JP5998562B2 - 半導体装置の製造方法及び監視装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び監視装置 Download PDF

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Description

本発明は、半導体製造装置の状態を監視する半導体装置の製造方法及び監視装置に関する。
プラズマ処理装置などの半導体製造装置が正常に稼働しているかについて監視装置によって監視することが行われている(特許文献1、2参照)。例えば、生産現場において、生産装置からの状態監視信号を監視装置で受信し、その状態監視信号の良否判定を監視装置によって行うことにより、その生産装置が正常に稼働しているか否かを判定する。良否判定では、単位時間当たりの平均値、単位時間当たりの最大値、最小値、閾値に対する逸脱の有無、波形マッチング等が用いられる。監視装置において生産装置が正常に稼働していないと判定された場合は、生産装置を停止させ、その原因を調べる必要がある。
図10は、プラズマCVD装置からの監視装置へ出力される状態監視信号(信号電圧)と時間の関係の一例を示す図である。開始点は高周波電圧の印加が開始され、CVD成膜が開始される点である。点線は状態監視信号が良(OK)と判定される信号であり、実線は状態監視信号が否(NG)と判定される信号である。
図10に示すような信号挙動では、信号電圧が安定しているB部での単純な閾値による良否判定が困難である。このような信号挙動では、B部のような単純な時間経過による安定性だけを監視するのでは十分ではなく、A部のような信号電圧の変化の仕方を監視する必要がある。しかし、信号電圧の変化が激しいA部において良否判定を行うためには、大掛かりで非常に高価な監視装置が必要となったり、監視装置や生産装置への改造に高額費用が発生したりするため、生産現場での展開が難しい。
特開2003−121472号公報 特開2002−313729号公報
本発明の幾つかの態様は、簡易的な構造で安価に半導体製造装置の状態を監視できる監視装置、または監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法に関連している。
本発明の一態様は、監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、工程は、半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを監視装置が取得する第1工程と、n個の状態監視基準値データそれぞれに、n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを監視装置が取得する第2工程と、n個の状態監視基準値データそれぞれに、n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを監視装置が取得する第3工程と、n個の上限許容値データ及びn個の下限許容値データを用いて半導体製造装置の第2稼動時の状態監視を監視装置によって行う第4工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
ただし、nは1以上の整数である。
また、本発明の一態様において、第4工程は、前記半導体製造装置の第2稼動時における基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを監視装置が取得し、状態監視信号データを取得した順にn個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、監視装置が半導体製造装置の状態異常として判定するとよい。
本発明の一態様は、監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、工程は、半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の上限許容値データ、及びn個の時間それぞれに対応するn個の下限許容値データを監視装置が取得し、半導体製造装置の第2稼動時における基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを監視装置が取得し、状態監視信号データを取得した順にn個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、状態監視信号データを取得した順にn個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、監視装置が半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
ただし、nは1以上の整数である。
また、本発明の一態様において、監視装置がn個の上限許容値データ及びn個の下限許容値データを取得することは、半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを監視装置が取得する第1工程と、n個の状態監視基準値データそれぞれに、n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを監視装置が取得する第2工程と、n個の状態監視基準値データそれぞれに、n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを監視装置が取得する第3工程を具備するとよい。
また、本発明の一態様において、第1工程は、半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに出力されたn個の状態監視信号データを監視装置が取得するA工程と、A工程をm回繰り返すことによってn個の状態監視信号データそれぞれを監視装置がm個取得するB工程と、B工程によってm個取得したn個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することによりn個の状態監視基準値データを監視装置が取得するC工程を有するとよい。ただし、mは2以上の整数である。
