RU2007107371A - Плазменная сопловая решетка для обеспечивания генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы - Google Patents

Плазменная сопловая решетка для обеспечивания генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы Download PDF

Info

Publication number
RU2007107371A
RU2007107371A RU2007107371/28A RU2007107371A RU2007107371A RU 2007107371 A RU2007107371 A RU 2007107371A RU 2007107371/28 A RU2007107371/28 A RU 2007107371/28A RU 2007107371 A RU2007107371 A RU 2007107371A RU 2007107371 A RU2007107371 A RU 2007107371A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microwave
microwaves
plasma system
microwave plasma
pair
Prior art date
Application number
RU2007107371/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2342734C2 (ru
Inventor
Санг Хун ЛИ (US)
Санг Хун ЛИ
Дзай Дзоонгсоо КИМ (US)
Дзай Дзоонгсоо КИМ
Original Assignee
Амарант Текнолоджиз, Инк. (Us)
Амарант Текнолоджиз, Инк.
Норицу Коки Ко., Лтд. (Jp)
Норицу Коки Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Амарант Текнолоджиз, Инк. (Us), Амарант Текнолоджиз, Инк., Норицу Коки Ко., Лтд. (Jp), Норицу Коки Ко., Лтд. filed Critical Амарант Текнолоджиз, Инк. (Us)
Publication of RU2007107371A publication Critical patent/RU2007107371A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2342734C2 publication Critical patent/RU2342734C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461—Microwave discharges
    • H05H1/4622—Microwave discharges using waveguides
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
    • A61L2/00—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor
    • A61L2/02—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor using physical phenomena
    • A61L2/14—Plasma, i.e. ionised gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Apparatus For Disinfection Or Sterilisation (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Claims (82)

1. Способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки, причем способ содержит этапы, на которых:
направляют микроволны в микроволновый резонатор в противоположных направлениях, при которых микроволны интерферируют и формируют структуру стоячих микроволн, которая является постоянной в пределах микроволнового резонатора;
регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий, генерируемых структурой стоячих микроволн; и
размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
2. Способ по п.1, в котором упомянутый этап, на котором направляют микроволны, включает в себя этапы, на которых:
передают микроволны в микроволновый резонатор и
отражают микроволны, используя подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с микроволновым резонатором.
3. Способ по п.1, в котором упомянутый этап, на котором направляют микроволны, включает в себя этап, на котором:
передают микроволны, сгенерированные двумя микроволновыми силовыми головками, в микроволновый резонатор.
4. Способ для выбора конфигурации микроволновой плазменной сопловой решетки, причем способ содержит этапы, на которых:
направляют первую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль первой оси;
направляют вторую пару микроволн в микроволновый резонатор в противоположных направлениях вдоль второй оси, причем первая ось расположена перпендикулярно второй оси, так что первая и вторая пары микроволн интерферируют и формируют области высоких энергий, которые являются постоянными в пределах микроволнового резонатора;
регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн для управления областями высоких энергий и
размещают сопловую решетку, по меньшей мере, частично в микроволновом резонаторе так, чтобы один или более сопловых элементов сопловой решетки был выполнен с возможностью приема энергии микроволн из соответствующей одной из областей высоких энергий.
5. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором направляют первую пару микроволн, включает в себя этапы, на которых:
передают микроволны в микроволновый резонатор и
отражают микроволны, используя подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с микроволновым резонатором.
6. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором направляют первую пару микроволн, включает в себя этап, на котором
передают микроволны, сгенерированные двумя микроволновыми силовыми головками, в микроволновый резонатор.
7. Способ по п.4, дополнительно содержащий этапы, на которых:
генерируют микроволны с помощью микроволновой силовой головки и
обеспечивают разветвитель мощности, соединенный с микроволновой силовой головкой.
8. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн, включает в себя этап, на котором регулируют фазы первой пары микроволн.
9. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн, включает в себя этап, на котором регулируют фазы второй пары микроволн.
10. Способ по п.4, в котором упомянутый этап, на котором регулируют фазу, по меньшей мере, одной из микроволн, включает в себя этап, на котором регулируют фазы и первой пары, и второй пары микроволн.
11. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки, который содержит:
микроволновый резонатор и
решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя:
газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и
стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к выходной части.
12. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления потока вокруг упомянутого стержневого проводника газу, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
13. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п. 12, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
14. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п. 11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
15. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
16. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.15, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
17. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
18. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
19. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки; и
катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
20. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя:
вход для микроволн и
подвижный короткозамыкатель, выполненный с возможностью отражения микроволн, переданных через упомянутый вход для микроволн.
21. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя
два входа для микроволн, расположенных на противоположных сторонах упомянутого микроволнового резонатора.
22. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя:
два входа для микроволн, расположенных на сторонах упомянутого микроволнового резонатора, которые перпендикулярны друг другу; и
два подвижных короткозамыкателя, выполненных с возможностью отражения микроволн, принятых упомянутыми входами.
23. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор включает в себя:
первую пару входов для микроволн, расположенных на противоположных сторонах упомянутого микроволнового резонатора по направлению первой оси;
вторую пару входов для микроволн, расположенных на противоположных сторонах упомянутого микроволнового резонатора по направлению второй оси, причем вторая ось по существу является перпендикулярной первой оси.
24. Блок микроволновой плазменной сопловой решетки по п.11, в котором упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в котором упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
25. Микроволновая плазменная система, которая содержит:
источник микроволн;
пару вентилей, функционально соединенных с упомянутым источником микроволн;
микроволновый резонатор, имеющий пару входов;
пару волноводов, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей и с соответствующим одним из упомянутых входов упомянутого микроволнового резонатора; и
пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с соответствующим одним из упомянутых вентилей; и
решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя:
газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и
стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
26. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления вокруг упомянутого стержневого проводника потоку газа, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
27. Микроволновая плазменная система по п.26, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
28. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
29. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
30. Микроволновая плазменная система по п.29, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
31. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
32. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
33. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки; и
катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
34. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в которой упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
35. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой каждый из упомянутых вентилей включает в себя:
циркулятор, функционально соединенный, по меньшей мере, с одним из упомянутых волноводов; и
искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
36. Микроволновая плазменная система по п.25, которая дополнительно содержит:
пару блоков настройки, причем каждый из упомянутых блоков настройки функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и упомянутым микроволновым резонатором.
37. Микроволновая плазменная система по п.25, которая дополнительно содержит
пару циркуляторов, причем каждый из упомянутых циркуляторов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн к соответствующему одному из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств.
38. Микроволновая плазменная система по п.25, которая дополнительно содержит
пару ответвителей, причем каждый из упомянутых ответвителей функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
39. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя пару микроволновых силовых головок, причем каждая из упомянутых микроволновых силовых головок функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей.
40. Микроволновая плазменная система по п.25, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя:
микроволновую силовую головку для генерирования микроволн и
разветвитель мощности для приема, разветвления и направления микроволн к упомянутым вентилям.
41. Микроволновая плазменная система, которая содержит:
источник микроволн;
вентиль, функционально соединенный с упомянутым источником микроволн;
микроволновый резонатор, имеющий вход;
волновод, функционально соединенный с упомянутым вентилем и с упомянутым входом упомянутого микроволнового резонатора;
невращающее фазосдвигающее устройство, функционально соединенное с упомянутым волноводом и с упомянутым вентилем;
циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом и выполненный с возможностью направления микроволн к упомянутому невращающему фазосдвигающему устройству;
подвижный короткозамыкатель, функционально соединенный с упомянутым микроволновым резонатором; и
решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя:
газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и
стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
42. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления вокруг упомянутого стержневого проводника потоку газа, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
43. Микроволновая плазменная система по п.42, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
44. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
45. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
46. Микроволновая плазменная система по п.45, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
47. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
48. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
49. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки; и
катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
50. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в которой упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
51. Микроволновая плазменная система по п.41, в которой упомянутый вентиль включает в себя:
циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом; и
искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
52. Микроволновая плазменная система по п.41, которая дополнительно содержит
блок настройки, функционально соединенный с упомянутым волноводом и с упомянутым микроволновым резонатором.
53. Микроволновая плазменная система по п.41, которая дополнительно содержит:
ответвитель, функционально соединенный с упомянутым волноводом и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
54. Микроволновая плазменная система, которая содержит:
источник микроволн;
пару вентилей, функционально соединенных с упомянутым источником микроволн;
микроволновый резонатор, имеющий пару входов;
пару волноводов, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей и с соответствующим одним из упомянутых входов упомянутого микроволнового резонатора; и
пару невращающих фазосдвигающих устройств, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с соответствующим одним из упомянутых вентилей;
пару подвижных короткозамыкателей, причем каждый из упомянутых подвижных короткозамыкателей функционально соединяется с упомянутым микроволновым резонатором; и
решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя:
газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и
стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
55. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления вокруг упомянутого стержневого проводника потоку газа, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
56. Микроволновая плазменная система по п.55, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
57. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
58. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
59. Микроволновая плазменная система по п.58, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
60. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
61. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
62. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки; и
катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
63. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в котором упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
64. Микроволновая плазменная система по п.54, в которой каждый из упомянутых вентилей включает в себя:
циркулятор, функционально соединенный, по меньшей мере, с одним из упомянутых волноводов; и
искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
65. Микроволновая плазменная система по п.54, которая дополнительно содержит:
пару блоков настройки, причем каждый из упомянутых блоков настройки функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и упомянутым микроволновым резонатором.
66. Микроволновая плазменная система по п.54, которая дополнительно содержит
пару ответвителей, причем каждый из упомянутых ответвителей функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
67. Микроволновая плазменная система по п.54, которая дополнительно содержит
пару циркуляторов, причем каждый из упомянутых циркуляторов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн к соответствующему одному из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств.
