JP3149002B2 - 同軸形のマイクロ波プラズマ発生器 - Google Patents
同軸形のマイクロ波プラズマ発生器Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波プラズマ発
生器に関し、特に、同軸形共振器を使用したマイクロ波
プラズマ発生器に関する。
生器に関し、特に、同軸形共振器を使用したマイクロ波
プラズマ発生器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８、図９は従来より使用されている導
波管形のマイクロ波プラズマ発生器を示し、このマイク
ロ波プラズマ発生器は、Ａ寸法が１０９．２２ｍｍ、Ｂ
寸法が５４．６１ｍｍの矩形導波管１を用い、また、導
波管形インピ−ダンス整合器としてスリ−スタブ整合器
２を使用している。３は導波管１内に垂直に挿入したプ
ラズマ発生部で、石英管４の内壁に支持体５を取付け、
この支持体５に電気伝導性を持つ細い棒状の電極６が取
付けられている。このプラズマ発生部３は、図示する如
くスリ−スタブ整合器２の中心位置からプラズマ発生部
３の中心位置までの距離が（５／４）・λｇとなるよう
に導波管１内を貫通している。７は導波管１内に備えた
反射板で、この反射板７はスリ−スタブ整合器２の中心
から反射板７の反射面までの距離が（７／４）・λｇと
なるように備えられている。ここで、マイクロ波が導波
管１内を伝送する管内波長λｇは、導波管１の開口寸法
がＡ＝１０９．２２ｍｍ、Ｂ＝５４．６１ｍｍのとき１
４７．７ｍｍ（周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波の
とき）となる。
波管形のマイクロ波プラズマ発生器を示し、このマイク
ロ波プラズマ発生器は、Ａ寸法が１０９．２２ｍｍ、Ｂ
寸法が５４．６１ｍｍの矩形導波管１を用い、また、導
波管形インピ−ダンス整合器としてスリ−スタブ整合器
２を使用している。３は導波管１内に垂直に挿入したプ
ラズマ発生部で、石英管４の内壁に支持体５を取付け、
この支持体５に電気伝導性を持つ細い棒状の電極６が取
付けられている。このプラズマ発生部３は、図示する如
くスリ−スタブ整合器２の中心位置からプラズマ発生部
３の中心位置までの距離が（５／４）・λｇとなるよう
に導波管１内を貫通している。７は導波管１内に備えた
反射板で、この反射板７はスリ−スタブ整合器２の中心
から反射板７の反射面までの距離が（７／４）・λｇと
なるように備えられている。ここで、マイクロ波が導波
管１内を伝送する管内波長λｇは、導波管１の開口寸法
がＡ＝１０９．２２ｍｍ、Ｂ＝５４．６１ｍｍのとき１
４７．７ｍｍ（周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波の
とき）となる。
【０００３】上記したマイクロ波プラズマ発生器は、マ
イクロ波を導波管１内に伝送するとマイクロ波の電界が
電極６の先端部分に集中して先端部分が高電界となり、
これによって電極６の先端からプラズマが発生する。
イクロ波を導波管１内に伝送するとマイクロ波の電界が
電極６の先端部分に集中して先端部分が高電界となり、
これによって電極６の先端からプラズマが発生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した導波管形のマ
イクロ波プラズマ発生器は、装置の小形化を図ることが
難かしく、また、装置の大きさに対し得られるプラズマ
の断面積が小さいと言う欠点を有している。
イクロ波プラズマ発生器は、装置の小形化を図ることが
難かしく、また、装置の大きさに対し得られるプラズマ
の断面積が小さいと言う欠点を有している。
【０００５】つまり、マイクロ波プラズマ発生器のイン
ピ−ダンス整合器にスリ−スタブ整合器２を使用した従
来例の場合、スリ−スタブ整合器２の中心位置から反射
板７の反射面までの距離が最小寸法で（７／４）・λｇ
必要となることから、図８に示す如く、マイクロ波プラ
ズマ発生器の長さは最小で約５５４ｍｍ必要となり、ま
た、高さはスリ−スタブ整合器２の最大寸法である約１
９８ｍｍ、横幅はネジ止め部の高さを含めて約１６１ｍ
ｍとなる。
ピ−ダンス整合器にスリ−スタブ整合器２を使用した従
来例の場合、スリ−スタブ整合器２の中心位置から反射
板７の反射面までの距離が最小寸法で（７／４）・λｇ
必要となることから、図８に示す如く、マイクロ波プラ
