KR100626192B1 - 전자계 공급 장치 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

슬롯(26)을 복수 갖는 제1 도체판(23)과 이것에 대향 배치된 제2 도체판(22)으로 이루어지는 도파로(21)와, 제2 도체판(22)의 개구(25)에 접속된 원통 도파관(13)과, 제1 도체판(23) 위에 설치되고 제2 도체판(22)의 개구(25)를 향하여 돌출하며 또한 적어도 일부가 유전체로 형성된 범프(27)를 구비하고 있다. 일반적으로 동축 도파관보다도 특성 임피던스가 큰 원통 도파관(13)을 이용하는 것에 의해 전송 손실을 저감할 수 있다. 또한, 범프(27)를 설치하는 것에 의해 원통 도파관(13)과 도파로(21)와의 접속부에서의 전력의 반사를 저감할 수 있다. 이와 같이 전송 손실과 전력의 반사를 저감함으로써 전자계의 공급 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

전자계 공급 장치 및 플라즈마 처리 장치{ELECTROMAGNETIC FIELD SUPPLY DEVICE AND PLASMA PROCESSING DEVICE}
본 발명은 전자계 공급 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도파로를 전파하는 전자계를 슬롯을 통해 대상에 공급하는 전자계 공급 장치에 관한 것이다.
또한 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자계를 이용하여 플라즈마를 생성하고, 반도체나 LCD(liquid crystal desplay) 등의 피처리체를 처리하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치나 평판 디스플레이의 제조에 있어서, 산화막의 형성이나 반도체층의 결정 성장, 에칭, 또는 애싱 등의 처리를 하기 위해서, 플라즈마 처리 장치가 다용되고 있다. 이들 플라즈마 처리 장치의 하나로, 레이디얼 라인 슬롯 안테나(이하, RLSA라 약기한다)로부터 처리 용기 내에 마이크로파를 공급하고, 그 전자계의 작용에 의해 처리 용기 내의 가스를 전리 및 해리시켜 플라즈마를 생성하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치가 있다. 이 마이크로파 플라즈마 처리 장치는 저압력으로 고밀도의 플라즈마를 생성할 수 있기 때문에, 효율적인 플라즈마 처리가 가능하다.
도 20은 종래의 마이크로파 플라즈마 처리 장치의 일구성예를 도시한 도면이다. 이 도면에 도시하는 플라즈마 처리 장치는 피처리체인 기판(4)을 수용하여 이 기판(4)에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 처리 용기(1)와, 이 처리 용기(1) 내에 마이크로파(MW)를 공급하여 그 전자계의 작용에 의해 처리 용기(1) 내에 플라즈마(P)를 생성하는 전자계 공급 장치(210)를 갖고 있다.
처리 용기(1)는 상부가 개구하고 바닥이 있는 원통형을 이루고 있다. 이 처리 용기(1)의 저면 중앙부에는 절연판(2)을 통해 기판대(3)가 고정되어 있다. 이 기판대(3)의 상면에 기판(4)이 배치된다. 처리 용기(1)의 저면 주연부에는 진공 배기용 배기구(5)가 설치되어 있다. 처리 용기(1)의 측벽에는 처리 용기(1) 내에 가스를 도입하기 위한 가스 도입용 노즐(6)이 설치되어 있다. 예컨대 이 플라즈마 처리 장치가 에칭 장치로서 이용되는 경우, 노즐(6)로부터 Ar 등의 플라즈마 가스와, CF4 등의 에칭 가스가 도입된다.
처리 용기(1)의 상부 개구는 처리 용기(1) 내에서 생성되는 플라즈마(P)가 외부로 새지 않도록 유전체판(7)으로 밀폐되어 있다. 이 유전체판(7)의 위에 후술하는 전자계 공급 장치(210)의 RLSA(212)가 배치되어 있다. 이 RLSA(212)는 유전체판(7)에 의해서 처리 용기(1)로부터 격리되어, 처리 용기(1) 내에서 생성되는 플라즈마(P)로부터 보호되고 있다. 유전체판(7) 및 RLSA(212)의 외주는 처리 용기(1)의 측벽 위에 환상으로 배치된 실드재(8)에 의해서 덮혀, 마이크로파(MW)가 외부로 새지 않는 구조로 되어 있다.
전자계 공급 장치(210)는 마이크로파(MW)를 발생시키는 고주파 전원(211)과, RLSA(212)와, 고주파 전원(211)과 RLSA(212)와의 사이를 접속하는 동축 도파관(213)을 갖고 있다.
RLSA(212)는 레이디얼 도파로(221)를 형성하는 서로 평행한 2개의 원형 도체판(222, 223)과, 이들 2개의 도체판(222, 223)의 외주부를 접속하여 실드하는 도체링(224)을 갖고 있다. 레이디얼 도파로(221)의 상면이 되는 도체판(222)의 중심부에는 동축 도파관(213)으로부터 레이디얼 도파로(221) 내에 마이크로파(MW)를 도입하는 개구(225)가 형성되어 있다. 레이디얼 도파로(221)의 하면이 되는 도체판(223)에는 레이디얼 도파로(221) 내를 전파하는 마이크로파(MW)를 처리 용기(1) 내에 공급하는 슬롯(226)이 복수 형성되어 있다.
동축 도파관(213)은 동축으로 배치된 외도체(213A)와 내도체(213B)로 이루어지며, 외도체(213A)가 RLSA(212)의 도체판(222)의 개구(225)의 주위에 접속되고, 내도체(213B)가 상기 개구(225)를 통해 RLSA(212)의 도체판(223)의 중심에 접속되어 있다.
이러한 구성에 있어서, 고주파 전원(211)에서 발생한 마이크로파(MW)는 동축 도파관(213)을 통해 레이디얼 도파로(221) 내에 도입된다. 그리고 레이디얼 도파로(221) 내를 방사상으로 전파하여, 슬롯(226)으로부터 유전체판(7)을 통해 처리 용기(1) 내에 공급된다. 처리 용기(1) 내에서는 마이크로파(MW)의 전자계에 의해 노즐(6)로부터 도입된 플라즈마 가스가 전리, 경우에 따라서는 해리하여 플라즈마(P)가 생성되어, 기판(4)에 대한 처리가 행해진다.
도 21은 종래의 마이크로파 플라즈마 처리 장치의 다른 구성예를 도시하는 도면이다. 도 22는 도 21의 일부의 구성(원통 도파관과 레이디얼 도파로와의 접속 부)의 확대 단면도이다.
도 21에 도시하는 플라즈마 처리 장치는 피처리체인 기판(104)을 수용하여 이 기판(104)에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 처리 용기(101)와, 이 처리 용기(101) 내에 마이크로파(MW)를 공급하여 그 전자계의 작용에 의해 처리 용기(101) 내에 플라즈마(P)를 생성하는 전자계 공급 장치(310)를 갖고 있다.
처리 용기(101)는 상부가 개구하고 바닥이 있는 원통형을 이루고 있다. 이 처리 용기(101)의 저면 중앙부에는 절연판(102)을 통해 기판대(103)가 고정되어 있다. 이 기판대(103)의 상면에 기판(104)이 배치된다. 처리 용기(101)의 저면 주연부에는 진공 배기용 배기구(105)가 설치되어 있다. 처리 용기(101)의 측벽에는 처리 용기(101) 내에 가스를 도입하기 위한 가스 도입용 노즐(106)이 설치되어 있다. 예컨대 이 플라즈마 처리 장치가 에칭 장치로서 이용되는 경우, 노즐(106)로부터 Ar 등의 플라즈마 가스와, CF4 등의 에칭 가스가 도입된다.
