JP2007220480A - プラズマ発生装置及びワーク処理装置 - Google Patents
プラズマ発生装置及びワーク処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007220480A JP2007220480A JP2006039677A JP2006039677A JP2007220480A JP 2007220480 A JP2007220480 A JP 2007220480A JP 2006039677 A JP2006039677 A JP 2006039677A JP 2006039677 A JP2006039677 A JP 2006039677A JP 2007220480 A JP2007220480 A JP 2007220480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- microwave
- nozzle
- conductor
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【課題】プラズマの照射範囲を拡大しながら、プラズマ発生ノズルにおいてプラズマが発生しにくくなるのを抑制できるようにする。
【解決手段】プラズマ発生ユニットPUは、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置20と、マイクロ波を受信しそのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化されたガスを生成して放出するプラズマ発生ノズル31とを備えている。そして、プラズマ発生ノズル31は、マイクロ波を受信する内部導電体32と、この内部導電体32の周囲に離間して配置されたノズル本体33とを含み、内部導電体32で受信したマイクロ波のエネルギーを利用して内部導電体32とノズル本体33との間に供給される所定のガスをプラズマ化して放出するものであって、内部導電体32は、所定の間隙を隔てて設けられた複数の導電体32aからなる。
【選択図】図4
【解決手段】プラズマ発生ユニットPUは、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置20と、マイクロ波を受信しそのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化されたガスを生成して放出するプラズマ発生ノズル31とを備えている。そして、プラズマ発生ノズル31は、マイクロ波を受信する内部導電体32と、この内部導電体32の周囲に離間して配置されたノズル本体33とを含み、内部導電体32で受信したマイクロ波のエネルギーを利用して内部導電体32とノズル本体33との間に供給される所定のガスをプラズマ化して放出するものであって、内部導電体32は、所定の間隙を隔てて設けられた複数の導電体32aからなる。
【選択図】図4
Description
本発明は、プラズマを生成するプラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を用い基板等の被処理ワークに対してプラズマを照射してワーク表面の清浄化や改質を図ることが可能なワーク処理装置に関するものである。
従来、所定のガスをプラズマ化して放出するプラズマ発生装置が知られており、例えば、特許文献1にそのようなプラズマ発生装置の一例が開示されている。この特許文献1に開示されたプラズマ発生装置では、単一の内側電極とその周囲を所定の間隔を置いて取り囲む環状の外側電極とを含むプラズマ発生ノズルを用い、常圧下において内側電極と外側電極との間に電界を印加することでその両電極間に供給されるガスをグロー放電によりプラズマ化して放出するようになっている。
特開2003−197397号公報
上記特許文献1に開示された従来のプラズマ発生装置では、プラズマ発生ノズルからのプラズマの照射範囲は外側電極の内径によってある程度制限されるため、そのプラズマの照射範囲を拡大させる場合には、外側電極を径方向外側に拡大する必要がある。しかしながら、この場合には、内側電極と外側電極との離間距離が大きくなるため、内側電極及び外側電極の近傍に電界集中部が形成されにくくなり、その結果、プラズマ発生ノズルにおいてプラズマが発生しにくくなるという問題点がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、プラズマの照射範囲を拡大しながら、プラズマ発生ノズルにおいてプラズマが発生しにくくなるのを抑制することが可能なプラズマ発生装置及びワーク処理装置を提供することを目的とする。
本発明の請求項1に係るプラズマ発生装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、マイクロ波を受信しそのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化されたガスを生成して放出するプラズマ発生ノズルとを備えている。そして、プラズマ発生ノズルは、マイクロ波を受信する内部導電体と、この内部導電体の周囲に離間して配置された外部導電体とを含み、内部導電体で受信したマイクロ波のエネルギーを利用して内部導電体と外部導電体との間に供給される所定のガスをプラズマ化して放出するものであって、内部導電体は、所定の間隙を隔てて設けられた複数の導電体からなる。
