RU2342734C2 - Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы - Google Patents

Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы Download PDF

Info

Publication number
RU2342734C2
RU2342734C2 RU2007107371/28A RU2007107371A RU2342734C2 RU 2342734 C2 RU2342734 C2 RU 2342734C2 RU 2007107371/28 A RU2007107371/28 A RU 2007107371/28A RU 2007107371 A RU2007107371 A RU 2007107371A RU 2342734 C2 RU2342734 C2 RU 2342734C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microwave
microwaves
gas
plasma system
microwave plasma
Prior art date
Application number
RU2007107371/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2007107371A (ru
Inventor
Санг Хун ЛИ (US)
Санг Хун ЛИ
Дзай Дзоонгсоо КИМ (US)
Дзай Дзоонгсоо КИМ
Original Assignee
Амарант Текнолоджиз, Инк.
Норицу Коки Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Амарант Текнолоджиз, Инк., Норицу Коки Ко., Лтд. filed Critical Амарант Текнолоджиз, Инк.
Publication of RU2007107371A publication Critical patent/RU2007107371A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2342734C2 publication Critical patent/RU2342734C2/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461Microwave discharges
    • H05H1/4622Microwave discharges using waveguides
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61LMETHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
    • A61L2/00Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor
    • A61L2/02Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor using physical phenomena
    • A61L2/14Plasma, i.e. ionised gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32211Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229Waveguides
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Abstract

Настоящее изобретение предоставляет микроволновые плазменные системы с сопловыми решетками и способы для выбора конфигурации микроволновых плазменных сопловых решеток. Микроволны передаются в микроволновый резонатор особым способом и формируют интерференционный узор, который включает в себя области высоких энергий в пределах микроволнового резонатора. Областями высоких энергий управляют посредством фаз и длины волны микроволн. Множество сопловых элементов предоставляется в виде решетки. Каждый из сопловых элементов имеет участок, частично расположенный в микроволновом резонаторе, принимающий газ для пропускания через себя. Сопловые элементы принимают энергию микроволн из одной из областей высоких энергий. Каждый из сопловых элементов включает в себя стержневой проводник, имеющий наконечник, на котором фокусируются микроволны, и таким образом генерируется плазма с использованием принятого газа. 7 н. и 75 з.п. ф-лы, 15 ил.