처리 용기(101)의 상부 개구는 처리 용기(101) 내에서 생성되는 플라즈마(P)가 외부로 새지 않도록 유전체판(107)으로 밀폐되어 있다. 이 유전체판(107)의 위에 후술하는 전자계 공급 장치(310)의 RLSA(312)가 배치되어 있다. 이 RLSA(312)는 유전체판(107)에 의해서 처리 용기(101)로부터 격리되어, 처리 용기(101) 내에서 생성되는 플라즈마(P)로부터 보호되고 있다. 유전체판(107) 및 RLSA(312)의 외주는 처리 용기(101)의 측벽 위에 환상으로 배치된 실드재(108)에 의해서 덮혀, 마이크로파(MW)가 외부로 새지 않는 구조로 되어 있다.
전자계 공급 장치(310)는 마이크로파(MW)를 발생시키는 고주파 전원(311)과, RLSA(312)와, 고주파 전원(311)과 RLSA(312)와의 사이를 접속하는 원통 도파관(313)을 갖고 있다.
RLSA(312)는 레이디얼 도파로(321)를 형성하는 대향 배치된 2개의 원형 도체판(322, 323)과, 이들 2개의 도체판(322, 323)의 외주부를 접속하여 실드하는 도체링(324)으로 구성되어 있다. 레이디얼 도파로(321)의 상면이 되는 도체판(322)의 중심부에는 원통 도파관(313)에 접속되는 개구(325)가 형성되어, 이 개구(325)로부터 레이디얼 도파로(321) 내에 마이크로파(MW)가 도입된다. 레이디얼 도파로(321)의 하면이 되는 도체판(323)에는 레이디얼 도파로(321) 내를 전파하는 마이크로파(MW)를 처리 용기(101) 내에 공급하는 슬롯(326)이 복수 형성되어 있다.
도체판(323) 위의 중심부에는 알루미늄으로 형성된 범프(327)가 설치되어 있다. 범프(327)는 도체판(322)의 개구(325)를 향하여 돌출하는 대략 원추형으로 형성된 부재이다. 이 범프(327)에 의해 원통 도파관(313)으로부터 레이디얼 도파로(321)에의 임피던스의 변화를 완만하게 하여, 원통 도파관(313)과 레이디얼 도파로(321)와의 접속부에서의 마이크로파(MW)의 반사를 저감할 수 있다. 원통 도파관(313)의 직경 Lg = φ90 mm, 레이디얼 도파로(321)의 높이 D = 15 mm, 사용 주파수 f = 2.45 GHz라고 하는 조건하에서, -15 dB 정도의 반사율(=반사 전력/입력 전력)을 얻기 위해서는, 예컨대 범프(327)의 저면의 직경 Lb를 φ70 mm, 높이 Hb를 50 mm로 한다.
또한, 도체판(322)의 개구(325)의 주위에는 세라믹으로 형성된 지주(328)가 복수 설치되어 있다. 지주(328)는 도체판(322, 323)의 양방에 나사로 체결되어, 범프(327) 및 도체판(323) 자신에 의한 하중으로 도체판(323)이 만곡하는 것을 막고 있다.
그러나, 종래의 전자계 공급 장치(210)에서 이용되는 동축 도파관(213)은 전송 전력이 열로 변환되기 쉽고 전송 손실이 크기 때문에 전자계의 공급 효율이 낮다. 이 때문에, 이 전자계 공급 장치(210)를 이용한 종래의 플라즈마 처리 장치는 플라즈마(P)의 생성 효율이 낮다라고 하는 문제가 있었다.
또한, 동축 도파관(213)에 대전력을 투입하여 내도체(213B)가 과열되면, 내도체(213B)의 열에 의해 RLSA(212)의 도체판(223)이 내도체(213B)와의 접속 부분에서 변형되고, 그 결과 내도체(213B)와 도체판(223)과의 사이에 간극이 생겨, 이상 방전이 발생하는 경우가 있었다. 이것을 막기 위해서는, 가는 내도체(213B) 내에 냉각 기구를 설치할 필요가 있지만, 구조가 복잡해지고 비용이 높아진다. 이 때문에 종래의 플라즈마 처리 장치는 저비용으로 안정된 동작을 얻기 어렵다라고 하는 문제가 있었다.
또한, 종래의 전자계 공급 장치(310)에서 이용되는 범프(327)는 질량이 크고, 레이디얼 도파로(321)의 하면이 되는 도체판(323)에 걸리는 하중이 컸다. 이 때문에, 예컨대 RLSA(312)의 조립시에 어딘가에 부딪치는 등 충격이 주어진 경우, 도체판(323)을 지지하는 지주(328)가 빈번히 파손한다라고 하는 문제가 있었다.
지주(328)의 파손을 억제하기 위해서는, 지주(328)를 굵게 하여 강도를 크게 하면 좋다. 그러나, 가령 지주(328)를 세라믹으로 형성한다고 해도, 지주(328)를 너무 굵게 하면, 레이디얼 도파로(321) 내의 전자계에 부여하는 영향을 무시할 수 없게 된다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그 목적은 전자계의 공급 효율을 향상시키는 것에 있다.
또한 다른 목적은 도파로 내의 전자계에 큰 영향을 부여하는 일없이, 지주의 파손을 억제하는 것에 있다.
이러한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 전자계 공급 장치는 슬롯을 복수 갖는 제1 도체판과 이 제1 도체판에 대향 배치된 제2 도체판으로 이루어지는 도파로와, 제2 도체판의 개구에 접속된 원통 도파관과, 제1 도체판 위에 설치되고 제2 도체판의 개구를 향하여 돌출하며 또한 적어도 일부가 유전체로 형성된 범프를 구비한 것을 특징으로 한다.
이 전자계 공급 장치에 있어서, 범프의 다른 일부가 금속으로 형성되어 있더라도 좋다. 범프의 개구를 향하는 선단은 둥글게 되어 있더라도 좋다. 또한, 원통 도파관과 2개의 도체판으로 구성되는 도파로와의 접속부에 원통 도파관으로부터 상기 도파로를 향하여 넓어지는 테이퍼부를 설치하더라도 좋다. 또한, 제2 도체판의 개구의 주위에 배치되는 동시에 제1 및 제2 도체판에 체결되며 또한 유전체로 형성된 지주를 구비하고 있더라도 좋다.
또한, 본 발명의 전자계 공급 장치는 슬롯을 복수 갖는 제1 도체판과 이 제1 도체판에 대향 배치된 제2 도체판으로 이루어지는 도파로와, 제2 도체판의 개구에 접속된 원통 도파관을 구비하며, 원통 도파관과 상기 도파로와의 접속부에 원통 도파관으로부터 상기 도파로를 향하여 넓어지는 테이퍼부를 갖는 것을 특징으로 한다.
이 전자계 공급 장치에 있어서, 제1 도체판 위에 설치되고 제2 도체판의 개구를 향하여 돌출하는 범프를 구비하고 있더라도 좋다. 이 범프는 금속으로 형성되어 있더라도 좋다. 범프의 개구를 향하는 선단은 둥글게 되어 있더라도 좋다. 또한, 제2 도체판의 개구의 주위에 배치되는 동시에 제1 및 제2 도체판에 체결되며 또한 유전체로 형성된 지주를 구비하고 있더라도 좋다.
또한, 본 발명의 전자계 공급 장치는 슬롯을 복수 갖는 제1 도체판과 이 제1 도체판에 대향 배치된 제2 도체판으로 이루어지는 도파로와, 제2 도체판의 개구에 접속된 원통 도파관과, 제1 도체판 위에 설치되고 제2 도체판의 개구를 향하여 돌출하는 범프를 구비하며, 범프는 유전체로 형성된 범프 본체와, 이 범프 본체의 표면을 덮는 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이 전자계 공급 장치에 있어서, 원통 도파관과 상기 도파로와의 접속부에 원통 도파관으로부터 상기 도파로를 향하여 넓어지는 테이퍼부를 설치하더라도 좋다. 또한, 범프의 개구를 향하는 선단은 둥글게 되어 있더라도 좋다. 또한, 제2 도체판의 개구의 주위에 배치되는 동시에 제1 및 제2 도체판에 체결되며 또한 유전체로 형성된 지주를 구비하고 있더라도 좋다.
