JP4455794B2 - プラズマ発生器を制御するためのシステム - Google Patents

プラズマ発生器を制御するためのシステム Download PDF

Info

Publication number
JP4455794B2
JP4455794B2 JP2001511588A JP2001511588A JP4455794B2 JP 4455794 B2 JP4455794 B2 JP 4455794B2 JP 2001511588 A JP2001511588 A JP 2001511588A JP 2001511588 A JP2001511588 A JP 2001511588A JP 4455794 B2 JP4455794 B2 JP 4455794B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
plasma
resonator
microwave
oscillator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001511588A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003505828A (ja
Inventor
バーディアン、ジョセフ・ティー
ジョンソン、ウェイン・エル
サーキス、マーレー・ディー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JP2003505828A publication Critical patent/JP2003505828A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4455794B2 publication Critical patent/JP4455794B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32266Means for controlling power transmitted to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32311Circuits specially adapted for controlling the microwave discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266Magnetic control means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/3299Feedback systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体処理装置内で用いられるようなプラズマ処理装置内における電子密度を測定する方法及び装置を提供するものである。
【0002】
本出願は、「プラズマ誘導の、マイクロ波発振器の周波数の変動を用いた電子密度測定および制御システム」(代理人番号2312−0711−2YA PROV)および「プラズマを含む開放共振器の共振周波数の変動を用いた電子密度測定およびプラズマ処理制御システム」(代理人番号2312−0710−2YA PROV)と題する係属中の出願に関連し、これらの出願は本願と共にファイルされている。これらの出願は、本願明細書に完全に参照として組み込まれている。
【0003】
【従来の技術】
第2次世界大戦の後、いくつかの大学の研究グループは、一部がイオン化された気体を研究するために、大戦中に開発されていたマイクロ波技術を利用した。特に、マサチューセッツ工科大学のSanborn C.Brown教授のグループは、一部がイオン化され、電気的に準中性のガス中の電子密度の測定のためのいわゆる「空洞技術」を開発し、それはプラズマと呼ばれるようになった。
【0004】
この流れにおいて、マイクロ波空洞の共振反応の変化は、空洞内のプラズマの存在の結果として研究された。一般に、その最下位又は最下位に近い共振モードで作動する適切な円筒形空洞が用いられ、上記ガスは、同軸パイレックス(商標)又は石英管内に含まれていた。空洞を通る管の通路を可能にするために、各平面の端面に一つの開口が設けられていた。
【0005】
一般に、マイクロ波空洞内にプラズマが存在した場合、特定の空洞モードの共振周波数と共振の鋭さ(Q)、例えば、共振モードをかなり励起しなければならない場合に、マイクロ波信号の周波数が固定されなければならない精度の両方に影響を及ぼしている。摂動論の形式を用いると、これらのパラメータの変化を、プラズマ中の電子密度及び電子衝突周波数に関連づけることが可能である。該摂動理論は、次ぎの条件を満たす(ラジアン)周波数ωに対してのみ有効である。
【0006】
【数1】
Figure 0004455794
但し、ωはプラズマ(ラジアン)周波数であり、Nは電子密度(エレクトロン/cm)である。従って、ここで関心のある大きさである、1012cm−3程度の電子密度を有するプラズマの分析の場合、数十GHzを超えるマイクロ波信号周波数(ω/2π)が必要となる。
【0007】
数十GHzオーダーの信号周波数の必要性は、重要な問題をもたらす。その最下位又は最下位近くの共振モードで共振するように設計された空洞の物理的寸法は、信号の波長のオーダーである。すなわち、約35GHzで共振するように設計された空洞は、センチメートルのオーダーの寸法を有する。このように小さな空洞を電子密度の測定に用いることは困難である。
【0008】
原則として、最下位又は低いオーダーのモードの小さな物理的サイズに関連する問題を克服するために、より高いオーダーのモードで共振するように設計された空洞を用いることは可能である。しかし、このアプローチを採用した場合、特定の励起空洞モードの同一性を間違いなく識別することが非常に難しくなる。従って、摂動理論を、電子密度及び電子衝突周波数を決定するために適用することは事実上大変困難になる。
【0009】
この問題を迂回する一つの方法は、「開放」共振器、例えば、(ほぼ)完全に囲む導電面によって電磁界が閉じ込められていない共振器を用いることである。開放共振器の実例としては、対向する平面あるいは曲面を有し、これらの間で円形の対称的な導電面に制限されない一対の大きく開口する円形対称エンドミラーがある。このタイプの開放共振器は、A.G.Fox及びT.Liによる「メーザ干渉計における共振モード」(Bell System Technical Journal,40巻,453〜488頁、1961年3月)に詳細に論じられている。彼らは、対称軸に対して意味のある角度で伝搬する平面波成分を含んでいると考えられるいずれのモードもかなり励起される、例えば、非常に低いQを有するということを示した。
【0010】