Description

Перекрестная ссылка на родственные заявки
Настоящая заявка имеет отношение к параллельно поданной заявке согласно РСТ US № 2005026085, зарегистрированной 21 июля 2005 года, озаглавленный "СИСТЕМА И СПОСОБ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ МОЩНОСТИ В ПРЕДЕЛАХ МИКРОВОЛНОВОГО РЕЗОНАТОРА", которая тем самым включается в настоящую заявку посредством ссылки во всей полноте.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
1. Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение имеет отношение к системам генерирования плазмы и, конкретнее, к микроволновым плазменным системам, имеющим плазменные сопловые решетки.
2. Предшествующий уровень техники
В течение последних лет наращивались достижения в производстве плазмы. Как правило, плазма состоит из положительно заряженных ионов, нейтральных частиц и электронов. В целом, плазмы могут быть подразделены на две категории: термически равновесные и термически неравновесные плазмы. Термическое равновесие подразумевает, что температура всех частиц, в том числе положительно заряженных ионов, нейтральных частиц и электронов, является одинаковой.
Плазмы также могут быть разделены на плазмы в состоянии локального термического равновесия (ЛТР) и в не-ЛТР состоянии, причем это подразделение обычно зависит от давления плазм. Термин "локальное тепловое равновесие (ЛТР)" имеет отношение к термодинамическому состоянию в тех случаях, когда температуры всех частиц плазмы одинаковы в локализованных областях в плазме.
Высокое плазменное давление порождает большое число столкновений в плазме за единичный временной интервал, приводящих к достаточному обмену энергией между частицами, составляющими плазму, и это приводит к равной температуре для плазменных частиц. С другой стороны, низкое плазменное давление может в результате давать одну или более температуры для плазменных частиц вследствие недостаточных столкновений между частицами плазмы.
В не-ЛТР, или попросту нетермических плазмах, температура ионов и нейтральных частиц обычно является меньше 100°C, в то время как температура электронов может достигать нескольких десятков тысяч градусов по Цельсию. Поэтому не-ЛТР плазма может служить высокореактивным средством для энергоемких, а также тонких прикладных задач без потребления большого количества энергии. Эта "горячая прохлада" предоставляет множество возможностей для технологических процессов и экономические перспективы для различных прикладных задач. Энергоемкие прикладные задачи включают в себя системы металлизации и плазменной резки, а тонкие прикладные задачи включают в себя плазменные системы очистки поверхности и плазменные дисплеи.
Одной из этих прикладных задач является плазменная стерилизация, в которой применяется плазма для уничтожения микроорганизмов, в том числе высокоустойчивых бактериальных эндоспор. Стерилизация является очень важным этапом при обеспечении безопасности медицинских и стоматологических приборов, материалов и тканей для конечного использования. Существующие способы стерилизации, используемые в больницах и отраслях промышленности, включают в себя автоклавную обработку, газовую обработку этиленоксидом (ЭТО), стерилизацию сухим жаром и облучение гамма-лучами или электронными лучами. У этих технологий имеется ряд сложностей, с которыми приходится сталкиваться и преодолевать, и они включают в себя такие проблемы, как тепловая чувствительность и разрушение под воздействием высокой температуры, образование токсичных побочных продуктов, высокие эксплуатационные расходы и неэффективность при полной продолжительности цикла. Следовательно, организации и промышленные отрасли здравоохранения давно нуждаются в технологии стерилизации, которая может функционировать при близкой к комнатной температуре и за меньшее время, не вызывая структурного повреждения, для широкого ассортимента медицинских принадлежностей, в том числе различных чувствительных к высокой температуре электронных компонентов и оборудования. Плазмы атмосферного давления для стерилизации, как и в случае обработки материалов, предоставляют потребителям ряд определенных преимуществ. Малогабаритная компоновка делает простым изменение конфигурации, устраняется потребность в дорогостоящих вакуумных камерах и системах накачки, оборудование может устанавливаться в различных условиях эксплуатации без требований дополнительного уменьшения ограничений, а эксплуатационные расходы и требования к техническому обслуживанию минимальны. Фактически, фундаментальное значение стерилизации атмосферной плазмой заключается в ее способности стерилизации чувствительных к высокой температуре объектов, простоте использования и более быстрому производственному циклу. Стерилизация атмосферной плазмой может быть достигнута в результате непосредственного воздействия реактивных нейтральных частиц, в том числе атомарного кислорода и гидроксильных радикалов, и порожденного плазмой ультрафиолетового излучения, которые могут воздействовать и наносить повреждение клеточным мембранам бактерий. Таким образом, существует потребность в устройствах, которые могут генерировать плазму атмосферного давления, как эффективном и дешевом средстве стерилизации.
Одним из ключевых факторов, которые влияют на эффективность систем стерилизации атмосферной плазмой, как и в случае других систем генерирования плазмы, является расширяемость плазм, генерируемых системами. Существует несколько систем для плазмы атмосферного давления на основе микроволновых сопел, широко используемых на промышленных предприятиях и в образовательных учреждениях во всем мире. Большинство этих разработок основывается на одиночном сопле, и они нуждаются в большой области расширяемости, необходимой для прикладных задач стерилизации медицинских приборов. Кроме того, такие плазменные системы генерируют высокотемпературную плазму, которая не применима для прикладных задач стерилизации.
Одно решение задачи предоставления однородной плазмы использует сопловую решетку, связанную с микроволновым резонатором. Одной из сложных проблем такой системы является управление распределением микроволн в пределах микроволнового резонатора так, чтобы энергия микроволн (или, что одно и то же, микроволна) была локализована в заданных областях (в дальнейшем называемых "области высоких энергий"), которые являются постоянными в пределах резонатора. В таких системах однородность и расширяемость плазмы могут быть получены с помощью связи сопел с управляемыми участками высоких энергий, что также увеличивает эксплуатационную эффективность системы.
Большинство традиционных систем, имеющих микроволновый резонатор, разработано для обеспечения однородного распределения энергии микроволн в микроволновом резонаторе. Например, статья Герлинга "ВОЛНОВОДНЫЕ КОМПОНЕНТЫ И КОНФИГУРАЦИИ ДЛЯ ОПТИМАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК В МИКРОВОЛНОВЫХ СИСТЕМАХ НАГРЕВА", опубликованная на www.2450mhz.com Компанией Gerling Applied Engineering Inc в 2000 году, преподносит систему, имеющую два вращающихся фазосдвигающих устройства. В этой системе два вращающихся фазосдвигающих устройства генерируют области высоких энергий, которые непрерывно перемещаются в пределах микроволнового резонатора для гарантирования однородного распределения нагрева в пределах микроволнового резонатора.
В отличие от таких традиционных систем система генерирования плазмы, которая имеет плазменную сопловую решетку, должна иметь возможность целенаправленного управления микроволнами в своем микроволновом резонаторе и генерирования областей высоких энергий, связанных с сопловой решеткой. Таким образом, имеется серьезная потребность в системах генерирования плазмы, которые могут целенаправленно и генерировать области высоких энергий, и управлять ими в пределах микроволнового резонатора и имеют плазменные сопловые решетки, расположенные так, чтобы принимать энергию микроволн из областей высоких энергий.
Раскрытие изобретения
Настоящее изобретение предоставляет различные системы, которые имеют микроволновые плазменные сопловые решетки, и способы для выбора конфигурации плазменных сопловых решеток.
Согласно одному аспекту настоящего изобретения способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки включает в себя этапы, на которых: направляют микроволны в микроволновый резонатор в противоположных направлениях так, что микроволны интерферируют и формируют структуру стоячих микроволн, которые являются постоянными в пределах микроволнового резонатора; регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий, генерируемых структурой стоячих микроволн; и размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки включает в себя этапы, на которых: направляют первую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль первой оси; направляют вторую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль второй оси, причем первая ось расположена перпендикулярно второй оси, так что первая и вторая пары микроволн интерферируют и формируют области высоких энергий, которые являются постоянными в пределах микроволнового резонатора; регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий и размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения блок микроволновой плазменной сопловой решетки включает в себя: микроволновый резонатор и решетку сопел, причем каждое из сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения микроволновая плазменная система включает в себя: источник микроволн; пару вентилей, функционально соединенных с источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий пару входов; пару волноводов, причем каждый из волноводов функционально соединен, по меньшей мере, с одним из вентилей и, по меньшей мере, с одним из входов микроволнового резонатора; пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединено, по меньшей мере, с одним из волноводов и, по меньшей мере, с одним из вентилей; и решетку сопел, причем каждое из сопел решетки включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения микроволновая плазменная система включает в себя: источник микроволн; вентиль, функционально соединенный с источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий вход; волновод, функционально соединенный с вентилем и с входом микроволнового резонатора; невращающее фазосдвигающее устройство, функционально соединенное с волноводом и вентилем; циркулятор, функционально соединенный с волноводом и выполненный с возможностью направления микроволн к невращающему фазосдвигающему устройству; подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с микроволновым резонатором; и решетку сопел, причем каждое из сопел решетки включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения, микроволновая плазменная система включает в себя: источник микроволн; пару вентилей, функционально соединенных с источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий пару входов; пару волноводов, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединен с соответствующим одним из упомянутых вентилей и с соответствующим одним из упомянутых входов микроволнового резонатора; пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединено с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с соответствующим одним из упомянутых вентилей; пару подвижных короткозамыкателей, причем каждый из упомянутых подвижных короткозамыкателей функционально соединен с упомянутым микроволновым резонатором; и решетку сопел, причем каждое из сопел решетки включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения, микроволновая плазменная система содержит: источник микроволн; микроволновый резонатор, имеющий четыре входа; четыре волновода, причем каждый из волноводов функционально соединен, по меньшей мере, с одним из входов микроволнового резонатора и с источником микроволн; четыре невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединено, по меньшей мере, с одним из волноводов и с источником микроволн; четыре циркулятора, причем каждый из циркуляторов функционально соединен, по меньшей мере, с одним из волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн, генерируемых источником микроволн, по меньшей мере, к одному из невращающих фазосдвигающих устройств; и решетку сопел, причем каждое из сопел решетки включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через нее потока газа и имеющую входную часть и выходную часть; стержневой проводник, расположенный по направлению оси в газорасходной трубке, причем стержневой проводник имеет участок, расположенный в микроволновом резонаторе, для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
Эти и другие преимущества и признаки настоящего изобретения станут очевидными для специалистов в данной области техники после прочтения подробностей настоящего изобретения, которые более полно описаны ниже.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 является схематическим представлением системы, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.2A схематично иллюстрирует интерференцию двух микроволн в пределах микроволнового резонатора системы, показанной на Фиг.1, в случае, когда микроволны перемещаются в противоположных направлениях.
Фиг.2B схематично показывает распределение областей высоких энергий в пределах микроволнового резонатора для системы, показанной на Фиг.1.
