JP4777647B2 - プラズマ診断システムおよびその制御方法 - Google Patents

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Description

(関連出願の相互参照)
この出願は、本出願が優先権を主張する、2001年1月25日に発行された同時係属の国際出願第PCT/US00/19539号、国際公開第WO01/06402号、2001年1月25日に発行された国際出願第PCT/US00/19536号、国際公開第WO01/06544号、2001年1月25日に発行された国際出願第PCT/US00/19535号、国際公開第WO01/06268号、2001年7月20日に出願された国際出願第PCT/US00/19540号、2001年10月24日に出願された、代理人名簿番号212961US6YA PROVの「壁部膜のモニタリングのための方法及び装置(Method and apparatus for wall film monitoring)」というタイトルの係属出願第60/330,518号、2001年10月24日に出願された、代理人名簿番号212759US6YA PROVの「電子密度測定のための方法及び装置(Method and apparatus for electron density measurement)」というタイトルの係属出願第60/330,555号、2002年1月31日に出願された、代理人名簿番号218217US6YA PROVの「電子密度測定及びプロセス状態検証のための方法及び装置(Method and apparatus for electron density measurement and verifying process status)」というタイトルの係属出願第60/352,502号、2002年1月31日に出願された、代理人名簿番号214460US6YA PROVの「プラズマ状態の判断及び制御のための方法及び装置(Method and apparatus for determination and control of plasma state)」というタイトルの係属出願第60/352,546号、2002年1月31日に出願された、代理人名簿番号217716US6YA PROVの「装置状態のモニタリング及び検証のための方法及び装置(Method and apparatus for monitoring and verifying equipment status)」というタイトルの係属出願第60/352,504号、20
02年1月31日に出願された、代理人名簿番号216949US6YA PROVの「共振空洞へのマイクロ波結合を改善する装置及び方法(Apparatus and method for improving microwave coupling to a resonant cavity)」というタイトルの係属出願第60/352,503号、および2002年7月23日に出願された、代理人名簿番号225355US6YA PROVの「電子密度測定のための方法及びシステム(Method and system for electron density measurement)」というタイトルの係属出願第60/397,661号に関連する。これらの出願の内容は参照してここに組み込まれる。
本発明は、プラズマ処理に関し、より具体的には、マンマシンインタフェース(man−machine interface;MMI)及びリモートMMIを備えるプラズマ処理のための診断システムに関する。
半導体産業における集積回路(IC)の製造は、一般に、基板から材料を除去し、また基板に材料を堆積させるのに必要なプラズマ処理チャンバ内での表面化学作用を生じさせかつ促進するために、プラズマを用いる。一般に、プラズマは、電子を加熱して、供給されるプロセスガスによってイオン化衝突を持続するのに十分なエネルギを与えることにより、真空条件下で、該処理チャンバ内に生成される。また、加熱された電子は、電離衝突を持続するのに十分なエネルギを有することができ、そのため、所定の条件(例えば、チャンバ圧力、ガスフローレート等)下での特定のガスの組合せは、該チャンバ内で実行される特定のプロセス(例えば、基板から材料が除去されるエッチングプロセスや基板に材料が添加される成膜プロセス等)に適した荷電活性種、及び化学的反応性活性種からなる集団を生じるように選択される。
半導体業界は、より小さいICを生産するように、および見込みのあるICの歩留りを向上させるように、絶えず努力している。そのため、ICを処理するのに使用される材料処理装置は、エッチング及び成膜プロセスに対して強まる厳しい性能要求(例えば、レート、選択性、微少寸法等)を満たすことを要求されている。
上述した要求を満たすため、プラズマ処理システムは、プロセスを厳密に制御するのに必要な幅広いデータを生成するために、様々な診断システムを備えている。しかし、半導体製造に用いられる該診断システムは、複雑になる可能性があり、一般に、操作するのに熟練者を必要とする。従って、そのような診断システムの使用を単純化しおよび/または自動化するユーザインタフェースを提供することが必要である。
本発明は、プラズマ処理中に、電子密度をモニタする方法及びシステムに関する。本発明は、有利には、半導体製造者が、半導体産業で使用される材料処理装置に対する厳しい性能要求を満たすことができる方法及びシステムを提供する。
本発明は、マルチモーダル共振器と、該マルチモーダル共振器に結合された電源と、マルチモーダル共振器に結合された検出器と、該電源と該検出器とに結合されたコントローラとを備え、該コントローラが、少なくとも1つの機能を備え、該少なくとも1つの機能は、ガンダイオード電圧モニタ、ガンダイオード電流モニタ、バラクタ電圧モニタ、検出器電圧モニタ、バラクタ電圧制御、バラクタ電圧スイープ制御、共振ロックオン制御、グラフィカルユーザ制御及び電子密度モニタを含む、プラズマ処理のための診断システムを提供する。
本発明の目的は、上記コントローラが、上記少なくとも1つの機能を実行するマンマシンインタフェースをさらに備えることである。
本発明の目的は、上記コントローラが、上記少なくとも1つの機能を実行するグラフィカルユーザインタフェースをさらに備えることである。
本発明は、さらに、上記コントローラを起動する工程と、上記電源のバラクタ電圧を制御するためにバラクタ電圧制御を選択する工程と、上記検出器からの電圧をモニタするために、検出器電圧モニタを選択する工程と、前記コントローラを用いて、上記電源に対するバラクタ電圧を調整する工程とを含む、上記診断システムを制御する方法を提供する。
本発明は、さらに、上記コントローラを起動する工程と、上記電源のバラクタ電圧を自動制御するために、バラクタ電圧スイープ制御を選択する工程と、バラクタ電圧をディスプレイに結合する工程と、上記検出器からの伝送信号を該ディスプレイに結合する工程とを含む、上記診断システムを制御する別の方法を提供する。
本発明は、さらに、上記コントローラを起動する工程と、共振ロックオン制御を選択する工程と、上記電源のバラクタ電圧に対するバラクタ電圧設定値を設定する工程と、該コントローラを用いて、該バラクタ電圧設定値を活性化することにより、上記マルチモーダル共振器の空洞共振に対して、該電源の出力周波数をロックする工程とを含む、上記診断システムを制御する他の方法を提供する。
本発明の一実施形態においては、上記診断システムは、さらに、上記コントローラに結合されたリモートコントローラを備え、該リモートコントローラは、上記少なくとも1つの機能を実行するリモートマンマシンインタフェースを備える。
本発明は、さらに、上記リモートマンマシンインタフェースを用いて上記診断システムをリモート制御する方法であって、上記コントローラを起動する工程と、該リモートマンマシンインタフェースを起動する工程と、バラクタ電圧スイープ制御を選択する工程と、デフォルト設定を用いて該バラクタ電圧スイープ制御を起動する工程とを含む方法を提供する。
本発明の別の目的は、上記バラクタ電圧スイープ制御を起動する前に、該デフォルト設定を変更することである。
本発明は、さらに、上記リモートマンマシンインタフェースを用いて上記診断システムをリモート制御する別の方法であって、上記コントローラを起動する工程と、上記リモートマンマシンインタフェースを起動する工程と、共振ロックオン制御を選択する工程と、デフォルト設定を用いて、該共振ロックオン制御を起動する工程とを含む別の方法を提供する。
本発明の別の目的は、共振ロックオン機能を起動する前に、該デフォルト設定を変更することである。
本発明のこれら及び他の効果は、添付図面と共に解釈すれば、本発明の例示的な実施形態の以下の詳細な説明からより容易に明白になり、より容易に認識されよう。
本発明は、一般に、半導体産業における集積回路の製造に関する。本発明は、有利には、半導体製造者が、半導体産業で使用される材料処理装置に対する厳しい性能要求を満たすことができる方法及び装置を提供する。
材料処理装置の性能を改善する方法は、製造プロセス中に、処理チャンバ内のプラズマ電子密度をモニタリングして制御することである。典型的には、プラズマ電子密度は、実行されるプロセスが、プロセスが実行される基板の全面に作用して一様になるように維持される。