또한 전술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 피처리체가 수용되는 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 전자계를 공급하는 전자계 공급 장치를 구비하며, 전자계 공급 장치로서 전술한 전자계 공급 장치가 이용되는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 있어서의 II-II'선 방향으로부터 본 레이디얼 도파로의 하면이 되는 도체판의 평면도이다.
도 3은 범프의 바람직한 측면 형상을 도시하는 개념도이다.
도 4는 원편파 변환기의 일구성예를 도시한 도면이다.
도 5는 원통 도파관과 레이디얼 도파로와의 접속부에서의 마이크로파의 전파의 상태를 도시하는 개념도이다.
도 6은 레이디얼 도파로에서의 마이크로파의 분포를 설명하기 위한 도면이다.
도 7a∼도 7c는 범프의 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 8a∼도 8c는 범프의 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 9는 범프의 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예의 주요부 구성을 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예의 구성을 도시한 도면이다.
도 12는 원편파 변환기의 일구성예를 도시한 도면이다.
도 13은 레이디얼 라인 슬롯 안테나의 확대 단면도이다.
도 14는 도 13에 있어서의 XIV-XIV'선 방향으로부터 본 레이디얼 도파로의 하면이 되는 도체판의 평면도이다.
도 15는 범프의 바람직한 측면 형상을 도시하는 개념도이다.
도 16은 원통 도파관과 레이디얼 도파로와의 접속부에서의 마이크로파의 전파의 상태를 도시하는 개념도이다.
도 17은 레이디얼 도파로에서의 마이크로파의 분포를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 본 발명의 제4 실시예의 주요부 구성을 도시하는 단면도이다.
도 19는 본 발명의 제5 실시예의 주요부 구성을 도시하는 단면도이다.
도 20은 종래의 플라즈마 처리 장치의 일구성예를 도시한 도면이다.
도 21은 종래의 마이크로파 플라즈마 처리 장치의 다른 구성예를 도시하는 도면이다.
도 22는 원통 도파관과 레이디얼 도파로와의 접속부의 확대 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 관해서 상세히 설명한다.
제1 실시예
도 1은 본 발명의 제1 실시예의 구성을 도시한 도면이다. 이 도면에서는 도 20과 동일 부분 또는 해당 부분을 동일 부호로 나타내고 있고, 그 설명을 적절하게 생략한다.
도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치는 피처리체인 반도체나 LCD 등의 기판(4)을 수용하여 이 기판(4)에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 처리 용기(1) 와, 이 처리 용기(1) 내에 마이크로파(MW)를 공급하여 그 전자계의 작용에 의해 처리 용기(1) 내에 플라즈마(P)를 생성하는 전자계 공급 장치(10)를 갖고 있다.
전자계 공급 장치(10)는 주파수가 2.45 GHz의 마이크로파(MW)를 발생시키는 고주파 전원(11)과, 레이디얼 라인 슬롯 안테나(이하, RLSA라 약기한다)(12)와, 고주파 전원(11)과 RLSA(12)와의 사이를 접속하는 원통 도파관(13)을 갖고 있다. 원통 도파관(13)의 전송 주파수는 2.45 GHz이며, 전송 모드는 TE11이다.
RLSA(12)는 레이디얼 도파로(21)를 형성하는 대향 배치된 2개의 원형 도체판(22, 23)과, 이들 2개의 도체판(22, 23)의 외주부를 접속하여 실드하는 도체링(24)으로 구성되어 있다.
도체링(24)의 내면 위치는 처리 용기(1)의 측벽 내면의 직경 방향 위치와 대략 동일하게 되어 있다. 또한 실드재(8)의 내면 위치와 처리 용기(1)의 측벽 내면의 직경 방향 위치와의 차의 길이는 도체판(23)의 하면과 처리 용기(1)의 측벽 상면과 실드재(8)의 내면으로 형성되는 공간에서의 마이크로파(MW)의 파장(λg')과 대략 동일하게 되어 있다. 또, 그 이외의 치수라도 상관없다.
레이디얼 도파로(21)의 상면이 되는 도체판(22)의 중심부에는 원통 도파관(13)에 접속되는 개구(25)가 형성되어, 이 개구(25)로부터 레이디얼 도파로(21) 내에 마이크로파(MW)가 도입된다. 레이디얼 도파로(21)의 하면이 되는 도체판(23)에는 레이디얼 도파로(21) 내를 전파하는 마이크로파(MW)를 처리 용기(1) 내에 공급하는 슬롯(26)이 복수 형성되어 있다.
도 2는 도체판(23) 위의 슬롯 배치의 일례를 도시하는 평면도이다. 이 도면에 도시한 바와 같이, 도체판(23)에는 도체판(23)의 주위 방향으로 신장하는 슬롯(26)을 동심원 상에 배치하더라도 좋다. 또한 슬롯(26)을 나사선 상에 배치하더라도 좋다. 도체판(23)의 반경 방향의 슬롯 간격을 λg(λg는 레이디얼 도파로(21)에 있어서의 관내 파장) 정도로 하여 방사형 안테나로 해도 좋고, λg/3∼λg/40 정도로 하여 리크형 안테나로 해도 좋다. 또한 ハ의 글자형을 이루는 슬롯(26)의 쌍을 복수 배치하고, 원편파를 방사하도록 하더라도 좋다.
또, 레이디얼 도파로(21) 내에 비유전률이 1보다 큰 유전체를 배치하더라도 좋다. 이에 따라 관내 파장(λg)이 짧아지기 때문에 도체판(23)의 반경 방향에 배치되는 슬롯(26)을 늘려 마이크로파(MW)의 공급 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 도체판(23) 위의 중심부에는 유전체로 형성된 범프(27)가 설치되어 있다. 범프(27)는 도체판(22)의 개구(25)를 향하여 돌출하는 대략 원추형으로 형성된 부재이다. 범프(27)는 비유전률이 10 이상인 유전체로 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 그것보다 작더라도 좋다. 이 범프(27)에 의해 원통 도파관(13)으로부터 레이디얼 도파로(21)에의 임피던스의 변화를 완만하게 하여, 원통 도파관(13)과 레이디얼 도파로(21)와의 접속부에서의 마이크로파(MW)의 반사를 저감할 수 있다. 예컨대, 대략 원추형의 범프(27)를 비유전률 εr = 20의 유전체로 형성하고, 그 저면의 직경을 φ70 mm, 높이를 48 mm으로 한 경우, 반사율(반사 전력/입사 전력)이 약 20 dB 이하라고 하는 양호한 시뮬레이션 결과가 얻어지고 있다.
도 3은 범프(27)의 바람직한 측면 형상을 도시하는 개념도이다. 이 도면에 도시한 바와 같이, 범프(27)의 선단을 대략 구면형으로 둥글게 하는 것에 의해, 범프(27)의 선단에 전계가 집중하여 이상 방전이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한 범프(27)의 아래 부분의 능선의 도체판(23)에 대한 기울기를 작게 함으로써, 범프(27)와 도체판(23)과의 경계에서의 임피던스 변화를 작게 하여, 거기에서의 마이크로파(MW)의 반사를 저감할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 도체판(22)의 개구(25)의 주위에는 유전체로 이루어지는 지주(28)가 복수 설치되어 있다. 지주(28)는 도체판(22, 23)의 양방에 체결되어, 범프(27)의 하중에 의해 도체판(23)이 만곡하는 것을 막고 있다.
또한 원통 도파관(13)에는 고주파 전원(11)측에 원편파 변환기(14)가, 또한 RLSA(12)측에는 정합기(15)가 설치되어 있다.
원편파 변환기(14)는 원통 도파관(13)을 전파하는 TE11 모드의 마이크로파(MW)를 원편파로 변환하는 것이다. 여기에서 원편파란 그 전계 벡터가 진행 방향의 축에 대하여 수직한 면 위에서 1주기에 1회전하는 회전 전계인 전자파를 말한다.