この構成によれば、プラズマ発生ノズルの内部導電体が所定の間隙を隔てて設けられた複数の導電体からなるので、それらの導電体を外部導電体の内側においてある程度の広がりを持った領域に配置することができ、外部導電体を径方向外側に拡大した際に、内部導電体が単一の導電体のみからなる場合に比べて各導電体と外部導電体との離間距離を比較的小さい距離に設定することができる。これにより、内部導電体と外部導電体との離間距離が大きくなることに起因する電界集中部の形成され難さを抑制することができるので、外部導電体を径方向外側に拡大してプラズマの照射範囲を拡大しながら、プラズマ発生ノズルにおいてプラズマが発生しにくくなるのを抑制することができる。
上記構成において、複数の導電体は、それぞれ外部導電体から略等しい距離だけ離間して配置されていることが望ましい(請求項2)。この構成によれば、各導電体と外部導電体との間の領域における電界強度を等しくすることができるので、各導電体の周囲に均等にプラズマを発生させることができる。これにより、プラズマ発生ノズルから照射されるプラズマの濃度分布の偏りを低減することができる。
上記いずれかの構成において、マイクロ波を伝搬する導波管をさらに備え、複数の導電体は、それぞれ導波管の内部に一端が突出するように設けられ、マイクロ波の伝搬方向の下手側に位置する導電体の導波管内への突出量は、マイクロ波の伝搬方向の上手側に位置する導電体の導波管内への突出量に比べて大きくなるように構成されていることが望ましい(請求項3)。この構成によれば、マイクロ波の伝搬方向の下手側の導電体を上手側の導電体よりも突出させることができるので、上手側の導電体の突出方向上方の領域を介して下手側の導電体にマイクロ波を有効に受信させることができる。これにより、マイクロ波の受信が伝搬方向の上手側の導電体に集中するのを抑制することができるので、各導電体によるマイクロ波の受信量の均一性を向上させることができる。
上記いずれかの構成において、プラズマ発生ノズルは、プラズマ発生ノズルは、所定間隔で複数設けられていてもよい(請求項4)。この構成によれば、複数のプラズマ発生ノズルからプラズマを照射することにより大面積のワークに対してプラズマ照射を行うことができる。また、このように複数のプラズマ発生ノズルが所定間隔で設けられている場合には、各プラズマ発生ノズル間においてプラズマの照射されない領域が生じやすいため、上記構成によるプラズマ発生ノズルを用いることにより、各プラズマ発生ノズルからのプラズマの照射範囲を拡大して上記のようなプラズマの照射されない領域が生じるのを有効に防止することができる。これにより、複数のプラズマ発生ノズルからプラズマを大面積のワークに照射して処理する際、そのワークに処理漏れの領域が発生するのを抑制することができる。
本発明の請求項5に係るワーク処理装置は、上記いずれかの構成を有するプラズマ発生装置を備えたものであって、プラズマ発生装置により生成されるプラズマをプラズマ発生ノズルから処理対象とされるワークに照射して所定の処理を施与する。この構成によれば、プラズマの照射範囲を拡大しながら、プラズマ発生ノズルにおいてプラズマが発生しにくくなるのを抑制することが可能なワーク処理装置を得ることができる。そして、このワーク処理装置では、プラズマの照射範囲を拡大することができることにより、プラズマによるワークに対する処理範囲を拡大することができる。
以上説明したように、本発明によるプラズマ発生装置及びワーク処理装置では、プラズマの照射範囲を拡大しながら、プラズマ発生ノズルにおいてプラズマが発生しにくくなるのを抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明に係るワーク処理装置Sの全体構成を示す斜視図である。このワーク処理装置Sは、プラズマを発生し被処理物となるワークWに前記プラズマを照射するプラズマ発生ユニットPU(プラズマ発生装置)と、ワークWを前記プラズマの照射領域を経由する所定のルートで搬送する搬送手段Cとから構成されている。図2は、図1とは視線方向を異ならせたプラズマ発生ユニットPUの斜視図、図3はワーク処理装置Sの一部透視側面図である。なお、図1〜図3において、X−X方向を前後方向、Y−Y方向を左右方向、Z−Z方向を上下方向というものとし、−X方向を前方向、+X方向を後方向、−Yを左方向、+Y方向を右方向、−Z方向を下方向、+Z方向を上方向として説明する。
プラズマ発生ユニットPUは、マイクロ波を利用し常温常圧でのプラズマ発生が可能なユニットであって、大略的に、マイクロ波を伝搬させる導波管10、この導波管10の一端側(左側)に配置され所定波長のマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置20(マイクロ波発生手段)、導波管10に設けられたプラズマ発生部30、導波管10の他端側(右側)に配置されマイクロ波を反射させるスライディングショート40、導波管10に放出されたマイクロ波のうち反射マイクロ波がマイクロ波発生装置20に戻らないよう分離するサーキュレータ50、サーキュレータ50で分離された反射マイクロ波を吸収するダミーロード60及びインピーダンス整合を行うスタブチューナ70を備えて構成されている。また搬送手段Cは、図略の駆動手段により回転駆動される搬送ローラ80を含んで構成されている。本実施形態では、平板状のワークWが搬送手段Cにより搬送される例を示している。
導波管10は、例えば非磁性金属(アルミニウム等)からなり、断面矩形の長尺管状を呈し、マイクロ波発生装置20により発生されたマイクロ波をプラズマ発生部30へ向けて、その長手方向に伝搬させるものである。導波管10は、分割された複数の導波管ピースが互いのフランジ部同士で連結された連結体で構成されており、一端側から順に、マイクロ波発生装置20が搭載される第1導波管ピース11、スタブチューナ70が組み付けられる第2導波管ピース12及びプラズマ発生部30が設けられている第3導波管ピース13が連結されてなる。なお、第1導波管ピース11と第2導波管ピース12との間にはサーキュレータ50が介在され、第3導波管ピース13の他端側にはスライディングショート40が連結されている。