実際の開放共振器の場合、特定の周波数範囲内に共振周波数を有する実際に有効なモードの数は、同じサイズの閉共振器の場合に相当する数よりもかなり少ない。開放共振器のこの特性は、研究者に対して、35GHz以上の周波数に対する共振プラズマ分析技術を広げるための非常に多くの機会を提供した。
【0011】
マイクロ波エネルギーは、導波管給電部から閉共振器への結合を制御する同じ原理を用いて、導波管給電部から開放共振器に結合することができる。共振器ミラーにおける結合開口の位置、空間的回転及びサイズは、所望の共振器モードに対する電磁場の構成に適切に関連づけられていなければならない。結合開口の入出力は、共に同じミラー上にあっても良く、あるいは入力開口は一方のミラー上に、出力開口は他方のミラー上にあっても良い。
【0012】
公知の電気的調整可能なマイクロ波発振器は、共振空洞及びマイクロ波弁別器の助力で周波数安定化される。基本的なコンセプトは、多数の「M.I.T.Radiation Laboratory Reports」及び1947年にMcGraw−Hillにより出版された「Radiation Laboratory Series」に詳細に記録されている。それらの発振器の一つの用途は、周波数が変化したときに、電子的調整可能発振器が、マイクロ波共振器の共振周波数をたどることである。該技術の詳細な論文は、「マイクロ波測定技術(Technique of Microwave Measurements)11巻」M.I.T.Radiation Laboratory Series、Carol H.Montgomery、McGraw−Hill編 Book Company,ニューヨーク(New York)、1947年、58〜78頁)(以後、「Montgomery」と呼ぶ)。Montgomeryの全体の内容は本願明細書に参照として組み込まれる。安定化回路102のブロック図を図1に示す。図1は、Montgomeryの60頁の図2.29と同じである。マイクロ波干渉計の用途が2つの公知の出版物、すなわち、(1)「A Microwave Interferometer for Density Measurement Stabilization in Process Plasma」(Pearsonら、Materials Research Society Symposium Proceedings,117巻(Eds.Haysら)、1988年、311〜317頁)及び(2)「1−millimeter wave interferometer for the measurement of line integral electron density on TFTR」(Efthimionら、Rev.Sci.Instrum.56(5),1985年5月、908〜910頁)に記載されている。
【0013】
発振器100の周波数がマイクロ波空洞105の共振周波数と異なる場合、弁別器110により信号が生成される。弁別器110の出力は増幅器115によって増幅される。そして、発振器100の周波数をマイクロ波空洞105の共振周波数に変えるのに要する極性を有する増幅された弁別器信号120は発振器100に供給される。
【0014】
安定化回路102を用いて、発振器100の周波数がマイクロ波空洞105の共振周波数に固定された場合、マイクロ波空洞105を調整すると、発振器100が共振周波数を、増幅器115の電子同調能力及び補助マイクロ波回路の周波数感度によって限定される範囲内に収めることになる。Montgomeryの69頁に、調節可能な発振器が開示されている。
【0015】
図1に示すように、安定化装置102の主な部品は、マイクロ波弁別器110と増幅器115とである。弁別器110に対しては2つの構成がある。図2は、方向性結合器150と、(マジックTeeとしても知られている)ブリッジ160とを含む弁別器110の第1の実施の形態を示す。
このブリッジ160は、長さxの短絡導波管165によって反射された信号を、長さ(x−λ/8)のライン175によって供給されたマイクロ波空洞105から反射された信号と比較する。ここでλは管内波長である。該マイクロ波信号は、方向性結合器150を介して辺180(H面辺)でブリッジ160に入る。方向性結合器150の辺は、マイクロ波発振器100から弁別器への入力である。ブリッジ160のT接合器185において、該接合器から離れて進む、同じ振幅及び位相の波は短絡導波管165及び(全体的にS辺と呼ばれる)ライン175内で励起される。
【0016】
第2の実施の形態においては、マイクロ波弁別器110は、方向性結合器150を第2のマジックTと置き換えることによって実施することもできる。このことは、マジックTは3dBの方向性結合器と等しいので、驚くべきことではない。従って、分析は同じであり、本願ではこれ以上考究しない。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、プラズマを含む開放共振器に固定されたマイクロ波発振器を用いたプラズマ電子密度の測定及び制御システムを提供することである。他の課題は、発振器が一つの共振モードでのそのロックを失ったときに他の共振モードに変更することによるプラズマ電子密度の強い制御を可能にすることである。
【0018】
そこで本発明は、開放共振器内へのプラズマの導入により共振周波数が変化したときに、局部発振器の周波数を予め選択された開放マイクロ波共振器の共振周波数に固定する周波数安定化システムを用いた電子密度の測定及びプラズマ処理制御システムを提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、プラズマ発生器を制御するためのシステムであって、プラズマチャンバー内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生器と、前記プラズマチャンバー内で発生したプラズマ中に浸され、共振周波数で安定化共振器として動作する開放共振器と、前記開放共振器に、可変周波数を有する発振出力を供給する安定化発振器と、前記開放共振器の共振周波数と前記安定化発振器の可変周波数との差を測定し、補正信号を前記安定化発振器に印加して前記可変周波数を、前記共振周波数に実質的に整合させるために変化させるマイクロ波周波数弁別器を含み、前記プラズマ発生器によって生成されたプラズマの特性の変化により共振周波数が変化する時に、前記開放共振器の共振周波数に対して、安定化発振可変周波数がロックされる制御回路と、を備えるシステムを提供する。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
以下の図面において、図面中の同一の参照数字は同一または類似部分を示す。図3は、開放共振器が安定化共振器として作動する場合にプラズマを含む開放共振器に適用される、図2の弁別器の略図である。図3の構成要素のほとんどは図2を参照して上述しており、それらの説明は、ここでは繰り返さない。しかし、図2のマイクロ波空洞105をプラズマを含む開放共振器170と置き換えると、システム全体の動作は以下のようになる。