68. Микроволновая плазменная система, которая содержит:
источник микроволн;
микроволновый резонатор, имеющий четыре входа;
четыре волновода, причем каждый из упомянутых волноводов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых входов упомянутого микроволнового резонатора и с упомянутым источником микроволн;
четыре невращающих фазосдвигающих устройства, причем каждое из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с упомянутым источником микроволн;
четыре циркулятора, причем каждый из упомянутых циркуляторов функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и выполнен с возможностью направления микроволн, генерируемых упомянутым источником микроволн, по меньшей мере, к одному из упомянутых невращающих фазосдвигающих устройств; и
решетку сопел, причем каждое из упомянутых сопел включает в себя:
газорасходную трубку, выполненную с возможностью направления через себя газового потока и имеющую входную часть и выходную часть; и
стержневой проводник, расположенный по направлению оси в упомянутой газорасходной трубке, причем упомянутый стержневой проводник имеет участок, расположенный в упомянутом микроволновом резонаторе для приема микроволн, и наконечник, прилегающий к упомянутой выходной части.
69. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
вихревое направляющее устройство, расположенное между упомянутым стержневым проводником и упомянутой газорасходной трубкой, причем упомянутое вихревое направляющее устройство имеет, по меньшей мере, один проход для придания спиралеобразного направления вокруг упомянутого стержневого проводника потоку газа, проходящему по упомянутому, по меньшей мере, одному проходу.
70. Микроволновая плазменная система по п.69, в которой упомянутый микроволновый резонатор включает в себя стенку, при этом упомянутая стенка упомянутого микроволнового резонатора образует участок прохода для газового потока, функционально соединенный с входной частью упомянутой газорасходной трубки.
71. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
экран, прилегающий к участку упомянутой газорасходной трубки, для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый экран сделан из проводящего материала.
72. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
заземленный экран, расположенный на внешней поверхности упомянутой газорасходной трубки для снижения потерь энергии микроволн при прохождении через газорасходную трубку, при этом упомянутый заземленный экран имеет отверстие для приема через него газового потока.
73. Микроволновая плазменная система по п.72, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя
фиксатор, расположенный между упомянутым стержневым проводником и упомянутым заземленным экраном для надежного крепления упомянутого стержневого проводника к упомянутому заземленному экрану.
74. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутая газорасходная трубка сделана из кварца.
75. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя пару магнитов, прилегающих к упомянутой газорасходной трубке, при этом упомянутая пара магнитов имеет форму, приближенную к части цилиндра.
76. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой каждое из упомянутых сопел дополнительно включает в себя:
анод, прилегающий к части упомянутой газорасходной трубки; и
катод, прилегающий к другой части упомянутой газорасходной трубки.
77. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый микроволновый резонатор выполнен с возможностью генерирования множества постоянных областей высоких энергий, используя микроволны, направленные в него, и в котором упомянутая часть упомянутого стержневого проводника располагается в пределах пространства, занятого упомянутыми постоянными областями высоких энергий.
78. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя
четыре микроволновые силовые головки и
четыре вентиля, причем каждый из упомянутых вентилей функционально соединяется с соответствующей одной из упомянутых микроволновых силовых головок и, по меньшей мере, с одним из упомянутых волноводов, при этом каждый из упомянутых вентилей включает в себя:
циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом; и
искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором.
79. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя:
две микроволновые силовые головки;
два вентиля, причем каждый из упомянутых вентилей соединяется с соответствующей одной из упомянутых микроволновых силовых головок, при этом каждый из упомянутых вентилей включает в себя:
циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом; и
искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором; и
два разветвителя мощности, причем каждый из упомянутых разветвителей мощности функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых вентилей, при этом каждый из упомянутых разветвителей мощности выполнен с возможностью приема, разветвления и направления микроволн в соответствующие два из упомянутых волновода.
80. Микроволновая плазменная система по п.68, в которой упомянутый источник микроволн включает в себя:
микроволновую силовую головку;
вентиль, функционально соединенный с упомянутой микроволновой силовой головкой, причем упомянутый вентиль включает в себя:
циркулятор, функционально соединенный с упомянутым волноводом; и
искусственную нагрузку, функционально соединенную с упомянутым циркулятором; и
разветвитель мощности, соединенный с упомянутым вентилем, причем упомянутый разветвитель мощности выполнен с возможностью приема, разветвления и направления микроволн в соответствующий один из упомянутых волноводов.
81. Микроволновая плазменная система по п.68, которая дополнительно содержит:
четыре блока настройки, причем каждый из упомянутых блоков настройки функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с упомянутым микроволновым резонатором.
82. Микроволновая плазменная система по п.68, которая дополнительно содержит
четыре ответвителя, причем каждый из упомянутых ответвителей функционально соединяется с соответствующим одним из упомянутых волноводов и с измерителем мощности для измерения микроволновых потоков.