プラズマ電子密度を測定するのに使用される例示的な装置は、電子プラズマ周波数を超える適度に高い周波数のマイクロ波システムである。該装置は、プラズマ中に浸された一組のミラーを含む。マイクロ波パワーは、第1のミラー上の第1のマイクロ波ポートに結合され、対向するミラーによって形成された共振空洞を通るマイクロ波パワーの伝送をモニタするために、検出器が用いられる。該検出器は、該第1のミラー上の第2のポートまたは第2のミラー上の第2のポートのいずれかに結合される。ガウス形ビームの場合、空洞伝播は、個別の周波数で生じる。該個別の周波数は、次の等式で表わされるように、各ミラーのアペックス間の半波長の整数に相当する。
Figure 0004777647
ただし、ν0,0,qは、(モード次数の共振周波数であり(縦モードのみを仮定し、すなわち、m=n=0)、cは、真空中の光の速度であり、nは、上記ミラーによって制限された媒質に対する屈折率であり、dはミラー間隔(アペックス間)である。真空の場合、n=1であるが、プラズマの存在は、または、より具体的には、自由電子の集団は、該屈折率の低減、あるいは、空洞共振周波数ν0,0,qの観察可能な増加(ずれ)につながる。所定のモードqの場合、該周波数のずれは、屈折率nと関連付けることができ、(積分した)電子密度<n>は、ν≫ωpe/2πの場合、次の等式で表わされる。
Figure 0004777647
より詳細には、プラズマ電子密度を測定する上記システムの使用は、国際出願第PCT/US00/19539号(米国特許出願第60/144,880号に基づく)、国際出願第PCT/US00/19536号(米国特許出願第60/144,883号に基づく)、国際出願第PCT/US00/19535号(米国特許出願第60/144,878号に基づく)、および国際出願第PCT/US00/19540号(米国特許出願第60/166,418号に基づく)に記載されており、これらの出願の各々は、その全体が参照してここに組み込まれる。
本発明によるプラズマ処理システム1の一実施形態を図1に示す。プラズマ処理システム1は、プラズマチャンバ20と、プラズマチャンバ20内での使用のための診断システム30とを含む。診断システム30は、一般に、少なくとも1つのマルチモーダル共振器35と、電源60と、検出器70と、コントローラ80とを含む。コントローラ80は、例えば、コンピュータまたはディジタル信号プロセッサを含むことができる。また、診断システム30は、コントローラ80に結合されたマンマシンインタフェース(MMI)82と、コントローラ80に結合されたリモートコントローラ84と、リモートコントローラ84に結合されたリモートMMI86とを備えることができる。リモートコントローラ84は、例えば、コンピュータまたはディジタル信号プロセッサとすることができる。好ましくは、マルチモーダル共振器35は、少なくとも1つの反射面を有する開共振空洞を備え、反射面は、平面および/または非平面の外形を有することが可能である。好適な実施形態において、該反射面は、プラズマチャンバ20内に設けられている。別法として、少なくとも1つの反射面を、プラズマチャンバ20の外部に設けることができる。
プラズマチャンバ20は、一般に、底部壁部22と、上部壁部24と、第1の側壁26及び第2の側壁27を含む側壁とを含む。また、プラズマチャンバ20は、プラズマチャンバ20内で処理するために基板14がその上に配置される基板ホルダ28の上面等の、ウェーハ面29を有する基板ホルダ28(またはチャックアセンブリ)も含む。
好適な実施形態において、マルチモーダル共振器35は、マイクロ波ウィンドウアセンブリ90を介して電源60に結合された第1のマイクロ波ミラー40と、別のマイクロ波ウィンドウアセンブリ90を介して検出器70に結合された第2のマイクロ波ミラー50とを備える。マルチモーダル共振器は、プラズマチャンバ20内の基板ホルダのウェーハ面に概して平行な軸に沿って伸びている。
好適な実施形態において、第1のマイクロ波ミラー40は、凹状面42を有し、プラズマチャンバ20内に設けられている。第2のマイクロ波ミラー50は、凹状面52を有し、プラズマチャンバ20内に設けられている。別法として、該ミラー面は、平坦なおよび/または凸状の面を有することが可能である。
図1に示す実施形態において、第1のミラー40は、プラズマチャンバ20の側壁26に一体化されており、また第2のミラー50は、プラズマチャンバ20の側壁27に一体化されている。第2のマイクロ波ミラー50の凹状面52は、第1のマイクロ波ミラー40の凹状面42と対向して向けられている。この構造は、該ミラー間の間隔が該ミラーの曲率半径に等しい場合、共焦構造と呼ぶことができる。代替の実施形態においては、該ミラーは、(曲率半径Rの凹状面を備える)第1のミラーが、平坦面を備える第2のミラーから距離d=Rに配置されている、半共焦構造で配置されている。代替の実施形態においては、間隔dは、共焦構成において、両ミラーの曲率半径と、または、半共焦構成において、両ミラーの曲率半径と、異なるように調整される。代替の実施形態において、各ミラーの曲率半径は、任意である。上記間隔及び各ミラーの曲率半径の選定は、共振空洞を設計する当業者には公知である。
電源60は、第1のマイクロ波ミラー40を含むマイクロ波ウィンドウアセンブリ90に結合されており、マイクロ波信号を生成するように構成されている。好ましくは、マルチモーダル共振器35内の該マイクロ波信号は、基板ホルダ28のウェーハ面29に概して平行な軸45に沿って伝わる。しかし、マルチモーダル共振器35内の該マイクロ波信号が、基板ホルダ28のウェーハ面29に概して平行な方向に伝わらないことも可能である。コントローラ80は、電源60に結合されており、電源60の出力周波数、出力電力、出力位相及び動作状態のうちの少なくとも1つを変更するようになっている。例えば、コントローラ80は、プラズマが、プラズマチャンバ20内に生成される前、間及び後の様々な時点で、電源60にその動作状態を変更させることができる。
また、コントローラ80は、検出器70にも結合されている。好ましくは、検出器70は、少なくとも1つの伝送されたマイクロ波信号を測定し、かつ伝送された信号測定データを生成するように構成されており、検出器70は、少なくとも1つの反射されたマイクロ波信号を測定し、かつ反射信号測定データを生成するように構成されている。別法として、検出器70は、少なくとも1つの伝送されたマイクロ波信号を測定し、かつ伝送された信号測定データを生成するように構成され、あるいは、検出器70は、少なくとも1つの反射されたマイクロ波信号を測定し、かつ反射された信号測定データを生成するように構成されている。
図1に示す実施形態において、マイクロ波ミラー40及び50は、凹状面42及び52が、それぞれ、互いに対向するように、プロセス領域12内に浸すことができる。マイクロ波パワーは、マイクロ波ウィンドウアセンブリを介して、電源60から第1のミラー40に入力され、検出器70は、第2のマイクロ波ウィンドウアセンブリ90を用いて、対向する第2のミラー50に結合することによって、空洞伝播をモニタするように構成されている。検出器70は、図1の場合のように、マイクロ波パワーが入力されるミラーと対向するミラーに結合することができ、または、該検出器は、マイクロ波パワーが入力される同じミラー(例えば、図1の第1のミラー)に結合することができ、あるいは、検出器は、両ミラーに結合することができる。以下に、より詳細に説明するように、マイクロ波ウィンドウは、マイクロ波入力と該検出器との間に挿入されており、マイクロ波が入力される各ミラーと該検出器は、プラズマ処理チャンバ20内の真空の完全性を保つために接続されている。
図2は、第1のミラー40のためのマイクロ波ウィンドウアセンブリ90の詳細図を示す。例えば、マイクロ波ウィンドウアセンブリは、電源60からチャンバ壁26内の開口44を介した第1のミラー40までの結合を形成するのに用いることができる。実質的に同じ構造を有するウィンドウアセンブリ90を第2のミラー50のために設けることができ、該アセンブリは、第2のミラー50からチャンバ壁27内の開口54を介した検出器70までの結合を形成するのに用いられる。
図2に示すマイクロ波ウィンドウアセンブリ90は、ウィンドウフランジ94と、第1のミラー40の凹状面47との間に設けられているマイクロ波ウィンドウ92を含む。図2に示す実施形態において、ウィンドウ92は、第1のミラー40の後方面46の凹状部48内に設けられている。マイクロ波ウィンドウ92は、ウィンドウフランジ94に設けられた第1のOリング96と、第1のミラー40の凹状面47に設けられた第2のOリング97との間に設けられている。マイクロ波ウィンドウ92が、第1のミラー40の後方面46の凹状部48内に確実に設けられるように、ウィンドウフランジ94を第1のミラー40に接続するために、複数のファスナー98が設けられている。ウィンドウ92は、ウィンドウフランジ94を貫通して伸びる導波管開口95、および第1のミラー40を貫通して伸びる導波管開口44に対して中心に設けられる。矩形状の導波管開口44及び95は、工程に関する特定のマイクロ波帯のために一定の大きさに形成され、EDMを用いて製造される。代替の実施形態においては、矩形状の導波管開口44は、可変の垂直および/または横方向の寸法を有する矩形状断面を備える。例えば、導波管開口44は、ピラミッド形ホーン、E面ホーン、またはH面ホーン等のマイクロ波ホーンを備えることができる。マイクロ波ホーンのデザイン及び実装に関する詳細は、参照してここに組み込まれる(2002年1月31日に出願された)係属中の米国特許第60/352,503号明細書に記載されている。代替の実施形態においては、導波管開口44及び95は、非矩形状(例えば、円形)である。一般に、処理材料は、真空またはウィンドウ92のプロセス側で形成するが、該処理材料は、プラズマにさらされているミラー面に形成するのとは異なる速度で形成する。マイクロ波ウィンドウ92は、アルミナ(サファイア)、窒化アルミニウム、石英、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE/テフロン)またはカプトン等の絶縁材料から製造される。ウィンドウ92は、好ましくは、その酸化エッチングプロセスとの親和性により、サファイアから製造される。
