JP2017179425A - 異常検知システム及び制御ボード - Google Patents
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- 230000005856 abnormality Effects 0.000 title claims abstract description 145
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 83
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 23
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 17
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 28
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 18
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/515—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
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- G05B19/04—Programme control other than numerical control, i.e. in sequence controllers or logic controllers
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- G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
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- G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
- G05B23/02—Electric testing or monitoring
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- G05B23/0221—Preprocessing measurements, e.g. data collection rate adjustment; Standardization of measurements; Time series or signal analysis, e.g. frequency analysis or wavelets; Trustworthiness of measurements; Indexes therefor; Measurements using easily measured parameters to estimate parameters difficult to measure; Virtual sensor creation; De-noising; Sensor fusion; Unconventional preprocessing inherently present in specific fault detection methods like PCA-based methods
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- G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
- G05B23/0259—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the response to fault detection
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- G—PHYSICS
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- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45026—Circuit board, pcb
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
Description
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの制御系統の一例について、図1を参照しながら説明する。例えば、基板処理システムは、複数の基板処理装置、搬送室(TM:Transfer Module)、ロードロック室(LLM:Load Lock Module)等を有し、複数の基板処理装置にて複数の基板の処理が実行される。システムコントローラ1(EC:Equipment Controller)は、基板処理システムの全体を制御する統括制御部である。