ズマ発生器の長さは最小で約５５４ｍｍ必要となり、ま
た、高さはスリ−スタブ整合器２の最大寸法である約１
９８ｍｍ、横幅はネジ止め部の高さを含めて約１６１ｍ
ｍとなる。
【０００６】インピ−ダンス整合器にＥＨ整合器を使用
した場合は、スリ−スタブ整合器２を使用した場合より
大形となってしまい、また、プラズマ発生部３でマイク
ロ波の電界強度を最大とするために導波管を用いた場合
は、スリ−スタブ整合器２の中心位置から反射板７の反
射面までの距離を上記した（７／４）・λｇより小さく
することは難かしい。
した場合は、スリ−スタブ整合器２を使用した場合より
大形となってしまい、また、プラズマ発生部３でマイク
ロ波の電界強度を最大とするために導波管を用いた場合
は、スリ−スタブ整合器２の中心位置から反射板７の反
射面までの距離を上記した（７／４）・λｇより小さく
することは難かしい。
【０００７】一方、インピ−ダンス整合器にスリ−スタ
ブ整合器２やＥＨ整合器等を使用したとしてもプラズマ
発生部３から発生するプラズマはその断面積が石英管４
の内径以下となる。
ブ整合器２やＥＨ整合器等を使用したとしてもプラズマ
発生部３から発生するプラズマはその断面積が石英管４
の内径以下となる。
【０００８】上記したことから、導波管形のマイクロ波
プラズマ発生器は、小形化するには限界があるうえ、装
置の大きさに対して得られるプラズマの断面積が小さ
い。
プラズマ発生器は、小形化するには限界があるうえ、装
置の大きさに対して得られるプラズマの断面積が小さ
い。
【０００９】本発明は、上記した実情にかんがみ、マイ
クロ波プラズマ発生器を同軸形で構成し、装置の小形化
を図ることを目的とする。
クロ波プラズマ発生器を同軸形で構成し、装置の小形化
を図ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明では、外体内に内部導体を備えた同軸形共
振器を設けると共に、内部導体の長さを（λ／２）．ｎ
＋（λ／４）に設定し、上記同軸形共振器に同軸モ−ド
に変換したマイクロ波を伝送して上記内部導体の先端部
分に高電界を生じさせプラズマを発生させる構成とした
同軸形のマイクロ波プラズマ発生器を提案する。
ため、本発明では、外体内に内部導体を備えた同軸形共
振器を設けると共に、内部導体の長さを（λ／２）．ｎ
＋（λ／４）に設定し、上記同軸形共振器に同軸モ−ド
に変換したマイクロ波を伝送して上記内部導体の先端部
分に高電界を生じさせプラズマを発生させる構成とした
同軸形のマイクロ波プラズマ発生器を提案する。
【００１１】また、上記内部導体は同軸共振器内におけ
る長さが可変となるように構成することもできる。
る長さが可変となるように構成することもできる。
【００１２】
【作用】このマイクロ波プラズマ発生器は、内部導体を
備えた同軸形共振器に同軸モ−ドに変換したマイクロ波
を伝送し、上記内部導体の先端からプラズマを発生させ
るもので、上記した内部導体はマイクロ波の電界が先端
部分から集中するようにその長さが（λ／２）・ｎ＋
（λ／４）となっている。このように構成した同軸形の
マイクロ波プラズマ発生器は、従来のようなインピ−ダ
ンス整合器の必要がなくなると共に、反射板等も不必要
となるので装置全体を小形化することができる。
備えた同軸形共振器に同軸モ−ドに変換したマイクロ波
を伝送し、上記内部導体の先端からプラズマを発生させ
るもので、上記した内部導体はマイクロ波の電界が先端
部分から集中するようにその長さが（λ／２）・ｎ＋
（λ／４）となっている。このように構成した同軸形の
マイクロ波プラズマ発生器は、従来のようなインピ−ダ
ンス整合器の必要がなくなると共に、反射板等も不必要
となるので装置全体を小形化することができる。
【００１３】また、上記したマイクロ波プラズマ発生器
は、内部導体の長さを可変に構成することもできる。こ
の場合は、同軸形共振器内における内部導体の長さを調
整すれば、共振周波数をマイクロ波の周波数と簡単に同
調させることができる。
は、内部導体の長さを可変に構成することもできる。こ
の場合は、同軸形共振器内における内部導体の長さを調
整すれば、共振周波数をマイクロ波の周波数と簡単に同
調させることができる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面に沿って
説明する。図１は本発明の第１実施例を示す同軸形のマ
イクロ波プラズマ発生器の拡大底面図であり、図２はこ