ミラー40及び50は、好ましくは、アルミニウムから製造される。代替の実施形態においては、ミラー40及び50は、好ましくは、10から50ミクロン厚の陽極酸化で陽極処理され、または、イットリウム(Y)、酸化アルミニウム(Al)、または該2つの材料の組合せ等の材料で被覆される。
マイクロ波電源60は、好ましくは、電子工学的に調整可能な電源である。例えば、マイクロ波電源60は、電圧制御ガンダイオードオシレータ(VCO)とすることができる。該VCOのバラクタダイオードが直流電圧でバイアスされた場合、該VCOの出力周波数は、いくつかのスペクトル範囲にわたって変化させることができる。そのため、該VCOの仕様は、通常、中心周波数、帯域幅及び最少出力電力を含む。例えば、35GHzで、一般的に入手可能なVCOは、ミリテック社(Millitech,LLC)(20 Industrial Drive East,South Deerfield,MA
01373−0109)が提示したWBV−28−20160RI Gunn diode oscillatorである。このVCOのための仕様は、35GHzプラスまたはマイナス1GHzの帯域幅の中心周波数と、40mWの最少出力電力とを含む。バイアス調節範囲は、一般に、+25Vから−25Vに及び、それにより、このバイアス電圧を調節することが、VCOの出力周波数の変化につながる。代替の実施形態において、70GHzや105GHz等のより高い周波数での動作は、上述したVCOを有する周波数二倍器(MUD−15−16F00)または周波数三倍器(MUT−10−16F00)を用いて実施することができる。上記の構成を用いて、70GHzの中心周波数±2GHzの帯域幅及び0.4から0.9mWの最少出力電力と、105GHzの中心周波数±3GHzの帯域幅及び0.4から0.7mWの最少出力電力をそれぞれ実現することができる。好適な実施形態においては、94GHz VCO(Model GV−10)が用いられ、これは、ファラン社(Farran Technology LTD)(Ballincollig,Cork,Ireland)から入手可能である。Model GV−10 VCOは、94GHzの中心周波数±750MHzの帯域幅、10mWの最少出力電力及び−0から−25Vのバラタチューニング範囲を有する。
検出器70は、好ましくは、例えば、ミリテック社(Millitech,LLC)から入手可能な汎用ダイオード検出器である。例えば、DXP−15−RNFW0やDXP−10−RNFW0は、それぞれ、Vバンド(50から75GHz)及びWバンド(75から110GHz)における汎用ダイオードである。
再び図1について説明すると、コントローラ80は、電源60及び検出器70に結合されており、作動中の電源60、検出器70及びマルチモーダル共振器35に対して1つ以上の機能を実行できる。コントローラ80は、ガンダイオード電圧モニタ、ガンダイオード電流モニタ、バラクタ電圧モニタ、検出器電圧モニタ及び電子密度モニタ等のモニタリング機能を実行することができる。さらに、コントローラ80は、バラクタ電圧制御、バラクタ電圧スイープ制御、共振器ロックオン制御及びグラフィカルユーザ制御のうちの少なくとも1つを含む制御機能を実行することができる。
式(1)に関してすでに説明したように、マルチモーダル共振器35を通る伝送は、個別周波数で、より具体的には、縦共振が存在する個別周波数で発生する。例えば、電圧制御オシレータ(VCO)を備える電源60を用いた場合、マルチモーダル共振器35に結合されたマイクロ波エネルギの周波数は、上記バラクタダイオードのバイアス電圧を調節することにより、該VCOの帯域幅全域で変化させることができる。そのため、該バラクタバイアス電圧、すなわちVCO周波数を調節すること、および検出器70からの信号出力をモニタすることは、図3に示すように伝送スペクトルを観察することができる。図3は、負極性検出器を用いて観察した典型的な伝送スペクトルを示し、周波数空間における縦共振及び共振の間隔または自由スペクトル範囲(free spectral range;FSR)を示す。一実施形態において、コントローラ80は、オペレータが、上記バラクタ電圧を手動調節できるようにし、かつ例えば、各々が、ディスプレイを介してデータを表示することができる、内部または外部のオシロスコープまたはコンピュータを使用して、上記検出器出力をモニタすることを可能にするバラクタ電圧制御を実行できる。他の代替の実施形態においては、コントローラ80は、内部に設けられた波形発生器を用いた該バラクタ電圧の自動スイープを可能にするバラクタ電圧スイープ制御を実行できる。同様に、例えば、上記検出器出力は、各々が、ディスプレイを介してデータを表示することができる、内部または外部のオシロスコープまたはコンピュータを使用して、モニタすることができる。両機能とも、以下にさらに詳細に説明する。
本発明の他の実施形態においては、コントローラ80は、電源60及び検出器70に結合されたロックオン回路を含む共振ロックオン制御を実行できる。該ロックオン回路は、電源60の出力周波数を空洞共振にロックするのに用いることができる。該ロックオン回路は、ディザ信号(例えば、1kHz、10mV振幅の方形波)を、該電圧に実質的に近い直流電圧及びマルチモーダル共振器35の予め選定された縦周波数に相当する関連出力VCO周波数に重ねる(例えば、該VCOの出力周波数は、選定された空洞縦共振の「エンベロープ」内に含まれる)。検出器70によって検出された伝送信号は、上記ロックオン回路に供給され、そこで空洞伝送関数の第1の導関数を表わすことができる(伝送電力対周波数)。検出器70から該ロックオン回路への信号入力は、それによってVCOバイアス電圧の直流成分が、図3に示すような予め選定された縦共振のピークに関連する周波数に対してVCO出力周波数を駆動するように調節されるエラー信号を生成する。図3は、(負極性の検出器からの)例示的な空洞伝送スペクトルを示し、いくつかの縦共振及び各自由スペクトル範囲(FSR)を示す。
上述したように、マルチモーダル共振器35内へのプラズマの導入は、図3に示す共振の各々に対して周波数のずれを生じさせる(例えば、電子密度が増加し、あるは、屈折率が式(1)に従って減少した場合、各共振は、図3の右へずれる)。従って、一旦、上記VCOの出力周波数が、選定された空洞共振にロックされると、プラズマを伴う及び伴わない直流バイアス電圧を記録することができ、該選定された共振の周波数のずれは、電圧の差及び各VCO較正から決定される。例えば、基板処理において、該直流バイアス電圧は、一旦、材料処理のためのプロセスツールによって、およびプラズマの点火前に、新たな基板が収容されると記録される。以後、この測定を、真空共振電圧と呼ぶことにする。プラズマが、一旦、生成されると、直流バイアス電圧は、与えられた基板に対する時間の関数として得られ、時変差または結局(式(2)によって)電子密度が記録される。
本発明の別の実施形態においては、コントローラ80は、プラズマ処理システム1に対して局所的に、またはプラズマ処理システム1に対して遠隔に設けることができるグラフィカルユーザ制御を実現できる。例えば、該グラフィカルユーザ制御は、オペレータが、グラフィカルユーザインタフェース(GUI)を用いて、上述した制御機能を局所的にまたは遠隔的に実行できるようにする。
次に、上記のモニタリング及び制御機能の各々について詳細に説明する。図4は、コントローラ80のためのマンマシンインタフェース(MMI)82の例示的な実施形態を示す。別法として、MMI82は、コンピュータのスクリーン上に表示されるグラフィカルユーザインタフェース(GUI)を備えることができる。MMI82は、ガンダイオード電圧モニタ、ガンダイオード電流モニタ、バラクタ電圧モニタ及び検出器電圧モニタの選択を可能にするモニタ機能選択デバイス210を備えることができ、各信号をディスプレイメータ220に表示することができる。別法として、モニタ機能選択デバイス210及び/またはディスプレイメータ220は、GUIを備えることができる。また、MMI82は、バラクタ電圧制御、バラクタ電圧スイープ制御、共振ロックオン制御及びグラフィカルユーザ制御のうちの少なくとも1つの選択を可能にする制御機能選択デバイス230を備えることができる。別法として、制御機能選択デバイス230は、GUIを備えることができる。
