang H | System and method for optimizing data acquisition of plasma using a feedback control module |
KR101022507B1 (ko) * | 2006-01-30 | 2011-03-16 | 사이안 가부시키가이샤 | 소재 처리시스템 및 플라즈마 발생장치 |
JP2007220479A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Noritsu Koki Co Ltd | ワーク処理装置及びプラズマ発生装置 |
JP2007220480A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 |
JP2007220499A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP4837394B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2011-12-14 | 株式会社サイアン | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP4680091B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2011-05-11 | 株式会社サイアン | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 |
JP4647566B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2011-03-09 | 株式会社サイアン | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
TW200742506A (en) * | 2006-02-17 | 2007-11-01 | Noritsu Koki Co Ltd | Plasma generation apparatus and work process apparatus |
JP4699235B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-06-08 | 株式会社サイアン | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP2007220589A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置 |
JP2007227069A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生方法および装置ならびにそれを用いるワーク処理装置 |
JP2007227071A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP2007227201A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 |
JP4619966B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-01-26 | 株式会社サイアン | ワーク処理装置 |
JP4525929B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2010-08-18 | ノーリツ鋼機株式会社 | ワーク処理装置 |
JP4724572B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-07-13 | 株式会社サイアン | ワーク処理装置 |
JP4680095B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-05-11 | 株式会社サイアン | ワーク処理装置及びプラズマ発生装置 |
JP4619967B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-01-26 | 株式会社サイアン | ワーク処理装置 |
JP4619973B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-01-26 | 株式会社サイアン | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP4724625B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2011-07-13 | 株式会社サイアン | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
TW200816881A (en) * | 2006-08-30 | 2008-04-01 | Noritsu Koki Co Ltd | Plasma generation apparatus and workpiece processing apparatus using the same |
JP4620015B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2011-01-26 | 株式会社サイアン | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP2008066059A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP2008066058A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置 |
JP2008066159A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP2008071500A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
TW200830945A (en) * | 2006-09-13 | 2008-07-16 | Noritsu Koki Co Ltd | Plasma generator and work processing apparatus provided with the same |
JP4629068B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2011-02-09 | 株式会社サイアン | ワーク処理装置 |
JP4719184B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2011-07-06 | 株式会社サイアン | 大気圧プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
KR20080111801A (ko) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 공정장치 및 그 방법 |
GB0718721D0 (en) | 2007-09-25 | 2007-11-07 | Medical Device Innovations Ltd | Surgical resection apparatus |
ES2688300T3 (es) * | 2007-11-06 | 2018-10-31 | Creo Medical Limited | Aplicador para esterilización por plasma mediante microondas |
GB2454461B (en) * | 2007-11-06 | 2012-11-14 | Creo Medical Ltd | A system to treat and/or kill bacteria and viral infections using microwave atmospheric plasma |
WO2009060214A1 (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Microoncology Limited | Hydroxyl radical producing plasma sterilisation apparatus |
GB2464501A (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-21 | Microoncology Ltd | Plasma Applicators for Sterilisation |
GB2459461B (en) * | 2008-04-23 | 2012-08-01 | Creo Medical Ltd | A non-thermal microwave plasma sterilisation system using automatic tuning contained within the hand-piece of the applicator |