RU2007107371/28A 2004-07-30 2005-07-21 Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы RU2342734C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/902,435 US7806077B2 (en) 2004-07-30 2004-07-30 Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation
US10/902,435 2004-07-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007107371A true RU2007107371A (ru) 2008-09-10
RU2342734C2 RU2342734C2 (ru) 2008-12-27

Family

ID=35197707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007107371/28A RU2342734C2 (ru) 2004-07-30 2005-07-21 Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы

Country Status (10)

Country Link
US (2) US7806077B2 (ru)
EP (1) EP1790201B1 (ru)
JP (1) JP4896880B2 (ru)
KR (1) KR100871475B1 (ru)
CN (1) CN101066000B (ru)
AU (1) AU2005269581B2 (ru)
CA (1) CA2574114A1 (ru)
DE (1) DE602005026300D1 (ru)
RU (1) RU2342734C2 (ru)
WO (1) WO2006014862A2 (ru)

Families Citing this family (175)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7164095B2 (en) * 2004-07-07 2007-01-16 Noritsu Koki Co., Ltd. Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
US7271363B2 (en) * 2004-09-01 2007-09-18 Noritsu Koki Co., Ltd. Portable microwave plasma systems including a supply line for gas and microwaves
US20060052883A1 (en) * 2004-09-08 2006-03-09 Lee Sang H System and method for optimizing data acquisition of plasma using a feedback control module
CN101361409B (zh) * 2006-01-30 2011-09-14 赛安株式会社 工件处理系统和等离子体产生装置
JP2007220480A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置及びワーク処理装置
JP2007220479A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Noritsu Koki Co Ltd ワーク処理装置及びプラズマ発生装置
JP4680091B2 (ja) * 2006-02-23 2011-05-11 株式会社サイアン プラズマ発生装置及びワーク処理装置
JP4647566B2 (ja) * 2006-08-30 2011-03-09 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2007220499A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP4837394B2 (ja) * 2006-02-17 2011-12-14 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
TW200742506A (en) * 2006-02-17 2007-11-01 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generation apparatus and work process apparatus
JP2007220589A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置
JP4699235B2 (ja) * 2006-02-20 2011-06-08 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2007227071A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2007227069A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生方法および装置ならびにそれを用いるワーク処理装置
JP2007227201A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置及びワーク処理装置
JP4619966B2 (ja) * 2006-02-27 2011-01-26 株式会社サイアン ワーク処理装置
JP4525929B2 (ja) * 2006-02-28 2010-08-18 ノーリツ鋼機株式会社 ワーク処理装置
JP4680095B2 (ja) * 2006-02-28 2011-05-11 株式会社サイアン ワーク処理装置及びプラズマ発生装置
JP4724572B2 (ja) * 2006-02-28 2011-07-13 株式会社サイアン ワーク処理装置
JP4619967B2 (ja) * 2006-02-28 2011-01-26 株式会社サイアン ワーク処理装置
JP4619973B2 (ja) * 2006-03-29 2011-01-26 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP4620015B2 (ja) * 2006-08-30 2011-01-26 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP4724625B2 (ja) * 2006-08-30 2011-07-13 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
TW200816881A (en) * 2006-08-30 2008-04-01 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generation apparatus and workpiece processing apparatus using the same
JP2008066058A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置
JP2008066059A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2008066159A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2008071500A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
TW200830945A (en) * 2006-09-13 2008-07-16 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generator and work processing apparatus provided with the same
JP4629068B2 (ja) * 2007-05-25 2011-02-09 株式会社サイアン ワーク処理装置
JP4719184B2 (ja) * 2007-06-01 2011-07-06 株式会社サイアン 大気圧プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
KR20080111801A (ko) * 2007-06-20 2008-12-24 삼성전자주식회사 플라즈마 공정장치 및 그 방법
GB0718721D0 (en) 2007-09-25 2007-11-07 Medical Device Innovations Ltd Surgical resection apparatus
DK2599506T3 (en) 2007-11-06 2018-10-08 Creo Medical Ltd Microwave Plasma Masterization Applicator
GB2464501A (en) * 2008-10-17 2010-04-21 Microoncology Ltd Plasma Applicators for Sterilisation
GB2454461B (en) * 2007-11-06 2012-11-14 Creo Medical Ltd A system to treat and/or kill bacteria and viral infections using microwave atmospheric plasma
WO2009060214A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-14 Microoncology Limited Hydroxyl radical producing plasma sterilisation apparatus