また、本発明の一態様において、n個の時間それぞれに対応する第1許容値及びn個の時間それぞれに対応する第2許容値の少なくとも一方が一定値であるとよい。
また、本発明の一態様において、状態異常として判定した後に、監視装置が異常判定信号を半導体製造装置へ出力する、または監視装置が異常を表示するとよい。
本発明の一態様は、半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを取得する第1手段と、n個の状態監視基準値データそれぞれに、n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを取得する第2手段と、n個の状態監視基準値データそれぞれに、n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを取得する第3手段と、n個の上限許容値データ及びn個の下限許容値データを用いて半導体製造装置の第2稼動時の状態監視を行う第4手段と、を具備することを特徴とする監視装置である。
ただし、nは1以上の整数である。
また、本発明の一態様において、第4手段は、半導体製造装置の第2稼動時における基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、状態監視信号データを取得した順にn個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、状態監視信号データを取得した順にn個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、半導体製造装置の状態異常として判定するとよい。
本発明の一態様は、半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の上限許容値データ、及びn個の時間それぞれに対応するn個の下限許容値データを取得する手段と、半導体製造装置の第2稼動時における基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、状態監視信号データを取得した順にn個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、状態監視信号データを取得した順にn個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外である状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、半導体製造装置の状態異常として判定する手段と、を具備することを特徴とする監視装置である。
ただし、nは1以上の整数である。
また、本発明の一態様において、n個の上限許容値データ及びn個の下限許容値データを取得する手段は、半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを取得する第1手段と、n個の状態監視基準値データそれぞれに、n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを取得する第2手段と、n個の状態監視基準値データそれぞれに、n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを取得する第3手段を具備するとよい。
また、本発明の一態様において、第1手段は、半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに出力されたn個の状態監視信号データを取得するA手段と、A手段をm回繰り返すことによってn個の状態監視信号データそれぞれをm個取得するB手段と、B手段によってm個取得したn個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することによりn個の状態監視基準値データを取得するC手段を有するとよい。ただし、mは2以上の整数である。
(A)は本発明の一態様に係る生産装置9及びその監視装置8を示す模式図、(B)は図1(A)に示す監視装置8を示す構成図。 基準波形を取得するためのフローチャート(アルゴリズム)。 基準波形を取得する手順を示す図。 基準波形の作製方法を説明するための図。 監視・判定を行うためのフローチャート(アルゴリズム)。 監視・判定を行う手順を示す図。 監視・判定を説明するための図。 (A)は正常判定された一例を示す図、(B)は異常判定された一例を示す図。 (A)は正常判定された一例を示す図、(B)は異常判定された一例を示す図。 プラズマCVD装置からの監視装置へ出力される状態監視信号(信号電圧)と時間の関係の一例を示す図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図1(A)は、本発明の一態様に係る生産装置9及びその監視装置8を示す模式図である。生産装置9は例えば半導体製造装置である。生産装置9からの電気信号(電圧、電流等)が開始信号a及び状態監視信号bとして監視装置8へ入力され、監視装置8においてその電気信号がA/D変換されてマイコン等へ取り込まれる。マイコンは、演算、記憶、比較処理を行う。I/Oにより、良否判定の結果報告(異常判定信号c等)がマイコンから出力され、マイコンへの操作入力が受けられる。
図1(B)は、図1(A)に示す監視装置8を示す構成図である。この監視装置8は、状態監視信号bが入力される入力アンプ1と、開始信号aが入力されるA/D変換部2を有している。入力アンプ1によって増幅され、A/D変換部2によって変換された状態監視信号bが、演算部3、記憶部4、比較部5それぞれで処理されることにより良否判定が行われる。その良否判定の結果は表示部6で表示され、生産装置9の状態が異常と判定された場合はマイコンから出力部7へ出力され、出力部7から異常判定信号cが生産装置9へ出力される。
次に、図1に示す生産装置の監視装置を用いて生産装置の稼働状態の良否判定を行う方法について、図2〜図9を参照しつつ説明する。
[基準波形取得]