JP2011514441A (ja) * | 2008-01-30 | 2011-05-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 表面波開始プラズマ放電源の予備イオン化のためのシステム及び方法 |
US20100074810A1 (en) * | 2008-09-23 | 2010-03-25 | Sang Hun Lee | Plasma generating system having tunable plasma nozzle |
US7921804B2 (en) * | 2008-12-08 | 2011-04-12 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma generating nozzle having impedance control mechanism |
US20100201272A1 (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | Sang Hun Lee | Plasma generating system having nozzle with electrical biasing |
US20100254853A1 (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-07 | Sang Hun Lee | Method of sterilization using plasma generated sterilant gas |
WO2010129277A2 (en) | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Trustees Of Tufts College | Microplasma generator and methods therefor |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
JP2012089334A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US20120326803A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | Amarante Technologies, Inc. | Microwave resonant cavity |
WO2013016497A2 (en) | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Trustees Of Tufts College | Microplasma generating array |
WO2013119313A2 (en) * | 2011-12-09 | 2013-08-15 | Trustees Of Tufts College | Microplasma generator with array of tapered microstrips |
JP6255590B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2018-01-10 | イマジニアリング株式会社 | プラズマガス生成装置 |
US9067273B1 (en) * | 2012-05-17 | 2015-06-30 | Clemson University | High density atmospheric plasma jet devices by jet-to-jet interaction |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
ES2489292B1 (es) * | 2013-02-18 | 2015-03-06 | Tridogen S L | Procedimiento de suministro de energía a un material y dispositivo correspondiente |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
JP5725574B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2015-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波導波装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TWI568317B (zh) * | 2013-03-15 | 2017-01-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 微波共振器處理系統中之電漿調整桿 |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
CN104726850B (zh) * | 2013-12-23 | 2017-08-25 | 朱雨 | 一种微波等离子体化学气相沉积设备 |
US9627167B2 (en) | 2014-02-25 | 2017-04-18 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus for generating plasma |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10987735B2 (en) | 2015-12-16 | 2021-04-27 | 6K Inc. | Spheroidal titanium metallic powders with custom microstructures |
EP4324577A1 (en) | 2015-12-16 | 2024-02-21 | 6K Inc. | Method of producing spheroidal dehydrogenated titanium alloy particles |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
CN106061090B (zh) * | 2016-05-31 | 2019-03-12 | 吉林大学 | 一种二次耦合微波等离子体重整装置 |
CN105979693A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-09-28 | 浙江大学 | 一种大功率微波等离子体发生装置 |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
CA3104080A1 (en) | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 6K Inc. | Process for producing spheroidized powder from feedstock materials |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
SG11202111576QA (en) | 2019-04-30 | 2021-11-29 | 6K Inc | Mechanically alloyed powder feedstock |
US11611130B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-03-21 | 6K Inc. | Lithium lanthanum zirconium oxide (LLZO) powder |
KR102137913B1 (ko) * | 2019-10-29 | 2020-07-24 | 주식회사 기가레인 | 플라즈마 안테나 모듈 |
JP2023512391A (ja) | 2019-11-18 | 2023-03-27 | シックスケー インコーポレイテッド | 球形粉体用の特異な供給原料及び製造方法 |
US11590568B2 (en) | 2019-12-19 | 2023-02-28 | 6K Inc. | Process for producing spheroidized powder from feedstock materials |
EP4173060A1 (en) | 2020-06-25 | 2023-05-03 | 6K Inc. | Microcomposite alloy structure |
AU2021349358A1 (en) | 2020-09-24 | 2023-02-09 | 6K Inc. | Systems, devices, and methods for starting plasma |
US11919071B2 (en) | 2020-10-30 | 2024-03-05 | 6K Inc. | Systems and methods for synthesis of spheroidized metal powders |