また、第1導波管ピース11、第2導波管ピース12及び第3導波管ピース13は、それぞれ金属平板からなる上面板、下面板及び2枚の側面板を用いて角筒状に組み立てられ、その両端にフランジ板が取り付けられて構成されている。なお、このような平板の組み立てによらず、押し出し成形や板状部材の折り曲げ加工等により形成された矩形導波管ピース若しくは非分割型の導波管を用いるようにしても良い。また、断面矩形の導波管に限らず、例えば断面楕円の導波管を用いることも可能である。さらに、非磁性金属に限らず、導波作用を有する各種の部材で導波管を構成することができる。
マイクロ波発生装置20は、例えば2.45GHzのマイクロ波を発生するマグネトロン等のマイクロ波発生源と、このマイクロ波発生源にて発生されたマイクロ波の強度を所定の出力強度に調整するアンプとを具備する装置本体部21と、装置本体部21で発生されたマイクロ波を導波管10の内部へ放出するマイクロ波送信アンテナ22とを備えて構成されている。本実施形態に係るプラズマ発生ユニットPUでは、例えば1W〜3kWのマイクロ波エネルギーを出力できる連続可変型のマイクロ波発生装置20が好適に用いられる。
図3に示すようにマイクロ波発生装置20は、装置本体部21からマイクロ波送信アンテナ22が突設された形態のものであり、第1導波管ピース11に載置される態様で固定されている。詳しくは、装置本体部21が第1導波管ピース11の上面板11Uに載置され、マイクロ波送信アンテナ22が上面板11Uに穿設された貫通孔111を通して第1導波管ピース11内部の導波空間110に突出する態様で固定されている。このように構成されることで、マイクロ波送信アンテナ22から放出された例えば2.45GHzのマイクロ波は、導波管10により、その一端側(左側)から他端側(右側)に向けて伝搬される。
プラズマ発生部30は、第3導波管ピース13の下面板13B(矩形導波管の一つの側面;処理対象ワークとの対向面)に、左右方向へ所定間隔で一列に整列して突設された8個のプラズマ発生ノズル31を具備して構成されている。このプラズマ発生部30の幅員、つまり8個のプラズマ発生ノズル31の左右方向の配列幅は、平板状ワークWの搬送方向と直交する幅方向のサイズtと略合致する幅員とされている。これにより、ワークWを搬送ローラ80で搬送しながら、ワークWの全表面(下面板13Bと対向する面)に対してプラズマ処理が行えるようになっている。なお、8個のプラズマ発生ノズル31の配列間隔は、導波管10内を伝搬させるマイクロ波の波長λGに応じて定めることが望ましい。例えば、波長λGの1/2ピッチ、1/4ピッチでプラズマ発生ノズル31を配列することが望ましく、2.45GHzのマイクロ波を用いる場合は、λG=230mmであるので、115mm(λG/2)ピッチ、或いは57.5mm(λG/4)ピッチでプラズマ発生ノズル31を配列すれば良い。
図4および図5は、それぞれプラズマ発生ノズル31を拡大して示す斜視図及び上面図、図6は、2つのプラズマ発生ノズル31を拡大して示す側面図(一方のプラズマ発生ノズル31は分解図として描いている)、図7は、図6のA−A線側断面図である。プラズマ発生ノズル31は、内部導電体32、ノズル本体33(外部導電体)、ノズルホルダ34、シール部材35及び保護管36を含んで構成されている。
内部導電体32は、図4および図5に示すように、所定の間隙を隔てて設けられた12本の導電体32aによって構成されており、この12本の導電体32aは、後述するノズル本体33の筒状の電極構造の内部に設けられている。そして、各導電体32aは、ノズル本体33の内周壁から内側に所定距離dだけ離間した位置において、ノズル本体33と同心の環状を呈する配列態様を形成するように所定間隔で配置されている。各導電体32aは、このような配列態様によりノズル本体33からそれぞれ等しい距離だけ離間して配置されている。
また、導電体32aは、良導電性の金属から構成された棒状部材からなり、その上端部321の側が第3導波管ピース13の下面板13Bを貫通して導波空間130に所定長さだけ突出(この突出部分を受信アンテナ部320という)する一方で、下端部322がノズル本体33の下端縁331と略面一になるように、上下方向に配置されている。この導電体32aには、受信アンテナ部320(図6参照)が導波管10内を伝搬するマイクロ波を受信することで、マイクロ波エネルギー(マイクロ波電力)が与えられるようになっている。当該導電体32aは、長さ方向略中間部において、シール部材35により保持されている。
そして、図6および図7に示すように、内部導電体32を構成する各導電体32aの内、マイクロ波の伝搬方向の下手側(右側)に位置する導電体32aの第3導波管ピース13内の導波空間130への突出量は、マイクロ波の伝搬方向の上手側(左側)に位置する導電体32aの第3導波管ピース13内の導波空間130への突出量に比べて大きくなるように構成されている。すなわち、マイクロ波の伝搬方向の上手側(左側)から下手側(右側)へ行くにしたがって、各導電体32aの長さが順番に長くなるように構成されており、それに応じて各導電体32aの導波空間130内への突出量が順番に大きくなるように構成されている。