まず始めに対象信号である生産装置からの状態監視信号の定常状態である基準波形を記憶し、この基準波形を判定の基準とする。基準波形は、生産目的に応じて適宜取得してもよいが、例えば生産装置の状態が変わるとき、メンテナンスの直後に取得してもよい。
図2は、基準波形を取得するためのフローチャート(アルゴリズム)である。図3は、基準波形を取得する手順を示す図である。図4は、基準波形の作製方法を説明するための図である。
まず、監視装置8は開始信号待ちの状態から取得開始信号(図1のa)をA/D変換部2で受信する(図2のS1、図3の1参照)。取得開始信号を受信した時が状態監視信号(図1のb)を監視装置8の入力アンプ1が取得するための基準時となる。
次に、所定の時間間隔で、入力信号のA/D変換を行い、A/D変換したデータを所定の数(n)保存する(図2のS2,S3、図3の2,3参照)。つまり、生産装置の第1稼動時における開始信号受信時(基準時)からn個の時間(t1、t2、t3、t4、t5、t6・・・tn)それぞれに出力されたn個の状態監視信号のデータを監視装置8が取得する(図4参照)。なお、nは1以上の整数である。
詳細には、生産装置9からの状態監視信号bである入力信号が、開始信号受信時からt1、t2、t3、t4、t5、t6・・・のタイミングで順に、入力アンプ1を通してA/D変換部2に入力され、A/D変換され、A/D変換したデータは順に記憶部4に記憶される(図1及び図4参照)。
次の取得開始信号をA/D変換部2で受信し、所定の時間間隔で、入力信号のA/D変換を行い、保存データへ加算し、これをm回まで行い、加算保存されたデータの平均化、再保存する(図2のS4,S5,S6、図3の4,5参照)。つまり、生産装置の次の第1稼動時における開始信号受信時(基準時)からn個の時間(t1、t2、t3、t4、t5、t6・・・tn)それぞれに出力されたn個の状態監視信号データを監視装置8が取得する。そして、n個の状態監視信号データの取得をm回繰り返すことによってn個の状態監視信号データそれぞれを監視装置がm個取得し、これによってm個取得したn個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することによりn個の状態監視基準値データを監視装置8が取得する(図4参照)。
詳細には、次の取得開始信号(図1のa)をA/D変換部2で受信し、生産装置9からの状態監視信号bである入力信号が、開始信号受信時からt1、t2、t3、t4、t5、t6・・・のタイミングで順に、入力アンプ1を通してA/D変換部2に入力される。そして、A/D変換されたデータは、順に記憶部4に記憶され、記憶部4に記憶されている前の対応するデータに演算部3によって加算され、その加算されたデータは記憶部4に記憶される。これをm回繰り返し、加算され記憶されたm個のデータは演算部3によって平均化されることで、n個の状態監視基準値データ(基準となる信号d1〜dn)が記憶部4に記憶される(図1及び図4参照)。
次に、記憶部4に記憶されているn個の状態監視基準値データそれぞれに、演算部3によってn個の時間それぞれに対応する第1許容値(例えばx)を加算してn個の上限許容値データ(d1+x〜dn+x)を取得し、記憶部4に記憶する。次に、記憶部4に記憶されているn個の状態監視基準値データそれぞれに、演算部3によってn個の時間それぞれに対応する第2許容値(例えばy)を減算してn個の下限許容値データ(d1−y〜dn−y)を取得し、記憶部4に記憶する(図2のS7,S8,S9、図3の6、図4参照)。
このようにしてn個の時間それぞれに対応するn個の上限許容値データ(d1+x〜dn+x)と、n個の時間それぞれに対応するn個の下限許容値データ(d1−y〜dn−y)からなる監視範囲を生成することができる。
なお、本実施の形態では、第1許容値及び第2許容値の両者を一定値としているが、第1許容値及び第2許容値のいずれか一方を一定値としてもよいし、第1許容値及び第2許容値の両者を一定値としなくてもよい。
[監視・判定]
次に、監視装置8は開始信号待ちの状態から取得開始信号(図1のa)を受信する(図5のS11、図6の1参照)。取得開始信号を受信した時が状態監視信号(図1のb)を監視装置8の入力アンプ1が取得するための基準時となる。
次に、所定の時間間隔で、入力信号のA/D変換を行い、A/D変換して取得したデータを該当するデータ番号の上限値、下限値と比較判定し、その判定結果でNGとなった場合、エラーカウントを1プラスし、これをn回目まで繰り返す(図5のS12〜S15、図6の2〜5参照)。
つまり、生産装置の第2稼動時における開始信号受信時(基準時)からn個の時間(t1、t2、t3、t4、t5、t6・・・tn)それぞれに出力されたn個の状態監視信号データを監視装置8が取得し、その状態監視信号データを取得した順にn個の時間それぞれに対応する上限許容値データと比較し、上限許容値データの許容範囲外である場合は第1エラーデータとしてカウントする。また、状態監視信号データを取得した順にn個の時間それぞれに対応する下限許容値データと比較し、下限許容値データの許容範囲外であるか否かを判定し、下限許容値データの許容範囲外である場合は第2エラーデータとしてカウントする(図7参照)。なお、nは1以上の整数である。
詳細には、生産装置9からの状態監視信号bである入力信号が、開始信号受信時からt1、t2、t3、t4、t5、t6・・・のタイミングで順に、入力アンプ1を通してA/D変換部2に入力され、A/D変換して取得されたデータ(s1、s2、s3、s4、・・・sn)は順に記憶部4に記憶される。そして、取得したデータs1と上限許容値d1+x及び下限許容値d1−yを比較部5によって比較し、上限許容値と下限許容値のいずれかが許容範囲外であると判定した場合はエラーカウントを1プラスし、このような比較を取得したデータs2、s3、s4、・・・snの順に行い、判定の結果をエラーカウントしていく(図1及び図7参照)。なお、図7では、取得したデータs4が上限許容値d4+xを超えているため、データs4の判定結果によりエラーカウントが1プラスされる。
上記のエラーカウントが規定値を超えた場合、生産装置9へ異常判定信号を出力部7によって出力する、または監視装置9が異常を表示部6によって表示する。エラーカウントが規定値以内であれば、カウントをクリアして、図6の1から繰り返す(図1、図5のS16、図6の6参照)。