CN112996209B (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-10 | 四川大学 | 一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构 |
Family Cites Families (98)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB792085A (en) * | 1954-09-27 | 1958-03-19 | Alca France Ets | Improvements in or relating to devices for packing and unpacking bottles to and frombottle-racks and the like |
US3353060A (en) * | 1964-11-28 | 1967-11-14 | Hitachi Ltd | High-frequency discharge plasma generator with an auxiliary electrode |
US3417287A (en) * | 1965-10-08 | 1968-12-17 | Hitachi Ltd | Low power high frequency discharge plasma generator |
US4185213A (en) * | 1977-08-31 | 1980-01-22 | Reynolds Metals Company | Gaseous electrode for MHD generator |
US4207286A (en) | 1978-03-16 | 1980-06-10 | Biophysics Research & Consulting Corporation | Seeded gas plasma sterilization method |
US4378806A (en) * | 1980-08-12 | 1983-04-05 | Henley Cohn Julian L | Gapped resonant microwave apparatus for producing hyperthermia therapy of tumors |
JPH0660412B2 (ja) | 1986-08-21 | 1994-08-10 | 東京瓦斯株式会社 | 薄膜形成法 |
US4976920A (en) | 1987-07-14 | 1990-12-11 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
JPH01161600A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 車両運転支援装置 |
JPH0633679Y2 (ja) * | 1988-05-02 | 1994-08-31 | 株式会社三社電機製作所 | インダクションプラズマ用トーチ |
JPH01299777A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-12-04 | Komatsu Ltd | プラズマトーチの構造 |
JPH0748480B2 (ja) | 1988-08-15 | 1995-05-24 | 新技術事業団 | 大気圧プラズマ反応方法 |
US5083004A (en) * | 1989-05-09 | 1992-01-21 | Varian Associates, Inc. | Spectroscopic plasma torch for microwave induced plasmas |
JPH0691634B2 (ja) | 1989-08-10 | 1994-11-14 | 三洋電機株式会社 | 固体撮像素子の駆動方法 |
JPH03111577A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-13 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法 |
US5170098A (en) | 1989-10-18 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus for use in carrying out the same |
JPH0470136A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Fujitsu Ltd | シグナリング伝送制御方式 |
US5084239A (en) | 1990-08-31 | 1992-01-28 | Abtox, Inc. | Plasma sterilizing process with pulsed antimicrobial agent treatment |
US5111111A (en) * | 1990-09-27 | 1992-05-05 | Consortium For Surface Processing, Inc. | Method and apparatus for coupling a microwave source in an electron cyclotron resonance system |
JPH05275191A (ja) | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 大気圧放電方法 |
JPH084103Y2 (ja) * | 1990-10-24 | 1996-02-07 | 新日本無線株式会社 | マイクロ波プラズマ装置 |
DE4037091C2 (de) * | 1990-11-22 | 1996-06-20 | Leybold Ag | Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes |
JP3021117B2 (ja) | 1991-09-20 | 2000-03-15 | 三菱重工業株式会社 | 電子サイクロトロン共鳴プラズマcdv装置 |
US5230740A (en) * | 1991-12-17 | 1993-07-27 | Crystallume | Apparatus for controlling plasma size and position in plasma-activated chemical vapor deposition processes comprising rotating dielectric |
JP3129814B2 (ja) * | 1992-01-17 | 2001-01-31 | 新日本無線株式会社 | マイクロ波プラズマ装置 |
JP3158715B2 (ja) * | 1992-03-30 | 2001-04-23 | 株式会社ダイヘン | プラズマ処理装置 |
JPH065384A (ja) | 1992-06-17 | 1994-01-14 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ発生トーチ管 |
EP0578047B1 (en) * | 1992-06-23 | 1998-05-13 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Plasma processing apparatus |
DE4242633C2 (de) | 1992-12-17 | 1996-11-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Durchführung von stabilen Niederdruck-Glimmprozessen |
JP3149002B2 (ja) * | 1992-12-18 | 2001-03-26 | 和夫 杉山 | 同軸形のマイクロ波プラズマ発生器 |
JP2540276B2 (ja) | 1993-03-12 | 1996-10-02 | 株式会社山東鉄工所 | 容器内部の殺菌装置 |
US5938854A (en) | 1993-05-28 | 1999-08-17 | The University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure |
JPH0740056A (ja) | 1993-07-28 | 1995-02-10 | Komatsu Ltd | プラズマトーチ |
JPH07153593A (ja) | 1993-12-01 | 1995-06-16 | Daido Steel Co Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
US5565118A (en) * | 1994-04-04 | 1996-10-15 | Asquith; Joseph G. | Self starting plasma plume igniter for aircraft jet engine |