次に、本発明の一実施形態に係る基板処理装置10、MC20、I/Oボード30のハードウェア構成の一例について、図2を参照しながら説明する。基板処理装置10は、プラズマCVD装置、プラズマALD装置、プラズマエッチング装置等の装置であり得る。本実施形態では、基板処理装置10は、基板の一例である半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と記す。)Wに対して、複数のガスを、互いに異なるタイミングで間欠的に繰り返し供給して成膜を行うALD(Atomic Layer Deposition)装置として構成されている。
(EC)
EC1は、工程管理者等によって指定されたレシピを含むプログラムを、ハードディスク装置や記憶媒体から読み出す。読み出したプログラムは、EC1から各MC20に送信される。また、EC1は、LANを介して基板処理システムが設置されている工場全体の製造工程を管理するMES(Manufacturing Execution System)としてのホストコンピュータに接続されている。ホストコンピュータは、工場における種々の工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システムにフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程を制御する。
(MC)
複数のMC20は、EC1によって統括されて制御される。なお、MC20は、基板処理システム内の複数の基板処理装置10だけでなく、ロードロック室や、ローダーユニットに対応させて設けることが可能であり、これらもEC1によって統括されて制御される。
(I/Oモジュール)
MC20は、ネットワーク48を介して1つ以上のI/Oモジュール31と接続されている。ネットワーク48は、I/Oモジュール31毎に割り当てられた複数のチャンネルCH0,CH1,CH2・・・を有している。ネットワーク48は、GHOST(General High-Speed Optimum Scalable Transceiver)と称されるLSIを用いて実現されるネットワークであってもよい。
(I/Oボード)
MC20に対応する1つ以上のI/Oモジュール31は、基板処理装置10への制御信号の入出力信号の伝達を行う。1つのI/Oモジュール31は、1つ以上のI/Oボード30を有している。I/Oボード30は、MC20の指示に従い、各機器を直接制御する制御ボードである。
次に、本発明の一実施形態に係るMC20及びI/Oボード30の機能構成の一例について、図3を参照しながら説明する。
I/Oボード30は、通信部36、記憶部37、計時部38及び機器制御部39を有する。通信部36は、MC20からのRF電源18をオンする指令信号を受信し、該指令信号に従いDO信号をRF電源18に送信する。通信部36は、指令信号(DO信号)に対する確認信号(DI信号)をMC20に送信する。通信部36は、RF電源18の高周波に関するAI信号及び整合器17の整合位置に関するAI信号をMC20に送信する。
MC20は、通信部25、制御部26、異常判定部27及びログ記憶部28を有する。通信部25は、I/Oボード30との間で各種の信号、例えば、DO信号、DI信号、AI信号を送受信する。制御部26は、EC1の指示に従い、基板処理装置10の制御を行う。
・RF電源18への指令信号の数、その指令信号に対する確認信号の数
・高周波(RF)の進行波及び反射波の電力を示す信号のピーク値、中央値、平均値
・RFの進行波及び反射波の電圧を示す信号のピーク値、中央値、平均値
・RFの進行波及び反射波の電力を示す信号を積算した積算値
・整合器17の整合位置を示す信号のピーク値、中央値及び平均値
・RF電源18への指令信号の遅延時間、その指令信号に対する確認信号の遅延時間
ログ記憶部28は、異常判定部27がRF電源18等の機器に異常があると判定した場合、異常と判定された機器の状態信号をログ情報として記憶する。
ALD法による成膜処理では、原料ガスを含む複数のガスの供給と停止を短時間で間欠的に繰り返し行う必要がある。例えば、CVD法による成膜処理を行うCVD装置のプラズマ制御の周期(一プロセスの時間)は、100ms程度あれば十分である。これに対して、ALD法による成膜処理を行うALD装置のプラズマ制御の周期は、RF電源18のオン及びオフの周期が短くなるため、10ms程度と短く設定する必要がある。よって、MC20が100ms毎に行うポーリングでは、MC20は、10ms程度の短周期でプラズマ制御されるRF電源18等の機器の状態信号を、必ずしも正しく取得できない場合がある。
<第1実施形態>
まず、第1実施形態に係る状態信号検出回路及び第1実施形態に係る異常検知処理の一例について、図4〜図6を参照しながら説明する。図4は、第1実施形態に係る状態信号検出回路の一例を示す。図5は、第1実施形態に係る異常検知処理の一例を示すフローチャートである。図6は、第1実施形態に係る異常検知処理における各信号のタイムチャートである。
(状態信号検出回路)
図4に示す第1実施形態に係る状態信号検出回路35は、FPGA回路34内にあり、フォトカプラ50とDOカウンタ40とDIカウンタ41とを有する。フォトカプラ50は、内部で電気信号を光に変換し再び電気信号へ戻すことによって、電気的に絶縁しながら信号を伝達する素子である。
(異常検知処理)