ノズル本体33は、良導電性の金属から構成され、内部導電体32の12本の導電体32aを収納する筒状空間332を有する筒状体である。また、ノズルホルダ34も良導電性の金属から構成され、ノズル本体33を保持する比較的大径の下部保持空間341と、シール部材35を保持する比較的小径の上部保持空間342とを有する筒状体である。一方、シール部材35は、テフロン(登録商標)等の耐熱性樹脂材料やセラミック等からなる絶縁性部材からなり、略円柱形状を有しているとともに、前記12本の導電体32aをそれぞれ固定的に保持する12個の保持孔351を備える。
ノズル本体33は、上方から順に、ノズルホルダ34の下部保持空間341に嵌合される上側胴部33Uと、後述するガスシールリング37を保持するための環状凹部33Sと、環状に突設されたフランジ部33Fとを具備している。また、上側胴部33Uには、所定の処理ガスを前記筒状空間332へ供給させるための連通孔333が穿孔されている。
このノズル本体33は、内部導電体32の周囲に配置された外部導電体として機能するもので、内部導電体32の導電体32aは所定の環状空間H(絶縁間隔)が周囲に確保された状態で筒状空間332に挿通されている。ノズル本体33は、上側胴部33Uの外周部がノズルホルダ34の下部保持空間341の内周壁と接触し、またフランジ部33Fの上端面がノズルホルダ34の下端縁343と接触するようにノズルホルダ34に嵌合されている。なお、ノズル本体33は、例えばプランジャやセットビス等を用いて、ノズルホルダ34に対して着脱自在な固定構造で装着されることが望ましい。
ノズルホルダ34は、第3導波管ピース13の下面板13Bに穿孔された貫通孔131に密嵌合される上側胴部34U(上部保持空間342の位置に略対応する)と、下面板13Bから下方向に延出する下側胴部34B(下部保持空間341の位置に略対応する)とを備えている。下側胴部34Bの外周には、処理ガスを前記環状空間Hに供給するためのガス供給孔344が穿孔されている。このガス供給孔344には、図4および図5に示すように、所定の処理ガスを供給するガス供給管の終端部が接続するための管継手344aが取り付けられる。ガス供給孔344と、ノズル本体33の連通孔333とは、ノズル本体33がノズルホルダ34へ定位置嵌合された場合に互いに連通状態となるように、各々位置設定されている。なお、ガス供給孔344と連通孔333との突き合わせ部からのガス漏洩を抑止するために、ノズル本体33とノズルホルダ34との間にはガスシールリング37が介在されている。
シール部材35は、その下端縁352がノズル本体33の上端縁334と当接し、その上端縁353がノズルホルダ34の上端係止部345と当接する態様で、ノズルホルダ34の上部保持空間342に保持されている。すなわち、上部保持空間342に内部導電体32を支持した状態のシール部材35が嵌合され、ノズル本体33の上端縁334でその下端縁352が押圧されるようにして組み付けられているものである。
保護管36(図6参照)は、所定長さの石英ガラスパイプ等からなり、ノズル本体33の筒状空間332の内径に略等しい外径を有する。この保護管36は、ノズル本体33の下端縁331での異常放電(アーキング)を防止して後述するプルームPを正常に放射させる機能を有しており、その一部がノズル本体33の下端縁331から突出するように、前記筒状空間332に内挿されている。なお、保護管36は、その先端部が下端縁331と一致するように、或いは下端縁331よりも内側へ入り込むように、その全体が筒状空間332に収納されていても良い。
プラズマ発生ノズル31は上記のように構成されている結果、ノズル本体33、ノズルホルダ34及び第3導波管ピース13(導波管10)は導通状態(同電位)とされている一方で、各導電体32aは絶縁性のシール部材35で支持されていることから、これらの部材とは電気的に絶縁されている。従って、図8に示すように、導波管10がアース電位とされた状態で、各導電体32aの受信アンテナ部320でマイクロ波が受信され各導電体32aにマイクロ波電力が給電されると、その下端部322及びノズル本体33の下端縁331の近傍に電界集中部が形成されるようになる。
かかる状態で、ガス供給孔344から例えば酸素ガスや空気のような酸素系の処理ガスが環状空間Hへ供給されると、前記マイクロ波電力により処理ガスが励起されて導電体32aの下端部322付近においてプラズマ(電離気体)が発生する。このプラズマは、電子温度が数万度であるものの、ガス温度は外界温度に近い反応性プラズマ(中性分子が示すガス温度に比較して、電子が示す電子温度が極めて高い状態のプラズマ)であって、常圧下で発生するプラズマである。
このようにしてプラズマ化された処理ガスは、ガス供給孔344から与えられるガス流によりプルームPとしてノズル本体33の下端縁331から放射される。このプルームPの放射範囲、すなわち、プラズマの照射範囲は、ノズル本体33から上記ガス流が放出される筒状空間332の径の大きさに依存する。このため、本実施形態では、ノズル本体33の筒状空間332(ノズル本体33の内径)を径方向外側に拡大した構成とすることによって、各プラズマ発生ノズル31からのプルームPの放出範囲(プラズマの照射範囲)を拡大している。
また、上記プルームPにはラジカルが含まれ、例えば処理ガスとして酸素系ガスを使用すると酸素ラジカルが生成されることとなり、有機物の分解・除去作用、レジスト除去作用等を有するプルームPとすることができる。本実施形態に係るプラズマ発生ユニットPUでは、プラズマ発生ノズル31が複数個配列されていることから、左右方向に延びるライン状のプルームPを発生させることが可能となる。