도 4는, 원편파 변환기(14)의 일구성예를 도시한 도면이며, 원통 도파관(13)의 축에 수직한 단면을 도시하고 있다. 이 도면에 도시하는 원편파 변환기(14)는 원통 도파관(13)의 내벽면에 서로 대향하는 2개의 원주형 돌기(14A, 14B)를 한 쌍, 또는 이들을 원통 도파관(13)의 축 방향에 여러 쌍 설치한 것이다. 2개의 원주형 돌기(14A, 14B)는 TE11 모드의 마이크로파(MW)의 전계(E)의 주방향에 대하여 45°를 이루는 방향으로 배치된다. 또, 다른 구성의 원편파 변환기를 이용하더라도 좋다.
정합기(15)는 원통 도파관(13)의 공급측(즉 고주파 전원(11)측)과 부하측(즉 RLSA(12)측)과의 임피던스의 정합을 취하는 것이다. 정합기(15)로서는 예컨대, 리액턴스 소자를 원통 도파관(13)의 축 방향에 복수 설치하고, 또한 원통 도파관(13)의 주위 방향에 90°의 각도 간격으로 4조 설치한 것을 이용할 수 있다. 리액턴스 소자로서는 원통 도파관(13)의 내벽면으로부터 반경 방향으로 돌출하는 도체 또는 유전체로 이루어지는 스터브나, 일단이 원통 도파관(13) 내에 개구하고 타단이 전기 기능적으로 쇼트된 분기 도파관 등을 이용할 수 있다.
다음에, 도 1에 도시한 플라즈마 처리 장치의 동작에 관해서 설명한다. 도 5는 원통 도파관(13)과 레이디얼 도파로(21)와의 접속부에서의 마이크로파(MW)의 전파의 상태를 도시하는 개념도이다.
고주파 전원(11)에서 발생한 마이크로파(MW)는 원통 도파관(13)에 설치된 원편파 변환기(14)에 의해 원편파로 변환되어, 레이디얼 도파로(21)를 향하여 전파한다. 마이크로파(MW)는 원통 도파관(13)을 TE11 모드로 전파하기 때문에, 마이크로파(MW)의 전계(E)의 방향은 원통 도파관(13)의 축에 수직한 「수평 방향」이지만, 마이크로파(MW)가 원통 도파관(13)과 레이디얼 도파로(21)와의 접속부에 도달하면 마이크로파(MW)의 전계(E)의 방향은 도 5에 도시한 바와 같이 범프(27)에 의해, 서서히 도체판(22, 23)에 수직한 「수직 방향」으로 변화해 나간다. 그리고 레이디얼 도파로(21)에 도입된 마이크로파(MW)는 TE 모드로 반경 방향으로 전파해 나간다.
레이디얼 도파로(21)를 전파하는 마이크로파(MW)는 레이디얼 도파로(21)의 하면이 되는 도체판(23)에 복수 형성된 슬롯(26)으로부터 유전체판(7)을 통해 처리 용기(1) 내에 공급된다. 처리 용기(1) 내에서는 마이크로파(MW)의 전자계에 의해 노즐(6)로부터 도입된 플라즈마 가스가 전리, 경우에 따라서는 해리하여 플라즈마(P)가 생성되어, 기판(4)에 대한 처리가 행해진다.
다음에, 도 1에 도시한 플라즈마 처리 장치에 의해 얻어지는 효과에 관해서 설명한다. 전자계 공급 장치(10)는 일반적으로 특성 임피던스가 큰 원통 도파관(13)을 이용하고 있다. JIS 규격에 따르면, 2.45 GHz용 동축 도파관(213)의 특성 임피던스가 50 Ω인 것에 대하여, 동일한 주파수용 원통 도파관(13)의 특성 임피던스는 500∼600 Ω으로 크다. 이 때문에 동일한 전력을 투입한 경우에 생기는 벽면 전류는 동축 도파관(213)보다도 원통 도파관(13)쪽이 작아진다. 벽면 전류가 작을수록 전송 전력이 열로 변환되는 것에 의한 전송 손실이 작아지기 때문에, 벽면 전류가 비교적 작은 원통 도파관(13)을 이용하는 것에 의해 전송 손실을 저감할 수 있다.
또한, 유전체로 이루어지는 범프(27)를 설치함으로써, 원통 도파관(13)으로부터 레이디얼 도파로(21)에의 임피던스의 변화를 완만하게 하여, 원통 도파관(13)과 레이디얼 도파로(21)와의 접속부에서의 전력의 반사를 저감할 수 있다.
이와 같이 전송 손실과 전력의 반사를 저감함으로써, 전자계 공급 장치(10) 에 의한 전자계의 공급 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 전자계 공급 장치(10)를 이용하여 플라즈마 처리 장치를 구성함으로써, 플라즈마(P)의 생성 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 전자계 공급 장치(10)에 이용되는 원통 도파관(13)은 동축 도파관(213)과 같은 내도체(213B)를 가지지 않기 때문에, 내도체의 과열이 원인인 이상 방전은 발생하지 않는다. 또, 전자계 공급 장치(10)는 범프(27)를 갖지만, 원통 도파관(13)의 발열량은 동축 도파관(213)보다도 작기 때문에, 원통 도파관(13)에 대전력을 투입한 경우라도 원통 도파관(13)으로부터의 열에 의해 범프(27)가 과열되는 것이 원인인 이상 방전은 발생하지 않는다. 이 때문에 이상 방전을 막기 위해서 냉각 기구 등의 복잡한 구조체를 설치할 필요가 없다. 따라서, 전자계 공급 장치(10) 및 플라즈마 처리 장치의 안정된 동작을 저비용으로 실현할 수 있다.
또한, 마이크로파(MW)는 원통 도파관(13)을 TE11 모드로 전파하기 때문에, 레이디얼 도파로(21) 내의 전계 강도 분포는 도 6에 도시한 바와 같이 원통 도파관(13) 내의 전계(E)의 방향에 전계 강도가 강한 부분(F)이 강하게 편재하게 된다. 그러나 원통 도파관(13)을 전파하는 마이크로파(MW)는 원편파이고, 마이크로파(MW)의 전계(E)는 원통 도파관(13)의 축을 중심으로 회전하고 있기 때문에, 레이디얼 도파로(21) 내에서의 전계 강도가 강한 부분(F)도 마찬가지로 회전한다. 따라서 레이디얼 도파로(21) 내의 전계 강도 분포는 시간 평균으로 균일화된다. 이에 따라 처리 용기(1) 내의 전계 강도 분포도 시간 평균으로 균일화되기 때문에, 처리 용기(1) 내의 전자계에 의해 생성된 플라즈마(P)를 이용하여 기판(4)의 면내에서 균일한 처리를 행할 수 있다.
다음에, 범프(27)의 변형예에 관해서 설명한다. 도 7a∼도 7c, 도 8a∼도 8c 및 도 9는 범프의 변형예를 도시하는 도면이다.
도 1에 도시한 범프(27)는 유전체만으로 형성되어 있는 것에 대하여, 도 7a에 도시한 범프(30)는 알루미늄 또는 구리 등의 금속으로 형성된 하층(31)과, 유전체로 형성된 상층(32)으로 이루어지는 이층 구조를 갖고 있다.
상층(32)을 하층(31)에 접합하기 위해서는, 예컨대 도 7b에 도시한 바와 같이 상층(32)과 하층(31)을 볼트(33)로 체결하더라도 좋다. 볼트(33)는 유전체로 형성되는 것이 바람직하다. 또한 도 7c에 도시한 바와 같이 유전체로 형성된 상층(32)의 하면에 금속 박막(34)을 형성하고, 상층(32)과 하층(31)을 열압착하더라도 좋다. 이 경우, 납재를 이용하더라도 좋다. 금속 박막(34)을 열전도성이 좋은 재료로 형성함으로써, 상층(32)에서 발생한 열을 하층(31)을 통해 도체판(23)으로 보내, 범프(30)의 과열을 막을 수 있다.