のマイクロ波プラズマ発生器の縦断側面図である。
説明する。図１は本発明の第１実施例を示す同軸形のマ
イクロ波プラズマ発生器の拡大底面図であり、図２はこ
のマイクロ波プラズマ発生器の縦断側面図である。
【００１５】これらの図より、５０は同軸形共振器で、
この共振器５０は円筒状の外管５１の上端に蓋体５２を
ボルト５３で固定し、下端は開口してある。
この共振器５０は円筒状の外管５１の上端に蓋体５２を
ボルト５３で固定し、下端は開口してある。
【００１６】この外管５１の上端寄りには図示しないマ
イクロ波発振器に連結した同軸線路５４を互いの内部を
連通するようにして接続してある。
イクロ波発振器に連結した同軸線路５４を互いの内部を
連通するようにして接続してある。
【００１７】また、同軸線路５４の内部中央には、導体
５５が通り、この導体５５は外管５１内で蓋体５２方向
に屈折し、蓋体５２の内端面５２ａに小形のボルト５６
で固定してある。なお、蓋体５２は外管５１を通じ同軸
線路５４の外部導体に接続される。
５５が通り、この導体５５は外管５１内で蓋体５２方向
に屈折し、蓋体５２の内端面５２ａに小形のボルト５６
で固定してある。なお、蓋体５２は外管５１を通じ同軸
線路５４の外部導体に接続される。
【００１８】さらに、蓋体５２の中央には内部導体５７
が固着してある。内部導体５７は、棒状部５７ａとこの
棒状部５７ａの先端に固着した電気伝導性を持つ細長い
電極５７ｂからなり、同軸形共振器５０内のこれらの長
さが（λ／２）・ｎ＋（λ／４）（ｎ＝１、２、３・・
・・・・・）となっている。λは周波数２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波のとき１２２．４ｍｍとなる。
が固着してある。内部導体５７は、棒状部５７ａとこの
棒状部５７ａの先端に固着した電気伝導性を持つ細長い
電極５７ｂからなり、同軸形共振器５０内のこれらの長
さが（λ／２）・ｎ＋（λ／４）（ｎ＝１、２、３・・
・・・・・）となっている。λは周波数２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波のとき１２２．４ｍｍとなる。
【００１９】また、上記した外管５１の下方には、電極
５７ｂの周囲面に溝を形成し、この溝に石英管５８が取
付けてある。石英管５８はプラズマの発生により外管５
１の内面が変質するのを防止する。
５７ｂの周囲面に溝を形成し、この溝に石英管５８が取
付けてある。石英管５８はプラズマの発生により外管５
１の内面が変質するのを防止する。
【００２０】５９は、外管５１に形成したガス導入口
で、このガス導入口５９から導入するガスの種類によっ
て様々なプラズマを発生させることができる。ガス導入
口５９の位置は、同軸形共振器５０の共振状態を悪くさ
せない位置であれば任意の位置に設けることができる。
で、このガス導入口５９から導入するガスの種類によっ
て様々なプラズマを発生させることができる。ガス導入
口５９の位置は、同軸形共振器５０の共振状態を悪くさ
せない位置であれば任意の位置に設けることができる。
【００２１】上記した構成において、同軸線路５４に接
続した図示しないマイクロ波発振器によってマイクロ波
が出力されると、マイクロ波は同軸線路５４を通ること
によって同軸モ−ド（ＴＥＭモ−ド）に変換され同軸形
共振器５０内に伝送される。同軸形共振器５０内におい
てはマイクロ波が内部導体５７によってその先端部分、
すなわち、電極５７ｂに導かれ、電極５７ｂの先端には
マイクロ波の電界が集中し、電界強度が最大となり、そ
して、電極５７ｂの先端からプラズマが発生する。
続した図示しないマイクロ波発振器によってマイクロ波
が出力されると、マイクロ波は同軸線路５４を通ること
によって同軸モ−ド（ＴＥＭモ−ド）に変換され同軸形
共振器５０内に伝送される。同軸形共振器５０内におい
てはマイクロ波が内部導体５７によってその先端部分、
すなわち、電極５７ｂに導かれ、電極５７ｂの先端には
マイクロ波の電界が集中し、電界強度が最大となり、そ
して、電極５７ｂの先端からプラズマが発生する。
【００２２】常圧や高圧状態でプラズマを発生させるに
は、同軸形共振器５０のＱ値を高くし、また、内部導体
５７と外管５１との整合をとる必要がある。さらに、電
極５７ｂの先端の鋭利さの度合いも高める必要がある。
は、同軸形共振器５０のＱ値を高くし、また、内部導体
５７と外管５１との整合をとる必要がある。さらに、電