図5に示す第1実施形態に係る異常検知処理は、MC20により実行される。前提として、図6に示すように、時刻t0のSTART指令に従い、DOカウンタ40は、RF ON DO信号の回数Aをカウントし、DIカウンタ41は、RF ON DI信号の回数Bをカウントする。また、時刻t1のSTOP指令に従い、DOカウンタ40は、RF ON DO信号の回数Aのカウントを停止し、DIカウンタ41は、RF ON DI信号の回数Bのカウントを停止する。DOカウンタ40及びDIカウンタ41は、時刻t2のRESET信号に従い初期化される。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態に係る状態信号検出回路及び第2実施形態に係る異常検知処理の一例について、図7〜図10を参照しながら説明する。図7は、第2実施形態に係る状態信号検出回路の一例を示す。図8は、第1〜第6実施形態に係る状態信号(DO,DI,AI信号)を説明するためのタイムチャートである。図9は、第2〜第5実施形態に係る異常検知処理の一例を示すフローチャートである。図10は、第2実施形態に係る異常検知処理の一例を説明するためのタイムチャートである。
(状態信号検出回路)
図7に示す第2実施形態に係る状態信号検出回路35は、FPGA回路34内にあり、AI回路51と最大値レジスタ42と最小値レジスタ43とを有する。AI回路51は、RF進行波の電力Pfのアナログ信号を12ビットのデータにディジタル化したPf AI信号を出力する。また、RF反射波の電力Prのアナログ信号を12ビットのデータにディジタル化したPr AI信号を出力する。
(異常検知処理)
図9に示す第2実施形態に係る異常検知処理は、MC20により実行される。本処理が開始されると、制御部26は、ポーリングのタイミングに同期して、通信部25を介して所定のサンプリング間隔(本実施形態では、300μs)で収集されたサンプリングデータのPf(RFの進行波電力)のAI信号の最大値と最小値、及びPr(RFの反射波電力)のAI信号の最大値と最小値をI/Oボード30から受信する(ステップS32)。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態に係る状態信号検出回路及び第3実施形態に係る異常検知処理の一例について、図11及び図12を参照しながら説明する。図11は、第3実施形態に係る状態信号検出回路の一例を示す。図12は、第3実施形態に係る異常検知処理における各信号のタイムチャートである。
(状態信号検出回路)
図11に示す第3実施形態に係る状態信号検出回路35は、FPGA回路34内にあり、AI回路51と最大値レジスタ42と最小値レジスタ43とを有する。AI回路51は、RF進行波の電圧Vppのアナログ信号を12ビットのデータにディジタル化したVpp AI信号を出力する。
(異常検知処理)
第2実施形態と同様に、MC20は、ポーリング毎にI/Oボード30から取得したサンプリングデータの最大値及び最小値に基づき、RF電源18等の機器の異常の有無を判定する。具体的には、図9の異常検知処理で使用されたサンプリングデータが、Pf AI信号及びPr AI信号のサンプリングデータであったのに対して、本実施形態は、Vpp AI信号のサンプリングデータを使用して、図9の異常検知処理と類似の処理を行う。これにより、RF電源18の異常の有無を判定できる。なお、MC20は、ポーリング毎にI/Oボード30から取得したサンプリングデータのピーク値、平均値、中央値等を算出し、算出結果に基づき、機器の異常の有無を判定してもよい。
<第4実施形態>
次に、第4実施形態に係る状態信号検出回路及び第4実施形態に係る異常検知処理の一例について、図13及び図14を参照しながら説明する。図13は、第4実施形態に係る状態信号検出回路の一例を示す。図14は、第4実施形態に係る異常検知処理における各信号のタイムチャートである。
(状態信号検出回路)
図13に示す第4実施形態に係る状態信号検出回路35は、FPGA回路34内にあり、AI回路51と最大値レジスタ42と最小値レジスタ43とを有する。AI回路51は、整合器17の整合位置であるLoad PositionとTune Positionのアナログ信号を12ビットのデータにディジタル化したLoad AI信号とTune AI信号を出力する。
(異常検知処理)
第2実施形態と同様に、MC20は、ポーリング毎にI/Oボード30から取得したサンプリングデータの最大値及び最小値に基づき、整合器17の異常の有無を判定する。具体的には、図9の異常検知処理で使用されたサンプリングデータが、Pf AI信号及びPr AI信号のサンプリングデータであったのに対して、本実施形態は、整合器17のLoad AI信号及びTune AI信号のサンプリングデータを使用して、図9の異常検知処理と同一の処理を行う。これにより、整合器17の異常の有無を判定できる。なお、MC20は、ポーリング毎にI/Oボード30から取得したサンプリングデータのピーク値、平均値、中央値等を算出し、算出結果に基づき、機器の異常の有無を判定してもよい。
<第5実施形態>
次に、第5実施形態に係る状態信号検出回路及び第5実施形態に係る異常検知処理の一例について、図15〜図17を参照しながら説明する。図15は、第5実施形態に係る状態信号検出回路の一例を示す。図16は、第5実施形態に係る異常検知処理における各信号のタイムチャートである。図17は、第5実施形態に係る異常検知処理における積算方法を説明するための図である。
(状態信号検出回路)
図15に示す第5実施形態に係る状態信号検出回路35は、FPGA回路34内にあり、AI回路51と積算レジスタ44とを有する。AI回路51は、RF進行波の電力Pfのアナログ信号及びRF反射波の電力Prのアナログ信号を12ビットのデータにディジタル化したPf AI信号及びPr AI信号を出力する。