또한, 도 8a에 도시하는 범프(40)와 같이 하층(41)이 유전체로 형성되고, 상층(42)이 금속으로 형성되어 있더라도 좋다.
또한, 도 8b에 도시하는 범프(50)와 같이 금속으로 형성된 층(51, 53)과, 유전체로 형성된 층(52, 54)이 교대로 배치된 다층 구조를 갖고 있더라도 좋다.
또한, 도 8c에 도시하는 범프(60)와 같이 범프 본체(61)가 유전체로 형성되고, 이 범프 본체(61)의 일부 또는 전부의 표면이 금속 박막(62)으로 덮힌 구조를 갖고 있더라도 좋다.
또한, 도 9에 도시하는 범프(70)와 같이 범프(70)의 축을 포함하는 면에 의해, 금속으로 형성된 부분(71, 73, 75, 77)과, 유전체로 형성된 부분(72, 74, 76, 78)으로 분할된 구조를 갖고 있더라도 좋다.
이와 같이 범프는 반드시 유전체만으로 형성할 필요는 없고, 부분적으로 금속으로 형성하더라도 좋다. 부분적으로 금속으로 형성함으로써, 유전체에 관해서는 비유전률이 낮은 저가격의 것을 이용할 수 있다. 따라서 범프의 제조 비용을 저감할 수 있다.
제2 실시예
도 10은 본 발명의 제2 실시예의 주요부 구성을 도시하는 단면도이다. 이 도면에서는 도 1 및 도 7a∼도 7c와 동일 부분 또는 해당 부분을 동일 부호로 나타내고 있고, 그 설명을 적절하게 생략한다.
도 10에 도시하는 전자계 공급 장치는 원통 도파관(13)과 레이디얼 도파로(21)와의 접속부에 원통 도파관(13)으로부터 도체판(22A)을 향하여 넓어지는 테이퍼부(81)를 갖고 있다. 또, 도체판(23) 위의 중심부에는 금속으로 형성된 하층(31)과, 유전체로 형성된 상층(32)으로 이루어지는 범프(30)가 설치되어 있다.
이 전자계 공급 장치와 같이, 범프(30)를 설치하는 동시에, 원통 도파관(13)과 레이디얼 도파로(21)와의 접속부에 테이퍼부(81)를 설치함으로써, 원통 도파관(13)으로부터 레이디얼 도파로(21)에의 임피던스 변화를 더욱 완만하게 하여, 양자의 접속부에서의 전력의 반사를 더욱 저감할 수 있다.
이 전자계 공급 장치의 반사율에 관한 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 이 시뮬레이션에서는 원통 도파관(13)의 직경(Lg)을 φ90 mm, 레이디얼 도파로(21)의 직경(La), 높이(D)를 각각 φ480 mm, 15 mm로 했다. 또한, 테이퍼부(81)의 저면의 반경과 원통 도파관(13)의 반경(Lg/2)과의 차(Wt)를 5 mm, 테이퍼부(81)의 높이(Ht)를 5 mm로 했다. 또한, 범프(30)의 저면의 직경(Lb), 높이(Hb)를 각각 φ70 mm, 50 mm로 하고, 범프(30)의 하층(31)을 알루미늄으로 형성하고, 상층(32)을 BaTiO3(티탄산바륨 : 2.45 GHz에서의 비유전률 εr = 13∼15, tanδ=10-4)으로 형성했다. 이러한 구성에 있어서, 고주파 전원(11)으로부터 주파수가 2.45 GHz의 마이크로파(MW)를 투입한 경우, 반사율은 -30∼-25 dB로 매우 작았다. 따라서, 이 전자계 공급 장치는 전자계의 공급 효율이 높다고 할 수 있다. 이 전자계 공급 장치를 플라즈마 처리 장치에 이용함으로써, 플라즈마를 효율적으로 생성할 수 있다.
이상에서는 주파수가 2.45 GHz의 마이크로파(MW)를 사용한 예를 설명했지만, 사용할 수 있는 주파수는 2.45 GHz에 한정되지 않는다. 예컨대 주파수가 1 GHz∼십수 GHz의 마이크로파에 대해서도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 마이크로파보다도 낮은 주파수대를 포함하는 고주파를 이용한 경우라도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 마이크로파(MW)의 전송 모드는 TM01 모드라도 좋다.
또한, 슬롯 안테나의 일례로서 RLSA(12, 12A)를 이용하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 다른 슬롯 안테나라도 상관없다.
제3 실시예
도 11은 본 발명의 제3 실시예의 구성을 도시한 도면이다. 이 도면에서는 도 21과 동일 부분 또는 해당 부분을 동일 부호로 나타내고 있고, 그 설명을 적절하게 생략한다.
도 11에 도시하는 플라즈마 처리 장치는 반도체나 LCD 등의 기판(피처리체)(104)을 수용하여 이 기판(104)에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 처리 용기(101)와, 이 처리 용기(101) 내에 마이크로파(MW)를 공급하여 그 전자계의 작용에 의해 처리 용기(101) 내에 플라즈마(P)를 생성하는 전자계 공급 장치(110)를 갖고 있다.
전자계 공급 장치(110)는 주파수가 2.45 GHz의 마이크로파(MW)를 발생시키는 고주파 전원(111)과, 레이디얼 라인 슬롯 안테나(이하, RLSA라 약기한다)(112)와, 고주파 전원(111)과 RLSA(112)와의 사이를 접속하는 원통 도파관(113)을 갖고 있다. 원통 도파관(113)의 전송 주파수는 2.45 GHz이며, 전송 모드는 TE11이다.
또한 원통 도파관(113)에는 고주파 전원(111)측에 원편파 변환기(114)가, 또한 RLSA(112)측에 정합기(115)가 설치되어 있다.
원편파 변환기(114)는 원통 도파관(113)을 전파하는 TE11 모드의 마이크로파(MW)를 원편파로 변환하는 것이다. 여기에서 원편파란 그 전계 벡터가 진행 방향의 축에 대하여 수직한 면 위에서 1주기에 1회전하는 회전 전계인 전자파를 말한다.
도 12는 원편파 변환기(114)의 일구성예를 도시한 도면이며, 원통 도파관(113)의 축에 수직한 단면을 도시하고 있다. 이 도면에 도시하는 원편파 변환기(114)는 원통 도파관(113)의 내벽면에 서로 대향하는 2개의 원주형 돌기(114A, 114B)를 한 쌍, 또는 이들을 원통 도파관(113)의 축 방향에 여러 쌍 설치한 것이다. 2개의 원주형 돌기(114A, 114B)는 TE11 모드의 마이크로파(MW)의 전계(E)의 주방향에 대하여 45°를 이루는 방향으로 배치된다. 또, 다른 구성의 원편파 변환기를 이용하더라도 좋다.
정합기(115)는 원통 도파관(113)의 공급측(즉 고주파 전원(111)측)과 부하측(즉 RLSA(112)측)과의 임피던스의 정합을 취하는 것이다. 정합기(115)로서는 예컨대, 리액턴스 소자를 원통 도파관(113)의 축 방향에 복수 설치한 것을 1조로 하고, 이들을 원통 도파관(113)의 주위 방향에 90°의 각도 간격으로 4조 설치한 것을 이용할 수 있다. 리액턴스 소자로서는 원통 도파관(113)의 내벽면으로부터 반경 방향으로 돌출하는 도체 또는 유전체로 이루어지는 스터브나, 일단이 원통 도파관(113) 내에 개구하고 타단이 전기 기능적으로 쇼트된 분기 도파관 등을 이용할 수 있다.