極５７ｂの先端の鋭利さの度合いも高める必要がある。
【００２３】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図３は同軸形のマイクロ波プラズマ発生器の拡大底
面図、図４はこのマイクロ波プラズマ発生器の縦断側面
図である。なお、本実施例の説明の中で第１実施例と同
一部材については同一符号を付してその説明を省略す
る。
る。図３は同軸形のマイクロ波プラズマ発生器の拡大底
面図、図４はこのマイクロ波プラズマ発生器の縦断側面
図である。なお、本実施例の説明の中で第１実施例と同
一部材については同一符号を付してその説明を省略す
る。
【００２４】このマイクロ波プラズマ発生器は、同軸形
共振器６０内において内部導体６１の長さを変える構成
とした点に特徴がある。
共振器６０内において内部導体６１の長さを変える構成
とした点に特徴がある。
【００２５】外管５１の上端面にボルト６２で固着した
蓋体６３は凸状形をなし、小径部６３ａの表面には雄ネ
ジが形成され、この小径部６３ａに雌ネジを有する回転
ネジ部６４が螺合している。
蓋体６３は凸状形をなし、小径部６３ａの表面には雄ネ
ジが形成され、この小径部６３ａに雌ネジを有する回転
ネジ部６４が螺合している。
【００２６】上記した回転ネジ部６４は、内部導体６１
を中央に挿通してこの内部導体６１を支持している。
を中央に挿通してこの内部導体６１を支持している。
【００２７】内部導体６１は、蓋体６３の中央を貫通す
るように形成した孔６３ｃから同軸形共振器６０内に突
入し、その長さが（λ／２）・ｎ＋（λ／４）となるよ
うに調整する。
るように形成した孔６３ｃから同軸形共振器６０内に突
入し、その長さが（λ／２）・ｎ＋（λ／４）となるよ
うに調整する。
【００２８】つまり、上記した回転ネジ部６４を回転さ
せると、回転ネジ部６４が図４上において上下方向に移
動し、これに伴って内部導体６１が移動するので、同軸
形共振器６０内における内部導体６１の長さを変えるこ
とができる。
せると、回転ネジ部６４が図４上において上下方向に移
動し、これに伴って内部導体６１が移動するので、同軸
形共振器６０内における内部導体６１の長さを変えるこ
とができる。
【００２９】また、雄ネジと雌ネジとの螺合部６５から
の電波漏洩を無くすために、内部導体６１の外周の一部
を覆う接触子６６が設けてある。この接触子６６は蓋体
６３に一体形成され、蓋体６３の内端面６３ｄからλ／
４の長さで突出し、接触子６６の終端の接点部６６ａの
内周が内部導体６１の外周に密接している。上記した接
触子６６はその長さが、接点部６６ａにおいて電流が最
小となり、電流損失が少なくなるようになっている。
の電波漏洩を無くすために、内部導体６１の外周の一部
を覆う接触子６６が設けてある。この接触子６６は蓋体
６３に一体形成され、蓋体６３の内端面６３ｄからλ／
４の長さで突出し、接触子６６の終端の接点部６６ａの
内周が内部導体６１の外周に密接している。上記した接
触子６６はその長さが、接点部６６ａにおいて電流が最
小となり、電流損失が少なくなるようになっている。
【００３０】このように構成したマイクロ波プラズマ発
生器は、同軸形共振器６０内における内部導体６１の長
さを変化させることができるので、供給されるマイクロ
波の周波数とマイクロ波プラズマ発生器の共振周波数を
適度に同調することができる。
生器は、同軸形共振器６０内における内部導体６１の長
さを変化させることができるので、供給されるマイクロ
波の周波数とマイクロ波プラズマ発生器の共振周波数を
適度に同調することができる。
【００３１】一般に使用されているマイクロ波エネルギ
−の発生源としては、マグネトロンを用いたものが多
く、そのため発振するマイクロ波の周波数は固定し、許
容される発振周波数範囲は２４５０ＭＨｚ±５０ＭＨｚ
である。これより、マイクロ波プラズマ発生器の効率を
高めるには、同軸形共振器６０内における内部導体６１
の長さを調整して周波数の同調を図ることが必要とな
る。
−の発生源としては、マグネトロンを用いたものが多
く、そのため発振するマイクロ波の周波数は固定し、許
容される発振周波数範囲は２４５０ＭＨｚ±５０ＭＨｚ
である。これより、マイクロ波プラズマ発生器の効率を
高めるには、同軸形共振器６０内における内部導体６１
の長さを調整して周波数の同調を図ることが必要とな
る。
【００３２】図５、図６は上記した第２実施例の変形例
を示し、このマイクロ波プラズマ発生器は、雄ネジと雌
