KR102126937B1 - 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 40
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0216—Continuous control
- H03F1/0233—Continuous control by using a signal derived from the output signal, e.g. bootstrapping the voltage supply
- H03F1/0238—Continuous control by using a signal derived from the output signal, e.g. bootstrapping the voltage supply using supply converters
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- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04W64/00—Locating users or terminals or network equipment for network management purposes, e.g. mobility management
- H04W64/006—Locating users or terminals or network equipment for network management purposes, e.g. mobility management with additional information processing, e.g. for direction or speed determination
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- H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
- H04W88/00—Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
- H04W88/18—Service support devices; Network management devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
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- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2242/00—Auxiliary systems
- H05H2242/20—Power circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
본 발명에 따른 역방향 전력 저감 방법은 플라즈마 부하로부터 고주파 전력 증폭부로 반사되는 역방향 전력을 저감하는 방법에 있어서, 컨트롤러는 상기 고주파 전력 증폭부로부터 출력되는 출력 주파수 기울기의 부호를 판단하는 출력 주파수 기울기 판단 단계; 상기 컨트롤러는 상기 플라즈마 부하로부터 상기 고주파 전력 증폭부로 반사되는 역방향 전력 기울기의 부호를 판단하는 역방향 전력 기울기 판단 단계; 상기 컨트롤러는 상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 조합에 따라 주파수 변화량의 증감을 결정하는 주파수 변화량 증감 결정 단계; 상기 컨트롤러는 상기 주파수 변화량을 이용하여 상기 출력 주파수를 갱신하는 갱신 단계; 및 상기 컨트롤러는 반사계수가 소정의 반사기준치보다 크고, 상기 주파수 변화량이 소정의 변동폭 설정치보다 작으면, 험프 탈출을 위해 상기 출력 주파수를 변경하는 출력 주파수 변경 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 플라즈마 전력 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 전력 장치에서 역방향 전력을 저감하는 방법에 관한 것이다.
플라스마 에칭(plasma etching)은 반도체 제조 공정에서 빈번히 사용된다. 플라스마 에칭에서, 이온은 기판 상에 노출된 표면을 에칭하기 위하여 전계(electric field)에 의해 가속된다. 전계는 고주파 전력 시스템의 고주파 발생기에 의해 발생되는 고주파 신호들에 따라 발생된다. 고주파 발생기에 의해 발생되는 고주파 신호들은 플라스마 에칭을 효율적으로 실행하도록 정밀하게 제어되어야 한다.
고주파 전력 시스템은 고주파 발생기, 임피던스 매처(Impedance matcher), 및 플라스마 챔버를 포함할 수 있다. 고주파 신호는 집적회로(IC)들, 솔라 패널, 콤팩트 디스크(CD), 및/또는 DVD와 같은 다양한 부품들을 제조하기 위하여 부하를 구동하도록 사용된다.
고주파 신호는 임피던스 매처에 수신된다. 임피던스 매처는 임피던스 매처의 입력 임피던스를 고주파 발생기와 임피던스 매처 사이의 전송 라인의 특성 임피던스에 매칭한다. 임피던스 매칭은 플라스마 챔버를 향하여 순방향으로 공진 네트워크에 인가되는 임피던스 매처의 전력량("순방향 전력")을 최소화하는 데에 도움을 주며, 임피던스 매처로부터 고주파 발생기로 반사되는 전력량("역방향 전력")을 최소화하는 데에 도움을 준다. 임피던스 매처의 입력 임피던스가 전송 라인의 특성 임피던스와 일치할 때 고주파 발생기로부터 플라즈마 챔버로의 순방향 전력 출력을 최대화되고 역방향 전력이 최소화될 수 있다.