【0021】
その共振周波数のうちの一つからかなり離れた周波数において、共振器170は、短絡回路が結合絞り、例えば、ライン175と共振器170との間のインターフェースとして作動する球面鏡内の円形穴の面にあるかのように、ほとんど正確に反射する。当業者なら理解できるように、該穴のサイズ及び形状は経験的に決定することができる。また、球面鏡上の結合絞りの位置は、共振器170で所望しない共振モードを励起しないようになっている。
【0022】
従って、このような周波数において、短絡導波管165及びライン175内で接合器185に反射して戻る波は、接合器185においてπ/2ラジアンの位相はずれに達する。そのため、端子200及び205に結合された整合検知器(図示せず)は、等しい出力電圧を示し、かつ両電圧の差は0になる。
【0023】
しかし、共振器170の共振周波数において、共振器170のアドミタンスは、それが結合絞りの面に位置するピュアコンダクタンスであるかのように作用する。共振器170から反射した波は、同じ振幅の波が端子200及び205においてマジックTeeから出てくるように、短絡導波管165から反射された波と結合する。
【0024】
整合検知器の出力は、再び等しくなる(しかし、共振からかなり離れた周波数における値とは異なる)。共振周波数からわずかに外れた周波数の場合、共振器170のアドミタンスは、0でないサセプタンスを有し、それは共振周波数以下の周波数に対して誘導性になり、また共振周波数以上の周波数に対して容量性になる。
【0025】
共振の一方において、端子205に結合された検知器はより多くのパワーを受け、端子200に結合された検知器はより少ないパワーを受けるので、出力電圧は等しくない。従って、それらの差は0ではない。共振の他方において、端子205に結合された検知器はより少ないパワーを受け、端子200に結合された検知器はより多くのパワーを受ける。上記差は0ではないが、反対の代数符号を有する。数学的解析はMontgomeryの著書の64ページに紹介されている。典型的な弁別器110からの出力電圧を図4に示す。
【0026】
局部発振の安定化は、図4に示す弁別器特性の極値V及びVにほぼ相当するfとfの間の周波数に対して可能である。fとfの間の弁別器110の出力の傾きは、−pで近似することができる。但し、pはボルト/ヘルツの単位を有する正の数である。発振器100が単調周波数同調特性を有し、かつ同調入力に印加される電圧がプラスになるにつれて周波数が増大する場合、該同調特性は傾きRの直線で近似することができる。但し、Rはボルト/ヘルツの単位を有する正の数である。また、図1に示す増幅器115の利得は以後Gで示す。
【0027】
本システムが、(1)弁別器110に対する出力電圧が図4に示すように周波数fの場合に0であり、(2)発振器100が、fで発振器170の共振周波数に固定され、(3)共振器170の共振周波数がプラズマの導入により増加するように調整された場合、弁別器特性への影響は、より高い周波数へ移すようになるため、零点を横切るポイントはfから周波数f′>fに移る。従って、弁別器110の出力は、固定された発振器100の周波数を増加させる正の電圧になる。システムが安定化した後、弁別器110の出力電圧は次のようになる。
【0028】
【数2】
Figure 0004455794
但し、f′は、空洞共振周波数の変動から生じる発振器周波数である。この周波数f′は f′以下でなければならず、さもなければ補正電圧がなく、かつ発振器周波数はfのままであるということに注意されたい。
【0029】
増幅された電圧は、
【数3】
Figure 0004455794
で示される。増幅された電圧は周波数の変化の原因であるため、Vampも次のようになる。
【0030】
【数4】
Figure 0004455794
増幅器の利得がR/pG<<1である場合、次のようになる。
【0031】
【数5】
Figure 0004455794
これは、固定された(例えば、安定化された)発振器周波数の周波数の変動が実質的に共振器170の共振周波数の変動に等しいということを意味する。
図5は、開放共振器を周波数決定要素として用いた発振器安定化回路の略図である。開放共振器170に接続された該要素は、図3のマイクロ波弁別器と同様のマイクロ波弁別器として作用する。
【0032】
この実施の形態においては、共振器は、マイクロ波信号の周波数が開放共振器の共振周波数のうちの一つに相当する場合(例えば、共振器Qによって決定される限界内において)を除いて、入力絞りと離れて分離された出力絞りを有する。結合開口が所望の共振モードのみを励起することを保証することは実質的に不可能であるが、ミラー375の曲率の直径及び半径及び該ミラー375間の距離は、モードの縮退の測定を導入して複数の共振周波数という特徴があるモードの励起に関連する複雑さを低減することができる。
【0033】
本発明の一つの実施の形態においては、開放共振器への入出力マイクロ波接続は、同じ反射器に対して行なわれる。このことは、入力マイクロ波接続が一方の反射器上にあり、出力マイクロ波接続が他方の反射器上にある回路よりも、ここで描いた目的を達成するのに都合が良い。しかし、2つの構成の電気的性能において重要な差はない。従って、代替の実施の形態においては、接続は対向する反射器上で行なわれる。
【0034】
図5に示す弁別器構成は、図3に示す弁別器よりも優れている。図3の弁別器においては、安定化共振器から反射されたマイクロ波信号は、共振器結合が臨界に近くなければ、共振時及び非共振時において共に大きい。事実上、このことは、トラッキングが通常、大きな信号の小さな変化と相対的に行われるということを意味する。図5の伝送共振器を用いて、伝送マイクロ波信号は実質的に非共振時に0であり、共振時に大きく、そのため比較は共振時の大きな信号と非共振時の小さな信号との間である。
【0035】
図5の構成は、開放共振器170が出力絞りを介してマジックTee160の底辺(E辺)に結合されているようになっている。入力はHまたはE辺に印加することができる。どちらに接続するかによって、マジックTee160の交番方向を適応させるために導波管長を調整する。検知器500A及び500BはそれぞれマジックTee160の左辺及び右辺上に接続されている。検知器500A及び500Bはそれぞれ差動増幅器510の正負の入力に接続されている。
【0036】
一つの実施の形態においては、差動増幅器510は直結増幅器である。別の実施の形態においては、差動増幅器510はIF増幅器であり、Montgomeryの「I−F安定化システム」と題された論文の第2〜17節に記載されているように用いられる。その差動増幅器510の出力は、電圧制御発振器520(例えば35GHzの電圧制御発振器)に印加される周波数制御電圧として作用する。電圧制御発振器520の出力は、信号を移相器540に結合する方向性結合器530に接続されている。結合信号の位相をシフトすると、移相器540は移相信号を、マジックT160のH辺に印加される、移相され、減衰された信号を生成する第1の減衰器550Aに印加する。