(異常検知処理)
MC20は、ポーリング毎にI/Oボード30から取得した、Pf AI信号及びPr AI信号のサンプリングデータの積算値を取得する。MC20は、積算結果に基づき、ALDの1サイクルにおけるRF電源18の異常の有無を判定する。また、MC20は、ALDの1サイクルごとの積算値を合計することで、一プロセスにおけるRF電源18の異常の有無を判定する。なお、算出したALDの1サイクルの積算値は、積算レジスタ44に蓄積され、MC20が、積算レジスタ44に蓄積された積算値を収集して、1プロセスの積算値を算出する。
<第6実施形態>
次に、第6実施形態に係る状態信号検出回路及び第6実施形態に係る異常検知処理の一例について、図18〜図20を参照しながら説明する。図18は、第6実施形態に係る状態信号検出回路の一例を示す。図19は、第6実施形態に係る異常検知処理の一例を示すフローチャートである。図20は、第6実施形態に係る異常検知処理における各信号のタイムチャートである。
(状態信号検出回路)
図18に示す第6実施形態に係る状態信号検出回路35は、FPGA回路34内にあり、フォトカプラ50と立上がり遅延時間カウンタ45と立下がり遅延時間カウンタ46とを有する。
(異常検知処理)
図19に示す第6実施形態に係る異常検知処理は、MC20により実行される。前提として、制御部26は、予めRF電源18が正常に動作しているときのDO信号(RF ON DO)とDI信号(RF ON DI)との立上がりにおける基準遅延時間Δtaの値と、RF ON DO信号とRF ON DI信号との立下がりにおける基準遅延時間Δtbの値とを測定しておく。
10:基板処理装置
11:処理容器
14:ガス供給源
16:排気装置
17:整合器
18:RF電源
19:ステージ
20:MC
21:I/O制御インターフェース
22:CPU
23:揮発性メモリ
24:不揮発性メモリ
25:通信部
26:制御部
27:異常判定部
28:ログ記憶部
30:I/Oボード
31:I/Oモジュール
32:CPU
33:RAM
34:FPGA
35:状態信号検出回路
36:通信部
37:記憶部
38:計時部
39:機器制御部
40:DOカウンタ
41:DIカウンタ
42:最大値レジスタ
43:最小値レジスタ
44:積算レジスタ
45:立上がり遅延時間カウンタ
46:立下がり遅延時間カウンタ
48:ネットワーク
50:フォトカプラ
51:AI回路
Claims (8)
- 基板処理装置を制御する上位コントローラと、該上位コントローラの指示に従い、前記基板処理装置に設けられた機器を制御する下位コントローラとを有し、前記機器の異常を検知する異常検知システムであって、
前記下位コントローラは、前記機器の状態信号を、所定の周期における所定時間、所定のサンプリング間隔で収集し、収集した該機器の状態信号を蓄積する記憶部を有し、
前記上位コントローラは、蓄積した前記機器の状態信号を、前記所定時間以上の時間間隔で前記下位コントローラから取得し、取得した前記機器の状態信号に基づき、前記機器の異常の有無を判定する異常判定部とを有する、
異常検知システム。 - 前記機器は、前記基板処理装置に設けられた高周波電源及び整合器の少なくともいずれかであり、
前記記憶部は、前記高周波電源への指令信号の数、該指令信号に対する確認信号の数、前記高周波電源が出力する高周波の進行波の電力の信号、前記高周波の反射波の電力の信号、前記高周波の進行波の電圧の信号、前記整合器の整合位置の信号、前記高周波の進行波の電力の積算値を示す信号、前記高周波電源への指令信号と該指令信号に対する確認信号の立上がりの遅延時間を示す信号、及び前記高周波電源への指令信号と該指令信号に対する確認信号の立下がりの遅延時間を示す信号の少なくとも一つの状態信号を蓄積する、
請求項1に記載の異常検知システム。 - 前記異常判定部は、前記高周波の進行波の電力の信号と、前記高周波の反射波の電力の信号と、前記高周波の進行波の電圧の信号と、前記整合器の整合位置の信号のそれぞれのピーク値、中央値及び平均値、及び前記高周波の進行波の電力の積算値の信号が示す電力積算値の少なくとも一つに基づき、前記高周波電源の異常の有無を判定する、
請求項2に記載の異常検知システム。 - 前記異常判定部は、前記高周波電源への指令信号の数及び該指令信号に対する確認信号の数の少なくともいずれかに基づき、前記高周波電源の異常、前記整合器の異常又は該高周波電源と該整合器との間の配線の異常の有無を判定する、
請求項2に記載の異常検知システム。 - 前記異常判定部は、前記高周波電源への指令信号と該指令信号に対する確認信号の立上がりの遅延時間の信号が示す遅延時間及び前記高周波電源への指令信号と該指令信号に対する確認信号の立下がり遅延時間の信号が示す遅延時間の少なくともいずれかに基づき、前記高周波電源の異常又は前記整合器の異常の有無を判定する、
請求項2に記載の異常検知システム。 - 前記異常判定部が前記機器に異常があると判定した場合、該機器の状態信号のログ情報を記憶するログ記憶部を有する、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の異常検知システム。 - 前記基板処理装置は、ALD法により基板に成膜処理を行うALD装置である、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の異常検知システム。 - 基板処理装置に設けられた機器の状態信号に基づき、前記機器の異常の有無を判定する上位コントローラに接続され、前記機器を制御する制御ボードであって、
前記機器の状態信号を、所定の周期における所定時間、所定のサンプリング間隔で収集、収集した該機器の状態信号を蓄積する記憶部と、
前記上位コントローラが前記所定時間以上の時間間隔で発信するポーリングに応じて、蓄積した前記機器の状態信号を送信する通信部とを有する、
制御ボード。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016066052A JP6695190B2 (ja) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | 異常検知システム及び制御ボード |
CN201780021606.5A CN108884566B (zh) | 2016-03-29 | 2017-03-15 | 异常探测系统和控制板 |
PCT/JP2017/010496 WO2017169804A1 (ja) | 2016-03-29 | 2017-03-15 | 異常検知システム及び制御ボード |
KR1020187028162A KR102220434B1 (ko) | 2016-03-29 | 2017-03-15 | 이상 검지 시스템 및 제어 보드 |
US16/088,102 US11873560B2 (en) | 2016-03-29 | 2017-03-15 | Abnormality detection system and control board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016066052A JP6695190B2 (ja) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | 異常検知システム及び制御ボード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017179425A true JP2017179425A (ja) | 2017-10-05 |
JP6695190B2 JP6695190B2 (ja) | 2020-05-20 |
Family
ID=59965331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016066052A Active JP6695190B2 (ja) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | 異常検知システム及び制御ボード |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11873560B2 (ja) |
JP (1) | JP6695190B2 (ja) |
KR (1) | KR102220434B1 (ja) |
CN (1) | CN108884566B (ja) |
WO (1) | WO2017169804A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102856149A (zh) | 2011-06-27 | 2013-01-02 | 东京毅力科创株式会社 | 异常检测装置和异常检测方法 |
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2016
- 2016-03-29 JP JP2016066052A patent/JP6695190B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-15 US US16/088,102 patent/US11873560B2/en active Active
- 2017-03-15 WO PCT/JP2017/010496 patent/WO2017169804A1/ja active Application Filing
- 2017-03-15 KR KR1020187028162A patent/KR102220434B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-15 CN CN201780021606.5A patent/CN108884566B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108884566A (zh) | 2018-11-23 |
US20200299841A1 (en) | 2020-09-24 |
CN108884566B (zh) | 2020-11-03 |
KR20180118728A (ko) | 2018-10-31 |
KR102220434B1 (ko) | 2021-02-24 |
JP6695190B2 (ja) | 2020-05-20 |
US11873560B2 (en) | 2024-01-16 |
WO2017169804A1 (ja) | 2017-10-05 |
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