コントローラ80及びMMI82は、オン/オフスイッチ240を入れることにより作動させることができる。オン/オフスイッチ240は、コントローラ80を作動させることができ、かつ電源60の製造者によって定められた手順に従って電源60を作動させることができる。例えば、ファラン社(Farran Technology)から入手可能な94GHz VCO(Model GV−10)は、まず、上記バラクタダイオードに電圧が印加されてから、適切な電圧が上記ガンダイオードに印加されることが必要である。他の実施例においては、ミリテック社(Millitech,LLC)から入手可能な35GHz VCO(WBV−28−20160RI)及び周波数三倍器(MUT−10−16F00)を用いた105GHz VCOシステムは、上記バラクタダイオード及びガンダイオードにバイアスをかけるいかなる指示も要しない。コントローラ80は、両タイプのVCOのためのソフトウェアプログラムを備える。
また、MMI82は、複数のステータスインジケータを備えることができる。例えば、MMI82は、コントローラ80への電力を確かめる第1の発光ダイオード(LED)と、上記バラクタダイオードへのバイアス電圧の印加を確かめる第2のLED244と、上記ガンダイオードへのバイアス電圧の印加を確かめる第3のLED246とを備えることができる。一般に、電源60は、該ダイオードを保護し、かつ該ダイオードの故障を防ぐために、さらに、該バラクタダイオード及びガンダイオードに印加される最少及び最大電圧に対する制限を設定することを要する。それらの電圧制限は、コントローラ80で設定することができる。別法として、ステータスインジケータは、GUIを備えることができる。
MMI80は、さらに、バラクタ電圧を表示する第2のディスプレイメータ250を備えることができる。制御機能選択デバイス220が上記バラクタ電圧制御機能に設定されている場合、バラクタ電圧設定値デバイス260は、上記バラクタダイオードに印加される電圧を手動調節するのに用いることができる。また、モニタ機能選択デバイス210が上記検出器電圧モニタに設定されている場合、該検出器電圧(または空洞伝送)は、モニタすることができると共に、該バラクタダイオード電圧を手動でスイープすることができる。別法として、第2のディスプレイメータ250は、GUIを備えることができる。モニタ機能選択デバイス210が上記共振ロックオン制御に設定されている場合には、該バラクタダイオードに印加される電圧は、バラクタ電圧設定値デバイス260を用いて調節することができ、上記ロックオン回路によって用いられるディザ電圧の振幅は、ディザ振幅設定値デバイス270を用いて設定することができる。バラクタ電圧設定値デバイス260及びディザ振幅設定値デバイス270は、例えば、電位差計とすることができる。別法として、バラクタ電圧設定値デバイス260及びディザ振幅設定値デバイス270は、GUIを備えることができる。空洞共振をロックオンしようとする場合、バラクタ電圧設定値は、空洞共振に対応するバラクタ電圧に近い電圧に調節される(例えば、図3に示すような空洞共振の間のどこかにある電圧を選択する)。該バラクタ電圧及びディザ振幅が、一旦、設定されると、該バラクタ電圧設定値は、例えば、ロックオン設定値スイッチ280を作動させることにより、作動可能にすることができる。該バラクタ電圧設定値の作動化は、該バラクタ電圧を該設定値に設定し、それにより、上記ロックオン回路が、電源60の出力周波数を選定された空洞共振にロックできるようにする。該バラクタ電圧が、空洞共振の共振エンベロープに近づくと、該ロックオン回路は、該回路が各空洞共振にロックオンできるようにするエラー信号を決めることができる。空洞共振に対する良好なロックは、モニタ機能選択デバイス210をバラクタダイオード電圧に設定して、ディスプレイメータ220のこの電圧をモニタすることにより決めることができる。バラクタバイアス電圧が、一旦、(上記最少または最大電圧制限におけるものではない)定常値に達すると、電源60の出力周波数は、空洞共振にロックするように決めることができる。
図5は、コントローラ80の例示的なパネルを示す。電源レセプタクル282は、電源ケーブルを使用して、コントローラ80を(AC)電源アウトレットに結合するために設けられている。バラクタ電圧出力テストポイント284は、バラクタ電圧信号を、オシロスコープや電圧計等の他の測定装置に結合するために設けることができる。バラクタ電圧出力テストポイント284は、例えば、SMAまたはBNC接続とすることができる。グラフィカルユーザ制御接続部286は、コントローラ80をリモートコントローラ84に結合するために設けることができる。リモート制御接続部286は、例えば、15ピンコネクタとすることができる。電源接続部288は、コントローラ80を電源60に結合するために設けられている。1組の検出器接続部290及び292、および極性トグルスイッチ294は、コントローラ80を検出器70に結合するために設けることができる。検出器70の極性(例えば、正または負)により、適切な検出器接続部290、292を選択することができ、該極性トグルスイッチを正しく設定することができる。
図6は、図4及び図5に示したモニタリング及び機能制御を可能にするフロー論理を説明するための、コントローラ80の例示的なフロー図300を示す。上述したように、制御機能選択デバイス230は、次の制御機能、すなわち、バラクタ電圧制御、バラクタ電圧スイープ制御、共振ロックオン制御及びグラフィカルユーザ制御のうちの一つの選択を可能にすることができる。
該バラクタ電圧スイープ制御が選択された場合、絶縁出力350に結合された信号は、バラクタ電圧設定値デバイス260から生じる。絶縁出力350は、(必要に応じて)バラクタ電圧を接地電位以外の電圧に参照することを可能にする。例えば、ファラン社(Farran Technology)から入手可能な94GHz VCO(Model GV−10)は、該バラクタ電圧が、上記ガンダイオード電圧の正のノードに参照されることを要する。別の実施例においては、ミリテック社(Millitech,LLC)から入手可能な35GHz VCO(WBV−28−20160RI)及び周波数三倍器(MUT−10−16F00)を用いた105GHz VCOシステムは、該バラクタ電圧が接地電位に参照されることを要する。上記バラクタ電圧スイープ機能が選択された場合には、絶縁出力350に結合された信号は、スイープジェネレータ340から生じる。スイープジェネレータ340は、例えば、のこぎり波発生器を備えることができる。
上記共振ロックオン制御機能が選択された場合には、絶縁出力350に結合された信号は、ロックオン回路310から生じる。ロックオン回路310は、方形波ディザの正の半周期の間に、検出器70から第1の信号322を、および方形波ディザの負の半周期の間に、検出器70から第2の信号324サンプリングするクロック及びディザ回路310を備えることができる。第1の信号322及び第2の信号324は、エラージェネレータ回路330に入力され、エラー信号332が生成されて、絶縁出力350に結合される。
すでに説明したように、オン/オフスイッチ240は、コントローラ80を起動することができ、電源60の製造者によって決められた手順に従って電源60を起動することができる。例えば、ファラン社(Farran Technology)から入手可能な94GHz VCO(Model GV−10)は、まず、上記バラクタダイオードに電圧が印加された後、適切な電圧が上記ガンダイオードに印加されることを要する。他の実施例においては、ミリテック社(Millitech,LLC)から入手可能な35GHz VCO(WBV−28−20160RI)及び周波数三倍器(MUT−10−16F00)を用いた105GHz VCOシステムは、上記バラクタダイオード及びガンダイオードにバイアスをかけるいかなる指示も要しない。図6において、タイミング回路360は、電源オンの間に上記バラクタダイオードが上記ガンダイオードの前にバイアスをかけられ、かつ電源オフの間は、該ガンダイオードへのバイアスは、該バラクタダイオードへのバイアスの前に除かれることを確実にするために、絶縁出力350に結合されている。
タイミング回路360の出力は、電源60及び電流モニタ370に結合され、該ガン電流を決めることができる。
また、図6は、検出器70に結合された入力回路380を示し、入力回路380は、検出器70から受取った信号にゲインを与えることができる。
上記グラフィカルユーザ制御が選択された場合、絶縁出力350への信号入力は、リモート制御接続286を介した信号コマンド入力から生じる。例えば、リモートコントローラ84は、制御部80によって実行できるモニタリング及び制御機能を実行するために、リモート制御接続286に結合することができる。次に、この実施例を用いて、以下、グラフィカルユーザ制御について詳細に説明する。
再び図1について説明すると、リモートコントローラ84は、コントローラ80に結合されており、リモートコントローラ84は、制御機能選択デバイス230がグラフィカルユーザ制御に設定されている場合に、診断システム30をリモート制御するために、オペレータのためのリモートMMI86を備える。