ネジとの螺合部６５からの電波漏洩を防止するのに接触
子６６を用いた第２実施例に対し、マイクロ波チョ−ク
６７によって対応したものである。なお、この変形例の
説明の中で第２実施例と同一部材については同一符号を
付してその説明を省略する。
を示し、このマイクロ波プラズマ発生器は、雄ネジと雌
ネジとの螺合部６５からの電波漏洩を防止するのに接触
子６６を用いた第２実施例に対し、マイクロ波チョ−ク
６７によって対応したものである。なお、この変形例の
説明の中で第２実施例と同一部材については同一符号を
付してその説明を省略する。
【００３３】内部導体６８は、第２実施例で示した内部
導体６１と同様、回転ネジ部６４を回転させることによ
って同軸形共振器６９内における長さが調整される。
導体６１と同様、回転ネジ部６４を回転させることによ
って同軸形共振器６９内における長さが調整される。
【００３４】蓋体７０は導体５５を連結させた内蓋７１
を有し、マイクロ波チョ−ク６７が内蓋７１の孔７１ａ
に連通するようになっている。
を有し、マイクロ波チョ−ク６７が内蓋７１の孔７１ａ
に連通するようになっている。
【００３５】つまり、蓋体７０の孔７１ａに対し、内蓋
７１の端面７１ｂより蓋体７０の内底面の距離をλ／４
の長さとしたマイクロ波チョ−ク６７が形成してある。
このようにすると、孔７１ａの長さとマイクロ波チョ−
クの長さとでλ／２の長さとなり、上記した端面７１ｂ
がマイクロ波の仮想短絡面となる。この結果、内部導体
６８と蓋体７０とは非接触でありながら、回転ネジ部６
４にマイクロ波が侵入することはなく、雄ネジと雌ネジ
との接合部６５からのマイクロ波の漏洩を防止できる。
７１の端面７１ｂより蓋体７０の内底面の距離をλ／４
の長さとしたマイクロ波チョ−ク６７が形成してある。
このようにすると、孔７１ａの長さとマイクロ波チョ−
クの長さとでλ／２の長さとなり、上記した端面７１ｂ
がマイクロ波の仮想短絡面となる。この結果、内部導体
６８と蓋体７０とは非接触でありながら、回転ネジ部６
４にマイクロ波が侵入することはなく、雄ネジと雌ネジ
との接合部６５からのマイクロ波の漏洩を防止できる。
【００３６】上記した各実施例及び変形例で示した同軸
形のマイクロ波プラズマ発生器は、従来例で示した導波
管形インピ−ダンス整合器や反射板７等を必要としない
ので充分に小形化される。例えば、第２実施例の変形例
で示したマイクロ波プラズマ発生器は一番大きなタイプ
であるが、長さを１７０ｍｍ、高さ及び幅を３０ｍｍで
構成することができる。
形のマイクロ波プラズマ発生器は、従来例で示した導波
管形インピ−ダンス整合器や反射板７等を必要としない
ので充分に小形化される。例えば、第２実施例の変形例
で示したマイクロ波プラズマ発生器は一番大きなタイプ
であるが、長さを１７０ｍｍ、高さ及び幅を３０ｍｍで
構成することができる。
【００３７】このように小形化されたマイクロ波プラズ
マ発生器は装置の集積化を可能とし、これによって大面
積のプラズマを得ることができる。
マ発生器は装置の集積化を可能とし、これによって大面
積のプラズマを得ることができる。
【００３８】図７は、同軸形のマイクロ波プラズマ発生
器を１０本集積したもので、図中７２は同軸形共振器、
７３は回転ネジ部、７４は同軸線路、７５は表面にプラ
ズマ処理を施す物体である。これにより、従来では不可
能であった大面積の物体の表面に同時に、かつ、隙間な
くプラズマ処理を行なうことが可能となる。
器を１０本集積したもので、図中７２は同軸形共振器、
７３は回転ネジ部、７４は同軸線路、７５は表面にプラ
ズマ処理を施す物体である。これにより、従来では不可
能であった大面積の物体の表面に同時に、かつ、隙間な
くプラズマ処理を行なうことが可能となる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明に係る同軸形
のマイクロ波プラズマ発生器は、導波管のマイクロ波プ
ラズマ発生器ではなし得なかった装置の小形化が可能と
なるので、その大きさに対して得られるプラズマの断面
積の割合が大きくなり、極めて効率の高いものとなる。
のマイクロ波プラズマ発生器は、導波管のマイクロ波プ
ラズマ発生器ではなし得なかった装置の小形化が可能と
なるので、その大きさに対して得られるプラズマの断面
積の割合が大きくなり、極めて効率の高いものとなる。
【００４０】また、装置の小形化によってマイクロ波プ