GB2459461B (en) * 2008-04-23 2012-08-01 Creo Medical Ltd A non-thermal microwave plasma sterilisation system using automatic tuning contained within the hand-piece of the applicator
WO2009096951A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Applied Materials, Inc. System and method for pre-ionization of surface wave launched plasma discharge sources
US20100074810A1 (en) * 2008-09-23 2010-03-25 Sang Hun Lee Plasma generating system having tunable plasma nozzle
US7921804B2 (en) * 2008-12-08 2011-04-12 Amarante Technologies, Inc. Plasma generating nozzle having impedance control mechanism
US20100201272A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Sang Hun Lee Plasma generating system having nozzle with electrical biasing
US20100254853A1 (en) * 2009-04-06 2010-10-07 Sang Hun Lee Method of sterilization using plasma generated sterilant gas
US9006972B2 (en) 2009-04-28 2015-04-14 Trustees Of Tufts College Microplasma generator and methods therefor
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
JP2012089334A (ja) * 2010-10-19 2012-05-10 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US20120326803A1 (en) * 2011-06-24 2012-12-27 Amarante Technologies, Inc. Microwave resonant cavity
WO2013016497A2 (en) 2011-07-28 2013-01-31 Trustees Of Tufts College Microplasma generating array
WO2013119313A2 (en) * 2011-12-09 2013-08-15 Trustees Of Tufts College Microplasma generator with array of tapered microstrips
JP6255590B2 (ja) * 2011-12-28 2018-01-10 イマジニアリング株式会社 プラズマガス生成装置
US9067273B1 (en) * 2012-05-17 2015-06-30 Clemson University High density atmospheric plasma jet devices by jet-to-jet interaction
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
ES2489292B1 (es) * 2013-02-18 2015-03-06 Tridogen S L Procedimiento de suministro de energía a un material y dispositivo correspondiente
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
JP5725574B2 (ja) * 2013-03-05 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導波装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI568317B (zh) * 2013-03-15 2017-01-21 東京威力科創股份有限公司 微波共振器處理系統中之電漿調整桿
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
CN104726850B (zh) * 2013-12-23 2017-08-25 朱雨 一种微波等离子体化学气相沉积设备
US9627167B2 (en) 2014-02-25 2017-04-18 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for generating plasma
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299537B2 (en) * 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10987735B2 (en) 2015-12-16 2021-04-27 6K Inc. Spheroidal titanium metallic powders with custom microstructures
ES2964898T3 (es) 2015-12-16 2024-04-10 6K Inc Metales deshidrogenados esferoidales y partículas de aleaciones metálicas
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
CN106061090B (zh) * 2016-05-31 2019-03-12 吉林大学 一种二次耦合微波等离子体重整装置
CN105979693A (zh) * 2016-06-12 2016-09-28 浙江大学 一种大功率微波等离子体发生装置
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
AU2019290663B2 (en) 2018-06-19 2023-05-04 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US12110229B2 (en) 2018-09-27 2024-10-08 Maat Energy Company Process for recovering heat at high temperatures in plasma reforming systems
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
CA3134573A1 (en) 2019-04-30 2020-11-05 Sunil Bhalchandra BADWE Mechanically alloyed powder feedstock
AU2020266556A1 (en) 2019-04-30 2021-11-18 6K Inc. Lithium lanthanum zirconium oxide (LLZO) powder
KR102137913B1 (ko) * 2019-10-29 2020-07-24 주식회사 기가레인 플라즈마 안테나 모듈
CN114641462A (zh) 2019-11-18 2022-06-17 6K有限公司 用于球形粉末的独特原料及制造方法
US11590568B2 (en) 2019-12-19 2023-02-28 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
AU2021297476A1 (en) 2020-06-25 2022-12-15 6K Inc. Microcomposite alloy structure
WO2022067303A1 (en) 2020-09-24 2022-03-31 6K Inc. Systems, devices, and methods for starting plasma
KR20230095080A (ko) 2020-10-30 2023-06-28 6케이 인크. 구상화 금속 분말을 합성하는 시스템 및 방법
US12042861B2 (en) 2021-03-31 2024-07-23 6K Inc. Systems and methods for additive manufacturing of metal nitride ceramics
CN112996209B (zh) * 2021-05-07 2021-08-10 四川大学 一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构
US12040162B2 (en) 2022-06-09 2024-07-16 6K Inc. Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing an upstream swirl module and composite gas flows
WO2024044498A1 (en) 2022-08-25 2024-02-29 6K Inc. Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing a powder ingress preventor (pip)

Family Cites Families (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB792085A (en) * 1954-09-27 1958-03-19 Alca France Ets Improvements in or relating to devices for packing and unpacking bottles to and frombottle-racks and the like