因みに、処理ガスとしてアルゴンガスのような不活性ガスや窒素ガスを用いれば、各種基板の表面クリーニングや表面改質を行うことができる。また、フッ素を含有する化合物ガスを用いれば基板表面を撥水性表面に改質することができ、親水基を含む化合物ガスを用いることで基板表面を親水性表面に改質することができる。さらに、金属元素を含む化合物ガスを用いれば、基板上に金属薄膜層を形成することができる。
スライディングショート40は、各々のプラズマ発生ノズル31に備えられている内部導電体32と、導波管10の内部を伝搬されるマイクロ波との結合状態を最適化するために備えられているもので、マイクロ波の反射位置を変化させて定在波パターンを調整可能とするべく第3導波管ピース13の右側端部に連結されている。従って、定在波を利用しない場合は、当該スライディングショート40に代えて、電波吸収作用を有するダミーロードが取り付けられる。
サーキュレータ50は、例えばフェライト柱を内蔵する導波管型の3ポートサーキュレータからなり、一旦はプラズマ発生部30へ向けて伝搬されたマイクロ波のうち、プラズマ発生部30で電力消費されずに戻って来る反射マイクロ波を、マイクロ波発生装置20に戻さずダミーロード60へ向かわせるものである。このようなサーキュレータ50を配置することで、マイクロ波発生装置20が反射マイクロ波によって過熱状態となることが防止される。
ダミーロード60は、上述の反射マイクロ波を吸収して熱に変換する水冷型(空冷型でも良い)の電波吸収体である。このダミーロード60には、冷却水を内部に流通させるための冷却水流通口61が設けられており、反射マイクロ波を熱変換することにより発生した熱が前記冷却水により熱交換されるようになっている。
スタブチューナ70は、導波管10とプラズマ発生ノズル31とのインピーダンス整合を図るためのもので、第2導波管ピース12の上面板12Uに所定間隔を置いて直列配置された3つのスタブチューナユニット70A〜70Cを備えている。3つのスタブチューナユニット70A〜70Cは同一構造を備えており、これらは共に第2導波管ピース12の導波空間120に突出するスタブ71を有している。
このスタブチューナユニット70A〜70Cに各々備えられているスタブ71は、その導波空間120への突出長が独立して調整可能とされている。これらスタブ71の突出長は、例えばマイクロ波電力パワーをモニターしつつ、内部導電体32による消費電力が最大となるポイント(反射マイクロ波が最小になるポイント)を探索することで決定される。なお、このようなインピーダンス整合は、必要に応じてスライディングショート40と連動させて実行される。
搬送手段Cは、所定の搬送路に沿って配置された複数の搬送ローラ80を備え、図略の駆動手段により搬送ローラ80が駆動されることで、処理対象となるワークWを、前記プラズマ発生部30を経由して搬送させるものである。ここで、処理対象となるワークWとしては、プラズマディスプレイパネルや半導体基板のような平型基板、電子部品が実装された回路基板等を例示することができる。また、平型形状でないパーツや組部品等も処理対象とすることができ、この場合は搬送ローラに代えてベルトコンベア等を採用すれば良い。
次に、本実施形態に係るワーク処理装置Sの電気的構成について説明する。図9は、ワーク処理装置Sの制御系90を示すブロック図である。この制御系90はCPU(中央演算処理装置)等からなり、機能的にマイクロ波出力制御部91、ガス流量制御部92、モータ制御部93、全体制御部94が備えられている。さらに、全体制御部94に対して所定の操作信号を与える操作部95が備えられている。
マイクロ波出力制御部91は、マイクロ波発生装置20から出力されるマイクロ波のON−OFF制御、出力強度制御を行うもので、所定のパルス信号を生成してマイクロ波発生装置20の装置本体部21によるマイクロ波発生の動作制御を行う。
ガス流量制御部92は、プラズマ発生部30の各プラズマ発生ノズル31へ供給する処理ガスの流量制御を行うものである。具体的には、ガスボンベ等の処理ガス供給源921とプラズマ発生ノズル31との間を接続するガス供給管922に設けられた流量制御弁923の開閉制御乃至は開度調整を行う。
モータ制御部93は、搬送ローラ80を回転駆動させる駆動モータ931の動作制御を行うもので、ワークWの搬送開始及び停止、搬送速度の制御等を行うものである。
全体制御部94は、当該ワーク処理装置Sの全体的な動作制御を司るもので、操作部95から与えられる操作信号に応じて、上記マイクロ波出力制御部91、ガス流量制御部92及びモータ制御部93を、所定のシーケンスに基づいて動作制御する。すなわち、予め与えられた制御プログラムに基づいて、ワークWの搬送を開始させてワークWをプラズマ発生部30へ導き、所定流量の処理ガスを各プラズマ発生ノズル31へ供給させつつマイクロ波電力を与えてプラズマ(プルームP)を発生させ、ワークWを搬送しながらその表面にプルームPを放射させるものである。これにより、複数のワークWを連続的に処理することができる。
以上説明したワーク処理装置Sによれば、プラズマ発生ノズル31の内部導電体32が所定の間隙を隔てて設けられた12本の導電体32aからなるので、それらの導電体32aが筒状のノズル本体33の内側においてある程度の広がりを持った領域に配置され、ノズル本体33の内径を径方向外側に拡大しても、内部導電体32が単一の導電体のみからなる場合に比べて各導電体32aとノズル本体33との離間距離dを比較的小さい距離に設定することができる。これにより、内部導電体32とノズル本体33との離間距離dが大きくなることに起因する電界集中部の形成され難さを抑制することができるので、ノズル本体33の内径を径方向外側に拡大してプラズマの照射範囲を拡大しながら、プラズマ発生ノズル31においてプラズマが発生しにくくなるのを抑制することができる。