好適な実施形態においては、リモートMMI86は、リモートコントローラ84に対してインストールされるソフトウェアを含む。好ましくは、該ソフトウェアのリモートコントローラ84に対するインストールは、該リモートコントローラのディスプレイ上にアイコンを表示させる。例えば、該アイコンをダブルクリックすると、該ソフトウェアが、リモートMMI86の実行を開始する。好ましくは、ログインスクリーンが表示され、該ログインスクリーンは、リモートMMI86へのアクセスを制御するのに使用される。
好適な実施形態においては、コンピュータ84は、リモートMMI86を制御するMMIソフトウェアを含む。リモートMMI86は、上記バラクタ電圧スイープ機能を実行し、かつ上記共振ロックオン機能を実行するGUIスクリーン400を含む。GUIスクリーン400は、見やすいステータスディスプレイであり、かつコントローラ80との使用のための制御インタフェースである。目に見える警告信号は、該GUIスクリーン上に表示され、MMIソフトウェアによって、インタロックを実行することができる。また、リモートMMI86は、タッチスクリーン、マウスおよび/またはキーボード等の入力デバイスを含む。
図7は、オペレータが、マルチモーダル共振器35における空洞共振を観察するために、上記バラクタ電圧スイープ機能を実行できるようにするGUIスクリーン400を示す。上記グラフィカルユーザ制御を用いた場合、該スイープ機能は、図6に示すように、リモートコントローラ84内に、あるいは、コントローラ80内に生成することができる。GUIスクリーン400は、設定パネル410と、データディレクトリパネル420と、グラフパネル430と、ロックオンサンプルパネル440と、プロットパネル450と、モードパネル460と、ディスプレイパネル470とを備えることができる。
設定パネル410は、複数の設定パラメータを表示する。該複数の設定パラメータは、最少バラクタダイオードスイープ電圧412及び最大バラクタダイオードスイープ電圧414を設定することを含むことができる。設定パネル410は、さらに、ディザ振幅416及びバラクタ電圧設定値418を設定することを含む設定パラメータを表示することができる。
データディレクトリパネル420は、リモートMMI86を用いて取得したデータを格納するディレクトリロケーションを設定することを可能にする。
グラフパネル430は、データ基準化因子432及びデータファイルネーム434を設定すること、およびプリント動作436、コピー動作437及びスケール動作438を実行することを可能にする。データ基準化因子432は、データ取得中に記録されたデータポイントの数を設定するのに用いることができる。例えば、データポイントの最大数は、該基準化因子に整数(1)が与えられた場合、8192とすることができ、また、取得したデータポイントの数は、基準化因子432の整数を増加させることにより低減することができ、例えば、ポイントの数N=8192/{2(j−1)}、ただし、jは、基準化因子432の整数値を表わす。データファイルネーム434のためのデフォルトネーミングは、「MMDDYYYYhhmmsst」で示されるデータスタンプを含むことができ、ただし、MM=01から12の月、DD=01から31の日、YYYY=年、hh=00から24の時、mm=00から60の分、ss=00から60の秒、およびt=0から9の10分の1秒(例えば、「032920020930101」は、2002年3月29日09:30AM10.1秒過ぎを表わす)。プリント動作436は、ディスプレイ470に表示されたプロットを直接、プリンタ、またはポストスクリプト、密閉型ポストスクリプト、PDF、TIFF、JPG、BMP等のプリントレディファイルにプリントすることを可能にする。コピー動作437は、ディスプレイパネル470内にあるプロットをコピーすること、および該プロットをバッファメモリに格納することを可能にする。そして、格納されたプロットは、WORDドキュメント、POWERPOINTドキュメント等のドキュメント内に移動させることができる。スケール動作438は、取得データから決定した縦座標及び横座標範囲に基づいて、ディスプレイパネル470内にあるプロットを基準化することを可能にする。
プロットパネル450は、オペレータが、バラクタダイオード電圧、ガンダイオード電圧、ガンダイオード電流、およびディスプレイパネル470にプロットする検出器電圧を含む1つ以上のデータパラメータを選択できるようにする。
モードパネル460は、オペレータが、制御機能モード462及びデータ取得モード464を選択できるようにする。上記バラクタ電圧スイープ機能が選択された場合、制御機能モード462は、「SWEEP」を読取ることができ、また、上記共振ロックオン機能が選択された場合には、制御機能モード462は、「LOCK−ON」を読取ることができる。図7は、制御機能モード462が「SWEEP」に設定されているときのGUIスクリーン400を示す。データ取得モード464は、例えば、取得したデータを、ディレクトリロケーション422によって形成されたファイルディレクトリ内のデータファイルネーム434によって形成されたデータファイルに記録するために「Log」に、あるいは、記録データをデータファイルに対して無効にするために「No Log」に設定することができる。
GUIスクリーン400は、さらに、例えばオペレータが診断システム30の状態を診断できるようにするために、バラクタ電圧ディスプレイ480と、ガンダイオード電圧ディスプレイ482と、ガンダイオード電流ディスプレイ484と、検出器電圧ディスプレイ486とを備えることができる。ディスプレイ480、482、484、486は、予め設定した周期で更新することができ、そのため、電源60の状態を診断するために、オペレータにリアルタイムデータを提供できる。
ディスプレイパネル470は、プロットパネル450で選択されたデータの表示を可能にする。例えば、プロットパネル450内のデータは、バラクタ電圧プロット452、ガンダイオード電圧プロット454、ガンダイオード電流プロット456及び検出器電圧プロット458を含むプロット変数のうちの1つ以上を活動化することによって選択することができる。図7において、ディスプレイパネル470は、例示的な空洞伝送スペクトルを示す。
GUIスクリーン400は、さらに、オペレータが、上記バラクタダイオード電圧スイープを実行することができ、かつデータをディスプレイパネル470に表示することができるようにする動作モード490を実行できる。
図8は、制御機能モード462が「LOCK−ON」に設定されている場合のGUIスクリーン400を示す。制御機能モード462を「LOCK−ON」に設定すると、オペレータが共振ロックオン制御を実行できるようになる。
設定パネル410は、さらに、ディザ振幅416及びバラクタ電圧設定値418を設定することを含む設定パラメータを表示することができる。ディザ振幅416及びバラクタ電圧設定値は共に、上述したのと同様の方法で設定することができる。
ロックオンパネル440は、1つ以上のデータ取得パラメータを設定することを可能にする。該データ取得パラメータは、サンプルレート442、サンプル持続期間444及びサンプルモード446を含むことができる。サンプルレート442は、例えば、毎秒取得されるデータポイントの数を含むことができる。サンプル持続期間444は、例えば、サンプルに対する持続時間を含むことができる。サンプルモード446は、例えば、取得したデータを固定記憶装置に格納するために「ON」に設定することができ、あるいは、取得したデータを固定記憶装置に格納することを不能にするために「OFF」に設定することができる。
ディスプレイパネル470は、プロットパネル450で選択されたデータの表示を可能にする。図8において、ディスプレイパネル470は、約12秒におけるプラズマ「ON」状態中の、および約24秒におけるプラズマ「OFF」状態中のバラクタダイオード電圧の例示的なタイムトレースを示す。式(2)で説明したように、電子密度は、空洞共振の周波数のずれ、あるいは、ロックオン中の、プラズマを伴うバラクタ電圧とプラズマを伴わないバラクタ電圧との差に比例する。
図9は、本発明の一実施形態による診断システムを制御する方法を示す。フロー図600は、610において、該診断システムのためのコントローラを起動することによって始まる。該診断システムは、プラズマ診断システムとすることができ、例えば、該システムは、上述したマルチモーダル共振器と、電源と、検出器と、コントローラとを備えることができる。該コントローラの起動は、例えば、上記オン/オフスイッチを入れることによって行うことができる。別法として、該コントローラの起動は、例えば、さらに、リモートコントローラを起動することを含むことができる。
620において、上記制御機能が上記バラクタ電圧制御に設定される。630において、上記モニタ機能が上記検出器電圧に設定される。640において、上記バラクタ電圧は、上記バラクタ電圧設定値デバイスを用いて調節することができる。別法として、該バラクタ電圧は、該コントローラに結合されたGUIを用いて調節することができる。別法として、該バラクタ電圧は、上記リモートコントローラに結合されたリモートMMIによって実行できるGUIを用いて調節することができる。