【0037】
マイクロ波ブリッジの動作は、図5に示すように、干渉性付加の、一つは基準信号でもう一つは開放共振器を通過した後のそこから伝送された信号である、2つのマイクロ波信号による。マイクロ波ブリッジのために正しく機能するためには、基準及び信号経路の電気的距離(例えば、対応する物理的距離に関連する位相変化)は、正確に相関していなければならす、理想的に言えばこの関係は実質的に周波数と無関係であるべきである。また、2つの経路の電気的距離は、ブリッジに用いられるマジックTeeの基準面の物理的位置に関して決定すべきであるということを認識することが重要である。この点について十分な注意が払われない場合には、ブリッジの出力信号は周波数の関数としての所望の特性を有しないことになり、該ブリッジは要求通り機能しない。物理的寸法が正確に相関していれば回路は組立てることができ、電気的距離が正確に相関していれば該回路は正しく作用する。
【0038】
また、わずかに不整合な鉱石検波器によって反射してマジックTeeに戻ってきた擬似信号、または開放共振器の出力ポートから反射してきた擬似信号は潜在する問題であり、現在のブリッジ出力特性を所望の形からかなり違ったものにしてしまう。一つの実施の形態においては、マジックTeeの入力辺に配置されたアイソレータは、この問題を緩和するために用いられる。
【0039】
基準及び信号経路の物理的距離が短い場合、2つの経路に関連する位相差は本質的に、関心のある周波数に対する周波数の変化に影響されないという要求は難なく満たすことができる。一方、重要な要素のいくつかが物理的制約のためやむを得ず長い場合、問題はさらに難しくなる。
【0040】
このような場合、2つの経路の電気的距離に関連する所望の位相差を最も長い可能な長さに維持するように物理的回路を設計することが重要である。例えば、回路内の2つの経路が四分の一の波長(位相差π/2ラジアンまたは90°)だけ長さが異なる場合、たとえ一つの枝路を他よりも設計周波数における整数個の波長だけ短くすることが可能であっても、2つの経路を可能な限り四分の一の波長差のみの例外と同様に構成することが適切である。後者の選択の場合、設計周波数において実質的な電気的重要性はないが、2つの経路間の位相差の周波数依存性は電気的距離により等しい経路の場合よりも大きくなる。
【0041】
マイクロ波ブリッジ回路の一つの実施の形態においては、移相器は基準及び信号経路間の所望の位相差を発生させるのに用いられる。システムはまた、開放共振器からマジックTeeの方向へのみ伝送を可能にする信号経路内にアイソレータを含む。このことは、信号経路内のマジックTeeで生ずる反射による好ましくない効果の可能性を排除する。第2のアイソレータを同じ理由で基準信号経路内に含ませることができる。2つの減衰器は、基準及び信号経路を介してマジックTeeで起こりやすい、信号の振幅の等化を容易にするために基準経路内に含まれている。
【0042】
図9に示すオシロスコープ波形は、本発明の一実施形態に係るマイクロ波ブリッジから得られた信号である。弁別器出力はVsum−Vdiffと名付けれらた一番下の曲線で示されている。該波形内の2つの大きな波形は、所望の開共振モードに対応する弁別器出力を示す。2つの大きな波形間のより小さな弁別器状出力は、いわゆる「軸外し」モードの好ましくない励振によるものと考えられている。代替の実施の形態においては、ミラーの直径は小さくなり、該ミラーに吸収開口が付加されており、および/または結合開口が、上記好ましくない励振を減じるために該ミラーのちょうど真中に配置されている。
【0043】
しかし、全体の信号処理は、電圧制御発振器520の出力を移相器540だけでなく第2の減衰器550Bおよび周波数計570にも結合することによって制御される。減衰器550Bの減衰された出力は(プラズマを含む)開放共振器に印加され、その結果生ずる内部のフィールドを出力絞りを用いてサンプリングする。
【0044】
図6は、本発明に係るプラズマ発生器制御システムの第1の実施の形態のブロック図である。この制御システムを実現するために、以下の追加的な制限を考慮する必要がある。
【0045】
1. 固定された発振器の周波数変動は常に共振器の共振周波数の変動以下であるが、増幅器利得が十分大きい場合、差は非常に小さくすることができる。しかし、不安定性の問題を防ぐために、該増幅器利得は大き過ぎないように選択する。
【0046】
2. 発振器は、所定の動作中、関心のあるプラズマ電子密度の全範囲にわたって、同じ共振モードに固定(例えば、安定化され)されていることが好ましい。適切な発振器100(例えば固体発振器)に対する制御電圧は、本願記載の周波数範囲の場合±5%程度の範囲を有することが求められる。このことは、増幅器の出力が±20V程度の線形ダイナミックレンジを有するべきであるということを意味する。
【0047】
3. 発振器100は特定の処理中に異なる共振モードにシフトしないことが望ましいが、発振器100が固定される特定のモードを知る必要はない。モード・シフトは、発振器100の同調要素に印加される電圧の容易に識別できる変化を生じる。同調電極電圧は、発振器100に印加される電圧変動を調べることによってモニタすることができる。
【0048】
開放共振器の共振周波数間の関係のためモード数は知る必要はない。例えば、共焦点形共振器の場合、共振周波数は、
【数6】
Figure 0004455794
で示される。但し、nは共振器内の媒質の屈折率であり、cは真空中の光速であり、dは(図6に示す)反射器175間の距離であり、qは軸モード数である。この式から以下のようになる。
【0049】
【数7】
Figure 0004455794
これは、nはモード数に関係ないので、軸モード数qと無関係である。しかし、qは、発振器が終始同じモードに固定されたままであるということを示す分子および分母内で同じ値を有しなければならない。
【0050】
屈折率が反射器間の領域内で均一でない場合、f(q,n)はf(q,〈n〉)で置き換えれる。但し、〈n〉は動作周波数における2つの反射器間の経路に沿った平均屈折率である。従って、
【数8】
Figure 0004455794
となる。屈折率とプラズマ密度Nとは次の近似式のような関係があるということが良く知られている。
【0051】
【数9】
Figure 0004455794
但し、eは電子の変化の大きさであり、mは電子の質量であり、εは自由空間の誘電率であり、fは信号周波数であり、fはプラズマ周波数である。
【0052】
【数10】
Figure 0004455794
の場合、
【数11】
Figure 0004455794
となり、従って、
【数12】
Figure 0004455794