US3353060A (en) * 1964-11-28 1967-11-14 Hitachi Ltd High-frequency discharge plasma generator with an auxiliary electrode
US3417287A (en) * 1965-10-08 1968-12-17 Hitachi Ltd Low power high frequency discharge plasma generator
US4185213A (en) * 1977-08-31 1980-01-22 Reynolds Metals Company Gaseous electrode for MHD generator
US4207286A (en) 1978-03-16 1980-06-10 Biophysics Research & Consulting Corporation Seeded gas plasma sterilization method
US4378806A (en) * 1980-08-12 1983-04-05 Henley Cohn Julian L Gapped resonant microwave apparatus for producing hyperthermia therapy of tumors
JPH0660412B2 (ja) 1986-08-21 1994-08-10 東京瓦斯株式会社 薄膜形成法
US4976920A (en) 1987-07-14 1990-12-11 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
JPH01161600A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Oki Electric Ind Co Ltd 車両運転支援装置
JPH0633679Y2 (ja) * 1988-05-02 1994-08-31 株式会社三社電機製作所 インダクションプラズマ用トーチ
JPH01299777A (ja) * 1988-05-24 1989-12-04 Komatsu Ltd プラズマトーチの構造
JPH0748480B2 (ja) 1988-08-15 1995-05-24 新技術事業団 大気圧プラズマ反応方法
US5083004A (en) * 1989-05-09 1992-01-21 Varian Associates, Inc. Spectroscopic plasma torch for microwave induced plasmas
JPH0691634B2 (ja) 1989-08-10 1994-11-14 三洋電機株式会社 固体撮像素子の駆動方法
JPH03111577A (ja) * 1989-09-26 1991-05-13 Idemitsu Petrochem Co Ltd マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法
US5170098A (en) 1989-10-18 1992-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus for use in carrying out the same
JPH0470136A (ja) * 1990-07-11 1992-03-05 Fujitsu Ltd シグナリング伝送制御方式
US5084239A (en) 1990-08-31 1992-01-28 Abtox, Inc. Plasma sterilizing process with pulsed antimicrobial agent treatment
US5111111A (en) * 1990-09-27 1992-05-05 Consortium For Surface Processing, Inc. Method and apparatus for coupling a microwave source in an electron cyclotron resonance system
JPH05275191A (ja) 1992-03-24 1993-10-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 大気圧放電方法
JPH084103Y2 (ja) * 1990-10-24 1996-02-07 新日本無線株式会社 マイクロ波プラズマ装置
DE4037091C2 (de) * 1990-11-22 1996-06-20 Leybold Ag Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes
JP3021117B2 (ja) 1991-09-20 2000-03-15 三菱重工業株式会社 電子サイクロトロン共鳴プラズマｃｄｖ装置
US5230740A (en) * 1991-12-17 1993-07-27 Crystallume Apparatus for controlling plasma size and position in plasma-activated chemical vapor deposition processes comprising rotating dielectric
JP3129814B2 (ja) * 1992-01-17 2001-01-31 新日本無線株式会社 マイクロ波プラズマ装置
JP3158715B2 (ja) * 1992-03-30 2001-04-23 株式会社ダイヘン プラズマ処理装置
JPH065384A (ja) 1992-06-17 1994-01-14 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ発生トーチ管
DE69318480T2 (de) * 1992-06-23 1998-09-17 Nippon Telegraph & Telephone Plasmabearbeitungsgerät
DE4242633C2 (de) 1992-12-17 1996-11-14 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Durchführung von stabilen Niederdruck-Glimmprozessen
JP3149002B2 (ja) * 1992-12-18 2001-03-26 和夫 杉山 同軸形のマイクロ波プラズマ発生器
JP2540276B2 (ja) 1993-03-12 1996-10-02 株式会社山東鉄工所 容器内部の殺菌装置
US5938854A (en) 1993-05-28 1999-08-17 The University Of Tennessee Research Corporation Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure
JPH0740056A (ja) 1993-07-28 1995-02-10 Komatsu Ltd プラズマトーチ
JPH07153593A (ja) 1993-12-01 1995-06-16 Daido Steel Co Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
US5565118A (en) * 1994-04-04 1996-10-15 Asquith; Joseph G. Self starting plasma plume igniter for aircraft jet engine
EP0702393A3 (en) * 1994-09-16 1997-03-26 Daihen Corp Plasma processing apparatus for introducing a micrometric wave from a rectangular waveguide, through an elongated sheet into the plasma chamber
US5503676A (en) 1994-09-19 1996-04-02 Lam Research Corporation Apparatus and method for magnetron in-situ cleaning of plasma reaction chamber
EP0727504A3 (en) 1995-02-14 1996-10-23 Gen Electric Plasma coating process for improved adhesive properties of coatings on objects
US5573682A (en) 1995-04-20 1996-11-12 Plasma Processes Plasma spray nozzle with low overspray and collimated flow
US5741460A (en) 1995-06-07 1998-04-21 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US5793013A (en) * 1995-06-07 1998-08-11 Physical Sciences, Inc. Microwave-driven plasma spraying apparatus and method for spraying
US5750072A (en) 1995-08-14 1998-05-12 Sangster; Bruce Sterilization by magnetic field stimulation of a mist or vapor
US5825485A (en) 1995-11-03 1998-10-20 Cohn; Daniel R. Compact trace element sensor which utilizes microwave generated plasma and which is portable by an individual