また、12本の導電体32aがそれぞれノズル本体33から等しい距離dだけ離間して配置されているので、各導電体32aとノズル本体33との間の領域における電界強度を等しくすることができる。これにより、各導電体32aの周囲に均等にプラズマを発生させることができるので、プラズマ発生ノズル31から照射されるプラズマの濃度分布の偏りを低減することができる。
また、マイクロ波の伝搬方向の下手側に位置する導電体32aの第3導波管ピース13内の導波空間130への突出量が、マイクロ波の伝搬方向の上手側に位置する導電体32aの第3導波管ピース13内の導波空間130への突出量に比べて大きくなるように構成されているので、マイクロ波の伝搬方向の上手側の導電体32aの突出方向上方の領域を介して下手側の導電体32aにマイクロ波を有効に受信させることができる。このため、マイクロ波の受信が伝搬方向の上手側の導電体32aに集中するのを抑制することができるので、各導電体32aによるマイクロ波の受信量の均一性を向上させることができる。
また、プラズマ発生ノズル31が所定間隔で複数(8個)設けられているので、複数のプラズマ発生ノズル31の各々からプラズマを照射することにより大面積のワークWに対してプラズマ照射を行うことができる。また、このように各プラズマ発生ノズル31が所定間隔を隔てて設けられている場合には、各プラズマ発生ノズル31間においてプラズマの照射されない領域が生じやすいが、上記構成によるプラズマ発生ノズル31を用いることにより、各プラズマ発生ノズル31からのプラズマの照射範囲を拡大して上記のようなプラズマの照射されない領域が生じるのを有効に防止することができる。これにより、複数のプラズマ発生ノズル31からプラズマを大面積のワークWに照射して処理する際、そのワークWに処理漏れの領域が発生するのを抑制することができる。
以上、本発明の一実施形態に係るプラズマ発生ユニットPUを備えたワーク処理装置Sについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば下記の実施形態を取ることができる。
上記実施形態では、12本の導電体32aを設け、それらを環状の配列態様を形成するように設置したが、本発明はこれに限らず、導電体32aを複数本であれば上記以外の本数設けても良く、さらにそれらの導電体32aを上記以外の配列態様で配置しても良い。例えば、図10に示すように、8本の導電体32aを環状の配列態様を形成するように設置しても良い。また、図11に示すように3本の導電体32aもしくは図12に示すように2本の導電体32aを、それぞれノズル本体33からの最短の離間距離dが等しくなるように配置しても良い。さらに、図13に示すようにノズル本体33を断面矩形の筒状に構成するとともに、そのノズル本体33の内部に4本の導電体32aを設け、ノズル本体33から各導電体32aへの最短の離間距離dが等しくなるように各導電体32aを配置しても良い。
上記実施形態では、複数のプラズマ発生ノズル31を一列に整列配置した例を示したが、ノズル配列はワークの形状やマイクロ波電力のパワー等に応じて適宜決定すれば良く、例えばワークの搬送方向に複数列のプラズマ発生ノズル31をマトリクス整列したり、千鳥配列したりしても良い。
上記実施形態では、8個のプラズマ発生ノズル31を設けた例について示したが、8個以外の数のプラズマ発生ノズル31を設けても良い。例えば、単一のプラズマ発生ノズル31のみが設けられたプラズマ発生装置及びワーク処理装置においても、本発明を適用することが可能である。
上記実施形態では、搬送手段Cとして搬送ローラ80の上面に平板状のワークWを載置して搬送する形態を例示したが、この他に例えば上下の搬送ローラ間にワークをニップさせて搬送させる形態、搬送ローラを用いず所定のバスケット等にワークを収納し前記バスケット等をラインコンベア等で搬送させる形態、或いはロボットハンド等でワークを把持してプラズマ発生部30へ搬送させる形態であっても良い。
上記実施形態では、ワークWを搬送しながらプラズマ照射を行う形態を示したが、これに限らず、ワークWを固定もしくは静止させた状態でプラズマ照射を行う形態に本発明を適用しても良い。
上記実施形態では、マイクロ波発生源として2.45GHzのマイクロ波を発生するマグネトロンを例示したが、マグネトロン以外の各種高周波電源も使用可能であり、また2.45GHzとは異なる波長のマイクロ波を用いるようにしても良い。
導波管10内におけるマイクロ波電力を測定するために、パワーメータを導波管10の適所に設置することが望ましい。例えば、マイクロ波発生装置20のマイクロ波送信アンテナ22から放出されたマイクロ波電力に対する反射マイクロ波電力の比を知見するために、サーキュレータ50と第2導波管ピース12との間に、パワーメータを内蔵する導波管を介在させるようにすることができる。
本発明に係るワーク処理装置及びプラズマ発生装置は、半導体ウェハ等の半導体基板に対するエッチング処理装置や成膜装置、プラズマディスプレイパネル等のガラス基板やプリント基板の清浄化処理装置、医療機器等に対する滅菌処理装置、タンパク質の分解装置等に好適に適用することができる。
10 導波管
20 マイクロ波発生装置(マイクロ波発生手段)
30 プラズマ発生部
31 プラズマ発生ノズル
32 内部導電体
32a 導電体
33 ノズル本体(外部導電体)
S ワーク処理装置
PU プラズマ発生ユニット(プラズマ発生装置)
W ワーク
20 マイクロ波発生装置(マイクロ波発生手段)
30 プラズマ発生部
31 プラズマ発生ノズル
32 内部導電体
32a 導電体
33 ノズル本体(外部導電体)
S ワーク処理装置
PU プラズマ発生ユニット(プラズマ発生装置)
W ワーク