となる。上式から得られた値から、
【数13】
Figure 0004455794
の場合、次のようになる。
【0053】
【数14】
Figure 0004455794
この式は、上述の簡単な周波数測定によって、反射器間の経路に沿ったプラズマ密度に対する近似値を表わす。単一の測定システムが該システムのための反射器間の経路に沿った平均プラズマ密度に対する値を提供するのに対して、同じ処理室内の複数、例えば、2つまたはそれ以上のシステムは、本質的に、同時に、プラズマ密度の空間的な変化に関する追加的な情報を提供する。代替の実施の形態は、完全に独立した2つの測定システムを使用するよりも、(1)処理室の外部の同じ測定システム、および(2)処理室の外部の測定システムに接続された、処理室内の複数のミラーのセットを使用する。
【0054】
別の実施の形態は、処理室外部のコントローラを用いて処理室内に可動反射器を設ける。このような作動機構は、処理室内に固くない導波管を用いた場合可能である。
【0055】
マイクロ波弁別器回路が発振器周波数の制御を失う可能性は、また別の複雑さを引き起こす。発振器周波数が固定されなくなると、f(q,〈n〉)、制御が失われたときのその値からf(q,1)に変化するものと考えられる。この状態が発生すると、開放共振器内の電磁場は、発振器周波数がf(q−1,〈n〉)に近づくまで減衰する。
【0056】
この時点で、開放共振器内の電磁場は増加し、周波数制御回路は制御を回復し、発振器周波数をf(q−1,〈n〉)に安定化する。f(q−1,〈n〉)で制御が回復しない場合、周波数の低下は、発振器周波数がf(q−2,〈n〉)に近づくまで続く。このプロセスは、発振器周波数が再びf(q−w,〈n〉)に固定されるまで続くと考えられる。但し、wは、1〜3の範囲になると予測される整数である。
【0057】
このシステムから得られた実験データを解釈するためには、上記整数wは既知でなければならない。wを決定するために、少量のパワーが開放共振器170から結合され、図6に示すように、検波器220(例えば鉱石検波器)及びカウンタ230に供給される。開放共振器170内の電磁場が発振器周波数の制御の喪失により減衰すると、検波器220の出力は0になり、カウンタ230は1を記録する。例えば、発振器100がf(q,1)での制御からそれると、その周波数はf(q−1,〈n〉)で回復し、カウンタ230は1を記録する。制御がf(q−2,〈n〉)まで回復しない場合には、カウンタ230は2を記録する。検波器220の出力が0でない場合は、制御は回復していない。
【0058】
周波数制御の一時の喪失がモードqからモードq−wへの変化をもたらすと仮定する。このような場合、平均屈折率〈n〉は次のように表わすことができる。
【0059】
【数15】
Figure 0004455794
空の共焦点形共振器の場合、f(q−w,1)は次のように表わすことができることが良く知られている。
【0060】
【数16】
Figure 0004455794
従って、
【数17】
Figure 0004455794
となる。〈n〉を決定するために必要な全ての情報は既知であるので、本発明のシステム(及び方法)は、制御電圧を生成するのに用いることができ、それにより(制御電圧信号の形成を用いて、あるいは用いずに)プラズマ発生器240を制御する。
【0061】
図6の実施の形態に示すように、プラズマ発生器240は第2の周波数弁別器110’を用いて制御される。この第2の弁別器110’は発振器100の周波数を、コンピュータを用いて所望の固定発振器周波数に設定されているプラズマ発生器基準共振器245(例えば周波数計)の共振周波数と比較する。その固定発振器周波数は、
【数18】
Figure 0004455794
で表わされ、<n>は目的のための所望の平均屈折率である。発振器100が全プロセス中において同じ共振モードに固定されたままである好適な動作モードの場合、w=0である。しかし、一般的には、発振器100の周波数は最初はモードqの周波数に固定され、その後、モードq−wの周波数に固定されると仮定する。上述したように、wは既知であると仮定する。
【0062】
第2の弁別器110’はプラズマ発生器制御用弁別器として機能し、図4に示すものと同様の特性を有する出力を有する。弁別器110’は、f(q−w,〈n〉)<fOSCの場合正の電圧を有し、f(q−w,〈n〉)>fOSCの場合負の電圧を有し、f(q−w,〈n〉)=fOSCの場合零電圧を有するように選択することができる。
【0063】
本発明によれば、システムは以下のように制御することができる。
【0064】
1. プラズマ発生器240をオフにした状態で、弁別器110、増幅器105及び発振器100を調整する。従って、発振器100は、開放共振器の適切なモードに固定される。
【0065】
2. 〈n〉、〈n〉の所望の値に対応する発振器100の周波数を計算する。
【0066】
3. プラズマ発生器用制御回路102’を外した状態で、プラズマ発生器用制御共振器245を上記の工程2で計算した周波数に設定する。
【0067】
4. (1)コンピュータ250、(2)制御回路要素及びプラズマ発生器240を通電する。
【0068】
5. プラズマ発生器用制御増幅器115’の出力電圧をモニタして制御システム全体が正しく機能していることを確かめる。
【0069】
図7に示す本発明の代替の実施の形態においては、図6の実施の形態の一部をディジタル・シグナル・プロセッサ(DSP)290及び補助回路に置き換えている。具体的には、(1)コンピュータ、(2)第2の安定器102’及び(3)プラズマ発生器基準共振器245が、(1)DSP290、(2)少なくとも一つのA/D変換器(例えば270A)及び(3)2つのD/A変換器280A及び280Bと置き換えられている。DSP290は3つの入力、すなわち、(1)データ入力デバイス275を介して(例えばキーボードを介して、あるいはA/D変換器270Bを通る電位差計を介して)入力された、所望のプラズマ密度に対応する発振器周波数のための発振器制御電圧と、(2)A/D変換器270Aによって変換されている安定器回路102のディジタル等価電圧及び(3)開放共振器170の出力ラインに接続された検波器220によって供給されるカウンタ230の出力に反応する。
【0070】
開放共振器170内の電磁場が発振器周波数の制御の喪失により減衰した場合、開放共振器170の出力ラインの検波器220の出力は0に低下し、カウンタ230は該事象を記録する。固定の喪失は、DSP290に、以下に説明するように固定を回復するためのアルゴリズムを始動すること、および/または装置オペレータに固定の喪失及び装置の誤動作の可能性を警告することを知らせるのに用いることができる。検波器220からの零出力は、発振器周波数が開放共振器170の共振周波数に固定されていないということを意味することに注意されたい。