도 13은 도 11에 도시한 RLSA(112)의 확대 단면도이다. RLSA(112)는 레이디얼 도파로(121)를 형성하는 대향 배치된 2개의 원형 도체판(122, 123)과, 이들 2개의 도체판(122, 123)의 외주부를 접속하여 실드하는 도체링(124)으로 구성되어 있다. 레이디얼 도파로(121)의 상면이 되는 도체판(122)과 도체링(124)은 일체로 형 성되고, 레이디얼 도파로(121)의 하면이 되는 도체판(123)은 도체링에 볼트(130)로 체결되어 있다.
레이디얼 도파로(121)의 상면이 되는 도체판(122)의 중심부에는 원형의 개구(125)가 형성되어, 이 개구(125)의 주위에 원통 도파관(113)의 플랜지(113F)가 볼트(도시하지 않음)로 체결된다. 이에 따라 원통 도파관(113)과 레이디얼 도파로(121)가 접속되고, 원통 도파관(113)을 전파하는 마이크로파(MW)가 개구(125)로부터 레이디얼 도파로(121) 내에 도입된다.
레이디얼 도파로(121)의 하면이 되는 도체판(123)에는 레이디얼 도파로(121) 내를 전파하는 마이크로파(MW)를 처리 용기(101) 내에 공급하는 슬롯(126)이 복수 형성되어 있다.
도 14는 도체판(123) 위의 슬롯 배치의 일례를 도시하는 평면도이다. 이 도면에 도시한 바와 같이 도체판(123)에는 도체판(123)의 주위 방향으로 신장하는 슬롯(126)을 동심원 상에 배치하더라도 좋다. 또한 슬롯(126)을 나선 상에 배치하더라도 좋다. 도체판(123)의 반경 방향의 슬롯 간격을 λg(λg는 레이디얼 도파로(121)에 있어서의 관내 파장) 정도로 하여 방사형 안테나로 해도 좋고, λg/3∼λg/40 정도로 하여 리크형 안테나로 해도 좋다. 또한 ハ의 글자형을 이루는 슬롯(126)의 쌍을 복수 배치하고, 원편파를 방사하도록 하더라도 좋다.
또, 레이디얼 도파로(121) 내에 비유전률이 1보다 큰 유전체를 배치하더라도 좋다. 이에 따라 관내 파장(λg)이 짧아지기 때문에, 도체판(123)의 반경 방향에 배치되는 슬롯(126)을 늘려 마이크로파(MW)의 공급 효율을 향상시킬 수 있다.
도 13에 도시한 바와 같이, 원통 도파관(113)과 레이디얼 도파로(121)와의 접속부에 원통 도파관(113)으로부터 레이디얼 도파로(121)를 향하여 넓어지는 테이퍼부(129)를 갖고 있다. 테이퍼의 단면 형상은 직선형이라도 좋고, 원호형이라도 좋다.
또한, 도체판(123)의 중심부에는 범프(127)가 설치되어 있다. 이 범프(127)는 도체판(122)의 개구(125)를 향하여 돌출하는 대략 원추형으로 형성된 부재이며, 예컨대 알루미늄 또는 구리 등의 금속으로 형성된다.
도 15는 범프(127)의 바람직한 측면 형상을 도시하는 개념도이다. 이 도면에 도시한 바와 같이, 범프(127)의 선단을 대락 구면형으로 둥글게 하는 것에 의해, 범프(127)의 선단에 전계가 집중하여 이상 방전이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 범프(127)의 아래 부분의 능선의 도체판(123)에 대한 기울기를 작게 함으로써, 범프(127)와 도체판(123)과의 경계에서의 임피던스 변화를 작게 하여, 거기에서의 마이크로파(MW)의 반사를 저감할 수 있다.
이러한 대략 원추형의 범프(127)와 전술한 테이퍼부(129)와의 작용에 의해, 원통 도파관(113)으로부터 레이디얼 도파로(121)에의 임피던스의 변화를 완만하게 하여, 원통 도파관(113)과 레이디얼 도파로(121)와의 접속부에서의 마이크로파(MW)의 반사를 저감할 수 있다.
또한 도 13에 도시한 바와 같이, 도체판(122)의 개구(125)의 주위에는 지주(128)가 복수 배치되어 있다. 지주(128)는 전체적으로 원주형을 이루고, 상부 외면에 나사부가 형성되고, 하면에 나사 구멍이 형성되어 있다. 이 지주를 도체판(122)의 개구(125)의 주위 및 원통 도파관(113)의 플랜지(113F)에 형성된 구형(矩形)의 관통 구멍에 삽입하고, 지주(128)의 하면을 도체판(123)에 접촉시킨 상태로 도체판(123)의 아래로부터 볼트(131)를 지주(128)의 나사 구멍에 삽입함으로써, 지주(128)를 도체판(123)에 체결한다. 또한, 플랜지(113F)로부터 위로 돌출하는 나사부에 너트(132)를 삽입함으로써, 지주(128)를 도체판(122)에 체결한다. 이와 같이 지주(128)를 도체판(122, 123)의 양방에 체결함으로써, 도체판(123)의 중심 부근을 지주(128)로 지지하고, 범프(127) 및 도체판(123) 자신의 하중에 의해 도체판(123)이 만곡하는 것을 방지할 수 있다. 또, 지주(128) 및 볼트(131)를 세라믹 등의 유전체로 형성함으로써, 레이디얼 도파로(121) 내의 전자계에 부여하는 영향을 억제하고 있다.
다음에, 도 11∼도 15에 도시한 플라즈마 처리 장치의 동작에 관해서 설명한다. 도 16은 원통 도파관(113)과 레이디얼 도파로(121)와의 접속부에서의 마이크로파(MW)의 전파의 상태를 도시하는 개념도이다.
고주파 전원(111)에서 발생한 마이크로파(MW)는 원통 도파관(113)을 TE11 모드로 전파하고, 원편파 변환기(114)에 의해 원편파로 변환되어, 원통 도파관(113)과 레이디얼 도파로(121)와의 접속부에 도달한다. 이 접속부에서 마이크로파(MW)는 도 16에 도시한 바와 같이 범프(127)에 의해 원통 도파관(113)의 축을 포함하는 면내에서 좌우로 분할되어, 원통 도파관(113) 내에서 수평 방향이던 전계(E)의 방향이 범프(127) 및 테이퍼부(129)에 의해 서서히 경사지게 되고, 최종적으로는 수직 방향으로 변화된다. 이렇게 해서 레이디얼 도파로(121)에 도입된 마이크로파(MW)는 TE 모드로 반경 방향으로 전파해 나간다.
레이디얼 도파로(121)를 전파하는 마이크로파(MW)는 레이디얼 도파로(121)의 하면이 되는 도체판(123)에 복수 형성된 슬롯(126)으로부터 유전체판(107)을 통해 처리 용기(101) 내에 공급된다. 처리 용기(101) 내에서는 마이크로파(MW)의 전자계에 의해, 노즐(106)로부터 도입된 플라즈마 가스가 전리, 경우에 따라서는 해리하여 플라즈마(P)가 생성되어, 기판(104)에 대한 처리가 행해진다.
마이크로파(MW)는 원통 도파관(113)을 TE11 모드로 전파하기 때문에, 레이디얼 도파로(121) 내의 전계 강도 분포는 도 17에 도시한 바와 같이 원통 도파관(113) 내의 전계(E)의 방향에 전계 강도가 강한 부분(F)이 강하게 편재하게 된다. 그러나 원통 도파관(113)을 전파하는 마이크로파(MW)는 원편파이고, 마이크로파(MW)의 전계(E)는 원통 도파관(113)의 축을 중심으로 회전하고 있기 때문에, 레이디얼 도파로(121) 내에서의 전계 강도가 강한 부분(F)도 마찬가지로 회전한다. 따라서 레이디얼 도파로(121) 내의 전계 강도 분포는 시간 평균으로 균일화된다. 이에 따라 처리 용기(101) 내의 전계 강도 분포도 시간 평균으로 균일화되기 때문에, 처리 용기(101) 내의 전자계에 의해 생성된 플라즈마(P)를 이용하여 기판(104)의 면내에서 균일한 처리를 행할 수 있다.