EP0702393A3 (en) * | 1994-09-16 | 1997-03-26 | Daihen Corp | Plasma processing apparatus for introducing a micrometric wave from a rectangular waveguide, through an elongated sheet into the plasma chamber |
US5503676A (en) | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for magnetron in-situ cleaning of plasma reaction chamber |
EP0727504A3 (en) | 1995-02-14 | 1996-10-23 | Gen Electric | Plasma coating process for improved adhesive properties of coatings on objects |
US5573682A (en) | 1995-04-20 | 1996-11-12 | Plasma Processes | Plasma spray nozzle with low overspray and collimated flow |
US5741460A (en) | 1995-06-07 | 1998-04-21 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US5793013A (en) * | 1995-06-07 | 1998-08-11 | Physical Sciences, Inc. | Microwave-driven plasma spraying apparatus and method for spraying |
US5750072A (en) | 1995-08-14 | 1998-05-12 | Sangster; Bruce | Sterilization by magnetic field stimulation of a mist or vapor |
US5825485A (en) | 1995-11-03 | 1998-10-20 | Cohn; Daniel R. | Compact trace element sensor which utilizes microwave generated plasma and which is portable by an individual |
US5977715A (en) | 1995-12-14 | 1999-11-02 | The Boeing Company | Handheld atmospheric pressure glow discharge plasma source |
US6017825A (en) | 1996-03-29 | 2000-01-25 | Lam Research Corporation | Etch rate loading improvement |
US6030579A (en) | 1996-04-04 | 2000-02-29 | Johnson & Johnson Medical, Inc. | Method of sterilization using pretreatment with hydrogen peroxide |
US5928527A (en) | 1996-04-15 | 1999-07-27 | The Boeing Company | Surface modification using an atmospheric pressure glow discharge plasma source |
US6309979B1 (en) | 1996-12-18 | 2001-10-30 | Lam Research Corporation | Methods for reducing plasma-induced charging damage |
US5869401A (en) | 1996-12-20 | 1999-02-09 | Lam Research Corporation | Plasma-enhanced flash process |
GB9703159D0 (en) | 1997-02-15 | 1997-04-02 | Helica Instr Limited | Medical apparatus |
US5980768A (en) | 1997-03-07 | 1999-11-09 | Lam Research Corp. | Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor |
US6209551B1 (en) | 1997-06-11 | 2001-04-03 | Lam Research Corporation | Methods and compositions for post-etch layer stack treatment in semiconductor fabrication |
JP3175640B2 (ja) | 1997-06-17 | 2001-06-11 | 横河電機株式会社 | マイクロ波誘導プラズマ点火装置 |
US6221792B1 (en) | 1997-06-24 | 2001-04-24 | Lam Research Corporation | Metal and metal silicide nitridization in a high density, low pressure plasma reactor |
US6200651B1 (en) | 1997-06-30 | 2001-03-13 | Lam Research Corporation | Method of chemical vapor deposition in a vacuum plasma processor responsive to a pulsed microwave source |
JPH1121496A (ja) | 1997-06-30 | 1999-01-26 | Nippon Shokubai Co Ltd | 保護被膜形成材および基材の一時的保護処理方法 |
US6080270A (en) | 1997-07-14 | 2000-06-27 | Lam Research Corporation | Compact microwave downstream plasma system |
US6165910A (en) | 1997-12-29 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Self-aligned contacts for semiconductor device |
US6016766A (en) | 1997-12-29 | 2000-01-25 | Lam Research Corporation | Microwave plasma processor |
JPH11224795A (ja) | 1998-02-10 | 1999-08-17 | Shin Seiki:Kk | プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ利用表面処理方法、並びにプラズマ利用ガス処理方法 |
US6027616A (en) | 1998-05-01 | 2000-02-22 | Mse Technology Applications, Inc. | Extraction of contaminants from a gas |
CZ147698A3 (cs) * | 1998-05-12 | 2000-03-15 | Přírodovědecká Fakulta Masarykovy Univerzity | Způsob vytváření fyzikálně a chemicky aktivního prostředí plazmovou tryskou a plazmová tryska |
US6727148B1 (en) | 1998-06-30 | 2004-04-27 | Lam Research Corporation | ULSI MOS with high dielectric constant gate insulator |
US6235640B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-05-22 | Lam Research Corporation | Techniques for forming contact holes through to a silicon layer of a substrate |
JP2000192244A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-07-11 | Canon Inc | 堆積膜の形成装置及び形成方法 |