図10は、本発明の他の実施形態による診断システムを制御する方法を示す。フロー図700は、710において、該診断システムのためのコントローラを起動することによって始まる。該診断システムは、プラズマ診断システムとすることができ、例えば、該システムは、上述したマルチモーダル共振器と、電源と、検出器と、コントローラとを備えることができる。該コントローラの起動は、例えば、上記オン/オフスイッチを入れることによって行うことができる。別法として、該コントローラの起動は、例えば、さらに、リモートコントローラを起動することを含むことができる。
720において、上記制御機能は、上記バラクタ電圧スイープ制御に設定される。本発明の一実施形態において、該バラクタ電圧スイープ制御は、上記コントローラハードウェアの最少及び最大スイープ電圧設定に対する予め設定された範囲を用いた、該コントローラ内での内部のスイープ波形発生器の使用を可能にする。代替の実施形態においては、該最少及び最大スイープ電圧は、GUIを用いて設定される。代替の実施形態において、該最少及び最大スイープ電圧は、リモートコントローラに結合されたリモートMMIによって実行できるGUIを用いて設定される。別法として、該最少及び最大スイープ電圧は、該コントローラによって設けられたメモリに格納されたデフォルト値とすることができる。730において、該バラクタ電圧は、ディスプレイに結合される。例えば、該ディスプレイは、内部または外部のオシロスコープまたはコンピュータによって実現できる。該バラクタ電圧は、例えば、バラクタ電圧出力テストポイントに接続され、かつ該オシロスコープの前面パネル(例えば、チャネル1)に接続された同軸ケーブルを用いて、該コントローラから該オシロスコープに結合することができる。740において、検出器電圧がディスプレイに結合される。同様に、例えば、該ディスプレイは、内部または外部のオシロスコープまたはコンピュータによって実現できる。該検出器電圧は、例えば、検出器接続部に接続され、かつ該オシロスコープの前面パネル(例えば、チャネル2)に接続された同軸ケーブルを用いて、該コントローラから該オシロスコープに結合することができる。
図11は、本発明の他の実施形態による診断システムを制御する方法を示す。フロー図800は、810において、該診断システムのためのコントローラを起動することによって始まる。該診断システムは、プラズマ診断システムとすることができ、例えば、該システムは、上述したマルチモーダル共振器と、電源と、検出器と、コントローラとを備えることができる。該コントローラの起動は、例えば、上記オン/オフスイッチを入れることによって行うことができる。別法として、該コントローラの起動は、例えば、さらに、リモートコントローラを起動することを含むことができる。
820において、上記制御機能は、上記共振ロックオン機能に設定される。本発明の一実施形態において、該共振ロックオン制御は、予め設定されたディザ振幅及びバラクタ電圧設定値を用いた、該コントローラに設けられたロックオン回路の使用を可能にする。代替の実施形態においては、該ディザ振幅及びバラクタ電圧設定値は、GUIを用いて設定される。代替の実施形態において、該ディザ振幅及びバラクタ電圧設定値は、リモートコントローラに結合されたリモートMMIによって実行できるGUIを用いて設定される。別法として、該ディザ振幅及びバラクタ電圧設定値は、該コントローラによって設けられたメモリに格納されたデフォルト値とすることができる。830において、該バラクタ電圧設定値が設定される。一般に、該バラクタ電圧設定値は、選択された空洞共振に近い値に設定される。840において、ロックオン設定値スイッチが入れられて、バラクタ電圧設定値電圧が該バラクタダイオードに印加される。そして、該バラクタ電圧は、ロックオンが実現されるまでドリフトする。一旦、ロックオンが実現されると、上記診断システムは、例えば、上記マルチモーダル共振器内の電子密度をモニタするのに用いることができる。
図12は、本発明の別の実施形態によるマルチモーダル共振器内の電子密度を計算する方法を示す。フロー図850は、860において、例えば、図11で説明した方法を用いて、上記電源を空洞共振にロックすることによって始まる。870において、上記バラクタ電圧は、オシロスコープ、A/D変換器、コンピュータ、オペレータ等のデータ取得システムを介して記録される。880において、バラクタ電圧差は、上記マルチモーダル共振器内にプラズマがない場合に観測されたバラクタ電圧と、該マルチモーダル共振器内にプラズマがある場合に観測されたバラクタ電圧との差を計算することによって決まる。890において、電子密度は、上記電源のバラクタの電圧、周波数較正及び式(2)を用いて、該バラクタ電圧差から計算される。該バラクタ電圧は、一時記憶装置に記録及び格納することができ、該バラクタ電圧差及び電子密度が計算され、また該電子密度が表示されおよび/または固定記憶装置に格納される。代替の実施形態において、該バラクタ電圧は、固定記憶装置に記録されかつ格納され、該バラクタ電圧差及び電子密度は、処理中または後処理中のいずれかに計算されて、該電子密度が表示されおよび/または固定記憶装置に格納される。
図13は、本発明の別の実施形態による診断システムを制御する方法を示す。フロー図900は、910において、該診断システムのためのコントローラを起動することによって始まる。該診断システムは、プラズマ診断システムとすることができ、例えば、該システムは、上述したマルチモーダル共振器と、電源と、検出器と、コントローラとを備えることができる。該コントローラの起動は、例えば、上記オン/オフスイッチを入れることによって行うことができる。
920において、上記リモートMMIが作動される。該リモートMMIの作動は、例えば、該リモートMMIのためのGUIスクリーンを起動するために、該リモートコントローラを作動させることと、該MMIソフトウェアをホストとすることと、該MMIソフトウェアを実行することとを含むことができる。930において、上記制御機能モードを起動することにより、該制御機能モードがスイープモードに設定される。例えば、該制御機能モードは、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて「SWEEP」を読取るために、GUIスクリーンのモードパネルで設定することができる。一般に、該リモートMMIのバラクタ電圧スイープ機能は、デフォルト構成として設定することができる。
940において、上記バラクタ電圧スイープ機能のためのデフォルト設定をチェックすることができる。該設定が受け入れ可能な場合、該バラクタ電圧スイープは、上記リモートMMI動作モードを入れることによって作動させることができる。該バラクタ電圧スイープ機能が実行されると、デフォルトプロット変数がGUIスクリーンのディスプレイパネルに表示される。変更が必要な場合には、該設定は、960から995で調整することができる。960において、スイープのための最少及び最大バラクタ電圧は、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンの設定パネルで変更することができる。970において、取得したデータを格納するデータディレクトリを、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンのデータディレクトリパネルで変更することができる。980において、プロット基準化因子(例えば、バラクタ電圧スイープにおけるデータポイントの数)は、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンのグラフパネルで変更することができる。990において、プロット変数(例えば、バラクタダイオード電圧、ガンダイオード電圧、ガンダイオード電流、または検出器電圧)は、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンのプロットパネルで選択することができる。995において、(例えば、データ取得の固定記憶装置への記録を可能にする、またはデータ取得の固定記憶装置への記録を不能にする)データ取得モードは、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンのモードパネルで変更することができる。
上記設定に対する調整の後、950において、上記バラクタ電圧スイープ機能が実行され、選択されたプロット変数が、GUIスクリーンのディスプレイパネルに表示される。
図14は、本発明の他の実施形態による診断システムを制御する方法を示す。フロー図1000は、1010において、該診断システムのためのコントローラを作動させることによって始まる。該診断システムは、プラズマ診断システムとすることができ、例えば、該システムは、上述したマルチモーダル共振器、電源、検出器及びコントローラを備えることができる。該コントローラの起動は、例えば、上記オン/オフスイッチを入れることによって行うことができる。
1020において、リモートMMIが作動される。該リモートMMIの作動は、例えば、該リモートMMIのためのGUIスクリーンを起動するために、該リモートコントローラを起動することと、該MMIソフトウェアをホストとすることと、該MMIソフトウェアを実行することとを含むことができる。1030において、上記制御機能モードは、該制御機能モードを作動させることにより、ロックオンモードに設定される。例えば、該制御機能モードは、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて「LOCK−ON」を読取るために、GUIスクリーンのモードパネルで設定することができる。一般に、該リモートMMIの共振器ロックオン機能は、デフォルト構成として設定することができる。