【0071】
DSP290の第1の出力は、D/A変換器280Aによって発振器100のための制御電圧として用いられるアナログ信号に変換される。DSP290の第2の出力は、D/A変換器280Bによってプラズマ発生器240を制御するのに用いられるアナログ信号に変換される。
【0072】
プラズマ発生器制御電圧の変動は、プラズマ密度を変化させ、また弁別器110、弁別器増幅器115及びA/D変換器270Aの出力を変化させる。DSP290は、D/A変換器280Aを介して制御電圧を変化させることによって反応し、そのため発振器100の周波数もまた変化する。発振器制御電圧の更新値は、更新プラズマ密度の基準である。DSP290は、発振器100のセイゴ端子に供給される電圧のディジタル等価値を、入力デバイス275を介して入力されたデータと比較し、適切な制御信号をD/A変換器280Bを介してプラズマ発生器240に送る。そして固定された発振器100の出力はプラズマ室に印加される。
【0073】
システムのサンプリング周期は、DSP290によって固定外れ状態を認識することを確実にするように選択される。DSP290は、発振器周波数と開放共振器の共振周波数との間の固定を回復するための種々のアルゴリズムを用いても良い。このような第1のアルゴリズムは、無線周波(RF)パワー、ガス圧力、ガス流速、プラズマ室の温度及びプラズマ光学特性等の一つまたはそれ以上の測定パラメータに基づいて予測プラズマ密度を計算する。そしてDSP290は、計算された周波数限界内で弁別器の零点を探す。このような第2のアルゴリズムは、およそのプラズマ密度を決定するための一貫輸送間隔を測定し、決定密度における弁別器の零点の検索を行う。
【0074】
図8は、図6に示した、プラズマ発生器240を制御するコンピュータ250の実施の形態の略図である。コンピュータ250は、CPU406、メモリ408(例えば、DRAM、ROM、EPROM、EEPROM、SRAM、SDRAMやフラッシュRAM)および他の任意の特定の目的のための論理素子(例えばASIC)あるいは変更可能な論理素子(例えば、GALや再プログラム可能なFPGA)を含むマザーボード404を収容するコンピュータ・ハウジング402を含む。コンピュータ250はまた複数の入力デバイス(例えば、キーボード422やマウス424)や、モニタ420を制御するディスプレイカード410を含む。さらに、コンピュータシステム250は、フロッピーディスク・ドライブ414、他の交換可能メディアデバイス(例えば、コンパクト・ディスク419、テープ、交換可能MOメディア(図示せず))やハードディスク412あるいは適当なデバイス・バス(例えば、SCSIバス、E−IDEバス、超DMAバス)を用いて接続された他の固定された、高密度メディア・ドライブを含む。コンピュータ250はさらに、同様のデバイス・バスまたは他のデバイス・バスに接続された、コンパクト・ディスク・リーダー418、コンパクト・ディスク読取り装置/書込み装置(図示せず)またはコンパクト・ディスク・ジュークボックス(図示せず)を含んでも良い。コンパクト・ディスク419はCDキャディー内に図示されているが、該コンパクト・ディスク419はキャディーを必要としないCD−ROM内に直接挿入することができる。さらに、プリンタ(図示せず)は、発振器100及び共振器170の周波数がどのようにうまく整合するかの一覧表を出力する。
【0075】
上述したように、上記システムは少なくとも一つのコンピュータ読取り可能メディアを含む。コンピュータ読取り可能メディアの例としては、コンパクト・ディスク419、ハード・ディスク412、フロッピー・ディスク、テープ、MOディスク、PROM(EPROM、EEPROM、フラッシュEPROM)、DRAM、SRAM、SDRAM等がある。本発明は、コンピュータ読取り可能メディアのうちのいずれか一つまたはいくつかに蓄積された、コンピュータ250のハードウェアを制御し、かつ該コンピュータ250がユーザと対話できるようにするためのソフトウェアを含む。このようなソフトウェアは、限定されないが、デバイス・ドライバ、オペレーティング・システム及びデベロップメント・ツールのようなユーザ・アプリケーションを含んでも良い。このようなコンピュータ読取り可能メディアは、さらに、本発明による、プラズマ発生器240を制御するコンピュータ・プログラム・プロダクトを含む。本発明のコンピュータ・コード・デバイスは、スクリプトに限定されないが、インタープリタ、ダイナミック・リンク・ライブラリ、Java class及び完全に実行可能なプログラムを含む、翻訳処理された又は実行可能なコード・メカニズムである。また、上述したセパレートDSP290、コンピュータ250は、上述の機能を実行するようにプログラムされることによって実際にDSPに置き換えても良い。コンピュータ250はまた、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、一度に一つ以上の処理を制御しても良い。
【0076】
上述の教示の見地から、明らかに、本発明の多数の変更形態および変形形態が可能である。従って、特許請求の範囲内で、本発明は、添付したクレームの範囲内で、本願明細書に記載した以外の別な方法で実施することができるということを理解されたい。
【0077】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、開放共振器内へのプラズマの導入により共振周波数が変化したときに、局部発振器の周波数を予め選択された開放マイクロ波共振器の共振周波数に固定する周波数安定化システムを用いた電子密度の測定及びプラズマ処理制御システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 マイクロ波空洞及び局部発振器の周波数を整合する公知の安定化回路のブロック図である。
【図2】 図1の安定化回路に用いる公知の弁別器の略図である。
【図3】 開放共振器が安定化共振器として作動する場合に、プラズマを含む開放共振器に適用される、図2の弁別器の略図である。
【図4】 変化する周波数に基づく弁別器110の出力のグラフである。
【図5】 本発明に係る発振安定化回路の線図である。
【図6】 本発明に係るプラズマ発生器制御システムの第1の実施の形態のブロック図である。
【図7】 ディジタル・シグナル・プロセッサを用いた、本発明に係るプラズマ発生器制御システムの第2の実施の形態のブロック図である。
【図8】 本発明に係る制御システムの一部を実施するためのコンピュータのブロック図である。
【図9】 本発明の一実施形態に係るマイクロ波ブリッジから得られたオシロスコープの波形を示す図である。
【符号の説明】
100…発振器
105…空洞
110…弁別器
115…増幅器

