JP5454944B2 - 真空装置用異常放電抑制装置 - Google Patents
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Description
1a…電力設定部
1b…ソフトスタート制御部
1c,1d…伝達関数
1e…電力設定部
1f,1g…電力設定部
2…遮断割り込み回路
3…遮断制御部
4…アーキング検出・遮断部
4A…ファーストハンドリング遮断系
4Aa…電力設定部
4Ab…第1比較回路
4Ac…第1制御信号生成回路
4B…セカンドハンドリング遮断系
4Ba…電力設定部
4Bb…第2比較回路
4Bc…第2制御信号生成回路
5…遮断制御禁止部
5a…第1スイッチ回路
5b…第3比較回路
5c…第2スイッチ回路
5d…判定回路
5e…カウンタ回路
6…発振器
7…演算増幅器
8…電力増幅器
9…センサ
10…高周波電源
11…整合回路
12…プラズマ負荷
Claims (9)
- 高周波電源からプラズマ反応室内に電力を供給してプラズマを生成する真空装置の異常放電を抑制する装置であって、
電力指令値と電力フィードバック値との偏差に基づいて前記高周波電源を制御する電力制御部と、
プラズマ反応室内の異常放電時、および異常放電への移行過程時の少なくとも何れかの時期で発生する反射波電力または反射波電圧を検出して前記高周波電源からプラズマ反応室への電力供給を遮断する遮断制御部とを備え、
前記遮断制御部は、遮断時間の時間幅を異にするファーストハンドリング遮断制御とセカンドハンドリング遮断制御を含み、
前記ファーストハンドリング遮断制御は、プラズマ反応室内のイオンの残存を可能とし、異常放電の初期に発生する少数派アークのアーキング要素が消滅する時間幅内で高周波電源を遮断制御する第1の遮断制御であり、
前記セカンドハンドリング遮断制御は、前記ファーストハンドリング遮断制御の実行回数に基づいて、異常放電時に少数派アークから移行する多数派アークのイオンが消滅する時間幅内で高周波電源を遮断制御する第2の遮断制御であることを特徴とする、真空装置用異常放電抑制装置。 - 前記第1の遮断制御による遮断時間の時間幅は1μsから100μsであり、前記第2の遮断制御による遮断時間の時間幅は1msから100msであることを特徴とする、請求項1に記載の真空装置用異常放電抑制装置。
- 前記電力制御部は、
前記第1の遮断制御によって高周波電源の出力を遮断した後にソフトスタートにより再起動を行い、
当該ソフトスタートは、零から電力指令値までのランプ出力を、前記第1の遮断制御の遮断時間と同じ時間オーダーの時間幅で出力することを特徴とする、請求項1に記載の真空装置用異常放電抑制装置。 - 前記ソフトスタートの時間幅は1μsから100μsであることを特徴とする、請求項3に記載の真空装置用異常放電抑制装置。
- 前記電力制御部は、
前記第2の遮断制御によって高周波電源の出力を遮断した後にソフトスタートにより再起動を行い、
当該ソフトスタートは、零から電力指令値までのランプ出力を、高周波電源とプラズマ反応室との間の整合回路の整合速度に応じた時間幅で出力することを特徴とする、請求項1に記載の真空装置用異常放電抑制装置。 - 前記ソフトスタートの時間幅は1msから10sであることを特徴とする、請求項5に記載の真空装置用異常放電抑制装置。
- 前記遮断制御部は、第1の遮断制御の実行回数を計数し、当該計数値が予め設定された設定回数に達した時点で前記第2の遮断制御を実行することを特徴とする、請求項1から6の何れか一つに記載の真空装置用異常放電抑制装置。
- 前記第2の遮断制御を実行すると共に前記計数値をクリアし、前記第1の遮断制御の実行回数を再計数することを特徴とする、請求項7に記載の真空装置用異常放電抑制装置。
- 前記遮断制御部による電力供給の遮断制御を禁止する遮断制御禁止部を備え、
前記遮断制御禁止部は、
アーク遮断禁止区間において、前記遮断制御部による電力供給の遮断制御を禁止し、電力供給を継続することを特徴とする、請求項1から8のいずれか一つに記載の真空装置用異常放電抑制装置。
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---|---|---|---|---|
JP4891384B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2012-03-07 | 株式会社新川 | プラズマ発生装置 |
US20120000767A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Primestar Solar, Inc. | Methods and apparatus of arc prevention during rf sputtering of a thin film on a substrate |
DE102010031568B4 (de) | 2010-07-20 | 2014-12-11 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Arclöschanordnung und Verfahren zum Löschen von Arcs |
US8552665B2 (en) * | 2010-08-20 | 2013-10-08 | Advanced Energy Industries, Inc. | Proactive arc management of a plasma load |
JP6029302B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-11-24 | 株式会社ダイヘン | マイクロ波電力供給装置 |
JP5534365B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2014-06-25 | 株式会社京三製作所 | 高周波電力供給装置、及び反射波電力制御方法 |
EP2936542B1 (de) * | 2012-12-18 | 2018-02-28 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Arclöschverfahren und leistungsversorgungssystem mit einem leistungswandler |
JP6144917B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法 |
JP6084860B2 (ja) * | 2013-02-27 | 2017-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5850581B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2016-02-03 | 株式会社京三製作所 | プラズマ未着火状態判別装置およびプラズマ未着火判別方法 |
EP3054472A1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-08-10 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Arc treatment device and method therefor |
GB201514998D0 (en) * | 2015-08-24 | 2015-10-07 | Element Six Technologies Ltd | Microwave generators and manufacure of synthetic diamond material |
JP6796240B2 (ja) * | 2016-10-26 | 2020-12-09 | ゼネラルソリューションズ株式会社 | 昇降圧回路を含む電磁波発振装置 |
DE102018204585A1 (de) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | centrotherm international AG | Plasmagenerator, Plasma-Behandlungsvorrichtung und Verfahren zum gepulsten Bereitstellen von elektrischer Leistung |
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JP7202972B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2023-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ状態検出方法およびプラズマ状態検出プログラム |
CN109814006B (zh) * | 2018-12-20 | 2020-08-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种蚀刻系统放电异常检测方法和装置 |
US11114279B2 (en) | 2019-06-28 | 2021-09-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Arc suppression device for plasma processing equipment |
US11527385B2 (en) | 2021-04-29 | 2022-12-13 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks |
KR102277822B1 (ko) * | 2019-07-09 | 2021-07-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
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US11107661B2 (en) | 2019-07-09 | 2021-08-31 | COMET Technologies USA, Inc. | Hybrid matching network topology |
US11596309B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Hybrid matching network topology |
KR102223876B1 (ko) | 2019-10-28 | 2021-03-05 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 불안정 매칭 현상을 해소하기 위한 다중 전압 제어 방법 및 다중 전압 제어 방식의 고주파 전원 장치 |
KR102223874B1 (ko) | 2019-10-28 | 2021-03-05 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 이그니션 동작과 관련된 고주파 전원 장치의 보호 리미트 변경 제어 방법 |
JP7293536B2 (ja) * | 2019-12-25 | 2023-06-20 | 株式会社ダイヘン | アーク検出装置、および、高周波電源装置 |
JP7293535B2 (ja) * | 2019-12-25 | 2023-06-20 | 株式会社ダイヘン | アーク検出装置、および、高周波電源装置 |
US11521832B2 (en) * | 2020-01-10 | 2022-12-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Uniformity control for radio frequency plasma processing systems |
US11830708B2 (en) | 2020-01-10 | 2023-11-28 | COMET Technologies USA, Inc. | Inductive broad-band sensors for electromagnetic waves |
US11670488B2 (en) | 2020-01-10 | 2023-06-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Fast arc detecting match network |
US11887820B2 (en) | 2020-01-10 | 2024-01-30 | COMET Technologies USA, Inc. | Sector shunts for plasma-based wafer processing systems |
US11605527B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-03-14 | COMET Technologies USA, Inc. | Pulsing control match network |
US11961711B2 (en) | 2020-01-20 | 2024-04-16 | COMET Technologies USA, Inc. | Radio frequency match network and generator |
US11373844B2 (en) | 2020-09-28 | 2022-06-28 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for repetitive tuning of matching networks |
KR102511063B1 (ko) | 2021-04-23 | 2023-03-16 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 출력 안정화 장치를 구비한 플라즈마 발생용 고주파 전력 공급 장치 |
US11923175B2 (en) | 2021-07-28 | 2024-03-05 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for variable gain tuning of matching networks |
US11657980B1 (en) | 2022-05-09 | 2023-05-23 | COMET Technologies USA, Inc. | Dielectric fluid variable capacitor |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55145171A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-12 | Tokuda Seisakusho Ltd | Arc-breaking method of glow discharge device using high frequency electric supply source and its apparatus |
JPH08167500A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Jeol Ltd | 高周波プラズマ発生装置用電源 |
JPH11323529A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-26 | Pascal Kk | グロー放電処理用アーク放電発生前兆検出方法、グロー放電処理用アーク放電前知予測抑制方法及びグロー放電処理装置 |
JP2003064477A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-03-05 | Sony Corp | 電源制御装置および電源制御方法 |
JP2004006147A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Shibaura Mechatronics Corp | アーク遮断回路、スパッタ用電源及びスパッタ装置 |
WO2005057993A1 (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Daihen Corporation | 高周波電力供給システム |
JP2007503096A (ja) * | 2003-08-18 | 2007-02-15 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | スパッタ処理システムにおけるプラズマ遷移の制御 |
JP2007149596A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Daihen Corp | プラズマ処理システムのアーク検出装置 |
JP2008047292A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Nippon Reliance Kk | アーク放電抑止装置および方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01198478A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-10 | Canon Inc | マイクロ波プラズマcvd装置 |
JPH0732077B2 (ja) | 1992-10-07 | 1995-04-10 | 株式会社京三製作所 | 高周波発生装置 |
DE4441206C2 (de) * | 1994-11-19 | 1996-09-26 | Leybold Ag | Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen |
JP2733454B2 (ja) | 1995-02-16 | 1998-03-30 | 株式会社京三製作所 | 成膜装置用異常放電抑制装置 |
US6184687B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma process end point determination method and apparatus, and plasma evaluation method and apparatus |
JP2000133412A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-12 | Shibaura Mechatronics Corp | グロー放電装置の放電制御方法および放電制御装置 |
JP2000299198A (ja) | 1999-02-10 | 2000-10-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001102196A (ja) | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プラズマ処理装置 |
US6841124B2 (en) * | 2000-10-02 | 2005-01-11 | Ethicon, Inc. | Sterilization system with a plasma generator controlled by a digital signal processor |
KR100626192B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2006-09-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 전자계 공급 장치 및 플라즈마 처리 장치 |
WO2003037047A1 (fr) * | 2001-10-22 | 2003-05-01 | Shibaura Mechatronics Corporation | Procede permettant d'evaluer un arc de dispositif de decharge luminescente et suppresseur de decharge d'arc haute frequence |
US20060252283A1 (en) * | 2003-08-07 | 2006-11-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and sustrate processing method |
US7292045B2 (en) * | 2004-09-04 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Detection and suppression of electrical arcing |
US7305311B2 (en) * | 2005-04-22 | 2007-12-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc detection and handling in radio frequency power applications |
KR101416250B1 (ko) * | 2007-10-09 | 2014-07-07 | 삼성전자 주식회사 | 영상처리장치 및 그 제어방법 |
-
2008
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-
2013
- 2013-10-15 JP JP2013214477A patent/JP5669332B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55145171A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-12 | Tokuda Seisakusho Ltd | Arc-breaking method of glow discharge device using high frequency electric supply source and its apparatus |
JPH08167500A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Jeol Ltd | 高周波プラズマ発生装置用電源 |
JPH11323529A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-26 | Pascal Kk | グロー放電処理用アーク放電発生前兆検出方法、グロー放電処理用アーク放電前知予測抑制方法及びグロー放電処理装置 |
JP2003064477A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-03-05 | Sony Corp | 電源制御装置および電源制御方法 |
JP2004006147A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Shibaura Mechatronics Corp | アーク遮断回路、スパッタ用電源及びスパッタ装置 |
JP2007503096A (ja) * | 2003-08-18 | 2007-02-15 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | スパッタ処理システムにおけるプラズマ遷移の制御 |
WO2005057993A1 (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Daihen Corporation | 高周波電力供給システム |
JP2007149596A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Daihen Corp | プラズマ処理システムのアーク検出装置 |
JP2008047292A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Nippon Reliance Kk | アーク放電抑止装置および方法 |
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