KR100886739B1 - 전원장치와 이것을 사용한 반도체제조장치 및반도체웨이퍼의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 전원출력의 강도를 설정하는 출력값 설정신호와 상기 출력의 출력 온/오프를 설정하는 출력 온/오프 지령을 받아 상기 전원출력을 행하는 전원장치에 있어서,상기 출력 온/오프 지령이 오프일 때에, 상기 출력의 강도를 검출한 값에 따른 출력 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과하고 있는 것에 응답하여, 다음의 상기 출력 온/오프 지령의 온 설정과 무관하게 상기 전원출력을 정지하는 것을 특징으로 하는 전원장치.
- 제 1항에 있어서,상기 출력은 상기 출력 검출신호를 사용한 폐쇄루프제어를 받고, 상기 출력 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과한 경우는 상기 폐쇄루프제어에 사용하는 신호 중 어느 하나를 제로레벨로 하고, 그것에 의하여 상기 출력을 정지하는 것을 특징으로 하는 전원장치.
- 제 1항에 있어서,상기 출력 온/오프 지령이 오프일 때에, 상기 출력 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과한 경우는, 이상으로 판단하여 이상 검출신호를 출력하는 이상 검출수단을 구비한 것을 특징으로 하는 전원장치.
- 제 1항에 있어서,상기 출력 온/오프 지령이 오프일 때에 상기 출력 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과한 것에 응답하여 이상을 표시하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 전원장치.
- 반도체 웨이퍼를 처리하는 처리실과;상기 반도체 웨이퍼의 처리에 필요한 전류, 전압 또는 전력을 출력하는 전원장치와;상기 전원장치에 대하여 상기 출력의 강도의 설정 및 상기 출력의 출력 온/오프의 설정을 행하는 제어마이크로컴퓨터와;상기 출력을 검출하여 검출한 값에 따른 출력 검출신호를 출력하는 출력 검출수단을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체제조장치에 있어서,상기 출력의 출력 온/오프의 설정이 오프일 때에 상기 출력 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과한 경우는 다음에 처리되는 반도체 웨이퍼의 처리를 정지하는 것을 특징으로 하는 반도체제조장치.
- 반도체 웨이퍼를 처리하는 처리실과;상기 반도체 웨이퍼의 처리에 필요한 전류, 전압 또는 전력을 출력하는 전원장치와;상기 전원장치에 대하여 상기 출력의 강도의 설정 및 상기 출력의 출력 온/오프의 설정을 행하는 제어마이크로컴퓨터와;상기 출력을 검출하여 검출한 값에 따른 출력 검출신호를 출력하는 출력 검출수단과, 조작화면을 가지는 반도체제조장치에 있어서,상기 출력의 출력 온/오프의 설정이 오프일 때에 상기 출력 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과한 것에 응답하여 상기 조작화면상에 이상의 표시를 행하는 이상 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체제조장치.
- 반도체 웨이퍼의 처리에 필요한 전류, 전압 또는 전력의 출력을 공급하는 전원장치에 대하여, 상기 출력의 강도를 설정하는 단계와;상기 출력의 출력 온/오프를 설정하는 단계와;상기 출력을 검출하여 검출한 값에 따른 출력 검출신호를 출력하는 단계; 및상기 출력의 출력 온/오프를 설정하는 단계에서 오프가 설정되어 있을 때에, 상기 출력을 검출하여 검출한 값에 따른 출력 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과한 것에 응답하여 다음에 처리되는 반도체 웨이퍼의 처리를 정지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조방법.
- 반도체 웨이퍼의 처리에 필요한 전류, 전압 또는 전력의 출력을 공급하는 전원장치에 대하여, 상기 출력의 강도를 설정하는 단계와;상기 출력의 출력 온/오프를 설정하는 단계와;상기 출력을 검출하여 검출한 값에 따른 출력 검출신호를 출력하는 단계; 및상기 출력의 출력 온/오프를 설정하는 단계에서 오프를 설정하고 있을 때에, 상기 출력을 검출하여 검출한 값에 따른 출력 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과한 것에 응답하여 이상 발생으로 판단하여 이상의 표시를 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 제조방법.
- 반도체 웨이퍼를 처리하는 처리실과;상기 반도체 웨이퍼의 처리에 필요한 전류, 전압 또는 전력의 출력을 공급하는 전원장치와;상기 전원장치에 대하여 상기 출력의 강도의 설정 및 상기 출력의 출력 온/오프의 설정을 행하는 제어마이크로컴퓨터와;상기 출력을 검출하여 검출한 값에 따른 출력 검출신호를 출력하는 출력 검출수단과;상기 출력의 출력 온/오프의 설정이 오프일 때에 상기 출력 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과한 것에 응답하여 이상 발생신호를 발생하는 수단과;상기 이상 발생신호를 발생하는 수단과 결합되어 상기 이상 발생신호에 의거하여 다음에 처리되는 반도체 웨이퍼의 처리를 정지하도록 상기 전원장치로부터의 출력공급을 저지하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체제조장치.
- 제 9항에 있어서,상기 이상 발생신호를 발생하는 수단으로부터의 이상 발생신호에 응답하여 상기 제조장치의 조작화면 내지 경보 표시장치에 이상의 표시를 행하는 이상 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체제조장치.
- 반도체 웨이퍼의 처리에 필요한 전류 및 전압 중 하나 이상을 표시하는 전력을 공급하는 전원장치를 사용하는 반도체웨이퍼의 제조방법에 있어서,상기 전력의 강도를 기설정된 값으로 설정하는 단계와;상기 전력의 공급의 온/오프를 설정하는 단계와;웨이퍼처리에 공급되는 현재의 전력을 검출하여 검출한 값에 따른 검출신호를 출력하는 단계와;상기 온/오프를 설정하는 단계에서 전력 오프 상태로 설정되어 있을 때에, 상기 전력을 검출하여 검출한 값에 따른 검출신호가 기설정된 옵셋허용범위를 초과하고 있다고 판단하고 이상 발생을 표시하는 신호를 생성하는 단계와;상기 이상 발생을 표시하는 신호에 응답하여 다음에 처리되는 반도체 웨이퍼의 처리를 정지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020012840A KR100886739B1 (ko) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 전원장치와 이것을 사용한 반도체제조장치 및반도체웨이퍼의 제조방법 |
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Publication Number | Publication Date |
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KR100886739B1 true KR100886739B1 (ko) | 2009-03-04 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100886739B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01136556A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-29 | Japan Atom Energy Res Inst | 加速電源装置の保護回路 |
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2002
- 2002-03-11 KR KR1020020012840A patent/KR100886739B1/ko active IP Right Grant
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