WO2005057993A1 - 高周波電力供給システム - Google Patents

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WO2005057993A1
WO2005057993A1 PCT/JP2004/017595 JP2004017595W WO2005057993A1 WO 2005057993 A1 WO2005057993 A1 WO 2005057993A1 JP 2004017595 W JP2004017595 W JP 2004017595W WO 2005057993 A1 WO2005057993 A1 WO 2005057993A1
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WO
WIPO (PCT)
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frequency power
power supply
reflection coefficient
abnormality
value
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/017595
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroyuki Kotani
Hirotaka Takei
Yoshifumi Ibuki
Hiroaki Oichi
Original Assignee
Daihen Corporation
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Filing date
Publication date
Application filed by Daihen Corporation filed Critical Daihen Corporation
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Priority to JP2005516085A priority patent/JP4411282B2/ja
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Priority to US12/834,579 priority patent/US8134816B2/en

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • H03H7/40Automatic matching of load impedance to source impedance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency power supply system that supplies high-frequency power from a high-frequency power supply to a load such as a plasma processing apparatus via an impedance matching device.
  • FIG. 23 is a diagram illustrating an example of a basic configuration of a conventional high-frequency power supply system.
  • This high-frequency power supply system includes a high-frequency power supply 51 for outputting high-frequency power, an impedance matching device 53 for matching input impedance and load impedance of the high-frequency power supply 51, and a plasma processing apparatus, for example.
  • Load L The impedance matching device 53 is connected to a high-frequency power supply 51 via a transmission line 52 composed of a coaxial cable.
  • the load L is connected to the impedance matching device 53 via a load connecting portion 54 such as a copper plate shielded to prevent leakage of electromagnetic waves.
  • the high-frequency power supply 51 is a device for supplying high-frequency power to the load L.
  • the high-frequency power supply 51 includes a power amplification circuit and an oscillation circuit (not shown), and outputs high-frequency power set to a predetermined power to the impedance matching device 53 through the transmission line 52.
  • the impedance matching device 53 is used to match the input impedance of the input terminal force viewed from the high-frequency power supply 51 side with the load impedance viewed from the input terminal side to the load L side.
  • the impedance matching device 53 is used to efficiently supply the output of the high-frequency power supply 51 to the load L.
  • the load L is an apparatus for processing a workpiece such as a semiconductor wafer and a liquid crystal substrate using a method such as etching or CVD.
  • the load L fluctuates, and impedance mismatch occurs between the high-frequency power supply 51 and the load L. . Therefore, in the high-frequency power supply system, the impedance between the high-frequency power supply 51 and the load L is automatically changed by changing the impedance value of the variable impedance element (not shown) in the impedance matching device 53 according to the fluctuation of the load L. Are matched.
  • the reflection coefficient, the return loss, and the like are well known as parameters indicating the power supply efficiency to the load, and if these parameters are used, the high-frequency power supply 51 may be damaged. It is possible to know the reflected wave power that may be present. Therefore, as shown in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-299198, the state of the load is monitored using the reflection coefficient ⁇ , and an abnormality is detected based on, for example, whether the reflection coefficient exceeds a predetermined reference value. It is conceivable to take safety measures.
  • FIGS. 24 and 25 are diagrams showing changes in the reflection coefficient over time.
  • FIG. 24 shows a case where the reflection coefficient abnormally increases momentarily within a range not exceeding the reference value.
  • Figure 25 shows the case where the reflection coefficient increases intermittently within the range not exceeding the reference value. Show. In the cases shown in FIGS. 24 and 25, even if an abnormality occurs on the load side when the reflection coefficient changes, the abnormality is not detected. In addition, when the reflection coefficient exceeds the reference value due to the expansion of the abnormality, the abnormality is detected, which is not a sufficient detection method for safety measures.
  • An object of the present invention is to provide a high-frequency power supply system that can solve or suppress the above-mentioned problems of the conventional technology.
  • a high-frequency power supply system provided by the first aspect of the present invention is a high-frequency power supply system that supplies high-frequency power from a high-frequency power supply to a load via an impedance matching device.
  • First detecting means for detecting information on a traveling wave traveling to the load side
  • second detecting means for detecting information on a reflected wave traveling from the load to the high-frequency power supply side
  • the first detecting means Based on the information on the traveling wave detected by the second detection means and the information on the reflected wave detected by the second detection means, the unit time of the magnitude of the reflection coefficient at the detection points of the first and second detection means is used.
  • Differential calculating means for calculating the amount of change per unit time, and the first and second detection means based on the amount of change per unit time of the magnitude of the reflection coefficient calculated by the differential calculating means.
  • Ru and abnormality determination means for determining an occurrence of abnormality at the detection point force load side, and this having as characteristics (claim 1).
  • the abnormality determination means determines that an abnormality has occurred when the amount of change in the magnitude of the reflection coefficient per unit time exceeds a predetermined first reference value set in advance. 2).
  • the abnormality determination means includes counting means for counting the number of times the amount of change in the magnitude of the reflection coefficient per unit time exceeds a predetermined first reference value. When the number of times counted by the means exceeds a predetermined reference number, it is determined that an abnormality has occurred (claim 3).
  • the abnormality determining means further comprises a calculating means for calculating the magnitude of the reflection coefficient calculated by the differential calculating means per unit time and the magnitude of the reflection coefficient calculated by the calculating means. Then, the occurrence of an abnormality on the load side is determined from the detection points of the first and second detection means (claim 4).
  • the high-frequency power source and the output terminal of the high-frequency power source of the high-frequency power source output the impedance matching device.
  • traveling-wave information information on the high-frequency traveling wave such as the power value and the voltage value
  • reflected wave information Information related to the reflected wave
  • reflected wave information is detected, and based on the traveling wave information and the reflected wave information, the amount of change in the magnitude of the reflection coefficient ⁇ per unit time (hereinafter referred to as “reflected wave information”).
  • reflected wave information The differential value of the reflection coefficient, drZdt is calculated.
  • the detection point force of the traveling wave information and the reflected wave information is abnormal in the circuit on the load side. For example, when the differential value drZdt of the reflection coefficient exceeds a predetermined first reference value, occurrence of an abnormality in the load side circuit is determined from the detection points of the traveling wave information and the reflected wave information. When the number of times that the differential value drZdt of the reflection coefficient exceeds the predetermined first reference value exceeds the predetermined reference number, it is determined that an abnormality has occurred in the load-side circuit from the detection points of the traveling wave information and the reflected wave information. .
  • the detection point force of the traveling wave information and the reflected wave information is determined as to whether an abnormality has occurred in the load-side circuit, and is shown in FIGS. 24 and 25.
  • the reflection coefficient increases instantaneously or the state where the reflection coefficient increases intermittently continues and an abnormality occurs, it can be determined as abnormal as quickly as possible.
  • the abnormality determination means is configured such that the magnitude of the reflection coefficient exceeds a predetermined second reference value, and the amount of change in the magnitude of the reflection coefficient per unit time is preset. When the value exceeds a predetermined first reference value, it is determined that an abnormality has occurred (claim 5).
  • the abnormality determination unit includes a predetermined first reference value in which a change amount of the magnitude of the reflection coefficient per unit time is set in advance.
  • a first counting means for counting the number of times exceeding the first count
  • a second counting means for counting the number of times the magnitude of the reflection coefficient exceeds a predetermined second reference value.
  • the detection points of the first and second detecting means are located inside the high-frequency power supply, between an output end of the high-frequency power of the high-frequency power supply and an input end of the high-frequency power of the impedance matching device.
  • the impedance matching device On the transmission line or inside the impedance matching device (Claim 7).
  • the traveling-wave information and the reflected-wave information are detected, and the traveling-wave information and the reflected-wave information are detected. Based on!, The magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ and the differential value d ⁇ Zdt of this reflection coefficient are calculated. Then, based on the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ and the differential value drZdt of the reflection coefficient, the occurrence of an abnormality in the load side circuit is determined from the detection points of the traveling wave information and the reflected wave information.
  • the inside of the high-frequency power supply and the high-frequency It is determined that an abnormality has occurred on the transmission line between the power output end and the high-frequency power input end of the impedance matching device, or on the circuit on the load side from the detection point set inside the impedance matching device.
  • the number of times the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ exceeds the predetermined second reference value exceeds the predetermined second reference number
  • the number of times that the differential value dr Zdt of the reflection coefficient exceeds the predetermined first reference value is the predetermined number.
  • the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient is adjusted to the magnitude of the reflection coefficient ⁇ to determine the abnormality in the circuit on the load side from an arbitrary detection point on the transmission line. Since the occurrence is determined, the accuracy of the above-described abnormality determination is improved.
  • the high-frequency power supply system provided by the second aspect of the present invention provides a high-frequency power supply system that supplies high-frequency power from a high-frequency power supply to a load via an impedance matching device.
  • Detecting means for detecting the first and second detection means based on the information on the traveling wave detected by the first detection means and the information on the reflected wave detected by the second detection means; First differential calculating means for calculating the amount of change per unit time of the magnitude of the reflection coefficient at a point, third detecting means for detecting an input voltage to the load, and a third detecting means for detecting an input current to the load. And a load from the detection points of the third and fourth detection means based on the output voltage detected by the third detection means and the output current detected by the fourth detection means.
  • a second differential operation means for calculating the amount of change in the magnitude of the impedance per unit time, the amount of change per unit time of the magnitude of the reflection coefficient calculated by the first differential operation means, and Abnormality judgment for judging the occurrence of an abnormality on the load side from the detection points of the third and fourth detection means based on the amount of change per unit time of the magnitude of impedance calculated by the differential operation means Means (claim 8).
  • the abnormality determination means is configured such that the amount of change in the magnitude of the reflection coefficient per unit time exceeds a predetermined first reference value set in advance, and the magnitude of the impedance per unit time is It is determined that an abnormality has occurred when the amount of change in the value exceeds a predetermined third reference value set in advance (claim 9).
  • the abnormality determining means includes first counting means for counting the number of times the amount of change in the magnitude of the reflection coefficient per unit time exceeds a predetermined first reference value.
  • Third counting means for counting the number of times the amount of change in the magnitude of the impedance per unit time exceeds a predetermined third reference value, and the number of times counted by the first counting means.
  • the high-frequency power of the high-frequency power supply inside the high-frequency power supply is reduced.
  • high-frequency traveling wave information such as a power value and a voltage value and reflection are obtained.
  • Wave information is detected, and a differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ is calculated based on the traveling wave information and the reflected wave information.
  • the input voltage and input current to the load are detected on the line between the internal force of the impedance matching device and the load, and the impedance Z is determined based on the input voltage and the input current.
  • the amount of change in the magnitude per unit time (hereinafter referred to as the differential value dZZdt of the impedance Z) is calculated.
  • the occurrence of an abnormality in the load-side circuit is determined. For example, when the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds a predetermined first reference value and the differential value dZZdt of the impedance Z exceeds a predetermined third reference value set in advance, an abnormality in the circuit on the load side is detected. The occurrence is determined.
  • the number of times exceeds the third reference number it is determined that an abnormality has occurred in the circuit on the load side.
  • the circuit from which the output terminal power of the high-frequency power supply reaches the load side includes a transmission line and an impedance matching device.
  • simply measuring the impedance Z at the input end of the load means that the load usually fluctuates somewhat during processing of the workpiece, so a reference value for determining an abnormality should be determined. It is difficult to detect abnormalities that occur in the load. Therefore, in the present invention, the differential value dZZdt of the impedance Z is obtained by adding the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ , so that an abnormality particularly in the load is specified and detected.
  • the third reference value for the amount of change in the magnitude of the impedance per unit time may be set to a value smaller than the normal value, or may be set to a larger value.
  • the third reference value is set to a value smaller than the normal value
  • the calculated value is larger than the third reference value and the force also becomes smaller than the third reference value
  • the third reference value is exceeded. It is time. If the third reference value is set to a value larger than the normal value, the calculated value is smaller than the third reference value. When the value is exceeded.
  • the abnormality determining means calculates the magnitude of the reflection coefficient calculated by the first differentiation calculating means; Based on the amount of change per unit time, the magnitude of the reflection coefficient calculated by the calculating means, and the amount of change per unit time of the magnitude of the impedance calculated by the second differential calculating means, The detection point force of the third and fourth detection means is used to determine the occurrence of an abnormality on the load side (claim 11).
  • the abnormality determination means is configured such that the amount of change in the magnitude of the reflection coefficient per unit time exceeds a predetermined first reference value, and the magnitude of the reflection coefficient is preset. If the measured value exceeds the predetermined second reference value and the amount of change in the magnitude of the impedance per unit time exceeds a predetermined third reference value, it is determined that an abnormality has occurred (claim 12). .
  • the abnormality determination means counts the number of times the amount of change in the magnitude of the reflection coefficient per unit time exceeds a predetermined first reference value.
  • a third counting means for counting the number of times exceeding a set third reference value, wherein the number counted by the first counting means exceeds a first reference number set in advance, and If the number counted by the second counting means exceeds the preset second reference number, and the number counted by the third counting means exceeds the third reference number, the abnormality is detected.
  • Judge as occurrence Motomeko 13
  • the traveling-wave information and the reflected-wave information are detected, and the traveling-wave information and the reflected-wave information are detected. Based on this, the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ and the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ are calculated. Further, an input voltage and an input current to the load are detected, and a differential value dZZdt of the impedance Z is calculated based on the input voltage and the input current.
  • the occurrence of an abnormality in the load-side circuit is determined.
  • the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient exceeds a predetermined first reference value
  • the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ exceeds a predetermined second reference value
  • the differential value dZZdt of the impedance Z becomes a predetermined third reference value.
  • the occurrence of an abnormality in the load-side circuit is determined.
  • the number of times that the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds the predetermined first reference value exceeds the predetermined first reference number
  • the number of times that the magnitude of the reflection coefficient ⁇ exceeds the predetermined second reference value is the predetermined second reference number.
  • the occurrence of an abnormality in the load-side circuit is determined in consideration of the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ in addition to the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ and the differential value dZZdt of the impedance Z. Therefore, the accuracy of the abnormality determination described above is improved.
  • the detection points of the first and second detection means are located inside the high-frequency power supply, between an output end of the high-frequency power of the high-frequency power supply and an input end of the high-frequency power of the impedance matching device.
  • the detection points of the third and fourth detection means are set on a line between the impedance matching device and an internal load. 14).
  • the high-frequency power supply system provided by the third aspect of the present invention is a high-frequency power supply system that supplies high-frequency power from a high-frequency power supply to a load via an impedance matching device.
  • First detection means for detecting information on a traveling wave traveling to the load side, and a reflected wave traveling to the high-frequency power supply side from the load.
  • Detecting means for detecting information related to the traveling wave detected by the first detecting means and information related to the reflected wave detected by the second detecting means.
  • Logarithmic reflection coefficient calculating means for calculating the logarithmic value of the reflection coefficient at the detection point of the second detecting means, and logarithm for sequentially storing the logarithmic value of the reflection coefficient calculated by the logarithmic reflection coefficient calculating means at a predetermined cycle. Based on the reflection coefficient storage means and the latest stored value stored in the logarithmic reflection coefficient storage means and the immediately preceding stored value, the load is calculated from the detection points of the first and second detection means.
  • Abnormality determination means for determining occurrence of an abnormality on the side (claim 15).
  • the abnormality determination means is such that the latest storage value stored in the logarithmic reflection coefficient storage means is equal to or greater than a preset fourth reference value, and is stored in the logarithmic reflection coefficient storage means. It is determined that an abnormality has occurred when the immediately preceding stored value is equal to or less than a preset fifth reference value (claim 16).
  • the abnormality determination means is configured such that the latest storage value stored in the logarithmic reflection coefficient storage means is equal to or greater than a preset fourth reference value and is stored in the logarithmic reflection coefficient storage means.
  • the detection points of the first and second detection means are located inside the high-frequency power supply, between an output end of the high-frequency power of the high-frequency power supply and an input end of the high-frequency power of the impedance matching device.
  • the impedance matching device claim 18
  • the high-frequency power when high-frequency power is supplied to the load from the high-frequency power supply via the impedance matching device, the high-frequency power is output from the high-frequency power output end of the high-frequency power supply to the inside of the high-frequency power supply
  • the traveling-wave information and the reflected-wave information on the high-frequency traveling wave such as the power value ⁇ the voltage value are detected.
  • a logarithmic value (log ⁇ ) of the reflection coefficient ⁇ is calculated.
  • the logarithmic value log ⁇ of the reflection coefficient ⁇ is sequentially stored in the storage unit at a predetermined cycle At. [0045] Then, the occurrence of an abnormality is determined based on the manner of change per unit time from the latest stored value of the logarithmic value log ⁇ of the reflection coefficient ⁇ and the previous stored value.
  • the reflection coefficient ⁇ ⁇ is small and the range is large! / This is because the amount of change in the logarithmic value log ⁇ of ⁇ is different, and it cannot be simply compared with the reference value to determine whether there is an abnormal force. Therefore, in order to enable instantaneous error detection without using the differential value dr Zdt of the reflection coefficient ⁇ , the latest stored value of the reflection coefficient is calculated in the same way as when calculating the differential value of the reflection coefficient. Using the stored value and the immediately preceding stored value, the abnormality determination in the circuit on the load side is performed from the detection points of the traveling wave information and the reflected wave information based on the manner of change per unit time.
  • the stored value is equal to or greater than a preset fourth reference value and the immediately preceding stored value stored in the logarithmic reflection coefficient storage means is equal to or less than the preset fifth reference value.
  • the number of times when the latest stored value is equal to or greater than the preset fourth reference value and the immediately preceding stored value stored in the logarithmic reflection coefficient storage means is equal to or less than the preset fifth reference value.
  • occurrence of an abnormality in the load side circuit is determined from the detection points of the traveling wave information and the reflected wave information.
  • the logarithm is used in the above configuration, so that high-frequency input can be permitted in a wide range.
  • the logarithmic value log ⁇ of the reflection coefficient ⁇ ⁇ ⁇ is obtained, the logarithmic force of the reflected wave information and the logarithm of the traveling wave information can be subtracted, so that the circuit configuration can be simplified without using a division circuit. It can be something.
  • the high-frequency power supply system provided by the fourth aspect of the present invention is a high-frequency power supply system that supplies high-frequency power from a high-frequency power supply to a load via an impedance matching device.
  • First detecting means for detecting information on a traveling wave traveling to the load side
  • second detecting means for detecting information on a reflected wave traveling from the load to the high-frequency power supply side
  • the logarithmic value of the reflection coefficient at the detection point of the first and second detection means is calculated based on the information on the traveling wave detected by the first detection means and the information on the reflected wave detected by the second detection means.
  • Logarithmic reflection coefficient calculating means logarithmic reflection coefficient storing means for sequentially storing logarithmic values of the reflection coefficients calculated by the logarithmic reflection coefficient calculating means at predetermined periods, and a third means for detecting the input voltage to the load. Detecting means; fourth detecting means for detecting an input current to the load; and an input voltage detected by the third detecting means and an input current detected by the fourth detecting means. Second differential operation means for calculating the amount of change per unit time of the magnitude of the impedance as seen from the detection points of the third and fourth detection means on the load side, and stored in the logarithmic reflection coefficient storage means.
  • Point Load side It is characterized and abnormality determination means for determining an definitive anomaly occurrence by comprising (claim 19).
  • the abnormality determination means is configured such that the latest storage value stored in the logarithmic reflection coefficient storage means is equal to or greater than a preset fourth reference value and is stored in the logarithmic reflection coefficient storage means.
  • the immediately preceding stored value is equal to or less than a preset fifth reference value and the amount of change in the magnitude of the impedance per unit time exceeds a preset third reference value, It is determined that an abnormality has occurred (claim 20).
  • the abnormality determination means is configured such that the latest storage value stored in the logarithmic reflection coefficient storage means is equal to or greater than a preset fourth reference value and is stored in the logarithmic reflection coefficient storage means.
  • a fourth counting means for counting the number of times when the immediately preceding stored value is equal to or less than a preset fifth reference value, and a predetermined amount in which the amount of change in the magnitude of the impedance per unit time is preset.
  • a third counting means for counting the number of times exceeding the third reference value, wherein the number counted by the fourth counting means exceeds a preset fourth reference number, and the third counting means is provided. When the number counted by the number exceeds a predetermined third reference number, it is determined that an abnormality has occurred (claim 21).
  • the detection points of the first and second detection means are located inside the high-frequency power supply, between an output end of the high-frequency power of the high-frequency power supply and an input end of the high-frequency power of the impedance matching device.
  • the detection points of the third and fourth detection means are set on the internal transmission line of the impedance matching device. (Claim 22).
  • the high-frequency power supply system provided by the fifth aspect of the present invention is a high-frequency power supply system that supplies high-frequency power from a high-frequency power supply to a load via an impedance matching device.
  • First detecting means for detecting information on a traveling wave traveling to the load side
  • second detecting means for detecting information on a reflected wave traveling from the load to the high-frequency power supply side
  • the magnitude of the reflection coefficient at the detection points of the first and second detection means is calculated based on the information on the traveling wave detected by the second detection means and the information on the reflected wave detected by the second detection means.
  • Reflection coefficient calculation means reflection coefficient storage means for sequentially storing the magnitude of the reflection coefficient calculated by the reflection coefficient calculation means at predetermined intervals, and storage in the reflection coefficient storage means
  • Abnormality determination means for determining the occurrence of an abnormality on the load side of the detection point force of the first and second detection means based on the latest stored value and the immediately preceding stored value.
  • the abnormality determination means is configured such that the latest storage value stored in the reflection coefficient storage means is equal to or greater than a preset sixth reference value and is stored in the reflection coefficient storage means. It is determined that an abnormality has occurred when the immediately preceding stored value is equal to or less than a preset seventh reference value (claim 24).
  • the abnormality determination means is configured such that the latest storage value stored in the reflection coefficient storage means is equal to or greater than a preset sixth reference value and is stored in the reflection coefficient storage means.
  • Fifth counting means for counting the number of times when the immediately preceding stored value is equal to or less than a predetermined seventh reference value, and the number of times counted by the fifth counting means is set to a predetermined fifth reference value. If the number is exceeded, it is determined that an abnormality has occurred (claim 25).
  • the detection points of the first and second detection means are located inside the high-frequency power supply, between an output end of the high-frequency power of the high-frequency power supply and an input end of the high-frequency power of the impedance matching device.
  • the impedance matching device On the transmission line or inside the impedance matching device (Claim 26).
  • the high-frequency power when high-frequency power is supplied to the load from the high-frequency power supply via the impedance matching device, the high-frequency power is output from the high-frequency power output end of the high-frequency power supply to the inside of the high-frequency power supply.
  • the traveling-wave information and the reflected-wave information on the high-frequency traveling wave such as the power value ⁇ the voltage value are detected.
  • the reflection coefficient ⁇ is calculated based on the traveling wave information and the reflected wave information.
  • the reflection coefficient ⁇ is sequentially stored in the storage unit at a predetermined cycle At.
  • the occurrence of an abnormality is determined based on the method of change per unit time from the latest stored value of the reflection coefficient ⁇ and the immediately preceding stored value.
  • the stored value is equal to or greater than a preset sixth reference value and the immediately preceding stored value stored in the logarithmic reflection coefficient storage means is equal to or less than the preset seventh reference value
  • the occurrence of an abnormality in the circuit on the load side is determined.
  • the number of times when the latest stored value is equal to or greater than the preset sixth reference value and the immediately preceding stored value stored in the logarithmic reflection coefficient storage means is equal to or less than the preset seventh reference value.
  • Exceeds a preset fifth reference number the occurrence of an abnormality in the circuit on the load side is determined from the detection points of the traveling wave information and the reflected wave information.
  • the latest stored value of the reflection coefficient and the immediately preceding stored value are used to determine the change per unit time. Since the occurrence of abnormality in the load side circuit is determined from the detection points of the traveling wave information and the reflected wave information, the reflection coefficient increases instantaneously or as shown in Figs. 24 and 25. Even if an error occurs due to intermittent continuation of the state, the abnormality can be determined as quickly as possible.
  • the high-frequency power supply system provided by the sixth aspect of the present invention is a high-frequency power supply system that supplies high-frequency power from a high-frequency power supply to a load via an impedance matching device.
  • Information about the traveling wave traveling to the load side First detection means for detecting, second detection means for detecting information on a reflected wave traveling from the load to the high-frequency power supply side, and information on a traveling wave detected by the first detection means.
  • Reflection coefficient calculation means for calculating the magnitude of the reflection coefficient at the detection points of the first and second detection means based on the information on the reflected wave detected by the second detection means; and the reflection coefficient Reflection coefficient storage means for sequentially storing the magnitude of the reflection coefficient calculated by the calculation means in a predetermined cycle, third detection means for detecting an input voltage to the load, and detection of an input current to the load Fourth detecting means, based on the input voltage detected by the third detecting means and the input current detected by the fourth detecting means, from a detection point of the third and fourth detecting means.
  • Second differential calculating means for calculating the amount of change in the magnitude of the impedance per unit time, the latest stored value stored in the reflection coefficient storing means, the immediately preceding stored value, and the second differential Abnormality determining means for determining the occurrence of an abnormality on the load side of the detection point force of the first and second detection means based on the amount of change per unit time of the magnitude of the impedance calculated by the calculation means;
  • the abnormality determination means is configured such that the latest storage value stored in the reflection coefficient storage means is equal to or greater than a preset sixth reference value, and is stored in the reflection coefficient storage means.
  • a preset sixth reference value When the previous stored value is equal to or less than the preset seventh reference value and the amount of change in the magnitude of the impedance per unit time exceeds the preset third reference value, an abnormality is detected. It is determined to have occurred (claim 28).
  • the abnormality determination means is configured such that the latest storage value stored in the reflection coefficient storage means is equal to or greater than a preset sixth reference value, and is stored in the reflection coefficient storage means.
  • Fifth counting means for counting the number of times when the immediately preceding stored value is equal to or less than a predetermined seventh reference value, and a predetermined amount in which the amount of change in the magnitude of the impedance per unit time is predetermined.
  • a third counting means for counting the number of times exceeding the third reference value, wherein the number counted by the fifth counting means exceeds a preset fifth reference number, and is counted by the third counting means. When the number of times exceeds the third reference number, it is determined that an abnormality has occurred (claim 29).
  • the detection points of the first and second detection means are located inside the high-frequency power supply, between an output end of the high-frequency power of the high-frequency power supply and an input end of the high-frequency power of the impedance matching device.
  • the detection points of the third and fourth detection means are set on a line between the transmission line and the internal load of the impedance matching device. (Claim 30).
  • the differential value dZZdt of the impedance Z is used. In this case, it is possible to identify an abnormality in the load, and to reliably detect the abnormality.
  • the apparatus further comprises output power changing means for changing the amount of electric power to be output also in a decreasing direction when the abnormality judging means judges that an abnormality has occurred (claim 31).
  • the output power changing means sets the amount of power output from the high-frequency power supply to zero (claim 32).
  • the power supply apparatus further includes power recovery means (claim 33).
  • a matching operation stopping means for stopping the matching operation of the impedance matching device and holding the state at that time is further provided.
  • the output power changing means changes the output power of the high-frequency power supply, and then the output power restoring means returns the original power.
  • the apparatus further comprises first determination prohibition means for prohibiting the determination operation of the abnormality determination means until a second predetermined time has elapsed (claim 35).
  • the apparatus further includes a second determination prohibition unit that prohibits the abnormality determination unit up to (claim 36).
  • the second predetermined time is longer than a time until the impedance matching between the high-frequency power supply and the load is performed by the impedance matching device (claim 37).
  • the information detected by the first detecting means includes at least a power value or a voltage value of a traveling wave
  • the information detected by the second detecting means includes at least a reflected wave.
  • Power values or voltage values are included (claims 38, 39).
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the generation timing of an abnormality detection signal and the like.
  • FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a differential value of a reflection coefficient and a reference value.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a differential value of impedance and a reference value.
  • FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 6 of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing a relationship between a differential value of a reflection coefficient and a reference value.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a relationship between a reflection coefficient and time for describing a modification of the sixth embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 7 of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram showing a relationship between a differential value of impedance and a reference value.
  • FIG. 14 is a diagram showing a relationship between impedance and time.
  • FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 8 of the present invention.
  • FIG. 16 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 9 of the present invention.
  • FIG. 17 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 10 of the present invention.
  • FIG. 18 is a diagram showing a configuration of an abnormality determination unit according to Embodiment 10 of the present invention.
  • FIG. 19 is a diagram showing a relationship between a reflection coefficient and time.
  • FIG. 20 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 11 of the present invention.
  • FIG. 21 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 12 of the present invention.
  • FIG. 22 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 13 of the present invention.
  • FIG. 23 is a diagram showing a configuration of a conventional high-frequency power supply system.
  • FIG. 24 is a diagram showing a conventional relationship between reflection coefficient and time.
  • FIG. 25 is a diagram showing another relationship between the conventional reflection coefficient and time.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 1 of the present invention.
  • This high-frequency power supply system includes a high-frequency power supply 1, an impedance matching device 2, an abnormality detection device 3, a transmission line 4, a load connection portion 5, and a load L that is a plasma processing device.
  • the high-frequency power supply 1 is connected to an impedance matching device 2 via a transmission line 4, for example, using a coaxial cable.
  • a load L (for example, a plasma processing apparatus) is connected to the impedance matching device 2 via a load connecting portion 5 made of, for example, a copper plate shielded from electromagnetic waves and leaking.
  • an abnormality detection device 3 is connected to the high frequency power supply 1. Note that the abnormality detection device 3 is provided separately from the high-frequency power supply 1, but is not limited thereto.
  • the abnormality detection device 3 may be provided inside the high-frequency power supply 1. Further, the abnormality detection device 3 may be provided inside the impedance matching device 2. Further, the high-frequency power supply 1 may be configured to include the impedance matching device 2.
  • the high frequency power supply 1 is a device for supplying a high frequency power having a frequency of, for example, several hundred kHz or more to the load L.
  • the high-frequency power supply 1 includes a high-frequency generation / amplification unit 11, a directional coupler 12, and a power control unit 13.
  • the high-frequency generation / amplification unit 11 generates high-frequency power to be supplied to the load L.
  • the high-frequency generation / amplification unit 11 includes a rectifier circuit, a smoothing circuit, a power amplifier circuit, an oscillation circuit, and the like (not shown).
  • the high-frequency generation / amplification unit 11 receives, for example, an input voltage (for example, A C200V) is rectified and smoothed to generate a DC voltage, and this DC voltage is converted into a predetermined high-frequency voltage by switching to output. This high-frequency voltage is supplied to the load L via the directional coupler 12 and the impedance matching unit 2.
  • the directional coupler 12 outputs a high-frequency wave (hereinafter, referred to as a traveling wave) traveling from the high-frequency generation / amplification unit 11 to the load L side and a high-frequency wave (hereinafter, referred to as a reflected wave) reflected from the load L side. It is detected separately.
  • the directional coupler 12 has one input port and three output ports. The input port is connected to the high-frequency generation / amplification unit 11, and the first output port is connected to the transmission line 4. . Further, the second output port and the third output port are connected to a first detection unit 21 and a second detection unit 22 of the abnormality detection device 3 described later, respectively.
  • the traveling wave input from the input port is output from the first output port, and the reflected wave also input to the first output port is output from the input port.
  • the directional coupler 12 attenuates and detects the traveling wave to an appropriate level, and outputs it from the second output port. Further, the directional coupler 12 attenuates the reflected wave to an appropriate level and detects it, and outputs it from the third output port. Therefore, the traveling wave PF output from the second output port of the directional coupler 12 is input to the first detection unit 21 of the abnormality detection device 3.
  • the reflected wave PR output from the third output port of the directional coupler 12 is input to the second detection unit 22 of the abnormality detection device 3.
  • the high-frequency power supply system has an output start switch for instructing the high-frequency power supply 1 to start outputting high-frequency power, and an output from the high-frequency power supply 1.
  • An operation unit provided with an output power setting switch for setting an output value of the high-frequency power to be provided is provided.
  • the output start switch is operated by the operator, as shown in FIG. 1, the output start signal, which is the operation signal, is input to the power control unit 13 of the high-frequency power supply 1 and the abnormality determination unit 25 of the abnormality detection device 3. .
  • an output power setting signal is operated by an operator, an output power setting signal as an operation signal is input to the power control unit 13 of the high-frequency power supply 1 and the abnormality determination unit 25 of the abnormality detection device 3. .
  • the power supply control unit 13 sets the traveling wave power value calculated by the traveling wave PF output from the directional coupler 12 and the output power setting signal.
  • Command signal to the high-frequency generation and amplification unit 11 so that the output power value Is output.
  • the power supply control unit 13 subtracts the reflected wave power value from the traveling wave power value using the reflected wave power value obtained by the reflected wave PR output from the directional coupler 12 that is determined only by the traveling wave power value.
  • a command may be output to the high-frequency generation / amplification unit 11 so that the output L-side power value (forward-wave power value-reflected-wave power value) becomes equal to the output power value set by the output setting signal. ! / ,.
  • the power control unit 13 controls the high frequency generation operation of the high frequency generation and amplification unit 11 based on the abnormality detection signal input from the abnormality detection device 3.
  • the abnormality detection device 3 in the circuit on the load L side viewed from the output terminal A of the high-frequency power supply 1, for example, insulation breakdown occurred in the transmission line 4, insulation failure occurred in the impedance matching device 2, and so on.
  • an abnormality detection signal detecting the occurrence of the abnormality is output.
  • the power supply control unit 13 stops the generation of the high-frequency power by the high-frequency generation amplification unit 11 for a predetermined period T.
  • the impedance matching device 2 matches the impedance between the high-frequency power supply 1 and the load L. More specifically, for example, the impedance (output impedance) as viewed from the output end A of the high-frequency power supply 1 to the power supply side is designed to be 50 ⁇ , and the high-frequency power supply 1 is impedance-matched by the transmission line 4 having a characteristic impedance of 50 ⁇ . Assuming that the impedance matching device 2 is connected to the input terminal B of the impedance matching device 2, the impedance matching device 2 automatically reduces the impedance as viewed from the input terminal B of the impedance matching device 2 to the load L side to 50 ⁇ as much as possible. adjust. In the present embodiment, the characteristic impedance is set to 50 ⁇ , but it goes without saying that the characteristic impedance is not limited to 50 ⁇ .
  • the impedance matching device 2 is schematically configured by an input detection unit 15, a matching device control unit 16, and a matching unit 17.
  • the input detection unit 15 detects a high-frequency (incident wave) high-frequency voltage V, a high-frequency current I, and a phase difference ⁇ ⁇ , which are input from the high-frequency power supply 1.
  • the high-frequency voltage V, high-frequency current I, and phase difference ⁇ ⁇ detected by the input detection unit 15 are input to the matching unit control unit 16.
  • Matching device control section 16 receives high-frequency voltage V, high-frequency current I,
  • the input impedance Zin (the input terminal force is also the impedance looking at the load L side) is calculated using the input impedance Zin and the phase difference ⁇ , and the variable impedance that is the variable impedance element of the matching unit 17 is adjusted so that the input impedance Zin becomes 50 ⁇ .
  • It controls capacitors VC1 and VC2 (described later). More specifically, the matching unit control unit 16 controls the variable capacitors VC1 and VC1 of the matching unit 17 so that IVI / I is within a predetermined range, for example, 5 ⁇ 5 ⁇ and the phase difference ⁇ is approximately 0 °. Controls VC2.
  • the matching unit 17 is configured by a circuit in which an inductor L1 and variable capacitors VC1 and VC2, which are variable impedance elements, are connected in a so-called ⁇ -type.
  • the variable capacitors VC1 and VC2 have one of the opposite electrodes movable by a driving member that generates electric motor power (not shown). By moving one of the electrodes, the area of the opposite electrode changes, and each capacitance changes. It has become.
  • the driving of one electrode of each of the variable capacitors VC1 and VC2 is controlled based on a control signal from the matching device control unit 16.
  • matching section 17 changes each capacitance of variable capacitors VC1 and VC2 based on the control signal from matching section control section 16, whereby the magnitude (absolute value) of input impedance Zin is predetermined. (For example, 50 ⁇ 5 ⁇ ) and the phase difference is approximately 0 °.
  • the circuit configuration of the matching unit 17 according to the embodiment of FIG. 1 is a ⁇ -type force.
  • a ⁇ -type, L-type, inverted L-type, or the like may be employed.
  • a variable inductor may be employed as the variable impedance element instead of the variable capacitor.
  • the matching device control section 16 receives an operation prohibition signal from the abnormality detection device 3.
  • the operation prohibition signal is a signal for prohibiting the above-described matching operation by the matching device control unit 16, and is, for example, a rectangular wave signal that becomes high level when the matching operation is prohibited.
  • the abnormality detection device 3 When detecting the abnormality, the abnormality detection device 3 outputs an abnormality detection signal to the high-frequency power supply 1 and, at the same time, outputs an operation prohibition signal that becomes high level for a predetermined time ⁇ (see FIG. 2) to the matching device control unit 16.
  • the matching device control section 16 stops the matching operation of the impedance matching device 2 while the high-frequency power supply 1 is temporarily stopped.
  • the matching operation of the impedance matching device 2 is also stopped while the power output operation of the high-frequency power supply 1 is temporarily stopped, because power must be output from the high-frequency power supply 1.
  • the reason why the matching operation of the impedance matching device 2 is also stopped is that the capacitance value of the variable capacitors VC1 and VC2 of the matching unit 17 becomes indefinite if the matching operation of the impedance matching device 2 is performed while the power is not being output.
  • the capacitance value of the variable capacitors VC1 and VC2 may fluctuate from the adjustment value immediately before the power stop to a value with a larger mismatch. After the power output operation of the high-frequency power supply 1 is restarted, the impedance matching device 2 can be quickly brought into the matching state.
  • the load L is a plasma processing apparatus for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate using a method such as etching or CVD.
  • various processing processes are executed according to the processing purpose of the workpiece. For example, when etching is performed on a workpiece, a processing process in which a gas type, a gas pressure, a high-frequency power supply power value, a high-frequency power supply time, and the like corresponding to the etching are appropriately set. Seth takes place.
  • a plasma discharge gas is introduced into a container (not shown) in which a workpiece is placed, and the plasma discharge gas is discharged to change from a non-plasma state to a plasma state.
  • the material to be processed is removed using the gas in the plasma state.
  • the abnormality detection device 3 is configured to perform an abnormality such as an abnormality in the load L, insulation failure, insulation breakdown, and contact failure in the transmission line 4 that is a coaxial cable or the coaxial connector provided at both ends of the coaxial cable. It is to detect it.
  • the abnormality detection device 3 includes a first detection unit 21, a second detection unit 22, a reflection coefficient calculation unit 23, a differentiation calculation unit 24 that calculates a change amount of the magnitude of the reflection coefficient ⁇ per unit time, An abnormality determination unit 25 that determines whether an abnormality is present based on the output of the differential operation unit 24.
  • the first detection unit 21 detects the amplitude Vf of the traveling wave PF.
  • the second detector 22 detects the amplitude Vr of the reflected wave PR.
  • the first detector 21 and the second detector 22 are For example, it is composed of a diode (not shown), an RC low-noise filter, and a well-known diode detection circuit.
  • the detection values Vf and Vr of the first detection unit 21 and the second detection unit 22 are input to the reflection coefficient calculation unit 23.
  • the first and second detectors 21 and 22 may have other configurations such as a rectifier circuit.
  • the reflection coefficient calculator 23 converts the amplitude Vf of the traveling wave PF and the amplitude Vr of the reflected wave PR into digital amplitude values Df and Dr by an AZD converter (not shown), and then calculates the reflection coefficient ⁇ by calculating DrZDf. Is calculated.
  • the calculation processing of the reflection coefficient ⁇ ⁇ is performed at a predetermined period At.
  • the data of the reflection coefficient ⁇ is input to the differential operation unit 24.
  • the reflection coefficient calculation unit 23 may generate a VrZVf signal with an analog signal, and convert this signal into digital data using an AZD converter.
  • the first detection unit 21 and the second detection unit 22 may be configured by a power detection circuit, and the power detection circuit may detect the power Wf of the traveling wave PF and the power Wr of the reflected wave PR. In this case, the reflection coefficient calculation unit 23 calculates (WrZWf) 1/2 to calculate the reflection coefficient ⁇ .
  • the differential operation unit 24 obtains the amount of change per unit time of the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ obtained by the reflection coefficient operation unit 23. In other words, the differential operation unit 24 calculates a differential amount (ddZdt) of the magnitude of the reflection coefficient ⁇ .
  • the amount of change per unit time of the magnitude of the reflection coefficient ⁇ is referred to as the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient.
  • the differential calculation unit 24 converts the signal of the reflection coefficient ⁇ into digital data by an AZD converter, and then calculates drZdt. Become.
  • the operation result (d r Zdt) of the differential operation unit 24 is input to the abnormality determination unit 25.
  • Abnormality determination unit 25 determines, based on the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient input from differential operation unit 24, whether or not there is an abnormal force. The abnormality determination unit 25 determines that an abnormality has occurred. In this case, an abnormality detection signal indicating an abnormality is output to the power control unit 13 of the high frequency power supply 1 for the first predetermined time T (see FIG. 2), and an operation prohibition signal is output to the matching unit control unit 16. I do.
  • the abnormality determination unit 25 compares the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient with a predetermined reference value set in advance, and when the differential value dr Zdt exceeds the reference value, the output of the high-frequency power supply 1
  • the end A force also determines that some abnormality has occurred in the circuit reaching the load L side, and outputs an abnormality detection signal that is inverted to a high level, for example, for the first predetermined time T.
  • the abnormality determination unit 25 determines that the abnormal value is inverted to a low level or a high level at the timing tl when the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient exceeds the reference value.
  • timing t2 is a timing at which the reflection coefficient ⁇ reaches an extreme value. Since the abnormality determination unit 25 performs the abnormality detection based on the differential value d r Zdt of the reflection coefficient, the abnormality detection can be performed at an instant faster than the abnormality detection based on the reflection coefficient ⁇ .
  • the power supply control unit 13 stops the generation of the high-frequency power by the high-frequency generation amplification unit 11 for a predetermined time T in response to the abnormality detection signal indicating the abnormality. Further, matching device control section 16 inhibits the matching operation by an operation inhibition signal.
  • the abnormality determination unit 25 determines that an abnormality has occurred, and after a lapse of a first predetermined time T, inverts the output level of the abnormality detection signal (see a in FIG. 2). As a result, the power supply control unit 13 releases the stop of the output of the high-frequency power from the high-frequency power supply 1 and outputs the high-frequency power again. Further, the abnormality determination unit 25 inverts the output level of the operation inhibition signal output to the matching unit control unit 16 (see b in FIG. 2). Thereby, matching device control section 16 restarts the matching operation.
  • the abnormality determination unit 25 prohibits the abnormality determination operation until the second predetermined time T 'that has been set in advance elapses after the first predetermined time T elapses. That is, the abnormality determination operation is prohibited for the time of the force T + T 'when it is determined that an abnormality has occurred.
  • the second predetermined time T ′ is a time set longer than an assumed time from when the high-frequency power supply 1 starts the high-frequency output operation to when the impedance matching is substantially performed by the impedance matching device 2, and This is a value determined empirically or experimentally.
  • the second predetermined time T ′ Until elapses, the abnormality determination operation is prohibited.
  • the circuit from the output terminal A of the high-frequency power supply 1 to the load L side is disconnected. Even if it is not abnormal, it may be in an inconsistent state, and the reflection coefficient ⁇ ⁇ may be increased and erroneously detected as abnormal. Therefore, during the second predetermined time period, the abnormality determination operation is prohibited.
  • the abnormality is instantaneously detected by the abnormality detection device 3 by the differential value dr Zdt of the reflection coefficient as described above. And the high-frequency output operation of the high-frequency power supply 1 and the matching operation of the impedance matching device 2 are stopped.
  • the abnormality detection device 3 is used after the high-frequency power supply 1 substantially starts the high-frequency output operation (including the case where the high-frequency power supply 1 is temporarily restarted and then restarted) and the impedance matching device 2 maintains the matching state. Perform an abnormality determination operation.
  • the abnormality determination unit 25 is connected to, for example, a notifying device (not shown), and an abnormality detection signal is input to the notifying device and the power control unit 13 of the high-frequency power supply 1.
  • the impedance matching device 2 receives, for example, an operation prohibition signal inverted to a high level.
  • the notification device notifies the user of the occurrence of the abnormality by display or sound.
  • the high-frequency power supply 1 stops the output operation of the high-frequency power for a predetermined time T, and the impedance matching device 2 receives the operation inhibition signal. Then, the alignment operation is stopped for a predetermined time T.
  • the high-frequency power supply 1 was turned on to perform plasma processing with the plasma processing apparatus (load L). Then, a predetermined high-frequency power is generated from the high-frequency power supply 1 and supplied to the load L via the transmission line 4, the impedance matching device 2, and the load connection unit 5.
  • the impedance matching device 2 determines the input impedance Zin (input terminal B The magnitude of IVI / I and a phase difference of 0 are detected.
  • the variable capacitors VC1 and VC2 of the matching unit 17 are automatically adjusted based on the detection information so that the input impedance Zin becomes the characteristic impedance of 50 ⁇ .
  • the input impedance Zin of the impedance matching device 2 usually deviates from the characteristic impedance (50 ⁇ ). , Are in an inconsistent state.
  • the impedance matching device 2 starts the automatic impedance adjustment operation, the input impedance Zin is adjusted to a preset matching range (for example, 50 ⁇ 5 ⁇ ) after a predetermined time of, for example, about 3 seconds has elapsed. You. Then, thereafter, the impedance matching unit 2 changes the variable capacitors VC1 and VC2 in accordance with the variation of the load impedance Z1, and automatically adjusts the input impedance Zin so as to always fall within a predetermined matching range.
  • directional coupler 6 When high-frequency power supply 1 starts supplying high-frequency power, directional coupler 6 separates and detects high-frequency traveling wave PF and reflected wave PR, and inputs a detection signal to abnormality detection device 3 .
  • the abnormality detection device 3 calculates a differential value d rZdt of the reflection coefficient from the traveling wave PF and the reflected wave PR, and based on the change in the differential value drZdt of the reflection coefficient, outputs a signal from the output terminal A of the high-frequency power supply 1 to the load L side. It is determined whether an abnormality has occurred in the circuit.
  • the abnormality detection device 3 monitors whether or not an abnormality has occurred in the circuit on the load L side from the output terminal A of the high-frequency power supply 1 based on the change in the differential value drZdt of the reflection coefficient. Start.
  • the abnormality detection device 3 has been operating for T + T 'from the time when it was determined that an abnormality had occurred.
  • the abnormality detection device 3 outputs the output terminal of the high-frequency power supply 1 until the plasma processing apparatus L completes the plasma processing, that is, until the power supply from the high-frequency power supply 1 is stopped.
  • the impedance matching between the high-frequency power supply 1 and the plasma processing apparatus L is automatically adjusted by the impedance matching unit 2 while monitoring the occurrence of abnormalities on the load L side from A, and the high-frequency power from the high-frequency power supply 1 is It is supplied to the plasma processing apparatus L as efficiently as possible.
  • the impedance matching device 2 If an abnormality occurs on the load L side of the output terminal force of the impedance matching device 2, the impedance matching device 2 operates so as to automatically perform impedance matching in accordance with the fluctuation of the impedance on the load L side. Therefore, the high-frequency power supply system operates to supply high-frequency power to the load L side as much as possible and to suppress an increase in reflected waves to the high-frequency power supply side. If this state continues, high-frequency power will be supplied to the point of occurrence of abnormality on the load L side, and the state of damage will be further expanded. Further, if the damage is increased and impedance matching cannot be performed in the impedance matching device 2, a very large reflected wave returns to the high-frequency power supply 1 and the high-frequency power supply 1 is also damaged.
  • a similar phenomenon occurs when an abnormality occurs between the high-frequency power supply 1 and the impedance matching device 2.
  • the impedance matching operation by the impedance matching device 2 does not work, so if, for example, insulation failure or insulation breakdown occurs in the transmission line 4, impedance mismatch occurs at the damaged portion, resulting in a very large
  • the reflected wave returns to the high frequency power supply 1 and damages the high frequency power supply 1.
  • the abnormality detecting device 3 uses the differential value dr Zdt of the reflection coefficient calculated from the incident wave PF and the reflected wave PR input from the high-frequency power supply 1 to detect the abnormality. Monitoring for occurrence. Therefore, if an abnormality occurs in the circuit from the output terminal A of the high-frequency power supply 1 to the load L, the reflected wave PR input to the abnormality detection device 3 increases. Since the differential value drZdt of the reflection coefficient exceeds a predetermined reference value, occurrence of an abnormality is immediately detected.
  • the abnormality determination unit 25 determines that an abnormality has occurred, the abnormality determination unit 25 sends an abnormality detection signal (high) to the power control unit 13 of the high-frequency power supply 1 and a notification device (not shown). Level signal) is input.
  • the power supply control unit 13 controls the high frequency generation and amplification unit 11 to stop generating the high frequency wave power (see the output waveform of the high frequency power).
  • the notification device notifies that the abnormality has occurred in the high-frequency power supply system.
  • the power output operation of the high-frequency power supply 1 is immediately stopped by the abnormality detection signal. Damage due to the reflected waves of the high-frequency power supply 1 is also prevented.
  • abnormality is detected based on the differential value of the reflection coefficient drZdt, abnormality is detected early before an abnormality actually occurs and the magnitude of the reflection coefficient ⁇ changes to an abnormal value, and the power output of the high frequency power supply 1 is output.
  • Safety measures such as power stop work effectively.
  • the power control unit 13 After that, after stopping the generation of the high-frequency power by the high-frequency generation and amplification unit 11, the power control unit 13 outputs the high-frequency power with the original output amount after a predetermined time T has elapsed.
  • the abnormal force detected by the abnormality detection may be a momentary large load change such as an arc discharge generated in the plasma processing apparatus L, or the damage may occur, and the natural recovery may be possible.
  • the predetermined time T is a value obtained empirically or experimentally.
  • the power output operation of the high-frequency power supply 1 may be completely stopped in consideration of safety.
  • the operation prohibition signal (high-level signal) is input to the matching box control section 16 of the impedance matching box 2.
  • the matching unit control unit 16 The drive control of the variable capacitors VC1 and VC2, which are variable impedance elements, is stopped for a predetermined time T, and the capacitance values of the variable capacitors VC1 and VC2 are maintained in the state at the time of occurrence of the abnormality.
  • impedance matching unit 2 sets the output of variable capacitors VC1, VC2 when power output operation of high-frequency power supply 1 stops. Since the impedance matching operation is started, the impedance matching operation can be performed quickly without the mismatch state being largely shifted.
  • the abnormality determination operation of the abnormality detection device 3 is performed until the time T 'until the impedance matching device 2 is brought into the matching state elapses because the impedance matching device 2 is in the mismatching state even when the power supply of the high-frequency power supply 1 is restored. , The low level (operation off) indicating the prohibition state is held.
  • the prohibition state of the judgment operation of the abnormality judgment unit 25 is such that the power supply of the high-frequency power supply 1 is stopped and the predetermined time T and the time T 'until the impedance matching device 2 reaches the matching state elapse. Continue until you do. As a result, it is possible to prevent the malfunction of the abnormality detection device 3 in the impedance mismatching state immediately after the power supply of the high-frequency power supply 1 is restored.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the abnormality in the load L is identified based on the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ of the high-frequency output at the output terminal A of the high-frequency power supply 1 and the differential value of the impedance at the input terminal of the load L. Is to be detected.
  • the impedance matching device 2 is provided with a voltage detection unit 18 and a current detection unit 19 at a stage subsequent to the matching unit 17.
  • the voltage detector 18 detects a high-frequency voltage value V at the output terminal C of the matching unit 17.
  • the voltage detection unit 18 detects the high-frequency voltage value V at the input terminal on the load L side. I do.
  • the current detection unit 19 may detect the high-frequency current value I at the output terminal C of the matching unit 17.
  • the current detecting unit 19 detects the high-frequency current value I at the input terminal on the load L side. To detect.
  • the current value I is supplied to an impedance calculation unit 26 (described later) of the abnormality detection unit 3.
  • the abnormality detection device 3 includes an impedance calculation unit 26 and a second differential calculation unit 27 that calculates the amount of change in the magnitude of impedance per unit time.
  • the differential operation unit 24 described in the first embodiment will be described as a “first differential operation unit 24” for convenience.
  • the value of impedance Z is calculated by calculating DvZDi.
  • the calculation of the impedance Z is performed at a predetermined period At.
  • the data of the impedance Z is input to the second differential calculator 27. Note that the impedance calculator 26 generates a signal of V crossing / ⁇ with an analog signal, and
  • the signal may be converted to digital data by the AZD converter!
  • the second differential operation unit 27 is for obtaining the amount of change per unit time of the magnitude of the impedance Z obtained by the impedance operation unit 26.
  • the second differential operation section 27 obtains a differential value (dZZdt) of the magnitude of the impedance Z.
  • dZZdt the amount of change in the magnitude of the impedance Z per unit time.
  • the second differential operation unit 27 converts the signal of impedance Z into digital data using an AZD converter, and then calculates dZZdt.
  • the calculation result (dZZdt) of the second differential calculation unit 27 is input to the abnormality determination unit 25.
  • the abnormality determination unit 25 determines an abnormality based on the differential value d ⁇ / ⁇ t of the reflection coefficient input from the first differential operation unit 24 and the differential value dZZdt of the impedance input from the second differential operation unit 27. It is determined whether or not a fault has occurred. If it is determined that a fault has occurred, a fault detection signal indicating a fault is output to the power control unit 13 of the high-frequency power source 1 for the first predetermined time T (see FIG. 2). At the same time, it outputs an operation prohibition signal to matching device control section 16.
  • the abnormality determination unit 25 compares the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient with a predetermined reference value and compares the differential value dZZdt of the impedance with a predetermined reference value. .
  • the abnormality determination unit 25 determines that some abnormality has occurred on the load L side, and 1 For a predetermined time T (see Fig. 2), for example, outputs an abnormality detection signal that is inverted to a high level.
  • timing t2 is a timing at which the reflection coefficient ⁇ has an extreme value
  • timing t2 ' is a timing at which the impedance Z has an extreme value
  • the circuit from the output terminal A of the high frequency power supply 1 to the load L side includes the transmission line 4 and the impedance matching device 2.
  • simply measuring the impedance Z at the input end of the load L Since the impedance fluctuates to some extent, it is difficult to determine a reference value for determining an abnormality, and it is difficult to detect an abnormality occurring in the load L.
  • the abnormality determination unit 25 calculates the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ and the differential value dZ of the impedance.
  • abnormality detection is performed by Zdt, abnormality detection can be performed based on the magnitude of the reflection coefficient ⁇ , or instantly faster than when abnormality is detected based on the magnitude of the impedance Z.
  • the high-frequency power supply 1 when the high-frequency power supply 1 starts supplying high-frequency power, the high-frequency power supply 1 separates and detects the high-frequency traveling wave PF and the reflected wave PR, and outputs the detection signal. Input to abnormality detector 3.
  • the impedance matching device 2 inputs the voltage value and the current value at the input terminal of the load L to the abnormality detection device 3.
  • the abnormality detection device 3 calculates the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ ⁇ from the traveling wave PF and the reflected wave PR, and calculates the differential value dZ / dt of the impedance from the voltage value and the current value from the impedance matching device 2.
  • the abnormality detection device 3 monitors whether or not an abnormality has occurred on the load L based on a change in the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ ⁇ and a change in the differential value dZZdt of the impedance. To start.
  • the abnormality detection device 3 monitors the occurrence of abnormality using the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ calculated from the incident wave PF and the reflected wave PR input from the high-frequency power supply 1. Therefore, the output A force of the high-frequency power supply 1 including the abnormality in the load L also reaches the load L, for example, on the transmission line 4, a connector for connecting the transmission line 4 to the high-frequency power supply 1 or the impedance matching device 2, Or, it can be predicted that an abnormality such as insulation breakdown, insulation failure, or contact failure, or an abnormality of the load L has occurred inside the impedance matching device 2.
  • the abnormality detection device 3 further supplies power to the input terminal of the load L. Abnormality is generated by using dZZdt of impedance Z, which is also calculated for pressure value V and current value I force.
  • an abnormality between the output terminal A of the high-frequency power supply 1 and the voltage or current detection point can also be specified.
  • the differential value d rZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds the predetermined reference value
  • the differential value dZZdt of the impedance Z does not exceed the predetermined reference value
  • the output terminal A of the high-frequency power supply 1 and the voltage and current detection points For example, on the transmission line 4, on the transmission line 4, the connector between the transmission line 4 and the high-frequency power supply 1 or the impedance matching device 2, or inside the impedance matching device 2, insulation breakdown, insulation failure, or contact failure Etc. can be identified.
  • the power supply control unit 13 controls the high-frequency generation amplification unit 11 to stop the generation of the high-frequency power for the first predetermined time T, and the matching unit control unit 16 uses the operation prohibition signal.
  • the control and the like for inhibiting the matching operation are the same as those in the first embodiment, and thus are omitted here.
  • FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the detection point of the reflection coefficient ⁇ is provided near the output end in the high-frequency power supply 1, but in the third embodiment, the detection point of the reflection coefficient ⁇ is provided on the transmission line 4.
  • the configuration shown in FIG. 6 is obtained by removing the directional coupler 12 of the high-frequency power supply 1 and providing the directional coupler 6 on the transmission line 4.
  • the high-frequency power supply 1 and the directional coupler 6 and the directional coupler 6 and the impedance matching unit 2 are connected by a transmission line 4 having a coaxial cable force.
  • the second output port and the third output port of the directional coupler 6 are connected to the first detection section 21 and the second detection section 22 of the abnormality detection device 3, respectively.
  • the abnormality determination operation in the high-frequency power supply system according to the third embodiment is the same as the abnormality determination operation in the high-frequency power supply system according to the first embodiment described above. Therefore, detailed description is omitted here.
  • the abnormality detection point is on the transmission line 4 (specifically, the position of the directional coupler 6)
  • the directional coupling is performed. Abnormality in the circuit from the coupler 6 to the load L side, specifically, the transmission line 4 connecting the directional coupler 6 and the impedance matcher 2, insulation breakdown or poor contact at the connector, impedance matcher Insufficient insulation in 2, or an abnormality in load L, etc. are detected, and the same operational effects as in the first embodiment described above are achieved.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the occurrence of an abnormality is determined using the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ .
  • the abnormality is determined using both the reflection coefficient ⁇ and the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ .
  • the occurrence is determined.
  • FIG. 7 is different from FIG. 1 in that a first comparing unit 28 is provided between the reflection coefficient calculating unit 23 and the abnormality determining unit 25, and a second comparing unit 28 is provided between the differential calculating unit 24 and the abnormality determining unit 25.
  • a comparison unit 29 is provided.
  • the first comparison unit 28 receives the reflection coefficient ⁇ calculated by the reflection coefficient calculation unit 23.
  • the second comparator 29 receives the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ calculated by the differential calculator 24.
  • the second comparing section 29 compares the differential value d ⁇ / dt of the reflection coefficient ⁇ ⁇ ⁇ input from the differential operation section 24 with a predetermined first reference value, and calculates the differential value d rZdt of the reflection coefficient ⁇ .
  • a signal to that effect for example, a signal that is inverted to a low level and high level
  • This signal is input to abnormality determination section 25.
  • the first comparing section 28 compares the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ inputted from the reflection coefficient calculating section 23 with a predetermined second reference value, and determines the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ When the reference value is exceeded, a signal to that effect (for example, a signal that is inverted from low level to high level) is output. This signal is also input to the abnormality determination unit 25.
  • the abnormality determination unit 25 includes an unillustrated AND circuit, and the AND circuit of the signals input from the first comparison unit 28 and the second comparison unit 29 is operated by the AND circuit, and the signal of the operation result is calculated. Is output as an error detection signal. That is, when the signals input from the first comparing section 28 and the second comparing section 29 have a high level of deviation, a high level signal is output from the abnormality determining section 25. When any one of the signals input from the first comparison unit 28 and the second comparison unit 29 is at a low level, the abnormality determination unit 25 outputs a low-level signal. The relationship between the low level and the high level of the signal in the abnormality determination unit 25 may be reversed.
  • the abnormality determination unit 25 determines whether the abnormality determination unit 25 is abnormality.
  • the derivative d ⁇ Zdt of ⁇ and the reflection coefficient ⁇ are compared with the corresponding first reference value and second reference value, respectively, and if both parameters exceed the reference values, it is determined that an abnormality has occurred.
  • Other operations are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will not be repeated.
  • the occurrence of an abnormality is determined in consideration of not only the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient but also the reflection coefficient ⁇ . For example, when the differential value dr Zdt of the reflection coefficient is large and the reflection coefficient ⁇ ⁇ is large ⁇ , it is determined to be abnormal.
  • the comparison result of the first comparison unit 28 and the comparison result of the second comparison unit 29 Under the OR condition, that is, when the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds the first reference value, or when the reflection coefficient ⁇ exceeds the second reference value, it may be determined that an abnormality has occurred! ,.
  • FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a high-frequency power supply system according to Embodiment 5 of the present invention.
  • the occurrence of an abnormality is determined using the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ and the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ .
  • the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ and the differential value of the reflection coefficient ⁇ are determined.
  • Abnormality is determined using both d ⁇ Zdt and the differential value of impedance Z, dZZdt.
  • FIG. 8 is different from FIG. 7 showing the fourth embodiment in that the impedance matching unit 2 is provided with a voltage detection unit 18 and a current detection unit 19, and the abnormality detection device 3 is provided with an impedance calculation unit 26 and a second A differential operation unit 27 is provided.
  • the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ and the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ correspond to the first reference value and the second reference value, respectively.
  • the value is compared with the value, and if they both exceed the corresponding reference value, a high level is output.
  • the abnormality determination unit 25 of the abnormality detection device 3 is a signal which is input from the first comparison unit 28 and the second comparison unit 29, the deviation is also a low level, and is input from the second differentiation operation unit 27. Impedance Z When the differential value dZZdt of the data exceeds a predetermined reference value, it is determined that an abnormality has occurred. Other operations are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will not be repeated.
  • the occurrence of an abnormality is determined in consideration of the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ and the differential value dZZdt of the impedance Z that is not limited to the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient. Abnormality in the load L can be detected quickly and accurately.
  • the AND condition of the comparison result of the first comparison unit 28, the comparison result of the second comparison unit 29, and the calculation result based on the output of the second differentiation calculation unit 27 That is, when the derivative d rZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds the first reference value, the reflection coefficient ⁇ ⁇ exceeds the second reference value, and when the derivative dZZdt of the impedance Z exceeds the third reference value, an error occurs.
  • the OR condition of the comparison result of the first comparison unit 28, the comparison result of the second comparison unit 29, and the calculation result based on the output of the second differential calculation unit 27 is used instead.
  • FIG. 9 is a diagram showing a high-frequency power supply system according to Embodiment 6 of the present invention.
  • the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds a predetermined first reference value, it is determined that an abnormality has occurred immediately.
  • the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ The number of times exceeding the reference value is counted, and if the number exceeds a predetermined reference number, it is determined that an abnormality has occurred. Therefore, FIG. 9 is different from FIG. 1 in that the counting section 31 is provided between the differential operation section 24 and the abnormality determination section 25. Since other configurations are the same as those of the high-frequency power supply system according to the first embodiment, the operations of the counting unit 31 and the abnormality determining unit 25 that are different from those of the first embodiment will be briefly described.
  • the counting unit 31 in Fig. 9 compares the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ calculated by the differential calculating unit 24 with a predetermined first reference value, and the differential value drZdt exceeds the first reference value. It counts the number of times. That is, for example, when the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ ⁇ changes as shown in FIG. 10, the counting unit 31 determines at the timings tl, t2, and t3 that the differential value dr Zdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds the first reference value. The count value of the built-in counter is increased by one, and the count value is output to the abnormality determination unit 25. [0169] The abnormality determination unit 25 determines that an abnormality has occurred when the count value input from the counting unit 31 exceeds the first reference value.
  • the sixth embodiment when the number of times that the differential value d rZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds the predetermined first reference value exceeds the predetermined reference number, it is determined that an abnormality has occurred, and the abnormality is notified or the output of the high-frequency power is stopped. Suspension measures are taken. Therefore, for example, when the reflection coefficient ⁇ increases intermittently as shown in Fig. 25, when the reflection coefficient ⁇ ⁇ changes, slight damage occurs on the high-frequency power transmission circuit, and these damages In the case where the damage is repeated and causes fatal damage, the occurrence of an abnormality can be detected at an early stage, and the damage can be prevented from increasing.
  • the magnitude of the reflection coefficient ⁇ may be adjusted to the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ as in the fourth embodiment (see FIG. 7).
  • a counting unit (not shown) is added between the reflection coefficient calculation unit 23 and the abnormality determination unit 25, and the magnitude of the reflection coefficient ⁇ in this counting unit is determined by a predetermined second reference. The number of times exceeding the value is counted, and the counting result is input to the abnormality determination unit 25.
  • the abnormality determination unit 25 determines that an abnormality has occurred.
  • the number of times that the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds the predetermined first reference value exceeds the predetermined first reference number, or the number of times the magnitude of the reflection coefficient ⁇ exceeds the predetermined second reference value When exceeds a predetermined second reference number it is determined that an abnormality has occurred.
  • the abnormality determination unit 25 when the number of times that the differential value drZdt of the reflection coefficient Z exceeds the predetermined reference value exceeds the predetermined reference number, it is determined that there is an abnormality. In the case where the value changes stepwise as shown in FIG. 11, the abnormality determination unit 25 does not determine that an abnormality has occurred until the count value of the counting unit 31 remains “1”. However, if the state where the reflection coefficient ⁇ ⁇ is high continues, there is a high possibility that an abnormality occurs, and the abnormality determination unit 25 may overlook the occurrence of the abnormality.
  • the magnitude of the reflection coefficient ⁇ ⁇ at the time of counting is equal to or greater than a predetermined value and is maintained for a predetermined time ta (see FIG. 11). In such a case, it may be determined to be abnormal.
  • FIG. 12 is a diagram showing a high-frequency power supply system according to Embodiment 7 of the present invention.
  • the number of times that the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds a predetermined reference value is counted, and if the number exceeds the predetermined reference number, it is determined that an abnormality has occurred immediately.
  • Count the number of times that the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ exceeds a predetermined reference value count the number of times that the number exceeds the predetermined reference number, and count the number of times that the differential value dZZdt of the impedance Z exceeds the predetermined reference value.
  • the number of times exceeds a predetermined reference number it is determined that an abnormality has occurred.
  • FIG. 12 is different from FIG. 9 showing the sixth embodiment in that the impedance matching unit 2 is provided with a voltage detecting unit 18 and a current detecting unit 19, and the abnormality detecting device 3 is provided with an impedance calculating unit 26 and a second differential calculating unit 27. And a second counting section 32 is provided between the second differential operation section 27 and the abnormality determination section 25.
  • the counting section 31 shown in FIG. 9 will be described as “first counting section 31”.
  • the second counting section 32 compares the differential value dZZ dt of the impedance Z calculated by the second differential calculating section 27 with a predetermined third reference value, and counts the number of times that the differential value dZZdt exceeds the third reference value. Is counted. That is, for example, when the differential value dZ / dt of the impedance Z changes as shown in FIG. 13, the second counting unit 32 outputs the timings t and t2 ′ at which the differential value dZZdt of the impedance Z exceeds the third reference value. , t3 ', the count value of the built-in counter is incremented by one, and the count value is output to the abnormality determination unit 25.
  • the abnormality determination unit 25 receives the count number from the first counting unit 31, the count number exceeds the first reference number, and receives the count number from the second counting unit 32. If the number of times exceeds the third standard, it is determined that an abnormality has occurred.
  • the number of times exceeding the value exceeds a predetermined third reference number it is determined that an abnormality has occurred, and abnormality notification and a measure to stop output of high-frequency power are performed. Therefore, for example, when the reflection coefficient ⁇ increases intermittently as shown in FIG. 25 and when the impedance Z decreases intermittently as shown in FIG. Minor damage occurs on high-frequency power transmission lines, and these damages are repeated, resulting in fatal damage. It is possible to detect the occurrence of an abnormality at an early stage in the event of injury and prevent the damage from increasing.
  • the magnitude of the reflection coefficient ⁇ is added to the differential value d ⁇ Zdt of the reflection coefficient ⁇ and the differential value dZZdt of the impedance Z. You may do it.
  • a counting unit (not shown) is added between the reflection coefficient calculation unit 23 and the abnormality determination unit 25, and the magnitude of the reflection coefficient ⁇ in this counting unit is a predetermined second reference value. The number of times exceeding the number is counted, and the counting result is input to the abnormality determination unit 25.
  • the number of times exceeds the third predetermined number of reference times and the number of times the magnitude of the reflection coefficient ⁇ exceeds the second predetermined number of reference exceeds the second predetermined number of times it is determined that an abnormality has occurred.
  • the second counting unit In the method of counting the number of times when the differential value dZZdt of the impedance Z exceeds the predetermined reference value shown in the seventh embodiment, when the impedance Z changes stepwise, the second counting unit The count value of 32 remains “1”. However, if the impedance Z continues to be kept low, an abnormality may occur, and the abnormality determination unit 25 may overlook the occurrence of the abnormality.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a high-frequency power supply system according to Embodiment 8 of the present invention.
  • the amount of change in the magnitude of the standing wave ratio per unit time (hereinafter referred to as the differentiated value of the standing wave ratio) is used instead of the differential value d rZdt of the reflection coefficient ⁇ as a parameter for determining abnormality.
  • dSZdt That's it. ) Is used. Therefore, FIG. 15 is obtained by replacing the reflection coefficient calculator 23 with the standing wave ratio calculator 33 in FIG.
  • Other configurations are the same as those of the first embodiment, and therefore, the standing wave ratio calculation unit 33 will be briefly described here.
  • the magnitude of the standing wave ratio S obtained by the standing wave ratio calculation unit 33 is input as data to the differentiation calculation unit 24, where the differential value dSZdt of the standing wave ratio S is calculated. It is calculated.
  • the differential value dSZdt of the standing wave ratio S calculated by the differential operation unit 24 is compared with a predetermined reference value. If the differential value dSZdt exceeds the reference value, an abnormality occurs. Is determined, and an abnormality detection signal that is inverted to a high level, for example, is output.
  • the parameter of the abnormality determination is the standing wave ratio S, and both the standing wave ratio S and the reflection coefficient ⁇ depend on the ratio to the incident wave. Indicates that the degree of the reflected wave is abnormally large or that the degree of matching is abnormally poor, it can be estimated that an abnormality has occurred in the circuit. Therefore, in the eighth embodiment, the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained.
  • the differential value dSZdt of the standing wave ratio S was used as a parameter for abnormality determination. Instead, the magnitude of the reciprocal of the standing wave ratio S per unit time was used. The change amount d (1ZS) Zdt may be used.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration of the high-frequency power supply system according to the ninth embodiment.
  • a force that detects an abnormality based on the differential value dSZdt of the standing wave ratio S is used.
  • the ninth embodiment uses a differential value dS / dt of the standing wave ratio S and a differential value dZ / dt of the impedance Z. Is used to determine the occurrence of an abnormality.
  • FIG. 16 is different from FIG. 15 showing the eighth embodiment in that the impedance matching unit 2 is provided with a voltage detecting unit 18 and a current detecting unit 19, and the abnormality detecting device 3 is provided with an impedance calculating unit 26 and a second differential calculating unit.
  • the abnormality determination unit 25 of the abnormality detection device 3 compares the differential value dSZdt of the standing wave ratio with the first reference value, and compares the differential value dZZdt of the impedance Z with the second reference value. When the parameters are compared and each parameter exceeds the corresponding reference value, it is determined that an abnormality has occurred.
  • the other operations are the same as those in the eighth embodiment, and the description is omitted.
  • the occurrence of an abnormality is determined in consideration of the differential value dZZdt of the impedance Z that can be determined only by the differential value dSZdt of the standing wave ratio. Can be detected.
  • the differential value dSZdt of the standing wave ratio S is used as a parameter for determining abnormality. Instead, the force per unit time of the reciprocal of the standing wave ratio S is used. Using the change d (1 / S) Zdt of.
  • FIG. 17 is a diagram showing the configuration of the high-frequency power supply system according to Embodiment 10 of the present invention.
  • the occurrence of abnormality is determined based on the differential value drZdt of the reflection coefficient ⁇ .In the embodiment 10, however, the logarithm of the reflection coefficient ⁇ ⁇ is obtained, and how the logarithmic value changes per unit time. Based on this, the occurrence of an abnormality is determined.
  • the configuration of the high-frequency power supply system according to the tenth embodiment is such that the abnormality detection device 3 shown in Fig. 1 has the following configuration. That is, the abnormality detection device 3 in the tenth embodiment includes a first logarithmic amplifier unit 35, a second logarithmic amplifier unit 36, a logarithmic reflection coefficient calculation unit 37, a logarithmic reflection coefficient storage unit 38, and a logarithmic latest value comparison unit. 39, a logarithmic previous value comparison unit 40, and an abnormality determination unit 41.
  • the first logarithmic amplifier unit 35 detects the amplitude Vf of the traveling wave PF and outputs a logarithmic value corresponding to the amplitude Vf.
  • the second logarithmic amplifier unit 36 detects the amplitude Vf of the reflected wave PR. It detects Vr and outputs a logarithmic value corresponding to the amplitude Vr.
  • the first logarithmic amplifier section 35 and the second logarithmic amplifier section 36 include, for example, an OP amplifier and an OP amplifier in addition to the circuits in the first detector 21 and the second detector 22 (see FIG. 1) described in the first embodiment. It is composed of a logarithmic amplifier consisting of diodes connected in parallel.
  • first logarithmic amplifier unit 35 and the second logarithmic amplifier unit 36 may use commercially available logarithmic amplifiers.
  • Logarithmic value of amplitude Vf of traveling wave PF which is the output value of first logarithmic amplifier 35 and second logarithmic amplifier 36 log (Vf )
  • the logarithmic value log (Vr) of the amplitude Vr of the reflected wave PR are input to the logarithmic reflection coefficient calculation unit 37.
  • the logarithmic reflection coefficient calculation unit 37 can calculate the logarithmic value log (VrZVf) of the reflection coefficient ⁇ ⁇ in the form of subtraction such as log (Vr) ⁇ log (Vf).
  • the circuit configuration can be simplified without using a division circuit for directly dividing Vr by the amplitude Vf of the traveling wave PF.
  • the logarithmic reflection coefficient calculation unit 37 may process an analog signal or may process a digital signal.
  • an AZD converter (not shown) is provided in front of the logarithmic reflection coefficient calculation unit 37, and the calculation processing of the logarithmic value log ⁇ of the reflection coefficient ⁇ ⁇ is performed at a predetermined period At.
  • an AZD converter (not shown) may be provided between the logarithmic reflection coefficient calculation unit 37 and a logarithmic reflection coefficient storage unit 38 described later.
  • the logarithmic reflection coefficient storage unit 38 includes a memory (not shown) and sequentially stores the logarithmic value log ⁇ of the reflection coefficient ⁇ calculated by the logarithmic reflection coefficient calculation unit 37 at a predetermined period At, Every time the logarithmic value log ⁇ of the reflection coefficient ⁇ is input from the reflection coefficient calculation unit 37 at a predetermined period ⁇ t, the latest logarithm value of the reflection coefficient ⁇ 1 input this time is input and stored last time as log ⁇ 1. The logarithmic value of the reflection coefficient ⁇ 2 and log ⁇ 2 are output.
  • the logarithmic value log ⁇ 1 of the reflection coefficient ⁇ 1 output from the logarithmic reflection coefficient storage unit 38 is input to the latest logarithmic value comparison unit 39, and the logarithmic value log ⁇ 2 of the reflection coefficient ⁇ 2 is the previous logarithmic value comparison unit 40 Is input to
  • the latest logarithmic value comparison unit 39 compares the logarithmic value log ⁇ 1 of the reflection coefficient ⁇ 1 input from the logarithmic reflection coefficient storage unit 38 with a predetermined reference value, and calculates the logarithmic value logarithm of the reflection coefficient ⁇ 1.
  • ⁇ 1 is greater than or equal to the reference value
  • a signal to that effect (for example, a high-level signal) is output.
  • This signal is input to abnormality determination section 41.
  • the reference value is, for example, about 0.8-0.9 when represented by the reflection coefficient ⁇ .
  • the previous logarithmic value comparison unit 40 compares the logarithmic value log ⁇ 2 of the reflection coefficient ⁇ 2 input from the logarithmic reflection coefficient storage unit 38 with a predetermined reference value, and obtains the logarithmic value logarithm of the reflection coefficient ⁇ 2.
  • ⁇ 2 is equal to or less than the reference value
  • a signal to that effect (for example, a high-level signal) is output.
  • This signal is input to abnormality determination section 41.
  • the reference value is set to, for example, about 0.2-0.3 when represented by the reflection coefficient ⁇ .
  • the abnormality determination unit 41 determines an abnormality based on the output of the latest logarithmic value comparing unit 39 and the output of the previous logarithmic value comparing unit 40.
  • the logarithmic circuit 42 includes an AND circuit 42 that outputs the logical product of the signals input from the previous value comparison unit 40.
  • the output of the AND circuit 42 is output as an abnormality detection signal. That is, when both of the signals input from the logarithmic latest value comparing unit 39 and the log previous value comparing unit 40 are at a high level, a high-level signal is output from the abnormality determining unit 41 and it is determined that an abnormality has occurred. Other operations are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will not be repeated. Note that the relationship between the low level and the high level of the signal in the abnormality determination unit 41 may be reversed.
  • Example 10 the logarithm of the reflection coefficient ⁇ was used because the logarithmic value of the reflection coefficient ⁇ was simply obtained and compared with the reference value, as in the previous examples. This is because the determination cannot be performed properly.
  • the logarithmic value log ⁇ 1 of the reflection coefficient ⁇ 1 input from the logarithmic reflection coefficient storage unit 38 to the logarithmic latest value comparison unit 39 is equal to or greater than a predetermined reference value
  • the logarithmic reflection coefficient When the logarithmic value log ⁇ 2 of the reflection coefficient ⁇ 2 input from the storage unit 38 to the logarithmic previous value comparison unit 40 is equal to or smaller than a predetermined reference value, it is determined to be abnormal.
  • the logarithmic value log ⁇ of the reflection coefficient ⁇ is represented by the reflection coefficient ⁇
  • the reflection coefficient ⁇ ⁇ changes from the range of P1 shown in Fig. 19 to the range of P2 it is determined to be abnormal! / RU
  • the occurrence of an abnormality is determined based on the latest value of the reflection coefficient ⁇ ⁇ and the immediately preceding value of the reflection coefficient ⁇ . Therefore, the logarithmic differential value d (log r) Zdt is substantially used. It has the same effect as judgment, and can detect abnormality immediately. Further, since the logarithm is used, high-frequency input of the traveling wave PF and the reflected wave PR from the directional coupler 12 can be permitted in a wide range. For example, if the input level is in the range of 1 to 1000 V, the logarithm will be in the range of 0 to 3 V. If the input level is in the range of 1 to 10000 V, the log will be 0 to 4 V. Range.
  • FIG. 20 is a diagram illustrating the configuration of the high-frequency power supply system according to the eleventh embodiment.
  • the force that determines the occurrence of an abnormality based on the manner of change per unit time obtained from the latest value of the logarithmic value of the reflection coefficient ⁇ and the previous value is used in the eleventh embodiment.
  • the abnormality occurrence is determined using the differential value dZZdt of Z.
  • FIG. 20 is different from FIG. 17 showing the eleventh embodiment in that the impedance matching unit 2 is provided with a voltage detection unit 18 and a current detection unit 19, and the abnormality detection device 3 is provided with an impedance calculation unit 26 and a second differential calculation unit. 27 are provided.
  • the logarithmic value log ⁇ 1 of the latest reflection coefficient ⁇ 1 input to the logarithmic value comparison unit 39 is greater than or equal to a predetermined reference value.
  • the logarithmic value log ⁇ 2 of the previous reflection coefficient ⁇ 2 input to the logarithmic previous value comparison unit 40 is equal to or smaller than a predetermined reference value, and the differential value dZZdt of the impedance Z input to the second differentiation operation unit 27 is When the value exceeds a predetermined reference value, it is determined that an abnormality has occurred.
  • Other operations are the same as those in the tenth embodiment, and a description thereof will not be repeated.
  • the abnormal value is obtained by taking into account the differential value dZZdt of the impedance Z, which is not limited to the way of change per unit time obtained from the latest value and the previous value of the logarithmic value of the reflection coefficient ⁇ . Since the occurrence is determined, the abnormality in the load L can be detected more reliably and accurately.
  • FIG. 21 is a diagram illustrating the configuration of the high-frequency power supply system according to the twelfth embodiment.
  • the occurrence of an abnormality is determined based on the method of change per unit time obtained from the latest value of the logarithmic value of the reflection coefficient ⁇ and the previous value, but in the twelfth embodiment, the logarithmic reflection coefficient is stored.
  • the logarithmic value log ⁇ 1 of the reflection coefficient ⁇ 1 input to the logarithmic latest value comparison unit 39 from the unit 38 is equal to or larger than a predetermined reference value
  • the logarithmic reflection coefficient storage unit 38 stores the logarithmic previous value comparison unit 40 Count the number of times when the logarithmic value log ⁇ 2 of the input reflection coefficient ⁇ 2 is less than or equal to a predetermined reference value, and determine that an abnormality has occurred based on the fact that the number exceeds a predetermined reference number. It was done. Therefore, FIG. 21 is different from FIG. 17 in that a counting unit 43 is provided between each output side of the latest logarithmic value comparing unit 39 and the previous logarithmic value comparing unit 40 and the abnormality determining unit 41.
  • the counting unit 43 in FIG. 21 includes a logarithmic latest value comparing unit 39 from the logarithmic reflection coefficient storage unit 38, and a logarithmic value log ⁇ 1 of the input reflection coefficient ⁇ 1 is equal to or greater than a predetermined reference value. Further, it counts the number of times when the logarithmic value log log2 of the reflection coefficient ⁇ 2 input from the logarithmic reflection coefficient storage unit 38 to the logarithmic previous value comparison unit 40 is equal to or less than a predetermined reference value.
  • the abnormality determination unit 41 receives the count value from the counting unit 43, and determines that an abnormality has occurred when the count value exceeds a predetermined reference number. Other operations are the same as those in the tenth embodiment, and a description thereof will not be repeated.
  • the change per unit time determined from the latest value of the logarithmic value of the reflection coefficient ⁇ and the previous value per unit time obtained from the previous value is not an instantaneous change, but a condition satisfying the condition determined to be abnormal.
  • An abnormality occurrence is determined based on the number. Therefore, for example, the reflection coefficient ⁇ ⁇ If the reflection coefficient ⁇ ⁇ changes intermittently, minor damage will occur on the high-frequency power transmission circuit, and these damages will be repeated and lead to catastrophic damage. In such a case, the occurrence of an abnormality can be detected at an early stage, and the damage can be prevented from increasing.
  • FIG. 22 is a diagram showing a configuration of the high-frequency power supply system according to Embodiment 13 of the present invention.
  • the logarithm of the reflection coefficient ⁇ was obtained, and the occurrence of an abnormality was determined based on the manner in which the logarithmic value changed per unit time.
  • this idea was not logarithmic. This is applicable to the case where the reflection coefficient ⁇ ⁇ described in Example 1 etc. is used.
  • the configuration of the high-frequency power supply system according to the thirteenth embodiment is such that the abnormality detection device 3 shown in FIG. 17 has the following configuration.
  • the abnormality detection device 3 includes a first detection unit 21, a second detection unit 22, a reflection coefficient calculation unit 23, a reflection coefficient storage unit 44, and a reflection coefficient latest value comparison unit 45. And a reflection coefficient previous value comparison unit 46 and an abnormality determination unit 47.
  • the first detection unit 21, the second detection unit 22, and the reflection coefficient calculation unit 23 are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
  • the reflection coefficient storage unit 44, the reflection coefficient latest value comparison unit 45, the reflection coefficient previous value comparison unit 46, and the abnormality determination unit 47 are the logarithmic reflection coefficient storage unit 38, the logarithmic latest value comparison unit 39, described in the tenth embodiment.
  • the function of the logarithmic previous value comparison unit 40 and the function of the abnormality determination unit 41 are applied when the reflection coefficient ⁇ is used. Even in such a configuration, similar to the configuration described in the first embodiment, the abnormality determination is performed based on the change per unit time of the reflection coefficient ⁇ , so that the same effect as the configuration described in the first embodiment is obtained. be able to.
  • the occurrence of an abnormality may be determined using the differential value dZZdt of the impedance Z, as in the eleventh embodiment.
  • a counting unit is provided to count the number of abnormalities, and based on the fact that the number exceeds a predetermined reference number, it is determined that an abnormality has occurred. You can do it.
  • the output power of the high-frequency power supply 1 is set to zero when an abnormality is detected.
  • the output power may be changed in a direction to decrease the output power.
  • the output power may be reduced to 1Z2.
  • the output A force of the high frequency power supply 1 can also minimize the spread of damage generated on the load L side, and the reflected wave power It is possible to prevent an element from being damaged by applying an overvoltage or flowing an overcurrent to an element (not shown) in the high-frequency power supply 1.
  • the directional coupler 12 may be provided between the output terminal A of the high-frequency power supply 1 and the input terminal D of the matching unit 17 of the impedance matching device 2.
  • the content of the present invention is not limited to the above-described embodiments.
  • the specific configuration of each part of the high-frequency power supply system according to the present invention can be freely changed in various ways.

Abstract

 高周波電力供給システムは、高周波電源1の出力端Aから負荷L側の回路で発生する異常を検出する異常検出装置3を備える。異常検出装置3は高周波の進行波の電圧値Vfを検出する第1検波部21と、高周波の反射波の電圧値Vrを検出する第2検波部22と、進行波電圧値Vfと反射波電圧値Vrとから反射係数の微分値dΓ/dtを演算する反射係数演算部23及び微分演算部24と、反射係数の微分値dΓ/dtに基づいて異常発生の有無を判定する異常判定部25とで構成される。異常検出装置3から高周波電源1に異常検出信号が出力されると、高周波電源1の電力出力動作は停止させる。

Description

明 細 書
高周波電力供給システム
技術分野
[0001] 本発明は、高周波電源からインピーダンス整合器を介してプラズマ処理装置等の 負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給システムに関する。
背景技術
[0002] 図 23は、従来の高周波電力供給システムの基本構成例を示す図である。この高周 波電力供給システムは、高周波電力を出力するための高周波電源 51と、高周波電 源 51の入力インピーダンスと負荷インピーダンスとを整合するためのインピーダンス 整合器 53と、例えばプラズマ処理装置カゝらなる負荷 Lとで構成されている。インピー ダンス整合器 53は、高周波電源 51に同軸ケーブルカゝらなる伝送線路 52を介して接 続されている。負荷 Lは、インピーダンス整合器 53に、電磁波が漏洩を防止するため に遮蔽された銅板等カゝらなる負荷接続部 54を介して接続されている。
[0003] 高周波電源 51は、負荷 Lに対して高周波電力を供給するための装置である。高周 波電源 51は、図示しない電力増幅回路及び発振回路等を備え、所定の電力に設定 された高周波電力を伝送線路 52を通じてインピーダンス整合器 53に出力する。
[0004] インピーダンス整合器 53は、その入力端力も高周波電源 51側を見た入力インピー ダンスと、その入力端カゝら負荷 L側を見た負荷インピーダンスとを整合させるためのも のである。インピーダンス整合器 53は、高周波電源 51の出力を効率よく負荷 Lに供 給するのに用いられる。負荷 Lは、エッチング又は CVD等の方法を用いて半導体ゥ ェハ及び液晶基板等の被加工物を加工するための装置である。
[0005] 上記高周波電力供給システムでは、高周波電源 51から負荷 Lに高周波電力が供 給されている間、負荷 Lが変動し、高周波電源 51と負荷 Lとの間にインピーダンスの 不整合が発生する。そのため、高周波電力供給システムでは、負荷 Lの変動に応じ てインピーダンス整合器 53内の可変インピーダンス素子(図略)のインピーダンス値 を自動的に変化させて、高周波電源 51と負荷 Lとの間のインピーダンスを整合させる ようになっている。 [0006] ところで、上記高周波電力供給システムにおいて、例えば負荷 Lであるプラズマ処 理装置でガス圧の変化や放電温度の上昇によりアーク放電が生じたり、絶縁破壊が 生じたりする異常状態が発生すると、負荷 Lのインピーダンスが急変する。そのため、 高周波電力供給システムでは、インピーダンス整合器 53の整合動作が十分に追従 できなくなり、場合によってはインピーダンス整合が取れない状態が生じる。このよう な場合、インピーダンス不整合により高周波電源 51に戻ってくる高周波電力の反射 波が非常に大きくなり、高周波電源 51を損傷する虞がある。また、負荷 Lの損傷箇所 にも高周波電力が供給され続けるため、その損傷箇所の被害を増大する虞がある。
[0007] 高周波電力供給システムでは、伝送線路 52及びインピーダンス整合器 53等の高 周波電源 51と負荷 Lとの間の線路上で、絶縁不良、絶縁破壊又はコネクタの接触不 良等の異常が発生した場合もその部分でのインピーダンス不整合が発生する。その ため、高周波電力供給システムでは、高周波電源 51への反射波電力が増大し、当 該高周波電源 51の損傷又は線路上の異常発生箇所の損傷拡大を招くことになる。
[0008] このような異常が発生した場合は、直ちに高周波電力供給を停止する等の安全対 策を講じることが望ましい。しかし、従来の高周波電力供給システムは、上述の異常 を検出して安全対策を講じる構成となっていな力つた。
[0009] 一方、高周波技術にお!、ては、負荷への電力供給効率を示すパラメータとして反 射係数及びリターンロス等が周知であり、これらのパラメータを用いれば、高周波電 源 51を損傷する虞のある反射波電力を知ることができる。そのため、例えば日本国 特開 2000— 299198号公報に示されるように、反射係数 Γを用いて負荷側の状態を 監視し、例えば反射係数が所定の基準値を超えるか否かにより異常を検出して安全 対策を講じることが考えられる。
[0010] しかし、この方法では、反射係数の大きさが基準値を超えなければ異常とされない
。そのため、反射係数の変化状態によっては、負荷側に異常が発生しているにも拘 わらず異常と判定されず、この方法は、安全対策のレスポンスが十分とは言えない。 例えば図 24及び図 25は、時間の経過にともなう反射係数の変化を表した図である。 図 24は、基準値を超えない範囲で瞬間的に反射係数が異常に増大する場合を示す 。図 25は、基準値を超えない範囲で反射係数が増大するときが断続的に続く場合を 示す。図 24及び図 25に示す場合等では、その反射係数が変化するときに負荷側に 異常が発生してもその異常が検出されない。また、異常が拡大して反射係数が基準 値を超えたとき、その異常が検出されることになるため、安全対策用の検出方法とし ては十分とは言えない。
発明の開示
[0011] 本発明は、上記従来技術の問題点を解消し、または抑制し得る高周波電力供給シ ステムを提供することをその目的としている。
[0012] 本発明の第 1の側面によって提供される高周波電力供給システムは、高周波電源 からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給シ ステムであって、上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を 検出する第 1の検出手段と、上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に 関する情報を検出する第 2の検出手段と、上記第 1の検出手段により検出された進 行波に関する情報と上記第 2の検出手段により検出された反射波に関する情報とに 基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検出点における反射係数の大きさの単位時 間当たりの変化量を演算する微分演算手段と、上記微分演算手段により演算された 反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量に基づいて、上記第 1,第 2の検出手 段の検出点力 負荷側における異常の発生を判定する異常判定手段と、を備えたこ とを特徴として ヽる(請求項 1)。
[0013] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変 化量が予め設定された所定の第 1基準値を超えたとき、異常発生と判定する (請求項 2)。
[0014] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変 化量が予め設定された所定の第 1基準値を超える回数を計数する計数手段を備え、 この計数手段によって計数された回数が所定の基準回数を超えたとき、異常発生と 判定する (請求項 3)。
[0015] 好ましくは、上記高周波電力供給システムにおいて、上記第 1の検出手段により検 出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段により検出された反射波に関す る情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検出点における反射係数の大きさ を演算する演算手段を更に備え、上記異常判定手段は、上記微分演算手段により 演算された反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量と上記演算手段により演算 された反射係数の大きさとに基づいて、上記第 1,第 2の検出手段の検出点から負荷 側における異常の発生を判定する(請求項 4)。
[0016] 上記構成によれば、高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波 電力が供給されているとき、上記高周波電源の内部、高周波電源の高周波電力の 出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部の間の伝送線路 上、又はインピーダンス整合器の内部の任意の検出点において、例えば電力値及び 電圧値等の高周波の進行波に関する情報 (以下、進行波情報という。)と反射波に関 する情報 (以下、反射波情報という。)とが検出され、これらの進行波情報と反射波情 報とに基づいて、反射係数 Γの大きさの単位時間当たりの変化量 (以下、反射係数 の微分値 drZdtという。)が算出される。
[0017] そして、この反射係数の微分値 drZdtに基づいて、進行波情報及び反射波情報 の検出点力も負荷側の回路における異常の発生が判定される。例えば反射係数の 微分値 d rZdtが所定の第 1基準値を超えたとき、進行波情報及び反射波情報の検 出点から負荷側の回路における異常の発生が判定される。また、反射係数の微分値 drZdtが所定の第 1基準値を超える回数が所定の基準回数を超えたとき、進行波 情報及び反射波情報の検出点から負荷側の回路における異常発生と判定される。
[0018] このように、反射係数の微分値 drZdtに基づいて、進行波情報及び反射波情報 の検出点力 負荷側の回路における異常の発生が判定されるので、図 24及び図 25 に示したような、反射係数が瞬間的に増大したり、反射係数が増大する状態が断続 的に継続したりして異常が発生した場合にも可及的速やかに異常と判定することが できる。
[0019] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさが予め設定された所定 の第 2基準値を超え、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定 された所定の第 1基準値を超えたとき、異常発生と判定する (請求項 5)。
[0020] 好ましくは、上記高周波電力供給システムにおいて、上記異常判定手段は、上記 反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の第 1基準値を 超える回数を計数する第 1の計数手段と、上記反射係数の大きさが予め設定された 所定の第 2基準値を超える回数を計数する第 2の計数手段と、を備え、上記第 1の計 数手段によって計数された回数が予め設定された第 1基準回数を超え、かつ、上記 第 2の計数手段によって計数された回数が予め設定された第 2基準回数を超えたと き、異常発生と判定する (請求項 6)。
[0021] 好ましくは、上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記 高周波電源の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力 の入力端部の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定する(請求 項 7)。
[0022] 上記構成によれば、高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波 電力が供給されているとき、進行波情報と反射波情報とが検出され、これらの進行波 情報と反射波情報とに基づ!、て、反射係数 Γの大きさとこの反射係数の微分値 d Γ Zdtとが算出される。そして、この反射係数 Γの大きさと反射係数の微分値 drZdt とに基づいて、進行波情報及び反射波情報の検出点から負荷側の回路における異 常の発生が判定される。
[0023] 例えば反射係数 Γの大きさが所定の第 2基準値を超え、かつ、反射係数の微分値 drZdtが所定の第 1基準値を超えたとき、上記高周波電源の内部、高周波電源の 高周波電力の出力端部からインピーダンス整合器の高周波電力の入力端部の間の 伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定された検出点カゝら負荷側の回 路における異常の発生が判定される。また、反射係数 Γの大きさが所定の第 2基準 値を超える回数が所定の第 2基準回数を超え、かつ、反射係数の微分値 dr Zdtが 所定の第 1基準値を超える回数が所定の第 1基準回数を超えたとき、上記伝送線路 上に設定された検出点力 負荷側の回路における異常の発生が判定される。
[0024] このように、反射係数の微分値 d Γ Zdtにカ卩ぇ反射係数 Γの大きさをカ卩味して、上 記伝送線路上の任意の検出点から負荷側の回路における異常の発生が判定される ので、上述した異常判定の精度が向上する。
[0025] 本発明の第 2の側面によって提供される高周波電力供給システムは、高周波電源 からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給シ ステムであって、上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を 検出する第 1の検出手段と、上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に 関する情報を検出する第 2の検出手段と、上記第 1の検出手段により検出された進 行波に関する情報と上記第 2の検出手段により検出された反射波に関する情報とに 基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検出点における反射係数の大きさの単位時 間当たりの変化量を演算する第 1の微分演算手段と、上記負荷に対する入力電圧を 検出する第 3の検出手段と、上記負荷に対する入力電流を検出する第 4の検出手段 と、上記第 3の検出手段により検出された出力電圧と上記第 4の検出手段により検出 された出力電流とに基づいて、当該第 3,第 4の検出手段の検出点から負荷側を見 たインピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量を演算する第 2の微分演算手 段と、上記第 1の微分演算手段により演算された反射係数の大きさの単位時間当たり の変化量と、上記第 2の微分演算手段により演算されたインピーダンスの大きさの単 位時間当たりの変化量とに基づいて、上記第 3,第 4の検出手段の検出点から負荷 側における異常の発生を判定する異常判定手段と、を備えたことを特徴としている( 請求項 8)。
[0026] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変 化量が予め設定された所定の第 1基準値を超え、かつ上記インピーダンスの大きさ の単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の第 3基準値を超えたとき、異常 発生と判定する (請求項 9)。
[0027] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変 化量が予め設定された所定の第 1基準値を超える回数を計数する第 1の計数手段と
、上記インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の 第 3基準値を超える回数を計数する第 3の計数手段とを備え、上記第 1の計数手段 によって計数された回数が所定の第 1基準回数を超え、かつ上記第 3の計数手段に よって計数された回数が所定の第 3基準回数を超えたとき、異常発生と判定する (請 求項 10)。
[0028] 上記構成によれば、高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波 電力が供給されているとき、上記高周波電源の内部、高周波電源の高周波電力の 出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部の間の伝送線路 上、又はインピーダンス整合器の内部の任意の検出点において、例えば電力値及び 電圧値等の高周波の進行波情報と反射波情報が検出され、これらの進行波情報と 反射波情報とに基づ 、て、反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtが算出される。
[0029] また、上記インピーダンス整合器の内部力も負荷との間の線路上において、上記負 荷に対する入力電圧と入力電流とが検出され、これらの入力電圧と入力電流に基づ いて、インピーダンス Zの大きさの単位時間当たりの変化量(以下、インピーダンス Z の微分値 dZZdtという。)が算出される。
[0030] そして、上記反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtと、上記インピーダンス Zの微分値 dZZ dtとに基づいて、負荷側の回路における異常の発生が判定される。例えば反射係数 Γの微分値 d rZdtが所定の第 1基準値を超え、かつ上記インピーダンス Zの微分 値 dZZdtが予め設定された所定の第 3基準値を超えたとき、負荷側の回路における 異常の発生が判定される。また、反射係数 Γの微分値 d rZdtが所定の第 1基準値 を超える回数が所定の第 1基準回数を超え、かつインピーダンス Zの微分値 dZZdt が所定の第 3基準値を超える回数を所定の第 3基準回数を超えたとき、負荷側の回 路における異常発生と判定される。
[0031] このように、反射係数 Γの微分値 d Γ Zdt及びインピーダンス Zの微分値 dZZdtに より異常検出を行うと、負荷 L側での異常を確実に検出することができる。すなわち、 反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtを求めることにより、高周波電源の出力端から負荷側 に至る回路において異常が生じたことを検出することができるが、反射係数 Γの微分 値 d r Zdtのみでは、負荷のみで生じる異常を特定したい場合、それを特定すること は困難である。高周波電源の出力端力も負荷側に至る回路には、伝送線路やインピ 一ダンス整合器が含まれているからである。一方、負荷の入力端においてインピーダ ンス Zを測定するのみでは、負荷では通常、被カ卩ェ物の加工中においてインピーダ ンスが多少なりとも変動するので、異常と判定するための基準値を定めることは難しく 負荷に生じる異常を検出することは困難である。そこで、本発明では、反射係数 Γの 微分値 d Γ Zdtにカ卩えてインピーダンス Zの微分値 dZZdtを求めることにより、特に 負荷における異常を特定してそれを確実に検出するようにして 、る。 [0032] なお、インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量に対する第 3基準値は、 正常値よりも小さい値に設定してもよいし、大きい値に設定してもよい。第 3基準値を 正常値よりも小さい値に設定した場合は、演算値が第 3基準値よりも大きい値力も第 3基準値よりも小さい値になったときが、第 3基準値を超えたときである。また、第 3基 準値を正常値よりも大きい値に設定した場合は、演算値が第 3基準値よりも小さい値 力も第 3基準値よりも大き 、値になったときが、第 3基準値を超えたときである。
[0033] 好ましくは、上記高周波電力供給システムにおいて、上記第 1の検出手段により検 出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段により検出された反射波に関す る情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検出点における反射係数の大きさ を演算する演算手段を更に備え、上記異常判定手段は、上記第 1の微分演算手段 により演算された反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量、上記演算手段によ り演算された反射係数の大きさ、及び上記第 2の微分演算手段により演算されたイン ピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量に基づいて、上記第 3,第 4の検出手 段の検出点力 負荷側における異常の発生を判定する(請求項 11)。
[0034] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変 化量が予め設定された所定の第 1基準値を超え、上記反射係数の大きさが予め設定 された所定の第 2基準値を超え、更に上記インピーダンスの大きさの単位時間当たり の変化量が予め設定された所定の第 3基準値を超えたとき、異常発生と判定する (請 求項 12)。
[0035] 好ましくは、上記高周波電力供給システムにおいて、上記異常判定手段は、上記 反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の第 1基準値を 超える回数を計数する第 1の計数手段と、上記反射係数の大きさが予め設定された 所定の第 2基準値を超える回数を計数する第 2の計数手段と、上記インピーダンスの 大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の第 3基準値を超える回数 を計数する第 3の計数手段と、を備え、上記第 1の計数手段によって計数された回数 が予め設定された第 1基準回数を超え、上記第 2の計数手段によって計数された回 数が予め設定された第 2基準回数を超え、更に上記第 3の計数手段によって計数さ れた回数が予め設定された第 3基準回数を超えたとき、異常発生と判定する (請求項 13)。
[0036] 上記構成によれば、高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波 電力が供給されているとき、進行波情報と反射波情報とが検出され、これらの進行波 情報と反射波情報とに基づ!、て、反射係数 Γの大きさとこの反射係数 Γの微分値 d rZdtとが算出される。また、上記負荷に対する入力電圧と入力電流とが検出され、 これらの入力電圧と入力電流とに基づ!/、て、インピーダンス Zの微分値 dZZdtが算 出される。そして、この反射係数 Γの大きさと反射係数 Γの微分値 drZdtとインピ 一ダンス Zの微分値 dZZdtとに基づいて、負荷側の回路における異常の発生が判 定される。
[0037] 例えば反射係数の微分値 d Γ Zdtが所定の第 1基準値を超え、反射係数 Γの大き さが所定の第 2基準値を超え、インピーダンス Zの微分値 dZZdtが所定の第 3基準 値を超えたとき、負荷側の回路における異常の発生が判定される。また、反射係数 Γ の微分値 drZdtが所定の第 1基準値を超える回数が所定の第 1基準回数を超え、 反射係数 Γの大きさが所定の第 2基準値を超える回数が所定の第 2基準回数を超え 、かつインピーダンス Zの微分値 dZZdtが所定の第 3基準値を超える回数が所定の 第 3基準回数を超えたとき、負荷側の回路における異常の発生が判定される。
[0038] このように、反射係数 Γの微分値 d Γ Zdt及びインピーダンス Zの微分値 dZZdtに 加え反射係数 Γの大きさを加味して、上記負荷側の回路における異常の発生が判 定されるので、上述した異常判定の精度が向上する。
[0039] 好ましくは、上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記 高周波電源の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力 の入力端部の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定され、上記 第 3,第 4の検出手段の検出点は、上記インピーダンス整合器の内部力 負荷との間 の線路上に設定される(請求項 14)。
[0040] 本発明の第 3の側面によって提供される高周波電力供給システムは、高周波電源 からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給シ ステムであって、上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を 検出する第 1の検出手段と、上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に 関する情報を検出する第 2の検出手段と、上記第 1の検出手段により検出された進 行波に関する情報と上記第 2の検出手段により検出された反射波に関する情報とに 基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検出点における反射係数の対数値を演算す る対数反射係数演算手段と、上記対数反射係数演算手段によって演算された反射 係数の対数値を所定の周期で順次記憶する対数反射係数記憶手段と、上記対数反 射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値と 1つ前の記憶値とに基づ!、て、上記 第 1,第 2の検出手段の検出点から負荷側における異常の発生を判定する異常判定 手段と、を備えたことを特徴としている (請求項 15)。
[0041] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新 の記憶値が予め設定された第 4基準値以上であり、かつ上記対数反射係数記憶手 段に記憶された 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下のときに異常発生 と判定する (請求項 16)。
[0042] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新 の記憶値が予め設定された第 4基準値以上であり、かつ上記対数反射係数記憶手 段に記憶された 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下のときの回数を計 数する第 4の計数手段を備え、この第 4の計数手段によって計数された回数が予め 設定された第 4基準回数を超えたとき、異常発生と判定する (請求項 17)。
[0043] 好ましくは、上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記 高周波電源の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力 の入力端部の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されている (請求項 18)。
[0044] 上記構成によれば、高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波 電力が供給されているとき、上記高周波電源の内部、高周波電源の高周波電力の 出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部の間の伝送線路 上、又はインピーダンス整合器の内部の任意の検出点において、例えば電力値ゃ電 圧値等の高周波の進行波に関する進行波情報と反射波情報が検出され、これらの 進行波情報と反射波情報とに基づ 、て、反射係数 Γの対数値 (log Γ )が算出される 。この反射係数 Γの対数値 log Γは、記憶部に所定の周期 A tで順次記憶される。 [0045] そして、反射係数 Γの対数値 log Γの最新の記憶値と 1つ前の記憶値とから単位時 間当たりの変化の仕方に基づいて異常発生を判定するようにしている。
[0046] なお、上述した他の構成例のように、反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtを用いな ヽのは 、反射係数 Γが小さ ヽ範囲と大き!/、範囲とでは、反射係数 Γの対数値 log Γの変化 量が異なるので、単純に基準値と比較して異常力否かを判定できないためである。そ のため、反射係数 Γの微分値 dr Zdtを用いることなぐかつ瞬時に異常検出が可 能とするために、反射係数の微分値を演算する場合と同様に、反射係数の最新の記 憶値と 1つ前の記憶値とを用いて、その単位時間当たりの変化の仕方に基づいて進 行波情報及び反射波情報の検出点から負荷側の回路における異常判定を行うよう にしている。
[0047] 例えば、記憶値が予め設定された第 4基準値以上で、かつ上記対数反射係数記憶 手段に記憶された 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下のとき、進行波 情報及び反射波情報の検出点から負荷側の回路における異常の発生が判定される 。また、最新の記憶値が予め設定された第 4基準値以上で、かつ上記対数反射係数 記憶手段に記憶された 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下のときの回 数が予め設定された第 4基準回数を超えたとき、進行波情報及び反射波情報の検出 点から負荷側の回路における異常の発生が判定される。
[0048] このように、上記構成では、対数を用いているので、高周波の入力を広い範囲で許 容することができる。また、反射係数 Γの対数値 log Γを求める際に、反射波情報の 対数力 進行波情報の対数を減算するという形で行うことができるので、除算回路を 用いる必要がなぐその回路構成を容易なものにすることができる。
[0049] 本発明の第 4の側面によって提供される高周波電力供給システムは、高周波電源 からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給シ ステムであって、上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を 検出する第 1の検出手段と、上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に 関する情報を検出する第 2の検出手段と、上記第 1の検出手段により検出された進 行波に関する情報と上記第 2の検出手段により検出された反射波に関する情報とに 基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検出点における反射係数の対数値を演算す る対数反射係数演算手段と、上記対数反射係数演算手段によって演算された反射 係数の対数値を所定の周期で順次記憶する対数反射係数記憶手段と、上記負荷に 対する入力電圧を検出する第 3の検出手段と、上記負荷に対する入力電流を検出 する第 4の検出手段と、上記第 3の検出手段により検出された入力電圧と上記第 4の 検出手段により検出された入力電流とに基づいて、当該第 3,第 4の検出手段の検 出点から負荷側を見たインピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量を演算す る第 2の微分演算手段と、上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値、 1つ前の記憶値及び上記第 2の微分演算手段によって演算されたインピーダンスの 大きさの単位時間当たりの変化量に基づいて、上記第 3,第 4の検出手段の検出点 力 負荷側における異常の発生を判定する異常判定手段と、を備えたことを特徴とし ている(請求項 19)。
[0050] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新 の記憶値が予め設定された第 4基準値以上であり、かつ上記対数反射係数記憶手 段に記憶された 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下であり、かつ上記 インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の第 3基 準値を超えたとき、異常発生と判定する (請求項 20)。
[0051] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新 の記憶値が予め設定された第 4基準値以上であり、かつ上記対数反射係数記憶手 段に記憶された 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下のときの回数を計 数する第 4の計数手段、及び上記インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化 量が予め設定された所定の第 3基準値を超える回数を計数する第 3の計数手段を備 え、上記第 4の計数手段によって計数された回数が予め設定された第 4基準回数を 超え、かつ上記第 3の計数手段によって計数された回数が所定の第 3基準回数を超 えたとき、異常発生と判定する (請求項 21)。
[0052] 好ましくは、上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記 高周波電源の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力 の入力端部の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されており 、上記第 3,第 4の検出手段の検出点は、上記インピーダンス整合器の内部力 負荷 との間の線路上に設定されている(請求項 22)。
[0053] 上記構成によれば、対数を用いるという効果にカ卩え、インピーダンス Zの微分値 dZ Zdtを用いることにより、特に負荷における異常を特定してそれを確実に検出するこ とがでさる。
[0054] 本発明の第 5の側面によって提供される高周波電力供給システムは、高周波電源 からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給シ ステムであって、上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を 検出する第 1の検出手段と、上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に 関する情報を検出する第 2の検出手段と、上記第 1の検出手段により検出された進 行波に関する情報と上記第 2の検出手段により検出された反射波に関する情報とに 基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検出点における反射係数の大きさを演算す る反射係数演算手段と、上記反射係数演算手段によって演算された反射係数の大 きさを所定の周期で順次記憶する反射係数記憶手段と、上記反射係数記憶手段に 記憶された最新の記憶値と 1つ前の記憶値とに基づいて、上記第 1,第 2の検出手段 の検出点力 負荷側における異常の発生を判定する異常判定手段と、を備えたこと を特徴として 、る(請求項 23)。
[0055] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記 憶値が予め設定された第 6基準値以上であり、かつ上記反射係数記憶手段に記憶さ れた 1つ前の記憶値が予め設定された第 7基準値以下のときに異常発生と判定する (請求項 24)。
[0056] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記 憶値が予め設定された第 6基準値以上であり、かつ上記反射係数記憶手段に記憶さ れた 1つ前の記憶値が予め設定された第 7基準値以下のときの回数を計数する第 5 の計数手段を備え、この第 5の計数手段によって計数された回数が予め設定された 第 5基準回数を超えたとき、異常発生と判定する (請求項 25)。
[0057] 好ましくは、上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記 高周波電源の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力 の入力端部の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されている (請求項 26)。
[0058] 上記構成によれば、高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波 電力が供給されているとき、上記高周波電源の内部、高周波電源の高周波電力の 出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部の間の伝送線路 上、又はインピーダンス整合器の内部の任意の検出点において、例えば電力値ゃ電 圧値等の高周波の進行波に関する進行波情報と反射波情報が検出され、これらの 進行波情報と反射波情報とに基づいて、反射係数 Γが算出される。この反射係数 Γ は、記憶部に所定の周期 Atで順次記憶される。
[0059] そして、反射係数 Γの最新の記憶値と 1つ前の記憶値とから単位時間当たりの変 化の仕方に基づ 、て異常発生を判定するようにして 、る。
[0060] 例えば、記憶値が予め設定された第 6基準値以上で、かつ上記対数反射係数記憶 手段に記憶された 1つ前の記憶値が予め設定された第 7基準値以下のとき、進行波 情報及び反射波情報の検出点から負荷側の回路における異常の発生が判定される 。また、最新の記憶値が予め設定された第 6基準値以上で、かつ上記対数反射係数 記憶手段に記憶された 1つ前の記憶値が予め設定された第 7基準値以下のときの回 数が予め設定された第 5基準回数を超えたとき、進行波情報及び反射波情報の検出 点から負荷側の回路における異常の発生が判定される。
[0061] このように、反射係数の微分値を演算する場合と同様に、反射係数の最新の記憶 値と 1つ前の記憶値とを用いて、その単位時間当たりの変化の仕方に基づいて進行 波情報及び反射波情報の検出点から負荷側の回路における異常の発生が判定され るので、図 24及び図 25に示したような、反射係数が瞬間的に増大したり、反射係数 が増大する状態が断続的に継続したりして異常が発生した場合にも可及的速やかに 異常と判定することができる。
[0062] また、最新の記憶値に対する基準値と 1つ前の記憶値に対する基準値とを設定し ているので、異常の定義をより簡単で明確なものにすることができる。
[0063] 本発明の第 6の側面によって提供される高周波電力供給システムは、高周波電源 からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給シ ステムであって、上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を 検出する第 1の検出手段と、上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に 関する情報を検出する第 2の検出手段と、上記第 1の検出手段により検出された進 行波に関する情報と上記第 2の検出手段により検出された反射波に関する情報とに 基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検出点における反射係数の大きさを演算す る反射係数演算手段と、上記反射係数演算手段によって演算された反射係数の大 きさを所定の周期で順次記憶する反射係数記憶手段と、上記負荷に対する入力電 圧を検出する第 3の検出手段と、上記負荷に対する入力電流を検出する第 4の検出 手段と、上記第 3の検出手段により検出された入力電圧と上記第 4の検出手段により 検出された入力電流とに基づいて、当該第 3,第 4の検出手段の検出点から負荷側 を見たインピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量を演算する第 2の微分演 算手段と、上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値、 1つ前の記憶値及 び上記第 2の微分演算手段によって演算されたインピーダンスの大きさの単位時間 当たりの変化量に基づいて、上記第 1,第 2の検出手段の検出点力 負荷側におけ る異常の発生を判定する異常判定手段と、を備えたことを特徴として 、る (請求項 27
) o
[0064] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記 憶値が予め設定された第 6基準値以上であり、かつ上記反射係数記憶手段に記憶さ れた 1つ前の記憶値が予め設定された第 7基準値以下であり、かつ上記インピーダン スの大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の第 3基準値を超えた とき、異常発生と判定する (請求項 28)。
[0065] 好ましくは、上記異常判定手段は、上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記 憶値が予め設定された第 6基準値以上であり、かつ上記反射係数記憶手段に記憶さ れた 1つ前の記憶値が予め設定された第 7基準値以下のときの回数を計数する第 5 の計数手段、及び上記インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量が予め設 定された所定の第 3基準値を超える回数を計数する第 3の計数手段を備え、上記第 5の計数手段によって計数された回数が予め設定された第 5基準回数を超え、かつ 上記第 3の計数手段によって計数された回数が所定の第 3基準回数を超えたとき、 異常発生と判定する (請求項 29)。 [0066] 好ましくは、上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記 高周波電源の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力 の入力端部の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されており 、上記第 3,第 4の検出手段の検出点は、上記インピーダンス整合器の内部力 負荷 との間の線路上に設定されている(請求項 30)。
[0067] 上記構成によれば、反射係数の最新の記憶値と 1つ前の記憶値とを用いて異常判 定を行うことの効果に加え、インピーダンス Zの微分値 dZZdtを用いることにより、特 に負荷における異常を特定してそれを確実に検出することができる。
[0068] 好ましくは、上記異常判定手段により異常発生と判定されたとき、上記高周波電源 力も出力される電力量を減少方向に変更する出力電力変更手段を更に備える (請求 項 31)。
[0069] 好ましくは、上記出力電力変更手段は、上記高周波電源から出力される電力量を ゼロにする(請求項 32)。
[0070] 好ましくは、上記出力電力変更手段により上記高周波電源の出力電力量が変更さ れると、第 1の所定時間の経過後に上記高周波電源の出力電力量を元の出力電力 量に復帰させる出力電力復帰手段を更に備える(請求項 33)。
[0071] 好ましくは、上記出力電力変更手段により上記高周波電源の出力電力量が変更さ れると、上記インピーダンス整合器の整合動作を停止させ、そのときの状態を保持す る整合動作停止手段を更に備える (請求項 34)。
[0072] 好ましくは、上記高周波電力供給システムにおいて、上記異常判定手段により異常 発生と判定され、上記出力電力変更手段により上記高周波電源の出力電力量が変 更されてから上記出力電力復帰手段により元の出力電力量に復帰後、第 2の所定時 間経過まで上記異常判定手段の判定動作を禁止する第 1判定禁止手段を更に備え る(請求項 35)。
[0073] 好ましくは、ユーザによる操作によって上記高周波電源の電力供給動作が開始さ れた後、又はユーザによる操作によって電力供給動作中に出力電力設定値が変更 された後、第 2の所定時間経過まで上記異常判定手段を禁止する第 2判定禁止手段 を更に備える (請求項 36)。 [0074] 好ましくは、上記第 2の所定時間は、上記インピーダンス整合器により上記高周波 電源と上記負荷とがインピーダンス整合されるまでの時間よりも長 、 (請求項 37)。
[0075] 好ましくは、上記第 1の検出手段により検出される情報には少なくとも進行波の電力 値又は電圧値が含まれ、上記第 2の検出手段により検出される情報には少なくとも反 射波の電力値又は電圧値が含まれる(請求項 38, 39)。
[0076] 本発明のその他の特徴および利点については、以下に行う発明の実施の形態の 説明から、より明らかになるであろう。
図面の簡単な説明
[0077] 図 1]本発明の実施例 1に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。
図 2]異常検出信号等の発生タイミングを説明するための図である。
図 3]反射係数の微分値と基準値との関係を示す図である。
図 4]本発明の実施例 2に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。 図 5]インピーダンスの微分値と基準値との関係を示す図である。
図 6]本発明の実施例 3に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。 図 7]本発明の実施例 4に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。 図 8]本発明の実施例 5に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。 図 9]本発明の実施例 6に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。 図 10]反射係数の微分値と基準値との関係を示す図である。
図 11]実施例 6の変形例を説明するための、反射係数と時間との関係を示す図であ る。
図 12]本発明の実施例 7に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。 図 13]インピーダンスの微分値と基準値との関係を示す図である。
図 14]インピーダンスと時間との関係を示す図である。
図 15]本発明の実施例 8に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。 図 16]本発明の実施例 9に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。 図 17]本発明の実施例 10に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。 図 18]本発明の実施例 10に係る異常判定部の構成を示す図である。
図 19]反射係数と時間との関係を示す図である。 [図 20]本発明の実施例 11に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。
[図 21]本発明の実施例 12に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。
[図 22]本発明の実施例 13に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。
[図 23]従来の高周波電力供給システムの構成を示す図である。
[図 24]従来の反射係数と時間との関係を示す図である。
[図 25]従来の反射係数と時間との他の関係を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0078] 以下、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明す る。
[0079] 図 1は、本発明の実施例 1に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。
このシステムは、半導体ウェハや液晶基板等の被加工物に対して高周波電力を供給 して、例えばプラズマエッチングといったカ卩ェ処理を行うものである。この高周波電力 供給システムは、高周波電源 1、インピーダンス整合器 2、異常検出装置 3、伝送線 路 4、負荷接続部 5及びプラズマ処理装置力 なる負荷 Lによって構成されて 、る。
[0080] 高周波電源 1には、例えば同軸ケーブル力 なる伝送線路 4を介してインピーダン ス整合器 2が接続されている。インピーダンス整合器 2には、例えば電磁波が漏れな Vヽように遮蔽された銅板カゝらなる負荷接続部 5を介して負荷 L (例えばプラズマ処理 装置)が接続されている。また、高周波電源 1には、異常検出装置 3が接続されてい る。なお、異常検出装置 3は、高周波電源 1に対して別途独立した態様で設けられて いるが、これに限らず、異常検出装置 3は、高周波電源 1の内部に設けられていても よい。また、異常検出装置 3は、インピーダンス整合器 2の内部に設けられていてもよ い。さらに、高周波電源 1は、インピーダンス整合器 2を含む構成としてもよい。
[0081] 高周波電源 1は、負荷 Lに対して例えば数百 kHz以上の周波数を有する高周波電 力を供給するための装置である。高周波電源 1は、高周波発生増幅部 11と、方向性 結合器 12と、電源制御部 13とを備えている。
[0082] 高周波発生増幅部 11は、負荷 Lに供給する高周波電力を発生するものである。高 周波発生増幅部 11は、図示しない整流回路、平滑回路、電力増幅回路及び発振回 路等を備える。高周波発生増幅部 11は、例えば入力電源からの入力電圧 (例えば A C200V)を整流 ·平滑して直流電圧を生成し、この直流電圧をスイッチングすること により所定の高周波電圧に変換して出力する。この高周波電圧は、方向性結合器 1 2及びインピーダンス整合器 2を介して負荷 Lに供給される。
[0083] 方向性結合器 12は、高周波発生増幅部 11から負荷 L側に進行する高周波 (以下 、進行波という。)と負荷 L側から反射してくる高周波 (以下、反射波という。)を分離し て検出するものである。方向性結合器 12は、 1個の入力ポートと 3個の出力ポートを 有し、入力ポートには高周波発生増幅部 11が接続され、第 1出力ポートには伝送線 路 4が接続されている。また、第 2出力ポートと第 3出力ポートは、それぞれ後述する 異常検出装置 3の第 1検波部 21と第 2検波部 22とに接続されている。
[0084] 入力ポートから入力される進行波は、第 1出力ポートから出力され、第 1出力ポート 力も入力される反射波は入力ポートから出力される。方向性結合器 12は、進行波を 適切なレベルまで減衰させて検出し、それを第 2出力ポートから出力する。また、方 向性結合器 12は、反射波を適切なレベルまで減衰させて検出し、それを第 3出力ポ ートから出力する。従って、異常検出装置 3の第 1検波部 21には、方向性結合器 12 の第 2出力ポートから出力される進行波 PFが入力される。異常検出装置 3の第 2検 波部 22には、方向性結合器 12の第 3出力ポートから出力される反射波 PRが入力さ れる。
[0085] なお、図 1では省略しているが、本実施例に係る高周波電力供給システムには、高 周波電源 1からの高周波電力の出力開始を指示する出力開始スィッチ、及び高周波 電源 1から出力される高周波電力の出力値を設定するための出力電力設定スィッチ が設けられた操作部が設けられて 、る。操作者により出力開始スィッチが操作される と、図 1に示すように、その操作信号である出力開始信号が高周波電源 1の電源制御 部 13と異常検出装置 3の異常判定部 25に入力される。操作者により出力電力設定 スィッチが操作されると、その操作信号である出力電力設定信号が高周波電源 1の 電源制御部 13と異常検出装置 3の異常判定部 25に入力されるようになっている。
[0086] 電源制御部 13は、上記出力開始信号が入力されているときに、方向性結合器 12 から出力される進行波 PFによって求められる進行波電力値と、上記出力電力設定信 号で設定された出力電力値とが等しくなるように、高周波発生増幅部 11に指令信号 を出力するものである。なお、電源制御部 13は、進行波電力値だけでなぐ方向性 結合器 12から出力される反射波 PRによって求められる反射波電力値を用いて、進 行波電力値から反射波電力値を減算した負荷 L側電力値 (進行波電力値 -反射波 電力値)と出力設定信号で設定させた出力電力値とが等しくなるように、高周波発生 増幅部 11に対して指令を出力してもよ!/、。
[0087] また、電源制御部 13は、異常検出装置 3から入力される異常検出信号に基づいて 、高周波発生増幅部 11の高周波生成動作を制御するものである。後述するように、 異常検出装置 3では、高周波電源 1の出力端 Aから見た負荷 L側の回路において、 例えば伝送線路 4内で発生した絶縁破壊、インピーダンス整合器 2内で発生した絶 縁不良、又は伝送線路 4とインピーダンス整合器 2の接続部で発生した接触不良等 の異常が発生すると、その異常発生を検出した異常検出信号が出力される。電源制 御部 13は、異常検出装置 3から異常検出信号が入力されると、高周波発生増幅部 1 1による高周波電力の発生を所定の期間 Tだけ停止させる。
[0088] インピーダンス整合器 2は、高周波電源 1と負荷 Lとのインピーダンスを整合させるも のである。より具体的には、例えば高周波電源 1の出力端 Aから電源側を見たインピ 一ダンス(出力インピーダンス)が 50 Ωに設計され、高周波電源 1が特性インピーダ ンス 50 Ωの伝送線路 4でインピーダンス整合器 2の入力端 Bに接続されて ヽるとする と、インピーダンス整合器 2は、当該インピーダンス整合器 2の入力端 Bカゝら負荷 L側 を見たインピーダンスを可及的に 50 Ωに自動調整する。なお、本実施例では特性ィ ンピーダンスを 50 Ωとしているが、言うまでもなく特'性インピーダンスは 50 Ωに限定さ れるものではない。
[0089] インピーダンス整合器 2は、入力検出部 15と、整合器制御部 16と、整合部 17とによ つて概略構成されている。
[0090] 入力検出部 15は、高周波電源 1から入力される高周波 (入射波)の高周波電圧 V、 高周波電流 I、及びそれらの位相差 Θを検出するものである。入力検出部 15で検出 された高周波電圧 V、高周波電流 I及び位相差 Θは、整合器制御部 16に入力される
[0091] 整合器制御部 16は、入力検出部 15から入力された高周波電圧 V、高周波電流 I及 び位相差 Θを用いて入力インピーダンス Zin (入力端 Β力も負荷 L側を見たインピー ダンス)を算出し、この入力インピーダンス Zinが 50 Ωになるように、整合部 17の可変 インピーダンス素子である可変キャパシタ VC1, VC2 (後述)を制御するものである。 より具体的には、整合器制御部 16は、 I V I / Iが所定の範囲内、例えば 50士 5 Ωになり、位相差 Θが略 0° となるように、整合部 17の可変キャパシタ VC1, VC2 を制御する。
[0092] 整合部 17は、インダクタ L1と可変インピーダンス素子である可変キャパシタ VC1, VC2とを、いわゆる π型に接続した回路で構成されている。可変キャパシタ VC1, V C2は、図略の電動モータ力 なる駆動部材により対向電極の一方が移動可能にな され、一方電極を移動させることにより、対向電極の面積が変化して各キャパシタンス が変化するようになっている。また、可変キャパシタ VC1, VC2の一方電極の駆動は 、整合器制御部 16からの制御信号に基づ 、て制御されるようになって 、る。
[0093] 従って、整合部 17は、整合器制御部 16からの制御信号に基づいて可変キャパシ タ VC1, VC2の各キャパシタンスを変化させ、これにより入力インピーダンス Zinの大 きさ(絶対値)が所定の範囲(例えば 50± 5 Ω )内に入るように、かつ位相差が略 0° となるように調整する。なお、図 1の実施例による整合部 17の回路構成は、 π型であ る力 これに代えて、 Τ型、 L型、逆 L型等が採用されてもよい。また、可変インピーダ ンス素子として可変キャパシタに代えて、可変インダクタが採用されてもよい。
[0094] 整合器制御部 16には、異常検出装置 3から動作禁止信号が入力されるようになつ ている。この動作禁止信号は、整合器制御部 16による上述した整合動作を禁止させ る信号であって、例えば整合動作を禁止させるとき、ハイレベルとなる矩形波信号で ある。異常検出装置 3は、異常を検出すると、高周波電源 1に異常検出信号を出力 すると同時に、所定の時間 Τ (図 2参照)だけハイレベルとなる動作禁止信号を整合 器制御部 16に出力する。これにより整合器制御部 16は、異常検出装置 3で異常が 検出されると、高周波電源 1が一時停止されている時間、インピーダンス整合器 2の 整合動作を停止させる。
[0095] このように、高周波電源 1の電力出力動作を一時停止させている期間にインピーダ ンス整合器 2の整合動作も停止させるのは、高周波電源 1から電力が出力されなけれ ば、入力検出部 15でインピーダンス整合を自動調整するための入力インピーダンス Zinが検出できないという問題が生じる力もである。また、インピーダンス整合器 2の整 合動作も停止させるのは、電力非出力中にインピーダンス整合器 2の整合動作をさ せると、整合部 17の可変キャパシタ VC1, VC2のキャパシタンス値が不定となる。そ のため、高周波電源 1の電力出力動作が再開されたとき、可変キャパシタ VC1, VC 2のキャパシタンス値が不整合の大きい値に変動されていると、迅速に整合状態に引 き込むことができな ヽと 、う問題が生じるからである。
[0096] 電力非出力中にインピーダンス整合器 2の整合動作を停止させて 、れば、可変キ ャパシタ VC1, VC2のキャパシタンス値が電力停止直前の調整値からより不整合の 大きい値に変動することがなぐ高周波電源 1の電力出力動作の再開後に迅速にィ ンピーダンス整合器 2を整合状態にすることができる。
[0097] 負荷 Lは、半導体ウェハ又は液晶基板等の被加工物をエッチング又は CVD等の 方法を用いてカ卩ェするためのプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置では、被 加工物の加工目的に応じて各種の加工プロセスが実行される。例えば、被加工物に 対してエッチングを行う場合には、そのエッチングに応じたガス種類、ガス圧力、高周 波電力の供給電力値、及び高周波電力の供給時間等が適切に設定された加工プロ セスが行われる。プラズマ処理装置では、被加工物が配置される容器(図略)内にプ ラズマ放電用ガスを導入し、そのプラズマ放電用ガスを放電させて非プラズマ状態か らプラズマ状態にしている。そして、プラズマ処理装置では、プラズマ状態になったガ スを用いて被力卩ェ物をカ卩ェして 、る。
[0098] 異常検出装置 3は、負荷 Lにおける異常、同軸ケーブルである伝送線路 4又は同軸 ケーブルの両端に設けられる同軸コネクタにおける絶縁不良、絶縁破壊、及び接触 不良等の異常が発生した場合に、それを検出するものである。異常検出装置 3は、 第 1検波部 21と、第 2検波部 22と、反射係数演算部 23と、反射係数 Γの大きさの単 位時間当たりの変化量を演算する微分演算部 24と、微分演算部 24の出力に基づい て異常であるか否かを判定する異常判定部 25とによって構成されている。
[0099] 第 1検波部 21は、進行波 PFの振幅 Vfを検波するものである。第 2検波部 22は、反 射波 PRの振幅 Vrを検波するものである。第 1検波部 21及び第 2検波部 22は、例え ば図略のダイオードと RCローノ スフィルタと力 なる周知のダイオード検波回路によ つて構成されている。第 1検波部 21及び第 2検波部 22の検出値 Vf, Vrは、反射係 数演算部 23に入力される。なお、第 1,第 2検波部 21, 22は整流回路で構成する等 、他の構成にしてもよい。
[0100] 反射係数演算部 23は、第 1検波部 21から入力される進行波 PFの振幅 Vfと第 2検 波部 22から入力される反射波 PRの振幅 Vrとから反射係数 Γ = VrZVfを算出する ものである。反射係数演算部 23は、進行波 PFの振幅 Vf及び反射波 PRの振幅 Vrを AZDコンバータ(図略)によりデジタルの振幅値 Df, Drに変換した後、 DrZDfを演 算することにより反射係数 Γの値を算出する。反射係数 Γの演算処理は、所定の周 期 Atで行われる。また、反射係数 Γのデータは、微分演算部 24に入力される。
[0101] なお、反射係数演算部 23は、アナログ信号で VrZVfの信号を生成し、この信号を AZDコンバータによりデジタルデータに変換するようにしてもよい。第 1検波部 21及 び第 2検波部 22は、電力検出回路で構成され、この電力検出回路によって進行波 P Fの電力 Wfと反射波 PRの電力 Wrとを検出するようにしてもよい。この場合、反射係 数演算部 23では (WrZWf) 1/2を演算することにより反射係数 Γが算出される。
[0102] 微分演算部 24は、反射係数演算部 23によって求められた反射係数 Γの大きさの 単位時間当たりの変化量を求めるものである。換言すれば、微分演算部 24は、反射 係数 Γの大きさの微分量 (d Γ Zdt)を求めるものである。以下、反射係数 Γの大きさ の単位時間当たりの変化量を反射係数の微分値 d Γ Zdtと 、う。
[0103] 微分演算部 24では、反射係数演算部 23から所定の周期 dtで反射係数 Γが入力 される毎に、前回入力された反射係数 Γ 1と今回入力された反射係数 Γ 2との差 d Γ = Γ 2— Γ 1が算出されるとともに、 d rZdtが演算される。なお、反射係数演算部 23 力 アナログ信号により反射係数 Γが入力される場合、微分演算部 24は、この反射 係数 Γの信号を AZDコンバータによりデジタルデータに変換した後、 drZdtを演 算することになる。微分演算部 24の演算結果 (d r Zdt)は、異常判定部 25に入力さ れる。
[0104] 異常判定部 25は、微分演算部 24から入力される反射係数の微分値 d Γ Zdtに基 づいて、異常が発生している力否かを判定する。異常判定部 25は、異常発生と判定 した場合、異常を示す異常検出信号を第 1所定時間 T (図 2参照)だけ高周波電源 1 の電源制御部 13に対して出力するとともに、整合器制御部 16に対して動作禁止信 号を出力する。
[0105] すなわち、異常判定部 25は、反射係数の微分値 d Γ Zdtを予め設定された所定の 基準値と比較し、微分値 d r Zdtが基準値を超えている場合、高周波電源 1の出力 端 A力も負荷 L側に至る回路において何らかの異常が発生していると判定し、第 1所 定時間 Tだけ、例えばハイレベルに反転する異常検出信号を出力する。例えば反射 係数の微分値 d r Zdtが図 3に示すように変化した場合、異常判定部 25は、反射係 数の微分値 d Γ Zdtが基準値を超えたタイミング tlでノ、ィレベルに反転する異常検 出信号を所定の時間 Tだけ出力する。なお、図 3において、タイミング t2は反射係数 Γが極値となるタイミングである。異常判定部 25は、反射係数の微分値 d r Zdtによ り異常検出を行っているので、反射係数 Γにより異常検出を行うよりも速ぐ瞬時に異 常検出が可能になっている。
[0106] そして、電源制御部 13は、この異常を示す異常検出信号によって、高周波発生増 幅部 11による高周波電力の発生を所定の時間 Tだけ停止させる。また、整合器制御 部 16は、動作禁止信号によってその整合動作を禁止させる。
[0107] また、異常判定部 25は、異常が発生していると判定し、第 1所定時間 Tだけ経過し た後、異常検出信号の出力レベルを反転させる(図 2の a参照)。これにより、電源制 御部 13は、高周波電源 1からの高周波電力の出力の停止を解除し、再び、高周波 電力を出力させる。また、異常判定部 25は、整合器制御部 16に対して出力する動 作禁止信号の出力レベルを反転させる(図 2の b参照)。これにより、整合器制御部 1 6は、その整合動作を再開させる。
[0108] さらに、異常判定部 25は、その異常判定動作を、上記第 1所定時間 Tが経過した 後、さらに予め設定される第 2所定時間 T' が経過するまで禁止する。すなわち、異 常判定動作は、異常が発生していると判定されたとき力 T+T' の時間だけ禁止さ れる。なお、この第 2所定時間 T' は、高周波電源 1が高周波出力動作を開始した後 、実質的にインピーダンス整合器 2によってインピーダンス整合されるまでの想定時 間よりも長く設定された時間であり、経験的に又は実験的に求められた値である。ま た、異常が発生していると判定されていなくても、最初に高周波電力の出力動作を開 始したとき、又は高周波電力の出力電力設定値が変更されたときは、第 2所定時間 T ' が経過するまで異常判定動作が禁止される。
[0109] なお、最初に高周波電力の出力動作を開始したときは、出力開始信号を監視する ことにより判定することができる。また、高周波電力の出力電力設定値が変更された か否かは、出力電力設定信号を監視することにより判定することができる。
[0110] 高周波電源 1が高周波電力の出力を開始した直後、又は電力供給動作中に出力 電力設定値が変更された直後は、高周波電源 1の出力端 Aカゝら負荷 L側に至る回路 が異常でないにもかかわらず、不整合状態となり、反射係数 Γが増加して異常と誤 検出されることがある。そのため、上記第 2所定時間 の期間は、異常判定動作を 禁止するようにしている。
[0111] 一方、インピーダンス整合器 2が整合状態を維持しているときに異常が発生した場 合は、上述したように異常検出装置 3において、反射係数の微分値 d r Zdtにより、 その異常を瞬時に検出し、高周波電源 1の高周波出力動作とインピーダンス整合器 2の整合動作を停止させる。異常検出装置 3は、実質的に高周波電源 1が高周波出 力動作を開始し (一時停止後に再度開始された場合を含む。)、インピーダンス整合 器 2による整合状態が維持されるようになった後に異常判定動作を行う。
[0112] 異常判定部 25は、例えば図示しない報知装置に接続されており、異常検出信号は この報知装置と高周波電源 1の電源制御部 13に入力される。また、異常検出信号と 同時に、インピーダンス整合器 2には、例えばハイレベルに反転する動作禁止信号 が入力される。報知装置は異常検出信号が入力されると、表示又は音声により異常 が発生していることを報知する。また、上述したように、高周波電源 1は、異常検出信 号が入力されると、所定の時間 Tだけ高周波電力の出力動作を停止し、インピーダン ス整合器 2は、動作禁止信号が入力されると、所定の時間 Tだけ整合動作を停止す る。
[0113] 次に、実施例 1に係る高周波電力供給システムにおける異常検出処理について説 明する。
[0114] プラズマ処理装置 (負荷 L)でプラズマ加工を行うべく高周波電源 1の電源がオン〖こ されると、高周波電源 1から所定の高周波電力が生成され、伝送線路 4、インピーダ ンス整合器 2及び負荷接続部 5を介して負荷 Lに供給される。
[0115] インピーダンス整合器 2に高周波電源 1から高周波電力が入力されると、インピーダ ンス整合器 2では、この入力電力に基づ!/ヽてインピーダンス整合器 2の入力インピー ダンス Zin (入力端 Bのインピーダンス)の大きさ I V I / Iと位相差 0が検出され る。インピーダンス整合器 2では、この検出情報に基づいて入力インピーダンス Zinが 特性インピーダンス 50 Ωになるように、整合部 17の可変キャパシタ VC1, VC2が自 動調整される。
[0116] 高周波電源 1を起動した直後、すなわち、インピーダンス整合器 2に高周波電源 1 力も高周波電力が入力された直後は、インピーダンス整合器 2の入力インピーダンス Zinは通常、特性インピーダンス(50 Ω )からずれ、不整合状態となっている。インピ 一ダンス整合器 2がインピーダンスの自動調整動作を開始すると、例えば 3秒程度の 所定の時間が経過後には入力インピーダンス Zinは、予め設定された整合範囲(例 えば 50± 5 Ω )に調整される。そして、その後は、インピーダンス整合器 2は負荷しの インピーダンス Z1の変動に応じて可変キャパシタ VC1, VC2を変化させ、入力インピ 一ダンス Zinが常に所定の整合範囲内に入るように自動調整する。
[0117] 高周波電源 1が高周波電力の供給を開始すると、方向性結合器 6は、高周波の進 行波 PFと反射波 PRとを分離して検出し、検出信号を異常検出装置 3に入力する。 異常検出装置 3は、進行波 PFと反射波 PRから反射係数の微分値 d rZdtを算出し 、この反射係数の微分値 drZdtの変化に基づいて高周波電源 1の出力端 Aから負 荷 L側の回路で異常が発生している否かを判定する。すなわち、異常検出装置 3は、 高周波電源 1が電力供給を開始すると、反射係数の微分値 drZdtの変化に基づい て高周波電源 1の出力端 Aから負荷 L側の回路で異常発生の有無の監視を開始す る。
[0118] なお、異常検出装置 3は、異常が発生していると判定されたときから T+T' の時間
(図 2参照)だけ異常判定動作が禁止される。そのため、実質的に異常検出装置 3に よる異常発生の有無の監視は、インピーダンス整合器 2によるインピーダンス整合の 調整が終了し、その整合状態の維持に移行したとき力 開始される。 [0119] 従って、この高周波電力供給システムでは、プラズマ処理装置 Lがプラズマ処理を 終了するまで、すなわち、高周波電源 1からの電力供給が停止されるまで、異常検出 装置 3により高周波電源 1の出力端 Aから負荷 L側での異常発生の有無が監視され ながら、インピーダンス整合器 2により高周波電源 1とプラズマ処理装置 Lとのインピ 一ダンス整合が自動的に調整され、高周波電源 1からの高周波電力は可及的に効 率良くプラズマ処理装置 Lに供給される。
[0120] ここで、高周波電源 1から負荷 Lに高周波電力が供給されているときに、高周波電 源 1の出力端 Aから負荷 L側の回路、例えば伝送線路 4の線路上、伝送線路 4と高周 波電源 1又はインピーダンス整合器 2との接続コネクタ、インピーダンス整合器 2の内 部等で絶縁破壊、絶縁不良、又は接触不良等の異常が発生すると、その異常発生 点のインピーダンスが変化し、反射波が増大することになる。
[0121] インピーダンス整合器 2の出力端力 負荷 L側で異常が発生した場合は、負荷 L側 のインピーダンスの変動に応じてインピーダンス整合器 2が自動的にインピーダンス 整合を取るように動作する。そのため、高周波電力供給システムは、可及的に負荷 L 側に高周波電力を供給し、高周波電源側への反射波の増大を抑制するように動作 する。この状態が継続すると、負荷 L側の異常発生箇所に高周波電力が供給されて その損傷状態が更に拡大することになる。また、その損傷が拡大し、インピーダンス 整合器 2ではインピーダンス整合が取れなくなると、非常に大きな反射波が高周波電 源 1に戻ってきて当該高周波電源 1も損傷する事態になる。
[0122] 同様の現象は、高周波電源 1とインピーダンス整合器 2との間で異常が発生した場 合にも生じる。しかし、この場合は、インピーダンス整合器 2によるインピーダンス整合 動作は作用しな 、ので、例えば伝送線路 4で絶縁不良又は絶縁破壊が発生した場 合は、その損傷箇所でインピーダンス不整合となり、非常に大きな反射波が高周波 電源 1に戻り、当該高周波電源 1を損傷させることになる。
[0123] しかし、本実施例に係る高周波電力供給システムでは、異常検出装置 3で高周波 電源 1から入力された入射波 PF及び反射波 PRから算出した反射係数の微分値 d r Zdtを用いて異常の発生を監視している。そのため、高周波電源 1の出力端 Aから 負荷 L側の回路で異常が発生すると、異常検出装置 3に入力される反射波 PRが増 大し、反射係数の微分値 drZdtが所定の基準値を超えるので、直ちに異常の発生 が検出される。
[0124] 図 2に示したように、異常判定部 25で異常発生と判定されると、異常判定部 25から 高周波電源 1の電源制御部 13と報知装置(図略)に異常検出信号 (ハイレベルの信 号)が入力される。電源制御部 13は、異常検出信号が入力されると、高周波発生増 幅部 11を制御して、高周波波電力の発生を停止する (高周波電力の出力波形参照 )。また、報知装置は、異常検出信号が入力されると、高周波電力供給システムに異 常が発生した旨の報知を行う。
[0125] このように、異常発生が検出されると、異常検出信号により高周波電源 1の電力出 力動作が直ちに停止されるので、上述の異常発生箇所の損傷の拡大が防止されると ともに、当該高周波電源 1の反射波による損傷も未然に防止される。特に、反射係数 の微分値 drZdtにより異常検出しているので、実際に異常が発生して反射係数 Γ の大きさが異常値に変化する前に早期に異常が検出され、高周波電源 1の電力出 力停止等の安全措置が有効に作用する。
[0126] その後、電源制御部 13は、高周波発生増幅部 11による高周波電力の発生を停止 させた後、所定時間 Tの経過後に元の出力量で高周波電力を出力させる。これは、 異常検出によって検出される異常力 例えばプラズマ処理装置 Lで生じるアーク放電 のように瞬時的に大きな負荷変動である場合や損傷が生じて 、たとしても自然回復 可能な場合があり、このような場合にも常に手動で電力供給を回復させるのでは作業 効率を徒に低下させるため、高周波電力供給システムを自動的に復帰させることによ り作業効率の低下を低減するようにしたものである。なお、所定の時間 Tは、経験的 に又は実験的に求められた値である。
[0127] 本実施例では、作業効率の観点力 異常検出時に所定の時間 Tだけ高周波電源
1の電力出動作を停止させるようにして 、るが、より安全性を考慮して高周波電源 1の 電力出力動作を完全に停止させるようにしてもょ 、。
[0128] 異常判定部 25において異常発生と判定されると、図 2に示したように、異常判定部
25からインピーダンス整合器 2の整合器制御部 16に動作禁止信号 (ハイレベルの信 号)が入力される。整合器制御部 16は、動作禁止信号が入力されると、整合部 17の 可変インピーダンス素子である可変キャパシタ VC1, VC2の駆動制御を所定の時間 Tだけ停止し、可変キャパシタ VC1, VC2のキャパシタンス値を異常発生時の状態 に保持する。
[0129] これにより、所定の時間 Tの経過後に高周波電源 1の電力出力動作が復帰したとき 、インピーダンス整合器 2は、高周波電源 1の電力出力動作が停止したときの可変キ ャパシタ VC1, VC2のキャパシタンス値力 インピーダンス整合動作を開始すること になるので、不整合状態が大きくずれていることがなぐ迅速にインピーダンス整合動 作を行うことができる。
[0130] 異常検出装置 3の異常判定動作は、高周波電源 1の電力供給が復帰されてもイン ピーダンス整合器 2が不整合状態であるため、整合状態に引き込むまでの時間 T'が 経過するまで、禁止状態を示すローレベル (動作オフ)が保持される。
[0131] 従って、異常判定部 25の判定動作の禁止状態は、高周波電源 1の電力供給が停 止されて力 所定の時間 Tとインピーダンス整合器 2が整合状態に至るまでの時間 T 'が経過するまで継続される。これにより、高周波電源 1の電力供給が復帰した直後 のインピーダンス不整合状態における異常検出装置 3の誤動作を防止することがで きる。
[0132] 図 4は、本発明の実施例 2に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。
実施例 1では、高周波電源 1の出力端 Aにおける高周波出力の反射係数 Γの微分 値 d Γ Zdtに基づいて、高周波電源 1の出力端 Aから負荷 L側での異常を検出する ようにした力 実施例 2では、高周波電源 1の出力端 Aにおける高周波出力の反射係 数 Γの微分値 d Γ Zdtと、負荷 Lの入力端におけるインピーダンスの微分値とに基づ いて、負荷 Lにおける異常を特定して検出するものである。
[0133] 実施例 1と異なる点について説明すると、インピーダンス整合器 2には、整合部 17 の後段に、電圧検出部 18及び電流検出部 19が設けられている。
[0134] 電圧検出部 18は、整合部 17の出力端 Cにおける高周波の電圧値 Vを検出するも し
のである。換言すれば、整合部 17の出力端 Cは、負荷接続部 5を介して負荷 Lに接 続されているため、電圧検出部 18は、負荷 L側の入力端における高周波の電圧値 V を検出する。 [0135] 電流検出部 19は、整合部 17の出力端 Cにおける高周波の電流値 Iを検出するも し
のである。換言すれば、整合部 17の出力端 Cは、負荷接続部 5を介して負荷 Lに接 続されているため、電流検出部 19は、負荷 L側の入力端における高周波の電流値 I し を検出する。
[0136] 電圧検出部 18によって検出された電圧値 V及び電流検出部 19によって検出され し
た電流値 Iは、異常検出部 3のインピーダンス演算部 26 (後述)に与えられる。
[0137] 異常検出装置 3には、インピーダンス演算部 26と、インピーダンスの大きさの単位 時間当たりの変化量を演算する第 2微分演算部 27とが設けられている。なお、実施 例 1で説明した微分演算部 24は、この実施例 2では、便宜上「第 1微分演算部 24」と して説明する。
[0138] インピーダンス演算部 26は、電圧検出部 18から入力される負荷 Lの入力端におけ る電圧値 Vと電流検出部 19から入力される負荷 Lの入力端における電流値 Iとから し し インピーダンス Z=V
し /\を算出するものである。インピーダンス演算部 26は、電圧 し
検出部 18から入力される電圧値 V及び電流検出部 19から入力される電流値 Iを A
L L
ZDコンバータによりデジタルの振幅値 Dv, Diに変換した後、 DvZDiを演算するこ とによりインピーダンス Zの値を算出する。インピーダンス Zの演算処理は、所定の周 期 Atで行われる。また、インピーダンス Zのデータは第 2微分演算部 27に入力される 。なお、インピーダンス演算部 26では、アナログ信号で V の し /\の信号を生成し、こ し
信号を AZDコンバータによりデジタルデータに変換するようにしてもよ!ヽ。
[0139] 第 2微分演算部 27は、インピーダンス演算部 26によって求められたインピーダンス Zの大きさの単位時間当たりの変化量を求めるものである。換言すれば、第 2微分演 算部 27は、インピーダンス Zの大きさの微分値 (dZZdt)を求めるものである。以下、 インピーダンス Zの大きさの単位時間当たりの変化量をインピーダンスの微分値 dZZ dtという。
[0140] 第 2微分演算部 27では、インピーダンス演算部 26から所定の周期 dtでインピーダ ンス Zが入力される毎に、前回入力されたインピーダンス Z 1と今回入力されたインピ 一ダンス Z2との差 dZ=Z2— Z1が算出されるとともに、 dZZdtが演算される。なお、ィ ンピーダンス演算部 26からアナログ信号によりインピーダンス Zが入力される場合、 第 2微分演算部 27は、このインピーダンス Zの信号を AZDコンバータによりデジタル データに変換した後、 dZZdtが演算されることになる。第 2微分演算部 27の演算結 果 (dZZdt)は、異常判定部 25に入力される。
[0141] 異常判定部 25では、第 1微分演算部 24から入力される反射係数の微分値 d Γ /ά t及び第 2微分演算部 27から入力されるインピーダンスの微分値 dZZdtに基づいて 、異常が発生しているか否かを判定し、異常発生と判定した場合は、異常を示す異 常検出信号を第 1所定時間 T (図 2参照)だけ高周波電源 1の電源制御部 13に対し て出力するとともに、整合器制御部 16に対して動作禁止信号を出力する。
[0142] すなわち、異常判定部 25は、反射係数の微分値 d Γ Zdtを予め設定された所定の 基準値と比較するとともに、インピーダンスの微分値 dZZdtを予め設定された所定の 基準値と比較する。異常判定部 25は、微分値 d r Zdtが基準値を超え、かつ微分値 dZZdtが基準値を超えて 、る場合、負荷 L側にお 、て何らかの異常が発生して 、る と判定し、第 1所定時間 T (図 2参照)だけ、例えばハイレベルに反転する異常検出信 号を出力する。
[0143] 例えば、反射係数 Γの微分値 d r Zdtが図 3に示すように変化した場合、反射係 数 Γの微分値 d Γ Zdtが基準値を超え (タイミング tl参照)、かつインピーダンスの微 分値 dZZdtが図 5に示すように変化した場合、インピーダンス Zの微分値 dZZdtが 基準値を超え (タイミング 参照)たとき、異常判定部 25はハイレベルを出力する。 なお、図 3において、タイミング t2は反射係数 Γが極値となるタイミングであり、図 5に おいて、タイミング t2' はインピーダンス Zが極値となるタイミングである。
[0144] このように、反射係数 Γの微分値 d Γ Zdt及びインピーダンス Zの微分値 dZZdtに より異常検出を行うと、負荷 L側での異常を確実に検出することができる。すなわち、 反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtを求めることにより、高周波電源 1の出力端 Aから負荷 L側に至る回路において異常が生じたことを検出することができるが、反射係数 Γの 微分値 d r Zdtのみでは、負荷 Lのみで生じる異常を特定したい場合、それを特定 することは困難である。すなわち、高周波電源 1の出力端 Aから負荷 L側に至る回路 には、伝送線路 4やインピーダンス整合器 2が含まれているからである。一方、負荷 L の入力端においてインピーダンス Zを測定するのみでは、負荷 Lでは通常、加工中に お 、てインピーダンスが多少なりとも変動するので、異常と判定するための基準値を 定めることは難しく負荷 Lに生じる異常を検出することは困難である。
[0145] そこで、本実施例 2では、反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtに加えてインピーダンス Z の微分値 dZZdtを求めることにより、特に負荷 Lにおける異常を特定してそれを確実 に検出するようにしている。
[0146] 異常判定部 25は、反射係数 Γの微分値 d Γ Zdt及びインピーダンスの微分値 dZ
Zdtにより異常検出を行っているので、単に反射係数 Γの大きさにより異常検出を行 う、又はインピーダンス Zの大きさにより異常検出を行うよりも速ぐ瞬時に異常検出が 可能になっている。
[0147] より具体的に動作を説明すれば、高周波電源 1が高周波電力の供給を開始すると 、高周波電源 1は、高周波の進行波 PFと反射波 PRとを分離して検出し、検出信号を 異常検出装置 3に入力する。一方、インピーダンス整合器 2は、負荷 Lの入力端にお ける電圧値及び電流値を異常検出装置 3に入力する。異常検出装置 3は、進行波 P Fと反射波 PRから反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtを算出するとともに、インピーダンス 整合器 2からの電圧値及び電流値からインピーダンスの微分値 dZ/dtを算出し、こ の反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtの変化及びインピーダンスの微分値 dZZdtの変化 に基づいて負荷 L側の回路で異常が発生している否かを判定する。すなわち、異常 検出装置 3は、高周波電源 1が電力供給を開始すると、反射係数 Γの微分値 drZd tの変化及びインピーダンスの微分値 dZZdtの変化に基づいて負荷 L側で異常発 生の有無の監視を開始する。
[0148] この場合、異常検出装置 3では、高周波電源 1から入力された入射波 PF及び反射 波 PRカゝら算出した反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtを用いて異常の発生を監視して ヽ るため、負荷 Lにおける異常を含む、高周波電源 1の出力端 A力も負荷 Lに至る回路 、例えば伝送線路 4の線路上、伝送線路 4と高周波電源 1又はインピーダンス整合器 2との接続コネクタ、又はインピーダンス整合器 2の内部等で絶縁破壊、絶縁不良、 若しくは接触不良等の異常、又は負荷 Lの異常が発生したことを予想することができ る。
[0149] しかし、本実施例 2の構成では、更に異常検出装置 3で負荷 Lの入力端における電 圧値 V及び電流値 I力も算出したインピーダンス Zの dZZdtを用いて異常の発生を し し
監視しているので、高周波電源 1の出力端 Aから負荷 L側の回路での異常を検出す ることができるだけでなぐ負荷 Lにおける異常を特定し、それを確実に検出すること ができる。
[0150] また、本実施例 2においては、高周波電源 1の出力端 Aと電圧や電流の検出点との 間における異常も特定することができる。例えば、反射係数 Γの微分値 d rZdtが所 定の基準値を超える力 インピーダンス Zの微分値 dZZdtが所定の基準値を超えて いない場合、高周波電源 1の出力端 Aと電圧や電流の検出点との間における異常、 例えば伝送線路 4の線路上、伝送線路 4と高周波電源 1又はインピーダンス整合器 2 との接続コネクタ、又はインピーダンス整合器 2の内部等で絶縁破壊、絶縁不良、又 は接触不良等の異常と特定することができる。
[0151] なお、この異常を示す異常検出信号によって、電源制御部 13が高周波発生増幅 部 11による高周波電力の発生を第 1所定時間 Tだけ停止させる制御、整合器制御 部 16が動作禁止信号によってその整合動作を禁止させる制御等は、実施例 1と同様 であるため、ここでは省略する。
[0152] 図 6は、本発明の実施例 3に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。
実施例 1では反射係数 Γの検出点を高周波電源 1内の出力端近傍に設けていたが 、実施例 3は、反射係数 Γの検出点を伝送線路 4上に設けたものである。具体的に は、図 6に示す構成は、高周波電源 1の方向性結合器 12を除去し、伝送線路 4上に 方向性結合器 6を設けたものである。高周波電源 1と方向性結合器 6との間、及び方 向性結合器 6とインピーダンス整合器 2との間は、同軸ケーブル力もなる伝送線路 4 によってそれぞれ接続されている。また、方向性結合器 6の第 2出力ポートと第 3出力 ポートは、それぞれ異常検出装置 3の第 1検波部 21と第 2検波部 22とに接続されて いる。
[0153] 実施例 3に係る高周波電力供給システムにおける異常判定動作は、上述した実施 例 1に係る高周波電力供給システムにおける異常判定動作と同一である。従って、こ こでは、詳細説明は省略する。実施例 3に係る高周波電力供給システムでは、異常 検出点が伝送線路 4上 (具体的には方向性結合器 6の位置)になるので、方向性結 合器 6から負荷 L側の回路での異常、具体的には方向性結合器 6とインピーダンス整 合器 2を結合する伝送線路 4、接続コネクタでの絶縁破壊若しくは接触不良、インピ 一ダンス整合器 2内での絶縁不良、又は負荷 Lでの異常等が検出され、上述した実 施例 1と同様の作用効果を奏する。
[0154] なお、反射係数 Γの検出点を伝送線路 4上に設けた実施例 3の構成を、負荷 の 入力端におけるインピーダンスの微分値を検出する図 4に示した実施例 2の構成に 適用するようにしてもよ ヽ。
[0155] 図 7は、本発明の実施例 4に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。
実施例 1では、反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtを用いて異常発生を判定して 、たが、 実施例 4は反射係数 Γと反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtの両方を用いて異常発生を 判定するようにしたものである。具体的には、図 7は、図 1において、反射係数演算部 23と異常判定部 25との間に第 1比較部 28を設け、微分演算部 24と異常判定部 25 との間に第 2比較部 29を設けたものである。
[0156] 第 1比較部 28には、反射係数演算部 23で演算された反射係数 Γが入力される。
第 2比較部 29には、微分演算部 24で演算された反射係数 Γの微分値 d rZdtが入 力される。
[0157] 第 2比較部 29は、微分演算部 24から入力される反射係数 Γの微分値 d Γ/dtを 予め定められた第 1基準値と比較し、反射係数 Γの微分値 d rZdtが当該第 1基準 値を超えたとき、その旨の信号 (例えばローレべルカ ハイレベルに反転する信号) を出力するものである。この信号は、異常判定部 25に入力される。
[0158] また、第 1比較部 28は、反射係数演算部 23から入力される反射係数 Γの大きさを 予め定められた第 2基準値と比較し、反射係数 Γの大きさが当該第 2基準値を超え たとき、その旨の信号 (例えばローレベルからハイレベルに反転する信号)を出力す るものである。この信号も、異常判定部 25に入力される。
[0159] 異常判定部 25は、図略の AND回路を有し、この AND回路で第 1比較部 28及び 第 2比較部 29から入力される信号の論理積が演算され、その演算結果の信号が異 常検出信号として出力される。すなわち、第 1比較部 28及び第 2比較部 29から入力 される信号が 、ずれもハイレベルのとき、異常判定部 25からハイレベルの信号が出 力され、第 1比較部 28及び第 2比較部 29から入力される信号のいずれかがローレべ ルのとき、異常判定部 25からローレベルの信号が出力される。なお、異常判定部 25 における信号のローレベル、ハイレベルの関係は逆になつていてもよい。
[0160] 実施例 4に係る高周波電力供給システムでは、異常判定部 25において、反射係数
Γの微分値 d Γ Zdtと反射係数 Γとがそれぞれ対応する第 1基準値と第 2基準値と 比較され、両パラメータが基準値を超えると、異常発生と判定される。その他の動作 については実施例 1と同一であるので、説明を省略する。
[0161] このように、実施例 4では反射係数の微分値 d Γ Zdtだけでなく、反射係数 Γも加 味して異常発生を判定する。例えば、反射係数の微分値 dr Zdtが大きぐかつ反 射係数 Γが大き ヽ場合に異常と判定する。
[0162] なお、異常判定部 25における異常判定では、第 1比較部 28の比較結果及び第 2 比較部 29の比較結果の AND条件で、すなわち、反射係数 Γの微分値 dr Zdtが 第 1基準値を超え、かつ、反射係数 Γが第 2基準値を超えたとき、異常発生と判定し ていたが、これに代えて、第 1比較部 28の比較結果及び第 2比較部 29の比較結果 の OR条件で、すなわち、反射係数 Γの微分値 drZdtが第 1基準値を超えたとき、 又は反射係数 Γが第 2基準値を超えたとき、異常発生と判定するようにしてもよ!、。
[0163] 図 8は、本発明の実施例 5に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。
実施例 4では、反射係数 Γの大きさと反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtとを用いて異常 発生を判定していたが、実施例 5は、反射係数 Γの大きさと反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtの両方及びインピーダンス Zの微分値 dZZdtを用いて異常発生を判定する ようにしたものである。具体的には、図 8は、実施例 4を示す図 7において、インピーダ ンス整合器 2に電圧検出部 18及び電流検出部 19を設け、異常検出装置 3にインピ 一ダンス演算部 26及び第 2微分演算部 27を設けたものである。
[0164] この実施例 5では、第 1比較部 28及び第 2比較部 29において、反射係数 Γの微分 値 d Γ Zdtと反射係数 Γの大きさとがそれぞれ対応する第 1基準値と第 2基準値と比 較され、それらがともに対応する基準値を超えると、ハイレベルを出力する。異常検 出装置 3の異常判定部 25は、第 1比較部 28及び第 2比較部 29から入力される信号 カ^、ずれもノ、ィレベルであって、第 2微分演算部 27から入力されるインピーダンス Z の微分値 dZZdtが所定の基準値を超えると、異常発生と判定される。その他の動作 については実施例 1と同一であるので、説明を省略する。
[0165] このように、実施例 5では反射係数 Γの大きさ及び反射係数の微分値 d Γ Zdtだけ でなぐインピーダンス Zの微分値 dZZdtをも加味して異常発生を判定するので、よ り確実にかつ精度よく負荷 Lにおける異常を検出することができる。
[0166] なお、異常判定部 25における異常判定では、第 1比較部 28の比較結果、第 2比較 部 29の比較結果、及び第 2微分演算部 27の出力に基づく演算結果の AND条件で 、すなわち、反射係数 Γの微分値 d rZdtが第 1基準値を超え、反射係数 Γが第 2 基準値を超え、更にインピーダンス Zの微分値 dZZdtが第 3基準値を超えたとき、異 常発生と判定していたが、これに代えて、第 1比較部 28の比較結果、第 2比較部 29 の比較結果、及び第 2微分演算部 27の出力に基づく演算結果の OR条件で、すな わち、反射係数 Γの微分値 d rZdtが第 1基準値を超えたとき、反射係数 Γが第 2 基準値を超えたとき、又はインピーダンス Zの微分値 dZZdtが第 3基準値を超えたと き異常発生と判定するようにしてもょ 、。
[0167] 図 9は、本発明の実施例 6に係る高周波電力供給システムを示す図である。実施例 1では、反射係数 Γの微分値 drZdtが所定の第 1基準値を超えると、直ちに異常 発生と判定していたが、実施例 6は、反射係数 Γの微分値 drZdtが所定の第 1基 準値を超える回数をカウントし、その回数が所定の基準回数を超えると、異常発生と 判定するようにしたものである。従って、図 9は、図 1において、微分演算部 24と異常 判定部 25との間に計数部 31を設けたものである。その他の構成は、実施例 1に係る 高周波電力供給システムと同一であるので、ここでは実施例 1と相違する計数部 31と 異常判定部 25の動作について簡単に説明する。
[0168] 図 9における計数部 31は、微分演算部 24で演算された反射係数 Γの微分値 d Γ Zdtを所定の第 1基準値と比較し、当該微分値 drZdtが第 1基準値を超える回数 を計数するものである。すなわち、例えば反射係数 Γの微分値 drZdtが図 10に示 すように変化した場合、計数部 31は、反射係数 Γの微分値 dr Zdtが第 1基準値を 超えたタイミング tl, t2, t3で内蔵カウンタのカウント値を 1ずつ増加させ、そのカウン ト値を異常判定部 25に出力する。 [0169] 異常判定部 25は、計数部 31から入力され計数値が第 1基準値を超えると、異常発 生と判定する。
[0170] 実施例 6では、反射係数 Γの微分値 d rZdtが所定の第 1基準値を超える回数が 所定の基準回数を超えたとき、異常発生と判定し、異常報知や高周波電力の出力停 止措置が行われるようにしている。そのため、例えば反射係数 Γが図 25に示すように 断続的に増大する場合、各反射係数 Γの変化が生じているときに高周波電力の伝 送回路上に軽微の損傷が発生し、これらの損傷が繰り返されて致命的な損傷に至る ような場合に早期に異常発生を検出して、その損傷の増大を未然に防止することが できる。
[0171] なお、実施例 6の変形例として、実施例 4 (図 7参照)と同様に反射係数 Γの微分値 drZdtに反射係数 Γの大きさをカ卩味するようにしてもよい。この場合は、図 9におい て、反射係数演算部 23と異常判定部 25との間に計数部(図示せず)を追加し、この 計数部で反射係数 Γの大きさが所定の第 2基準値を超える回数を計数し、その計数 結果を異常判定部 25に入力する。そして、異常判定部 25では、反射係数 Γの微分 値 drZdtが所定の第 1基準値を超える回数が所定の第 1基準回数を超え、かつ、 反射係数 Γが所定の第 2基準値を超える回数が所定の第 2基準回数を超えたとき、 異常発生と判定される。あるいは、反射係数 Γの微分値 drZdtが所定の第 1基準 値を超える回数が所定の第 1基準回数を超えたとき、又は、反射係数 Γの大きさが所 定の第 2基準値を超える回数が所定の第 2基準回数を超えたとき、異常発生と判定さ れる。
[0172] また、実施例 6に示した、反射係数 Γの微分値 drZdtが所定の基準値を超えたと きの回数が所定の基準回数を超えたとき、異常と判定する方法では、反射係数 Γが 図 11に示すように階段状に変化した場合は、上記計数部 31のカウント値は「1」のま まで、異常判定部 25で異常発生と判定されない。しかし、反射計数 Γが高い状態が 継続して 、ると 、うことは異常が発生して 、る可能性が高 、から、異常判定部 25で異 常発生の見落としが生じる可能性がある。
[0173] そこで、このような不具合を解消するため、 1度目をカウントした後、カウントしたとき の反射係数 Γの大きさが一定値以上であって、所定時間 ta (図 11参照)以上維持さ れる場合には、異常であると判定するようにしてもょ ヽ。
[0174] 図 12は、本発明の実施例 7に係る高周波電力供給システムを示す図である。実施 例 6では、反射係数 Γの微分値 drZdtが所定の基準値を超える回数をカウントし、 その回数が所定の基準回数を超えると、直ちに異常発生と判定していたが、実施例 7は、反射係数 Γの微分値 drZdtが所定の基準値を超える回数をカウントし、その 回数が所定の基準回数を超え、かつインピーダンス Zの微分値 dZZdtが所定の基 準値を超える回数をカウントし、その回数が所定の基準回数を超えると、異常発生と 判定するようにしたものである。従って、図 12は、実施例 6を示す図 9において、イン ピーダンス整合器 2に電圧検出部 18及び電流検出部 19を設け、異常検出装置 3〖こ インピーダンス演算部 26及び第 2微分演算部 27を設け、更に第 2微分演算部 27と 異常判定部 25との間に第 2計数部 32を設けたものである。なお、図 12では、図 9に 示した計数部 31を「第 1計数部 31」として説明する。
[0175] 第 2計数部 32は、第 2微分演算部 27で演算されたインピーダンス Zの微分値 dZZ dtを所定の第 3基準値と比較し、当該微分値 dZZdtが第 3基準値を超える回数を計 数するものである。すなわち、例えばインピーダンス Zの微分値 dZ/dtが図 13に示 すように変化した場合、第 2計数部 32は、インピーダンス Zの微分値 dZZdtが第 3基 準値を超えたタイミング t , t2' , t3' で内蔵カウンタのカウント値を 1ずつ増カロさ せ、そのカウント値を異常判定部 25に出力する。
[0176] 異常判定部 25は、第 1計数部 31から計数回数が入力され、その計数回数が第 1基 準回数を超え、かつ第 2計数部 32から計数回数が入力され、当該計数回数が第 3基 準回数を超えると、異常発生と判定する。
[0177] 実施例 7では、反射係数 Γの微分値 d rZdtが所定の第 1基準値を超える回数が 所定の第 1基準回数を超え、かつインピーダンス Zの微分値 dZZdtが所定の第 3基 準値を超える回数が所定の第 3基準回数を超えたとき、異常発生と判定し、異常報 知や高周波電力の出力停止措置が行われるようにしている。そのため、例えば反射 係数 Γが図 25に示すように断続的に増大する場合、及びインピーダンス Zが図 14〖こ 示すように断続的に減少する場合、各反射係数 Γの変化が生じているときに高周波 電力の伝送線路上に軽微の損傷が発生し、これらの損傷が繰り返されて致命的な損 傷に至るような場合に早期に異常発生を検出して、その損傷の増大を未然に防止す ることがでさる。
[0178] なお、実施例 7の変形例として、実施例 4 (図 7参照)と同様に、反射係数 Γの微分 値 d Γ Zdt及びインピーダンス Zの微分値 dZZdtに反射係数 Γの大きさを加味する ようにしてもよい。この場合は、図 12において、反射係数演算部 23と異常判定部 25 との間に計数部(図示せず)を追加し、この計数部で反射係数 Γの大きさが所定の第 2基準値を超える回数を計数し、その計数結果を異常判定部 25に入力する。異常判 定部 25では、反射係数 Γの微分値 drZdtが所定の第 1基準値を超える回数が所 定の第 1基準回数を超え、インピーダンス Zの微分値 dZZdtが所定の第 3基準値を 超える回数が所定の第 3基準回数を超え、更に反射係数 Γの大きさが所定の第 2基 準値を超える回数が所定の第 2基準回数を超えたとき、異常発生と判定される。ある いは、反射係数 Γの微分値 drZdtが所定の第 1基準値を超える回数、インピーダ ンス Zの微分値 dZZdtが所定の第 3基準値を超える回数、又は反射係数 Γの大きさ が所定の第 2基準値を超える回数のいずれかがそれらに対応する所定の基準回数 を超えたとき、異常発生と判定される。
[0179] また、実施例 7に示したインピーダンス Zの微分値 dZZdtが所定の基準値を超えた ときの回数を計数する方法では、インピーダンス Zが階段状に変化した場合は、上記 第 2計数部 32のカウント値は「1」のままである。しかし、インピーダンス Zが低い状態 が継続して 、ると 、うことは異常が発生して 、る可能性が高 、から、異常判定部 25で 異常発生の見落としが生じる可能性がある。
[0180] そこで、このような不具合を解消するため、 1度目をカウントした後、カウントしたとき のインピーダンス Zの大きさが一定値以下であって、所定時間以上維持される場合に は、その旨を異常判定部 25に出力するようにし、異常判定部 25では、反射係数 Γが 同様の現象が生じ、第 1計数部 31からその旨の出力があった場合、異常と判定して ちょい。
[0181] 図 15は、本発明の実施例 8に係る高周波電力供給システムを示す図である。実施 例 8は、異常を判定する際のパラメータとしての反射係数 Γの微分値 d rZdtに代え て、定在波比の大きさの単位時間当たりの変化量 (以下、定在波比の微分値 dSZdt という。)を用いるようにしたものである。従って、図 15は、図 1において、反射係数演 算部 23を定在波比演算部 33に置き換えたものである。その他の構成は、実施例 1と 同一であるから、ここでは定在波比演算部 33について簡単に説明する。
[0182] 反射係数 Γは r =VrZVfであり、反射係数 Γと定在波比 Sとの間には S= (1 + Γ )Ζ(1— Γ)との関係があるから、定在波比 Sは S = ( + ^卜^;!で算出され る。従って、定在波比演算部 33では、第 1検波部 21から入力される進行波 PFの振 幅 Vfと第 2検波部 22から入力される反射波 PRの振幅 Vrとを用いて、 S= (Vf+Vr) Z(Vf— Vr)を演算することにより定在波比 Sを算出する。
[0183] 定在波比演算部 33によって求められた定在波比 Sの大きさは、データとして微分 演算部 24に入力され、微分演算部 24では、定在波比 Sの微分値 dSZdtが演算さ れる。異常判定部 25において、微分演算部 24で算出された定在波比 Sの微分値 dS Zdtが所定の基準値と比較され、微分値 dSZdtが基準値を超えている場合、異常 が発生していると判定され、例えばハイレベルに反転する異常検出信号が出力され る。
[0184] 実施例 8は、異常判定のパラメータを定在波比 Sとしたもので、定在波比 Sも反射係 数 Γも入射波に対する比率により反射波の度合 ヽゃ整合の度合!/ヽを示し、反射波の 度合いが異常に大きい場合や整合の度合いが異常に悪ィ匕した場合は回路に異常が 発生していると推定できる。そのため、実施例 8においても上述した実施例 1と同様の 作用効果を奏することができる。
[0185] なお、実施例 8においては、定在波比 Sの微分値 dSZdtを異常判定のパラメータと して用いた力 これに代えて定在波比 Sの逆数の大きさの単位時間当たりの変化量 d (1ZS) Zdtを用いてもよい。
[0186] 図 16は、実施例 9に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。実施例 8では、定在波比 Sの微分値 dSZdtに基づいて異常を検出するようにした力 実施 例 9は、定在波比 Sの微分値 dS/dt及びインピーダンス Zの微分値 dZ/dtを用いて 異常発生を判定するようにしたものである。具体的には、図 16は、実施例 8を示す図 15において、インピーダンス整合器 2に電圧検出部 18及び電流検出部 19を設け、 異常検出装置 3にインピーダンス演算部 26及び第 2微分演算部 27を設けたものであ る。
[0187] この実施例 9に係る異常検出装置 3の異常判定部 25は、定在波比の微分値 dSZd tが第 1基準値と比較され、インピーダンス Zの微分値 dZZdtが第 2基準値と比較さ れ、各パラメータがそれぞれ対応する基準値を超えると、異常発生と判定される。そ の他の動作については実施例 8と同一であるので、説明を省略する。
[0188] このように、実施例 9では定在波比の微分値 dSZdtだけでなぐインピーダンス Zの 微分値 dZZdtをも加味して異常発生を判定するので、より確実にかつ精度よく負荷 Lにおける異常を検出することができる。
[0189] なお、この実施例 9においては、定在波比 Sの微分値 dSZdtを異常判定のパラメ ータとして用いた力 これに代えて定在波比 Sの逆数の大きさの単位時間当たりの変 化量 d (1/S) Zdtを用いてもょ 、。
[0190] 図 17は、本発明の実施例 10に係る高周波電力供給システムの構成を示す図であ る。実施例 1一 9では、反射係数 Γの微分値 drZdtに基づいて異常発生を判定し ていたが、実施例 10は、反射係数 Γの対数を求め、この対数値の単位時間当たりの 変化の仕方に基づ 、て異常発生を判定するようにしたものである。
[0191] 具体的には、実施例 10に係る高周波電力供給システムの構成は、図 1に示した異 常検出装置 3が以下に示す構成とされる。すなわち、実施例 10における異常検出装 置 3は、第 1対数アンプ部 35と、第 2対数アンプ部 36と、対数反射係数演算部 37と、 対数反射係数記憶部 38と、対数最新値比較部 39と、対数前回値比較部 40と、異常 判定部 41とによって構成されている。
[0192] 第 1対数アンプ部 35は、進行波 PFの振幅 Vfを検波して、その振幅 Vfに対応する 対数値を出力するものであり、第 2対数アンプ部 36は、反射波 PRの振幅 Vrを検波し て、その振幅 Vrに対応する対数値を出力するものである。第 1対数アンプ部 35及び 第 2対数アンプ部 36は、例えば、実施例 1で説明した第 1検波部 21及び第 2検波部 22 (図 1参照)における回路に加えて、 OPアンプと、それに並列接続されたダイォー ドとからなる対数増幅回路によって構成されている。なお、第 1対数アンプ部 35及び 第 2対数アンプ部 36は、市販されている対数アンプを用いてもよい。第 1対数アンプ 部 35及び第 2対数アンプ部 36の出力値である進行波 PFの振幅 Vfの対数値 log (Vf )及び反射波 PRの振幅 Vrの対数値 log (Vr)は、対数反射係数演算部 37に入力さ れる。
[0193] 対数反射係数演算部 37は、第 1対数アンプ部 35から入力される進行波 PFの振幅 Vfの対数値 log (Vf)と、第 2対数アンプ部 36から入力される反射波 PRの振幅 Vrの 対数値 log (Vr)とに基づ ヽて、反射係数 Γの対数値 log Γ ( = log (Vr/Vf) )を算出 するものである。反射係数 Γの対数値 log Γは、対数反射係数記憶部 38に入力され る。なお、対数反射係数演算部 37では、反射係数 Γの対数値 log (VrZVf)の演算 を、 log (Vr) -log (Vf)といった減算の形で行うことができるので、例えば反射波 PR の振幅 Vrを進行波 PFの振幅 Vfで直接的に除算するための除算回路を用いる必要 がなぐその回路構成を容易なものにすることができる。
[0194] また、対数反射係数演算部 37は、アナログ信号を処理するものでもよぐデジタル 信号を処理するものでもよい。デジタル信号を処理するものを用いる場合は、対数反 射係数演算部 37の前段に図略の AZDコンバータを設け、反射係数 Γの対数値 log Γの演算処理を所定の周期 A tで行う。アナログ信号を処理するものを用いる場合は 、対数反射係数演算部 37と後述する対数反射係数記憶部 38との間に図略の AZD コンバータを設ければよい。
[0195] 対数反射係数記憶部 38は、図略のメモリを備え、対数反射係数演算部 37によって 算出された反射係数 Γの対数値 log Γを所定の周期 A tで順次記憶するとともに、対 数反射係数演算部 37から所定の周期 Δ tで反射係数 Γの対数値 log Γが入力され る毎に、今回入力された最新の反射係数 Γ 1の対数値 log Γ 1と前回入力されて記憶 されて ヽる反射係数 Γ 2の対数値 log Γ 2とを出力する。対数反射係数記憶部 38か ら出力される反射係数 Γ 1の対数値 log Γ 1は、対数最新値比較部 39に入力され、 反射係数 Γ 2の対数値 log Γ 2は対数前回値比較部 40に入力される。
[0196] 対数最新値比較部 39は、対数反射係数記憶部 38から入力される反射係数 Γ 1の 対数値 log Γ 1を予め定められた基準値と比較し、反射係数 Γ 1の対数値 log Γ 1が 当該基準値以上のとき、その旨の信号 (例えばハイレベルの信号)を出力するもので ある。この信号は異常判定部 41に入力される。上記基準値は、反射係数 Γで表すと 、例えば、 0. 8-0. 9程度に設定される。 [0197] 対数前回値比較部 40は、対数反射係数記憶部 38から入力される反射係数 Γ 2の 対数値 log Γ 2を予め定められた基準値と比較し、反射係数 Γ 2の対数値 log Γ 2が 当該基準値以下のとき、その旨の信号 (例えばハイレベルの信号)を出力するもので ある。この信号は異常判定部 41に入力される。上記基準値は、反射係数 Γで表すと 、例えば、 0. 2-0. 3程度に設定される。
[0198] 異常判定部 41は、対数最新値比較部 39及び対数前回値比較部 40の出力に基づ いて異常を判定するものであり、図 18に示すように、対数最新値比較部 39及び対数 前回値比較部 40から入力される信号の論理積を出力する AND回路 42が含まれて いる。この AND回路 42の出力は、異常検出信号として出力される。すなわち、対数 最新値比較部 39及び対数前回値比較部 40から入力される信号の両方がハイレべ ルのときに、異常判定部 41からハイレベルの信号が出力されて異常発生と判定され る。その他の動作については実施例 1と同一であるので、説明を省略する。なお、異 常判定部 41における信号のローレベル、ハイレベルの関係は逆になつていてもよい
[0199] この実施例 10において、反射係数 Γの対数を用いているのは、これまでの実施例 と同様に単に反射係数 Γの対数の微分値を求め、それを基準値と比較すると、異常 判定を適正に行うことができないからである。
[0200] すなわち、この実施例 10では、反射係数 Γの対数を用いているため、整合状態で あって異常と判定されな 、反射係数 Γが比較的小さ 、とき(図 19の P1に示す範囲 にほぼあるとき)であっても、反射係数 Γの対数値の微分値 d (log Γ ) Zdtは大きな 値を示すときがある。例えば、周期 A tにおいて反射係数 Γが 0. 01から 0. 04に変 化した場合、対数の底を 10とすると、反射係数 Γの対数の微分値は、 log (0. 04)— 1 og (0. 01) =0. 602となる。
[0201] また、周期 A tにおいて反射係数 Γが 0. 2から 0. 8に変化するときのような異常と判 定される変化をする場合であっても、反射係数 Γの対数の微分値は、 log (0. 8)-lo g (0. 2) =0. 602となる。このように、反射係数 Γの変化量が異なっているのにもか かわらず、反射係数 Γの変化する割合が同じであれば、反射係数 Γの対数の微分 値は、同じ値になってしまう。従って、単に、反射係数 Γの対数値の微分値 d (log Γ ) Zdtが所定の基準値を超えたときを、異常と判定すると、それは誤判定となってしまう
[0202] そこで、この実施例 10では、異常判定を行う場合に、対数値が比較的小さい値から 大きな値に瞬時に変化した場合を異常と判定するようにしている。すなわち、微分値 を演算する場合と同様に、最新値と前回値とを用いて、単位時間当たりの変化の仕 方に基づいて異常判定を行う。
[0203] 具体的には、対数反射係数記憶部 38から対数最新値比較部 39に入力される反射 係数 Γ 1の対数値 log Γ 1が予め定められた基準値以上であり、かつ対数反射係数 記憶部 38から対数前回値比較部 40に入力される反射係数 Γ 2の対数値 log Γ 2が 予め定められた基準値以下のときに、異常と判定するようにしている。つまり、反射係 数 Γの対数値 log Γを反射係数 Γで表した場合に、反射係数 Γが図 19に示す P1の 範囲から P2の範囲に変化したときに異常と判定するようにして!/、る。
[0204] このように、実施例 10では反射係数 Γの最新値及び 1つ前の前回値に基づいて異 常発生を判定するので、実質的に対数値の微分値 d(log r) Zdtによる判定と同様 の効果があり、即座に異常を検出することができる。さらに、対数を用いているので、 方向性結合器 12からの進行波 PF及び反射波 PRの高周波の入力を広い範囲で許 容することができる。例えば、入力レベルが 1一 1000Vの範囲である場合には、対数 を用いると 0— 3Vの範囲となり、入力レベルが 1一 10000Vの範囲である場合には、 対数を用 、ると 0— 4Vの範囲となる。
[0205] 図 20は、実施例 11に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。実施 例 10では、反射係数 Γの対数値の最新値と前回値とから求まる単位時間当たりの変 化の仕方に基づいて異常発生を判定するようにした力 実施例 11では、これに加え てインピーダンス Zの微分値 dZZdtを用いて異常発生を判定するようにしたものであ る。具体的には、図 20は、実施例 11を示す図 17において、インピーダンス整合器 2 に電圧検出部 18及び電流検出部 19を設け、異常検出装置 3にインピーダンス演算 部 26及び第 2微分演算部 27を設けたものである。
[0206] この実施例 11に係る異常検出装置 3の異常判定部 41では、対数最新値比較部 3 9に入力される最新の反射係数 Γ 1の対数値 log Γ 1が所定の基準値以上であり、か つ対数前回値比較部 40に入力される前回の反射係数 Γ 2の対数値 log Γ 2が所定 の基準値以下であり、かつ第 2微分演算部 27に入力されるインピーダンス Zの微分 値 dZZdtが所定の基準値を超えたときに、異常発生と判定される。その他の動作に ついては実施例 10と同一であるので、説明を省略する。
[0207] このように、実施例 11では、反射係数 Γの対数値の最新値と前回値とから求まる単 位時間当たりの変化の仕方だけでなぐインピーダンス Zの微分値 dZZdtをも加味し て異常発生を判定するので、より確実にかつ精度よく負荷 Lにおける異常を検出する ことができる。
[0208] 図 21は、実施例 12に係る高周波電力供給システムの構成を示す図である。実施 例 10では、反射係数 Γの対数値の最新値と前回値とから求まる単位時間当たりの変 化の仕方に基づいて異常発生を判定するようにしたが、実施例 12は、対数反射係数 記憶部 38から対数最新値比較部 39に入力される反射係数 Γ 1の対数値 log Γ 1が 予め定められた基準値以上であり、かつ対数反射係数記憶部 38から対数前回値比 較部 40に入力される反射係数 Γ 2の対数値 log Γ 2が予め定められた基準値以下の ときの回数をカウントし、その回数が所定の基準回数を超えることに基づいて、異常 発生と判定するようにしたものである。従って、図 21は、図 17において、対数最新値 比較部 39及び対数前回値比較部 40の各出力側と異常判定部 41との間に計数部 4 3を設けたものである。
[0209] 図 21における計数部 43は、対数反射係数記憶部 38から対数最新値比較部 39〖こ 入力される反射係数 Γ 1の対数値 log Γ 1が予め定められた基準値以上であり、かつ 対数反射係数記憶部 38から対数前回値比較部 40に入力される反射係数 Γ 2の対 数値 log Γ 2が予め定められた基準値以下のときの回数を計数するものである。
[0210] 異常判定部 41は、計数部 43から計数値が入力され、その計数値が所定の基準回 数を超えると、異常発生と判定する。その他の動作については実施例 10と同一であ るので、説明を省略する。
[0211] このように、実施例 12では、反射係数 Γの対数値の最新値と前回値とから求まる単 位時間当たりの変化を瞬時的に見るのではなぐ異常と判定される条件を満たす回 数に基づいて異常発生を判定する。そのため、例えば反射係数 Γが図 25に示すよう に断続的に増大する場合、各反射係数 Γの変化が生じているときに高周波電力の 伝送回路上に軽微の損傷が発生し、これらの損傷が繰り返されて致命的な損傷に至 るような場合に早期に異常発生を検出して、その損傷の増大を未然に防止すること ができる。
[0212] 図 22は、本発明の実施例 13に係る高周波電力供給システムの構成を示す図であ る。実施例 10では、反射係数 Γの対数を求め、この対数値の単位時間当たりの変化 の仕方に基づいて異常発生を判定するようにしていた力 実施例 13では、この考え 方を対数ではなぐ実施例 1等で説明した反射係数 Γを用いる場合に適応したもの である。具体的には、実施例 13に係る高周波電力供給システムの構成は、図 17に 示した異常検出装置 3が以下に示す構成とされる。すなわち、実施例 13における異 常検出装置 3は、第 1検波部 21と、第 2検波部 22と、反射係数演算部 23と、反射係 数記憶部 44と、反射係数最新値比較部 45と、反射係数前回値比較部 46と、異常判 定部 47とによって構成されて 、る。
[0213] 第 1検波部 21、第 2検波部 22及び反射係数演算部 23は、実施例 1と同一であるの で、説明を省略する。また、反射係数記憶部 44、反射係数最新値比較部 45、反射 係数前回値比較部 46及び異常判定部 47は、実施例 10で説明した対数反射係数 記憶部 38、対数最新値比較部 39、対数前回値比較部 40及び異常判定部 41の機 能を反射係数 Γを用いる場合に適用したものである。このような構成にしても、実施 例 1で説明した構成と同様に、反射係数 Γの単位時間当たりの変化に基づいて異常 判定を行うので、実施例 1で説明した構成と同様の効果が得ることができる。
[0214] また、実施例 13の構成にカ卩えて、実施例 11のように、インピーダンス Zの微分値 dZ Zdtを用いて異常発生と判定するようにしてもよい。さらに、実施例 13の構成に加え て、実施例 12のように、計数部を設けて異常の回数をカウントし、その回数が所定の 基準回数を超えることに基づ 、て、異常発生と判定するようにしてもょ 、。
[0215] また、上記実施例 1一実施例 13では、異常検出時に高周波電源 1の出力電力をゼ 口にしていたが、その出力電力を減少させる方向に変更するようにしてもよい。例え ば出力電力を 1Z2に低減するようにしてもよい。これによつても、高周波電源 1の出 力端 A力も負荷 L側で発生した損傷の拡大を可及的に抑えることができ、反射波電 力が高周波電源 1内の素子(図略)に過電圧が印加されたり過電流が流れたりして、 素子にダメージが加わることを防止することができる。
[0216] また、方向性結合器 12は、高周波電源 1の出力端 Aとインピーダンス整合器 2の整 合部 17の入力端 Dとの間に設けられて 、てもよ 、。
[0217] 本発明の内容は、上述した実施例に限定されない。本発明に係る高周波電力供給 システムの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Claims

請求の範囲
[1] 高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周 波電力供給システムであって、
上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を検出する第 1 の検出手段と、
上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に関する情報を検出する第 2 の検出手段と、
上記第 1の検出手段により検出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段 により検出された反射波に関する情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検 出点における反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量を演算する微分演算手 段と、
上記微分演算手段により演算された反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量 に基づいて、上記第 1,第 2の検出手段の検出点力 負荷側における異常の発生を 判定する異常判定手段と、
を備えたことを特徴とする高周波電力供給システム。
[2] 上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め 設定された所定の第 1基準値を超えたとき、異常発生と判定することを特徴とする、 請求項 1に記載の高周波電力供給システム。
[3] 上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め 設定された所定の第 1基準値を超える回数を計数する計数手段を備え、この計数手 段で計数された回数が所定の基準回数を超えたとき、異常発生と判定することを特 徴とする、請求項 1に記載の高周波電力供給システム。
[4] 上記第 1の検出手段により検出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段 により検出された反射波に関する情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検 出点における反射係数の大きさを演算する演算手段を更に備え、
上記異常判定手段は、上記微分演算手段により演算された反射係数の大きさの単 位時間当たりの変化量と上記演算手段により演算された反射係数の大きさとに基づ いて、上記第 1,第 2の検出手段の検出点から負荷側における異常の発生を判定す ることを特徴とする、請求項 1に記載の高周波電力供給システム。
[5] 上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさが予め設定された所定の第 2基準値 を超え、かつ、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された 所定の第 1基準値を超えたとき、異常発生と判定することを特徴とする、請求項 4に記 載の高周波電力供給システム。
[6] 上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め 設定された所定の第 1基準値を超える回数を計数する第 1の計数手段と、上記反射 係数の大きさが予め設定された所定の第 2基準値を超える回数を計数する第 2の計 数手段と、を備え、上記第 1の計数手段で計数された回数が予め設定された第 1基 準回数を超え、かつ、上記第 2の計数手段で計数された回数が予め設定された第 2 基準回数を超えたとき、異常発生と判定することを特徴とする、請求項 4に記載の高 周波電力供給システム。
[7] 上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記高周波電源 の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部 の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されて ヽることを特徴と する、請求項 1に記載の高周波電力供給システム。
[8] 高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周 波電力供給システムであって、
上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を検出する第 1 の検出手段と、
上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に関する情報を検出する第 2 の検出手段と、
上記第 1の検出手段により検出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段 により検出された反射波に関する情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検 出点における反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量を演算する第 1の微分演 算手段と、
上記負荷に対する入力電圧を検出する第 3の検出手段と、
上記負荷に対する入力電流を検出する第 4の検出手段と、 上記第 3の検出手段により検出された入力電圧と上記第 4の検出手段により検出さ れた入力電流とに基づいて、当該第 3,第 4の検出手段の検出点から負荷側を見た インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量を演算する第 2の微分演算手段と 上記第 1の微分演算手段により演算された反射係数の大きさの単位時間当たりの 変化量と、上記第 2の微分演算手段により演算されたインピーダンスの大きさの単位 時間当たりの変化量とに基づいて、上記第 3,第 4の検出手段の検出点から負荷側 における異常の発生を判定する異常判定手段と、
を備えたことを特徴とする高周波電力供給システム。
[9] 上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め 設定された所定の第 1基準値を超え、かつ上記インピーダンスの大きさの単位時間 当たりの変化量が予め設定された所定の第 3基準値を超えたとき、異常発生と判定 することを特徴とする、請求項 8に記載の高周波電力供給システム。
[10] 上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め 設定された所定の第 1基準値を超える回数を計数する第 1の計数手段と、
上記インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の 第 3基準値を超える回数を計数する第 3の計数手段とを備え、
上記第 1の計数手段で計数された回数が所定の第 1基準回数を超え、かつ上記第 3の計数手段で計数された回数が所定の第 3基準回数を超えたとき、異常発生と判 定することを特徴とする、請求項 8に記載の高周波電力供給システム。
[11] 上記第 1の検出手段により検出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段 により検出された反射波に関する情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検 出点における反射係数の大きさを演算する演算手段を更に備え、
上記異常判定手段は、上記第 1の微分演算手段により演算された反射係数の大き さの単位時間当たりの変化量、上記演算手段により演算された反射係数の大きさ、 及び上記第 2の微分演算手段により演算されたインピーダンスの大きさの単位時間 当たりの変化量に基づいて、上記第 3,第 4の検出手段の検出点力 負荷側におけ る異常の発生を判定することを特徴とする、請求項 8に記載の高周波電力供給シス テム。
[12] 上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め 設定された所定の第 1基準値を超え、上記反射係数の大きさが予め設定された所定 の第 2基準値を超え、更に上記インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量が 予め設定された所定の第 3基準値を超えたとき、異常発生と判定することを特徴とす る、請求項 11に記載の高周波電力供給システム。
[13] 上記異常判定手段は、上記反射係数の大きさの単位時間当たりの変化量が予め 設定された所定の第 1基準値を超える回数を計数する第 1の計数手段と、
上記反射係数の大きさが予め設定された所定の第 2基準値を超える回数を計数す る第 2の計数手段と、
上記インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の 第 3基準値を超える回数を計数する第 3の計数手段と、を備え、
上記第 1の計数手段で計数された回数が予め設定された第 1基準回数を超え、上 記第 2の計数手段で計数された回数が予め設定された第 2基準回数を超え、更に上 記第 3の計数手段で計数された回数が予め設定された第 3基準回数を超えたとき、 異常発生と判定することを特徴とする、請求項 11に記載の高周波電力供給システム
[14] 上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記高周波電源 の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部 の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されており、上記第 3, 第 4の検出手段の検出点は、上記インピーダンス整合器の内部から負荷との間の線 路上に設定されていることを特徴とする、請求項 8に記載の高周波電力供給システム
[15] 高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周 波電力供給システムであって、
上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を検出する第 1 の検出手段と、
上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に関する情報を検出する第 2 の検出手段と、
上記第 1の検出手段により検出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段 により検出された反射波に関する情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検 出点における反射係数の対数値を演算する対数反射係数演算手段と、
上記対数反射係数演算手段によって演算された反射係数の対数値を所定の周期 で順次記憶する対数反射係数記憶手段と、
上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値と 1つ前の記憶値とに基 づいて、上記第 1,第 2の検出手段の検出点力 負荷側における異常の発生を判定 する異常判定手段と、
を備えたことを特徴とする高周波電力供給システム。
[16] 上記異常判定手段は、上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値が 予め設定された第 4基準値以上であり、かつ上記対数反射係数記憶手段に記憶さ れた 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下のときに異常発生と判定する ことを特徴とする、請求項 15に記載の高周波電力供給システム。
[17] 上記異常判定手段は、上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値が 予め設定された第 4基準値以上であり、かつ上記対数反射係数記憶手段に記憶さ れた 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下のときの回数を計数する第 4 の計数手段を備え、この第 4の計数手段によって計数された回数が予め設定された 第 4基準回数を超えたとき、異常発生と判定することを特徴とする、請求項 15に記載 の高周波電力供給システム。
[18] 上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記高周波電源 の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部 の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されて ヽることを特徴と する、請求項 15に記載の高周波電力供給システム。
[19] 高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周 波電力供給システムであって、
上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を検出する第 1 の検出手段と、 上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に関する情報を検出する第 2 の検出手段と、
上記第 1の検出手段により検出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段 により検出された反射波に関する情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検 出点における反射係数の対数値を演算する対数反射係数演算手段と、
上記対数反射係数演算手段によって演算された反射係数の対数値を所定の周期 で順次記憶する対数反射係数記憶手段と、
上記負荷に対する入力電圧を検出する第 3の検出手段と、
上記負荷に対する入力電流を検出する第 4の検出手段と、
上記第 3の検出手段により検出された入力電圧と上記第 4の検出手段により検出さ れた入力電流とに基づいて、当該第 3,第 4の検出手段の検出点から負荷側を見た インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量を演算する第 2の微分演算手段と 上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値、 1つ前の記憶値及び上 記第 2の微分演算手段によって演算されたインピーダンスの大きさの単位時間当たり の変化量に基づいて、上記第 3,第 4の検出手段の検出点から負荷側における異常 の発生を判定する異常判定手段と、
を備えたことを特徴とする高周波電力供給システム。
[20] 上記異常判定手段は、上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値が 予め設定された第 4基準値以上であり、かつ上記対数反射係数記憶手段に記憶さ れた 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下であり、かつ上記インピーダン スの大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の第 3基準値を超えた とき、異常発生と判定することを特徴とする、請求項 19に記載の高周波電力供給シ ステム。
[21] 上記異常判定手段は、上記対数反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値が 予め設定された第 4基準値以上であり、かつ上記対数反射係数記憶手段に記憶さ れた 1つ前の記憶値が予め設定された第 5基準値以下のときの回数を計数する第 4 の計数手段、及び上記インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量が予め設 定された所定の第 3基準値を超える回数を計数する第 3の計数手段を備え、上記第 4の計数手段によって計数された回数が予め設定された第 4基準回数を超え、かつ 上記第 3の計数手段で計数された回数が所定の第 3基準回数を超えたとき、異常発 生と判定することを特徴とする、請求項 19に記載の高周波電力供給システム。
[22] 上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記高周波電源 の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部 の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されており、上記第 3, 第 4の検出手段の検出点は、上記インピーダンス整合器の内部から負荷との間の線 路上に設定されていることを特徴とする、請求項 19に記載の高周波電力供給システ ム。
[23] 高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周 波電力供給システムであって、
上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を検出する第 1 の検出手段と、
上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に関する情報を検出する第 2 の検出手段と、
上記第 1の検出手段により検出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段 により検出された反射波に関する情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検 出点における反射係数の大きさを演算する反射係数演算手段と、
上記反射係数演算手段によって演算された反射係数の大きさを所定の周期で順 次記憶する反射係数記憶手段と、
上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値と 1つ前の記憶値とに基づい て、上記第 1,第 2の検出手段の検出点力 負荷側における異常の発生を判定する 異常判定手段と、
を備えたことを特徴とする高周波電力供給システム。
[24] 上記異常判定手段は、上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値が予め 設定された第 6基準値以上であり、かつ上記反射係数記憶手段に記憶された 1つ前 の記憶値が予め設定された第 7基準値以下のときに異常発生と判定することを特徴 とする、請求項 23に記載の高周波電力供給システム。
[25] 上記異常判定手段は、上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値が予め 設定された第 6基準値以上であり、かつ上記反射係数記憶手段に記憶された 1つ前 の記憶値が予め設定された第 7基準値以下のときの回数を計数する第 5の計数手段 を備え、この第 5の計数手段によって計数された回数が予め設定された第 5基準回 数を超えたとき、異常発生と判定することを特徴とする、請求項 23に記載の高周波電 力供給システム。
[26] 上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記高周波電源 の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部 の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されて ヽることを特徴と する、請求項 23に記載の高周波電力供給システム。
[27] 高周波電源からインピーダンス整合器を介して負荷に高周波電力を供給する高周 波電力供給システムであって、
上記高周波電源から上記負荷側に進行する進行波に関する情報を検出する第 1 の検出手段と、
上記負荷から上記高周波電源側に進行する反射波に関する情報を検出する第 2 の検出手段と、
上記第 1の検出手段により検出された進行波に関する情報と上記第 2の検出手段 により検出された反射波に関する情報とに基づいて、当該第 1,第 2の検出手段の検 出点における反射係数の大きさを演算する反射係数演算手段と、
上記反射係数演算手段によって演算された反射係数の大きさを所定の周期で順 次記憶する反射係数記憶手段と、
上記負荷に対する入力電圧を検出する第 3の検出手段と、
上記負荷に対する入力電流を検出する第 4の検出手段と、
上記第 3の検出手段により検出された入力電圧と上記第 4の検出手段により検出さ れた入力電流とに基づいて、当該第 3,第 4の検出手段の検出点から負荷側を見た インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量を演算する第 2の微分演算手段と 上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値、 1つ前の記憶値及び上記第 2の微分演算手段によって演算されたインピーダンスの大きさの単位時間当たりの変 化量に基づいて、上記第 1,第 2の検出手段の検出点力 負荷側における異常の発 生を判定する異常判定手段と、
を備えたことを特徴とする高周波電力供給システム。
[28] 上記異常判定手段は、上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値が予め 設定された第 6基準値以上であり、かつ上記反射係数記憶手段に記憶された 1つ前 の記憶値が予め設定された第 7基準値以下であり、かつ上記インピーダンスの大きさ の単位時間当たりの変化量が予め設定された所定の第 3基準値を超えたとき、異常 発生と判定することを特徴とする、請求項 27に記載の高周波電力供給システム。
[29] 上記異常判定手段は、上記反射係数記憶手段に記憶された最新の記憶値が予め 設定された第 6基準値以上であり、かつ上記反射係数記憶手段に記憶された 1つ前 の記憶値が予め設定された第 7基準値以下のときの回数を計数する第 5の計数手段 、及び上記インピーダンスの大きさの単位時間当たりの変化量が予め設定された所 定の第 3基準値を超える回数を計数する第 3の計数手段を備え、上記第 5の計数手 段によって計数された回数が予め設定された第 5基準回数を超え、かつ上記第 3の 計数手段で計数された回数が所定の第 3基準回数を超えたとき、異常発生と判定す ることを特徴とする、請求項 27に記載の高周波電力供給システム。
[30] 上記第 1,第 2の検出手段の検出点は、上記高周波電源の内部、上記高周波電源 の高周波電力の出力端部から上記インピーダンス整合器の高周波電力の入力端部 の間の伝送線路上、又はインピーダンス整合器の内部に設定されており、上記第 3, 第 4の検出手段の検出点は、上記インピーダンス整合器の内部から負荷との間の線 路上に設定されていることを特徴とする、請求項 27に記載の高周波電力供給システ ム。
[31] 上記異常判定手段により異常発生と判定されたとき、上記高周波電源から出力さ れる電力量を減少方向に変更する出力電力変更手段を更に備えたことを特徴とする 、請求項 1、 8、 15、 19、 23、 27のいずれかに記載の高周波電力供給システム。
[32] 上記出力電力変更手段は、上記異常判定手段により異常発生と判定されたとき、 上記高周波電源から出力される電力量をゼロにすることを特徴とする、請求項 31に 記載の高周波電力供給システム。
[33] 上記出力電力変更手段により上記高周波電源の出力電力量が変更されると、第 1 の所定時間の経過後に上記高周波電源の出力電力量を元の出力電力量に復帰さ せる出力電力復帰手段を更に備えたことを特徴とする、請求項 31に記載の高周波 電力供給システム。
[34] 上記出力電力変更手段により上記高周波電源の出力電力量が変更されると、上記 インピーダンス整合器の整合動作を停止させ、そのときの状態を保持する整合動作 停止手段を更に備えたことを特徴とする、請求項 33に記載の高周波電力供給システ ム。
[35] 上記異常判定手段により異常発生と判定され、上記出力電力変更手段により上記 高周波電源の出力電力量が変更されてから上記出力電力復帰手段により元の出力 電力量に復帰後、第 2の所定時間経過まで上記異常判定手段の判定動作を禁止す る第 1判定禁止手段を更に備えたことを特徴とする、請求項 33に記載の高周波電力 供給システム。
[36] ユーザによる操作によって上記高周波電源の電力供給動作が開始された後、又は ユーザによる操作によって電力供給動作中に出力電力設定値が変更された後、第 2 の所定時間経過まで上記異常判定手段を禁止する第 2判定禁止手段を更に備えた ことを特徴とする、請求項 1、 8、 15、 19、 23、 27のいずれかに記載の高周波電力供 給システム。
[37] 上記第 2の所定時間は、上記インピーダンス整合器により上記高周波電源と上記 負荷とがインピーダンス整合されるまでの時間よりも長いことを特徴とする、請求項 35 に記載の高周波電力供給システム。
[38] 上記第 1の検出手段により検出される情報は進行波の電力値であり、上記第 2の検 出手段により検出される情報は反射波の電力値であることを特徴とする、請求項 1、 8 、 15、 19、 23、 27のいずれかに記載の高周波電力供給システム。
[39] 上記第 1の検出手段により検出される情報は進行波の電圧値であり、上記第 2の検 出手段により検出される情報は反射波の電圧値であることを特徴とする、請求項 1、 8 、 15、 19、 23、 27のいずれかに記載の高周波電力供給システム。
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