ラズマ発生器の集積化が可能となるので大面積のプラズ
マを発生させることもでき、応用範囲を一段と高めるこ
とができる。
ラズマ発生器の集積化が可能となるので大面積のプラズ
マを発生させることもでき、応用範囲を一段と高めるこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す同軸形のマイクロ波
プラズマ発生器の拡大底面図である。
プラズマ発生器の拡大底面図である。
【図２】本発明の第１実施例におけるマイクロ波プラズ
マ発生器の縦断側面図である。
マ発生器の縦断側面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す同軸形のマイクロ波
プラズマ発生器の拡大底面図である。
プラズマ発生器の拡大底面図である。
【図４】本発明の第２実施例におけるマイクロ波プラズ
マ発生器の縦断側面図である。
マ発生器の縦断側面図である。
【図５】本発明の第２実施例の変形例を示すマイクロ波
プラズマ発生器の拡大底面図である。
プラズマ発生器の拡大底面図である。
【図６】上記変形例におけるマイクロ波プラズマ発生器
の縦断側面図である。
の縦断側面図である。
【図７】本発明の応用例であり、同軸形のマイクロ波プ
ラズマ発生器の集積使用状態を示す斜視図である。
ラズマ発生器の集積使用状態を示す斜視図である。
【図８】従来例として示した導波管形マイクロ波プラズ
マ発生器の一部切欠き側面図である。
マ発生器の一部切欠き側面図である。
【図９】上記従来例の導波管形マイクロ波プラズマ発生
器の簡略平面図である。
器の簡略平面図である。
５０ 同軸形共振器 ５１ 外管 ５２ 蓋体 ５４ 同軸線路 ５５ 導体 ５７ 内部導体 ５８ 石英管 ６０ 同軸形共振器 ６１ 内部導体 ６３ 蓋体 ６４ 回転ネジ部 ６６ 接触子
フロントページの続き (72)発明者 谷山 記一 埼玉県新座市野火止４丁目18番３号 ミ クロ電子株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05H 1/46 H01L 21/3065
Claims (2)
- 【請求項１】 外体内に内部導体を備えた同軸形共振器
を設けると共に、内部導体の長さを（λ／２）．ｎ＋
（λ／４）に設定し、上記同軸形共振器に同軸モ−ドに
変換したマイクロ波を伝送して上記内部導体の先端部分
に高電界を生じさせプラズマを発生させる構成とした同
軸形のマイクロ波プラズマ発生器。 - 【請求項２】 同軸共振器内における上記内部導体の長
さを可変に構成したことを特徴とする請求項（１）記載
の同軸形のマイクロ波プラズマ発生器。
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| JP35486892A JP3149002B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 同軸形のマイクロ波プラズマ発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP35486892A JP3149002B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 同軸形のマイクロ波プラズマ発生器 |
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| JP3149002B2 true JP3149002B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=18440454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35486892A Expired - Lifetime JP3149002B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 同軸形のマイクロ波プラズマ発生器 |
Country Status (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-12-18 JP JP35486892A patent/JP3149002B2/ja not_active Expired - Lifetime
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