US5977715A (en) 1995-12-14 1999-11-02 The Boeing Company Handheld atmospheric pressure glow discharge plasma source
US6017825A (en) 1996-03-29 2000-01-25 Lam Research Corporation Etch rate loading improvement
US6030579A (en) 1996-04-04 2000-02-29 Johnson & Johnson Medical, Inc. Method of sterilization using pretreatment with hydrogen peroxide
US5928527A (en) 1996-04-15 1999-07-27 The Boeing Company Surface modification using an atmospheric pressure glow discharge plasma source
US6309979B1 (en) 1996-12-18 2001-10-30 Lam Research Corporation Methods for reducing plasma-induced charging damage
US5869401A (en) 1996-12-20 1999-02-09 Lam Research Corporation Plasma-enhanced flash process
GB9703159D0 (en) 1997-02-15 1997-04-02 Helica Instr Limited Medical apparatus
US5980768A (en) 1997-03-07 1999-11-09 Lam Research Corp. Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor
US6209551B1 (en) 1997-06-11 2001-04-03 Lam Research Corporation Methods and compositions for post-etch layer stack treatment in semiconductor fabrication
JP3175640B2 (ja) 1997-06-17 2001-06-11 横河電機株式会社 マイクロ波誘導プラズマ点火装置
US6221792B1 (en) 1997-06-24 2001-04-24 Lam Research Corporation Metal and metal silicide nitridization in a high density, low pressure plasma reactor
JPH1121496A (ja) 1997-06-30 1999-01-26 Nippon Shokubai Co Ltd 保護被膜形成材および基材の一時的保護処理方法
US6200651B1 (en) 1997-06-30 2001-03-13 Lam Research Corporation Method of chemical vapor deposition in a vacuum plasma processor responsive to a pulsed microwave source
US6080270A (en) 1997-07-14 2000-06-27 Lam Research Corporation Compact microwave downstream plasma system
US6016766A (en) 1997-12-29 2000-01-25 Lam Research Corporation Microwave plasma processor
US6165910A (en) 1997-12-29 2000-12-26 Lam Research Corporation Self-aligned contacts for semiconductor device
JPH11224795A (ja) 1998-02-10 1999-08-17 Shin Seiki:Kk プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ利用表面処理方法、並びにプラズマ利用ガス処理方法
US6027616A (en) 1998-05-01 2000-02-22 Mse Technology Applications, Inc. Extraction of contaminants from a gas
CZ286310B6 (cs) * 1998-05-12 2000-03-15 Přírodovědecká Fakulta Masarykovy Univerzity Způsob vytváření fyzikálně a chemicky aktivního prostředí plazmovou tryskou a plazmová tryska
US6727148B1 (en) 1998-06-30 2004-04-27 Lam Research Corporation ULSI MOS with high dielectric constant gate insulator
US6235640B1 (en) 1998-09-01 2001-05-22 Lam Research Corporation Techniques for forming contact holes through to a silicon layer of a substrate
EP1001449A1 (en) * 1998-10-16 2000-05-17 Canon Kabushiki Kaisha Deposited film forming system and process
JP2000133494A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマ発生装置及び方法
JP2000150484A (ja) 1998-11-11 2000-05-30 Chemitoronics Co Ltd プラズマエッチング装置およびエッチングの方法
JP2000260596A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Hitachi Ltd プラズマ装置
KR19990068381A (ko) * 1999-05-11 1999-09-06 허방욱 마이크로웨이브플라즈마버너
US6228330B1 (en) 1999-06-08 2001-05-08 The Regents Of The University Of California Atmospheric-pressure plasma decontamination/sterilization chamber
JP2000353689A (ja) 1999-06-10 2000-12-19 Nec Yamagata Ltd ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
US6573731B1 (en) 1999-07-20 2003-06-03 Tokyo Electron Limited Electron density measurement and control system using plasma-induced changes in the frequency of a microwave oscillator
JP4455794B2 (ja) 1999-07-20 2010-04-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生器を制御するためのシステム
EP1218763A4 (en) 1999-07-20 2005-02-02 Tokyo Electron Ltd ELECTRON DENSITY MEASUREMENT AND CONTROL SYSTEM USING PLASMA-INDUCED FREQUENCY CHANGES OF A MICROWAVE OSCILLATOR
JP2001054556A (ja) 1999-08-18 2001-02-27 Shikoku Kakoki Co Ltd 大気圧低温プラズマ殺菌方法
FR2798552B1 (fr) * 1999-09-13 2001-11-30 Centre Nat Rech Scient Dispositif assurant une division de puissance micro-onde predeterminee sur une pluralite de charges, notamment pour la production de plasma
US6410451B2 (en) 1999-09-27 2002-06-25 Lam Research Corporation Techniques for improving etching in a plasma processing chamber
US6652709B1 (en) * 1999-11-02 2003-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus having circular waveguide, and plasma processing method
DE29921694U1 (de) 1999-12-09 2001-04-19 Agrodyn Hochspannungstechnik GmbH, 33803 Steinhagen Plasmadüse
US6363882B1 (en) 1999-12-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Lower electrode design for higher uniformity
JP2001281284A (ja) 2000-03-30 2001-10-10 Makoto Hirano 複素誘電率の非破壊測定装置