Фиг.3 является схематическим представлением системы, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.4A показывает вид сверху микроволнового резонатора и плазменной сопловой решетки, показанной на Фиг.1.
Фиг.4B показывает вид в поперечном разрезе, взятом по линии IV-IV, микроволнового резонатора и сопла, изображенных на Фиг.4A.
Фиг.4C показывает вид в поперечном разрезе альтернативного варианта осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4B.
Фиг.4D показывает вид в поперечном разрезе другого альтернативного варианта осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4B.
Фиг.5A показывает вид сверху альтернативного варианта осуществления плазменной сопловой решетки, показанной на Фиг.4A.
Фиг.5B показывает вид в поперечном разрезе, взятом по линии IV'-IV', микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.5A.
Фиг.5C показывает вид в поперечном разрезе альтернативного варианта осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.5B.
Фиг.5D показывает вид в поперечном разрезе другого альтернативного варианта осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.5B.
Фиг.6A-6F показывают виды в поперечном разрезе альтернативных вариантов осуществления микроволнового плазменного сопла, изображенного на Фиг.4C, иллюстрируя дополнительные компоненты для повышения эффективности сопла.
Фиг.7 является схематическим представлением системы, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.8 показывает интерференционный узор областей высоких энергий, полученных в пределах микроволнового резонатора системы, показанной на Фиг.7, иллюстрируя одно размещение сопловой решетки в областях высоких энергий.
Фиг.9 является схематическим представлением микроволнового резонатора и волноводов для генерирования областей высоких энергий в форме плоской решетки в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.10 показывает альтернативный интерференционный узор областей высоких энергий, полученных в пределах микроволнового резонатора систем, показанных на Фиг.7 и 9, иллюстрируя альтернативное размещение сопловой решетки в областях высоких энергий.
Фиг.11 является схематическим представлением системы, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.12 показывает вид в поперечном разрезе, взятом перпендикулярно оси z, микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.11.
Фиг.13 является перспективным изображением с пространственным разделением деталей сопла, показанного на Фиг.12.
Фиг.14A-14I показывают виды в поперечном разрезе альтернативных вариантов осуществления стержневого проводника, изображенного на Фиг.13.
Фиг.15 показывает блок-схему, поясняющую иллюстративные этапы связывания микроволновой сопловой решетки в соответствии, по меньшей мере, с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Нижеследующее подробное описание представляет лучшие рассматриваемые в настоящее время методы осуществления настоящего изобретения. Настоящее описание не должно восприниматься в ограниченном смысле, а делается единственно с целью иллюстрирования общих принципов настоящего изобретения, поскольку объем настоящего изобретения лучше всего определен посредством прилагаемой формулы изобретения.
Нужно отметить, что в том смысле, в каком они употребляются в настоящем описании и в прилагаемой формуле изобретения, формы единственного числа включают в себя множественные объекты ссылки, если из контекста явно не следует иное. Таким образом, например, ссылка на "сопло" включает в себя одно или более сопел, и равнозначность этого понятна для специалистов в данной области техники, и т.д.
Как упомянуто ранее, традиционные микроволновые плазменные системы генерируют однородное распределение энергии в пределах микроволнового резонатора, управляя разностями фаз между двумя микроволнами, переданными в микроволновый резонатор. В отличие от существующих систем, настоящее изобретение предоставляет способы и системы для управления фазами микроволн так, чтобы они могли генерировать постоянные области высоких энергий в пределах микроволновых резонаторов. Также раскрываются способы для выбора конфигурации плазменной сопловой решетки так, чтобы использовать энергию из областей высоких энергий.
Фиг.1 является схематическим представлением системы 10, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано, система 10 содержит: источник 13 микроволн, имеющий микроволновую силовую головку 12, которая генерирует микроволны, и разветвитель 14 мощности, имеющий два выхода, который разделяет микроволны, генерируемые микроволновой силовой головкой 12; пару вентилей 17a и 17b, выполненных с возможностью рассеивания двигающихся назад микроволн, которые перемещаются к микроволновой силовой головке 12, причем каждый вентиль включает в себя искусственную нагрузку 18a и 18b для рассеивания двигающихся назад микроволн и циркулятор 16 для отклонения двигающихся назад микроволн к соответствующей искусственной нагрузке 18a и 18b; пару невращающих фазосдвигающих устройств 24a и 24b для сдвига фаз микроволн; пару циркуляторов 22a и 22b для направления микроволн от разветвителя 14 мощности к невращающим фазосдвигающим устройствам 24a и 24b соответственно; волноводы 20a и 20b для передачи микроволн и микроволновый резонатор 32. В альтернативном варианте осуществления система 10 может дополнительно содержать: ответвители 26a и 26b, соединенные с измерителями 28a и 28b мощности для измерения микроволновых потоков; и блоки 30a и 30b настройки для согласования полного сопротивления микроволн. Как правило, микроволновая силовая головка 12 включает в себя генератор микроволн и источник питания, которые не показаны на Фиг.1 для простоты. В другом альтернативном варианте осуществления вентиль может быть расположен между микроволновой силовой головкой 12 и разветвителем 14 мощности с двумя выходами, таким образом, заменяя пару вентилей 17a и 17b.
Сопловая решетка 37, содержащая одно или более сопел 36, связана с микроволновым резонатором 32 и генерирует плазменные факелы 38a-38n из газа, подающегося от газгольдера 34 через клапан 35 управления массовым потоком (УМП). Некоторые варианты осуществления сопел 36 и микроволнового резонатора 32, которые могут быть применены для системы 10, обсуждаются в одной из заявок согласно PCT, находящихся на рассмотрении параллельно с настоящей заявкой, озаглавленной "Микроволновое плазменное сопло с улучшенными стабильностью факела и теплопроизводительностью", зарегистрированной 5 июля 2005 года, которая тем самым включается в настоящую заявку посредством ссылки во всей полноте.
Микроволны 40a и 40b, переданные от разветвителя 14 мощности, перемещаются в противоположных направлениях по оси x в пределах микроволнового резонатора 32 и образуют интерференционный узор, как показано на Фиг.2A. Фиг.2A показывает график 50 микроволн 52a и 52b, которые интерферируют друг с другом, что приводит к образованию стоячей микроволны 54 в пределах микроволнового резонатора 32. Абсцисса и ордината графика 50 представляют направление распространения микроволн и амплитуды микроволн соответственно. Поскольку интенсивность стоячей микроволны 54 пропорциональна квадрату амплитуды, стоячая микроволна 54 имеет вершинные позиции 64 для каждого цикла, где амплитуда достигает своего максимального значения, амплитуды 58. (Для простоты, в дальнейшем, под амплитудой подразумевается абсолютная величина амплитуды.)
Области 69 высоких энергий могут соотноситься с позициями, в которых амплитуда стоячей микроволны 54 превышает пороговое значение 60, которое может быть установлено пользователем. Как будет объяснено для Фиг.5A и 10, более чем одно сопло может быть расположено по направлению оси х в каждой области 69 высоких энергий. В таких случаях ширина 62 областей 69 высоких энергий может быть установлена, принимая во внимание размер сопел, расстояние между двумя соседними соплами и значение максимальной амплитуды 58. Например, пользователь может установить пороговое значение 60-75% от максимальной амплитуды 58, чтобы обеспечить энергию микроволн для всех сопел в областях 69 высоких энергий.
Вершинными позициями 64 и максимальными амплитудами 58 вершин так же, как шириной 62 областей 69 высоких энергий, можно управлять с помощью невращающих фазосдвигающих устройств 24a и 24b, в то время как шаг 56 определяется длиной волны микроволн 52a и 52b. Если разность фаз между микроволнами 52a и 52b уменьшается, максимальная амплитуда 58 и ширина 62 областей 69 высоких энергий увеличивается. Если фазы двух микроволн 52a и 52b сдвигаются в одном направлении по оси x, вершинные позиции 64 могут сдвигаться в этом направлении.
Фиг.2B показывает распределение 66 областей 69 высоких энергий в пределах микроволнового резонатора 32, рассматриваемого в направлении, перпендикулярном плоскости x-z. Как показано на Фиг.2B, области 69 высоких энергий генерируются путем интерференции микроволн 52a и 52b, распространяющихся в направлениях 68a и 68b соответственно в пределах микроволнового резонатора 32. Поскольку микроволны 52a и 52b могут быть одномерными волнами, все области 69 высоких энергий могут быть представлены в виде прямоугольных полос, отстоящих друг от друга на половину шага 56. На Фиг.2A и 2B в целях иллюстрации допускается, что микроволновый резонатор является прямоугольным параллелепипедом. Тем не менее, специалистам в данной области техники должно быть очевидно, что микроволновый резонатор может иметь любую другую форму, не отклоняясь от настоящего изобретения.
В альтернативном варианте осуществления источник 13 микроволн может быть заменен двумя отдельными микроволновыми силовыми головками и двумя вентилями, соответственно прикрепленными к ним, причем каждая микроволновая силовая головка может передавать микроволну в микроволновый резонатор 32. В этом варианте осуществления две микроволны 52a и 52b могут иметь различные длины волны и амплитуды. Однако применяя тот же принцип, сформулированный выше, невращающие фазосдвигающие устройства 24a и 24b могут использоваться для управления вершинными позициями 64 и максимальной амплитудой 58 так же, как шириной 62 областей 69 высоких энергий.
Фиг.3 является схематическим представлением системы 70 для детерминированного генерирования областей высоких энергий в пределах микроволнового резонатора в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано, система 70 может включать в себя микроволновую силовую головку 72 для генерирования микроволн; вентиль 74, имеющий искусственную нагрузку 76, выполненную с возможностью рассеивания двигающихся назад микроволн, которые распространяются в направлении микроволновой силовой головки 72, и циркулятор 78 для отклонения двигающихся назад микроволн к искусственной нагрузке 76; невращающее фазосдвигающее устройство 82 для управления фазой микроволн; циркулятор 80; микроволновый резонатор 92; волновод 90 для передачи микроволн от микроволновой силовой головки 72 в микроволновый резонатор 92; и подвижный короткозамыкатель 94 для управления фазой отраженных микроволн. В альтернативном варианте осуществления система 70 может дополнительно включать в себя ответвитель 86, соединенный с измерителем 84 мощности для измерения микроволновых потоков; и блок 88 настройки для согласования полного сопротивления микроволн. В другом альтернативном варианте осуществления подвижный короткозамыкатель 94 может быть заменен стенкой, причем размер микроволнового резонатора 92 в направлении распространения микроволн является кратным половине длины волны микроволн. Сопловая решетка 99, содержащая сопла 98, может быть соединена с микроволновым резонатором 92 и генерирует плазменные факелы 100 из газа, подающегося от газгольдера 96. Отдельные детали сопел 98 будут обсуждаться ниже.
На Фиг.3 графическая вставка 102 иллюстрирует распространение микроволн, передающихся от микроволновой силовой головки 72 в микроволновый резонатор 92. Передающиеся микроволны отражаются от подвижного короткозамыкателя 94, что обозначено стрелкой 104, и они интерферируют с поступающими микроволнами, что приводит к образованию стоячих микроволн в пределах микроволнового резонатора 92. Подвижный короткозамыкатель 94 может управлять фазой отраженных микроволн и, если он используется совместно с невращающим фазосдвигающим устройством 82, управлять позициями и максимальной амплитудой стоячих волн так же, как шириной областей высоких энергий, которые подобны областям 69 высоких энергий, показанными на Фиг.2B.
Фиг.4A представляет собой вид сверху плазменной сопловой решетки 37, показанной на Фиг.1, иллюстрирующий сопла 36, расположенные в пределах областей 69 высоких энергий, установленных в пределах микроволнового резонатора 32 микроволнами, перемещающимися в противоположных направлениях 68a и 68b. Как показано, сопловая решетка, обозначенная ссылочной позицией 37, представлена в виде плоской решетки. Однако специалистам в данной области техники должно быть очевидно, что может использоваться другое расположение сопел. Например, сопловая решетка 37 может иметь только одномерную решетку сопел 36, с расположением или в направлении оси z, или в направлении х. Заметим, что сопловая решетка 99 на Фиг.3 может иметь такое же расположение, как показано на Фиг.4A.