つまり、上記の第1及び第2エラーデータの合計数が一定数(規定値)を超えた時に、生産装置9の状態異常として判定し、監視装置8が異常判定信号を生産装置9へ出力する、または監視装置8が異常を表示する。異常判定信号を生産装置9へ出力する場合、装置をすぐに停止させてもよいし、所定の処理まで行った後に停止させてもよい。本実施の形態では、n個の状態監視信号データを取得・比較判定してから、エラーカウントが規定値を超えたかどうか判定しているが、これに限定されない。状態監視信号データを1個取得する毎に比較判定及びエラーカウントが規定値を超えたかどうか判定を行い、規定値を超えた場合は、n個の状態監視信号データを取得し終える前に、異常判定信号を出力してもよい。
本実施の形態によれば、正常時の信号データを取得し、1点ごとの上下許容値を演算し、監視データを取得し、許容値判定しながら、許容値を逸脱した個数で正否判定することができる。また、基準に基づく監視許容値データを保存し、順次比較判定することで処理の軽減を図ることができる。
また、本実施の形態による監視装置は、小型、汎用部品で実現できるため、量産に適しており、生産装置の変化状態の制約が少なく、汎用性があるという利点がある。
また、本実施の形態では、ワンチップマイコンでも実現可能であり、小型、低消費電力に優れ、安価であることから、量産性に有利である。
図8(A)は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、正常判定された一例を示す図である。上限許容値線と下限許容値線の間に取得データ値線が引かれており、生産装置の状態が正常と判定される。
図8(B)は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、異常判定された一例を示す図である。取得データ値線が下限許容値線の下限から外れ、上限許容値線の上限から外れており、生産装置の状態が異常と判定される。
図9(A)は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、正常判定された一例を示す図である。上限許容値線と下限許容値線の間に取得データ値線が引かれており、生産装置の状態が正常と判定される。
図9(B)は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、異常判定された一例を示す図である。取得データ値線が上限許容値線の上限から外れており、生産装置の状態が異常と判定される。
図1に示す監視装置8は、前述したような基準波形取得及び監視・判定それぞれを行う手段を有しており、これらの手段は当業者であれば理解することができる。
また、図1に示す生産装置の具体例としては、表1に示すようなプラズマCVD装置、プラズマエッチング装置、塗布装置などの半導体製造装置が挙げられる。監視装置8が監視する対象の構成要素としては、RF源、MFC(マスフローコントローラー)、ヒーター、チャンバー、薬液ポンプ、スピンモーターなどが挙げられる。また、監視装置8が監視する物理量及び状態監視・判定の目的としては、表1に示すとおりである。表1に示す物理量パラメーターは構成要素から電圧信号として取り出すことができる。従って、本発明の一態様は、表1に示す半導体製造装置に適用することが可能である。
Figure 0005998562
1…入力アンプ、2…A/D変換部、3…演算部、4…記憶部、5…比較部、6・・・表示部、7・・・出力部、8…監視装置、9…生産装置

Claims (12)

  1. 監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、
    前記工程は、
    前記半導体製造装置のメンテナンスの直後を含む第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを前記監視装置が取得する第1工程と、
    前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを前記監視装置が取得する第2工程と、
    前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを前記監視装置が取得する第3工程と、
    前記n個の上限許容値データ及び前記n個の下限許容値データを用いて前記半導体製造装置の前記第1稼働時より後の第2稼動時の状態監視を前記監視装置によって行う第4工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
    ただし、nは1以上の整数である。
  2. 請求項1において、
    前記第4工程は、
    前記半導体製造装置の第2稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを前記監視装置が取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、前記第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記監視装置が前記半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、
    前記工程は、
    前記半導体製造装置のメンテナンスの直後を含む第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の上限許容値データ、及び前記n個の時間それぞれに対応するn個の下限許容値データを前記監視装置が取得し、
    前記半導体製造装置の前記第1稼働時より後の第2稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを前記監視装置が取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、前記第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記監視装置が前記半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
    ただし、nは1以上の整数である。
  4. 請求項3において、
    前記監視装置が前記n個の上限許容値データ及び前記n個の下限許容値データを取得することは、
    前記半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを前記監視装置が取得する第1工程と、
    前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを前記監視装置が取得する第2工程と、
    前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを前記監視装置が取得する第3工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 請求項1、2及び4のいずれか一項において、
    前記第1工程は、
    前記半導体製造装置の第1稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力されたn個の状態監視信号データを前記監視装置が取得するA工程と、
    前記A工程をm回繰り返すことによって前記n個の状態監視信号データそれぞれを前記監視装置がm個取得するB工程と、
    前記B工程によって前記m個取得した前記n個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することにより前記n個の状態監視基準値データを前記監視装置が取得するC工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
    ただし、mは2以上の整数である。
  6. 請求項1、2、4及び5のいずれか一項において、
    前記n個の時間それぞれに対応する前記第1許容値及び前記n個の時間それぞれに対応する前記第2許容値の少なくとも一方が一定値であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 請求項2乃至4のいずれか一項において、
    前記状態異常として判定した後に、前記監視装置が異常判定信号を前記半導体製造装置へ出力する、または前記監視装置が異常を表示することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、
    前記半導体製造装置のメンテナンスの直後を含む第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを取得する第1手段と、
    前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを取得する第2手段と、
    前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを取得する第3手段と、
    前記n個の上限許容値データ及び前記n個の下限許容値データを用いて前記半導体製造装置の前記第1稼働時より後の第2稼動時の状態監視を行う第4手段と、
    を具備することを特徴とする監視装置。
    ただし、nは1以上の整数である。
  9. 請求項8において、
    前記第4手段は、
    前記半導体製造装置の第2稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、前記第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする監視装置。
  10. 半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、
    前記半導体製造装置のメンテナンスの直後を含む第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の上限許容値データ、及び前記n個の時間それぞれに対応するn個の下限許容値データを取得する手段と、
    前記半導体製造装置の前記第1稼働時より後の第2稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、前記第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記半導体製造装置の状態異常として判定する手段と、
    を具備することを特徴とする監視装置。
    ただし、nは1以上の整数である。
  11. 請求項10において、
    前記n個の上限許容値データ及び前記n個の下限許容値データを取得する手段は、
    前記半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを取得する第1手段と、
    前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを取得する第2手段と、
    前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを取得する第3手段を具備することを特徴とする監視装置。
  12. 請求項8、9及び11のいずれか一項において、
    前記第1手段は、
    前記半導体製造装置の第1稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力されたn個の状態監視信号データを取得するA手段と、
    前記A手段をm回繰り返すことによって前記n個の状態監視信号データそれぞれをm個取得するB手段と、
    前記B手段によって前記m個取得した前記n個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することにより前記n個の状態監視基準値データを取得するC手段を有することを特徴とする監視装置。
    ただし、mは2以上の整数である。
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