다음에, 도 13에 도시한 전자계 공급 장치(110)에 관한 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 이 시뮬레이션에서는 원통 도파관(113)의 직경(Lg)을 φ90 mm, 레이디얼 도파로(121)의 직경(La), 높이(D)를 각각 φ480 mm, 15 mm로 했다. 또한, 테이퍼부(129)의 저면의 반경과 원통 도파관(113)의 반경(Lg/2)과의 차(Wt)를 5 mm, 테이퍼부(181)의 높이(Ht)를 5 mm로 했다. 또한, 범프(127)를 알루미늄으로 형성하고, 그 저면의 직경(Lb), 높이(Hb)를 각각 φ85 mm, 30 mm로 했다. 이러한 구성에 있어서, 원통 도파관(113)에 주파수가 2.45 GHz인 마이크로파(MW)를 투입한 것으로 하여 시뮬레이션을 행한 바, 원통 도파관(113)과 레이디얼 도파로(121)와의 접속부에서의 반사율(반사 전력/입력 전력)은 -15 dB였다.
이 시뮬레이션 결과로부터, 종래에는 Lb=φ70 mm, Hb=50 mm의 범프(327)를 이용하여 얻어진 반사율을, 도 13에 도시한 전자계 공급 장치(110)에서는 테이퍼부(129)를 설치함으로써 종래보다도 체적이 작은 Lb=φ85 mm, Hb=30 mm의 범프(127)를 이용하여 얻어지는 것을 알 수 있다. 범프(127)의 체적을 작게 함으로써, 그 질량을 작게 하고, 도체판(123)에 걸리는 하중을 작게 할 수 있다. 이 때문에, RLSA(112)에 충격이 주어진 경우에 도체판(123)을 지지하는 지주(128)가 파손하는 빈도를 저감할 수 있다.
이 전자계 공급 장치(110)에서는 지주(128)를 굵게 하지 않고 지주(128)가 파손하는 빈도를 저감할 수 있기 때문에, 레이디얼 도파로(121) 내의 전자계에 주어지는 영향은 작다.
또한, 범프(127)의 저면의 직경(Lb)만을 변화시켜 동일한 시뮬레이션을 행한 바, 직경(Lb)이 φ90 mm 이상이고 반사율이 -20 dB 이하가 되었다. 이 결과로부터, Wt = Ht = 5 mm의 테이퍼부(129)를 형성하고, Lb ≥φ90 mm, Hb = 30 mm의 범프(127)를 이용함으로써, 원통 도파관(113)과 레이디얼 도파로(121)와의 접속부에서의 반사를 매우 작게 할 수 있다고 말할 수 있다.
제4 실시예
도 18은 본 발명의 제4 실시예의 주요부 구성을 도시하는 단면도이다. 이 도면에서는 도 11, 도 13과 동일 부분 또는 해당 부분을 동일 부호로 나타내고 있고, 그 설명을 적절하게 생략한다.
도 11, 도 13에 도시한 전자계 공급 장치(110)에는 범프(127)와 테이퍼부(129)가 설치되어 있지만, 도 18에 도시하는 전자계 공급 장치에는 범프(127)가 설치되어 있지 않다. 그러나, 데이퍼부(129A)만으로도, 원통 도파관(113)으로부터 레이디얼 도파로(121)에의 임피던스 변화를 완만하게 하는 작용을 얻을 수 있기 때문에, 원통 도파관(113)의 직경(Lg)과 레이디얼 도파로(121)의 높이(D)와의 비를 조정함으로써, 도 11, 도 13에 도시한 전자계 공급 장치(110)와 같은 정도의 반사율을 얻을 수 있다.
도 18에 도시한 바와 같이 도체판(123) 위에서 범프(127)를 삭제함으로써, 도체판(123)에 걸리는 하중을 더욱 작게 할 수 있다. 이 때문에, RLSA(112A)에 충격이 주어진 경우에 도체판(123)을 지지하는 지주(128)가 파손하는 빈도를 더욱 저감할 수 있다.
제5 실시예
도 19는 본 발명의 제5 실시예의 주요부 구성을 도시하는 단면도이다. 이 도면에서는 도 11, 도 13과 동일 부분 또는 해당 부분을 동일 부호로 나타내고 있고, 그 설명을 적절하게 생략한다.
도 19에 도시하는 전자계 공급 장치는 범프 본체(141)와, 이 범프 본체(141)의 표면을 덮는 금속 박막(142)으로 구성된 범프(140)를 갖고 있다.
범프 본체(141)는 종래부터 범프 형성에 이용되고 있었던 알루미늄보다도 밀도가 작은 유전체로 형성되어 있다. 구체적으로는, 20℃에서 2.69 ×103 kg/m3보다 작은 밀도의 플라스틱 등으로 형성되어 있다. 범프 본체(141)는 또 알루미늄보다도 밀도가 작은 다공질 등으로 형성되더라도 좋다. 범프 본체(141)의 치수는 종래부터 이용되고 있었던 금속제의 범프(327)의 치수와 같은 정도라도 좋다.
금속 박막(142)은 예컨대 알루미늄, 구리, 은 등으로 이루어지고, 그 두께는 예컨대 0.1 mm 정도로 할 수 있다. 또, 금속 박막(142)은 범프(140)의 하면, 즉 도체판(123)과의 대향면까지 덮을 필요는 없다.
이와 같이 범프 본체(141)를 작은 밀도의 재료로 형성함으로써, 범프(140) 전체의 질량을 작게 하고, 도체판(123)에 걸리는 하중을 작게 할 수 있다. 이 때문에, RLSA(112B)에 충격이 주어진 경우에 도체판(123)을 지지하는 지주(128)가 파손하는 빈도를 저감할 수 있다.
또한, 범프 본체(141)의 표면을 금속 박막(142)으로 덮는 것에 의해, 범프 전체를 금속으로 형성한 경우와 동일한 특성을 얻을 수 있다.
도 19에 도시하는 전자계 공급 장치에서는 지주(128)를 굵게 하지 않고 지주(128)가 파손하는 빈도를 저감할 수 있기 때문에, 레이디얼 도파로(121) 내의 전자계에 주어지는 영향은 작다.
또, 도 19에 도시하는 전자계 공급 장치에서는 원통 도파관(113)과 레이디얼 도파로(121)와의 접속부에 테이퍼부를 설치하고 있지 않지만, 도 13과 같이 테이퍼부(129)를 설치하더라도 좋다. 이에 따라 범프(140)의 체적을 축소하여, 질량을 더욱 작게 할 수 있다. 따라서, 도체판(123)에 걸리는 하중을 더욱 작게 하여, 지주(128)가 파손하는 빈도를 더욱 저감할 수 있다.
범프를 중공(中空)의 금속으로 형성하더라도, 범프의 질량을 작게 하고, 도체판(123)에 걸리는 하중을 작게 하며, 나아가서는 도체판(123)을 지지하는 지주(128)가 파손하는 빈도를 저감하는 효과를 얻을 수 있다.
이상에서는 주파수가 2.45 GHz인 마이크로파(MW)를 사용한 예를 설명했지만, 사용할 수 있는 주파수는 2.45 GHz에 한정되지 않는다. 예컨대 주파수가 1 GHz∼십수 GHz인 마이크로파에 대해서도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 마이크로파보다도 낮은 주파수대를 포함하는 고주파를 이용한 경우라도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 원통 도파관(113)의 전송 모드는 TM01 모드라도 좋다.
또한, 슬롯 안테나의 일례로서 RLSA(112, 112A, 112B)를 이용하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라 다른 슬롯 안테나라도 상관없다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치는 에칭 장치, CVD 장치, 애싱 장치 등에 이용 할 수 있다.