Фиг.4B показывает графическое изображение 110 в поперечном разрезе, взятом по линии IV-IV, микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4A. Как показано, микроволновый резонатор 32 включает в себя стенку 111, которая формирует газорасходный канал 112 для впускания газа из газгольдера 34; и резонатор 113 для приема микроволн, переданных от источника 13 микроволн, и генерирования областей 69 высоких энергий. Каждое сопло 36 может включать в себя газорасходную трубку 120, соединенную со стенкой 111 резонатора, для приема газа через газорасходный канал 112; стержневой проводник 114, имеющий часть 116 для улавливания микроволн из областей 69 высоких энергий в резонаторе 113; и вихревое направляющее устройство 118, расположенное между стержневым проводником 114 и газорасходной трубкой 120. Вихревое направляющее устройство 118 имеет, по меньшей мере, одно отверстие 119 для создания спиральной траектории вихревого потока вокруг стержневого проводника 114. Микроволны, принятые частью 116 стержневого проводника, фокусируются на его конусообразном наконечнике 117 для генерирования плазменных факелов 38, использующих газ. Газорасходная трубка 120 может быть сделана из материала, который в значительной степени прозрачен для микроволн. Например, газорасходная трубка 120 может быть сделана из диэлектрического материала, такого как кварц.
Ширина 62 областей 69 высоких энергий может быть оптимизирована с помощью управления невращающими фазосдвигающими устройствами 24a и 24b. В общем случае, меньшая ширина областей 69 высоких энергий может привести к большей эксплуатационной эффективности сопел 36. Однако принимая во внимание возможное непостоянство областей 69 высоких энергий во время работы системы 10, ширина 62 областей 69 высоких энергий может быть немного большей, чем диаметр стержневого проводника 114.
Фиг.4C является графическим изображением в поперечном разрезе альтернативного варианта 122 осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4B. Как показано, сопло 128 имеет компоненты, подобные показанным на Фиг.4B. Фиг.4C включает в себя газорасходную трубку 134, герметично соединенную со стенкой 126 для приема газа через газорасходный канал 127; стержневой проводник 130 для улавливания микроволн из областей 69 высоких энергий в резонаторе 133 и вихревое направляющее устройство 132. Газорасходная трубка 134 может быть сделана из любого материала, который в значительной степени прозрачен для микроволн (то есть микроволны могут проходить через газорасходную трубку 134 с очень низкой потерей энергии), и, как следствие, газ, протекающий через газорасходную трубку 134, может предварительно разогреваться внутри резонатора 133 до того, как достигнет области конусообразного наконечника стержневого проводника 130.
Фиг.4D показывает вид в поперечном разрезе другого альтернативного варианта осуществления 140 микроволнового резонатора и сопловой решетки, изображенных на Фиг.4A. Как показано, сопла 144 имеют компоненты, подобные их аналогам на Фиг.4B: газорасходную трубку 148, герметично соединенную со стенкой 143 микроволнового резонатора 142, для приема газа; стержневой проводник 152 для улавливания микроволн из областей 69 высоких энергий и вихревое направляющее устройство 146. Микроволновый резонатор 142 может формировать газорасходный канал, соединенный с газгольдером 34. Стержневой проводник 152 может быть подобен проводнику 114, проиллюстрированному на Фиг.4B, причем часть 116 стержневого проводника 114 помещена в резонатор 113 для приема микроволн. Затем принятые микроволны перемещаются по его поверхности и фокусируются на конусообразном наконечнике.
Упомянутая ранее ширина 62 (Фиг.2) областей 69 высоких энергий может быть оптимизирована с помощью управления невращающими фазосдвигающими устройствами 24a и 24b. В общем случае, меньшая ширина областей 69 высоких энергий может привести к большей эксплуатационной эффективности сопел 36. Поэтому на Фиг.4A-4D ширина 62 областей 69 высоких энергий может быть немного большей, чем диаметр стержневого проводника 114. В этих приложениях интервал между двумя соседними соплами по направлению оси х может составлять половину длины волны микроволн, перемещающихся в противоположных направлениях 68a и 68b. Однако, в некоторых приложениях, интервал в половину длины волны может вносить отклонения в характеристики плазмы по направлению оси х, и, как следствие, может потребоваться меньший интервал между соплами. Фиг.5A-5D иллюстрируют сопловые решетки, имеющие различные интервалы между двумя соседними соплами по направлению оси х.
Фиг.5A представляет собой вид сверху альтернативного варианта 37' осуществления плазменной сопловой решетки, показанной на Фиг.4A, иллюстрирующий сопла 36', расположенные в пределах областей 69' высоких энергий, которые устанавливаются микроволнами, перемещающимися в противоположных направлениях 68a' и 68b'. Как изображено, ширина 62' области 69' высоких энергий может быть достаточно большой, чтобы вместить одно или более сопел 36' по направлению оси х, даже если шаг 54' равен длине волны микроволн. Шириной 62' можно управлять, изменяя разность фаз между микроволнами 68a' и 68b', как описано в отношении Фиг.2A. Заметим, что сопловая решетка 99 на Фиг.3 может иметь такое же расположение, как показано на Фиг.5A.
Фиг.5B-5D представляют собой виды в разрезе, взятом по линии IV'-IV', различных вариантов осуществления микроволнового резонатора и сопловой решетки на Фиг.5A. Как показано, эти три варианта осуществления, обозначенные ссылочными позициями 110' (Фиг.5B), 122' (Фиг.5C) и 140' (Фиг.5D), подобны их аналогам, обозначенным ссылочными позициями 110, 122 и 140 соответственно, с тем отличием, что ширина 62' может быть достаточно большой, чтобы вместить более чем одно сопло по направлению оси х.
Каждое сопло, изображенное на Фиг.4B-4D и 5B-5D, включает в себя стержневой проводник, который имеет часть, помещенную в резонатор для приема микроволн. Затем принятые микроволны перемещаются по его поверхности и фокусируются на конусообразном наконечнике. Поскольку часть перемещающихся микроволн может быть потеряна при прохождении через газорасходную трубку, может использоваться экранирующий механизм для повышения эффективности сопел, которые проиллюстрированы на Фиг.6A-6B.
Фиг.6A показывает вид в разрезе сопла 160, которое является альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 160 включает в себя: стержневой проводник 162; газорасходную трубку 164; вихревое направляющее устройство 166 и внутренний экран 168 для снижения потерь микроволн при прохождении через газорасходную трубку 164. Внутренний экран 168 имеет трубчатую форму и занимает углубление, сформированное на внешней поверхности вихревого направляющего устройства 166. Внутренний экран 168 может обеспечить дополнительное управление спиральным вихрем вокруг стержневого проводника 162 и повысить устойчивость плазмы путем изменения зазора между газорасходной трубкой 164 и стержневым проводником 162.
Фиг.6B представляет собой вид в разрезе другого сопла 170, которое является другим альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 170 включает в себя: стержневой проводник 172; газорасходную трубку 174; вихревое направляющее устройство 176 и заземленный экран 178 для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку 174. Заземленный экран 178 может покрывать часть газорасходной трубки 174, которая находится вне микроволнового резонатора. Как и внутренний экран 168, заземленный экран 178 может обеспечить дополнительное управление спиральным вихрем вокруг стержневого проводника 172 и повысить устойчивость плазмы путем изменения зазора между газорасходной трубкой 174 и стержневым проводником 172.
Как упомянуто выше, основным механизмом нагрева, использующимся для сопел, показанных на Фиг.4B-4D и 5B-5D, являются микроволны, которые фокусируются и испускаются рядом с конусообразным наконечником стержневого проводника, причем сопла могут вырабатывать не-ЛТР плазмы для стерилизации. В не-ЛТР плазмах температура ионов и нейтральных частиц может быть меньше 100°C, в то время как температура электронов может достигать нескольких десятков тысяч градусов Цельсия. Следовательно, такие плазмы находятся в высшем электронно-возбужденном состоянии. Для увеличения электронной температуры и повышения эффективности сопел сопла могут включать в себя дополнительные механизмы электронного возбуждения газа во время нахождения газа внутри газорасходной трубки, что проиллюстрировано на Фиг.6C-6F.
Фиг.6C представляет собой вид в разрезе сопла 180, которое является еще одним альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 180 включает в себя: стержневой проводник 182; газорасходную трубку 184; вихревое направляющее устройство 186 и пару внешних магнитов 188 для электронного возбуждения завихренного потока газа в газорасходной трубке 184. Каждый из внешних магнитов 188 может иметь цилиндрическую оболочку, имеющую полукруглый профиль, размещенную вокруг внешней поверхности газорасходной трубки 184.
Фиг.6D показывает вид в разрезе сопла 190, которое является еще одним альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 190 включает в себя: стержневой проводник 192; газорасходную трубку 194; вихревое направляющее устройство 196; и пару внутренних магнитов 198, прикрепленных к вихревому направляющему устройству 196 внутри газорасходной трубки 194, для электронного возбуждения спирального вихря в газорасходной трубке 194. Каждый из внутренних магнитов 198 может иметь цилиндрическую оболочку, имеющую полукруглый профиль.
Фиг.6E показывает вид в разрезе сопла 200, которое является дополнительным альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 200 включает в себя: стержневой проводник 202; газорасходную трубку 204; вихревое направляющее устройство 206; пару внешних магнитов 208 и внутренний экран 210. Каждый из внешних магнитов 208 может иметь цилиндрическую оболочку, имеющую полукруглый профиль. В альтернативном варианте осуществления внутренний экран 210 может иметь трубчатую форму.
Фиг.6F представляет собой вид в разрезе сопла 212, которое является другим альтернативным вариантом осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4C. Как показано, сопло 212 включает в себя: стержневой проводник 214; газорасходную трубку 216; вихревое направляющее устройство 218; анод 220 и катод 222. Анод 220 и катод 222, соединенные с источником электрической энергии (не показан на Фиг.6F для простоты), могут осуществлять электронное возбуждение завихренного потока газа в газорасходной трубке 216.
Как упомянуто выше, Фиг.6A-6F показывают виды в разрезе различных вариантов осуществления сопла 36, показанного на Фиг.4B. Однако специалисту в данной области техники должно быть очевидно, что варианты осуществления, показанные на Фиг.6A-6F, могут быть применены для сопел, показанных на Фиг.4C-4D и 5B-5D. Кроме того, специалист в данной области техники поймет, что описания для Фиг.4A-6F могут быть в равной степени применены к системе 70 на Фиг.3.
Возвращаясь к рассмотрению Фиг.2B, сопла 36 могут быть выполнены в пределах областей 69 высоких энергий с возможностью максимального использования энергии микроволн в пределах микроволнового резонатора 32. В целом, эксплуатационная эффективность микроволнового резонатора 32 может возрастать, если области 69 высоких энергий удерживаются исключительно вокруг сопел 36. Поскольку профиль типичного сопла является круглым или прямоугольным с коэффициентом пропорциональности, близким к единице, эксплуатационная эффективность микроволнового резонатора может быть максимальной, если области высоких энергий удерживаются в пределах прямоугольных областей в 2-мерном матричном представлении, что будет описано применительно к Фиг.7-9.
Фиг.7 является схематическим представлением системы, обозначенной ссылочной позицией 230, имеющей плазменную сопловую решетку, в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения. Компоненты системы, обозначенной ссылочной позицией 230, подобны их аналогам на Фиг.1, за тем исключением, что микроволны перемещаются перпендикулярно друг другу в микроволновом резонаторе 250. Как показано, система 230 включает в себя: источник 233 микроволн, который имеет микроволновую силовую головку 232, и разветвитель 234 мощности, имеющий два выхода; пару невращающих фазосдвигающих устройств 244a и 244b; пару вентилей 237a и 237b, включающих в себя пару циркуляторов 236a и 236b и пару искусственных нагрузок 238a и 238b; пару циркуляторов 242a и 242b; волноводы 240a и 240b; микроволновый резонатор 250; одно или более сопел 256, предпочтительно формирующих плоскую решетку; и пару подвижных короткозамыкателей 254a и 254b. Графические вставки 260a и 260b символизируют микроволны, передающиеся в микроволновый резонатор 250. Система 230 может дополнительно включать в себя: пару ответвителей 246a и 246b; пару блоков 248a и 248b настройки и пару измерителей 247a и 247b мощности, соединенных с парой ответвителей 246a и 246b соответственно. Газгольдер 34 может быть соединен с микроволновым резонатором 250 для подачи газа к соплам 256, которые связаны с микроволновым резонатором 250. В альтернативном варианте осуществления вентиль может быть размещен между микроволновой силовой головкой 232 и разветвителем 234 мощности, заменяя вентили 237a и 237b.