1040において、該共振器ロックオン機能のためのデフォルト設定をチェックすることができる。該設定が受け入れられる場合には、該共振器ロックオン機能は、上記リモートMMI動作モードを入れることによって作動させることができる。該共振器ロックオンが実行されると、デフォルトプロット変数のプロットが、GUIスクリーンのディスプレイパネルに表示される。変更が必要な場合、該設定は、1060から1095で調整することができる。1060において、ディザ振幅および/またはバラクタ電圧設定値は、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンの設定パネルで変更することができる。1070において、取得したデータを格納するデータディレクトリは、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンのデータディレクトリパネルで変更することができる。1080において、プロット基準化因数(バラクタ電圧スイープにおけるデータポイントの数)は、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンのグラフパネルで変更することができる。1090において、サンプル及びプロット変数(例えば、サンプルレートおよび/またはサンプル期間、およびバラクタダイオード電圧、ガンダイオード電圧、ガンダイオード電流、または検出器電圧)は、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンのグラフ及びプロットパネルで選択することができる。1095において、(例えば、データ取得の固定記憶装置への記録を可能にする、またはデータ取得の固定記憶装置への記録を不能にする)データ取得モードは、例えば、キーボード入力、マウス入力等を用いて、GUIスクリーンのサンプルおよび/またはモードパネルで設定することができる。
上記設定に対する調整の後、1050において、上記共振ロックオン機能が実行され、選択されたプロット変数のプロットが、GUIスクリーンのディスプレイパネルに表示される。
この発明のある例示的な実施形態のみを詳細に説明してきたが、当業者は、該例示的な実施形態において、この発明の新規な教示及び効果から著しく逸脱することなく、多くの変更例が可能であることを容易に認識するであろう。従って、そのような変更例の全ては、この発明の範囲に含まれると解釈される。
本発明の一実施形態に係る診断システムの単純化したブロック図である。 本発明の一実施形態に係る、開口、マイクロ波ウィンドウ及び関連する取付け構造を有するマイクロ波ミラーの拡大分解組立て断面図である。 いくつかの長手方向共振及び各自由スペクトル範囲を示す例示的な空洞伝送スペクトルのグラフである。 本発明の一実施形態に係る、診断コントローラのためのマンマシンインタフェース(MMI)を示す図である。 本発明の他の実施形態に係る、診断コントローラのためのマンマシンインタフェース(MMI)を示す図である。 本発明の一実施形態に係るコントローラの例示的なフロー図である。 本発明の一実施形態に係る、リモートコントローラのリモートMMIのためのグラフィカルユーザインタフェース(GUI)スクリーンを示す図である。 本発明の他の実施形態に係る、リモートコントローラのリモートMMIのためのグラフィカルユーザインタフェース(GUI)スクリーンを示す図である。 本発明の一実施形態に係る診断システムを制御する方法を示す図である。 本発明の他の実施形態に係る診断システムを制御する方法を示す図である。 本発明の別の実施形態に係る診断システムを制御する方法を示す図である。 本発明の他の実施形態に係る診断システムを制御する方法を示す図である。 本発明の別の実施形態に係る診断システムを制御する方法を示す図である。 本発明の他の実施形態に係る診断システムを制御する方法を示す図である。

Claims (38)

  1. マルチモーダル共振器と、
    前記マルチモーダル共振器に結合され、かつガンダイオードに結合され前記ガンダイオードの振動周波数を制御するように構成されたバラクタを含むガンダイオード電圧制御オシレータを含む電源と、
    前記マルチモーダル共振器に結合された、バラクタ電圧差で電子密度を検出する検出器と、
    前記電源及び前記検出器に結合されたコントローラとを備え、
    前記コントローラは、ガンダイオード電圧モニタ機能、ガンダイオード電流モニタ機能、バラクタ電圧モニタ機能、検出器電圧モニタ機能、バラクタ電圧制御機能、バラクタ電圧スイープ制御機能、前記マルチモーダル共振器の共振周波数に前記電圧制御オシレータの振動周波数をロックするための共振ロックオン制御機能、グラフィカルユーザ制御及び前記マルチモーダル共振器内のプラズマの電子密度をモニタするための電子密度モニタ機能の全てを備えており、
    前記コントローラに結合され、前記コントローラの前記機能の全てを手動にて操作するように構成されている統合されたマンマシンインタフェースを更に具備するプラズマ処理のためのプラズマ診断システム。
  2. 前記コントローラは、さらにリモートコントローラに結合され、このリモートコントローラを用いて前記コントローラのリモート制御を可能にする、請求項1に記載のプラズマ診断システム。
  3. 前記リモートコントローラは、前記コントローラによって実行される前記少なくとも1つの機能をリモート実行するリモートマンマシンインタフェースを備える請求項2に記載のプラズマ診断システム。
  4. 前記リモートマンマシンインタフェースは、グラフィカルユーザインタフェース(GUI)を備える請求項3に記載のプラズマ診断システム。
  5. 前記リモートマンマシンインタフェースは、前記リモートコントローラ上でソフトウェアを実行することを備える請求項3に記載のプラズマ診断システム。
  6. 前記マンマシンインタフェースは、ガンダイオード電圧、ガンダイオード電流、バラクタ電圧及び検出器電圧のうちの少なくとも1つを表示する請求項1に記載のプラズマ診断システム。
  7. 前記バラクタ電圧制御機能は、前記マンマシンインタフェースを用いて、前記ガンダイオード電圧制御オシレータに対してバラクタ電圧を変化させることを備える請求項1に記載のプラズマ診断システム。
  8. 前記バラクタ電圧スイープ制御機能は、前記マンマシンインタフェースを用いて、前記ガンダイオード電圧制御オシレータに対してバラクタ電圧を自動的に変化させることを備える請求項1に記載のプラズマ診断システム。
  9. 前記ガンダイオード電圧制御オシレータに対してバラクタ電圧を前記自動的に変化させることは、前記マンマシンインタフェースを用いて、前記コントローラ内に収容されたスイープジェネレータを作動させることを備える請求項8に記載のプラズマ診断システム。
  10. 前記共振ロックオン制御機能は、前記コントローラ内に収容されたロックオン回路を作動させることと、バラクタ電圧設定値を設定することと、前記バラクタ電圧設定値を作動させることとを備える請求項1に記載のプラズマ診断システム。
  11. 前記グラフィカルユーザインタフェースは、複数の設定パラメータを表示する設定パネルを備える請求項4に記載のプラズマ診断システム。
  12. 前記複数の設定パラメータは、最少バラクタダイオードスイープ電圧、最大バラクタダイオードスイープ電圧、時間で変化するディザ電圧信号のディザ振幅及びバラクタ電圧設定値のうちの少なくとも1つを備える請求項11に記載のプラズマ診断システム。
  13. 前記グラフィカルユーザインタフェースは、前記リモートマンマシンインタフェースを用いて取得したデータを格納するディレクトリロケーションを設定することを可能にするデータディレクトリパネルを備える請求項4に記載のプラズマ診断システム。
  14. 前記グラフィカルユーザインタフェースは、データ基準化因子を設定すること、データファイル名を設定すること、プリント動作を実行すること、コピー動作を実行すること及びスケール動作を実行することのうちの少なくとも1つを可能にするグラフパネルを備える請求項4に記載のプラズマ診断システム。
  15. 前記グラフィカルユーザインタフェースは、少なくとも1つのデータパラメータを表示するディスプレイパネルを備える請求項4に記載のプラズマ診断システム。
  16. 前記データパラメータは、ガンダイオード電圧、ガンダイオード電流、バラクタダイオード電圧及び検出器電圧を含む請求項15に記載のプラズマ診断システム。
  17. 前記グラフィカルユーザインタフェースは、前記少なくとも1つのデータパラメータを選択するためのプロットパネルをさらに備える請求項15に記載のプラズマ診断システム。
  18. 前記グラフィカルユーザインタフェースは、制御機能モードとデータ取得モードのうちの少なくとも一方を選択するためのモードパネルを備える請求項4に記載のプラズマ診断システム。
  19. 前記制御機能モードは、前記バラクタ電圧スイープ制御機能と前記共振ロックオン制御機能のうちの少なくとも一方を備える請求項18に記載のプラズマ診断システム。