고주파 전력을 공급함에 있어서, 일반적으로 고주파 신호를 부하에 인가하는 두 가지 방식이 있다. 첫째, 전통적인 방식은 연속파 신호를 부하에 인가하는 것이다. 연속파 모드에서, 연속파 신호는 일반적으로 전원 공급부가 부하에 지속적으로 출력하는 정현파이다. 연속파 방식에서, 고주파 신호는 정현파 출력을 가정하고, 정현파의 진폭 및/또는 주파수는 부하에 인가된 출력 전력을 변화시키기 위해 변화될 수 있다.
고주파 신호를 부하에 인가하는 다른 방식은 펄스 형태의 고주파 신호이다. 펄스 동작 모드에서, 고주파 정현파 신호는 변조된 정현파 신호에 대한 엔벌로프를 규정하기 위해 변조 신호에 의해 변조된다. 종래의 펄스 변조 방식에서, 고주파 정현파 신호는 전형적으로 일정한 주파수 및 진폭으로 출력된다. 부하로 전달되는 전력은 정현파, 고주파 신호를 변화시키는 것이 아니라 상기 변조 신호를 변화시킴으로써 변화된다.
일반적인 고주파 전력 공급부 구성에서, 부하에 인가되는 출력 전력은 부하에 인가되는 고주파 신호의 순방향 전력 및 반사 전력을 측정하거나 전압 및 전류를 측정하는 센서를 사용하여 결정된다. 이들 신호 중 하나의 세트는 일반적인 피드백 루프에서 분석된다. 이러한 분석은 일반적으로 부하에 인가된 전력을 변화시키기 위해 고주파 전력 공급부의 출력을 조절하는 데에 사용되는 전력 값을 결정한다. 부하가 플라즈마 챔버인 고주파 전력 전달 시스템에서, 부하 임피던스의 변화는, 인가된 전력이 부분적으로 부하 임피던스의 함수이기 때문에, 부하에 인가되는 대응하는 가변적인 전력을 야기한다.
또한, 연속파 고주파 전력 전달 시스템으로부터 펄스 고주파 전력 전달 시스템으로의 천이는 추가적인 과제를 제시한다. 전형적인 플라즈마 시스템에서, 플라즈마에서 소비되는 전력은 플라즈마의 임피던스에 의존한다. 임피던스가 고주파 펄스(예, 1kHz - 10kHz의 범위)의 타임 스케일로 변화되는 경우, 펄스들 사이에서 플라즈마를 끄지 않도록 하기 위해, 임피던스 매처 및 고주파 발생기 내에서의 센서와 액추에이터가 유사한 타임스케일로 반응하여 플라즈마 부하로의 최적의 전력 결합을 제공해야 한다. 또한, 임피던스의 시간 응답은 플라즈마 의존적이며 화학물질, 압력 및 전력 결합과 같은 인자들에 따라 변한다. 또한, 고주파 결합 안테나 또는 정합 시스템에서의 저항 손실과 같은 플라즈마 외부의 다양한 기생 요소들은 펄스 주기 동안 시간에 따라 변화하는 전력 결합 효율을 나타내는데, 그 이유는 기생 요소들이 시간에 따라 변하는 임피던스 부하와 직렬 연결된 일정하게 소비되는 임피던스이기 때문이다. 또한, 전송 및 반사 전력 센서와 고주파 발생기는 일반적으로 매칭된 종단을 위해서 보정되므로, 임피던스 불일치로 인한 전력 보상이 전력 전달에서의 변동성 증가에 기여할 수 있다.
또한, 임피던스 과도 현상의 영향을 최소화하기 위해 임피던스 매처에서의 임피던스 액추에이터의 해당 위치를 예측하는 것과 주파수 측정 간의 프로세스 동기화를 달성하는 것이 중요하다. 또한, 목표 주파수를 달성할 때 프로세스 재현성 및 반속성을 실현하는 것이 더욱 어려워진다.
현재의 고주파 전력 생성 시스템에서, 고주파 전력 발생기와 부하 간의 임피던스 정합을 달성하기 위해, 고주파 신호의 주파수는 선택된 목표 주파수 또는 중심 주파수를 중심으로 기 설정된 범위 내에서 조정될 수 있다. 이러한 주파수 기반 임피던스 조정을 무선 주파수 조정(RFT: Radio Frequency Tuning)이라고 한다. 일부 RFT 구성에서, 고주파 신호의 주파수는 미리 정해진 범위의 한계치를 향해서 조정될 수 있다.
본 발명은 최소 반사 전력의 매칭 주파수를 신속하게 추적할 수 있는 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치를 제공함에 목적이 있다.
또한, 본 발명은 험프로부터 탈출이 쉬운 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치를 제공함에 다른 목적이 있다.
본 발명에 따른 역방향 전력 저감 방법은 플라즈마 부하로부터 고주파 전력 증폭부로 반사되는 역방향 전력을 저감하는 방법에 있어서, 컨트롤러는 상기 고주파 전력 증폭부로부터 출력되는 출력 주파수 기울기의 부호를 판단하는 출력 주파수 기울기 판단 단계; 상기 컨트롤러는 상기 플라즈마 부하로부터 상기 고주파 전력 증폭부로 반사되는 역방향 전력 기울기의 부호를 판단하는 역방향 전력 기울기 판단 단계; 상기 컨트롤러는 상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 조합에 따라 주파수 변화량의 증감을 결정하는 주파수 변화량 증감 결정 단계; 상기 컨트롤러는 상기 주파수 변화량을 이용하여 상기 출력 주파수를 갱신하는 갱신 단계; 및 상기 컨트롤러는 반사계수가 소정의 반사기준치보다 크고, 상기 주파수 변화량이 소정의 변동폭 설정치보다 작으면, 험프 탈출을 위해 상기 출력 주파수를 변경하는 출력 주파수 변경 단계를 포함한다.
또한, 상기 컨트롤러는, 상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 곱이 양이면, 상기 주파수 변화량을 감소시키고, 상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 곱이 음이면, 상기 주파수 변화량을 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 주파수 변화량의 증가/감소분은 상기 반사계수 및 상기 역방향 전력 기울기에 의해 결정될 수 있다.
또한, 상기 출력 주파수 변경 단계에서, 상기 컨트롤러는, 상기 출력 주파수를 증가시켜 상기 험프 탈출을 시도하는 스텝; 및 상기 출력 주파수를 감소시켜 상기 험프 탈출을 시도하는 스텝을 번갈아 수행할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 역방향 전력을 저감하는 플라즈마 전력 장치는, 증폭 제어 신호에 제어되어 소정 레벨의 직류 전압을 증폭하여 펄스 파형의 고주파 신호를 생성하는 고주파 전력 증폭부; 매칭 주파수 제어 신호에 제어되어 상기 고주파 전력 증폭부와 부하 사이의 임피던스를 소정의 매칭 주파수로 매칭시키는 임피던스 매처; 상기 고주파 전력 증폭부와 상기 임피던스 매처 사이에서 순방향 및 역방향 전기 신호를 검출하여 전기적 검출 신호를 출력하는 RF 센서; 및 외부에서 인가되는 컨트롤 신호와, 상기 RF 센서로부터 출력되는 전기적 검출 신호를 이용하여 상기 증폭 제어 신호 및 매칭 주파수 제어 신호를 생성하는 컨트롤러를 포함하고, 상기 컨트롤러는, 상기 고주파 전력 증폭부로부터 출력되는 출력 주파수 기울기의 부호를 판단하고, 상기 플라즈마 부하로부터 상기 고주파 전력 증폭부로 반사되는 역방향 전력 기울기의 부호를 판단하고, 상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 조합에 따라 주파수 변화량의 증감을 결정하고, 상기 주파수 변화량을 이용하여 상기 출력 주파수를 갱신하고, 반사계수가 소정의 반사기준치보다 크고, 상기 주파수 변화량이 소정의 변동폭 설정치보다 작으면, 험프 탈출을 위하여 상기 출력 주파수를 변경하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치는 최소 반사 전력의 매칭 주파수를 신속하게 추적할 수 있고, 험프로부터 탈출이 쉬운 유리함이 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 전력 장치의 전체 블록도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 무선 주파수 조정 그래프, 및
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 무선 주파수 조정 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 무선 주파수 조정 그래프, 및
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 무선 주파수 조정 흐름도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구체적인 실시예가 설명된다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대하여 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 전력 장치의 전체 블록도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 전력 장치는 DC/DC 컨버터(110), 고주파 전력 증폭부(120), RF 센서(130), 임피던스 매처(140), 컨트롤러(150), 및 플라즈마 부하(160)를 포함한다.
DC/DC 컨버터(115)는 컨트롤러(150)로부터 출력되는 전압 제어 신호(Vcon)에 제어되어 인가되는 제1 직류 전압을 제2 직류 전압으로 변환한다. 여기서, 제2 직류 전압은 다양한 레벨의 전압일 수 있다.
고주파 전력 증폭부(120)는 DC-DC 컨버터(110)로부터 출력되는 제2 직류 전압을 증폭하여 펄스 파형의 고주파 신호를 생성한다. 본 발명에 따르면, 고주파 전력 증폭부(120)의 출력 주파수를 측정하는 대신 내부의 DDS(Direct Digital Synthesizer, 미도시)를 통해 전기적 신호를 제어함으로써 출력 주파수를 변경할 수 있다.
RF 센서(130)는 고주파 전력 증폭부(120)와 임피던스 매처(140) 사이에 배치되고, 순방향 및 역방향 전기적 신호를 검출하여 전기적 검출 신호를 출력한다. 여기서, 전기적 검출 신호는 검출전류값(Is), 검출전압값(Vs), 고주파 전력 증폭부(120)로부터 부하(160, 플라즈마 챔버)로 공급되는 순방향 전력(Pfwd), 및 부하(160)로부터 고주파 전력 증폭부(120)로 반사되는 역방향 전력(Prev) 중 적어도 어느 하나 이상일 수 있다.
임피던스 매처(140)는 고주파 전력 증폭부(120)와 부하(160) 사이에 결합되고, 컨트롤러(150)로부터 출력되는 매칭 주파수 제어 신호(Smat)에 제어되어 고주파 전력 증폭부(120)와 부하(160) 사이의 임피던스를 소정의 매칭 주파수로 매칭시킨다.
컨트롤러(150)는 외부에서 인가되는 컨트롤 신호(Scon)와 RF 센서(130)로부터 출력되는 전기적 검출 신호를 이용하여 순방향 전력 제어 알고리즘을 실행함으로써 전압 제어 신호(Vcon)와, 증폭 제어 신호(Pcon)를 출력하고, 주파수 가변 임피던스 매칭 알고리즘을 실행함으로써 매칭 주파수 제어 신호(Smat)를 생성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 자동 출력 주파수 조정 그래프이다.
본 발명의 일실시예에 따른 자동 출력 주파수 조정 그래프를 참조하면, 고주파 전력 증폭부(120)의 출력 주파수(fout)가 최적 주파수(foptimum)에 도달하기까지 역방향 전력(Prev)은 줄어들게 된다. 그런데, 도 2에 도시된 바와 같이, 부하에 따라 출력 주파수의 소정 구간에서는 역방향 전력(Prev)이 증가하였다가 감소하는 현상이 나타날 수 있고, 험프(hump)를 넘어서야 최적 주파수(foptimum)에 도달할 수 있다.
예컨대, 출력 주파수(fout)가 증가하면서 역방향 전력(Prev)이 감소하는 구간(①)에서 출발하면 출력 주파수(fout)가 증가하면서 역방향 전력(Prev)이 증가하는 구간(②)을 넘어서야 최적 주파수(foptimum)에 도달할 수 있다.
또는, 출력 주파수(fout)가 감소하면서 역방향 전력(Prev)이 감소하는 구간(③)에서 출발하면 출력 주파수(fout)가 감소하면서 역방향 전력(Prev)이 증가하는 구간(④)을 넘어서야 최적 주파수(foptimum)에 도달할 수 있다.
이와 같이 험프(hump)를 탈출할 수 있는 일실시예로서, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 자동 출력 주파수 조정 흐름도를 나타내며, 본 발명의 일실시예에 따른 자동 출력 주파수 조정 방법은 다음과 같다.
컨트롤러는, 출력 주파수 기울기의 부호와 역방향 전력 기울기의 부호의 곱이 양이면, 주파수 변화량의 부호를 음으로 결정하고, 출력 주파수 기울기의 부호와 역방향 전력 기울기의 부호의 곱이 음이면, 주파수 변화량의 부호를 양으로 결정할 수 있다.
또한, 주파수 변화량은 반사계수와 역방향 전력 기울기에 의해 결정될 수 있다.
컨트롤러(150)는 고주파 전력 증폭부(120)로부터 부하(160)로 공급되는 순방향 전력(Pfwd)과 부하(150)로부터 고주파 전력 증폭부(120)로 반사되는 역방향 전력(Prev)을 측정한다(S310).
컨트롤러(150)는 고주파 전력 증폭부(120)가 현재 자동 주파수 조정 모드(AFT: Auto Frequency Tune mode)를 수행중인지 판단한다(S315).
고주파 전력 증폭부(120)가 현재 자동 주파수 조정을 수행중이면, 순방향 전력과 역방향 전력을 이용하여 반사계수를 계산하고, 현재 역방향 전력과 직전 역방향 전력을 이용하여 역방향 전력 기울기를 계산하고, 현재 출력 주파수와 직전출력 주파수를 이용하여 출력 주파수 기울기를 계산한다(S320).
출력 주파수 기울기의 부호를 판단하고(S325), 역방향 전력 기울기의 부호를 판단한다(S330, S335).
① 출력 주파수가 증가하면서 역방향 전력이 감소하는 경우
출력 주파수 기울기의 부호가 양이고, 역방향 전력 기울기의 부호가 음이면, 컨트롤러(150)는 역방향 전력 기울기 및 반사계수에 비례하는 주파수 변화량 감소분을 계산한다(S340).
② 출력 주파수가 증가하면서 역방향 전력이 증가하는 경우
출력 주파수 기울기의 부호가 양이고, 역방향 전력 기울기의 부호가 양이면, 컨트롤러(150)는 역방향 전력 기울기 및 반사계수에 비례하는 주파수 변화량 증가분을 계산한다(S345).
③ 출력 주파수가 감소하면서 역방향 전력이 감소하는 경우
출력 주파수 기울기의 부호가 음이고, 역방향 전력 기울기의 부호가 음이면, 컨트롤러(150)는 역방향 전력 기울기 및 반사계수에 비례하는 주파수 변화량 증가분을 계산한다(S340).
④ 출력 주파수가 감소하면서 역방향 전력이 증가하는 경우
출력 주파수 기울기의 부호가 음이고, 역방향 전력 기울기의 부호가 양이면, 컨트롤러(150)는 역방향 전력 기울기 및 반사계수에 비례하는 주파수 변화량 감소분을 계산한다(S345).
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 컨트롤러(150)는 반사계수에 소정 값(예: 2, 3)을 승산하거나, 반사계수 대신 반사계수의 제곱근 또는 3제곱근을 사용하여 주파수 변화량을 계산할 수 있다. 이에 따라 주파수 변화를 더 가속화할 수 있다.
컨트롤러(150)는 계산된 주파수 변화량을 이용하여 출력 주파수를 갱신할 수 있다(S350).
컨트롤러(150)는 출력 주파수를 갱신한 후, 반사계수가 반사기준치보다 크고, 주파수 변화량이 변동폭 설정치보다 작은지를 판단한다(S355). 여기서, 변동폭 설정치는 험프를 탈출하기 위해 정한 임의의 크기를 가진 주파수대역이다. 주파수 변화량이 변동폭 설정치보다 크면 험프를 탈출할 수 있다.
반사계수가 반사기준치보다 크고, 주파수 변화량이 변동폭 설정치보다 작으면 단계 S310으로 회귀하여 단계 S310 내지 S355를 n회(n은 자연수) 반복한다(S360).
단계 S310 내지 S355를 수행하는 것이 소정 횟수에 이르렀는지 판단하고(S365), 단계 S310 내지 S355를 수행하는 것이 소정 횟수를 초과하면 카운트를 리셋하고(S370), 출력 주파수를 교번적으로 증감하여 험프 탈출을 위한 출력 주파수를 계산한다(S375). 즉, 출력 주파수를 증가시켜 험프 탈출을 시도하는 Step I과, 출력 주파수를 감소시켜 험프 탈출을 시도하는 Step II를 번갈아 수행한다.
그리고, 단계 S315에서 고주파 전력 증폭부(120)가 자동 주파수 조정 모드(AFT: Auto Frequency Tune mode)를 종료했다고 판단되면(S315), 컨트롤러(150)는 매칭 주파수 제어 신호(Smat)를 출력하여 임피던스 매처(140)가 임피던스 매칭을 수행하도록 한다(S380).
위에서 개시된 발명은 기본적인 사상을 훼손하지 않는 범위 내에서 다양한 변형예가 가능하다. 즉, 위의 실시예들은 모두 예시적으로 해석되어야 하며, 한정적으로 해석되지 않는다. 따라서 본 발명의 보호범위는 상술한 실시예가 아니라 첨부된 청구항에 따라 정해져야 하며, 첨부된 청구항에 한정된 구성요소를 균등물로 치환한 경우 이는 본 발명의 보호범위에 속하는 것으로 보아야 한다.
110 : DC/DC 컨버터
120 : 고주파 전력 증폭부
130 : RF 센서
140 : 임피던스 매처
150 : 컨트롤러
160 : 플라즈마 부하
120 : 고주파 전력 증폭부
130 : RF 센서
140 : 임피던스 매처
150 : 컨트롤러
160 : 플라즈마 부하
Claims (8)
- 플라즈마 부하로부터 고주파 전력 증폭부로 반사되는 역방향 전력을 저감하는 방법에 있어서,
컨트롤러는 상기 고주파 전력 증폭부로부터 출력되는 출력 주파수 기울기의 부호를 판단하는 출력 주파수 기울기 판단 단계;
상기 컨트롤러는 상기 플라즈마 부하로부터 상기 고주파 전력 증폭부로 반사되는 역방향 전력 기울기의 부호를 판단하는 역방향 전력 기울기 판단 단계;
상기 컨트롤러는 상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 조합에 따라 주파수 변화량의 증감을 결정하는 주파수 변화량 증감 결정 단계;
상기 컨트롤러는 상기 주파수 변화량을 이용하여 상기 출력 주파수를 갱신하는 갱신 단계; 및
상기 컨트롤러는 반사계수가 소정의 반사기준치보다 크고, 상기 주파수 변화량이 소정의 변동폭 설정치보다 작으면, 험프 탈출을 위해 상기 출력 주파수를 변경하는 출력 주파수 변경 단계
를 포함하는 역방향 전력 저감 방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 컨트롤러는,
상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 곱이 양이면, 상기 주파수 변화량을 감소시키고,
상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 곱이 음이면, 상기 주파수 변화량을 증가시키는
역방향 전력 저감 방법.
- 청구항 2에 있어서,
상기 주파수 변화량의 증가/감소분은 상기 반사계수 및 상기 역방향 전력 기울기에 의해 결정되는
역방향 전력 저감 방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 출력 주파수 변경 단계에서, 상기 컨트롤러는,
상기 출력 주파수를 증가시켜 상기 험프 탈출을 시도하는 스텝; 및
상기 출력 주파수를 감소시켜 상기 험프 탈출을 시도하는 스텝을
번갈아 수행하는 역방향 전력 저감 방법.
- 증폭 제어 신호에 제어되어 소정 레벨의 직류 전압을 증폭하여 펄스 파형의 고주파 신호를 생성하는 고주파 전력 증폭부;
매칭 주파수 제어 신호에 제어되어 상기 고주파 전력 증폭부와 부하 사이의 임피던스를 소정의 매칭 주파수로 매칭시키는 임피던스 매처;
상기 고주파 전력 증폭부와 상기 임피던스 매처 사이에서 순방향 및 역방향 전기 신호를 검출하여 전기적 검출 신호를 출력하는 RF 센서; 및
외부에서 인가되는 컨트롤 신호와, 상기 RF 센서로부터 출력되는 전기적 검출 신호를 이용하여 상기 증폭 제어 신호 및 매칭 주파수 제어 신호를 생성하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 컨트롤러는, 상기 고주파 전력 증폭부로부터 출력되는 출력 주파수 기울기의 부호를 판단하고, 상기 플라즈마 부하로부터 상기 고주파 전력 증폭부로 반사되는 역방향 전력 기울기의 부호를 판단하고, 상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 조합에 따라 주파수 변화량의 증감을 결정하고, 상기 주파수 변화량을 이용하여 상기 출력 주파수를 갱신하고, 반사계수가 소정의 반사기준치보다 크고, 상기 주파수 변화량이 소정의 변동폭 설정치보다 작으면, 험프 탈출을 위하여 상기 출력 주파수를 변경하는 것
을 특징으로 하는 역방향 전력을 저감하는 플라즈마 전력 장치.
- 청구항 5에 있어서,
상기 컨트롤러는,
상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 곱이 양이면, 상기 주파수 변화량을 감소시키고,
상기 출력 주파수 기울기의 부호와 상기 역방향 전력 기울기의 부호의 곱이 음이면, 상기 주파수 변화량을 증가시키는
역방향 전력을 저감하는 플라즈마 전력 장치.
- 청구항 5에 있어서,
상기 주파수 변화량의 증가/감소분은 상기 반사계수 및 상기 역방향 전력 기울기에 의해 결정되는
역방향 전력을 저감하는 플라즈마 전력 장치.
- 청구항 5에 있어서,
상기 출력 주파수 변경 단계에서, 상기 컨트롤러는,
상기 출력 주파수를 증가시켜 상기 험프 탈출을 시도하는 스텝; 및
상기 출력 주파수를 감소시켜 상기 험프 탈출을 시도하는 스텝을
번갈아 수행하는 역방향 전력을 저감하는 플라즈마 전력 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180153874A KR102126937B1 (ko) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치 |
US16/369,512 US10410834B1 (en) | 2018-12-03 | 2019-03-29 | Reverse power reducing method and plasma power apparatus using the same |
CN201910284172.9A CN111263505B (zh) | 2018-12-03 | 2019-04-10 | 逆功率降低方法及利用其的等离子电力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180153874A KR102126937B1 (ko) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200067021A KR20200067021A (ko) | 2020-06-11 |
KR102126937B1 true KR102126937B1 (ko) | 2020-06-25 |
Family
ID=67845031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180153874A KR102126937B1 (ko) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10410834B1 (ko) |
KR (1) | KR102126937B1 (ko) |
CN (1) | CN111263505B (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2018
- 2018-12-03 KR KR1020180153874A patent/KR102126937B1/ko active
-
2019
- 2019-03-29 US US16/369,512 patent/US10410834B1/en active Active
- 2019-04-10 CN CN201910284172.9A patent/CN111263505B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111263505B (zh) | 2023-06-23 |
CN111263505A (zh) | 2020-06-09 |
US10410834B1 (en) | 2019-09-10 |
CN111263505A8 (zh) | 2020-08-18 |
KR20200067021A (ko) | 2020-06-11 |
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