Claims (10)

  1. プラズマ発生器を制御するためのシステムであって、
    プラズマチャンバー内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生器と、
    前記プラズマチャンバー内で発生したプラズマ中に浸され、共振周波数で安定化共振器として動作する開放共振器と、
    前記開放共振器に、可変周波数を有する発振出力を供給する安定化発振器と、
    前記開放共振器の共振周波数と前記安定化発振器の可変周波数との差を測定し、補正信号を前記安定化発振器に印加して前記可変周波数を、前記共振周波数に実質的に整合させるために変化させるマイクロ波周波数弁別器を含み、前記プラズマ発生器によって生成されたプラズマの特性の変化により共振周波数が変化する時に、前記開放共振器の共振周波数に対して、安定化発振可変周波数がロックされる制御回路と、
    を具備することを特徴とするシステム。
  2. 前記システムは、1010〜1012cm−3の範囲のプラズマ密度を測定する弁別器を具備することを特徴とする請求項1記載のシステム。
  3. 前記システムは、1010〜1012cm−3の範囲の電子密度を測定する弁別器を具備することを特徴とする請求項1記載のシステム。
  4. 前記開放共振器がさらに、該開放共振器に設けられた、入力絞りと該入力絞りと分離された出力絞りとによる入出力マイクロ波接続を受ける反射器を含むことを特徴とする請求項1記載のシステム。
  5. 前記制御回路が、さらに前記マイクロ波周波数弁別器に接続され、補正信号を出力する増幅器を具備することを特徴とする請求項1記載のシステム。
  6. 前記制御回路が、さらに、プラズマ発生器基準共振器において、
    前記マイクロ波周波数弁別器は、前記補正信号を生成するために、前記プラズマ発生基準共振器の共振周波数を前記発振器の前記変動する周波数と比較することを特徴とする請求項1記載のシステム。
  7. 前記制御回路がさらに、前記発振器の制御電圧として用いられるアナログ信号を前記プラズマ発生器に印加する前に前記補正信号を処理するコンピュータを具備することを特徴とする請求項記載のシステム。
  8. 前記制御回路がさらに、前記マイクロ波弁別器の出力を入力データと比較してプラズマ発生器を制御するディジタル・シグナル・プロセッサを含むことを特徴とする請求項記載のシステム。
  9. 前記開放共振器がさらに、それぞれに前記入出力マイクロ波接続が設けられる複数の反射器を含むことを特徴とする請求項記載のシステム。
  10. 前記開放共振器と結合し、振動数弁別器に向かう前記開放共振器の周波数を設定する結合絞りと、
    前記マイクロ波周波数弁別器の第1と第2マイクロ波出力を検知し、該第1及び第2のマイクロ波出力を表す第1及び第2の電圧信号を供給する一対の検波器と、
    前記第1及び第2の電圧信号の差に基づく前記制御信号を生成する差動増幅器と、
    をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
JP2001511588A 1999-07-20 2000-07-20 プラズマ発生器を制御するためのシステム Expired - Fee Related JP4455794B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14488099P 1999-07-20 1999-07-20
US60/144,880 1999-07-20
PCT/US2000/019539 WO2001006402A1 (en) 1999-07-20 2000-07-20 Electron density measurement and plasma process control system using a microwave oscillator locked to an open resonator containing the plasma