  20. 前記データ取得モードは、データファイルへのデータ格納を可能にすること、及びデータファイルへのデータ格納を不可能にすることのうちの少なくとも一方を備える請求項18に記載のプラズマ診断システム。
  21. 前記グラフィカルユーザインタフェースは、オペレータが前記制御機能モードを実行できるようにする動作モードを備える請求項18に記載のプラズマ診断システム。
  22. 前記グラフィカルユーザインタフェースは、少なくとも1つのデータ取得パラメータを設定するロックオンパネルを備える請求項18に記載のプラズマ診断システム。
  23. 前記データ取得パラメータは、サンプルレート、サンプル期間及びサンプルモードを含む請求項22に記載のプラズマ診断システム。
  24. 前記コントローラは、前記全ての機能のうちの少なくとも1つの機能を実行するグラフィカルユーザインタフェース(GUI)を備える請求項1に記載のプラズマ診断システム。
  25. 空洞共振を発生させるマルチモーダル共振器と、ガンダイオードに結合され前記ガンダイオードの振動周波数を制御するように構成されたバラクタを含むガンダイオード電圧制御オシレータを含む電源と、伝送信号を生成するバラクタ電圧差で電子密度を検出する検出器と、前記電源及び前記検出器に結合されたコントローラと、前記コントローラに結合されている統合されたマンマシンインタフェースとを備えるプラズマ診断システムを制御する方法であって、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて前記コントローラを手動で起動することと、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて前記電源のバラクタ電圧を制御するように、バラクタ電圧制御を手動で選択することと、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて前記検出器からの前記伝送信号をモニタするように、検出器電圧モニタを手動で選択することと、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて前記コントローラを用いて、前記電源のための前記バラクタ電圧を手動で調節することとを備える方法。
  26. 前記コントローラは、前記バラクタ電圧を調節することを実行するグラフィカルユーザインタフェースを備える請求項25に記載の方法。
  27. 空洞共振を発生させるマルチモーダル共振器と、ガンダイオードに結合され前記ガンダイオードの振動周波数を制御するように構成されたバラクタを含むガンダイオード電圧制御オシレータを含む電源と、伝送信号を生成するバラクタ電圧差で電子密度を検出する検出器と、前記電源及び前記検出器に結合されたコントローラと、前記コントローラに結合されている統合されたマンマシンインタフェースとを備えるプラズマ診断システムを制御する方法であって、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて前記コントローラを手動で起動することと、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて前記電源のバラクタ電圧を自動制御するように、バラクタ電圧スイープ制御を手動で選択することと、
    前記バラクタ電圧をディスプレイに結合することと、
    前記検出器からの前記伝送信号を前記ディスプレイに結合することとを備える方法。
  28. 前記ディスプレイは、コンピュータ、ディジタル信号プロセッサ及びオシロスコープのうちの少なくとも1つを備える請求項27に記載の方法。
  29. 空洞共振を発生させるマルチモーダル共振器と、ガンダイオードに結合され前記ガンダイオードの振動周波数を制御するように構成されたバラクタを含むガンダイオード電圧制御オシレータを含む電源と、伝送信号を生成するバラクタ電圧差で電子密度を検出する検出器と、前記電源及び前記検出器に結合され、かつ前記検出器からの前記伝送信号を受取り、前記電源の前記出力周波数を前記マルチモーダル共振器の前記空洞共振にロックするロックオン回路を形成するように構成されたコントローラと、前記コントローラに結合されている統合されたマンマシンインタフェースとを備えるプラズマ診断システムを制御する方法であって、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて前記コントローラを起動することと、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて共振ロックオン機能を手動で選択することと、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて前記電源のバラクタ電圧を手動で選択することと、
    前記コントローラを用いてバラクタ電圧設定値を調整することにより、前記電源の前記出力周波数を、前記マルチモーダル共振器の前記空洞共振にロックすることとを備える方法。
  30. 前記方法は、
    前記マルチモーダル共振器内のプラズマの電子密度を測定する工程をさらに備え、前記電子密度を測定することは、
    前記電源の前記出力周波数を前記マルチモーダル共振器の前記空洞共振にロックすることに対応して前記バラクタ電圧を記録する工程と、
    前記マルチモーダル共振器内にプラズマを伴う前記バラクタ電圧と、前記マルチモーダル共振器内にプラズマを伴わない前記バラクタ電圧との差を決める工程と、
    前記差から前記電子密度を計算する工程とを備える、請求項29に記載の方法。
  31. 前記コントローラは、前記バラクタ電圧設定値を設定し、かつ前記バラクタ電圧設定値を調整するマンマシンインタフェースを備える請求項29に記載の方法。
  32. 前記コントローラは、前記バラクタ電圧設定値を設定し、かつ前記バラクタ電圧設定値を調整するグラフィカルユーザインタフェースを備える請求項29に記載の方法。
  33. 空洞共振を発生させるマルチモーダル共振器と、ガンダイオードに結合され前記ガンダイオードの振動周波数を制御するように構成されたバラクタを含むガンダイオード電圧制御オシレータを含む電源と、伝送信号を生成するバラクタ電圧差で電子密度を検出する検出器と、前記電源及び前記検出器に結合されたコントローラと、前記コントローラに結合され、かつ統合されたリモートマンマシンインタフェースを形成するように構成されたリモートコントローラとを備えるプラズマ診断システムを制御する方法であって、
    前記コントローラを起動することと、
    前記統合されたリモートマンマシンインタフェースを手動で起動することと、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて前記バラクタ電圧スイープ制御を手動で選択することと、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにてデフォルト設定を用いて、前記バラクタ電圧スイープ制御を作動させることとを備える方法。
  34. 前記方法は、前記バラクタ電圧スイープ機能を起動する前に、前記リモートマンマシンインタフェースによって前記デフォルト設定を変更することをさらに備える請求項33に記載の方法。
  35. 前記デフォルト設定を変更することは、最少バラクタダイオード電圧、最大バラクタダイオード電圧、取得したデータを格納するデータディレクトリ、スケール、プロット変数及びデータ取得モードのうちの少なくとも1つを変更することを備える請求項34に記載の方法。
  36. 空洞共振を発生させるマルチモーダル共振器と、ガンダイオードに結合され前記ガンダイオードの振動周波数を制御するように構成されたバラクタを含むガンダイオード電圧制御オシレータを含む電源と、伝送信号を生成するバラクタ電圧差で電子密度を検出する検出器と、前記電源及び前記検出器に結合され、かつ前記検出器からの前記伝送信号を受取り、前記電源の前記出力周波数を前記マルチモーダル共振器の前記空洞共振にロックするロックオン回路を形成するように構成されたコントローラと、前記コントローラに結合され、かつ統合されたリモートマンマシンインタフェースを形成するように構成されたリモートコントローラとを備えるプラズマ診断システムを制御する方法であって、
    前記コントローラを起動することと、
    前記統合されたリモートマンマシンインタフェースを手動で起動することと、
    前記統合されたマンマシンインタフェースにて共振ロックオン制御を手動で選択することと、
    デフォルト設定を用いて、前記共振ロックオン制御を作動させることとを備える方法。
  37. 前記方法は、前記共振ロックオン制御を作動させる前に、前記リモートマンマシンインタフェースによって前記デフォルト設定を変更することをさらに備える請求項36に記載の方法。
  38. 前記デフォルト設定を変更することは、時間で変化するディザ電圧信号のディザ振幅、バラクタ電圧設定値、取得したデータを格納するデータディレクトリ、スケール、プロット変数、サンプルレート、サンプル期間及びデータ取得モードのうちの少なくとも1つを変更することを備える請求項37に記載の方法。
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