JP2000133494A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置及び方法 |
JP2000150484A (ja) | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Chemitoronics Co Ltd | プラズマエッチング装置およびエッチングの方法 |
JP2000260596A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Hitachi Ltd | プラズマ装置 |
KR19990068381A (ko) * | 1999-05-11 | 1999-09-06 | 허방욱 | 마이크로웨이브플라즈마버너 |
US6228330B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-05-08 | The Regents Of The University Of California | Atmospheric-pressure plasma decontamination/sterilization chamber |
JP2000353689A (ja) | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Nec Yamagata Ltd | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
US6573731B1 (en) | 1999-07-20 | 2003-06-03 | Tokyo Electron Limited | Electron density measurement and control system using plasma-induced changes in the frequency of a microwave oscillator |
KR100792303B1 (ko) | 1999-07-20 | 2008-01-07 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마를 수용하는 개방형 공진기에 고정된 마이크로파발진기를 사용하는 전자밀도측정과 플라즈마 공정제어시스템 |
TW463531B (en) | 1999-07-20 | 2001-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Electron density measurement and plasma process control system using plasma induced changes in the frequency of a microwave oscillator |
JP2001054556A (ja) | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Shikoku Kakoki Co Ltd | 大気圧低温プラズマ殺菌方法 |
FR2798552B1 (fr) * | 1999-09-13 | 2001-11-30 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif assurant une division de puissance micro-onde predeterminee sur une pluralite de charges, notamment pour la production de plasma |
US6410451B2 (en) | 1999-09-27 | 2002-06-25 | Lam Research Corporation | Techniques for improving etching in a plasma processing chamber |
US6652709B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus having circular waveguide, and plasma processing method |
DE29921694U1 (de) | 1999-12-09 | 2001-04-19 | Agrodyn Hochspannungstechnik G | Plasmadüse |
US6363882B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-04-02 | Lam Research Corporation | Lower electrode design for higher uniformity |
JP2001281284A (ja) | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Makoto Hirano | 複素誘電率の非破壊測定装置 |
WO2001093315A2 (en) * | 2000-05-25 | 2001-12-06 | Jewett Russell F | Methods and apparatus for plasma processing |
US6337277B1 (en) | 2000-06-28 | 2002-01-08 | Lam Research Corporation | Clean chemistry low-k organic polymer etch |
JP2002100499A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置 |
US6441554B1 (en) | 2000-11-28 | 2002-08-27 | Se Plasma Inc. | Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure |
US6620394B2 (en) * | 2001-06-15 | 2003-09-16 | Han Sup Uhm | Emission control for perfluorocompound gases by microwave plasma torch |
JP2003135571A (ja) | 2001-11-07 | 2003-05-13 | Toshiba Corp | プラズマ殺菌装置 |
DE10164120A1 (de) | 2001-12-24 | 2003-07-03 | Pierre Flecher | Mikrowellen-Plasmasterilisation von PET-Flaschen |
JP2003210556A (ja) | 2002-01-18 | 2003-07-29 | Toshiba Corp | 管用プラズマ滅菌装置 |
JP4020679B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2007-12-12 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
JP2003318689A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Kanazawa Inst Of Technology | 整合回路および反射波検出回路 |
JP3691812B2 (ja) | 2002-07-12 | 2005-09-07 | 株式会社エー・イー・ティー・ジャパン | 共振器を用いて複素誘電率を測定する方法および前記方法を実施する装置 |
US6792742B2 (en) | 2002-09-09 | 2004-09-21 | Phoenix Closures, Inc. | Method for storing and/or transporting items |
JP4103565B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2008-06-18 | 松下電工株式会社 | 表面処理装置及び表面処理方法 |
US20040173316A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-09 | Carr Jeffrey W. | Apparatus and method using a microwave source for reactive atom plasma processing |
WO2005023013A2 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-17 | Washington State University Research Foundation | Apparatus and method for heating objects with microwaves |