Фиг.8 иллюстрирует распределение областей высоких энергий в пределах микроволнового резонатора 250, рассматриваемое в направлении, перпендикулярном плоскости, определенной направлениями распространения двух интерферирующих микроволн, при этом эти две микроволны показаны в виде форм 260a и 260b волны. Как показано на Фиг.8, две микроволны, показанные в виде форм 260a и 260b волны, и две отраженные микроволны, показанные в виде форм 261a и 261b волны, генерируют области 268 высоких энергий в форме плоской решетки, причем интервалы 264a и 264b соответствуют половине длины волны микроволн 260a и 260b соответственно. По тому же принципу, который применялся к интерференционному узору, показанному на Фиг.2B, микроволны 260a и 261a и микроволны 260b и 261b генерируют две стоячих микроволны, которые приводят к областям 262a и 262b высоких энергий соответственно, имеющим форму прямоугольных полос. Затем стоячие микроволны могут дополнительно интерферировать, что приводит к образованию областей 268 высоких энергий в матричном представлении, как изображено на Фиг.8. Позициями и шириной 266a и 266b областей 258 высоких энергий можно управлять с помощью невращающих фазосдвигающих устройств 244a и 244b и/или подвижными короткозамыкателями 254a и 254b. Часть стержневого проводника каждого сопла 256 может быть расположена в пределах областей высоких энергий для улавливания энергии микроволн, как показано на Фиг.8.
В альтернативном варианте осуществления две отдельных микроволновых силовых головки могут заменять источник 233 микроволн, причем каждая микроволновая силовая головка может передавать микроволны в микроволновый резонатор 250. В таком варианте осуществления две микроволны могут иметь различные длины волны и амплитуды, и, как следствие, интервалы 264a и 264b могут отличаться друг от друга. Аналогично, ширина 266a и ширина 266b областей высоких энергий могут отличаться друг от друга.
Фиг.9 является схематическим представлением микроволнового резонатора и волноводов, вместе обозначенных ссылочной позицией 270, для генерирования областей высоких энергий в форме плоской решетки в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано, микроволновый резонатор 276 может принимать четыре микроволны 274a-274d, перемещающиеся через четыре волновода 272a-272d соответственно. Фазами микроволн можно управлять соответствующим одним из четырех невращающих фазосдвигающих устройств (не показаны на Фиг.9), связанных с волноводами 272a-272d соответственно. Эти четыре микроволны 274a-274d могут быть сгенерированы одной или более микроволновыми силовыми головками. Каждая из четырех микроволн 274a-274d может быть сгенерирована соответствующей одной из четырех микроволновых силовых головок соответственно. В альтернативном варианте осуществления две микроволновые силовые головки генерируют микроволны, причем каждая микроволна разделяется на две микроволны. В другом альтернативном варианте осуществления одна микроволновая силовая головка может быть разделена на четыре микроволны, с использованием разветвителя мощности, имеющего четыре выхода. Заметим, что эти три варианта осуществления приведены исключительно для иллюстративных целей. Таким образом, специалистам в данной области техники должно быть очевидно, что любая подходящая система с возможностью обеспечения четырех микроволн может использоваться с микроволновыми волноводами 272a-272d без отклонения от настоящего изобретения.
Различные варианты осуществления сопел на Фиг.6A-6F и стенки микроволновых резонаторов на Фиг.4B-4D, которые формируют газорасходные каналы, также могут быть применены к системам, описанным для Фиг.9. Для простоты такие варианты осуществления не показаны.
Возвращаясь к рассмотрению Фиг.8, интервалы 264a и 264b между двумя соседними соплами по направлениям оси x и оси z могут составлять половину длины волны микроволн, показанных в виде форм 260a и 260b волны соответственно. В некоторых приложениях эти интервалы в половину длины волны могут вносить отклонения в характеристики плазмы по направлениям оси х и оси z, и, как следствие, могут потребоваться меньшие интервалы. Например, Фиг.10 схематично показывает альтернативный интерференционный узор областей высоких энергий, полученных в пределах микроволнового резонатора систем, изображенных на Фиг.7 и 9. Как показано, каждая область 268' высоких энергий может содержать более чем одно сопло 256', обеспечивая меньшие интервалы между соседними соплами. При уменьшении интервалов сопловая решетка, связанная с микроволновым резонатором 250', может быть способна генерировать плазму, имеющую усиленную однородность в обоих направлениях: и по оси x, и по оси z. Как и в случае для Фиг.8, шириной 266a' каждой области 268' высоких энергий можно управлять, регулируя разность фаз между двумя микроволнами 260a' и 261a', в то время как шириной 266b' можно управлять, регулируя разность фаз между двумя микроволнами 260b' и 261b'.
Фиг.11 является схематическим представлением системы, обозначенной ссылочной позицией 310 и имеющей плазменную сопловую решетку 337, в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано, система, обозначенная ссылочной позицией 310, совершенно аналогична системе, обозначенной ссылочной позицией 10 (Фиг.1), с тем отличием, что сопла 336 в сопловой решетке 337 могут принимать газ непосредственно из газгольдера 334. Газопровод 370 от газгольдера 334 может иметь множество ответвлений 371, причем каждое ответвление может быть связано с одним из сопел 336 и сделано из обычной газовой трубы.
Фиг.12 показывает вид в поперечном разрезе, взятом перпендикулярно оси z, микроволнового резонатора 332 и сопловой решетки 337 для Фиг.11. Как показано, сопло 336 может включать в себя: газорасходную трубку 358; заземленный экран 360 для снижения потерь микроволн при прохождении через газорасходную трубку 358 и герметично соединенный со стенкой 332 резонатора, причем газорасходная трубка 358 плотно вставляется внутрь заземленного экрана 360; стержневой проводник 352, имеющий часть 354, расположенную в микроволновом резонаторе 332 для приема микроволн изнутри микроволнового резонатора 332; фиксатор 356, расположенный между стержневым проводником 352 и заземленным экраном 360 и выполненный с возможностью надежного крепления стержневого проводника 352 к заземленному экрану 360; и механизм 362 подачи газа для стыковки ответвления 371 и заземленного экрана 360. Фиксатор 356, заземленный экран 360 и стержневой проводник 352 могут быть сделаны из тех же материалов, что и вихревое направляющее устройство 146 (Фиг.4D), заземленный экран 178 (Фиг.6B) и стержневой проводник 152 (Фиг.4D) соответственно. Например, заземленный экран 360 может быть сделан из металла и предпочтительно из меди.
Как показано на Фиг.12, сопло 336 может принимать газ посредством механизма 362 подачи газа. Механизмом 362 подачи газа может быть пневматическое соединительное устройство однократного нажатия (модель №KQ2H05-32), изготовленное Компанией SMC Corporation of America, Indianapolis, IN. Один конец механизма 362 подачи газа имеет болт с резьбой, который совмещается с внутренней резьбой, нарезанной в отверстии 364 заземленного экрана 360, как показано на Фиг.13. Для специалистов в данной области техники должно быть очевидно, что настоящее изобретение может быть осуществлено на практике с другими подходящими типами механизмов подачи газа. Некоторые варианты осуществления сопел 336 и микроволнового резонатора 332, которые могут применяться для системы 310, обсуждаются в ранее упомянутой заявке согласно PCT, озаглавленной "Микроволновое плазменное сопло с улучшенными стабильностью факела и теплопроизводительностью", зарегистрированной 7 июля 2005 года.
Фиг.13 является перспективным изображением с пространственным разделением деталей сопла 336, показанного на Фиг.12. Как показано, стержневой проводник 352 и заземленный экран 360 могут контактировать с внутренним и внешним периметрами фиксатора 356 соответственно. Стержневой проводник 352 может иметь часть 354, которая выполняет функции антенны для улавливания микроволн из микроволнового резонатора 332. Уловленная микроволна может перемещаться по стержневому проводнику 352 и генерировать плазму 338, используя газ, протекающий по газорасходной трубке 358. Термин стержневой проводник охватывает проводники, имеющие различные профили, например круглый, овальный, эллиптический или продолговатый профиль или любые их комбинации.
Микроволны могут улавливаться частью 354 стержневого проводника 352, которая углубляется в микроволновый резонатор 332. Эти микроволны перемещаются вниз по стержневому проводнику к конусообразному наконечнику. Точнее говоря, микроволны принимаются поверхностью стержневого проводника 352 и перемещаются по ней. Глубина поверхностного слоя, отвечающего за проникновение микроволн и миграцию, зависит от частоты микроволн и материала проводника. Глубина проникновения микроволн может быть менее миллиметра. Таким образом, стержневой проводник 400 на Фиг.14A, имеющий полую часть 401, является альтернативным вариантом осуществления для стержневого проводника 352.
Известно, что некоторые драгоценные металлы являются хорошими проводниками микроволн. Таким образом, для уменьшения цены единицы продукции для устройства, без риска для эксплуатационных качеств стержневого проводника, наружный слой стержневого проводника может быть сделан из драгоценных металлов, которые являются хорошими проводниками микроволн, в то время как для внутреннего сердечника могут использоваться более дешевые проводящие материалы. Фиг.14B представляет собой вид в разрезе другого альтернативного варианта осуществления стержневого проводника, причем стержневой проводник 402 включает в себя наружный слой 406, сделанный из драгоценного металла, и центральный слой 404, сделанный из более дешевого проводящего материала.
Фиг.14C представляет собой вид в разрезе еще одного альтернативного варианта осуществления стержневого проводника, причем стержневой проводник 408 включает в себя заостренный конусообразный наконечник 410. Кроме того, могут использоваться другие разновидности профилей. Например, заостренный конусообразный наконечник 410 может быть разрушен плазмой быстрее, чем другая часть стержневого проводника 408, и, соответственно, может потребоваться регулярная замена.
Фиг.14D представляет собой вид в разрезе другого альтернативного варианта осуществления стержневого проводника, причем стержневой проводник 412 имеет тупой наконечник 414 вместо заостренного наконечника для увеличения его срока службы.
Фиг.14E представляет собой вид в разрезе другого альтернативного варианта осуществления стержневого проводника, причем стержневой проводник 416 имеет заостренную часть 418, крепящуюся к цилиндрической части 420 с помощью подходящего механизма 422 крепления (в данном случае заостренная часть 418 может быть завинчена в цилиндрическую часть 420, используя винтовую головку 422) для ее легкой и быстрой замены.
Фиг.14F-14I показывают виды в разрезе дополнительных альтернативных вариантов осуществления стержневого проводника. Как показано, стержневые проводники 421, 424, 428 и 434 подобны их аналогам 352 (Фиг.13), 400 (Фиг.14A), 402 (Фиг.14B) и 416 (Фиг.14E) соответственно, с тем отличием, что они имеют тупые наконечники для снижения интенсивности эрозии под воздействием плазмы. Заметим, что различные варианты осуществления стержневого проводника, изображенные на Фиг.14A-14I, могут применяться в любом варианте осуществления сопла, описанном для Фиг.1 и 3-13.
Фиг.15 показывает блок-схему 500, поясняющую иллюстративные этапы формирования микроволновой плазменной сопловой решетки в соответствии, по меньшей мере, с одним вариантом осуществления настоящего изобретения. На этапе 502 первая пара микроволн направляется в микроволновый резонатор в противоположных направлениях по первой оси. Затем, на этапе 504, вторая пара микроволн направляется в микроволновый резонатор в противоположных направлениях по второй оси, при этом первая ось перпендикулярна второй оси, так что первая и вторая пары микроволн интерферируют, что приводит к образованию областей высоких энергий, которые являются постоянными в пределах микроволнового резонатора. Затем фаза, по меньшей мере, одной микроволны, выбранной из первой и второй пары микроволн, регулируется для управления областями высоких энергий на этапе 506. Наконец, на этапе 508, сопловая решетка связывается с микроволновым резонатором, при этом один или более сопловых элементов сопловой решетки выполнены с возможностью улавливания энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
Несмотря на то что настоящее изобретение было описано со ссылкой на конкретные варианты его осуществления, нужно понимать, конечно, что вышеизложенное имеет отношение к предпочтительным вариантам осуществления изобретения и что могут быть внесены изменения без отступления от сущности и объема настоящего изобретения, которые сформулированы в нижеследующей формуле изобретения.
Вместе с тем, многие изменения могут быть внесены для приспособления к конкретным ситуации, системам, технологическому процессу, этапу или этапам технологического процесса для цели, сущности и объема настоящего изобретения. Все такие изменения подразумеваются находящимися в рамках объема прилагаемой формулы изобретения.