Claims (5)
- マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波を受信しそのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化されたガスを生成して放出するプラズマ発生ノズルとを備え、
前記プラズマ発生ノズルは、前記マイクロ波を受信する内部導電体と、この内部導電体の周囲に離間して配置された外部導電体とを含み、前記内部導電体で受信した前記マイクロ波のエネルギーを利用して前記内部導電体と前記外部導電体との間に供給される所定のガスをプラズマ化して放出するものであって、
前記内部導電体は、所定の間隙を隔てて設けられた複数の導電体からなる、プラズマ発生装置。 - 前記複数の導電体は、それぞれ前記外部導電体から略等しい距離だけ離間して配置されている、請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 前記マイクロ波を伝搬する導波管をさらに備え、
前記複数の導電体は、それぞれ前記導波管の内部に一端が突出するように設けられ、
前記マイクロ波の伝搬方向の下手側に位置する導電体の前記導波管内への突出量は、前記マイクロ波の伝搬方向の上手側に位置する導電体の前記導波管内への突出量に比べて大きくなるように構成されている、請求項1または2に記載のプラズマ発生装置。 - 前記プラズマ発生ノズルは、所定間隔で複数設けられている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ発生装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマ発生装置を備えたワーク処理装置であって、
前記プラズマ発生装置により生成されるプラズマを前記プラズマ発生ノズルから処理対象とされるワークに照射して所定の処理を施与する、ワーク処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006039677A JP2007220480A (ja) | 2006-02-16 | 2006-02-16 | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006039677A JP2007220480A (ja) | 2006-02-16 | 2006-02-16 | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007220480A true JP2007220480A (ja) | 2007-08-30 |
Family
ID=38497526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006039677A Pending JP2007220480A (ja) | 2006-02-16 | 2006-02-16 | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007220480A (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62146580U (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | ||
JPH0751863A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-02-28 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | プラズマトーチ |
JPH10180448A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | プラズマトーチ |
JP2000167672A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-20 | Esab Group Inc | 前端部が絶縁された水噴射ノズル組立体 |
JP2000334570A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-05 | Komatsu Ltd | プラズマトーチ及びそのノズル |
JP2002542577A (ja) * | 1999-04-14 | 2002-12-10 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | プラズマトーチカートリッジとこれに取り付けられるプラズマトーチ |
JP2005095744A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置 |
WO2005101927A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-27 | Kurita Seisakusho Co., Ltd. | プラズマ生成用電源回路、プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及び目的物 |
WO2006014862A2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation |
-
2006
- 2006-02-16 JP JP2006039677A patent/JP2007220480A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62146580U (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | ||