US7164095B2 (en) * | 2004-07-07 | 2007-01-16 | Noritsu Koki Co., Ltd. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
KR101022507B1 (ko) * | 2006-01-30 | 2011-03-16 | 사이안 가부시키가이샤 | 소재 처리시스템 및 플라즈마 발생장치 |
-
2004
- 2004-07-30 US US10/902,435 patent/US7806077B2/en active Active
-
2005
- 2005-07-21 DE DE602005026300T patent/DE602005026300D1/de active Active
- 2005-07-21 KR KR1020077002194A patent/KR100871475B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-07-21 US US11/658,356 patent/US20080073202A1/en not_active Abandoned
- 2005-07-21 CN CN2005800250650A patent/CN101066000B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-21 CA CA002574114A patent/CA2574114A1/en not_active Abandoned
- 2005-07-21 RU RU2007107371/28A patent/RU2342734C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2005-07-21 JP JP2007523689A patent/JP4896880B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-21 EP EP05773639A patent/EP1790201B1/en not_active Not-in-force
- 2005-07-21 WO PCT/US2005/026280 patent/WO2006014862A2/en active Application Filing
- 2005-07-21 AU AU2005269581A patent/AU2005269581B2/en not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101066000B (zh) | 2010-12-08 |
DE602005026300D1 (de) | 2011-03-24 |
CN101066000A (zh) | 2007-10-31 |
EP1790201A2 (en) | 2007-05-30 |
CA2574114A1 (en) | 2006-02-09 |
US20060021581A1 (en) | 2006-02-02 |
JP2008508683A (ja) | 2008-03-21 |
EP1790201B1 (en) | 2011-02-09 |
AU2005269581B2 (en) | 2009-07-16 |
US7806077B2 (en) | 2010-10-05 |
US20080073202A1 (en) | 2008-03-27 |
WO2006014862A2 (en) | 2006-02-09 |
KR20070027750A (ko) | 2007-03-09 |
JP4896880B2 (ja) | 2012-03-14 |
WO2006014862A3 (en) | 2007-01-18 |
RU2007107371A (ru) | 2008-09-10 |
AU2005269581A1 (en) | 2006-02-09 |
KR100871475B1 (ko) | 2008-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2342734C2 (ru) | Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы | |
US7164095B2 (en) | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency | |
Tantawi et al. | Experimental demonstration of a tunable microwave undulator | |
US9237639B2 (en) | Microwave resonant cavity | |
US9380695B2 (en) | Traveling wave linear accelerator with RF power flow outside of accelerating cavities | |
US20060021980A1 (en) | System and method for controlling a power distribution within a microwave cavity | |
US20080093358A1 (en) | Portable Microwave Plasma Discharge Unit | |
US20060042547A1 (en) | Portable microwave plasma discharge unit | |
WO2007013875A2 (en) | A portable microwave plasma discharge unit | |
CN106058618A (zh) | 一种多模式同时相干激发的太赫兹辐射源 | |
Rajpurohit et al. | Design optimization of two input multimode applicator for efficient microwave heating | |
RO131921B1 (ro) | Dispozitiv de încălzire cu microunde | |
Torrisi et al. | Non-conventional microwave coupling of RF power in ECRIS plasmas | |
Wang et al. | Positron Injector Accelerator and RF System for the ILC | |
Kutsaev et al. | A New Thermionic RF Electron Gun for Synchrotron Light Sources | |
Elfrgani | Relativistic backward wave oscillator with a Gaussian radiation pattern and related technologies | |
Ravera et al. | Thin CVD-diamond RF Pill-Box vacuum windows for LHCD systems | |
Magarotto et al. | Study on the Influence of the Magnetic Field Topology on the Power Deposition in a Helicon Plasma Source | |
RU2295848C2 (ru) | Способ дезинсекции и дезинфекции материалов зернового происхождения и устройство для его осуществления | |
Rimjaem et al. | Femtosecond electron pulses production system | |
Kusoljariyakul | Femtosecond Electron Pulses Production System S. Rimjaem, V. Jinamoon, N. Kangrang, K. Kusoljariyakul, J. Saisut, C. Thongbai, T. Vilaithong, MW Rhodes 2, P. Wichaisirimongkol 2 and S. Chumphongphan 3 | |
Mizumoto | High intensity proton linear accelerator for Neutron Science Project |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20101125 |
|
TK4A | Correction to the publication in the bulletin (patent) |
Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -PC4A- IN JOURNAL: 1-2011 FOR TAG: (73) |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120722 |