Claims (82)

1. Способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки, причем способ содержит этапы, на которых: направляют микроволны в микроволновый резонатор в противоположных направлениях, при которых микроволны интерферируют и формируют структуру стоячих микроволн, которая является постоянной в пределах микроволнового резонатора; регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий, генерируемых структурой стоячих микроволн; и размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
2. Способ по п.1, в котором упомянутый этап, на котором направляют микроволны, включает в себя этапы, на которых передают микроволны в микроволновый резонатор и отражают микроволны, используя подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с микроволновым резонатором.
3. Способ по п.1, в котором упомянутый этап, на котором направляют микроволны, включает в себя этап, на котором передают микроволны, сгенерированные двумя микроволновыми силовыми головками, в микроволновый резонатор.
4. Способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки, причем способ содержит этапы, на которых: направляют первую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль первой оси; направляют вторую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль второй оси, причем первая ось расположена перпендикулярно второй оси, так что первая и вторая пары микроволн интерферируют и формируют области высоких энергий, которые являются постоянными в пределах микроволнового резонатора; регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий; и размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
5. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором направляют первую пару микроволн, включает в себя этапы, на которых: передают микроволны в микроволновый резонатор и отражают микроволны, используя подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с микроволновым резонатором.
6. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором направляют первую пару микроволн, включает в себя этап, на котором передают микроволны, сгенерированные двумя микроволновыми силовыми головками, в микроволновый резонатор.
7. Способ по п.4, дополнительно содержащий этапы, на которых: генерируют микроволны с помощью микроволновой силовой головки; и обеспечивают разветвитель мощности, соединенный с микроволновой силовой головкой.
8. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн, включает в себя этап, на котором регулируют фазы первой пары микроволн.
9. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн, включает в себя этап, на котором регулируют фазы второй пары микроволн.
10. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн, включает в себя этап, на котором регулируют фазы и первой пары и второй пары микроволн.
11. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки, который содержит: микроволновый резонатор и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока, и имеющую входную часть и выходную часть и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
12. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
13. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.12, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
14. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
15. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
16. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.15, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
17. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
18. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
19. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки, и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
20. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя вход для микроволн и подвижный короткозамыкатель, выполненный с возможностью отражения микроволн, переданных через упомянутый вход для микроволн.
21. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя два входа для микроволн, расположенных на противоположных сторонах упомянутого микроволнового резонатора.
22. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя два входа для микроволн, расположенных на сторонах упомянутого микроволнового резонатора, которые перпендикулярны друг к другу и два подвижных короткозамыкателя, выполненные с возможностью отражения микроволн, принятых упомянутыми входами.
23. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя: первую пару входов для микроволн, расположенных на противоположных сторонах упомянутого микроволнового резонатора по направлению первой оси; вторую пару входов для микроволн, расположенных на противоположных сторонах упомянутого микроволнового резонатора по направлению второй оси, причем вторая ось по существу является перпендикулярной первой оси.
24. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в котором упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
25. Микроволновая плазменная система, которая содержит: источник микроволн; пару вентилей, функционально соединенных с упомянутым источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий пару входов; пару волноводов, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей и с соответствующим одним из упомянутых входов упомянутого микроволнового резонатора; и пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с соответствующим одним из упомянутых вентилей; и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока, и имеющую входную часть и выходную часть; и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
26. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
27. Микроволновая плазменная система по п.26, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
28. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
29. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
30. Микроволновая плазменная система по п.29, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
31. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
32. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
33. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки, и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
34. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в которой упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
35. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждый из упомянутых вентилей включает в себя: циркулятор, функционально соединенный, по меньшей мере, с одним из упомянутых волноводов; и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
36. Микроволновая плазменная система по п.25, которая дополнительно содержит пару блоков настройки, причем каждый из упомянутых блоков настройки функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и упомянутым микроволновым резонатором.
37. Микроволновая плазменная система по п.25, которая дополнительно содержит пару циркуляторов, причем каждый из упомянутых циркуляторов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн к соответствующему одному из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств.
38. Микроволновая плазменная система по п.25, которая дополнительно содержит пару ответвителей, причем каждый из упомянутых ответвителей функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
39. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя пару микроволновых силовых головок, причем каждая из упомянутых микроволновых силовых головок функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей.
40. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя: микроволновую силовую головку для генерирования микроволн; и разветвитель мощности для приема, разветвления и направления микроволн к упомянутым вентилям.
41. Микроволновая плазменная система, которая содержит: источник микроволн; вентиль, функционально соединенный с упомянутым источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий вход; волновод, функционально соединенный с упомянутым вентилем и с упомянутым входом упомянутого микроволнового резонатора; невращающее фазосдвигающее устройство, функционально соединенное с упомянутым волноводом и с упомянутым вентилем; циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом и выполненный с возможностью направления микроволн к упомянутому невращающему фазосдвигающему устройству; подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с упомянутым микроволновым резонатором; и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
42. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
43. Микроволновая плазменная система по п.42, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
44. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
45. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
46. Микроволновая плазменная система по п.45, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
47. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
48. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
49. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
50. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в которой упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
51. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой упомянутый вентиль включает в себя циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
52. Микроволновая плазменная система по п.41, которая дополнительно содержит блок настройки, функционально соединенный с упомянутым волноводом и с упомянутым микроволновым резонатором.
53. Микроволновая плазменная система по п.41, которая дополнительно содержит ответвитель, функционально соединенный с упомянутым волноводом и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
54. Микроволновая плазменная система, которая содержит: источник микроволн; пару вентилей, функционально соединенных с упомянутым источником микроволн; микроволновый резонатор, имеющий пару входов; пару волноводов, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей и с соответствующим одним из упомянутых входов упомянутого микроволнового резонатора; и пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с соответствующим одним из упомянутых вентилей; пару подвижных короткозамыкателей, причем каждый из упомянутых подвижных короткозамыкателей функционально соединяется с упомянутым микроволновым резонатором; и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
55. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
56. Микроволновая плазменная система по п.55, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
57. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
58. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
59. Микроволновая плазменная система по п.58, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
60. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
61. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
62. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки, и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
63. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в котором упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
64. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждый из упомянутых вентилей включает в себя циркулятор, функционально соединенный, по меньшей мере, с одним из упомянутых волноводов; и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
65. Микроволновая плазменная система по п.54, которая дополнительно содержит пару блоков настройки, причем каждый из упомянутых блоков настройки функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и упомянутым микроволновым резонатором.
66. Микроволновая плазменная система по п.54, которая дополнительно содержит пару ответвителей, причем каждый из упомянутых ответвителей функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
67. Микроволновая плазменная система по п.54, которая дополнительно содержит пару циркуляторов, причем каждый из упомянутых циркуляторов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн к соответствующему одному из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств.
68. Микроволновая плазменная система, которая содержит: источник микроволн; микроволновый резонатор, имеющий четыре входа; четыре волновода, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых входов упомянутого микроволнового резонатора и с упомянутым источником микроволн; четыре невращающих фазосдвигающих устройства, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с упомянутым источником микроволн; четыре циркулятора, причем каждый из упомянутых циркуляторов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн, генерируемых упомянутым источником микроволн, по меньшей мере, к одному из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств; и решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя: газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
69. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя: вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
70. Микроволновая плазменная система по п.69, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
71. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
72. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
73. Микроволновая плазменная система по п.72, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
74. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
75. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
76. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки, и катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
77. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в котором упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
78. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя четыре микроволновые силовые головки и четыре вентиля, причем каждый из упомянутых вентилей функционально соединяется с соответствующей одной из упомянутых микроволновых силовых головок и, по меньшей мере, с одним из упомянутых волноводов, при этом каждый из упомянутых вентилей включает в себя циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом, и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
79. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя: две микроволновых силовых головки; два вентиля, причем каждый из упомянутых вентилей соединяется с соответствующей одной из упомянутых микроволновых силовых головок, при этом каждый из упомянутых вентилей включает в себя: циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом; и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором; и два разветвителя мощности, причем каждый из упомянутых разветвителей мощности функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей, при этом каждый из упомянутых разветвителей мощности выполнен с возможностью приема, разветвления и направления микроволн в соответствующие два из упомянутых волновода.
80. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя: микроволновую силовую головку; вентиль, функционально соединенный с упомянутой микроволновой силовой головкой, причем упомянутый вентиль включает в себя: циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом; и искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором; и разветвитель мощности, соединенный с упомянутым вентилем, причем упомянутый разветвитель мощности выполнен с возможностью приема, разветвления и направления микроволн в соответствующий один из упомянутых волноводов.
81. Микроволновая плазменная система по п.68, которая дополнительно содержит четыре блока настройки, причем каждый из упомянутых блоков настройки функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с упомянутым микроволновым резонатором.
82. Микроволновая плазменная система по п.68, которая дополнительно содержит четыре ответвителя, причем каждый из упомянутых ответвителей функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
RU2007107371/28A 2004-07-30 2005-07-21 Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы RU2342734C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/902,435 US7806077B2 (en) 2004-07-30 2004-07-30 Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation
US10/902,435 2004-07-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007107371A RU2007107371A (ru) 2008-09-10
RU2342734C2 true RU2342734C2 (ru) 2008-12-27