JPH0751863A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-02-28 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | プラズマトーチ |
JPH10180448A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | プラズマトーチ |
JP2000167672A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-20 | Esab Group Inc | 前端部が絶縁された水噴射ノズル組立体 |
JP2002542577A (ja) * | 1999-04-14 | 2002-12-10 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | プラズマトーチカートリッジとこれに取り付けられるプラズマトーチ |
JP2000334570A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-05 | Komatsu Ltd | プラズマトーチ及びそのノズル |
JP2005095744A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置 |
WO2005101927A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-27 | Kurita Seisakusho Co., Ltd. | プラズマ生成用電源回路、プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及び目的物 |
WO2006014862A2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4620015B2 (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2008066159A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2009525566A (ja) | ワーク処理装置及びプラズマ発生装置 | |
JP4865034B2 (ja) | プラズマ発生装置およびこれを用いたワーク処理装置 | |
JP4724625B2 (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP4837394B2 (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2008059839A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2007265838A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP4724572B2 (ja) | ワーク処理装置 | |
JP4680095B2 (ja) | ワーク処理装置及びプラズマ発生装置 | |
JP4619973B2 (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2008077925A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2008066058A (ja) | プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2007227312A (ja) | プラズマ発生装置及びワーク処理装置。 | |
JP2007227069A (ja) | プラズマ発生方法および装置ならびにそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2007220480A (ja) | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 | |
JP2007234298A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2007220504A (ja) | プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2007220499A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2008059840A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP2009016433A (ja) | レジスト除去装置 | |
JP2009016434A (ja) | レジスト除去装置 | |
JP2007234329A (ja) | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 | |
JP2007273096A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 | |
JP4619967B2 (ja) | ワーク処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100803 |