AU2001265093A1 (en) * 2000-05-25 2001-12-11 Russell F. Jewett Methods and apparatus for plasma processing
US6337277B1 (en) 2000-06-28 2002-01-08 Lam Research Corporation Clean chemistry low-k organic polymer etch
JP2002100499A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
US6441554B1 (en) 2000-11-28 2002-08-27 Se Plasma Inc. Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure
US6620394B2 (en) * 2001-06-15 2003-09-16 Han Sup Uhm Emission control for perfluorocompound gases by microwave plasma torch
JP2003135571A (ja) 2001-11-07 2003-05-13 Toshiba Corp プラズマ殺菌装置
DE10164120A1 (de) 2001-12-24 2003-07-03 Pierre Flecher Mikrowellen-Plasmasterilisation von PET-Flaschen
JP2003210556A (ja) 2002-01-18 2003-07-29 Toshiba Corp 管用プラズマ滅菌装置
JP4020679B2 (ja) * 2002-04-09 2007-12-12 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP2003318689A (ja) * 2002-04-23 2003-11-07 Kanazawa Inst Of Technology 整合回路および反射波検出回路
JP3691812B2 (ja) 2002-07-12 2005-09-07 株式会社エー・イー・ティー・ジャパン 共振器を用いて複素誘電率を測定する方法および前記方法を実施する装置
US6792742B2 (en) 2002-09-09 2004-09-21 Phoenix Closures, Inc. Method for storing and/or transporting items
JP4103565B2 (ja) * 2002-11-29 2008-06-18 松下電工株式会社 表面処理装置及び表面処理方法
US20040173316A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Carr Jeffrey W. Apparatus and method using a microwave source for reactive atom plasma processing
WO2005023013A2 (en) * 2003-09-08 2005-03-17 Washington State University Research Foundation Apparatus and method for heating objects with microwaves
US7164095B2 (en) * 2004-07-07 2007-01-16 Noritsu Koki Co., Ltd. Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
CN101361409B (zh) * 2006-01-30 2011-09-14 赛安株式会社 工件处理系统和等离子体产生装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008508683A (ja) 2008-03-21
WO2006014862A3 (en) 2007-01-18
CN101066000A (zh) 2007-10-31
US20080073202A1 (en) 2008-03-27
EP1790201B1 (en) 2011-02-09
EP1790201A2 (en) 2007-05-30
CA2574114A1 (en) 2006-02-09
DE602005026300D1 (de) 2011-03-24
AU2005269581B2 (en) 2009-07-16
US7806077B2 (en) 2010-10-05
US20060021581A1 (en) 2006-02-02
JP4896880B2 (ja) 2012-03-14
RU2342734C2 (ru) 2008-12-27
WO2006014862A2 (en) 2006-02-09
KR20070027750A (ko) 2007-03-09
CN101066000B (zh) 2010-12-08
AU2005269581A1 (en) 2006-02-09
KR100871475B1 (ko) 2008-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007107371A (ru) Плазменная сопловая решетка для обеспечивания генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы
US9237639B2 (en) Microwave resonant cavity
Calico et al. Experimental and theoretical investigations of a magnetically insulated line oscillator (MILO)
Dolgashev et al. Design and application of multimegawatt X-band deflectors for femtosecond electron beam diagnostics
US20150359080A1 (en) Traveling wave linear accelerator with RF power flow outside of accelerating cavities
Alberti et al. Recent progress in the upgrade of the TCV EC-system with two 1MW/2s dual-frequency (84/126GHz) gyrotrons
US20170332472A1 (en) Particle accelerator for generating a bunched particle beam
US6882244B2 (en) Switching system for broadcast transmission
Peauger et al. A 12 GHZ RF Power source for the CLIC study
JPH11260593A (ja) プラズマ生成装置
Deruyter et al. Symmetrical double input coupler development
Shvedunov et al. Design of a prebuncher for increased longitudinal capture efficiency of MAMI
Alberti et al. Dual-frequency, 126/84 GHz, 1 MW gyrotron for the upgrade of the TCV EC-system
Veshcherevich et al. Buncher cavity for ERL
JPH0628982A (ja) マイクロ波管用のモード変換器及び電力スプリッタ
Wang et al. The development and beam test of an RF chopper system for J-PARC
Wagner et al. Commissioning of the extended multi-frequency ECRH system at ASDEX upgrade
Konomi et al. Damped superconducting structure for EUV light source based on energy recovery linac
Massarotti et al. Status report on the ELETTRA RF system
Tsakanian et al. HOM power levels in the BESSY VSR cold string
Kalaria et al. A fast frequency step-tunable 236 GHz gyrotron design for DEMO
Darbos et al. The 118-GHz electron cyclotron heating system on Tore Supra
Adolphsen ILC RF system R&D
Matsumoto et al. L-band accelerator system in injector linac for SuperKEKB
Bigelow A quasi-optical resonant ring for high-power ech window testing

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20101125

TK4A Correction to the publication in the bulletin (patent)

Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -PC4A- IN JOURNAL: 1-2011 FOR TAG: (73)

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120722