Family

ID=35197707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007107371/28A RU2342734C2 (ru) 2004-07-30 2005-07-21 Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы

Country Status (10)

Country Link
US (2) US7806077B2 (ru)
EP (1) EP1790201B1 (ru)
JP (1) JP4896880B2 (ru)
KR (1) KR100871475B1 (ru)
CN (1) CN101066000B (ru)
AU (1) AU2005269581B2 (ru)
CA (1) CA2574114A1 (ru)
DE (1) DE602005026300D1 (ru)
RU (1) RU2342734C2 (ru)
WO (1) WO2006014862A2 (ru)

Families Citing this family (171)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7164095B2 (en) * 2004-07-07 2007-01-16 Noritsu Koki Co., Ltd. Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
US7271363B2 (en) * 2004-09-01 2007-09-18 Noritsu Koki Co., Ltd. Portable microwave plasma systems including a supply line for gas and microwaves
US20060052883A1 (en) * 2004-09-08 2006-03-09 Lee Sang H System and method for optimizing data acquisition of plasma using a feedback control module
KR101022507B1 (ko) * 2006-01-30 2011-03-16 사이안 가부시키가이샤 소재 처리시스템 및 플라즈마 발생장치
JP2007220479A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Noritsu Koki Co Ltd ワーク処理装置及びプラズマ発生装置
JP2007220480A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置及びワーク処理装置
JP2007220499A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP4837394B2 (ja) * 2006-02-17 2011-12-14 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP4680091B2 (ja) * 2006-02-23 2011-05-11 株式会社サイアン プラズマ発生装置及びワーク処理装置
JP4647566B2 (ja) * 2006-08-30 2011-03-09 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
TW200742506A (en) * 2006-02-17 2007-11-01 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generation apparatus and work process apparatus
JP4699235B2 (ja) * 2006-02-20 2011-06-08 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2007220589A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置
JP2007227069A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生方法および装置ならびにそれを用いるワーク処理装置
JP2007227071A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2007227201A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置及びワーク処理装置
JP4619966B2 (ja) * 2006-02-27 2011-01-26 株式会社サイアン ワーク処理装置
JP4525929B2 (ja) * 2006-02-28 2010-08-18 ノーリツ鋼機株式会社 ワーク処理装置
JP4724572B2 (ja) * 2006-02-28 2011-07-13 株式会社サイアン ワーク処理装置
JP4680095B2 (ja) * 2006-02-28 2011-05-11 株式会社サイアン ワーク処理装置及びプラズマ発生装置
JP4619967B2 (ja) * 2006-02-28 2011-01-26 株式会社サイアン ワーク処理装置
JP4619973B2 (ja) * 2006-03-29 2011-01-26 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP4724625B2 (ja) * 2006-08-30 2011-07-13 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
TW200816881A (en) * 2006-08-30 2008-04-01 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generation apparatus and workpiece processing apparatus using the same
JP4620015B2 (ja) * 2006-08-30 2011-01-26 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2008066059A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2008066058A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置
JP2008066159A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2008071500A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
TW200830945A (en) * 2006-09-13 2008-07-16 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generator and work processing apparatus provided with the same
JP4629068B2 (ja) * 2007-05-25 2011-02-09 株式会社サイアン ワーク処理装置
JP4719184B2 (ja) * 2007-06-01 2011-07-06 株式会社サイアン 大気圧プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
KR20080111801A (ko) * 2007-06-20 2008-12-24 삼성전자주식회사 플라즈마 공정장치 및 그 방법
GB0718721D0 (en) 2007-09-25 2007-11-07 Medical Device Innovations Ltd Surgical resection apparatus
ES2688300T3 (es) * 2007-11-06 2018-10-31 Creo Medical Limited Aplicador para esterilización por plasma mediante microondas
GB2454461B (en) * 2007-11-06 2012-11-14 Creo Medical Ltd A system to treat and/or kill bacteria and viral infections using microwave atmospheric plasma
WO2009060214A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-14 Microoncology Limited Hydroxyl radical producing plasma sterilisation apparatus
GB2464501A (en) * 2008-10-17 2010-04-21 Microoncology Ltd Plasma Applicators for Sterilisation
GB2459461B (en) * 2008-04-23 2012-08-01 Creo Medical Ltd A non-thermal microwave plasma sterilisation system using automatic tuning contained within the hand-piece of the applicator
JP2011514441A (ja) * 2008-01-30 2011-05-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 表面波開始プラズマ放電源の予備イオン化のためのシステム及び方法
US20100074810A1 (en) * 2008-09-23 2010-03-25 Sang Hun Lee Plasma generating system having tunable plasma nozzle
US7921804B2 (en) * 2008-12-08 2011-04-12 Amarante Technologies, Inc. Plasma generating nozzle having impedance control mechanism
US20100201272A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Sang Hun Lee Plasma generating system having nozzle with electrical biasing
US20100254853A1 (en) * 2009-04-06 2010-10-07 Sang Hun Lee Method of sterilization using plasma generated sterilant gas
WO2010129277A2 (en) 2009-04-28 2010-11-11 Trustees Of Tufts College Microplasma generator and methods therefor
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
JP2012089334A (ja) * 2010-10-19 2012-05-10 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US20120326803A1 (en) * 2011-06-24 2012-12-27 Amarante Technologies, Inc. Microwave resonant cavity
WO2013016497A2 (en) 2011-07-28 2013-01-31 Trustees Of Tufts College Microplasma generating array
WO2013119313A2 (en) * 2011-12-09 2013-08-15 Trustees Of Tufts College Microplasma generator with array of tapered microstrips
JP6255590B2 (ja) * 2011-12-28 2018-01-10 イマジニアリング株式会社 プラズマガス生成装置
US9067273B1 (en) * 2012-05-17 2015-06-30 Clemson University High density atmospheric plasma jet devices by jet-to-jet interaction
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
ES2489292B1 (es) * 2013-02-18 2015-03-06 Tridogen S L Procedimiento de suministro de energía a un material y dispositivo correspondiente
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
JP5725574B2 (ja) * 2013-03-05 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導波装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI568317B (zh) * 2013-03-15 2017-01-21 東京威力科創股份有限公司 微波共振器處理系統中之電漿調整桿
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
CN104726850B (zh) * 2013-12-23 2017-08-25 朱雨 一种微波等离子体化学气相沉积设备
US9627167B2 (en) 2014-02-25 2017-04-18 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for generating plasma
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10987735B2 (en) 2015-12-16 2021-04-27 6K Inc. Spheroidal titanium metallic powders with custom microstructures
EP4324577A1 (en) 2015-12-16 2024-02-21 6K Inc. Method of producing spheroidal dehydrogenated titanium alloy particles
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
CN106061090B (zh) * 2016-05-31 2019-03-12 吉林大学 一种二次耦合微波等离子体重整装置
CN105979693A (zh) * 2016-06-12 2016-09-28 浙江大学 一种大功率微波等离子体发生装置
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
CA3104080A1 (en) 2018-06-19 2019-12-26 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
SG11202111576QA (en) 2019-04-30 2021-11-29 6K Inc Mechanically alloyed powder feedstock
US11611130B2 (en) 2019-04-30 2023-03-21 6K Inc. Lithium lanthanum zirconium oxide (LLZO) powder
KR102137913B1 (ko) * 2019-10-29 2020-07-24 주식회사 기가레인 플라즈마 안테나 모듈
JP2023512391A (ja) 2019-11-18 2023-03-27 シックスケー インコーポレイテッド 球形粉体用の特異な供給原料及び製造方法
US11590568B2 (en) 2019-12-19 2023-02-28 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
EP4173060A1 (en) 2020-06-25 2023-05-03 6K Inc. Microcomposite alloy structure
AU2021349358A1 (en) 2020-09-24 2023-02-09 6K Inc. Systems, devices, and methods for starting plasma
US11919071B2 (en) 2020-10-30 2024-03-05 6K Inc. Systems and methods for synthesis of spheroidized metal powders
CN112996209B (zh) * 2021-05-07 2021-08-10 四川大学 一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构

Family Cites Families (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB792085A (en) * 1954-09-27 1958-03-19 Alca France Ets Improvements in or relating to devices for packing and unpacking bottles to and frombottle-racks and the like
US3353060A (en) * 1964-11-28 1967-11-14 Hitachi Ltd High-frequency discharge plasma generator with an auxiliary electrode
US3417287A (en) * 1965-10-08 1968-12-17 Hitachi Ltd Low power high frequency discharge plasma generator
US4185213A (en) * 1977-08-31 1980-01-22 Reynolds Metals Company Gaseous electrode for MHD generator
US4207286A (en) 1978-03-16 1980-06-10 Biophysics Research & Consulting Corporation Seeded gas plasma sterilization method
US4378806A (en) * 1980-08-12 1983-04-05 Henley Cohn Julian L Gapped resonant microwave apparatus for producing hyperthermia therapy of tumors
JPH0660412B2 (ja) 1986-08-21 1994-08-10 東京瓦斯株式会社 薄膜形成法
US4976920A (en) 1987-07-14 1990-12-11 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
JPH01161600A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Oki Electric Ind Co Ltd 車両運転支援装置
JPH0633679Y2 (ja) * 1988-05-02 1994-08-31 株式会社三社電機製作所 インダクションプラズマ用トーチ
JPH01299777A (ja) * 1988-05-24 1989-12-04 Komatsu Ltd プラズマトーチの構造
JPH0748480B2 (ja) 1988-08-15 1995-05-24 新技術事業団 大気圧プラズマ反応方法
US5083004A (en) * 1989-05-09 1992-01-21 Varian Associates, Inc. Spectroscopic plasma torch for microwave induced plasmas
JPH0691634B2 (ja) 1989-08-10 1994-11-14 三洋電機株式会社 固体撮像素子の駆動方法
JPH03111577A (ja) * 1989-09-26 1991-05-13 Idemitsu Petrochem Co Ltd マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法
US5170098A (en) 1989-10-18 1992-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus for use in carrying out the same
JPH0470136A (ja) * 1990-07-11 1992-03-05 Fujitsu Ltd シグナリング伝送制御方式
US5084239A (en) 1990-08-31 1992-01-28 Abtox, Inc. Plasma sterilizing process with pulsed antimicrobial agent treatment
US5111111A (en) * 1990-09-27 1992-05-05 Consortium For Surface Processing, Inc. Method and apparatus for coupling a microwave source in an electron cyclotron resonance system
JPH05275191A (ja) 1992-03-24 1993-10-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 大気圧放電方法
JPH084103Y2 (ja) * 1990-10-24 1996-02-07 新日本無線株式会社 マイクロ波プラズマ装置
DE4037091C2 (de) * 1990-11-22 1996-06-20 Leybold Ag Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes
JP3021117B2 (ja) 1991-09-20 2000-03-15 三菱重工業株式会社 電子サイクロトロン共鳴プラズマcdv装置
US5230740A (en) * 1991-12-17 1993-07-27 Crystallume Apparatus for controlling plasma size and position in plasma-activated chemical vapor deposition processes comprising rotating dielectric
JP3129814B2 (ja) * 1992-01-17 2001-01-31 新日本無線株式会社 マイクロ波プラズマ装置
JP3158715B2 (ja) * 1992-03-30 2001-04-23 株式会社ダイヘン プラズマ処理装置
JPH065384A (ja) 1992-06-17 1994-01-14 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ発生トーチ管
EP0578047B1 (en) * 1992-06-23 1998-05-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Plasma processing apparatus
DE4242633C2 (de) 1992-12-17 1996-11-14 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Durchführung von stabilen Niederdruck-Glimmprozessen
JP3149002B2 (ja) * 1992-12-18 2001-03-26 和夫 杉山 同軸形のマイクロ波プラズマ発生器
JP2540276B2 (ja) 1993-03-12 1996-10-02 株式会社山東鉄工所 容器内部の殺菌装置
US5938854A (en) 1993-05-28 1999-08-17 The University Of Tennessee Research Corporation Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure
JPH0740056A (ja) 1993-07-28 1995-02-10 Komatsu Ltd プラズマトーチ
JPH07153593A (ja) 1993-12-01 1995-06-16 Daido Steel Co Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
US5565118A (en) * 1994-04-04 1996-10-15 Asquith; Joseph G. Self starting plasma plume igniter for aircraft jet engine
EP0702393A3 (en) * 1994-09-16 1997-03-26 Daihen Corp Plasma processing apparatus for introducing a micrometric wave from a rectangular waveguide, through an elongated sheet into the plasma chamber
US5503676A (en) 1994-09-19 1996-04-02 Lam Research Corporation Apparatus and method for magnetron in-situ cleaning of plasma reaction chamber
EP0727504A3 (en) 1995-02-14 1996-10-23 Gen Electric Plasma coating process for improved adhesive properties of coatings on objects
US5573682A (en) 1995-04-20 1996-11-12 Plasma Processes Plasma spray nozzle with low overspray and collimated flow
US5741460A (en) 1995-06-07 1998-04-21 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US5793013A (en) * 1995-06-07 1998-08-11 Physical Sciences, Inc. Microwave-driven plasma spraying apparatus and method for spraying
US5750072A (en) 1995-08-14 1998-05-12 Sangster; Bruce Sterilization by magnetic field stimulation of a mist or vapor
US5825485A (en) 1995-11-03 1998-10-20 Cohn; Daniel R. Compact trace element sensor which utilizes microwave generated plasma and which is portable by an individual
US5977715A (en) 1995-12-14 1999-11-02 The Boeing Company Handheld atmospheric pressure glow discharge plasma source
US6017825A (en) 1996-03-29 2000-01-25 Lam Research Corporation Etch rate loading improvement
US6030579A (en) 1996-04-04 2000-02-29 Johnson & Johnson Medical, Inc. Method of sterilization using pretreatment with hydrogen peroxide
US5928527A (en) 1996-04-15 1999-07-27 The Boeing Company Surface modification using an atmospheric pressure glow discharge plasma source
US6309979B1 (en) 1996-12-18 2001-10-30 Lam Research Corporation Methods for reducing plasma-induced charging damage
US5869401A (en) 1996-12-20 1999-02-09 Lam Research Corporation Plasma-enhanced flash process
GB9703159D0 (en) 1997-02-15 1997-04-02 Helica Instr Limited Medical apparatus
US5980768A (en) 1997-03-07 1999-11-09 Lam Research Corp. Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor
US6209551B1 (en) 1997-06-11 2001-04-03 Lam Research Corporation Methods and compositions for post-etch layer stack treatment in semiconductor fabrication
JP3175640B2 (ja) 1997-06-17 2001-06-11 横河電機株式会社 マイクロ波誘導プラズマ点火装置
US6221792B1 (en) 1997-06-24 2001-04-24 Lam Research Corporation Metal and metal silicide nitridization in a high density, low pressure plasma reactor
US6200651B1 (en) 1997-06-30 2001-03-13 Lam Research Corporation Method of chemical vapor deposition in a vacuum plasma processor responsive to a pulsed microwave source
JPH1121496A (ja) 1997-06-30 1999-01-26 Nippon Shokubai Co Ltd 保護被膜形成材および基材の一時的保護処理方法
US6080270A (en) 1997-07-14 2000-06-27 Lam Research Corporation Compact microwave downstream plasma system
US6165910A (en) 1997-12-29 2000-12-26 Lam Research Corporation Self-aligned contacts for semiconductor device
US6016766A (en) 1997-12-29 2000-01-25 Lam Research Corporation Microwave plasma processor
JPH11224795A (ja) 1998-02-10 1999-08-17 Shin Seiki:Kk プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ利用表面処理方法、並びにプラズマ利用ガス処理方法
US6027616A (en) 1998-05-01 2000-02-22 Mse Technology Applications, Inc. Extraction of contaminants from a gas
CZ147698A3 (cs) * 1998-05-12 2000-03-15 Přírodovědecká Fakulta Masarykovy Univerzity Způsob vytváření fyzikálně a chemicky aktivního prostředí plazmovou tryskou a plazmová tryska
US6727148B1 (en) 1998-06-30 2004-04-27 Lam Research Corporation ULSI MOS with high dielectric constant gate insulator
US6235640B1 (en) 1998-09-01 2001-05-22 Lam Research Corporation Techniques for forming contact holes through to a silicon layer of a substrate
JP2000192244A (ja) * 1998-10-16 2000-07-11 Canon Inc 堆積膜の形成装置及び形成方法
JP2000133494A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマ発生装置及び方法
JP2000150484A (ja) 1998-11-11 2000-05-30 Chemitoronics Co Ltd プラズマエッチング装置およびエッチングの方法
JP2000260596A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Hitachi Ltd プラズマ装置
KR19990068381A (ko) * 1999-05-11 1999-09-06 허방욱 마이크로웨이브플라즈마버너
US6228330B1 (en) 1999-06-08 2001-05-08 The Regents Of The University Of California Atmospheric-pressure plasma decontamination/sterilization chamber
JP2000353689A (ja) 1999-06-10 2000-12-19 Nec Yamagata Ltd ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
US6573731B1 (en) 1999-07-20 2003-06-03 Tokyo Electron Limited Electron density measurement and control system using plasma-induced changes in the frequency of a microwave oscillator
KR100792303B1 (ko) 1999-07-20 2008-01-07 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마를 수용하는 개방형 공진기에 고정된 마이크로파발진기를 사용하는 전자밀도측정과 플라즈마 공정제어시스템
TW463531B (en) 1999-07-20 2001-11-11 Tokyo Electron Ltd Electron density measurement and plasma process control system using plasma induced changes in the frequency of a microwave oscillator
JP2001054556A (ja) 1999-08-18 2001-02-27 Shikoku Kakoki Co Ltd 大気圧低温プラズマ殺菌方法
FR2798552B1 (fr) * 1999-09-13 2001-11-30 Centre Nat Rech Scient Dispositif assurant une division de puissance micro-onde predeterminee sur une pluralite de charges, notamment pour la production de plasma
US6410451B2 (en) 1999-09-27 2002-06-25 Lam Research Corporation Techniques for improving etching in a plasma processing chamber
US6652709B1 (en) * 1999-11-02 2003-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus having circular waveguide, and plasma processing method
DE29921694U1 (de) 1999-12-09 2001-04-19 Agrodyn Hochspannungstechnik G Plasmadüse
US6363882B1 (en) 1999-12-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Lower electrode design for higher uniformity
JP2001281284A (ja) 2000-03-30 2001-10-10 Makoto Hirano 複素誘電率の非破壊測定装置
WO2001093315A2 (en) * 2000-05-25 2001-12-06 Jewett Russell F Methods and apparatus for plasma processing
US6337277B1 (en) 2000-06-28 2002-01-08 Lam Research Corporation Clean chemistry low-k organic polymer etch
JP2002100499A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
US6441554B1 (en) 2000-11-28 2002-08-27 Se Plasma Inc. Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure
US6620394B2 (en) * 2001-06-15 2003-09-16 Han Sup Uhm Emission control for perfluorocompound gases by microwave plasma torch
JP2003135571A (ja) 2001-11-07 2003-05-13 Toshiba Corp プラズマ殺菌装置
DE10164120A1 (de) 2001-12-24 2003-07-03 Pierre Flecher Mikrowellen-Plasmasterilisation von PET-Flaschen
JP2003210556A (ja) 2002-01-18 2003-07-29 Toshiba Corp 管用プラズマ滅菌装置
JP4020679B2 (ja) * 2002-04-09 2007-12-12 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP2003318689A (ja) * 2002-04-23 2003-11-07 Kanazawa Inst Of Technology 整合回路および反射波検出回路
JP3691812B2 (ja) 2002-07-12 2005-09-07 株式会社エー・イー・ティー・ジャパン 共振器を用いて複素誘電率を測定する方法および前記方法を実施する装置
US6792742B2 (en) 2002-09-09 2004-09-21 Phoenix Closures, Inc. Method for storing and/or transporting items
JP4103565B2 (ja) * 2002-11-29 2008-06-18 松下電工株式会社 表面処理装置及び表面処理方法
US20040173316A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Carr Jeffrey W. Apparatus and method using a microwave source for reactive atom plasma processing
WO2005023013A2 (en) * 2003-09-08 2005-03-17 Washington State University Research Foundation Apparatus and method for heating objects with microwaves
US7164095B2 (en) * 2004-07-07 2007-01-16 Noritsu Koki Co., Ltd. Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
KR101022507B1 (ko) * 2006-01-30 2011-03-16 사이안 가부시키가이샤 소재 처리시스템 및 플라즈마 발생장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN101066000B (zh) 2010-12-08
DE602005026300D1 (de) 2011-03-24
CN101066000A (zh) 2007-10-31
EP1790201A2 (en) 2007-05-30
CA2574114A1 (en) 2006-02-09
US20060021581A1 (en) 2006-02-02
JP2008508683A (ja) 2008-03-21
EP1790201B1 (en) 2011-02-09
AU2005269581B2 (en) 2009-07-16
US7806077B2 (en) 2010-10-05
US20080073202A1 (en) 2008-03-27
WO2006014862A2 (en) 2006-02-09
KR20070027750A (ko) 2007-03-09
JP4896880B2 (ja) 2012-03-14
WO2006014862A3 (en) 2007-01-18
RU2007107371A (ru) 2008-09-10
AU2005269581A1 (en) 2006-02-09
KR100871475B1 (ko) 2008-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2342734C2 (ru) Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы
US7164095B2 (en) Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
Tantawi et al. Experimental demonstration of a tunable microwave undulator
US9237639B2 (en) Microwave resonant cavity
US9380695B2 (en) Traveling wave linear accelerator with RF power flow outside of accelerating cavities
US20060021980A1 (en) System and method for controlling a power distribution within a microwave cavity
US20080093358A1 (en) Portable Microwave Plasma Discharge Unit
US20060042547A1 (en) Portable microwave plasma discharge unit
WO2007013875A2 (en) A portable microwave plasma discharge unit
CN106058618A (zh) 一种多模式同时相干激发的太赫兹辐射源
Rajpurohit et al. Design optimization of two input multimode applicator for efficient microwave heating
RO131921B1 (ro) Dispozitiv de încălzire cu microunde
Torrisi et al. Non-conventional microwave coupling of RF power in ECRIS plasmas
Wang et al. Positron Injector Accelerator and RF System for the ILC
Kutsaev et al. A New Thermionic RF Electron Gun for Synchrotron Light Sources
Elfrgani Relativistic backward wave oscillator with a Gaussian radiation pattern and related technologies
Ravera et al. Thin CVD-diamond RF Pill-Box vacuum windows for LHCD systems
Magarotto et al. Study on the Influence of the Magnetic Field Topology on the Power Deposition in a Helicon Plasma Source
RU2295848C2 (ru) Способ дезинсекции и дезинфекции материалов зернового происхождения и устройство для его осуществления
Rimjaem et al. Femtosecond electron pulses production system
Kusoljariyakul Femtosecond Electron Pulses Production System S. Rimjaem, V. Jinamoon, N. Kangrang, K. Kusoljariyakul, J. Saisut, C. Thongbai, T. Vilaithong, MW Rhodes 2, P. Wichaisirimongkol 2 and S. Chumphongphan 3
Mizumoto High intensity proton linear accelerator for Neutron Science Project

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20101125

TK4A Correction to the publication in the bulletin (patent)

Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -PC4A- IN JOURNAL: 1-2011 FOR TAG: (73)

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120722