Claims (28)

  1. 슬롯을 복수 갖는 제1 도체판과 이 제1 도체판에 대향 배치된 제2 도체판으로 이루어지는 도파로와,
    상기 제2 도체판의 개구에 접속된 원통 도파관과,
    상기 제1 도체판 위에 설치되고 상기 제2 도체판의 개구를 향하여 돌출하며 또한 적어도 일부가 유전체로 형성된 범프를 구비한 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 범프는 다른 일부가 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 범프의 상기 개구를 향하는 선단은 둥글게 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 원통 도파관과 상기 도파로와의 접속부에 상기 원통 도파관으로부터 상기 도파로를 향하여 넓어지는 테이퍼부를 갖는 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장 치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도체판의 개구의 주위에 배치되는 동시에 상기 제1 및 제2 도체판에 체결되며 또한 유전체로 형성된 지주를 구비한 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  6. 슬롯을 복수 갖는 제1 도체판과 이 제1 도체판에 대향 배치된 제2 도체판으로 이루어지는 도파로와,
    상기 제2 도체판의 개구에 접속된 원통 도파관을 구비하고,
    상기 원통 도파관과 상기 도파로와의 접속부에 상기 원통 도파관으로부터 상기 도파로를 향하여 넓어지는 테이퍼부를 가지며,
    상기 제1 도체판 위에 설치되고 상기 제2 도체판의 개구를 향하여 돌출하는 범프를 구비한 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 범프는 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 범프의 상기 개구를 향하는 선단은 둥글게 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제2 도체판의 개구의 주위에 배치되는 동시에 상기 제1 및 제2 도체판에 체결되며 또한 유전체로 형성된 지주를 구비한 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  11. 슬롯을 복수 갖는 제1 도체판과 이 제1 도체판에 대향 배치된 제2 도체판으로 이루어지는 도파로와,
    상기 제2 도체판의 개구에 접속된 원통 도파관과,
    상기 제1 도체판 위에 설치되고 상기 제2 도체판의 개구를 향하여 돌출하는 범프를 구비하며,
    상기 범프는 유전체로 형성된 범프 본체와, 이 범프 본체의 표면을 덮는 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 원통 도파관과 상기 도파로와의 접속부에 상기 원통 도파관으로부터 상 기 도파로를 향하여 넓어지는 테이퍼부를 갖는 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 범프의 상기 개구를 향하는 선단은 둥글게 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2 도체판의 개구의 주위에 배치되는 동시에 상기 제1 및 제2 도체판에 체결되며 또한 유전체로 형성된 지주를 구비한 것을 특징으로 하는 전자계 공급 장치.
  15. 피처리체가 수용되는 처리 용기와,
    이 처리 용기 내에 전자계를 공급하는 전자계 공급 장치를 구비하며,
    이 전자계 공급 장치는,
    슬롯을 복수 갖는 제1 도체판과 이 제1 도체판에 대향 배치된 제2 도체판으로 이루어지는 도파로와,
    상기 제2 도체판의 개구에 접속된 원통 도파관과,
    상기 제1 도체판 위에 설치되고 상기 제2 도체판의 개구를 향하여 돌출하며 또한 적어도 일부가 유전체로 형성된 범프를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처 리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 범프는 다른 일부가 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 범프의 상기 개구를 향하는 선단은 둥글게 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 원통 도파관과 상기 도파로와의 접속부에 상기 원통 도파관으로부터 상기 도파로를 향하여 넓어지는 테이퍼부를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제2 도체판의 개구의 주위에 배치되는 동시에 상기 제1 및 제2 도체판에 체결되며 또한 유전체로 형성된 지주를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  20. 피처리체가 수용되는 처리 용기와,
    이 처리 용기 내에 전자계를 공급하는 전자계 공급 장치를 구비하며,
    이 전자계 공급 장치는,
    슬롯을 복수 갖는 제1 도체판과 이 제1 도체판에 대향 배치된 제2 도체판으로 이루어지는 도파로와,
    상기 제2 도체판의 개구에 접속된 원통 도파관을 구비하고,
    상기 원통 도파관과 상기 도파로와의 접속부에 상기 원통 도파관으로부터 상기 도파로를 향하여 넓어지는 테이퍼부를 가지며,
    상기 제1 도체판 위에 설치되고 상기 제2 도체판의 개구를 향하여 돌출하는 범프를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  21. 삭제
  22. 제20항에 있어서,
    상기 범프는 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 범프의 상기 개구를 향하는 선단은 둥글게 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  24. 제20항에 있어서,
    상기 제2 도체판의 개구의 주위에 배치되는 동시에 상기 제1 및 제2 도체판에 체결되며 또한 유전체로 형성된 지주를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  25. 피처리체가 수용되는 처리 용기와,
    이 처리 용기 내에 전자계를 공급하는 전자계 공급 장치를 구비하며,
    이 전자계 공급 장치는,
    슬롯을 복수 갖는 제1 도체판과 이 제1 도체판에 대향 배치된 제2 도체판으로 이루어지는 도파로와,
    상기 제2 도체판의 개구에 접속된 원통 도파관과,
    상기 제1 도체판 위에 설치되고 상기 제2 도체판의 개구를 향하여 돌출하는 범프를 구비하고,
    상기 범프는 유전체로 형성된 범프 본체와, 이 범프 본체의 표면을 덮는 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 원통 도파관과 상기 도파로와의 접속부에, 상기 원통 도파관으로부터 상기 도파로를 향하여 넓어지는 테이퍼부를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 범프의 상기 개구를 향하는 선단은 둥글게 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  28. 제25항에 있어서,
    상기 제2 도체판의 개구의 주위에 배치되는 동시에 상기 제1 및 제2 도체판에 체결되며 또한 유전체로 형성된 지주를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101096950B1 (ko) * 2004-03-19 2011-12-20 샤프 가부시키가이샤 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP4852997B2 (ja) * 2005-11-25 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置
DE112008001130T5 (de) * 2007-06-11 2010-04-29 Tokyo Electron Ltd. Plasmabearbeitungsvorrichtung, Energieversorgungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb der Plasmabearbeitungsvorrichtung
JP5376816B2 (ja) * 2008-03-14 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置
JP5454944B2 (ja) * 2008-03-26 2014-03-26 株式会社京三製作所 真空装置用異常放電抑制装置
JP2010050046A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
KR101029557B1 (ko) * 2008-11-05 2011-04-15 주식회사 아토 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 처리 장치
KR101069384B1 (ko) * 2008-11-14 2011-09-30 세메스 주식회사 플라즈마 안테나 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
DE102009044496B4 (de) * 2009-11-11 2023-11-02 Muegge Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma mittels Mikrowellen
KR101037683B1 (ko) * 2010-11-30 2011-05-27 한정수 하수도 악취 누출 방지 장치
JP2015018687A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置、スロットアンテナ及び半導体装置
JP2015018686A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置、スロットアンテナ及び半導体装置
JP5850581B2 (ja) * 2013-11-29 2016-02-03 株式会社京三製作所 プラズマ未着火状態判別装置およびプラズマ未着火判別方法
FR3049393B1 (fr) * 2016-03-24 2020-05-08 Centre National D'etudes Spatiales C N E S Procede d'alimentation d'un guide d'onde radial et dispositif a guide d'onde radial

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5024716A (en) * 1988-01-20 1991-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus for etching, ashing and film-formation
US5173641A (en) * 1990-09-14 1992-12-22 Tokyo Electron Limited Plasma generating apparatus
JP3224105B2 (ja) * 1992-03-13 2001-10-29 株式会社日立製作所 プラズマプロセス装置
JPH11260594A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2000299198A (ja) * 1999-02-10 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
TW492040B (en) * 2000-02-14 2002-06-21 Tokyo Electron Ltd Device and method for coupling two circuit components which have different impedances
US6910440B2 (en) * 2000-03-30 2005-06-28 Tokyo Electron Ltd. Apparatus for plasma processing

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