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003505828A JP2003505828A (ja) 2003-02-12
JP4455794B2 true JP4455794B2 (ja) 2010-04-21

Family

ID=22510554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001511588A Expired - Fee Related JP4455794B2 (ja) 1999-07-20 2000-07-20 プラズマ発生器を制御するためのシステム

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1212692B1 (ja)
JP (1) JP4455794B2 (ja)
KR (1) KR100792303B1 (ja)
CN (1) CN1150607C (ja)
TW (1) TW480414B (ja)
WO (1) WO2001006402A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459067B1 (en) * 2001-04-06 2002-10-01 Eni Technology, Inc. Pulsing intelligent RF modulation controller
US7214289B2 (en) 2001-10-24 2007-05-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for wall film monitoring
TWI312645B (en) * 2002-07-11 2009-07-21 Panasonic Corporatio Method and apparatus for plasma doping
JP4777647B2 (ja) * 2002-07-23 2011-09-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ診断システムおよびその制御方法
JP4099074B2 (ja) * 2003-01-27 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5404984B2 (ja) * 2003-04-24 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置
US7164095B2 (en) 2004-07-07 2007-01-16 Noritsu Koki Co., Ltd. Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
US7806077B2 (en) 2004-07-30 2010-10-05 Amarante Technologies, Inc. Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation
US7271363B2 (en) 2004-09-01 2007-09-18 Noritsu Koki Co., Ltd. Portable microwave plasma systems including a supply line for gas and microwaves
US7189939B2 (en) 2004-09-01 2007-03-13 Noritsu Koki Co., Ltd. Portable microwave plasma discharge unit
GB2478509B (en) * 2008-12-03 2013-08-21 Univ Dublin City A method and system for identifying the resonance frequency of a probe resonating in plasma
JP5511272B2 (ja) * 2009-09-04 2014-06-04 学校法人中部大学 プラズマの電子密度及び電子温度の測定プローブ及び測定装置
CN102573257A (zh) * 2012-01-11 2012-07-11 西安电子科技大学 大面积均匀等离子体电子密度控制系统
CN104244554A (zh) * 2013-06-21 2014-12-24 电子科技大学 一种利用准光学谐振腔快速实时诊断等离子体的新方法
US10153133B2 (en) 2015-03-23 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion
US10748745B2 (en) * 2016-08-16 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Modular microwave plasma source

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179264A (en) * 1989-12-13 1993-01-12 International Business Machines Corporation Solid state microwave powered material and plasma processing systems
US5082517A (en) * 1990-08-23 1992-01-21 Texas Instruments Incorporated Plasma density controller for semiconductor device processing equipment
US5506475A (en) * 1994-03-22 1996-04-09 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Microwave electron cyclotron electron resonance (ECR) ion source with a large, uniformly distributed, axially symmetric, ECR plasma volume
US5568801A (en) * 1994-05-20 1996-10-29 Ortech Corporation Plasma arc ignition system
JPH08255696A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ診断装置
US6252354B1 (en) * 1996-11-04 2001-06-26 Applied Materials, Inc. RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control
US5907820A (en) * 1996-03-22 1999-05-25 Applied Materials, Inc. System for acquiring and analyzing a two-dimensional array of data
KR100792302B1 (ko) * 1999-07-21 2008-01-07 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마를 수용하는 개방형 공진기의 공진주파수에서의 변화를 이용하는 플라즈마 전자밀도 측정시스템 및 플라즈마 전자밀도 측정방법
CN1156868C (zh) * 1999-11-19 2004-07-07 东京电子株式会社 用于等离子体密度测量的稳定化振荡电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN1361889A (zh) 2002-07-31
TW480414B (en) 2002-03-21
EP1212692A4 (en) 2002-11-27
EP1212692A1 (en) 2002-06-12
KR20020029426A (ko) 2002-04-18
EP1212692B1 (en) 2015-09-09
CN1150607C (zh) 2004-05-19
KR100792303B1 (ko) 2008-01-07
WO2001006402A1 (en) 2001-01-25
JP2003505828A (ja) 2003-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4455794B2 (ja) プラズマ発生器を制御するためのシステム
US6799532B2 (en) Stabilized oscillator circuit for plasma density measurement
Lebedev Microwave discharges: generation and diagnostics
US6741944B1 (en) Electron density measurement and plasma process control system using a microwave oscillator locked to an open resonator containing the plasma
US6573731B1 (en) Electron density measurement and control system using plasma-induced changes in the frequency of a microwave oscillator
JP4890714B2 (ja) 電子密度計測・制御システム
Castillo-Herrera et al. Incoherent harmonic emission from strong electromagnetic waves in plasmas
Stern et al. Incoherent microwave scattering from resonant plasma oscillations
JP4339540B2 (ja) マイクロ波発振器のプラズマ誘導の周波数変動を用いた電子密度の測定及び制御システム
Carlini et al. Measurement method and apparatus for monitoring the kinetics of polymerization and crosslinking reactions by microwave dielectrometry
Crawford et al. A microwave method for the study of steady and fluctuating plasma number densities
Cooperberg et al. Surface wave sustained plasmas in a metal bound plasma slab
Kornev et al. Microwave interferometry of chemically active plasma of RF discharge in mixtures based on fluorides of silicon and Germanium
Roussel et al. Longitudinal current profile reconstruction from a wakefield response in plasmas and structures
Kuzmichev Igor et al. Yu. Resonant Systems for Measurement of Electromagnetic Properties of Substances at V-Band Frequencies
Dev et al. Model calculations for the swept frequency acoustic resonator
Moreland et al. Effects of end reflections on the performance of relativistic backward wave oscillators
Lee et al. A cavity type absorption cell for double resonance microwave spectroscopy
Foulds Resonant-cavity measurements of the relative permittivity of a dc discharge
Böhm Resonant microwave absorption in an overdense plasma column
Steward et al. Microwave studies of the dynamic Stark shift
Phelps et al. Direct nonlinear coupling of electromagnetic waves and electrostatic waves in a plasma: experiment
Veverini et al. Analysis of near-confocal spherical mirror resonators in the microwave region
Benmakroha Design and Construction of a Microwave Spectrometer
Hassal Continuous microwave excitation of excimer lamps

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080826

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090831

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100105

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100204

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4455794

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160212

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees