JP2013206915A - 半導体装置の製造方法及び監視装置 - Google Patents

Abstract

【課題】監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程は、半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個（１≦ｎ）の時間それぞれに対応するｎ個の状態監視基準値データを監視装置が取得し、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値を加算してｎ個の上限許容値データを監視装置が取得し、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値を減算してｎ個の下限許容値データを監視装置が取得し、ｎ個の上限許容値データ及びｎ個の下限許容値データを用いて半導体製造装置の第２稼動時の状態監視を監視装置によって行う。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体製造装置の状態を監視する半導体装置の製造方法及び監視装置に関する。

プラズマ処理装置などの半導体製造装置が正常に稼働しているかについて監視装置によって監視することが行われている（特許文献１、２参照）。例えば、生産現場において、生産装置からの状態監視信号を監視装置で受信し、その状態監視信号の良否判定を監視装置によって行うことにより、その生産装置が正常に稼働しているか否かを判定する。良否判定では、単位時間当たりの平均値、単位時間当たりの最大値、最小値、閾値に対する逸脱の有無、波形マッチング等が用いられる。監視装置において生産装置が正常に稼働していないと判定された場合は、生産装置を停止させ、その原因を調べる必要がある。

図１０は、プラズマＣＶＤ装置からの監視装置へ出力される状態監視信号（信号電圧）と時間の関係の一例を示す図である。開始点は高周波電圧の印加が開始され、ＣＶＤ成膜が開始される点である。点線は状態監視信号が良（ＯＫ）と判定される信号であり、実線は状態監視信号が否（ＮＧ）と判定される信号である。

図１０に示すような信号挙動では、信号電圧が安定しているＢ部での単純な閾値による良否判定が困難である。このような信号挙動では、Ｂ部のような単純な時間経過による安定性だけを監視するのでは十分ではなく、Ａ部のような信号電圧の変化の仕方を監視する必要がある。しかし、信号電圧の変化が激しいＡ部において良否判定を行うためには、大掛かりで非常に高価な監視装置が必要となったり、監視装置や生産装置への改造に高額費用が発生したりするため、生産現場での展開が難しい。

特開２００３−１２１４７２号公報 特開２００２−３１３７２９号公報

本発明の幾つかの態様は、簡易的な構造で安価に半導体製造装置の状態を監視できる監視装置、または監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法に関連している。

本発明の一態様は、監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、工程は、半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の状態監視基準値データを監視装置が取得する第１工程と、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値を加算してｎ個の上限許容値データを監視装置が取得する第２工程と、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値を減算してｎ個の下限許容値データを監視装置が取得する第３工程と、ｎ個の上限許容値データ及びｎ個の下限許容値データを用いて半導体製造装置の第２稼動時の状態監視を監視装置によって行う第４工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
ただし、ｎは１以上の整数である。

また、本発明の一態様において、第４工程は、前記半導体製造装置の第２稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを監視装置が取得し、状態監視信号データを取得した順にｎ個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第１エラーデータとしてカウントし、状態監視信号データを取得した順に前記ｎ個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第２エラーデータとしてカウントし、第１及び第２エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、監視装置が半導体製造装置の状態異常として判定するとよい。

本発明の一態様は、監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、工程は、半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の上限許容値データ、及びｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の下限許容値データを監視装置が取得し、半導体製造装置の第２稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを監視装置が取得し、状態監視信号データを取得した順にｎ個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第１エラーデータとしてカウントし、状態監視信号データを取得した順にｎ個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第２エラーデータとしてカウントし、第１及び第２エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、監視装置が半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
ただし、ｎは１以上の整数である。

また、本発明の一態様において、監視装置がｎ個の上限許容値データ及びｎ個の下限許容値データを取得することは、半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の状態監視基準値データを監視装置が取得する第１工程と、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値を加算してｎ個の上限許容値データを監視装置が取得する第２工程と、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値を減算してｎ個の下限許容値データを監視装置が取得する第３工程を具備するとよい。

また、本発明の一態様において、第１工程は、半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに出力されたｎ個の状態監視信号データを監視装置が取得するＡ工程と、Ａ工程をｍ回繰り返すことによってｎ個の状態監視信号データそれぞれを監視装置がｍ個取得するＢ工程と、Ｂ工程によってｍ個取得したｎ個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することによりｎ個の状態監視基準値データを監視装置が取得するＣ工程を有するとよい。ただし、ｍは２以上の整数である。

また、本発明の一態様において、ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値及びｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値の少なくとも一方が一定値であるとよい。

また、本発明の一態様において、状態異常として判定した後に、監視装置が異常判定信号を半導体製造装置へ出力する、または監視装置が異常を表示するとよい。

本発明の一態様は、半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の状態監視基準値データを取得する第１手段と、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値を加算してｎ個の上限許容値データを取得する第２手段と、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値を減算してｎ個の下限許容値データを取得する第３手段と、ｎ個の上限許容値データ及びｎ個の下限許容値データを用いて半導体製造装置の第２稼動時の状態監視を行う第４手段と、を具備することを特徴とする監視装置である。
ただし、ｎは１以上の整数である。

また、本発明の一態様において、第４手段は、半導体製造装置の第２稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、状態監視信号データを取得した順にｎ個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第１エラーデータとしてカウントし、状態監視信号データを取得した順にｎ個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第２エラーデータとしてカウントし、第１及び第２エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、半導体製造装置の状態異常として判定するとよい。

本発明の一態様は、半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の上限許容値データ、及びｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の下限許容値データを取得する手段と、半導体製造装置の第２稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、状態監視信号データを取得した順にｎ個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第１エラーデータとしてカウントし、状態監視信号データを取得した順にｎ個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第２エラーデータとしてカウントし、第１及び第２エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、半導体製造装置の状態異常として判定する手段と、を具備することを特徴とする監視装置である。
ただし、ｎは１以上の整数である。

また、本発明の一態様において、ｎ個の上限許容値データ及びｎ個の下限許容値データを取得する手段は、半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の状態監視基準値データを取得する第１手段と、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値を加算してｎ個の上限許容値データを取得する第２手段と、ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、ｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値を減算してｎ個の下限許容値データを取得する第３手段を具備するとよい。

また、本発明の一態様において、第１手段は、半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに出力されたｎ個の状態監視信号データを取得するＡ手段と、Ａ手段をｍ回繰り返すことによってｎ個の状態監視信号データそれぞれをｍ個取得するＢ手段と、Ｂ手段によってｍ個取得したｎ個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することによりｎ個の状態監視基準値データを取得するＣ手段を有するとよい。ただし、ｍは２以上の整数である。

（Ａ）は本発明の一態様に係る生産装置９及びその監視装置８を示す模式図、（Ｂ）は図１（Ａ）に示す監視装置８を示す構成図。 基準波形を取得するためのフローチャート（アルゴリズム）。 基準波形を取得する手順を示す図。 基準波形の作製方法を説明するための図。 監視・判定を行うためのフローチャート（アルゴリズム）。 監視・判定を行う手順を示す図。 監視・判定を説明するための図。 （Ａ）は正常判定された一例を示す図、（Ｂ）は異常判定された一例を示す図。 （Ａ）は正常判定された一例を示す図、（Ｂ）は異常判定された一例を示す図。 プラズマＣＶＤ装置からの監視装置へ出力される状態監視信号（信号電圧）と時間の関係の一例を示す図。

以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図１（Ａ）は、本発明の一態様に係る生産装置９及びその監視装置８を示す模式図である。生産装置９は例えば半導体製造装置である。生産装置９からの電気信号（電圧、電流等）が開始信号ａ及び状態監視信号ｂとして監視装置８へ入力され、監視装置８においてその電気信号がＡ／Ｄ変換されてマイコン等へ取り込まれる。マイコンは、演算、記憶、比較処理を行う。Ｉ／Ｏにより、良否判定の結果報告（異常判定信号ｃ等）がマイコンから出力され、マイコンへの操作入力が受けられる。

図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す監視装置８を示す構成図である。この監視装置８は、状態監視信号ｂが入力される入力アンプ１と、開始信号ａが入力されるＡ／Ｄ変換部２を有している。入力アンプ１によって増幅され、Ａ／Ｄ変換部２によって変換された状態監視信号ｂが、演算部３、記憶部４、比較部５それぞれで処理されることにより良否判定が行われる。その良否判定の結果は表示部６で表示され、生産装置９の状態が異常と判定された場合はマイコンから出力部７へ出力され、出力部７から異常判定信号ｃが生産装置９へ出力される。

次に、図１に示す生産装置の監視装置を用いて生産装置の稼働状態の良否判定を行う方法について、図２〜図９を参照しつつ説明する。

［基準波形取得］
まず始めに対象信号である生産装置からの状態監視信号の定常状態である基準波形を記憶し、この基準波形を判定の基準とする。基準波形は、生産目的に応じて適宜取得してもよいが、例えば生産装置の状態が変わるとき、メンテナンスの直後に取得してもよい。

図２は、基準波形を取得するためのフローチャート（アルゴリズム）である。図３は、基準波形を取得する手順を示す図である。図４は、基準波形の作製方法を説明するための図である。

まず、監視装置８は開始信号待ちの状態から取得開始信号（図１のａ）をＡ／Ｄ変換部２で受信する（図２のＳ１、図３の１参照）。取得開始信号を受信した時が状態監視信号（図１のｂ）を監視装置８の入力アンプ１が取得するための基準時となる。

次に、所定の時間間隔で、入力信号のＡ／Ｄ変換を行い、Ａ／Ｄ変換したデータを所定の数（ｎ）保存する（図２のＳ２，Ｓ３、図３の２，３参照）。つまり、生産装置の第１稼動時における開始信号受信時（基準時）からｎ個の時間（ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ６・・・ｔｎ）それぞれに出力されたｎ個の状態監視信号のデータを監視装置８が取得する（図４参照）。なお、ｎは１以上の整数である。

詳細には、生産装置９からの状態監視信号ｂである入力信号が、開始信号受信時からｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ６・・・のタイミングで順に、入力アンプ１を通してＡ／Ｄ変換部２に入力され、Ａ／Ｄ変換され、Ａ／Ｄ変換したデータは順に記憶部４に記憶される（図１及び図４参照）。

次の取得開始信号をＡ／Ｄ変換部２で受信し、所定の時間間隔で、入力信号のＡ／Ｄ変換を行い、保存データへ加算し、これをｍ回まで行い、加算保存されたデータの平均化、再保存する（図２のＳ４，Ｓ５，Ｓ６、図３の４，５参照）。つまり、生産装置の次の第１稼動時における開始信号受信時（基準時）からｎ個の時間（ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ６・・・ｔｎ）それぞれに出力されたｎ個の状態監視信号データを監視装置８が取得する。そして、ｎ個の状態監視信号データの取得をｍ回繰り返すことによってｎ個の状態監視信号データそれぞれを監視装置がｍ個取得し、これによってｍ個取得したｎ個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することによりｎ個の状態監視基準値データを監視装置８が取得する（図４参照）。

詳細には、次の取得開始信号（図１のａ）をＡ／Ｄ変換部２で受信し、生産装置９からの状態監視信号ｂである入力信号が、開始信号受信時からｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ６・・・のタイミングで順に、入力アンプ１を通してＡ／Ｄ変換部２に入力される。そして、Ａ／Ｄ変換されたデータは、順に記憶部４に記憶され、記憶部４に記憶されている前の対応するデータに演算部３によって加算され、その加算されたデータは記憶部４に記憶される。これをｍ回繰り返し、加算され記憶されたｍ個のデータは演算部３によって平均化されることで、ｎ個の状態監視基準値データ（基準となる信号ｄ１〜ｄｎ）が記憶部４に記憶される（図１及び図４参照）。

次に、記憶部４に記憶されているｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、演算部３によってｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値（例えばｘ）を加算してｎ個の上限許容値データ（ｄ１＋ｘ〜ｄｎ＋ｘ）を取得し、記憶部４に記憶する。次に、記憶部４に記憶されているｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、演算部３によってｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値（例えばｙ）を減算してｎ個の下限許容値データ（ｄ１−ｙ〜ｄｎ−ｙ）を取得し、記憶部４に記憶する（図２のＳ７，Ｓ８，Ｓ９、図３の６、図４参照）。

このようにしてｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の上限許容値データ（ｄ１＋ｘ〜ｄｎ＋ｘ）と、ｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の下限許容値データ（ｄ１−ｙ〜ｄｎ−ｙ）からなる監視範囲を生成することができる。

なお、本実施の形態では、第１許容値及び第２許容値の両者を一定値としているが、第１許容値及び第２許容値のいずれか一方を一定値としてもよいし、第１許容値及び第２許容値の両者を一定値としなくてもよい。

［監視・判定］
次に、監視装置８は開始信号待ちの状態から取得開始信号（図１のａ）を受信する（図５のＳ１１、図６の１参照）。取得開始信号を受信した時が状態監視信号（図１のｂ）を監視装置８の入力アンプ１が取得するための基準時となる。

次に、所定の時間間隔で、入力信号のＡ／Ｄ変換を行い、Ａ／Ｄ変換して取得したデータを該当するデータ番号の上限値、下限値と比較判定し、その判定結果でＮＧとなった場合、エラーカウントを１プラスし、これをｎ回目まで繰り返す（図５のＳ１２〜Ｓ１５、図６の２〜５参照）。

つまり、生産装置の第２稼動時における開始信号受信時（基準時）からｎ個の時間（ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ６・・・ｔｎ）それぞれに出力されたｎ個の状態監視信号データを監視装置８が取得し、その状態監視信号データを取得した順にｎ個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である場合は第１エラーデータとしてカウントする。また、状態監視信号データを取得した順にｎ個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外であるか否かを判定し、下限許容値データの許容範囲外である場合は第２エラーデータとしてカウントする（図７参照）。なお、ｎは１以上の整数である。

詳細には、生産装置９からの状態監視信号ｂである入力信号が、開始信号受信時からｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ６・・・のタイミングで順に、入力アンプ１を通してＡ／Ｄ変換部２に入力され、Ａ／Ｄ変換して取得されたデータ（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、・・・ｓｎ）は順に記憶部４に記憶される。そして、取得したデータｓ１と上限許容値ｄ１＋ｘ及び下限許容値ｄ１−ｙを比較部５によって比較し、上限許容値と下限許容値のいずれかが許容範囲外であると判定した場合はエラーカウントを１プラスし、このような比較を取得したデータｓ２、ｓ３、ｓ４、・・・ｓｎの順に行い、判定の結果をエラーカウントしていく（図１及び図７参照）。なお、図７では、取得したデータｓ４が上限許容値ｄ４＋ｘを超えているため、データｓ４の判定結果によりエラーカウントが１プラスされる。

上記のエラーカウントが規定値を超えた場合、生産装置９へ異常判定信号を出力部７によって出力する、または監視装置９が異常を表示部６によって表示する。エラーカウントが規定値以内であれば、カウントをクリアして、図６の１から繰り返す（図１、図５のＳ１６、図６の６参照）。

つまり、上記の第１及び第２エラーデータの合計数が一定数（規定値）を超えた時に、生産装置９の状態異常として判定し、監視装置８が異常判定信号を生産装置９へ出力する、または監視装置８が異常を表示する。異常判定信号を生産装置９へ出力する場合、装置をすぐに停止させてもよいし、所定の処理まで行った後に停止させてもよい。本実施の形態では、ｎ個の状態監視信号データを取得・比較判定してから、エラーカウントが規定値を超えたかどうか判定しているが、これに限定されない。状態監視信号データを１個取得する毎に比較判定及びエラーカウントが規定値を超えたかどうか判定を行い、規定値を超えた場合は、ｎ個の状態監視信号データを取得し終える前に、異常判定信号を出力してもよい。

本実施の形態によれば、正常時の信号データを取得し、１点ごとの上下許容値を演算し、監視データを取得し、許容値判定しながら、許容値を逸脱した個数で正否判定することができる。また、基準に基づく監視許容値データを保存し、順次比較判定することで処理の軽減を図ることができる。

また、本実施の形態による監視装置は、小型、汎用部品で実現できるため、量産に適しており、生産装置の変化状態の制約が少なく、汎用性があるという利点がある。
また、本実施の形態では、ワンチップマイコンでも実現可能であり、小型、低消費電力に優れ、安価であることから、量産性に有利である。

図８（Ａ）は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、正常判定された一例を示す図である。上限許容値線と下限許容値線の間に取得データ値線が引かれており、生産装置の状態が正常と判定される。
図８（Ｂ）は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、異常判定された一例を示す図である。取得データ値線が下限許容値線の下限から外れ、上限許容値線の上限から外れており、生産装置の状態が異常と判定される。

図９（Ａ）は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、正常判定された一例を示す図である。上限許容値線と下限許容値線の間に取得データ値線が引かれており、生産装置の状態が正常と判定される。
図９（Ｂ）は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、異常判定された一例を示す図である。取得データ値線が上限許容値線の上限から外れており、生産装置の状態が異常と判定される。

図１に示す監視装置８は、前述したような基準波形取得及び監視・判定それぞれを行う手段を有しており、これらの手段は当業者であれば理解することができる。

また、図１に示す生産装置の具体例としては、表１に示すようなプラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、塗布装置などの半導体製造装置が挙げられる。監視装置８が監視する対象の構成要素としては、ＲＦ源、ＭＦＣ（マスフローコントローラー）、ヒーター、チャンバー、薬液ポンプ、スピンモーターなどが挙げられる。また、監視装置８が監視する物理量及び状態監視・判定の目的としては、表１に示すとおりである。表１に示す物理量パラメーターは構成要素から電圧信号として取り出すことができる。従って、本発明の一態様は、表１に示す半導体製造装置に適用することが可能である。

１…入力アンプ、２…Ａ／Ｄ変換部、３…演算部、４…記憶部、５…比較部、６・・・表示部、７・・・出力部、８…監視装置、９…生産装置

Claims (12)

1. 監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、
   前記工程は、
   前記半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の状態監視基準値データを前記監視装置が取得する第１工程と、
   前記ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、前記ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値を加算してｎ個の上限許容値データを前記監視装置が取得する第２工程と、
   前記ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、前記ｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値を減算してｎ個の下限許容値データを前記監視装置が取得する第３工程と、
   前記ｎ個の上限許容値データ及び前記ｎ個の下限許容値データを用いて前記半導体製造装置の第２稼動時の状態監視を前記監視装置によって行う第４工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
   ただし、ｎは１以上の整数である。
2. 請求項１において、
   前記第４工程は、
   前記半導体製造装置の第２稼動時における前記基準時からｎ個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを前記監視装置が取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第１エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第２エラーデータとしてカウントし、前記第１及び第２エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記監視装置が前記半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、
   前記工程は、
   前記半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の上限許容値データ、及び前記ｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の下限許容値データを前記監視装置が取得し、
   前記半導体製造装置の第２稼動時における前記基準時からｎ個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを前記監視装置が取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第１エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第２エラーデータとしてカウントし、前記第１及び第２エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記監視装置が前記半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
   ただし、ｎは１以上の整数である。
4. 請求項３において、
   前記監視装置が前記ｎ個の上限許容値データ及び前記ｎ個の下限許容値データを取得することは、
   前記半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の状態監視基準値データを前記監視装置が取得する第１工程と、
   前記ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、前記ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値を加算してｎ個の上限許容値データを前記監視装置が取得する第２工程と、
   前記ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、前記ｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値を減算してｎ個の下限許容値データを前記監視装置が取得する第３工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項１、２及び４のいずれか一項において、
   前記第１工程は、
   前記半導体製造装置の第１稼動時における前記基準時からｎ個の時間それぞれに出力されたｎ個の状態監視信号データを前記監視装置が取得するＡ工程と、
   前記Ａ工程をｍ回繰り返すことによって前記ｎ個の状態監視信号データそれぞれを前記監視装置がｍ個取得するＢ工程と、
   前記Ｂ工程によって前記ｍ個取得した前記ｎ個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することにより前記ｎ個の状態監視基準値データを前記監視装置が取得するＣ工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
   ただし、ｍは２以上の整数である。
6. 請求項１、２、４及び５のいずれか一項において、
   前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記第１許容値及び前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記第２許容値の少なくとも一方が一定値であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項２乃至４のいずれか一項において、
   前記状態異常として判定した後に、前記監視装置が異常判定信号を前記半導体製造装置へ出力する、または前記監視装置が異常を表示することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、
   前記半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の状態監視基準値データを取得する第１手段と、
   前記ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、前記ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値を加算してｎ個の上限許容値データを取得する第２手段と、
   前記ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、前記ｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値を減算してｎ個の下限許容値データを取得する第３手段と、
   前記ｎ個の上限許容値データ及び前記ｎ個の下限許容値データを用いて前記半導体製造装置の第２稼動時の状態監視を行う第４手段と、
   を具備することを特徴とする監視装置。
   ただし、ｎは１以上の整数である。
9. 請求項８において、
   前記第４手段は、
   前記半導体製造装置の第２稼動時における前記基準時からｎ個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第１エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第２エラーデータとしてカウントし、前記第１及び第２エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする監視装置。
10. 半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、
    前記半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の上限許容値データ、及び前記ｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の下限許容値データを取得する手段と、
    前記半導体製造装置の第２稼動時における前記基準時からｎ個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第１エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記ｎ個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第２エラーデータとしてカウントし、前記第１及び第２エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記半導体製造装置の状態異常として判定する手段と、
    を具備することを特徴とする監視装置。
    ただし、ｎは１以上の整数である。
11. 請求項１０において、
    前記ｎ個の上限許容値データ及び前記ｎ個の下限許容値データを取得する手段は、
    前記半導体製造装置の第１稼動時における基準時からｎ個の時間それぞれに対応するｎ個の状態監視基準値データを取得する第１手段と、
    前記ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、前記ｎ個の時間それぞれに対応する第１許容値を加算してｎ個の上限許容値データを取得する第２手段と、
    前記ｎ個の状態監視基準値データそれぞれに、前記ｎ個の時間それぞれに対応する第２許容値を減算してｎ個の下限許容値データを取得する第３手段を具備することを特徴とする監視装置。
12. 請求項８、９及び１１のいずれか一項において、
    前記第１手段は、
    前記半導体製造装置の第１稼動時における前記基準時からｎ個の時間それぞれに出力されたｎ個の状態監視信号データを取得するＡ手段と、
    前記Ａ手段をｍ回繰り返すことによって前記ｎ個の状態監視信号データそれぞれをｍ個取得するＢ手段と、
    前記Ｂ手段によって前記ｍ個取得した前記ｎ個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することにより前記ｎ個の状態監視基準値データを取得するＣ手段を有することを特徴とする監視装置。
    ただし、ｍは２以上の整数である。

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